KR20170032189A

KR20170032189A - 표시 장치

Info

Publication number: KR20170032189A
Application number: KR1020160116151A
Authority: KR
Inventors: 시게루 사까모또; 도시히로 사또
Original assignee: 가부시키가이샤 재팬 디스프레이
Priority date: 2015-09-14
Filing date: 2016-09-09
Publication date: 2017-03-22
Also published as: US9947896B2; US20170077448A1; KR101848561B1; JP2017059314A; TW201711183A; TWI601283B; CN106531764A; CN106531764B

Abstract

본 발명은 크랙이나 성막 대미지의 발생을 억제하면서도 공통 전극이 저저항화된 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다. 각 화소에 대응하는 복수의 화소 전극 P1과, 복수의 화소 전극 P1의 각각의 주연부에 얹혀 형성된 절연층 BNK와, 복수의 화소 전극 P1의 각각에 접촉해서 적층되게 형성된 발광층 E1과, 발광층 E1에 접촉하도록 적층되고, 절연층 BNK에 b혀 설치된 제1 공통 전극 C1과, 절연층 BNK의 상방에서 제1 공통 전극 C1의 일부와의 적층을 피하고, 복수의 화소 전극 P1의 상방에서 제1 공통 전극 C1에 적층되는 광투과성 층 LT와, 복수의 화소 전극 P1의 상방에서 광투과성 층 LT에 적층되고, 절연층 BNK의 상방에서 제1 공통 전극 C1에 접촉하도록 적층되는 제2 공통 전극 C2와, 발광층 E1을 밀봉하도록, 제2 공통 전극 C2의 상방에 적층되는 밀봉층 PR을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.

Description

표시 장치{DISPLAY DEVICE}

본 발명은 일렉트로루미네센스(EL:Electro Luminescence) 소자나 유기 EL 소자 그밖의 자발광 타입의 표시 소자인 자발광 소자를 탑재한 표시 장치에 관한 것이다.

유기 EL 표시 장치를 비롯한 표시 장치에 있어서는, 각 화소에서 개별로 배치되는 화소 전극과, 각 화소에서 공통이 되도록 화소 전극의 상측에 배치되는 공통 전극과, 화소 전극 및 공통 전극에 의해 끼움 지지되는 발광층에 의해 자발광 소자가 형성된다.

또한 특허문헌 1에는, 상부 전극의 전압 강하를 방지하여, 화면 휘도가 균일한 톱 에미션형 유기 EL 표시 장치를 실현하는 내용이 기재되어 있다.

일본 특허 공개 제2009-94347호 공보

자발광 표시 장치의 공통 전극으로서는, 공통 전극의 두께를 증대시켜서 저저항화를 함으로써, 쉐이딩의 발생이나 구동 전압을 저하시키는 것이 생각된다.

그러나 공통 전극의 두께를 크게 하면, 내부 응력이 발생함으로써 공통 전극이나 발광층에서 크랙이 발생하기 쉬워진다. 또한, 성막 공정의 시간이 증대됨으로써, 발광층 등에 부여하는 대미지가 커지는 것도 염려된다.

본 발명은 상기와 같은 과제를 감안하여, 크랙이나 성막 대미지의 발생을 억제하면서도 공통 전극이 저저항화된 표시 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명에 따른 표시 장치는, 상기와 같은 과제를 감안하여, 화상을 구성하는 복수의 단위 화소 각각에 대응하는 복수의 화소 전극과, 상기 복수의 화소 전극의 각각의 주연부에 얹혀 형성된 절연층과, 상기 복수의 화소 전극의 각각에 접촉하도록 적층되어 있는 발광층과, 상기 복수의 화소 전극의 각각의 상방에서 상기 발광층에 접촉하도록 적층하여, 상기 절연층에 얹혀 설치된 제1 공통 전극과, 상기 절연층의 상방에서 상기 제1 공통 전극의 일부와의 적층을 피하여, 상기 복수의 화소 전극의 상방에서 상기 제1 공통 전극에 적층하는 광투과성 층과, 상기 복수의 화소 전극의 상방에서 상기 광투과성 층에 적층되고, 상기 절연층의 상방에서 상기 제1 공통 전극에 접촉하도록 적층되는 제2 공통 전극을 갖는 것을 특징으로 한다.

도 1은 제1 실시 형태에 따른 자발광 표시 장치의 사시도.
도 2는 제1 실시 형태에 있어서의 자발광 표시 장치의 화소 회로의 모습을 도시하는 개략도.
도 3은 제1 실시 형태에 있어서의 자발광 표시 장치의 하나의 화소의 모습을 설명하기 위한 단면도.
도 4는 제1 실시 형태에 있어서의 자발광 표시 장치의 화소 및 프레임 영역의 모습을 설명하기 위한 단면도.
도 5a는 제1 실시 형태에 있어서의 광투과성 층을 형성하는 공정의 모습을 설명하기 위한 도면.
도 5b는 제1 실시 형태의 변형예에 있어서의 광투과성 층을 형성하는 공정의 모습을 설명하기 위한 도면.
도 6은 제2 실시 형태에 있어서의 자발광 표시 장치의 하나의 화소의 모습을 설명하기 위한 단면도.
도 7은 제3 실시 형태에 있어서의 자발광 표시 장치의 하나의 화소의 모습을 설명하기 위한 단면도.
도 8은 제4 실시 형태에 있어서의 자발광 표시 장치의 하나의 화소의 모습을 설명하기 위한 단면도.
도 9는 제5 실시 형태에 있어서의 자발광 표시 장치의 하나의 화소의 모습을 설명하기 위한 단면도.

이하, 본 발명의 각 실시 형태에 따른 유기 EL 표시 장치에 대해서, 도면을 참조하면서 설명한다.

[제1 실시 형태]

도 1은, 제1 실시 형태의 자발광 표시 장치로서의 유기 EL 표시 장치(1)를 설명하기 위한 개략 평면도이다. 본 실시 형태의 유기 EL 표시 장치(1)는, 복수의 자발광 소자로서의 유기 일렉트로루미네센스 소자가 배치된 제1 기판 B1에, 제2 기판 B2가 맞대어 구성되고, 제1 기판 B1에 있어서 제2 기판 B2로부터 노출된 영역(노출 영역 EX)에는, 유기 EL 표시 장치(1)를 구동하기 위한 드라이버 반도체 장치 IC가 배치된다. 또한, 제1 기판 B1의 노출 영역 EX의 단부 부근에는 플렉시블 프린트 기판 FPC가 배치된다.

도 2는, 제1 실시 형태의 유기 EL 표시 장치(1)의 표시 영역 DP에 있어서의 화소 회로의 모습을 도시하는 도면이다. 유기 EL 표시 장치(1)는, 화상을 표시하는 표시 영역 DP와, 주사 신호선 구동부 GDR과, 영상 신호선 구동부 DDR과, 전원 구동부 EDR을 구비한다.

표시 영역 DP에 있어서는, 복수 화소 각각에 대응해서 유기 일렉트로루미네센스 소자 OL 및 화소 회로 PX가 매트릭스 형상으로 배치되어 있고, 화소 회로 PX는 박막 트랜지스터 TFT1, 용량 소자 CAP 및 박막 트랜지스터 TFT2로 구성된다. 주사 신호선 구동부 GDR과 영상 신호선 구동부 DDR, 전원 구동부 EDR은, 화소 회로 PX를 구동해서 유기 일렉트로루미네센스 소자 OL의 발광을 제어한다.

주사 신호선 구동부 GDR은, 화소의 수평 방향 배열(화소행)마다 설치된 주사 신호선 GL에 접속되어, 차례로 선택된 주사 신호선 GL에 주사 신호를 출력한다.

영상 신호선 구동부 DDR은, 화소의 수직 방향의 배열(화소 열)마다 설치된 영상 신호선 DL에 접속되어, 주사 신호선 구동부 GDR에 의한 주사 신호선 GL의 선택에 맞춰서, 선택된 화소행의 영상 신호에 따른 전압을 각 영상 신호선 DL에 출력한다. 그 전압은, 화소 회로 PX 내의 캐패시터에 기입되어, 기입된 전압에 따른 전류가 유기 일렉트로루미네센스 소자 OL에 공급된다.

전원 구동부 EDR은, 화소 열마다 설치된 구동 전원선 SL에 접속되어, 화소 회로 PX 내의 스위칭 소자를 통하여 유기 일렉트로루미네센스 소자 OL에 전류를 공급한다.

그리고 후술하는 바와 같이, 유기 일렉트로루미네센스 소자 OL은 2층으로 나뉜 공통 전극(캐소드)을 갖고 있으며, 이들은 모두 접지 전위에 접속된다.

도 3은, 제1 실시 형태의 유기 EL 표시 장치(1)에 있어서의 화소의 단면 모습을 설명하기 위한 도면이다. 도 3에 도시되는 바와 같이, 유기 EL 표시 장치(1)는, 복수의 유기 일렉트로루미네센스 소자 OL이 형성된 제1 기판 B1과, 제1 기판 B1에 대향해서 배치되어 컬러 필터층 CF나 블랙 매트릭스 BM이 형성되는 제2 기판 B2와, 제1 기판 B1과 제2 기판 B2 사이에서 충전되는 충전층 FL을 포함하여 구성된다.

여기서 특히 유기 일렉트로루미네센스 소자 OL은, 화소 전극 P1과, 발광층 E1과, 제1 공통 전극 C1 및 제2 공통 전극 C2를 포함하여 구성되고, 2개의 공통 전극 사이에는 유기 절연막으로 형성된 광투과성 층 LT가 끼움 지지된다. 이 2개의 공통 전극은, 각 화소를 분리하기 위해서 유기 절연막(수지)으로 형성된 뱅크층 BNK의 상측에 있어서 접촉(도통)되어 있고, 유기 절연막을 사이에 끼워서 2층으로 나뉘어 적층됨으로써, 크랙이나 성막 대미지의 발생을 저하시키면서, 공통 전극 전체로서의 저저항화를 행하게 되어 있다. 이 2개의 공통 전극에 관한 더욱 상세한 것은 후술한다.

유기 일렉트로루미네센스 소자 OL의 화소 전극 P1(양극)은, 알루미늄 등의 반사성이 높은 금속에 의해 형성되어, 콘택트 홀 CH의 저부까지 연장되어 투명 도전층 T1에 접속된다. 화소 전극 P1은, 평탄화층 HPL의 하방에 형성된 박막 트랜지스터 TFT2의 소스 전극과 도통한다. 또한 뱅크층 BNK는, 화소 전극 P1의 주연부에 얹히도록 해서 형성된다.

본 실시 형태에 있어서의 발광층 E1은, 공통 전극 C1과 화소 전극 P1 사이에 형성되고, 홀 수송층, 발광층, 전자 수송층을 포함하여 구성된다. 발광층 E1에 있어서의 발광층에서는, 발광층 E1에 접촉하도록 적층된 화소 전극 P1로부터 주입된 홀과, 공통 전극 C1로부터 주입된 전자가 재결합함으로써 발광한다. 또한 발광층 E1을 구성하는 모든 층이 표시 영역 DP의 전체에 걸쳐 형성되어 있어도 되고, 화소마다 개별로 형성되어 있어도 된다. 유기 일렉트로루미네센스 소자 OL의 발광층의 휘도는, 박막 트랜지스터 TFT2로부터의 전류에 의해 제어된다.

여기서 제1 공통 전극 C1 및 제2 공통 전극 C2는, 산화인듐 주석(ITO:Indium Tin Oxide) 등의 투명 도전막에 의해 형성되어, 표시 영역 DP 내의 복수의 화소에 있어서 공통되는 1층에서 솔리드 형상으로 형성되는 전극이 된다. 또한 유기 절연막으로 형성된 광투과성 층 LT는, 뱅크층 BNK에 의해 형성되는 오목부(발광층이 평탄하게 형성되는 부분)이며, 제1 공통 전극 C1 및 제2 공통 전극 C2 사이에 형성되어 있고, 광투과성 층 LT에 의해 2개의 공통 전극 사이가 이격된다. 이 광투과성 층 LT는, 뱅크층 BNK의 상방에 있어서 제1 공통 전극 C1의 일부와의 적층을 피하게 되어 있고, 제2 공통 전극 C2는, 뱅크층 BNK의 상방에 있어서의 광투과성 층 LT가 형성되지 않는 개소에 있어서, 제1 공통 전극에 접촉하도록 적층되게 되어 있다. 또한 광투과성 층 LT는, 자외선을 차단해서 가시광선을 통과시키는 재료에 의해 구성되는 것이 바람직하고, 이에 의해, 충전층 FL을 자외선으로 경화시킬 때 발생할 수 있는 발광층 E1에의 대미지가 억제된다.

제2 공통 전극 C2에 의해 공통 전극 전체로서의 저저항화가 도모되고, 또한 제2 공통 전극 C2의 성막시에는, 광투과성 층 LT에 의해 발광층 E1이 이격되어 있음으로써 성막 대미지가 저감된다. 또한 제2 공통 전극 C2에 의해 저저항화가 도모됨으로써, 제1 공통 전극 C1을 얇게 형성할 수 있고, 이에 의해, 발광층 E1 등의 크랙에 의한 파괴가 방지된다. 제1 공통 전극 C1로서는, 제2 공통 전극 C2보다도 얇게 형성하는 것이 바람직하다.

화소 전극 P1의 하층에는, 용량 소자 CAP를 형성하기 위한 배선층 L1과, 용량 절연층 CP가 배치된다. 이 용량 절연층 CP는, 예를 들어 질화 실리콘(SiNx)과 같은 무기 절연막에 의해 형성된다. 또한 유기 일렉트로루미네센스 소자 OL이나 용량 소자 CAP의 하지에는, 아크릴 수지나 폴리이미드 수지 등의 유기 절연막으로 형성된 평탄화층 HPL이 형성된다.

또한, 각 화소의 유기 일렉트로루미네센스 소자 OL은, 밀봉층 PR로 덮여서 보호되게 되어 있다. 본 실시 형태에 있어서의 밀봉층 PR은, 무기 절연막에 의해 주로 구성되며, 구체적으로는, 질화 실리콘층과, 산화 실리콘층을 포함하여 구성된다.

도 4는, 제1 실시 형태에 있어서의 유기 EL 표시 장치(1)의 화소와 프레임 영역의 단면 개략도이다. 도 4에 도시되는 바와 같이, 표시 영역 DP의 외측에는, 평탄화막 HPL이나 뱅크층 BNK를 분단하는 구조 CT1 내지 CT4가 배치된다. 그리고 구조 CT3에 있어서는, 평탄화막 HPL의 하지가 되는 회로 구성층 CL의 무기 절연막에 이르기까지의 홈이 형성되어 그 내측에 무기 절연막이나 금속층이 형성되게 되어 있고, 이에 의해, 내측의 평탄화막 HPL 등을 통하여 발광층 E1에 수분이 침입하는 것이 방지된다. 또한 구조 CT1 내지 CT4의 더 외측이 되는, 스페이서 입자 SP를 포함하는 시일재 DM 부근에 있어서는, 제1 공통 전극 C1과 제2 공통 전극 C2에 소정의 전위를 공급하기 위한 캐소드 콘택트 CC가 배치된다.

본 실시 형태에 있어서의 밀봉층 PR에는, 질화 실리콘층과 산화 실리콘/질화 실리콘층의 2층의 무기 절연막 이외에 유기 절연막이 포함된다. 구조 CT1 내지 CT4나, 캐소드 콘택트 CC에 있어서는 오목부가 커지기 때문에 밀봉층 PR 적층 시에 간극 SM이 형성되기 쉬워지지만, 유기 절연막이 2층의 무기 절연막 사이에 충전됨으로써, 간극 SM의 발생이 방지되게 된다. 간극 SM이 발생하지 않게 됨으로써, 상층 측의 질화 실리콘층이 콘포멀하게 형성되어, 수분이나 산소가 침입하는 것을 유효하게 방지할 수 있다.

도 5a는, 본 실시 형태에 있어서의 광투과성 층 LT를 형성하는 공정의 모습을 설명하기 위한 도면이다. 도 5a에 있어서 도시되는 바와 같이, 본 실시 형태에 있어서의 광투과성 층 LT의 형성 공정에서는, 표시 영역 DP를 전체적으로 덮도록 수지에 의한 유기 절연막이 제막된 후, 뱅크층 BNK 상의 제1 공통 전극 C1이 노출될 때까지 드라이 에칭된다. 도 5a와 같이 광투과성 층 LT가 에칭됨으로써, 광투과성 층 LT의 상면이 대략 평탄해져, 제2 공통 전극 C2도 대략 평탄해지게 형성되게 된다.

또한 도 5b는, 본 실시 형태의 변형예에 있어서의 광투과성 층 LT를 형성하는 공정의 모습을 설명하기 위한 도면이다. 도 5b에 있어서 도시되는 바와 같이, 변형예에 있어서의 광투과성 층 LT의 형성 공정에서는, 표시 영역 DP를 전체적으로 덮도록 수지에 의한 유기 절연막이 제막된 후, 뱅크층 BNK 상에 국소적으로 레이저 조사를 하여, 제1 공통 전극 C1을 확실하게 노출시키도록 한다. 그 후에 있어서, 제2 공통 전극 C2를 적층함으로써, 뱅크층 BNK 상에 있어서 제1 공통 전극 C1과 제2 공통 전극 C2가 확실하게 콘택트하고, 도 5a의 경우와 마찬가지로 공통 전극의 저저항화가 도모되게 된다.

[제2 실시 형태]

다음으로 도 6을 사용해서 본 발명의 제2 실시 형태에 대해서 설명한다. 도 6에 있어서 도시되는 바와 같이, 제2 실시 형태에 있어서의 자발광 표시 장치(1)에 있어서의 광투과성 층 LT의 상면은, 제2 공통 전극 C2 방향으로 볼록해지게 형성되는 볼록 영역을 갖고 형성된다. 환언하면, 광투과성 층 LT는, 뱅크층 BNK에 가까워짐에 따라서 서서히 경사가 커지도록 상측으로 볼록해지게 형성된다(볼록 렌즈 형상으로 형성됨). 또한, 광투과성 층 LT의 상방에 있는 제2 공통 전극 C2 및 밀봉층 PR도 광투과성 층 LT의 상면과 마찬가지의 형상에 의해 형성되게 되어 있다. 제2 실시 형태의 자발광 표시 장치(1)는 이러한 점에서, 제1 실시 형태에 있어서의 자발광 표시 장치(1)와는 상이하다.

또한 도 6과 같이 광투과성 층 LT가 형성됨으로써, 정면 방향의 발광이 굴절되어, 시야각이 개선되게 된다. 또한 광투과성 층 LT의 굴절률과 충전층 FL의 굴절률 중, 광투과성 층 LT 쪽이 작은 경우에는, 도 6의 좌측 화소에 있어서의 화살표와 같이, 정면 방향의 발광이 외측으로 넓어지도록 굴절되지만, 충전층 FL의 굴절률 쪽이 작은 경우에는, 도 6의 좌측 화소에 있어서의 화살표와는 반대로, 정면 방향의 발광이 내측에 집광되도록 굴절된다. 그러나 충전층 FL의 굴절률 쪽이 작은 경우에도, 내측에 집광된 후에 외측으로 넓어지도록 발광이 전파되므로, 어쨌든 정면 방향의 발광이 외측으로 넓어지도록 전파되어 시야각이 개선되게 된다.

또한, 도 6과 같은 광투과성 층 LT를 가공하는 공정으로서는, 도 5b에 있어서 설명한 바와 같은 뱅크층 BNK의 상방을 노출시키도록 하는 레이저 조사의 조건을 적절히 설정하면 되고, 이에 의해 볼록 렌즈 형상의 형상으로 가공할 수 있다.

또한, 제1 공통 전극 C1을 반투과·반반사형의 극박 금속(예를 들어, 은, Mg, MgAg 등)으로 하고, 제2 공통 전극 C2를 ITO 등의 투명 금속 산화물막으로 하도록 해도 되고, 이렇게 함으로써, 화소 전극 P1과 제1 공통 전극 C1 사이에서, 마이크로 캐비티 효과가 촉진되고, 제1 공통 전극 C1과 제2 공통 전극 C2 사이에서는, 마이크로 캐비티 효과를 억제받게 된다. 광투과성 층 LT가 렌즈 형상으로 되기 때문에, 제1 공통 전극 C1과 제2 공통 전극 C2 사이에서는 마이크로 캐비티 효과를 억제하는 편이 바람직하다. 본 실시 형태에 있어서, 반투과·반반사형 극박 금속으로 형성된 제1 공통 전극 C1은, ITO 등의 투명 금속 산화물막으로 형성된 제2 공통 전극 C2보다도 투과율은 낮고, 반사율은 높은 형태로 된다. 이렇게 제1 공통 전극 C1을 반반사형 극박 금속, 제2 공통 전극 C2를 투명 금속 산화물막으로 하는 경우에는, 발광층 E1은 적녹청의 구분 도포 방식이 좋다. 이 경우, 컬러 필터층 CF는 없는 편이 좋고, 그 대신에 원편광판이나 터치 패널이 설치되는 편이 좋다. 또한 발광 파장의 관계에서, 적색 발광을 행하는 유기 일렉트로루미네센스 소자 OL의 발광층 E1의 두께는, 녹색 발광을 행하는 유기 일렉트로루미네센스 소자 OL의 발광층 E1의 두께보다도 두껍고, 녹색 발광을 행하는 유기 일렉트로루미네센스 소자 OL의 발광층 E1의 두께는, 청색 발광을 행하는 유기 일렉트로루미네센스 소자 OL의 발광층 E1의 두께보다도 두꺼워진다. 이러한 두께 관계로 함으로써, 적색 발광을 행하는 유기 일렉트로루미네센스 소자 OL의 제1 공통 전극 C1과 화소 전극 P1 사이의 거리가, 녹색 발광을 행하는 유기 일렉트로루미네센스 소자 OL의 제1 공통 전극 C1과 화소 전극 P1 사이의 거리보다도 커진다. 마찬가지로 녹색 발광을 행하는 유기 일렉트로루미네센스 소자 OL의 제1 공통 전극 C1과 화소 전극 P1 사이의 거리가, 청색 발광을 행하는 유기 일렉트로루미네센스 소자 OL의 제1 공통 전극 C1과 화소 전극 P1 사이의 거리보다도 커진다. 이러한 거리 관계로 함으로써, 마이크로 캐비티 효과를 유효하게 얻을 수 있다. 유기 일렉트로루미네센스 소자 OL이 백색 발광인 경우에는, 마이크로 캐비티 효과를 얻기 위해서는 상술한 바와 같은 형태로 적녹청으로 발광층 E1의 막 두께를 바꿀 필요가 있고, 본래 백색 발광에서 불필요한 파인 마스크가 필요하다. 적녹청의 구분 도포 방식이라면, 각각의 색마다 원래 발광층 E1을 파인 마스크로 구분해서 제작할 필요가 있어, 특히 제조 비용이 상승하는 일은 없기 때문에 유효하다. 반반사형 극박 금속은 투명 금속 산화물막보다도 두께가 얇기 때문에, 발광층 E1에 대한 대미지가 적다. 이것은 반반사형의 극박 금속은 얇기 때문에 바로 스퍼터 등으로 형성되므로, 발광층 E1에 대한 대미지가 작다. 투명 금속 산화물막은 광투과성 층 LT1이 있기 때문에, 어느 정도 긴 시간에 스퍼터 등으로 형성되었다고 해도 대미지는 광투과성 층 LT1에 흡수되기 때문에, 유기 일렉트로루미네센스 소자 OL의 발광 특성이 양호해진다.

제2 실시 형태에 있어서의 자발광 표시 장치(1)는, 상술한 바와 같은 점에서 제1 실시 형태에 있어서의 자발광 표시 장치(1)와 상이하지만, 이러한 점을 제외하고 거의 마찬가지의 구성을 갖고 있으며, 제1 실시 형태의 경우와 거의 마찬가지로 되는 구성에 대해서는 설명을 생략하기로 한다.

[제3 실시 형태]

다음으로 도 7을 사용해서 본 발명의 제3 실시 형태에 대해서 설명한다. 도 7에 있어서 도시되는 바와 같이, 제3 실시 형태에 있어서의 자발광 표시 장치(1)에 있어서의 광투과성 층 LT의 상면은, 제2 공통 전극 C2 방향으로 오목해지게 형성되는 오목 영역을 갖고 형성된다. 환언하면, 광투과성 층 LT는, 뱅크층 BNK에 가까워짐에 따라서 서서히 경사가 커지도록 상측으로 오목해지게 형성된다(오목 렌즈 형상으로 형성됨). 또한, 광투과성 층 LT의 상방에 있는 제2 공통 전극 C2 및 밀봉층 PR도 광투과성 층 LT의 상면과 마찬가지의 형상에 의해 형성되게 되어 있다. 제3 실시 형태의 자발광 표시 장치(1)는 이러한 점에서, 제1 실시 형태에 있어서의 자발광 표시 장치(1)와는 상이하다.

또한 도 7과 같이 광투과성 층 LT가 형성됨으로써, 정면 방향의 발광이 굴절되어, 시야각이 개선되게 된다. 또한 광투과성 층 LT의 굴절률과 충전층 FL의 굴절률 중, 충전층 FL 쪽이 작은 경우에는, 도 7의 좌측 화소에 있어서의 화살표와 같이, 정면 방향의 발광이 외측으로 넓어지도록 굴절되지만, 광투과성 층 LT 쪽이 작은 경우에는, 도 7의 좌측 화소에 있어서의 화살표와는 반대로, 정면 방향의 발광이 내측에 집광되도록 굴절된다. 그러나 광투과성 층 LT의 굴절률 쪽이 작은 경우에도, 내측에 집광된 후에 외측으로 넓어지도록 발광이 전파되므로, 어쨌든 정면 방향의 발광이 외측으로 넓어지도록 전파되어 시야각이 개선되게 된다.

또한, 도 7과 같은 광투과성 층 LT를 가공하는 공정으로서는, 잉크젯에 의해 광투과성 층 LT를 형성하고, 그 조건을 적절히 설정하면 된다.

또한, 제1 공통 전극 C1을 반투과·반반사형의 극박 금속(예를 들어, 은, Mg, MgAg 등)으로 하고, 제2 공통 전극 C2를 ITO 등의 투명 금속 산화물막으로 하도록 해도 되고, 이렇게 함으로써, 화소 전극 P1과 제1 공통 전극 C1 사이에서, 마이크로 캐비티 효과가 촉진되고, 제1 공통 전극 C1과 제2 공통 전극 C2 사이에서는, 마이크로 캐비티 효과를 억제받게 된다. 광투과성 층 LT가 렌즈 형상으로 되기 때문에, 제1 공통 전극 C1과 제2 공통 전극 C2 사이에서는 마이크로 캐비티 효과를 억제하는 편이 바람직하다. 이것은 제2 실시 형태에서 설명한 내용과 마찬가지이며, 컬러 필터층 CF의 구성이나 유기 일렉트로루미네센스 소자 OL의 구성에 있어서도 마찬가지이다.

제3 실시 형태에 있어서의 자발광 표시 장치(1)는, 상술한 바와 같은 점에서 제1 실시 형태에 있어서의 자발광 표시 장치(1)와 상이하지만, 이러한 점을 제외하고 거의 마찬가지의 구성을 갖고 있으며, 제1 실시 형태의 경우와 거의 마찬가지로 되는 구성에 대해서는 설명을 생략하기로 한다.

[제4 실시 형태]

다음으로 도 8을 사용해서 본 발명의 제4 실시 형태 자발광 표시 장치(1)에 대해서 설명한다. 제4 실시 형태에 있어서는, 광투과성 층 LT가 컬러 레지스트에 의해 형성되고, 컬러 필터로서의 기능을 행하게 되어 있는 점에서 제1 실시 형태의 자발광 표시 장치(1)와는 상이하다.

도 8에 도시되는 바와 같이, 제1 공통 전극 C1과 제2 공통 전극 C2 사이에 있어서, 청색광 투과성층 LTb와, 적색광 투과성층 LTr과, 녹색 광투과성 층 LTg가 배치되고, 발광층 E1 근방에서 착색되도록 되어 있다. 이렇게 컬러 필터로서 기능하고, 통과하는 광의 파장 영역이 각각 상이한 광투과성 층 LTr, LTb, LTg가 배치됨으로써, 혼색의 발생이 저감됨과 함께, 대향 기판 B2를 생략할 수도 있기 때문에 저비용이나 자발광 표시 장치를 실현할 수 있다.

제4 실시 형태에 있어서의 자발광 표시 장치(1)는, 상술한 바와 같은 점에서 제1 실시 형태에 있어서의 자발광 표시 장치(1)와 상이하지만, 이러한 점을 제외하고 거의 마찬가지의 구성을 갖고 있으며, 제1 실시 형태의 경우와 거의 마찬가지로 되는 구성에 대해서는 설명을 생략하기로 한다.

[제5 실시 형태]

다음으로 도 9를 사용해서 제5 실시 형태의 자발광 표시 장치(1)에 대해서 설명한다. 제1 실시 형태의 자발광 표시 장치(1)에서는, 복수의 화소에 공통되게 발광층 E1이 형성되고, 발광층 E1이 단일 색으로 발광하게(복수 색의 컬러 필터 CF 각각을 통과하는 광을 포함하도록 발광함) 되어 있지만, 제5 실시 형태에 있어서는, 복수의 화소에 있어서 개별로 발광층 E1이 형성되어, 복수 색 중 어느 하나로 발광하도록 발광층 E1이 구분해서 도포되어 있는 점에서 상이하다.

또한, 도 9에 있어서의 대향 기판 B2에 있어서는, 통과하는 광의 파장 영역이 각각 상이한 착색층을 포함하는 컬러 필터나 블랙 매트릭스가 형성되어 있어도 된다. 또한 제2 실시 형태에 있어서 설명한 바와 같이, 제1 공통 전극 C1을 반투과·반반사형의 극박 금속으로 하고, 제2 공통 전극 C2를 ITO 등의 투명 금속 산화물막으로 하도록 해도 되고, 이렇게 함으로써, 화소 전극 P1과 제1 공통 전극 C1 사이에서, 마이크로 캐비티 효과가 촉진되고, 제1 공통 전극 C1과 제2 공통 전극 C2 사이에서는, 마이크로 캐비티 효과를 억제받게 된다. 광투과성 층 LT가 렌즈 형상으로 되기 때문에, 제1 공통 전극 C1과 제2 공통 전극 C2 사이에서는 마이크로 캐비티 효과를 억제하는 편이 바람직하다. 이것은 제2 실시 형태에서 설명한 내용과 마찬가지이며, 컬러 필터층 CF의 구성이나 유기 일렉트로루미네센스 소자 OL의 구성에 있어서도 마찬가지이다.

제5 실시 형태에 있어서의 자발광 표시 장치(1)는 상술한 바와 같은 점에서 제1 실시 형태에 있어서의 자발광 표시 장치(1)와 상이하지만, 이러한 점을 제외하고 거의 마찬가지의 구성을 갖고 있으며, 제1 실시 형태의 경우와 거의 마찬가지로 되는 구성에 대해서는 설명을 생략하기로 한다.

또한 상기 각 실시 형태에 있어서의 자발광 표시 장치(1)로서는, 제1 공통 전극 C1과 제2 공통 전극 C2가 복수의 화소에 공통되게 솔리드 형상으로 형성되게 되어 있지만, 반드시 이러한 형태에 한정되는 것은 아니다.

또한 제1 실시 형태에 있어서의 제1 공통 전극 C1과 제2 공통 전극의 한쪽에 있어서, 반투과·반투명의 금속이 사용되어, 마이크로 캐비티 효과를 촉진하게 되어 있어도 된다.

또한, 상기 실시 형태에 있어서의 자발광 표시 장치로서는, 유기 EL 표시 장치에 한정되는 것은 아니고, 양자 도트 발광 소자(QLED:Quantum-Dot Light Emitting Diode)와 같은 자발광 소자를 각 화소에 구비한 표시 장치이어도 된다.

또한 제1 실시 형태에 있어서는, 평탄화막 HPL이나 뱅크층 BNK를 분단하는 구조 CT1 내지 CT4가 배치되어, 이 구조에 의해 발생하는 밀봉층 PR에 있어서의 간극을 매립하기 위해, 유기 절연막이 2층의 무기 절연막 사이에 충전되어 있지만, 본 발명은 이러한 형태에 한정되지 않는 것은 말할 필요도 없고, 구조 CT1 내지 CT4가 존재하고 있지 않아도 되고, 밀봉층 PR에 있어서 유기 절연막이 포함되어 있지 않아도 된다.

본 발명은 상술한 실시 형태에 한정되는 것이 아니라 다양한 변형이 가능하다. 본 발명의 사상 범주에 있어서, 당업자라면 각종 변경예 및 수정예에 상도할 수 있는 것이며, 그들 변경예 및 수정예에 대해서도 본 발명의 범위에 속하는 것이라고 이해된다. 또한 예를 들어, 상기 각 실시 형태에 대하여 당업자가 적절히, 구성 요소의 추가, 삭제, 또는 설계 변경을 행한 것 또는, 공정의 추가, 생략 또는 조건 변경을 행한 것도, 본 발명의 요지를 구비하고 있는 한, 본 발명의 범위에 포함된다.

1 : 유기 EL 표시 장치
DP : 표시 영역
B1 : 제1 기판
B2 : 제2 기판
EX : 노출 영역
FPC : 플렉시블 프린트 기판
IC : 드라이버 반도체 장치
GDR : 주사 신호선 구동부
DDR : 영상 신호선 구동부EDR 전원 구동부
GL : 주사 신호선
DL : 영상 신호선
PX : 화소 회로
OL : 유기 일렉트로루미네센스 소자
CF : 컬러 필터
BM : 블랙 매트릭스,
FL : 충전층
PR : 밀봉층
DM : 시일재
SP : 스페이서 입자
C1 : 제1 공통 전극
C2 : 제2 공통 전극
LT : 광투과성 층
E1 : 발광층
P1 : 화소 전극
CP : 용량 절연층
L1 : 배선층
CH : 콘택트 홀
BNK : 뱅크층
HPL : 평탄화층
CL : 회로 구성층
T1 : 투명 도전층

Claims

화상을 구성하는 복수의 단위 화소 각각에 대응하는 복수의 화소 전극과,
상기 복수의 화소 전극의 각각의 주연부에 얹혀 형성된 절연층과,
상기 복수의 화소 전극의 각각에 접촉하도록 적층되어 있는 발광층과,
상기 복수의 화소 전극의 각각의 상방에서 상기 발광층에 접촉하도록 적층되고, 상기 절연층에 얹혀 설치된 제1 공통 전극과,
상기 절연층의 상방에서 상기 제1 공통 전극의 일부와의 적층을 피하여, 상기 복수의 화소 전극의 상방에서 상기 제1 공통 전극에 적층되는 광투과성 층과,
상기 복수의 화소 전극의 상방에서 상기 광투과성 층에 적층되고, 상기 절연층의 상방에서 상기 제1 공통 전극에 접촉하도록 적층되는 제2 공통 전극을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 광투과성 층은, 상기 제2 공통 전극이 적층되는 상면을 갖고, 상기 상면은 평탄한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제1항에 있어서,
상기 광투과성 층은, 상기 제2 공통 전극이 적층되는 상면을 갖고,
상기 상면은, 상기 제2 공통 전극 방향으로 볼록해지는 볼록 영역 또는 오목해지는 오목 영역을, 상기 복수의 화소 전극의 각각의 상방에 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제3항에 있어서,
상기 발광층을 밀봉하도록, 상기 제2 공통 전극의 상방에 적층되는 밀봉층을 더 갖고,
상기 밀봉층의 상방에는, 상기 광투과성 층과는 다른 굴절률의 재료로 이루어지는 충전층이 적층되고,
상기 발광층으로부터 수직으로 발광해서 상기 볼록 영역 또는 상기 오목 영역에 입사하는 광을 집광 또는 발산하도록, 상기 충전층은 굴절시키는, 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
통과하는 광의 파장 영역이 각각 상이한 복수 색의 착색층을 포함하는 컬러 필터층을 더 갖고,
상기 발광층은, 상기 복수 색의 착색층 각각을 통과하는 상기 광을 포함하도록 발광하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광투과성 층은, 통과하는 광의 파장 영역이 각각 상이한 복수 색의 착색 층으로 이루어지고,
상기 발광층은, 상기 복수 색의 착색층 각각을 통과하는 상기 광을 포함하도록 발광하는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 광투과성 층은, 자외선을 차단하고 가시광선을 통과시키는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1 공통 전극은, 상기 제2 공통 전극보다도 얇은 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제8항에 있어서,
상기 제1 공통 전극은 광을 통과시키는 것이 가능한 금속막이며, 상기 제2 공통 전극은 투명 금속 산화물막인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
제9항에 있어서,
적색 발광을 행하는 상기 발광층의 두께보다도, 녹색 발광을 행하는 상기 발광층의 두께가 얇고, 녹색 발광을 행하는 상기 발광층의 두께보다도, 청색 발광을 행하는 상기 발광층의 두께가 얇은 것을 특징으로 하는 표시 장치.