CN102577616B - 有机发光面板及其制造方法、以及有机显示装置 - Google Patents

有机发光面板及其制造方法、以及有机显示装置 Download PDF

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Abstract

本发明提供一种有机发光面板及其制造方法、以及有机显示装置。像素部构成为包括三个子像素(100a~100c)。并且,在相邻的像素部之间配置有非像素部(100d、100e)。堤(105a)区划子像素(100a)的有机发光层与非像素部(100d),同样地,堤(105d)区划子像素(100c)的有机发光层与相邻的非像素部(100e)。另外,堤(105b)区划子像素(100a)的有机发光层与子像素(100b)的有机发光层,同样地,堤(105c)区划子像素(100b)的有机发光层与子像素(100c)的有机发光层。在此,堤(105a)的子像素(100a)侧的面部(105aa)的倾斜角度(θaa)和堤(105d)的子像素(100c)侧的面部(105dc)的倾斜角度(θdc)以大于其它倾斜角度(θba、θbb、θcb、θcc)的角度来设定。

Description

有机发光面板及其制造方法、以及有机显示装置
技术区域
本发明涉及有机发光面板及其制造方法、以及有机显示装置。
背景技术
近年来,利用有机材料的电致发光现象的显示装置的研究、开发得到进展。在该显示装置中,各像素部构成为具有阳电极、阴电极以及介于阳电极和阴电极之间的有机发光层。并且,在显示装置的驱动中,从阳电极注入空穴,从阴电极注入电子,在有机发光层内通过空穴和电子复合来进行发光。
相邻的像素部的有机发光层彼此之间,通过由绝缘材料构成的隔壁(堤)来进行区划。对于有机发光层的形成,例如,向由隔壁区划出的各区域滴下含有有机发光材料的墨并使其干燥,由此来实现有机发光层的形成。
但是,如上所述形成的有机发光层的膜厚存在难以做得均匀的问题。
在此,为了使有机发光层的膜厚均匀,例如,在专利文献1中记载了如下技术:在隔壁的面部设置凸状部,由此控制相对于隔壁的面部的墨的锁住(pinning)位置。即,通过采用专利文献1中提出的技术,能够将在一个像素部滴下了墨时的锁住位置锁定于形成在面部的凸状部,由此能够确保一定程度的膜厚均匀性。
在先技术文献
专利文献1:日本特开2007-311235号公报
发明内容
发明要解决的问题
但是,对于显示装置的有机发光面板,认为难以采用上述专利文献1提出的技术预先把握有机发光层的膜厚不匀而基于该不匀来在各区域或隔壁的各对应面部高精度地形成细微的凸状部。因此,在有机发光面板的整个区域中,不容易使有机发光层的膜厚均匀。
本发明是为了解决上述问题而完成的发明,目的在于提供一种实现面板整个面的有机发光层的膜厚均匀化、面内辉度(brightness)不均少的显示装置及其制造方法。
用于解决问题的手段
因此,本发明的一种方式的有机发光面板的特征在于采用如下结构。
本发明的一种方式的有机发光面板是排列多个像素部和设置于多个像素部的相邻像素部各自之间的非像素部而成的面板。并且,在本发明的一种方式的有机发光面板中,多个像素部的各像素部具有发光色互不相同的按顺序排列的多个发光部,各发光部包括基底层、有机发光层以及第二电极,所述基底层包括第一电极,所述有机发光层与基底层对向设置、按各发光色涂覆含有有机发光材料的墨而形成,所述第二电极相对于有机发光层形成在与所述基底层相反一侧,同一像素部内的多个发光部从一侧到另一侧至少具有同时涂覆与各发光色对应的所述墨而形成有机发光层的、位于一侧的涂覆对应的墨的第一发光部、位于中央侧的涂覆对应的墨的第二发光部、以及位于另一侧的涂覆对应的墨的第三发光部。
进一步,在本发明的一种方式的有机发光面板中,在基底层的上方设有区划多个发光部中相邻的发光部的、规定各发光部的多个隔壁,在像素部和非像素部之间形成有区划所述像素部和所述非像素部的隔壁,多个像素部包括满足如下关系的像素部:在规定第一发光部的相邻两隔壁的对向的面部中,位于非像素部侧的隔壁面部的倾斜角度大于位于第二发光部侧的隔壁面部的倾斜角度,规定第二发光部的相邻两隔壁的对向的面部的倾斜角度相等,在规定第三发光部的相邻两隔壁的对向的面部中,位于非像素部侧的隔壁面部的倾斜角度大于位于第二发光部侧的隔壁面部的倾斜角度。
发明的效果
在本发明的一种方式的有机发光面板中,按各像素部,第一发光部、第二发光部以及第三发光部被同时涂覆对应的墨而以形成机发光层。在该情况下,关于第二发光部,由于在与第二发光部相邻的第一发光部和第三发光部同时涂覆墨,所以在第二发光部的一端侧和另一端侧的墨的蒸汽浓度大致相等,发光层的膜厚不容易产生不匀。因此,通过使规定第二发光部的相邻两个隔壁的对向的面部的倾斜角度相等,能够防止有机发光层的膜厚不匀,能得到良好的发光特性。
另一方面,关于第一发光部,虽然在与第一发光部相邻的一方的第二发光部涂覆墨,但在与第一发光部相邻的另一方的非像素部不涂覆墨,因此第二发光部侧的墨的蒸汽浓度高于非像素部侧的墨的蒸汽浓度。因此,第一发光部的非像素部侧的发光层的膜厚会大于第二发光部侧的发光层的膜厚,具有膜厚产生不匀的倾向。
但是,在本发明的一种方式的有机发光面板中,在规定第一发光部的相邻两隔壁的对向的面部中,位于非像素部侧的隔壁的倾斜角度大于位于第二发光部侧的隔壁的面部的倾斜角度,所以位于非像素部侧的隔壁的墨的锁住位置比位于第二发光部侧的隔壁的墨的锁住位置高。其结果,能够减小第一发光部的非像素部侧的有机发光层的膜厚,能够防止第一发光部的一端部和另一端部(非像素部侧和第二发光部侧)的有机发光层的膜厚不匀。
进一步,关于规定第三发光部的相邻两隔壁的对向的面部,也与规定第一发光部的相邻两隔壁的对向的面部的上述关系同样,位于非像素部侧的隔壁的面部倾斜角度大于位于第二发光部侧的隔壁的面部的倾斜角度,所以位于非像素部侧的隔壁的墨的锁住位置比位于第二发光部侧的隔壁的墨的锁住位置高。其结果,能够减小非像素部侧的有机发光层的膜厚,能够防止第三发光部的一端部和另一端部(非像素部侧和第二发光部侧)的有机发光层的膜厚不匀。
如上所述,本发明的一种方式的有机发光面板能够关于任一发光部防止发光层的膜厚不匀,同一像素内的发光特性良好。
附图说明
图1是表示实施方式涉及的有机显示装置1的概略结构的框图。
图2是表示显示面板10的一部分子像素100的示意剖视图。
图3是表示显示面板10的堤105的示意俯视图。
图4是表示显示面板10的子像素100a~100c以及规定各子像素100a~100c的堤105a~105d的结构的示意剖视图。
图5(a)是表示堤侧面部的锥角小的情况下的锁住位置的示意剖视图,图5(b)是表示堤侧面部的锥角大的情况下的锁住位置的示意剖视图,图5(c)是表示堤侧面部的锥角小的情况下的干燥后的有机发光层的状态的示意剖视图,图5(d)是表示堤侧面部的锥角大的情况下的干燥后的有机发光层的状态的示意剖视图。
图6是总结表示堤面部的倾斜角度(锥角)θ、锁住位置的高度H以及有机发光层的膜厚T的关系的图。
图7是表示样品1~3的有机发光层的膜厚分布的图。
图8是表示样品4、5的有机发光层的膜厚分布的图。
图9(a)~(c)是按顺序表示显示面板10的制造方法中的主要部分工序的示意剖视图。
图10(a)、(b)是按顺序表示显示面板10的制造方法中的主要部分工序的示意剖视图。
图11是表示显示面板10的制造方法中的墨涂覆工序的示意剖视图。
图12是表示变形例1涉及的制造方法中的主要部分工序的示意剖视图。
图13(a)、(b)是按顺序表示变形例2涉及的制造方法中的主要部分工序的示意剖视图。
图14(a)、(b)是按顺序表示变形例2涉及的制造方法中的主要部分工序的示意剖视图。
图15(a)是表示曝光、显影处理和堤的锥角的关系的图,图15(b)是表示所形成的堤的形状的AFM(原子力显微镜)。
图16(a)、(b)是用于说明锥角的定义的示意剖视图。
图17是用于说明显示面板10的区域10a1、10a2、10b的示意俯视图。
图18是表示包括有机显示装置1的设备的外观的一例的外观立体图。
图19表示变形例3涉及的显示面板80所具备的堤805的结构的示意俯视图。
图20是表示显示面板的各相邻子像素的有机发光层膜厚分布的不匀状态的示意剖视图。
图21(a)~(c)是表示形成有机发光层时的蒸汽浓度分布和墨干燥工序中的膜形状不匀的状态的示意剖视图。
标号说明
1显示装置;10、80显示面板;10a1发光中央区域;10a2发光周边区域;10b虚设区域;20驱动控制单元;21~24驱动电路;25控制电路;100、100a~100c子像素;100d、100e非像素部;101基板;102阳电极;103、303电极覆盖层;104空穴注入层;105、105a~105f、105x、105y、605、705、805堤;106、106x、106y有机发光层;107电子注入层;108阴电极;109封止层;302母线;501~505掩模;1000a~1000c子像素预定区域;1000d、1000e非像素预定区域;1050、1051a、1051b、1051c、1051d堤材料层;1060a~1060c、1060x、1060y墨。
具体实施方式
[本发明的一种方式的概要]
