JP7014186B2 - 表示装置、電子機器、及び表示装置の製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、表示装置、電子機器、及び表示装置の製造方法に関する。

表示装置においては、光取り出し効率を向上させるために、各画素に対して、その光出射方向にマイクロレンズ（ＭＬ）が設けられた構造が提案されている。例えば、特許文献１には、下地層の各画素に対応する領域の形状をそれぞれ半球状の凸形状とし、その下地層の上に有機ＥＬ（Electroluminescence）素子、及び保護膜を形成する、有機ＥＬ表示装置の製造方法が開示されている。当該方法によれば、保護膜の上面に下地層の凸形状が転写され、当該保護膜の上面が、各有機ＥＬ素子の直上に位置するＭＬとして機能する。

特開２０１２－２５２８３６号公報

しかしながら、特許文献１に記載の技術では、下地層の半球状の凸形状の上に有機ＥＬ素子の有機層が積層されることとなる。曲面上に有機層が積層されることとなるため、当該有機層が均一な厚みに積層されず、発光素子ごとの輝度や色度のばらつきが大きくなってしまう恐れがある。従って、結果的に、表示面内で輝度や色度が不均一となり、高品質な表示装置を実現することが困難となる。

上記事情に鑑みれば、表示装置においては、より好適な方法によってＭＬを形成することにより、光取り出し効率が向上されたより高品質な表示を実現することが求められていた。そこで、本開示では、より高品質な表示を実現することが可能な、新規かつ改良された表示装置、電子機器、及び表示装置の製造方法を提案する。

本開示によれば、基板上に形成される複数の発光素子と、複数の前記発光素子の上に積層される第１の膜と、を備え、前記発光素子の発光領域の一部領域に、上方に向かって突出する凸部が存在し、前記第１の膜の上面は、前記凸部に応じた略球面状の凸形状を有する、表示装置が提供される。

また、本開示によれば、画像信号に基づいて表示を行う表示装置、を備え、前記表示装置は、基板上に形成される複数の発光素子と、複数の前記発光素子の上に積層される第１の膜と、を有し、前記発光素子の発光領域の一部領域に、上方に向かって突出する凸部が存在し、前記第１の膜の上面は、前記凸部に応じた略球面状の凸形状を有する、電子機器が提供される。

また、本開示によれば、基板上に複数の発光素子を形成する工程と、複数の前記発光素子の上に第１の膜を積層する工程と、を含み、前記発光素子の発光領域の一部領域に、上方に向かって突出する凸部が形成され、前記第１の膜を積層する工程では、前記凸部の上に前記第１の膜が積層されることにより、前記第１の膜の上面が前記凸部に応じた略球面状の凸形状となる、表示装置の製造方法が提供される。

本開示によれば、発光素子の上に第１の膜（例えば保護膜）を積層することによって作製される表示装置において、当該発光素子の発光領域の一部領域に、上方に向かって突出する凸部が形成され、当該第１の膜を積層する際に、当該凸部の上に当該第１の膜が積層されることにより、当該第１の膜の上面に、当該凸部に応じた略球面状の凸形状が形成される。発光素子の直上に形成される当該第１の膜の上面の凸形状は、ＭＬとして機能し得る。このように、本開示によれば、発光素子の発光領域の一部領域に設けられた凸部に応じて、自己整合的にＭＬが形成される。従って、発光素子とＭＬとの位置合わせを高精度に行うことが可能になる。このとき、発光素子の発光領域の、凸部が設けられない領域は、平坦であり得るため、特許文献１に記載の方法に比べて発光領域における有機層の形成にばらつきが出難く、発光素子ごとの特性もばらつき難い。よって、本開示では、高品質な表示が可能な表示装置が実現され得る。

以上説明したように本開示によれば、より高品質な表示を実現することが可能になる。なお、上記の効果は必ずしも限定的なものではなく、上記の効果とともに、又は上記の効果に代えて、本明細書に示されたいずれかの効果、又は本明細書から把握され得る他の効果が奏されてもよい。

第１の実施形態に係る表示装置の製造方法について説明するための図である。 第１の実施形態に係る表示装置の製造方法について説明するための図である。 第１の実施形態に係る表示装置の製造方法について説明するための図である。 第１の実施形態に係る表示装置の製造方法について説明するための図である。 第１の実施形態に係る表示装置における、ＭＬの効果について説明するための図である。 第１の実施形態に係る表示装置の要部の断面の形状について説明するための図である。 第１の実施形態に係る表示装置の要部の水平面内の形状の寸法について説明するための図である。 上方から見た場合における残存膜の形状の他の例を示す図である。 上方から見た場合における残存膜の形状の他の例を示す図である。 第２の実施形態に係る表示装置の製造方法について説明するための図である。 第２の実施形態に係る表示装置の製造方法について説明するための図である。 第２の実施形態に係る表示装置の製造方法について説明するための図である。 第２の実施形態に係る表示装置の製造方法について説明するための図である。 第２の実施形態に係る表示装置の製造方法について説明するための図である。 第２の実施形態に係る表示装置の製造方法について説明するための図である。 第２の実施形態に係る表示装置の製造方法について説明するための図である。 各実施形態に係る表示装置が適用され得る電子機器の一例である、スマートフォンの外観を示す図である。 各実施形態に係る表示装置が適用され得る電子機器の他の例である、デジタルカメラの外観を示す図である。 各実施形態に係る表示装置が適用され得る電子機器の他の例である、デジタルカメラの外観を示す図である。 各実施形態に係る表示装置が適用され得る電子機器の他の例である、ＨＭＤの外観を示す図である。

以下に添付図面を参照しながら、本開示の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、本明細書及び図面において、実質的に同一の機能構成を有する構成要素については、同一の符号を付することにより重複説明を省略する。

なお、以下では、表示装置の構成において、各層の積層方向のことを上下方向ともいう。この際、上下方向において、各層が積層されていく方向のことを上方向ともいい、その逆方向のことを下方向ともいう。また、当該上下方向と垂直な方向を水平方向ともいい、水平方向と平行な面を水平面ともいう。また、本明細書において、ある層と他の層が積層される、又はある層の上層若しくは下層に他の層が存在する等と記載した場合には、当該表現は、これらの層が直接接触した状態で積層された状態も意味し得るし、これらの層の間に更に他の層が介在した状態でこれらの層が積層された状態も意味し得る。

ここで、本明細書において、超小型の表示装置とは、例えば、パネルサイズが約０．２インチ～約２インチ程度の表示装置のことをいう。超小型の表示装置の画素サイズは、例えば、約２０μｍ以下であり得る。超小型の表示装置は、例えばヘッドマウントディスプレイ（ＨＭＤ：Head Mounted Display）の表示部やデジタルカメラの電子ビューファインダ（ＥＶＦ：Electronic View Finder）等に好適に適用され得る。また、小型の表示装置とは、例えば、パネルサイズが約２インチ～約７インチ程度の表示装置のことをいう。小型の表示装置の画素サイズは、例えば、約３０μｍ～７０μｍ程度であり得る。また、中型の表示装置とは、例えば、パネルサイズが約７インチ～約１５インチ程度の表示装置のことをいう。中型の表示装置の画素サイズは、例えば、約５０μｍ～約１００μｍ程度であり得る。小型、中型の表示装置は、例えばスマートフォンやタブレットＰＣ（Personal Computer）等の表示部に好適に適用され得る。

なお、説明は以下の順序で行うものとする。
１．本発明に想到した背景
２．第１の実施形態
２－１．表示装置の製造方法
２－２．表示装置の要部の構成
２－２－１．断面の形状
２－２－２．平面の形状
３．第２の実施形態
４．適用例
５．補足

（１．本発明に想到した背景）
本開示の好適な実施形態について説明するに先立ち、本発明者らが本発明に想到した背景について説明する。

上述したように、表示装置においては、光取り出し効率を向上させるために、各画素に対してＭＬが設けられた構造が提案されている。例えば、有機ＥＬ表示装置においてＭＬを設ける方法としては、対向カラーフィルタ（ＣＦ）型の有機ＥＬ表示装置であれば、そのＣＦが形成される対向基板上にＭＬを形成する方法が考えられる。あるいは、ＯＣＣＦ（On Chip Color Filter）型の有機ＥＬ表示装置であれば、基板上に感光性の樹脂等からなるレンズ材を積層し、パターニングをした後にリフローする方法、又は基板上にレンズ材を積層し、グレースケールマスクを使用してパターニングする等の方法によって、オンチップレンズとしてＭＬを形成する方法が考えられる。

