TWI601283B - Display device - Google Patents

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TWI601283B
TWI601283B TW105123468A TW105123468A TWI601283B TW I601283 B TWI601283 B TW I601283B TW 105123468 A TW105123468 A TW 105123468A TW 105123468 A TW105123468 A TW 105123468A TW I601283 B TWI601283 B TW I601283B
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Shigeru Sakamoto
Toshihiro Sato
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Japan Display Inc
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Description

顯示裝置
本發明係關於一種搭載有電致發光(EL：Electro Luminescence)元件或有機EL元件及其他自發光型之顯示元件即自發光元件之顯示裝置。
在以有機EL顯示裝置為首之顯示裝置中，由各像素中分別配置之像素電極、在各像素中以共通之方式配置於像素電極之上側之共通電極、及由像素電極與共通電極夾持之發光層形成自發光元件。
並且在專利文獻1中記載有實現防止上部電極之電壓下降且畫面亮度均一的頂部發射型有機EL顯示裝置此一意旨。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2009-94347號公報
作為自發光顯示裝置之共通電極，可考量藉由使共通電極之厚度增大來實現低電阻化，而使明暗現象之發生減少及使驅動電壓降低。
然而，若使共通電極之厚度變大，則因內部應力產生而容易在共通電極與發光層中產生裂痕。又，由於成膜步驟之時間增大，因此亦擔憂發光層等蒙受之損傷變大。
鑒於如上述之課題，本發明之目的在於提供一種抑制裂痕與成膜損傷之發生且使共通電極低電阻化之顯示裝置。
鑒於如上述之課題，本發明之顯示裝置之特徵在於具有：複數個像素電極，其等分別對應於構成圖像之複數個單位像素；絕緣層，其以載置於前述複數個像素電極之各者之周緣部之方式設置；發光層，其以接觸於前述複數個像素電極之各者之方式積層；第1共通電極，其在前述複數個像素電極之各者之上方以接觸於前述發光層之方式積層，並以載置於前述絕緣層之方式設置；透光性層，其避免在前述絕緣層之上方與前述第1共通電極之一部分積層，而在前述複數個像素電極之上方於前述第1共通電極上積層；及第2共通電極，其在前述複數個像素電極之上方於前述透光性層上積層，並在前述絕緣層之上方以接觸於前述第1共通電極之方式積層；及密封層，其在前述第2共通電極之上方以密封前述發光層之方式積層。
1‧‧‧有機電致發光顯示裝置
B1‧‧‧第1基板
B2‧‧‧第2基板
BM‧‧‧黑色矩陣
BNK‧‧‧圍堰層/絕緣層
C1‧‧‧第1共通電極
C2‧‧‧第2共通電極
CAP‧‧‧電容元件
CC‧‧‧陰極接點
CF‧‧‧彩色濾光器層
CH‧‧‧接觸孔
CL‧‧‧電路構成層
CP‧‧‧電容絕緣層
CT1‧‧‧構造
CT2‧‧‧構造
CT3‧‧‧構造
CT4‧‧‧構造
