JP2009021164A - 表示装置及び表示装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】表示品位が良好であり、且つ、信頼性の向上及び長寿命化が可能な表示装置を提供することを目的とする。
【解決手段】配線基板１００のアクティブエリアにおいて、マトリクス状の画素のそれぞれに備えられた自発光素子６０と、各画素を分離する隔壁７０と、を備えたアレイ基板１０を備え、
アレイ基板１０は、さらに、自発光素子６０から隔離され配線基板１００の主面１００Ａから所定の高さを有する支持体１１０を備えたことを特徴とする。
【選択図】図４Ａ

Description

この発明は、表示装置及び表示装置の製造方法に係り、特に、所定の開口パターンを有する蒸着マスクを介した蒸着工程を経て形成される自発光素子を備えた表示装置及びその製造方法に関する。

近年、平面表示装置として、有機エレクトロルミネッセンス（ＥＬ）表示装置が注目されている。この有機ＥＬ表示装置は、自発光素子である有機ＥＬ素子を備えていることから、視野角が広く、バックライトを必要とせず薄型化が可能であり、消費電力が抑えられ、且つ応答速度が速いといった特徴を有している。これらの特徴から、有機ＥＬ表示装置は、液晶表示装置に代わる、次世代平面表示装置の有力候補として注目を集めている。

有機ＥＬ素子は、画素回路などとともにアレイ基板に備えられ、陽極と陰極との間に発光機能を有する有機化合物を含む有機活性層を保持して構成されている。しかしながら、このような有機ＥＬ素子に用いられる材料、特に、有機活性層を構成する材料には、水分や酸素により劣化しやすいものが含まれる。このため、有機ＥＬ素子は、アレイ基板に対向配置された封止基板により、不活性ガス雰囲気中あるいは真空中で気密に封止されている。

有機ＥＬ表示装置としては、有機ＥＬ素子で発生した光をアレイ基板側から外部に取り出す下面発光（ボトムエミッション）方式、及び、有機ＥＬ素子で発生した光を封止基板側から外部に取り出す上面発光（トップエミッション）方式がある。

このような有機ＥＬ素子の製造工程において、低分子系の有機化合物からなる有機活性層を形成する工程においては、蒸着源から飛散した材料源を蒸着する蒸着法を適用可能である（例えば、特許文献１参照）。
特開２００４−３２３８８８号公報

カラー表示可能な有機ＥＬ表示装置を実現するための代表的な方法として、例えば、赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色にそれぞれ発光する複数種類の色画素を配置する方法が挙げられる。これらの各色画素にそれぞれ配置される有機活性層（特に、発光層）の形成方法として、表示素子領域に対応した開口パターンを有する蒸着マスクを介して低分子系の有機化合物を蒸着するマスク蒸着法が適用可能である。

有機ＥＬ素子の形成プロセスは、例えば、以下の通りである。まず、各画素に第１電極を形成する。この第１電極を形成した領域が発光する表示素子領域に相当する。この第１電極の周囲には、画素間を分離するために第１電極よりも高い（厚い）隔壁が形成される。続いて、表示素子領域に対応した開口パターンを有する蒸着マスクを配置する。このような状態で蒸着用のチャンバーにて、蒸着マスクを介して材料源を蒸着することにより、第１電極上に有機活性層が形成される。材料源が蒸着される領域は、ほぼ開口パターンと同等の大きさになるが、蒸着面すなわち第１電極の表面から蒸着マスクまでの距離によっては、開口パターンよりも広い領域となる。隔壁は、蒸着マスクを保持し、第１電極と一定の距離を保ちつつ、隣接する別の色画素の表示素子領域と分離する機能を持つ。続いて、有機活性層を覆うように第２電極を形成することにより、有機ＥＬ素子が形成される。このような有機ＥＬ素子は、第１電極と第２電極との間に電流を流すことにより発光し、電流量に応じて発光量（輝度）が調整される。

このようなマスク蒸着法を適用する場合、蒸着マスクに部分的な突起があると、蒸着マスクを隔壁に近接ないし接触させたときに、この突起が隔壁に接触して隔壁の上面（すなわち第２電極が配置される面）を損傷してしまうことがある。また、蒸着マスクを配置する際に、蒸着マスクと隔壁の上面との間に異物が挟持されてしまった場合にも、同様の問題が生ずるおそれがある。このような損傷は、隔壁上面の平滑性を損なうことになる。このため、後に形成される第２電極は、隔壁の上面にも配置されるが、損傷を受けた部分にピンホールが形成され、隔壁のカバレッジ不良を招くことがある。

すなわち、本来、第２電極は隔壁を全体的に覆うように形成されるが、損傷箇所は起伏が大きいため、第２電極によって十分に覆われないことがある。つまり、隔壁の一部が第２電極から露出することになる。

隔壁は、一般に樹脂材料をパターニングすることによって形成される。このような樹脂材料は、性質上、若干の透湿性を有している場合がある。このため、第２電極のピンホールから水分が浸入し、隔壁内に拡散していく現象が発生し得るモードがある。一方、有機ＥＬ素子は、水分や酸素によって劣化が加速される性質を持っており、水分浸入によって輝度の低下を招き、時間の経過に伴って正常輝度で発光しなくなるという事態が生じることがある。つまり、第２電極のピンホール周辺の画素においては、他の画素よりも有機ＥＬ素子の劣化が急速に進行し、発光輝度にムラが生ずることにつながる。

一方で、第２電極のピンホールから各部に含まれる水分やガス成分、特に樹脂材料に含まれる水分が外部に発散する現象が発生し得るモードもある。この場合には、正常な画素において、時間の経過に伴って次第に劣化していく一方で、ピンホール周辺の画素においては、劣化の度合いが小さく、発光輝度にムラが生ずることがある。

この発明は、上述した問題点に鑑みなされたものであって、その目的は、表示品位が良好であり、且つ、信頼性の向上及び長寿命化が可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することにある。

この発明の第１態様による表示装置は、
配線基板のアクティブエリアにおいて、マトリクス状の画素のそれぞれに備えられた自発光素子と、各画素を分離する隔壁と、を備えた第１基板と、
前記第１基板の前記自発光素子側に対向して配置された第２基板と、を備え、
前記第１基板は、さらに、前記自発光素子から隔離され前記配線基板の主面から所定の高さを有する支持体を備えたことを特徴とする。

