CN110235520B - 显示装置、电子装置及显示装置的制造方法 - Google Patents

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Abstract

[问题]为实现更高质量的显示。[解决方案]提供了一种显示装置，提供有：形成在基板上的多个发光元件；和叠层在多个发光元件上的第一膜，其中向上突出的凸起部分存在于发光元件的发光区域的部分区域中，并且第一膜的上表面具有与凸起部分相对应的基本球形的凸起形状。

Description

显示装置、电子装置及显示装置的制造方法
技术领域
本公开涉及显示装置、电子装置和显示装置的制造方法。
背景技术
在显示装置中，为了提高光提取效率，提出了在每个像素的每个发光方向上设置微透镜(ML)的结构。例如，专利文献1公开了一种有机电致发光(EL)显示装置的制造方法，其中与底层的像素相对应的区域的形状是半球形凸起形状，并且有机EL元件和保护膜形成在底层上。根据该方法，底层的凸起形状被转移到保护膜的顶表面，并且保护膜的顶表面用作位于每个有机EL元件正上方的ML。
引用列表
专利文献
专利文献1：日本专利申请特开第2012-252836号
发明内容
本发明要解决的问题
然而，在专利文献1所公开的技术中，有机EL元件的有机层层压在底层的半球形凸起形状上。有机层层压在弯曲表面上，使得有机层不是以均匀的厚度层压的，并且担心每个发光元件的亮度和色度的变化很大。因此，结果，显示表面中的亮度和色度是不均匀的，使得难以实现高质量的显示装置。
鉴于上述情况，在显示装置中，需要通过更优选的方法形成ML来实现具有改进的光提取效率的更高质量的显示。因此，本公开提出了一种能够实现更高质量显示的新颖和改进的显示装置、电子装置和显示装置的制造方法。
问题的解决方案
根据本公开，提供了一种显示装置，其包括形成在基板上的多个发光元件，和层压在多个发光元件上的第一膜，其中向上突出的凸起部分存在于发光元件的发光区域的部分区域中，并且第一膜的上表面具有与凸起部分相对应的基本球形的凸起形状。
此外，根据本公开，提供了一种电子装置，其包括基于图像信号执行显示的显示装置，显示装置包括形成在基板上的多个发光元件，以及层压在多个发光元件上的第一膜，其中向上突出的凸起部分存在于发光元件的发光区域的部分区域中，并且第一膜的上表面具有与凸起部分相对应的基本球形凸起形状。
此外，根据本公开，提供了一种显示装置的制造方法，包括在基板上形成多个发光元件的步骤，以及在多个发光元件上层压第一膜的步骤，其中，在发光元件的发光区域的部分区域中形成向上突出的凸起部分，其中，在层压第一膜的步骤中，第一膜层压在凸起部分上，使得第一膜的上表面具有与凸起部分相对应的基本球形凸起形状。
根据本公开，在通过在发光元件上层压第一膜(例如，保护膜)而制备的显示装置中，在发光元件的发光区域的部分区域中形成向上突出的凸起部分，并且当层压第一膜时，第一膜层压在凸起部分上，使得在第一膜的上表面上形成与凸起部分相对应的基本球形凸起形状。在发光元件正上方形成的第一膜的上表面的凸起形状可以用作ML。以此方式，根据本公开，根据设置在发光元件的发光区域的部分区域中的凸起部分，以自对准方式形成ML。因此，能够准确地对准发光元件和ML。此时，发光元件的发光区域中未设置凸起部分的区域可以是平坦的，使得与专利文献1中公开的方法相比，发光区域中的有机层的形成不太可能变化，并且每个发光元件的特性也不太可能变化。因此，根据本公开，能够实现能够高质量显示的显示装置。
本发明的效果
如上所述，根据本公开，可以实现更高质量的显示。注意，上述效果不一定受限制，并且除了上述效果或代替上述效果之外，还可以显示本说明书中所示的任何效果，或者可以从本说明书中理解的其他效果。
附图说明
[图1]是用于描述根据第一实施例的显示装置的制造方法的视图。
[图2]是用于描述根据第一实施例的显示装置的制造方法的视图。
[图3]是用于描述根据第一实施例的显示装置的制造方法的视图。
[图4]是用于描述根据第一实施例的显示装置的制造方法的视图。
[图5]是用于描述根据第一实施例的显示装置中的ML的效果的视图。
[图6]是用于描述根据第一实施例的显示装置的主要部分的截面形状的视图。
[图7]是用于描述根据第一实施例的显示装置的主要部分的水平表面中的形状的尺寸的视图。
[图8]是示出在从上方观看情况下残余膜的形状的另一示例的视图。
[图9]是示出在从上方观看的情况下残余膜的形状的另一示例的视图。
[图10]是用于描述根据第二实施例的显示装置的制造方法的视图。
[图11]是用于描述根据第二实施例的显示装置的制造方法的视图。
[图12]是用于描述根据第二实施例的显示装置的制造方法的视图。
[图13]是用于描述根据第二实施例的显示装置的制造方法的视图。
[图14]是用于描述根据第二实施例的显示装置的制造方法的视图。
[图15]是用于描述根据第二实施例的显示装置的制造方法的视图。
[图16]是用于描述根据第二实施例的显示装置的制造方法的视图。
[图17]是示出智能电话的外观的视图，智能电话是可以应用根据每个实施例的显示装置的电子装置的示例。
[图18]是示出数码相机外观的视图，数码相机是可以应用根据每个实施例的显示装置的电子装置的另一示例。
[图19]是示出数码相机外观的视图，数码相机是可以应用根据每个实施例的显示装置的电子装置的另一示例。
[图20]是示出HMD外观的视图，HMD是可以应用根据每个实施例的显示装置的电子装置的另一示例。
具体实施方式
下面将参考附图详细描述本公开的优选实施例。注意，在本说明书和附图中，对于具有基本相同功能配置的构成元件给出相同的附图标记，并且省略冗余说明。
注意，在下面的描述中，在显示装置的配置中，每层的层压方向也称为垂直方向。在这种情况下，在垂直方向上，层压各层的方向也称为向上方向，并且相反方向也称为向下方向。此外，垂直于垂直方向的方向也称为水平方向，以及平行于水平方向的表面也称为水平表面。此外，在本说明书中，在描述层压某一层和另一层、在某一层的上层或底层上存在另一层等的情况下，表述可以指这些层直接接触层压的状态，或者还可以指这些层与插在这些层之间的另一层层压的状态。
这里，在本说明书中，超紧凑型显示装置是指具有例如约0.2英寸至约2英寸的面板尺寸的显示装置。超紧凑型显示装置的像素尺寸可以是例如约20μm或更小。超紧凑型显示装置可以适当地应用于，例如头戴式显示器(HMD)的显示单元、数码相机的电子取景器(EVF)等。此外，超紧凑型显示装置是指具有例如约2英寸至约7英寸的面板尺寸的显示装置。紧凑型显示装置的像素尺寸可以是，例如约30μm至70μm。此外，中型显示装置是指具有例如约7英寸至约15英寸的面板尺寸的显示装置。中型显示装置的像素尺寸可以是，例如约50μm至约100μm。紧凑型或中型显示装置可以适当地应用于，例如智能电话的显示单元、平板个人计算机(PC)等。
请注意，说明将按以下顺序给出。
1.为本发明构思的背景
2.第一实施例
2-1.显示装置的制造方法
2-2.显示装置主要部分的配置
2-2-1.截面形状
2-2-2.平面形状
3.第二实施例
4.应用示例
5.补充
(1.为本发明构思的背景)
在描述本公开的优选实施例之前，将描述本发明人为本发明构思的背景。
如上所述，在显示装置中，为了提高光提取效率，已经提出了为每个像素提供ML的结构。例如，作为在有机EL显示装置中提供ML的方法，在面向滤色器(CF)型有机EL显示装置的情况下，考虑在其上形成CFS的面向基板上形成ML的方法。或者，在芯片上滤色器(OCCF)型有机EL显示装置的情况下，考虑通过在基板上层压包括光敏树脂等的透镜材料并在图案化之后执行回流的方法、在基板上层压透镜材料的方法以及使用灰度掩模等执行图案化来形成作为芯片上透镜的ML的方法。
同时，近年来，积极地进行了应用于例如HMD的显示单元、数码相机的EVF等的超紧凑型显示装置(所谓的微显示器)的研发。其中，与液晶显示装置相比，有机EL显示装置能够实现高对比度和高速响应，使得有机EL显示装置作为安装在这种电子装置中的超紧凑型显示装置而受到关注。
在这种超紧凑型有机EL显示装置(下文中，也称为有机EL微显示器)中，为了实现紧凑但高分辨率的显示，像素间距被小型化到例如约10μm或更小。如上所述，随着像素间距变得更细，在任何上述方法中，难以准确地对准作为发光元件的有机EL元件和ML。如果降低发光元件和ML之间的对准的精度，则面板的诸如亮度和色度的光学特性，以及视角特性恶化，是严重的质量问题。如上所述，在具有小像素间距的有机EL微显示器中，发光元件与ML之间的对准的精度可以是影响质量的主要因素。
作为用于精确对准发光元件和ML的方法，例如，公开了专利文献1中公开的方法。如上所述，专利文献1公开了一种有机EL显示装置的制造方法，其中与底层的像素相对应的区域的形状是半球形凸起形状，并且发光元件(有机EL元件)和保护膜形成在底层上。根据该方法，底层的凸起形状被转移到保护膜的顶表面，并且保护膜的顶表面用作位于每个发光元件正上方的ML。即，在该方法中，由于ML是以自对准的方式形成的，所以能够提高发光元件与ML之间的对准的精度。
然而，这种方法有几个问题。第一个问题是，如上所述，在专利文献1中公开的方法中，由于发光元件形成在弯曲表面上，所以担心发光元件的特性可能发生变化。
第二个问题是，考虑在像素间距小的情况下应用专利文献1中公开的方法是困难的。具体地，在专利文献1所公开的方法中，作为下层电极的阳极形成在底层的凸起形状的整个表面上，并且在阳极的表面的一部分被打开的状态下，作为有机层的电极的阴极和上层被顺序层压，从而形成有机EL元件。即，在专利文献1所公开的有机EL显示装置中，有机EL元件中阳极的开口面积，即发光区域的面积小于底层的凸起形状的面积。换言之，在有机EL显示装置中，不能使像素间距小于在底层中形成的凸起形状的间距。然后，专利文献1公开了优选的是，底层中的凸起形状的底部的宽度(基板表面上的宽度)为5.0μm或更大且30μm或更小。因此，可以说专利文献1中公开的方法不适合于例如将像素间距减小到10μm或更小的情况。
如上所述，可以说，特别是在超紧凑型显示装置中，还没有充分地研究能够准确地执行发光元件与ML之间的对准的ML的形成方法。本发明的发明人努力研究了这样一种ML的形成方法，利用该方法可以精确地执行发光元件与ML之间的对准，并且因此，本公开构思了该方法。根据本公开，即使在超紧凑型显示装置中，也可以提高发光元件与ML之间的对准的对准精度，而不会引起诸如发光元件的上述特性变化的问题。因此，可以实现能够以改进的光提取效率实现更高质量显示的显示装置。
下面将详细描述由本发明人构思的本公开的优选实施例。注意，在下面的描述中，将描述与有机EL显示装置相关的实施例作为示例。然而，本公开不限于此示例，并且根据本公开的技术可以应用于其它类型的显示装置，只要像素通过在基板上形成自发光元件而被配置。
(2.第一实施例)
(2－1.显示装置的制造方法)
将参考图1至图4描述根据本公开的第一实施例的显示装置的制造方法。图1至图4是用于描述根据第一实施例的显示装置的制造方法的视图。图1至图4以显示装置的制造方法中的步骤的顺序示意性地示出了平行于根据第一实施例的显示装置的垂直方向的截面，并且表示了制造方法中的处理流程。注意，在图1和图4中，为了描述制造方法的特征步骤，仅描述与显示装置中的这些步骤相关的结构的一部分。
在根据第一实施例的显示装置的制造方法中，首先，在第一基板(未示出)上形成包括驱动电路(未示出)和有机EL元件的发光元件110(图1)。驱动电路用于驱动发光元件110，并且包括薄膜晶体管(TFT)等。在形成的驱动电路上层压绝缘层101。然后，在绝缘层101上形成发光元件110。
注意，在形成发光元件110之前，在绝缘层101中形成用于电连接驱动电路和发光元件110的通孔117。通孔117可以通过各种已知方法形成。例如，通孔117可以通过以下方式形成：通过干蚀刻法在绝缘层101中提供开口，然后通过溅射法将诸如钨(W)的导电材料嵌入到开口中，并且通过化学机械抛光(CMP)平坦化绝缘层101和嵌入的导电材料的表面。
发光元件110由依次层压的第一电极103、用作发光层的有机层105和第二电极107形成。有机层105包括有机发光材料，并且被配置为发射白光。第一电极103用作阳极。第二电极107用作阴极。这里，根据第一实施例的显示装置是顶部发射类型。因此，第一电极103由能够反射来自有机层105的光的材料形成。此外，第二电极107由能够透射来自有机层105的光的材料形成。
具体地，第一电极103形成在绝缘层101上。在第一电极103上层压设置有开口111的绝缘层109，使得第一电极103的至少一部分暴露，并且有机层105和第二电极107层压在第一电极103和绝缘层109上，使得接触在开口111的底部暴露的第一电极103。即，发光元件110具有第一电极103、有机层105和第二电极107依次层压在绝缘层109的开口111中的结构。对应于发光元件110的绝缘层109的开口111的区域对应于发光元件110的发光区域。
一个发光元件110构成一个像素。虽然图1至图4仅示出对应于一个发光元件110的区域，实际上，多个发光元件110以预定像素间距二维地排列在对应于第一基板上的显示区域的区域中。此外，上述绝缘层109用作设置在像素之间并限定像素的区域的像素限定膜。
注意，第一电极103对应于每个像素被图案化，并且驱动电路经由设置在绝缘层101中的通孔117电连接到每个图案化的第一电极103。每个发光元件110可以通过驱动电路适当地向每个第一电极103施加电压来驱动。
这里，在第一实施例中，当开口111设置在绝缘层109中时，绝缘层109保持在开口111中的部分区域中。在附图所示的示例中，绝缘层109保持在开口111的水平表面的基本中央的部分区域中的一个位置，使得在从上方观察的情况下形状为基本圆形(稍后将参考图7描述从上方观察的状态)。下文中，为了区分起见，将限定开口111的绝缘层109的一部分(换言之，用作像素限定膜的部分)也描述为像素限定膜113，并且将保留在开口111中的岛状的一部分也描述为残余膜115。
残余膜115形成在开口111中的部分区域中，使得残余膜115存在于第一电极103的顶表面上的部分比开口111中的其他区域更向上突出。即，可以在第一电极103的开口111的部分区域中形成残余膜115的凸起形状。因此，当有机层105和第二电极107层压在其上时，有机层105和第二电极107也具有对应于残余膜115的突出形状的凸起形状。换言之，残余膜115的突出形状被转移到有机层105和第二电极107的形状。因此，如附图所示，发光元件110在发光区域的一部分区域中，具有从其他区域向上突出的一个凸起部分116。即，发光元件110具有凸起部分116存在于基本平坦的发光区域中的部分区域中的结构。
注意，在第一实施例中，在图1所示的第一基板上发光元件110的逐步形成，除了形成上述残余膜115的凸起部分116之外，可以类似于现有的一般方法。
例如，第一基板可以由硅基板、石英玻璃基板、高应变点玻璃基板、纯碱玻璃(Na2O、CaO和SiO2的混合物)基板、硼硅酸盐玻璃(Na2O、B2O3和SiO2的混合物)基板、镁橄榄石(Mg2SiO4)基板、铅玻璃(Na2O、PbO和SiO2的混合物)基板，或有机聚合物基板(例如，聚甲基丙烯酸甲酯：PMMA)、聚乙烯醇(PVA)、聚乙烯基苯酚(PVP)、聚醚砜(PES)、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚对苯二甲酸乙二醇脂(PET)等。
此外，例如，绝缘层101和109可以由SiO2基材料(例如，SiO2、BPSG、PSG、BSG、AsSG、PbSG、SiON、SOG(玻璃上纺丝)、低熔点玻璃、玻璃浆料等)、SiN基材料、绝缘树脂(例如，聚酰亚胺树脂、酚醛清漆树脂、丙烯酸树脂、聚恶并恶唑等)等可以单独或适当组合形成。
有机层105被配置为发射白光就足够了，并且其特定配置不受限制。例如，有机层105可以由空穴传输层、发光层和电子传输层的层压结构、空穴传输层和也用作电子传输层的发光层的层压结构、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的层压结构等构成。此外，在这些层压结构等被视为“串联单元”的情况下，有机层105可以具有两级串联结构，其中第一串联单元、连接层和第二串联单元被层压。或者，有机层105可以具有三个或更多级的串联结构，其中三个或更多级串联单元被层压。在有机层105包括多个串联单元的情况下，可以通过改变每个串联单元的发光层的发射颜色在红、绿和蓝之间来获得整体发射白光的有机层105。
可用作有机层105的形成方法的方法包括，例如，诸如真空沉积法的物理气相沉积法(PVD法)，诸如丝网印刷法和喷墨印刷法的印刷方法，激光转移方法(该激光转移方法利用激光束照射形成在转移基板上的激光吸收层和有机层的层压结构，以分离激光吸收层上的有机层，并转移有机层)，或者各种涂覆方法。
此外，例如，第一电极103可以由具有高功函数的金属形成，例如铂(Pt)、金(Au)、银(Ag)、铬(Cr)、钨(W)、镍(Ni)、铜(Cu)、铁(Fe)、钴(Co)或钽(Ta)，或者合金(例如，包含银作为主成分，以及包含0.3质量％至1质量％的钯(Pd)，以及0.3质量％至1质量％的铜的Ag-Pd-Cu合金，或者Al-Nd合金)。可选地，作为第一电极103，可以使用具有小功函数值和高光反射率的导电材料，诸如铝或含铝的合金。在这种情况下，优选通过在第一电极103等上设置适当的空穴注入层来改善空穴注入性。可选地，第一电极103可以具有这样的结构，其中具有优良空穴注入特性的透明导电材料(诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)等)层压在介电多层膜或具有高反射率的反射膜(诸如铝)上。
此外，例如，第二电极107可以由铝、银、镁、钙(Ca)、钠(Na)、锶(Sr)、碱金属和银的合金、碱土金属和银的合金(例如，镁和银的合金(Mg-Ag合金))、镁和钙的合金(Mg-Ca合金)、铝和锂的合金(Al-Li合金)等形成。在这些材料用于单层的情况下，第二电极107的膜厚度例如为约4nm至50nm。可选地，第二电极107可以具有这样的结构，其中从有机层105侧层压上述材料层和包括例如ITO或IZO的透明电极(例如厚度约30nm至1μm)。在这种层压结构的情况下，上述材料层的厚度也可以减小到例如约1nm至4nm。或者，第二电极107可以仅包括透明电极。或者，可以为第二电极107提供包括诸如铝、铝合金、银、银合金、铜、铜合金、金或金合金的低电阻材料的总线电极(辅助电极)，使得在整个第二电极107中降低电阻。
第一电极103和第二电极107的形成方法的示例包括包含电子束蒸发方法、热丝蒸发法和真空蒸发法的蒸发方法、溅射法、化学气相沉积法(CVD法)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)法、离子镀法与蚀刻法的组合、各种印刷方法(例如丝网印刷法、喷墨印刷法、金属掩模印刷法等)、镀覆法(电镀法、化学镀法等)、剥离方法、激光烧蚀法、溶胶-凝胶法等。
回到图1至图4，将继续描述制造方法。一旦形成发光元件110，接着，在其上层压保护膜119(图2)。在第一实施例中，通过CVD方法沉积SiN来形成保护膜119。以这种方式，通过CVD法形成保护膜119，如附图所示，凸起部分116的凸起形状被所谓地转印到保护膜119的上表面，并且保护膜119的上表面具有与凸起部分116的凸起形状相对应的基本球形的凸起形状。
注意，可以使用诸如溅射法、真空沉积法等其他真空沉积法代替CVD法来形成保护膜119。通过利用真空沉积法形成保护膜119，可以将保护膜119的上表面形成为与凸起部分116的凸起形状相对应的基本球形的凸起形状。此外，保护膜119的材料不限于SiN，以及可以使用其它材料，例如SiON。然而，如稍后所述，为了使保护膜119的上表面用作聚光透镜，优选使用折射率相对较高的材料(例如，折射率为约1.7至约2.0的材料)作为保护膜119的材料。注意，上述SiN的折射率是大约1.89。
一旦形成保护膜119，接着，在其上层压平坦化膜121(图3)。平坦化膜121例如通过施加用于白色CF的树脂材料、抗蚀剂材料等来形成。，优选使用折射率相对较低的材料(例如，折射率为约1.4至1.6的材料)用作保护膜119的材料。具体地，作为平坦化膜121的材料，优选使用折射率小于保护膜119的折射率的材料。如上所述，通过使保护膜119的折射率大于平坦化膜121的折射率，如附图所示，在向上方向(换言之，发光元件110的发光方向)上具有基本球形凸起形状的保护膜119的上表面可以用作聚集从发光元件110发射的光的凸透镜。
注意，可以使用折射率小于保护膜119的折射率，并且具有与后面描述的CF层123几乎相同的折射率的材料作为保护膜119的材料。因此，抑制了在保护膜119和CF层123之间的界面处的光的反射，并且可以进一步提高光提取效率。
一旦形成平坦化膜121，接着，在其上层压CF层123(图4)。CF层123被形成为使得对于每个发光元件110提供具有预定区域的每个颜色的CF。作为CF层123的材料和形成方法，可以使用在通用有机EL显示装置中使用的各种已知材料和方法。例如，可以通过光刻技术曝光和显影预定形状的抗蚀剂材料来形成CF层123。此外，CF层123中的CF的排列方法不受限制。例如，排列方法可以是各种已知的排列方法，诸如条形排列、三角形排列或正方形排列。
第二基板(未示出)经由密封树脂膜(未示出)接合到CF层123上，从而制备根据第一实施例的显示装置。注意，密封树脂膜的材料可以适当地选择，考虑到对从发光元件110发射的光的透明度高、与位于下层的CF层123和位于上层的第二基板的粘合性优异、与位于下层的CF层123的界面以及与位于上层的第二基板的界面中的光的反射率低等。此外，可以使用与第一基板的材料类似的材料作为第二基板的材料。然而，由于根据第一实施例的显示装置是顶部发射类型，所以可以适当地透射来自发光元件110的光的材料被用作第二基板的材料。
上面已经描述了根据第一实施例的显示装置的制造方法。如上所述，在第一实施例中，当在绝缘层109中形成相对于用于限定发光元件110的发光区域的第一电极103的开口111时，绝缘层109保持在开口111中的部分区域中。因此，发光元件110在发光区域的部分区域中具有从其它区域向上突出的凸起部分116。因此，当在发光元件110上层压保护膜119时，在保护膜119的上表面上与发光元件110正上方对应的区域中，形成与凸起部分116的形状对应的基本球形的凸起形状。
此时，由于保护膜119和平坦化膜121的材料可以被选择为使得保护膜119的折射率大于平坦化膜121的折射率，如图5所示，保护膜119的上表面的凸起形状用作用于聚集从发光元件110发射的光的凸透镜。即，在发光元件110的正上方形成ML，从而能够提高光提取效率。图5是用于描述根据第一实施例的显示装置中的ML的效果的视图。图5示意性地示出了，相对于图4所示的显示装置，从发光元件110发射的光被保护膜119的上表面(换言之，ML)聚集，穿过CF层123，并且被箭头向外提取的情况(为了避免附图的复杂化，省略了对一些引用标记的描述)。
以这种方式，在第一实施例中，ML可以通过所谓的将在发光区域的部分区域中形成的凸起部分116的形状转移到保护膜119的上表面上，来形成。即，由于ML相对于发光元件110以自对准的方式形成，使得能够准确地执行发光元件110与ML之间的对准。本文，虽然凸起部分116根据残余膜115形成，但是形成残余膜115的步骤与形成像素限定膜113的步骤相同。即，在限定开口111即发光元件110的发光区域的步骤中，形成残余膜115。因此，在限定该发光区域的步骤中，还确定基于残余膜115形成的ML的位置。因此，在第一实施例中，可以保持ML相对于发光区域的极高的位置的精度。
这里，在专利文献1所公开的方法中，类似地，ML可以以自对准的方式形成，但是发光元件的整个发光区域形成在弯曲表面上。因此，如上所述，难以形成具有均匀厚度的有机层，并且存在发光元件之间的特性的变化大的问题。另一方面，在第一实施例中，如上所述，凸起部分形成在发光区域的部分区域中，使得ML以自对准的方式形成。由于发光区域的其他区域基本上是平坦的，因此易于在至少其他区域中形成具有基本均匀厚度的有机层105。因此，能够在抑制发光元件110之间的特性变化的同时，提高发光元件110与ML之间的对准的精度。
此外，在专利文献1所公开的方法中，由于凸起部分形成为具有比发光元件的发光区域大的面积，所以难以使像素间距小型化。另一方面，在第一实施例中，如上所述，凸起部分形成在发光元件110的发光区域的部分区域中。因此，可以解决像素间距的小型化。如上所述，根据第一实施例的显示装置的制造方法可以适当地应用于超紧凑型显示装置。通过利用上述第一实施例的制造方法制造超紧凑型显示装置，即使在像素间距被小型化的情况下，也能够准确地执行发光元件110与ML之间的对准。因此，能够实现高分辨率显示，而不会由于对准精度的降低而引起问题(诸如亮度、色度、视角特性等的光学特性的劣化)。因此，可以实现高质量的显示装置。
此外，在发光元件110上层压保护膜119和平坦化膜121的步骤也是在通用有机EL显示装置中执行的步骤。此外，还可以通过在蚀刻绝缘层109时改变图案来实现在开口111中残余膜115的形成。如上所述，在第一实施例中，相对于有机EL显示装置的通用制造方法，可以在不添加新步骤或者不大幅改变现有步骤的情况下形成ML。因此，与现有方法相比，能够在基本不增加制造成本的情况下制造显示装置。
(2-2.显示装置主要部分的配置)
将描述根据第一实施例的显示装置的主要部分的配置。注意，这里作为示例，将描述在显示装置是超紧凑型显示装置的情况下的主要部分的配置。
(2-2-1.截面形状)
图6是用于描述根据第一实施例的显示装置的主要部分的截面形状的视图。在图6中，将相对于图4额外描述每层的膜厚度等。
例如，在第一实施例中，由残余膜115从第一电极103的表面形成的凸起形状(方便地称为残余膜115的厚度t1)的高度t1可以是约0.2μm至约0.5μm。此外，层压的保护膜119的厚度t2可以是约0.5μm至约2.5μm。
残余膜115的厚度t1和保护膜119的厚度t2可以是可以确定最终形成的ML的曲率半径R(在第一实施例中，定义为从残余膜115的表面到凸起形状的保护膜119的上表面的距离)的因素。因此，在第一实施例中，可以适当地确定残余膜115的厚度t1和保护膜119的厚度t2，以获得能够有效提高光提取效率的期望的曲率半径R。例如，可以在上述范围内适当地确定残余膜115的厚度t1和保护膜119的厚度t2，使得ML的曲率半径R为约0.5μm至约3.0μm。注意，可以基于仿真、实验等适当地计算能够有效提高光提取效率的期望的曲率半径R的具体值。此外，可以基于模拟、实验等适当地预测ML的曲率半径R、残余膜115的厚度t1和保护膜119的厚度t2之间的关系，并且可以基于该关系适当地确定残余膜115的厚度t1和可以获得期望曲率半径R的保护膜119的厚度t2。
可以适当地确定平坦化膜121的厚度t3，使得表面可靠地平坦，并且从发光元件110发射的光尽可能多地不被衰减。例如，平坦化膜121的厚度t3可以是约0.1μm至约1.0μm。
可以适当地确定CF层123的厚度t4，使得可以获得期望的色度，并且从发光元件110发射的光尽可能多地不被衰减。例如，CF层123的厚度t4可以是约0.5μm至约2.0μm。
(2-2-2.平面形状)
图7是用于描述根据第一实施例的显示装置的主要部分的水平表面中的形状的尺寸的视图。图7示意性地示出了根据第一实施例的显示装置的主要部分在水平面中的结构，并且还示出了在对应于一个像素的配置中的截面的结构，示出了两个结构之间的对应关系。
图7示意性地示出了作为显示装置的主要部分的每个像素中的开口111和绝缘层109的平面布局。为了说明，绝缘层109(像素限定膜113和残余膜115)用与图1至图4中的绝缘层109相同的阴影线画阴影线。
图7作为示例，示出了在CF的排列是三角形排列的情况下的平面布局。在三角形排列的情况下，如附图所示，由像素限定膜113形成规则六角形开口111(即，形成规则六角形像素)。开口111在水平面中的宽度d1(换言之，发光区域的宽度d1)可以是例如约0.5μm至约10μm。发光区域的宽度d1的特定值可以基于诸如显示装置的面板尺寸和像素数的规范来适当地确定。
在从上方观看的情况下，残余膜115的形状基本可以是圆形的。此外，残余膜115在水平面中的宽度d2可以是确定最终成形的ML的曲率半径R的因子。因此，可以适当地确定残余膜115的宽度d2，以获得能够有效地提高光提取效率的期望的曲率半径R。例如，实现上述曲率半径R(约0.5μm至约3.0μm)的残余膜115的宽度d2可以是约0.15μm至约2μm。注意，ML的曲率半径R与残余膜115的宽度d2之间的关系可以基于模拟、实验等适当地预测，并且可以基于该关系适当地确定残余膜115的宽度d2，其中可以利用残余膜115的宽度d2获得期望的曲率半径R。
注意，在上述配置示例中，在从上方观看的情况下，残余膜115的形状基本上是圆形的，但是本实施例不限于此示例。残余膜115的形状可以是任意的，例如，多边形形状等。图8和图9是示出在从上方观看的情况下残余膜115的形状的另一示例的视图。例如，如图8所示，残余膜115的形状可以是正六边形。或者，如图9所示，残余膜115的形状可以是正方形。如上所述，即使在从上方观看时改变残余膜115的形状的情况下，也可以类似地在保护膜119的上表面上形成与凸起形状相对应的基本球形的凸起形状，从而可以形成ML。
(3.第二实施例)
将描述本公开的第二实施例。在上述第一实施例中，当形成像素限定膜113时，绝缘层109保持在开口111中，使得凸起形状形成在与第一电极103的发光区域相对应的区域的部分区域中。然而，本公开不限于这样的示例。只要在与第一电极的发光区域相对应的区域的一部分区域中形成凸起形状，凸起部分116以凸起形状形成在发光元件110的发光区域的部分区域中，并且可以在保护膜119的上表面上形成与凸起部分116的凸起形状相对应的基本球形的凸起形状(换言之，可以形成ML)，使得第一电极103中的凸起形状的形成方法可以是另一种方法。这里，作为第二实施例，将描述通过另一种方法形成第一电极103的这种凸起形状的实施例。注意，在第二实施例中，仅形成第一电极103的凸起形状的方法不同于第一实施例，并且显示装置的其它配置可以类似于第一实施例的配置。
下面将参考图10至图16描述根据第二实施例的显示装置的制造方法。图10至图16是用于描述根据第二实施例的显示装置的制造方法的视图。图10至图16以显示装置的制造方法中的步骤的顺序示意性地示出了平行于根据第二实施例的显示装置的垂直方向的截面，并且表示了制造方法中的处理流程。注意，在图10至图16中，为了描述制造方法的特征步骤，仅描述与显示装置中的这些步骤相关的结构的一部分。
在根据第二实施例的显示装置的制造方法中，与根据第一实施例的制造方法类似，首先，在第一基板(未示出)上形成用于驱动后面描述的发光元件210的驱动电路(未示出)。然后，在形成的驱动电路上层压绝缘层201。用于电连接驱动电路和发光元件210的通孔217形成在绝缘层201中。注意，第一基板、驱动电路和绝缘层201可以相似于根据第一实施例的第一基板、驱动电路和绝缘层101。
这里，在第二实施例中，通孔217的形成方法不同于第一实施例的形成方法。下文中，参考图10至图12，将具体描述通孔217的形成方法。
在通孔217的形成方法中，首先，例如通过干蚀刻法在绝缘层201中设置开口，以及然后，通过溅射法在开口中嵌入诸如W的导电材料217a(图10)。接着，通过CMP使绝缘层201和嵌入导电材料217a的表面平坦化(图11)。然后，通过回蚀来蚀刻绝缘层201来形成通孔217(图12)。
在第一实施例中，通孔117通过与图10和图11所示的步骤类似的步骤形成。因此，通孔117的上端具有与绝缘层101的表面基本相同的高度，并且在绝缘层101的表面上不产生步骤。另一方面，在第二实施例中，通过上述方法形成通孔217，使得通孔217的上端突出于绝缘层201的表面之上。即，在绝缘层201的表面上存在由通孔217引起的凸起形状。
在第二实施例中，在该情况下，在绝缘层201上形成包括有机EL元件的发光元件210(图13)。发光元件210的形成方法类似于根据第一实施例的发光元件110的形成方法。具体地，发光元件210包括依次层压的用作阳极的第一电极203、包括用作发光层的有机发光材料的有机层205和用作阴极的第二电极207。
更具体地，第一电极203形成在绝缘层201上。在第一电极203上层压设置有开口211的绝缘层209，使得第一电极203的至少一部分暴露，并且有机层205和第二电极207层压在第一电极203和绝缘层209上，使得接触在开口211的底部暴露的第一电极203。即，发光元件210具有第一电极203、有机层205和第二电极207依次层压在绝缘层209的开口211中的结构。对应于发光元件210的绝缘层209的开口211的区域对应于发光元件210的发光区域。注意，绝缘层209、第一电极203、有机层205和第二电极207可以相似于根据第一实施例的绝缘层109、第一电极103、有机层105和第二电极107。
一个发光元件210构成一个像素。在图10至图16中，仅示出了与一个发光元件210相对应的区域，但实际上，多个发光元件210以预定像素间距二维地排列在与第一基板上的显示区域相对应的区域中。此外，上述绝缘层209用作像素限定膜213。
在第二实施例中，由于通孔217的上端从绝缘层201的表面突出，因此当第一电极203层压在其上时，在第一电极203中形成与通孔217的突出形状相对应的凸起形状。当有机层205和第二电极207进一步层压在其上时，有机层205和第二电极207也具有对应于通孔217的突出形状的凸起形状。换言之，通孔217的突出形状被转移到第一电极203、有机层205和第二电极207的形状。因此，如附图所示，发光元件210在发光区域的部分区域中，具有从其他区域向上突出的凸起部分216。即，发光元件210具有凸起部分216存在于基本平坦的发光区域中的部分区域中的配置。在所示的配置示例中，一个通孔217基本上设置在发光区域的水平面的中心，并且相应地，一个凸起部分216基本上设置在发光区域的水平面的中心。
注意，在第一实施例中，当开口111设置在绝缘层109中时，绝缘层109保持在开口111中的部分区域中，从而形成残余膜115。然后，凸起部分116由残余膜115形成。另一方面，在第二实施例中，如上所述，由于凸起部分216由通孔217形成，所以不需要使绝缘层209保持在开口211中。因此，在第二实施例中，当形成开口211时，在不使绝缘层209保留在开口211中的情况下，仅形成像素限定膜213。
随后的步骤类似于第一实施例中的步骤。具体地，一旦形成发光元件210，接着，在其上层压保护膜219(图14)。保护膜219类似于根据第一实施例的保护膜119。例如，通过CVD法沉积SiN来形成保护膜219。因此，如附图所示，凸起部分216的凸起形状被所谓地转印到保护膜219的上表面，并且保护膜219的上表面具有与凸起部分216的凸起形状相对应的基本球形的凸起形状。
一旦形成保护膜219，接着，在其上层压平坦化膜221(图15)。平坦化膜221类似于根据第一实施例的平坦化膜121。例如，平坦化膜221形成为包括折射率低于保护膜219的折射率的树脂材料。因此，保护膜219的上表面的基本球形的凸起形状可以用作聚集从发光元件110发射的光的凸透镜。
一旦形成平坦化膜221，接着，在其上层压CF层223(图16)。然后，通过密封树脂膜(未示出)将第二基板(未示出)接合到CF层223上，从而制备根据第二实施例的显示装置。注意，CF层223、密封树脂膜和第二基板可以类似于根据第一实施例的CF层123、密封树脂膜和第二基板。
上面已经描述了根据第二实施例的显示装置的制造方法。如上所述，在第二实施例中，在形成用于将第一电极203(即构成发光元件210的下层电极)电连接到下层驱动电路的通孔217时，通孔217的上端从设置有通孔217的绝缘层201的表面突出。结果，发光元件210在发光区域的部分区域中，具有从其它区域向上突出的凸起部分216。因此，当在发光元件210上层压保护膜219时，在保护膜219的上表面上与发光元件210的正上方对应的区域中形成与凸起部分216的形状对应的基本球形的凸起形状。此时，由于可以选择保护膜219和平坦化膜221的材料，使得保护膜219的折射率大于平坦化膜221的折射率，所以保护膜219的上表面的凸起形状用作用于聚集从发光元件210发射的光的凸透镜。即，在发光元件210的正上方形成ML。
如上所述，根据第二实施例，与第一实施例类似，可以以自对准的方式在每个发光元件210的正上方形成ML。因此，可以获得与第一实施例中的效果类似的效果(即，可以提高光提取效率，在不会引起每个发光元件210的特性的变化的情况下，可以提高发光元件210与ML之间的对准的精度，即使在像素间距被小型化的情况下，对准的精度也可以保持高精度，可以抑制制造成本的增加等)。
注意，如上所述，在第一实施例中，通过在发光元件110的发光区域的部分区域中形成残余膜115来形成凸起部分116。在该结构中，由于存在残余膜115的部分不发光，因此存在发光元件110的亮度可能降低的担忧。另一方面，在第二实施例中，由于残余膜115不在发光元件210的发光区域中形成，所以整个发光区域有助于发光。因此，与第一实施例相比，可以获得提高亮度的效果。注意，同样在第一实施例中，由于通过提供凸起部分116形成ML，因此获得通过ML提高亮度的效果，从而可以消除由于残余膜115引起的亮度降低的影响。因此，同样在第一实施例中，认为与未提供ML的结构相比，可以充分地获得亮度改善的效果。
(4.应用示例)
将描述根据上述每个实施例的显示装置的应用示例。这里，将描述可以应用根据上述每个实施例的显示装置的电子装置的一些示例。
图17是示出智能电话的外观的视图，智能电话是可以应用根据每个实施例的显示装置的电子装置的示例。如图17所示，智能电话301具有包括按钮并接收用户输入的操作的操作单元303和显示各种信息的显示单元305。在根据每个实施例的显示装置是紧凑型或中型显示装置的情况下，显示装置可以适当地应用于显示单元305。
图18和图19是示出数码相机的外观的视图，该数码相机是可以应用根据每个实施例的显示装置的电子装置的另一示例。图18示出了从正面(被摄体侧)观察的数码相机311的外观；以及图19示出了从后面观看的数码相机311的外观。如图18和图19所示，数码相机311包括主体单元(相机主体)313、可互换镜头单元315、在拍摄时由用户握住的握持单元317、显示各种类型信息的监视器319和显示在拍摄时由用户观察的直通图像的EVF 321。在根据每个实施例的显示装置是紧凑型或中型显示装置的情况下，显示装置可以适当地应用于监视器319。在根据每个实施例的显示装置是超紧凑型显示装置的情况下，显示装置可以适当地应用于EVF 321。
图20是示出HMD的外观的视图，HMD是可以应用根据每个实施例的显示装置的电子装置的另一示例。如图20所示，HMD 331具有显示各种类型信息的眼镜形状的显示单元333，以及在附接时钩住用户耳朵的耳钩单元335。在根据每个实施例的显示装置是超紧凑型显示装置的情况下，显示装置可以适当地应用于显示单元333。
上面已经描述了可以应用根据每个实施例的显示装置的电子装置的多个示例。注意，可以应用根据每个实施例的显示装置的电子装置不限于上面示例的那些，并且可以根据显示装置的尺寸，将显示装置应用于安装到基于从外部(诸如电视装置、平板PC、电子书、个人数字助理(PDA)、笔记本PC、摄像机或游戏机或内部生成的图像信号)输入的图像信号执行显示的任何领域的电子装置的显示装置。
(5.补充)
虽然上面已经参考附图详细描述了本公开的优选实施例，但是本公开的技术范围不限于这样的示例。显然，在本公开所属技术领域内具有普通知识的人可以在权利要求书中描述的技术思想的范围内构思各种变化和修改，并且当然，应当理解，这些变化和修改属于本公开的技术范围。
例如，在上述实施例中，凸起部分116或凸起部分216基本上形成在发光区域的水平面的中心，但是本技术不限于此示例。形成凸起部分116或凸起部分216的位置可以是发光区域中的任意位置。然而，由于保护膜119或保护膜219的上表面的凸起形状的中心在水平面中的位置(换言之，ML在水平面中的位置)也可以根据凸起部分116或凸起部分216在水平面中的位置而改变，因此可以适当地确定凸起部分116或凸起部分216的位置，使得在考虑发光元件110或发光元件210的特性等情况下可以在期望的位置形成ML。
此外，在上述实施例中，在发光区域中仅形成一个凸起部分116或凸起部分216，但是本公开不限于此示例。可以在发光区域中形成多个凸起部分116或凸起部分216。在发光区域中形成多个凸起部分116或凸起部分216的情况下，根据凸起部分116或凸起部分216在保护膜119或保护膜219的上表面上形成凸起形状，从而对于一个发光元件110或发光元件210形成多个ML。根据发光元件110或发光元件210的特性，当为一个发光元件110或发光元件210形成多个ML时，有可能更有效地提高光提取效率。因此，在这种情况下，可以适当地确定形成在发光区域中的凸起部分116或凸起部分216的位置和形状，使得可以在期望的位置形成期望数目的ML。
此外，在上述实施例中，CF设置在保护膜119或保护膜219的上层上，但是本公开不限于此示例。例如，在显示装置是由发光元件发射RGB的每种颜色的光的方法的情况下(所谓的RGB颜色方法)，或者在显示装置被配置为能够单色显示的情况下，可以不设置CF。
此外，在上述实施例中，用于形成凸起部分116或凸起部分216的方法，是在形成像素限定膜113以在开口111或开口211中的第一电极103或第一电极203上形成凸起形状时，使绝缘层109保留的方法，以及在形成通孔217以在开口111或开口211中的第一电极103或第一电极203上形成凸起形状时，使通孔217的上端从绝缘层201的表面突出的方法，但本公开不限于此示例。当在开口111或开口211中的第一电极103或第一电极203上形成凸起形状时，依据凸起形状，在有机层105或有机层205中以及层压在第一电极103或第一电极203上的第二电极107或第二电极207中也形成凸起形状，并且可以形成类似于凸起部分116或凸起部分216的凸起部分。因此，相对于第一电极103或第一电极203形成凸起形状的方法可以是任意的。
此外，在本公开中，当至少形成发光元件110或发光元件210时，如果在与作为发光元件110或发光元件210的上层电极的第二电极107或第二电极207的发光元件110或发光元件210的发光区域相对应的部分处形成凸起部分，则还可以根据凸起部分的形状在层压在发光元件110或发光元件210上的保护膜119或保护膜219的上表面上形成凸起形状(换言之，可以形成ML)。用于形成这样的凸起部分的方法不限于在第一电极103或第一电极203上提供凸起形状的方法，并且可以是任意的，或者可以是除了上述实施例之外的方法。例如，在与发光区域相对应的区域中，第一电极103或第一电极203和有机层105或有机层205形成为平坦的，并且第二电极107或第二电极207的形状可以被处理成使得凸起部分可以仅局部地设置在第二电极107或第二电极207的上表面上。
此外，在上述实施例中，保护膜119或保护膜219层压在发光元件110或发光元件210的正上方，并且平坦化膜121或平坦化膜221层压在保护膜119或保护膜219的正上方。然而，本公开不限于此示例。根据显示装置的配置，可以在发光元件110或发光元件210的正上方和进一步的正上方层压具有不同功能和名称的膜。在根据本公开的技术中，第一膜和第二膜的类型不受限制，只要层压在发光元件110或发光元件210正上方的第一膜由折射率与上述实施例中的保护膜119或保护膜219的折射率相似的材料和与上述实施例中的方法相似的方法形成，并且层压在第一膜正上方的第二膜由折射率与上述实施例中的平坦化膜121或平坦化膜221的折射率相似的材料形成。
注意，当通过对应于上述实施例的方法形成ML时，根据本公开的技术可以提供效果，并且显示装置的其他配置可以是任意的。换言之，根据本公开的ML的形成方法可以尽可能地应用于具有任意配置的显示装置。
此外，本说明书中描述的效果仅仅是描述性的或说明性的，而不是限制性的。即，根据本公开的技术可以从本说明书的描述连同上述效果或者代替上述效果而表现出本领域技术人员显而易见的其它效果。
注意，以下配置也在本公开的技术范围内。
(1)
一种显示装置，包括：
形成在基板上的多个发光元件；以及
层压在多个发光元件上的第一膜，
其中向上突出的凸起部分存在于发光元件的发光区域的部分区域中，并且
第一膜的上表面具有与凸起部分相对应的基本球形的凸起形状。
(2)
根据上述(1)的显示装置，
其中由具有比第一膜的折射率小的折射率的材料形成的第二膜层压第一膜的正上方。
(3)
根据上述(1)或(2)的显示装置，
其中除了设置有凸起部分的区域之外，发光区域是平坦表面。
(4)
根据上述(1)至(3)中任一项的显示装置，
其中凸起部分包括至少绝缘体，绝缘体与限定发光区域的面积的像素限定膜相同。
(5)
根据上述(1)至(3)中任一项的显示装置，
其中电连接发光元件的下层电极的通孔以及另一下层电路存在于凸起部分的下层中。
(6)
根据上述(1)至(5)中任一项的显示装置
其中滤色器层存在于第一膜的上层中。
(7)
根据上述(1)至(6)中任一项的显示装置，
其中仅有一个凸起部分存在于发光元件之一的发光区域中。
(8)
根据上述(1)至(6)中任一项的显示装置，
其中多个凸起部分存在于发光元件之一的发光区域中。
(9)
根据上述(1)至(8)中任一项的显示装置，
其中在从上方观察的情况下凸起部分的形状基本上是圆形的。
(10)
根据上述(9)的显示装置
其中在从上方观察的情况下基本上为圆形的凸起部分的直径为约0.15μm至约2.0μm。
(11)
根据上述(1)至(8)中任一项的显示装置，
其中在从上方观察的情况下凸起部分的形状是多边形。
(12)
根据上述(1)至(11)中任一项的显示装置
其中显示装置是有机EL显示装置。
(13)
一种电子装置，包括
基于图像信号执行显示的显示装置，
显示装置包括形成在基板上的多个发光元件，以及
层压在多个发光元件上的第一膜，
其中向上突出的凸起部分存在于发光元件的发光区域的部分区域中，并且
第一膜的上表面具有与凸起部分相对应的基本球形的凸起形状。
(14)
一种显示装置的制造方法，包括：
在基板上形成多个发光元件的步骤；以及
在多个发光元件上层压第一膜的步骤，
其中，在发光元件的发光区域的部分区域中形成向上突出的凸起部分，并且
在层压第一膜的步骤中，第一膜层压在凸起部分上，使得第一膜的上表面具有与凸起部分相对应的基本球形的凸起形状。
(15)
根据上述(14)的显示装置的制造方法，
其中第一膜通过真空成膜方法层压。
(16)
根据上述(14)或(15)的显示装置的制造方法，还包括
层压由折射率小于第一膜的折射率的材料形成的在第一膜正上方的第二膜的步骤。
(17)
根据上述(14)至(16)中任一项的显示装置的制造方法，
其中形成多个发光元件的步骤包括：形成发光元件的下层电极的步骤；在下层电极上层压绝缘层的步骤；以及图案化绝缘层以暴露与下层电极的表面的发光区域相对应的区域以形成限定发光区域的面积的像素限定膜的步骤，
在形成像素限定膜的步骤中，图案化绝缘层，使得绝缘层在与下层电极的表面的发光区域相对应的区域的部分区域中保留，以及
凸起部分通过将发光元件的有机层和上层电极层压在保留的绝缘层上而形成。
(18)
根据上述(14)至(16)中任一项的显示装置的制造方法，还包括
在形成多个发光元件的步骤之前形成电连接发光元件的下层电极和另一下层电路的通孔的步骤，
其中，在形成通孔的步骤中，通孔被形成为使得通孔的上端突出于形成通孔的绝缘层的表面上方，并且
凸起部分通过将发光元件的下层电极、有机层和上层电极层压在从绝缘层的表面突出的通孔上而形成。
参考符号列表
101、201 绝缘层
103、203 第一电极
105、205 有机层
107、207 第二电极
109、209 绝缘层
110、210 发光元件
111、211 开口
113、213 像素限定膜
115 残余膜
116、216 凸起部分
117、217 通孔
119、219 保护膜
121、221 平坦化膜
123、223 CF层
217 导电材料
301 智能手机(电子装置)
311 数码相机(电子装置)
331 HMD(电子装置)。

Claims (17)

1.一种显示装置，包括：
形成在基板上的多个发光元件；以及
层压在所述多个发光元件上的第一膜，
其中，在所述发光元件的发光区域的部分区域中存在向上突出的凸起部分，并且
所述第一膜的上表面具有与所述凸起部分相对应的球形的凸起形状，
其中，所述发光区域的除设置有所述凸起部分的区域之外的区域是平坦表面。
2.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，由折射率小于所述第一膜的折射率的材料形成的第二膜层压在所述第一膜的正上方。
3.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述凸起部分至少包括与限定所述发光区域的面积的像素限定膜相同的绝缘体。
4.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，在所述凸起部分的下层中存在电连接所述发光元件的下层电极和更下层的电路的通孔。
5.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，在所述第一膜的上层中存在滤色器层。
6.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，在所述发光元件中的一个的所述发光区域中仅存在一个所述凸起部分。
7.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，多个所述凸起部分存在于所述发光元件之一的所述发光区域中。
8.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，在从上方观察的情况下，所述凸起部分的形状是圆形的。
9.根据权利要求8所述的显示装置，
其中，在从上方观察的情况下为圆形的凸起部分的直径为0.15μm至2.0μm。
10.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，在从上方观察的情况下，所述凸起部分的形状是多边形。
11.根据权利要求1所述的显示装置，
其中，所述显示装置是有机EL显示装置。
12.一种电子装置，包括：
基于图像信号执行显示的显示装置，
所述显示装置包括形成在基板上的多个发光元件，以及
层压在所述多个发光元件上的第一膜，
其中，在所述发光元件的发光区域的部分区域中存在向上突出的凸起部分，并且
所述第一膜的上表面具有与所述凸起部分相对应的球形的凸起形状，
其中，所述发光区域的除设置有所述凸起部分的区域之外的区域是平坦表面。
13.一种显示装置的制造方法，包括：
在基板上形成多个发光元件的步骤；以及
在所述多个发光元件上层压第一膜的步骤，
其中，在所述发光元件的发光区域的部分区域中形成向上突出的凸起部分，并且
在层压所述第一膜的步骤中，将所述第一膜层压在所述凸起部分上，使得所述第一膜的上表面具有与所述凸起部分相对应的球形的凸起形状，
其中，所述发光区域的除设置有所述凸起部分的区域之外的区域是平坦表面。
14.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，
其中，通过真空成膜方法层压所述第一膜。
15.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，还包括：
将由折射率小于第一膜的折射率的材料形成的第二膜层压在第一膜正上方的步骤。
16.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，
其中，形成多个所述发光元件的步骤包括：形成所述发光元件的下层电极的步骤；在所述下层电极上层压绝缘层的步骤；以及图案化所述绝缘层以暴露与所述下层电极的表面的发光区域相对应的区域以形成限定所述发光区域的面积的像素限定膜的步骤，
在形成所述像素限定膜的步骤中，图案化所述绝缘层，使得所述绝缘层保留在与所述下层电极的表面的发光区域相对应的区域的部分区域中，以及
通过在保留的绝缘层上将发光元件的有机层和上层的电极层压来形成所述凸起部分。
17.根据权利要求13所述的显示装置的制造方法，还包括：
在形成多个所述发光元件的步骤之前形成电连接所述发光元件的下层电极和更下层的电路的通孔的步骤，
其中，在形成所述通孔的步骤中，所述通孔被形成为使得所述通孔的上端向形成所述通孔的绝缘层的表面上方突出，并且
通过在从绝缘层的表面突出的通孔上将所述发光元件的下层电极、有机层以及上层的电极层压来形成所述凸起部分。
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