DDR‧‧‧映像信號線驅動部
DL‧‧‧映像信號線
DM‧‧‧密封材
DP‧‧‧顯示區域
E1‧‧‧發光層
EDR‧‧‧電源驅動部
EX‧‧‧露出區域
FL‧‧‧填充層
FPC‧‧‧撓性印刷基板
GDR‧‧‧掃描信號線驅動部
GL‧‧‧掃描信號線
HPL‧‧‧平坦化層
IC‧‧‧驅動半導體裝置
L1‧‧‧配線層
LT‧‧‧透光性層
LTb‧‧‧藍色透光性層/透光性層
LTg‧‧‧綠色透光性層/透光性層
LTr‧‧‧紅色透光性層/透光性層
OL‧‧‧有機電致發光元件
P1‧‧‧像素電極
PR‧‧‧密封層
PX‧‧‧像素電路
SP‧‧‧間隔粒子
SL‧‧‧驅動電源線
T1‧‧‧透明導電層
TFT1‧‧‧薄膜電晶體
TFT2‧‧‧薄膜電晶體
圖1係第1實施方式之自發光顯示裝置之立體圖。
圖2係顯示第1實施方式之自發光顯示裝置之像素電路之情形的概略圖。
圖3係用於說明第1實施方式之自發光顯示裝置之一個像素之情形的剖視圖。
圖4係用於說明第1實施方式之自發光顯示裝置之像素及邊框區域之情形的剖視圖。
圖5A係用於說明形成第1實施方式之透光性層之步驟之情形的圖。
圖5B係用於說明形成第1實施方式之變化例之透光性層之步驟之情形的圖。
圖6係用於說明第2實施方式之自發光顯示裝置之一個像素之情形的剖視圖。
圖7係用於說明第3實施方式之自發光顯示裝置之一個像素之情形的剖視圖。
圖8係用於說明第4實施方式之自發光顯示裝置之一個像素之情形的剖視圖。
圖9係用於說明第5實施方式之自發光顯示裝置之一個像素之情形的剖視圖。
以下，針對本發明之各實施方式之有機EL顯示裝置一邊參照圖式一邊進行說明。
[第1實施方式]
圖1係用於說明作為第1實施方式之自發光顯示裝置之有機EL顯示裝置1的概略平面圖。本實施方式之有機EL顯示裝置1之構成為在配置有作為複數個自發光元件之有機電致發光元件的第1基板B1上貼合有第2基板B2，且在第1基板B1上於自第2基板B2露出之區域(露出區域EX)處配置有用於驅動有機EL顯示裝置1之驅動半導體裝置IC。再者，在第1基板B1之露出區域EX之端部附近配置有撓性印刷基板FPC。
圖2係顯示第1實施方式之有機EL顯示裝置1之顯示區域DP之像素電路之情形的圖。有機EL顯示裝置1具備：顯示圖像之顯示區域DP、掃描信號線驅動部GDR、映像信號線驅動部DDR、及電源驅動部EDR。
在顯示區域DP中，對應於複數個像素之各者而矩陣狀地配置有機電致發光元件OL、及像素電路PX，像素電路PX由薄膜電晶體TFT1、電容元件CAP、及薄膜電晶體TFT2構成。掃描信號線驅動部 GDR與映像信號線驅動部DDR、電源驅動部EDR驅動像素電路PX而控制有機電致發光元件OL之發光。
掃描信號線驅動部GDR連接於就每一像素之水平方向之排列(像素列)而設置之掃描信號線GL，並將掃描信號輸出至依次選擇之掃描信號線GL。
映像信號線驅動部DDR連接於就每一像素之垂直方向之排列(像素行)而設置之映像信號線DL，並配合由掃描信號線驅動部GDR進行之掃描信號線GL之選擇而將相應於所選擇之像素列之映像信號的電壓輸出至各映像信號線DL。該電壓被寫入像素電路PX內之電容器，相應於所寫入之電壓之電流被供給至有機電致發光元件OL。
電源驅動部EDR連接於就每一像素行而設置之驅動電源線SL，經由像素電路PX內之開關元件而將電流供給至有機電致發光元件OL。
另外如後述般，有機電致發光元件OL具有分為2層之共通電極(陰極)，其等一起連接於接地電位。