本发明的一种方式的有机发光面板是排列多个像素部和设置于多个像素部的相邻像素部各自之间的非像素部而成的面板。并且,在本发明的一种方式的有机发光面板中,多个像素部的各像素部具有发光色互不相同的按顺序排列的多个发光部,各发光部包括基底层、有机发光层以及第二电极,所述基底层包括第一电极,所述有机发光层与基底层对向设置、按各发光色涂覆含有有机发光材料的墨而形成,所述第二电极相对于有机发光层形成在与所述基底层相反一侧,同一像素部内的多个发光部从一侧到另一侧至少具有同时涂覆与各发光色对应的所述墨而形成有机发光层的、位于一侧的涂覆对应的墨的第一发光部、位于中央侧的涂覆对应的墨的第二发光部、以及位于另一侧的涂覆对应的墨的第三发光部。
进一步,在本发明的一种方式的有机发光面板中,在基底层的上方设有区划多个发光部中相邻的发光部的、规定各发光部的多个隔壁,在像素部和非像素部之间形成有区划所述像素部和所述非像素部的隔壁,多个像素部包括满足如下关系的像素部:在规定第一发光部的相邻两隔壁的对向的面部中,位于非像素部侧的隔壁面部的倾斜角度大于位于第二发光部侧的隔壁面部的倾斜角度,规定第二发光部的相邻两隔壁的对向的面部的倾斜角度相等,在规定第三发光部的相邻两隔壁的对向的面部中,位于非像素部侧的隔壁面部的倾斜角度大于位于第二发光部侧的隔壁面部的倾斜角度。
在本发明的一种方式的有机发光面板中,按各像素部,第一发光部、第二发光部以及第三发光部被同时涂覆对应的墨而以形成机发光层。在该情况下,关于第二发光部,由于在与第二发光部相邻的第一发光部和第三发光部同时涂覆墨,所以在第二发光部的一端侧和另一端侧的墨的蒸汽浓度大致相等,发光层的膜厚不容易产生不匀。因此,通过使规定第二发光部的相邻两个隔壁的对向的面部的倾斜角度相等,能够防止有机发光层的膜厚不匀,能得到良好的发光特性。
另一方面,关于第一发光部,虽然在与第一发光部相邻的一方的第二发光部涂覆墨,但在与第一发光部相邻的另一方的非像素部不涂覆墨,因此第二发光部侧的墨的蒸汽浓度高于非像素部侧的墨的蒸汽浓度。因此,第一发光部的非像素部侧的发光层的膜厚会大于第二发光部侧的发光层的膜厚,具有膜厚产生不匀的倾向。
但是,在本发明的一种方式的有机发光面板中,在规定第一发光部的相邻两隔壁的对向的面部中,位于非像素部侧的隔壁的倾斜角度大于位于第二发光部侧的隔壁的面部的倾斜角度,所以位于非像素部侧的隔壁的墨的锁住位置比位于第二发光部侧的隔壁的墨的锁住位置高。其结果,能够减小第一发光部的非像素部侧的有机发光层的膜厚,能够防止第一发光部的一端部和另一端部(非像素部侧和第二发光部侧)的有机发光层的膜厚不匀。
进一步,关于规定第三发光部的相邻两隔壁的对向的面部,也与规定第一发光部的相邻两隔壁的对向的面部的上述关系同样,位于非像素部侧的隔壁的面部倾斜角度大于位于第二发光部侧的隔壁的面部的倾斜角度,所以位于非像素部侧的隔壁的墨的锁住位置比位于第二发光部侧的隔壁的墨的锁住位置高。其结果,能够减小非像素部侧的有机发光层的膜厚,能够防止第三发光部的一端部和另一端部(非像素部侧和第二发光部侧)的有机发光层的膜厚不匀。
如上所述,本发明的一种方式的有机发光面板能够关于任一发光部防止发光层的膜厚不匀,同一像素内的发光特性良好。
本发明的一种方式的有机发光面板可以在上述结构中采用如下结构:非像素部不具备有机发光层,包括具有与第一电极相同的材料而构成的第三电极和第二电极,第二电极与第三电极电连接。
在有机发光面板中,作为相比有机发光层配置在上方(光取出侧)的第二电极,通常使用具有光透射性的材料(例如ITO、IZO等),但这些材料的电阻较大。因此,在非像素部中,连接第二电极和第三电极以谋求降低电阻,能够在面板尺寸大的情况下也难以产生电压下降,能够确保高发光特性。第三电极例如是母线。
本发明的一种方式的有机发光面板可以在上述结构中采用如下结构:规定第一发光部的相邻两隔壁的位于非像素部侧的隔壁的对向的面部的倾斜角度,与规定第三发光部的相邻两隔壁的位于非像素部侧的隔壁的对向的面部的倾斜角度相等。
在本发明的一种方式的有机发光面板中,在相邻像素部各自之间分别配置非像素部,另外,对各像素部的第一发光部、第二发光部以及第三发光部同时涂敷用于形成有机发光层的墨,但第一发光部的非像素部侧的墨的蒸汽浓度与第三发光部的非像素侧的墨的蒸汽浓度大致相等。在该情况下,如上述结构,通过采用使规定第一发光部的相邻两隔壁的位于非像素部侧的隔壁的对向的面部的倾斜角度和规定第三发光部的相邻两隔壁的位于非像素部侧的隔壁的对向的面部的倾斜角度相等的结构,能够使相对于各面部的墨的锁住位置相互一致。
因此,根据上述结构,能够防止各像素部的第一发光部、第二发光部以及第三发光部的有机发光层的膜厚不匀,能得到良好的发光特性。
本发明的一种方式的有机发光面板可以在上述结构中采用如下结构:规定第一发光部的相邻两隔壁的位于第二发光部侧的隔壁的对向的面部的倾斜角度,与规定第二发光部的相邻两隔壁的对向的面部的倾斜角度相等。
在本发明的一种方式的有机发光面板中,在相邻像素部各自之间分别配置非像素部,另外,对各像素部的第一发光部、第二发光部以及第三发光部同时涂覆用于形成有机发光层的墨,但在第一发光部的第二发光部侧和第二发光部的第一发光部侧及第三发光部侧,蒸汽浓度大致相等。
因而,如上述结构,通过采用规定第一发光部的相邻两隔壁的位于第二发光部侧的隔壁的对向的面部的倾斜角度等于规定第二发光部的相邻两隔壁的对向的面部的倾斜角度的结构,能够使相对于各面部的墨的锁住位置相互一致,能够防止各像素部的第一发光部、第二发光部以及第三发光部的有机发光层的膜厚不匀,能得良好的发光特性。
本发明的一种方式的有机发光面板可以在上述结构中采用如下结构:规定第三发光部的相邻两隔壁的位于第二发光部侧的隔壁的对向的面部的倾斜角度,与规定第二发光部的相邻两隔壁的对向的面部的倾斜角度相等。
在本发明的一种方式的有机发光面板中,在相邻像素部各自之间分别配置非像素部,另外,对各像素部的第一发光部、第二发光部以及第三发光部同时涂敷用于形成有机发光层的墨,但在第三发光部的第二发光部侧和第二发光部的第一发光部侧及第三发光部侧,蒸汽浓度大致相等。
因而,如上述结构,通过采用规定第三发光部的相邻两隔壁的位于第二发光部侧的隔壁的对向的面部的倾斜角度等于规定第二发光部的相邻两隔壁的对向的面部的倾斜角度的结构,能够使相对于各面部的墨的锁住位置相互一致,能够防止各像素部的第一发光部、第二发光部以及第三发光部的有机发光层的膜厚不匀,能得到良好的发光特性。
本发明的一种方式的有机发光面板可以在上述结构中将具体的面部的倾斜角度设定在如下的范围内。
(a1)规定所述第一发光部的相邻两隔壁的位于所述非像素部侧的隔壁的对向的面部的倾斜角度为35度以上且45度以下,
(a2)规定第三发光部的相邻两隔壁的位于非像素部侧的隔壁的对向的面部的倾斜角为35度以上且45度以下。
(a3)规定第一发光部的相邻的两隔壁的位于第二发光部侧的隔壁的对向的面部的倾斜角度为25度以上且35度以下。
(a4)规定第三发光部的相邻的两隔壁的位于第二发光部侧的隔壁的对向的面部的倾斜角度为25度以上且35度以下。
(a5)规定第二发光部的相邻两隔壁的对向的面部的倾斜角度为25度以上且35度以下。
本发明的一种方式的有机发光面板可以在上述结构中规定为:“倾斜角度”为隔壁的所述对向的各面部与形成有隔壁的基底层(包括第一电极或空穴注入层、以及空穴注入输送层)的上面所成的角度。
本发明的一种方式的有机显示装置的特征在于具备上述任一本发明的一种方式涉及的有机发光面板。因而,本发明的一种方式的有机显示装置通过上述本发明的一种方式的有机发光面板所具有的效果、即通过防止有机发光层的膜厚不匀,能获得良好的发光特性。
本发明的一种方式的有机发光面板的制造方法是制造有机发光面板的方法,所述有机发光面板是排列多个像素部和设置于多个像素部的相邻像素部各自之间的非像素部而成的面板,所述制造方法包括以下工序。
第一工序,在基板上形成包括第一电极的基底层。
第二工序,在基底层上层叠感光性抗蚀剂材料。
第三工序,通过对层叠的感光性抗蚀剂材料进行掩模曝光而对其进行图案形成,按各像素部形成与多个发光部对应的多个开口,并且,在各像素部之间形成与非像素部对应的开口,形成区划相邻的发光部和非像素部而规定各发光部和非像素部的多个隔壁。
第四工序,对与多个发光部对应的多个开口分别滴下含有有机发光材料的墨并使其干燥,形成有机发光层。
第五工序,在有机发光层的上方形成第二电极。
在包括上述各工序的本发明的一种方式的有机发光面板的制造方法中,在所述第三工序中,针对要形成的多个像素部中的至少一部分像素部,形成与位于一侧的第一发光部对应的第一开口、与位于中央侧的第二发光部对应的第二开口以及与位于另一侧的第三发光部对应的第三开口,进一步,在规定第一发光部的相邻两隔壁的对向的面部中,使位于非像素部侧的隔壁的面部的倾斜角度形成为大于位于第二发光部侧的隔壁的面部的倾斜角度,使规定第二发光部的相邻两隔壁的对向的面部的倾斜角度形成为相等,在规定第三发光部的相邻两隔壁的对向的面部中,使位于非像素部侧的隔壁的面部的倾斜角度形成为大于位于第二发光部侧的隔壁的面部的倾斜角度。另外,所述第四工序中,按各像素部对第一开口、第二开口以及第三开口同时滴下与各发光色对应的墨,形成有机发光层。
通过采用这样的制造方法,在第四工序的墨涂覆中,能够与规定第一发光部的相邻两隔壁的对向的面部中的位于非像素部侧的隔壁的面部相对的墨的锁住位置、以及与规定第三发光部的相邻两隔壁的对向的面部中的位于非像素部侧的隔壁的面部相对的墨的锁住位置比相对于其他面部的墨的锁住位置高。
并且,在本发明的一种方式的有机发光面板的制造方法中,能够基于墨干燥后的有机发光层的膜厚与隔壁的面部的倾斜角度的相对大小关系为相反关系的机理,防止有机发光层的膜厚不匀,能够制造具有良好的发光特性的有机发光面板。
本发明的一种方式的有机发光面板的制造方法可以在上述构成中采用如下的具体构成:在第三工序中,关于感光性抗蚀剂材料的曝光,通过使对与规定第一发光部的相邻两隔壁的位于非像素部侧的隔壁的面部相当的部分的曝光量大于对与位于第二发光部侧的隔壁的面部相当的部分的曝光量,使位于非像素部侧的隔壁的面部的倾斜角度大于位于第二发光部侧的隔壁的面部的倾斜角度,通过使对与规定第三发光部的相邻两隔壁的位于非像素部侧的隔壁的面部相当的部分的曝光量大于对与位于第二发光部侧的隔壁的面部相当的部分的曝光量,使位于非像素部侧的隔壁的面部的倾斜角度大于位于第二发光部侧的隔壁的面部的倾斜角度。
在采用这样的构成的情况下,通过调整锁住位置的相对关系,能够减少所有发光部的有机发光层的膜厚不匀,能够制造具有良好的发光特性的有机发光面板。
另外,本发明的一种方式的有机发光面板的制造方法可以在上述构成中采用如下的具体构成:在第三工序中,关于感光性抗蚀剂材料的曝光,通过使用对于与各个面部相当的部分的光透射率互不相同的掩模,以使得对与规定第一发光部的相邻两隔壁的位于非像素部侧的隔壁的面部相当的部分的光透射率大于对与位于第二发光部侧的隔壁的面部相当的部分的光透射率,从而使位于非像素部侧的隔壁的面部的倾斜角度大于位于第二发光部侧的隔壁的面部的倾斜角度,通过使用对于与各个面部相当的部分的光透射率互不相同的掩模,以使得对与规定第三发光部的相邻两隔壁的位于非像素部侧的隔壁的面部相当的部分的光透射率大于对与位于第二发光部侧的隔壁的面部相当的部分的光透射率,从而使位于非像素部侧的隔壁的面部的倾斜角度大于位于第二发光部侧的隔壁的面部的倾斜角度。
在采用这样的构成的情况下,能够通过调整锁住位置的相对关系,减少所有发光部的有机发光层的膜厚不匀,能够制造具有良好的发光特性的有机发光面板。
另外,本发明的一种方式的有机发光面板的制造方法可以在上述构成中采用如下的具体构成:在第三工序中,在使感光性抗蚀剂材料曝光、显影后,通过对与规定第一发光部的相邻两隔壁的位于非像素部侧的隔壁的面部相当的部分追加进行曝光处理,使位于非像素部侧的隔壁的面部的倾斜角度大于位于第二发光部侧的隔壁的面部的倾斜角度,通过对与规定第三发光部的相邻两隔壁的位于非像素部侧的隔壁的面部相当的部分追加进行曝光处理,使位于非像素部侧的隔壁的面部的倾斜角度大于位于第二发光部侧的隔壁的面部倾斜角度。
在采用这样的构成的情况下,能够通过调整锁住位置的相对关系,减少所有发光部的有机发光层的膜厚不匀,能够制造具有良好的发光特性的有机发光面板。
本发明的一种方式的有机显示装置的特征在于具备采用上述任一本发明的一种方式涉及的有机发光面板的制造方法而得到的有机发光面板。在具备使用这样的制造方法制造的有机发光面板的有机显示装置中,与上述有机发光面板所具有的效果同样,能够防止有机发光面板的有机发光层的膜厚不匀,能获得良好的发光特性。
(获得本发明的实施方式的经过)
本发明的发明人就“背景技术”中所记载的有机发光面板及具备该有机发光面板的有机显示装置进行了专心的研究,结果得到如下的见解。
通常,如图20所示,在基板901上,按子像素900a、900b、900c而设有阳电极902和覆盖该阳电极902的电极覆盖层903。并且,形成空穴注入层904以覆盖电极覆盖层902和基板901的表面,在空穴注入层904上按子像素900a、900b、900c而层叠形成有发光色不同的有机发光层906a、906b、906c。有机发光层906a、906b、906c由立设于空穴注入层904上的堤905a~905d来区划。
另外,在有机发光面板中,例如以三个子像素900a、900b、900c的组合构成像素部,在相邻的像素部之间插入有非像素部900d、900e。非像素部900d、900e具有母线932和覆盖该母线932的电极覆盖层933,但没有有机发光层。
如图20所示,在现有技术涉及的有机发光面板中,在分别与非像素部900d、900e相邻的子像素900a、900c的有机发光层906a、906c,有时膜厚会产生不匀。具体而言,会产生如下现象:有机发光层906a的堤905a侧的部位C3的高度比堤905b侧的位置c4的高度及子像素900b的有机发光层906b的堤905b、905c的部位C1、C2的高度高。同样,有机发光层906c的堤905d测的部位C5的高度比堤905c侧的部位C6的高度及子像素900b的有机发光层906b的堤905b、905c的部位C1、C2的高度高。
关于上述现象,本发明的发明人经反复研究推定为:如以下说明的那样,有机发光层的膜厚的均匀性降低是因墨干燥时的蒸汽浓度分布的不均匀造成的。具体而言,如图21(a)所示,假定为在堤905c与堤905d之间所规定的区域涂覆了用于形成有机发光层的墨9060c的状态,此时的蒸汽浓度分布如双点划线所示,图21(a)的右侧的浓度分布低于左侧的浓度分布时,认为会以如下关系在有机发光层的膜厚产生不匀。
如图21(a)所示,墨9060c刚滴下后,墨9060c的表面轮廓L90为子像素的中央部分隆起的形状。在使其干燥的情况下,形式上认为由于如上所述的蒸汽浓度分布,蒸汽浓度低的一侧的蒸发速度快,蒸汽浓度高的一侧的蒸发速度慢,因此会变化为表面轮廓L91
但是,如图21(b)所示,在干燥过程中的墨9061c的内部,会发生如虚线箭头L92所示的溶剂移动。这是溶剂为弥补蒸发掉的部分而移动(移动以使得表面自由能最小),随着溶剂的移动,溶质(有机发光材料)也会移动。因此,如图21(c)所示,在蒸汽浓度分布不匀的情况下,形成表面轮廓L93越靠右侧越隆起(部位C5的高度高于部位C6的高度)的有机发光层906c。
如上所述,本发明的发明人关于有机发光面板得到了如下推断:由于墨干燥时蒸汽浓度分布不匀,所形成的有机发光层的膜厚的均匀性会降低。
并且,本发明的发明人发现了如下技术特征:在面板面内,通过使堤的面部的倾斜角度不同,使墨在堤侧面部的锁住位置不同,其结果能实现有机发光层的膜厚均匀化。
[实施方式]
以下,参照附图说明用于实施本发明的方式的一例。
在以下说明中所使用的方式是用于便于理解地说明本发明的结构和作用效果的例子,本发明除了其本质特征部分以外不受以下方式的任何限定。
1.显示装置1的概略结构
使用图1说明本实施方式涉及的显示装置1的整体结构。
如图1所示,显示装置(有机显示装置)1包括显示面板单元10和与其连接的驱动控制单元20。显示面板单元10是利用了有机材料的电致发光现象的有机发光面板,在X-Y面方向上二维排列有多个像素部。
另外,驱动控制单元20包括四个驱动电路21~24和控制电路25。
在实际的显示装置1中,相对于显示面板10的驱动控制单元20的配置不限于此。
2.显示面板10的结构
使用图2说明显示面板10的结构。本实施方式涉及的有机显示面板10采用顶部发射型的有机发光面板来作为一个例子,构成为呈矩阵状配置有多个像素部,所述多个像素部具备具有红(R)、绿(G)、蓝(B)的任一发光色的有机发光层,图2抽出一个像素部中的一个子像素100来进行了表示。
如图2所示,显示面板10中,在TFT基板(以下简称“基板”)101上形成有阳电极102,在阳电极102上依次层叠形成有电极覆盖层103和空穴注入输送层104。阳电极102和电极覆盖层103形成为按各子像素100而分离的状态。
在空穴注入输送层104上立设有由绝缘材料形成的对子像素100彼此之间进行区划的堤(隔壁)105。在各子像素100的由堤105区划的区域形成有机发光层106,在其上依次层叠形成有电子注入层107、阴电极108以及封止层109。
a)基板101
基板101例如以无碱玻璃、钠玻璃、无荧光玻璃、磷酸类玻璃、硼酸类玻璃、石英、丙烯类树脂、苯乙烯类树脂、聚碳酸酯类树脂、环氧类树脂、聚乙烯、聚酯、硅类树脂或者氧化铝等绝缘材料为基材来形成。并且,虽然省略了图示,但在基板101层叠形成有TFT层和钝化膜、以及层间绝缘膜等。
b)阳电极102
阳电极102由导电性材料制成的单层或多层层叠而成的层叠体构成。例如使用Al(铝)、含铝的合金、Ag(银)、APC(银、钯、铜的合金)、ARA(银、铷、金的合金)、MoCr(钼和铬的合金)、NiCr(镍和铬的合金)等来形成。在如本实施方式为顶部发射型的情况下,优选由高反射性的材料形成。
c)电极覆盖层103
电极覆盖层103例如使用ITO(氧化铟锡)来形成,将阳电极102的Z轴方向上部的表面的至少一部分覆盖。
d)空穴注入输送层104
空穴注入输送层104是例如由银(Ag)、钼(Mo)、铬(Cr)、钒(V)、钨(W)、镍(Ni)、铱(Ir)等氧化物、或PEDOT(聚噻吩和聚苯乙烯磺酸的混合物)等导电性聚合物材料形成的层。在上述中,由氧化金属形成的空穴注入输送层104具有使空穴稳定、或辅助生成空穴来对有机发光层106注入及输送空穴的功能,具有大的功函数。
在此,在由过渡金属的氧化物构成空穴注入输送层104的情况下,能够通过取多个氧化数来获得多个能级,其结果,空穴注入变容易,能够降低驱动电压。
