CN111384289B - 具有反射电极的显示装置 - Google Patents

具有反射电极的显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN111384289B
CN111384289B CN201911181708.0A CN201911181708A CN111384289B CN 111384289 B CN111384289 B CN 111384289B CN 201911181708 A CN201911181708 A CN 201911181708A CN 111384289 B CN111384289 B CN 111384289B
Authority
CN
China
Prior art keywords
insulating layer
electrode
region
bank insulating
display device
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201911181708.0A
Other languages
English (en)
Other versions
CN111384289A (zh
Inventor
李炅彦
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
LG Display Co Ltd
Original Assignee
LG Display Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by LG Display Co Ltd filed Critical LG Display Co Ltd
Publication of CN111384289A publication Critical patent/CN111384289A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN111384289B publication Critical patent/CN111384289B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/805Electrodes
    • H10K59/8051Anodes
    • H10K59/80518Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/818Reflective anodes, e.g. ITO combined with thick metallic layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/805Electrodes
    • H10K50/81Anodes
    • H10K50/813Anodes characterised by their shape
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/85Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/852Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/80Constructional details
    • H10K50/86Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light
    • H10K50/865Arrangements for improving contrast, e.g. preventing reflection of ambient light comprising light absorbing layers, e.g. light-blocking layers
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10OLED displays
    • H10K59/12Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/38Devices specially adapted for multicolour light emission comprising colour filters or colour changing media [CCM]
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/878Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/302Details of OLEDs of OLED structures
    • H10K2102/3023Direction of light emission
    • H10K2102/3026Top emission
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301Details of OLEDs
    • H10K2102/351Thickness
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80Constructional details
    • H10K59/875Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/876Arrangements for extracting light from the devices comprising a resonant cavity structure, e.g. Bragg reflector pair

Abstract

一种显示装置,包括:反射电极,包括第一区域和相对于第一区域倾斜的第二区域;下电极,在反射电极的第一区域上;堤绝缘层,覆盖下电极的边缘,堤绝缘层延伸到反射电极的第二区域上;上电极,在下电极的被堤绝缘层暴露的部分上,上电极延伸到堤绝缘层上;以及发光层,在下电极与上电极之间。发光层在堤绝缘层与上电极之间延伸。反射电极的第二区域和上电极之间的光程与反射电极的第一区域和上电极之间的光程相同。

Description

具有反射电极的显示装置
本申请要求2018年12月28日提交的韩国专利申请第10-2018-0173032号的优先权权益,该韩国专利申请通过引用并入本文,如同全文记载于本文中一样。
技术领域
本公开涉及一种显示装置,更具体地,涉及一种用于提高光提取效率的具有反射电极的显示装置。
背景技术
通常,诸如监控器、电视(TV)、膝上型电脑或数码相机的电子设备包括显示装置以显示图像。在示例中,显示装置可以包括多个发光元件。每个发光元件可以发射显示特定颜色的光。此外,每个发光元件可以包括下电极与上电极之间的发光层。
显示装置可以使用反射电极来提高发光元件的效率。例如,在显示装置中,反射电极可以包括平坦区域和倾斜区域。发光元件可以设置在反射电极的平坦区域上。因此,在显示装置中,受全反射限制的光可以通过反射电极的倾斜区域发射到外部。
然而,因为从反射电极的倾斜区域发射的光具有可能与由反射电极的平坦区域反射的光不同的亮度和色坐标,所以由显示装置实现的图像的亮度和颜色由于从反射电极的倾斜区域发射的光而可能变差。
发明内容
因此,本公开涉及一种具有反射电极的显示装置,该显示装置基本上消除了由于现有技术的限制和缺点而导致的一个或多个问题。
本公开的一方面提供一种显示装置,该显示装置能够提高光提取效率而不会使所实现图像的质量劣化。
本公开的另一方面提供一种显示装置,其中从反射电极的倾斜区域发射的光的亮度和色坐标可以与由反射电极的平坦区域反射的光的亮度和色坐标相同。
本公开的附加优点、目的和特征将部分地在下面的描述中阐述,并且部分地对于本领域普通技术人员在审查下面的内容时将变得明显,或者可以从本公开的实践中获知。本公开的目的和其他优点可以通过书面描述及其权利要求以及附图中特别指出的结构来实现和获得。
为了实现这些目的和其他优点,并且根据本公开的目的,如本文所体现和广泛描述的,显示装置包括:反射电极,包括第一区域和相对于第一区域倾斜的第二区域;下电极,在反射电极的第一区域上;堤绝缘层,覆盖下电极的边缘,堤绝缘层延伸到反射电极的第二区域上;上电极,在下电极的被堤绝缘层暴露的部分上,上电极延伸到堤绝缘层上;以及发光层,在下电极与上电极之间,发光层在堤绝缘层与上电极之间延伸。反射电极的第二区域和上电极之间的光程与反射电极的第一区域和上电极之间的光程相同。
反射电极的第二区域和上电极之间的间隔距离可以与反射电极的第一区域和上电极之间的间隔距离不同。
发光层可以与下电极和堤绝缘层接触。
堤绝缘层的折射率可以小于下电极的折射率,反射电极的第二区域上的堤绝缘层的厚度可以大于下电极的厚度。
谐振层可以位于反射电极的第一区域与下电极之间,其中,谐振层可以在反射电极的第二区域与堤绝缘层之间延伸。
反射电极的第一区域和下电极之间的谐振层的厚度可以与反射电极的第二区域和堤绝缘层之间的谐振层的厚度相同。
谐振层可以包括至少一个接触孔,该至少一个接触孔部分地暴露反射电极的第一区域,并且谐振层的接触孔可以与堤绝缘层重叠。
堤绝缘层可以包括无机绝缘材料。
在另一方面中,显示装置包括:下电极,在下基板上;第一堤绝缘层,与下电极间隔开,第一堤绝缘层具有面向下电极的倾斜侧表面;第二堤绝缘层,覆盖下电极的边缘并且在第一堤绝缘层的倾斜侧表面上;反射电极,在下基板与下电极之间,反射电极在第一堤绝缘层与第二堤绝缘层之间延伸;发光层,在下电极的被第二堤绝缘层暴露的部分上;以及上电极,在发光层上,其中,第二堤绝缘层和下电极的厚度比与下电极和第二堤绝缘层的折射率比相同。
第二堤绝缘层和下电极可以与反射电极接触。
第二堤绝缘层可以包括与第一堤绝缘层的材料不同的材料。
第一堤绝缘层可以包括有机绝缘材料。
第一堤绝缘层的倾斜侧表面可以包括具有第一倾斜角的第一区域,以及具有小于第一倾斜角的第二倾斜角的第二区域,并且第一堤绝缘层的第一区域可以在下基板与第一堤绝缘层的第二区域之间。
第一堤绝缘层的第一区域可以具有大于反射电极的厚度的垂直距离。
外涂层可以在下基板与下电极之间,其中,第二堤绝缘层可以包括与外涂层的材料相同的材料。
应理解,前面的一般性描述和以下的详细描述都是示例性和解释性的,并且旨在提供对要求保护的本公开的进一步解释。
附图说明
本公开包括附图以提供对本公开的进一步理解,并且附图被并入并构成本申请的一部分,附图示出了本公开的实施例,并且与说明书一起用于解释本公开的原理。在附图中:
图1是示出根据本公开的实施例的显示装置的视图;
图2是图1中的区域P的放大图;
图3至图7是分别示出根据本公开其它实施例的显示装置的视图。
具体实施方式
现在将详细参考本公开的实施例,本公开实施例的示例在附图中示出。
在下文中,通过参考示出了本公开的一些实施例的附图的以下详细描述,将清楚地理解与本公开的实施例的上述目的、技术配置和操作效果有关的细节。这里,提供本公开的实施例是为了使本公开的技术精神圆满地转移给本领域技术人员,因此本公开可以以其他形式实施,并且不限于下面描述的实施例。
另外,在整个说明书中,相同或相似的元件可以由相同的附图标记表示,并且在附图中,为方便起见,可以夸大层和区域的长度和厚度。应当理解,当第一元件被称为在第二元件“上”时,尽管第一元件可以设置在第二元件上以便与第二元件接触,但是第三元件可以插设在第一元件与第二元件之间。
这里,例如,诸如“第一”和“第二”的术语可用于将任何一个元件与另一元件区分开。然而,在不背离本公开的技术精神的情况下,第一元件和第二元件可以根据本领域技术人员的方便任意命名。
本公开的说明书中使用的术语仅用于描述特定实施例,并且不旨在限制本公开的范围。例如,除非上下文另有明确说明,否则以单数形式描述的元件旨在包括多个元件。另外,在本公开的说明书中,将进一步理解,术语“包括”和“包含”指定所述的特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在,但不排除存在或添加一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组合。
