KR20110118277A - 투과형 유기 발광 다이오드 소자 및 이를 이용한 투과형 조명 장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 외부 광효율이 향상된 투과형 유기 발광 다이오드 소자 및 이를 포함한 투과형 조명 장치에 관한 것이다. 본 발명은 투과형 유기 발광 다이오드 소자에 있어서, 기판의 상부에 형성된 투명한 양극; 상기 양극의 상부에 형성된 유기 발광층; 상기 유기 발광층의 상부에 형성된 투명한 음극; 및 상기 음극의 상부에 형성되며, 상기 유기 발광층으로부터 생성된 광의 경로를 변경시켜 소자의 광추출 효율을 향상시키는 광추출 향상층을 포함한다.
본 발명에 따르면, 유기 발광 다이오드 소자의 양면 발광 또는 단면 발광 시의 외부 광추출 효율을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 전면과 배면의 외부 광추출 효율을 선택적으로 향상시키거나 동시에 향상시킬 수 있다. 또한, 양면 발광시, 전면과 배면 간의 광추출 비율을 조절할 수 있다.
본 발명에 따르면, 유기 발광 다이오드 소자의 양면 발광 또는 단면 발광 시의 외부 광추출 효율을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 전면과 배면의 외부 광추출 효율을 선택적으로 향상시키거나 동시에 향상시킬 수 있다. 또한, 양면 발광시, 전면과 배면 간의 광추출 비율을 조절할 수 있다.
Description
본 발명은 투과형 유기 발광 다이오드 소자 및 이를 포함한 투과형 조명 장치에 관한 것으로, 특히, 외부 광효율이 향상된 투과형 유기 발광 다이오드 소자 및 이를 포함한 투과형 조명 장치에 관한 것이다.
본 발명은 지식경제부의 IT성장동력기술개발사업의 일환으로 수행한 연구로부터 도출된 것이다[과제관리번호:2009-F-016-01, 과제명:환경/감성형 OLED 면조명 기술]
종래에는 조명장치로 백열등 또는 형광등이 주로 사용되었으나, 백열등의 경우 효율이 낮고 수명이 짧으며, 형광등의 경우 수은, 납 등의 중금속이 포함되는 문제점이 지적되었다.
따라서, 차세대 조명으로 유기 발광 다이오드 소자(Organic Light Emitting Diode;OLED)에 대한 연구가 활발히 진행되고 있다. 유기 발광 다이오드 소자는 중금속이 사용되지 않아 친환경적이고, 고효율 광원으로의 가능성이 높이며, 종래의 광원에 비해 점광원, 선광원, 면광원의 다양한 형태로 제작이 가능하다는 장점이 있다.
이하, 도면을 참조하여 종래기술에 따른 유기 발광 다이오드 소자의 구조, 동작 원리 및 그에 따른 문제점에 대해 살펴보도록 한다.
도 1은 종래기술에 따른 유기 발광 다이오드 소자의 구조를 나타내는 단면도이다.
도시된 바와 같이, 종래의 유기 발광 다이오드 소자(100)는 기판(110) 상에 차례로 적층된 양극(120), 유기 발광층(130) 및 음극(140)을 구비한다.
여기서, 양극(120) 및 음극(140)은 구현하고자 하는 발광 형태에 따라 투명, 반투명 또는 불투명 전극으로 형성되며, 투명 전극으로 형성하는 경우 일반적으로 광투과성이 좋은 산화 인듐 주석(Indium Tin Oxide; ITO)으로 형성된다.
유기 발광층(130)은 양극(120)으로부터의 정공의 주입을 용이하게 하는 정공 주입층(hole injection layer;130A), 정공 주입층(130A)을 통해 주입된 정공의 수송을 용이하게 하는 정공 수송층(hole tranporting layer;130B), 발광층(emission layer;EML;130C), 발광층(130C)으로의 전자 수송을 용이하게 하는 전자 수송층(electron transporting layer;130D) 및 음극(140)으로부터의 전자의 주입을 용이하게 하는 전자 주입층(electron injection layer;130E)을 포함한다.
이와 같은 구조를 갖는 종래의 유기 발광 다이오드 소자의 동작 원리를 살펴보면 다음과 같다.
먼저, 양극(120) 및 음극(140)에 구동 전압이 인가되면, 정공 주입층(130A) 내의 정공이 정공 수송층(130B)을 통해 발광층(130C)으로 공급되고, 전자 주입층(130E) 내의 전자가 전자 수송층(130D)을 통해 발광층(130C)으로 공급된다. 공급된 전자와 정공은 발광층(130C)에서 결합되어 발광이 일어난다.
한편, 양면 방출(Top and Bottom emission)을 위한 유기 발광 다이오드 소자는 투명한 음극(cathode)을 구비해야 한다. 따라서, 종래에는 광투과도를 증가시키는 물질로 투명 음극을 형성하거나, 투명 음극의 전기 전도도를 낮출 수 있도록 소자의 구조를 개선하는 등의 방안이 연구되고 있다.
그러나, 전술한 바와 같은 종래기술에 따르면, 유기 발광 다이오드 소자에 투명 음극을 구비하더라도 음극으로 사용되는 금속에 의한 미세공진 효과 (Microcavity effect)가 소자 전반적으로 형성되기 때문에, 여전히 내부에서 발생된 총 광자를 외부로 효율적으로 추출하는데 한계가 있다.
본 발명은 상기 문제점을 해결하기 위해 제안된 것으로, 유기 발광층으로부터 생성된 광의 경로를 변경시켜 소자의 광추출 효율을 향상시키는 광추출 향상층을 구비하는 유기 발광 다이오드 소자 및 이를 이용한 투과형 조명 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기 목적을 달성하기 위해 제안된 본 발명은 투과형 유기 발광 다이오드 소자에 있어서, 기판의 상부에 형성된 투명한 양극; 상기 양극의 상부에 형성된 유기 발광층; 상기 유기 발광층의 상부에 형성된 투명한 음극; 및 상기 음극의 상부에 형성되며, 상기 유기 발광층으로부터 생성된 광의 경로를 변경시켜 소자의 광추출 효율을 향상시키는 광추출 향상층을 포함하는 것을 일 특징으로 한다.
또한, 본 발명은 투과형 조명 장치에 있어서, 투과형 유기 발광 다이오드 소자를 광원으로 이용하는 구조를 가지며, 상기 투과형 유기 발광 다이오드 소자는, 기판의 상부에 형성된 투명한 양극; 상기 양극의 상부에 형성된 유기 발광층; 상기 유기 발광층의 상부에 형성된 투명한 음극; 및 상기 음극의 상부에 형성되며, 상기 유기 발광층으로부터 생성된 광의 경로를 변경시켜 상기 소자의 광추출 효율을 향상시키는 광추출 향상층을 포함하는 것을 다른 특징으로 한다.
본 발명에 따르면, 음극 상에 광추출 향상층을 형성함으로써, 유기 발광 다이오드 소자의 구조를 약한 미세 공진이 형성되는 구조로 개선하여 소자의 외부 광추출 효율을 증가시킬 수 있다. 특히, 광추출 향상층의 굴절률, 굴절률에 따른 적층 순서 및 두께를 조절하여 유기 발광 다이오드 소자의 양면 발광 또는 단면 발광 시의 외부 광추출 효율을 향상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 전면과 배면의 외부 광추출 효율을 선택적으로 향상시키거나 동시에 향상시킬 수 있다. 또한, 양면 발광시, 전면과 배면 간의 광추출 비율을 조절할 수 있다.
일 예로, 광추출 향상층에 의해 광경로를 변경시키되, 소자 전면 상의 고굴절 광추출 향상층과 공기 간의 굴절률 차이에 따른 전반사 특성을 이용함으로써, 유기 발광 다이오드 소자의 배면의 광추출 효율을 향상시킬 수 있다.
다른 예로, 복수층으로 이루어지는 광추출 향상층을 형성하되, 각 층의 굴절률, 굴절률에 따른 적층 순서 또는 두께를 통해, 유기 발광 다이오드 소자의 전면과 배면 간의 광추출 비율을 조절할 수 있다.
도 1은 종래기술에 따른 유기 발광 다이오드 소자의 구조를 나타내는 단면도
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 투과형 유기 발광 다이오드 소자의 구조를 나타내는 단면도
도 3a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 투과형 유기 발광 다이오드 소자의 구조를 나타내는 단면도
도 3b 및 도 3c는 본 발명의 제1 실시예에 따른 투과형 유기 발광 다이오드 소자의 특성을 나타내는 그래프
도 4a는 본 발명의 제2 실시예에 따른 투과형 유기 발광 다이오드 소자의 구조를 나타내는 단면도
도 4b 및 도 4c는 본 발명의 제2 실시예에 따른 투과형 유기 발광 다이오드 소자의 특성을 나타내는 그래프
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 투과형 유기 발광 다이오드 소자의 구조를 나타내는 단면도
도 3a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 투과형 유기 발광 다이오드 소자의 구조를 나타내는 단면도
도 3b 및 도 3c는 본 발명의 제1 실시예에 따른 투과형 유기 발광 다이오드 소자의 특성을 나타내는 그래프
도 4a는 본 발명의 제2 실시예에 따른 투과형 유기 발광 다이오드 소자의 구조를 나타내는 단면도
도 4b 및 도 4c는 본 발명의 제2 실시예에 따른 투과형 유기 발광 다이오드 소자의 특성을 나타내는 그래프
이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 바람직한 실시예를 첨부도면을 참조하여 설명하기로 한다.
도 2는 본 발명의 일 실시예에 따른 투과형 유기 발광 다이오드 소자의 구조를 나타내는 단면도이다.
도시된 바와 같이, 본 발명의 일 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 소자(200)는 기판(210)의 상부에 형성된 투명한 양극(220), 양극(220)의 상부에 형성된 유기 발광층(230), 유기 발광층(230)의 상부에 형성된 투명한 음극(240) 및 음극(240)의 상부에 형성되며, 유기 발광층(230)으로부터 생성된 광의 경로를 변경시켜 소자의 광추출 효율을 향상시키는 광추출 향상층(250)을 포함한다.
또한, 유기 발광층(230)은 정공 주입층(hole injection layer;230A), 정공 수송층(hole tranporting layer;230B), 발광층(emission layer;EML;230C), 전자 수송층(electron transporting layer;230D) 및 전자 주입층(electron injection layer;230E)을 포함한다.
투명한 양극(220) 또는 투명한 음극(240)은 플르오르화리튬(LiF), 알루미늄(Al) 및 은(Ag)의 조합으로 이루어지는 것이 바람직하며, 마그네슘(Mg), 세슘(Cs)등을 더 포함하는 것이 더욱 바람직하다.
유기 발광층(230)은 유기 물질로 이루어진다. 일 예로, 발광층(230C)은 적색 발광층, 녹색 발광층, 청색 발광층 및 이를 포함하는 백색 발광층이거나, 적색, 녹색 및 청색 발광층 중 어느 하나를 포함하는 단색 발광층일 수 있다.
전자 주입층(230E) 및 전자 수송층(230D)은 유기층에 N타입의 금속을 도핑하여 형성될 수 있다. 또는, 전자 수송층(230D)을 형성하기 위한 유기층에 N타입의 금속을 도핑하여 전자 주입층(230E)을 형성할 수 있다.
여기서, 도핑 금속으로는 알카리 금속(리튬-Li, 나트륨-Na, 칼륨-K, 루비듐-Rb, 세슘-Cs, 프랑슘-Fr, 우누넨슘-Uue 등) 및 알카리 토금속(베릴륨-Be, 마그네슘-Mg, 칼슘-Ca, 스트론튬-Sr, 바륨-Ba, 라듐-Ra 등)으로 이루어진 군에서 선택되는 하나 이상의 금속 물질을 이용할 수 있다.
또한, 유기층에 도핑된 금속의 비율은 0% 내지 90%의 범위에서 적절하게 조절되는 것이 바람직하다.
광추출 향상층(250)은 유기 발광층(230)으로부터 생성된 광의 경로를 변경하여 소자의 외부 광추출 효율을 향상시키기 위한 것이다. 여기서, 광추출 효율이란 유기 발광 다이오드 소자에서 유기 발광층(230)으로부터 출사되는 발광량에 대하여 외부로 추출되는 광량의 비율을 의미한다.
본 도면에서는 광추출 향상층(250)을 하나의 층으로 도시하였으나, 광추출 향상층(250)은 단일 층으로 이루어지거나 복수 층으로 이루어질 수 있다. 예를 들어, 광추출 향상층(250)은 10층 이하의 복수 층으로 형성되는 것이 바람직하다.
광추출 향상층(250)은 가시 광선 영역에서 n=1에서 n=2.5 범위의 굴절률을 갖는 유기물, 무기물 또는 이들의 조합으로 이루어지는 것이 바람직하다. 또한, 광추출 향상층(250)이 복수 층으로 이루어지는 경우, 각 층은 굴절률이 상이한 물질로 이루어지는 것이 바람직하다. 예를 들어, 저굴절률/고굴절률, 저굴절률/중굴절률/고굴절률 또는 중굴저률/저굴절률/고굴절률의 순서로 적층될 수 있으며, 이 밖에도 광학적 이론에 근거한 다양한 순서로 복수 층을 적층시킬 수 있다.
광추출 향상층(250)는 광원의 발광물질의 스펙트럼과 관련하여 10nm 내지 1000nm의 두께를 갖는 것이 바람직하며, 복수 층으로 이루어진 경우에도 각 층이 10nm 내지 1000nm의 두께를 갖는 것이 바람직하다. 특히, 광추출 향상층(250)의 두께는 광의 파장에 따라 결정하는 것이 바람직하다.
광추출 향상층(250)은 열증착법(Thermal evaporator), 전자선 증착법(E-beam evaporator), 스퍼터 증착법(Sputter), 스핀 코터법(spin coater), 화학기상증착법(Chemical Vapor Deposition) 등에 의해 형성될 수 있으며, 이 방식들은 혼용되거나 순차적으로 사용될 수 있다.
이와 같은 광추출 향상층(250)이 포함된 투과형 백색 유기발광다이오드 소자는 유기 발광층(230)에서 생성된 광의 30 내지 80%를 외부로 방출할 수 있으며, 투과형 청색, 녹색, 적색 유기 발광 다이오드 소자 역시 유기 발광층(230)에서 생성된 광의 30 내지 80%를 외부로 방출할 수 있다.
즉, 광추출 향상층(250)에 의해 유기 발광층(230)으로부터 생성된 광의 경로를 변경시킴으로써, 유기 발광 다이오드 소자의 외부 광추출 효율을 향상시킬 수 있다. 따라서, 조명 장치의 광원으로 적합한 유기 발광 다이오드 소자를 제공할 수 있다.
이하, 광추출 향상층(250)을 포함하는 유기 발광 다이오드의 소자의 구체적인 실시예를 설명하도록 한다.
도 3a 내지 도 3c는 본 발명의 제1 실시예에 따른 투과형 유기 발광 다이오드 소자의 구조를 나타내는 단면도 및 그에 따른 특성을 나타내는 그래프이다. 제1 실시예에서는 유기 발광 다이오드 소자의 배면의 광 추출 효율을 선택적으로 향상시키는 경우에 대해 설명하도록 한다.
도 3a는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 소자의 단면을 나타낸다. 도시된 바와 같이, 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 소자(200)는 기판(210) 상에 차례로 적층된 양극(220), 유기 발광층(230), 음극(240) 및 광효율 향상층(250A, 250B)을 포함한다.
단, (a)는 종래기술에 따른 유기 발광 다이오드 소자의 단면을 나타낸다. (b)는 광추출 향상층(250A)이 굴절률이 n=1.78인 TAPC로 이루어진 단일층으로 형성된 경우를 나타낸다. 또한, (c)는 광추출 향상층(250B)이 굴절률이 n=1.78인 TAPC 및 굴절률이 n=2.4인 산화주석(TiO2)으로 이루어진 복수 층으로 형성된 경우를 나타낸다.
하기의 표 1은 각 층의 구체적인 물질 및 두께를 나타낸다.
| 물질 | 두께(nm) | |
| 광추출 향상층 |
TiO2 | 55 |
| TAPC | 75 | |
| 음극 | Ag | 15 |
| Al | 1.5 | |
| LiF | 1.0 | |
| 전자수송층 | BmPyPB | 60 |
| 발광층 | DCzPPy:Irppy(7%) | 20 |
| 정공수송층 | TAPC | 60 |
여기서, DCzPPy:Irppy(7%)는 Irppy가 7% 도핑된 DCzPPy를 의미한다. BmPyPB는 (1,3-bis(3,5-dipyrid-3-yl-phenyl)bezen)을 의미한다. TAPC는 (1,1-bis[4-[N,N-di(4-tolyl)amino]phenyl]cyclohexane)을 의미한다.
도 3b는 유기 발광 다이오드 소자의 외부 광추출 특성을 나타낸 그래프이고, 도 3c는 유기 발광 다이오드 소자의 정규화된 EL 세기(normalized EL intensity)를 나타낸 그래프이다. 또한, 하기의 표 2는 본 발명의 제1 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 소자의 외부 양자 효율(External Quantum Efficiency;EQE)을 나타낸다.
| 배면(Bottom) | 전면(Top) | 외부 양자 효율(QEQ) | |
| (a) | 8 | 2 | 10% |
| (b) | 7 | 5 | 12% |
| (c) | 11.2 | 3 | 14.2% |
도 3b, 도 3c 및 표 2를 통해, 광추출 향상층(250A, 250B)을 추가함으로써 외부 광추출 효율이 증가됨을 알 수 있다. 특히, 공기보다 큰 굴절률을 갖는 광추출 향상층(250A, 250B)을 형성함으로써, 광추출 향상층(250A, 250B)과 공기 간의 굴절률 차이에 따른 전반사 특성을 이용하여 상기 소자의 배면의 광추출 효율을 선택적으로 향상시킬 수 있음을 알 수 있다.
또한, 광추출 향상층(250B)을 복수층으로 형성하는 경우 상부로 갈수록 굴절률이 높은 물질로 이루어지도록 광추출 향상층(250B)을 형성함으로써, 배면의 광추출 효율을 효과적으로 향상시킬 수 있음을 알 수 있다.
도 4a 내지 도 4c는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 소자의 구조 및 그에 따른 특성을 나타내는 그래프이다. 제2 실시예에서는 광추출 향상층의 최상단면에 도달한 광의 일부는 소자 외부로 방출시키고 일부는 전반사시킴으로써, 유기 발광 다이오드 소자의 전면과 배면 간의 광추출 비율을 조절하는 경우에 대해 설명하도록 한다.
도 4a는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 소자의 단면을 나타낸다. 도시된 바와 같이, 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 소자(200)는 기판(210) 상에 차례로 적층된 양극(220), 유기 발광층(230), 음극(240) 및 광효율 향상층(250A, 250C, 250D)을 포함한다.
단, (a)는 종래기술에 따른 유기 발광 다이오드 소자의 단면을 나타낸다. (b)는 광추출 향상층(250A)이 굴절률이 n=1.78인 TAPC로 이루어진 단일층으로 형성된 경우를 나타낸다. (c)는 광추출 향상층(250C)이 굴절률이 n=1.78인 TAPC 및 굴절률이 n=1.39인 플루오르화리튬(LiF)으로 이루어진 복수층으로 형성된 경우를 나타낸다. 또한, (d)는 광추출 향상층(250D)이 굴절률이 n=1.78인 TAPC, 굴절률이 n=1.39인 플루오르화리튬(LiF) 및 굴절률이 n=2.3인 산화주석(TiO2)으로 이루어진 복수층으로 형성된 경우를 나타낸다.
하기의 표 3은 각 층의 구체적인 물질 및 두께를 나타낸다.
| 물질 | 두께(nm) | |
| 광추출 향상층 |
TiO2 | 55 |
| LiF | 91 | |
| TAPC | 75 | |
| 음극 | Ag | 15 |
| Al | 1.5 | |
| LiF | 1.0 | |
| 전자수송층 | BmPyPB | 60 |
| 발광층 | DCzPPy:Irppy(7%) | 20 |
| 정공수송층 | TAPC | 60 |
도 4b는 유기 발광 다이오드 소자의 외부 광추출 특성을 나타낸 그래프이고, 도 4c는 유기 발광 다이오드 소자의 정규화된 EL 세기(normalized EL intensity)를 나타낸 그래프이다. 또한, 하기의 표 4는 본 발명의 제2 실시예에 따른 유기 발광 다이오드 소자의 외부 양자 효율(EQE)을 나타낸다.
| 배면(Bottom) | 전면(Top) | 외부 양자 효율(QEQ) | |
| (a) | 8 | 2 | 10% |
| (b) | 7 | 5 | 12% |
| (c) | 6.5 | 3 | 9.5% |
| (d) | 14 | 4 | 18% |
도 4b, 도 4c 및 표 4를 통해, 광추출 향상층(250A, 250C, 250D)을 추가함으로써 외부 광추출 효율이 증가됨을 알 수 있다. 특히, 광추출 향상층(250A, 250C, 250D)을 복수층으로 형성하되, 각 층의 굴절률, 굴절률에 따른 적층 순서 또는 두께에 따라 유기 발광 다이오드 소자의 전면과 배면의 광추출 비율을 조절할 수 있음을 알 수 있다.
본 명세서에서는 광추출 향상층을 포함하는 유기 발광 다이오드 소자의 구조에 대해 설명하였으나, 이는 광추출 향상층을 포함하는 유기 발광 다이오드 소자를 광원으로 이용하는 구조를 갖는 투과형 조명 장치에 대해서도 동일하게 적용된다.
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 설명하였다. 그러나, 본 발명의 실시예는 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위하여 제공되어지는 것으로, 본 발명의 범위가 상기의 실시예에 한정되는 것은 아니며, 여러 가지 다른 형태로 변형이 가능함은 물론이다.
100: 유기 발광 다이오드 소자 110: 기판
120: 양극 130: 유기 발광층
130A: 정공 주입층 130B: 정공 수송층
130C: 발광층 130D: 전자수송층
130E: 전자수송층 140: 음극
200: 유기 발광 다이오드 소자 210: 기판
220: 양극 230: 유기 발광층
230A: 정공 주입층 230B: 정공 수송층
230C: 발광층 230D: 전자수송층
230E: 전자수송층 240: 음극
250, 250A, 250B, 250C, 250D: 광추출 향상층
120: 양극 130: 유기 발광층
130A: 정공 주입층 130B: 정공 수송층
130C: 발광층 130D: 전자수송층
130E: 전자수송층 140: 음극
200: 유기 발광 다이오드 소자 210: 기판
220: 양극 230: 유기 발광층
230A: 정공 주입층 230B: 정공 수송층
230C: 발광층 230D: 전자수송층
230E: 전자수송층 240: 음극
250, 250A, 250B, 250C, 250D: 광추출 향상층
Claims (8)
- 기판의 상부에 형성된 투명한 양극;
상기 양극의 상부에 형성된 유기 발광층;
상기 유기 발광층의 상부에 형성된 투명한 음극; 및
상기 음극의 상부에 형성되며, 상기 유기 발광층으로부터 생성된 광의 경로를 변경시켜 소자의 광추출 효율을 향상시키는 광추출 향상층
을 포함하는 투과형 유기 발광 다이오드 소자.
- 기판의 상부에 형성된 투명한 양극;
상기 양극의 상부에 형성된 유기 발광층;
상기 유기 발광층의 상부에 형성된 투명한 음극; 및
상기 음극의 상부에 형성되며, 상기 유기 발광층으로부터 생성된 광의 경로를 변경시켜 상기 소자의 광추출 효율을 향상시키는 광추출 향상층
을 포함하는 투과형 유기 발광 다이오드 소자를 광원으로 이용하는
투과형 조명 장치.
- 제2항에 있어서,
상기 광추출 향상층은,
상기 광추출 향상층과 공기 간의 굴절률 차이에 따른 전반사 특성을 이용하여 상기 소자의 배면의 광추출 효율을 향상시키는
투과형 조명 장치.
- 제3항에 있어서,
상기 광추출 향상층은,
단일 층 또는 굴절률이 상이한 복수 층으로 이루어지며, 복수층일 경우 상부로 갈수록 굴절률이 높은 물질로 이루어지는
투과형 조명 장치.
- 제2항에 있어서,
상기 광추출 향상층은 굴절률이 상이한 복수의 층으로 이루어지고,
상기 복수의 층의 굴절률, 상기 굴절률에 따른 적층 순서 또는 두께에 따라 상기 소자의 전면과 배면 간의 광추출 비율이 조절된
투과형 조명 장치.
- 제2항에 있어서,
상기 광추출 향상층은,
유기물, 무기물 또는 이들의 조합으로 이루어지는
투과형 조명 장치.
- 제2항에 있어서,
상기 광추출 향상층은,
n=1 내지 n=2.5의 굴절률을 갖는 물질로 이루어지는
투과형 조명 장치.
- 제2항에 있어서,
상기 광추출 향상층은,
10 내지 1000nm의 두께를 갖는
투과형 조명 장치.
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