KR20160015203A - 표시 장치 및 전자 기기 - Google Patents

표시 장치 및 전자 기기 Download PDF

Info

Publication number
KR20160015203A
KR20160015203A KR1020157031876A KR20157031876A KR20160015203A KR 20160015203 A KR20160015203 A KR 20160015203A KR 1020157031876 A KR1020157031876 A KR 1020157031876A KR 20157031876 A KR20157031876 A KR 20157031876A KR 20160015203 A KR20160015203 A KR 20160015203A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
sub
pixel
light emitting
pixels
light
Prior art date
Application number
KR1020157031876A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102203421B1 (ko
Inventor
세이이로 진타
지로 야마다
슈지 쿠도
시게유키 마츠나미
Original Assignee
소니 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 소니 주식회사 filed Critical 소니 주식회사
Publication of KR20160015203A publication Critical patent/KR20160015203A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102203421B1 publication Critical patent/KR102203421B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/351—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels comprising more than three subpixels, e.g. red-green-blue-white [RGBW]
    • H01L27/3213—
    • H01L27/3246—
    • H01L27/3258—
    • H01L51/5012—
    • H01L51/5271—
    • H01L51/5275—
    • H01L51/56—
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/10—OLED displays
    • H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
    • H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/352—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels the areas of the RGB subpixels being different
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/30—Devices specially adapted for multicolour light emission
    • H10K59/35—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels
    • H10K59/353—Devices specially adapted for multicolour light emission comprising red-green-blue [RGB] subpixels characterised by the geometrical arrangement of the RGB subpixels
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
    • H10K59/80—Constructional details
    • H10K59/875—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K59/878—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H01L2227/32—

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Control Of Indicators Other Than Cathode Ray Tubes (AREA)

Abstract

단일한 제1의 전극과, 제1의 전극의 적층 방향으로 마련된 단일한 제2의 전극과, 제1의 전극과 상기 제2의 전극과의 사이에 삽설된 발광층을 포함하는 서브화소를 복수 갖는 화소를 구비한다. 복수의 서브화소 중의 적어도 하나는, 형상, 크기, 및 배치 방향 중의 적어도 하나가 서로 다른 2 이상의 발광 영역을 포함하는 복수의 발광 영역을 갖는다.

Description

표시 장치 및 전자 기기{DISPLAY DEVICE AND ELECTRONIC INSTRUMENT}
본 개시는, 전류 구동형의 표시 소자를 갖는 표시 장치, 및 그와 같은 표시 장치를 구비한 전자 기기에 관한 것이다.
근래, 화상 표시를 행하는 표시 장치의 분야에서는, 발광 소자로서, 흐르는 전류치에 응하여 발광휘도가 변화하는 전류 구동형의 광학 소자, 예를 들면 유기 EL(Electro Luminescence) 소자를 이용한 표시 장치(유기 EL 표시 장치)가 개발되고, 상품화가 진행되고 있다. 발광 소자는, 액정 소자 등과 달리 자발광 소자이고, 별도로 광원(백라이트)을 마련할 필요가 없다. 그 때문에, 유기 EL 표시 장치는, 광원을 필요로 하는 액정 표시 장치에 비하여 화상의 시인성이 높고, 소비 전력이 낮고, 또한 소자의 응답 속도가 빠른 등의 특징을 갖는다.
이와 같은 유기 EL 표시 장치에는, 휘도를 향상시키기 위해, 개구부(발광 영역)의 주위에 리플렉터를 마련한 것이 있다. 예를 들면 특허 문헌 1에는, 주위에 리플렉터를 마련한 개구부를, 서브화소 내에 세밀충전(細密充塡) 배치한 유기 EL 표시 장치가 개시되어 있다.
특허 문헌 1 : 일본국 특개2013-58324호 공보
그런데, 표시 장치는, 일반적으로 화질이 높은 것이 바람직하여, 더한층의 화질의 향상이 기대되고 있다.
따라서, 화질을 높일 수 있는 표시 장치 및 전자 기기를 제공하는 것이 바람직하다.
본 개시의 한 실시 형태에서의 표시 장치는, 화소를 구비하고 있다. 상기 화소는, 단일한 제1의 전극과, 제1의 전극의 적층 방향으로 마련된 단일한 제2의 전극과, 제1의 전극과 제2의 전극과의 사이에 삽설(揷設)된 발광층을 포함하는 서브화소를 복수 갖는 것이다. 복수의 서브화소 중의 적어도 하나는, 형상, 크기, 및 배치 방향 중의 적어도 하나가 서로 다른 2 이상의 발광 영역을 포함하는 복수의 발광 영역을 갖는 것이다.
본 개시의 한 실시 형태에서의 전자 기기는, 상기 표시 장치를 구비한 것이고, 예를 들면, 텔레비전 장치, 디지털 카메라, 퍼스널 컴퓨터, 비디오 카메라 또는 휴대 전화 등의 휴대 단말 장치 등이 해당한다.
본 개시의 한 실시 형태에서의 표시 장치 및 전자 기기에서는, 화소에서, 단일한 제1의 전극과, 단일한 제2의 전극과, 발광층을 포함하는 서브화소가 복수 형성된다. 이들 복수의 서브화소 중의 적어도 하나는, 형상, 크기, 및 배치 방향 중의 적어도 하나가 서로 다른 2 이상의 발광 영역을 갖고 있다.
본 개시의 한 실시 형태에서의 표시 장치 및 전자 기기에 의하면, 복수의 서브화소 중의 적어도 하나에, 형상, 크기, 및 배치 방향 중의 적어도 하나가 다른 2 이상의 발광 영역을 마련하도록 하였기 때문에, 화질을 높일 수 있다.
도 1은 본 개시의 실시의 형태에 관한 표시 장치의 한 구성례를 도시하는 블록도.
도 2는 도 1에 도시한 표시부에서의 서브화소의 배치를 도시하는 모식도.
도 3은 도 1에 도시한 표시부의 한 구성례를 도시하는 회로도.
도 4는 도 1에 도시한 표시부의 개략 단면 구조를 도시하는 단면도.
도 5는 도 1에 도시한 표시부에서의 서브화소의 구성을 도시하는 설명도.
도 6은 도 1에 도시한 표시부에서의 애노드의 배치의 한 예를 도시하는 평면도.
도 7은 제1의 실시의 형태에 관한 표시부에서의 개구부의 배치의 한 예를 도시하는 평면도.
도 8은 도 4에 도시한 개구부의 한 구성례를 도시하는 단면도.
도 9는 도 2에 도시한 표시 장치의 한 동작례를 도시하는 타이밍 파형도.
도 10은 도 4에 도시한 개구부에서의 광선을 도시하는 설명도.
도 11A는 도 4에 도시한 개구부에서의 광선을 도시하는 다른 설명도.
도 11B는 도 4에 도시한 개구부에서의 광선을 도시하는 다른 설명도.
도 11C는 도 4에 도시한 개구부에서의 광선을 도시하는 다른 설명도.
도 12A는 도 4에 도시한 개구부에서의 광선을 도시하는 다른 설명도.
도 12B는 도 4에 도시한 개구부에서의 광선을 도시하는 다른 설명도.
도 13은 비교례에 관한 표시부에서의 개구부의 배치의 한 예를 도시하는 평면도.
도 14는 외광의 회절을 설명하기 위한 설명도.
도 15는 외광의 회절을 설명하기 위한 다른 설명도.
도 16은 반사각을 도시하는 플롯도.
도 17은 도 1에 도시한 표시 장치의 제조 공정을 도시하는 흐름도.
도 18은 개구부를 생성하기 위한 마스크의 한 구성례를 도시하는 평면도.
도 19는 제1의 실시의 형태의 변형례에 관한 개구부의 배치 패턴을 설명하기 위한 설명도.
도 20은 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치 패턴을 설명하기 위한 설명도.
도 21은 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 배치 패턴을 설명하기 위한 설명도.
도 22는 반사각을 도시하는 플롯도.
도 23은 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 표시부에서의 개구부의 배치의 한 예를 도시하는 평면도.
도 24는 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 표시부에서의 개구부의 배치의 한 예를 도시하는 평면도.
도 25A는 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 한 예를 도시하는 평면도.
도 25B는 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 다른 예를 도시하는 평면도.
도 25C는 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 다른 예를 도시하는 평면도.
도 25D는 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 다른 예를 도시하는 평면도.
도 25E는 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 개구부의 다른 예를 도시하는 평면도.
도 26은 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 표시부의 개략 단면 구조를 도시하는 단면도.
도 27은 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 표시부의 개략 단면 구조를 도시하는 단면도.
도 28은 도 27에 도시한 표시부에서의 서브화소의 구성을 도시하는 설명도.
도 29는 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 표시부에서의 서브화소의 배치를 도시하는 모식도.
도 30은 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 표시부에서의 서브화소의 배치를 도시하는 모식도.
도 31A는 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 마스크의 한 구성례를 도시하는 평면도.
도 31B는 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 마스크의 한 구성례를 도시하는 평면도.
도 32는 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 마스크의 한 구성례를 도시하는 평면도.
도 33A는 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 마스크의 한 구성례를 도시하는 평면도.
도 33B는 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 마스크의 한 구성례를 도시하는 평면도.
도 34는 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 마스크의 한 구성례를 도시하는 평면도.
도 35는 피보나치 나선을 도시하는 설명도.
도 36은 제1의 실시의 형태의 다른 변형례에 관한 마스크의 한 구성례를 도시하는 평면도.
도 37은 제2의 실시의 형태에 관한 표시부에서의 개구부의 배치의 한 예를 도시하는 평면도.
도 38은 제2의 실시의 형태의 변형례에 관한 표시부에서의 개구부의 배치의 한 예를 도시하는 평면도.
도 39A는 제2의 실시의 형태의 변형례에 관한 표시부에서의 개구부의 배치의 한 예를 도시하는 평면도.
도 39B는 제2의 실시의 형태의 변형례에 관한 표시부에서의 개구부의 배치의 다른 예를 도시하는 평면도.
도 39C는 제2의 실시의 형태의 변형례에 관한 표시부에서의 개구부의 배치의 다른 예를 도시하는 평면도.
도 39D는 제2의 실시의 형태의 변형례에 관한 표시부에서의 개구부의 배치의 다른 예를 도시하는 평면도.
도 40은 실시의 형태에 관한 표시 장치가 적용되는 텔레비전 장치의 외관 구성을 도시하는 사시도.
도 41은 다른 변형례에 관한 서브화소의 한 구성례를 도시하는 회로도.
도 42는 다른 변형례에 관한 서브화소의 한 구성례를 도시하는 회로도.
이하, 본 개시의 실시의 형태에 관해, 도면을 참조하여 상세히 설명한다. 또한, 설명은 이하의 순서로 행한다.
1. 제1의 실시의 형태
2. 제2의 실시의 형태
3. 적용례
<1.제1의 실시의 형태>
[구성례]
도 1은, 제1의 실시의 형태에 관한 표시 장치의 한 구성례를 도시하는 것이다. 표시 장치(1)는, 유기 EL 소자를 이용한, 액티브 매트릭스 방식의 표시 장치이다. 또한, 본 개시의 실시의 형태에 관한 표시 장치의 제조 방법은, 본 실시의 형태에 의해 구현화되기 때문에, 아울러서 설명한다.
표시 장치(1)는, 표시부(10)와, 구동부(20)를 구비하고 있다. 구동부(20)는, 영상 신호 처리부(21)와, 타이밍 생성부(22)와, 주사선 구동부(23)와, 전원선 구동부(26)와, 데이터선 구동부(27)를 갖고 있다.
표시부(10)는, 복수의 화소(Pix)가 매트릭스형상으로 배치된 것이다. 화소(Pix)는, 이하에 나타내는 바와 같이, 적색, 녹색, 청색, 백색의 4개의 서브화소(11)에 의해 구성되는 것이다.
도 2는, 표시부(10)에서의 서브화소(11)의 배치의 한 예를 도시하는 것이다. 각 화소(Pix)는, 적색(R), 녹색(G), 청색(B), 백색(W)의 4개의 서브화소(11R, 11G, 11B, 11W)를 갖고 있다. 이 예에서는, 이들 4개의 서브화소(11R, 11G, 11B, 11W)는, 화소(Pix)에서 2행2열로 배치되어 있다. 구체적으로는, 화소(Pix)에서, 좌상에 적색(R)의 서브화소(11R)를 배치하고, 우상에 녹색(G)의 서브화소(11G)를 배치하고, 좌하에 백색(W)의 서브화소(11W)를 배치하고, 우하에 청색(B)의 서브화소(11B)를 배치하고 있다. 또한, 4개의 서브화소(11R, 11G, 11B, 11W)의 배치는, 이와 같은 배치가 추천되지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 다른 배치라도 좋다.
도 3은, 표시부(10)의 회로 구성의 한 예를 도시하는 것이다. 표시부(10)는, 행방향으로 연신하는 복수의 주사선(WSAL, WSBL), 및 복수의 전원선(PL)과, 열방향으로 연신하는 복수의 데이터선(DTL)을 갖고 있다. 주사선(WSAL, WSBL)의 일단은 주사 구동부(23)에 접속되고, 전원선(PL)의 일단은 전원선 구동부(26)에 접속되고, 데이터선(DTL)의 일단은 데이터선 구동부(27)에 접속되어 있다. 하나의 화소(Pix)에 속하는 서브화소(11R)와 서브화소(11G)는, 같은 주사선(WSAL)에 접속되고, 하나의 화소(Pix)에 속하는 서브화소(11B)와 서브화소(11W)는, 같은 주사선(WSBL)에 접속되어 있다. 또한, 하나의 화소(Pix)에 속하는 서브화소(11R)와 서브화소(11W)는, 같은 데이터선(DTL)에 접속되고, 하나의 화소(Pix)에 속하는 서브화소(11G)와 서브화소(11B)는, 같은 데이터선(DTL)에 접속되어 있다. 또한, 하나의 화소(Pix)에 속하는 4개의 서브화소(11R, 11G, 11B, 11W)는, 같은 전원선(PL)에 접속되어 있다.
다음에, 서브화소(11)의 회로 구성에 관해, 서브화소(11R)를 예로 설명한다. 또한, 서브화소(11G, 11B, 11W)의 회로 구성에 관해서도 마찬가지이다.
서브화소(11R)는, 기록 트랜지스터(WSTr)와, 구동 트랜지스터(DRTr)와, 용량 소자(Cs)와, 발광 소자(19)를 구비하고 있다. 기록 트랜지스터(WSTr) 및 구동 트랜지스터(DRTr)는, 예를 들면, N채널 MOS(Metal Oxide Semiconductor)형의 TFT(Thin Film Transistor ; 박막 트랜지스터)에 의해 구성되는 것이다. 서브화소(11R)에서, 기록 트랜지스터(WSTr)는, 게이트가 주사선(WSAL)에 접속되고, 소스가 데이터선(DTL)에 접속되고, 드레인이 구동 트랜지스터(DRTr)의 게이트 및 용량 소자(Cs)의 일단에 접속되어 있다. 구동 트랜지스터(DRTr)는, 게이트가 기록 트랜지스터(WSTr)의 드레인 및 용량 소자(Cs)의 일단에 접속되고, 드레인이 전원선(PL)에 접속되고, 소스가 용량 소자(Cs)의 타단 및 발광 소자(19)의 애노드에 접속되어 있다. 용량 소자(Cs)는, 일단이 구동 트랜지스터(DRTr)의 게이트 및 기록 트랜지스터(WSTr)의 드레인에 접속되고, 타단이 구동 트랜지스터(DRTr)의 소스 및 발광 소자(19)의 애노드에 접속되어 있다. 발광 소자(19)는, 유기 EL 소자를 이용하여 구성되고, 적색(R)의 광을 사출하는 발광 소자이고, 애노드가 구동 트랜지스터(DRTr)의 소스 및 용량 소자(Cs)의 타단에 접속되고, 캐소드에는, 구동부(20)에 의해 캐소드 전압(Vcath)이 공급되고 있다.
도 4는, 표시부(10)에서의 서브화소(11)의 단면도를 도시하는 것이다. 표시부(10)는, 기판(200)과, 게이트(201)와, 폴리실리콘(203)과, 애노드(212)와, 절연층(213)과, 발광층(214)과, 캐소드(215)와, 절연층(216)과, 컬러 필터(218)를 갖고 있다.
기판(200)은, 표시부(10)의 지지 기판이고, 예를 들면, 유리나 플라스틱 등에 의해 구성되어 있다. 기판(200)상에는, 게이트(201)가 형성되어 있다. 이 게이트(201)는, 예를 들면 몰리브덴(Mo) 등에 의해 구성된다. 기판(200) 및 게이트(201)의 위에는 절연층(202)이 형성되어 있다. 이 절연층(202)은, 예를 들면, 산화실리콘(SiO2)이나, 질화실리콘(SiNx) 등에 의해 구성된다. 이 절연층(202)의 위에는, 게이트(201)에 대응하는 영역에 폴리실리콘(203)이 형성되어 있다. 게이트(201) 및 폴리실리콘(203)은, 구동 트랜지스터(DRTr) 등을 구성하는 것이다. 또한, 이 예에서는, 게이트(201)의 상부에 폴리실리콘(203)을 형성하는, 이른바 보텀 게이트 구조에 의해 트랜지스터를 구성하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 게이트의 하부에 폴리실리콘을 형성하는, 이른바 톱 게이트 구조에 의해 트랜지스터를 구성하여도 좋다. 폴리실리콘(203) 및 절연층(202)의 위에는, 절연층(204)이 형성되어 있다. 이 절연층(204)은, 예를 들면 절연층(202)과 같은 재료에 의해 구성된다. 또한, 폴리실리콘(203)이 형성된 영역의 일부에는, 절연층(204)을 관통하도록, 콘택트/배선(205)이 형성되어 있다. 배선(205)은, 예를 들면, 티탄(Ti)/알루미늄(Al)/티탄(Ti)의 3층에 의해 구성할 수 있다.
절연층(204)의 위에는, 절연층(211)이 형성되어 있다. 절연층(211)은, 예를 들면, 폴리이미드나 아크릴 수지 등에 의해 구성된다. 절연층(211)의 위에는, 애노드(212)가 형성되어 있다. 애노드(212)는, 절연층(211)을 관통하고, 구동 트랜지스터(DRTr)의 소스에 관한 콘택트/배선(205)과 접속되어 있다. 애노드(212)는, 예를 들면, ITO/Al 합금, Al 합금, ITO/Ag, ITO/Ag 합금 등에 의해 구성되어 있다. 즉, 애노드(212)는, 광을 반사하는 성질을 갖는 것이 바람직하다. 애노드(212) 및 절연층(211)의 위에는, 절연층(213)이 형성되어 있다. 절연층(213)은, 예를 들면 절연층(211)과 같은 재료에 의해 구성된다. 이 절연층(213)에는, 애노드(212)가 형성된 영역의 일부에 복수의 개구부(WIN)가 마련되어 있다. 애노드(212) 및 절연층(213)의 상부에는, 복수의 개구부(WIN)를 덮도록, 발광층(214)이 형성되어 있다. 발광층(214)은, 그 서브화소(11)에 대응하는 색(적색, 녹색, 청색, 백색)의 광을 발하는 유기 EL층이다. 구체적으로는, 서브화소(11R)에 대응하는 영역에는 적색(R)의 광을 발하는 발광층(214)이 형성되고, 서브화소(11G)에 대응하는 영역에는 녹색(G)의 광을 발하는 발광층(214)이 형성되고, 서브화소(11B)에 대응하는 영역에는 청색(B)의 광을 발하는 발광층(214)이 형성되고, 서브화소(11W)에 대응하는 영역에는 백색(W)의 광을 발하는 발광층(214)이 형성되어 있다. 절연층(213) 및 발광층(214)의 위에는, 캐소드(215)가 일양하게 형성되어 있다. 캐소드(215)는, 투명 또는 반투명의 전극이고, 예를 들면, 마그네슘은(MgAg)이나, IZO(등록상표)에 의해 구성할 수 있다. 마그네슘은으로 구성한 경우에는, 막두께를 예를 들면 수㎚ 정도로 함에 의해 반투명으로 할 수 있다. IZO로 구성한 경우에는, 예를 들면 수십㎚∼수천㎚의 막두께로 형성하는 것이 바람직하다. 즉, IZO는 투명한 재료이기 때문에, 소망하는 낮은 시트 저항치를 실현할 수 있도록 약간 두껍게 형성할 수 있다. 캐소드(215)의 위에는, 이 예에서는 절연층(216)이 형성되어 있다. 절연층(216)은, 예를 들면 질화실리콘(SiNx) 등에 의해 구성된다. 절연층(216)은, 그 굴절율이 절연층(213)의 굴절율과 다른 재료에 의해 구성되는 것이다. 구체적으로는, 후술하는 바와 같이, 절연층(213, 216)의 굴절율은, 개구부(WIN)를 둘러싸는 절연층(213)의 경사 부분(PS)에서, 절연층(216)측부터 입사한 광이 반사되도록 설정된다. 또한, 이 절연층(216)은, 발광층(214)에 수분이 침입하고, 발광 효율 등의 특성이 변화하는 것을 방지하는 기능도 갖고 있다. 이 절연층(216)은, 밀봉용의 수지인 절연층(217)을 통하여, 컬러 필터(218)나 블랙 매트릭스(219)가 표면에 형성된 기판(220)과 맞붙여져 있다. 구체적으로는, 서브화소(11R)에 대응하는 부분에는 적색의 컬러 필터(218)가 형성되고, 서브화소(11G)에 대응하는 부분에는 녹색(G)의 컬러 필터(218)가 형성되고, 서브화소(11B)에 대응하는 부분에는 청색(B)의 컬러 필터(218)가 형성되고, 서브화소(11W)에 대응하는 부분에는 백색(W)의 컬러 필터(218)가 형성되어 있다.
이 구성에 의해, 발광층(214)으로부터 사출한 적색, 녹색, 청색 및 백색의 광은, 지지 기판인 기판(200)과는 반대의 방향으로 진행한다. 즉, 발광 소자(19)는, 이른바 톱 이미션형의 발광 소자이다. 그리고, 이 광은, 컬러 필터(218)를 통하여 표시면부터 출력된다. 구체적으로는, 서브화소(11R)에서는, 적색(R)의 광의 색역(色域)이 적색(R)의 컬러 필터(218)에 의해 조정되고, 서브화소(11G)에서는, 녹색(G)의 광의 색역이 녹색(G)의 컬러 필터(218)에 의해 조정되고, 서브화소(11B)에서는, 청색(B)의 광의 색역이 청색(B)의 컬러 필터(218)에 의해 조정되고, 서브화소(11W)에서는, 백색(W)의 광의 색역이 백색(W)의 컬러 필터(218)에 의해 조정된다. 또한, 화질(색역)에 대한 요구가 그다지 높지 않은 어플리케이션 등에서는, 이들의 컬러 필터(218)를 마련하지 않아도 좋다.
도 5는, 화소(Pix)에서의 4개의 서브화소(11)의 구성을 모식적으로 도시하는 것이다. 적색(R)의 서브화소(11R)에서는, 적색의 발광층(214)으로부터 사출한 적색의 광이, 적색의 컬러 필터(218)를 통과한다. 마찬가지로, 녹색(G)의 서브화소(11G)에서는, 녹색의 발광층(214)으로부터 사출한 녹색의 광이, 녹색의 컬러 필터(218)를 통과하고, 청색(B)의 서브화소(11B)에서는, 청색의 발광층(214)으로부터 사출한 청색의 광이, 청색의 컬러 필터(218)를 통과하고, 백색(W)의 서브화소(11W)에서는, 백색의 발광층(214)으로부터 사출한 백색의 광이, 백색의 컬러 필터(218)를 통과하도록 되어 있다.
도 6은, 화소(Pix)에서의, 애노드(212)의 배치를 도시하는 것이다. 화소(Pix)에는, 4개의 회로 영역(15R, 15G, 15B, 15W)과, 4개의 애노드(212R, 212G, 212B, 212W)가 마련되어 있다.
회로 영역(15R)은, 서브화소(11R)에서의 발광 소자(19) 이외의 소자(기록 트랜지스터(WSTr), 구동 트랜지스터(DRTr), 및 용량 소자(Cs))가 배치되는 영역이다. 마찬가지로, 회로 영역(15G)은, 서브화소(11G)에서의 발광 소자(19) 이외의 소자가 배치되는 영역이고, 회로 영역(15B)은, 서브화소(11B)에서의 발광 소자(19) 이외의 소자가 배치되는 영역이고, 회로 영역(15W)은, 서브화소(11W)에서의 발광 소자(19) 이외의 소자가 배치되는 영역이다. 이 예에서는, 회로 영역(15R, 15G, 15B, 15W)의 레이아웃은, 주사선(WSAL, WSBL) 및 전원선(PL)과의 접속부분 이외는 거의 같은 것이다. 또한, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 이에 대신하여, 예를 들면, 회로 영역(15R, 15G)의 레이아웃은, 회로 영역(15B, 15W)의 레이아웃을 상하 반전한 것이라도 좋고, 각각이 전혀 다른 별도의 레이아웃이라도 좋다. 이와 같이, 같은 레이아웃을 회전 또는 반전하여 유용(流用)함에 의해, 레이아웃 작업의 효율을 높일 수 있다.
애노드(212R)는 서브화소(11R)의 애노드이고, 애노드(212G)는 서브화소(11G)의 애노드이고, 애노드(212B)는 서브화소(11B)의 애노드이고, 애노드(212W)는 서브화소(11W)의 애노드이다. 이들의 애노드(212R, 212G, 212B, 212W)는, 회로 영역(15R, 15G, 15B, 15W)에 형성된 구동 트랜지스터(DRTr)의 소스와, 각각 콘택트(205)를 통하여 접속되어 있다. 이 예에서는, 콘택트(205)는, 정방형의 형상을 갖는 것이고, 애노드(212R, 212G, 212B, 212W)의 좌상에 배치되어 있다.
도 7은, 각 애노드(212)에서의 개구부(WIN)의 배치를 모식적으로 도시하는 것이다. 각 애노드(212R, 212G, 212B, 212W)는, 도 6에 도시한 바와 같이 각각 이간하여 형성되지만, 이 도 7에서는 설명의 편의상, 이들이 인접하도록 그리고 있다. 애노드(212R, 212G, 212B, 212W)의 각각에는, 다양한 형상의 복수의 개구부(WIN)가, 랜덤하게 배치되어 있다. 즉, 개구부(WIN)의 각각은, 서로 같은 형상이 아니라, 또한, 그 형상은, 원형, 타원형, 그것들이 결합한 형태 등 다양하다. 또한, 이 타원형은, 엄밀한 정의에서의 타원형으로 한정되는 것은 아니고, 단지 원형을 가늘고 길게 한 것이라는 정도의 의미이다. 또한, 이들의 복수의 개구부(WIN)는, 각 애노드(212)에서, 예를 들면 소정의 방향에 정연하게 배치되는 등의 명확한 규칙성을 갖지 않도록 배치되어 있다. 또한, 이 예에서는, 각 개구부(WIN)의 면적을 서로 거의 동등하게 하고 있다. 이에 의해, 제조시에 있어서의 포토 리소그래피의 조건을 결정하기 쉽게 할 수 있다. 이들의 개구부(WIN)는, 콘택트(205)가 형성된 위치와 다른 위치에 배치되어 있다. 또한, 이 예에서는, 애노드(212R, 212G, 212B, 212W)의 각각에서, 복수의 개구부(WIN)가 같은 배치 패턴(Pat)으로 배치되어 있다.
도 8은, 개구부(WIN)의 주요부 단면 구조를 도시하는 것이다. 절연층(213)은, 높이(H)의 두께로 형성되어 있고, 그 절연층(213)의 개구 부분에서는, 애노드(212)측에서의 폭(R1)은, 표시면측의 폭(R2)보다도 작게 되어 있다. 즉, 절연층(213)에는, 개구부(WIN)를 둘러싸도록, 경사 부분(PS)이 마련되어 있다. 이에 의해, 후술하는 바와 같이, 개구부(WIN)에서의 발광층(214)으로부터 사출하고, 경사 부분(PS)을 향하는 광은, 절연층(213)과 절연층(216)의 굴절율의 차이에 의해, 그 경사 부분(PS)에서 반사하고, 표시면의 정면 방향으로 진행한다. 즉, 이 경사 부분(PS)은, 발광층(214)으로부터 사출한 광을 반사시키는, 이른바 리플렉터로서 기능하는 것이다. 그 결과, 표시부(10)에서는, 광의 외부로의 취출 효율을 높일 수 있도록 되어 있다. 이 경사 부분(PS)에서 광을 효율적으로 반사시키기 위해, 절연층(216)의 굴절율(n1)과, 절연층(213)의 굴절율(n2)은, 예를 들면, 이하의 식을 충족시키는 것이 바람직하다.
1.1≤n1≤1.8 … (1)
n1-n2≥0.20 … (2)
도 1 등에서, 영상 신호 처리부(21)는, 외부로부터 공급되는 영상 신호(Sdisp)에 대해, RGB 신호로부터 RGBW 신호로의 변환이나 감마 변환 등의 소정의 처리를 행하여, 영상 신호(Sdisp2)를 생성하는 것이다.
타이밍 생성부(22)는, 외부로부터 공급되는 동기 신호(Ssync)에 의거하여, 주사선 구동부(23), 전원선 구동부(26), 및 데이터선 구동부(27)에 대해 각각 제어 신호를 공급하고, 이들이 서로 동기하여 동작하도록 제어하는 회로이다.
주사선 구동부(23)는, 타이밍 생성부(22)로부터 공급된 제어 신호에 따라, 복수의 주사선(WSAL)에 대해 주사 신호(WSA)를 순차적으로 인가함과 함께, 복수의 주사선(WSBL)에 대해 주사 신호(WSB)를 순차적으로 인가함에 의해, 서브화소(11)를 순차적으로 선택하는 것이다.
전원선 구동부(26)는, 타이밍 생성부(22)로부터 공급된 제어 신호에 따라, 복수의 전원선(PL)에 대해 전원 신호(DS)를 순차적으로 인가함에 의해, 서브화소(11)의 발광 동작 및 소광 동작의 제어를 행하는 것이다. 전원 신호(DS)는, 전압(Vccp)과 전압(Vini)과의 사이에서 천이하는 것이다. 후술하는 바와 같이, 전압(Vini)은, 서브화소(11)를 초기화하기 위한 전압이고, 전압(Vccp)은, 구동 트랜지스터(DRTr)에 전류를 흘려서 발광 소자(19)를 발광시키기 위한 전압이다.
데이터선 구동부(27)는, 영상 신호 처리부(21)로부터 공급된 영상 신호(Sdisp2) 및 타이밍 생성부(22)로부터 공급된 제어 신호에 따라, 각 서브화소(11)의 발광휘도를 지시하는 화소 전압(Vsig), 및 후술하는 Vth 보정을 행하기 위한 전압(Vofs)을 포함하는 신호(Sig)를 생성하고, 각 데이터선(DTL)에 인가하는 것이다.
이 구성에 의해, 구동부(20)는, 후술하는 바와 같이, 서브화소(11)에 대해 구동 트랜지스터(DRTr)의 소자 편차가 화질에 주는 영향을 억제하기 위한 보정(Vth 보정 및 μ(이동도) 보정)를 행하여, 서브화소(11)에 대해 화소 전압(Vsig)의 기록을 행한다. 그리고, 그 후에, 서브화소(11)의 발광 소자(19)가, 기록된 화소 전압(Vsig)에 응한 휘도로 발광하도록 되어 있다.
여기서, 애노드(212)는, 본 개시에서의 「제1의 전극」의 한 구체례에 대응한다. 캐소드(215)는, 본 개시에서의 「제2의 전극」의 한 구체례에 대응한다. 개구부(WIN)는, 본 개시에서의 「발광 영역」의 한 구체례에 대응한다. 절연층(213)은, 본 개시에서의 「제1의 절연층」의 한 구체례에 대응한다. 절연층(216)은, 본 개시에서의 「제2의 절연층」의 한 구체례에 대응한다. 서브화소(11R, 11G, 11B)는, 본 개시에서의 「제1의 서브화소, 제2의 서브화소, 및 제3의 서브화소」의 한 구체례에 대응한다. 서브화소(11W)는, 본 개시에서의 「제4의 서브화소」의 한 구체례에 대응한다.
[동작 및 작용]
계속해서, 본 실시의 형태의 표시 장치(1)의 동작 및 작용에 관해 설명한다.
(전체 동작 개요)
우선, 도 1을 참조하여, 표시 장치(1)의 전체 동작 개요를 설명한다. 영상 신호 처리부(21)는, 외부로부터 공급되는 영상 신호(Sdisp)에 대해 소정의 처리를 행하여, 영상 신호(Sdisp2)를 생성한다. 타이밍 생성부(22)는, 외부로부터 공급되는 동기 신호(Ssync)에 의거하여, 주사선 구동부(23), 전원선 구동부(26) 및 데이터선 구동부(27)에 대해 각각 제어 신호를 공급하고, 이들이 서로 동기하여 동작하도록 제어한다. 주사선 구동부(23)는, 타이밍 생성부(22)로부터 공급된 제어 신호에 따라, 복수의 주사선(WSAL)에 대해 주사 신호(WSA)를 순차적으로 인가함과 함께, 복수의 주사선(WSBL)에 대해 주사 신호(WSB)를 순차적으로 인가함에 의해, 서브화소(11)를 순차적으로 선택한다. 전원선 구동부(26)는, 타이밍 생성부(22)로부터 공급된 제어 신호에 따라, 복수의 전원선(PL)에 대해 전원 신호(DS)를 순차적으로 인가함에 의해, 서브화소(11)의 발광 동작 및 소광 동작의 제어를 행한다. 데이터선 구동부(27)는, 영상 신호 처리부(21)로부터 공급된 영상 신호(Sdisp2) 및 타이밍 생성부(22)로부터 공급된 제어 신호에 따라, 각 서브화소(11)의 휘도에 대응하는 화소 전압(Vsig), 및 Vth 보정을 행하기 위한 전압(Vofs)을 포함하는 신호(Sig)를 생성하고, 각 데이터선(DTL)에 인가한다. 표시부(10)는, 구동부(20)로부터 공급되는 주사 신호(WSA, WSB), 전원 신호(DS), 및 신호(Sig)에 의거하여 표시를 행한다.
(상세 동작)
다음에, 하나의 화소(Pix)에 속하는 2개의 서브화소(11R, 11W)를 예로, 표시 장치(1)의 상세 동작을 설명한다.
도 9는, 서브화소(11R, 11W)의 동작의 타이밍도를 도시하는 것이고, (A)는 주사 신호(WSA)의 파형을 나타내고, (B)는 주사 신호(WSB)의 파형을 나타내고, (C)는 전원 신호(DS)의 파형을 나타내고, (D)는 신호(Sig)의 파형을 나타내고, (E)는 서브화소(11R)에서의 구동 트랜지스터(DRTr)의 게이트 전압(Vg)의 파형을 나타내고, (F)는 서브화소(11R)에서의 구동 트랜지스터(DRTr)의 소스 전압(Vs)의 파형을 나타내고, (G)는 서브화소(11W)에서의 구동 트랜지스터(DRTr)의 게이트 전압(Vg)의 파형을 나타내고, (H)는 서브화소(11W)에서의 구동 트랜지스터(DRTr)의 소스 전압(Vs)의 파형을 나타낸다. 도 9(C)∼(F)에서는, 같은 전압축을 이용하여 각 파형을 나타내고, 마찬가지로, 도 9(G), (H)에서는, 같은 전압축을 이용하여 각 파형을 나타내고 있다. 또한, 설명의 편의상, 도 9(G), (H)와 같은 전압축에, 전원 신호(DS)(도 9(C)) 및 신호(Sig)(도 9(D))의 파형과 같은 것을 나타내고 있다.
구동부(20)는, 1수평 기간(1H) 내에서, 서브화소(11R, 11W)의 초기화를 행하여(초기화 기간(P1)), 구동 트랜지스터(DRTr)의 소자 편차가 화질에 주는 영향을 억제하기 위한 Vth 보정을 행한다(Vth 보정 기간(P2)). 그 후, 서브화소(11R)에 대해 화소 전압(VsigR)의 기록을 행함과 함께, Vth 보정과는 다른 μ(이동도) 보정을 행하여(기록· μ보정 기간(P3)), 서브화소(11R)의 발광 소자(19)가, 기록된 화소 전압(VsigR)에 응한 휘도로 발광한다(발광 기간(P4)). 그 후, 마찬가지로, 서브화소(11W)에 대해 화소 전압(VsigW)의 기록을 행함과 함께, μ(이동도)보정을 행하고(기록· μ보정 기간(P5)), 서브화소(11W)의 발광 소자(19)가, 기록된 화소 전압(VsigW)에 응한 휘도로 발광한다(발광 기간(P6)). 이하에, 그 상세를 설명한다.
우선, 전원선 구동부(26)는, 초기화 기간(P1)에 앞서는 타이밍(t1)에서, 전원 신호(DS)를 전압(Vccp)부터 전압(Vini)으로 변화시킨다(도 9(C)). 이에 의해, 서브화소(11R, 11W)의 구동 트랜지스터(DRTr)가 각각 온 상태가 되고, 구동 트랜지스터(DRTr)의 소스 전압(Vs)이, 전압(Vini)으로 각각 설정된다(도 9(F), (H)).
다음에, 구동부(20)는, 타이밍(t2∼t3)의 기간(초기화 기간(P1))에서, 서브화소(11R, 11W)를 초기화한다. 구체적으로는, 타이밍(t2)에서, 데이터선 구동부(27)가, 신호(Sig)를 전압(Vofs)으로 설정하고(도 9(D)), 주사선 구동부(23)가, 주사 신호(WSA, WSB)의 전압을 저레벨로부터 고레벨로 각각 변화시킨다(도 9(A), (B)). 이에 의해, 서브화소(11R, 11W)의 기록 트랜지스터(WSTr)가 각각 온 상태가 되고, 서브화소(11R, 11W)의 구동 트랜지스터(DRTr)의 게이트 전압(Vg)이 각각 전압(Vofs)으로 설정된다(도 9(E), (G)). 이와 같이 하여, 서브화소(11R, 11W)의 구동 트랜지스터(DRTr)의 게이트·소스 사이 전압(Vgs)(=Vofs-Vini)은, 구동 트랜지스터(DRTr)의 임계치 전압(Vth)보다도 큰 전압으로 각각 설정되고, 서브화소(11R, 11W)가 각각 초기화된다.
다음에, 구동부(20)는, 타이밍(t3∼t4)의 기간(Vth 보정 기간(P2))에서, Vth 보정을 행한다. 구체적으로는, 전원선 구동부(26)가, 타이밍(t3)에서, 전원 신호(DS)를 전압(Vini)부터 전압(Vccp)으로 변화시킨다(도 9(C)). 이에 의해, 서브화소(11R, 11W)의 구동 트랜지스터(DRTr)는 포화 영역에서 동작하게 되고, 드레인으로부터 소스에 전류(Ids)가 각각 흐르고, 소스 전압(Vs)이 각각 상승한다(도 9(F), (H)). 그 때, 이 예에서는, 소스 전압(Vs)은 발광 소자(19)의 캐소드의 전압(Vcath)보다도 낮기 때문에, 발광 소자(19)는 역바이어스 상태를 유지하고, 발광 소자(19)에는 전류는 흐르지 않는다. 이와 같이 소스 전압(Vs)이 상승함에 의해, 게이트·소스 사이 전압(Vgs)이 저하되기 때문에, 전류(Ids)는 저하된다. 이 부귀환 동작에 의해, 전류(Ids)는 "0"(제로)를 향하여 수속하여 간다. 환언하면, 서브화소(11R, 11W)의 구동 트랜지스터(DRTr)의 게이트·소스 사이 전압(Vgs)은, 구동 트랜지스터(DRTr)의 임계치 전압(Vth)과 동등하게 되도록(Vgs=Vth) 각각 수속하여 간다.
다음에, 주사선 구동부(23)는, 타이밍(t4)에서, 주사 신호(WSA, WSB)의 전압을 고레벨로부터 저레벨로 각각 변화시킨다(도 9(A), (B)). 이에 의해, 서브화소(11R, 11W)의 기록 트랜지스터(WSTr)는 각각 오프 상태가 된다. 이와 동시에, 데이터선 구동부(27)는, 신호(Sig)를 화소 전압(VsigR)으로 설정한다(도 9(D)).
다음에, 구동부(20)는, 타이밍(t5∼t6)의 기간(기록· μ보정 기간(P3))에서, 서브화소(11R)에 대해 화소 전압(VsigR)의 기록을 행함과 함께 μ보정을 행한다. 구체적으로는, 주사선 구동부(23)가, 타이밍(t5)에서, 주사 신호(WSA)의 전압을 저레벨로부터 고레벨로 변화시킨다(도 9(A)). 이에 의해, 서브화소(11R)의 기록 트랜지스터(WSTr)는 온 상태가 되고, 서브화소(11R)의 구동 트랜지스터(DRTr)의 게이트 전압(Vg)이, 전압(Vofs)부터 화소 전압(VsigR)으로 상승한다(도 9(E)). 이 때, 구동 트랜지스터(DRTr)의 게이트·소스 사이 전압(Vgs)이 임계치 전압(Vth)보다 커지고(Vgs>Vth), 드레인으로부터 소스에 전류(Ids)가 흐르기 때문에, 구동 트랜지스터(DRTr)의 소스 전압(Vs)이 상승한다(도 9(F)). 이와 같은 부귀환 동작에 의해, 구동 트랜지스터(DRTr)의 소자 편차의 영향이 억제되고(μ보정), 구동 트랜지스터(DRTr)의 게이트·소스 사이 전압(Vgs)은, 화소 전압(Vsig)에 응한 전압(Vemi)으로 설정된다. 또한, 이와 같은 μ보정의 방법에 관해서는, 예를 들면, 특개2006-215213에 기재가 있다.
다음에, 구동부(20)는, 타이밍(t6) 이후의 기간(발광 기간(P4))에서, 서브화소(11R)를 발광시킨다. 구체적으로는, 타이밍(t6)에서, 주사선 구동부(23)는, 주사 신호(WSA)의 전압을 고레벨로부터 저레벨로 변화시킨다(도 9(A)). 이에 의해, 서브화소(11R)의 기록 트랜지스터(WSTr)가 오프 상태가 되고, 서브화소(11R)의 구동 트랜지스터(DRTr)의 게이트가 플로팅으로 되기 때문에, 이 이후, 용량 소자(Cs)의 단자 사이 전압, 즉, 구동 트랜지스터(DRTr)의 게이트·소스 사이 전압(Vgs)은 유지된다. 그리고, 구동 트랜지스터(DRTr)에 전류(Ids)가 흐름에 따라, 구동 트랜지스터(DRTr)의 소스 전압(Vs)이 상승하고(도 9(F)), 이에 수반하여 구동 트랜지스터(DRTr)의 게이트 전압(Vg)도 상승한다(도 9(E)). 그리고, 구동 트랜지스터(DRTr)의 소스 전압(Vs)이, 발광 소자(19)의 임계치 전압(Vel)과 전압(Vcath)의 합(Vel+Vcath)보다도 커지면, 발광 소자(19)의 애노드·캐소드 사이에 전류가 흐르고, 발광 소자(19)가 발광한다. 즉, 발광 소자(19)의 소자 편차에 응한 분만큼 소스 전압(Vs)이 상승하고, 발광 소자(19)가 발광한다.
다음에, 데이터선 구동부(27)는, 타이밍(t7)에서, 신호(Sig)를 화소 전압(VsigW)으로 설정한다(도 9(D)).
다음에, 구동부(20)는, 타이밍(t8∼t9)의 기간(기록· μ보정 기간(P5))에서, 서브화소(11W)에 대해 화소 전압(VsigW)의 기록을 행함과 함께 μ보정을 행한다. 구체적으로는, 주사선 구동부(23)가, 타이밍(t8)에서, 주사 신호(WSB)의 전압을 저레벨로부터 고레벨로 변화시킨다(도 9(B)). 이에 의해, 기록· μ보정 기간(P3)의 경우와 마찬가지로, 서브화소(11W)에 화소 전압(VsigW)이 기록됨과 함께, μ보정이 행하여진다.
다음에, 구동부(20)는, 타이밍(t9) 이후의 기간(발광 기간(P6))에서, 서브화소(11W)를 발광시킨다. 구체적으로는, 타이밍(t9)에서, 주사선 구동부(23)는, 주사 신호(WSB)의 전압을 고레벨로부터 저레벨로 변화시킨다(도 9(B)). 이에 의해, 발광 기간(P4)의 경우와 마찬가지로, 서브화소(11W)의 발광 소자(19)가 발광한다.
그 후, 표시 장치(1)에서는, 소정의 기간(1프레임 기간)이 경과한 후, 발광 기간(P4, P6)부터 기록 기간(P1)으로 이행한다. 구동부(20)는, 이 일련의 동작을 반복하도록 표시부(10)를 구동한다.
(정면 방향의 휘도와 시야각에 관해)
표시 장치(1)에서는, 서브화소(11)에, 복수의 개구부(WIN)를 마련함과 함께, 그 각각을 둘러싸도록, 절연층(213)에 경사 부분(PS)(리플렉터)을 마련하고 있다. 이하에, 이 경사 부분(PS)의 작용에 관해 상세히 설명한다.
도 10은, 개구부(WIN) 부근에서의, 광선의 시뮬레이션 결과의 한 예를 도시하는 것이다. 이 도 10은, 발광층(214)(하측)으로부터 사출한 광이, 표시면측(상측)을 향하여 진행하는 양상을 나타내고 있다. 도 10에 도시한 바와 같이, 개구부(WIN)에서의 발광층(214)으로부터는, 다양한 방향으로 광이 사출된다. 구체적으로는, 발광층(214)으로부터 사출되는 광은, 예를 들면, 발광층(214)의 법선 방향(도 10의 상방향)으로 진행하고, 또는, 발광층(214)의 법선 방향에서 빗나간 방향으로 진행한다. 발광층(214)의 법선 방향에서 빗나간 방향으로 진행하는 광 중의 일부는, 절연층(213)의 경사 부분(PS)에 입사하고, 그리고 반사된다. 즉, 이 경사 부분(PS)에서는, 도 8에 도시한 바와 같이, 서로 다른 굴절율을 갖는 절연층(213)과 절연층(216)이, 발광층(214) 및 캐소드(215)를 끼우고 이웃하고 있기 때문에, 이 굴절율의 차이에 의해, 광이 반사된다. 그리고, 이 반사광은, 표시면측으로 진행하여, 표시부(10)의 외부로 취출된다.
이와 같이, 표시부(10)에서는, 개구부(WIN)를 둘러싸도록 경사 부분(PS)을 마련하였기 때문에, 광의 외부로의 취출 효율을 높일 수 있다. 즉, 예를 들면, 경사 부분(PS)을 마련하지 않은 경우에는, 발광층(214)의 법선 방향에서 빗나간 방향으로 사출된 광은, 표시부 내에서 약하여지고, 또는 블랙 매트릭스(219)에 의해 차단될 우려가 있다. 이 경우에는, 발광층(214)으로부터 사출한 광 중, 표시부의 외부로 취출되는 광의 비율이 저하되고, 광의 취출 효율이 저하되어 버린다. 한편, 표시부(10)에서는, 경사 부분(PS)을 마련하고, 이 경사 부분(PS)에서 광이 반사되도록 하였기 때문에, 광의 취출 효율을 높일 수 있다.
다음에, 표시부(10)에서의 절연층(213)의 높이(H)와, 표시부(10)의 정면 방향의 휘도 및 시야각과의 관계에 관해 설명한다.
도 11A∼11C는, 개구부(WIN)에서의 광선을 도시하는 것으로, 도 11A는, 절연층(213)의 높이(H)를 높게 한 경우를 나타내고, 도 11B는, 높이(H)를 중간 정도로 한 경우를 나타내고, 도 11C는, 높이(H)를 낮게 한 경우를 나타낸다. 도 11A∼11C에서는, 개구부(WIN)의 크기, 및 경사 부분(PS)의 경사의 각도를 서로 동등하게 하고 있다.
높이(H)가 높은 경우(도 11A)에는, 발광층(214)으로부터 사출한 광선(L1∼L4)은, 절연층(213)과 절연층(216)의 굴절율의 차이에 의해, 경사 부분(PS)에서 반사하고, 표시면의 정면 방향으로 진행한다. 즉, 이 경우에는, 표시 장치(1)의 정면 방향의 휘도가 높아진다.
한편, 높이(H)가 중간 정도인 경우(도 11B)에는, 경사 부분(PS)의 높이가 낮아지기 때문에, 발광층(214)으로부터 사출한 광선(L1∼L4) 중의 광선(L1, L4)은, 그 경사 부분(PS)에 입사하는 일 없이 그대로 직진한다. 또한 높이(H)가 낮은 경우(도 11C)에는, 보다 많은 광선(L1∼L4)이, 경사 부분(PS)에 입사하는 일 없이 그대로 직진한다. 즉, 이들의 경우에는, 높이(H)가 높은 경우(도 11A)에 비하여, 경사 부분(PS)에 입사하는 일 없이, 표시면의 법선 방향에서 빗나간 방향으로 직진한 광선이 증가하기 때문에, 표시 장치(1)의 시야각이 넓게 된다.
이와 같이, 표시부(10)에서는, 절연층(213)의 높이(H)에 의해, 표시부(10)의 정면 방향의 휘도, 및 시야각이 변화한다. 그 때, 정면 방향의 휘도와, 시야각은, 서로 트레이드 오프의 관계에 있다. 즉, 높이(H)를 높게 할 수록, 정면 방향의 휘도를 높게 할 수 있고, 한편, 높이(H)를 낮게 할 수록, 시야각을 넓게 할 수 있다. 따라서, 절연층(213)의 높이(H)의 설정에 의해, 표시부(10)의 정면 방향의 휘도와 시야각과의 밸런스를 조정할 수 있다. 시야각에 관한 사양을 만족할 수 있는 범위에서, 정면 방향의 휘도를 높이기 위해서는, 예를 들면, 높이(H)와 개구부(WIN)의 폭을 같은 정도로 하는 것이 바람직하다.
또한, 표시부(10)에서는, 이와 같은 개구부(WIN)를 복수 마련하도록 하였기 때문에, 제조 비용을 저감할 수 있다. 즉, 개구부(WIN)를 복수 마련하면, 개구부(WIN)를 작게 할 수 있기 때문에, 상술한 정면 방향의 휘도와 시야각과의 밸런스를 고려하면, 절연층(213)의 높이(H)를 낮게 할 수 있다. 이에 의해, 절연층(213)을 형성하기 위한 재료의 양을 억제할 수 있음과 함께, 절연층(213)을 형성할 때의 시간(택트)을 단축할 수 있다. 이와 같이, 표시부(10)에서는, 개구부(WIN)를 복수 마련하도록 하였기 때문에, 제조 비용을 저감할 수 있다.
또한, 표시부(10)에서는, 이와 같은 개구부(WIN)를 복수 마련하도록 하였기 때문에, 소비 전력을 저감할 수 있다. 즉, 표시부(10)에서는, 개구부(WIN)를 복수 마련함에 의해, 큰 개구부를 1개 마련하는 경우에 비하여, 개구율이 저하될 우려가 있지만, 그와 같은 경우에도, 상술한 바와 같이 광의 외부로의 취출 효율을 높임에 의해, 서브화소(11)의 휘도를 동등하게 할 수 있다. 구체적으로는, 예를 들면, 개구부(WIN)를 복수 마련함에 의해, 개구율이 반분이 된 경우에도, 광의 취출 효율을 2배로 함에 의해, 발광층(214)에서의 전류 밀도를 바꾸지 않고서, 서브화소(11)의 휘도를 동등하게 할 수 있다. 이와 같이, 발광층(214)에서의 전류 밀도를 유지한 채로 개구율을 내림에 의해, 소비 전력을 저감할 수 있다. 또한, 예를 들면, 개구율이 반분이 된 경우에도, 광의 취출 효율을 2배보다 크게 한 경우에는, 발광층(214)에서의 전류 밀도를 내리면서 서브화소(11)의 휘도를 동등하게 할 수 있다. 이 경우에는, 소비 전력의 더한층의 저감이 가능해진다. 그리고 또한, 발광 특성의 경시 열화(이른바 눌어붙음)를 억제할 수 있다. 즉, 발광층(214)을 구성하는 유기 EL층은, 일반적으로, 전류 밀도가 높을수록 경시 열화가 생기기 쉽기 때문에, 이와 같이 전류 밀도를 내림에 의해, 경시 열화가 생기기 어려워져서, 화질을 높일 수 있다.
또한, 표시부(10)에서는, 애노드(212)의 각각에, 다양한 형상의 복수의 개구부(WIN)를 랜덤하게 배치하였기 때문에, 시야각을 넓게 할 수 있다. 이하에, 한 예로서 타원형의 개구부(WIN)를 들어 설명한다.
도 12A, 12B는, 타원형의 개구부(WIN)에서의 광선을 도시하는 것으로, 도 12A는, 타원의 단축 방향에서의 단면도를 나타내고, 도 12B는, 타원의 장축 방향에서의 단면도를 나타낸다. 타원형의 개구부(WIN)에서는, 단축 방향과 장축 방향에서, 광선의 진행 방식이 다르다. 구체적으로는, 단축 방향에서는, 보다 많은 광선이 경사 부분(PS)에서 반사되기 때문에, 표시부(10)의 정면 방향의 휘도가 높아진다. 한편, 장축 방향에서는, 예를 들면, 개구부(WIN)의 중심 부근에서 사출한 광선 중의 대부분은, 경사 부분(PS)에 입사하는 일 없이 직진한다. 즉, 단축 방향(도 12(A))에 비하여 장축 방향(도 12(B))에서는, 광선은 보다 넓은 범위로 진행한다.
표시부(10)에서는, 다양한 형상의 복수의 개구부(WIN)를 랜덤하게 배치하고 있다. 즉, 예를 들면, 도 7에 도시한 바와 같이, 각 애노드(212)에는, 수직 방향(종방향)으로 길다란 타원형의 개구부(WIN)나, 수평 방향(횡방향)으로 길다란 타원형의 개구부(WIN) 등, 다양한 방향을 향한 복수의 타원형의 개구부(WIN)가 배치된다. 이에 의해, 표시부(10)에서는, 표시부(10)의 정면 방향의 휘도를 높게 할 수 있음과 함께, 다양한 방향에서의 시야각을 넓힐 수 있다.
(외광 반사에 관해)
전자 기기는, 다양한 외광 조건하에서 사용된다. 구체적으로는, 예를 들면, 텔레비전 수상기나 퍼스널 컴퓨터의 모니터에서는, 전구나 형광 등 등이 점등하고 있는 환경에서 자주 사용되고, 또한, 휴대 전화는, 태양광이 쏟아져 내리는 환경에서도 종종 사용된다. 따라서, 이들의 전자 기기에 적용되는 표시 장치는, 이와 같은 외광 환경에서도, 표시 화면을 보기 쉬운 것이 바람직하다. 표시부(10)에서는, 애노드(212)의 각각에, 다양한 형상의 복수의 개구부(WIN)를 랜덤하게 배치하였기 때문에, 이하에 비교례와 대비하여 설명하는 바와 같이, 외광의 반사에 의해 표시 화면이 보기 어렵게 될 우려를 저감할 수 있고, 화질을 높일 수 있다.
(비교례)
다음에, 비교례에 관한 표시 장치(1S)에 관해 설명한다. 본 비교례는, 애노드(212)의 각각에, 복수의 정방형의 개구부(WIN)를 매트릭스형상으로 배치한 것이다. 그 밖의 구성은, 본 실시의 형태(도 1 등)와 마찬가지이다.
도 13은, 비교례에 관한 표시부(10S)에서의 개구부(WIN)의 배치를 도시하는 것이다. 이와 같이, 표시부(10S)에서는, 각 애노드(212)에서, 정방형의 개구부(WIN)가 배치 피치(d)로 매트릭스형상으로 배치되어 있다. 이와 같은 표시부(10S)에 백색의 외광이 입사한 경우에는, 개구부(WIN)의 주기적인 배치에 의해 회절이 생겨서, 그 외광이 표시면측으로 반사되어, 표시 화면이 보기 어렵게 될 우려가 있다.
도 14는, 백색의 서브화소(11W)에서의 외광(LI)의 반사를 도시하는 것이다. 백색의 서브화소(11W)에는, 넓은 범위의 파장의 광을 통과시키는 백색의 컬러 필터(218)가 표시면측에 마련되어 있기 때문에, 백색의 외광(LI)이 서브화소(11W)의 내부에 입사한다. 이 예에서는, 이 외광(LI)은 입사각(α)으로 입사한다. 이 때, 외광(LI) 중, 이하의 식(3)을 충족시키는 파장(λ)의 성분의 광이 서로 마주 강화되어, 반사각(β)으로 반사된다.
nλ=d(Sinα-Sinβ) … (3)
여기서, n은 차수(次數)이고, 1 이상의 정수(자연수)이다. 이에 의해, 외광(LI)에 포함되는 다양한 파장(λ)의 광은, 그 파장(λ)에 응하여 서로 다른 방향으로 반사광(LO)으로서 반사되어, 분광(分光)된다.
도 15는, 백색의 서브화소(11W)에서의 분광을 모식적으로 도시하는 것이고, 도 16은, 반사각(β)의 계산 결과의 한 예를 도시하는 것이다. 반사광(LO)은, 외광(LI)에 포함되는 광의 파장(λ)의 범위에 응한 반사각(β)의 범위에 걸쳐서 넓어져서 진행한다. 도 15에서는, 그 중, 적색의 반사광(LR)과, 녹색의 반사광(LG)과, 청색의 반사광(LB)을 나타내고 있다. 도 16은, 배치 피치(d=1)0[㎛], 입사각(α)=45[deg], 차수(n)=1∼3의 조건에서의 반사각(β)의 계산 결과를 나타내고 있다. 여기서, 반사광(LR)의 파장(λ)을 700[㎚]로 하고, 반사광(LG)의 파장(λ)을 546.1[㎚]로 하고, 반사광(LB)의 파장(λ)을 435.8[㎚]로 하고 있다. 또한, 차수(n)가 4 이상의 경우(n≥4)에 관해서는 기재하지 않지만, 실제로는 이 차수(n)의 반사도 생긴다. 도 15, 16에 도시한 바와 같이, 파장(λ)이 길수록 반사각(β)은 작아지고, 또한, 차수(n)가 클수록 반사각(β)은 작아진다. 또한, 차수(n)≥4의 경우도 고려하면, 넓은 반사각(β)의 범위에서 광이 반사되게 된다.
한편, 서브화소(11R, 11G, 11B)에서는, 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 컬러 필터(218)가 표시면측에 마련되어 있기 때문에, 외광(LI)에 포함되는 이들의 색의 광만이 서브화소(11R, 11G, 11B)의 내부로 들어가고, 개구부(WIN)의 주기적인 배치에 의해 회절되어, 표시면측으로 반사된다. 따라서, 서브화소(11W)의 경우와 같은 분광은 생기지 않는다. 그렇지만, 예를 들면, 서브화소(11R)에서는, 적색의 광만이 특정한 방향(반사각(β))으로 반사되고, 서브화소(11G)에서는, 녹색의 광만이 특정한 방향(반사각(β))으로 반사되고, 서브화소(11B)에서는, 청색의 광만이 특정한 방향(반사각(β))으로 반사된다.
이에 의해, 유저는, 다양한 반사각(β)의 방향에서 표시부(10S)의 표시 화면을 본 때에, 그 반사각(β)에 대응한 색(파장)의 반사광(LO)이 보여 버린다. 구체적으로는, 예를 들면, 어느 방향에서 표시 화면을 보면 표시 화면 전면(全面)이 거의 청색으로 보인다. 또한, 유저는, 이와 같이 반사광(LO)에 의해 표시 화면이 보기 어려운 경우에는, 그와 같은 상황을 회피하기 위해, 종종, 예를 들면 이와 같은 표시부(10S)가 적용되는 휴대 전화를 기울이다. 그렇지만, 표시부(10S)에서는, 상술한 바와 같이 반사각(β)의 범위가 넓기 때문에, 예를 들면 다른 색(파장)의 반사광(LO)이 보여 버린다. 구체적으로는, 예를 들면, 어느 방향에서 표시 화면을 보면 표시 화면 전면이 거의 청색으로 보이는 상황에서, 이것을 회피하기 위해 휴대 전화를 기울인 경우, 이번에는, 예를 들면 표시 화면 전면이 거의 적색으로 보인다. 즉, 유저는, 반사광(LO)에 의해 표시 화면이 보기 어려운 상황을 용이하게 회피할 수가 없을 우려가 있다.
한편, 본 실시의 형태에 관한 표시부(10)에서는, 애노드(212)의 각각에, 다양한 형상의 복수의 개구부(WIN)를 랜덤하게 배치하고 있다. 이에 의해, 표시부(10)에서는, 외광(LI)이 있는 경우에도, 복수의 개구부(WIN)에 의한 회절이 생기기 어렵기 때문에, 반사광(LO)에 의해 표시 화면이 보기 어렵게 될 우려를 저감할 수 있고, 화질을 높일 수 있다.
(제조 방법에 관해)
다음에, 표시 장치(1)의 제조 방법에 관해 설명한다.
도 17은, 표시 장치(1)의 제조 방법의 흐름도를 도시하는 것이다. 이 제조 공정에서는, 발광 소자(19) 이외의 소자(기록 트랜지스터(WSTr), 구동 트랜지스터(DRTr), 및 용량 소자(Cs))를 형성한 TFT 기판의 양에, 발광 소자(19)나 컬러 필터(218) 등을 형성한다. 이하에, 표시 장치(1)의 제조 방법에 관해 상세히 설명한다.
우선, 발광 소자(19) 이외의 소자를 형성한 TFT 기판을 제조한다(스텝 S1). 구체적으로는, 도 4에 도시한 바와 같이, 기판(200)상에, 게이트(201), 절연층(202), 폴리실리콘(203), 절연층(204), 콘택트/배선(205)을, 예를 들면 포토 리소그래피에 의해 형성한다. 이 TFT 기판의 제조에서는, 예를 들면 액정 표시 장치 등의 제조에 이용되는, 공지의 다양한 기술을 적용하는 것이 가능하다.
다음에, 절연층(211)을 형성한다(스텝 S2). 그 때, 콘택트(205)를 위한 콘택트 홀을, 포토 리소그래피에 의해 패터닝하여 형성한다.
다음에, 애노드(212)를 패터닝하여 형성한다(스텝 S3). 그 때, 상기 콘택트 홀에 콘택트(205)가 형성되고, 이 애노드(212)는, 이 콘택트(205)를 통하여, 폴리실리콘(203)에 접속된다.
다음에, 절연층(213)을 포토 리소그래피에 의해 패터닝하여 형성한다(스텝 S4).
도 18은, 절연층(213)을 형성할 때에 이용하는 마스크를 도시하는 것이다. 이 도 18은, 그 마스크 중의 하나의 화소(Pix)에 대응하는 부분만을 나타내고 있다. 도 18중 흑색으로 나타냈던 부분에 절연층(213)이 형성되도록, 즉, 백색으로 나타냈던 부분이 개구부(WIN)가 되도록, 포토 리소그래피를 행한다. 포토 리소그래피에서는, 일반적으로, 예를 들면 개구부(WIN)의 각(角)의 부분은 종종 둥글게 된다. 이에 의해, 각 개구부(WIN)는, 도 7에 도시한 바와 같이, 둥그스름한 모양을 띈 형상이 된다.
도 18에 도시한 마스크 패턴은, CAD(Computer Aided Design) 툴에서, 예를 들면, 보로노이도(圖)를 이용하여 생성할 수 있다. 즉, 예를 들면, 복수의 모점(母点)을 발생시키고, 각 모점을 연결한 선분의 수직2등분선을 생성함에 의해, 보로노이도를 생성할 수 있다. 그 때, 보로노이도의 각 영역의 면적이 서로 거의 같아지도록, 모점을 발생시키는 것이 바람직하다. 이와 같이, 보로노이도를 이용하여 마스크 패턴을 생성함에 의해, 프로그램에 의해 마스크 패턴을 생성할 수 있기 때문에, 패턴 설계를 용이하게 할 수 있다. 또한, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 예를 들면, 설계자가 CAD 툴상에서 스스로 패턴을 그려도 좋다.
다음에, 발광층(214)을 형성한다(스텝 S5). 발광층(214)은, 각 서브화소(11)에 대응하는 색(적색, 녹색, 청색, 백색)의 광을 발하는 발광 재료를 증착함에 의해 생성된다. 그 증착 공정에서는, 예를 들면, 애노드(212R, 212G, 212B, 212W)에 대응하는 영역이 각각 개구하고 있는 4장의 마스크를 이용하여 증착한다.
다음에, 캐소드(215)를 형성한다(스텝 S6). 캐소드(215)는, 예를 들면, 표시부(10)의 유효 표시 영역에 대응하는 영역(에어리어)이 개구하고 있는, 이른바 에어리어 마스크를 이용하여, 표시부(10) 전체에 걸쳐서 일양하게 형성된다.
다음에, 표시부(10) 전체에 걸쳐서, 절연층(216)을 일양하게 형성한다(스텝 S7).
다음에, 스텝 S7에서 생성한 기판에, 컬러 필터(218)나 블랙 매트릭스(219) 등이 형성된 기판(220)을 맞붙인다(스텝 S8). 구체적으로는, 예를 들면, 우선, 진공 중에서, 이들의 기판 중의 일방 또는 양방에, 예를 들면 유효 표시 영역을 둘러싸도록 실을 형성하고, 맞붙임용의 수지를 적하한다. 그 후, 진공 중에서, 이들의 기판을 맞겹친다. 그 후, 진공도를 내려서 대기압으로 되돌린다. 이에 의해, 적하한 수지가 실 한 영역 내에서 퍼져서 절연층(217)이 되고, 이들의 기판이 맞붙여진다. 또한, 그 때, 다시 기계적으로 압력을 가하여도 좋다.
이상의 플로에 의해, 표시 장치(1)를 제조할 수 있다.
[효과]
이상과 같이 본 실시의 형태에서는, 다양한 형상의 복수의 개구부를 랜덤하게 배치하였기 때문에, 외광의 반사에 의해 표시 화면이 보기 어렵게 될 우려를 저감할 수 있고, 화질을 높일 수 있다.
본 실시의 형태에서는, 다양한 형상의 복수의 개구부를 배치하였기 때문에, 시야각을 넓게 할 수 있고, 화질을 높일 수 있다.
[변형례 1-1]
상기 실시의 형태에서는, 4개의 서브화소(11R, 11G, 11B, 11W)(애노드(212R, 212G, 212B, 212W))의 전부에서, 다양한 형상의 복수의 개구부(WIN)를 랜덤하게 배치하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 이에 대신하여, 예를 들면, 4개의 서브화소(11) 중의 적어도 하나에서, 다양한 형상의 복수의 개구부(WIN)를 랜덤하게 배치하고, 그 밖의 서브화소(11)에서, 소정의 개구부(WIN)를 규칙적으로 배치하여도 좋다.
[변형례 1-2]
상기 실시의 형태에서는, 개구부(WIN)의 배치 패턴(Pat)을, 서브화소(11) 사이에서 서로 갖게 하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 이에 대신하여, 예를 들면, 도 19에 도시하는 바와 같이, 하나의 화소(Pix)에 속하는 4개의 서브화소(11) 사이에서 서로 다르도록 하여도 좋다. 이 예에서는, 서브화소(11R)에서 개구부(WIN)를 배치 패턴(Pat1)으로 배치하고, 서브화소(11G)에서 개구부(WIN)를 배치 패턴(Pat2)으로 배치하고, 서브화소(11W)에서 개구부(WIN)를 배치 패턴(Pat3)으로 배치하고, 서브화소(11B)에서 개구부(WIN)를 배치 패턴(Pat4)으로 배치하고 있다. 여기서, 배치 패턴(Pat1∼Pat4)은, 각각, 다양한 형상의 복수의 개구부(WIN)가 랜덤하게 배치된 것이다. 또한, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 이에 대신하여, 예를 들면, 배치 패턴(Pat1∼Pat4) 중의 적어도 하나가, 다양한 형상의 복수의 개구부(WIN)가 랜덤하게 배치된 것이고, 다른 배치 패턴은, 예를 들면, 소정의 개구부(WIN)가 규칙적으로 배치된 것이라도 좋다.
[변형례 1-3]
상기 실시의 형태에서는, 개구부(WIN)의 배치 패턴(Pat)을, 화소(Pix) 사이에서 서로 갖게 하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 이에 대신하여, 예를 들면, 도 20, 21에 도시하는 바와 같이, 이웃하는 화소(Pix) 사이에서 서로 다르도록 하여도 좋다. 도 20의 예에서는, 어느 화소(Pix)에 속하는 4개의 서브화소(11)에서는, 개구부(WIN)를 배치 패턴(Pat1)으로 배치하고, 그 화소(Pix)의 수직 방향(종방향) 및 수평 방향(횡방향)으로 이웃하는 화소(Pix)에 속하는 4개의 서브화소(11)에서는, 개구부(WIN)를 배치 패턴(Pat2)으로 배치하고 있다. 여기서, 배치 패턴(Pat1, Pat2)은, 각각, 다양한 형상의 복수의 개구부(WIN)가 랜덤하게 배치된 것이다. 또한, 도 21의 예에서는, 어느 화소(Pix)에 속하는 4개의 서브화소(11)에서는, 변형례 1-2와 같이, 개구부(WIN)를 배치 패턴(Pat1∼Pat4)으로 배치하고, 그 화소(Pix)의 수직 방향 및 수평 방향으로 이웃하는 화소(Pix)에 속하는 4개의 서브화소(11)에서는, 마찬가지로, 개구부(WIN)를 배치 패턴(Pat5∼Pat8)으로 배치하고 있다. 여기서, 배치 패턴(Pat1∼Pat8)은, 각각, 다양한 형상의 복수의 개구부(WIN)가 랜덤하게 배치된 것이다. 이와 같이 구성함에 의해, 이하에 나타내는 바와 같이, 화소(Pix)의 피치(화소 피치)에 기인하는 외광 반사를 더욱 저감할 수 있다.
도 22는, 모든 화소(Pix)에서의 배치 패턴(Pat)을 서로 같게 한 경우의, 반사각(β)의 계산 결과의 한 예를 도시하는 것이다. 이 예에서는, 화소 피치를, 60[㎛]으로 하고 있다. 이 경우에도, 도 16의 경우와 마찬가지로, 파장(λ)이 길수록 반사각(β)은 작아지고, 또한, 차수(n)가 클수록 반사각(β)은 작아진다. 또한, 이 경우에는, 반사각(β)의 범위는, 도 16의 경우에 비하여 좁기 때문에, 유저는, 예를 들면 휴대 전화를 기울임에 의해, 반사광에 의해 표시 화면이 보기 어려운 상황을 회피할 수 있는 경우도 있다. 그렇지만, 표시 화면이 보기 어려운 상황이 있는 것에는 다름이 없다.
한편, 본 변형례에서는, 개구부(WIN)의 배치 패턴(Pat)을, 이웃하는 화소(Pix) 사이에서 서로 다르도록 하였기 때문에, 화소 피치에 기인하는 외광 반사를 저감할 수 있고, 반사광(LO)에 의해 표시 화면이 보기 어렵게 될 우려를 저감할 수 있다.
또한, 도 20, 21의 예에서는, 배치 패턴(Pat1∼Pat8)은, 각각, 다양한 형상의 복수의 개구부(WIN)가 랜덤하게 배치된 것으로 하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니다. 예를 들면, 도 20의 예에서, 배치 패턴(Pat1, Pat2)의 양쪽이, 소정의 개구부(WIN)가 규칙적으로 배치된 것이라도 좋다. 이 경우의 예를 도 23에 도시한다. 이 예에서는, 각 애노드(212)에는, 복수의 원형의 개구부(WIN)가, 이른바 세밀충전 배치에 의해 배치되어 있다. 그리고, 개구부(WIN)의 크기가, 수직 방향(종방향) 및 수평 방향(횡방향)으로 이웃하는 화소(Pix) 사이에서, 서로 다르다. 이 경우에도, 화소 피치에 기인하는 외광 반사를 저감할 수 있고, 반사광(LO)에 의해 표시 화면이 보기 어렵게 될 우려를 저감할 수 있다.
[변형례 1-4]
상기 실시의 형태에서는, 복수의 개구부(WIN)의 면적을 서로 거의 동등하게 하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 이에 대신하여, 면적이 개구부(WIN)에 따라 다르도록 하여도 좋다. 이 경우에는, 외광(LI)이 있는 경우에도, 복수의 개구부(WIN)에 의한 회절이 또한 생기기 어렵기 때문에, 반사광(LO)에 의해 표시 화면이 보기 어렵게 될 우려를 더욱 저감할 수 있다.
[변형례 1-5]
상기 실시의 형태에서는, 다양한 형상의 복수의 개구부(WIN)를 랜덤하게 배치하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 이에 대신하여, 예를 들면 도 24에 도시하는 바와 같이, 다양한 형상의 복수의 개구부(WIN)를, 소정의 패턴으로 규칙적으로 배치하여도 좋다. 이 예에서는, 원형의 개구부(WIN1)의 주위에, 6개의 타원형의 개구부(WIN2)를, 그 개구부(WIN1)를 둘러싸도록 배치하고 있다. 즉, 이른바 세밀충전 배치와 마찬가지로, 개구부(WIN1, WIN2) 중의 3개를 서로 이웃하도록 배치하고 있다. 그리고, 이들의 6개의 타원형의 개구부(WIN2)를, 방향이 서로 다르도록 배치하고 있다. 이와 같이 개구부(WIN1, WIN2)를 배치한 경우에도, 비교 예의 경우에 비하여 회절이 생기기 어렵기 때문에, 반사광(LO)에 의해 표시 화면이 보기 어렵게 될 우려를 더욱 저감할 수 있다. 또한, 타원형의 개구부(WIN2) 방향이 서로 다르도록 하였기 때문에, 시야각을 넓게 할 수 있다.
또한, 이 예에서는, 원형의 개구부(WIN1) 및 타원형의 개구부(WIN2)를 이용하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 도 25A∼25E에 도시하는 바와 같은 다양한 형상의 개구부를 이용하여도 좋다. 구체적으로는, 예를 들면, 개구부(WIN)의 형상을, 도 25A에 도시한 바와 같이, 정방형의 각(角)을 둥글게 한 형상으로 하여도 좋고, 도 25B에 도시한 바와 같이, 장방형의 각을 둥글게 한 형상으로 하여도 좋고, 도 25C∼25E에 도시한 바와 같이, 복수의 타원을 조합시킨 형상으로 하여도 좋다.
[변형례 1-6]
상기 실시의 형태에서는, 도 4에 도시한 바와 같이, 캐소드(215)의 위에 절연층(216)을 형성하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니다. 이 절연층(216)은, 발광층(214)에 수분이 침입하고, 발광 효율 등의 특성이 변화하는 것을 방지하는 기능을 갖고 있지만, 이 수분의 침입에 기인하는 여러 문제가 다른 기술에 의해 해결할 수 있는 경우에는, 도 26에 도시하는 바와 같이, 절연층(216)을 생략하여도 좋다. 이 예에서는, 캐소드(215)는, 밀봉용의 수지인 절연층(317)을 통하여, 컬러 필터(218)나 블랙 매트릭스(219)가 표면에 형성된 기판(220)과 맞붙여져 있다. 절연층(213, 317)의 굴절율은, 상기 실시의 형태에서의 절연층(213, 216)과 마찬가지로, 개구부(WIN)를 둘러싸는 절연층(213)의 경사 부분(PS)에서, 발광층(214)으로부터 사출한 광이 반사되도록 설정된다. 구체적으로는, 절연층(317)의 굴절율을 n1으로 하여, 절연층(213)의 굴절율을 n2로 하였을 때에, 식(1), (2)를 충족시키는 것이 바람직하다.
[변형례 1-7]
상기 실시의 형태에서는, 도 4, 5에 도시한 바와 같이, 적색, 청색, 녹색, 백색의 광을 발하는 발광층(214)을 마련하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 도 27, 28에 도시하는 바와 같이, 백색의 광을 발하는 발광층(320)을 마련하여도 좋다. 발광층(320)은, 황색 발광층(314) 및 청색 발광층(315)으로 구성되는 것이다. 이 예에서는, 황색 발광층(314)은 애노드(212)측에 배치되고, 청색 발광층(315)은 캐소드(215)측에 배치되어 있다. 황색 발광층(314)은, 황색의 광을 발하는 유기 EL층이고, 청색 발광층(315)은, 청색의 광을 발하는 유기 EL층이다. 황색 발광층(314)으로부터 사출한 황색의 광과, 청색 발광층(315)으로부터 사출한 청색의 광은, 서로 섞여서 백색광이 된다. 그리고, 도 28에 도시한 바와 같이, 서브화소(11R, 11G, 11B)에서는, 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 컬러 필터(218)에 의해, 이 백색광으로부터 적색 성분, 녹색 성분, 청색 성분이 각각 분리되어 출력된다. 또한, 서브화소(11W)에서는, 백색(W)의 컬러 필터(218)에 의해 백색광의 색역이 조정된다. 또한, 이 예에서는, 발광층(320)에서, 황색 발광층(314)을 애노드(212)측에 배치함과 함께, 청색 발광층(315)을 캐소드(215)측에 배치하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 이에 대신하여, 예를 들면, 황색 발광층(314)을 캐소드(215)측에 배치함과 함께, 청색 발광층(315)을 애노드(212)측에 배치하여도 좋다.
[변형례 1-8]
상기 실시의 형태에서는, 화소(Pix)에서 서브화소(11R, 11G, 11B, 11W)를 2행2열로 배치한 표시부(10)를 이용하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니다. 이하에, 본 변형례에 관해 이하에 상세히 설명한다.
도 29는, 변형례에 관한 표시부(30)의 한 구성례를 도시하는 것이다. 각 화소(Pix)는, 적색(R), 녹색(G), 청색(B), 백색(W)의 4개의 서브화소(12)(12R, 12G, 12B, 12W)를 갖고 있다. 각 서브화소(12)는, 육각형의 형상을 갖는 것이다. 이 예에서는, 화소(Pix)에서, 서브화소(12R)와 서브화소(12W)를, 수직 방향(종방향)으로 나열하여 배치하고, 서브화소(12G)와 서브화소(12B)를, 수직 방향으로 나열하여 배치하고 있다. 또한, 수직 방향에서, 서브화소(12R, 12W)를, 서브화소(12G, 12B)와, 서브화소(12)의 반분만큼 비켜 놓아 배치하고 있다. 구체적으로는, 화소(Pix)에서, 서브화소(12G)를, 서브화소(12R)의 우상(右上)에 배치하고, 서브화소(12B)를 서브화소(12W)의 우상에 배치하고 있다. 환언하면, 표시부(30)에서는, 3개의 서브화소(12)를 서로 이웃하도록 배치하고 있다.
도 30은, 다른 변형례에 관한 표시부(40)의 한 구성례를 도시하는 것이다. 각 화소(Pix)는, 적색(R), 녹색(G), 청색(B)의 3개의 서브화소(13)(13R, 13G, 13B)를 갖고 있다. 각 서브화소(13)는, 수직 방향(종방향)으로 연신하는 장방형의 형상을 갖고 있다. 이 표시부(40)에서는, 3개의 서브화소(13R, 13G, 13B)를, 화소(Pix)에서, 수평 방향(횡방향)으로 이 순서로 병설하고 있다.
이와 같은 경우에도, 각 서브화소(12, 13)에 대응하는 애노드(212)에, 다양한 형상의 복수의 개구부(WIN)를 랜덤하게 배치함에 의해, 상기 실시의 형태의 경우와 같은 효과를 얻을 수 있다.
[변형례 1-9]
상기 실시의 형태에서는, 도 18에 도시한 바와 같은 마스크를 이용하여 포토 리소그래피를 행하였다. 그 때, 도 18중 흑색으로 도시한 부분에 절연층(213)이 형성되도록, 즉, 백색으로 도시한 부분이 개구부(WIN)가 되도록, 포토 리소그래피를 행하였다. 이 백색으로 도시한 다각형에서의 각 정점(頂点)의 각도는 큰 것이 바람직하다. 예를 들면, 도 31A에 도시하는 마스크 부분(W1)과 같이, 각도가 작은 경우(예를 들면 45도 이하)에는, 그 부근에서는, 발광층(214)(도 4)이 충분히 형성되지 않고, 예를 들면 애노드(212)와 캐소드(215)가 쇼트하여 휘도가 저하될 우려가 있다. 한편, 예를 들면, 도 31B에 도시하는 마스크 부분(W2)과 같이, 정점의 수를 늘림에 의해 각도를 크게 한 경우에는, 발광층(214)을 형성하기 쉽게 할 수 있고, 휘도가 저하될 우려를 저감할 수 있다.
[변형례 1-10]
상기 실시의 형태에서는, 예를 들면 보로노이도를 이용한 패턴을 이용하여, 복수의 개구부(WIN)를 랜덤하게 배치하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 이에 대신하여, 예를 들면, 복수의 개구부(WIN)를, 주기성은 없지만 질서가 있는 패턴으로 배치하여도 좋다. 구체적으로는, 예를 들면, 펜로즈 타일을 이용한 패턴, 피보나치 나선을 이용한 패턴 등을 이용할 수 있다. 이하에, 이들에 대해 상세히 설명한다.
도 32는, 펜로즈 타일을 이용한 패턴을 도시하는 것이다. 이 도 32는, 어느 서브화소(11)에서의 마스크의 한 예를 도시하고 있고, 백색으로 나타냈던 부분이 개구부(WIN)가 되도록, 포토 리소그래피를 행한다. 펜로즈 타일은, 잘 알려져 있는 바와 같이, 2종류의 복수의 마름모를 간극 없이 깐 것이다. 이 예에서는, 이들 마름모의 영역의 각각에, 개구부(WIN)가 되어야 할 부분을 배치하고 있다. 도 32에서, 정점의 각도가 작기 때문에 휘도가 저하될 우려가 있는 경우에는, 예를 들면 도 33A에 도시하는 마스크 부분(W3)과 같이, 정점의 수를 늘림에 의해 정점의 각도를 크게할 수 있다. 또한, 예를 들면 도 33B에 도시하는 바와 같이, 개구부(WIN)가 되어야 할 부분의 수를 줄임과 함께, 개구부(WIN)가 되어야 할 부분을, 서로 인접하는 복수의 마름모의 영역을 걸치도록 배치하여도 좋다. 이에 의해, 설계의 자유도를 높일 수 있고, 정점의 각도를 크게할 수 있다.
도 34는, 피보나치 나선을 이용한 패턴을 도시하는 것으로, 도 35는, 피보나치 나선을 도시하는 것이다. 피보나치 나선은, 잘 알려져 있는 바와 같이, 피보나치 수열에 의거하여 그려지는 것이다. 도 34에 도시한 패턴은, 도 35에 도시한 피보나치 나선 중의 일부의 패턴을 이용한 것이다. 피보나치 나선을 이용한 패턴은, 도 34에 도시한 패턴으로 한정되는 것이 아니고, 도 35에 도시한 피보나치 나선 중의 어느 부분의 패턴을 이용하여도 좋다.
주기성은 없지만 질서가 있는 패턴은, 이들로 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 도 36에 도시하는 바와 같이, 5각형을 간극 없이 깐 것(펜타곤 타일링)도 있다. 이 5각형은, 이 예에서는, 5개의 변 중의 4변이 같은 길이로 되어 있다. 이 예에서는, 이들 5각형의 영역의 각각에, 개구부(WIN)가 되어야 할 부분을 배치하고 있다. 이와 같이 구성함에 의해, 각 정점의 각도를 크게할 수 있다.
또한, 예를 들면, 준결정(準結晶)에서 보여지는 원자 배열에 의거한 패턴을 이용하여도 좋다. 준결정은, 결정과 같은 병진 대칭성을 갖지 않는 것이지만, 원자 배열에 질서가 보여지는 것이다. 준결정의 원자 배열을 갖는 물질로서는, 예를 들면, 알루미늄·팔라듐·망간(Al-Pd-Mn) 합금이 알려져 있다. 이와 같은 준결정의 원자 배열과 마찬가지로 개구부(WIN)를 배열함에 의해, 주기성은 없지만 질서가 있는 패턴을 실현할 수 있다.
이와 같이, 복수의 개구부(WIN)를, 주기성은 없지만 질서가 있는 패턴으로 배치하여도, 상기 실시의 형태의 경우와 마찬가지로, 외광의 반사에 의해 표시 화면이 보기 어렵게 될 우려를 저감할 수 있고, 화질을 높일 수 있다.
[기타의 변형례]
상기 실시의 형태 및 변형례로 한정되는 것은 아니고, 이에 대신하여, 예를 들면, 상기 실시의 형태 및 변형례 중의 2개 이상을 조합시켜도 좋다.
<2. 제2의 실시의 형태>
다음에, 제2의 실시의 형태에 관한 표시 장치(2)에 관해 설명한다. 본 실시의 형태는, 백색의 서브화소(11W)에서, 다른 서브화소(11R, 11G, 11B)보다도 적은 수의 개구부(WIN3)를 마련한 표시부(50)를 구비한 것이다. 그 밖의 구성은, 상기 제1의 실시의 형태(도 1 등)와 마찬가지이다. 또한, 상기 제1의 실시의 형태에 관한 표시 장치와 실질적으로 동일한 구성 부분에는 동일한 부호를 붙이고, 적절히 설명을 생략한다.
도 37은, 표시부(50)에 관한 개구부(WIN)의 배치를 모식적으로 도시하는 것이다. 각 애노드(212R, 212G, 212B)에는, 상기 제1의 실시의 형태에 관한 표시부(10)와 마찬가지로, 다양한 형상의 복수의 개구부(WIN)가, 랜덤하게 배치되어 있다. 한편, 애노드(212W)에는, 이 예에서는 큰 개구부(WIN3)가 1개 배치되어 있다.
이 구성에 의해, 표시부(50)에서는, 백색(W)의 서브화소(11W)에서의 외광(LI)의 회절을 생기기 어렵게 할 수 있고, 반사광(LO)에 의해 표시 화면이 보기 어렵게 될 우려를 저감할 수 있다. 즉, 백색(W)의 서브화소(11W)에는, 넓은 범위의 파장의 광을 통과시키는 백색의 컬러 필터(218)가 형성되어 있기 때문에, 백색의 외광(LI)이 서브화소(11W)의 내부에 입사한다. 따라서, 이 서브화소(11W) 내에서 회절이 생긴 경우에는, 상기 제1의 실시의 형태의 비교례에 나타낸 바와 같이, 넓은 반사각(β)의 범위에 있어서 광이 반사되기 때문에, 반사광(LO)에 의해 표시 화면이 보기 어렵게 될 우려가 있다. 한편, 표시부(50)에서는, 백색(W)의 서브화소(11W)에서, 단일한 개구부(WIN3)를 형성하였기 때문에, 회절이 생길 우려를 저감할 수 있다. 이에 의해, 반사광(LO)에 의해 표시 화면이 보기 어렵게 될 우려를 저감할 수 있기 때문에, 화질을 높일 수 있다.
이상과 같이 본 실시의 형태에서는, 백색의 서브화소에서 단일한 개구부를 마련하였기 때문에, 외광의 반사에 의해 표시 화면이 보기 어렵게 될 우려를 저감할 수 있고, 화질을 높일 수 있다.
[변형례 2-1]
상기 실시의 형태에서는, 백색의 서브화소(11W)(애노드(212W))에서 단일한 개구부(WIN3)를 마련하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 이에 대신하여, 예를 들면 도 38에 도시하는 바와 같이, 다른 서브화소(11R, 11G, 11B)(애노드(212R, 212G, 212B))에 비하여 적은 수의 복수의 개구부(WIN3)를 마련하여도 좋다. 그 때, 개구율을 높이기 위해, 개구부(WIN3)의 각각의 면적은 큰 것이 바람직하다.
[변형례 2-2]
상기 실시의 형태에서는, 애노드(212R, 212G, 212B)에서, 다양한 형상의 복수의 개구부(WIN)를 랜덤하게 배치하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 이에 대신하여, 예를 들면, 도 39A에 도시하는 바와 같이, 이들의 애노드(212R, 212G, 212B)에서, 소정의 개구부(WIN)를 규칙적으로 배치하여도 좋다.
또한, 이 경우에 있어서, 도 39B∼39D에 도시하는 바와 같이, 애노드(212W)에, 애노드(212R, 212G, 212B)에 배치된 개구부(WIN)와 같은 크기의 개구부(WIN3)를, 보다 적은 수만큼 배치하여도 좋다. 구체적으로는, 예를 들면, 도 39B에 도시한 바와 같이, 애노드(212W)에, 개구부(WIN3)를 넓은 피치로 배치하여도 좋고, 도 39C에 도시한 바와 같이, 애노드(212W)의 일부에, 개구부(WINE)를 좁은 피치로 배치하여도 좋고, 도 39D에 도시한 바와 같이, 애노드(212W)에, 개구부(WIN3)를 랜덤하게 배치하여도 좋다.
<3. 적용례>
다음에, 상기 실시의 형태 및 변형례에서 설명한 표시 장치의 적용례에 관해 설명한다.
도 40은, 상기 실시의 형태 등의 표시 장치가 적용되는 텔레비전 장치의 외관을 도시하는 것이다. 이 텔레비전 장치는, 예를 들면, 프런트 패널(511) 및 필터 유리(512)를 포함하는 영상 표시 화면부(510)를 갖고 있고, 이 영상 표시 화면부(510)는, 상기 실시의 형태 등에 관한 표시 장치에 의해 구성되어 있다.
상기 실시의 형태 등의 표시 장치는, 이와 같은 텔레비전 장치 외, 디지털 카메라, 노트형 퍼스널 컴퓨터, 휴대 전화 등의 휴대 단말 장치, 휴대형 게임기, 또는 비디오 카메라 등의 모든 분야의 전자 기기에 적용하는 것이 가능하다. 환언하면, 상기 실시의 형태 등의 표시 장치는, 영상을 표시하는 모든 분야의 전자 기기에 적용하는 것이 가능하다.
이상, 몇 가지의 실시의 형태 및 변형례, 및 전자 기기에의 적용례를 들어 본 기술을 설명하였지만, 본 기술은 이들의 실시의 형태 등으로는 한정되지 않고, 여러가지의 변형이 가능하다.
예를 들면, 상기 각 실시의 형태 등에서는, 기록 트랜지스터(WSTr) 및 구동 트랜지스터(DRTr)를 NMOS로 구성하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 이에 대신하여, 이들의 트랜지스터 중의 일방 또는 쌍방을 PMOS로 구성하여도 좋다.
또한, 예를 들면, 상기 각 실시의 형태 등에서는, 서브화소를 이른바 「2Tr1C」의 구성으로 하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 그 밖의 소자를 추가하여 구성하여도 좋다. 구체적으로는, 예를 들면, 도 41에 도시하는 서브화소(14A)와 같이, 발광 소자(19)와 병렬 접속된 용량 소자(Csub)를 마련하여, 이른바 「2Tr2C」의 구성으로 하여도 좋다. 또한, 예를 들면, 도 42에 도시하는 서브화소(14B)와 같이, 구동 트랜지스터(DRTr)에의 전원 신호(DS)의 공급을 제어하는 전원 트랜지스터(DSTr)를 마련하여, 이른바 「3Tr1C」의 구성으로 하여도 좋다.
또한, 예를 들면, 상기 각 실시의 형태 등에서는, 이른바 톱 이미션형의 발광 소자(19)를 이용하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 이에 대신하여, 예를 들면, 발광층(214)으로부터 사출한 광이, 지지 기판인 기판(200)의 방향으로 진행되는, 이른바 보텀 이미션형의 발광 소자를 이용하여도 좋다.
또한, 예를 들면, 상기 각 실시의 형태에서는, 표시 장치는, 유기 EL 표시 소자를 갖는 것으로 하였지만, 이것으로 한정되는 것이 아니고, 전류 구동형의 표시 소자를 갖는 것이면, 어떤 표시 장치라도 좋다.
또한, 본 기술은 이하와 같은 구성으로 할 수 있다.
(1) 단일한 제1의 전극과, 상기 제1의 전극의 적층 방향으로 마련된 단일한 제2의 전극과, 상기 제1의 전극과 상기 제2의 전극과의 사이에 삽설된 발광층을 포함하는 서브화소를 복수 갖는 화소를 구비하고,
상기 복수의 서브화소 중의 적어도 하나는, 형상, 크기, 및 배치 방향 중의 적어도 하나가 서로 다른 2 이상의 발광 영역을 포함하는 복수의 발광 영역을 갖는 표시 장치.
(2) 상기 복수의 발광 영역을 갖는 서브화소는,
상기 제1의 전극의 위에 형성되고, 각 발광 영역에 대응하는 위치에 개구부를 갖는 제1의 절연층과,
상기 제2의 전극의 위에 형성된, 상기 제1의 절연층의 굴절율과 다른 굴절율의 제2의 절연층을 가지며,
상기 개구부의 저부에, 상기 제1의 전극, 상기 발광층, 상기 제2의 전극, 상기 제2의 절연층이 순차적으로 적층되어 있는 상기 (1)에 기재된 표시 장치.
(3) 상기 복수의 서브화소의 각각이, 상기 복수의 발광 영역을 갖는 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 표시 장치.
(4) 상기 복수의 발광 영역은, 상기 복수의 서브화소 사이에서 서로 같은 배치 패턴으로 배치되어 있는 상기 (3)에 기재된 표시 장치.
(5) 상기 복수의 발광 영역은, 상기 복수의 서브화소 사이에서 서로 다른 배치 패턴으로 배치되어 있는 상기 (3)에 기재된 표시 장치.
(6) 상기 화소를 복수 구비하고,
이웃하는 화소에서의 대응하는 서브화소의 상기 배치 패턴은 서로 같은 상기 (4) 또는 (5)에 기재된 표시 장치.
(7) 상기 화소를 복수 구비하고,
이웃하는 화소에서의 대응하는 서브화소의 상기 배치 패턴은 서로 다른 상기 (4) 또는 (5)에 기재된 표시 장치.
(8) 상기 복수의 서브화소는, 기본 색광을 발광하는 제1의 서브화소, 제2의 서브화소, 및 제3의 서브화소와, 비기본 색광을 발광하는 제4의 서브화소인 상기 (3)부터 (7)의 어느 하나에 기재된 표시 장치.
(9) 상기 제4의 서브화소에서의 상기 발광 영역의 수는, 다른 서브화소에서의 상기 발광 영역의 수보다도 적은 상기 (8)에 기재된 표시 장치.
(10) 상기 복수의 서브화소는, 기본 색광을 발광하는 제1의 서브화소, 제2의 서브화소, 및 제3의 서브화소인 상기 (3)부터 (7)의 어느 하나에 기재된 표시 장치.
(11) 상기 복수의 서브화소는, 기본 색광을 발광하는 제1의 서브화소, 제2의 서브화소, 및 제3의 서브화소와, 비기본 색광을 발광하는 제4의 서브화소이고,
상기 제1의 서브화소, 상기 제2의 서브화소, 및 상기 제3의 서브화소는, 복수의 발광 영역을 가지며,
상기 제4의 서브화소는, 단일한 발광 영역을 갖는 상기 (1) 또는 (2)에 기재된 표시 장치.
(12) 상기 복수의 발광 영역 중의 서로 이웃하는 발광 영역은, 형상, 크기, 및 배치 방향 중의 적어도 하나가 서로 다른 상기 (1)부터 (11)의 어느 하나에 기재된 표시 장치.
(13) 상기 복수의 발광 영역은, 보로노이도에 의거한 배치 패턴으로 배치되어 있는. 상기 (1)부터 (12)의 어느 하나에 기재된 표시 장치.
(14) 상기 복수의 발광 영역은, 주기성은 없으면서 질서가 있는 배치 패턴으로 배치되어 있는 상기 (1)부터 (12)의 어느 하나에 기재된 표시 장치.
(15) 상기 배치 패턴은, 펜로즈 타일에 의거한 것인 상기 (14)에 기재된 표시 장치.
(16) 상기 배치 패턴은, 피보나치 나선에 의거한 것인 상기 (14)에 기재된 표시 장치.
(17) 상기 배치 패턴은, 5각형을 간극 없이 깐 패턴에 의거한 것인 상기 (14)에 기재된 표시 장치.
(18) 상기 배치 패턴은, 준결정의 원자 배열에 의거한 것인 상기 (14)에 기재된 표시 장치.
(19) 상기 복수의 발광 영역의 각각의 형상은, 원형 또는 타원형인 상기 (1)부터 (12)의 어느 하나에 기재된 표시 장치.
(20) 상기 복수의 발광 영역 중의 3개의 발광 영역이 서로 이웃하도록 배치되어 있는 상기 (19)에 기재된 표시 장치.
(21) 표시 장치와,
상기 표시 장치에 대해 동작 제어를 행하는 제어부를 구비하고,
상기 표시 장치는, 단일한 제1의 전극과, 상기 제1의 전극의 적층 방향으로 마련된 단일한 제2의 전극과, 상기 제1의 전극과 상기 제2의 전극과의 사이에 삽설된 발광층을 포함하는 서브화소를 복수 갖는 화소를 가지며,
상기 복수의 서브화소 중의 적어도 하나는, 형상, 크기, 및 배치 방향 중의 적어도 하나가 서로 다른 2 이상의 발광 영역을 포함하는 복수의 발광 영역을 갖는 전자 기기.
본 출원은, 일본 특허청에서 2013년 5월 28일에 출원된 일본 특허출원 번호 2013-112074호 및, 2013년 10월 30일에 출원된 일본 특허출원 번호 2013-225534호를 기초로 하여 우선권을 주장하는 것이고, 이 출원의 모든 내용을 참조에 의해 본 출원에 원용한다.
당업자라면, 설계상의 요건이나 다른 요인에 응하여, 여러 가지의 수정, 콤비네이션, 서브 콤비네이션, 및 변경을 상도할 수 있는데, 그것들은 첨부한 청구의 범위나 그 균등물의 범위에 포함되는 것임이 이해된다.

Claims (21)

  1. 단일한 제1의 전극과, 상기 제1의 전극의 적층 방향으로 마련된 단일한 제2의 전극과, 상기 제1의 전극과 상기 제2의 전극과의 사이에 삽설된 발광층을 포함하는 서브화소를 복수 갖는 화소를 구비하고,
    상기 복수의 서브화소 중의 적어도 하나는, 형상, 크기, 및 배치 방향 중의 적어도 하나가 서로 다른 2 이상의 발광 영역을 포함하는 복수의 발광 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 발광 영역을 갖는 서브화소는,
    상기 제1의 전극의 위에 형성되고, 각 발광 영역에 대응하는 위치에 개구부를 갖는 제1의 절연층과,
    상기 제2의 전극의 위에 형성된, 상기 제1의 절연층의 굴절율과 다른 굴절율의 제2의 절연층을 가지며,
    상기 개구부의 저부에, 상기 제1의 전극, 상기 발광층, 상기 제2의 전극, 상기 제2의 절연층이 순차적으로 적층되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 서브화소의 각각이, 상기 복수의 발광 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 복수의 발광 영역은, 상기 복수의 서브화소 사이에서 서로 같은 배치 패턴으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 복수의 발광 영역은, 상기 복수의 서브화소 사이에서 서로 다른 배치 패턴으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 화소를 복수 구비하고,
    이웃하는 화소에서의 대응하는 서브화소의 상기 배치 패턴은 서로 같은 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  7. 제4항에 있어서,
    상기 화소를 복수 구비하고,
    이웃하는 화소에서의 대응하는 서브화소의 상기 배치 패턴은 서로 다른 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  8. 제3항에 있어서,
    상기 복수의 서브화소는, 기본 색광을 발광하는 제1의 서브화소, 제2의 서브화소, 및 제3의 서브화소와, 비기본 색광을 발광하는 제4의 서브화소인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 제4의 서브화소에서의 상기 발광 영역의 수는, 다른 서브화소에서의 상기 발광 영역의 수보다도 적은 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  10. 제3항에 있어서,
    상기 복수의 서브화소는, 기본 색광을 발광하는 제1의 서브화소, 제2의 서브화소, 및 제3의 서브화소인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 서브화소는, 기본 색광을 발광하는 제1의 서브화소, 제2의 서브화소, 및 제3의 서브화소와, 비기본 색광을 발광하는 제4의 서브화소이고,
    상기 제1의 서브화소, 상기 제2의 서브화소, 및 상기 제3의 서브화소는, 복수의 발광 영역을 가지며,
    상기 제4의 서브화소는, 단일한 발광 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  12. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 발광 영역 중의 서로 이웃하는 발광 영역은, 형상, 크기, 및 배치 방향 중의 적어도 하나가 서로 다른 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  13. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 발광 영역은, 보로노이도에 의거한 배치 패턴으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  14. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 발광 영역은, 주기성은 없으면서 질서가 있는 배치 패턴으로 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 배치 패턴은, 펜로즈 타일에 의거한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  16. 제14항에 있어서,
    상기 배치 패턴은, 피보나치 나선에 의거한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  17. 제14항에 있어서,
    상기 배치 패턴은, 5각형을 간극 없이 깐 패턴에 의거한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  18. 제14항에 있어서,
    상기 배치 패턴은, 준결정의 원자 배열에 의거한 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  19. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 발광 영역의 각각의 형상은, 원형 또는 타원형인 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 복수의 발광 영역 중의 3개의 발광 영역이 서로 이웃하도록 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 장치.
  21. 표시 장치와
    상기 표시 장치에 대해 동작 제어를 행하는 제어부를 구비하고,
    상기 표시 장치는, 단일한 제1의 전극과, 상기 제1의 전극의 적층 방향으로 마련된 단일한 제2의 전극과, 상기 제1의 전극과 상기 제2의 전극과의 사이에 삽설된 발광층을 포함하는 서브화소를 복수 갖는 화소를 가지며,
    상기 복수의 서브화소 중의 적어도 하나는, 형상, 크기, 및 배치 방향 중의 적어도 하나가 서로 다른 2 이상의 발광 영역을 포함하는 복수의 발광 영역을 갖는 것을 특징으로 하는 전자 기기.
KR1020157031876A 2013-05-28 2014-03-26 표시 장치 및 전자 기기 KR102203421B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2013-112074 2013-05-28
JP2013112074 2013-05-28
JPJP-P-2013-225534 2013-10-30
JP2013225534 2013-10-30
PCT/JP2014/058657 WO2014192396A1 (ja) 2013-05-28 2014-03-26 表示装置および電子機器

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160015203A true KR20160015203A (ko) 2016-02-12
KR102203421B1 KR102203421B1 (ko) 2021-01-14

Family

ID=51988439

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020157031876A KR102203421B1 (ko) 2013-05-28 2014-03-26 표시 장치 및 전자 기기

Country Status (6)

Country Link
US (1) US10439006B2 (ko)
JP (1) JP6414056B2 (ko)
KR (1) KR102203421B1 (ko)
CN (2) CN109659334B (ko)
TW (1) TWI674671B (ko)
WO (1) WO2014192396A1 (ko)

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20180135342A (ko) * 2017-06-12 2018-12-20 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 구동방법
JPWO2018139171A1 (ja) * 2017-01-26 2019-11-14 ソニー株式会社 表示装置、電子機器、及び表示装置の製造方法
KR20200083620A (ko) * 2018-08-06 2020-07-08 윤구(구안) 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 디스플레이 패널, 디스플레이 스크린 및 디스플레이 단말기
KR20200096989A (ko) * 2018-01-02 2020-08-14 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 픽셀 배열 구조물, 유기 전계발광 디스플레이 패널, 디스플레이 디바이스, 및 마스크 어셈블리
KR20200101455A (ko) * 2018-02-01 2020-08-27 우한 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 세미컨덕터 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 픽셀 배열 구조
KR20220061080A (ko) * 2016-07-26 2022-05-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치

Families Citing this family (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2017055971A1 (en) * 2015-10-01 2017-04-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and manufacturing method thereof
CN105405985B (zh) * 2015-11-02 2018-02-13 固安翌光科技有限公司 一种oled屏体及其制备方法
FR3050873A1 (fr) * 2016-04-29 2017-11-03 Commissariat Energie Atomique Dispositif optoelectronique organique matriciel.
CN109156064A (zh) * 2016-05-24 2019-01-04 株式会社日本有机雷特显示器 有机el显示面板、有机el显示装置及其制造方法
KR20180095154A (ko) * 2017-02-16 2018-08-27 삼성디스플레이 주식회사 발광 표시 장치
CN109301075B (zh) * 2017-07-25 2020-07-03 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及其制作方法、显示装置
JP2019114484A (ja) * 2017-12-26 2019-07-11 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 表示素子、及び電子機器
EP3740735A4 (en) 2018-01-16 2021-11-24 Pacific Light&Hologram, Inc. THREE DIMENSIONAL DISPLAYS USING ELECTROMAGNETIC FIELDS CALCULATIONS
KR102490894B1 (ko) * 2018-02-08 2023-01-25 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
JP6807350B2 (ja) * 2018-05-30 2021-01-06 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネル、有機ｅｌ表示装置、及び、有機ｅｌ表示パネルの製造方法
CN110767830A (zh) * 2018-12-28 2020-02-07 云谷（固安）科技有限公司 透明oled基板、阵列基板、显示屏及显示装置
JP7163827B2 (ja) * 2019-03-05 2022-11-01 株式会社デンソー ヘッドアップディスプレイ装置
TWI691109B (zh) * 2019-05-09 2020-04-11 友達光電股份有限公司 顯示裝置及其製造方法
US11360429B2 (en) 2020-09-17 2022-06-14 Pacific Light & Hologram, Inc. Reconstructing objects with display zero order light suppression
CN112271263B (zh) * 2020-09-27 2022-04-19 云谷（固安）科技有限公司 显示面板和显示装置
CN112186123B (zh) * 2020-09-30 2022-08-30 厦门天马微电子有限公司 显示面板和显示装置
KR20220052657A (ko) * 2020-10-21 2022-04-28 엘지디스플레이 주식회사 표시패널 및 표시패널을 포함하는 표시장치
CN112436043A (zh) * 2020-11-26 2021-03-02 合肥视涯技术有限公司 有机发光显示面板及其制作方法、有机发光显示装置
CN112436044A (zh) * 2020-11-26 2021-03-02 合肥视涯技术有限公司 有机发光显示面板及其制作方法、有机发光显示装置
KR20230069535A (ko) * 2021-11-12 2023-05-19 엘지디스플레이 주식회사 대면적 표시장치 및 대면적 표시장치 구동 시스템
WO2023093270A1 (zh) * 2021-11-24 2023-06-01 深圳市洲明科技股份有限公司 显示屏和显示装置
WO2023095857A1 (ja) * 2021-11-26 2023-06-01 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 発光装置及び電子機器
US11900842B1 (en) 2023-05-12 2024-02-13 Pacific Light & Hologram, Inc. Irregular devices

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003272872A (ja) * 2002-03-19 2003-09-26 Toshiba Corp 自己発光表示装置
KR20070037093A (ko) * 2005-09-30 2007-04-04 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그의 제조방법
JP2011034849A (ja) * 2009-08-03 2011-02-17 Toshiba Mobile Display Co Ltd 有機ｅｌ装置
JP2013058324A (ja) 2011-09-07 2013-03-28 Sony Corp 発光パネル、表示装置および電子機器

Family Cites Families (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003142262A (ja) * 2001-11-06 2003-05-16 Seiko Epson Corp 電気光学装置、膜状部材、積層膜、低屈折率膜、多層積層膜、電子機器
JP2005063839A (ja) * 2003-08-13 2005-03-10 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 光学デバイス及び有機ｅｌ表示装置
JP2006059864A (ja) * 2004-08-17 2006-03-02 Yokohama National Univ 発光素子
JP2006164864A (ja) * 2004-12-10 2006-06-22 Seiko Epson Corp 電気光学装置及び電子機器
US20060170712A1 (en) * 2005-02-01 2006-08-03 Eastman Kodak Company Color display device with enhanced pixel pattern
DE102005008834A1 (de) * 2005-02-16 2006-08-24 Aspre Ag Display zur Erstellung von durch auffallendes Licht erkennbaren farbigen Bildern und Texten
CN101194370A (zh) * 2005-04-04 2008-06-04 日本板硝子株式会社 发光单元、使用该发光单元的照明装置及图像读取装置
TW200818981A (en) * 2006-08-30 2008-04-16 Sumitomo Chemical Co Organic electroluminescence device
JP4337852B2 (ja) * 2006-08-30 2009-09-30 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置とその製造方法及び電子機器
JP4969963B2 (ja) * 2006-09-21 2012-07-04 株式会社ジャパンディスプレイイースト 有機ｅｌ表示装置
KR101326135B1 (ko) * 2006-11-27 2013-11-07 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US20080146689A1 (en) * 2006-12-19 2008-06-19 Seiko Epson Corporation Two-part curable ink composition set and ink jet recording method, ink jet recording apparatus, and printed product using the same
JP4656074B2 (ja) 2007-03-12 2011-03-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及び電気光学装置の製造方法
US20080237650A1 (en) * 2007-03-30 2008-10-02 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electrode structure for fringe field charge injection
TWI367684B (en) * 2007-11-02 2012-07-01 Chimei Innolux Corp Organic light emitting display device and electronic device
JP5219745B2 (ja) * 2007-11-14 2013-06-26 キヤノン株式会社 発光装置
JP4614106B2 (ja) * 2008-06-18 2011-01-19 ソニー株式会社 自発光表示装置および電子機器
KR20100030985A (ko) * 2008-09-11 2010-03-19 삼성전자주식회사 유기 발광 표시 장치
JP5312909B2 (ja) * 2008-11-11 2013-10-09 シャープ株式会社 カラー有機ｅｌディスプレイ用色変換フィルタパネルおよびカラー有機ｅｌディスプレイ
KR101002663B1 (ko) * 2008-12-11 2010-12-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
JP4930501B2 (ja) * 2008-12-22 2012-05-16 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
CN102422452B (zh) * 2009-05-08 2015-03-25 皇家飞利浦电子股份有限公司 电致发光设备
JP5333050B2 (ja) * 2009-08-25 2013-11-06 ソニー株式会社 立体映像表示装置および立体映像表示装置の製造方法
WO2011058596A1 (ja) * 2009-11-10 2011-05-19 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス表示装置
US9112182B2 (en) * 2011-03-29 2015-08-18 Zeon Corporation Light-emitting element and illuminating apparatus
US20120268004A1 (en) * 2011-04-19 2012-10-25 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Organic electroluminescent display device
JPWO2013001891A1 (ja) * 2011-06-28 2015-02-23 パナソニック株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP5779051B2 (ja) * 2011-09-08 2015-09-16 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置およびその製造方法、並びに電子機器
JP5832210B2 (ja) * 2011-09-16 2015-12-16 キヤノン株式会社 有機ｅｌ素子
KR20130043063A (ko) 2011-10-19 2013-04-29 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치 및 반도체 장치의 제작 방법
EP2779797A1 (en) * 2011-11-09 2014-09-17 Showa Denko K.K. Light-emitting device and method of manufacturing light-emitting device
KR102051976B1 (ko) * 2011-12-28 2020-01-08 오지 홀딩스 가부시키가이샤 유기발광다이오드, 유기발광다이오드의 제조방법, 화상표시장치 및 조명장치
JP6214077B2 (ja) * 2012-07-31 2017-10-18 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置、表示装置の製造方法、電子機器および表示装置の駆動方法
JPWO2014041795A1 (ja) * 2012-09-11 2016-08-12 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子、照明器具及び有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
KR102013317B1 (ko) * 2012-12-05 2019-08-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2014137398A (ja) * 2013-01-15 2014-07-28 Sony Corp 表示装置、表示駆動装置、駆動方法、および電子機器
CN103094488B (zh) * 2013-01-24 2015-04-08 合肥京东方光电科技有限公司 电致发光器件及其制造方法
KR102048952B1 (ko) * 2013-02-06 2019-11-27 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
TW201442226A (zh) * 2013-03-21 2014-11-01 Sony Corp 顯示裝置及其製造方法、以及電子機器
JP2014186257A (ja) * 2013-03-25 2014-10-02 Sony Corp 表示装置および電子機器
JP5849981B2 (ja) * 2013-03-25 2016-02-03 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
JP6115274B2 (ja) 2013-04-11 2017-04-19 ソニー株式会社 表示装置および電子機器
KR102078356B1 (ko) * 2013-05-16 2020-04-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102067376B1 (ko) * 2013-05-21 2020-01-17 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
TWI713943B (zh) * 2013-09-12 2020-12-21 日商新力股份有限公司 顯示裝置及電子機器
JP6056082B2 (ja) * 2013-10-30 2017-01-11 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置および電子機器
JP6160499B2 (ja) * 2014-02-06 2017-07-12 ソニー株式会社 表示装置および表示装置の製造方法、並びに電子機器
JP6561284B2 (ja) * 2016-01-27 2019-08-21 株式会社Ｊｏｌｅｄ 表示装置
WO2017213012A1 (ja) * 2016-06-09 2017-12-14 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ表示パネル及びその製造方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003272872A (ja) * 2002-03-19 2003-09-26 Toshiba Corp 自己発光表示装置
KR20070037093A (ko) * 2005-09-30 2007-04-04 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그의 제조방법
JP2011034849A (ja) * 2009-08-03 2011-02-17 Toshiba Mobile Display Co Ltd 有機ｅｌ装置
JP2013058324A (ja) 2011-09-07 2013-03-28 Sony Corp 発光パネル、表示装置および電子機器

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20220061080A (ko) * 2016-07-26 2022-05-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
JPWO2018139171A1 (ja) * 2017-01-26 2019-11-14 ソニー株式会社 表示装置、電子機器、及び表示装置の製造方法
JP7014186B2 (ja) 2017-01-26 2022-02-01 ソニーグループ株式会社 表示装置、電子機器、及び表示装置の製造方法
KR20180135342A (ko) * 2017-06-12 2018-12-20 엘지디스플레이 주식회사 표시장치 및 그 구동방법
KR20200096989A (ko) * 2018-01-02 2020-08-14 보에 테크놀로지 그룹 컴퍼니 리미티드 픽셀 배열 구조물, 유기 전계발광 디스플레이 패널, 디스플레이 디바이스, 및 마스크 어셈블리
US11251231B2 (en) 2018-01-02 2022-02-15 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Pixel arrangement structure, organic light emitting diode display panel, display device and mask plate assembly
US11730036B2 (en) 2018-01-02 2023-08-15 Chengdu Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. Pixel arrangement structure, organic light emitting diode display panel, display device and mask plate assembly
KR20200101455A (ko) * 2018-02-01 2020-08-27 우한 차이나 스타 옵토일렉트로닉스 세미컨덕터 디스플레이 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 픽셀 배열 구조
KR20200083620A (ko) * 2018-08-06 2020-07-08 윤구(구안) 테크놀로지 컴퍼니 리미티드 디스플레이 패널, 디스플레이 스크린 및 디스플레이 단말기

Also Published As

Publication number Publication date
US20160104750A1 (en) 2016-04-14
WO2014192396A1 (ja) 2014-12-04
US10439006B2 (en) 2019-10-08
CN109659334A (zh) 2019-04-19
CN105230125B (zh) 2018-10-02
JP6414056B2 (ja) 2018-10-31
JPWO2014192396A1 (ja) 2017-02-23
CN105230125A (zh) 2016-01-06
KR102203421B1 (ko) 2021-01-14
CN109659334B (zh) 2023-05-02
TW201448204A (zh) 2014-12-16
TWI674671B (zh) 2019-10-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102203421B1 (ko) 표시 장치 및 전자 기기
TWI623094B (zh) 顯示單元及電子裝置
US9219087B2 (en) Display, display drive method, method of manufacturing display, and electronic apparatus
KR102162122B1 (ko) 표시 장치 및 전자 기기
US9117402B2 (en) Organic light emitting diode display device
JP4295768B2 (ja) 有機発光ディスプレイ装置およびその画像を表示する方法
JP5811709B2 (ja) 発光パネル、表示装置および電子機器
US11322070B2 (en) Display panel, transparent OLED substrate and OLED substrate
KR20140116805A (ko) 표시 장치 및 전자 기기
KR20150039403A (ko) 평판 표시 장치
JP2014060135A (ja) 有機発光表示装置
KR102513840B1 (ko) 표시패널
US10062311B2 (en) Display substrate and fabricating method thereof, and display device
KR101533764B1 (ko) 유기전계발광소자와 그 구동방법 및 제조방법
WO2017198074A1 (zh) 背光源及其制作方法、显示基板、显示装置及其显示方法
JP2015149231A (ja) 有機ｅｌ表示装置
TW201545334A (zh) 顯示面板
KR102577415B1 (ko) 터치전극을 구비한 유기발광표시장치 및 그의 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant