JP2002532848A - 有機発光デバイス - Google Patents

有機発光デバイス

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Abstract

(57)【要約】 有機発光デバイスは、第１電極（４）と、第２電極（１２）と、第１電極（４）と第２電極（１２）との間に介装された有機発光層（８）とを有する。第１電極（４）および第２電極（１２）は、有機発光層（１０）に電荷担体を注入するための電極である。第１電極および前記第２電極の少なくとも一方の電極は、他方の電極から離間して有機発光層の表面に隣接する高抵抗な第１電極層（１０）を含む複数の層を有し、該第１電極層は、半導体材料と絶縁体材料との混合物、半導体材料と導電体材料との混合物、および絶縁体材料と導電体材料との混合物の群から選択された高抵抗材料で形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】 発明の分野 本発明は、有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）と、固有の欠陥を含む発光性有機層
を有するＯＬＥＤにおける電流密度の均一性を向上させるための方法に関する。
【０００２】 また、本発明は、パターン化された電極を有する有機発光デバイスにも関する
。
【０００３】 発明の背景 米国特許第５，２４７，１９０号または米国特許第４，５３９，５０７号に開
示されているような有機発光デバイスは、今後、種々のディスプレイに利用され
る可能性があり、このような有機発光デバイスに対する期待は大きい。なお、前
記米国特許第５，２４７，１９０号および米国特許第４，５３９，５０７号を参
照することによって、その開示内容を本明細書中に盛り込んだものとする。１つ
の方法によれば、ＯＬＥＤは、インジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）等の透明な第
１の電極（アノード）でガラスまたはプラスチックの基板を被覆することにより
作製される。その後、最終層、すなわち、典型的には金属または合金からなる第
２の電極（カソード）の膜に先立って、エレクトロルミネセント有機材料からな
る薄膜が少なくとも１層成膜される。
【０００４】 実用的なデバイスにおいては、多くの場合、エレクトロルミネセント有機材料
からなる層の厚さは、実際の駆動電圧で確実に作動させるために、１００ｎｍの
オーダーである。エレクトロルミネセント有機材料からなる層は、スピンコート
法によって第１の電極上に成膜される。有機層の厚さと同程度の寸法を有する粒
子が有機材料に混入している場合、これらの粒子自体が最終的に得られる有機層
内に欠陥を発生させる。また、これらの粒子の存在によって、第１の電極層の表
面上における流体有機材料の流動が阻害され、その結果、該粒子の周囲では、最
終的に得られる有機層の厚さが変動してしまう。最悪の場合、有機層内でホール
が形成されるに至り、このため、下部に存在する層（電極層）が該ホールを介し
て露呈してしまう。
【０００５】 有機層内に欠陥が生じる原因としては、例えば、有機材料が本来的に膜を形成
し難いことや、成膜後の有機層が物理的な損傷を受けること等が挙げられる。
【０００６】 典型的な欠陥部位を図３に示す。エレクトロルミネセント有機層１０６は、イ
ンジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）アノード層で被覆されたガラス基板１０２上に
スピンコートによって成膜されている。大きな粒子１０７が存在することによっ
て、該粒子１０７自体とピンホール１１１とからなる欠陥部位１０９が形成され
ている。カソード層１１０は、エレクトロルミネセント有機層１０６上に形成さ
れている。
【０００７】 図３に示すような欠陥が局所的に存在する場合には、デバイスが動作する際、
大きな電流が欠陥領域に集中することになるため、電流の異常（短絡）を招く可
能性がある。このことは、とりわけ、デバイスの再現性を低下させるという問題
を招く。例えば、電流経路が変更されることによって誤った画素が点灯するよう
なことがあり、ドットマトリックスデバイスにおいては特に問題となる。
【０００８】 この種の欠陥を回避するために、異物（粒子）の混入を回避する観点からクリ
ーンルーム内で有機層の成膜を行うことや、または、大きな粒子を除去するため
にスピン処理に先立って有機材料を濾過することが考えられる。しかしながら、
通常のクリーンルームにおいて除去可能な粒子は、寸法が３００ｎｍ以上程度の
ものである。また、有機材料を濾過する場合、除去される粒子は、寸法が約４５
０ｎｍまでのものである。これより小さい寸法の粒子を除去するためには、多大
の費用が必要である。
【０００９】 したがって、発光性有機材料には、成膜される有機層の厚さ程度の寸法を有す
る粒子が依然として混入していることが多い。このため、上記したように、最終
的に得られる有機層に欠陥が生じる。さらに、そのような大きな粒子の混入を完
全に排除できたとしても、例えば、有機材料は本来的に膜を形成し難いものであ
るため、また、成膜後の有機層に対して不慮の物理的な損傷が加えられることが
あるため、製造過程において結果的に欠陥が生じることがある。
【００１０】 デバイスを製造した後に欠陥粒子を除去する公知技術の１つとしては、極めて
高い電流をデバイスに流し、欠陥粒子を蒸発させることによって「焼失（burn-o
ut）」させることが知られている。しかしながら、この技術は全ての欠陥粒子に
適用することができず、短絡が大きいという問題を解決するために適用すること
もできない。さらに、この技術は、デバイスの耐用期間内に生じる全ての問題に
対して必ずしも対応できるものではない。したがって、本発明の目的は、有機発
光デバイスにおける電流異常の問題を低減させることにある。
【００１１】 本出願人による前記米国特許５，２４７，１９０号や、Van Slykeらの米国特
許４，５３９，５０７号に開示されているような有機発光デバイス（ＯＬＥＤ）
では、少なくとも１層の有機層からの発光は、カソードとアノードとが重なって
いる部位でのみ行われる。したがって、電極をパターン化することだけで画素の
形成とパターン化とを行うことができる。高い解像度が容易に得られる。解像度
は、原則的には、カソードとアノードとの重複領域によってのみ、すなわち、カ
ソードおよびアノードの大きさによってのみ制限される。ドットマトリックスデ
ィスプレイは、通常はカソードおよびアノードを行および列の垂直な配列として
配置することによって作製され、これらの間に少なくとも１つの有機層が配置さ
れる。
【００１２】 解像度が低いドットマトリックスディスプレイは、例えば、アノードとして機
能するインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）ラインを上部に有する基板上に、有機
エレクトロルミネセント層を少なくとも１層被覆することによって作製される。
アノードのラインに垂直なラインの配列からなるカソードは、その少なくとも１
層の有機層の反対側に設けられる。これらカソードラインは、例えば、物理的な
シャドウマスクを介した蒸着処理や、スパッタリング処理により形成されたアル
ミニウムまたはアルミニウム基合金からなるラインである。しかしながら、シャ
ドウマスクを使用することは、様々な理由から望ましいものではない。特に、デ
ィスプレイが大面積でかつ／または高解像度が要求される場合には、シャドウマ
スクを使用することは相当に制約される。そのような場合に、この種の電極ライ
ンの配列や、他の大面積かつ／または高解像度が得られるパターンを製造するた
めには、通常は、様々な形態のリソグラフィを使用する必要がある。
【００１３】 所望の電気的および光出力特性を有する効率的で安定なＯＬＥＤを作製するた
めには、通常は、有機層と電極との各界面の設計および構成を考慮する必要があ
る。この界面は、電荷担体を電極から少なくとも１層の有機層に効率的に注入す
るために、特に重要であるからである。
【００１４】 リソグラフィプロセスで電極パターンを作製する場合、特にこのようなパター
ンが少なくとも１層の有機層の上方にあるときには、リソグラフィプロセスは、
有機層／電極界面およびその近傍を改質するとともにこれらに損傷を与える可能
性が高い。したがって、ＯＬＥＤディスプレイにおける画素の所望の電気的およ
び光出力特性を維持することは困難である。リソグラフィにおけるこの種の損傷
は、フォトレジスト、現像剤、エッチングプロセス（湿式および乾式の両者、ネ
ガおよびポジ技術、エッチングおよびリフトオフ等）、または使用する溶剤に起
因して起こり得る。ここで、共役重合体は、有機溶剤から成膜される場合が多い
こと、そして、一般的に有機溶剤に対して可溶性であることに留意する必要があ
る。
【００１５】 プラズマエッチング／アッシングは、フォトレジスト、すなわち、現像剤で洗
浄除去されなかった残余のフォトレジストを除去するために、リソグラフィにお
いて極めて頻繁に使用される。有機エレクトロルミネセント材料および電荷輸送
材料は、この種の乾式エッチング／アッシングプロセスにおいて、プラズマに対
して直接露呈されると、極めて迅速に損傷を受けたり、改質されたり、エッチン
グされたりする。
【００１６】 電極パターン化プロセスが行われる際の影響から有機エレクトロルミネセント
材料および電荷輸送材料を保護する１つの方法は、ＰＣＴ出願されたＷＯ９７／
４２６６６号国際公開公報に開示されている。この方法においては、導電性電極
層と発光性有機材料との間に、誘電体材料で構成される薄いバリア層が介装され
る。
【００１７】 本発明者らは、種々のリソグラフィプロセスを採用しながらも、ディスプレイ
の電気的および光出力特性を大きく変化させることなく少なくとも１層の有機層
の上方に電極を形成することを可能とするものであって、さらに、近年要求され