一方、近年、例えばＨＭＤの表示部やデジタルカメラのＥＶＦ等に適用される、超小型の表示装置（いわゆるマイクロディスプレイ）についての開発が盛んに行われている。中でも、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置と比較して、高コントラスト、高速応答が実現され得るため、このような電子機器に搭載される超小型の表示装置としては、有機ＥＬ表示装置が注目を集めている。

かかる超小型の有機ＥＬ表示装置（以下、有機ＥＬマイクロディスプレイともいう）では、小型でありながら高精細な表示を実現するために、その画素ピッチが、例えば約１０μｍ以下に微細化されつつある。このように画素ピッチが微細化するにつれて、上記のいずれの方法においても、発光素子である有機ＥＬ素子とＭＬとの位置合わせを高精度に行うことが困難となる。発光素子とＭＬとの位置合わせの精度が低下すれば、輝度や色度、更には視野角特性等、パネルの光学特性が劣化し、品質上大きな問題となる。このように、画素ピッチが小さい有機ＥＬマイクロディスプレイでは、発光素子とＭＬとの位置合わせの精度は、その品質を左右する大きな因子となり得る。

かかる発光素子とＭＬとの位置合わせを高精度に行うための方法として、例えば特許文献１に記載の方法が開示されている。上述したように、特許文献１には、下地層の各画素に対応する領域の形状をそれぞれ半球状の凸形状とし、その下地層の上に発光素子（有機ＥＬ素子）、及び保護膜を形成する、有機ＥＬ表示装置の製造方法が開示されている。当該方法によれば、保護膜の上面に下地層の凸形状が転写され、当該保護膜の上面が、各発光素子の直上に位置するＭＬとして機能する。つまり、当該方法では、ＭＬが自己整合的に形成されることとなるため、発光素子とＭＬとの位置合わせの精度を向上させることが可能になる。

しかしながら、かかる方法には、いくつかの懸念点が存在する。１つ目の懸念点は、上述したように、特許文献１に記載の方法では、曲面上に発光素子が形成されることとなるため、当該発光素子の特性にばらつきが生じる恐れがあることである。

２つ目の懸念点は、画素ピッチが小さい場合には、特許文献１に記載の方法を適用することは困難であると考えられることである。具体的には、特許文献１に記載の方法では、下地層の凸形状の表面の全面に下層の電極であるアノードを形成し、そのアノードの表面上の一部を開口させた状態で、有機層及び上層の電極であるカソードを順次積層することにより、有機ＥＬ素子が形成されている。つまり、特許文献１に記載の有機ＥＬ表示装置では、有機ＥＬ素子におけるアノードの開口部、すなわち発光領域の面積は、下地層の凸形状の面積よりも小さい。換言すれば、当該有機ＥＬ表示装置では、画素ピッチを、下地層において凸形状が形成されるピッチよりも小さくすることができない。そして、特許文献１には、下地層における凸形状の底部の幅（基板表面上における幅）は、５．０μｍ以上３０μｍ以下であることが好ましいことが記載されている。従って、特許文献１に記載の方法は、例えば１０μｍ以下に画素ピッチを小さくしようとする場合には、ふさわしくないと言える。

以上説明したように、特に超小型の表示装置においては、発光素子とＭＬとの位置合わせを高精度に行い得るＭＬの形成方法については、これまで十分に検討されていなかったと言える。本発明者らは、このような発光素子とＭＬとの位置合わせを高精度に行い得るＭＬの形成方法について鋭意検討した結果、本開示に想到した。本開示によれば、上述した発光素子の特性のばらつきのような懸念を生じさせることなく、超小型の表示装置においても、発光素子とＭＬとの位置合わせの精度を向上させることが可能となる。従って、光取り出し効率がより向上された、より高品質な表示が可能な表示装置を実現することができる。

以下、本発明者らが想到した本開示の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、以下では、一例として、有機ＥＬ表示装置に係る実施形態について説明を行う。ただし、本開示はかかる例に限定されず、本開示に係る技術は、基板上に自発光素子が形成されることにより画素が構成される表示装置であれば、他の種類の表示装置に適用されてもよい。

（２．第１の実施形態）
（２－１．表示装置の製造方法）
図１～図４を参照して、本開示の第１の実施形態に係る表示装置の製造方法について説明する。図１～図４は、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法について説明するための図である。図１～図４では、第１の実施形態に係る表示装置の上下方向と平行な断面を、当該表示装置の製造方法における工程順に概略的に図示したものであり、当該製造方法におけるプロセスフローを表すものである。なお、図１～図４では、当該製造方法の特徴的な工程について説明するために、当該表示装置のうち、これらの工程に関係する一部の構造のみを記載している。

第１の実施形態に係る表示装置の製造方法では、まず、第１の基板（図示せず）上に、駆動回路（図示せず）、及び有機ＥＬ素子からなる発光素子１１０が形成される（図１）。駆動回路は、発光素子１１０を駆動するためのものであり、薄膜トランジスタ（ＴＦＴ：Thin Film Transistor）等を含む。当該駆動回路が形成された上に、絶縁層１０１が積層される。そして、当該絶縁層１０１の上に、発光素子１１０が形成される。

なお、発光素子１１０を形成する前に、絶縁層１０１には、当該駆動回路と発光素子１１０とを電気的に接続するためのビア１１７が形成される。ビア１１７は、各種の公知の方法によって形成されてよい。例えば、ビア１１７は、ドライエッチング法によって絶縁層１０１に開口部を設けた後、スパッタリング法によって当該開口部にタングステン（Ｗ）等の導電性材料を埋め込み、絶縁層１０１及び埋め込んだ導電性材料の表面をＣＭＰ（Chemical Mechanical Polishing）によって平坦化することによって形成され得る。

発光素子１１０は、第１の電極１０３と、発光層として機能する有機層１０５と、第２の電極１０７と、がこの順に積層されて構成される。有機層１０５は、有機発光材料からなり、白色光を発光可能に構成される。第１の電極１０３は、アノードとして機能する。第２の電極１０７は、カソードとして機能する。ここで、第１の実施形態に係る表示装置はトップエミッション型である。従って、第１の電極１０３は、有機層１０５からの光を反射し得る材料によって形成される。また、第２の電極１０７は、有機層１０５からの光を透過し得る材料によって形成される。

具体的には、絶縁層１０１の上に、第１の電極１０３が形成される。当該第１の電極１０３の上に、当該第１の電極１０３の少なくとも一部を露出するように開口部１１１が設けられる絶縁層１０９が積層されており、有機層１０５及び第２の電極１０７は、当該開口部１１１の底部において露出した第１の電極１０３と接触するように、当該第１の電極１０３及び当該絶縁層１０９の上に積層される。つまり、発光素子１１０は、絶縁層１０９の開口部１１１において、第１の電極１０３、有機層１０５及び第２の電極１０７がこの順に積層された構成を有する。発光素子１１０の絶縁層１０９の開口部１１１に当たる領域が、当該発光素子１１０の発光領域に対応する。

１つの発光素子１１０によって、１つの画素が構成される。図１～図４では、１つの発光素子１１０に対応する領域しか図示していないが、実際には、第１の基板上の表示領域に対応する領域に、複数の発光素子１１０が、所定の画素ピッチで２次元状に配列される。また、上述した絶縁層１０９は、画素間に設けられ画素の面積を画定する画素定義膜として機能する。

なお、第１の電極１０３は、各画素に対応してパターニングされており、パターニングされた各第１の電極１０３に対して、絶縁層１０１に設けられるビア１１７を介して、上記駆動回路が電気的に接続される。駆動回路が各第１の電極１０３に適宜電圧を印加することにより、各発光素子１１０が駆動され得る。