この発明の第２態様による表示装置の製造方法は、
アクティブエリアにおいて、マトリクス状の画素のそれぞれに配置された第１電極と、前記第１電極が配置された表示素子領域から隔離され所定の高さを有する支持体と、を備えた配線基板を用意する工程と、
前記表示素子領域に対応した開口パターンを有する蒸着マスクを前記支持体に載置し、前記蒸着マスクを介して発光機能を有する有機化合物を含む材料を前記第１電極上に蒸着して有機活性層を形成する工程と、
前記蒸着マスクを除去して、前記有機活性層上に第２電極を形成する工程と、
を備えたことを特徴とする。

この発明によれば、表示品位が良好であり、且つ、信頼性の向上及び長寿命化が可能な表示装置及び表示装置の製造方法を提供することが可能となる。

以下、この発明の一実施の形態に係る表示装置及び表示装置の製造方法について図面を参照して説明する。なお、この実施の形態では、表示装置として、自己発光型表示装置、例えばトップエミッション方式の有機ＥＬ（エレクトロルミネッセンス）表示装置を例にして説明する。

図１に示すように、有機ＥＬ表示装置１は、アレイ基板（第１基板）１０と、このアレイ基板１０に対向して配置された封止基板（第２基板）２０と、を備えている。このような構成の有機ＥＬ表示装置１は、画像を表示する略多角形状のアクティブエリア１２を有している。アクティブエリア１２は、マトリクス状に配置された複数の画素ＰＸによって構成されており、図１に示した例では、長方形状に形成されている。また、図１では、カラー表示タイプの有機ＥＬ表示装置１を例に示しており、アクティブエリア１２は、複数種類の色画素、例えば３原色に対応した赤色画素ＰＸＲ、緑色画素ＰＸＧ、及び、青色画素ＰＸＢによって構成されている。これらのアレイ基板１０と封止基板２０とは、アクティブエリア１２を囲むように枠状に配置されたシール材３０により貼り合せられている。

各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、画素回路４０及びこの画素回路４０によって駆動制御される表示素子６０を備えている。図２に画素回路４０の一例を示すが、他の構成の画素回路を適用しても良いことは言うまでもない。

図２に示すように、画素回路４０は、第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、第３スイッチＳＷ３、第４スイッチＳＷ４、蓄積容量素子ＣＳなどを備えて構成されている。第１スイッチＳＷ１は、表示素子６０に供給する電流量を制御する機能を有している。第２スイッチＳＷ２及び第３スイッチＳＷ３は、サンプル・ホールドスイッチとして機能する。第４スイッチ素子ＳＷ４は、第１スイッチＳＷ１から表示素子６０への駆動電流の供給を制御する機能を有している。蓄積容量素子ＣＳは、第１スイッチＳＷ１のゲートーソース間の電位を保持する機能を有している。

第１スイッチＳＷ１は、電源線Ｐと第４スイッチＳＷ４との間に接続されている。第１スイッチＳＷ１のゲート電極は第２スイッチＳＷ２に接続されている。第４スイッチＳＷ４は、第１スイッチＳＷ１と表示素子６０との間に接続されている。第４スイッチＳＷ４のゲート電極は、第１ゲート線ＧＬ１に接続されている。

第２スイッチＳＷ２は、信号線ＳＬと第１スイッチＳＷ１及び第４スイッチＳＷ４との間に接続されている。第３スイッチＳＷ３は、第１スイッチＳＷ１と第２スイッチＳＷ２との間に接続されている。第２スイッチＳＷ２及び第３スイッチＳＷ３のゲート電極は、第２ゲート線ＧＬ２に接続されている。

これらの第１スイッチＳＷ１、第２スイッチＳＷ２、第３スイッチ素子ＳＷ３、及び、第４スイッチＳＷ４は、例えば薄膜トランジスタによって構成され、その半導体層は、ここではポリシリコンによって形成されている。

このような回路構成の場合、第２ゲート線ＧＬ２からオン信号が供給されたのに基づいて第２スイッチＳＷ２及び第３スイッチＳＷ３がオンとなり、信号線ＳＬを流れる電流に応じて電源線Ｐから電流が第１スイッチＳＷ１を流れ、また、第１スイッチＳＷ１を流れる電流に応じて蓄積容量素子ＣＳが充電される。そして、第１ゲート線ＧＬ１からオン信号が供給されたのに基づいて第４スイッチＳＷ４がオンとなり、蓄積容量素子ＣＳで保持した容量に応じた電流が第１スイッチＳＷ１を介して第４スイッチＳＷ４を流れる。これにより、表示素子６０に所定の輝度に応じた電流が供給される。

表示素子６０は、自発光素子である有機ＥＬ素子６０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）によって構成されている。すなわち、赤色画素ＰＸＲは、主に赤色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子６０Ｒを備えている。緑色画素ＰＸＧは、主に緑色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子６０Ｇを備えている。青色画素ＰＸＢは、主に青色波長に対応した光を出射する有機ＥＬ素子６０Ｂを備えている。

各種有機ＥＬ素子６０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）は、基本的に同一構成であり、例えば、図３に示すように、配線基板１００上に配置されている。なお、配線基板１００は、ガラス基板やプラスチックシートなどの絶縁性の支持基板１０１の上に、アンダーコート層１０２、ゲート絶縁膜１０３、層間絶縁膜１０４を備える他に、画素回路４０や各種配線などを備えて構成されたものとする。そして、層間絶縁膜１０４の表面が配線基板１００の主面１００Ａに相当する。これらのアンダーコート層１０２、ゲート絶縁膜１０３、及び、層間絶縁膜１０４は、酸化シリコン膜や窒化シリコン膜などの無機系材料によって形成されている。図３に示した例では、有機ＥＬ素子６０と配線基板１００との間に平坦化膜１０５が介在している。この平坦化膜１０５は、絶縁性の樹脂材料を用いてパターニングすることにより形成されている。

有機ＥＬ素子６０は、各画素ＰＸに独立島状に配置された第１電極６１と、第１電極６１に対向して配置され複数の画素ＰＸに共通の第２電極６２と、これらの第１電極６１と第２電極６２との間に保持された有機活性層６３と、によって構成されている。

第１電極６１は、平坦化膜１０５の上に配置され、陽極として機能する。この第１電極６１は、平坦化膜１０５に形成されたコンタクトホールを介して第４スイッチＳＷ４に接続されている。トップエミッション方式の場合、第１電極６１は、反射層を含んでいることが望ましい。

