JP4525303B2 - 有機el素子およびその製造方法 - Google Patents
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Description
本実施例は、バッファ層の透明性を評価するための実施例である。ガラス基板上に、真空槽内圧は1×10−5Paまで減圧した真空蒸着装置を使用してZnF2とAlを共蒸着させ、膜厚5nmのバッファ層を作製した。なお、抵抗加熱式の蒸発源を用い、ZnF2とAlの混合比は3:2とした。るつぼ材質は蒸着材料に応じて石英、Mo、BN、PBNとした。
実施例1と同様に、基板上に膜厚5nmのZn層を形成したサンプルを作製して、透明性を評価した。その結果を第2表に示す。
本実施例は、本発明にしたがうバッファ層を備えた有機EL素子を作製する実施例である。最初に、ガラス基板上にスパッタ法でIZO膜を全面に成膜した。IZOターゲットとしてIn2O3−10%ZnOおよびスパッタリングガスとしてArを用いるDCスパッタ法を用いて、室温および0.3Paの圧力下、100Wの電力を印加することによって、成膜速度20nm/分において膜厚200nmのIZO膜を形成した。次に、フォトリソグラフ法によってパターニングを行い、幅90μm、間隙20μmの複数のストライプパターンを形成した。パターニング後、乾燥処理(150℃)およびUV処理(室温および150℃)を行って、透明電極を得た。
本比較例は単層構造のバッファ層を備えた有機EL層に関する。バッファ層を膜厚5nmのZn層とすること以外、実施例1と同様の方法により有機EL素子を作製した。
本比較例はバッファ層を省いた有機EL層に関する。バッファ層を形成しないこと以外、実施例1と同様の方法により有機EL素子を作製した。
20 透明電極
30 バッファ層
40 有機EL層
41 正孔注入層
42 正孔輸送層
43 有機発光層
44 電子輸送層
50 反射電極
Claims (7)
- 基板上に、導電性金属酸化物から構成される透明電極と、バッファ層と、少なくとも有機発光層を含む有機EL層と、反射電極とをこの順に含む有機EL素子であって、
前記透明電極が陽極であり、
前記反射電極が陰極であり、
前記バッファ層が、前記導電性金属酸化物を構成する金属、前記金属のフッ化物、AlおよびAlF3の混合層であり、
前記バッファ層は、前記導電性金属酸化物を構成する金属のフッ化物とAlとを乾式法によって同時に積層することにより形成されていることを特徴とする有機EL素子。 - 前記バッファ層の厚さが10nm以下であることを特徴とする請求項1に記載の有機EL素子。
- 前記バッファ層が複数の島状粒子から構成される不連続な膜であることを特徴とする請求項1または2に記載の有機EL素子。
- 前記金属のフッ化物がZn、In、Sn、TiおよびCdのフッ化物から選択されることを特徴とする請求項1から4のいずれかに記載の有機EL素子。
- 前記バッファ層の光透過率が80%以上であることを特徴とする請求項1から5のいずれかに記載の有機EL素子。
- 基板上に導電性金属酸化物を堆積させて、透明電極を形成する工程と
前記透明電極上に、前記導電性金属酸化物を構成する金属のフッ化物と、Alとを乾式法により同時に積層させて、バッファ層を形成する工程と、
前記バッファ層上に、有機EL層を形成する工程と、
前記有機EL層上に、反射電極を形成する工程と
を含み、前記透明電極が陽極であり、前記反射電極が陰極であり、前記バッファ層が、前記導電性金属酸化物を構成する金属、前記金属のフッ化物、AlおよびAlF3の混合層であることを特徴とする有機EL素子の製造方法。
- 前記フッ化物と前記Alとの混合モル比が1:5〜5:1であることを特徴とする請求項6に記載の有機EL素子の製造方法。
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