る効率、信頼性および耐久性を満足するようにデバイスを構成することができる
要件を見いだした。すなわち、本発明の他の目的は、これらの要件を満足するデ
バイスを提供することにある。
【００１８】 本発明の第１の観点によれば、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記
第２電極との間に介装された有機発光層とを有し、前記第１電極および前記第２
電極が前記有機発光層に電荷担体を注入するための電極である有機発光デバイス
であって、 前記有機発光層に存在する導電性の欠陥を流れる電流を制限する手段を備える
ことを特徴とする有機発光デバイスが提供される。
【００１９】 上述した「焼失」技術に対して、発光性有機層内に存在する導電性欠陥を流れ
る電流を制限する手段をデバイスに組み込むことにより、耐用期間内でデバイス
を使用している際に、既に説明した機構によってデバイスの動作に大きな影響を
与えるような電流異常が生ずることが回避される。
【００２０】 この手段は、第１電極および第２電極の少なくとも一方の電極に組み込まれる
ことが好ましい。特に、電極が、他方の電極から離間して前記有機発光層の表面
に隣接する第１電極層を含む複数の層を有し、 前記第１電極層は、該有機発光デバイスの駆動電圧を大幅に増加させる程には
高い抵抗ではないが、前記有機発光層に存在する前記導電性の欠陥に過度の電流
が流れることを回避するには充分な高さの抵抗を有することが好ましい。
【００２１】 本発明の実施形態の１つにおいては、前記第１電極層を、半導体材料と絶縁体
材料との混合物、半導体材料と導電体材料との混合物、および絶縁体材料と導電
体材料との混合物の群から選択された高抵抗材料で形成するようにしてもよい。
【００２２】 上述した混合物の材料層を高抵抗な電極層として使用する際、混合物の各成分
の割合を適切に調整するだけで、高抵抗な電極層の抵抗率を所望の値に容易に調
整することができる。
【００２３】 第１電極層がカソードである場合には、電子注入性能を高めるために、この第
１電極層が仕事関数の低い材料を少なくとも１つ含有することが好ましい。この
仕事関数は、好ましくは３．７ｅＶ未満であり、より好ましくは３．２ｅＶ未満
である。
【００２４】 本発明の第２の観点によれば、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記
第２電極との間に介装された有機発光層とを有し、前記第１電極および前記第２
電極が前記有機発光層に電荷担体を注入するための電極である有機発光デバイス
であって、 さらに、前記有機層に存在する導電性の欠陥を前記第１電極または前記第２電
極から電気的に絶縁する手段を有することを特徴とする有機発光デバイスが提供
される。
【００２５】 本発明のこの観点に係るデバイスの耐用期間内に電流異常が生じた場合であっ
ても、その異常が長く続くようなことはない。即ち、電流異常を生じさせる原因
となる有機層内の導電性欠陥は、デバイスに組み込まれた手段によって周囲の電
極から速やかに絶縁される。
【００２６】 この手段は、電極に組み込まれることが好ましい。そして、前記第１電極およ
び前記第２電極の少なくとも一方の電極が、他方の電極から離間して前記有機発
光層の表面に隣接する薄い第１電極層を含む複数の層を有し、前記薄い第１電極
層の寸法および材料特性は、該第１電極層が前記有機層に存在する導電性欠陥に
隣接する部位で該導電性欠陥によって生じた異常電流が流れた際に蒸散するよう
に設定されていることが好ましい。
【００２７】 本発明に係る実施形態の１つによれば、前記第１電極および前記第２電極の少
なくとも一方の電極が不透明であり、かつ他方の電極から離間して前記有機発光
層の表面に隣接する仕事関数の低い材料で形成された薄い第１電極層と、前記有
機発光層から離間して前記第１電極層の表面に隣接する第２電極層とを含む複数
の層を有し、前記第２電極層は、半導体材料、半導体材料と絶縁体材料との混合
物、半導体材料と導電体材料との混合物、および絶縁体材料と導電体材料との混
合物の群から選択された高抵抗材料からなる層である。
【００２８】 代替的に、電極は、複数のサブ電極からなる第１電極層を有するものであって
もよい。この場合、前記サブ電極の各々が周囲のサブ電極にヒューズリンクを介
して直接接続されており、特定の値を超える電流が流れると、前記ヒューズリン
クが破断して前記サブ電極の各々を他のサブ電極から電気的に絶縁するようにな
っている。
【００２９】 本発明の第２の観点における薄い第１電極層の厚さは、０．５〜１０ｎｍの範
囲内であることが好ましく、５ｎｍ未満であることがより好ましい。
【００３０】 本発明の第３の観点によれば、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記
第２電極との間に介装された有機発光層とを有し、 前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方の電極が、高抵抗な第１電
極層を含み、 該第１電極層によって前記有機発光層に本来的に存在する欠陥が被覆されるよ
うに、前記第１電極層の厚さが、前記有機発光層の厚さよりも大きいことを特徴
とする有機発光デバイスが提供される。
【００３１】 実施形態の１つによれば、第１電極層は、第１および第２電極の他方から離間
した発光性有機層の表面に隣接して配置される。
【００３２】 高抵抗な第１電極層の厚さを有機発光層に比して大きくすることにより、有機
発光層に存在する各ピンホール欠陥が完全に充填される。このため、有機発光層
には、上部の導電層と直接接続するような露呈した領域が残存しないようになる
。
【００３３】 本発明の第３の観点における高抵抗層は、好ましくは半導体材料、半導体材料
と導電体材料との混合物、半導体材料と絶縁体材料との混合物、または導電体材
料と絶縁体材料との混合物によって形成される。
【００３４】 本発明の第４の観点によれば、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記
第２電極との間に介装された有機発光層とを有し、前記第１電極および前記第２
電極が前記有機発光層に電荷担体を注入するための電極である有機発光デバイス
における電流密度の均一性を向上させる方法であって、 高抵抗な第１電極層を含む複数の電極層によって前記第１電極および前記第２
電極の一方を形成する工程を有し、 前記第１電極層を、半導体材料、半導体材料と絶縁体材料との混合物、半導体
材料と導電体材料との混合物、および絶縁体材料と導電体材料との混合物の群か
ら選択された材料で形成することを特徴とする有機発光デバイスにおける電流密
度の均一性を向上させる方法が提供される。
【００３５】 本発明の各観点おいて、高抵抗な電極層は、アルミニウムからなる層のような
導電体材料からなる層により被覆されることが好ましい。
【００３６】 本発明の第１〜第４の観点によれば、高抵抗な電極層は、駆動電圧を大幅に増
加させてデバイスの電力効率の低下を招く程に高くはないが、有機発光層に存在
する導電性の欠陥に過度の電流が流れることを回避するには充分な高さの抵抗を
有する。電極層の厚さが１００〜１００００ｎｍの範囲内であれば、通常、抵抗
率は１〜１０5Ωｃｍの範囲にある。
【００３７】 上述した本発明の観点によれば、Ｇｅ、Ｓｉ、α−Ｓｎ、Ｓｅ、ＺｎＳｅ、Ｚ
ｎＳ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＭｎＳ、ＭｎＳｅ、ＰｂＳ、Ｚｎ
Ｏ、ＳｎＯ、ＴｉＯ2、ＭｎＯ2、およびＳｉＣ等の材料が半導体材料として適し
ている。
【００３８】 上述した本発明の観点によれば、例えば、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＬｉＯ、Ａｌ
Ｎ、ＳｉＮ、ＬｉＦおよびＣｓＦ等の絶縁性酸化物、窒化物、およびフッ化物が
絶縁体材料として適している。また、本発明によれば、ＡｌやＡｇ等の金属が導
電体材料として適している。
【００３９】 また、本発明によれば、Ｃａ、Ｌｉ、Ｙｂ、ＬｉＦ、ＣｓＦおよびＬｉＯ等が
仕事関数の低い材料として適している。
【００４０】 カソードを真空中で成膜する場合、粒径を極めて小さく維持することができる
。このため、カソードを利用して発光性有機層に本来的に存在する欠陥による悪
影響を回避することが特に望ましい。
【００４１】 本発明の第６の観点によれば、第１電極層と、第２電極層と、前記第１電極層
と前記第２電極層との間に介装された有機発光層とを有し、 前記第１電極層、前記第２電極層および前記有機発光層の間で電荷担体の移動
が可能であり、 少なくとも前記第１電極層が複数のサブ電極を有し、 前記サブ電極の各々が周囲のサブ電極にヒューズリンクを介して直接接続され
ており、 特定の値を超える電流が流れると、前記ヒューズリンクが破断して前記サブ電
極の各々を他のサブ電極から電気的に絶縁することを特徴とする有機発光デバイ
スが提供される。
【００４２】 本発明の第６の観点に係る好適な実施の形態では、複数のサブ電極が、行およ
び列の規則的な配列を形成するように配置され、前記サブ電極の各々が、同一の
列および行に属する隣接サブ電極にヒューズリンクを介して接続されている。
【００４３】 また、サブ電極の大きさと間隔は、該有機発光デバイスの操作中に発せられた
光の強度が発光領域全体に亘って連続的であると目視で感じられるように設定さ
れていることが好ましい。
【００４４】 本発明の第７の観点によれば、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記
第２電極との間に介装された有機発光領域とを有し、前記第１電極および前記第
２電極が電荷担体を前記有機発光領域に注入するための電極である有機発光デバ
イスであって、 前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方の電極が、他方の電極から
離間して前記有機発光領域の表面に隣接する高抵抗な第１電極層と、前記有機発
光領域から離間して前記第１電極層の表面に隣接するパターン化された導電性の
第２電極層とを有し、 前記第１電極層は、前記他方の電極から離間して前記有機発光領域の表面の概
ね全体を被覆し、かつ半導体材料と絶縁体材料との混合物、半導体材料と導電体
材料との混合物、および絶縁体材料と導電体材料との混合物の群から選択された
高抵抗材料からなる層であることを特徴とする有機発光デバイスが提供される。
【００４５】 本発明の第７の観点においては、上記したように、第１電極層が、発光性有機
領域の表面の概ね全体に亘って形成されている。換言すれば、第１電極層は、少
なくとも、第２電極層によって占有される領域、すなわち、パターン化された第
２電極層の横方向における最外端部によって形成される領域に対応する有機発光
領域の表面上に形成されている。
【００４６】 「パターン化された電極層」という用語は、複数の電極要素を含む層を意味す
る。各電極要素は、下部の高抵抗な第１電極層を介して互いに接続されている。
このパターン化された電極層は、好ましくは、別個の要素が平行な行や列として
規則的に配列されたものであり、各要素は、下部の高抵抗な第１電極層を介して
互いに接続されている。
【００４７】 本発明の第７の観点においては、高抵抗な第１電極層の抵抗は、デバイスを駆
動するために必要な電圧を大幅に増加させる程には高くはないが、パターン化さ
れた第２電極層の各電極間において大きな電流の漏れが発生するためには充分な
高さである。
【００４８】 絶縁体材料と半導体材料との物理的混合物、または半導体材料と導電体材料と
の物理的混合物、または導電体材料と絶縁体材料との物理的混合物からなる材料
をバリア層として使用すると、混合物中の各材料の割合を適切に変更することに
より、個々のデバイスの条件に合わせて層の抵抗率を容易に調整することができ
るという大きな利点がある。
【００４９】 本発明の第７の観点においては、高抵抗な第１電極層は、導電体と絶縁体との
物理的混合物、または、半導体との物理的混合物から構成されることが好ましい
。このうち、導電体と絶縁体との物理的混合物の方が好適である。導電体材料を
混合物に含めることによって層の導電率が増加する。したがって、デバイスを駆
動するために必要な電圧を大幅に増加させることなく、高抵抗な第１電極の厚さ
を増加させることができる。このように、第１電極層の厚さを大幅に増加させる
ことができるので、下部の有機層がエッチング処理やアッシング処理による影響
を受け難くなる。すなわち、現代のクリーンルームによる良好な衛生環境下にお
いても下部の有機膜に本来的に存在する欠陥（異物粒子やピンホール等）に起因
して発生してしまう悪影響を補償することができる。このような欠陥による問題
を克服することによって、デバイス内で所望しない低抵抗の経路が形成すること
が大幅に低減される。厚いバリア層によって下部の有機層に対する保護性能が高
められるので、周囲の水分や酸素等の反応性物質が侵入して有機材料層と反応す
ることを防止することができ、結局、発光しない黒点が形成されることを防止す
ることができる。
【００５０】 限定されるものではないが、Ｇｅ、Ｓｉ、α−Ｓｎ、Ｓｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ
、ＧａＡｓ、ＧａＰ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＭｎＳ、ＭｎＳｅ、ＰｂＳ、ＺｎＯ、
ＳｎＯ、ＴｉＯ2、ＭｎＯ2およびＳｉＣ等の材料が半導体材料として適している
。
【００５１】 限定されるものではないが、酸化物、窒化物およびフッ化物のようなハロゲン
化物等が絶縁体材料として適している。絶縁体材料としては、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ 2 、ＬｉＯ2、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＬｉＦおよびＣｓＦの群から選択されたものが好
適である。
【００５２】 限定されるものではないが、ＡｌまたはＡｇ等の金属が導電体材料として適し
ている。
【００５３】 本発明の第７の観点に係わる実施の形態によれば、第１電極層はデバイスのカ
ソードを構成するものであり、かつ該カソードの電子注入性能が高められるよう
に、Ｌｉ、Ｃａ、またはＣｓのような仕事関数の低い元素を少なくとも１つ含有
する。仕事関数は、好ましくは、３．７ｅＶ以下であり、さらに好ましくは、３
．０ｅＶである。特に、電極層がＬｉまたはＣａを含有するものであると好適で
ある。第１電極層は、好ましくはＬｉ／Ａｌ、Ｃａ／Ｇｅ、Ｌｉ／Ｓｉ、Ｃａ／
ＺｎＯ、ＬｉＦ／ＺｎＳｅおよびＣｓＦ／ＺｎＳの群から選択される混合物によ
り構成される。
【００５４】 本発明の第７の観点に係る代替的な実施の形態においては、第１電極層はデバ
イスのアノードを構成するものであり、かつ該アノードの正孔注入性能が高めら
れるように、仕事関数の高い元素を少なくとも１つ含有する。仕事関数は、好ま
しくは、４．５ｅＶより大きく、さらに好ましくは、５．０ｅＶより大きい。こ
の代替的な実施の形態においては、第１電極層は、Ａｕ、Ｐｄ、Ａｇおよびイン
ジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）の群から選択される材料で形成することが好まし
い。
【００５５】 第１電極層の厚さは、好ましくは０．５〜１．０μｍの範囲内であり、この第
１電極層は、１０2〜１０5Ωｃｍの範囲の抵抗率ρを有する材料により形成され
る。
【００５６】 本発明の第８の観点によれば、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記
第２電極との間に介装された有機発光領域とを有し、前記第１電極および前記第
２電極が電荷担体を前記有機発光領域に注入するための電極である有機発光デバ
イスであって、 前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方の電極が、他方の電極から
離間して前記有機発光領域の表面に隣接する高抵抗な第１電極層を含む複数層か
らなり、かつ前記有機発光領域から離間して前記第１電極層の表面に隣接するパ
ターン化された導電性の第２電極層とを有し、 前記第１電極層が、前記他方の電極から離間して前記有機発光領域の表面の概
ね全体を被覆し、 前記有機発光領域に存在する欠陥によって生ずる影響を前記第１電極層によっ
て補償するために、該第１電極層の厚さが前記有機発光領域の厚さよりも大きく
なっていることを特徴とする有機発光デバイスが提供される。
【００５７】 本発明の第８の観点においては、第１電極層の厚さは、０．５〜１μｍの範囲
内であることが好ましい。また、この第１の電極層は、半導体材料、半導体材料
と絶縁体との混合物、半導体材料と導電体材料との混合物、絶縁体材料と導電体
材料との混合物の群から選択された材料で形成されることが好ましい。
【００５８】 本発明の第９の観点によれば、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記
第２電極との間に介装された有機発光領域とを有し、前記第１電極および前記第
２電極が電荷担体を前記有機発光層に注入する有機発光デバイスにおける第１電
極および第２電極の少なくとも一方の電極を形成する方法であって、 高抵抗な第１電極層を他方の電極から離間して前記有機発光領域の表面の概ね
全体に亘って形成する工程と、 前記有機発光領域から離間して前記第１電極層の表面上にパターン化された導
電性の第２電極層を形成する工程とを有し、 前記第１電極層を、半導体材料、半導体材料と絶縁体材料との混合物、半導体
材料と導電体材料との混合物、および絶縁体材料と導電体材料との混合物の群か
ら選択された材料で形成することを特徴とする電極形成方法が提供される。
【００５９】 本発明の第１０の観点によれば、第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前
記第２電極との間に介装された有機発光領域とを有し、前記第１電極および前記
第２電極が前記有機発光領域に電荷担体を注入するための電極である有機発光デ
バイスであって、 前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方の電極が、他方の電極から
離間して前記有機発光領域の表面に隣接する絶縁体材料で形成された第１電極層
と、前記有機発光領域から離間して前記第１電極層の表面に隣接する高抵抗な第
２電極層と、前記第１電極層から離間して前記第２電極層の表面に隣接するパタ
ーン化された導電性の第３電極層とを有し、 前記第１電極層および第２電極層が、前記他方の電極から離間して前記有機発
光領域の表面の概ね全体を被覆し、 前記第２電極層は、半導体材料、半導体材料と絶縁体材料との混合物、半導体
材料と導電体材料との混合物、および絶縁体材料と導電体材料との混合物の群か
ら選択された高抵抗材料で形成されていることを特徴とする有機発光デバイスが
提供される。
【００６０】 本発明の第１０の観点によれば、「パターン化された電極層」という用語は、
複数の電極要素を含む層を意味する。各電極要素は、下部の層を介して互いに接
続されている。このパターン化された電極層は、下部の高抵抗な第２電極層を介
して各要素が互いに接続されていることが好ましい。
【００６１】 上部の高抵抗な電極層に加え、絶縁体材料からなる薄層を有機発光領域に隣接
させて設けることにより、さらに、以下の効果が得られる。カソードの場合は仕
事関数の低い元素を含有する材料を使用することにより、アノードの場合は仕事
関数の高い元素を含有する材料を使用することにより、電極と有機発光領域との
界面での電荷注入性能がさらに向上する。この際、デバイスの駆動電圧が大幅に
増加したり第１電極層および第２電極層の機能が全体に損なわれたりすることは
なく、しかも、その一方で、横方向の電流の漏れ（クロストーク）が防止される
とともに、下部の有機領域が保護される。
【００６２】 本発明の第１０の観点においては、第１電極層は、誘電体酸化物、窒化物、ま
たはフッ化物のようなハロゲン化物の層で形成されることが好ましい。また、Ｌ
ｉＯ、ＬｉＦおよびＣｓＦがカソードとして特に適している。
【００６３】 本発明の第７〜第１０の各観点によれば、有機発光領域は、例えば、発光性重
合体のような有機発光材料の単一の層で形成してもよく、さらに、発光層または
電荷注入層や電荷輸送層として機能する１以上の有機層を含んでいてもよい。
【００６４】 好ましい実施の形態の説明 以下、本発明につき好適な実施の形態を挙げ、添付の図面を参照して詳細に説
明する。
【００６５】 図１に、本発明の第１実施形態に係るＯＬＥＤを示す。
【００６６】 厚さ１．１ｍｍのガラス基板２は、１５Ω／ｓｑ．のシート抵抗を有する厚さ
１５０ｎｍのインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）層４で被覆されている。図１に
は示していないが、このＩＴＯ層４は、例えば、標準的なフォトリソグラフィお
よびエッチングプロセスによって、一連の平行なストリップを形成するようにパ
ターン化されている。ポリスチレンスルホン酸でドープされたポリエチレンジオ
キシチオフェン（ＰＥＤＴ：ＰＳＳ）からなる層６は、アノード層４上にスピン
コートされた後に１５０℃の熱処理で水が除去され、厚さ５０ｎｍの層として設
けられたものである。その後、ポリ（２，７−（９，９−ジ−ｎ−オクチルフル
オレン）−（１，４−フェニレン−（（１，４−フェニレン−（（４−ｓｅｃブ
チルフェニル）イミノ）−１，４−フェニレン））（ＴＦＢ）でドープされた９
５％ポリ（２，７−（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン）（５ＢＴＦ８）と
５％ポリ（２，７−（９，９ジ−ｎ−オクチルフルオレン）−３，６−（ベンゾ
チアゾール）との融合物のような発光性高分子からなる層８を、ＰＥＤＴ：ＰＳ
Ｓ層６上にスピン処理し、厚さ７５ｎｍとする。その後、発光性高分子層８の上
にカソード層１０を形成する。
【００６７】 標準的な真空熱蒸着技術は、エネルギが比較的低い方法であり、下部の発光性
高分子層に対する損傷を最小限に留めることができるということから、カソード
層を成膜させる方法として採用されている。下部の有機層が損傷する懸念がない
場合は、スパッタリングが望ましい。スパッタリングは、標準的な成膜技術であ
るからである。スパッタリングの場合、放電ガスとしては、ネオンが好適である
。
【００６８】 この場合、カソード層１０は、Ａｌとともに共蒸着されたＬｉＦの層である。
このカソード層１０は、下部の有機層の全表面、ひいては該有機層内のあらゆる
欠陥を確実に被覆するように、厚さ０．５〜１μｍで成膜されている。アルミニ
ウムからなる層１２をこの層の上方に成膜させ、厚さ０．５μｍとする。このア
ルミニウムの最上層１２は、例えば、蒸着によって成膜することができる。図１
には示していないが、ＬｉＦ−Ａｌカソード層１０とアルミニウムの最上層１２
からなるカソードは、一連の平行なアノードストリップに対して直交する方向に
延在する一連の平行なストリップとしての形態でパターン化することもできる。
これにより、一連のカソードおよびアノードストリップのそれぞれが重なり合う
点に、画素の規則的な配列が形成される。
【００６９】 ＬｉＦは２つの機能を有する。まず、ＬｉＦは仕事関数が低い材料であるので
、発光性有機層への電子の注入を促進する。また、ＬｉＦは絶縁体であるので、
層に高抵抗率をもたらす。
【００７０】 高抵抗率であるＬｉＦ／Ａｌ層における導電は、浸透（percolation）機構に
よって生じる。
【００７１】 ＬｉＦ−Ａｌ層１０におけるＬｉＦおよびＡｌの相対的な割合は、所望の抵抗
率に応じて決定される。所望の抵抗率自体は、下部に存在する発光性有機層８内
に存在する欠陥の数および領域により決定される。適切な抵抗率を決定する方法
を、図２を参照して以下に説明する。なお、図２に示されるＯＬＥＤが有する発
光性有機層１８には、ＯＬＥＤにおける電流異常の主要な原因であるピンホール
欠陥３０が複数個存在している。
【００７２】 発光性有機層１８は、第１のカソード層２０とガラス基板１２上に被覆された
ＩＴＯアノード層１４との間に介装されている。第１のカソード層は、アルミニ
ウムからなる層２２で被覆されている。
【００７３】 例えば、発光性有機層１８がピンホール欠陥を全く含まず、駆動電圧が３Ｖで
あるときにデバイスの電流密度（ｊ）が１ｍＡ／ｃｍ2であると仮定する。
【００７４】 ピンホール欠陥の存在に起因する電流密度は、発光性有機層内にピンホールが
存在しない場合に測定される電流密度に対して、その割合がかなり小さいことが
望ましい。例えば、第１のカソード層の抵抗は、欠陥に起因する電流密度が、発
光性有機層内にピンホールが存在しない場合に測定される電流密度のせいぜい１
％となるぐらいに高いことが好ましい。
【００７５】 ピンホール欠陥を介する電流密度は、次のようにして計算することができる。
【００７６】 ｊ(def)＝ＮＶＡ／ρｔ 式中、Ｎは欠陥の密度（単位面積当たり）、Ａはそれぞれの欠陥の平均面積、
Ｖは駆動電圧、ρはカソード層の抵抗率、ｔは第１のカソード層２０の厚さであ
る。
【００７７】 ここで、第１のカソード層２０の厚さを０．５μｍとし、面積１μｍ2当たり
１００の欠陥があるものと仮定する。
【００７８】 この場合、上記した３Ｖの駆動電圧において、欠陥に起因する電流密度は約６
０／ρ ｍＡ／ｃｍ2となる。
【００７９】 この電流密度が、ピンホール欠陥が存在しない場合に測定される電流密度（こ
の電流密度は、上記したように１ｍＡ／ｃｍ2と想定される）の１％以下となる
ためには、第１のカソード層の材料の抵抗率は、約６０００Ωｃｍ以上であるこ
とが必要である。
【００８０】 厚さが０．５μｍでかつ抵抗率が６０００Ωｃｍである材料により構成される
第１のカソード層に印加される電圧の降下は、電流密度が１ｍＡ／ｃｍ2である
場合、わずか約０．３ｍＶである。したがって、この層の電力効率に対する影響
は無視し得る程度であり、その一方で、ＯＬＥＤが動作する際の電流密度の均一
性が向上する。
【００８１】 発光性有機層内の粒子欠陥の存在は、その効果がピンホール欠陥の場合と比較
して無視し得ることから、重要視されていなかった。しかしながら、そのような
欠陥の影響が無視し得ない程度に大きい場合は、上記の点に照らして、高抵抗の
カソード層について適切な抵抗率を決定する際、このような粒子欠陥の影響を考
慮しなければならないことは、当業者に明らかであろう。
【００８２】 以下、図１に示す種類のデバイスにおいて、高抵抗層がなく、低抵抗のカソー
ドとアノードとが直接的に接続してしまう欠陥領域を有する場合につき、高抵抗
層の抵抗率の最適な値を計算する方法を示す。膜は、効率を高めるために最適化
されている。
【００８３】 光度Ｌ0（Ｃｄ／ｍ2）を有し、Ｉ0（ｍＡ／ｃｍ2）の電流密度およびＶ0（ボ
ルト）の電圧で動作する欠陥のないデバイスは、次の発光効率η0（ｌｍ／Ｗ）
を有する。
【００８４】
【数１】
【００８５】 ここで、全面積に対する割合として求められた欠陥面積がＤであり、これらの
欠陥の面積抵抗率がＲD（ｋΩｃｍ2）であるデバイスに欠陥を導入すると仮定す
ると、同一の電圧では、デバイス全体を通過する平均の電流密度は次のようにな
る。
【００８６】
【数２】
【００８７】 欠陥領域が光を全く発しないと仮定すると、欠陥のある発光性有機層により放
射される光は、次のようにして求められる。
【００８８】
【数３】
【００８９】 ここで、面積抵抗率ＲH（ｋΩｃｍ2）を有する高抵抗のカソード層を導入する
と、欠陥のない領域を介して流れるＩ0を得るためには、デバイスに印加される
電圧を次のように増加させる必要がある。
【００９０】
【数４】
【００９１】 このデバイスを介して流れる平均電流密度は、式（２）から次のようになる。
【００９２】
【数５】
【００９３】 よって、新たな効率ηは、式（３）、式（４）および式（５）を組み合わせる
ことにより次のように与えられる。
【００９４】
【数６】
【００９５】 一般に、欠陥の領域が問題である場合は、これらは高抵抗の層と比較して極め
て低抵抗となる。すなわち、次のようになる。
【００９６】
【数７】
【００９７】 よって、効率は次のようになる。
【００９８】
【数８】
【００９９】 これをＲHについて微分して最大効率を求めると、次のようになる。
【０１００】
【数９】
【０１０１】 特定の動作点（Ｉ0およびＶ0によって決定される）での効率を最大とするよう
な高抵抗層の値は、微小な欠陥面積の平方根に依存する。
【０１０２】 高抵抗層の最適な抵抗率は、該高抵抗層の厚さに依存して変化する。換言すれ
ば、短絡を発生させる欠陥の寸法および形状に応じて決定される。また、該高抵
抗層を成膜する方法によっても変化する。全表面に亘って適切な被覆が施される
ような成膜方法である場合、高抵抗層の厚さはどのようなものであってもよい。
しかしながら、成膜方法が固定された供給源から固定されたターゲットへの蒸着
のような直線的な方法（line of sight method）である場合、一般的には、厚さ
を欠陥の大きさよりも大きなものとする必要がある。高抵抗層の厚さをｔH（ｃ
ｍ）とすれば、最適な抵抗率ρHは次のようになる。
【０１０３】
【数１０】
【０１０４】 このように、高抵抗層の厚さおよび抵抗率の最適値は、欠陥領域の大きさ、欠
陥の性状、成膜方法、およびデバイスの動作点に明らかに依存する。
【０１０５】 図４は、本発明の他の実施形態に係る有機発光デバイスの断面図である。基板
２０２、アノード層２０４、有機層２０６、２０８は、上記第１実施形態に係る
有機発光デバイスと同一である。カルシウムからなる厚さ５ｎｍの薄層２０９は
、有機層２０８の表面に形成されている。この層２０９は、好ましくは真空蒸着
によって形成される。ケイ素からなる厚さ０．５μｍの層２１０は、高抵抗層と
してカルシウム薄層２０９の上に形成され、アルミニウムからなる厚さ０．５μ
ｍの層２１２は、ケイ素層２１０の上方に形成されている。
【０１０６】 高抵抗層と発光性有機層との間に導電体材料（この場合はカルシウム）の薄層
を介装することは、該導電体材料がヒューズとして効果的に作用することから有
利である。薄い導体層の一部に、該一部の下部の有機層内の欠陥によって異常に
高い電流に供された場合は、該一部が蒸散する。これにより導電欠陥を介して電
流が流れることが阻止されるので、デバイスの性能が向上する。製造が終了した
後にデバイスを介して高電流を流すことにより、導電欠陥を絶縁状態にすること
ができる。
【０１０７】 上記した形態においては、高抵抗のカソードを有するデバイスを例示して説明
したが、例えば、最初にガラス基板上にカソードを形成し、スピンコートによっ
て発光性有機材料層をカソード上に成膜させ、最後に発光性有機層上にアノード
を形成することによりＯＬＥＤを製造する場合、アノードの抵抗を高くすればよ
い。この場合、高抵抗な電極層が仕事関数の高い材料からなるものであるか、ま
たは、高抵抗な電極層と発光性有機層との間に仕事関数が高い薄層を介装するこ
とが好ましい。
【０１０８】 図５に、本発明の第５の観点に係る発光ディスプレイで使用するための本発明
の第６の観点に係る発光デバイスが示されている。このデバイスは、バックライ
トとしての使用を意図したものである。該デバイスは、ガラス基板３０２と、ガ
ラス基板３０２上に成膜されたアノード層３０４と、アノード層３０４上に成膜
された有機正孔輸送層３０６と、正孔輸送層３０６上に成膜されたエレクトロル
ミネセント高分子層３０８と、エレクトロルミネセント高分子層３０８上に続い
て成膜された金属カソード層３１０とからなる。図６に、カソード層３０４のパ
ターン形状を説明するために、ガラス基板上に成膜されたアノード層の概略平面
図を示す。この場合、パターンは、平行な行および列の配列を形成するように配
置された小さいサブ電極３２０が規則的に２次元的に配列されたものである。同
一平面上にあるサブ電極のそれぞれは、正孔輸送層３０６の下部の異なる部分に
形成されている。これらサブ電極の面積寸法およびサブ電極同士の間隔は、デバ
イスから発せられた光を見る視聴者が、通常の目視条件下では検知することがで
きない程に小さい。同一の行および列に属するサブ電極３２０のうち、直接隣接
するもの同士は、ヒューズリンク３２２によってそれぞれ接続されている。各ヒ
ューズリンクの材料および寸法は、通常の動作条件下ではヒューズリンクに印加
される電圧が殆ど降下することはないが、著しい高電流（例えば、カソードとサ
ブ電極との間に位置する有機層内の欠陥によって生じることがある）が供給され
た場合、これが過熱して切断されるような範囲に設定される。これによりバック
ライトの残余の部分から欠陥部位が絶縁され、その結果、デバイスの性能が向上
する。
【０１０９】 アノードのサブ電極およびヒューズリンクは、例えば、インジウム−スズ酸化
物（ＩＴＯ）により作製することができる。サブ電極およびヒューズリンクによ
って形成されるパターン化された配列は、例えば、最初にガラス基板上にＩＴＯ
からなる連続層を成膜した後、例えば、フォトリソグラフィ法を使用して連続層
を選択的にエッチングし、パターン化された配列を形成することによって設ける
ことができる。また、サブ電極およびヒューズリンクは、異なる材料で作製する
ようにしてもよい。
【０１１０】 カソードは、上記したアノードと同様に、ヒューズリンクによって接続された
サブ電極により、付加的にまたは代替的に形成するようにしてもよい。しかしな
がら、上記のように、比較的損傷を受け易い有機層の上方にカソード層が成膜さ
れる種類のデバイスにおいては、通常は、下部の有機層に対して過度の損傷を与
えないよう、注意を払う必要がある。このような理由から、パターン化されたカ
ソード層は、エッチング法によるよりもむしろ、シャドウマスクを介しての成膜
法によって形成することが好ましい。
【０１１１】 本発明の他の実施形態に係る発光有機デバイスを図７に示す。この形態では、
厚さ１．１ｍｍのガラス基板４０２は、１５Ω／ｓｑ．のシート抵抗および１５
０ｎｍの厚さを有するインジウム−スズ酸化物（ＩＴＯ）４０４で被覆されてい
る。このＩＴＯの被覆４０４をパターン化し、標準的なフォトリソグラフィおよ
びエッチングプロセスを使用して一連の平行な行を形成する。その後、ポリエチ
レンスルホン酸でドープされたポリエチレンジオキシチオフェン（ＰＥＤＴ／Ｐ
ＳＳ）からなる層４０６は、ＩＴＯ／ガラス基板上にスピンコートした後、１５
０℃で焼成処理して水を除去して、厚さ５０ｎｍの層４０６として形成されたも
のである。その後、同様にスピンコートにより、ＰＥＤＴ／ＰＳＳの層４０６上
に発光性高分子の層４０８を成膜する。この層は、ポリ（２，７−（９，９−ジ
−ｎ−オクチルフルオレン−（１，４−フェニレン−（（１，４−フェニレン−
（（４−ｓｅｃブチルフェニル）イミノ）−１，４−フェニレン））（ＴＦＢ）
でドープされた９５％のポリ（２，７−（９，９−ジ−ｎ−オクチルフルオレン
）（５ＢＴＦ８）および５％のポリ（２，７−（９，９−ジ−ｎ−オクチルフル
オレン）−３，６−（ベンゾチアゾール）の融合物の層とすることができ、７５
ｎｍの厚さを有する。その後、真空チャンバ内でＡｌとともにＬｉＦの共蒸着を
行うことにより、発光性高分子の層４０８上にＬｉＦ／Ａｌ融合物の層４１０を
成膜し、発光性高分子の層４０８上にオーミックコンタクトを形成する。ＬｉＦ
／Ａｌ融合物の層４１０は、発光性高分子の層４０８の表面上のあらゆる欠陥を
覆うのに充分な厚さで成膜される。クラス１００のクリーンルームでデバイスを
作製する場合は、厚さを０．５〜１μｍとすればよい。その後、ＬｉＦ／Ａｌの
層４１０の上部に、アルミニウムからなる厚さ０．５μｍの層４１２を成膜した
後、従来のフォトリソグラフィ技術を使用してパターン化し、ＩＴＯの一連の平
行な行に対して直交する方向に延在する一連の規則的に離間した平行な列を形成
する。これにより、一連のＩＴＯの行とＡｌの列とが空間的に互いに重なった画
素の規則的なマトリックスが形成される。
【０１１２】 ＬｉＦ／Ａｌの物理的融合物は、浸透メカニズムにより導電を行う等方性の導
体であり、この場合、融合物の抵抗率は、ＬｉＦ／Ａｌ融合物中のＡｌの相対的
な割合によって決定される。ＬｉＦ／Ａｌ融合物中のＬｉＦおよびＡｌの相対的
な割合は、層の所望の抵抗率に従って決定される。勿論、所望の抵抗率は、要求
される層の厚さによって変動する。層の厚さは、基本的には、駆動電圧を大幅に
増加させる程高くはないが（駆動電圧が高いと、デバイスの電力効率が低減して
しまう）、その一方で、隣接する行間のクロストークを差し支えのない程度まで
確実に低減させる程に高くなるように選定される。このため、所望の抵抗率は、
アルミニウム列の数および間隔（これは所望の解像度に応じて決定される）、そ
れぞれの列が隣接する列に対して順に駆動される電圧、デバイスを動作させるべ
き電流密度のような幾つかの因子に応じて決定される。
【０１１３】 標準的なバックライトＬＥＤは、典型的には１ｍＡ／ｃｍ2の比較的低電流密
度で駆動されるが、ドットマトリックスディスプレイＬＥＤの作動電流密度は、
多くの場合、これよりも高い。この理由は、例えば、パッシブマトリックスデバ
イスでは、行が順に駆動されるためである。典型的には、より高い電流密度は、
順に駆動される行の数が乗算された非パルス電流密度（バックライトデバイスと
して使用されると仮定した場合では、デバイスが作動する際の電流密度）に相当
する。したがって、１００の行を有するデバイスは、典型的には１００ｍＡ／ｃ
ｍ2の電流密度で作動される。
【０１１４】 層が０．５μｍの厚さを有すると仮定した場合、駆動電圧を０．１Ｖを超えて
増加させないためには、ＬｉＦ／Ａｌ融合物の抵抗率を、２×１０4Ωｃｍまで
とすればよい。駆動電圧が１Ｖまで増加しても差し支えのない場合は、ＬｉＦ／
Ａｌ融合物の抵抗率を、２×１０5Ωｃｍまでとすればよい。それぞれ１ｍｍの
ピッチ、０．５ｍｍの間隔、および５０ｍｍの長さを有する列および行を形成し
て上部に存在するアルミニウム層およびＩＴＯアノード層をそれぞれパターン化
したデバイスにおいて、０．５μｍの厚さおよび２×１０5Ωｃｍの抵抗率を有
する層を使用する場合、列が１０Ｖで駆動され、駆動される列の両側に隣接する
列は接地されているのであれば、単一の画素のみを点灯させたときのデバイスを
介する電流が２５０μＡであるのに対して、駆動される列の両側に隣接する列へ
の漏れ電流は、わずかに０．５μＡである。
【０１１５】 また、上記した形態では、アルミニウム層と発光性有機層との間の高抵抗層は
、仕事関数の低い元素を含有するために発光性高分子への電子の注入を促進する
材料であるＬｉＦを含むので、デバイスの性能が向上するという利点も有する。
【０１１６】 本発明のさらに別の実施形態に係る有機発光デバイスを図８に示す。図８に示
すデバイスは、基板、アノード、および有機層に関しては図７に示すものと同一
であり、同一の構成要素には同一の参照符号を付して示すものとする。図８に示
すデバイスは、カソードの構成に関して図７に示すデバイスと相違する。カソー
ドは、約５ｎｍの厚さを有するフッ化リチウムの層４１４からなる。この層４１
４は、従来の成膜技術のいずれによっても成膜させることができるが、下部の有
機層に与える損傷を最小とするために、熱蒸着法によって成膜することが好まし
い。このフッ化リチウムの薄層４１４の上方に、フッ化リチウムとアルミニウム
との物理的融合物の層のような半導体材料の層４１６を、０．５〜１μｍの範囲
の厚さで成膜させる。次に、フッ化リチウム／アルミニウム融合物の層４１６の
上方に、アルミニウムの層４１２を０．５μｍの厚さに成膜させてオーミックコ
ンタクトを形成する。次に、従来のパターン化技術を使用して、このアルミニウ
ムの層４１２をパターン化し、一連のアノードの行に対して直交する方向に延在
する一連の平行な列を形成する。フッ化リチウム／アルミニウム融合物の比較的
厚い層１６により、下部の有機層がパターン化プロセスから確実に保護されるよ
うになる。アルミニウム／フッ化リチウム融合物層４１６の抵抗率は、デバイス
の動作電圧を支障のある程度までは上昇させず、その一方で、隣接するカソード
列間における横方向の電流漏れ（クロストーク）が回避されるような範囲内とす
る。発光性有機領域に隣接してフッ化リチウム薄層４１４を設けることにより、
カソードから発光性有機領域への電子の注入が促進される。
【０１１７】 図７および図８に示す実施形態は、パターン化されたカソードを備える高抵抗
な電極層を示すものであるが、最初にガラス基板上にパターン化したカソードを
形成し、有機材料層を１層以上カソード上に成膜し、最後に有機材料層の上方に
アノードを形成することによりＯＬＥＤを形成するようにしても、パターン化さ
れたアノードとともにパターン化されたカソードを使用することができる。この
場合、発光性有機領域に隣接する電極層は、アノードから発光性有機領域内への
正の電荷担体（正孔）の注入を促進するために、仕事関数の高い元素を少なくと
も１つ含有するものであることが好ましい。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施形態に係るＯＬＥＤの断面図である。
【図２】 本発明の１つの観点の原理を説明するためのＯＬＥＤの断面図である。
【図３】 スピンコートの際、有機材料の粒子が混入したことによって生じた典型的な欠
陥部位を有するＯＬＥＤの断面図である。
【図４】 本発明の他の実施形態に係るＯＬＥＤの断面図である。
【図５】 本発明の他の実施形態に係る発光デバイスの概略図である。
【図６】 図５に示すデバイスのアノード層の部分の概略平面図である。
【図７】 本発明のまた他の実施形態に係るデバイスの断面図である。
【図８】 本発明のさらにまた他の実施形態に係るデバイスの断面図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＣＹ， ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，Ｉ Ｔ，ＬＵ，ＭＣ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＡＴ，ＡＵ，Ｂ Ｒ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＳ，ＦＩ ，ＧＢ，ＩＬ，ＩＮ，ＪＰ，ＫＲ，ＬＵ，ＭＸ，ＰＴ， ＲＵ，ＳＥ，ＳＧ，ＵＳ (72)発明者 ブラッフズ、ジェレミー、ヘンリー イギリス国、ケンブリッジ シービー３ ０エイチジェイ、マディングリー ロー ド、マディングリー ライズ、グリーンウ ィッチ ハウス、ケンブリッジ ディスプ レイ テクノロジー リミテッド内 (72)発明者 ヒークス、ステファン、カール イギリス国、ケンブリッジ シービー３ ０エイチジェイ、マディングリー ロー ド、マディングリー ライズ、グリーンウ ィッチ ハウス、ケンブリッジ ディスプ レイ テクノロジー リミテッド内 Ｆターム(参考） 3K007 AB02 BA06 CA01 CB01 CC00 DA01 DB03 EA02 EB00

Claims (59)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に介装された有
    機発光層とを有し、前記第１電極および前記第２電極が前記有機発光層に電荷担
    体を注入するための電極である有機発光デバイスであって、 前記有機発光層に存在する導電性の欠陥を流れる電流を制限する手段を備える
    ことを特徴とする有機発光デバイス。
  2. 【請求項２】 請求項１記載の有機発光デバイスにおいて、前記電流を制限する手段が前記第
    １電極および前記第２電極の少なくとも一方の電極に組み込まれていることを特
    徴とする有機発光デバイス。
  3. 【請求項３】 請求項２記載の有機発光デバイスにおいて、前記第１電極および前記第２電極
    の少なくとも一方の電極が、他方の電極から離間して前記有機発光層の表面に隣
    接する第１電極層を含む複数の層を有し、 前記第１電極層は、該有機発光デバイスの駆動電圧を大幅に増加させる程には
    高い抵抗ではないが、前記有機発光層に存在する前記導電性の欠陥に過度の電流
    が流れることを回避するには充分な高さの抵抗を有することを特徴とする有機発
    光デバイス。
  4. 【請求項４】 請求項３記載の有機発光デバイスにおいて、前記第１電極層は、半導体材料と
    絶縁体材料との混合物、半導体材料と導電体材料との混合物、および絶縁体材料
    と導電体材料との混合物の群から選択された高抵抗材料で形成されていることを
    特徴とする有機発光デバイス。
  5. 【請求項５】 第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に介装された有
    機発光層とを有し、前記第１電極および前記第２電極が前記有機発光層に電荷担
    体を注入するための電極である有機発光デバイスであって、 前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方の電極が、他方の電極から
    離間して前記有機発光層の表面に隣接する高抵抗な第１電極層を含む複数の層を
    有し、 前記第１電極層は、半導体材料と絶縁体材料との混合物、半導体材料と導電体
    材料との混合物、および絶縁体材料と導電体材料との混合物の群から選択された
    高抵抗材料で形成されていることを特徴とする有機発光デバイス。
  6. 【請求項６】 請求項１〜５のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおいて、前記第１電
    力層は、仕事関数の低い材料を少なくとも１つ含有するものであることを特徴と
    する有機発光デバイス。
  7. 【請求項７】 請求項１〜６のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおいて、前記半導体
    材料が、Ｇｅ、Ｓｉ、α−Ｓｎ、Ｓｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＧａＡｓ、ＧａＰ、
    ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＭｎＳ、ＭｎＳｅ、ＰｂＳ、ＺｎＯ、ＳｎＯ、ＴｉＯ2、Ｔ
    ｉＯ2、ＭｎＯ2、およびＳｉＣの群から選択された材料であり、前記絶縁体材料
    が、酸化物、窒化物およびフッ化物の群から選択された材料、好ましくは、Ａｌ 2 Ｏ3、ＳｉＯ2、ＬｉＯ2、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＬｉＦおよびＣｓＦの群から選択さ
    れた材料であることを特徴とする有機発光デバイス。
  8. 【請求項８】 請求項１〜７のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電体
    材料が延性金属であり、好ましくは、ＡｌおよびＡｇの群から選択された材料で
    あることを特徴とする有機発光デバイス。
  9. 【請求項９】 請求項１〜８記載の有機発光デバイスにおいて、前記第１電極層が、ＬｉＦ／
    Ａｌ、Ｃａ／Ｇｅ、Ｌｉ／Ｓｉ、Ｃａ／ＺｎＯ、ＬｉＦ／ＺｎＳｅおよびＣｓＦ
    ／ＺｎＳの群から選択された混合物で形成されていることを特徴とする有機発光
    デバイス。
  10. 【請求項１０】 第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に介装された有
    機発光層とを有し、前記第１電極および前記第２電極が前記有機発光層に電荷担
    体を注入するための電極である有機発光デバイスであって、 さらに、前記有機層に存在する導電性の欠陥を前記第１電極または前記第２電
    極から電気的に絶縁する手段を有することを特徴とする有機発光デバイス。
  11. 【請求項１１】 請求項１０記載の有機発光デバイスにおいて、前記絶縁手段が前記第１電極お
    よび前記第２電極の少なくとも一方の電極に組み込まれていることを特徴とする
    有機発光デバイス。
  12. 【請求項１２】 請求項１１記載の有機発光デバイスにおいて、前記第１電極および前記第２電
    極の少なくとも一方の電極が、他方の電極から離間して前記有機発光層の表面に
    隣接する薄い第１電極層を含む複数の層を有し、前記薄い第１電極層の寸法およ
    び材料特性は、該第１電極層が前記有機層に存在する導電性欠陥に隣接する部位
    で該導電性欠陥によって生じた異常電流が流れた際に蒸散するように設定されて
    いることを特徴とする有機発光デバイス。
  13. 【請求項１３】 請求項１２記載の有機発光デバイスにおいて、前記第１電極および前記第２電
    極の少なくとも一方の電極が不透明であり、かつ他方の電極から離間して前記有
    機発光層の表面に隣接する仕事関数の低い材料で形成された薄い第１電極層と、
    前記有機発光層から離間して前記第１電極層の表面に隣接する第２電極層とを含
    む複数の層を有し、 前記第２電極層は、半導体材料、半導体材料と絶縁体材料との混合物、半導体
    材料と導電体材料との混合物、および絶縁体材料と導電体材料との混合物の群か
    ら選択された高抵抗材料からなる層であることを特徴とする有機発光デバイス。
  14. 【請求項１４】 請求項１２記載の有機発光デバイスにおいて、第１電極と、第２電極と、前記
    第１電極と前記第２電極との間に介装された有機発光層とを有し、前記第１電極
    および前記第２電極が前記有機発光層に電荷担体を注入するための電極であり、 前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方の電極が不透明であり、か
    つ他方の電極から離間して前記有機発光層の表面に隣接する仕事関数の高い薄い
    第１電極層と、前記有機発光層から離間して前記第１電極層の表面に隣接する第
    ２電極層とを含む複数の層を有し、 前記第２電極層は、半導体材料、半導体材料と絶縁体材料との混合物、半導体
    材料と導電体材料との混合物、および絶縁体材料と導電体材料との混合物の群か
    ら選択された高抵抗材料からなる層であることを特徴とする有機発光デバイス。
  15. 【請求項１５】 第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に介装された有
    機発光層とを有し、前記第１電極および前記第２電極が前記有機発光層に電荷担
    体を注入するための電極である有機発光デバイスであって、 前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方の電極が不透明であり、か
    つ他方の電極から離間して前記有機発光層の表面に隣接する仕事関数の低い薄い
    第１電極層と、前記有機発光層から離間して前記第１電極層の表面に隣接する第
    ２電極層とを含む複数の層を有し、 前記第２電極層は、半導体材料、半導体材料と絶縁体材料との混合物、半導体
    材料と導電体材料との混合物、および絶縁体材料と導電体材料との混合物の群か
    ら選択された高抵抗材料からなる層であることを特徴とする有機発光デバイス。
  16. 【請求項１６】 第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に介装された有
    機発光層とを有し、前記第１電極および前記第２電極が前記有機発光層に電荷担
    体を注入するための電極である有機発光デバイスであって、 前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方の電極が、他方の電極から
    離間して前記有機発光層の表面に隣接する仕事関数の高い材料で形成された薄い
    第１電極層と、前記有機発光層から離間して前記第１電極層の表面に隣接する第
    ２電極層とを含む複数の層を有し、 前記第２電極層は、半導体材料、半導体材料と絶縁体材料との混合物、半導体
    材料と導電体材料との混合物、および絶縁体材料と導電体材料との混合物の群か
    ら選択された高抵抗材料からなる層であることを特徴とする有機発光デバイス。
  17. 【請求項１７】 請求項１２または１３記載の有機発光デバイスにおいて、前記第２電極の表面
    上に前記第１電極層から離間した第３電極層をさらに有し、 該第３電極層は、導電体材料、好ましくは、延性金属からなることを特徴とす
    る有機発光デバイス。
  18. 【請求項１８】 第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に介装された有
    機発光層とを有し、 前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方の電極が、高抵抗な第１電
    極層を含み、 該第１電極層によって前記有機発光層に本来的に存在する欠陥が被覆されるよ
    うに、前記第１電極層の厚さが、前記有機発光層の厚さよりも大きいことを特徴
    とする有機発光デバイス。
  19. 【請求項１９】 請求項１８記載の有機発光デバイスにおいて、第１電極の表面上に前記有機発
    光層から離間して第２電極層をさらに有し、該第２電極層は、導電体材料である
    ことを特徴とする有機発光デバイス。
  20. 【請求項２０】 請求項１８または１９に記載の有機発光デバイスにおいて、前記第１電極層の
    厚さが０．５〜１μｍの範囲内であることを特徴とする有機発光デバイス。
  21. 【請求項２１】 請求項１８記載の有機発光デバイスにおいて、前記第１電極層は、半導体材料
    、半導体材料と絶縁体材料との混合物、半導体材料と導電体材料との混合物、お
    よび絶縁体材料と導電体材料との混合物の群から選択された材料で形成されるこ
    とを特徴とする有機発光デバイス。
  22. 【請求項２２】 第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に介装された有
    機発光層とを有し、前記第１電極および前記第２電極が前記有機発光層に電荷担
    体を注入するための電極である有機発光デバイスにおける電流密度の均一性を向
    上させる方法であって、 高抵抗な第１電極層を含む複数の電極層によって前記第１電極および前記第２
    電極の一方を形成する工程を有し、 前記第１電極層を、半導体材料、半導体材料と絶縁体材料との混合物、半導体
    材料と導電体材料との混合物、および絶縁体材料と導電体材料との混合物の群か
    ら選択された材料で形成することを特徴とする有機発光デバイスにおける電流密
    度の均一性を向上させる方法。
  23. 【請求項２３】 第１電極層と、第２電極層と、前記第１電極層と前記第２電極層との間に介装
    された有機発光層とを有し、 前記第１電極層、前記第２電極層および前記有機発光層の間で電荷担体の移動
    が可能であり、 少なくとも前記第１電極層が複数のサブ電極を有し、 前記サブ電極の各々が周囲のサブ電極にヒューズリンクを介して直接接続され
    ており、 特定の値を超える電流が流れると、前記ヒューズリンクが破断して前記サブ電
    極の各々を他のサブ電極から電気的に絶縁することを特徴とする有機発光デバイ
    ス。
  24. 【請求項２４】 請求項１１記載の有機発光デバイスにおいて、前記第１電極および前記第２電
    極の少なくとも一方の電極が複数のサブ電極を有し、 前記サブ電極の各々が周囲のサブ電極にヒューズリンクを介して直接接続され
    ており、 特定の値を超える電流が流れると、前記ヒューズリンクが破断して前記サブ電
    極の各々を他のサブ電極から電気的に絶縁することを特徴とする有機発光デバイ
    ス。
  25. 【請求項２５】 請求項２３または２４記載の有機発光デバイスにおいて、前記複数のサブ電極
    が、行および列の規則的な配列を形成するように配置され、前記サブ電極の各々
    が、同一の列および行に属する隣接サブ電極にヒューズリンクを介して接続され
    ていることを特徴とする有機発光デバイス。
  26. 【請求項２６】 請求項２３〜２５のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおいて、前記サ
    ブ電極の大きさと間隔が、該有機発光デバイスの操作中に発せられた光の強度が
    発光領域全体に亘って連続的であると目視で感じられるように設定されているこ
    とを特徴とする有機発光デバイス。
  27. 【請求項２７】 第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に介装された有
    機発光領域とを有し、前記第１電極および前記第２電極が電荷担体を前記有機発
    光領域に注入するための電極である有機発光デバイスであって、 前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方の電極が、他方の電極から
    離間して前記有機発光領域の表面に隣接する高抵抗な第１電極層と、前記有機発
    光領域から離間して前記第１電極層の表面に隣接するパターン化された導電性の
    第２電極層とを有し、 前記第１電極層は、前記他方の電極から離間して前記有機発光領域の表面の概
    ね全体を被覆し、かつ半導体材料と絶縁体材料との混合物、半導体材料と導電体
    材料との混合物、および絶縁体材料と導電体材料との混合物の群から選択された
    高抵抗材料からなる層であることを特徴とする有機発光デバイス。
  28. 【請求項２８】 請求項２７記載の有機発光デバイスにおいて、前記第１電極層が、仕事関数の
    低い元素を少なくとも１つ含有することを特徴とする有機発光デバイス。
  29. 【請求項２９】 請求項２８記載の有機発光デバイスにおいて、前記仕事関数の低い元素がカル
    シウムまたはリチウムであることを特徴とする有機発光デバイス。
  30. 【請求項３０】 請求項２７〜２９のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおいて、前記半
    導体材料が、Ｇｅ、Ｓｉ、α−Ｓｎ、Ｓｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＧａＡｓ、Ｇａ
    Ｐ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＭｎＳ、ＭｎＳｅ、ＰｂＳ、ＺｎＯ、ＳｎＯ、ＴｉＯ、
    ＴｉＯ2、ＭｎＯ2およびＳｉＣの群から選択された材料であることを特徴とする
    有機発光デバイス。
  31. 【請求項３１】 請求項２７〜３０のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおいて、前記絶
    縁体材料が、酸化物、窒化物およびフッ化物の群から選択された材料であること
    を特徴とする有機発光デバイス。
  32. 【請求項３２】 請求項３１記載の有機発光デバイスにおいて、前記絶縁体材料が、Ａｌ2Ｏ3、
    ＳｉＯ2、ＬｉＯ、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＬｉＦおよびＣｓＦの群から選択された材
    料であることを特徴とする有機発光デバイス。
  33. 【請求項３３】 請求項２７〜３２のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおいて、前記導
    電体材料が金属であることを特徴とする有機発光デバイス。
  34. 【請求項３４】 請求項３３記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電体材料が、Ａｌおよび
    Ａｇの群から選択された材料であることを特徴とする有機発光デバイス。
  35. 【請求項３５】 請求項２７〜３４のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおいて、前記第
    １の電極層が、ＬｉＦ／Ａｌ、Ｃａ／Ｇｅ、Ｌｉ／Ｓｉ、Ｃａ／ＺｎＯ、ＬｉＦ
    ／ＺｎＳｅおよびＣｓＦ／ＺｎＳの群から選択された混合物で形成されているこ
    とを特徴とする有機発光デバイス。
  36. 【請求項３６】 請求項２７〜３５のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおいて、前記第
    １電極層の厚さが０．５〜１．０μｍの範囲内であることを特徴とする有機発光
    デバイス。
  37. 【請求項３７】 請求項２７記載の有機発光デバイスにおいて、前記第１電極層が、仕事関数が
    ４．５ｅＶを超える元素を少なくとも１つ含有することを特徴とする有機発光デ
    バイス。
  38. 【請求項３８】 請求項３７記載の有機発光デバイスにおいて、前記第１電極層が、Ａｕ、Ｐｄ
    、ＰｔおよびＩＴＯの群から選択された少なくとも１つの材料を含有することを
    特徴とする有機発光デバイス。
  39. 【請求項３９】 第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に介装された有
    機発光領域とを有し、前記第１電極および前記第２電極が電荷担体を前記有機発
    光領域に注入するための電極である有機発光デバイスであって、 前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方の電極が、他方の電極から
    離間して前記有機発光領域の表面に隣接する高抵抗な第１電極層と、前記有機発
    光領域から離間して前記第１電極層の表面に隣接するパターン化された導電性の
    第２電極層とを有し、 前記第１電極層が、前記他方の電極から離間して前記有機発光領域の表面の概
    ね全体を被覆し、 前記有機発光領域に存在する欠陥によって生ずる影響を前記第１電極層によっ
    て補償するために、該第１電極層の厚さが前記有機発光領域の厚さよりも大きい
    ことを特徴とする有機発光デバイス。
  40. 【請求項４０】 請求項３９記載の有機発光デバイスにおいて、前記第１電極層の厚さが０．５
    〜１μｍの範囲内であることを特徴とする有機発光デバイス。
  41. 【請求項４１】 請求項３９〜４０のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおいて、前記第
    １電極層が、半導体材料、半導体材料と絶縁体材料との混合物、半導体材料と導
    電体材料との混合物、および絶縁体材料と導電体材料との混合物の群から選択さ
    れた材料で形成されることを特徴とする有機発光デバイス。
  42. 【請求項４２】 第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に介装された有
    機発光領域とを有し、前記第１電極および前記第２電極が電荷担体を前記有機発
    光層に注入する有機発光デバイスにおける第１電極および第２電極の少なくとも
    一方の電極を形成する方法であって、 高抵抗な第１電極層を他方の電極から離間して前記有機発光領域の表面の概ね
    全体に亘って形成する工程と、 前記有機発光領域から離間して前記第１電極層の表面上にパターン化された導
    電性の第２電極層を形成する工程とを有し、 前記第１電極層を、半導体材料、半導体材料と絶縁体材料との混合物、半導体
    材料と導電体材料との混合物、および絶縁体材料と導電体材料との混合物の群か
    ら選択された材料で形成することを特徴とする電極形成方法。
  43. 【請求項４３】 第１電極と、第２電極と、前記第１電極と前記第２電極との間に介装された有
    機発光領域とを有し、前記第１電極および前記第２電極が前記有機発光領域に電
    荷担体を注入するための電極である有機発光デバイスであって、 前記第１電極および前記第２電極の少なくとも一方の電極が、他方の電極から
    離間して前記有機発光領域の表面に隣接する絶縁体材料で形成された第１電極層
    と、前記有機発光領域から離間して前記第１電極層の表面に隣接する高抵抗な第
    ２電極層と、前記第１電極層から離間して前記第２電極層の表面に隣接するパタ
    ーン化された導電性の第３電極層とを有し、 前記第１電極層および第２電極層が、前記他方の電極から離間して前記有機発
    光領域の表面の概ね全体を被覆し、 前記第２電極層は、半導体材料、半導体材料と絶縁体材料との混合物、半導体
    材料と導電体材料との混合物、および絶縁体材料と導電体材料との混合物の群か
    ら選択された高抵抗材料で形成されていることを特徴とする有機発光デバイス。
  44. 【請求項４４】 請求項４３記載の有機発光デバイスにおいて、前記第１電極層が誘電体材料か
    らなる層であることを特徴とする有機発光デバイス。
  45. 【請求項４５】 請求項４３または４４記載の有機発光デバイスにおいて、前記第１電極層が仕
    事関数の低い元素を含有する誘電体材料からなる層であることを特徴とする有機
    発光デバイス。
  46. 【請求項４６】 請求項４５記載の有機発光デバイスにおいて、前記第１電極層がＬｉＯ、Ｃｓ
    ＦおよびＬｉＦの群から選択された少なくとも１つの誘電体材料を含有する層で
    あることを特徴とする有機発光デバイス。
  47. 【請求項４７】 請求項４３〜４６のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおいて、前記半
    導体材料が、Ｇｅ、Ｓｉ、α−Ｓｎ、Ｓｅ、ＺｎＳｅ、ＺｎＳ、ＧａＡｓ、Ｇａ
    Ｐ、ＣｄＳ、ＣｄＳｅ、ＭｎＳ、ＭｎＳｅ、ＰｂＳ、ＺｎＯ、ＳｎＯ、ＴｉＯ、
    ＴｉＯ2、ＭｎＯ2およびＳｉＣの群から選択された材料であることを特徴とする
    有機発光デバイス。
  48. 【請求項４８】 請求項４３〜４７のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおいて、前記第
    ２電極層の絶縁体材料が、酸化物、窒化物およびフッ化物の群から選択された材
    料であることを特徴とする有機発光デバイス。
  49. 【請求項４９】 請求項４８記載の有機発光デバイスにおいて、前記第２電極層の前記絶縁体材
    料が、Ａｌ2Ｏ3、ＳｉＯ2、ＬｉＯ2、ＡｌＮ、ＳｉＮ、ＬｉＦおよびＣｓＦの群
    から選択された材料であることを特徴とする有機発光デバイス。
  50. 【請求項５０】 請求項４３〜４９のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおいて、前記導
    電体材料が金属であることを特徴とする有機発光デバイス。
  51. 【請求項５１】 請求項５０記載の有機発光デバイスにおいて、前記導電体材料が、Ａｌおよび
    Ａｇの群から選択された材料であることを特徴とする有機発光デバイス。
  52. 【請求項５２】 請求項４３〜５１のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおいて、前記第
    ２電極層の厚さが０．５〜１．０μｍの範囲内であることを特徴とする有機発光
    デバイス。
  53. 【請求項５３】 請求項４３〜５２のいずれか1項に記載の有機発光デバイスにおいて、前記第
    １電極層の厚さが１０ｎｍ未満であることを特徴とする有機発光デバイス。
  54. 【請求項５４】 請求項５３記載の有機発光デバイスにおいて、前記第１電極層の厚さが５ｎｍ
    未満であることを特徴とする有機発光デバイス。
  55. 【請求項５５】 請求項１記載の有機発光デバイスにおいて、前記第１電極層の厚さが０．５〜
    １．０μｍの範囲内であることを特徴とする有機発光デバイス。
  56. 【請求項５６】 請求項１３または１５記載の発光デバイスにおいて、前記第１電極層が、Ｃａ
    、Ｌｉ、Ｙｂ、ＬｉＦ、ＣｓＦおよびＬｉＯの群から選択された材料からなる層
    であることを特徴とする有機発光デバイス。
  57. 【請求項５７】 請求項１３〜１６のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおいて、前記第
    １電極層の厚さが０．５〜１０ｎｍの範囲内であり、好ましくは５ｎｍ未満であ
    ることを特徴とする有機発光デバイス。
  58. 【請求項５８】 請求項１〜９のいずれか１項に記載の有機発光デバイスにおいて、前記第１電
    極層上に、導電体材料層の、好ましくは、延性金属層の第２電極層が形成される
    ことを特徴とする有機発光デバイス。
  59. 【請求項５９】 添付の図面を参照して本明細書中に概ね開示した有機発光デバイス。
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