圖3係用於說明第1實施方式之有機EL顯示裝置1之像素之剖面之情形的圖。如該圖中所示般，有機EL顯示裝置1之構成為包含：第1基板B1，其形成有複數個有機電致發光元件OL；第2基板B2，其與第1基板B1對向而配置並形成有彩色濾光器層CF與黑色矩陣BM；及填充層FL，其填充於第1基板B1與第2基板B2之間。
此處，尤其是有機電致發光元件OL之構成為包含像素電極P1、發光層E1、第1共通電極C1及第2共通電極C2，且在2個共通電極之間夾持有由有機絕緣膜形成之透光性層LT。該2個共通電極在為了使各像素分離而由有機絕緣膜(樹脂)形成之圍堰層BNK之上側接觸(導通)，而藉由以將有機絕緣膜夾於中間之方式分為2層而積層，使裂痕與成膜損傷之發生減少，且實現共通電極整體之低電阻化。針對該2 個共通電極之更詳細之細節將於下文敘述。
有機電致發光元件OL之像素電極P1(陽極)由鋁等之反射性高之金屬形成，並延伸至接觸孔CH之底部而連接於透明導電層T1。像素電極P1與形成於平坦化層HPL之下方之薄膜電晶體TFT2之源極電極導通。又，圍堰層BNK以載置於像素電極P1之周緣部之方式設置。
本實施方式之發光層E1形成於共通電極C1與像素電極P1之間，且構成為包含電洞輸送層、發光層、電子輸送層。在發光層E1之發光層中，藉由自以接觸於發光層E1之方式積層之像素電極P1被注入之電洞與自共通電極C1被注入之電子再結合而發光。又，構成發光層E1之整層可遍及顯示區域DP之整體而形成，亦可就每一像素而個別形成。有機電致發光元件OL之發光層之亮度藉由來自薄膜電晶體TFT2之電流而被控制。
此處，第1共通電極C1及第2共通電極C2由氧化銦錫(ITO：Indium Tin Oxide)等之透明導電膜形成，係在顯示區域DP內之複數個像素處以共通之一層而形成為整面狀之電極。又，由有機絕緣膜形成之透光性層LT係由圍堰層BNK而形成之凹部(發光層平坦地形成之部分)，且形成於第1共通電極C1與第2共通電極C2之間，藉由透光性層LT而使2個共通電極之間隔開。該透光性層LT避免在圍堰層BNK之上方與第1共通電極C1之一部分積層，從而第2共通電極C2在圍堰層BNK上方之未形成透光性層LT之部位以接觸於第1共通電極之方式積層。又，較佳的是透光性層LT由如遮斷紫外線並使可視光線穿過之材料構成，藉此，在因紫外線使填充層FL硬化時可能產生之對發光層E1之損傷受到抑制。
利用第2共通電極C2來謀求共通電極整體之低電阻化，進而藉由在第2共通電極C2之成膜時利用透光性層LT來隔開發光層E1，而使成膜損傷減少。又，藉由利用第2共通電極C2來謀求低電阻化，而可較 薄地形成第1共通電極C1，藉此，可防止因發光層E1等之裂痕造成之破壞。較佳的是作為第1共通電極C1較第2共通電極C2更薄地形成。
在像素電極P1之下層配置有用於形成電容元件CAP之配線層L1與電容絕緣層CP。該電容絕緣層CP例如由如氮化矽(SiNx)之無機絕緣膜形成。又，在有機電致發光元件OL與電容元件CAP之基底形成有由丙烯酸樹脂與聚醯亞胺樹脂等之有機絕緣膜形成之平坦化層HPL。
又，各像素之有機電致發光元件OL係以由密封層PR覆蓋之方式而被保護。本實施方式之密封層PR主要由無機絕緣膜構成，具體而言構成為包含氮化矽層與氧化矽層。
圖4係第1實施方式之有機EL顯示裝置1之像素與邊框區域之剖面概略圖。如圖4所示般，在顯示區域DP之外側配置有將平坦化膜HPL與圍堰層BNK予以分斷之構造CT1~CT4。另外在構造CT3中，形成有直至平坦化膜HPL之基底之電路構成層CL之無機絕緣膜的槽，並在其內側形成有無機絕緣膜與金屬層，藉此，防止水分經由內側之平坦化膜HPL等而侵入發光層E1。又，在位於構造CT1~CT4之更外側之包含間隔粒子SP之密封材DM之附近，配置有用於將特定之電位供給至第1共通電極C1與第2共通電極C2之陰極接點CC。
