KR101321956B1 - 광 추출 유전층을 가지는 유기 양면 발광 다이오드 - Google Patents

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Abstract

다이오드로서,
상기 다이오드는:
- 투명 하부 전극(5)과 투명 상부 전극(3) 사이에 배열되는 유기 전자 발광층(4); 및
- 이 유기 전자 발광층(4)의 반대편에 있는 각 전극(5,3)과 접촉하여 놓이고 상기 전극과 결합되는 경우, 방출된 광의 최대 반사율을 얻는 방식으로 적응되는 유전층(6,2)을 포함한다.
이러한 구조는 광 추출을 최적화하여 광 출력을 최적화한다.
디스플레이 또는 조명 패널은 이들 다이오드 어레이를 포함한다.
다이오드, 발광, 유기, 유전층, 반투명

Description

광 추출 유전층을 가지는 유기 양면 발광 다이오드{ORGANIC DOUBLE-SIDED LIGHT-EMITTING DIODE WITH A LIGHT EXTRACTION DIELECTRIC LAYER}
본 발명은 2개의 대향면을 경유하여 발광할 수 있는 유기 발광 다이오드에 대한 것으로서, 상기 발광 다이오드는:
- 투명 또는 반투명 기판; 및
- 이 기판에 증착되어, 발광할 수 있는 유기 전계 발광층(electroluminescent layer)을 포함하되, 이 발광층은 하부 전극과 상부 전극 사이에 삽입되며, 각 전극은 투명 또는 반투명이다.
그러므로, 이는 소위 상부-방출(top-emitting) 및 하부-방출(bottom-emitting) 다이오드이다. 이러한 다이오드는 종래의 구조를 가질 수 있으며, 이 경우 상부 전극은 음극이 되거나, 또는 역의 구조를 가질 수 있으며, 이 경우 상부 전극은 양극이 된다.
또한, 본 발명은 이들 다이오드의 어레이에 관한 것으로, 특히 조명 패널 또는 디스플레이(특히 비디오 이미지 디스플레이) 내에 포함된다.
미국 특허 문서 제 US 6 762 436 호는 이러한 유형의 다이오드 및 디스플레이를 기술한다.
유럽 특허 문서 제 EP 1 076 368 호, 제 EP 1 439 589 호 및 제 EP 1 443 572 호는 단지 한쪽면을 통해 방출하는 다이오드를 기술하고 있으며, 여기서 하부 투명 전극 또는 상부 투명 전극을 가지는 유전층이 결합된다(제 EP 1 439 589 호의 도면 4d를 참조). 유전층(황화아연(ZnS)으로 구성된 참조기호(22) : 20% 이산화규소(SiO2) 물질)은 연결된 투명 또는 반투명 전극을 통하여 방출된 광의 흡수를 감소시키는 기능을 갖는다.
위 문서에 따르면, 아래에 표시된 바와 같이, 방출된 광의 추출을 향상시키기 위해 흡수-감소 유전층이 지수 및 두께 모두에 의해 결합되는 전극의 금속층에 적응된다.
유럽 특허 문서 제 EP 1 076 368 호는 상대적으로 두꺼운(20nm) 금속층 상에 유전층의 추가는 전극의 투과율이 2배(30%로부터 60%까지 통과함)가 되는 것을 허용하는 것을 나타낸다(특히 §17 참고).
또한 데이터의 예 및 테이블은 유럽 특허 제 1 439 589 호에서 이러한 점을 예시하고 있다.
- 하부-방출 다이오드(bottom-emitting diode)에 대한 예 2와 테이블2: 실버 투명 양극; 거의 동일한 실버 두께(17.5nm 및 18.5nm)으로, 흡수-감소 유전(ITO)층의 추가는 6.5%까지 다이오드의 휘도를 증가시킨다; 및
- 상부-방출 다이오드(top-emitting diode)에 대한 예 4와 테이블 4; 실버 투명한 상부 음극; 비록 실버의 두께가 50%까지 증가할지라도(유전층의 부존재시 13.7nm에 대하여 20.3nm), znS - 20% SiO2로 말들어진 61.4nm 유전층으로 인해, 휘도는 14%까지 증가한다.
본 발명의 목적은 2개의 반대편을 통하여 발광하는 유기 다이오드의 휘도 효율성을 개선하는 것이다. 본 발명에 따르면, 유전층은 각각의 전극에 결합되어 자신의 유전층을 가진 전극을 구성하는 각 스택이 적응되어 더 이상 최대 반사율이외 최소 흡수율을 얻을 수 없는 반면에, 흡수율 손실을 제한하기 위해 투명 전극을 충분하게 유지한다. 이러한 높은 반사율로 인해, 비록 이들 전극이 그럼에도 불구하고 투명 또는 반투명할지라도, 다이오드는 두 전극 사이의 흡수 손실 없이도 광학적 구멍(cavity) 효과로부터 이익을 볼 수 있다. 비록 층의 두께에 관한 다수의 조건를 지정할지라도, 미국 특허 문서 제 US 6 124 024 호가 전극의 고유 투명도와 결합한 최대 반사율을 그 어디에도 제시하고 있지 않음을 주목해야한다. 미국 특허 문서 제 US 5 652 067 호는 기판과 하부 전극 사이에 하부 유전층의 삽입을 가르키고 있으나, 이 층은 자외선 방사에 투명하고 다이오드에 의해 방출된 광에 투명하지 않으며, 그 두께는 하부 전극과 조합에 있어서, 최대 반사율을 얻기위해 적응되지 않음을 주목해야한다.
더 상세하게는, 본 발명의 주제는 2개의 대향면을 통하여 발광할 수 있는 유기 발광 다이오드(organic light-emitting diode)이며, 상기 발광 다이오드는:
- 투명 또는 반투명 기판;
- 이 기판에 증착된 발광할 수 있는 유기 전자발광층으로서, 상기 층은 하부 전극과 상부 전극 사이에 놓이며, 각 전극은 투명 또는 반투명인, 유기 전자발광층; 및
- 상기 기판과 상기 하부 전극 사이에 놓이는 하부 유전층과, 상기 상부 전극을 덮는 상부 유전층를 포함한다.
그러므로, 상부 유전층은 전자발광층으로부터 반대측상의 전극을 덮으므로, 공기 또는 다른 주변 매체와의 계면(interface)처럼 동작하는데, 이 경우 또한 공기로부터 산소 또는 수증기에 의해 유기층이 저하되는 위험을 방지함으로써 바람직하게는 캡슐화 및 보호층으로서 이용된다. 하부 및 상부 유전층 모두는 유럽 특허 문서 제 EP 1 406 474 호에서처럼 산란층이 아니고, 바람직하게는 투명층은 85% 또는 그 이상의 방출된 광을 위한 고유 투과율을 갖는다.
전류가 전자발광층을 통과하여 하부 전극과 상부 전극 사이에 흐르는 경우, 상부 전극은 광을 방출한다.
바람직하게는, 하부 유전층의 물질과 상부 유전층의 물질은 1.6 이상인 지수를 갖는다.
바람직하게는, 하부 전극은 하부 유전층과 접촉하는 하부 전도층을 포함하고, 상부 전극은 상부 유전층과 접촉하는 상부 전도층을 포함한다.
바람직하게는, 상기 상부 유전층의 두께(d2)와 물질, 및 상기 상부 전도층의 두께(d3)와 물질은 이러한 스택층에 관해 평가된 상기 방출광의 반사율이 대략 최대가 되도록 적응된다.
바람직하게는, 상기 하부 유전층의 두께(d6)와 물질, 및 상기 하부 전도층의 두께(d5)와 물질은 이러한 스택층에 과한 평가된 상기 방출광의 반사율이 대략 최대가 되도록 적응된다.
그럼에도 불구하고, 스택층의 반사율은 고유적으로 투명 또는 반투명한 층들 사이의 간섭 효과에 관계되며, 이러한 간섭 효과는 높은 반사율을 얻기 위하여 적응된다. 그러므로 이 투명도로 인해, 흡수 손실이 거의 없으며, 이 간섭 효과에 의해 얻어진 이러한 높은 반사율로 인해, 전극들 사이의 광학적 구멍(optical cavity)은 최적화되며, 광 추출은 개선된다.