ここで、第１の実施形態では、絶縁層１０９に対して開口部１１１を設ける際に、当該開口部１１１内の一部領域に、絶縁層１０９を残存させる。図示する例であれば、開口部１１１の水平面内における略中央の一部領域に、上方から見た場合における形状が略円形となるように、絶縁層１０９を１ヶ所残存させている（上方から見た様子については、図７を参照して後述する）。以下では、区別のため、絶縁層１０９のうち、開口部１１１を画定する部位（すなわち、画素定義膜として機能する部位）を、画素定義膜１１３とも記載し、開口部１１１内に残存する島状の部位を、残存膜１１５とも記載する。

開口部１１１内の一部領域に残存膜１１５が形成されることにより、第１の電極１０３の上面において当該残存膜１１５が存在する部位は、開口部１１１内の他の領域に比べて上方に突出することとなる。つまり、第１の電極１０３の開口部１１１内の一部領域に、残存膜１１５による凸形状が形成され得る。従って、その上に有機層１０５及び第２の電極１０７が積層されると、当該有機層１０５及び当該第２の電極１０７も、当該残存膜１１５による突出形状に応じた凸形状を有することとなる。いわば、残存膜１１５による突出形状が、有機層１０５及び第２の電極１０７の形状に転写される。よって、図示するように、発光素子１１０は、その発光領域の一部領域に、他の領域よりも上方に突出した１つの凸部１１６を有することとなる。つまり、発光素子１１０は、略平坦な発光領域内の一部領域に凸部１１６が存在する構成を有する。

なお、第１の実施形態において、図１に示す第１の基板上に発光素子１１０が形成されるまでの工程は、上述した残存膜１１５による凸部１１６が形成されること以外は、一般的な既存の方法と同様であってよい。

例えば、第１の基板は、シリコン基板、石英ガラス基板、高歪点ガラス基板、ソーダガラス（Ｎａ_２Ｏ、ＣａＯ及びＳｉＯ_２の混合物）基板、硼珪酸ガラス（Ｎａ_２Ｏ、Ｂ_２Ｏ_３及びＳｉＯ_２の混合物）基板、フォルステライト（Ｍｇ_２ＳｉＯ_４）基板、鉛ガラス（Ｎａ_２Ｏ、ＰｂＯ及びＳｉＯ_２の混合物）基板、又は有機ポリマー基板（例えば、ポリメチルメタクリレート（ポリメタクリル酸メチル：ＰＭＭＡ）、ポリビニルアルコール（ＰＶＡ）、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）、ポリエーテルスルホン（ＰＥＳ）、ポリイミド、ポリカーボネート、若しくはポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）等）によって形成され得る。

また、例えば、絶縁層１０１、１０９は、ＳｉＯ_２系材料（例えば、ＳｉＯ_２、ＢＰＳＧ、ＰＳＧ、ＢＳＧ、ＡｓＳＧ、ＰｂＳＧ、ＳｉＯＮ、ＳＯＧ（スピンオングラス）、低融点ガラス、又はガラスペースト等）、ＳｉＮ系材料、絶縁性樹脂（例えば、ポリイミド樹脂、ノボラック系樹脂、アクリル系樹脂、ポリベンゾオキサゾール等）等を、単独で、あるいは適宜組み合わせて形成することができる。

有機層１０５は、白色光を発光可能に構成されればよく、その具体的な構成は限定されない。例えば、有機層１０５は、正孔輸送層と発光層と電子輸送層との積層構造、正孔輸送層と電子輸送層を兼ねた発光層との積層構造、又は正孔注入層と正孔輸送層と発光層と電子輸送層と電子注入層との積層構造等から構成することができる。また、これらの積層構造等を「タンデムユニット」とする場合、有機層１０５は、第１のタンデムユニット、接続層、及び第２のタンデムユニットが積層された２段のタンデム構造を有してもよい。あるいは、有機層１０５は、３つ以上のタンデムユニットが積層された３段以上のタンデム構造を有してもよい。有機層１０５が複数のタンデムユニットからなる場合には、発光層の発光色を赤色、緑色、青色と各タンデムユニットで変えることで、全体として白色を発光する有機層１０５を得ることができる。

有機層１０５の形成方法としては、例えば、真空蒸着法等の物理的気相成長法（ＰＶＤ法）、スクリーン印刷法やインクジェット印刷法といった印刷法、転写用基板上に形成されたレーザ吸収層と有機層の積層構造に対してレーザを照射することでレーザ吸収層上の有機層を分離して当該有機層を転写するレーザ転写法、又は各種の塗布法等を用いることができる。

また、例えば、第１の電極１０３は、白金（Ｐｔ）、金（Ａｕ）、銀（Ａｇ）、クロム（Ｃｒ）、タングステン（Ｗ）、ニッケル（Ｎｉ）、銅（Ｃｕ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、若しくはタンタル（Ｔａ）といった仕事関数の高い金属、又は合金（例えば、銀を主成分とし、０．３質量％～１質量％のパラジウム（Ｐｄ）と、０．３質量％～１質量％の銅とを含むＡｇ－Ｐｄ－Ｃｕ合金、又はＡｌ－Ｎｄ合金等）によって形成され得る。あるいは、第１の電極１０３としては、アルミニウム又はアルミニウムを含む合金等の仕事関数の値が小さく、かつ光反射率の高い導電材料を用いることができる。この場合には、第１の電極１０３上に適切な正孔注入層を設けるなどして正孔注入性を向上させることが好ましい。あるいは、第１の電極１０３は、誘電体多層膜やアルミニウムといった光反射性の高い反射膜上に、インジウムとスズの酸化物（ＩＴＯ）やインジウムと亜鉛の酸化物（ＩＺＯ）等の正孔注入特性に優れた透明導電材料を積層した構造とすることもできる。

また、例えば、第２の電極１０７は、アルミニウム、銀、マグネシウム、カルシウム（Ｃａ）、ナトリウム（Ｎａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、アルカリ金属と銀との合金、アルカリ土類金属と銀との合金（例えば、マグネシウムと銀との合金（Ｍｇ－Ａｇ合金））、マグネシウムとカルシウムとの合金（Ｍｇ－Ｃａ合金）、アルミニウムとリチウムとの合金（Ａｌ－Ｌｉ合金）等によって形成され得る。これらの材料を単層で用いる場合には、第２の電極１０７の膜厚は、例えば４ｎｍ～５０ｎｍ程度である。あるいは、第２の電極１０７は、有機層１０５側から、上述した材料層と、例えばＩＴＯやＩＺＯからなる透明電極（例えば、厚さ３０ｎｍ～１μｍ程度）とが積層された構造とすることもできる。このような積層構造とした場合には、上述した材料層の厚さを例えば１ｎｍ～４ｎｍ程度と薄くすることもできる。あるいは、第２の電極１０７は、透明電極のみで構成されてもよい。あるいは、第２の電極１０７に対して、アルミニウム、アルミニウム合金、銀、銀合金、銅、銅合金、金、金合金等の低抵抗材料から成るバス電極（補助電極）を設け、第２の電極１０７全体として低抵抗化を図ってもよい。

第１の電極１０３及び第２の電極１０７の形成方法としては、例えば、電子ビーム蒸着法、熱フィラメント蒸着法、真空蒸着法を含む蒸着法、スパッタリング法、化学的気相成長法（ＣＶＤ法）、有機金属化学気相蒸着法（ＭＯＣＶＤ法）、イオンプレーティング法とエッチング法との組合せ、各種の印刷法（例えば、スクリーン印刷法、インクジェット印刷法、若しくはメタルマスク印刷法等）、メッキ法（電気メッキ法、若しくは無電解メッキ法等）、リフトオフ法、レーザアブレーション法、又はゾルゲル法等を挙げることができる。

図１～図４に戻り、製造方法についての説明を続ける。発光素子１１０が形成されると、次に、その上に保護膜１１９が積層される（図２）。第１の実施形態では、保護膜１１９は、ＳｉＮをＣＶＤ法によって成膜することによって形成される。このように、ＣＶＤ法によって保護膜１１９を形成することにより、図示するように、当該保護膜１１９の上面に凸部１１６の凸形状がいわば転写され、当該保護膜１１９の上面は、凸部１１６の凸形状に応じた略球面状の凸形状になる。

なお、保護膜１１９の形成には、ＣＶＤ法の代わりに、スパッタリング法、真空蒸着法等の、他の真空成膜法が用いられてもよい。保護膜１１９を真空成膜法によって形成することにより、保護膜１１９の上面は、凸部１１６の凸形状に応じた略球面状の凸形状になり得る。また、保護膜１１９の材料は、ＳｉＮに限定されず、例えばＳｉＯＮ等他の材料であってもよい。ただし、後述するように保護膜１１９の上面を集光レンズとして機能させるために、当該保護膜１１９の材料としては、比較的高屈折率の材料（例えば、その屈折率が約１．７～約２．０程度の材料）が用いられることが好ましい。なお、上述したＳｉＮの屈折率は約１．８９である。

保護膜１１９が形成されると、次に、その上に平坦化膜１２１が積層される（図３）。平坦化膜１２１は、例えば、樹脂系材料や白色のＣＦに用いられるレジスト材等を塗布することによって形成される。保護膜１１９の材料としては、比較的低屈折率の材料（例えば、その屈折率が約１．４～１．６程度の材料）が用いられることが好ましい。具体的には、平坦化膜１２１の材料としては、その屈折率が保護膜１１９の屈折率よりも小さいものが好適に用いられる。このように保護膜１１９の屈折率を平坦化膜１２１の屈折率よりも大きくすることにより、図示するように上方向（すなわち、発光素子１１０からの光の出射方向）に略球面状の凸形状を有する当該保護膜１１９の上面が、発光素子１１０からの出射光を集光する凸レンズとして機能し得る。

なお、保護膜１１９の材料としては、その屈折率が、保護膜１１９の屈折率よりも小さいことに加えて、後述するＣＦ層１２３の屈折率と同程度のものが用いられてもよい。これにより、保護膜１１９とＣＦ層１２３との界面における光の反射が抑制され、光取り出し効率をより向上させることができる。

平坦化膜１２１が形成されると、次に、その上にＣＦ層１２３が積層される（図４）。ＣＦ層１２３は、発光素子１１０の各々に対して所定の面積を有する各色のＣＦが設けられるように、形成される。ＣＦ層１２３の材料及び形成方法としては、一般的な有機ＥＬ表示装置において用いられている各種の公知の材料、及び方法が用いられてよい。例えば、ＣＦ層１２３は、レジスト材をフォトリソグラフィ技術で所定の形状に露光、現像することにより、形成され得る。また、ＣＦ層１２３におけるＣＦの配列方法は限定されない。例えば、当該配列方法は、ストライプ配列、デルタ配列、又は正方配列等、各種の公知の配列方法であってよい。

ＣＦ層１２３の上に、封止樹脂膜（図示せず）を介して第２の基板（図示せず）が貼り合わされることにより、第１の実施形態に係る表示装置が作製される。なお、当該封止樹脂膜の材料は、発光素子１１０からの出射光に対する透過性が高いこと、下層に位置するＣＦ層１２３及び上層に位置する第２の基板との接着性に優れていること、及び下層に位置するＣＦ層１２３との界面及び上層に位置する第２の基板との界面における光の反射性が低いこと等を考慮して、適宜選択されてよい。また、第２の基板の材料としては、第１の基板と同様の材料を用いることができる。ただし、第１の実施形態に係る表示装置はトップエミッション型であるから、第２の基板の材料としては、発光素子１１０からの光を好適に透過し得る材料が用いられる。

以上、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法について説明した。以上説明したように、第１の実施形態では、発光素子１１０の発光領域を規定するための第１の電極１０３に対する開口部１１１を絶縁層１０９に形成する際に、当該開口部１１１内の一部領域に絶縁層１０９を残存させる。これにより、発光素子１１０は、その発光領域の一部領域に、他の領域よりも上方に突出した凸部１１６を有することとなる。従って、発光素子１１０の上に保護膜１１９を積層した際に、当該保護膜１１９の上面の当該発光素子１１０の直上に対応する領域に、凸部１１６の形状に応じた略球面状の凸形状が形成されることとなる。

このとき、保護膜１１９の屈折率が平坦化膜１２１の屈折率よりも大きくなるように、保護膜１１９及び平坦化膜１２１の材料が選定され得るため、図５に示すように、当該保護膜１１９の上面の凸形状が、発光素子１１０からの出射光を集光する凸レンズとして機能することとなる。つまり、発光素子１１０の直上にＭＬが形成されることとなり、その光取り出し効率を向上させることが可能になる。図５は、第１の実施形態に係る表示装置における、ＭＬの効果について説明するための図である。図５では、図４に示す表示装置に対して、発光素子１１０からの出射光が保護膜１１９の上面（すなわち、ＭＬ）によって集光されて、ＣＦ層１２３を通過して、外部に向かって取り出される様子を模擬的に矢印で示している（図面が煩雑になることを避けるために、一部の符号については記載を省略している）。

このように、第１の実施形態では、発光領域の一部領域に形成された凸部１１６の形状が保護膜１１９の上面にいわば転写されることにより、ＭＬが形成され得る。つまり、発光素子１１０に対して自己整合的にＭＬが形成されるため、発光素子１１０とＭＬとの位置合わせを高精度に行うことができる。ここで、凸部１１６は、残存膜１１５に応じて形成されるが、当該残存膜１１５を形成する工程は、画素定義膜１１３を形成する工程と同じ工程である。つまり、開口部１１１、すなわち発光素子１１０の発光領域を規定する工程で、残存膜１１５が形成される。従って、当該残存膜１１５に基づいて形成されるＭＬの位置も、この発光領域を規定する工程で決定されることとなる。よって、第１の実施形態では、発光領域に対するＭＬの位置精度を非常に高く保つことが可能である。

ここで、特許文献１に記載の方法では、同様に、自己整合的にＭＬが形成され得るが、発光素子の発光領域全体が曲面上に形成される。従って、上述したように、有機層を均一な厚みで形成することが難しく、発光素子ごとの特性のばらつきが大きくなってしまうという懸念があった。これに対して、第１の実施形態では、上述したように、発光領域の一部領域に凸部が形成されることにより自己整合的にＭＬが形成される。発光領域の他の領域は略平坦であるため、少なくとも当該他の領域においては、有機層１０５を略均一な厚みで形成しやすくなる。よって、発光素子１１０ごとの特性のばらつきの発生を抑制しつつ、発光素子１１０とＭＬとの位置合わせの精度を向上させることができる。

また、特許文献１に記載の方法では、凸部が発光素子の発光領域よりも大きな面積を有するように形成されることにより、画素ピッチの微細化が困難であった。これに対して、第１の実施形態では、上述したように、発光素子１１０の発光領域の一部領域に凸部が形成される。従って、画素ピッチの微細化にも対応可能である。このように、第１の実施形態に係る表示装置の製造方法は、好適に、超小型の表示装置に適用され得る。超小型の表示装置を、以上説明した第１の実施形態に係る製造方法によって作製することにより、画素ピッチが微細化された場合であっても、発光素子１１０とＭＬとの位置合わせを高精度に行うことが可能になる。従って、当該位置合わせの精度の低下に起因する諸問題（輝度、色度、視野角特性等の光学特性の劣化）を生じさせず、高精細な表示を実現することができる。よって、高品質な表示装置が実現され得る。

また、発光素子１１０の上に保護膜１１９及び平坦化膜１２１を積層する工程は、一般的な有機ＥＬ表示装置においても行われている工程である。また、開口部１１１内の残存膜１１５の形成も、絶縁層１０９をエッチングする際のパターニングを変更することで実現可能である。このように、第１の実施形態では、一般的な有機ＥＬ表示装置の製造方法に対して、新規の工程を追加したり、既存の工程を大きく変更したりすることなく、ＭＬを形成することができる。従って、既存の方法に比べて製造コストをほぼ増加させることなく、表示装置を作製することが可能である。