除非另外定义,否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与示例实施例所属领域的普通技术人员通常理解的含义相同的含义。将进一步理解,诸如在常用词典中定义的那些术语应被解释为具有与其在相关领域的背景中的含义一致的含义,并且不应以理想化或过于正式的含义来解释,除非在本文中明确定义。
图1是示出根据本公开的实施例的显示装置的横截面的视图。图2是图1中的区域P的放大图。
参考图1和图2,根据本公开的实施例的显示装置可以包括下基板100。下基板100可以包括绝缘材料。例如,下基板100可以包括玻璃或塑料。
具有至少一个薄膜晶体管200的驱动电路可以设置在下基板100上。驱动电路可以根据由扫描线供应的扫描信号,产生与由数据线提供的数据信号对应的驱动电流。例如,薄膜晶体管200可以包括半导体图案210、栅极绝缘层220、栅极230、层间绝缘层240、源极250和漏极260。
半导体图案210可以设置为靠近下基板100。半导体图案210可以包括半导体材料。例如,半导体图案210可以包括非晶硅或多晶硅。半导体图案210可以是氧化物半导体。例如,半导体图案210可以包括IGZO。
半导体图案210可以包括源区、漏区和沟道区。沟道区可以设置在源区与漏区之间。沟道区可以具有低于源区和漏区的导电率。例如,源区和漏区可以具有高于沟道区的杂质浓度。
栅极绝缘层220可以设置在半导体图案210的一部分上。例如,半导体图案210的沟道区可以设置在下基板100与栅极绝缘层220之间。栅极绝缘层220可以暴露半导体图案210的源区和漏区。
栅极绝缘层220可以包括绝缘材料。例如,栅极绝缘层220可以包括氧化硅和/或氮化硅。栅极绝缘层220可以具有多层结构。栅极绝缘层220可以包括高K材料。例如,栅极绝缘层220可以包括氧化铪(HfO)或氧化钛(TiO)。
栅极230可以设置在栅极绝缘层220上。栅极230可以通过栅极绝缘层220与半导体图案210绝缘。栅极230可以与半导体图案210的沟道区重叠。
栅极230可以包括导电材料。例如,栅极230可以包括金属,例如铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)或钨(W)。
层间绝缘层240可以设置在半导体图案210和栅极230上。层间绝缘层240可以延伸超出半导体图案210。例如,半导体图案210和栅极230的侧表面可以被层间绝缘层240覆盖。
层间绝缘层240可以包括绝缘材料。例如,层间绝缘层240可以包括无机绝缘材料,例如氧化硅。
源极250可以设置在层间绝缘层240上,并且可以电连接到半导体图案210的源区。在示例中,层间绝缘层240可以包括半导体图案210的源区上的接触孔。源极250可以包括与半导体图案210的源区重叠的部分。
源极250可以包括导电材料。例如,源极250可以包括金属,例如铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)或钨(W)。源极250可以包括与栅极230的材料不同的材料。
漏极260可以设置在层间绝缘层240上,并且可以电连接到半导体图案210的漏区。此外,漏极260可以与源极250间隔开。在示例中,层间绝缘层240可以包括在半导体图案210的漏区上的接触孔。漏极260可以包括与半导体图案210的漏区重叠的部分。
漏极260可以包括导电材料。例如,漏极260可以包括金属,例如铝(Al)、铬(Cr)、钼(Mo)或钨(W)。漏极260可以包括与源极250的材料相同的材料。此外,漏极260可以包括与栅极230的材料不同的材料。
缓冲层110可以设置在下基板100与驱动电路之间。缓冲层110可以防止在形成驱动电路的工艺中来自下基板100的污染。缓冲层110可以全部地形成在下基板100的朝向驱动电路的上表面上。例如,缓冲层110可以在下基板100与半导体图案210之间延伸。半导体图案210可以与缓冲层110直接接触。缓冲层110可以与半导体图案210外部的层间绝缘层240直接接触。
缓冲层110可以包括绝缘材料。在示例中,缓冲层110可以包括无机绝缘层,例如包括氧化硅(SiO)和/或氮化硅(SiN)。缓冲层110可以具有多层结构。
下钝化层120可以设置在驱动电路上。下钝化层120可以防止由于外部水分和冲击而导致的对驱动电路的损坏。下钝化层120可以延伸到驱动电路的与下基板100相对的上表面上。例如,薄膜晶体管200可以被下钝化层120完全覆盖。
下钝化层120可以包括绝缘材料。例如,下钝化层120可以包括无机绝缘材料。下钝化层120可以包括与层间绝缘层240的材料不同的材料。例如,下钝化层120可以包括氮化硅(SiN)。
外涂层130可以设置在下钝化层120上。外涂层130可以去除由于驱动电路引起的厚度差。例如,外涂层130的与下基板100相对的上表面可以是平坦表面。外涂层130可以沿着下钝化层120延伸。
外涂层130可以包括绝缘材料。外涂层130可以包括与下钝化层120的材料不同的材料。例如,外涂层130可以包括有机绝缘材料。
第一堤绝缘层140可以设置在外涂层130上。第一堤绝缘层140可以包括绝缘材料。例如,第一堤绝缘层140可以包括有机绝缘材料。第一堤绝缘层140可以包括与外涂层130的材料不同的材料。
第一堤绝缘层140可以包括开口141h。开口141h可以暴露外涂层130的一部分。第一堤绝缘层140的朝向开口141h的侧表面140s可以是倾斜的。
发光元件300可以设置在第一堤绝缘层140的开口141h中。发光元件300可以发射实现特定颜色的光。例如,发光元件300可以包括依次层叠在外涂层130上的下电极310、发光层320和上电极330。
下电极310可以与第一堤绝缘层140间隔开。例如,下电极310可以与第一堤绝缘层140的倾斜侧表面140s间隔开。第一堤绝缘层140的倾斜侧表面140s可以面对下电极310的侧表面。
下电极310可以包括导电材料。此外,下电极310可以包括透明材料。例如,下电极310可以是由透明导电材料(例如ITO或IZO)形成的透明电极。
发光层320可以产生具有与下电极310和上电极330之间的电压差相对应的亮度的光。例如,发光层320可以包括具有发光材料的发光材料层(EML)。发光材料可以是有机材料。例如,根据本公开的实施例的显示装置是具有有机发光材料的有机发光显示装置。
发光层320可以具有多层结构,以提高发光效率。例如,发光层320还可以包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的至少一者。
上电极330可以包括导电材料。此外,上电极330可以是透明的。例如,上电极330可以是由透明导电材料(例如ITO或IZO)形成的透明电极。上电极330可以包括与下电极310的材料不同的材料。例如,上电极330可以包括金属,例如铝(Al)。上电极330可以具有小于下电极310的厚度。
下电极310的边缘可以被第二堤绝缘层150覆盖。发光层320和上电极330可以层叠在下电极310的被第二堤绝缘层150暴露的部分上。因此,在根据本公开的实施例的显示装置中,可以防止由于下电极310的边缘引起的发光层320的损坏。
第二堤绝缘层150可以延伸到第一堤绝缘层140的倾斜侧表面140s上。发光层320和上电极330可以延伸到第二堤绝缘层150上。例如,第二堤绝缘层150可以在第一堤绝缘层140与发光层320之间延伸。第二堤绝缘层150可以包括绝缘材料。因此,在根据本公开的实施例的显示装置中,可以防止由发光层320在第一堤绝缘层140的倾斜侧表面140s上产生光。也就是说,在根据本公开的实施例的显示装置中,可以防止由于从发光层320发射的光的产生位置和发射角度引起的相消干涉。因此,在根据本公开的实施例的显示装置中,可以防止发光元件300的效率降低。
第二堤绝缘层150可以包括与第一堤绝缘层140的材料不同的材料。例如,第二堤绝缘层150可以包括无机绝缘材料,例如氧化硅(SiO)或氮化硅(SiN)。
反射电极400可以设置在外涂层130与下电极310之间。反射电极400可以具有高于下电极310的反射率。例如,反射电极400可以包括金属,例如铝(Al)或银(Ag)。因此,在根据本公开的实施例的显示装置中,从发光层320朝向下电极310发射的光可以通过反射电极400朝向上电极330反射。也就是说,在根据本公开的实施例的显示装置中,由发光层320产生的光可以经由上电极330发射到外部。
反射电极400可以在第一堤绝缘层140与第二堤绝缘层150之间延伸。例如,反射电极400可以包括设置在下基板100与下电极310之间的第一区域410、以及设置在第一堤绝缘层140与第二堤绝缘层150之间的第二区域420。
反射电极400的第一区域410可以与外涂层130的上表面接触。例如,反射电极400的第一区域410可以是平坦区域。反射电极400的第二区域420可以与第一堤绝缘层140的倾斜侧表面140s接触。例如,反射电极400的第二区域420可以是倾斜区域。因此,在根据本公开的实施例的显示装置中,受全反射限制的光可以通过反射电极400的第二区域420朝向上电极330发射。因此,在根据本公开的实施例的显示装置中,可以提高光提取效率。
反射电极400的第二区域420和上电极330之间的光程可以与反射电极400的第一区域410和上电极330之间的光程相同。因为光程是层叠在相应区域上的材料的厚度和折射率的乘积,所以相同光程的光可以包括相同的亮度和色坐标。因此,在根据本公开的实施例的显示装置中,从反射电极400的第二区域420发射的光的亮度和色坐标可以与由反射电极400的第一区域410反射的光的亮度和色坐标相同。
反射电极400的第一区域410与下电极310的被第二堤绝缘层150暴露的部分上的上电极330之间的间隔距离d1可以不同于反射电极400的第二区域420与第一堤绝缘层140的倾斜侧表面140s上的上电极330之间的间隔距离d2。例如,下电极310可以与反射电极400的第一区域410直接接触,第二堤绝缘层150可以与反射电极400的第二区域420直接接触,并且发光层320可以与第二堤绝缘层150和下电极310直接接触。因此,在根据本公开的实施例的显示装置中,反射电极400的第一区域410和上电极330之间的光程与反射电极400的第二区域420和上电极330之间的光程之间的差异可以由下电极310和第二堤绝缘层150的厚度和折射率的差异来确定。也就是说,在根据本公开的实施例的显示装置中,第二堤绝缘层150和下电极310的厚度比可以与下电极310和第二堤绝缘层150的折射率比相同。
在根据本公开实施例的显示装置中,第二堤绝缘层150的厚度可以等于将下电极330的厚度和折射率的乘积除以第二堤绝缘层150的折射率得到的值。例如,在根据本公开的实施例的显示装置中,第二堤绝缘层150可以具有低于下电极330的折射率,并且反射电极400的第二区域420上的第二堤绝缘层150的厚度150t可以比下电极310的厚度310t厚。也就是说,在根据本公开的实施例的显示装置中,第二堤绝缘层150的厚度和/或折射率可以由下电极310的厚度和折射率确定。因此,在根据本公开的显示装置中,可以在发光效率不变差的情况下提高光提取效率。
反射电极400可以电连接到驱动电路。例如,下钝化层120可以包括在薄膜晶体管200的漏极260上的下接触孔120h,并且外涂层130可以包括与下接触孔120h重叠的外涂接触孔130h。下接触孔120h和外涂接触孔130h可以设置在第一堤绝缘层140的开口141h的外部。例如,第一堤绝缘层140还可以包括与外涂接触孔130h重叠的堤接触孔142h。第一堤绝缘层140的堤接触孔142h可以与第一堤绝缘层140的倾斜侧表面140s间隔开。反射电极400可以沿着下接触孔120h的侧壁、外涂接触孔130h的侧壁和堤接触孔142h的侧壁延伸。例如,反射电极400可以与下接触孔120h中的薄膜晶体管200的漏极260直接接触。下电极310可以通过反射电极400电连接到薄膜晶体管200。因此,在根据本公开的实施例的显示装置中,可以在不受到薄膜晶体管200与发光元件300之间的电连接的影响的情况下提高光提取效率。
上钝化层160可以设置在发光元件300上。上钝化层160可以防止由于外部水分和冲击而导致的对发光元件300的损坏。上钝化层160可以沿着上电极330延伸。例如,上钝化层160可以包括与反射电极400的第一区域410和第二区域420重叠的部分。