하부 및/또는 상부 전도층의 두께(d5 및/또는 d3)와 물질은, 예를 들면 고정되므로, 특히 저-저항성 기준에 기반하여, 대응하는 하부 또는 상부 유전층의 두께(d6 및/또는 d2)함수로서 방출된 광의 이러한 스택에 관한 반사율의 변동을 나타내는 곡선은 최대값들 및 최소값들을 보여주며, 이들 값은 계면(界面)에서 간섭 현상들을 반영한다. 본 발명에 따르면, 이 곡선의 최대값에 대응하는 유전층 두께(d6 및/또는 d2)가 선택된다.
이러한 방식으로 2개의 스택을 최적화함으로써, 2개의 전극 사이에서 광학적 구멍이 획득되고, 이는 광 추출을 위하여 최적이 된다.
바람직하게는:
- 상기 하부 전도층으로부터 방출된 상기 광의 고유 투과율은 85% 이상이며, ITO층에 대하여, 150nm의 제한 두께에 상응하며;
- 상기 상부 전도층으로부터 방출된 상기 광의 고유 투과율은 85%이상이며, ITO층에 대하여, 150nm의 제한 두께에 상응한다.
"고유 투과율"이라는 용어는, 층 그자체 또는 인접층의 간섭 효과를 독립적으로 평가한 투과율을 의미하는 것으로 이해된다.
요약하면, 본 발명에 따른 유기 발광 다이오드(organic light-emitting diode)는:
- 투명 또는 반투명 하부 전극과 투명 또는 반투명 상부 전극 사이에 놓이는 층으로, 광을 방출할 수 있는 유기 전자발광층; 및
- 상기 전극과 결합하여, 상기 방출된 광의 최대 반사율을 획득하기 위해 적응되는, 유기 발광층으로부터 반대측 상의 각 전극과 접촉하여 놓이는 유전층을 포함한다.
바람직하게는, 상부 전도층의 물질은 하부 전도층의 물질과 동일하다.
다른 실시예에 따르면, 바람직하게는 상기 유기 전자발광층은, 발광성 유기하위층, 및 상기 상부 전극과 상기 발광성 하위층 사이에 놓이는 적어도 하나의 비발광성 상부 유기하위층을 포함하고, 상기 비발광성 상부 유기하위층의 두께는 두께에 있어서 상기 상부 전극으로부터 상기 발광성 유기하위층의 중간을 분리하는 거리(zup)가 다음식을 대략 만족하도록 적응된다:
Figure 112007044171929-pct00001
- 여기서, r은 임의 정수이고;
- λ는 방출된 광의 최대 방출율에 근접한 상기 파장이고, n4는 이 파장에서 유기 전자발광층의 평균 지수이며;
- φup은 상부 전극의 반사후, 방출된 광선의 위상 시프트임.
이 식은 상부 전극으로부터 벗어나 반사된 광과 상기 방출된 광 사이의 보강 간섭을 나타낸다.
바람직하게는, 이 실시예에 따르면, 유기 전자발광층은, 발광성 유기하위층 및, 하부 전극과 상기 발광성 유기하위층 사이에 놓이는 적어도 하나의 비발광성 하부 유기하위층을 포함하고, 상기 비발광성 하부 유기하위층들의 두께는 두께에 있어서 상기 하부 전극으로부터 상기 발광성 유기하위층의 중간을 분리하는 거리(zlow)가 다음식을 만족하도록 적응된다:
Figure 112007044171929-pct00002
- 여기서, q는 임의 정수이고;
- λ는 방출된 광의 최대 방출율에 근접한 상기 파장이고, n4는 이 파장에서 유기 전자발광층의 평균 지수이며;
- φlow은 상부 전극의 반사후, 방출된 광선의 위상 시프트임.
이 식은 하부 전극으로부터 벗어나 반사된 광과 상기 방출된 광 사이의 보강 간섭을 나타낸다.
일반적으로, 비발광성 하부의 단일 유기하위층 또는 유기하위층들은 제 1 유형의 운반자의 주입 및/또는 수송을 위해 적응되고, 비발광성 상부의 단일 유기하위층 또는 유기하위층들은 제 2 유형의 운반자의 주입 및/또는 수송을 위해 적응되며, 이 운반자 유형은 각각 전자 및 정공에 대응한다.
바람직하게는, 상기 상부 유전층의 물질은 상기 하부 유전층의 물질과 동일하다.