在本實施方式之密封層PR中，除氮化矽層與氧化矽/氮化矽層之2層無機絕緣膜以外亦包含有機絕緣膜。雖然在構造CT1~CT4、與陰極接點CC處由於凹窪變大而容易在密封層PR積層時形成間隙SM，但因有機絕緣膜被填充於2層無機絕緣膜之間，故可防止間隙SM之產生。由於間隙SM不會產生，故上層側之氮化矽層保形地形成，而可有效地防止水分與氧氣侵入。
圖5A係用於說明形成本實施方式之透光性層LT之步驟之情形的圖。如該圖中所示般，在本實施方式之透光性層LT之形成步驟中， 以整體地覆蓋顯示區域DP之方式使由樹脂形成之有機絕緣膜製膜，之後，直至圍堰層BNK上之第1共通電極C1露出為止一直進行乾式蝕刻。如圖5A般，透光性層LT藉由被蝕刻而以透光性層LT之上表面大致變平坦、且第2共通電極C2亦以大致平坦之方式形成。
又，圖5B係用於說明形成本實施方式之變化例之透光性層LT之步驟之情形的圖。如該圖中所示般，在變化例之透光性層LT之形成步驟中，以整體地覆蓋顯示區域DP之方式使由樹脂形成之有機絕緣膜製膜，之後，在圍堰層BNK上局部地進行雷射照射，而使第1共通電極C1確實地露出。其後，藉由積層第2共通電極C2而第1共通電極C1與第2共通電極C2在圍堰層BNK上確實地接觸，從而可與圖5A之情形相同地謀求共通電極之低電阻化。
[第2實施方式]
其次，使用圖6對本發明之第2實施方式進行說明。如該圖中所示般，第2實施方式之自發光顯示裝置1之透光性層LT之上表面形成為具有以朝第2共通電極C2之方向凸起之方式形成之凸區域。換言之，透光性層LT以如下之方式形成：隨著靠近圍堰層BNK而以傾斜逐漸變大之方式朝上側凸起(形成為凸透鏡狀)。又，位於透光性層LT之上方之第2共通電極C2及密封層PR亦以與透光性層LT之上表面相同之形狀形成。第2實施方式之自發光顯示裝置1在如上述之點上與第1實施方式之自發光顯示裝置1不同。
又，藉由如圖6般形成有透光性層LT而使正面方向之發光發生折射，從而視角得到改善。此外，雖然於在透光性層LT之折射率與填充層FL之折射率中透光性層LT此一方為較小之情形下，如圖6之左側之像素之箭頭般，係以使正面方向之發光朝外側擴寬之方式發生折射，但在填充層FL之折射率此一方為較小之情形下，與圖6之左側之像素之箭頭相反，以使正面方向之發光朝內側集光之方式發生折射。 然而，即便在填充層FL之折射率此一方為較小之情形下，由於發光係以在朝內側集光之後朝外側擴寬之方式傳播，故無論何種情況，皆以正面方向之發光朝外側擴寬之方式傳播而使視角得到改善。
此外，作為加工如圖6之透光性層LT之步驟，只要適宜地設定如在圖5B中所說明之以使圍堰層BNK之上方露出之方式進行之雷射照射的條件，即可藉此加工為凸透鏡狀之形狀。
又，可使第1共通電極C1採用半透射/半反射型之極薄之金屬(例如銀、Mg、MgAg等)，且可使第2共通電極C2採用ITO等之透明金屬氧化物膜，藉此，在像素電極P1與第1共通電極C1之間微腔效果被促進，而在第1共通電極C1與第2共通電極C2之間微腔效果被抑制。由於透光性層LT形成為透鏡形狀，故以在第1共通電極C1與第2共通電極C2之間抑制微腔效果為所期盼者。在本實施方式中，由半透射、半反射型之極薄之金屬形成之第1共通電極C1與由ITO等之透明金屬氧化物膜形成之第2共通電極C相比透射率為低、反射率為高。如此，在使第一共通電極C1採用半反射型之極薄之金屬、使第2共通電極C2採用透明金屬氧化物膜之情形下，發光層E1採用紅綠藍之不同色塗覆之方式為較佳。在此一情形下，可不設置彩色濾光器層CF，替代地而以設置圓偏光板或觸控面板為較佳。進而，就發光波長之關係而言，進行紅色發光之有機電致發光元件OL之發光層E1之厚度與進行綠色發光之有機電致發光元件OL之發光層E1之厚度相比為厚，且進行綠色發光之有機電致發光元件OL之發光層E1之厚度與進行藍色發光之有機電致發光元件OL之發光層E1之厚度相比為厚。藉由設定如上述之厚度關係，而進行紅色發光之有機電致發光元件OL之第一共通電極C1與像素電極P1之間的距離與進行綠色發光之有機電致發光元件OL之第一共通電極C1與像素電極P1之間的距離相比為大。相同地，進行綠色發光之有機電致發光元件OL之第一共通電極C1與 像素電極P1之間的距離與進行藍色發光之有機電致發光元件OL之第一共通電極C1與像素電極P1之間的距離相比為大。藉由設定如上述之距離關係，而可有效地獲得微腔效果。在有機電致發光元件OL為白色發光之情形下，為了獲得微腔效果而需要以如上述之方式根據紅綠藍來改變發光層E1之膜厚，而需要原本在白色發光下為不必要之精細遮罩。若為紅綠藍之不同色塗覆方式，則由於原本就需要就各個顏色利用精細遮罩來分別製作原來之發光層E1，因此製造成本未特別增加，故而為有效。由於半反射型之極薄之金屬與透明金屬氧化物膜相比厚度為薄，故對發光層E1之損傷為小。此係由於半反射型之極薄之金屬因較薄而藉由濺射等可立即形成，故對發光層E1之損傷為小。由於透明金屬氧化物膜具有透光性層LT，即便在某一程度長之時間下藉由濺射等而被形成，但由於損傷被透光性層LT吸收，故有機電致發光元件OL之發光特性良好。
第2實施方式之自發光顯示裝置1雖然在如上述之點上與第1實施方式之自發光顯示裝置1不同，但除如上述之點以外具有大致相同之構成，故針對與第1實施方式之情形大致相同之構成省略說明。
[第3實施方式]
其次，使用圖7對本發明之第3實施方式進行說明。如該圖中所示般，第3實施方式之自發光顯示裝置1之透光性層LT之上表面形成為具有以朝第2共通電極C2之方向凹入之方式形成之凹區域。換言之，透光性層LT以如下之方式形成：隨著靠近圍堰層BNK而以傾斜逐漸變大之方式朝上側凹入(形成為凹透鏡狀)。又，位於透光性層LT之上方之第2共通電極C2及密封層PR亦以與透光性層LT之上表面相同之形狀形成。第3實施方式之自發光顯示裝置1在如上述之點上與第1實施方式之自發光顯示裝置1不同。
又，藉由如圖7般形成有透光性層LT而使正面方向之發光發生折 射，從而視角得到改善。此外，雖然於在透光性層LT之折射率與填充層FL之折射率中填充層FL此一方為較小之情形下，如圖7之左側之像素之箭頭般，係以使正面方向之發光朝外側擴寬之方式發生折射，但在透光性層LT此一方為較小之情形下，與圖7之左側之像素之箭頭相反，以使正面方向之發光朝內側集光之方式發生折射。然而，即便在透光性層LT之折射率此一方為較小之情形下，由於發光係以在朝內側集光之後朝外側擴寬之方式傳播，故無論何種情況，皆以正面方向之發光朝外側擴寬之方式傳播而視角得到改善。
此外，作為加工如圖7之透光性層LT之步驟，係藉由噴墨而形成透光性層LT，且只要適宜地設定其條件即可。
又，可使第1共通電極C1採用半透射/半反射型之極薄之金屬(例如銀、Mg、MgAg等)，且可使第2共通電極C2採用ITO等之透明金屬氧化物膜，藉此，在像素電極P1與第1共通電極C1之間微腔效果被促進，而在第1共通電極C1與第2共通電極C2之間微腔效果被抑制。由於透光性層LT形成為透鏡形狀，故在第1共通電極C1與第2共通電極C2之間以抑制微腔效果為所期盼者。此一內容與第2實施方式中說明之內容相同，彩色濾光器層CF之構成與有機電致發光元件OL之構成亦相同。
第3實施方式之自發光顯示裝置1雖然在如上述之點上與第1實施方式之自發光顯示裝置1不同，但除如上述之點以外具有大致相同之構成，故針對與第1實施方式之情形大致相同之構成省略說明。
[第4實施方式]
其次，使用圖8對本發明之第4實施方式之自發光顯示裝置1進行說明。在第4實施方式中，在透光性層LT由彩色抗蝕劑形成而發揮作為彩色濾光器之機能此點上，與第1實施方式之自發光顯示裝置1不同。
如圖8所示般，在第1共通電極C1與第2共通電極C2之間配置有藍色透光性層LTb、紅色透光性層LTr、及綠色透光性層LTg，在發光層E1之附近被著色。如此作為彩色濾光器而發揮機能，由於配置有透射之光之波長帶分別為不同之透光性層LTr、LTb、LTg，故混色之發生減少，且由於亦可省略對向基板B2故可實現低成本的自發光顯示裝置。
第4實施方式之自發光顯示裝置1雖然在如上述之點上與第1實施方式之自發光顯示裝置1不同，但除如上述之點以外具有大致相同之構成，故針對與第1實施方式之情形大致相同之構成省略說明。
[第5實施方式]
其次，使用圖9對第5實施方式之自發光顯示裝置1進行說明。在第1實施方式之自發光顯示裝置1中，以就複數個像素共通之方式形成有發光層E1，發光層E1以單一顏色發光(以包含透射複數個顏色之彩色濾光器CF之各者之光之方式發光)，但在第5實施方式中在以下之點上不同：在複數個像素中個別形成有發光層E1，且以用複數個顏色中任一顏色發光之方式不同色塗覆發光層E1。
此外，在圖9之對向基板B2中，可形成包含透射之光之波長帶分別為不同之著色層的彩色濾光器與黑色矩陣。進而，如在第2實施方式中所說明般，可使第1共通電極C1採用半透射/半反射型之極薄之金屬，且可使第2共通電極C2採用ITO等之透明金屬氧化物膜，藉此，在像素電極P1與第1共通電極C1之間微腔效果被促進，而在第1共通電極C1與第2共通電極C2之間微腔效果被抑制。由於透光性層LT設定為透鏡形狀，故在第1共通電極C1與第2共通電極C2之間以抑制微腔效果為所期盼者。此一內容與第2實施方式中說明之內容相同，彩色濾光器層CF之構成與有機電致發光元件OL之構成方面亦相同。
第5實施方式之自發光顯示裝置1雖然在如上述之點上與第1實施 方式之自發光顯示裝置1不同，但除如上述之點以外具有大致相同之構成，故針對與第1實施方式之情形大致相同之構成省略說明。
此外，作為上述之各實施方式之自發光顯示裝置1，雖然第1共通電極C1與第2共通電極C2係以就複數個像素共通之方式形成為整面狀，但並不非得限定於如上述之態樣。
此外，可在第1實施方式之第1共通電極C1與第2共通電極之一者中使用半透射/半透明之金屬以促進微腔效果。
此外，作為上述之實施方式之自發光顯示裝置，並不限定於有機EL顯示裝置，亦可為在各像素具備如量子點發光元件(QLED：Quantum-Dot Light Emitting Diode)之自發光元件的顯示裝置。
並且，在第1實施方式中，雖然配置有將平坦化膜HPL與圍堰層BNK予以分斷之構造CT1~CT4，並為了填埋因該等構造而產生之密封層PR之間隙，而將有機絕緣膜填充於2層無機絕緣膜之間，但應瞭解本發明並不限定於如上述之形態，構造CT1~CT4可不存在，亦可在密封層PR中不包含有機絕緣膜。
本發明並非係限定於上述實施方式者，可進行各種變化。在本發明之思想範疇內，只要係本技術領域技術人員即可想到各種變化例及修正例，故應瞭解該等變化例及修正例亦屬本發明之範圍。又，例如，相對於上述之各實施方式，由本技術領域技術人員適當地進行構成要素之追加、削除或設計變更者，或進行步驟之追加、省略或條件變更者，只要係具備本發明之要旨皆包含於本發明之範圍內。
B1‧‧‧第1基板
B2‧‧‧第2基板
BM‧‧‧黑色矩陣
BNK‧‧‧圍堰層/絕緣層
C1‧‧‧第1共通電極
C2‧‧‧第2共通電極
CAP‧‧‧電容元件
CF‧‧‧彩色濾光器層
CH‧‧‧接觸孔
CP‧‧‧電容絕緣層
E1‧‧‧發光層
FL‧‧‧填充層
HPL‧‧‧平坦化層
L1‧‧‧配線層
LT‧‧‧透光性層
OL‧‧‧有機電致發光元件
PR‧‧‧密封層
T1‧‧‧透明導電層
TFT2‧‧‧薄膜電晶體

Claims (10)

  1. 一種顯示裝置，其特徵在於具有：基板；複數個像素電極，其等以分別對應於構成圖像之複數個單位像素之方式配置於前述基板之上；絕緣層，其以載置於前述複數個像素電極之各者之周緣部之方式設置；發光層，其以接觸於前述複數個像素電極之各者之方式積層；第1共通電極，其在前述複數個像素電極之各者之上方以接觸於前述發光層之方式積層，並以載置於前述絕緣層之方式設置；透光性層，其避免在前述絕緣層之上方與前述第1共通電極之一部分積層，而在前述複數個像素電極之上方於前述第1共通電極上積層；及第2共通電極，其在前述複數個像素電極之上方於前述透光性層上積層，並在前述絕緣層之上方以接觸於前述第1共通電極之方式積層；且前述複數個像素電極具有光反射性；前述第2共通電極具有透光性；在前述發光層產生之光係於前述複數個像素電極反射而通過前述第2共通電極，而朝從前述基板遠離之方向射出。
  2. 如請求項1之顯示裝置，其中前述透光性層具有供前述第2共通電極積層之上表面，且前述上表面為平坦的。
  3. 如請求項1之顯示裝置，其中前述透光性層係有機膜，且具有供前述第2共通電極積層之上表面；且前述上表面在前述複數個像素電極之各者之上方具有朝前述第2共通電極之方向為凸透鏡形狀之凸區域或為凹透鏡形狀之凹區域。
  4. 如請求項3之顯示裝置，其中進一步具有：密封層，其在前述第2共通電極之上方以密封前述發光層之方式積層；且在前述密封層之上方積層有包含與前述透光性層為不同折射率之材料之填充層；前述填充層以使自前述發光層垂直地發光並入射至前述凸區域或前述凹區域之光集光或發散之方式使其折射。
  5. 如請求項1至4中任一項之顯示裝置，其中進一步具有：彩色濾光器層，其包含透射之光之波長帶分別為不同之複數個顏色的著色層；且前述發光層以包含透射前述複數個顏色之著色層之各者的前述光之方式發光。
  6. 如請求項1至4中任一項之顯示裝置，其中前述透光性層包含透射之光之波長帶分別為不同之複數個顏色的著色層；且前述發光層以包含透射前述複數個顏色之著色層之各者的前述光之方式發光。
  7. 如請求項1至4中任一項之顯示裝置，其中前述透光性層遮斷紫外線並使可視光線穿過。
  8. 如請求項1至4中任一項之顯示裝置，其中前述第1共通電極較前述第2共通電極為薄。
  9. 如請求項8之顯示裝置，其中前述第1共通電極係可使光穿過之金屬膜，且前述第2共通電極係透明金屬氧化物膜。
  10. 如請求項9之顯示裝置，其中與進行紅色發光之前述發光層之厚度相比進行綠色發光之前述發光層之厚度為薄，與進行綠色發光之前述發光層之厚度相比進行藍發光之前述發光層之厚度為薄。
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