有機活性層６３は、第１電極６１上に配置され、少なくとも発光層を含んでいる。この有機活性層６３は、発光層以外の層として、例えば、ホール輸送層、ホール注入層、ブロッキング層、電子輸送層、電子注入層、バッファ層などを含んでも良いし、またこれらを機能的に複合した層を含んでもよい。発光層は、赤、緑、または青に発光する発光機能を有する有機化合物によって形成される。このような有機活性層６３は、低分子系の材料を用いて蒸着法などのドライプロセスを経て形成可能である。

第２電極６２は、有機活性層６３を覆うように配置され、陰極として機能する。この第２電極６２は、アクティブエリア１２の周囲に配置されコモン電位、ここでは接地電位を供給する図示しない第２電極電源線に接続されている。このような第２電極は、トップエミッション方式の場合、光透過性を有する導電材料により形成されている。

また、アレイ基板１０は、アクティブエリア１２において、各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）を分離する隔壁７０を備えている。隔壁７０は、第１電極６１の周縁を覆うように格子状またはストライプ状に配置されている。このような隔壁７０は、絶縁性の樹脂材料を用いてパターニングすることによって形成されている。また、隔壁７０は、有機活性層６３とともに、第２電極６２によって覆われている。

封止基板２０は、アレイ基板１０の有機ＥＬ素子６０側に対向するように配置されている。そして、封止基板２０は、その周縁部２１に塗布されたシール材３０によりアレイ基板１０と貼り合わせられている。これにより、有機ＥＬ素子６０は、気密なスペースに封止される。トップエミッション方式の場合、封止基板２０の内面（すなわちアレイ基板１０と対向する面）には、周縁部２１とアクティブエリア１２と間に乾燥剤ＤＡが配置されている。また、アレイ基板１０の外面（すなわち支持基板１０１の有機ＥＬ素子６０が配置される面とは反対側の面）には、偏光板などの光学素子ＯＤが配置されている。

上述したような有機ＥＬ表示装置において、アレイ基板１０は、有機ＥＬ素子６０（もしくは、第１電極６１が配置された領域に相当する表示素子領域）から隔離されているとともに配線基板１００の主面１００Ａから所定の高さを有する支持体を備えている。以下に、支持体の構成についてより詳細に説明する。

《第１実施形態》
第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置においては、図４Ａに示すように、配線基板１００の主面１００Ａに配置された支持体１１０は、主面１００Ａから隔壁７０の頂点（上面）７０Ｔまでの高さＨ１よりも高い高さＨ２を有している。第１構成例に係る支持体１１０は、複数の層を積層した積層体によって構成されている。

すなわち、図４Ａに示した第１構成例では、支持体１１０は、配線基板１００の上に配置された第１樹脂層１１１と、第１樹脂層１１１に積層された第２樹脂層１１２と、第２樹脂層１１２に積層された第３樹脂層１１３と、によって構成されている。

第１樹脂層１１１は、平坦化膜１０５と同一層の樹脂層であり、配線基板１００の上に成膜された樹脂材料をパターニングすることにより形成可能である。また、この第１樹脂層１１１においては、有機ＥＬ素子６０（もしくは表示素子領域ＰＤ）と支持体１１０との間に溝Ｇ１が形成されている。つまり、樹脂材料のパターニングにより、支持体１１０を構成する第１樹脂層１１１と、有機ＥＬ素子６０の下地層として機能する平坦化膜１０５とが同時に形成されるとともに、第１樹脂層１１１と平坦化膜１０５とが互いに分離される。

第２樹脂層１１２は、隔壁７０と同一層の樹脂層であり、平坦化膜１０５及び第１樹脂層１１１の上に成膜された樹脂材料をパターニングすることにより形成可能である。また、この第２樹脂層１１２においては、有機ＥＬ素子６０（もしくは表示素子領域ＰＤ）と支持体１１０との間に溝Ｇ２が形成されている。つまり、樹脂材料のパターニングにより、支持体１１０を構成する第２樹脂層１１２と、隔壁７０とが同時に形成されるとともに、第２樹脂層１１２と隔壁７０とが互いに分離される。

第３樹脂層１１３は、第２樹脂層１１２の上に成膜された樹脂材料をパターニングすることにより形成可能である。この第３樹脂層１１３は、隔壁７０から分離された第２樹脂層１１２の上に島状に配置されている。

このような第１構成例の支持体１１０によれば、第１樹脂層１１１及び第２樹脂層１１２において、それぞれ形成された溝Ｇ１及びＧ２によって、平坦化膜１０５及び隔壁７０とは物理的に切り離された状態となり、有機ＥＬ素子６０もしくは表示素子領域ＰＤから隔離することが可能となる。つまり、ここでの「隔離」とは、樹脂材料からなる層を介して支持体１１０と有機ＥＬ素子６０もしくは表示素子領域ＰＤとが繋がっていない状態に相当する。

このような支持体１１０を備えた配線基板１００において、有機ＥＬ素子６０の形成プロセスは、以下の通りである。まず、図４Ａに示すように、第１電極６１と、表示素子領域ＰＤから隔離された支持体１１０とを備えた配線基板１００を用意する。続いて、図４Ｂに示すように、表示素子領域ＰＤに対応した開口パターンＯＰを有する蒸着マスクＭを支持体１１０に載置し、蒸着マスクＭを介して発光機能を有する有機化合物を含む材料を第１電極６１の上に蒸着して有機活性層６３を形成する。ここで適用される蒸着マスクＭは、金属あるいは同等の性質を持った基材に開口パターンを形成したものである。続いて、図４Ｃに示すように、蒸着マスクＭを除去して、有機活性層６３の上に第２電極６２を形成する。このような工程により、有機ＥＬ素子６０が形成される。

この形成プロセスにおいて、支持体１１０は、表示素子領域ＰＤにおける最高の高さつまり配線基板１００の主面１００Ａから隔壁７０の上面７０Ｔまでの高さＨ１よりも高い高さＨ２を有している。このため、支持体１１０は、蒸着マスクＭが支持体１１０に接触するように載置されたとしても、表示素子領域ＰＤからは離間した状態で蒸着マスクＭを支持する。つまり、隔壁７０の上面７０Ｔと蒸着マスクＭとの間には、支持体１１０の高さＨ２と表示素子領域ＰＤの高さＨ１との差分に相当するスペースが形成される。

したがって、蒸着マスクＭが直接隔壁７０に接触することがなく、隔壁７０の損傷を防止することが可能となる。また、蒸着マスクＭが支持体１１０に接触したことにより、支持体１１０が損傷を受け、この支持体１１０を覆う第２電極６２にピンホールが形成されたとしても、支持体１１０と有機ＥＬ素子６０とを繋ぐ水分のパスがない。