바람직하게는, 상기 유기 전자발광층의 두께(d4)는 하부 전극과 상부 전극 사이의 방출된 광의 보강 간섭을 얻기 위해 적응된다.
유리하게는, 이러한 보강 간섭은 2개의 전극을 통하여 방출되는 광의 추출을 촉진하며, 이에 의해 다이오드의 발광 효율(luminous efficiency)을 개선한다.
본 발명의 다른 주제는 본 발명에 따른 복수의 다이오드를 포함하는 이미지 디스플레이 또는 조명 패널이며, 이들 다이오드는 동일한 기판에 의해 지원되는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 복수성은 2-차원 다이오드 어레이를 형성하며, 이 어레이의 대각선은 40cm 보다 적다. 디스플레이의 크기가 작으므로, 이러한 디스플레이의 전체폭과 전체높에 걸쳐 양질의 디스플레이 균일성이 얻어진다.
바람직하게는, 상기 상부 전극은 복수의 상기 다이오드에 공통이다.
본 발명은 첨부된 도면을 참조하고 비제한적인 예에 의해 주어진 이하 설명을 읽는다면 더 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 일실시예에 따른 다이오드를 포함하는 조립품의 개략적인 단면도.
도 2는 도 1에 도시된 실시예에 따라, 유전층의 두께(nm 단위로)함수로서, 각자의 유전층을 가지는 각 전극으로 이루어지는 스택에서 빛 반사율의 변동을 기술한 도면.
본 발명에 따른 하나의 다이오드 또는 다이오드 어레이의 일실시예가 도 1을 참조하여, 얼마간의 비제한적 변형 및 또한 그 제조시 몇 가지 단계들로 이제 기술될 것이다. 제조는 기판(7), 예를 들면 다이오드를 위한 구동 회로를 포함하는 투명 또는 반투명 능동 매트릭스이거나 투명 유리 플레이트로 시작한다. 미국 특허 문서 제 US 2004-155846 호는 종래 기술의 투명 능동 매트릭스의 한 예를 기술한다. 이러한 투명 또는 반투명 기판은 음극으로서 기능하기 위한 투명 또는 반투명 하부 전극이거나 하부 전극의 어레이가 구비되며, 각 전극은 적당한 위치에서 기판상의 제어 회로의 출력에 연결된다. 여기서, 하부 전극은 두께(d5 = 150nm)인 ITO(Indium Tin Oxede)로 구성된 전도 하하위층(5)에 의해 형성된다. 이러한 ITO층이 증착되기 전에, 셀렌화 아연(ZnSe)으로 구성된 유전층(6)이 증착되며, 상기 층의 두께(d6)는 다음과 같이 결정된다.
하부 전도층(5)의 경우, 여기서 150nm인 ITO의 미소 두께로 인해, 하부 전극의 투과율은 방출된 광에 대하여 85% 이상이 된다. 이러한 ITO 투과율 데이터는 종래 기술, 예를 들면 2003년 7월에 발표된 David Vaufrey의 논문으로부터의 데이터이며, 프랑스 리옹의 국립 고등 공예 학교(Ecole Centrale) 전자공학, 광전자공학 그리고 마이크로시스템즈 연구소에서 보호된다. 또한, ITO에 관련한 투과율 데이터는 핑-웨이 쩡(Ping-Wei Tzeng) 등의 "The improvement of ITO film with high work function on OLED applications"으로 명칭된 논문에서 발견되며, 이 논문은 IDMC 2005(연보 중 711 - 713 페이지)와 관련하여 발행되었다.
도 2에서, "d6"으로 참조된 곡선은 층(6)의 두께(d6)(nm 단위)함수로서 스택층(5 및 6)의 반사율의 변동을 보여주며, 이러한 곡선은 곡선의 최대값에 대략 대응하는 값(d6 = 50nm)을 선택하기 위해 사용된다. 이들 스택층의 반사율은 550nm의 파장에서 측정되고, 이 파장은 다이오드를 형성하기 위해 증착될 유기 전자발광층의 최대 방출율에 대략 상응한다.
그 자체 주지된 방식으로, 다음 스택으로부터 형성된 유기 전자발광층(4)은 ITO층(5)상에 증착된다.