（２－２．表示装置の要部の構成）
第１の実施形態に係る表示装置の要部の構成について説明する。なお、ここでは、一例として、当該表示装置が超小型の表示装置である場合における、要部の構成について説明する。

（２－２－１．断面の形状）
図６は、第１の実施形態に係る表示装置の要部の断面の形状について説明するための図である。図６では、図４に対して、各層の膜厚等を追加的に記載している。

例えば、第１の実施形態では、残存膜１１５によって構成される凸形状の、第１の電極１０３の表面からの高さｔ１（便宜的に残存膜１１５の厚みｔ１という）は、約０．２μｍ～約０．５μｍ程度であり得る。また、積層される保護膜１１９の厚みｔ２は、約０．５μｍ～約２．５μｍ程度であり得る。

かかる残存膜１１５の厚みｔ１、及び保護膜１１９の厚みｔ２は、最終的に形成されるＭＬの曲率半径Ｒ（第１の実施形態では、残存膜１１５の表面から凸形状の保護膜１１９の上面までの距離と定義する）を決定し得る因子であり得る。従って、第１の実施形態では、残存膜１１５の厚みｔ１、及び保護膜１１９の厚みｔ２は、光取り出し効率を効果的に向上させ得るような所望の曲率半径Ｒが得られるように、適宜決定されてよい。例えば、残存膜１１５の厚みｔ１、及び保護膜１１９の厚みｔ２は、ＭＬの曲率半径Ｒが、約０．５μｍ～約３．０μｍ程度となるように、上述した範囲内で適宜決定され得る。なお、光取り出し効率を効果的に向上させ得るような所望の曲率半径Ｒの具体的な値は、シミュレーションや実験等に基づいて適宜算出されてよい。また、ＭＬの曲率半径Ｒと、残存膜１１５の厚みｔ１、及び保護膜１１９の厚みｔ２と、の関係も、シミュレーションや実験等に基づいて適宜予測されてよく、当該関係に基づいて、所望の曲率半径Ｒが得られるような残存膜１１５の厚みｔ１、及び保護膜１１９の厚みｔ２が適宜決定されてよい。

平坦化膜１２１の厚みｔ３は、表面が確実に平坦になるように、かつ、発光素子１１０からの出射光をできるだけ減衰させないように、適宜決定され得る。例えば、平坦化膜１２１の厚みｔ３は、約０．１μｍ～約１．０μｍ程度であり得る。

ＣＦ層１２３の厚みｔ４は、所望の色度が得られるように、かつ、発光素子１１０からの出射光をできるだけ減衰させないように、適宜決定され得る。例えば、ＣＦ層１２３の厚みｔ４は、約０．５μｍ～約２．０μｍ程度であり得る。

（２－２－２．平面の形状）
図７は、第１の実施形態に係る表示装置の要部の水平面内の形状の寸法について説明するための図である。図７では、第１の実施形態に係る表示装置の要部の水平面内の構造を模擬的に示すとともに、１つの画素に対応する構成における断面の構造も併せて示し、両者の対応関係を示している。

図７では、表示装置の要部として、各画素における開口部１１１及び絶縁層１０９の平面レイアウトを模擬的に示している。説明のため、絶縁層１０９（画素定義膜１１３及び残存膜１１５）には図１～図４における絶縁層１０９と同じハッチングを付している。

図７では、一例として、ＣＦの配列がデルタ配列である場合における平面レイアウトを示している。デルタ配列の場合には、図示するように、画素定義膜１１３によって、正六角形の開口部１１１が形成される（つまり、正六角形の画素が形成される）。水平面内における開口部１１１の幅ｄ１（すなわち、発光領域の幅ｄ１）は、例えば約０．５μｍ～約１０μｍ程度であり得る。発光領域の幅ｄ１の具体的な値は、表示装置のパネルサイズ及び画素数等の仕様に基づいて適宜決定され得る。

上方から見た場合における残存膜１１５の形状は、略円形であり得る。また、水平面内における残存膜１１５の幅ｄ２は、最終的に形成されるＭＬの曲率半径Ｒを決定し得る因子であり得る。従って、残存膜１１５の幅ｄ２は、光取り出し効率を効果的に向上させ得るような所望の曲率半径Ｒが得られるように、適宜決定されてよい。例えば、上述した曲率半径Ｒ（約０．５μｍ～約３．０μｍ）を実現するような残存膜１１５の幅ｄ２は、約０．１５μｍ～約２μｍ程度であり得る。なお、ＭＬの曲率半径Ｒと残存膜１１５の幅ｄ２との関係は、シミュレーションや実験等に基づいて適宜予測されてよく、当該関係に基づいて、所望の曲率半径Ｒが得られるような残存膜１１５の幅ｄ２が適宜決定されてよい。

なお、以上説明した構成例では、上方から見た場合における残存膜１１５の形状は略円形であったが、本実施形態はかかる例に限定されない。当該残存膜１１５の形状は、例えば多角形等、任意であってよい。図８及び図９は、上方から見た場合における残存膜１１５の形状の他の例を示す図である。例えば、図８に示すように、当該残存膜１１５の形状は、正六角形であってもよい。あるいは、図９に示すように、当該残存膜１１５の形状は、正方形であってもよい。このように、上方から見た場合における残存膜１１５の形状が変更された場合であっても、同様に、その凸形状に応じた略球面状の凸形状が保護膜１１９の上面に形成され得るため、ＭＬを形成することが可能である。

（３．第２の実施形態）
本開示の第２の実施形態について説明する。以上説明した第１の実施形態では、画素定義膜１１３を形成する際に、その開口部１１１内において絶縁層１０９を残存させることにより、第１の電極１０３の発光領域に対応する領域の一部領域に凸形状を形成していた。ただし、本開示はかかる例に限定されない。第１の電極１０３の発光領域に対応する領域の一部領域に凸形状が形成されれば、これによって発光素子１１０の発光領域の一部領域に凸部１１６が形成され、その凸部１１６の凸形状に応じた略球面状の凸形状を保護膜１１９の上面に形成すること（すなわち、ＭＬを形成すること）が可能であり、この第１の電極１０３における凸形状を形成するための方法は、他の方法であってもよい。ここでは、第２の実施形態として、このような、第１の電極１０３における凸形状を他の方法によって形成する実施形態について説明する。なお、第２の実施形態では、当該第１の電極１０３における凸形状を形成する方法が第１の実施形態と異なるだけであり、表示装置のその他の構成は、第１の実施形態と同様であり得る。

図１０～図１６を参照して、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法について説明する。図１０～図１６は、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法について説明するための図である。図１０～図１６では、第２の実施形態に係る表示装置の上下方向と平行な断面を、当該表示装置の製造方法における工程順に概略的に図示したものであり、当該製造方法におけるプロセスフローを表すものである。なお、図１０～図１６では、当該製造方法の特徴的な工程について説明するために、当該表示装置のうち、これらの工程に関係する一部の構造のみを記載している。

第２の実施形態に係る表示装置の製造方法では、第１の実施形態に係る製造方法と同様に、まず、第１の基板（図示せず）上に、後述する発光素子２１０を駆動するための駆動回路（図示せず）が形成される。そして、当該駆動回路が形成された上に、絶縁層２０１が積層される。当該絶縁層２０１には、当該駆動回路と発光素子２１０とを電気的に接続するためのビア２１７が形成される。なお、第１の基板、駆動回路及び絶縁層２０１は、第１の実施形態に係る第１の基板、駆動回路及び絶縁層１０１と同様のものであってよい。

ここで、第２の実施形態では、ビア２１７の形成方法が、第１の実施形態とは異なる。以下、図１０～図１２を参照して、ビア２１７の形成方法について具体的に説明する。

ビア２１７の形成方法では、まず、例えばドライエッチング法によって絶縁層２０１に開口部が設けられた後、スパッタリング法によって当該開口部にＷ等の導電性材料２１７ａが埋め込まれる（図１０）。次に、絶縁層２０１及び埋め込まれた導電性材料２１７ａの表面がＣＭＰによって平坦化される（図１１）。そして、エッチバックにより、絶縁層２０１がエッチングされることにより、ビア２１７が形成される（図１２）。

第１の実施形態では、図１０及び図１１に示す工程と同様の工程でビア１１７が形成されていた。従って、ビア１１７の上端は、絶縁層１０１の表面と略同じ高さであり、当該絶縁層１０１の表面に段差は生じていなかった。一方、第２の実施形態では、上述した方法によってビア２１７が形成されることにより、ビア２１７の上端が、絶縁層２０１の表面よりも上方に突出することとなる。つまり、絶縁層２０１の表面に、ビア２１７による凸形状が存在する。

第２の実施形態では、この状態で、絶縁層２０１の上に有機ＥＬ素子からなる発光素子２１０が形成される（図１３）。発光素子２１０の形成方法は、第１の実施形態に係る発光素子１１０の形成方法と同様である。具体的には、発光素子２１０は、アノードとして機能する第１の電極２０３と、発光層として機能する有機発光材料からなる有機層２０５と、カソードとして機能する第２の電極２０７と、がこの順に積層されて構成される。

より具体的には、絶縁層２０１の上に、第１の電極２０３が形成される。当該第１の電極２０３の上に、当該第１の電極２０３の少なくとも一部を露出するように開口部２１１が設けられる絶縁層２０９が積層されており、有機層２０５及び第２の電極２０７は、当該開口部２１１の底部において露出した第１の電極２０３と接触するように、当該第１の電極２０３及び当該絶縁層２０９の上に積層される。つまり、発光素子２１０は、絶縁層２０９の開口部２１１において、第１の電極２０３、有機層２０５及び第２の電極２０７がこの順に積層された構成を有する。発光素子２１０の絶縁層２０９の開口部２１１に当たる領域が、当該発光素子２１０の発光領域に対応する。なお、絶縁層２０９、第１の電極２０３、有機層２０５及び第２の電極２０７は、第１の実施形態に係る絶縁層１０９、第１の電極１０３、有機層１０５及び第２の電極１０７と同様のものであってよい。

１つの発光素子２１０によって、１つの画素が構成される。図１０～図１６では、１つの発光素子２１０に対応する領域しか図示していないが、実際には第１の基板上の表示領域に対応する領域に、複数の発光素子２１０が、所定の画素ピッチで２次元状に配列される。また、上述した絶縁層２０９は、画素定義膜２１３として機能する。

第２の実施形態では、絶縁層２０１の表面からビア２１７の上端が突出しているから、その上に第１の電極２０３が積層されると、当該第１の電極２０３に、当該ビア２１７による突出形状に応じた凸形状が形成されることとなる。その上に更に有機層２０５及び第２の電極２０７が積層されると、当該有機層２０５及び当該第２の電極２０７も、当該ビア２１７による突出形状に応じた凸形状を有することとなる。いわば、ビア２１７による突出形状が、第１の電極２０３、有機層２０５及び第２の電極２０７の形状に転写される。よって、図示するように、発光素子２１０は、その発光領域の一部領域に、他の領域よりも上方に突出した凸部２１６を有することとなる。つまり、発光素子２１０は、略平坦な発光領域内の一部領域に凸部２１６が存在する構成を有する。図示する構成例であれば、発光領域の水平面内における略中央に１つのビア２１７が設けられており、それに対応して、発光領域の水平面内における略中央に１つの凸部２１６が設けられている。

なお、第１の実施形態では、絶縁層１０９に開口部１１１を設ける際に、当該開口部１１１内の一部領域に当該絶縁層１０９を残存させ、残存膜１１５を形成していた。そして、その残存膜１１５によって、凸部１１６を形成していた。これに対して、第２の実施形態では、上述したように、ビア２１７によって凸部２１６が形成されるため、開口部２１１内に絶縁層２０９を残存させる必要はない。従って、第２の実施形態では、開口部２１１を形成する際に、当該開口部２１１内に絶縁層２０９を残存させることなく、画素定義膜２１３のみが形成される。

以降の工程は、第１の実施形態と同様である。具体的には、発光素子２１０が形成されると、次に、その上に保護膜２１９が積層される（図１４）。保護膜２１９は、第１の実施形態に係る保護膜１１９と同様のものである。例えば、保護膜２１９は、ＳｉＮをＣＶＤ法によって成膜することによって形成される。これにより、図示するように、当該保護膜２１９の上面に凸部２１６の凸形状がいわば転写され、当該保護膜２１９の上面は、凸部２１６の凸形状に応じた略球面状の凸形状になる。

保護膜２１９が形成されると、次に、その上に平坦化膜２２１が積層される（図１５）。平坦化膜２２１は、第１の実施形態に係る平坦化膜１２１と同様のものである。例えば、平坦化膜２２１は、保護膜２１９よりも屈折率の低い樹脂系材料によって形成される。これにより、保護膜２１９の上面の略球面状の凸形状が、発光素子１１０からの出射光を集光する凸レンズとして機能し得る。

平坦化膜２２１が形成されると、次に、その上にＣＦ層２２３が積層される（図１６）。そして、ＣＦ層２２３の上に、封止樹脂膜（図示せず）を介して第２の基板（図示せず）が貼り合わされることにより、第２の実施形態に係る表示装置が作製される。なお、ＣＦ層２２３、封止樹脂膜及び第２の基板は、第１の実施形態に係るＣＦ層１２３、封止樹脂膜及び第２の基板と同様のものであってよい。

以上、第２の実施形態に係る表示装置の製造方法について説明した。以上説明したように、第２の実施形態では、発光素子２１０を構成する下層の電極である第１の電極２０３をより下層の駆動回路と電気的に接続するためのビア２１７を形成する際に、当該ビア２１７の上端を、当該ビア２１７が設けられる絶縁層２０１の表面よりも突出させる。これにより、これにより、発光素子２１０は、その発光領域の一部領域に、他の領域よりも上方に突出した凸部２１６を有することとなる。従って、発光素子２１０の上に保護膜２１９を積層した際に、当該保護膜２１９の上面の当該発光素子２１０の直上に対応する領域に、凸部２１６の形状に応じた略球面状の凸形状が形成されることとなる。このとき、保護膜２１９の屈折率が平坦化膜２２１の屈折率よりも大きくなるように、保護膜２１９及び平坦化膜２２１の材料が選定され得るため、当該保護膜２１９の上面の凸形状は、発光素子２１０からの出射光を集光する凸レンズとして機能する。つまり、発光素子２１０の直上にＭＬが形成されることとなる。

このように、第２の実施形態によれば、第１の実施形態と同様に、各発光素子２１０の直上に、自己整合的にＭＬを形成することができる。従って、第１の実施形態と同様の効果（光取り出し効率を向上させることができること、発光素子２１０ごとの特性のばらつきを生じさせることなく発光素子２１０とＭＬとの位置合わせの精度を向上させることができること、画素ピッチが微細化された場合であっても当該位置合わせの精度を高く保つことができること、及び製造コストの増加を抑えることができること等）を得ることが可能になる。

なお、上述したように、第１の実施形態では、発光素子１１０の発光領域の一部領域に残存膜１１５を形成することにより、凸部１１６が形成される。この構成では、当該残存膜１１５が存在する部位は、発光しないこととなるため、発光素子１１０の輝度が低下することが懸念される。これに対して、第２の実施形態では、発光素子２１０の発光領域に残存膜１１５は形成されないため、当該発光領域全体が発光に寄与する。従って、第１の実施形態に比べて、輝度を向上させる効果を得ることができる。なお、第１の実施形態においても、凸部１１６が設けられることによりＭＬが形成されることとなり、当該ＭＬによる輝度向上の効果が得られるため、残存膜１１５による輝度低下の影響は相殺され得る。従って、第１の実施形態においても、ＭＬが設けられない構造に比べれば、輝度向上の効果は十分に得られると考えられる。

（４．適用例）
以上説明した各実施形態に係る表示装置の適用例について説明する。ここでは、以上説明した各実施形態に係る表示装置が適用され得る電子機器のいくつかの例について説明する。

図１７は、各実施形態に係る表示装置が適用され得る電子機器の一例である、スマートフォンの外観を示す図である。図１７に示すように、スマートフォン３０１は、ボタンから構成されユーザによる操作入力を受け付ける操作部３０３と、各種の情報を表示する表示部３０５と、を有する。各実施形態に係る表示装置が小型又は中型の表示装置である場合であれば、当該表示部３０５に、当該表示装置が好適に適用され得る。

図１８及び図１９は、各実施形態に係る表示装置が適用され得る電子機器の他の例である、デジタルカメラの外観を示す図である。図１８は、デジタルカメラ３１１を前方（被写体側）から眺めた外観を示しており、図１９は、デジタルカメラ３１１を後方から眺めた外観を示している。図１８及び図１９に示すように、デジタルカメラ３１１は、本体部（カメラボディ）３１３と、交換式のレンズユニット３１５と、撮影時にユーザによって把持されるグリップ部３１７と、各種の情報を表示するモニタ３１９と、撮影時にユーザによって観察されるスルー画を表示するＥＶＦ３２１と、を有する。各実施形態に係る表示装置が小型又は中型の表示装置である場合であれば、当該モニタ３１９に、当該表示装置が好適に適用され得る。各実施形態に係る表示装置が超小型の表示装置である場合であれば、当該ＥＶＦ３２１に、当該表示装置が好適に適用され得る。

図２０は、各実施形態に係る表示装置が適用され得る電子機器の他の例である、ＨＭＤの外観を示す図である。図２０に示すように、ＨＭＤ３３１は、各種の情報を表示する眼鏡形の表示部３３３と、装着時にユーザの耳に掛止される耳掛け部３３５と、を有する。各実施形態に係る表示装置が超小型の表示装置である場合であれば、当該表示部３３３に、当該表示装置が好適に適用され得る。

以上、各実施形態に係る表示装置が適用され得る電子機器のいくつかの例について説明した。なお、各実施形態に係る表示装置が適用され得る電子機器は上記で例示したものに限定されず、当該表示装置は、そのサイズに応じて、テレビジョン装置、タブレットＰＣ、電子ブック、ＰＤＡ（Personal Digital Assistant）、ノート型ＰＣ、ビデオカメラ、又はゲーム機器等、外部から入力された画像信号又は内部で生成した画像信号に基づいて表示を行うあらゆる分野の電子機器に搭載される表示装置に適用することが可能である。

（５．補足）
以上、添付図面を参照しながら本開示の好適な実施形態について詳細に説明したが、本開示の技術的範囲はかかる例に限定されない。本開示の技術分野における通常の知識を有する者であれば、特許請求の範囲に記載された技術的思想の範疇内において、各種の変更例または修正例に想到し得ることは明らかであり、これらについても、当然に本開示の技術的範囲に属するものと了解される。

例えば、上記実施形態では、発光領域の水平面内における略中央に凸部１１６、２１６が形成されていたが、本技術はかかる例に限定されない。凸部１１６、２１６が形成される位置は、発光領域の任意の位置であってよい。ただし、凸部１１６、２１６の水平面内における位置に応じて、保護膜１１９、２１９の上面の凸形状の中心の水平面内における位置（すなわち、ＭＬの水平面内における位置）も変化し得るため、当該凸部１１６、２１６の位置は、発光素子１１０、２１０の特性等も考慮して、ＭＬが所望の位置に形成され得るように、適宜決定され得る。

また、上記実施形態では、発光領域に凸部１１６、２１６が１つのみ形成されていたが、本開示はかかる例に限定されない。発光領域には、凸部１１６、２１６が複数形成されてもよい。発光領域に、凸部１１６、２１６が複数形成される場合には、各凸部１１６、２１６に応じて、保護膜１１９、２１９の上面に凸形状が形成されることとなるため、１つの発光素子１１０、２１０に対してＭＬが複数形成されることとなる。発光素子１１０、２１０の特性によっては、１つの発光素子１１０、２１０に対してＭＬを複数形成した方が光取り出し効率をより効果的に向上させることが可能となる可能性があるため、このような場合には、所望の位置に所望の数のＭＬが形成され得るように、発光領域に形成する凸部１１６、２１６の位置及び形状が適宜決定され得る。

また、上記実施形態では、保護膜１１９、２１９の上層にはＣＦが設けられていたが、本開示はかかる例に限定されない。例えば、表示装置が、発光素子によってＲＧＢの各色を発光する方式（いわゆるＲＧＢ塗り分け方式）である場合や、単色の表示を可能に構成される場合には、ＣＦは設けられなくてもよい。

また、上記実施形態では、凸部１１６、２１６を形成するための方法として、画素定義膜１１３を形成する際に絶縁層１０９を残存させることで開口部１１１、２１１内の第１の電極１０３、２０３に凸形状を形成する方法、又はビア２１７を形成する際に絶縁層２０１の表面よりも当該ビア２１７の上端を突出させることで開口部１１１、２１１内の第１の電極１０３、２０３に凸形状を形成する方法が用いられていたが、本開示はかかる例に限定されない。開口部１１１、２１１内の第１の電極１０３、２０３に凸形状が形成されれば、当該凸形状に応じて、その上に積層される有機層１０５、２０５及び第２の電極１０７、２０７にも凸形状が形成され、凸部１１６、２１６と同様の凸部を形成可能であるため、この第１の電極１０３、２０３に対して凸形状を形成する方法は、任意であってよい。

また、本開示では、少なくとも発光素子１１０、２１０が形成された際に、その上層の電極である第２の電極１０７、２０７の当該発光素子１１０、２１０の発光領域に対応する一部の部位に凸部が形成されていれば、その凸部の形状に応じて、当該発光素子１１０、２１０の上に積層される保護膜１１９、２１９の上面にも凸形状が形成され得る（すなわち、ＭＬが形成され得る）。かかる凸部を形成するための方法は、第１の電極１０３、２０３に凸形状を設ける方法に限定されず、任意であってよく、上述した実施形態以外の方法であってもよい。例えば、発光領域に対応する領域において、第１の電極１０３、２０３及び有機層１０５、２０５は平坦に形成され、第２の電極１０７、２０７の形状を加工することにより、当該第２の電極１０７、２０７の上面にのみ局所的に凸部が設けられてもよい。

また、上記実施形態では、発光素子１１０、２１０の直上に保護膜１１９、２１９が積層され、当該保護膜１１９、２１９の直上に平坦化膜１２１、２２１が積層されていたが、本開示はかかる例に限定されない。表示装置の構成によっては、発光素子１１０、２１０の直上、及びその更に直上には、異なる機能及び名称を有する膜が積層され得る。本開示に係る技術は、発光素子１１０、２１０の直上に積層される第１の膜が上記実施形態における保護膜１１９、２１９と同様の屈折率を有する材料及び方法によって形成され、当該第１の膜の直上に積層される第２の膜が上記実施形態における平坦化膜１２１、２２１と同様の屈折率を有する材料によって形成されればよく、これら第１の膜及び第２の膜の種類は限定されない。

なお、本開示に係る技術は、上述した実施形態に対応する方法によってＭＬが形成されれば、その効果を得ることができるものであり、表示装置の他の構成は任意であってよい。換言すれば、本開示に係るＭＬの形成方法は、可能な範囲で任意の構成の表示装置に対して適用されてよい。

また、本明細書に記載された効果は、あくまで説明的又は例示的なものであって限定的なものではない。つまり、本開示に係る技術は、上記の効果とともに、又は上記の効果に代えて、本明細書の記載から当業者には明らかな他の効果を奏し得る。

なお、以下のような構成も本開示の技術的範囲に属する。
（１）
基板上に形成される複数の発光素子と、
複数の前記発光素子の上に積層される第１の膜と、
を備え、
前記発光素子の発光領域の一部領域に、上方に向かって突出する凸部が存在し、
前記第１の膜の上面は、前記凸部に応じた略球面状の凸形状を有する、
表示装置。
（２）
前記第１の膜の直上に、前記第１の膜よりも屈折率の小さい材料からなる第２の膜が積層される、
前記（１）に記載の表示装置。
（３）
前記発光領域の、前記凸部が設けられる領域以外は、平坦面である、
前記（１）又は（２）に記載の表示装置。
（４）
前記凸部は、少なくとも前記発光領域の面積を規定する画素定義膜と同一の絶縁体を含む、
前記（１）～（３）のいずれか１項に記載の表示装置。
（５）
前記凸部の下層には、前記発光素子の下層の電極とより下層の回路とを電気的に接続するビアが存在する、
前記（１）～（３）のいずれか１項に記載の表示装置。
（６）
前記第１の膜の上層に、カラーフィルタ層が存在する、
前記（１）～（５）のいずれか１項に記載の表示装置。
（７）
前記凸部は、１つの前記発光素子の前記発光領域に１つのみ存在する、
前記（１）～（６）のいずれか１項に記載の表示装置。
（８）
前記凸部は、１つの前記発光素子の前記発光領域に複数存在する、
前記（１）～（６）のいずれか１項に記載の表示装置。
（９）
上方から見た場合における前記凸部の形状は、略円形である、
前記（１）～（８）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１０）
上方から見た場合における略円形の前記凸部の直径は、約０．１５μｍ～約２．０μｍである、
前記（９）に記載の表示装置。
（１１）
上方から見た場合における前記凸部の形状は、多角形である、
前記（１）～（８）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１２）
前記表示装置は、有機ＥＬ表示装置である、
前記（１）～（１１）のいずれか１項に記載の表示装置。
（１３）
画像信号に基づいて表示を行う表示装置、
を備え、
前記表示装置は、
基板上に形成される複数の発光素子と、
複数の前記発光素子の上に積層される第１の膜と、
を有し、
前記発光素子の発光領域の一部領域に、上方に向かって突出する凸部が存在し、
前記第１の膜の上面は、前記凸部に応じた略球面状の凸形状を有する、
電子機器。
（１４）
基板上に複数の発光素子を形成する工程と、
複数の前記発光素子の上に第１の膜を積層する工程と、
を含み、
前記発光素子の発光領域の一部領域に、上方に向かって突出する凸部が形成され、
前記第１の膜を積層する工程では、前記凸部の上に前記第１の膜が積層されることにより、前記第１の膜の上面が前記凸部に応じた略球面状の凸形状となる、
表示装置の製造方法。
（１５）
前記第１の膜は、真空成膜法によって積層される、
前記（１４）に記載の表示装置の製造方法。
（１６）
前記第１の膜の直上に、前記第１の膜よりも屈折率の小さい材料からなる第２の膜を積層する工程、を更に含む、
前記（１４）又は（１５）に記載の表示装置の製造方法。
（１７）
複数の前記発光素子を形成する工程は、前記発光素子の下層の電極を形成する工程、前記下層の電極の上に絶縁層を積層する工程、及び前記下層の電極の表面の前記発光領域に対応する領域を露出させるように前記絶縁層をパターニングすることにより、前記発光領域の面積を規定する画素定義膜を形成する工程、を含み、
前記画素定義膜を形成する工程では、前記下層の電極の表面の前記発光領域に対応する領域の一部領域に前記絶縁層が残存するように、前記絶縁層がパターニングされ、
前記凸部は、残存した前記絶縁層の上に、前記発光素子の有機層及び上層の電極が積層されることにより、形成される、
前記（１４）～（１６）のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。
（１８）
複数の前記発光素子を形成する工程の前に、前記発光素子の下層の電極とより下層の回路とを電気的に接続するビアを形成する工程、を更に含み、
前記ビアを形成する工程では、前記ビアの上端が、前記ビアが形成される絶縁層の表面よりも上方に突出するように、前記ビアが形成され、
前記凸部は、前記絶縁層の表面から突出している前記ビアの上に、前記発光素子の前記下層の電極、有機層及び上層の電極が積層されることにより、形成される、
前記（１４）～（１６）のいずれか１項に記載の表示装置の製造方法。

１０１、２０１ 絶縁層
１０３、２０３ 第１の電極
１０５、２０５ 有機層
１０７、２０７ 第２の電極
１０９、２０９ 絶縁層
１１０、２１０ 発光素子
１１１、２１１ 開口部
１１３、２１３ 画素定義膜
１１５ 残存膜
１１６、２１６ 凸部
１１７、２１７ ビア
１１９、２１９ 保護膜
１２１、２２１ 平坦化膜
１２３、２２３ ＣＦ層
２１７ａ 導電性材料
３０１ スマートフォン（電子機器）
３１１ デジタルカメラ（電子機器）
３３１ ＨＭＤ（電子機器）

Claims (15)

1. 基板上に形成される複数の発光素子と、
   複数の前記発光素子の上に積層される第１の膜と、
   を備え、
   前記発光素子の発光領域の一部領域に、上方に向かって突出する凸部が存在し、
   前記第１の膜の上面は、前記凸部に応じた略球面状の凸形状を有し、
   前記発光領域の、前記凸部が設けられる領域以外は、平坦面である、
   表示装置。
2. 前記第１の膜の直上に、前記第１の膜よりも屈折率の小さい材料からなる第２の膜が積層される、
   請求項１に記載の表示装置。
3. 前記凸部は、少なくとも前記発光領域の面積を規定する画素定義膜と同一の絶縁体を含む、
   請求項１又は２に記載の表示装置。
4. 前記凸部の下層には、前記発光素子の下層の電極とより下層の回路とを電気的に接続するビアが存在する、
   請求項１又は２に記載の表示装置。
5. 前記第１の膜の上層に、カラーフィルタ層が存在する、
   請求項１～４のいずれか１項に記載の表示装置。
6. 前記凸部は、１つの前記発光素子の前記発光領域に１つのみ存在する、
   請求項１～５のいずれか１項に記載の表示装置。
7. 前記凸部は、１つの前記発光素子の前記発光領域に複数存在する、
   請求項１～５のいずれか１項に記載の表示装置。
8. 上方から見た場合における前記凸部の形状は、略円形である、
   請求項１～７のいずれか１項に記載の表示装置。
9. 上方から見た場合における略円形の前記凸部の直径は、約０．１５μｍ～約２．０μｍである、
   請求項８に記載の表示装置。
10. 上方から見た場合における前記凸部の形状は、多角形である、
    請求項１～７のいずれか１項に記載の表示装置。
11. 前記表示装置は、有機ＥＬ表示装置である、
    請求項１～１０のいずれか１項に記載の表示装置。
12. 画像信号に基づいて表示を行う表示装置、
    を備え、
    前記表示装置は、
    基板上に形成される複数の発光素子と、
    複数の前記発光素子の上に積層される第１の膜と、
    を有し、
    前記発光素子の発光領域の一部領域に、上方に向かって突出する凸部が存在し、
    前記第１の膜の上面は、前記凸部に応じた略球面状の凸形状を有し、
    前記発光領域の、前記凸部が設けられる領域以外は、平坦面である、
    電子機器。
13. 基板上に複数の発光素子を形成する工程と、
    複数の前記発光素子の上に第１の膜を積層する工程と、
    を含み、
    前記発光素子の発光領域の一部領域に、上方に向かって突出する凸部が形成され、
    前記第１の膜を積層する工程では、前記凸部の上に前記第１の膜が積層されることにより、前記第１の膜の上面が前記凸部に応じた略球面状の凸形状となり、
    複数の前記発光素子を形成する工程は、前記発光素子の下層の電極を形成する工程、前記下層の電極の上に絶縁層を積層する工程、及び前記下層の電極の表面の前記発光領域に対応する領域を露出させるように前記絶縁層をパターニングすることにより、前記発光領域の面積を規定する画素定義膜を形成する工程、を含み、
    前記画素定義膜を形成する工程では、前記下層の電極の表面の前記発光領域に対応する領域の一部領域に前記絶縁層が残存するように、前記絶縁層がパターニングされ、
    前記凸部は、残存した前記絶縁層の上に、前記発光素子の有機層及び上層の電極が積層されることにより、形成される、
    表示装置の製造方法。
14. 前記第１の膜は、真空成膜法によって積層される、
    請求項１３に記載の表示装置の製造方法。
15. 前記第１の膜の直上に、前記第１の膜よりも屈折率の小さい材料からなる第２の膜を積層する工程、を更に含む、
    請求項１３又は１４に記載の表示装置の製造方法。

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