KR20200096989A - 픽셀 배열 구조물, 유기 전계발광 디스플레이 패널, 디스플레이 디바이스, 및 마스크 어셈블리 - Google Patents

픽셀 배열 구조물, 유기 전계발광 디스플레이 패널, 디스플레이 디바이스, 및 마스크 어셈블리 Download PDF

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Abstract

픽셀 배열 구조물, 유기 전계발광 디스플레이 패널, 디스플레이 디바이스, 및 마스크 어셈블리. 픽셀 배열 구조물은: 서로 중첩되지 않는 위치들에 있는 복수의 제1 서브픽셀들(01), 복수의 제2 서브픽셀들(02), 및 복수의 제3 서브픽셀들(03)을 포함한다. 복수의 제1 서브픽셀들(01) 중 하나는 제1 가상 직사각형의 중심 위치에 위치하고, 복수의 제1 서브픽셀들(01) 중 4개는 제1 가상 직사각형의 4개의 꼭지점 위치에 각각 위치한다. 복수의 제2 서브픽셀들(02) 중 4개는 제1 가상 직사각형의 4개의 변의 중심 위치에 각각 위치한다. 제1 가상 직사각형은 4개의 제2 가상 직사각형으로 분할되고, 4개의 제2 가상 직사각형의 내부들 각각은 복수의 제3 서브픽셀들(03) 중 하나의 제3 서브픽셀(03)을 포함한다.

Description

픽셀 배열 구조물, 유기 전계발광 디스플레이 패널, 디스플레이 디바이스, 및 마스크 어셈블리
상호 참조
본 출원은 2018년 1월 2일에 출원된 중국 특허 출원 제201810002818.5호에 대한 우선권을 주장하며, 그 전체가 본 명세서에 참조로 포함된다.
기술분야
본 개시내용은 디스플레이 기술 분야에 관한 것으로, 특히, 픽셀 배열 구조물, 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널, 고정밀 금속 마스크 플레이트 어셈블리, 및 디스플레이 디바이스에 관한 것이다.
유기 발광 다이오드(Organic Light Emitting Diode, OLED) 디스플레이 수단은 오늘날 평판 디스플레이(flat panel display)들의 연구 분야에서의 핫스팟들 중 하나이다. 액정 디스플레이와 비교하여, OLED 디스플레이 수단은 낮은 전력 소비, 낮은 생산 비용, 자체-조명(self-illumination), 넓은 시야각 및 빠른 응답의 이점들을 갖는다. 현재, OLED 디스플레이 수단은 모바일 폰, PDA, 및 디지털 카메라 등과 같은 평판 디스플레이의 분야에서 종래의 액정 디스플레이(LCD)를 대체하기 시작하였다.
OLED 디스플레이 수단의 구조는 베이스 기판, 베이스 기판 상에 제조되고 행렬로 배열되는 서브픽셀들을 주로 포함한다. 그 중에서, 각각의 서브픽셀은 일반적으로 증발 필름 형성 기술(evaporation film formation technology)을 사용하여 고정밀 금속 마스크 플레이트(high precision metal mask plate)를 관통하는 유기 재료를 통해 어레이 기판 상의 대응하는 서브픽셀 위치에 유기 발광 다이오드 구조물을 형성하는 것이다.
그러나, 현재 OLED 디스플레이 수단에서는, 픽셀 배열 구조물에서의 서브픽셀 개구 면적은 더 작으므로, 디스플레이의 밝기 요건을 충족시키기 위해 구동 전류를 증가시키는 것이 필요하다. 그러나, 큰 구동 전류 하에서 동작하는 OLED는 수단의 노화 속도를 증가시키기 쉽고, 그에 의해 OLED 디스플레이 수단의 수명을 단축시킨다.
이러한 목적을 위해, 디스플레이 수단의 구동 전류를 감소시키고 디스플레이 수단의 수명을 증가시키기 위해, 픽셀 배열 구조물(pixel arrangement structure), 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널, 마스크 플레이트 어셈블리(mask plate assembly) 및 디스플레이 디바이스가 본 개시내용의 실시예에서 제공된다.
따라서, 본 개시내용의 실시예에서 픽셀 배열 구조물이 제공되고, 픽셀 배열 구조물은 복수의 제1 서브픽셀들, 복수의 제2 서브픽셀들, 및 복수의 제3 서브픽셀들을 포함하고, 모든 위의 서브픽셀들의 위치들은 서로 중첩되지 않고; 복수의 제1 서브픽셀들 중 하나는 제1 가상 직사각형(virtual rectangle)의 중심 위치에 위치하고, 복수의 제1 서브픽셀들 중 4개는 제1 가상 직사각형의 4개의 꼭지각(vertex angle) 위치에 각각 위치하고; 복수의 제2 서브픽셀들 중 4개는 제1 가상 직사각형의 4개의 변(side)의 중심 위치에 각각 위치하고; 제1 가상 직사각형은 4개의 제2 가상 직사각형으로 분할되고, 4개의 제2 가상 직사각형 각각의 내부는 복수의 제3 서브픽셀들 중 하나의 제3 서브픽셀을 각각 포함한다.
선택적으로, 제2 가상 직사각형은 4개의 꼭지각을 순차적으로 연결함으로써 형성되고, 4개의 꼭지각은 2개의 제2 서브픽셀 및 2개의 제1 서브픽셀을 포함하고; 2개의 제2 서브픽셀은 제1 가상 직사각형의 2개의 인접한 변의 중심 위치에 위치하고, 2개의 제1 서브픽셀 각각은 2개의 제2 서브픽셀 각각에 각각 인접하고, 2개의 제1 서브픽셀 중 하나는 제1 가상 직사각형의 중심 위치에 위치하고, 다른 하나는 제1 가상 직사각형의 꼭지각 위치에 위치한다.
선택적으로, 복수의 제3 서브픽셀들 각각은 긴 스트립 형상으로 되어 있고, 긴 스트립 형상의 연장 방향은 제1 가상 직사각형의 중심으로부터 멀어지는 방향이다.
선택적으로, 4개의 제2 가상 직사각형 내부의 각각의 제3 서브픽셀의 연장 방향은 상이하다. 선택적으로, 4개의 제2 가상 직사각형 내부의 각각의 제3 서브픽셀의 연장 방향은 제1 가상 직사각형의 중심에 위치하는 제1 서브픽셀로부터 멀어지고 대응하는 제2 가상 직사각형으로 연장되는 방향이다.
선택적으로, 긴 스트립 형상은 그 연장 방향에 수직인 방향에서의 거울 대칭 뷰(mirror symmetrical view)이다.
선택적으로, 제1 가상 직사각형의 대각선을 따라 배치되는 2개의 제2 가상 직사각형에서의 제3 서브픽셀들의 연장 방향들은 일관된다. 선택적으로, 제1 가상 직사각형에는 제1 대각선 및 제2 대각선이 제공되고; 제1 대각선을 따라 배치되는 2개의 제2 가상 직사각형에서의 제3 서브픽셀들은 제1 대각선을 따르는 방향으로 연장되고; 제2 대각선을 따라 배치되는 2개의 제2 가상 직사각형에서의 제3 서브픽셀들은 제2 대각선을 따르는 방향으로 연장된다. 선택적으로, 제1 대각선을 따라 배치되는 2개의 제2 가상 직사각형에서의 제3 서브픽셀들은 제2 대각선에 대해 거울 대칭이고; 제2 대각선을 따라 배치되는 2개의 제2 가상 직사각형에서의 제3 서브픽셀들은 제1 대각선에 대해 거울 대칭이다.
선택적으로, 제3 서브픽셀과 인접한 제1 서브픽셀의 대향 변들 사이의 최소 거리와, 제3 서브픽셀과 인접한 제2 서브픽셀의 대향 변들 사이의 최소 거리 사이에는 제1 비율이 존재하고; 제3 서브픽셀과 인접한 제1 서브픽셀의 대향 변들 사이의 최소 거리와, 제1 서브픽셀과 인접한 제2 서브픽셀의 대향 변들 사이의 최소 거리 사이에는 제2 비율이 존재하고; 제3 서브픽셀과 인접한 제2 서브픽셀의 대향 변들 사이의 최소 거리와, 제1 서브픽셀과 인접한 제2 서브픽셀의 대향 변들 사이의 최소 거리 사이에는 제3 비율이 존재하고; 제1 비율, 제2 비율 및 제3 비율은 모두 0.8-1.2의 범위 내에 있다.
선택적으로, 제1 비율, 제2 비율, 및 제3 비율은 같다.
선택적으로, 제1 비율, 제2 비율, 및 제3 비율은 모두 1이다. 선택적으로, 제3 서브픽셀과 인접한 제1 서브픽셀의 대향 변들 사이의 최소 거리에 대한 제3 서브픽셀과 인접한 제1 서브픽셀의 대향 변들 사이의 최대 거리의 비율은 1~1.5의 범위 내에 있고; 제3 서브픽셀과 인접한 제2 서브픽셀의 대향 변들 사이의 최소 거리에 대한 제3 서브픽셀과 인접한 제2 서브픽셀의 대향 변들 사이의 최대 거리의 비율은 1~1.5의 범위 내에 있다.
선택적으로, 제3 서브픽셀과 인접한 제1 서브픽셀들의 대향 변들은 서로 평행하고; 제3 서브픽셀과 인접한 제2 서브픽셀들의 대향 변들은 서로 평행하다.
선택적으로, 제1 서브픽셀의 형상은 실질적인 십자형이다.
선택적으로, 제1 서브픽셀의 각각의 내각(inner angle)은 90도 이상이다.
선택적으로, 십자형은 사변형의 4개의 변의 중간의 오목부에 의해 형성된 형상이고, 사변형의 4개의 꼭지각은 각각 십자형의 4개의 단부이고, 실시예에서, 사변형은 실질적인 마름모 또는 실질적인 정사각형이다.
선택적으로, 실질적인 마름모 또는 실질적인 정사각형의 4개의 꼭지각은 둥근 모서리들이다.
선택적으로, 긴 스트립 형상의 2개의 단부는 긴 스트립 형상의 내부로부터 외향으로 돌출하는 원형 아크(circular arc) 또는 다각형이다.
선택적으로, 제2 서브픽셀의 형상은 실질적인 직사각형이고; 및/또는 제1 서브픽셀의 형상은 실질적인 직사각형이다.
선택적으로, 제1 서브픽셀은 적색 서브픽셀이고; 제2 서브픽셀은 청색 서브픽셀이고; 제3 서브픽셀은 녹색 서브픽셀이고; 청색 서브픽셀의 면적은 각각 적색 서브픽셀의 면적 및 녹색 서브픽셀의 면적보다 크다. 선택적으로, 청색 서브픽셀의 면적은 적색 서브픽셀의 면적보다 크고; 적색 서브픽셀의 면적은 녹색 서브픽셀의 면적보다 크다.
선택적으로, 청색 서브픽셀의 면적은 녹색 서브픽셀의 면적보다 크고; 녹색 서브픽셀의 면적은 적색 서브픽셀의 면적보다 크다.
선택적으로, 각각의 제2 가상 직사각형의 제3 서브픽셀의 중심은, 대응하는 제2 가상 직사각형의 인접한 2개의 제1 서브픽셀의 중심들을 연결하는 선과, 대응하는 제2 가상 직사각형의 인접한 2개의 제2 서브픽셀의 중심들을 연결하는 선의 교차점에 위치한다.
선택적으로, 각각의 제3 서브픽셀의 면적은 동일하고, 각각의 제3 서브픽셀의 형상은 일관되고; 및/또는 각각의 제1 서브픽셀의 면적은 동일하고, 각각의 제1 서브픽셀의 형상은 일관되고; 및/또는 각각의 제2 서브픽셀의 면적은 동일하고, 각각의 제2 서브픽셀의 형상은 일관된다.
본 개시내용의 다른 양태에 따르면, 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널이 제공된다. 실시예에서, 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널은 복수의 전술한 픽셀 배열 구조물들을 포함하고; 실시예에서: 인접한 제1 가상 직사각형들은 행 방향 및 열 방향에서 각자의 대향 변 상의 서브픽셀들을 공유하도록 구성된다.
본 개시내용의 다른 양태에 따르면, 디스플레이 디바이스가 제공된다. 실시예에서, 디스플레이 디바이스는 전술한 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널을 포함한다.
본 개시내용의 다른 양태에 따르면, 마스크 플레이트 어셈블리가 제공된다. 마스크 플레이트 어셈블리는 전술한 픽셀 배열 구조물을 제조하기 위해 사용된다. 실시예에서, 마스크 플레이트 어셈블리는:
복수의 제1 개방 영역들을 갖는 제1 마스크 플레이트 - 제1 개방 영역은 제1 서브픽셀의 형상 및 위치와 대응하도록 구성됨 - ;
복수의 제2 개방 영역들을 갖는 제2 마스크 플레이트 - 제2 개방 영역은 제2 서브픽셀의 형상 및 위치와 대응하도록 구성됨 - ;
복수의 제3 개방 영역들을 갖는 제3 마스크 플레이트 - 제3 개방 영역은 제3 서브픽셀의 형상 및 위치와 대응하도록 구성됨 - 를 포함한다.
본 개시내용의 실시예들의 유리한 효과들은 다음을 포함한다:
픽셀 배열 구조물, 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널, 마스크 플레이트 어셈블리 및 디스플레이 디바이스가 본 개시내용의 실시예에서 제공된다. 일 실시예에서, 픽셀 배열 구조물에서, 제1 서브픽셀들은 제1 가상 직사각형의 중심 위치 및 제1 가상 직사각형의 4개의 꼭지각의 위치들에 위치하고; 제2 서브픽셀은 제1 가상 직사각형의 변의 중심 위치에 위치하고; 제3 서브픽셀은 제2 가상 직사각형에 위치한다. 제2 가상 직사각형은 2개의 제2 서브픽셀 및 2개의 제1 서브픽셀에 의해 순차적으로 연결되고, 2개의 제2 서브픽셀 및 2개의 제1 서브픽셀은 꼭지각들이고, 2개의 제2 서브픽셀은 제1 가상 직사각형의 인접한 2개의 변의 중심 위치들에 위치하고, 2개의 제1 서브픽셀은 2개의 제2 서브픽셀에 인접하고, 제1 가상 직사각형의 중심 위치에 그리고 제1 가상 직사각형의 꼭지각 위치에 각각 위치한다. 그리고, 4개의 제2 가상 직사각형이 하나의 제1 가상 직사각형을 구성한다. 관련 기술의 픽셀 배열 구조물과 비교하여, 이러한 픽셀 배열 방식은 동일한 프로세스 조건 하에서 제1 서브픽셀, 제2 서브픽셀 및 제3 서브픽셀이 밀접하게 배열되게 만들 수 있다. 그에 의해, 최소 서브픽셀 간격이 만족되는 조건 하에서, 단일 서브픽셀의 면적이 가능한 한 많이 증가하여, 디스플레이 수단의 구동 전류를 감소시키고 디스플레이 수단의 수명을 증가시킨다.
도 1은 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물의 제1 개략도이다.
도 2는 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물의 제2 개략도이다.
도 3은 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물의 제3 개략도이다.
도 4는 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물의 제4 개략도이다.
도 5는 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물의 제5 개략도이다.
도 6은 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물의 제6 개략도이다.
도 7은 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물의 제7 개략도이다.
도 8은 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물에서의 제2 서브픽셀과 제3 서브픽셀의 형상 매칭의 개략도이다.
도 9는 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널의 구조 개략도이다.
본 개시내용의 목적들, 기술적 해결책들 및 이점들을 더 명확하게 하기 위해, 본 개시내용은 첨부 도면들과 관련하여 아래에서 더 상세히 설명될 것이다. 분명히, 설명된 실시예들은 본 개시내용의 실시예들의 일부일 뿐이고, 실시예들 전부가 아니다. 본 개시내용의 실시예에 기초하여, 본 기술분야의 통상의 기술자에 의해 창조적 노력을 하지 않고 획득되는 다른 실시예들 전부는 본 개시내용의 보호 범위 내에 있다.
첨부 도면들에서 각각의 컴포넌트의 형상 및 크기는 실제 비율을 반영하지 않는다. 본 개시의 내용을 개략적으로 설명하기 위한 목적일 뿐이다.
본 개시내용의 실시예에서 픽셀 배열 구조물이 제공된다. 도 1에 도시된 바와 같이, 픽셀 배열 구조물은 복수의 제1 서브픽셀들(01), 복수의 제2 서브픽셀들(02), 및 복수의 제3 서브픽셀들(03)을 포함한다. 위의 모든 서브픽셀들의 위치들은 서로 중첩되지 않는다.
복수의 제1 서브픽셀들(01) 중 하나는 제1 가상 직사각형의 중심 위치에 위치하고, 복수의 제1 서브픽셀들(01) 중 4개는 제1 가상 직사각형의 4개의 꼭지각(vertex angle) 위치에 각각 위치한다.
복수의 제2 서브픽셀들(02) 중 4개는 제1 가상 직사각형의 4개의 변의 중심 위치에 각각 위치한다.
제1 가상 직사각형은 4개의 제2 가상 직사각형으로 분할되고, 4개의 제2 가상 직사각형 각각의 내부는 복수의 제3 서브픽셀들(03) 중 하나의 제3 서브픽셀(03)을 각각 포함한다.
본 개시내용에서 언급된 중심 위치 및 꼭지각 위치는 대략적인 위치들이고 중심점 또는 꼭지점에 제한되지 않는다는 점이 이해되어야 한다. 특정 편차의 존재가 허용되고, 대응하는 서브픽셀들의 면적만이 중심점 또는 꼭지점을 커버해야 한다.
관련 기술의 픽셀 배열 구조물과 비교하여, 본 개시내용의 실시예에 의해 제공되는 픽셀 배열 구조물은 동일한 프로세스 조건들 하에서 제1 서브픽셀(01), 제2 서브픽셀(02), 및 제3 서브픽셀(03)이 밀접하게 배열되게 만들 수 있다. 따라서, 최소 서브픽셀 간격이 만족되는 조건 하에서, 단일 서브픽셀의 면적이 가능한 한 많이 증가하여, 디스플레이 수단의 구동 전류를 감소시키고 디스플레이 수단의 수명을 증가시킨다.
본 개시내용의 실시예에서, 제2 가상 직사각형은 4개의 꼭지각을 순차적으로 연결함으로써 형성되고, 4개의 꼭지각은 2개의 제2 서브픽셀(02) 및 2개의 제1 서브픽셀(01)을 포함한다. 2개의 제2 서브픽셀(02)은 제1 가상 직사각형의 2개의 인접한 변의 중심 위치들에 위치한다. 2개의 제1 서브픽셀(01) 각각은 2개의 제2 서브픽셀(02) 각각에 인접하고, 2개의 제1 서브픽셀(01) 중 하나는 제1 가상 직사각형의 중심 위치에 위치하고 다른 하나는 제1 가상 직사각형의 꼭지각 위치에 위치한다.
본 개시내용의 실시예에서, 제3 서브픽셀들(03) 각각은 긴 스트립 형상으로 되어 있고, 긴 스트립 형상의 연장 방향은 제1 가상 직사각형의 중심으로부터 멀어지는 방향이다.
실시예에서, 4개의 제2 가상 직사각형 내부의 각각의 제3 서브픽셀(03)의 연장 방향은 상이하다. 본 실시예에서, 4개의 제2 가상 직사각형 내부의 각각의 제3 서브픽셀(03)의 연장 방향은 제1 가상 직사각형의 중심에 위치하는 제1 서브픽셀(01)로부터 멀어지고 대응하는 제2 가상 직사각형으로 연장되는 방향이다.
긴 스트립 형상은 그 연장 방향에 수직인 방향에서의 거울 대칭 뷰이다.
긴 스트립 형상으로 제3 서브픽셀(03)을 배열하는 것은 제2 서브픽셀(02)의 면적을 확대시키는 데 유리하므로, 디스플레이 패널에서 낮은 발광 효율을 갖는 서브픽셀은 제2 서브픽셀(02)로서 설정될 수 있다. 또한, 긴 스트립의 2개의 단부가 대칭적으로 설계되고, 이는 증발 마스크 플레이트(evaporation mask plate)의 패턴 복잡성을 감소시켜, 패턴 조성 프로세스(pattern composition process)를 단순화할 수 있다.
본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물에서, 서브픽셀이 특정 위치에 위치한다고 언급하는 것은 서브픽셀이 위치하는 위치의 범위를 지칭하는 것이고, 그 서브픽셀이 그 위치와 중첩해야 한다는 점에 유의해야 한다. 구체적인 실시예에서, 서브픽셀의 중심은 위치와 중첩될 수 있다. 물론, 서브픽셀의 중심은 위치와 중첩되지 않을 수 있다. 즉, 서브픽셀의 중심과 위치 사이에 편차가 존재하고, 이는 본 명세서에서 제한되지 않는다. 또한, 서브픽셀의 중심은 서브픽셀 패턴의 기하학적 중심일 수 있고, 또한 서브픽셀의 방출 색의 중심일 수 있으며, 이는 본 명세서에서 제한되지 않는다.
선택적으로, 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물에서, 각각의 서브픽셀이 균등하게 분포될 수 있는 것을 보장하기 위해, 각각의 서브픽셀의 중심은 대응하는 위치에 가능한 한 근접하게 만들어진다.
선택적으로, 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물에서, 도 1 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 가상 직사각형의 대각선을 따라 배치되는 2개의 제2 가상 직사각형에서의 제3 서브픽셀들(03)의 연장 방향들은 일관된다.
일 실시예에서, 제1 가상 직사각형에는 제1 대각선(L1) 및 제2 대각선(L2)이 제공된다. 제1 대각선(L1)을 따라 배치되는 2개의 제2 가상 직사각형에서의 제3 서브픽셀들(03)은 제1 대각선(L1)을 따르는 방향으로 연장된다. 제2 대각선(L2)을 따라 배치되는 2개의 제2 가상 직사각형에서의 제3 서브픽셀들(03)은 제2 대각선(L2)을 따르는 방향으로 연장된다.
일 실시예에서, 제1 대각선(L1)을 따라 배치되는 2개의 제2 가상 직사각형에서의 제3 서브픽셀들(03)은 제2 대각선(L2)에 대해 거울 대칭이다. 선택적으로, 제2 대각선(L2)을 따라 배치되는 2개의 제2 가상 직사각형에서의 제3 서브픽셀들(03)은 제1 대각선(L1)에 대해 거울 대칭이다.
제1 가상 직사각형을 구성하는 4개의 제2 가상 직사각형에서의 제3 서브픽셀들(03)은 "X" 형상으로 분포된다. 즉, 각각의 제3 서브픽셀(02)의 양 단부들은 제3 서브픽셀들(03)이 위치하는 제2 가상 직사각형의 2개의 꼭지각 위치에 위치하는 제3 서브픽셀들(03)을 각각 가리킨다.
본 개시내용의 실시예에 의해 제공되는 디스플레이 배열 구조에서 언급된 제1 가상 직사각형은 도 1에서 가장 큰 점선 프레임이고, 제2 가상 직사각형은 도 1에서 작은 점선 프레임이라는 점에 유의해야 한다. 도 1에서, 제1 가상 직사각형은 4개의 제2 가상 직사각형을 포함한다. 제1 가상 직사각형 및 제2 가상 직사각형은 직사각형일 수 있고, 또한 정사각형일 수 있으며, 이는 본 명세서에서 제한되지 않는다.
선택적으로, 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물에서, 제1 서브픽셀은 적색 서브픽셀이고, 제2 서브픽셀은 청색 서브픽셀이다. 또는, 제1 서브픽셀은 청색 서브픽셀이고, 제2 서브픽셀은 적색 서브픽셀이다. 제3 서브픽셀은 녹색 서브픽셀이다. 따라서, 도 2에 도시된 바와 같이, 제2 가상 직사각형의 내부에 위치한 녹색 서브픽셀 G는 제2 가상 직사각형의 임의의 2개의 인접한 꼭지각에 위치한 적색 서브픽셀 R 및 청색 서브픽셀 B와의 발광 픽셀 포인트를 구성할 수 있다.
또한, 청색 서브픽셀의 발광 효율이 더 낮고, 청색 서브픽셀의 수명이 더 짧기 때문에, 선택적으로, 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물에서, 도 2에 도시된 바와 같이, 제1 서브픽셀(01)은 적색 서브픽셀 R이고, 제2 서브픽셀(02)은 청색 서브픽셀 B이고, 제3 서브픽셀(03)은 녹색 서브픽셀 G이다. 따라서, 스트립 형상을 갖는 녹색 서브픽셀 G는 청색 서브픽셀 B의 면적을 녹색 서브픽셀 G의 방향을 향해 확장할 수 있다. 그에 의해, 청색 서브픽셀 B의 면적은 각각 적색 서브픽셀 R의 면적 및 녹색 서브픽셀 G의 면적보다 크다.
일 실시예에서, 청색 서브픽셀 B의 면적은 적색 서브픽셀 R의 면적보다 크고, 적색 서브픽셀 R의 면적은 녹색 서브픽셀 G의 면적보다 크다. 다른 실시예에서, 청색 서브픽셀 B의 면적은 녹색 서브픽셀 G의 면적보다 크고, 녹색 서브픽셀 G의 면적은 적색 서브픽셀 R의 면적보다 크다.
또한, 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물에서, 녹색 서브픽셀의 발광 효율이 일반적으로 더 높기 때문에, 녹색 서브픽셀의 면적은 적색 서브픽셀의 면적보다 작도록 설정될 수 있다. 물론, 특정 구현에서, 녹색 서브픽셀의 면적은 또한 적색 서브픽셀의 면적과 동일할 수 있고, 이는 본 명세서에서 제한되지 않는다.
전술한 "서브픽셀의 면적" 및 그 크기는 제1 가상 직사각형에 포함된 서브픽셀 면적을 대상으로 한다는 점에 유의해야 한다. 제1 가상 직사각형의 변들 및 꼭지각 상의 서브픽셀들은 모두 인접한 제1 가상 직사각형과 공유되기 때문에, 하나의 제1 가상 직사각형에서의 픽셀들의 면적 비율(area ratio)은 전체 패널에서의 픽셀들의 면적 비율과 상이하다.
전체 패널의 경우, RGB 서브픽셀들의 총 면적 비율은, 예를 들어, 1:1.1~1.5:1.2~1.7일 수 있다. 또한, RGB 서브픽셀들의 총 면적 비율은 1:1.2~1.35:1.4~1.55일 수 있다. 또한, RGB 서브픽셀들의 총 면적 비율은 1:1.27:1.46일 수 있다. RGB 서브픽셀들의 총 수 비율은 1:2:1이다.
선택적으로, 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 전술한 픽셀 배열 구조물에서, 제3 서브픽셀(03)과 인접한 제1 서브픽셀(01)의 대향 변들 사이의 최소 거리 D1과, 제3 서브픽셀과 인접한 제2 서브픽셀의 대향 변들 사이의 최소 거리 D2 사이에는 제1 비율이 존재한다. 제3 서브픽셀과 인접한 제1 서브픽셀의 대향 변들 사이의 최소 거리 D1과, 제1 서브픽셀과 인접한 제2 서브픽셀의 대향 변들 사이의 최소 거리 D3 사이에는 제2 비율이 존재한다. 그리고 제3 서브픽셀과 인접한 제2 서브픽셀의 대향 변들 사이의 최소 거리 D2와, 제1 서브픽셀과 인접한 제2 서브픽셀의 대향 변들 사이의 최소 거리 D3 사이에는 제3 비율이 존재한다. 제1 비율, 제2 비율 및 제3 비율은 모두 0.8-1.2의 범위 내에 있으며, 예컨대, 0.9, 1, 1.1이다.
선택적으로, 제1 비율, 제2 비율, 및 제3 비율 중 2개 또는 3개가 동일하다.
선택적으로, 각각의 제1 서브픽셀, 각각의 제2 서브픽셀, 및 각각의 제3 서브픽셀은 서로에 대해 실질적으로 등거리에 배열된다.
도 1에 도시된 바와 같이, 최소 거리는 대향 변들 사이의 최단 거리를 지칭한다. 대향 변들은 직선들 또는 곡선들일 수 있고, 대향 변들은 평행할 수 있다.
다시 말해서, 최소 거리는 프로세스 한계 거리 이상일 필요가 있고, 제3 서브픽셀(03)과 인접한 제2 서브픽셀(02)의 대향 변들 사이의 최소 거리는 프로세스 요건들을 충족시키기 위해 프로세스 한계 거리 이상일 필요가 있다.
선택적으로, 본 개시내용의 실시예에 의해 제공되는 전술한 픽셀 배열 구조물에서, 제3 서브픽셀과 인접한 제1 서브픽셀의 대향하는 변들 사이의 최소 거리에 대한 제3 서브픽셀과 인접한 제1 서브픽셀의 대향 변들 사이의 최대 거리의 비율은 1~1.5의 범위 내에 있고, 예를 들어, 1.1, 1.2, 1.3, 1.4 등이다.
선택적으로, 본 개시내용의 실시예에 의해 제공되는 전술한 픽셀 배열 구조물에서, 제3 서브픽셀과 인접한 제2 서브픽셀의 대향하는 변들 사이의 최소 거리에 대한 제3 서브픽셀과 인접한 제2 서브픽셀의 대향 변들 사이의 최대 거리의 비율은 1~1.5의 범위 내에 있고, 예를 들어, 1.1, 1.2, 1.3, 1.4 등이다.
선택적으로, 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물에서, 제3 서브픽셀(03)과 인접한 제1 서브픽셀(01) 사이의 간격을 감소시키고 제3 서브픽셀(03)과 인접한 제2 서브픽셀(02) 사이의 간격을 감소시키도록 제3 서브픽셀(03)이 픽셀 배열 구조물에서 균등하게 분포될 수 있게 하기 위해, 도 2 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 각각의 제2 가상 직사각형의 제3 서브픽셀(03)의 중심은, 대응하는 제2 가상 직사각형의 인접한 2개의 제1 서브픽셀(01)의 중심들을 연결하는 선과 인접한 2개의 제2 서브픽셀(02)의 중심들을 연결하는 선의 교차점에 위치하며, 즉, 제2 가상 직사각형의 중심에 위치한다.
선택적으로, 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물에서, 제3 서브픽셀(03)과 인접한 제1 서브픽셀(01) 사이의 간격을 감소시키도록 제3 서브픽셀(03)과 인접한 제1 서브픽셀(01) 사이의 갭 폭이 일관되는 것을 보장하기 위해, 도 1 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 제3 서브픽셀(03)과 인접한 제1 서브픽셀들(01)의 대향 변들은 서로 평행하다. 물론, 특정 구현에서, 제3 서브픽셀(03)과 인접한 제1 서브픽셀(01)의 대향 변들은 또한 평행하지 않을 수 있으며, 이는 본 명세서에서 제한되지 않는다.
본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물에서, 서브픽셀의 형상은 특정 프로세스 변동들 및 에러들이 존재하는 형상으로 지칭된다는 점에 유의해야 한다. 고해상도 디스플레이 패널의 경우, 서브픽셀 자체가 더 작은 면적을 갖기 때문에, 정밀한 서브픽셀 패턴을 획득하기 위해 마스크 플레이트 패턴의 보정 또는 보상을 위한 본 기술분야에서 통상 사용되는 방법이 채택될 수 있다.
특정 구현에서, 서브픽셀 형상의 내각이 더 클수록, 또는 원형 아크에 더 가까울수록, 증발 동안 실현하는 것이 더 쉽다. 따라서, 선택적으로, 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물에서, 도 1, 도 3 내지 도 5에 도시된 바와 같이, 긴 스트립 형상의 2개의 단부는 긴 스트립 형상의 내부로부터 외향으로 돌출하는 원형 아크 형상이거나; 또는 도 6 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 긴 스트립의 양 단부들은 다각형, 예를 들어, 도 6 내지 도 8의 등변 사다리꼴이다. 물론, 특정 구현에서, 긴 스트립의 형상은 또한 도 2에 도시된 바와 같이 직사각형일 수 있으며, 이는 본 명세서에서 제한되지 않는다.
선택적으로, 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물에서, 도 1 내지 도 3에 도시된 바와 같이, 제1 서브픽셀(01)의 형상은 실질적인 직사각형이다. 물론, 다른 규칙적 패턴들 또는 불규칙적 패턴들이 또한 사용될 수 있으며, 이는 본 명세서에서 제한되지 않는다.
선택적으로, 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물에서, 도 4 내지 도 8에 도시된 바와 같이, 제1 서브픽셀(01)의 형상은 실질적인 십자형이다. 따라서, 제1 서브픽셀(01) 및 제3 서브픽셀은 밀접하게 배열될 수 있고, 서브픽셀 면적을 보장하는 것에 기초하여 색 혼합(color mixing)이 회피될 수 있다.
구체적으로, 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물에서, 도 8에 도시된 바와 같이, 십자형은 사변형의 4개의 변의 중간의 오목부에 의해 형성된 형상이고, 사변형의 4개의 꼭지각은 각각 십자형의 4개의 단부이고, 그 중에서, 사변형은 실질적인 다이아몬드 형상 또는 실질적인 정사각형이다. 특정 오목부 깊이 및 형상은 긴 스트립 형상을 갖는 제3 서브픽셀(03)의 긴 스트립의 2개의 단부와 매칭된다.
선택적으로, 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물에서, 도 4 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 제1 서브픽셀(01)의 각각의 내각은 90도 이상이다. 제1 서브픽셀(01)의 각각의 내각이 더 클수록, 증발을 실현하기가 더 쉽다. 반대로, 서브픽셀의 내각이 더 작으면, 더 작은 내각을 갖는 서브픽셀 형상을 준비하기 위해 마스크 플레이트 패턴을 보상할 필요가 있다. 따라서, 제1 서브픽셀(01)의 내각을 90도 이상으로 함으로써 마스크 플레이트의 패턴 복잡성을 감소시킬 수 있다.
선택적으로, 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물에서, 도 5 및 도 7에 도시된 바와 같이, 실질적인 마름모 또는 실질적인 정사각형의 4개의 꼭지각은 둥근 모서리들이다. 즉, 십자형의 4개의 단부는 모두 둥근 모서리들 또는 모두 원형 아크 형상이다.
선택적으로, 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물에서, 제3 서브픽셀(03)과 인접한 제2 서브픽셀(02) 사이의 간격을 감소시키도록 제3 서브픽셀(03)과 인접한 제2 서브픽셀(02) 사이의 갭 폭이 일관되는 것을 보장하기 위해, 도 1 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 제3 서브픽셀(03)과 인접한 제2 서브픽셀(02)의 대향 변들은 서로 평행하다.
구체적으로, 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물에서, 제3 서브픽셀(03)이 긴 스트립 형상으로 되어 있고, 제3 서브픽셀(03)과 인접한 제2 서브픽셀(02)의 대향 변들이 서로 평행하기 때문에, 제3 서브픽셀(03)과 인접한 제2 서브픽셀(02)의 대향 변들을 직선 형상이 되도록 설정하는 것은 마스크 플레이트의 패턴 복잡성을 가능한 한 많이 단순화할 수 있다. 따라서, 선택적으로, 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물에서, 도 1 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 제2 서브픽셀(02)의 형상은 실질적인 직사각형이다.
물론, 특정 구현에서, 제3 서브픽셀(03)과 인접한 제2 서브픽셀(02)의 대향 변들은 또한 평행하지 않을 수 있으며, 이는 본 명세서에서 제한되지 않는다.
선택적으로, 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물에서, 제3 서브픽셀과 제1 서브픽셀 사이의 최소 간격은 제3 서브픽셀과 제2 서브픽셀 사이의 최소 간격과 같다.
더욱이, 최소 간격은 일반적으로 프로세스 한계 거리이고, 최소 간격의 수치 범위는 일반적으로 사용된 제조 프로세스에 관련된다. 서브픽셀 형상을 형성하기 위해 에칭 프로세스와 매칭되는 미세 금속 마스크(fine metal mask, FMM) 플레이트가 채택될 때, 최소 간격은 약 16㎛이고, 서브픽셀 형상을 형성하기 위해 레이저 또는 전기주조 프로세스가 채택될 때 최소 간격은 더 작을 것이다.
선택적으로, 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물에서, 임의의 인접한 2개의 제1 서브픽셀과 제2 서브픽셀 사이의 최소 간격은 같다.
선택적으로, 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물에서, 도 1 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 각각의 제3 서브픽셀(03)의 면적은 동일하고, 그에 의해 제1 서브픽셀(01), 제2 서브픽셀(02) 및 제3 서브픽셀(03)로 구성되는 임의의 발광 픽셀 포인트에서, 제3 서브픽셀(03)의 발광 면적은 모두 동일하다는 것이 보장된다.
물론, 특정 구현에서, 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물에서, 적어도 2개의 제3 서브픽셀의 면적들은 또한 동일하지 않을 수 있으며, 이는 본 명세서에서 제한되지 않는다.
제조 프로세스 동안, 마스크 패턴이 동일한 종류의 서브픽셀에 대해 일관될 수 있어, 패턴 조성 프로세스를 단순화할 수 있다는 것을 보장하기 위해, 선택적으로, 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물에서, 도 1 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 각각의 제3 서브픽셀(03)의 형상은 일관된다.
물론, 특정 구현에서, 본 개시내용의 실시예에 의해 제공되는 픽셀 배열에서, 적어도 2개의 제3 서브픽셀의 형상들은 또한 일관되지 않을 수 있으며, 이는 본 명세서에서 제한되지 않는다.
선택적으로, 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물에서, 도 1 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 각각의 제2 서브픽셀(02)의 면적은 동일하고, 그에 의해 제1 서브픽셀(01), 제2 서브픽셀(02) 및 제3 서브픽셀(03)로 구성되는 임의의 발광 픽셀 포인트에서, 제2 서브픽셀(02)의 발광 면적은 모두 동일하다는 것이 보장된다.
물론, 특정 구현에서, 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물에서, 적어도 2개의 제2 서브픽셀의 면적들은 또한 동일하지 않을 수 있으며, 이는 본 명세서에서 제한되지 않는다.
제조 프로세스 동안, 마스크 패턴이 동일한 종류의 서브픽셀에 대해 일관될 수 있어, 패턴 조성 프로세스를 단순화할 수 있다는 것을 보장하기 위해, 선택적으로, 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물에서, 도 1 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 각각의 제2 서브픽셀(02)의 형상은 일관된다.
물론, 특정 구현에서, 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물에서, 적어도 2개의 제2 서브픽셀의 형상은 또한 일관되지 않을 수 있으며, 이는 본 명세서에서 제한되지 않는다.
또한, 선택적으로, 본 개시내용의 실시예에 의해 제공되는 전술한 픽셀 배열에서, 제1 가상 직사각형에서의 4개의 제2 서브픽셀(02)의 형상들이 동일하거나 유사할 때, 그의 배열 각도들은 동일할 수 있고, 그의 배열 각도들은 또한 임의로 회전될 수 있고, 이는 본 명세서에서 제한되지 않는다.
선택적으로, 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물에서, 도 1 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 각각의 제1 서브픽셀(01)의 면적은 동일하고, 그에 의해 제1 서브픽셀(01), 제2 서브픽셀(02) 및 제3 서브픽셀(03)로 구성되는 임의의 발광 픽셀 포인트에서, 제1 서브픽셀(01)의 발광 면적은 모두 동일하다는 것이 보장된다.
특정 구현에서, 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물에서, 적어도 2개의 제1 서브픽셀의 면적들은 또한 동일하지 않을 수 있으며, 이는 본 명세서에서 제한되지 않는다.
제조 프로세스 동안, 마스크 패턴이 동일한 종류의 서브픽셀에 대해 일관될 수 있어, 패턴 조성 프로세스를 단순화할 수 있다는 것을 보장하기 위해, 선택적으로, 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물에서, 도 1 내지 도 7에 도시된 바와 같이, 각각의 제1 서브픽셀(01)의 형상은 일관된다.
특정 구현에서, 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 픽셀 배열 구조물에서, 적어도 2개의 제1 서브픽셀의 형상들은 또한 일관되지 않을 수 있으며, 이는 본 명세서에서 제한되지 않는다.
또한, 선택적으로, 본 개시내용의 실시예에 의해 제공되는 전술한 픽셀 배열 구조물에서, 제1 가상 직사각형에서의 5개의 제1 서브픽셀(01)의 형상들이 동일하거나 유사할 때, 그의 배열 각도들은 동일할 수 있고, 그의 배열 각도들은 또한 임의로 회전될 수 있고, 이는 본 명세서에서 제한되지 않는다.
선택적으로, 제2 서브픽셀(02), 제1 서브픽셀(01) 및 제3 서브픽셀(03)의 특정 형상들, 위치 관계들, 병렬 및 각도 관계들은 필요에 따라 설계될 수 있다. 실제 프로세스에서, 프로세스 조건들 또는 다른 인자들의 한계로 인해, 일부 편차가 또한 있을 수 있다. 따라서, 각각의 서브픽셀의 형상, 위치 및 상대적 위치 관계는 전술한 조건들을 실질적으로 충족시키는 것만이 필요하며, 이는 모두 본 개시내용의 실시예에 의해 제공되는 픽셀 배열 구조물에 속한다.
본 개시내용의 실시예에서 언급된 서브픽셀들의 패턴 불일치성(inconformity)은 서브픽셀들의 형상 불일치성을 지칭하고, 예를 들어, 하나는 원이고 하나는 직사각형이라는 점에 유의해야 한다. 반대로, 본 개시내용의 실시예에서 언급된 서브픽셀들의 패턴 일치성(conformity)은 서브픽셀들의 형상 유사성 또는 동일성을 지칭한다. 예를 들어, 2개의 서브픽셀의 형상은 둘 다 삼각형이고, 면적들이 같은지 여부에 관계없이, 2개의 서브픽셀의 형상은 일관되는 것으로 간주된다.
동일한 개시된 개념에 기초하여, 본 개시내용의 실시예에서는 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널이 추가로 제공되고, 도 9에 도시된 바와 같이, 디스플레이 패널은 복수의 밀접하게 배열된 픽셀 배열 구조물을 포함한다(도 9에서는 4개의 픽셀 배열 구조물이 예로서 사용됨). 픽셀 배열 구조물은 본 개시내용의 실시예에 의해 제공되는 전술한 픽셀 배열 구조물들 중 임의의 한 종류일 수 있다. 인접한 제1 가상 직사각형들은 행 방향 및 열 방향에서 각자의 대향 변들 상의 서브픽셀을 공유하도록 구성된다. 즉, 인접한 제1 가상 직사각형들의 변들 상에 위치한 제1 서브픽셀(01) 및 제2 서브픽셀(02)은 인접한 2개의 픽셀 배열 구조물에 의해 공유된다. 예를 들어, 도 9에서 각각의 타원으로 동그라미 표시된 3개의 서브픽셀은 2개의 인접한 픽셀 배열 구조물에 의해 공유되는 서브픽셀들이다. 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널에 의해 문제를 해결하는 원리는 전술한 픽셀 배열 구조물과 유사하므로, 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널의 구현은 전술한 픽셀 배열 구조물의 구현을 참조할 수 있고, 더 이상 상세한 설명이 반복되지 않는다.
구체적으로, 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널은 본 개시내용의 실시예에서 제공되고, 도 9에 도시된 바와 같이, 제1 서브픽셀(01) 및 제2 서브픽셀(02)은 행 방향으로 교대로 배열되고, 제1 서브픽셀(01) 및 제2 서브픽셀(02)은 열 방향으로 교대로 배열되고, 제3 서브픽셀(01)은 2개의 제1 서브픽셀(01)과 2개의 제2 서브픽셀(02)에 의해 둘러싸인 제2 가상 직사각형에 위치한다. 따라서, 디스플레이할 때, 임의의 인접한 2개의 제1 서브픽셀(01) 및 제2 서브픽셀(02)은 그에 인접한 제3 서브픽셀(03)과의 발광 픽셀 포인트를 구성할 수 있다. 서브픽셀들 중에서, 차색 원리(lend color principle)에 의해 저해상도를 갖는 물리적 해상도로부터 고해상도 디스플레이 효과가 달성된다.
동일한 개시된 개념에 기초하여, 본 개시내용의 실시예에서 디스플레이 디바이스가 추가로 제공되고, 디스플레이 디바이스는 본 개시내용의 실시예에서 제공되는 임의의 한 종류의 전술한 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널을 포함한다. 디스플레이 디바이스는 모바일 폰, 태블릿 컴퓨터, 텔레비전, 디스플레이, 노트북 컴퓨터, 디지털 포토 프레임(digital photo frame), 내비게이터 등과 같은 디스플레이 기능을 갖는 임의의 제품 또는 컴포넌트일 수 있다. 디스플레이 디바이스의 구현은 전술한 디스플레이 패널의 실시예를 참조할 수 있고, 더 이상 상세한 설명이 반복되지 않는다.
동일한 개시된 개념에 기초하여, 본 개시내용의 실시예에 의해 제공되는 전술한 임의의 한 종류의 픽셀 배열 구조물을 제조하기 위해 사용되는 고정밀 금속 마스크 플레이트와 같은 마스크 플레이트 어셈블리가 본 개시내용의 실시예에 의해 추가로 제공된다. 마스크 플레이트 어셈블리는 제1 마스크 플레이트, 제2 마스크 플레이트 및 제3 마스크 플레이트를 포함한다. 제1 마스크 플레이트는 복수의 제1 개방 영역들을 갖고, 제1 개방 영역들은 제1 서브픽셀의 형상 및 위치에 대응한다. 제2 마스크 플레이트는 복수의 제2 개방 영역들을 갖고, 제2 개방 영역들은 제2 서브픽셀의 형상 및 위치에 대응한다. 제3 마스크 플레이트는 복수의 제3 개방 영역들을 갖고, 제3 개방 영역들은 제3 서브픽셀의 형상 및 위치에 대응한다. 마스크 플레이트에 의해 문제를 해결하는 원리는 전술한 픽셀 배열 구조물과 유사하므로, 마스크 플레이트의 구현은 전술한 픽셀 배열 구조물의 구현을 참조할 수 있고, 더 이상 상세한 설명이 반복되지 않는다.
전술한 픽셀 배열 구조물, 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널, 마스크 플레이트 및 디스플레이 디바이스가 본 개시내용의 실시예에서 제공된다. 일 실시예에서, 픽셀 배열 구조물에서, 제1 서브픽셀들은 제1 가상 직사각형의 중심 위치 및 제1 가상 직사각형의 4개의 꼭지각의 위치들에 위치하고; 제2 서브픽셀들은 제1 가상 직사각형의 변들의 중심 위치에 위치하고; 제3 서브픽셀은 제2 가상 직사각형에 위치한다. 제2 가상 직사각형은 2개의 제2 서브픽셀 및 2개의 제1 서브픽셀에 의해 순차적으로 연결되고, 2개의 제2 서브픽셀 및 2개의 제1 서브픽셀은 꼭지각들이고, 2개의 제2 서브픽셀은 제1 가상 직사각형의 인접한 2개의 변의 중심 위치에 위치하고, 2개의 제1 서브픽셀 각각은 2개의 제2 서브픽셀 각각에 인접하고, 2개의 제1 서브픽셀 중 하나는 제1 가상 직사각형의 중심 위치에 위치하고, 다른 하나는 제1 가상 직사각형의 꼭지각 위치에 위치한다. 그리고, 4개의 제2 가상 직사각형이 하나의 제1 가상 직사각형을 형성한다. 관련 기술의 픽셀 배열 구조물과 비교하여, 이러한 픽셀 배열 방식은 동일한 프로세스 조건 하에서 제1 서브픽셀, 제2 서브픽셀 및 제3 서브픽셀이 밀접하게 배열되게 만들 수 있다. 그에 의해, 최소 서브픽셀 간격이 만족되는 조건 하에서, 단일 서브픽셀의 면적이 가능한 한 많이 증가하여, 디스플레이 수단의 구동 전류를 감소시키고 디스플레이 수단의 수명을 증가시킨다.
또한, 긴 스트립 형상으로 제3 서브픽셀을 배열하는 것은 제2 서브픽셀의 면적을 확대시키는 데 유리하므로, 디스플레이 패널에서 더 낮은 발광 효율을 갖는 서브픽셀은 제2 서브픽셀로서 설정될 수 있다. 또한, 긴 스트립의 2개의 단부가 대칭적으로 설계되고, 이는 증발 마스크 플레이트의 패턴 복잡성을 감소시켜, 패턴 조성 프로세스를 단순화할 수 있다.
분명히, 본 기술분야의 통상의 기술자들은 본 개시내용의 의도 및 범위에서 벗어나지 않고서 본 개시내용에 대해 다양한 변경들 및 수정들을 행할 수 있다. 따라서, 본 개시내용의 이러한 변경들 및 수정들이 본 개시내용의 청구항들의 범위 및 그의 등가 기술들에 속한다면, 본 개시내용은 또한 그 변경들 및 수정들을 포함하도록 의도된다.

Claims (28)

  1. 픽셀 배열 구조물(pixel arrangement structure)로서,
    복수의 제1 서브픽셀들, 복수의 제2 서브픽셀들 및 복수의 제3 서브픽셀들을 포함하고, 상기한 모든 서브픽셀들의 위치들은 서로 중첩되지 않고;
    상기 복수의 제1 서브픽셀들 중 하나는 제1 가상 직사각형(virtual rectangle)의 중심 위치에 위치하고, 상기 복수의 제1 서브픽셀들 중 4개는 상기 제1 가상 직사각형의 4개의 꼭지각(vertex angle) 위치에 각각 위치하고;
    상기 복수의 제2 서브픽셀들 중 4개는 상기 제1 가상 직사각형의 4개의 변(side)의 중심 위치에 각각 위치하고;
    상기 제1 가상 직사각형은 4개의 제2 가상 직사각형으로 분할되고, 상기 4개의 제2 가상 직사각형 각각의 내부는 상기 복수의 제3 서브픽셀들 중 하나의 제3 서브픽셀을 각각 포함하는, 픽셀 배열 구조물.
  2. 제1항에 있어서, 상기 제2 가상 직사각형은 4개의 꼭지각을 순차적으로 연결함으로써 형성되고, 상기 4개의 꼭지각은 2개의 제2 서브픽셀 및 2개의 제1 서브픽셀을 포함하고; 상기 2개의 제2 서브픽셀은 상기 제1 가상 직사각형의 2개의 인접한 변의 중심 위치에 위치하고, 상기 2개의 제1 서브픽셀 각각은 상기 2개의 제2 서브픽셀 각각에 인접하고, 상기 2개의 제1 서브픽셀 중 하나는 상기 제1 가상 직사각형의 중심 위치에 위치하고, 다른 하나는 상기 제1 가상 직사각형의 꼭지각 위치에 위치하는, 픽셀 배열 구조물.
  3. 제3항에 있어서, 상기 복수의 제3 서브픽셀들 각각은 긴 스트립 형상으로 되어 있고, 상기 긴 스트립 형상의 연장 방향은 상기 제1 가상 직사각형의 중심으로부터 멀어지는 방향인, 픽셀 배열 구조물.
  4. 제3항에 있어서, 상기 4개의 제2 가상 직사각형 내부의 각각의 제3 서브픽셀의 연장 방향은 상이한, 픽셀 배열 구조물.
  5. 제4항에 있어서, 상기 4개의 제2 가상 직사각형 내부의 각각의 제3 서브픽셀의 연장 방향은 상기 제1 가상 직사각형의 중심에 위치하는 상기 제1 서브픽셀로부터 멀어지고 대응하는 상기 제2 가상 직사각형으로 연장되는 방향인, 픽셀 배열 구조물.
  6. 제3항에 있어서, 상기 긴 스트립 형상은 그 연장 방향에 수직인 방향에서의 거울 대칭 뷰(mirror symmetrical view)인, 픽셀 배열 구조물.
  7. 제3항에 있어서, 상기 제1 가상 직사각형의 대각선을 따라 배치되는 상기 2개의 제2 가상 직사각형에서의 상기 제3 서브픽셀들의 연장 방향들은 일관되는, 픽셀 배열 구조물.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1 가상 직사각형에는 제1 대각선 및 제2 대각선이 제공되고; 상기 제1 대각선을 따라 배치되는 상기 2개의 제2 가상 직사각형에서의 상기 제3 서브픽셀들은 상기 제1 대각선을 따르는 방향으로 연장되고; 상기 제2 대각선을 따라 배치되는 상기 2개의 제2 가상 직사각형에서의 상기 제3 서브픽셀들은 상기 제2 대각선을 따르는 방향으로 연장되는, 픽셀 배열 구조물.