- 전자를 주입 및 수송하기 위한 세슘으로 도핑된 4,7-디페닐-1,10-페난트롤인(Bphen:4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)의 하위층(12);
- 정공을 막기 위한 약 10nm 두께를 가진 4, 7-디페닐-1,10-페난트롤인의 하위층(13);
- 전류가 흐를 때 녹색광을 방출하기 위해 적응된 20nm 두께를 가진 발광성 하위층(11)으로서, 이 하위층의 방출율은 파장 λ = 550nm의 경우 최대값을 가지는 발광성 하위층(11);
- 전자를 막기 위한 약 10nm 두께 가진 2,2',7,7'-테트라키스(tetrakis)-(N,N-디페닐아미노)-9,9' 스피로비프루오렌(Spiro-TAD)의 하위층(14);
- 정공을 주입 및 수송하기 위한 F4-TCNQ로 도핑된 2,2',7,7'-테트라키스(tetrakis)-(N,N-di-m-메틸페닐아미노)-9,9'의 하위층(15).
다음으로, 다이오드의 상부 전극을 형성하기 위한 두께(d5 = 150nm)을 가진 ITO의 전도 상하위층(3)이 상기에 따라 획득된 유기 전자발광층 상에 증착된다. 이 상부 전도층(3)의 경우 150nm인 ITO의 미소 두께로 인해, 상부 전극의 투과율은 방출된 광에 대해 85% 이상이다.
다음으로, 셀렌화 아연(ZnSe)의 상부 유전층(2)이 증착되며, 이 층의 두께(d2)는 다음과 같이 결정된다. 셀렌화 아연은 2.6의 지수를 가지므로, 따라서, 실질적으로 1.6 보다 크다.
도 2에서, 층(2)의 두께(d2)(nm 단위) 함수로서 스택층(3 및 2)의 반사율에 대한 변동을 나타내는, "d2"로 참조되는 곡선이 이곡선의 최대값에 대략 상응하는 d2 = 50nm의 값을 선택하도록 사용된다. 이들 스택층의 반사율은 다이오드를 형성하기 위해 증착되는 유기 전자발광층의 최대 방출율에 대략 상응하는 550nm의 파장에서 평가된다.
따라서, 하부 유전층(6), 하부 전도층(5), 유기 전자발광층(4), 상부 전도층(3) 및 상부 유전층(2)에 의해 기판(7)상에 형성된 스택은 본 발명의 일실시예에 따른 하나의 유기 전자발광 다이오드 또는 다이오드 어레이를 형성한다. 다이오드 어레이의 경우, 상부 전도층(3) 및 상부 유전층(2)은 바람직하게는 모든 다이오드를 덮는다. 그러므로, 상부 전극은 모든 다이오드에 공통이고, 제작이 촉진된다.
한쪽 상에 스택층(5 및 6) 및 다른 쪽상에 스택층(3 및 2)이 다이오드에 의해 방출된 광의 최대 반사율을 위해 적응되므로, 일정한 기하학적 기준이 고려된다면, 다이오드(들)의 하부 전극과 상부 전극 사이에 놓인 공간은 광학적 구멍을 형성하고 방출된 광의 추출을 최적으로 개선할 수 있는 기술적 효과를 제공한다. 이들 기준은 이제 지정될 것이다.
이러한 구멍 효과(cavity effect)를 획득하고 최적화하기 위해, 두께에 있어서, 하부 전도층(5)으로부터 발광성 유기하위층(11)의 중간을 대략 분리하는 거리(zlow)와, 두께에 있어서, 상부 전도층(3)의 발광성 유기하위층의 중간을 대략 분리하는 거리(zup)을 정의하는 공식이 이제 확립될 것이다. 유기 전자발광층(4)의 총두께(d4)는 이들 공식으로부터 추론될 것이다.
다음 파라메터가 여기서 고려된다:
- λ는 위에서 정의된 방출된 광의 최대 방출율에 근접한 상기 파장이고, n4는 이 파장에서 유기 전자발광층의 평균 지수이며;
- φlow은 하부 전극의 반사후, 이 파장에서 방출된 광선의 위상 시프트이고, φup은 상부 전극의 반사후, 이 파장에서 방출된 광선의 위상 시프트임.
정공 주입 및/또는 수송 하위층(12)의 두께는 거리(zlow)가 대략 다음식과 같도록 대략 선택된다:
Figure 112007044171929-pct00003
여기서, q는 임의 정수이다. 이 식은 하부 전극으로부터 벗어나 반사되는 광 및 방출된 광 사이의 보강 간섭을 나타낸다.
정공 주입 및/또는 수송 하위층(15)의 두께는 거리(zup)가 대략 다음식과 같도록 대략 선택된다:
Figure 112007044171929-pct00004
여기서, r은 임의 정수이다. 이 식은 상부 전극으로부터 벗어나 반사된 광과 상기 방출된 광 사이의 보강 간섭을 나타낸다.
zlow 및 zup를 계산하는 산술적 방식 대신에, 본 발명을 벗어나지 않으면서 그래픽적인 최적화 방식이 사용될 수 있다. 따라서, zlow를 결정하기 위해, d4 및 zlow의 함수로서 하부 전극을 통하여, 다이오드의 저면을 경유하여 방출된 광 세기를 나타내는 3-차원 챠트가 사용되며, 이 챠트는 zlow = 70nm가 결정되도록 허용한다. 또한, zup을 결정하기 위해, d4와 zup의 함수로서, 상부 전극을 통하여, 다이오드의 끝을 통하여 방출되는 광 세기를 나타내는 3-차원 챠트가 사용된다. 이 챠트는 zup = 70nm를 결정하는 것을 가능하게 한다. d4 = zlow + zup = 140nm이 다이오드로부터 최대 방출, 즉 최대 추출을 얻도록 하는 것을 가능하게 함을 주목해야 한다.
상술된 모든 보강 간섭은, 유리하게는, 다이오드의 2 전극을 통하여 광의 추출을 유발시키며, 이에 의해 다이오드의 발광 효율을 개선한다.
zlow 및 zup값으로부터, 다음이 추론된다:
- 전자를 주입하고 수송하기 위한 세슘으로 도핑된 Bphen 하위층(12)의 두께, 즉 70nm(zlow) - 10nm(하위층(13)의 두께) - 10nm(발광성 하위층(11)의 반절 두께) = 50 nm; 및
- 정공을 주입하고 수송하기 위한 스피로(Spiro) m-TTB 하위층(15)의 두께, 즉 70nm(zup) - 10nm(하위층(14)의 두께) - 10nm(발광성 하위층(11)의 반절 두께) = 50 nm.
방금 기술된 본 발명에 특유한 특징의 조합으로, 우수한 발광 효율을 보이는 탑-방출 발광 다이오드(top-emitting light-emitting diode) 또는 다이오드의 어레이가 획득된다.
또한, 본 발명은 전하가 도핑된 유기층을 경유하여 주입되는 유기 전자발광 다이오드 또는 디스플레이에 적용된다. 본 발명은, 첨부된 청구항의 보호범위를 벗어나지 않으면서도 다른 유형의 다이오드, 조명 패널 또는 디스플레이에 적용될 수 있음은 당업자에게 명확하다.
전술한 바와 같이, 본 발명은 투명 또는 반투명 기판; 및 이 기판에 증착되어, 발광할 수 있는 유기 전계 발광층(electroluminescent layer)을 포함하되, 이 발광층은 하부 전극과 상부 전극 사이에 삽입되며, 각 전극은 투명 또는 반투명인, 유기 발광 다이오드에 이용가능하다.
또한, 본 발명은 특히 조명 패널 또는 디스플레이(특히 비디오 이미지 디스플레이) 내에 포함될 수 있다.

Claims (11)

  1. 2개의 대향 면을 통하여 발광할 수 있는 유기 발광 다이오드(organic light-emitting diode)로서,
    투명 또는 반투명 기판(7);
    상기 기판에 증착되어 발광할 수 있는 유기 전자 발광층(4)으로서, 하부 전극과 상부 전극 사이에 삽입되고, 각각의 전극은 투명 또는 반투명인, 유기 전자 발광층(4); 및
    상기 기판(7)과 상기 하부 전극 사이에 삽입되어 상기 하부 전극의 하부 전도층(5)과 접촉하는 하부 유전층(6)과, 상기 상부 전극을 덮고 상기 상부 전극의 상부 전도층(3)과 접촉하는 상부 유전층(2)을
    포함하는, 유기 발광 다이오드에 있어서,
    상기 상부 유전층(2)의 두께(d2)와 물질, 및 상기 상부 전도층(3)의 두께(d3)와 물질은, 상기 상부 유전층(2)과 상기 상부 전도층(3) 사이의 간섭 효과에 의해, 방출된 광에 대해 최대값인 상기 상부 유전층(2)과 상기 상부 전도층(3)의 스택의 반사율을 얻기 위해 적응되고;
    상기 하부 유전층(6)의 두께(d6)와 물질, 및 상기 하부 전도층(5)의 두께(d5)와 물질은, 상기 하부 유전층(6)과 상기 하부 전도층(5) 사이의 간섭 효과에 의해, 상기 방출된 광에 대해 최대값인 상기 하부 유전층(6)과 상기 하부 전도층(5)의 스택의 반사율을 얻기 위해 적응되고,
    대응하는 하부 유전층(6) 또는 상부 유전층(2)의 두께(d6 또는 d2)의 함수로서 방출된 광의 스택 상의 반사율의 변동을 제공하는 곡선은 최소값 및 최대값을 나타내고, 상기 최소값 및 최대값은 계면에서 간섭 현상을 반영하고, 곡선의 최대값에 대응하는 두께(d6 또는 d2)가 선택되는, 유기 발광 다이오드.
  2. 제 1 항에 있어서,
    하부 유전층(6)의 물질과 상부 유전층(2)의 물질은 1.6 이상인 지수를 가지는, 유기 발광 다이오드.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 전도층(3)의 물질은 상기 하부 전도층(5)의 물질과 동일한, 유기 발광 다이오드.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 상부 유전층(2)의 물질은 상기 하부 유전층(6)의 물질과 동일한, 유기 발광 다이오드.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유기 전자 발광층(4)은 발광성 유기 하위층(11), 및 상기 상부 전극(3)과 상기 발광성 유기 하위층(11) 사이에 놓이는 적어도 하나의 비발광성 상부 유기 하위층(14, 15)을 포함하고, 상기 비발광성 상부 유기 하위층(들)의 두께는, 두께에 있어서 상기 상부 전극(3)으로부터 상기 발광성 유기 하위층(11)의 중간을 분리하는 거리(zup)가 다음식:
    Figure 112012059436194-pct00009
    , (여기서 r은 임의 정수이고, λ는 방출된 광의 최대 방출율에 근접한 파장이고, n4는 이 파장에서 유기 전자 발광층의 평균 지수이며; φup은 상부 전극의 반사후, 방출된 광선의 위상 시프트임)을 만족하도록 적응되는, 유기 발광 다이오드.
  6. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유기 전자 발광층(4)은, 발광성 유기 하위층(11) 및, 하부 전극(5)과 상기 발광성 유기 하위층(11) 사이에 삽입된 적어도 하나의 비발광성 하부 유기 하위층(12, 13)을 포함하고, 상기 비발광성 하부 유기 하위층(들)의 두께는, 두께에 있어서 상기 하부 전극(5)으로부터 상기 발광성 유기 하위층(11)의 중간을 분리하는 거리(zlow)가 다음식:
    Figure 112012059436194-pct00010
    , (여기서 q는 임의 정수이고, λ는 방출된 광의 최대 방출율에 근접한 파장이고, n4는 이 파장에서 유기 전자 발광층의 평균 지수이며; φlow은 하부 전극의 반사후, 방출된 광선의 위상 시프트임)을 만족하도록 적응되는, 유기 발광 다이오드.
  7. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 유전 전자발광층(4)의 두께(d4)는 하부 전극과 상부 전극 사이의 방출된 광의 보강 간섭을 얻도록 적응되는, 유기 발광 다이오드.
  8. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 복수 다이오드를 포함하는 이미지 디스플레이에 있어서,
    이들 다이오드는 동일한 기판에 의해 지지되는, 이미지 디스플레이.
  9. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 기재된 복수 다이오드를 포함하는 조명 패널에 있어서,
    이들 다이오드는 동일한 기판에 의해 지지되는, 조명 패널.
  10. 삭제
  11. 삭제
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