e)堤105
堤(隔壁)105由树脂等有机材料形成,具有绝缘性。作为用于形成堤105的有机材料的例子,能列举丙烯类树脂、聚酰亚胺类树脂、酚醛清漆型酚醛树脂等。并且,堤105优选具有有机溶剂耐性。
进一步,在形成堤105时,会被实施蚀刻处理、烘焙处理等,因此优选由对于这些处理不会过度变形、变质等的耐性高的材料形成。另外,为使其具备拨水性,也可以对侧面部进行氟处理。
关于用于形成堤105的绝缘材料,以上述各材料为代表,尤其可以使用电阻率为105Ω·cm以上、具有拨水性的材料。这是因为,在使用电阻率为105Ω·cm以下的材料的情况下,会导致阳电极102和阴电极108之间产生泄漏电流、或相邻子像素100之间产生泄漏电流的原因,会产生功耗增加等各种问题。
另外,在使用亲水性材料形成堤105的情况下,堤105的侧面部和空穴注入输送层104的表面之间的亲液性/拨液性的差异变小,会导致难以为形成有机发光层106而使含有有机物质的墨选择性地保持在堤105的开口部。
进一步,关于堤105的构造,不只是如图2所示的单层构造,也可以采用两层以上的多层构造。在该情况下,可以在各层组合上述材料,也可以在各层使用无机材料和有机材料。
f)有机发光层106
有机发光层106具有如下功能:通过从阳电极102注入的空穴和从阴电极108注入的电子复合,产生激发状态而进行发光。用于形成有机发光层106的材料需要使用能够使用湿式印刷法来制膜的发光性有机材料。
具体而言,优选例如由特许公开公报(日本特开平5-163488号公报)所记载的类喔星(oxinoid)化合物、苝化合物、香豆素化合物、氮杂香豆素化合物、噁唑化合物、噁二唑化合物、紫环酮(perinone)化合物、吡咯并吡咯化合物、萘化合物、蒽化合物(アントラセン化合物)、芴化合物、荧蒽化合物、并四苯化合物、芘化合物、晕苯化合物、喹诺酮化合物及氮杂喹诺酮化合物、吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物、若丹明化合物、(chrysene)化合物、菲化合物、环戊二烯化合物、茋化合物、二苯基苯醌化合物、苯乙烯基化合物、丁二烯化合物、双氰亚甲基吡喃化合物、双氰亚甲基噻喃化合物、荧光素化合物、吡喃鎓化合物、噻喃鎓化合物、硒吡喃鎓化合物、碲吡喃鎓化合物、芳香族坎利酮化合物、低聚亚苯基化合物、噻吨化合物、蒽化合物(アンスラセン化合物)、花青苷化合物、吖啶化合物、8-羟基喹啉化合物的金属配合物、2,2’-联吡啶化合物的金属配合物、席夫碱与III族金属的配合物、8-羟基喹啉(喔星)金属配合物、稀土类配合物等荧光物质形成。
g)电子注入层107
电子注入层107具有将从阴电极108注入的电子向有机发光层106输送的功能,优选例如由钡、酞菁、氟化锂或它们的组合来形成。
h)阴电极108
阴电极108例如由ITO、IZO(氧化铟锌)等来形成。在顶部发射型的显示面板10的情况下,优选由光透射性材料形成。关于光透射性,优选透射率为80%以上。
作为用于形成阴电极108的材料,除上述以外,也可以使用例如将含碱金属、碱土类金属或它们的卤化物的层和含银的层按该顺序层叠而成的构造。在上述中,含银的层可以由银单独形成,也可以由银合金形成。另外,为了谋求提高光取出效率,还可以从该含银的层的上方设置透明度高的折射率调整层。
i)封止层109
封止层109具有抑制有机发光层106等暴露于水分、空气中的功能,例如使用SiN(氮化硅)、SiON(氮氧化硅)等材料来形成。在顶部发射型的显示面板10的情况下,优选由光透射性材料形成。
3.堤105的结构
如图3所示,在本实施方式涉及的显示面板10中,作为一个例子采用了线状的堤105。具体而言,堤105各自沿Y轴方向延伸形成,在X轴方向上对相邻的像素部100之间进行区划。并且,子像素100在由堤105所区划出的各区域形成为发光色不同。例如,以发光色分别为红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的三个子像素的组合构成一个像素部。
4.各区域的堤105的结构
使用图4来说明各区域的堤105的结构。图4是以A-A’剖面剖开图1中的显示面板10而示意表示其一部分的剖视图。
如图4所示,显示面板10中,在TFT基板(以下简记为“基板”)101上与子像素100a、100b、100c各自对应地形成有阳电极102,在阳电极102上按顺序层叠形成有电极覆盖层103及空穴注入输送层104。
在空穴注入输送层104上立设有由绝缘材料形成、分别规定子像素100a、100b、100c的堤105a、105b、105c、105d。在各子像素100a、100b、100c的由堤105a、105b、105c、105d区划出的区域,按顺序层叠形成有有机发光层、电子注入层、阴电极以及封止层(在图4中省略图示)。
在本实施方式涉及的显示面板10中,由子像素100a、100b、100c的组合构成一个像素部,在相邻的像素部和像素部之间设有非像素部100d、100e。子像素100a和非像素部100d之间由堤105a区划,非像素部100d和在其X轴方向更左侧相邻的像素部的子像素由堤105e区划。子像素100c和非像素部100e之间由堤105d区划,非像素部100e和在其X轴方向更右侧相邻的像素部的子像素由堤105f区划。
如图4所示,在非像素部100d、100e,设有由与阳电极102相同的材料构成的电极(母线)302、以及覆盖该电极302的电极覆盖层303,在电极覆盖层303上延伸设置有空穴注入输送层104。并且,虽然省略了图示,但在其上形成阴电极,电极302和阴电极108电连接。
在非像素部100d、100e中不形成有机发光层。通过采用这样的结构,能够实现降低由ITO等形成的阴电极108的电阻,能够控制电压下降。
如图4所示,在本实施方式涉及的显示面板10中,堤105a、105b、105c、105d各自的面部105aa、105ba、105bb、105cb、105cc、105dc与作为基底层的空穴注入输送层104的表面分别成角度θaa、θba、θbb、θcb、θcc、θdc。
在此,本实施方式中,角度θaa、θba、θbb、θcb、θcc、θdc满足由以下各式表示的关系。
[式1]θaa>θba=θbb=θcb=θcc
[式2]θdc>θba=θbb=θcb=θcc
在本实施方式中,优选将各角度θaa、θba、θbb、θcb、θcc、θdc设定在如下范围。
[式3]25°<θba=θbb=θcb=θcc<35°
[式4]35°<θaa<45°
[式5]35°<θdc<45°
用上述式1、式2、式3、式4、式5的关系规定堤105a、105b、105c、105d的各面部105aa、105ba、105bb、105cb、105cc、105dc的倾斜角度θaa、θba、θbb、θcb、θcc、θdc是根据在相邻的像素部和像素部之间配置非像素部100d、100e、以及后述的墨1060a、1060b、1060c的涂覆方式确定的。
5.堤105的侧面部的倾斜角度θ与有机发光层106的膜厚之间的关系
使用图5和图6来说明堤105的面部的倾斜角度θ和有机发光层106的膜厚的关系。图5示意示出了一个子像素的构造。
如图5(a)所示,堤105x的面部的倾斜角度(堤105x的面部和空穴注入输送层104的表面所成的角度)为角度θx,如图5(b)所示,堤105y的面部的倾斜角度(堤105y的面部和空穴注入输送层104的表面所成的角度)为角度θy。角度θx和角度θy满足以下关系。
[式6]θy>θx
当向由各堤105x、105y所区划出的开口部滴下(涂敷)含有有机发光材料的墨1060x、1060y时,则各锁住位置Px、Py的高度Hx、Hy为以下关系。
[式7]Hy>Hx
如图5(c)所示,使墨1060x干燥后,由于锁住位置Px的高度Hx相对较低,在所形成的有机发光层106x中,子像素的中央部分隆起,其膜厚为厚度Tx。
另一方面,如图5(d)所示,使墨1060y干燥后,由于锁住位置Py的高度Hy相对较高,在所形成的有机发光层106y中,子像素的中央部分凹陷,其膜厚为厚度Ty。
厚度Tx和厚度Ty满足以下关系。
[式8]Tx>Ty
在图6总结表示上述关系。如图6所示,当减小堤105的面部的倾斜角度(锥角)θ时,锁住位置的高度H变低,结果得到的有机发光层106的膜厚T变厚。反之,当增大堤105的面部的倾斜角度(锥角)θ时,锁住位置的高度H变高,结果得到的有机发光层106的膜厚T变薄。
针对上述事项,制作5个样品进行了评价。在图7和图8示出结果。
如图7和图8所示,相对于样品2的膜厚分布,在增大了锥角的样品3和样品4中,锁住位置变高。在图7和图8中,横轴表示横向,纵轴表示高度方向。
但是,在将堤的锥角(倾斜角度)增大至50°的样品5中,膜厚的均匀性比样品2的膜厚的均匀性低。
6.显示面板40的制造方法
关于本实施方式涉及的显示面板10的制造方法,使用图9、图10以及图11说明作为特征的部分。关于以下省略说明的工序,可以采用作为现有技术所提出的各种工序。
首先,如图9(a)所示,在基板101的Z轴方向上面,对应于各子像素预定区域1000a、1000b、1000c而按顺序层叠形成阳电极102和电极覆盖层103。另外,对应于非像素预定区域1000d、1000e而按顺序层叠形成母线302和电极覆盖层303。并且,从电极覆盖层103、303上层叠形成空穴注入输送层104以覆盖整个表面。对于阳电极102和母线302的形成,例如使用溅射法或真空蒸镀法制作由铝或其合金形成的薄膜或Ag薄膜之后,使用光刻法对该薄膜进行图案形成,由此实现阳电极102和母线302的形成。
另外,对于电极覆盖层103、303的形成,例如对阳电极102和母线302的各表面使用溅射法等制作ITO薄膜,使用光刻法等对该ITO薄膜进行图案形成,由此实现电极覆盖层103、303的形成。并且,在空穴注入输送层104的形成中,首先对包括电极覆盖层103、303的各表面的基板101的表面,使用溅射法等制作金属膜。此后,将形成的金属膜氧化,形成空穴注入输送层104。
然后,如图9(b)所示,例如使用旋涂法等形成堤材料层1050以将空穴注入输送层104之上覆盖。在堤材料层1050的形成中可以使用感光性抗蚀剂材料,具体而言可以如上所述使用丙烯类树脂、聚酰亚胺类树脂、酚醛清漆型酚醛树脂等具有绝缘性的有机材料。
然后,如图9(c)所示,在堤材料层1050的上方配置掩模501,该掩模501在要形成堤的部位设置有开口501a、501b、501c、501d。在该状态下通过掩模501的开口501a、501b、501c、501d实施曝光。
如图9(c)所示,相对于子像素预定区域1000b而位于左侧的掩模501的开口501b的宽度Wb由要形成的堤105b的面部105ba、105bb(参照图4)的下端点Pb1、Pb2规定。关于相对于子像素预定区域1000b而位于右侧的掩模501的开口501c,也以同样的关系来规定。
另一方面,位于子像素预定区域1000a和非像素预定区域1000d之间、以及子像素预定区域1000c和非像素预定区域1000e之间的掩模501的开口501a、501d的宽度Wa1、Wd1由要形成的堤105a、105d的面部105aa、105dc(参照图4)的各上端点Pa1、Pd1及非像素预定区域1000d、1000e侧(参照图4)的各下端部分的点Pa2、Pd2规定。
然后,如图10(a)所示,在堤材料层1050的上方配置掩模502,该掩模502在与堤105a、105d的面部105aa、105dc(参照图4)对应的部位设置有开口502a、502d。并且,在该状态下通过掩模502的开口502a、502d实施第二次曝光。
如图10(a)所示,掩模502的开口502a、502d的各宽度Wa2、Wd2由要形成的堤105a、105d的各面部105aa、105dc的各下端点Pa3、Pd3和各上端点Pa1、Pd1规定。
然后,如图10(b)所示,通过实施显影及烘焙来形成堤105a、105b、105c、105d。堤105a的子像素预定区域1000a侧的面部105aa及堤105d的子像素预定区域1000c侧的面部105dc,如上所述,其倾斜角度比其他堤105b、105c的面部105ba、105bb、105cb、105cc的倾斜角大。
之后,如图11所示,使用喷墨法等同时对由堤105a和堤105b区划出的开口部(子像素预定区域1000a)涂敷墨(含有有机发光材料的墨)1060a,对由堤105b和堤105c区划出的开口部(子像素预定区域1000b)涂敷墨(含有有机发光材料的墨)1060b,对由堤105c和堤105d区划出的开口部(子像素预定区域1000c)涂敷墨(含有有机发光材料的墨)1060c。
在此,如上所述,由于使堤105a的面部105aa的倾斜角度θaa和堤105d的面部105dc的倾斜角度θdc大于其他面部的倾斜角度θba、θbb、θcb、θcc,所以对于堤105a、105d的各面部105aa、105dc的墨1060a、1060c的锁住位置Qaa、Qdc为高于其他的锁住位置Qba、Qbb、Qcb、Qcc的位置。
通过这样使锁住位置Qaa、Qdc的高度比其他的锁住位置Qba、Qbb、Qcb、Qcc的高度高,能够防止所形成的有机发光层106的膜厚不匀。即,在采用同时涂敷墨1060a、1060b、1060c的方式的情况下,子像素预定区域1000a在其左侧存在不涂敷墨的非像素预定区域1000d,另外,子像素预定区域1000e在其右侧存在不涂敷墨的非像素预定区域1000e,因而关于这两个子像素预定区域1000a、1000c,在其左右会产生蒸汽浓度不匀。对此,通过使堤105a的面部105aa和堤105d的面部105dc的各倾斜角度θaa、θdc大于其他面部的倾斜角度,能够防止所形成的有机发光层106膜厚不匀。
虽然省略了图示,但在其后实施墨干燥,然后按顺序层叠电子注入层107、阴电极108以及封止层109等,从而形成显示面板10。
7.效果
如图4所示,在本实施方式涉及的显示装置1的显示面板10中,堤105a的子像素100a侧的面部105aa的倾斜角度θaa和堤105d的子像素100c侧的面部105dc的倾斜角度θdc,被设定为大于其他面部105ba、105bb、105cb、105cc的各倾斜角度θba、θbb、θcb、θcc。由此,如图11所示,涂敷墨1060a、1060b、1060c时,锁住位置Qaa、Qdc高于其他的锁住位置Qba、Qbb、Qcb、Qcc。
反之,面部105ba、105bb、105cb、105cc的各倾斜角度θba、θbb、θcb、θcc相互相等。
因此,在显示面板10中,干燥后的有机发光层106的膜厚在子像素100a、100b、100c中成为均匀的膜厚,具有辉度不匀小的效果。
当使用通过图9、图10以及图11说明了的本实施方式涉及的显示装置1的制造方法时,能够制造具有上述效果的显示装置1。
另外,如上所述,“相等”不是指数值上完全相等,而是考虑了显示装置1的制造中的尺寸误差等。具体而言,是指显示面板10中在各自所属的子像素100a、100b、100c的发光效率的差异(辉度不匀)在实用上可以容许的范围内使倾斜角度相等。
[变形例1]
下面,使用图12对显示装置1的制造方法的变形例1进行说明。图12表示与图9(c)~图10(a)所示的工序对应的工序。
如图12所示,在空穴注入输送层104上层叠形成堤材料层1050之后,在其上方配置掩模503。在掩模503设有光透射部503a1、503a2、503b、503c、503d1、503d2。各光透射部503a1、503a2对应于要形成堤105a的部位而设置,光透射部503b、503c分别对应于要形成堤105b、105c的部位而设置,光透射部503d1、503d2对应于要形成堤105d的部位而设置。
在本变形例1涉及的显示装置1的制造方法中,与子像素预定区域1000b的左侧对应的区域的光透射部503b的宽度Wb由要形成的堤105b的面部105ba、105bb(参照图4)的各下端点Pb1、Pb2规定。
另一方面,与子像素1000a和非像素预定区域1000d之间对应的区域的光透射部503a1的宽度Wa1由要形成的堤105a(参照图4)的下端点Pa2规定,光透射部503a2的宽度Wa2由堤105a的面部105aa(参照图4)的上端点Pa1和下端点Pa3规定。同样地,与子像素1000c和非像素预定区域1000e之间对应的区域的光透射部503d1的宽度Wd1由要形成的堤105d(参照图4)的非像素预定区域1000e侧的面部的下端点Pd2规定,光透射部503d2的宽度Wd2由堤105d的面部105dc(参照图4)的上端点Pd1和下端点Pd3规定。
在此,掩模503使用半色调等的掩模构成,光透射部503a1、503b、503c、503d1与光透射部503a2、503d2的光透射率不同。具体而言,光透射部503a2、503d2的光透射率比光透射部503a1、503b、503c、503d1的光透射率大。
在配置了具有如上所述的结构的掩模503的状态下,实施曝光、显影之后进行烘焙,由此能够形成如图10(b)所示的堤105a、105b、105c、105d。即如上述式1和上述式2所示关系,通过光透射率被设定为较大的光透射部503a2、503d2而被曝光的部位的侧壁面的倾斜角度比通过其他光透射部503a1、503b、503c、503d1而被曝光的部位的侧壁面的倾斜角度大。
此后的工序与上述实施方式等是同样的。
根据如上所述的制造方法,也能制造显示装置1。
[变形例2]
下面,使用图13和图14来说明显示装置1的制造方法的变形例2。图13和图14表示与图9(c)~图10(b)所示工序的对应的工序。
如图13(a)所示,在空穴注入输送层104上层叠形成堤材料层1050之后,在其上方配置掩模504。在掩模504,与要形成堤105的各部位对应地设有开口504a、504b、504c、504d。
开口504d、504c以与上述实施方式的制造方法中使用的掩模501的开口501b、501c相同的宽度来形成。
另一方面,在子像素预定区域1000a和非像素预定区域1000d之间、以及子像素预定区域1000c和非像素预定区域1000e之间的分别要形成堤105a、105d(参照图4)的部位所设置的开口504a、504d的宽度wa3、wd3,如图13(a)的双点划线包围的部分所示,被设定为大于由堤105a、105d(参照图4)的各上端和各下端的点Pa2、Pa3、Pd2、Pd3所规定的宽度。具体而言,在要增大倾斜角度的部位增大宽度。
在配置了如图13(a)所示的方式的掩模504的状态下,实施第一次曝光、显影。由此,如图13(b)所示,在分别与开口504a、504b、504c、504d对应的部位,残留堤材料层1051a、1051b、1051c、1051d。
如图13(b)所示,在实施了第一次曝光、显影的状态下,堤材料层1051a、1051b、1051c、1051d的各面部倾斜角度均匀。但是,堤材料层1051a、1051d的X轴方向的宽度大于堤材料层1051b、1051c的X轴方向的宽度。
在本变形例2中,此时不进行烘焙。
如图14(a)所示,在形成了堤材料层1051a、1051b、1051c、1051d的状态下,在其上方配置掩模505。在掩模505,在与要形成的堤105a、105b、105c、105d的面部对应的部位中,限定于要增大倾斜角度的部位(堤105a的面部105aa和堤105d的面部dc)而设有开口505a、505d。
在配置了掩模505的状态下,进行第二次曝光、显影之后进行烘焙,由此能够形成如图14(b)所示的堤105a、105b、105c、105d。
此后,可以通过实施与上述实施方式等同样的工序来制造显示装置1。
[制造方法的验证]
关于上述实施方式及变形例1、2涉及的各制造方法,以具体例子对形成后的堤的形状进行了验证。使用图15来说明其结果。
如图15(a)所示,越增大曝光量,所形成的堤侧面部的倾斜角度越大。具体而言,在使曝光量为200mJ来进行了曝光、显影的情况下所形成的堤侧面部的倾斜角度为23°,与此相对,在使曝光量为300mJ来进行了曝光、显影的情况下所形成的堤侧面部的倾斜角度为38°。关于该结果,在图15(b)所示的AFM(Atomic Force Microscope:原子力显微镜)中也能看出。
进一步,如图15(a)和图15(b)所示,在使曝光量为200mJ来进行了第一次曝光、显影之后,使曝光量为100mJ来进行了第二次曝光、显影的情况下,所形成的堤侧面部的倾斜角度为50°。这对应于上述变形例2涉及的制造方法,认为对于增大堤侧面部的倾斜角度是有效的。
在图15(b)中,横轴表示横向,纵轴表示高度方向。
[其他事项]
首先,在上述实施方式及变形例1、2中,示意地表示为堤105、105a~105d、105x、105y的各面部为平面,但对于堤的面部,可以不一定为平面。例如,如图16(a)所示,在堤605的情况下,点P61到点P62之间的面和点P62到点P63之间的面相交叉。在该情况下,涂覆墨时的锁住位置Qy1存在于点P62到点P63之间的面。并且,引出通过点P62的假象直线L1时,所形成的面部的倾斜角度θy2在与锁住位置的关系上是重要的。
但是,在堤605的形成中,通过控制作为基底层的空穴注入输送层104和堤605的点P61到点P62之间的面所成的角度θy1,角度θy2也受到控制,所以实质上能够通过控制倾斜角度θy1来得到如上所述的效果。即对于图16(a)所示的角度θy1,在形成了从点P71到P72之间的面的角度θy11较大的堤705的情况下(图16(b)),如图16(b)所示,从点P72到点P73之间的面和假象直线L2所成的角度θy12也比图16(a)的角度θy2大。
此外,在上述实施方式及变形例1、2中,不限定显示面板10中的上述结构的适用区域,但既可以对显示面板的整个区域应用上述结构,也可以限定于一部分区域应用上述结构。如图17所示,对于显示面板10,可以在沿其面的方向上形式上区分为配置于中央部的区域10a和配置于周边的区域10b。在此,区域10a是阳电极与形成于其下部的TFT层的源电极或漏电极连接的有助于发光的区域,相对地,区域10b是阳电极与形成于其下部的TFT层的源电极和漏极都不连接的无助于发光的区域。并且,认为:在将区域10a进一步在形式上分为中央区域10a1和周边区域10a2的情况下,由于涂覆墨时的蒸汽浓度的分布状态,会在周边区域10a2更显著地产生子像素内的有机发光层的膜厚不匀。
认为合并了周边区域10a2和区域10b的区域为面板的外围部的0.5%~几%左右(例如1%)的像素部。这是考虑不调整堤的面部的倾斜角度的情况下的有机发光层的膜厚不均而确定的。
在上述实施方式及变形例1、2中,为了易于理解地说明本发明的结构和作用效果而采用作为例子的各结构,本发明除了本质部分并不限定于上述方式。例如,在上述实施方式中,如图2所示,采用了相对于有机发光层106在其Z轴方向下侧配置有阳电极102的结构来作为一个例子,但本发明不限于此,也可以采用如相对于有机发光层106在其Z轴方向下侧配置有阴电极108的结构。
在为相对于有机发光层106在其Z轴方向下侧配置阴电极108的情况下,由于为顶部发射构造,所以采用使阴电极108为反射电极层、在其上形成电极覆盖层103的结构。
另外,在上述实施方式等中,虽未示出显示装置1的具体外观形状,但例如可以为如图18所示的系统的一部分。由于有机EL显示装置不需要如液晶显示装置的背光源,所以适于薄型化,从系统设计的观点来看,能发挥优异的特性。
另外,在上述实施方式及变形例1、2中,作为堤105、105a~105d、105x、105y、605、705的形态,采用了如图3所示的所谓的线堤构造,但也可以采用如图19所示的由在Y轴方向上延伸的堤部件805a和在X轴方向上延伸的堤部件805b构成的像素堤805来构成显示面板80。
如图19所示,在采用像素堤805的情况下,对于规定各子像素800a、800b、800c的堤805,通过增大其X轴方向和Y轴方向的各外侧的侧壁部的倾斜角度,能够得到上述同样的效果。具体而言,能够通过适当调整箭头B1、B2、B3、B4所指示的面部的倾斜角度来得到上述效果。
另外,对于上述实施方式及变形例1、2中所采用的堤的面部的倾斜角度的调整,可以根据制造时形成有机发光层所涉及的墨涂覆工序和干燥工序中的蒸汽浓度分布而个别地适当进行变更。例如,在如因干燥装置的构造等而墨干燥时的蒸汽流为由面板外周部朝向面板中央部的情况下,与有机发光层的膜厚变厚的部位对应地增大堤侧面部的倾斜角度即可。由此,能够使有机发光层的膜厚均匀化,能够降低面板整体的辉度不均。
另外,在上述实施方式及变形例1、2中,在各发光色(红色、绿色、蓝色),对堤面部的倾斜角度(锥角)的设定没有加以区别,但认为含有有机发光材料的墨的特性会根据发光色而变化,所以在该情况下,可以根据各发光色的墨特性来规定对应的堤的面部的倾斜角度。
产业上的可利用性
本发明对于实现辉度不均少、具有高画质性能的有机发光面板及有机显示装置是有用的。

Claims (12)

1.一种有机发光面板,所述有机发光面板是排列多个像素部和设置于所述多个像素部的相邻像素部各自之间的非像素部而成的面板,
所述多个像素部的各像素部具有发光色互不相同的按顺序排列的多个发光部,
各发光部包括基底层、有机发光层以及第二电极,所述基底层包括第一电极,所述有机发光层与所述基底层对向设置、按各发光色涂覆含有有机发光材料的墨而形成,所述第二电极相对于所述有机发光层形成在与所述基底层相反一侧,
同一像素部内的所述多个发光部从一侧到另一侧至少具有同时涂覆与各发光色对应的所述墨而形成所述有机发光层的、位于一侧的涂覆对应的墨的第一发光部、位于中央侧的涂覆对应的墨的第二发光部、以及位于另一侧的涂覆对应的墨的第三发光部,
在所述基底层的上方设有区划所述多个发光部中相邻的发光部的、规定各发光部的多个隔壁,
在所述像素部和所述非像素部之间形成有区划所述像素部和所述非像素部的隔壁,
所述多个像素部包括如下像素部:
在规定所述第一发光部的相邻两隔壁的对向的面部中,位于所述非像素部侧的隔壁面部的倾斜角度大于位于所述第二发光部侧的隔壁面部的倾斜角度,
规定所述第二发光部的相邻两隔壁的对向的面部的倾斜角度相等,
在规定所述第三发光部的相邻两隔壁的对向的面部中,位于所述非像素部侧的隔壁面部的倾斜角度大于位于所述第二发光部侧的隔壁面部的倾斜角度,
所述倾斜角度为所述隔壁的所述对向的各面部与形成有所述隔壁的所述基底层的上面所成的角度。
2.根据权利要求1所述的有机发光面板,
所述非像素部不具备所述有机发光层,包括具有与所述第一电极相同的材料而构成的第三电极和所述第二电极,所述第二电极与所述第三电极电连接。
3.根据权利要求1所述的有机发光面板,
规定所述第一发光部的相邻两隔壁的对向的面部中的位于所述非像素部侧的隔壁面部的倾斜角度,与规定所述第三发光部的相邻两隔壁的对向的面部中的位于所述非像素部侧的隔壁面部的倾斜角度相等。
4.根据权利要求1所述的有机发光面板,
规定所述第一发光部的相邻两隔壁的对向的面部中的位于所述第二发光部侧的隔壁面部的倾斜角度,与规定所述第二发光部的相邻两隔壁的对向的面部的倾斜角度相等。
5.根据权利要求1所述的有机发光面板,
规定所述第三发光部的相邻两隔壁的对向的面部中的位于所述第二发光部侧的隔壁面部的倾斜角度,与规定所述第二发光部的相邻两隔壁的对向的面部的倾斜角度相等。
6.根据权利要求1所述的有机发光面板,
规定所述第一发光部的相邻两隔壁的对向的面部中的位于所述非像素部侧的隔壁面部的倾斜角度为35度以上且45度以下,
规定所述第三发光部的相邻两隔壁的对向的面部中的位于所述非像素部侧的隔壁面部的倾斜角度为35度以上且45度以下,
规定所述第一发光部的相邻两隔壁的对向的面部中的位于所述第二发光部侧的隔壁面部的倾斜角度为25度以上且35度以下,
规定所述第三发光部的相邻两隔壁的对向的面部中的位于所述第二发光部侧的隔壁面部的倾斜角度为25度以上且35度以下,
规定所述第二发光部的相邻两隔壁的对向的面部的倾斜角度为25度以上且35度以下。
7.一种有机显示装置,具备根据权利要求1~6中任一项所述的有机发光面板。
8.一种有机发光面板的制造方法,所述有机发光面板是排列多个像素部和设置于所述多个像素部的相邻像素部各自之间的非像素部而成的面板,包括:
第一工序,在基板上形成包括第一电极的基底层;
第二工序,在所述基底层上层叠感光性抗蚀剂材料;
第三工序,通过对所述层叠的感光性抗蚀剂材料进行掩模曝光而对其进行图案形成,按各像素部形成与多个发光部对应的多个开口,并且,在所述各像素部之间形成与非像素部对应的开口,形成区划相邻的所述发光部和所述非像素部而规定各发光部和所述非像素部的多个隔壁;
第四工序,对与所述多个发光部对应的多个开口分别滴下含有有机发光材料的墨并使其干燥,形成有机发光层;和
第五工序,在所述有机发光层的上方形成第二电极,
在所述第三工序中,
针对要形成的所述多个像素部中的至少一部分像素部,形成与位于一侧的第一发光部对应的第一开口、与位于中央侧的第二发光部对应的第二开口以及与位于另一侧的第三发光部对应的第三开口,
进一步,
在规定所述第一发光部的相邻两隔壁的对向的面部中,使位于所述非像素部侧的隔壁的面部的倾斜角度形成为大于位于所述第二发光部侧的隔壁的面部的倾斜角度,
使规定所述第二发光部的相邻两隔壁的对向的面部的倾斜角度形成为相等,
在规定所述第三发光部的相邻两隔壁的对向的面部中,使位于所述非像素部侧的隔壁的面部的倾斜角度形成为大于位于所述第二发光部侧的隔壁的面部的倾斜角度,
所述第四工序中,
按各像素部对所述第一开口、所述第二开口以及所述第三开口同时滴下与各发光色对应的所述墨,形成有机发光层,
所述倾斜角度为所述隔壁的所述对向的各面部与形成有所述隔壁的所述基底层的上面所成的角度。
9.根据权利要求8所述的有机发光面板的制造方法,
在所述第三工序中,
关于所述感光性抗蚀剂材料的曝光,通过使对与规定所述第一发光部的相邻两隔壁的位于所述非像素部侧的隔壁的面部相当的部分的曝光量大于对与位于所述第二发光部侧的隔壁的面部相当的部分的曝光量,使位于所述非像素部侧的隔壁的面部的倾斜角度大于位于所述第二发光部侧的隔壁的面部的倾斜角度,
通过使对与规定所述第三发光部的相邻两隔壁的位于所述非像素部侧的隔壁的面部相当的部分的曝光量大于对与位于所述第二发光部侧的隔壁的面部相当的部分的曝光量,使位于所述非像素部侧的隔壁的面部的倾斜角度大于位于所述第二发光部侧的隔壁的面部的倾斜角度。
10.根据权利要求8所述的有机发光面板的制造方法,
在所述第三工序中,
关于所述感光性抗蚀剂材料的曝光,通过使用对于与各个面部相当的部分的光透射率互不相同的掩模,以使得对与规定所述第一发光部的相邻两隔壁的位于所述非像素部侧的隔壁的面部相当的部分的光透射率大于对与位于所述第二发光部侧的隔壁的面部相当的部分的光透射率,从而使位于所述非像素部侧的隔壁的面部的倾斜角度大于位于所述第二发光部侧的隔壁的面部的倾斜角度,
通过使用对于与各个面部相当的部分的光透射率互不相同的掩模,以使得对与规定所述第三发光部的相邻两隔壁的位于所述非像素部侧的隔壁的面部相当的部分的光透射率大于对与位于所述第二发光部侧的隔壁的面部相当的部分的光透射率,从而使位于所述非像素部侧的隔壁的面部的倾斜角度大于位于所述第二发光部侧的隔壁的面部的倾斜角度。
11.根据权利要求8所述的有机发光面板的制造方法,
在所述第三工序中,
在使所述感光性抗蚀剂材料曝光、显影后,
通过对与规定所述第一发光部的相邻两隔壁的位于所述非像素部侧的隔壁的面部相当的部分追加进行曝光处理,使位于所述非像素部侧的隔壁的面部的倾斜角度大于位于所述第二发光部侧的隔壁的面部的倾斜角度,
通过对与规定所述第三发光部的相邻两隔壁的位于所述非像素部侧的隔壁的面部相当的部分追加进行曝光处理,使位于所述非像素部侧的隔壁的面部的倾斜角度大于位于所述第二发光部侧的隔壁的面部倾斜角度。
12.一种有机显示装置,具备通过权利要求8~11中任一项所述的制造方法得到的有机发光面板。
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Families Citing this family (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5574114B2 (ja) * 2009-12-22 2014-08-20 パナソニック株式会社 表示装置とその製造方法
WO2011077477A1 (ja) * 2009-12-22 2011-06-30 パナソニック株式会社 表示装置とその製造方法
JP5574112B2 (ja) * 2009-12-22 2014-08-20 パナソニック株式会社 表示装置とその製造方法
WO2012049718A1 (ja) 2010-10-15 2012-04-19 パナソニック株式会社 有機発光パネルとその製造方法、および有機表示装置
WO2012049716A1 (ja) 2010-10-15 2012-04-19 パナソニック株式会社 有機発光パネルとその製造方法、および有機表示装置
JP5677317B2 (ja) 2010-10-15 2015-02-25 パナソニック株式会社 有機発光パネルとその製造方法、および有機表示装置
CN102960067B (zh) * 2010-10-15 2016-03-09 株式会社日本有机雷特显示器 有机发光面板及其制造方法以及有机显示装置
JP5677316B2 (ja) 2010-10-15 2015-02-25 パナソニック株式会社 有機発光パネルとその製造方法、および有機表示装置
JP5677315B2 (ja) 2010-10-15 2015-02-25 パナソニック株式会社 有機発光パネルとその製造方法、および有機表示装置
CN103515410B (zh) * 2012-06-29 2016-08-03 乐金显示有限公司 有机发光显示装置及其制造方法
TW201442226A (zh) 2013-03-21 2014-11-01 Sony Corp 顯示裝置及其製造方法、以及電子機器
WO2015001757A1 (ja) * 2013-07-01 2015-01-08 パナソニック株式会社 有機el装置
KR102111974B1 (ko) * 2013-07-03 2020-05-19 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
KR102155815B1 (ko) * 2014-08-05 2020-09-14 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 이의 제조 방법
JP6458525B2 (ja) * 2015-02-10 2019-01-30 富士電機株式会社 炭化珪素半導体装置の製造方法
KR102408938B1 (ko) * 2015-07-17 2022-06-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN112114493B (zh) * 2017-07-28 2023-12-29 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板
CN207052608U (zh) * 2017-08-24 2018-02-27 京东方科技集团股份有限公司 一种显示基板及显示装置
JP6805221B2 (ja) * 2017-12-15 2020-12-23 株式会社Joled 有機el表示パネル、有機el表示装置、および、その製造方法
CN108919605B (zh) * 2018-07-27 2021-12-21 京东方科技集团股份有限公司 光阻组合物、像素界定层、其制备方法及应用
CN112017551B (zh) * 2019-05-30 2022-06-03 群创光电股份有限公司 光学装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10133194A (ja) * 1996-10-31 1998-05-22 Seiko Epson Corp カラーフィルター、液晶表示装置およびその製造方法
CN1345469A (zh) * 1999-11-29 2002-04-17 皇家菲利浦电子有限公司 有机电致发光器件及其制造方法
GB2391686A (en) * 2002-07-31 2004-02-11 Dainippon Printing Co Ltd Electroluminescent display
JP2007310156A (ja) * 2006-05-18 2007-11-29 Seiko Epson Corp 膜形成方法、電気光学基板の製造方法、及び電気光学装置の製造方法、並びに機能膜、電気光学基板、電気光学装置、及び電子機器
CN101091231A (zh) * 2004-12-30 2007-12-19 E.I.内穆尔杜邦公司 用于电子器件的容纳结构

Family Cites Families (39)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH05163488A (ja) 1991-12-17 1993-06-29 Konica Corp 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子
US5443922A (en) 1991-11-07 1995-08-22 Konica Corporation Organic thin film electroluminescence element
JP3633229B2 (ja) 1997-09-01 2005-03-30 セイコーエプソン株式会社 発光素子の製造方法および多色表示装置の製造方法
KR100660384B1 (ko) 1998-03-17 2006-12-21 세이코 엡슨 가부시키가이샤 표시장치의 제조방법
TW471011B (en) * 1999-10-13 2002-01-01 Semiconductor Energy Lab Thin film forming apparatus
CN1293642C (zh) 1999-11-29 2007-01-03 皇家菲利浦电子有限公司 有机电致发光器件及其制造方法
TW461228B (en) 2000-04-26 2001-10-21 Ritdisplay Corp Method to manufacture the non-photosensitive polyimide pixel definition layer of organic electro-luminescent display panel
JP3628997B2 (ja) * 2000-11-27 2005-03-16 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法
TWI257496B (en) * 2001-04-20 2006-07-01 Toshiba Corp Display device and method of manufacturing the same
JP4651860B2 (ja) 2001-06-01 2011-03-16 本田技研工業株式会社 燃料電池スタック
JP2003280600A (ja) 2002-03-20 2003-10-02 Hitachi Ltd 表示装置およびその駆動方法
JP2004192935A (ja) 2002-12-11 2004-07-08 Hitachi Displays Ltd 有機el表示装置
JP2005267984A (ja) 2004-03-17 2005-09-29 Sanyo Electric Co Ltd 有機el表示装置
JP4225237B2 (ja) 2004-04-21 2009-02-18 セイコーエプソン株式会社 有機el装置及び有機el装置の製造方法並びに電子機器
WO2006054421A1 (ja) * 2004-10-28 2006-05-26 Sharp Kabushiki Kaisha 有機エレクトロルミネセンスパネル及びその製造方法、並びに、カラーフィルタ基板及びその製造方法
JP2006140205A (ja) 2004-11-10 2006-06-01 Toppan Printing Co Ltd 電磁波遮蔽材およびその製造方法、ならびにディスプレイ用フィルム
JP2006185869A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Asahi Glass Co Ltd 有機電界発光素子及びその製造方法
US7994711B2 (en) 2005-08-08 2011-08-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and manufacturing method thereof
JP2007073499A (ja) 2005-08-08 2007-03-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置およびその作製方法
GB0517195D0 (en) 2005-08-23 2005-09-28 Cambridge Display Tech Ltd Molecular electronic device structures and fabrication methods
JP2007165167A (ja) * 2005-12-15 2007-06-28 Optrex Corp 有機el表示パネルおよびその製造方法
JP2007287354A (ja) * 2006-04-12 2007-11-01 Hitachi Displays Ltd 有機el表示装置
JP2007311235A (ja) 2006-05-19 2007-11-29 Seiko Epson Corp デバイス、膜形成方法、及びデバイスの製造方法
WO2008105153A1 (ja) 2007-02-27 2008-09-04 Panasonic Corporation 表示装置
KR100927296B1 (ko) 2007-05-28 2009-11-18 파나소닉 주식회사 유기 el 디바이스 및 표시장치
JP4967926B2 (ja) 2007-08-23 2012-07-04 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
US8083956B2 (en) 2007-10-11 2011-12-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing display device
JP4952652B2 (ja) * 2008-05-14 2012-06-13 ミツミ電機株式会社 電子機器
JP4885906B2 (ja) 2008-05-16 2012-02-29 パナソニック株式会社 発光装置の製造方法
JP4678421B2 (ja) 2008-05-16 2011-04-27 ソニー株式会社 表示装置
JP2010225515A (ja) * 2009-03-25 2010-10-07 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンスディスプレイ及びその製造方法
EP2429263B1 (en) 2009-04-09 2018-07-18 Joled Inc. Organic electroluminescent display device
WO2011077477A1 (ja) 2009-12-22 2011-06-30 パナソニック株式会社 表示装置とその製造方法
JP5574114B2 (ja) 2009-12-22 2014-08-20 パナソニック株式会社 表示装置とその製造方法
JP5574112B2 (ja) 2009-12-22 2014-08-20 パナソニック株式会社 表示装置とその製造方法
WO2012049718A1 (ja) 2010-10-15 2012-04-19 パナソニック株式会社 有機発光パネルとその製造方法、および有機表示装置
JP5677315B2 (ja) 2010-10-15 2015-02-25 パナソニック株式会社 有機発光パネルとその製造方法、および有機表示装置
JP5677316B2 (ja) 2010-10-15 2015-02-25 パナソニック株式会社 有機発光パネルとその製造方法、および有機表示装置
JP5677317B2 (ja) 2010-10-15 2015-02-25 パナソニック株式会社 有機発光パネルとその製造方法、および有機表示装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10133194A (ja) * 1996-10-31 1998-05-22 Seiko Epson Corp カラーフィルター、液晶表示装置およびその製造方法
CN1345469A (zh) * 1999-11-29 2002-04-17 皇家菲利浦电子有限公司 有机电致发光器件及其制造方法
GB2391686A (en) * 2002-07-31 2004-02-11 Dainippon Printing Co Ltd Electroluminescent display
CN101091231A (zh) * 2004-12-30 2007-12-19 E.I.内穆尔杜邦公司 用于电子器件的容纳结构
JP2007310156A (ja) * 2006-05-18 2007-11-29 Seiko Epson Corp 膜形成方法、電気光学基板の製造方法、及び電気光学装置の製造方法、並びに機能膜、電気光学基板、電気光学装置、及び電子機器

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