例えば、図４Ｄ及び図４Ｅに示すように、支持体１１０が損傷を受け、第２電極６２にピンホールＰＨが形成されたとする。このピンホールＰＨを介して浸入した水分は、支持体１１０において、第３樹脂層１１３、第２樹脂層１１２、第１樹脂層１１１へと順次移動するが、溝Ｇ１及びＧ２によって有機ＥＬ素子６０側への移動が阻止される。当然のことながら、有機ＥＬ素子６０の周辺の樹脂材料に含まれる水分等の支持体１１０への移動も阻止される。このため、ピンホールＰＨの周辺の画素の有機ＥＬ素子６０であっても、他の画素の有機ＥＬ素子と同等の発光特性を維持することが可能となる。

一方、図５Ａ及び図５Ｂに示したような比較例では、隔壁７０が損傷を受け、第２電極６２にピンホールＰＨが形成された場合には、ピンホールＰＨを介して浸入した水分は、隔壁７０から有機ＥＬ素子６０に移動し、特に、有機活性層６３にダメージを与える。このため、有機ＥＬ素子６０において、ピンホールＰＨに近接する部分から劣化し、他の画素の有機ＥＬ素子よりも発光特性が低下してしまう場合がある。一方で、有機ＥＬ素子６０の周辺の樹脂材料に含まれる水分等はピンホールＰＨから外部に発散されやすくなる。このため、有機ＥＬ素子６０において、ピンホールＰＨに近接する部分での劣化が進行しにくく、他の画素の有機ＥＬ素子よりも良好な発光特性が維持される場合もある。

このように、第１実施形態によれば、支持体１１０から浸入した水分の有機ＥＬ素子６０への移動、及び、有機ＥＬ素子６０周辺の樹脂材料から拡散した水分の支持体１１０への移動が抑制され、局所的な画素での有機ＥＬ素子６０の特性変化を防止することが可能となる。

第１構成例においては、支持体１１０は、複数の樹脂層を積層した積層体によって構成したが、この例に限らず、導電層を含んでいても良い。このとき、支持体１１０は、各画素に有機ＥＬ素子６０を形成するのに必要な絶縁層や導電層と同一の層を含むことが望ましい。これにより、支持体１１０を形成するためのプロセスが大幅に増えることがなく、製造コストの増大を抑制することが可能となる。

図６Ａ乃至図６Ｃに示した第２構成例では、支持体１１０は、配線基板１００の上に配置された第１樹脂層１１１と、第１樹脂層１１１に積層された第２樹脂層１１２と、第２樹脂層１１２に積層された第３樹脂層１１３と、によって構成されている。また、この支持体１１０は、第１樹脂層１１１と第２樹脂層１１２との間、及び、第２樹脂層１１２と第３樹脂層１１３との間の少なくとも一方に配置された防水層１１４を備えている。

図６Ａに示した例では、防水層１１４は、第１樹脂層１１１と第２樹脂層１１２との間に配置されている。図６Ｂ及び図６Ｃに示した例では、防水層１１４は、第２樹脂層１１２と第３樹脂層１１３との間に配置されている。防水層１１４は、第１樹脂層１１１または第２樹脂層１１２の表面を改質するなどの水分の透過率を低減させる処理を施すことにより、第１樹脂層１１１または第２樹脂層１１２の表面に形成しても良いし、低透水性の金属膜などを別個に形成しても良い。

この第２構成例においては、第１樹脂層１１１は、平坦化膜１０５と同一層の樹脂層であり、配線基板１００の上に成膜された樹脂材料をパターニングすることにより形成可能である。また、この第１樹脂層１１１においては、有機ＥＬ素子６０（もしくは表示素子領域ＰＤ）と支持体１１０との間に溝を介することなく平坦化膜１０５と一体的に形成されている。つまり、支持体１１０と有機ＥＬ素子６０（もしくは表示素子領域ＰＤ）とは、樹脂材料からなる層を介して繋がっている。

第２樹脂層１１２は、隔壁７０と同一層の樹脂層であり、第１樹脂層１１１の上に成膜された樹脂材料をパターニングすることにより形成可能である。また、この第２樹脂層１１２において、図６Ａ及び図６Ｂに示した例では、有機ＥＬ素子６０（もしくは表示素子領域ＰＤ）と支持体１１０との間に溝Ｇ２が形成されている。つまり、支持体１１０を構成する第２樹脂層１１２と、隔壁７０とが互いに分離されている。

一方、図６Ｃに示した例では、第２樹脂層１１２において、有機ＥＬ素子６０（もしくは表示素子領域ＰＤ）と支持体１１０との間に溝を介することなく隔壁７０と一体的に形成されている。つまり、支持体１１０と有機ＥＬ素子６０（もしくは表示素子領域ＰＤ）とは、樹脂材料からなる層を介して繋がっている。

第３樹脂層１１３は、第２樹脂層１１２の上に成膜された樹脂材料をパターニングすることにより形成可能である。この第３樹脂層１１３は、隔壁７０から分離された第２樹脂層１１２の上に島状に配置されている。

このような第２構成例の支持体１１０によれば、図６Ｂ及び図６Ｃに示した例のように、第２樹脂層１１２とこの第２樹脂層１１２の上に島状に配置された第３樹脂層１１３との間に防水層１１４を備えたことにより、有機ＥＬ素子６０もしくは表示素子領域ＰＤから隔離することが可能となる。また、図６Ａに示した例のように、支持体１１０は、第１樹脂層１１１と第２樹脂層１１２との間に防水層１１４を備えるとともに、第２樹脂層１１２において形成された溝Ｇ２により、有機ＥＬ素子６０もしくは表示素子領域ＰＤから隔離することが可能となる。したがって、第１構成例と同様の効果が得られる。

図７に示した第３構成例では、支持体１１０は、配線基板１００の上に島状に配置された単一の樹脂層によって構成されている。この支持体１１０は、平坦化膜１０５や隔壁７０とは異なるプロセスにより一括して形成されたものであり、配線基板１００の上に成膜された樹脂材料をパターニングすることにより形成可能である。

このような第３構成例の支持体１１０によれば、配線基板１００の上において独立しているため、平坦化膜１０５及び隔壁７０とは物理的に切り離された状態となり、有機ＥＬ素子６０もしくは表示素子領域ＰＤから隔離することが可能となる。すなわち、樹脂材料からなる層を介して支持体１１０と有機ＥＬ素子６０もしくは表示素子領域ＰＤとが繋がっていない。したがって、第１構成例と同様の効果が得られる。

上述した第１実施形態において、特に、第１構成例及び第２構成例のように、３層の積層体によって支持体１１０を構成する場合、支持体１１０を構成する第２樹脂層１１２の上に島状に配置された第３樹脂層１１３は、第２樹脂層１１２よりも低透水性の樹脂材料を用いて形成してもよい。第２樹脂層１１２がハード・レジン・コート（ＨＲＣ）からなる場合、第３樹脂層１１３は、例えばポリイミドによって形成される。また、第３構成例のように、単一の樹脂層によって支持体１１０を構成する場合には、支持体１１０をポリイミドなどの低透水性の樹脂材料によって形成しても良い。また、このような樹脂層は、表示素子領域ＰＤの形成条件とは分離して水分を吸収しにくい独自材料を選択することも可能である。

これにより、溝Ｇ１及びＧ２や防水層１１４を適用しなくても、支持体１１０を有機ＥＬ素子６０もしくは表示素子領域ＰＤから隔離することが可能となる。

《第２実施形態》
第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置においては、図８Ａに示すように、配線基板１００の主面１００Ａに配置された支持体１１０は、主面１００Ａから隔壁７０の頂点（上面）７０Ｔまでの高さＨ１と同等以下の高さＨ２を有している。第１構成例に係る支持体１１０は、複数の層を積層した積層体によって構成され、高さＨ１と同等の高さＨ２を有している（Ｈ１＝Ｈ２）。

すなわち、図８Ａに示した第１構成例では、支持体１１０は、配線基板１００の上に配置された第１樹脂層１１１と、第１樹脂層１１１に積層された第２樹脂層１１２と、によって構成されている。

第１樹脂層１１１及び第２樹脂層１１２は、第１実施形態の第１構成例と同様に構成されている。すなわち、第１樹脂層１１１においては、有機ＥＬ素子６０（もしくは表示素子領域ＰＤ）と支持体１１０との間に溝Ｇ１が形成されている。また、第２樹脂層１１２においては、有機ＥＬ素子６０（もしくは表示素子領域ＰＤ）と支持体１１０との間に溝Ｇ２が形成されている。

このような第１構成例の支持体１１０によれば、第１樹脂層１１１及び第２樹脂層１１２において、それぞれ形成された溝Ｇ１及びＧ２によって、平坦化膜１０５及び隔壁７０とは物理的に切り離された状態となり、有機ＥＬ素子６０もしくは表示素子領域ＰＤから隔離することが可能となる。

このような支持体１１０を備えた配線基板１００において、有機ＥＬ素子６０の形成プロセスは、以下の通りである。まず、図８Ａに示すように、第１電極６１と、表示素子領域ＰＤから隔離された支持体１１０とを備えた配線基板１００を用意する。続いて、図８Ｂに示すように、表示素子領域ＰＤに対応した開口パターンＯＰを有するとともにスペーサＭＳを備えた蒸着マスクＭを支持体１１０に載置し、蒸着マスクＭを介して発光機能を有する有機化合物を含む材料を第１電極６１の上に蒸着して有機活性層６３を形成する。続いて、図８Ｃに示すように、蒸着マスクＭを除去して、有機活性層６３の上に第２電極６２を形成する。このような工程により、有機ＥＬ素子６０が形成される。

この形成プロセスにおいて、支持体１１０は、表示素子領域ＰＤにおける最高の高さつまり配線基板１００の主面１００Ａから隔壁７０の上面７０Ｔまでの高さＨ１と同等以下の高さＨ２を有している一方で、蒸着マスクＭが表示素子領域ＰＤの高さＨ１と支持体１１０の高さＨ２との差分以上の高さＨ３を有するスペーサＭＳを備えている。

このため、支持体１１０は、蒸着マスクＭに設けられたスペーサＭＳが支持体１１０に接触するように載置されたとき、表示素子領域ＰＤからは離間した状態で蒸着マスクＭのスペーサＭＳを支持する。つまり、隔壁７０の上面７０Ｔと蒸着マスクＭとの間には、スペーサＭＳの高さ分に相当するスペースが形成される。

したがって、蒸着マスクＭが直接隔壁７０に接触することがなく、隔壁７０の損傷を防止することが可能となる。また、蒸着マスクＭが支持体１１０に接触したことにより、支持体１１０が損傷を受け、この支持体１１０を覆う第２電極６２にピンホールが形成されたとしても、支持体１１０と有機ＥＬ素子６０とを繋ぐ水分のパスがない。

例えば、図８Ｄに示すように、支持体１１０が損傷を受け、第２電極６２にピンホールＰＨが形成されたとする。このピンホールＰＨを介して浸入した水分は、支持体１１０において、第２樹脂層１１２、第１樹脂層１１１へと順次移動するが、溝Ｇ１及びＧ２によって有機ＥＬ素子６０側への移動が阻止される。当然のことながら、有機ＥＬ素子６０の周辺の樹脂材料に含まれる水分等の支持体１１０への移動も阻止される。このため、ピンホールＰＨの周辺の画素の有機ＥＬ素子６０であっても、他の画素の有機ＥＬ素子と同等の発光特性を維持することが可能となる。

このように、第２実施形態によれば、第１実施形態と同様に、支持体１１０から浸入した水分の有機ＥＬ素子６０への移動、及び、有機ＥＬ素子６０周辺の樹脂材料から拡散した水分の支持体１１０への移動が抑制され、局所的な画素での有機ＥＬ素子６０の特性変化を防止することが可能となる。

第１構成例においては、支持体１１０は、複数の樹脂層を積層した積層体によって構成したが、この例に限らず、導電層を含んでいても良い。このとき、支持体１１０は、各画素に有機ＥＬ素子６０を形成するのに必要な絶縁層や導電層と同一の層を含むことが望ましい。これにより、支持体１１０を形成するためのプロセスが大幅に増えることがなく、製造コストの増大を抑制することが可能となる。

図９に示した第２構成例では、支持体１１０は、配線基板１００の上に配置された第１樹脂層１１１と、第１樹脂層１１１に積層された第２樹脂層１１２と、によって構成されている。また、この支持体１１０は、第１樹脂層１１１と第２樹脂層１１２との間に配置された防水層１１４を備えている。

第１樹脂層１１１、第２樹脂層１１２、及び、防水層１１４は、第１実施形態の第２構成例と同様に構成されている。すなわち、第２樹脂層１１２においては、有機ＥＬ素子６０（もしくは表示素子領域ＰＤ）と支持体１１０との間に溝Ｇ２が形成されている。

このような第２構成例の支持体１１０によれば、図６Ａに示した例のように、第１樹脂層１１１と第２樹脂層１１２との間に防水層１１４を備えるとともに、第２樹脂層１１２において形成された溝Ｇ２により、有機ＥＬ素子６０もしくは表示素子領域ＰＤから隔離することが可能となる。したがって、第１構成例と同様の効果が得られる。

図１０に示した第３構成例では、支持体１１０は、配線基板１００の上に島状に配置された単一の樹脂層によって構成されている。この支持体１１０は、配線基板１００の上に成膜された樹脂材料をパターニングすることにより形成可能である。

このような第３構成例の支持体１１０によれば、配線基板１００の上において独立しているため、平坦化膜１０５及び隔壁７０とは物理的に切り離された状態となり、有機ＥＬ素子６０もしくは表示素子領域ＰＤから隔離することが可能となる。すなわち、樹脂材料からなる層を介して支持体１１０と有機ＥＬ素子６０もしくは表示素子領域ＰＤとが繋がっていない。したがって、第１構成例と同様の効果が得られる。

上述した第２実施形態において、特に、第１構成例及び第２構成例のように、２層の積層体によって支持体１１０を構成する場合、支持体１１０を構成する第１樹脂層１１１の上に島状に配置された第２樹脂層１１２は、第１樹脂層１１１よりも低透水性の樹脂材料を用いて形成してもよい。第１樹脂層１１１がハード・レジン・コート（ＨＲＣ）からなる場合、第２樹脂層１１２は、例えばポリイミドによって形成される。また、第３構成例のように、単一の樹脂層によって支持体１１０を構成する場合には、支持体１１０をポリイミドなどの低透水性の樹脂材料によって形成しても良い。

これにより、溝Ｇ１及びＧ２や防水層１１４を適用しなくても、支持体１１０を有機ＥＬ素子６０もしくは表示素子領域ＰＤから隔離することが可能となる。

上述した第２実施形態においては、第１乃至第３構成例のいずれも支持体１１０は、高さＨ１と同等の高さＨ２を有している（Ｈ１＝Ｈ２）。図１１に示した第４構成例では、支持体１１０は、高さＨ１よりも低い高さＨ２を有している（Ｈ１＞Ｈ２）。この支持体１１０は、配線基板１００の上に配置された第１樹脂層１１１によって構成されている。この第１樹脂層１１１は、平坦化膜１０５と同一層の樹脂層であり、配線基板１００の上に成膜された樹脂材料をパターニングすることにより形成可能である。また、この第１樹脂層１１１においては、有機ＥＬ素子６０（もしくは表示素子領域ＰＤ）と支持体１１０との間に溝Ｇ１が形成されている。つまり、第１樹脂層１１１と平坦化膜１０５とが互いに分離されている。このため、支持体１１０を有機ＥＬ素子６０もしくは表示素子領域ＰＤから隔離することが可能となる。

なお、この第４構成例に対しては、高さＨ１と高さＨ２との差分よりも大きな高さを有するスペーサＭＳを備えた蒸着マスクＭを適用することにより、蒸着マスクＭと表示素子領域ＰＤとの接触を防止することが可能となる。

《支持体の配置パターン》
図１２に示すように、支持体１１０は、アクティブエリア１２の外側に配置されても良い。このようなアクティブエリア１２の外側は、画素のレイアウトの制約を受けにくいため、比較的大きなサイズの支持体１１０を形成しやすい。また、画素とは十分に離れているため、たとえ支持体１１０が損傷を受けたとしても、各画素の有機ＥＬ素子６０への影響は少ない。

一方で、支持体１１０は、アクティブエリア１２に配置されても良い。アクティブエリア１２においては、大きなサイズの支持体１１０を形成することは難しいが、微細なサイズの支持体１１０を必要な密度で形成しやすい。また、支持体１１０の周囲を溝で囲む、有機ＥＬ素子６０の周囲を溝で囲む、あるいは、支持体１１０が防水層や低透水性の樹脂材料からなる層を含むことにより、支持体１１０と有機ＥＬ素子６０とを隔離することができる。このため、支持体１１０が損傷を受けたとしても、各画素の有機ＥＬ素子６０への影響は少ない。

図２に示したように、各画素ＰＸは、有機ＥＬ素子６０が配置される表示素子領域、及び、この表示素子領域以外の領域、ここでは画素回路４０が配置される回路領域を有している。アクティブエリア１２に支持体１１０を配置する場合、このような回路領域が支持体１１０を配置するための領域として利用可能である。

トップエミッション方式の場合、表示素子領域も回路領域として活用することができ、表示素子領域をより大きく確保することができる。その場合には、表示素子領域に重複しなかった回路領域や各種配線が形成された領域を、回路領域として理解すれば、本発明の範囲を逸脱しない。すなわち、アクティブエリア１２に支持体を配置する場合、支持体１１０は、表示素子領域以外の領域を利用して配置すれば良い。なお、プロセス上の配慮から、支持体１１０が配置された部分と、各種スイッチや各種配線との重複部分などの位置を調整することも可能である。

支持体１１０は、各画素ＰＸに配置されても良い。図１３に示した例では、赤色画素ＰＸＲ、緑色画素ＰＸＧ、青色画素ＰＸＢが行方向に並んで配置されており、それぞれの画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）が画素回路４０を備えている。各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の画素回路４０は、行方向に並んで配置されている。このような画素回路４０が並んだ行方向に延在する領域は、支持体１１０を配置可能な回路領域に相当する。そして、ここでは、支持体１１０は、各画素ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の画素回路４０にそれぞれ重なるように配置されている。

また、支持体１１０は、ｎ画素おき（但し、ｎは正の整数）に配置されても良い。図１４に示した例では、赤色画素ＰＸＲ、緑色画素ＰＸＧ、青色画素ＰＸＢが繰り返しこの順序で行方向に並んで配置されている。そして、ここでは、支持体１１０は、行方向に、１画素おきに配置されている。また、図１５に示した例では、支持体１１０は、行方向に、２画素おきに配置されている。なお、このような場合、列方向においても同様に、支持体１１０は、ｎ画素おきに配置されても良い。また、図１４及び図１５に示した例では、支持体１１０は、規則性を持って配置されているが、ある程度非規則性を高め、回路領域内において少なくとも一部の領域ではランダムに配置してもよい。

さらに、支持体１１０は、複数の画素に跨って配置されても良い。図１６に示した例では、赤色画素ＰＸＲ、緑色画素ＰＸＧ、青色画素ＰＸＢが行方向に並んで配置されている。そして、ここでは、支持体１１０は、行方向に延在して３画素分の長さを持って配置されている。

なお、２画素分の長さを持つ支持体１１０をｎ画素おきに配置したり、ランダムに配置したりしても良い。また、図１６に示した例よりもさらに長い支持体１１０を配置しても良い。この場合、各種配線の上に支持体１１０を配置することも可能である。さらに、１画素分の長さを持つ支持体１１０を２つの画素に跨るように配置しても良い。

このような支持体１１０は、略円錐状、略円柱状、略角錐状、または、略角柱状に形成される。さらには、支持体１１０は、平面的にみて（つまり配線基板の主面と平行な断面が）楕円状のものや、直線状のものや、曲線状のものであってもよい。

上述した構成の支持体１１０の高さＨ２は、蒸着マスクＭを支持体１１０に載置したときに、蒸着マスクＭと隔壁７０の上面７０Ｔとの間に空隙が形成されるように設定される。例えば、第１実施形態においては、蒸着マスクＭは、支持体１１０によって保持され、しかも、隔壁７０の上面７０Ｔとの間で空隙を持って配置されることになる。また、第２実施形態においては、蒸着マスクＭは、そのスペーサＭＳにより支持体１１０によって保持され、しかも、隔壁７０の上面７０Ｔとの間で空隙を持って配置されることになる。

このとき、蒸着マスクＭの撓み分だけ隔壁７０に近接するが、１μｍ以下に保持できるように、支持体１１０の高さ及び配置、スペーサＭＳの高さ及び配置、さらには蒸着マスクＭの厚さ及び材料を選択可能である。蒸着マスクＭの厚さが１００μｍ〜５００μｍ程度であれば、１００μｍ〜５００μｍ程度の間隔で支持体１１０を配置することにより、撓み量は１μｍ以下と期待できる。このため、赤色画素、緑色画素、及び、青色画素のセット（ＲＧＢセット）サイズが２００μｍ□程度であれば、高さが１μｍ程度の支持体１１０をＲＧＢセット単位に配置することで十分に効果的といえる。

なお、蒸着マスクの上の突起（バリ）や異物、隔壁の上面の異物などの大きさを統計的にみて、蒸着マスクと隔壁との間の空隙量を調整することは可能であるが、過大にすると色画素毎に塗り分けるべき有機活性層が混じる混色現象を引き起こす可能性があり、１μｍ以下が目安と考えてよい。

以上説明したように、本実施形態によれば、有機ＥＬ素子を形成する過程の蒸着工程において、適用される蒸着マスクが表示素子領域の隔壁に接触しないように蒸着マスクを支持する支持体を備えている。また、支持体は、有機ＥＬ素子周囲と水分拡散の経路を分離して構成されている。

この支持体は、隔壁の形成工程と同一工程で少なくともその一部を形成する方法や独自に配置する方法などを適用することができる。また、この支持体は、隔壁などと要求される加工性などが異なるため、透湿性の低い材料を選定して構成することも可能である。さらに、支持体が防水層を含むように構成することも可能である。

蒸着マスクによるダメージは、支持体に限定して発生するが、損傷部分から浸透・拡散した水分は、有機ＥＬ素子に到達しないため、水分に起因する劣化加速を抑制することが可能である。このため、表示装置として使用した場合、時間の経過に伴い、一部の画素の有機ＥＬ素子が全体の輝度低下よりも早く劣化して非発光状態（滅点）となることを防ぐことができる。また、有機ＥＬ素子周辺に含まれる水分が損傷部分から発散されることもないため、表示装置として使用した場合、時間の経過に伴い、一部の画素の有機ＥＬ素子が全体の輝度低下よりも遅く劣化することによる表示バランスの低下も防ぐことができる。

このように、蒸着マスクの突起や異物などによる隔壁へのダメージを抑制することができ、これによって引き起こされる第２電極や表面保護層の段切れ（ピンホールなど）発生を抑制し、水分の影響による局所的な有機ＥＬ素子の劣化を防止することが可能となる。したがって、経時変化による画素の輝度低下や非点灯化を抑制、同様の画素の多量発生による表示装置としての使用不可現象の発生を防止、ひいては信頼性の高い表示デバイスを提供できる。

なお、この発明は、上記実施形態そのままに限定されるものではなく、その実施の段階ではその要旨を逸脱しない範囲で構成要素を変形して具体化できる。また、上記実施形態に開示されている複数の構成要素の適宜な組み合せにより種々の発明を形成できる。例えば、実施形態に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。更に、異なる実施形態に亘る構成要素を適宜組み合せてもよい。

例えば、上述した実施の形態では、上述した実施の形態においては、上面発光方式の有機ＥＬ表示装置を例に説明したが、下面発光方式の有機ＥＬ表示装置においても、上述した構成を採用することが可能である。

図１は、この発明の一実施の形態に係る有機ＥＬ表示装置の構成を概略的に示す図である。 図２は、図１に示した有機ＥＬ表示装置において画素を構成する表示素子及び画素回路の一例を示す図である。 図３は、上面発光方式の有機ＥＬ表示装置におけるアクティブエリアの構造を概略的に示す断面図である。 図４Ａは、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置に適用可能な第１構成例を説明するための断面図である。 図４Ｂは、図４Ａに示した第１構成例における有機活性層の蒸着工程を説明するための図である。 図４Ｃは、図４Ａに示した第１構成例における第２電極の形成工程を説明するための図である。 図４Ｄは、図４Ａに示した第１構成例において支持体上の第２電極にピンホールが形成された状態を示す平面図である。 図４Ｅは、図４Ｄに示したピンホールからの水分の浸入経路を説明するための図である。 図５Ａは、比較例において隔壁上の第２電極にピンホールが形成された状態を示す平面図である。 図５Ｂは、図５Ａに示したピンホールからの水分の浸入経路を説明するための図である。 図６Ａは、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置に適用可能な第２構成例を説明するための断面図である。 図６Ｂは、第１実施形態における他の第２構成例を説明するための断面図である。 図６Ｃは、第１実施形態における他の第２構成例を説明するための断面図である。 図７は、第１実施形態に係る有機ＥＬ表示装置に適用可能な第３構成例を説明するための断面図である。 図８Ａは、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置に適用可能な第１構成例を説明するための断面図である。 図８Ｂは、図８Ａに示した第１構成例における有機活性層の蒸着工程を説明するための図である。 図８Ｃは、図８Ａに示した第１構成例における第２電極の形成工程を説明するための図である。 図８Ｄは、図８Ａに示した第１構成例において支持体上の第２電極にピンホールが形成された状態でのピンホールからの水分の浸入経路を説明するための図である。 図９は、第２実施形態に係る有機ＥＬ表示装置に適用可能な第２構成例を説明するための断面図である。 図１０は、第２実施形態における第３構成例を説明するための断面図である。 図１１は、第２実施形態における第４構成例を説明するための断面図である。 図１２は、アクティブエリア外に配置した支持体を概略的に示す平面図である。 図１３は、アクティブエリア内において、各画素に配置した支持体を概略的に示す平面図である。 図１４は、アクティブエリア内において、１画素おきに配置した支持体を概略的に示す平面図である。 図１５は、アクティブエリア内において、２画素おきに配置した支持体を概略的に示す平面図である。 図１６は、アクティブエリア内において、複数の画素に跨って配置した支持体を概略的に示す平面図である。