上钝化层160可以包括绝缘材料。例如,上钝化层160可以包括无机绝缘材料,例如氧化硅(SiO)或氮化硅(SiN)。上钝化层160可以具有多层结构。例如,上钝化层160可以具有如下结构,在该结构中由有机绝缘材料形成的有机层设置在由无机绝缘材料形成的无机层之间。
上基板500可以设置在上钝化层160上。上基板500可以包括绝缘材料。上基板500可以包括透明材料。例如,上基板500可以包括玻璃或塑料。因此,在根据本公开的实施例的显示装置中,可以在上基板500的外表面上实现基于从发光元件300发射的光的图像。上基板500可以包括与下基板100的材料不同的材料。
黑矩阵510和滤色器520可以设置在上基板500的朝向下基板100的下表面上。滤色器520可以设置在黑矩阵510之间。滤色器520可以与下电极310的被第二堤绝缘层150暴露的部分重叠。因此,从每个发光元件300发射的光可以实现与相应像素的颜色对应的颜色。
粘合剂层600可以设置在上钝化层160与黑矩阵510之间、以及上钝化层160与滤色器520之间。其上形成有黑矩阵510和滤色器520的上基板500可以通过粘合剂层600与其上形成有发光元件300的下基板100耦接。
因此,根据本公开的实施例的显示装置可以通过第二堤绝缘层150的相对厚度和相对折射率来调节从反射电极400的倾斜区域发射的光的光程,第二堤绝缘层150覆盖反射电极400的平坦区域上的下电极310的边缘并且延伸到反射电极400的倾斜区域上。因此,在根据本公开的实施例的显示装置中,从反射电极400的倾斜区域发射的光的亮度和色坐标可以与由反射电极400的平坦区域反射的光的亮度和色坐标相同。因此,在根据本公开的实施例的显示装置中,可以提高光提取效率而不会使所实现图像的质量劣化。
在根据本公开的实施例的显示装置中,描述了第二堤绝缘层150具有与下电极310的厚度不同的厚度。然而,实施例不限于此。在根据本公开另一实施例的显示装置中,第二堤绝缘层150可以具有与下电极310的折射率相同的折射率。例如,如图3所示,在根据本公开另一实施例的显示装置中,第二堤绝缘层150的厚度150t可以与下电极310的厚度310t相同。第二堤绝缘层150可以具有多层结构,该多层结构包括具有不同折射率的绝缘层。因此,在根据本公开另一实施例的显示装置中,可以减小并且尽可能最小化由于第二堤绝缘层150的厚度150t导致的发光面积的减小,并且可以提高光提取效率。
在根据本公开的实施例的显示装置中,描述了第一堤绝缘层140的倾斜侧表面140s包括单个倾斜角。然而,在根据本公开另一实施例的显示装置中,第一堤绝缘层140的朝向下电极310的侧表面可以包括具有不同倾斜角的多个区域。例如,如图4所示,在根据本公开另一实施例的显示装置中,第一堤绝缘层140的倾斜侧表面140s可以包括具有第一倾斜角θ1的第一区域141s和具有第二倾斜角θ2的第二区域142s。第一堤绝缘层140的第一区域141s可以设置在外涂层130附近。例如,第一堤绝缘层140的第一区域141s可以设置在外涂层130与第一堤绝缘层140的第二区域142s之间。
第一堤绝缘层140的第一区域141s可以具有大于反射电极400的厚度的垂直距离vd。例如,反射电极400的第一区域410可以设置在第一堤绝缘层140的第一区域141s中。因此,在根据本公开另一实施例的显示装置中,可以减小并且尽可能最小化由于第二堤绝缘层150的覆盖下电极310的边缘的部分导致的厚度差。因此,在根据本公开另一实施例的显示装置中,可以通过使用第二堤绝缘层150有效地调节从反射电极400的第二区域420发射的光的光程。
第二倾斜角θ2可以小于第一倾斜角θ1。例如,第二倾斜角θ2可以是40°至70°。因此,根据本公开另一实施例的显示装置可以减小并且尽可能最小化第二堤绝缘层150的厚度差,并且可以调节从反射电极400的第二区域420发射的光的方向。因此,在根据本公开另一实施例的显示装置中,可以提高光提取效率。
在根据本公开的实施例的显示装置中,描述了下电极310以及第二堤绝缘层150与反射电极400直接接触。然而,根据本公开另一实施例的显示装置可以包括微腔结构。
例如,如图5所示,在根据本公开另一实施例的显示装置中,谐振层700设置在反射电极400的第一区域410与下电极310之间。谐振层700可以延伸到反射电极400的第二区域420上。例如,第二堤绝缘层150可以与谐振层700直接接触。谐振层700可以在反射电极400与第二堤绝缘层150之间延伸。反射电极400的第一区域410与下电极310之间的谐振层700的厚度可以与反射电极400的第二区域420与第二堤绝缘层150之间的谐振层700的厚度相同。因此,根据本公开另一实施例的显示装置可以减少并且尽可能最小化由于微腔结构中的相消干涉引起的光损失。
谐振层700可以包括至少一个接触孔700h,该至少一个接触孔700h部分地暴露反射电极400的第一区域410。下电极310可以通过谐振层700的接触孔700h电连接到反射电极400。谐振层700的接触孔700h可以与第二堤绝缘层150重叠。因此,在根据本公开另一实施例的显示装置中,可以防止由于谐振层700的接触孔700h导致的发光面积的减小。
在根据本公开的实施例的显示装置中,描述了第一堤绝缘层140包括与外涂层的材料130不同的材料。然而,根据本公开另一实施例的显示装置可以包括由与外涂层130的材料相同的材料形成的第一堤绝缘层140。因此,例如,如图6所示,在根据本公开另一实施例的显示装置中,在外涂层130与第一堤绝缘层140之间可以没有界面。因此,在根据本公开另一实施例的显示装置中,可以简化形成第一堤绝缘层140的工艺。
例如,形成根据本公开另一实施例的显示装置的方法可以包括在下钝化层120上形成相对较厚的包括有机绝缘材料的绝缘层的步骤、以及在绝缘层处形成具有倾斜侧表面的凹槽141h的步骤。也就是说,在根据本公开另一实施例的显示装置中,可以同时形成外涂层130和第一堤绝缘层140。因此,在根据本公开另一实施例的显示装置中,可以提高工艺效率和光提取效率。
在根据本公开的实施例的显示装置中,描述了第二堤绝缘层150是具有一定厚度的无机绝缘层。然而,在根据本公开另一实施例的显示装置中,第二堤绝缘层150可以包括有机绝缘材料。例如,参考图7,在根据本公开另一实施例的显示装置中,具有开口150h(其暴露下电极310的一部分)的第二堤绝缘层150可以包括朝向上基板500的上表面。第二堤绝缘层150的上表面可以是平坦表面。因此,在根据本公开另一实施例的显示装置中,可以提高第二堤绝缘层150的材料的自由度。因此,在根据本公开另一实施例的显示装置中,可以优化工艺效率和光提取效率而不会使所实现图像的质量劣化。
在根据本公开的实施例的显示装置中,描述了第一堤绝缘层140的倾斜侧表面140s上的发光层320与下电极310的被第一堤绝缘层140暴露的部分上的发光层320具有相同的厚度。然而,如图7所示,在根据本公开另一实施例的显示装置中,发光层320可以在第一堤绝缘层140的倾斜侧表面上包括相对更薄的厚度。在根据本公开另一实施例的显示装置中,下电极310可以延伸到第一堤绝缘层140的倾斜表面上。也就是说,根据本公开另一实施例的显示装置可以通过使用下电极310和第二堤绝缘层150,防止由于发光层320的厚度变化导致的从反射电极400的倾斜区域发射的光和由反射电极400的平坦区域反射的光的亮度和色坐标的差异。因此,在根据本公开另一实施例的显示装置中,可以提高形成发光层320的工艺的自由度。
此外,在根据本公开另一实施例的显示装置中,描述了通过使用下电极310和第二堤绝缘层150防止由于发光层320的厚度变化导致的所实现图像的质量劣化。然而,在根据本公开又一实施例的显示装置中,由于发光层320的厚度变化导致的光的亮度和色坐标的差异可以仅通过第二堤绝缘层150的厚度补偿。例如,在根据本公开又一实施例的显示装置中,第二堤绝缘层150可以具有充分地补偿由于下电极310与发光层320之间的厚度差导致的光程差的厚度。也就是说,在根据本公开又一实施例的显示装置中,层叠在反射电极400的平坦区域上的下电极310和发光层320的光程可以与层叠在反射电极400的倾斜区域上的第二堤绝缘层150和发光层320的光程相同。因此,在根据本发明又一实施例的显示装置中,可以有效地提高光提取效率而不会使所实现图像的质量劣化。
根据本公开的实施例的显示装置可以包括在反射电极的平坦区域上的下电极、以及覆盖下电极的边缘的堤绝缘层,其中,堤绝缘层可以延伸到反射电极的倾斜区域上,并且堤绝缘层的厚度和折射率可以由下电极的厚度和折射率确定。也就是说,在根据本公开的实施例的显示装置中,从反射电极的倾斜区域发射的光可以具有与由反射电极的平坦区域反射的光的光程相同的光程。因此,在根据本公开的实施例的显示装置中,可以防止由于反射电极的倾斜区域导致的所实现图像的质量劣化。因此,在根据本公开的实施例的显示装置中,可以提高光提取效率而不会使所实现图像的质量劣化。
对于本领域技术人员显而易见的是,在不背离本公开的精神或范围的情况下,可以在本公开的具有反射电极的显示装置中进行各种修改和变化。因此,本公开旨在覆盖该公开的修改和变化,只要它们落入所附权利要求及其等同物的范围内。

Claims (15)

1.一种显示装置,包括:
反射电极,包括第一区域和相对于所述第一区域倾斜的第二区域;
下电极,在所述反射电极的所述第一区域上;
堤绝缘层,覆盖所述下电极的边缘,所述堤绝缘层延伸到所述反射电极的所述第二区域上;
上电极,在所述下电极的被所述堤绝缘层暴露的部分上,所述上电极延伸到所述堤绝缘层上;以及
发光层,在所述下电极与所述上电极之间,所述发光层在所述堤绝缘层与所述上电极之间延伸,
其中,所述反射电极的所述第二区域和所述上电极之间的光程与所述反射电极的所述第一区域和所述上电极之间的光程相同,
其中,所述下电极具有侧壁,所述反射电极的所述第二区域具有与所述下电极的所述侧壁面对的侧壁,并且所述堤绝缘层在所述下电极的所述侧壁与所述反射电极的所述第二区域的所述侧壁之间。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述反射电极的所述第二区域和所述上电极之间的间隔距离与所述反射电极的所述第一区域和所述上电极之间的间隔距离不同。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述发光层与所述下电极和所述堤绝缘层接触。
4.根据权利要求3所述的显示装置,其中:
所述堤绝缘层的折射率小于所述下电极的折射率,并且
所述反射电极的所述第二区域上的所述堤绝缘层的厚度大于所述下电极的厚度。
5.根据权利要求1所述的显示装置,还包括:
谐振层,在所述反射电极的所述第一区域与所述下电极之间,
其中,所述谐振层在所述反射电极的所述第二区域与所述堤绝缘层之间延伸。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述反射电极的所述第一区域和所述下电极之间的所述谐振层的厚度与所述反射电极的所述第二区域和所述堤绝缘层之间的所述谐振层的厚度相同。
7.根据权利要求5所述的显示装置,其中:
所述谐振层包括至少一个接触孔,所述至少一个接触孔部分地暴露所述反射电极的所述第一区域,并且
所述谐振层的所述接触孔与所述堤绝缘层重叠。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述堤绝缘层包括无机绝缘材料。
9.一种显示装置,包括:
下电极,在下基板上;
第一堤绝缘层,与所述下电极间隔开,所述第一堤绝缘层具有面向所述下电极的倾斜侧表面;
第二堤绝缘层,覆盖所述下电极的边缘并且在所述第一堤绝缘层的所述倾斜侧表面上;
反射电极,在所述下基板与所述下电极之间,所述反射电极在所述第一堤绝缘层与所述第二堤绝缘层之间延伸;
发光层,在所述下电极的被所述第二堤绝缘层暴露的部分上;以及
上电极,在所述发光层上,
其中,所述第二堤绝缘层和所述下电极的厚度比与所述下电极和所述第二堤绝缘层的折射率比相同,
其中,所述第二堤绝缘层在所述反射电极的第一区域和第二区域上,
其中,在所述反射电极的所述第一区域,所述第二堤绝缘层在所述下电极上,并且在所述反射电极的所述第一区域,所述第二堤绝缘层的下表面与所述下电极的下表面共面。
10.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述第二堤绝缘层以及所述下电极与所述反射电极接触。
11.根据权利要求9所述的显示装置,其中,所述第二堤绝缘层包括与所述第一堤绝缘层的材料不同的材料。