  9. 제8항에 있어서, 상기 제1 대각선을 따라 배치되는 상기 2개의 제2 가상 직사각형에서의 상기 제3 서브픽셀들은 상기 제2 대각선에 대해 거울 대칭이고; 상기 제2 대각선을 따라 배치되는 상기 2개의 제2 가상 직사각형에서의 상기 제3 서브픽셀들은 상기 제1 대각선에 대해 거울 대칭인, 픽셀 배열 구조물.
  10. 제3항에 있어서, 상기 제3 서브픽셀과 인접한 상기 제1 서브픽셀의 대향 변들 사이의 최소 거리와, 상기 제3 서브픽셀과 인접한 상기 제2 서브픽셀의 대향 변들 사이의 최소 거리 사이에는 제1 비율이 존재하고; 상기 제3 서브픽셀과 인접한 상기 제1 서브픽셀의 대향 변들 사이의 최소 거리와, 상기 제1 서브픽셀과 인접한 상기 제2 서브픽셀의 대향 변들 사이의 최소 거리 사이에는 제2 비율이 존재하고; 상기 제3 서브픽셀과 인접한 상기 제2 서브픽셀의 대향 변들 사이의 최소 거리와, 상기 제1 서브픽셀과 인접한 상기 제2 서브픽셀의 대향 변들 사이의 최소 거리 사이에는 제3 비율이 존재하고; 상기 제1 비율, 상기 제2 비율 및 상기 제3 비율은 모두 0.8-1.2의 범위 내에 있는, 픽셀 배열 구조물.
  11. 제10항에 있어서, 상기 제1 비율, 상기 제2 비율 및 상기 제3 비율은 같은, 픽셀 배열 구조물.
  12. 제11항에 있어서, 상기 제1 비율, 상기 제2 비율 및 상기 제3 비율은 모두 1인, 픽셀 배열 구조물.
  13. 제10항에 있어서, 상기 제3 서브픽셀과 인접한 상기 제1 서브픽셀의 대향 변들 사이의 최소 거리에 대한 상기 제3 서브픽셀과 인접한 상기 제1 서브픽셀의 대향 변들 사이의 최대 거리의 비율은 1~1.5의 범위 내에 있고;
    상기 제3 서브픽셀과 인접한 상기 제2 서브픽셀의 대향 변들 사이의 최소 거리에 대한 상기 제3 서브픽셀과 인접한 상기 제2 서브픽셀의 대향 변들 사이의 최대 거리의 비율은 1~1.5의 범위 내에 있는, 픽셀 배열 구조물.
  14. 제10항에 있어서, 상기 제3 서브픽셀과 인접한 상기 제1 서브픽셀들의 대향 변들은 서로 평행하고; 상기 제3 서브픽셀과 인접한 상기 제2 서브픽셀들의 대향 변들은 서로 평행한, 픽셀 배열 구조물.
  15. 제2항에 있어서, 상기 제1 서브픽셀의 형상은 실질적인 십자형인, 픽셀 배열 구조물.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제1 서브픽셀의 각각의 내각(inner angle)은 90도 이상인, 픽셀 배열 구조물.
  17. 제15항에 있어서, 상기 십자형은 사변형의 4개의 변의 중간의 오목부에 의해 형성된 형상이고, 상기 사변형의 4개의 꼭지각은 각각 상기 십자형의 4개의 단부이고, 상기 사변형은 실질적인 마름모 또는 실질적인 정사각형인, 픽셀 배열 구조물.
  18. 제17항에 있어서, 상기 실질적인 마름모 또는 상기 실질적인 정사각형의 4개의 꼭지각은 둥근 모서리들인, 픽셀 배열 구조물.
  19. 제3항에 있어서, 상기 긴 스트립 형상의 2개의 단부는 상기 긴 스트립 형상의 내부로부터 외향으로 돌출하는 원형 아크(circular arc) 또는 다각형인, 픽셀 배열 구조물.
  20. 제2항에 있어서, 상기 제2 서브픽셀의 형상은 실질적인 직사각형이고; 및/또는
    상기 제1 서브픽셀의 형상은 실질적인 직사각형인, 픽셀 배열 구조물.
  21. 제1항에 있어서, 상기 제1 서브픽셀은 적색 서브픽셀이고; 상기 제2 서브픽셀은 청색 서브픽셀이고; 상기 제3 서브픽셀은 녹색 서브픽셀이고;
    상기 청색 서브픽셀의 면적은 각각 상기 적색 서브픽셀의 면적 및 상기 녹색 서브픽셀의 면적보다 큰, 픽셀 배열 구조물.
  22. 제21항에 있어서, 상기 청색 서브픽셀의 면적은 상기 적색 서브픽셀의 면적보다 크고; 상기 적색 서브픽셀의 면적은 상기 녹색 서브픽셀의 면적보다 큰, 픽셀 배열 구조물.
  23. 제21항에 있어서, 상기 청색 서브픽셀의 면적은 상기 녹색 서브픽셀의 면적보다 크고; 상기 녹색 서브픽셀의 면적은 상기 적색 서브픽셀의 면적보다 큰, 픽셀 배열 구조물.
  24. 제3항에 있어서, 각각의 제2 가상 직사각형의 상기 제3 서브픽셀의 중심은, 대응하는 상기 제2 가상 직사각형의 인접한 2개의 제1 서브픽셀의 중심들을 연결하는 선과, 대응하는 상기 제2 가상 직사각형의 인접한 2개의 제2 서브픽셀의 중심들을 연결하는 선의 교차점에 위치하는, 픽셀 배열 구조물.
  25. 제21항에 있어서, 각각의 제3 서브픽셀의 면적은 동일하고, 각각의 제3 서브픽셀의 형상은 일관되고; 및/또는
    각각의 제1 서브픽셀의 면적은 동일하고, 각각의 제1 서브픽셀의 형상은 일관되고; 및/또는
    각각의 제2 서브픽셀의 면적은 동일하고, 각각의 제2 서브픽셀의 형상은 일관되는, 픽셀 배열 구조물.
  26. 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널로서,
    제1항 내지 제25항 중 어느 한 항에 따른 복수의 픽셀 배열 구조물을 포함하고;
    인접한 제1 가상 직사각형들은 행 방향 및 열 방향에서 각자의 대향 변들 상의 서브픽셀들을 공유하도록 구성되는, 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널.
  27. 제26항에 따른 유기 발광 다이오드 디스플레이 패널을 포함하는, 디스플레이 디바이스.
  28. 제1항 내지 제25항 중 어느 한 항에 따른 픽셀 배열 구조물을 제조하도록 구성되는 마스크 플레이트 어셈블리(mask plate assembly)로서, 상기 마스크 플레이트 어셈블리는:
    복수의 제1 개방 영역들을 갖는 제1 마스크 플레이트 - 상기 제1 개방 영역은 상기 제1 서브픽셀의 형상 및 위치와 대응하도록 구성됨 - ;
    복수의 제2 개방 영역들을 갖는 제2 마스크 플레이트 - 상기 제2 개방 영역은 상기 제2 서브픽셀의 형상 및 위치와 대응하도록 구성됨 - ;
    복수의 제3 개방 영역들을 갖는 제3 마스크 플레이트 - 상기 제3 개방 영역은 상기 제3 서브픽셀의 형상 및 위치와 대응하도록 구성됨 -
    를 포함하는, 마스크 플레이트 어셈블리.
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