符号の説明

ＰＸ（Ｒ、Ｇ、Ｂ）…画素 ＰＤ…表示素子領域
Ｍ…蒸着マスク ＯＰ…開口パターン ＭＳ…スペーサ
１…有機ＥＬ表示装置 １０…アレイ基板 １２…アクティブエリア ２０…封止基板 ３０…シール材 ４０…画素回路 ６０（Ｒ、Ｇ、Ｂ）…有機ＥＬ素子（表示素子;自発光素子） ６１…第１電極 ６２…第２電極 ６３…有機活性層 ７０…隔壁
１００…配線基板 １００Ａ…主面 １０１…支持基板 １０５…平坦化膜
１１０…支持体 １１１…第１樹脂層 １１２…第２樹脂層 １１３…第３樹脂層 １１４…防水層 Ｇ１…溝 Ｇ２…溝

Claims (25)

1. 配線基板のアクティブエリアにおいて、マトリクス状の画素のそれぞれに備えられた自発光素子と、各画素を分離する隔壁と、を備えた第１基板と、
   前記第１基板の前記自発光素子側に対向して配置された第２基板と、を備え、
   前記第１基板は、さらに、前記自発光素子から隔離され前記配線基板の主面から所定の高さを有する支持体を備えたことを特徴とする表示装置。
2. 前記支持体は、単一の樹脂層によって構成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
3. 前記支持体は、複数の層を積層した積層体によって構成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
4. 前記支持体は、少なくとも前記隔壁と同一の層を含むことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
5. 前記支持体は、前記隔壁よりも低透湿性の樹脂層を含むことを特徴とする請求項４に記載の表示装置。
6. 前記支持体は、防水層を含むことを特徴とする請求項３に記載の表示装置。
7. 前記支持体は、前記配線基板の主面から前記隔壁の頂点までの高さより高い高さを有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
8. 前記支持体は、前記配線基板上に配置された第１樹脂層と、前記第１樹脂層に積層され前記隔壁と同一層の第２樹脂層と、前記第２樹脂層に積層された第３樹脂層と、によって構成され、
   前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層において、前記自発光素子と前記支持体との間に溝が形成されたことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
9. 前記支持体は、前記配線基板上に配置された第１樹脂層と、前記第１樹脂層に積層され前記隔壁と同一層の第２樹脂層と、前記第２樹脂層に積層された第３樹脂層と、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層との間及び前記第２樹脂層と前記第３樹脂層との間の少なくとも一方に配置された防水層と、によって構成されたことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
10. 前記第２樹脂層において、前記自発光素子と前記支持体との間に溝が形成されたことを特徴とする請求項９に記載の表示装置。
11. 前記支持体は、前記配線基板上に配置された第１樹脂層と、前記第１樹脂層に積層され前記隔壁と同一層の第２樹脂層と、前記第２樹脂層に積層された第３樹脂層と、によって構成され、
    前記第３樹脂層は、前記第２樹脂層よりも低透水性の樹脂材料を用いて形成されたことを特徴とする請求項７に記載の表示装置。
12. 前記支持体は、前記配線基板の主面から前記隔壁の頂点までの高さと同等以下の高さを有することを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
13. 前記支持体は、前記配線基板上に配置された第１樹脂層と、前記第１樹脂層に積層され前記隔壁と同一層の第２樹脂層と、によって構成され、
    前記第１樹脂層及び前記第２樹脂層において、前記自発光素子と前記支持体との間に溝が形成されたことを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
14. 前記支持体は、前記配線基板上に配置された第１樹脂層と、前記第１樹脂層に積層され前記隔壁と同一層の第２樹脂層と、前記第１樹脂層と前記第２樹脂層との間に配置された防水層と、によって構成されたことを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
15. 前記第２樹脂層において、前記自発光素子と前記支持体との間に溝が形成されたことを特徴とする請求項１４に記載の表示装置。
16. 前記支持体は、前記配線基板上に配置された第１樹脂層によって構成され、
    前記第１樹脂層において、前記自発光素子と前記支持体との間に溝が形成されたことを特徴とする請求項１２に記載の表示装置。
17. 前記支持体は、前記アクティブエリアの外側に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
18. 前記支持体は、前記アクティブエリアに配置されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
19. 前記支持体は、各画素に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
20. 前記支持体は、ｎ画素おき（但し、ｎは正の整数）に配置されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
21. 前記支持体は、複数の画素に跨って配置されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
22. 前記支持体は、略円錐状、略円柱状、略角錐状、または、略角柱状に形成されたことを特徴とする請求項１に記載の表示装置。
23. アクティブエリアにおいて、マトリクス状の画素のそれぞれに配置された第１電極と、前記第１電極が配置された表示素子領域から隔離され所定の高さを有する支持体と、を備えた配線基板を用意する工程と、
    前記表示素子領域に対応した開口パターンを有する蒸着マスクを前記支持体に載置し、前記蒸着マスクを介して発光機能を有する有機化合物を含む材料を前記第１電極上に蒸着して有機活性層を形成する工程と、
    前記蒸着マスクを除去して、前記有機活性層上に第２電極を形成する工程と、
    を備えたことを特徴とする表示装置の製造方法。
24. 前記支持体は、前記表示素子領域よりも高い高さを有し、前記表示素子領域から離間した状態で前記蒸着マスクを支持することを特徴とする請求項２３に記載の表示装置の製造方法。
25. 前記支持体は、前記表示素子領域と同等以下の高さを有し、前記表示素子領域から離間した状態で前記蒸着マスクに設けたスペーサを支持することを特徴とする請求項２３に記載の表示装置の製造方法。

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