12.根据权利要求11所述的显示装置,其中,所述第一堤绝缘层包括有机绝缘材料。
13.根据权利要求9所述的显示装置,其中:
所述第一堤绝缘层的所述倾斜侧表面包括具有第一倾斜角的第一区域,以及具有小于所述第一倾斜角的第二倾斜角的第二区域,并且
所述第一堤绝缘层的所述第一区域在所述下基板与所述第一堤绝缘层的所述第二区域之间。
14.根据权利要求13所述的显示装置,其中,所述第一堤绝缘层的所述第一区域具有大于所述反射电极的厚度的垂直距离。
15.根据权利要求9所述的显示装置,还包括:
外涂层,在所述下基板与所述下电极之间,
其中,所述第二堤绝缘层包括与所述外涂层的材料相同的材料。
CN201911181708.0A 2018-12-28 2019-11-27 具有反射电极的显示装置 Active CN111384289B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2018-0173032 2018-12-28
KR1020180173032A KR20200082433A (ko) 2018-12-28 2018-12-28 반사 전극을 포함하는 디스플레이 장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN111384289A CN111384289A (zh) 2020-07-07
CN111384289B true CN111384289B (zh) 2023-02-07

Family

ID=71124460

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201911181708.0A Active CN111384289B (zh) 2018-12-28 2019-11-27 具有反射电极的显示装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US11462710B2 (zh)
KR (1) KR20200082433A (zh)
CN (1) CN111384289B (zh)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20200109675A (ko) * 2019-03-14 2020-09-23 주식회사 디비하이텍 애노드 구조물, 이의 형성 방법 및 이를 포함하는 유기 발광 다이오드 표시 장치
DE112021001193T5 (de) 2021-02-23 2022-12-15 Boe Technology Group Co., Ltd. Maschenstruktur in einer elektronischen vorrichtung, berührungssteuerungsstruktur, anzeigetafel, verfahren zur verbesserung der lichtdurchlässigkeit in der anzeigetafel und verfahren zur herstellung der maschenstruktur
CN113285044B (zh) * 2021-05-19 2023-05-19 京东方科技集团股份有限公司 显示基板及显示装置
JP2024031102A (ja) * 2022-08-25 2024-03-07 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104362257A (zh) * 2014-10-22 2015-02-18 京东方科技集团股份有限公司 一种顶发射oled器件及其制作方法、显示设备
CN104425766A (zh) * 2013-08-30 2015-03-18 株式会社日本显示器 场致发光器件及其制造方法
JP2017037825A (ja) * 2015-08-14 2017-02-16 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20080061675A (ko) 2006-12-28 2008-07-03 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 그의 제조방법
KR20090036483A (ko) 2007-10-09 2009-04-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광다이오드 표시장치 및 이의 제조 방법
JP5251239B2 (ja) 2008-05-08 2013-07-31 セイコーエプソン株式会社 有機el装置、電子機器、有機el装置の製造方法
JP2010182582A (ja) 2009-02-06 2010-08-19 Seiko Epson Corp 有機エレクトロルミネッセンス装置、電子機器
JP2011165621A (ja) 2010-02-15 2011-08-25 Fujifilm Corp 発光表示装置の製造方法、発光表示装置、及び発光ディスプレイ
KR101659953B1 (ko) 2010-03-30 2016-09-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 이의 제조 방법
KR20110132816A (ko) * 2010-06-03 2011-12-09 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
US9029838B2 (en) * 2011-06-29 2015-05-12 Samsung Display Co., Ltd. Methods of forming inclined structures on insulation layers, organic light emitting display devices and methods of manufacturing organic light emitting display devices
KR101821167B1 (ko) 2011-08-30 2018-01-24 삼성디스플레이 주식회사 반사 구조를 갖는 전극을 포함하는 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR101866390B1 (ko) 2011-09-20 2018-06-11 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102092557B1 (ko) 2012-12-12 2020-03-24 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 장치 및 유기 발광 장치 제조 방법
KR102090555B1 (ko) * 2012-12-27 2020-03-18 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법
KR101981071B1 (ko) 2012-12-31 2019-05-22 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR20150038982A (ko) 2013-10-01 2015-04-09 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그의 제조방법
KR102085153B1 (ko) 2013-11-29 2020-03-05 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 장치
JP5918340B2 (ja) 2014-11-25 2016-05-18 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド カラー表示装置及びその製造方法
KR102626853B1 (ko) 2015-10-30 2024-01-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102603595B1 (ko) * 2016-08-31 2023-11-20 엘지디스플레이 주식회사 마이크로 캐비티 구조를 갖는 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104425766A (zh) * 2013-08-30 2015-03-18 株式会社日本显示器 场致发光器件及其制造方法
CN104362257A (zh) * 2014-10-22 2015-02-18 京东方科技集团股份有限公司 一种顶发射oled器件及其制作方法、显示设备
JP2017037825A (ja) * 2015-08-14 2017-02-16 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置及びその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN111384289A (zh) 2020-07-07
US20200212346A1 (en) 2020-07-02
US11462710B2 (en) 2022-10-04
KR20200082433A (ko) 2020-07-08

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN111384289B (zh) 具有反射电极的显示装置
US11429214B2 (en) Display device with touch structure and method of forming the same
TWI755961B (zh) 具有發光裝置及觸控結構的觸控顯示設備
CN112148144B (zh) 在封装元件上具有触摸电极的显示装置
US11309526B2 (en) Display apparatus having a light-emitting device
US11336885B2 (en) 3D display apparatus having lenticular lenses
CN109558029B (zh) 具有触摸结构的显示装置和制造该显示装置的方法
CN113126316B (zh) 具有柱状透镜的3d显示设备
US11586064B2 (en) Display apparatus realizing a large-size image
US20220149319A1 (en) Display Apparatus Having a Light-Emitting Device and a Touch Electrode
US20220020962A1 (en) 3D Display Apparatus in which a Display Panel has a Curvature
US10916177B2 (en) Display apparatus having a unit pixel composed of four sub-pixels
US11164912B2 (en) Display apparatus having color filters and a light-shielding element
CN113132713B (zh) 具有柱状透镜的3d显示设备
US11980054B2 (en) Display apparatus having heteromorphy lens
US20220173360A1 (en) Display apparatus having a light-emitting device and a bank insulating layer
US20220199715A1 (en) Display Apparatus Realizing a Narrow Viewing Angle
KR20210086358A (ko) 렌티큘러 렌즈들을 포함하는 입체 영상 표시 장치

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant