JP4837286B2 - 有機発光デバイス - Google Patents
有機発光デバイス Download PDFInfo
- Publication number
- JP4837286B2 JP4837286B2 JP2005006576A JP2005006576A JP4837286B2 JP 4837286 B2 JP4837286 B2 JP 4837286B2 JP 2005006576 A JP2005006576 A JP 2005006576A JP 2005006576 A JP2005006576 A JP 2005006576A JP 4837286 B2 JP4837286 B2 JP 4837286B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- electrode
- light emitting
- organic light
- organic
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/80—Constructional details
- H10K59/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/805—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/11—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/14—Carrier transporting layers
- H10K50/16—Electron transporting layers
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/917—Electroluminescent
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Description
本発明は、有機発光デバイス(OLED)と、固有の欠陥を含む発光性有機層を有するOLEDにおける電流密度の均一性を向上させるための方法に関する。
米国特許第5,247,190号または米国特許第4,539,507号に開示されているような有機発光デバイスは、今後、種々のディスプレイに利用される可能性があり、このような有機発光デバイスに対する期待は大きい。なお、前記米国特許第5,247,190号および米国特許第4,539,507号を参照することによって、その開示内容を本明細書中に盛り込んだものとする。1つの方法によれば、OLEDは、インジウム−スズ酸化物(ITO)等の透明な第1の電極(アノード)でガラスまたはプラスチックの基板を被覆することにより作製される。その後、最終層、すなわち、典型的には金属または合金からなる第2の電極(カソード)の膜に先立って、エレクトロルミネセント有機材料からなる薄膜が少なくとも1層成膜される。
前記有機発光層に存在する導電性の欠陥を流れる電流を制限する手段を備えることを特徴とする有機発光デバイスが提供される。
前記第1電極層は、該有機発光デバイスの駆動電圧を大幅に増加させる程には高い抵抗ではないが、前記有機発光層に存在する前記導電性の欠陥に過度の電流が流れることを回避するには充分な高さの抵抗を有することが好ましい。
さらに、前記有機層に存在する導電性の欠陥を前記第1電極または前記第2電極から電気的に絶縁する手段を有することを特徴とする有機発光デバイスが提供される。
前記第1電極および前記第2電極の少なくとも一方の電極が、高抵抗な第1電極層を含み、
該第1電極層によって前記有機発光層に本来的に存在する欠陥が被覆されるように、前記第1電極層の厚さが、前記有機発光層の厚さよりも大きいことを特徴とする有機発光デバイスが提供される。
高抵抗な第1電極層を含む複数の電極層によって前記第1電極および前記第2電極の一方を形成する工程を有し、
前記第1電極層を、半導体材料、半導体材料と絶縁体材料との混合物、半導体材料と導電体材料との混合物、および絶縁体材料と導電体材料との混合物の群から選択された材料で形成することを特徴とする有機発光デバイスにおける電流密度の均一性を向上させる方法が提供される。
前記第1電極層、前記第2電極層および前記有機発光層の間で電荷担体の移動が可能であり、
少なくとも前記第1電極層が複数のサブ電極を有し、
前記サブ電極の各々が周囲のサブ電極にヒューズリンクを介して直接接続されており、
特定の値を超える電流が流れると、前記ヒューズリンクが破断して前記サブ電極の各々を他のサブ電極から電気的に絶縁することを特徴とする有機発光デバイスが提供される。
前記第1電極および前記第2電極の少なくとも一方の電極が、他方の電極から離間して前記有機発光領域の表面に隣接する高抵抗な第1電極層と、前記有機発光領域から離間して前記第1電極層の表面に隣接するパターン化された導電性の第2電極層とを有し、
前記第1電極層は、前記他方の電極から離間して前記有機発光領域の表面の概ね全体を被覆し、かつ半導体材料と絶縁体材料との混合物、半導体材料と導電体材料との混合物、および絶縁体材料と導電体材料との混合物の群から選択された高抵抗材料からなる層であることを特徴とする有機発光デバイスが提供される。
前記第1電極および前記第2電極の少なくとも一方の電極が、他方の電極から離間して前記有機発光領域の表面に隣接する高抵抗な第1電極層を含む複数層からなり、かつ前記有機発光領域から離間して前記第1電極層の表面に隣接するパターン化された導電性の第2電極層とを有し、
前記第1電極層が、前記他方の電極から離間して前記有機発光領域の表面の概ね全体を被覆し、
前記有機発光領域に存在する欠陥によって生ずる影響を前記第1電極層によって補償するために、該第1電極層の厚さが前記有機発光領域の厚さよりも大きくなっていることを特徴とする有機発光デバイスが提供される。
高抵抗な第1電極層を他方の電極から離間して前記有機発光領域の表面の概ね全体に亘って形成する工程と、
前記有機発光領域から離間して前記第1電極層の表面上にパターン化された導電性の第2電極層を形成する工程とを有し、
前記第1電極層を、半導体材料、半導体材料と絶縁体材料との混合物、半導体材料と導電体材料との混合物、および絶縁体材料と導電体材料との混合物の群から選択された材料で形成することを特徴とする電極形成方法が提供される。
前記第1電極および前記第2電極の少なくとも一方の電極が、他方の電極から離間して前記有機発光領域の表面に隣接する絶縁体材料で形成された第1電極層と、前記有機発光領域から離間して前記第1電極層の表面に隣接する高抵抗な第2電極層と、前記第1電極層から離間して前記第2電極層の表面に隣接するパターン化された導電性の第3電極層とを有し、
前記第1電極層および第2電極層が、前記他方の電極から離間して前記有機発光領域の表面の概ね全体を被覆し、
前記第2電極層は、半導体材料、半導体材料と絶縁体材料との混合物、半導体材料と導電体材料との混合物、および絶縁体材料と導電体材料との混合物の群から選択された高抵抗材料で形成されていることを特徴とする有機発光デバイスが提供される。
以下、本発明につき好適な実施の形態を挙げ、添付の図面を参照して詳細に説明する。
式中、Nは欠陥の密度(単位面積当たり)、Aはそれぞれの欠陥の平均面積、Vは駆動電圧、ρはカソード層の抵抗率、tは第1のカソード層20の厚さである。
Claims (3)
- アノードと、カソードと、前記アノードと前記カソードとの間に介装された有機発光層とを有し、前記アノードおよび前記カソードが前記有機発光層に電荷担体を注入するための電極である有機発光デバイスであって、
前記カソードが、該アノードから離間して前記有機発光層の表面に隣接する第1電極層を含む複数の層を有し、
前記第1電極層は、その厚さが0.5〜1μm、抵抗率ρが10 2 〜10 5 Ωcmであり、絶縁体材料と導電体材料との混合物から形成され、
前記絶縁体材料がフッ化物からなるとともに、前記導電体材料が、仕事関数が3.7eV未満である金属からなり、
前記カソードが、前記第1電極層に隣接して設けられ、かつ導電体材料からなる第2電極層をさらに有することを特徴とする有機発光デバイス。 - 請求項1記載の有機発光デバイスにおいて、前記絶縁体材料が、LiFおよびCsFの群から選択された材料であることを特徴とする有機発光デバイス。
- 請求項1又は2記載の有機発光デバイスにおいて、前記第2電極層をなす前記導電体材料が、AlまたはAgであることを特徴とする有機発光デバイス。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GBGB9827699.1A GB9827699D0 (en) | 1998-12-16 | 1998-12-16 | Organic light-emitting devices |
GB9827699.1 | 1998-12-16 | ||
GB9907120.1 | 1999-03-26 | ||
GBGB9907120.1A GB9907120D0 (en) | 1998-12-16 | 1999-03-26 | Organic light-emissive devices |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000588818A Division JP3662496B2 (ja) | 1998-12-16 | 1999-12-15 | 有機発光デバイス |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005209647A JP2005209647A (ja) | 2005-08-04 |
JP2005209647A5 JP2005209647A5 (ja) | 2005-09-15 |
JP4837286B2 true JP4837286B2 (ja) | 2011-12-14 |
Family
ID=26314844
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000588818A Expired - Lifetime JP3662496B2 (ja) | 1998-12-16 | 1999-12-15 | 有機発光デバイス |
JP2005006576A Expired - Fee Related JP4837286B2 (ja) | 1998-12-16 | 2005-01-13 | 有機発光デバイス |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2000588818A Expired - Lifetime JP3662496B2 (ja) | 1998-12-16 | 1999-12-15 | 有機発光デバイス |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7005196B1 (ja) |
EP (1) | EP1145337A1 (ja) |
JP (2) | JP3662496B2 (ja) |
KR (2) | KR100461152B1 (ja) |
CN (2) | CN1242495C (ja) |
AU (1) | AU1788200A (ja) |
GB (1) | GB9907120D0 (ja) |
HK (1) | HK1050425A1 (ja) |
WO (1) | WO2000036662A1 (ja) |
Families Citing this family (47)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6509581B1 (en) * | 2000-03-29 | 2003-01-21 | Delta Optoelectronics, Inc. | Structure and fabrication process for an improved polymer light emitting diode |
US6680578B2 (en) * | 2001-09-19 | 2004-01-20 | Osram Opto Semiconductors, Gmbh | Organic light emitting diode light source |
JP2003163078A (ja) * | 2001-11-28 | 2003-06-06 | Hitachi Ltd | 表示装置 |
KR20050072424A (ko) * | 2002-10-01 | 2005-07-11 | 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. | 광 출력이 향상된 전기발광 디스플레이 |
JP2004235548A (ja) * | 2003-01-31 | 2004-08-19 | Nec Electronics Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
DE102004025578B4 (de) * | 2004-05-25 | 2009-04-23 | Applied Materials Gmbh & Co. Kg | Verfahren zum Herstellen von organischen, Licht emittierenden Flächenelementen und Verwendung dieses Verfahrens |
JP4550529B2 (ja) * | 2004-09-02 | 2010-09-22 | 株式会社 日立ディスプレイズ | 液晶表示装置 |
KR101381906B1 (ko) * | 2004-09-13 | 2014-04-04 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 조명장치 |
JP4525303B2 (ja) * | 2004-11-10 | 2010-08-18 | 富士電機ホールディングス株式会社 | 有機el素子およびその製造方法 |
WO2006104020A1 (en) | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device and electric appliance using the same |
JP2006324600A (ja) * | 2005-05-20 | 2006-11-30 | Toyota Industries Corp | 発光装置及び液晶表示装置 |
KR100721948B1 (ko) * | 2005-08-30 | 2007-05-25 | 삼성에스디아이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법 |
WO2008099315A2 (en) | 2007-02-12 | 2008-08-21 | Philips Intellectual Property & Standards Gmbh | Large area light emitting diode light source |
EP1978576A3 (en) * | 2007-04-03 | 2012-10-17 | Fujikura, Ltd. | Organic light-emitting diode element and optical interconnection module |
JP2009021073A (ja) * | 2007-07-11 | 2009-01-29 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 自発光型素子及び照明装置並びに表示装置 |
DE102007055137A1 (de) * | 2007-11-19 | 2009-05-20 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Organische Leuchtdiode und Verfahren zu deren Herstellung |
JP2010056075A (ja) | 2008-07-29 | 2010-03-11 | Sony Corp | 発光素子及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
JP2010056211A (ja) * | 2008-08-27 | 2010-03-11 | Seiko Epson Corp | 有機el装置およびその製造方法 |
JP5115491B2 (ja) * | 2009-02-12 | 2013-01-09 | ソニー株式会社 | 有機電界発光素子および表示装置 |
JP2011040244A (ja) | 2009-08-10 | 2011-02-24 | Sony Corp | 発光素子 |
JP5425217B2 (ja) * | 2009-10-27 | 2014-02-26 | 株式会社アルバック | 有機elランプ |
JP5423325B2 (ja) * | 2009-11-10 | 2014-02-19 | ソニー株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
JP5463882B2 (ja) * | 2009-12-01 | 2014-04-09 | ソニー株式会社 | 発光素子及びその製造方法 |
CN101931059B (zh) * | 2010-07-27 | 2012-09-05 | 北京大学 | 一种双导电极、基于双导电极的oled器件及制备方法 |
TWI430442B (zh) * | 2010-10-28 | 2014-03-11 | Au Optronics Corp | 有機發光裝置及其製造方法 |
US8552440B2 (en) | 2010-12-24 | 2013-10-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Lighting device |
KR101872925B1 (ko) | 2010-12-24 | 2018-06-29 | 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 | 조명 장치 |
CN103262656B (zh) | 2010-12-28 | 2016-08-24 | 株式会社半导体能源研究所 | 发光单元、发光装置以及照明装置 |
US9516713B2 (en) | 2011-01-25 | 2016-12-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device |
JP5925511B2 (ja) | 2011-02-11 | 2016-05-25 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光ユニット、発光装置、照明装置 |
US8735874B2 (en) | 2011-02-14 | 2014-05-27 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device, display device, and method for manufacturing the same |
US8772795B2 (en) | 2011-02-14 | 2014-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device and lighting device |
WO2013030919A1 (ja) * | 2011-08-29 | 2013-03-07 | パイオニア株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンスデバイス |
KR101888157B1 (ko) * | 2011-12-20 | 2018-08-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드표시장치 |
GB201204670D0 (en) | 2012-03-16 | 2012-05-02 | Cambridge Display Tech Ltd | Optoelectronic device |
JP2014027192A (ja) | 2012-07-30 | 2014-02-06 | Sony Corp | 発光素子およびこれを備えた表示装置、並びに電子機器 |
US9289750B2 (en) | 2013-03-09 | 2016-03-22 | Brigham Young University | Method of making highly porous, stable aluminum oxides doped with silicon |
CN104124397A (zh) * | 2013-04-24 | 2014-10-29 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
CN104124380A (zh) * | 2013-04-24 | 2014-10-29 | 海洋王照明科技股份有限公司 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
JP2014229356A (ja) * | 2013-05-17 | 2014-12-08 | ソニー株式会社 | 発光素子およびその製造方法、ならびに表示装置 |
KR102109000B1 (ko) * | 2017-05-19 | 2020-05-12 | 주성엔지니어링(주) | 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법 |
CN109285962B (zh) * | 2018-09-25 | 2020-12-01 | 合肥鑫晟光电科技有限公司 | 显示基板及制造方法、显示装置 |
CN109411627B (zh) * | 2018-10-30 | 2020-11-24 | 固安翌光科技有限公司 | 一种有机发光二极管 |
CN109411626B (zh) * | 2018-10-30 | 2021-03-02 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机发光器件及其制备方法、照明装置 |
CN109698222B (zh) * | 2018-12-25 | 2021-03-26 | 固安翌光科技有限公司 | 一种高稳定oled照明屏体 |
CN113363301B (zh) * | 2021-06-02 | 2024-05-17 | 南京昀光科技有限公司 | 硅基oled显示面板及其制备方法 |
CN114300631A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-04-08 | 北京维信诺科技有限公司 | 显示基板、显示面板以及显示基板的制造方法 |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3371578D1 (en) | 1982-05-19 | 1987-06-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | Electroluminescent display unit |
JPS60124397A (ja) * | 1983-12-08 | 1985-07-03 | コーア株式会社 | エレクトロルミネツセンス素子 |
JPS62285396A (ja) * | 1986-06-02 | 1987-12-11 | 松下電器産業株式会社 | 直流駆動薄膜el素子 |
JPS6369193A (ja) * | 1986-09-10 | 1988-03-29 | 日本電気株式会社 | El素子とその製造方法 |
JPS6396896A (ja) * | 1986-10-14 | 1988-04-27 | 日立マクセル株式会社 | エレクトロルミネツセンス素子 |
JPH01260796A (ja) * | 1988-04-12 | 1989-10-18 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | エレクトロルミネセント素子 |
JPH0249397A (ja) * | 1988-08-10 | 1990-02-19 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | エレクトロルミネセント素子 |
JP3135899B2 (ja) | 1989-06-06 | 2001-02-19 | 株式会社リコー | 電気素子 |
JP2818255B2 (ja) | 1990-05-08 | 1998-10-30 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 |
JPH088148B2 (ja) * | 1990-12-18 | 1996-01-29 | 富士ゼロックス株式会社 | El発光素子 |
JPH04276668A (ja) | 1991-03-04 | 1992-10-01 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 電荷注入型エレクトロルミネッセンス素子 |
JPH04280095A (ja) * | 1991-03-06 | 1992-10-06 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 直流エレクトロルミネッセンス素子 |
US5314207A (en) * | 1992-06-10 | 1994-05-24 | Roadmaster Corporation | Bicycle with simulated motorcycle parts |
JPH0737687A (ja) * | 1993-07-20 | 1995-02-07 | Nippon Sheet Glass Co Ltd | 抵抗型交流薄膜el素子 |
US5482896A (en) * | 1993-11-18 | 1996-01-09 | Eastman Kodak Company | Light emitting device comprising an organic LED array on an ultra thin substrate and process for forming same |
JP3551475B2 (ja) * | 1994-06-25 | 2004-08-04 | 凸版印刷株式会社 | 薄膜型el素子 |
JP2931229B2 (ja) * | 1995-02-13 | 1999-08-09 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US5858561A (en) | 1995-03-02 | 1999-01-12 | The Ohio State University | Bipolar electroluminescent device |
US5663573A (en) | 1995-03-17 | 1997-09-02 | The Ohio State University | Bipolar electroluminescent device |
JP3561549B2 (ja) * | 1995-04-07 | 2004-09-02 | 三洋電機株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
US5798170A (en) * | 1996-02-29 | 1998-08-25 | Uniax Corporation | Long operating life for polymer light-emitting diodes |
JP3645642B2 (ja) | 1996-03-25 | 2005-05-11 | Tdk株式会社 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
DE19616545B4 (de) * | 1996-04-25 | 2006-05-11 | Siemens Ag | Schneller Strahlungsdetektor |
US5776622A (en) * | 1996-07-29 | 1998-07-07 | Eastman Kodak Company | Bilayer eletron-injeting electrode for use in an electroluminescent device |
US5677572A (en) * | 1996-07-29 | 1997-10-14 | Eastman Kodak Company | Bilayer electrode on a n-type semiconductor |
US5739545A (en) * | 1997-02-04 | 1998-04-14 | International Business Machines Corporation | Organic light emitting diodes having transparent cathode structures |
US5920080A (en) * | 1997-06-23 | 1999-07-06 | Fed Corporation | Emissive display using organic light emitting diodes |
GB9718393D0 (en) * | 1997-08-29 | 1997-11-05 | Cambridge Display Tech Ltd | Electroluminescent Device |
US6069442A (en) | 1997-09-18 | 2000-05-30 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent device with inorganic electron transporting layer |
JPH11111461A (ja) * | 1997-09-30 | 1999-04-23 | Minolta Co Ltd | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
JP3078257B2 (ja) * | 1998-04-15 | 2000-08-21 | ティーディーケイ株式会社 | 有機el表示装置及びその製造方法 |
US6566676B1 (en) * | 1999-09-21 | 2003-05-20 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Image detector |
-
1999
- 1999-03-26 GB GBGB9907120.1A patent/GB9907120D0/en not_active Ceased
- 1999-12-15 US US09/868,351 patent/US7005196B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-12-15 AU AU17882/00A patent/AU1788200A/en not_active Abandoned
- 1999-12-15 CN CN02142173.0A patent/CN1242495C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-12-15 WO PCT/GB1999/004150 patent/WO2000036662A1/en not_active Application Discontinuation
- 1999-12-15 EP EP99961189A patent/EP1145337A1/en not_active Ceased
- 1999-12-15 KR KR10-2001-7007617A patent/KR100461152B1/ko active IP Right Grant
- 1999-12-15 KR KR1020047014048A patent/KR100546876B1/ko active IP Right Grant
- 1999-12-15 CN CNB99815945XA patent/CN1184703C/zh not_active Expired - Fee Related
- 1999-12-15 JP JP2000588818A patent/JP3662496B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-04-10 HK HK03102593A patent/HK1050425A1/xx not_active IP Right Cessation
-
2005
- 2005-01-13 JP JP2005006576A patent/JP4837286B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2006
- 2006-01-20 US US11/337,146 patent/US7255939B2/en not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP3662496B2 (ja) | 2005-06-22 |
US20060119253A1 (en) | 2006-06-08 |
HK1050425A1 (en) | 2003-06-20 |
GB9907120D0 (en) | 1999-05-19 |
JP2005209647A (ja) | 2005-08-04 |
KR100461152B1 (ko) | 2004-12-13 |
CN1242495C (zh) | 2006-02-15 |
KR20040099309A (ko) | 2004-11-26 |
CN1184703C (zh) | 2005-01-12 |
EP1145337A1 (en) | 2001-10-17 |
CN1400676A (zh) | 2003-03-05 |
US7255939B2 (en) | 2007-08-14 |
US7005196B1 (en) | 2006-02-28 |
JP2002532848A (ja) | 2002-10-02 |
CN1334967A (zh) | 2002-02-06 |
KR100546876B1 (ko) | 2006-11-23 |
WO2000036662A1 (en) | 2000-06-22 |
KR20010093847A (ko) | 2001-10-29 |
AU1788200A (en) | 2000-07-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4837286B2 (ja) | 有機発光デバイス | |
US7839077B2 (en) | Organic light emitting display and method of fabricating the same | |
KR100597698B1 (ko) | 디스플레이 소자들 | |
US6617608B2 (en) | Electro-luminescent display and a method of manufacturing the same | |
US8686632B2 (en) | Organic electroluminescent device | |
JP5574456B2 (ja) | 発光素子とその製造方法、および発光装置 | |
EP1505666B1 (en) | Top-emission active matrix organic electroluminescent display device and method for fabricating the same | |
KR101161926B1 (ko) | 발광장치 및 발광장치의 제조방법 | |
JP4774787B2 (ja) | 表示装置 | |
JPWO2012017491A1 (ja) | 発光素子、発光素子を備えた発光装置および発光素子の製造方法 | |
JP5620495B2 (ja) | 発光素子、発光素子を備えた発光装置および発光素子の製造方法 | |
JP4310843B2 (ja) | 有機電界発光素子の製造方法 | |
CN115528074A (zh) | 一种显示面板、显示面板制备方法及显示装置 | |
JP4062237B2 (ja) | 有機el表示装置 | |
WO2023053451A1 (ja) | 発光素子、表示装置、および発光素子の製造方法 | |
RU2452140C2 (ru) | Управляемая напряжением слоистая компоновка | |
KR101477076B1 (ko) | 발광 유기 컴포넌트, 다수의 발광 유기 컴포넌트들을 갖는 배열 및 전극 구조 | |
KR20040103059A (ko) | 유기 전계 발광 표시 패널 및 그 제조 방법 | |
JP2016100280A (ja) | 有機elパネル | |
JPH11265792A (ja) | 電界発光素子 | |
JP2016115714A (ja) | 有機elパネル | |
KR20030021579A (ko) | 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법 | |
JP2004171939A (ja) | 有機el素子 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080318 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080606 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080611 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080717 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080723 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20080815 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20080820 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080917 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081118 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090213 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090218 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090316 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090319 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20090417 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20090422 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090515 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100105 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100401 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100406 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20100427 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20100506 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20110406 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20110722 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20110801 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20110830 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20110928 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20141007 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4837286 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |