WO2023095663A1 - 表示装置および電子機器 - Google Patents

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WO2023095663A1
WO2023095663A1 PCT/JP2022/042251 JP2022042251W WO2023095663A1 WO 2023095663 A1 WO2023095663 A1 WO 2023095663A1 JP 2022042251 W JP2022042251 W JP 2022042251W WO 2023095663 A1 WO2023095663 A1 WO 2023095663A1
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WO
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electrode
layer
light emitting
display device
insulating layer
Prior art date
Application number
PCT/JP2022/042251
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English (en)
French (fr)
Inventor
健一 青柳
大智 今林
達也 加納
朋芳 市川
Original Assignee
ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社
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Publication date
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    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09F—DISPLAYING; ADVERTISING; SIGNS; LABELS OR NAME-PLATES; SEALS
    • G09F9/00—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements
    • G09F9/30—Indicating arrangements for variable information in which the information is built-up on a support by selection or combination of individual elements in which the desired character or characters are formed by combining individual elements
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/26—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the composition or arrangement of the conductive material used as an electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00

Definitions

  • the present disclosure relates to a display device and an electronic device including the same.
  • An OLED display device comprises a plurality of light-emitting elements arranged two-dimensionally on a circuit board, and each light-emitting element sequentially comprises a first electrode, an organic layer including a light-emitting layer, and a second electrode.
  • Patent Document 1 discloses a light-emitting element having a lower electrode, an organic compound layer, and an upper electrode, the upper electrode having a first upper electrode layer and a second upper electrode layer (common electrode). disclosed. Further, in Patent Document 1, film ends of an organic compound layer are covered with an upper electrode, more specifically, a first upper electrode layer and a second upper electrode layer that constitute the upper electrode, thereby forming an organic compound. It is disclosed that layer degradation can be improved.
  • the second upper electrode layer (common electrode) is in contact with the side surface of the organic compound layer (the organic layer including the light-emitting layer), the lower electrode and the second upper electrode layer are in contact with each other. may short out. Moreover, if the second upper electrode layer contacts the side surface of the organic compound layer, abnormal light emission may occur at the side surface of the organic compound layer. In particular, when the organic compound layer includes a highly conductive material or a highly conductive layer, short-circuiting between the lower electrode and the second upper electrode layer and abnormal light emission at the side surface of the organic compound layer are likely to occur.
  • An object of the present disclosure is to provide a display device that can prevent the common electrode from coming into contact with the side surface of the organic layer, and an electronic device including the display device.
  • the display device includes: a plurality of light emitting elements; insulation; with a common electrode and The plurality of light emitting elements are two-dimensionally arranged,
  • Each light-emitting element includes, in order, a first electrode, an organic layer including a light-emitting layer, and a second electrode, The first electrode, the organic layer and the second electrode are separated for each light emitting element,
  • a common electrode is provided on the second electrodes of the two or more light emitting elements,
  • the insulating material covers the sides of the organic layer of each light emitting element.
  • An electronic device includes a display device according to the present disclosure.
  • the insulating material may include a plurality of sidewalls, and each sidewall may cover the side surface of the light emitting element, for example, the side surface of the organic layer included in the light emitting element.
  • the insulating material is an inter-element insulating layer provided between adjacent light-emitting elements, and the inter-element insulating layer is a side surface of each light-emitting element, for example, an organic layer included in the light-emitting element. You can cover the sides.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of the overall configuration of the display device according to the first embodiment.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the display device according to the first embodiment.
  • 3A, 3B, 3C, and 3D are process diagrams for explaining an example of the manufacturing method of the display device according to the first embodiment.
  • 4A and 4B are process diagrams for explaining an example of the manufacturing method of the display device according to the first embodiment.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the display device according to the second embodiment.
  • 6A and 6B are process diagrams for explaining an example of the method for manufacturing the display device according to the second embodiment.
  • FIG. 7A, 7B, and 7C are process diagrams for explaining an example of the method for manufacturing the display device according to the second embodiment, respectively.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the display device according to the third embodiment.
  • 9A and 9B are process diagrams for explaining an example of the manufacturing method of the display device according to the third embodiment.
  • 10A, 10B, and 10C are process diagrams for explaining an example of the method for manufacturing the display device according to the third embodiment.
  • FIG. 11 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a display device according to a modification.
  • FIG. 12 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a display device according to a modification.
  • FIG. 13 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a display device according to a modification.
  • FIG. 14 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a display device according to a modification.
  • FIG. 15 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a display device according to a modification.
  • FIG. 16 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a display device according to a modification.
  • FIG. 17 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a display device according to a modification.
  • FIG. 18 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a display device according to a modification.
  • FIG. 19 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a display device according to a modification.
  • 20A and 20B are plan views each showing an example of the configuration of a display device according to a modification.
  • 21A and 21B are plan views each showing an example of the configuration of a display device according to a modification.
  • FIG. 22 is a plan view showing an example of the schematic configuration of the module.
  • FIG. 23A is a front view showing an example of the appearance of a digital still camera.
  • FIG. 23B is a rear view showing an example of the appearance of the digital still camera.
  • FIG. 24 is a perspective view of an example of the appearance of a head mounted display.
  • FIG. 25 is a perspective view showing an example of the appearance of a television device.
  • FIG. 1 is a schematic diagram showing an example of the overall configuration of a display device 10 according to the first embodiment.
  • the display device 10 is an OLED display device, and has a display area 110a and a peripheral area 110b provided around the periphery of the display area 110a.
  • a plurality of sub-pixels 100R, 100G, and 100B are two-dimensionally arranged in a prescribed arrangement pattern such as delta or matrix.
  • FIG. 1 shows an example in which a plurality of sub-pixels 100R, 100G, and 100B are two-dimensionally arranged in a matrix.
  • the sub-pixel 100R can display red.
  • the sub-pixel 100G can display green.
  • the sub-pixel 100B can display blue. Red is an example of the first of the three primary colors. Green is an example of the second of the three primary colors. Blue is an example of the third primary color of the three primary colors.
  • the sub-pixels 100R, 100G, and 100B are collectively referred to as sub-pixels 100 without distinction.
  • a combination of three sub-pixels 100R, 100G, and 100B adjacent in the horizontal direction (row direction) of the display surface constitutes one pixel (pixel) 101.
  • the sub-pixels 100R, 100G, and 100B have, for example, a square shape such as a rectangular shape in plan view.
  • the rectangular shape includes a square shape.
  • a planar view means a planar view when an object is viewed from a direction perpendicular to the display surface of the display device 10 .
  • the signal line driving circuit 111 supplies a signal voltage of a video signal corresponding to luminance information supplied from a signal supply source (not shown) to the selected sub-pixel 100 via the signal line 111a.
  • the scanning line driving circuit 112 is composed of, for example, a shift register or the like that sequentially shifts (transfers) start pulses in synchronization with input clock pulses.
  • the scanning line driving circuit 112 scans the sub-pixels 100 row by row when writing video signals to the sub-pixels 100, and sequentially supplies scanning signals to the scanning lines 112a.
  • the display device 10 is an example of a light emitting device.
  • the display device 10 is a top emission type OLED display device.
  • the display device 10 may be a microdisplay.
  • the display device 10 may be provided in a VR (Virtual Reality) device, an MR (Mixed Reality) device, an AR (Augmented Reality) device, an Electronic View Finder (EVF), a small projector, or the like.
  • the surface on the top side (display surface side) of the display device 10 is referred to as a first surface
  • the bottom side (opposite side to the display surface) of the display device 10 is referred to as a first surface. is called the second surface.
  • FIG. 2 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the display device 10 according to the first embodiment.
  • the display device 10 includes a circuit board 11 , a plurality of light emitting elements 20 R, 20 G, 20 B, a common electrode 24 , an insulating layer 12 , a plurality of sidewalls 13 , contact portions 14 and a protective layer 15 .
  • the light-emitting elements 20R, 20G, and 20B are collectively referred to as the light-emitting elements 20 without any particular distinction.
  • the circuit board 11 is a so-called backplane and drives the plurality of light emitting elements 20 .
  • the circuit board 11 includes a substrate 11A and an insulating layer 11B.
  • a drive circuit for driving the plurality of light emitting elements 20 , a power supply circuit for supplying power to the plurality of light emitting elements 20 , and the like (none of which are shown) are provided on the first surface of the circuit board 11 .
  • the substrate 11A may be composed of, for example, a semiconductor that facilitates the formation of transistors or the like, or may be composed of glass or resin with low moisture and oxygen permeability.
  • the substrate 11A may be a semiconductor substrate, a glass substrate, a resin substrate, or the like.
  • Semiconductor substrates include, for example, amorphous silicon, polycrystalline silicon, monocrystalline silicon, or the like.
  • the glass substrate includes, for example, high strain point glass, soda glass, borosilicate glass, forsterite, lead glass, quartz glass, or the like.
  • the resin substrate contains, for example, at least one selected from the group consisting of polymethyl methacrylate, polyvinyl alcohol, polyvinyl phenol, polyethersulfone, polyimide, polycarbonate, polyethylene terephthalate and polyethylene naphthalate.
  • the insulating layer 11B is provided on the first surface of the substrate 11A and covers the drive circuit, the power supply circuit, and the like.
  • the insulating layer 11B includes therein a plurality of contact plugs 14A and a plurality of contact plugs 21A.
  • the contact plug 14A and the contact plug 21A are connection members that electrically connect the light emitting element 20 and the drive circuit or the like.
  • Contact plug 14A and contact plug 21A contain, for example, at least one metal selected from the group consisting of copper (Cu) and titanium (Ti).
  • the insulating layer 11B may be an organic insulating layer, an inorganic insulating layer, or a laminate of these layers.
  • the organic insulating layer contains, for example, at least one selected from the group consisting of polyimide-based resins, acrylic-based resins, novolak-based resins, and the like.
  • the inorganic insulating layer contains, for example, at least one selected from the group consisting of silicon oxide (SiO x ), silicon nitride (SiN x ), silicon oxynitride (SiO x N y ), and the like.
  • the light emitting element 20R constitutes a sub-pixel 100R.
  • the light emitting element 20G constitutes a sub-pixel 100G.
  • the light emitting element 20B constitutes the sub-pixel 100B.
  • the light emitting element 20R is a red OLED element, and can emit red light under the control of a drive circuit or the like.
  • the light emitting element 20G is a green OLED element, and can emit green light based on the control of a drive circuit or the like.
  • the light emitting element 20B is a blue OLED element, and can emit blue light under the control of a drive circuit or the like.
  • the OLED elements of each color may be Micro-OLED (MOLED) elements.
  • the plurality of light emitting elements 20 are two-dimensionally arranged on the first surface of the circuit board 11 in a prescribed arrangement pattern such as delta or matrix.
  • the light emitting element 20R includes a first electrode 21, an OLED layer 22R, and a second electrode 23 on the first surface of the circuit board 11 in this order.
  • the light-emitting element 20G includes a first electrode 21, an OLED layer 22G, and a second electrode 23 on the first surface of the circuit board 11 in this order.
  • the light emitting element 20B includes a first electrode 21, an OLED layer 22B, and a second electrode 23 in this order on the first surface of the circuit board 11.
  • the OLED layers 22R, 22G, and 22B are collectively referred to as the OLED layers 22 without any particular distinction.
  • the first electrode 21 is the anode. When a voltage is applied between the first electrode 21 and the second electrode 23 , holes are injected from the first electrode 21 into the OLED layer 22 .
  • the first electrode 21 is provided on the first surface of the circuit board 11 .
  • the first electrode 21 is separated for each subpixel 100 , that is, for each light emitting element 20 .
  • the first electrode 21 may be composed of, for example, a metal layer, or may be composed of a metal layer and a transparent conductive oxide layer.
  • the transparent conductive oxide layer is the OLED layer. It is preferably provided on the 22 side.
  • the metal layer also functions as a reflective layer that reflects light emitted by the OLED layer 22 .
  • the metal layer is, for example, chromium (Cr), gold (Au), platinum (Pt), nickel (Ni), copper (Cu), molybdenum (Mo), titanium (Ti), tantalum (Ta), aluminum (Al). , magnesium (Mg), iron (Fe), tungsten (W) and silver (Ag).
  • the metal layer may contain the at least one metal element as a constituent element of an alloy. Specific examples of alloys include aluminum alloys and silver alloys. Specific examples of aluminum alloys include AlNd and AlCu.
  • a base layer may be provided adjacent to the second surface side of the metal layer.
  • the underlayer is for improving the crystal orientation of the metal layer when the metal layer is formed.
  • the underlayer contains, for example, at least one metal element selected from the group consisting of titanium (Ti) and tantalum (Ta).
  • the underlayer may contain the at least one metal element as a constituent element of the alloy.
  • the transparent conductive oxide layer contains a transparent conductive oxide.
  • Transparent conductive oxides include, for example, transparent conductive oxides containing indium (hereinafter referred to as “indium-based transparent conductive oxides”) and transparent conductive oxides containing tin (hereinafter referred to as “tin-based transparent conductive oxides”). ”) and transparent conductive oxides containing zinc (hereinafter referred to as “zinc-based transparent conductive oxides”).
  • Indium-based transparent conductive oxides include, for example, indium tin oxide (ITO), indium zinc oxide (IZO), indium gallium oxide (IGO), indium gallium zinc oxide (IGZO), or fluorine-doped indium oxide (IFO).
  • ITO indium tin oxide
  • ITO indium tin oxide
  • Tin-based transparent conductive oxides include, for example, tin oxide, antimony-doped tin oxide (ATO), or fluorine-doped tin oxide (FTO).
  • Zinc-based transparent conductive oxides include, for example, zinc oxide, aluminum-doped zinc oxide (AZO), boron-doped zinc oxide, or gallium-doped zinc oxide (GZO).
  • the OLED layer 22 is an example of an organic layer including a light-emitting layer.
  • the OLED layer 22R can emit red light by recombination of holes injected from the first electrode 21 and electrons injected from the second electrode 23 .
  • the OLED layer 22G can emit green light by recombination of holes injected from the first electrode 21 and electrons injected from the second electrode 23 .
  • the OLED layer 22B can emit blue light by recombination of holes injected from the first electrode 21 and electrons injected from the second electrode 23 .
  • the OLED layer 22 is separated for each subpixel 100, that is, for each light emitting element 20.
  • OLED layers 22R, 22G and 22B are included in light emitting elements 20R, 20G and 20B, respectively.
  • the OLED layer 22 is provided on the first surface of the first electrode 21 .
  • the peripheral edge of the OLED layer 22 is located inside the peripheral edge of the first electrode 21 .
  • a peripheral portion of the first surface of the first electrode 21 is exposed without being covered with the OLED layer 22 .
  • the peripheral portion of the first surface refers to a region having a predetermined width inward from the peripheral edge of the first surface.
  • the OLED layer 22R includes, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a red light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer on the first surface of the first electrode 21 in this order.
  • the OLED layer 22G includes, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a green light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer on the first surface of the first electrode 21 in this order.
  • the OLED layer 22B includes, for example, a hole injection layer, a hole transport layer, a blue light emitting layer, an electron transport layer, and an electron injection layer on the first surface of the first electrode 21 in this order.
  • the hole injection layer is intended to increase the efficiency of hole injection into each light-emitting layer and to suppress leakage.
  • the hole-transporting layer is for increasing the efficiency of hole-transporting to each light-emitting layer.
  • the electron injection layer is for increasing the efficiency of electron injection into each light-emitting layer.
  • the electron transport layer is for enhancing electron transport efficiency to each light-emitting layer.
  • the red, green, and blue light-emitting layers respectively generate holes injected from the first electrode 21 and the second electrode. Red light, green light, and blue light can be emitted by recombination with electrons injected from 23 .
  • the second electrode 23 is the cathode. When a voltage is applied between the first electrode 21 and the second electrode 23 , electrons are injected from the second electrode 23 into the OLED layer 22 .
  • the second electrode 23 is a transparent electrode having transparency to visible light.
  • the second electrode 23 transmits light emitted from the OLED layer 22 .
  • visible light refers to light in the wavelength range of 360 nm to 830 nm.
  • the second electrode 23 is separated for each sub-pixel 100, that is, for each light-emitting element 20.
  • a second electrode 23 is provided on the first surface of the OLED layer 22 .
  • the side surface of the second electrode 23 may be flush with the side surface of the OLED layer 22 .
  • the second electrode 23 is composed of, for example, at least one layer of a metal layer and a transparent conductive oxide layer. More specifically, the second electrode 23 is composed of a single layer film of a metal layer or a transparent conductive oxide layer, or a laminated film of a metal layer and a transparent conductive oxide layer.
  • the metal layer may be provided on the OLED layer 22 side, or the transparent conductive oxide layer may be provided on the OLED layer 22 side. Although it may be provided on the OLED layer 22 side, the metal layer is preferably provided on the OLED layer 22 side from the viewpoint of suppressing oxidation of the first surface of the second electrode 23 .
  • the metal layer contains, for example, at least one metal element selected from the group consisting of magnesium (Mg), aluminum (Al), silver (Ag), calcium (Ca) and sodium (Na).
  • the metal layer may contain the at least one metal element as a constituent element of an alloy. Specific examples of alloys include MgAg alloys, MgAl alloys, AlLi alloys, and the like.
  • the transparent conductive oxide layer includes a transparent conductive oxide. As the transparent conductive oxide, the same material as the transparent conductive oxide of the first electrode 21 can be exemplified.
  • the insulating layer 12 provides insulation between the separated first electrodes 21 .
  • the insulating layer 12 is provided on a portion of the first surface of the circuit board 11 between the separated first electrodes 21 .
  • the insulating layer 12 has a plurality of openings 12a. A plurality of openings 12a are provided corresponding to the respective light emitting elements 20, respectively.
  • Each first electrode 21 is provided in the opening 12 a and the side surface of the first electrode 21 is covered with the insulating layer 12 .
  • the first surface of the first electrode 21 and the first surface of the insulating layer 12 may have substantially the same height.
  • the height of the first surface of the first electrode 21 and the first surface of the insulating layer 12 means the position in the thickness direction of the display device 10 with reference to the first surface of the substrate 11A. do.
  • substantially identical includes “identical.”
  • Each opening 12 a may be provided on the first surface of the first electrode 21 . That is, the peripheral portion of the first surface of each first electrode 21 may be covered with the insulating layer 12 .
  • the insulating layer 12 may be an organic insulating layer, an inorganic insulating layer, or a laminate of these layers.
  • the organic insulating layer contains, for example, at least one selected from the group consisting of polyimide-based resins, acrylic-based resins, novolak-based resins, and the like.
  • the inorganic insulating layer contains, for example, at least one selected from the group consisting of silicon oxide (SiO x ), silicon nitride (SiN x ), silicon oxynitride (SiO x N y ), and the like.
  • the sidewall 13 has insulating properties.
  • Sidewall 13 is an example of an insulating material.
  • the sidewall 13 provides insulation between the peripheral portion of the first surface of the first electrode 21 and the second surface of the common electrode 24 .
  • the sidewalls 13 provide insulation between the side surfaces of the OLED layer 22 and the second surface of the common electrode 24, and between the side surfaces of the second electrode 23 and the second surface of the common electrode 24.
  • the sidewall 13 may have a lower refractive index than the OLED layer 22 .
  • the sidewall 13 covers the side surface of the OLED layer 22 and the side surface of the second electrode 23 .
  • the sidewall 13 has a closed loop shape in plan view and surrounds the light emitting element 20 .
  • a planar view means a planar view when an object is viewed from a direction perpendicular to the display surface of the display device 10 .
  • the height of the top of the sidewall 13 and the height of the first surface of the second electrode 23 may be substantially the same.
  • the height of the top of the sidewall 13 and the height of the first surface of the second electrode 23 are positions in the thickness direction of the display device 10 with the first surface of the first electrode 21 as a reference.
  • the top portion of the sidewall 13 is a convex curved surface that rises from the outer circumference toward the inner circumference of the sidewall 13 .
  • the sidewall 13 is provided on the first surface of the first electrode 21 and the first surface of the insulating layer 12 so as to straddle the boundary between the first electrode 21 and the insulating layer 12 .
  • the inner periphery of the bottom surface of the sidewall 13 is located inside the periphery of the first electrode 21
  • the outer periphery of the bottom surface of the sidewall 13 is located outside the periphery of the insulating layer 12 . That is, the inner periphery of the bottom surface of the sidewall 13 is located on the first surface of the first electrode 21
  • the outer periphery of the bottom surface of the sidewall 13 is located on the first surface of the insulating layer 12 . .
  • Sidewall 13 includes an insulating material.
  • the insulating material includes, for example, at least one selected from the group consisting of silicon oxide (SiO x ), silicon nitride (SiN x ), silicon oxynitride (SiO x N y ), and the like.
  • the contact portion 14 is an auxiliary electrode that connects the common electrode 24 and an underlying wiring or the like (not shown).
  • the first surface of contact portion 14 is electrically connected to the peripheral portion of the second surface of common electrode 24 .
  • the second surface of the contact portion 14 is connected to an underlying wiring or the like through a plurality of contact plugs 14A.
  • the peripheral portion of the second surface of the common electrode 24 refers to a region having a predetermined width inward from the peripheral edge of the second surface of the common electrode 24 .
  • the contact portion 14 is provided on the first surface of the circuit board 11 at the periphery of the display area 110a.
  • the contact portion 14 may have a closed loop shape surrounding the display area 110a, or may be provided so as to face part of the outer periphery of the display area 110a.
  • the contact portion 14 is composed of, for example, at least one layer of a metal layer and a metal oxide layer. More specifically, for example, the contact portion 14 is configured by a single layer film of a metal layer or a metal oxide layer, or a laminated film of a metal layer and a metal oxide layer.
  • the contact portion 14 preferably has the same configuration as the first electrode 21 described above. In this case, since the contact portion 14 can be formed simultaneously with the first electrode 21, the manufacturing process of the display device 10 can be simplified.
  • the same material as that of the first electrode 21 can be exemplified.
  • the same materials as those of the metal layer and the metal oxide layer of the first electrode 21 can be exemplified, respectively.
  • a common electrode 24 is a common cathode for a plurality of sub-pixels 100 , that is, a plurality of light-emitting elements 20 .
  • the common electrode 24 electrically connects the contact portion 14 and the second electrodes 23 of the plurality of light emitting elements 20 included in the display area 110a.
  • the second electrode 23 is a transparent electrode having transparency to visible light. The second electrode 23 transmits light emitted from the light emitting element 20 .
  • the common electrode 24 is provided across a plurality of sub-pixels 100, that is, across a plurality of light-emitting elements 20 within the display region 110a, and is shared by the plurality of sub-pixels 100 within the display region 110a.
  • the common electrode 24 is electrically connected to the first surfaces of the second electrodes 23 of the plurality of light emitting elements 20 and electrically connected to the first surfaces of the plurality of contact portions 14 .
  • the common electrode 24 preferably contacts the entire first surface of the second electrode 23 .
  • the contact portion 14 preferably contacts the entire first surface of the second electrode 23 .
  • a plurality of structures composed of light emitting elements 20 and sidewalls 13 are provided on the first surface of circuit board 11 .
  • the common electrode 24 is provided on the first surface of the circuit board 11 so as to follow the plurality of structures.
  • a common electrode 24 covers the sidewall 13 .
  • a common electrode 24 is provided on the first surface of the insulating layer 12 between the separated light emitting elements 20 .
  • the second electrode 23 is composed of, for example, a metal layer or a transparent conductive oxide layer.
  • the second electrode 23 may be a laminate of a metal layer and a transparent conductive oxide layer.
  • the metal layer contains metal. Examples of the metal include materials similar to those of the second electrode 23 described above.
  • the metal layer may contain an alloy. Examples of the alloy include materials similar to those of the second electrode 23 described above.
  • the transparent conductive oxide layer includes a transparent conductive oxide. As the transparent conductive oxide, the same material as the transparent conductive oxide of the first electrode 21 can be exemplified.
  • the protective layer 15 protects the multiple light emitting elements 20 and the common electrode 24 .
  • the protective layer 15 has transparency to visible light.
  • the protective layer 15 is provided on the first surface of the common electrode 24 and covers the plurality of light emitting elements 20 .
  • the protective layer 15 shields the common electrode 24 and the plurality of light emitting elements 20 from the outside air, and suppresses moisture from entering the common electrode 24 and the plurality of light emitting elements 20 from the external environment.
  • the protective layer 15 may have a function of suppressing oxidation of this metal layer.
  • the protective layer 15 contains, for example, a low hygroscopic inorganic material or polymer resin.
  • the protective layer 15 may have a single layer structure or a multilayer structure. When the thickness of the protective layer 15 is to be increased, a multilayer structure is preferable. This is for alleviating the internal stress in the protective layer 15 .
  • the inorganic material is, for example, selected from the group consisting of silicon oxide (SiO x ), silicon nitride (SiN x ), silicon oxynitride (SiO x N y ), titanium oxide (TiO x ) and aluminum oxide (AlO x ). contains at least one Polymer resins include, for example, at least one selected from the group consisting of thermosetting resins, ultraviolet-curable resins, and the like.
  • Step of Forming First Electrode 21 or Contact Portion 14 First, a metal layer and a metal oxide layer are sequentially formed on the first surface of the circuit board 11 by, for example, a vapor deposition method or a sputtering method. patterning. Thereby, a plurality of first electrodes 21 and a plurality of contact portions 14 are formed on the first surface of circuit board 11 .
  • Step of forming insulating layer 12 the insulating layer 12 is formed on the first surface of the circuit board 11 so as to cover the plurality of first electrodes 21 and the plurality of contact portions 14 by, for example, CVD (Chemical Vapor Deposition). Next, the first surface of each first electrode 21 is exposed by, for example, an etch-back method.
  • CVD Chemical Vapor Deposition
  • an OLED layer 22R is formed on the first surfaces of the plurality of first electrodes 21 and the first surface of the insulating layer 12 by, for example, vapor deposition.
  • the second electrode 23 is formed on the first surface of the OLED layer 22R by, for example, vapor deposition or sputtering.
  • a resist layer 31 is formed on the first surface of the second electrode 23 by spin coating, for example.
  • FIG. Leave the body and remove the laminate in the other parts. Thereby, a plurality of light emitting elements 20R are formed on the first surface of the circuit board 11. As shown in FIG. Note that the resist layer 31 remains on the first surface of each light emitting element 20R.
  • the OLED layer 22B is formed instead of the OLED layer 22R, and the laminate is left on the first surface of each of the first electrodes 21 where the light emitting element 20B is to be formed.
  • a plurality of light emitting elements 20G are formed on the first surface of the circuit board 11 as shown in FIG. Note that the resist layer 31 remains on the first surface of each light emitting element 20B.
  • the insulating layer 13a is formed on the first surface of the circuit board 11 so as to follow the plurality of light emitting elements 20 by, for example, the CVD method.
  • the insulating layer 13a and the resist layer 31 on the first surface of each light emitting element 20 are removed by, for example, an etch-back method to expose the first surface of the second electrode 23 of each light emitting element 20.
  • the resist layer 31 on the first surface of the second electrode 23 can be removed, whereas the side surfaces of the OLED layer 22 and the second surface can be removed.
  • the insulating layer 13a around the sides of the electrode 23 can remain.
  • sidewalls 13 covering the side surfaces of the OLED layer 22 and the side surfaces of the second electrode 23 are formed in each light emitting element 20 .
  • the common electrode 24 is formed on the first surface of the circuit board 11 by, for example, a vapor deposition method or a sputtering method so as to follow each light emitting element 20 .
  • Step of forming protective layer 15 Next, the protective layer 15 is formed on the first surface of the common electrode 24 as passivation by, for example, CVD or vapor deposition. Thereby, the display device 10 shown in FIG. 2 is obtained.
  • sidewalls 13 as an insulating material cover side surfaces of OLED layers (organic layers including light-emitting layers) 22 . This can prevent the common electrode 24 from coming into contact with the side surface of the OLED layer 22 .
  • a sidewall 13 as an insulating material covers the periphery of the first surface of the first electrode 21 . Thereby, it is possible to prevent the common electrode 24 from coming into contact with the peripheral portion of the first surface of the first electrode 21 . Therefore, short-circuiting between the first electrode 21 and the common electrode 24 can be suppressed. In addition, abnormal light emission on the side surface of the OLED layer 22 can be suppressed.
  • the side wall 13 as an insulating material covers the side surface of the OLED layer 22, deterioration of the side surface of the OLED layer 22 due to moisture or the like is suppressed in the manufacturing process of the display device 10. be able to. Therefore, deterioration of the display quality of the display device 10 can be suppressed.
  • the connection resistance between the second electrode 23 and the common electrode 24 is reduced by the contact resistance between the vias and the second electrode 23 . area and the contact area of the via and common electrode 24 . Therefore, the connection resistance between the second electrode 23 and the common electrode 24 may increase.
  • the insulating layer is not provided between the second electrode 23 and the common electrode 24, and the second electrode 23 and the common electrode 24 are directly connected.
  • the OLED layer 22 is separated between adjacent sub-pixels 100, current leakage between adjacent sub-pixels 100 can be suppressed. Therefore, luminous efficiency can be improved.
  • the OLED layer 22 is provided inside the peripheral edge of the first surface of the first electrode 21, it is possible to prevent the OLED layer 22 from bending following the side surface of the first electrode 21 or the side surface of the insulating layer 12 or the like. can be suppressed. Therefore, abnormal light emission of the OLED layer 22 caused by the bent portion can be suppressed.
  • FIG. 5 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of the display device 10A according to the second embodiment.
  • the display device 10A differs from the display device 10 according to the first embodiment in that it includes an insulating layer 16 instead of the sidewall 13 (see FIG. 2).
  • the insulating layer 16 is provided between adjacent light emitting elements 20 .
  • the insulating layer 16 is provided on the first surface of the insulating layer 12 and on the peripheral portion of the first surface of the first electrode 21 .
  • the insulating layer 16 has a plurality of openings 16a. A plurality of openings 16 a is provided corresponding to each light emitting element 20 .
  • Each OLED layer 22 is provided within the opening 16 a and the side surfaces of the OLED layer 22 are covered with the insulating layer 16 .
  • each second electrode 23 is provided in the opening 16 a and the side surface of the second electrode 23 is covered with the insulating layer 16 .
  • An inter-element insulating layer (first insulating layer) 25 that insulates adjacent light emitting elements 20 is composed of the insulating layer 12 and the insulating layer 16 .
  • the height of the first surface of the insulating layer 16 is preferably substantially the same as the height of the first surface (top portion) of the light emitting element 20 .
  • the first surface of the insulating layer 16 and the first surface of the light emitting element 20 form a substantially flat surface, and the common electrode 24 can be formed on this substantially flat surface. Therefore, even if the OLED layer 22 is separated between the sub-pixels 100, it is possible to prevent the common electrode 24 from forming a step.
  • the height of the first surface of the second electrode 23 and the first surface of the insulating layer 16 means the position in the thickness direction of the display device 10A with reference to the first surface of the substrate 11A. do.
  • the insulating layer 16 may be composed of multiple layers. At least one of the refractive index and composition of the layers may be different from each other. At least one of the refractive index and the composition of the plurality of layers is different from each other. Both the refractive index and the composition of the layers are different in each of the layers.
  • the insulating layer 16 may be an organic insulating layer, an inorganic insulating layer, or a laminate of these layers. Materials similar to those of the insulating layer 12 can be exemplified as materials for the organic insulating layer and the inorganic insulating layer.
  • the common electrode 24 is provided on the first surface of the insulating layer 16 and the first surface of the second electrode 23 .
  • the common electrode 24 is preferably a substantially flat layer in the display area 110a.
  • Step of forming first electrode 21 and contact portion 14, step of forming insulating layer 12, and step of forming light emitting elements 20R, 20G, and 20B First, as shown in FIGS. 3A to 3D, the process of forming the first electrode 21 and the contact portion 14, the process of forming the insulating layer 12, and the process of forming the light emitting elements 20R, 20G, and 20B are the same as those of the first embodiment. Do the same. Thus, a plurality of light emitting elements 20R, a plurality of light emitting elements 20G, and a plurality of light emitting elements 20B are formed on the first surface of the circuit board 11. FIG. In addition, the resist layer 31 remains on the light emitting element 20G, the light emitting element 20G, and the first surface of the light emitting element 20G.
  • Step of forming insulating layer 16 Next, as shown in FIG. 6A, the insulating layer 16 is formed on the first surface of the circuit board 11 by, eg, CVD. At this time, the film formation conditions for the insulating layer 16 are set so that the thickness of the insulating layer 16 is greater than the total thickness of the OLED layer 22 and the second electrode 23 .
  • Step of forming resist layer 32 Next, as shown in FIG. 6B, a resist layer 32 is formed on the first surface of the insulating layer 16 by spin coating, for example. As a result, the uneven surface of the insulating layer 16 is buried in the resist layer 32 to form a flat surface. In the step of forming the insulating layer 16, if the insulating layer 16 is thick enough to prevent irregularities caused by the shapes of the plurality of light emitting elements 20 from occurring on the first surface of the insulating layer 16, the resist layer 16 is formed. The forming step of 32 may be omitted.
  • Step of removing resist layer 32 and insulating layer 16 Next, as shown in FIG. 7A, the resist layer 32 and the insulating layer 16 are removed by, for example, an etch-back method until the first surface of the second electrode 23 is exposed. Thereby, a substantially flat surface is formed by the first surface of the insulating layer 16 and the first surface of the light emitting element 20 .
  • Step of exposing contact portion 14 Next, as shown in FIG. 7B, the insulating layer 16 located on the contact portion 14 is removed to expose the first surface of the contact portion 14 from the insulating layer 16 using, for example, a photolithographic technique and an etching technique. .
  • Step of forming common electrode 24 Next, for example, by vapor deposition or sputtering, as shown in FIG. 7C, common layers are formed over the first surfaces of the plurality of light emitting elements 20, the first surfaces of the insulating layers 16, and the first surfaces of the contact portions 14. An electrode 24 is formed.
  • Step of forming protective layer 15 Next, the protective layer 15 is formed on the first surface of the common electrode 24 as passivation by, for example, CVD or vapor deposition. Thus, the display device 10A shown in FIG. 5 is obtained.
  • Patent Literature 1 describes a technique for separating organic compound layers 22 including light emitting layers between light emitting elements 20 .
  • a plurality of steps are generated on the surface of the substrate 10 . If a plurality of steps occur, the second upper electrode layer 27 may be formed along the steps, and the second upper electrode layer 27 may be cut.
  • the connection distance between the wiring connection portion (contact portion) 24 and the light-emitting pixel 20 by the second upper electrode layer 27 is increased (that is, the resistance between the wiring connection portion 24 and the light-emitting pixel 20 is increased). . Therefore, the display quality may deteriorate.
  • the common electrode 24 can be made substantially flat in the display area 110a. . Therefore, even if the OLED layer 22 is separated between the sub-pixels 100, the common electrode 24 is disconnected and the connection distance between the contact portion 14 and the light emitting element 20 by the common electrode 24 is increased (i.e., the contact portion 14 and the light emitting element 20 are connected). 20) can be suppressed. Therefore, deterioration in display quality can be suppressed.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a display device 10B according to the third embodiment.
  • the display device 10B differs from the display device 10 according to the first embodiment in that an insulating layer 17 is provided between the sidewalls 13 (see FIG. 2) of the adjacent light emitting elements 20.
  • FIG. 8 is a cross-sectional view showing an example of the configuration of a display device 10B according to the third embodiment.
  • the display device 10B differs from the display device 10 according to the first embodiment in that an insulating layer 17 is provided between the sidewalls 13 (see FIG. 2) of the adjacent light emitting elements 20.
  • the insulating layer 17 is provided on the first surface of the insulating layer 12 .
  • An insulating layer 17 covers the sidewalls 13 .
  • An inter-element insulating layer (second insulating layer) 26 that insulates adjacent light emitting elements 20 is composed of the insulating layer 12 and the insulating layer 17 .
  • the height of the first surface of the insulating layer 17 is preferably substantially the same as the height of the first surface (top portion) of the light emitting element 20 .
  • the first surface of the insulating layer 17 and the first surface of the light emitting element 20 form a substantially flat surface, and the common electrode 24 can be formed on this substantially flat surface. Therefore, even if the OLED layer 22 is separated between the sub-pixels 100, it is possible to prevent the common electrode 24 from forming a step.
  • the height of the first surface of the second electrode 23 and the first surface of the insulating layer 17 means the position in the thickness direction of the display device 10B with reference to the first surface of the substrate 11A. do.
  • At least one of the refractive index and composition of the sidewall 13 and the insulating layer 17 may be different. That at least one of the refractive index and composition of the sidewall 13 and the insulating layer 17 is different from each other means that the refractive index of the sidewall 13 and the insulating layer 17 is different from each other, and that the composition of the sidewall 13 and the insulating layer 17 is different from each other. different, or that both the refractive index and the composition of the sidewall 13 and the insulating layer 17 are different.
  • the insulating layer 17 may be composed of a plurality of layers. At least one of the refractive index and composition of the layers may be different from each other.
  • the common electrode 24 is provided on the first surface of the insulating layer 17 and the first surface of the second electrode 23 .
  • the common electrode 24 is preferably a substantially flat layer in the display area 110a.
  • Step of forming first electrode 21 and contact portion 14, step of forming insulating layer 12, step of forming light emitting elements 20R, 20G, and 20B, and step of forming sidewall 13 First, as shown in FIGS. 3A to 3D, 4A, and 4B, the first electrode 21 and the contact portion 14 are formed, the insulating layer 12 is formed, the light emitting elements 20R, 20G, and 20B are formed, and A step of forming the sidewalls 13 is performed in the same manner as in the first embodiment.
  • a plurality of light emitting elements 20R each having sidewalls 13, a plurality of light emitting elements 20G each having sidewalls 13, and a plurality of light emitting elements 20B each having sidewalls 13 are formed on the first surface of circuit board 11. be done.
  • Step of forming insulating layer 16 Next, as shown in FIG. 9A, the insulating layer 17 is formed on the first surface of the circuit board 11 by, for example, CVD. At this time, the film formation conditions for the insulating layer 17 are set so that the thickness of the insulating layer 17 is greater than the total thickness of the OLED layer 22 and the second electrode 23 .
  • Step of forming resist layer 33 Next, as shown in FIG. 9B, a resist layer 33 is formed on the first surface of the insulating layer 17 by spin coating, for example. As a result, the uneven surface of the insulating layer 17 is buried in the resist layer 33 to form a flat surface. In the process of forming the insulating layer 17, if the thickness of the insulating layer 17 is large enough to prevent irregularities caused by the shapes of the plurality of light emitting elements 20 from occurring on the first surface of the insulating layer 17, the resist layer 17 is formed. The forming step of 33 may be omitted.
  • Step of removing resist layer 32 and insulating layer 17 Next, as shown in FIG. 10A, the resist layer 33 and the insulating layer 17 are removed by, for example, an etch-back method until the first surface of the second electrode 23 is exposed. Thereby, a substantially flat surface is formed by the first surface of the insulating layer 17 and the first surface of the light emitting element 20 .
  • Step of exposing contact portion 14 Next, as shown in FIG. 10B, the insulating layer 17 located on the contact portion 14 is removed to expose the first surface of the contact portion 14 from the insulating layer 17 using, for example, a photolithography technique and an etching technique. .
  • Step of forming common electrode 24 Next, for example, by vapor deposition or sputtering, as shown in FIG. 10C, the first surface of the plurality of light emitting elements 20, the first surface of the insulating layer 17, and the first surface of the contact portion 14 are commonly coated. An electrode 24 is formed.
  • Step of forming protective layer 15 Next, the protective layer 15 is formed on the first surface of the common electrode 24 as passivation by, for example, CVD or vapor deposition. Thereby, the display device 10B shown in FIG. 8 is obtained.
  • the display device 10 may further include a light shielding layer 18 .
  • the light shielding layer 18 absorbs and shields the light emitted from the light emitting element 20 . Further, the light shielding layer 18 absorbs and shields external light incident on the display surface of the display device 10 .
  • the light shielding layer 18 is provided on the first surface of the common electrode 24 .
  • the light shielding layer 18 follows the common electrode 24 .
  • the light shielding layer 18 has a plurality of openings 18a. Each opening 18a allows the light emitted from the light emitting element 20 to pass therethrough. Each opening 18 a is provided corresponding to the light emitting element 20 . More specifically, each opening 18 a is provided above the light emitting element 20 .
  • the light shielding layer 18 preferably covers the sidewalls 13 .
  • the light shielding layer 18 preferably covers the contact portion 14 . As a result, external light incident on the contact portion 14 can be absorbed by the light shielding layer 18 . Therefore, reflection of outside light by the contact portion 14 can be suppressed.
  • FIG. 11 shows an example in which a portion of the first surface of the contact portion 14 is covered with the light shielding layer 18, but from the viewpoint of suppressing reflection of external light by the contact portion 14, the contact portion The entire first surface of 14 is preferably covered with light shielding layer 18 .
  • the light shielding layer 18 contains, for example, a light absorbing material.
  • the light absorbing material includes, for example, at least one selected from the group consisting of black resin materials and black metal-containing materials.
  • a black resin material includes, for example, a carbon material such as carbon black.
  • the black resin material is, for example, a black color resist.
  • Black metal-containing materials include, for example, titanium nitride (TiN x ) and the like.
  • the light shielding layer 18 is provided on the first surface of the common electrode 24 , so the light shielding layer 18 can be brought closer to the OLED layer 22 .
  • the light shielding layer 18 covers the sidewall 13 and is arranged in the region between the adjacent light emitting elements 20 . Therefore, light leakage to the adjacent sub-pixels 100 can be suppressed.
  • the display device in which the light shielding layer is arranged on the second surface of the counter substrate it is difficult to suppress light leakage to the adjacent sub-pixels 100 because the light shielding layer is separated from the light emitting element.
  • the display device 10A according to the second embodiment may further include a light blocking layer 18 on the first surface of the common electrode 24. As shown in FIG. Thereby, light leakage to the adjacent sub-pixels 100 can be suppressed.
  • the display device 10B according to the third embodiment may further include a light shielding layer 18 on the first surface of the common electrode 24. FIG. Thereby, light leakage to the adjacent sub-pixels 100 can be suppressed.
  • the display device 10B may further include a light shielding layer 18 between the sidewall 13 and the insulating layer 17 and between the insulating layer 12 and the insulating layer 17. . Also in this configuration, light leakage to the adjacent sub-pixels 100 can be suppressed.
  • the display device 10B includes a light shielding layer 18 between the sidewall 13 and the insulating layer 17 and between the insulating layer 12 and the insulating layer 17, and also includes the light shielding layer 18 on the first surface of the common electrode 24. may be
  • the peripheral edge of the OLED layer 22 is positioned inside the peripheral edge of the first electrode 21.
  • the aperture ratio of the display device 10 can be improved.
  • the peripheral edge of the OLED layer 22 may substantially match the peripheral edge of the first electrode 21, and the side surface of the OLED layer 22 and the side surface of the first electrode 21 may be substantially flush. Also in this case, the aperture ratio of the display device 10 can be improved.
  • the height of the top of the sidewall 13 is substantially the same as the height of the first surface of the second electrode 23. However, as shown in FIG. may be higher than the height of the first surface of the second electrode 23 . Alternatively, as shown in FIG. 16, the height of the top of the sidewall 13 may be lower than the height of the first surface of the second electrode 23 .
  • the common electrode 24 is positioned between the first surface of the second electrode 23 and the second electrode 23 . Since it is in contact with both the side surfaces, the connection resistance between the common electrode 24 and the second electrode 23 can be reduced.
  • the top of the sidewall 13 is a convex curved surface
  • the vertical cross section of the sidewall 13 may have a rectangular shape.
  • the longitudinal section represents a section parallel to the thickness direction of the display device 10 and cut so as to pass through the geometric center of the sub-pixel 100 in plan view.
  • the insulating material covering the side surface of the OLED layer 22 is the sidewall 13, but the insulating material may be the insulating layer 19 as shown in FIG.
  • the insulating layer 19 may be provided on the peripheral portion of the first surface of the first electrode 21 and on the insulating layer 12 .
  • the insulating layer 19 may have a protruding portion 19 a protruding from the first surface of the second electrode 23 at the periphery of the light emitting element 20 .
  • An inter-element insulating layer (first insulating layer) 27 for insulating adjacent light emitting elements 20 may be composed of the insulating layer 12 and the insulating layer 19 .
  • three sub-pixels 100R, 100G, and 100B may have a hexagonal shape in plan view and be arranged in a delta arrangement.
  • one pixel 101 may be composed of three sub-pixels 100R, 100G, and 100B arranged in a delta arrangement.
  • four sub-pixels 100R, 100G, 100B, and 100B may have a square shape in plan view and be arranged in a square, as shown in FIG. 20B.
  • one pixel 101 may be composed of four sub-pixels 100R, 100G, 100B, and 100B arranged in a delta arrangement.
  • the sub-pixels 100B, 100B may be arranged diagonally in a square arrangement.
  • the diagonally arranged sub-pixels 100B, 100B may be electrically connected as shown in FIG. 21A.
  • the first electrodes 21 of the sub-pixels 100B and 100B arranged diagonally may be electrically connected to each other, or the first electrodes 21 of the sub-pixels 100B and 100B arranged diagonally may be electrically connected to each other.
  • the one electrodes 21 and the second electrodes 23 may be electrically connected.
  • three sub-pixels 100R, 100G, and 100B may have a rectangular shape in plan view and be arranged in stripes.
  • one pixel 101 may be composed of three sub-pixels 100R, 100G, and 100B arranged in the horizontal direction of the display surface.
  • the rectangular sub-pixels 100R, 100G, and 100B may be arranged such that their long sides are parallel to the vertical direction of the display surface.
  • a plurality of sub-pixels 100R of the same color form a column extending in the vertical direction of the display surface
  • a plurality of sub-pixels 100G of the same color form a column extending in the vertical direction of the display surface
  • a plurality of sub-pixels 100B of the same color form a column extending in the vertical direction of the display surface.
  • the display device 10 may further include color filters on or above the protective layer 15 .
  • the color filter includes, for example, a red filter portion, a blue filter portion and a green filter portion.
  • the color filter may further include a light shielding portion between each color filter portion.
  • the red filter section is provided above the light emitting element 20R
  • the green filter section is provided above the light emitting element 20G
  • the blue filter section is provided above the light emitting element 20B. Since the display device 10A includes the color filter as described above, the color purity of the display device 10 can be improved.
  • the display device 10A according to the second embodiment and the display device 10B according to the third embodiment may further include color filters.
  • the display device 10 may include a plurality of common electrodes 24 in the display area 110a, and the plurality of light emitting elements 20 included in the display area 110a may form a plurality of groups. Each group may be composed of two or more adjacent light emitting elements 20 .
  • the multiple common electrodes 24 are arranged in the in-plane direction.
  • Each second electrode 23 of two or more light emitting elements 20 forming one group may be connected to one common electrode 24 .
  • the in-plane direction means the in-plane direction on the first surface of the substrate 11A.
  • the sub-pixels 100R, 100G and 100B may have first, second and third resonator structures, respectively.
  • the first resonator structure can resonate and emphasize the red light contained in the light emitted by the OLED layer 22R.
  • the second resonator structure can resonate and enhance the green light contained in the light emitted by the OLED layer 22G.
  • the third resonator structure can resonate and emphasize the blue light contained in the light emitted from the OLED layer 22B.
  • the first, second and third resonator structures may be composed of the first electrode 21 and the second electrode 23 . More specifically, for example, the optical path length between the first electrode 21 and the second electrode 23 in the red sub-pixel 100R may be set to the spectral peak wavelength of the red sub-pixel 100R. The optical path length between the first electrode 21 and the second electrode 23 in the green subpixel 100G may be set to the spectral peak wavelength of the green subpixel 100G. The optical path length between the first electrode 21 and the second electrode 23 in the blue sub-pixel 100B may be set to the spectral peak wavelength of the blue sub-pixel 100B.
  • the optical path length between the first electrode 21 and the second electrode 23 is determined by setting the first electrode 21 to have a different thickness for each of the light emitting elements 20R, 20G, and 20B. It may be adjusted by setting the surfaces to different heights for the light emitting elements 20R, 20G, and 20B.
  • the display device 10 may include a semi-transmissive reflective layer provided above the common electrode 24, and the first electrode 21 and the semi-transmissive reflective layer may form a resonator structure. More specifically, for example, the optical path length between the first electrode 21 and the transflective layer in the red sub-pixel 100R may be set to the spectrum peak wavelength of the red sub-pixel 100R. The optical path length between the first electrode 21 and the transflective layer in the green sub-pixel 100G may be set to the spectral peak wavelength of the green sub-pixel 100G. The optical path length between the first electrode 21 and the transflective layer in the blue sub-pixel 100B may be set to the spectral peak wavelength of the blue sub-pixel 100B.
  • the optical path length between the first electrode 21 and the semi-transmissive reflective layer is determined by providing a protective layer between the common electrode 24 and the semi-transmissive reflective layer, and providing the protective layer with different thicknesses for each of the light emitting elements 20R, 20G, and 20B. may be adjusted by setting the
  • the display device 10 may include a reflective layer provided below the first electrode 21 , and the reflective layer and the second electrode 23 may form a resonator structure. More specifically, for example, the optical path length between the reflective layer and the second electrode 23 in the red sub-pixel 100R may be set to the spectrum peak wavelength of the red sub-pixel 100R. The optical path length between the reflective layer and the second electrode 23 in the green subpixel 100G may be set to the spectral peak wavelength of the green subpixel 100G. The optical path length between the reflective layer and the second electrode 23 in the blue sub-pixel 100B may be set to the spectral peak wavelength of the blue sub-pixel 100B. In the above configuration, a transparent electrode is used as the first electrode 21 .
  • the optical path length between the reflective layer and the second electrode 23 is adjusted by providing an insulating layer as an optical path length adjusting layer between the reflective layer and the first electrode 21, and using the insulating layer in each of the light emitting elements 20R, 20G, and 20B. It may be adjusted by setting different thicknesses.
  • the color purity of the display device 10 can be improved.
  • the sub-pixels 100R, 100G, and 100B of the display device 10A according to the second embodiment and the display device 10B according to the third embodiment respectively have the first, second, and third resonator structures. good too.
  • each light-emitting element includes, in order, a first electrode, an organic layer including a light-emitting layer, and a second electrode; the first electrode, the organic layer and the second electrode are separated for each light emitting element;
  • the common electrode is provided on the second electrodes of two or more of the light emitting elements,
  • the display device wherein the insulating material covers a side surface of the organic layer of each of the light emitting elements.
  • the insulating material includes a plurality of sidewalls;
  • the periphery of the organic layer is positioned inside the periphery of the first electrode;
  • the inner periphery of the sidewall is located inside the periphery of the first electrode;
  • the insulating material is a second insulating layer provided between the adjacent light emitting elements.
  • the second insulating layer is composed of a plurality of layers, The display device according to (7) or (8), wherein at least one of refractive index and composition of the plurality of layers is different from each other among the plurality of layers. (10) further equipped with a light-shielding layer, The light shielding layer is provided on the common electrode, The display device according to any one of (1) to (9), wherein the light shielding layer has a plurality of openings, and each opening is provided corresponding to the light emitting element.
  • the auxiliary electrode is provided on the periphery of the region in which the plurality of light emitting elements are provided, the auxiliary electrode is connected to the common electrode;
  • An electronic device comprising the display device according to any one of (1) to (12).
  • the display devices 10, 10A, and 10B (hereinafter referred to as "display devices 10 and the like") according to the first to third embodiments and modifications thereof can be used in various electronic devices.
  • the display device 10 and the like may be incorporated into various electronic devices as a module as shown in FIG. 22, for example. In particular, it is suitable for electronic viewfinders of video cameras, single-lens reflex cameras, head-mounted displays, and the like, which require high resolution and are used in close proximity to the eyes.
  • This module has an exposed area 210 which is not covered with the protective layer 15 or the like on one short side of the circuit board 11, and wiring of the signal line driving circuit 111 and the scanning line driving circuit 112 is provided in this area 210.
  • An external connection terminal (not shown) may be formed as an extension.
  • a flexible printed circuit (FPC) 220 for signal input/output may be connected to the external connection terminal.
  • FPC flexible printed circuit
  • FIG. 1 This digital still camera 310 is of an interchangeable single-lens reflex type, and has an interchangeable photographing lens unit (interchangeable lens) 312 in approximately the center of the front of a camera main body (camera body) 311, and on the left side of the front. It has a grip portion 313 for a photographer to hold.
  • interchangeable photographing lens unit interchangeable lens
  • a monitor 314 is provided at a position shifted to the left from the center of the back surface of the camera body 311 .
  • An electronic viewfinder (eyepiece window) 315 is provided above the monitor 314 . By looking through the electronic viewfinder 315, the photographer can view the optical image of the subject guided from the photographing lens unit 312 and determine the composition.
  • the electronic viewfinder 315 includes any one of the display device 10 and the like.
  • FIG. 24 shows an example of the appearance of the head mounted display 320.
  • the head-mounted display 320 has, for example, ear hooks 322 on both sides of an eyeglass-shaped display 321 to be worn on the user's head.
  • the display unit 321 includes any one of the display device 10 and the like.
  • FIG. 25 shows an example of the appearance of the television device 330.
  • the television apparatus 330 has, for example, an image display screen portion 331 including a front panel 332 and a filter glass 333, and the image display screen portion 331 includes any one of the display device 10 and the like.
  • REFERENCE SIGNS LIST 10 10A, 10B display device 11 circuit board 11A substrate 11B insulating layer 12 insulating layer 13 sidewall 13a insulating layer 14 contact portion 14A contact plug 15 protective layer 16 insulating layer 17 insulating layer 18 light shielding layer 18a opening 19 insulating layer 20 light emitting element 21 first electrode 21A contact plug 22R, 22G, 22B OLED layer 23 second electrode 24 common electrode 25 insulating layer between elements (first insulating layer) 26 Inter-element insulating layer (second insulating layer) 27 Inter-element insulating layer (first insulating layer) 31, 32, 33 resist layer 100R, 100G, 100B sub-pixel 110a display area 110b peripheral area 111 signal line driving circuit 111a signal line 112 scanning line driving circuit 112a scanning line 310 digital still camera (electronic device) 320 head mounted display (electronic equipment) 330 Television equipment (electronic equipment)

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Abstract

共通電極が有機層の側面と接触することを抑制することができる表示装置を提供する。　表示装置は、複数の発光素子と、絶縁材と、共通電極とを備える。複数の発光素子は、２次元配置されている。各発光素子は、第１の電極と、発光層を含む有機層と、第２の電極とを順に備える。第１の電極、有機層および第２の電極は、発光素子ごとに分離されている。共通電極は、２つ以上の発光素子の第２の電極上に設けられている。絶縁材は、各発光素子の有機層の側面を覆う。

Description

表示装置および電子機器
　本開示は、表示装置およびそれを備える電子機器に関する。
　近年、ＯＬＥＤ（Organic Light Emitting Diode）表示装置は、広く普及している。ＯＬＥＤ表示装置は、回路基板上に２次元配置された複数の発光素子を備え、各発光素子は、第１の電極と、発光層を含む有機層と、第２の電極とを順に備える。
　ＯＬＥＤ表示装置の特性向上するために、発光素子の構成について種々検討されている。特許文献１には、下部電極と、有機化合物層と、上部電極とを有し、当該上部電極が、第１の上部電極層と第２の上部電極層（共通電極）とを有する発光素子が開示されている。また、特許文献１には、有機化合物層の膜端が上部電極、より具体的には上部電極を構成する第１の上部電極層および第２の上部電極層により被覆されることで、有機化合物層の劣化を改善できることが開示されている。
特開２０１６－２１３８０号公報
　しかしながら、特許文献１に記載の表示装置では、第２の上部電極層（共通電極）が有機化合物層（発光層を含む有機層）の側面と接触するため、下部電極と第２の上部電極層がショートする虞がある。また、第２の上部電極層が有機化合物層の側面と接触すると、異常発光が有機化合物層の側面で発生する虞もある。特に有機化合物層が導電性の高い材料または導電性の高い層を含む場合には、下部電極と第２の上部電極層のショートや、有機化合物層の側面での異常発光が生じやすい。
　本開示の目的は、共通電極が有機層の側面と接触することを抑制することができる表示装置およびそれを備える電子機器を提供することにある。
　上述の課題を解決するために、本開示に係る表示装置は、
　複数の発光素子と、
　絶縁材と、
　共通電極と
　を備え、
　複数の発光素子は、２次元配置され、
　各発光素子は、第１の電極と、発光層を含む有機層と、第２の電極とを順に備え、
　第１の電極、有機層および第２の電極は、発光素子ごとに分離され、
　共通電極は、２つ以上の発光素子の第２の電極上に設けられ、
　絶縁材は、各発光素子の有機層の側面を覆う。
　本開示に係る電子機器は、本開示に係る表示装置を備える。
　本開示に係る表示装置において、絶縁材が、複数のサイドウォールを含み、各サイドウォールが発光素子の側面、例えば発光素子が含む有機層の側面を覆っていてもよい。
　本開示に係る表示装置において、絶縁材が、隣接する発光素子の間に設けられた素子間絶縁層であり、当該素子間絶縁層が、各発光素子の側面、例えば発光素子が含む有機層の側面を覆っていてもよい。
図１は、第１の実施形態に係る表示装置の全体構成の一例を示す概略図である。 図２は、第１の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図３Ａ、図３Ｂ、図３Ｃ、図３Ｄはそれぞれ、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図４Ａ、図４Ｂはそれぞれ、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図５は、第２の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図６Ａ、図６Ｂはそれぞれ、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図７Ａ、図７Ｂ、図７Ｃはそれぞれ、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図８は、第３の実施形態に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図９Ａ、図９Ｂはそれぞれ、第３の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図１０Ａ、図１０Ｂ、図１０Ｃはそれぞれ、第３の実施形態に係る表示装置の製造方法の一例を説明するための工程図である。 図１１は、変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図１２は、変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図１３は、変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図１４は、変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図１５は、変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図１６は、変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図１７は、変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図１８は、変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図１９は、変形例に係る表示装置の構成の一例を示す断面図である。 図２０Ａ、図２０Ｂはそれぞれ、変形例に係る表示装置の構成の一例を示す平面図である。 図２１Ａ、図２１Ｂはそれぞれ、変形例に係る表示装置の構成の一例を示す平面図である。 図２２は、モジュールの概略構成の一例を示す平面図である。 図２３Ａは、デジタルスチルカメラの外観の一例を示す正面図である。図２３Ｂは、デジタルスチルカメラの外観の一例を示す背面図である。 図２４は、ヘッドマウントディスプレイの外観の一例を斜視図である。 図２５は、テレビジョン装置の外観の一例を示す斜視図である。
　本開示の実施形態および実施例について以下の順序で説明する。なお、以下の実施形態の全図においては、同一または対応する部分には同一の符号を付す。
　１　第１の実施形態（表示装置の例）
　２　第２の実施形態（表示装置の例）
　３　第３の実施形態（表示装置の例）
　４　変形例（表示装置の変形例）
　５　応用例（電子機器の例）
＜１　第１の実施形態＞
［表示装置１０の構成］
　図１は、第１の実施形態に係る表示装置１０の全体構成の一例を示す概略図である。表示装置１０は、ＯＬＥＤ表示装置であり、表示領域１１０ａと、表示領域１１０ａの周縁に設けられた周辺領域１１０ｂとを有している。表示領域１１０ａ内には、複数のサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂがデルタ状またはマトリクス状等の規定の配置パターンで２次元配置されている。なお、図１では、複数のサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂがマトリクス状に２次元配置された例が示されている。
　サブ画素１００Ｒは、赤色を表示することができる。サブ画素１００Ｇは、緑色を表示することができる。サブ画素１００Ｂは、青色を表示することができる。赤色は、３原色のうち第１の原色の一例である。緑色は、３原色のうち第２の原色の一例である。青色は、３原色のうち第３の原色の一例である。なお、以下の説明において、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂを特に区別せず総称する場合には、サブ画素１００という。表示面の水平方向（行方向）に隣接する３つのサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの組み合わせが一つの画素（ピクセル）１０１を構成している。図１では、水平方向（行方向）に隣接する３つのサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂの組み合わせが一つの画素１０１を構成する例が示されているが、画素１０１の構成はこれに限定されるものではない。サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂは、例えば、平面視において長方形状等の四角形状を有する。本明細書において、長方形状には、正方形状も含まれるものとする。本明細書において、平面視とは、表示装置１０の表示面に対して垂直な方向から対象物が見られたときの平面視を意味する。
　周辺領域１１０ｂには、映像表示用のドライバである信号線駆動回路１１１および走査線駆動回路１１２が設けられている。信号線駆動回路１１１は、信号供給源（図示せず）から供給される輝度情報に応じた映像信号の信号電圧を、信号線１１１ａを介して選択されたサブ画素１００に供給するものである。走査線駆動回路１１２は、例えば、入力されるクロックパルスに同期してスタートパルスを順にシフト（転送）するシフトレジスタ等によって構成される。走査線駆動回路１１２は、各サブ画素１００への映像信号の書き込みに際し行単位でそれらを走査し、各走査線１１２ａに走査信号を順次供給するものである。
　表示装置１０は、発光装置の一例である。表示装置１０は、トップエミッション方式のＯＬＥＤ表示装置である。表示装置１０は、マイクロディスプレイであってもよい。表示装置１０は、ＶＲ（Virtual Reality）装置、ＭＲ（Mixed Reality）装置、ＡＲ（Augmented Reality）装置、電子ビューファインダ（Electronic View Finder：ＥＶＦ）または小型プロジェクタ等に備えられてもよい。
　以下の説明において、表示装置１０を構成する各層において、表示装置１０のトップ側（表示面側）となる面を第１の面といい、表示装置１０のボトム側（表示面とは反対側）となる面を第２の面という。
　図２は、第１の実施形態に係る表示装置１０の構成の一例を示す断面図である。表示装置１０は、回路基板１１と、複数の発光素子２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂと、共通電極２４と、絶縁層１２と、複数のサイドウォール１３と、コンタクト部１４と、保護層１５とを備える。なお、以下の説明において、発光素子２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂを特に区別せず総称する場合には、発光素子２０という。
（回路基板１１）
　回路基板１１は、いわゆるバックプレーンであり、複数の発光素子２０を駆動する。回路基板１１は、基板１１Ａと、絶縁層１１Ｂとを備える。複数の発光素子２０を駆動する駆動回路、および複数の発光素子２０に電力を供給する電源回路等（いずれも図示せず）が、回路基板１１の第１の面に設けられている。
　基板１１Ａは、例えば、トランジスタ等の形成が容易な半導体で構成されていてもよいし、水分および酸素の透過性が低いガラスまたは樹脂で構成されていてもよい。具体的には、基板１１Ａは、半導体基板、ガラス基板または樹脂基板等であってもよい。半導体基板は、例えば、アモルファスシリコン、多結晶シリコンまたは単結晶シリコン等を含む。ガラス基板は、例えば、高歪点ガラス、ソーダガラス、ホウケイ酸ガラス、フォルステライト、鉛ガラスまたは石英ガラス等を含む。樹脂基板は、例えば、ポリメチルメタクリレート、ポリビニルアルコール、ポリビニルフェノール、ポリエーテルスルホン、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリエチレンテレフタラートおよびポリエチレンナフタレート等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
　絶縁層１１Ｂは、基板１１Ａの第１の面に設けられ、駆動回路および電源回路等を覆う。絶縁層１１Ｂは、複数のコンタクトプラグ１４Ａおよび複数のコンタクトプラグ２１Ａを内部に備える。コンタクトプラグ１４Ａおよびコンタクトプラグ２１Ａは、発光素子２０と駆動回路等とを電気的に接続する接続部材である。コンタクトプラグ１４Ａおよびコンタクトプラグ２１Ａは、例えば、銅（Ｃｕ）およびチタン（Ｔｉ）等からなる群より選ばれた少なくとも１種の金属を含む。
　絶縁層１１Ｂは、有機絶縁層であってもよいし、無機絶縁層であってもよし、これらの積層体であってもよい。有機絶縁層は、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂およびノボラック系樹脂等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。無機絶縁層は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）および酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
（発光素子２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂ）
　発光素子２０Ｒは、サブ画素１００Ｒを構成する。発光素子２０Ｇは、サブ画素１００Ｇを構成する。発光素子２０Ｂは、サブ画素１００Ｂを構成する。発光素子２０Ｒは、赤色ＯＬＥＤ素子であり、駆動回路等の制御に基づき、赤色光を発光することができる。発光素子２０Ｇは、緑色ＯＬＥＤ素子であり、駆動回路等の制御に基づき、緑色光を発光することができる。発光素子２０Ｂは、青色ＯＬＥＤ素子であり、駆動回路等の制御に基づき、青色光を発光することができる。上記各色のＯＬＥＤ素子は、Ｍｉｃｒｏ－ＯＬＥＤ（ＭＯＬＥＤ）素子であってもよい。複数の発光素子２０は、デルタ状またはマトリクス状等の規定の配置パターンで回路基板１１の第１の面上に２次元配置されている。
　発光素子２０Ｒは、第１の電極２１と、ＯＬＥＤ層２２Ｒと、第２の電極２３とを順に回路基板１１の第１の面上に備える。発光素子２０Ｇは、第１の電極２１と、ＯＬＥＤ層２２Ｇと、第２の電極２３とを順に回路基板１１の第１の面上に備える。発光素子２０Ｂは、第１の電極２１と、ＯＬＥＤ層２２Ｂと、第２の電極２３とを順に回路基板１１の第１の面上に備える。なお、以下の説明において、ＯＬＥＤ層２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂを特に区別せず総称する場合には、ＯＬＥＤ層２２という。
（第１の電極２１）
　第１の電極２１は、アノードである。第１の電極２１と第２の電極２３の間に電圧が加えられると、第１の電極２１からＯＬＥＤ層２２にホールが注入される。第１の電極２１は、回路基板１１の第１の面上に設けられている。第１の電極２１は、サブ画素１００ごとに、すなわち発光素子２０ごとに分離されている。
　第１の電極２１は、例えば、金属層により構成されていてもよいし、金属層と透明導電性酸化物層により構成されていてもよい。第１の電極２１が金属層と透明導電性酸化物層により構成されている場合には、高い仕事関数を有する層をＯＬＥＤ層２２に隣接させる観点からすると、透明導電性酸化物層がＯＬＥＤ層２２側に設けられることが好ましい。
　金属層は、ＯＬＥＤ層２２で発光された光を反射する反射層としての機能も有している。金属層は、例えば、クロム（Ｃｒ）、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、モリブデン（Ｍｏ）、チタン（Ｔｉ）、タンタル（Ｔａ）、アルミニウム（Ａｌ）、マグネシウム（Ｍｇ）、鉄（Ｆｅ）、タングステン（Ｗ）および銀（Ａｇ）からなる群より選ばれた少なくとも１種の金属元素を含む。金属層は、上記少なくとも１種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。合金の具体例としては、アルミニウム合金または銀合金が挙げられる。アルミニウム合金の具体例としては、例えば、ＡｌＮｄまたはＡｌＣｕが挙げられる。
　下地層（図示せず）が、金属層の第２の面側に隣接して設けられていてもよい。下地層は、金属層の成膜時に、金属層の結晶配向性を向上させるためのものである。下地層は、例えば、チタン（Ｔｉ）およびタンタル（Ｔａ）からなる群より選ばれた少なくとも１種の金属元素を含む。下地層は、上記少なくとも１種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。
　透明導電性酸化物層は、透明導電性酸化物を含む。透明導電性酸化物は、例えば、インジウムを含む透明導電性酸化物（以下「インジウム系透明導電性酸化物」という。）、錫を含む透明導電性酸化物（以下「錫系透明導電性酸化物」という。）および亜鉛を含む透明導電性酸化物（以下「亜鉛系透明導電性酸化物」という。）からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
　インジウム系透明導電性酸化物は、例えば、酸化インジウム錫（ＩＴＯ）、酸化インジウム亜鉛（ＩＺＯ）、酸化インジウムガリウム（ＩＧＯ）、酸化インジウムガリウム亜鉛（ＩＧＺＯ）またはフッ素ドープ酸化インジウム（ＩＦＯ）を含む。これらの透明導電性酸化物のうちでも酸化インジウム錫（ＩＴＯ）が特に好ましい。酸化インジウム錫（ＩＴＯ）は、仕事関数的にＯＬＥＤ層２２へのホール注入障壁が特に低いため、表示装置１０の駆動電圧を特に低電圧化することができるからである。錫系透明導電性酸化物は、例えば、酸化錫、アンチモンドープ酸化錫（ＡＴＯ）またはフッ素ドープ酸化錫（ＦＴＯ）を含む。亜鉛系透明導電性酸化物は、例えば、酸化亜鉛、アルミニウムドープ酸化亜鉛（ＡＺＯ）、ホウ素ドープ酸化亜鉛またはガリウムドープ酸化亜鉛（ＧＺＯ）を含む。
（ＯＬＥＤ層２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂ）
　ＯＬＥＤ層２２は、発光層を含む有機層の一例である。ＯＬＥＤ層２２Ｒは、第１の電極２１から注入された正孔と第２の電極２３から注入された電子との再結合により、赤色光を発光することができる。ＯＬＥＤ層２２Ｇは、第１の電極２１から注入された正孔と第２の電極２３から注入された電子との再結合により、緑色光を発光することができる。ＯＬＥＤ層２２Ｂは、第１の電極２１から注入された正孔と第２の電極２３から注入された電子との再結合により、青色光を発光することができる。
　ＯＬＥＤ層２２は、サブ画素１００ごとに、すなわち発光素子２０ごとに分離されている。ＯＬＥＤ層２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂはそれぞれ、発光素子２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂに含まれている。ＯＬＥＤ層２２は、第１の電極２１の第１の面上に設けられている。ＯＬＥＤ層２２の周縁は、第１の電極２１の周縁の内側に位置している。第１の電極２１の第１の面の周縁部は、ＯＬＥＤ層２２に覆われずに露出している。本明細書において、第１の面の周縁部とは、第１の面の周縁から内側に向かって、所定の幅を有する領域のことをいう。
　ＯＬＥＤ層２２Ｒは、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、赤色発光層、電子輸送層、電子注入層を第１の電極２１の第１の面上に順に備える。ＯＬＥＤ層２２Ｇは、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、緑色発光層、電子輸送層、電子注入層を第１の電極２１の第１の面上に順に備える。ＯＬＥＤ層２２Ｂは、例えば、正孔注入層、正孔輸送層、青色発光層、電子輸送層、電子注入層を第１の電極２１の第１の面上に順に備える。
　正孔注入層は、各発光層への正孔注入効率を高めると共に、リークを抑制するためのものである。正孔輸送層は、各発光層への正孔輸送効率を高めるためのものである。電子注入層は、各発光層への電子注入効率を高めるためのものである。電子輸送層は、各発光層への電子輸送効率を高めるためのものである。
　第１の電極２１と第２の電極２３の間に電圧が加えられると、赤色発光層、緑色発光層、青色発光層はそれぞれ、第１の電極２１から注入された正孔と第２の電極２３から注入された電子との再結合により、赤色光、緑色光、青色光を発光することができる。
（第２の電極２３）
　第２の電極２３は、カソードである。第１の電極２１と第２の電極２３の間に電圧が加えられると、第２の電極２３からＯＬＥＤ層２２に電子が注入される。第２の電極２３は、可視光に対して透明性を有する透明電極である。第２の電極２３は、ＯＬＥＤ層２２から出射された光を透過する。本明細書において、可視光とは、３６０ｎｍ以上８３０ｎｍの波長域の光をいう。
　第２の電極２３は、サブ画素１００ごとに、すなわち発光素子２０ごとに分離されている。第２の電極２３は、ＯＬＥＤ層２２の第１の面上に設けられている。第２の電極２３の側面は、ＯＬＥＤ層２２の側面と面一になっていてもよい。
　第２の電極２３は、できるだけ透過性が高く、かつ仕事関数が小さい材料によって構成されることが、発光効率を高める上で好ましい。第２の電極２３は、例えば、金属層および透明導電性酸化物層のうちの少なくとも一層により構成されている。より具体的には、第２の電極２３は、金属層もしくは透明導電性酸化物層の単層膜、または金属層と透明導電性酸化物層の積層膜により構成されている。第２の電極２３が金属層と透明導電性酸化物層の積層膜により構成されている場合、金属層がＯＬＥＤ層２２側に設けられてもよいし、透明導電性酸化物層がＯＬＥＤ層２２側に設けられてもよいが、第２の電極２３の第１の面の酸化を抑制する観点からすると、金属層がＯＬＥＤ層２２側に設けられていることが好ましい。
　金属層は、例えば、マグネシウム（Ｍｇ）、アルミニウム（Ａｌ）、銀（Ａｇ）、カルシウム（Ｃａ）およびナトリウム（Ｎａ）からなる群より選ばれた少なくとも１種の金属元素を含む。金属層は、上記少なくとも１種の金属元素を合金の構成元素として含んでいてもよい。合金の具体例としては、ＭｇＡｇ合金、ＭｇＡｌ合金またはＡｌＬｉ合金等が挙げられる。透明導電性酸化物層は、透明導電性酸化物を含む。透明導電性酸化物としては、上記の第１の電極２１の透明導電性酸化物と同様の材料を例示することができる。
（絶縁層１２）
　絶縁層１２は、分離された第１の電極２１の間を絶縁する。絶縁層１２は、回路基板１１の第１の面のうち、分離された第１の電極２１の間の部分に設けられている。絶縁層１２は、複数の開口１２ａを有する。複数の開口１２ａはそれぞれ、各発光素子２０に対応して設けられている。各第１の電極２１が、開口１２ａ内に設けられ、第１の電極２１の側面が絶縁層１２により覆われている。第１の電極２１の第１の面と絶縁層１２の第１の面の高さが、略同一であってもよい。ここで、第１の電極２１の第１の面と絶縁層１２の第１の面の高さとは、基板１１Ａの第１の面を基準とする、表示装置１０の厚さ方向における位置を意味する。本明細書において、略同一には、同一も含まれるものとする。各開口１２ａが、第１の電極２１の第１の面上に設けられていてもよい。すなわち、各第１の電極２１の第１の面の周縁部が、絶縁層１２により覆われていてもよい。
　絶縁層１２は、有機絶縁層であってもよいし、無機絶縁層であってもよいし、これらの積層体であってもよい。有機絶縁層は、例えば、ポリイミド系樹脂、アクリル系樹脂およびノボラック系樹脂等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。無機絶縁層は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）および酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
（サイドウォール１３）
　サイドウォール１３は、絶縁性を有している。サイドウォール１３は、絶縁材の一例である。サイドウォール１３は、第１の電極２１の第１の面の周縁部と共通電極２４の第２の面との間を絶縁する。サイドウォール１３は、ＯＬＥＤ層２２の側面と共通電極２４の第２の面との間を絶縁し、かつ、第２の電極２３の側面と共通電極２４の第２の面との間を絶縁する。サイドウォール１３の屈折率が、ＯＬＥＤ層２２の屈折率に比べて低くてもよい。
　サイドウォール１３は、ＯＬＥＤ層２２の側面と第２の電極２３の側面とを覆う。サイドウォール１３は、平面視において閉ループ状を有し、発光素子２０を囲む。本明細書において、平面視とは、表示装置１０の表示面に対して垂直な方向から対象物が見られたときの平面視を意味する。
　サイドウォール１３の頂部の高さと第２の電極２３の第１の面の高さは、略同一であってもよい。ここで、サイドウォール１３の頂部の高さと第２の電極２３の第１の面の高さとは、第１の電極２１の第１の面を基準とする、表示装置１０の厚さ方向における位置を意味する。サイドウォール１３の頂部は、サイドウォール１３の外周から内周に向かって高くなる凸状の湾曲面となっている。
　サイドウォール１３は、第１の電極２１と絶縁層１２の境界を跨ぐように、第１の電極２１の第１の面上および絶縁層１２の第１の面上に設けられている。サイドウォール１３の底面の内周は、第１の電極２１の周縁の内側に位置し、サイドウォール１３の底面の外周は、絶縁層１２の周縁の外側に位置している。すなわち、サイドウォール１３の底面の内周は、第１の電極２１の第１の面上に位置し、サイドウォール１３の底面の外周は、絶縁層１２の第１の面上に位置している。
　サイドウォール１３は、絶縁材料を含む。当該絶縁材料は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）および酸窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
（コンタクト部１４）
　コンタクト部１４は、共通電極２４と下地配線等（図示せず）を接続する補助電極である。コンタクト部１４の第１の面は、共通電極２４の第２の面の周縁部に電気的に接続されている。一方、コンタクト部１４の第２の面は、複数のコンタクトプラグ１４Ａを介して下地配線等に接続されている。本明細書において、共通電極２４の第２の面の周縁部とは、共通電極２４の第２の面の周縁から内側に向かって、所定の幅を有する領域をいう。
　コンタクト部１４は、回路基板１１の第１の面上のうち、表示領域１１０ａの周縁部分に設けられている。コンタクト部１４は、表示領域１１０ａを囲む閉ループ状を有していてもよいし、表示領域１１０ａの外周の一部に対向して設けられていてもよい。
　コンタクト部１４は、例えば、金属層および金属酸化物層のうちの少なくとも一層により構成されている。より具体的には例えば、コンタクト部１４は、金属層もしくは金属酸化物層の単層膜、または金属層と金属酸化物層の積層膜により構成されている。コンタクト部１４は、上記の第１の電極２１と同様の構成を有していることが好ましい。この場合、コンタクト部１４を第１の電極２１と同時に形成することができるので、表示装置１０の製造工程を簡略化することができる。
　コンタクト部１４の構成材料としては、上記の第１の電極２１と同様の材料を例示することができる。具体的には、コンタクト部１４の金属層、金属酸化物層の構成材料としてはそれぞれ、上記の第１の電極２１の金属層、金属酸化物層と同様の材料を例示することができる。
（共通電極２４）
　共通電極２４は、複数のサブ画素１００、すなわち複数の発光素子２０に共通なカソードである。共通電極２４は、表示領域１１０ａに含まれる複数の発光素子２０の第２の電極２３とコンタクト部１４とを電気的に接続する。第２の電極２３は、可視光に対して透明性を有する透明電極である。第２の電極２３は、発光素子２０から出射された光を透過する。
　共通電極２４は、表示領域１１０ａ内において複数のサブ画素１００、すなわち複数の発光素子２０に跨って設けられ、表示領域１１０ａ内において複数のサブ画素１００に共有されている。共通電極２４は、複数の発光素子２０がそれぞれ備える第２の電極２３の第１の面に電気的に接続されていると共に、複数のコンタクト部１４の第１の面に電気的に接続されている。共通電極２４は、共通電極２４と第２の電極２３の間の接続抵抗の低減の観点から、第２の電極２３の第１の面の全体に接していることが好ましい。コンタクト部１４は、共通電極２４とコンタクト部１４の間の接続抵抗の低減の観点から、第２の電極２３の第１の面の全体に接していることが好ましい。
　発光素子２０とサイドウォール１３とからなる複数の構造体が、回路基板１１の第１の面上には設けられている。共通電極２４は、上記複数の構造体に倣うように、回路基板１１の第１の面に設けられている。共通電極２４は、サイドウォール１３を覆っている。共通電極２４は、分離された発光素子２０の間においては、絶縁層１２の第１の面上に設けられている。
　第２の電極２３は、例えば、金属層または透明導電性酸化物層により構成されている。第２の電極２３が、金属層と透明導電性酸化物層の積層体であってもよい。金属層は、金属を含む。当該金属としては、上記の第２の電極２３と同様の材料を例示することができる。金属層は、合金を含んでもよい。当該合金としては、上記の第２の電極２３と同様の材料を例示することができる。透明導電性酸化物層は、透明導電性酸化物を含む。当該透明導電性酸化物としては、上記の第１の電極２１の透明導電性酸化物と同様の材料を例示することができる。
（保護層１５）
　保護層１５は、複数の発光素子２０および共通電極２４を保護する。保護層１５は、可視光に対して透明性を有している。保護層１５は、共通電極２４の第１の面上に設けられ、複数の発光素子２０を覆う。保護層１５は、共通電極２４および複数の発光素子２０を外気と遮断し、外部環境から共通電極２４および複数の発光素子２０内部への水分浸入を抑制する。また、共通電極２４が金属層により構成されている場合には、保護層１５は、この金属層の酸化を抑制する機能を有していてもよい。
　保護層１５は、例えば、吸湿性が低い無機材料または高分子樹脂を含む。保護層１５は、単層構造であってもよいし、多層構造であってもよい。保護層１５の厚さを厚くする場合には、多層構造とすることが好ましい。保護層１５における内部応力を緩和するためである。無機材料は、例えば、酸化シリコン（ＳｉＯｘ）、窒化シリコン（ＳｉＮｘ）、酸化窒化シリコン（ＳｉＯｘＮｙ）、酸化チタン（ＴｉＯｘ）および酸化アルミニウム（ＡｌＯｘ）等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。高分子樹脂は、例えば、熱硬化型樹脂および紫外線硬化型樹脂等からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。
［表示装置１０の製造方法］
　以下、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ、図４Ｂを参照して、第１の実施形態に係る表示装置１０の製造方法の一例について説明する。
（第１の電極２１またはコンタクト部１４の形成工程）
　まず、例えば蒸着法またはスパッタリング法により、金属層、金属酸化物層を回路基板１１の第１の面上に順次形成したのち、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて金属層および金属酸化物層をパターニングする。これにより、複数の第１の電極２１および複数のコンタクト部１４が回路基板１１の第１の面上に形成される。
（絶縁層１２の形成工程）
　次に、例えばＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法により、複数の第１の電極２１および複数のコンタクト部１４を覆うように回路基板１１の第１の面上に絶縁層１２を形成する。次に、例えばエッチバック法により、各第１の電極２１の第１の面を露出させる。
（発光素子２０Ｒの形成工程）
　次に、例えば蒸着法により、複数の第１の電極２１の第１の面および絶縁層１２の第１の面上にＯＬＥＤ層２２Ｒを形成する。次に、例えば蒸着法またはスパッタリング法により、第２の電極２３をＯＬＥＤ層２２Ｒの第１の面上に形成する。次に、例えばスピンコート法により、第２の電極２３の第１の面上にレジスト層３１を形成する。これにより、図３Ａに示すように、ＯＬＥＤ層２２Ｒ、第２の電極２３およびレジスト層３１の積層体が、複数の第１の電極２１の第１の面および絶縁層１２の第１の面上に形成される。
　次に、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術（例えば、ドライエッチングまたはウエットエッチング）により、図３Ｂに示すように、発光素子２０Ｒの形成位置になる各第１の電極２１の第１の面上に積層体を残し、それ以外の部分の積層体を除去する。これにより、複数の発光素子２０Ｒが、回路基板１１の第１の面上に形成される。なお、レジスト層３１が、各発光素子２０Ｒの第１の面上に残存する。
（発光素子２０Ｇの形成工程）
　次に、ＯＬＥＤ層２２Ｒに代えてＯＬＥＤ層２２Ｇを形成すること、および発光素子２０Ｇの形成位置になる各第１の電極２１の第１の面上に積層体を残し、それ以外の部分の積層体を除去すること以外は、発光素子２０Ｒの形成工程と同様にして、図３Ｃに示すように、複数の発光素子２０Ｇを回路基板１１の第１の面上に形成する。なお、レジスト層３１が、各発光素子２０Ｇの第１の面上に残存する。
（発光素子２０Ｂの形成工程）
　次に、ＯＬＥＤ層２２Ｒに代えてＯＬＥＤ層２２Ｂを形成すること、および発光素子２０Ｂの形成位置になる各第１の電極２１の第１の面上に積層体を残し、それ以外の部分の積層体を除去すること以外は、発光素子２０Ｒの形成工程と同様にして、図３Ｄに示すように、複数の発光素子２０Ｇを回路基板１１の第１の面上に形成する。なお、レジスト層３１が、各発光素子２０Ｂの第１の面上に残存する。
（サイドウォール１３の形成工程）
　次に、例えば、例えばＣＶＤ法により、図４Ａに示すように、複数の発光素子２０に倣うように絶縁層１３ａを回路基板１１の第１の面上に形成する。次に、例えばエッチバック法により、各発光素子２０の第１の面上の絶縁層１３ａおよびレジスト層３１を除去し、各発光素子２０の第２の電極２３の第１の面を露出させる。この際、異方性の高いエッチング法を用いることで、第２の電極２３の第１の面上のレジスト層３１を除去することができるのに対して、ＯＬＥＤ層２２の側面および第２の電極２３の側面の周りの絶縁層１３ａを残存させることができる。これにより、図４Ｂに示すように、ＯＬＥＤ層２２の側面および第２の電極２３の側面を覆うサイドウォール１３が各発光素子２０に形成される。
（共通電極２４の形成工程）
　次に、例えば蒸着法またはスパッタリング法により、各発光素子２０に倣うように共通電極２４を回路基板１１の第１の面に形成する。
（保護層１５の形成工程）
　次に、例えばＣＶＤ法または蒸着法により、パッシベーションとして保護層１５を共通電極２４の第１の面上に形成する。これにより、図２に示す表示装置１０が得られる。
［作用効果］
　第１の実施形態に係る表示装置１０では、絶縁材としてのサイドウォール１３が、ＯＬＥＤ層（発光層を含む有機層）２２の側面を覆っている。これにより、共通電極２４がＯＬＥＤ層２２の側面との接触することを抑制することができる。また、絶縁材としてのサイドウォール１３が、第１の電極２１の第１の面の周縁部を覆っている。これにより、共通電極２４が第１の電極２１の第１の面の周縁部と接触することを抑制することができる。したがって、第１の電極２１と共通電極２４のショートを抑制することができる。また、ＯＬＥＤ層２２の側面での異常発光を抑制することができる。
　また、上記のように、絶縁材としてのサイドウォール１３がＯＬＥＤ層２２の側面を覆っていることで、表示装置１０の製造工程において、ＯＬＥＤ層２２の側面が水分等により劣化することを抑制することができる。したがって、表示装置１０の表示品位の低下を抑制することができる。
　第２の電極２３と共通電極２４の間に絶縁層を設け、絶縁層を貫通するビアにより第２の電極２３と共通電極２４とを電気的に接続することも可能である。しかしながら、この構成の場合、第２の電極２３と共通電極２４がビアにより電気的に接続されるため、第２の電極２３と共通電極２４の接続抵抗が、ビアと第２の電極２３のコンタクト面積、およびビアと共通電極２４のコンタクト面積に依存する。したがって、第２の電極２３と共通電極２４との接続抵抗の増加を招く虞がある。
　これに対して、第１の実施形態に係る表示装置１０では、第２の電極２３と共通電極２４との間に絶縁層を設けず、第２の電極２３と共通電極２４とを直接接続しているので、第２の電極２３と共通電極２４とのコンタクト面積を十分に確保することができる。したがって、第２の電極２３と共通電極２４との接続抵抗を低減することができる。よって、発光素子２０に十分な電流を供給し、発光素子２０の発光輝度を向上させることができる。
　隣接するサブ画素１００間でＯＬＥＤ層２２が分離されているので、隣接するサブ画素１００間における電流リークを抑制することができる。したがって、発光効率を向上させることができる。
　ＯＬＥＤ層２２が第１の電極２１の第１の面の周縁の内側に設けられているので、ＯＬＥＤ層２２が第１の電極２１の側面または絶縁層１２の側面等に倣って屈曲することを抑制することができる。したがって、屈曲部に起因するＯＬＥＤ層２２の異常発光を抑制することができる。
＜２　第２の実施形態＞
［表示装置１０Ａの構成］
　図５は、第２の実施形態に係る表示装置１０Ａの構成の一例を示す断面図である。表示装置１０Ａは、サイドウォール１３（図２参照）に代えて、絶縁層１６を備える点において、第１の実施形態に係る表示装置１０とは異なっている。
　絶縁層１６は、隣接する発光素子２０の間に設けられている。絶縁層１６は、絶縁層１２の第１の面上および第１の電極２１の第１の面の周縁部上に設けられている。絶縁層１６は、複数の開口１６ａを有している。複数の開口１６ａはそれぞれ、各発光素子２０に対応して設けられている。各ＯＬＥＤ層２２が、開口１６ａ内に設けられ、ＯＬＥＤ層２２の側面が絶縁層１６により覆われている。また、各第２の電極２３が、開口１６ａ内に設けられ、第２の電極２３の側面が絶縁層１６により覆われている。隣接する発光素子２０の間を絶縁する素子間絶縁層（第１の絶縁層）２５が、絶縁層１２と絶縁層１６とにより構成されている。
　絶縁層１６の第１の面の高さは、発光素子２０の第１の面（頂部）の第１の面の高さと略同一であることが好ましい。これにより、絶縁層１６の第１の面と発光素子２０の第１の面とにより略平坦な面を構成し、この略平坦な面上に共通電極２４を形成することができる。したがって、ＯＬＥＤ層２２がサブ画素１００間で分離されていても、共通電極２４に段差が発生することを抑制することができる。ここで、第２の電極２３の第１の面と絶縁層１６の第１の面の高さとは、基板１１Ａの第１の面を基準とする、表示装置１０Ａの厚さ方向における位置を意味する。
　絶縁層１６は、複数の層により構成されていてもよい。当該複数の層の屈折率および組成の少なくも一方が、互いに異なっていてもよい。複数の層の屈折率および組成の少なくも一方が互いに異なるとは、複数の層の屈折率が複数の層においてそれぞれ異なること、複数の層の組成が複数の層においてそれぞれ異なること、または複数の層の屈折率および組成の両方が複数の層においてそれぞれ異なることを表す。
　絶縁層１６は、有機絶縁層であってもよいし、無機絶縁層であってもよいし、これらの積層体であってもよい。有機絶縁層および無機絶縁層の材料としては、絶縁層１２と同様の材料を例示することができる。
　共通電極２４は、絶縁層１６の第１の面上および第２の電極２３の第１の面上に設けられている。共通電極２４は、表示領域１１０ａにおいて略平坦な層であることが好ましい。
［表示装置１０Ａの製造方法］
　以下、図３Ａ～図３Ｄ、図６Ａ、図６Ｂ、図７Ａ～図７Ｃを参照して、第２の実施形態に係る表示装置１０Ａの製造方法の一例について説明する。
（第１の電極２１およびコンタクト部１４の形成工程、絶縁層１２の形成工程、ならびに発光素子２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂの形成工程）
　まず、図３Ａ～図３Ｄに示すように、第１の電極２１およびコンタクト部１４の形成工程、絶縁層１２の形成工程、ならびに発光素子２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂの形成工程を第１の実施形態と同様に実施する。これにより、複数の発光素子２０Ｒ、複数の発光素子２０Ｇおよび複数の発光素子２０Ｂが回路基板１１の第１の面上に形成される。なお、レジスト層３１が、発光素子２０Ｇ、発光素子２０Ｇ、発光素子２０Ｇの第１の面上に残存する。
（絶縁層１６の形成工程）
　次に、例えばＣＶＤ法により、図６Ａに示すように、絶縁層１６を回路基板１１の第１の面に形成する。この際、絶縁層１６の成膜条件は、絶縁層１６の厚さがＯＬＥＤ層２２と第２の電極２３の合計の厚さよりも厚くなるように設定される。
（レジスト層３２の形成工程）
　次に、例えばスピンコート法により、図６Ｂに示すように、絶縁層１６の第１の面上にレジスト層３２を形成する。これにより、絶縁層１６の凹凸面がレジスト層３２に埋まり、平坦面が形成される。なお、絶縁層１６の形成工程において、複数の発光素子２０の形状に起因する凹凸が絶縁層１６の第１の面に発生しない程度に、絶縁層１６の厚さが厚い場合には、レジスト層３２の形成工程は省かれてもよい。
（レジスト層３２および絶縁層１６の除去工程）
　次に、例えばエッチバック法により、図７Ａに示すように、第２の電極２３の第１の面が露出するまでレジスト層３２および絶縁層１６を除去する。これにより、絶縁層１６の第１の面と発光素子２０の第１の面とにより略平坦な面が形成される。
（コンタクト部１４の露出工程）
　次に、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、図７Ｂに示すように、コンタクト部１４上に位置する絶縁層１６を除去し、コンタクト部１４の第１の面を絶縁層１６から露出させる。
（共通電極２４の形成工程）
　次に、例えば蒸着法またはスパッタリング法により、図７Ｃに示すように、複数の発光素子２０の第１の面、絶縁層１６の第１の面およびコンタクト部１４の第１の面に亘って共通電極２４を形成する。
（保護層１５の形成工程）
　次に、例えばＣＶＤ法または蒸着法により、パッシベーションとして保護層１５を共通電極２４の第１の面上に形成する。これにより、図５に示す表示装置１０Ａが得られる。
［作用効果］
　特許文献１には、発光層を含む有機化合物層２２を発光素子２０間で分離する技術が記載されている。しかしながら、有機化合物層２２を発光素子２０間で分離すると、基板１０の表面に複数の段差が発生する。複数の段差が発生すると、第２の上部電極層２７が上記段差に倣って形成され、第２の上部電極層２７が切断する虞がある。また、第２の上部電極層２７による配線接続部（コンタクト部）２４と発光画素２０の間の接続距離の増加（すなわち配線接続部２４と発光画素２０の間の抵抗増加）を招く虞もある。したがって、表示品位が低下する虞がある。
　一方、第２の実施形態に係る表示装置１０Ａでは、素子間絶縁層２５が、隣接する発光素子２０の間に設けられているので、表示領域１１０ａにおいて共通電極２４を略平坦にすることができる。したがって、ＯＬＥＤ層２２がサブ画素１００間で分離されていても、共通電極２４の切断、および共通電極２４によるコンタクト部１４と発光素子２０の間の接続距離の増加（すなわちコンタクト部１４と発光素子２０の間の抵抗増加）を抑制することができる。したがって、表示品位の低下を抑制することができる。
＜３　第３の実施形態＞
［表示装置１０Ｂの構成］
　図８は、第３の実施形態に係る表示装置１０Ｂの構成の一例を示す断面図である。表示装置１０Ｂは、隣接する発光素子２０のサイドウォール１３（図２参照）の間に絶縁層１７を備える点において、第１の実施形態に係る表示装置１０とは異なっている。
　絶縁層１７は、絶縁層１２の第１の面上に設けられている。絶縁層１７は、サイドウォール１３を覆っている。隣接する発光素子２０の間を絶縁する素子間絶縁層（第２の絶縁層）２６が、絶縁層１２と絶縁層１７とにより構成されている。
　絶縁層１７の第１の面の高さは、発光素子２０の第１の面（頂部）の第１の面の高さと略同一であることが好ましい。これにより、絶縁層１７の第１の面と発光素子２０の第１の面とにより略平坦な面を構成し、この略平坦な面上に共通電極２４を形成することができる。したがって、ＯＬＥＤ層２２がサブ画素１００間で分離されていても、共通電極２４に段差が発生することを抑制することができる。ここで、第２の電極２３の第１の面と絶縁層１７の第１の面の高さとは、基板１１Ａの第１の面を基準とする、表示装置１０Ｂの厚さ方向における位置を意味する。
　サイドウォール１３と絶縁層１７との屈折率および組成の少なくも一方が、異なっていてもよい。サイドウォール１３と絶縁層１７との屈折率および組成の少なくも一方が互いに異なるとは、サイドウォール１３と絶縁層１７との屈折率が互いに異なること、サイドウォール１３と絶縁層１７との組成が異なること、またはサイドウォール１３と絶縁層１７との屈折率および組成の両方が異なることを表す。
　絶縁層１７は、複数の層により構成されていてもよい。当該複数の層の屈折率および組成の少なくも一方が、互いに異なっていてもよい。
　共通電極２４は、絶縁層１７の第１の面上および第２の電極２３の第１の面上に設けられている。共通電極２４は、表示領域１１０ａにおいて略平坦な層であることが好ましい。
［表示装置１０Ｂの製造方法］
　以下、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ、図４Ｂ、図９Ａ、図９Ｂ、図１０Ａ～図１０Ｃを参照して、第３の実施形態に係る表示装置１０Ｂの製造方法の一例について説明する。
（第１の電極２１およびコンタクト部１４の形成工程、絶縁層１２の形成工程、発光素子２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂの形成工程、ならびにサイドウォール１３の形成工程）
　まず、図３Ａ～図３Ｄ、図４Ａ、図４Ｂに示すように、第１の電極２１およびコンタクト部１４の形成工程、絶縁層１２の形成工程、発光素子２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂの形成工程、ならびにサイドウォール１３の形成工程を第１の実施形態と同様に実施する。これにより、サイドウォール１３をそれぞれ有する複数の発光素子２０Ｒ、サイドウォール１３をそれぞれ有する複数の発光素子２０Ｇおよびサイドウォール１３をそれぞれ有する複数の発光素子２０Ｂが回路基板１１の第１の面上に形成される。
（絶縁層１６の形成工程）
　次に、例えばＣＶＤ法により、図９Ａに示すように、絶縁層１７を回路基板１１の第１の面に形成する。この際、絶縁層１７の成膜条件は、絶縁層１７の厚さがＯＬＥＤ層２２と第２の電極２３の合計の厚さよりも厚くなるように設定される。
（レジスト層３３の形成工程）
　次に、例えばスピンコート法により、図９Ｂに示すように、絶縁層１７の第１の面上にレジスト層３３を形成する。これにより、絶縁層１７の凹凸面がレジスト層３３に埋まり、平坦面が形成される。なお、絶縁層１７の形成工程において、複数の発光素子２０の形状に起因する凹凸が絶縁層１７の第１の面に発生しない程度に、絶縁層１７の厚さが厚い場合には、レジスト層３３の形成工程は省かれてもよい。
（レジスト層３２および絶縁層１７の除去工程）
　次に、例えばエッチバック法により、図１０Ａに示すように、第２の電極２３の第１の面が露出するまでレジスト層３３および絶縁層１７を除去する。これにより、絶縁層１７の第１の面と発光素子２０の第１の面とにより略平坦な面が形成される。
（コンタクト部１４の露出工程）
　次に、例えばフォトリソグラフィ技術およびエッチング技術を用いて、図１０Ｂに示すように、コンタクト部１４上に位置する絶縁層１７を除去し、コンタクト部１４の第１の面を絶縁層１７から露出させる。
（共通電極２４の形成工程）
　次に、例えば蒸着法またはスパッタリング法により、図１０Ｃに示すように、複数の発光素子２０の第１の面、絶縁層１７の第１の面およびコンタクト部１４の第１の面に亘って共通電極２４を形成する。
（保護層１５の形成工程）
　次に、例えばＣＶＤ法または蒸着法により、パッシベーションとして保護層１５を共通電極２４の第１の面上に形成する。これにより、図８に示す表示装置１０Ｂが得られる。
［作用効果］
　第３の実施形態に係る表示装置１０Ｂでは、素子間絶縁層２６が、隣接する発光素子２０の間に設けられているので、第２の実施形態に係る表示装置１０Ａと同様の作用効果を得ることができる。
＜４　変形例＞
（変形例１）
　図１１に示すように、第１の実施形態に係る表示装置１０が、遮光層１８をさらに備えていてもよい。遮光層１８は、発光素子２０から出射された光を吸収し遮光する。また、遮光層１８は、表示装置１０の表示面に入射した外光を吸収し遮光する。
　遮光層１８は、共通電極２４の第１の面上に設けられている。遮光層１８は、共通電極２４に倣っている。遮光層１８は、複数の開口１８ａを有する。各開口１８ａは、発光素子２０から出射された光を通過させる。各開口１８ａは、発光素子２０に対応して設けられている。より具体的には、各開口１８ａは、発光素子２０の上方に設けられている。隣接するサブ画素１００への光漏れを抑制する観点からすると、遮光層１８は、サイドウォール１３を覆っていることが好ましい。遮光層１８は、コンタクト部１４を覆っていることが好ましい。これにより、コンタクト部１４に入射した外光を遮光層１８により吸収することができる。したがって、コンタクト部１４による外光な反射を抑制することができる。
　図１１では、コンタクト部１４の第１の面の一部が、遮光層１８により覆われている例について示されているが、コンタクト部１４による外光の反射を抑制する観点からすると、コンタクト部１４の第１の面の全体が、遮光層１８により覆われていることが好ましい。
　遮光層１８は、例えば、光吸収材料を含む。光吸収材料は、例えば、黒色の樹脂材料および黒色の金属含有材料からなる群より選ばれた少なくとも１種を含む。黒色の樹脂材料は、例えば、カーボンブラック等の炭素材料を含む。黒色の樹脂材料は、具体的には例えば、黒色のカラーレジストである。黒色の金属含有材料は、例えば、窒化チタン（ＴｉＮｘ）等を含む。
　上記の構成を有する表示装置１０では、遮光層１８が共通電極２４の第１の面上に設けられているので、遮光層１８をＯＬＥＤ層２２に近づけることができる。また、遮光層１８は、サイドウォール１３を覆うと共に、隣接する発光素子２０間の領域に配置されている。したがって、隣接するサブ画素１００への光漏れを抑制することができる。
　一方、対向基板の第２の面に遮光層が配置されている表示装置では、遮光層が発光素子から離れるため、隣接するサブ画素１００への光漏れを抑制することは困難である。
（変形例２）
　図１２に示すように、第２の実施形態に係る表示装置１０Ａが、共通電極２４の第１の面上に遮光層１８をさらに備えていてもよい。これにより、隣接するサブ画素１００への光漏れを抑制することができる。同様に、第３の実施形態に係る表示装置１０Ｂが、共通電極２４の第１の面上に遮光層１８をさらに備えていてもよい。これにより、隣接するサブ画素１００への光漏れを抑制することができる。
　図１３に示すように、第３の実施形態に係る表示装置１０Ｂが、サイドウォール１３と絶縁層１７の間、および絶縁層１２と絶縁層１７の間に遮光層１８をさらに備えていてもよい。この構成の場合にも、隣接するサブ画素１００への光漏れを抑制することができる。表示装置１０Ｂが、サイドウォール１３と絶縁層１７の間、および絶縁層１２と絶縁層１７の間とに遮光層１８を備えると共に、共通電極２４の第１の面上にも遮光層１８を備えていてもよい。
（変形例３）
　第１から第３の実施形態では、ＯＬＥＤ層２２の周縁が、第１の電極２１の周縁の内側に位置している例について説明したが、図１４に示すように、ＯＬＥＤ層２２の周縁が、第１の電極２１の周縁の外側に位置していてもよい。この場合、表示装置１０の開口率を向上させることができる。
　ＯＬＥＤ層２２の周縁が第１の電極２１の周縁と略一致し、ＯＬＥＤ層２２の側面と第１の電極２１の側面とが略面一になっていてもよい。この場合にも、表示装置１０の開口率を向上させることができる。
（変形例４）
　第１の実施形態では、サイドウォール１３の頂部の高さが、第２の電極２３の第１の面の高さと略同一である例について説明したが、図１５に示すように、サイドウォール１３の頂部の高さが、第２の電極２３の第１の面の高さよりも高くてもよい。あるいは、図１６に示すように、サイドウォール１３の頂部の高さが、第２の電極２３の第１の面の高さよりも低くてもよい。サイドウォール１３の頂部の高さが、第２の電極２３の第１の面の高さよりも低い場合には、共通電極２４が第２の電極２３の第１の面と第２の電極２３の側面との両方に接触するため、共通電極２４と第２の電極２３との接続抵抗を低減することができる。
（変形例５）
　第１の実施形態では、サイドウォール１３の頂部が凸状の湾曲面である例について説明したが、図１７に示すように、サイドウォール１３の頂部が、第１の電極２１の第１の面と平行な平面であってもよい。すなわち、サイドウォール１３の縦断面は、矩形状を有していてもよい。ここで、縦断面とは、表示装置１０の厚さ方向に平行で、かつ、平面視においてサブ画素１００の幾何中心を通るように切断された断面を表す。
（変形例６）
　第１の実施形態では、ＯＬＥＤ層２２の側面を覆う絶縁材が、サイドウォール１３である例について説明したが、図１８に示すように、絶縁材が、絶縁層１９であってもよい。絶縁層１９は、第１の電極２１の第１の面の周縁部上および絶縁層１２上に設けられていてもよい。絶縁層１９は、発光素子２０の周縁において、第２の電極２３の第１の面に対して突出した突出部１９ａを有していてもよい。隣接する発光素子２０の間を絶縁する素子間絶縁層（第１の絶縁層）２７が、絶縁層１２と絶縁層１９とにより構成されていてもよい。
（変形例７）
　第１から第３の実施形態では、複数のコンタクト部１４は、回路基板１１の第１の面上のうち、表示領域１１０ａの周縁部分に設けられている例について説明したが、複数のコンタクト部１４の配置はこれに限定されるものではない。例えば、図１９に示すように、複数のコンタクト部１４のうちの一部が、回路基板１１の第１の面上のうち、表示領域１１０ａの周縁部分に設けられ、残りが、回路基板１１の第１の面上のうち、表示領域１１０ａ内に設けられていてもよい。あるいは、複数のコンタクト部１４が、回路基板１１の第１の面上のうち、表示領域１１０ａ内に設けられていてもよい。表示領域１１０ａ内に設けられたコンタクト部１４の第１の面は、表示領域１１０ａ内において共通電極２４に電気的に接続されている。
（変形例８）
　画素１０１の構成は、第１の実施形態にて例示されたものに特に限定されるものではない。
　例えば、３つのサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが、図２０Ａに示すように、平面視において六角形状を有し、デルタ配列されていてもよい。この場合、一つの画素１０１は、デルタ配列された３つのサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにより構成されてもよい。
　例えば、４つのサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ、１００Ｂが、図２０Ｂに示すように、平面視において正方形状を有し、正方配列されていてもよい。この場合、一つの画素１０１は、デルタ配列された４つのサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ、１００Ｂにより構成されてもよい。サブ画素１００Ｂ、１００Ｂは、正方配列の対角線上に配列されてもよい。対角線上に配列されたサブ画素１００Ｂ、１００Ｂが、図２１Ａに示すように、電気的に接続されていてもよい。より具体的には例えば、対角線上に配列されたサブ画素１００Ｂ、１００Ｂの第１の電極２１同士が電気的に接続されていてもよいし、対角線上に配列されたサブ画素１００Ｂ、１００Ｂの第１の電極２１同士および第２の電極２３同士が電気的に接続されていてもよい。
　例えば、３つのサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂが、図２１Ｂに示すように、平面視において長方形状を有し、ストライプ配列されていてもよい。この場合、一つの画素１０１は、表示面の水平方向に配列された３つのサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂにより構成されてもよい。長方形状のサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂは、長辺が表示面の垂直方向と平行になるように配置されてもよい。同色の複数のサブ画素１００Ｒが、表示面の垂直方向に伸びる列を構成し、同色の複数のサブ画素１００Ｇが、表示面の垂直方向に伸びる列を構成し、同色の複数のサブ画素１００Ｂが、表示面の垂直方向に伸びる列を構成していてもよい。
（変形例９）
　第１の実施形態に係る表示装置１０は、保護層１５上または保護層１５の上方にカラーフィルタをさらに備えていてもよい。カラーフィルタは、例えば、赤色フィルタ部、青色フィルタ部および緑色フィルタ部を備える。カラーフィルタは、各色フィルタ部の間に遮光部をさらに備えてもよい。赤色フィルタ部は、発光素子２０Ｒの上方に設けられ、緑色フィルタ部は、発光素子２０Ｇの上方に設けられ、青色フィルタ部は、発光素子２０Ｂの上方に設けられる。上記のように表示装置１０Ａが、カラーフィルタを備えることで、表示装置１０の色純度を向上させることができる。
　第２の実施形態に係る表示装置１０Ａ、および第３の実施形態に係る表示装置１０Ｂが、カラーフィルタをさらに備えてもよい。
（変形例１０）
　第１から第３の実施形態では、表示領域１１０ａに含まれる複数の発光素子２０の各第２の電極２３が、１つの共通電極２４に接続されている例について説明したが、表示領域１１０ａに含まれる発光素子２０と共通電極２４の接続形態はこれに限定されるものではない。
　例えば、表示装置１０が、表示領域１１０ａに複数の共通電極２４を備え、表示領域１１０ａに含まれる複数の発光素子２０が複数のグループを構成していてもよい。各グループは、隣接する２以上の発光素子２０により構成されていてもよい。複数の共通電極２４は、面内方向に配置されている。１つのグループを構成する２以上の発光素子２０の各第２の電極２３が、1つの共通電極２４に接続されていてもよい。本明細書において、面内方向とは、基板１１Ａの第１の面における面内方向を意味する。
（変形例１１）
　第１の実施形態に係る表示装置１０において、サブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂがそれぞれ、第１、第２、第３の共振器構造を備えてもよい。第１の共振器構造は、ＯＬＥＤ層２２Ｒで発光された光に含まれる赤色光を共振させ強調することができる。第２の共振器構造は、ＯＬＥＤ層２２Ｇで発光された光に含まれる緑色光を共振させ強調することができる。第３の共振器構造は、ＯＬＥＤ層２２Ｂで発光された光に含まれる青色光を共振させ強調することができる。
（共振器構造の第１の例）
　第１、第２、第３の共振器構造は、第１の電極２１と第２の電極２３により構成されていてもよい。より具体的には例えば、赤色のサブ画素１００Ｒにおける第１の電極２１と第２の電極２３との間の光路長は、赤色のサブ画素１００Ｒのスペクトルピーク波長に設定されてもよい。緑色のサブ画素１００Ｇにおける第１の電極２１と第２の電極２３との間の光路長は、緑色のサブ画素１００Ｇのスペクトルピーク波長に設定されてもよい。青色のサブ画素１００Ｂにおける第１の電極２１と第２の電極２３との間の光路長は、青色のサブ画素１００Ｂのスペクトルピーク波長に設定されてもよい。
　第１の電極２１と第２の電極２３との間の光路長は、第１の電極２１を発光素子２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂそれぞれで異なる厚さに設定し、第１の電極２１の第１の面を発光素子２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂそれぞれで異なる高さに設定することにより調整されてもよい。
（共振器構造の第２の例）
　表示装置１０が、共通電極２４の上方に設けられた半透過反射層を備え、第１の電極２１と半透過反射層により共振器構造が構成されていてもよい。より具体的には例えば、赤色のサブ画素１００Ｒにおける第１の電極２１と半透過反射層との間の光路長は、赤色のサブ画素１００Ｒのスペクトルピーク波長に設定されてもよい。緑色のサブ画素１００Ｇにおける第１の電極２１と半透過反射層との間の光路長は、緑色のサブ画素１００Ｇのスペクトルピーク波長に設定されてもよい。青色のサブ画素１００Ｂにおける第１の電極２１と半透過反射層との間の光路長は、青色のサブ画素１００Ｂのスペクトルピーク波長に設定されてもよい。
　第１の電極２１と半透過反射層との間の光路長は、共通電極２４と半透過反射層との間に保護層を備え、当該保護層を発光素子２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂそれぞれで異なる厚さに設定することにより調整されてもよい。
（共振器構造の第３の例）
　表示装置１０が、第１の電極２１の下方に設けられた反射層を備え、当該反射層と第２の電極２３とにより共振器構造が構成されていてもよい。より具体的には例えば、赤色のサブ画素１００Ｒにおける反射層と第２の電極２３との間の光路長は、赤色のサブ画素１００Ｒのスペクトルピーク波長に設定されてもよい。緑色のサブ画素１００Ｇにおける反射層と第２の電極２３との間の光路長は、緑色のサブ画素１００Ｇのスペクトルピーク波長に設定されてもよい。青色のサブ画素１００Ｂにおける反射層と第２の電極２３との間の光路長は、青色のサブ画素１００Ｂのスペクトルピーク波長に設定されてもよい。上記構成の場合、第１の電極２１としては、透明電極が用いられる。
　反射層と第２の電極２３との間の光路長は、反射層と第１の電極２１の間に光路長調整層として絶縁層を備え、当該絶縁層を発光素子２０Ｒ、２０Ｇ、２０Ｂそれぞれで異なる厚さに設定することにより調整されてもよい。
　上記のように表示装置１０のサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂがそれぞれ、第１、第２、第３の共振器構造を備えることで、表示装置１０の色純度を向上させることができる。
　第２の実施形態に係る表示装置１０Ａ、および第３の実施形態に係る表示装置１０Ｂのサブ画素１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂがそれぞれ、上記の第１、第２、第３の共振器構造を備えてもよい。
（その他の変形例）
　以上、本開示の第１から第３の実施形態およびそれらの変形例について具体的に説明したが、本開示は、上記の第１から第３の実施形態およびそれらの変形例に限定されるものではなく、本開示の技術的思想に基づく各種の変形が可能である。
　例えば、上記の第１から第３の実施形態およびそれらの変形例において挙げた構成、方法、工程、形状、材料および数値等はあくまでも例に過ぎず、必要に応じてこれと異なる構成、方法、工程、形状、材料および数値等を用いてもよい。
　例えば、上記の第１から第３の実施形態およびそれらの変形例の構成、方法、工程、形状、材料および数値等は、本開示の主旨を逸脱しない限り、互いに組み合わせることが可能である。
　例えば、上記の第１から第３の実施形態およびそれらの変形例に例示した材料は、特に断らない限り、１種を単独でまたは２種以上を組み合わせて用いることができる。
　また、本開示は以下の構成を採用することもできる。
（１）
　複数の発光素子と、
　絶縁材と、
　共通電極と
　を備え、
　複数の前記発光素子は、２次元配置され、
　各前記発光素子は、第１の電極と、発光層を含む有機層と、第２の電極とを順に備え、
　前記第１の電極、前記有機層および前記第２の電極は、前記発光素子ごとに分離され、
　前記共通電極は、２つ以上の前記発光素子の前記第２の電極上に設けられ、
　前記絶縁材は、各前記発光素子の有機層の側面を覆う表示装置。
（２）
　前記絶縁材は、複数のサイドウォールを含み、
　各前記サイドウォールが、前記発光素子の前記有機層の側面を覆う（１）に記載の表示装置。
（３）
　前記有機層の周縁が、前記第１の電極の周縁の内側に位置し、
　前記共通電極は、前記サイドウォールを覆っている（２）に記載の表示装置。
（４）
　前記サイドウォールの内周は、前記第１の電極の周縁よりも内側に位置し、
　前記サイドウォールの外周は、前記第１の電極の周縁よりも外側に位置している（３）に記載の表示装置。
（５）
　第１の絶縁層をさらに備え、
　前記第１の絶縁層は、隣接する前記発光素子のサイドウォール間に設けられ、
　前記共通電極は、前記第１の絶縁層上に設けられている（２）から（４）のいずれか１項に記載の表示装置。
（６）
　前記第１の絶縁層の上面の高さが、前記発光素子の頂部の高さと略同一である（５）に記載の表示装置。
（７）
　前記絶縁材は、隣接する前記発光素子間に設けられた第２の絶縁層である（１）に記載の表示装置。
（８）
　前記第２の絶縁層の上面の高さが、前記発光素子の頂部の高さと略同一である（７）に記載の表示装置。
（９）
　前記第２の絶縁層は、複数の層により構成され、
　前記複数の層の屈折率および組成の少なくも一方が、前記複数の層で互いに異なる（７）または（８）に記載の表示装置。
（１０）
　遮光層をさらに備え、
　前記遮光層は、前記共通電極上に設けられ、
　前記遮光層は、複数の開口を有し、各前記開口は、前記発光素子に対応して設けられている（１）から（９）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１１）
　補助電極をさらに備え、
　前記補助電極は、複数の前記発光素子が設けられた領域の周縁に設けられ、
　前記補助電極は、前記共通電極に接続され、
　前記遮光層は、前記補助電極上を覆っている（１０）に記載の表示装置。
（１２）
　前記共通電極は、前記第２の電極の上面の全体に接している（１）から（１１）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１３）
　（１）から（１２）のいずれか１項に記載の表示装置を備える電子機器。
＜５　応用例＞
（電子機器）
　上記の第１から第３の実施形態およびそれらの変形例に係る表示装置１０、１０Ａ、１０Ｂ（以下「表示装置１０等」という。）は、各種の電子機器に用いることが可能である。表示装置１０等は、例えば、図２２に示したようなモジュールとして、種々の電子機器に組み込まれてもよい。特にビデオカメラや一眼レフカメラの電子ビューファインダまたはヘッドマウント型ディスプレイ等の高解像度が要求され、目の近くで拡大して使用されるものに適する。このモジュールは、回路基板１１の一方の短辺側に、保護層１５等により覆われず露出した領域２１０を有し、この領域２１０に、信号線駆動回路１１１および走査線駆動回路１１２の配線を延長して外部接続端子（図示せず）が形成されていてもよい。この外部接続端子には、信号の入出力のためのフレキシブルプリント配線基板（Flexible Printed Circuit：ＦＰＣ）２２０が接続されていてもよい。
（具体例１）
　図２３Ａ、図２３Ｂは、デジタルスチルカメラ３１０の外観の一例を示す。このデジタルスチルカメラ３１０は、レンズ交換式一眼レフレックスタイプのものであり、カメラ本体部（カメラボディ）３１１の正面略中央に交換式の撮影レンズユニット（交換レンズ）３１２を有し、正面左側に撮影者が把持するためのグリップ部３１３を有している。
　カメラ本体部３１１の背面中央から左側にずれた位置には、モニタ３１４が設けられている。モニタ３１４の上部には、電子ビューファインダ（接眼窓）３１５が設けられている。撮影者は、電子ビューファインダ３１５を覗くことによって、撮影レンズユニット３１２から導かれた被写体の光像を視認して構図決定を行うことが可能である。電子ビューファインダ３１５は、表示装置１０等のうちいずれかを備える。
（具体例２）
　図２４は、ヘッドマウントディスプレイ３２０の外観の一例を示す。ヘッドマウントディスプレイ３２０は、例えば、眼鏡形の表示部３２１の両側に、使用者の頭部に装着するための耳掛け部３２２を有している。表示部３２１は、表示装置１０等のうちいずれかを備える。
（具体例３）
　図２５は、テレビジョン装置３３０の外観の一例を示す。このテレビジョン装置３３０は、例えば、フロントパネル３３２およびフィルターガラス３３３を含む映像表示画面部３３１を有しており、この映像表示画面部３３１は、表示装置１０等のうちいずれかを備える。
　１０、１０Ａ、１０Ｂ　　表示装置
　１１　　回路基板
　１１Ａ　　基板
　１１Ｂ　　絶縁層
　１２　　絶縁層
　１３　　サイドウォール
　１３ａ　　絶縁層
　１４　　コンタクト部
　１４Ａ　　コンタクトプラグ
　１５　　保護層
　１６　　絶縁層
　１７　　絶縁層
　１８　　遮光層
　１８ａ　　開口
　１９　　絶縁層
　２０　　発光素子
　２１　　第１の電極
　２１Ａ　　コンタクトプラグ
　２２Ｒ、２２Ｇ、２２Ｂ　　ＯＬＥＤ層
　２３　　第２の電極
　２４　　共通電極
　２５　　素子間絶縁層（第１の絶縁層）
　２６　　素子間絶縁層（第２の絶縁層）
　２７　　素子間絶縁層（第１の絶縁層）
　３１、３２、３３　　レジスト層
　１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂ　　サブ画素
　１１０ａ　　表示領域
　１１０ｂ　　周辺領域
　１１１　　信号線駆動回路
　１１１ａ　　信号線
　１１２　　走査線駆動回路
　１１２ａ　　走査線
　３１０　　デジタルスチルカメラ（電子機器）
　３２０　　ヘッドマウントディスプレイ（電子機器）
　３３０　　テレビジョン装置（電子機器）

Claims (13)

  1. 　複数の発光素子と、
    　絶縁材と、
    　共通電極と
    　を備え、
    　複数の前記発光素子は、２次元配置され、
    　各前記発光素子は、第１の電極と、発光層を含む有機層と、第２の電極とを順に備え、
    　前記第１の電極、前記有機層および前記第２の電極は、前記発光素子ごとに分離され、
    　前記共通電極は、２つ以上の前記発光素子の前記第２の電極上に設けられ、
    　前記絶縁材は、各前記発光素子の有機層の側面を覆う表示装置。
  2. 　前記絶縁材は、複数のサイドウォールを含み、
    　各前記サイドウォールが、前記発光素子の前記有機層の側面を覆う請求項１に記載の表示装置。
  3. 　前記有機層の周縁が、前記第１の電極の周縁の内側に位置し、
    　前記共通電極は、前記サイドウォールを覆っている請求項２に記載の表示装置。
  4. 　前記サイドウォールの内周は、前記第１の電極の周縁よりも内側に位置し、
    　前記サイドウォールの外周は、前記第１の電極の周縁よりも外側に位置している請求項３に記載の表示装置。
  5. 　第１の絶縁層をさらに備え、
    　前記第１の絶縁層は、隣接する前記発光素子のサイドウォール間に設けられ、
    　前記共通電極は、前記第１の絶縁層上に設けられている請求項２に記載の表示装置。
  6. 　前記第１の絶縁層の上面の高さが、前記発光素子の頂部の高さと略同一である請求項５に記載の表示装置。
  7. 　前記絶縁材は、隣接する前記発光素子間に設けられた第２の絶縁層である請求項１に記載の表示装置。
  8. 　前記第２の絶縁層の上面の高さが、前記発光素子の頂部の高さと略同一である請求項７に記載の表示装置。
  9. 　前記第２の絶縁層は、複数の層により構成され、
    　前記複数の層の屈折率および組成の少なくも一方が、前記複数の層で互いに異なる請求項７に記載の表示装置。
  10. 　遮光層をさらに備え、
    　前記遮光層は、前記共通電極上に設けられ、
    　前記遮光層は、複数の開口を有し、各前記開口は、前記発光素子に対応して設けられている請求項１に記載の表示装置。
  11. 　補助電極をさらに備え、
    　前記補助電極は、複数の前記発光素子が設けられた領域の周縁に設けられ、
    　前記補助電極は、前記共通電極に接続され、
    　前記遮光層は、前記補助電極上を覆っている請求項１０に記載の表示装置。
  12. 　前記共通電極は、前記第２の電極の上面の全体に接している請求項１に記載の表示装置。
  13. 　請求項１に記載の表示装置を備える電子機器。
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