CN110416279B - 显示基板及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种显示基板及其制备方法，属于显示技术领域。本发明的一种显示基板，包括基底和设置在所述基底上的像素限定层，所述像素限定层具有多个容纳部；所述像素限定层包括沿背离基底方向依次设置的多层子限定层；对应同一容纳部的位置，每层所述子限定层都具有开口；其中，至少部分相邻两层所述子限定层的对应同一容纳部的开口尺寸不同。
Description
技术领域
本发明属于显示技术领域，具体涉及一种显示基板及其制备方法。
背景技术
溶液法加工制作OLED(Organic Light-Emitting Diode；有机发光二极管)以及QLED(Quantum Dot Light Emitting Diodes；量子点发光器件)显示器，具有低成本、高产能、易于实现大尺寸等优点，是显示技术发展的重要方向。其中，打印工艺被认为是实现OLED以及QLED低成本和大面积全彩显示的最有效途径。
但是在制备高分辨率的QLED显示器件时，打印工艺常常受限于墨水材料、像素限定层的材料的影响，QLED器件的各膜层的成膜厚度不均匀，导致QLED器件的发光效率较低。
发明内容
本发明旨在至少解决现有技术中存在的技术问题之一，提供一种显示器件的功能层的膜厚较为均匀的显示基板。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示基板，包括基底和设置在所述基底上的像素限定层，所述像素限定层具有多个容纳部；所述像素限定层包括沿背离基底方向依次设置的多层子限定层；
对应同一容纳部的位置，每层所述子限定层都具有开口；其中，至少部分相邻两层所述子限定层的对应同一容纳部的开口尺寸不同。
优选的，对应同一容纳部的位置处，奇数层的所述子限定层的开口尺寸相同，偶数层的所述子限定层的开口尺寸相同。
优选的，对应同一容纳部的位置处，奇数层的所述子限定层的开口尺寸大于偶数层的子限定层的开口尺寸。
优选的，相邻两层所述子限定层的材料不同。
进一步优选的，奇数层的所述子限定层的材料相同；偶数层的所述子限定层的材料相同。
优选的，相邻两层所述子限定层中，一者具有亲液性，另一者具有疏液性。
优选的，所述子限定层的厚度包括：10nm-100nm。
优选的，所述显示基板还包括：显示器件，所述显示器件包括设置于所述容纳部中的功能层；
所述子限定层的层数比所述功能层的层数多一层。
解决本发明技术问题所采用的技术方案是一种显示基板的制备方法，包括：通过构图工艺在基底上形成像素限定层的步骤，所述像素限定层具有多个容纳部；所述通过构图工艺在基底上形成像素限定层的步骤包括：
通过构图工艺在基底上依次形成多层子限定层；
其中，每层所述子限定层形成有多个开口，多层所述子限定层对应同一位置的开口构成一个所述容纳部；至少部分相邻两层所述子限定层的对应同一容纳部的开口尺寸不同。
优选的，所述通过构图工艺在基底上依次形成多层子限定层的步骤具体包括：
利用同一掩膜板，通过构图工艺在基底上依次形成多层图案化的子限定层，形成具有多个容纳部的像素限定层；
通过一次刻蚀工艺对部分所述子限定层进行刻蚀，以使至少部分相邻两层所述子限定层的对应同一容纳部的开口尺寸不同。
附图说明
图1为本发明的实施例的显示基板的结构示意图；
图2为本发明的实施例的显示基板的制备方法中形成子限定膜层的示意图；
图3为本发明的实施例的显示基板的制备方法中形成子限定膜层的示意图；
图4为本发明的实施例的显示基板的制备方法中形成多层子限定层的示意图；
图5为本发明的实施例的显示基板的制备方法中对子限定层进行二次刻蚀后形成容纳部的示意图；
其中附图标记为：1、基底；2、像素限定层；21、子限定层；3、容纳部。
具体实施方式
为使本领域技术人员更好地理解本发明的技术方案，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细描述。
实施例1：
如图1所示，本实施例提供一种显示基板，该显示基板可以为OLED显示基板，也可以为QLED显示基板，具体不做限定。为了对本实施例中的显示基板进行更为清楚地说明，下面以显示基板为QLED显示基板为例进行具体说明。
如图1所示，本实施例提供的显示基板包括基底1和设置在基底1上的像素限定层2，像素限定层2具有多个容纳部3。具体的，像素限定层2包括沿背离基底1方向依次设置的多层子限定层21；其中，对应同一容纳部3的位置，每层子限定层21都具有开口；至少部分相邻两层子限定层21的对应同一容纳部3的开口尺寸不同。
本实施例提供的显示基板中，像素限定层2具有多个容纳部3。该容纳部3为贯穿像素限定层2的开口。在制备显示基板时，可通过喷墨打印等工艺在容纳部3中形成显示器件的功能层材料溶液，之后通过干燥工艺形成显示区器件的功能层从而形成显示器件。具体的，根据显示器件的不同，功能层也不同，例如当显示器件为OLED显示器件时，功能层可以为空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层等；当显示器件为QLED显示器件时，功能层可以为空穴注入层、空穴传输层、量子点层、电子传输层等。
特别的是，本实施例中像素限定层2包括多层子限定层21，各子限定层21的不同位置具有多个开口，多层子限定层21的开口一一对应，对应同一位置的多层子限定层21的开口限制出一个容纳部3，从而在整体上限制出多个容纳部3。其中的，在对应的同一容纳部3的至少部分子限定层21的开口尺寸不同。也就是说，如图1所示，本实施例提供的显示基板中，通过多层子限定层21的不同尺寸的开口，使限制出的容纳部3的不同高度处的尺寸(具体为开口大小)不同。
当在显示基板上制备显示器件的功能层时，可在利用容纳部3的开口特点可有效改善功能层的成膜膜厚均匀性。具体的，在制备其中一层功能层时，可在容纳部3的第一区域(由距离基底1最近的子限定层21限制出来)中形成功能层溶液，令功能层溶液充满容纳部3的第一区域，并溢至第二区域(由距离基底1第二近的子限定层21限制出来)。若第二区域的开口小于第一区域的开口，则功能层溶液在干燥时，蒸发面(位于第二区域)对应位于功能层整体(位于第一区域)的中间其区域，对应蒸发面的溶液整体高度较大(溶液较多)，可有效减弱功能层溶液的蒸发过程中的蒸发面的边缘效应，从而使所形成的功能层膜厚较为均一；而若第二区域的开口大于第一区域的开口，则功能层溶液的蒸发面大于实际所要形成的功能层的面积，蒸发面的蒸发边缘对于实际所要形成的功能层外围，从而，当功能层溶液干燥后，由边缘干燥效应所导致的膜厚不均的边缘区域位于无效区(第二区域的与第一区域无重叠部分)，而在第一区域所形成的功能层由于在干燥时对应蒸发面的中间区域，边缘干燥效应对该部分功能层基本无影响，故其膜厚较为均匀，也即所形成的有效的功能层的膜厚均一性良好。
本实施例提供的显示基板中，通过相邻两层的开口大小不同的子限定层21制备显示器件的功能层，从而使所制备的功能层的膜厚较为均匀。也就是说，基于本实施例提供的显示基板的像素限定层2所形成的显示器件的功能层膜厚较为均匀，从而显示器件的良率较高，显示效果良好。
优选的，本实施例提供的显示基板还包括显示器件，显示器件包括设置于容纳部3中的功能层。可以理解的是，显示器件的功能层通常有多层。为了使显示器件的各功能层的膜厚都比较均匀，像素限定层2的子限定层21的层数优选应大于显示器件的功能层的层数。
进一步优选的，子限定层21的层数比功能层的层数多一层。本实施例中，子限定层21的层数比显示器件的功能层层数多一层即可制备形成膜厚较为均匀的功能层，故无需制备更多的子限定层21，从而尽量不对显示基板的整体厚度产生影响。
优选的，对应同一容纳部3的位置处，奇数层的子限定层21的开口尺寸相同，偶数层的子限定层21的开口尺寸相同。也即，如图1所示，本实施例中的显示基板的容纳部3优选由尺寸较大的开口与尺寸较小的开口交替设置形成。本实施例所形成的功能层中，膜厚均匀的区域主要是由尺寸最小的开口限制的，最大的开口尺寸则限制了单个显示器件所占据的区域。通过上述设置，将多个较大开口尺寸统一，将多个较小开口尺寸同一，可以尽量减小无效区域，提高显示器件的有效发光面积。
优选的，本实施例中，对应同一容纳部3的位置处，奇数层的子限定层21的开口尺寸大于偶数层的子限定层21的开口尺寸。可以理解的是，本实施例提供的显示基板中，也可以是奇数层的子限定层21的开口尺寸小于偶数层的子限定层21的开口尺寸。
本实施例中，相邻两层子限定层21的对应同一容纳部3的开口尺寸不同，但是相邻两层子限定层21的材料既可相同，也可不同。优选的，相邻两层子限定层21的材料不同，以便于显示基板的制备。
进一步优选的，奇数层的子限定层21的材料相同；偶数层的子限定层21的材料相同。也即可采用两种不同材料交替形成本实施例中的像素限定层2，以在简化显示面板的制备工艺的同时，无需寻找或者研发更多材料，降低制备成本。
优选的，相邻两层子限定层21中，一者具有亲液性，另一者具有疏液性。本实施例中，可通过对相邻两层子限定层21对功能层溶液的不同亲疏性来更好地减弱功能层在制备形成过程中的边缘干燥效应，尽量使所形成的功能层膜厚均匀。
优选的，子限定层21的厚度包括：10nm(纳米)-100nm。本实施例中，通过相邻两层的开口大小不同的子限定层21来制备显示器件的功能层。在理想情况下，所形成的显示器件的功能层的厚度与下层的子限定层21的厚度基本保持一致。其中下层的子限定层21为相对概念，指用于限制所要形成的功能层的子限定层21中，距离基底1较近的一子限定层21，并不一定是像素限定层2的所有子限定层21中距离基底1最近的子限定层21。通常情况下，显示器件的功能层的厚度分为为10nm-100nm，故子限定层21的厚度优选包括：10nm-100nm。其中可以理解的是，各子限定层21的厚度与对应的显示器件功能层的厚度相适应，故不同子限定层21的厚度可以相同，也可以不同。
实施例2：
如图2至5所示，本实施例提供一种显示基板的制备方法，可用于制备实施例1中提供的显示基板。该制备方法包括：
S1、在基底1上形成第一电极。
第一电极(图中未示出)可以为显示器件的像素电极或者公共电极。具体可通过蒸镀、磁控溅射等方式在基底1上形成导电层，之后通过刻蚀工艺对导电层进行图案化，从而形成第一电极。
S2、通过构图工艺在基底1上形成像素限定层2的步骤，像素限定层2具有多个容纳部3。
容纳部3为贯穿像素限定层2的开口，从而将基底1(具体为设置在基底1上的第一电极)裸露出来。
本实施例中，具体可通过构图工艺在基底1上依次形成多层子限定层21；其中，每层子限定层21形成有多个开口，多层子限定层21对应同一位置的开口构成一个容纳部3；至少部分相邻两层子限定层21的对应同一容纳部3的开口尺寸不同。
也即，本实施例中可通过在基底1上形成多层具有不同尺寸开口的子限定层21来构成像素限定层2，利用对应同一位置的不同子限定层21的开口限定出容纳部3，使容纳部3在至少部分不同高度具有不同尺寸的开口，从而使在该容纳部3中形成的功能层的厚度比较均匀。
优选的，本实施例中，通过构图工艺在基底1上依次形成多层子限定层21的步骤具体可包括：
S21、利用同一掩膜板，通过构图工艺在基底1上依次形成多层图案化的子限定层21，形成具有多个容纳部3的像素限定层2。
如图2和3所示，本实施例中，在形成每一层子限定层21时，可通过涂覆、沉积等工艺在基底1(具体可为形成有第一电极的基底1)上形成子限定膜层，再通过干刻或者湿刻等刻蚀工艺进行刻蚀，从而形成图案化的子限定层21。如此重复，形成多层子限定层21。
其中，如图4所示，在刻蚀时，可利用同一掩膜板进行刻蚀，使每一层子限定层21的开口大小相同。
优选的，奇数层的子限定层21的材料相同，偶数层的子限定层21的材料相同，以简化制备装置的复杂程度，并简化制备工艺。具体的，子限定层21的材料可以为有机物，也可以为无机物，例如氧化硅、氮化硅等。
S22、通过一次刻蚀工艺对部分子限定层21进行刻蚀，以使至少部分相邻两层子限定层21的对应同一容纳部3的开口尺寸不同。
如图5所示，本步骤中，可在步骤S21的基础上对其中部分子限定层21进行进一步地刻蚀，从而使至少部分相邻两层子限定层21的对应同一容纳部3的开口尺寸不同。
其中，可以理解的是，当像素限定层2为仅由两种材料构成的多层子限定层21时，通过本步骤可以一次刻蚀工艺对一种材料的所有子限定层21进行二次刻蚀，从而形成开口尺寸在高度方向上大小交替变化的容纳部3。具体的，本实施例中，可利用刻蚀液或者刻蚀气体对无机材料与有机材料不同的刻蚀效果，对其中的部分子限定层21进行二次刻蚀。例如，可选择对无机材料构成的子限定层21刻蚀率较高，而对有机材料构成的子限定层21刻蚀率较低的刻蚀气体对子限定层21整体进行刻蚀处理，从而形成理想的容纳部3结构。
优选的，本实施例中，还包括对子限定层21进行亲液性、疏液性进行处理的步骤。
具体的，可利用含氟气体对像素限定层2进行整体处理，由于子限定层21的材料不同，其中部分子限定层21材料保留含氟气体，部分子限定层21材料不含含氟气体，子限定层21对溶液的亲疏性会产生相应的变化，以使基于该像素限定层2所形成的显示器件的功能层的膜厚均匀性更好。
S3、在容纳部中形成显示显示器件的各功能层。
具体的，本步骤中，可通过喷墨打印工艺在容纳部中形成显示器件的第一功能层溶液，通过干燥工艺(例如真空干燥工艺；VCD工艺)形成第一功能层。之后，可再次通过喷墨打印工艺在容纳部中形成显示器件的第二功能层溶液，通过干燥工艺形成第二功能层。如次重复，可根据需要形成多层功能层。
可以理解的是，由于本实施例中的由上述子限定层21限定出的容纳部3的特殊结构，故所形成的各功能层的膜厚较为均匀。其中，在干燥过程中，还可通过控制真空气体抽速来尽量使所形成的功能层平整。
在此需要说明的是，根据显示器件类型的不同，功能层的具体材料可有所区别，例如当显示器件为QLED显示器件时，功能层可为空穴注入层、空穴传输层、量子点层等，当显示器件为OLED显示器件时，功能层可为空穴注入层、空穴传输层、有机发光层等，当显示器件为其它类型的显示器件时，功能层还可为其它类型的功能层，本实施中在此不再一一列举。
优选的，本实施例中还可包括形成第二电极，以及显示器件的封装等步骤，这些步骤为本领域成熟技术手段，本实施例中不再赘述。
可以理解的是，以上实施方式仅仅是为了说明本发明的原理而采用的示例性实施方式，然而本发明并不局限于此。对于本领域内的普通技术人员而言，在不脱离本发明的精神和实质的情况下，可以做出各种变型和改进，这些变型和改进也视为本发明的保护范围。
Claims (9)
1.一种显示基板，包括基底和设置在所述基底上的像素限定层，所述像素限定层具有多个容纳部；其特征在于，所述像素限定层包括沿背离基底方向依次设置的多层子限定层；
对应同一容纳部的位置处，奇数层的所述子限定层的开口尺寸相同，偶数层的所述子限定层的开口尺寸相同；
奇数层的所述子限定层的开口尺寸与偶数层的子限定层的开口尺寸不同。
2.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，对应同一容纳部的位置处，奇数层的所述子限定层的开口尺寸大于偶数层的子限定层的开口尺寸。
3.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，相邻两层所述子限定层的材料不同。
4.根据权利要求3所述的显示基板，其特征在于，奇数层的所述子限定层的材料相同；偶数层的所述子限定层的材料相同。
5.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，相邻两层所述子限定层中，一者具有亲液性，另一者具有疏液性。
6.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，所述子限定层的厚度包括：10nm-100nm。
7.根据权利要求1所述的显示基板，其特征在于，还包括：显示器件，所述显示器件包括设置于所述容纳部中的功能层；
所述子限定层的层数比所述功能层的层数多一层。
8.一种显示基板的制备方法，包括：通过构图工艺在基底上形成像素限定层的步骤，所述像素限定层具有多个容纳部；其特征在于，所述通过构图工艺在基底上形成像素限定层的步骤包括：
通过构图工艺在基底上依次形成多层子限定层；
其中，每层所述子限定层形成有多个开口，多层所述子限定层对应同一位置的开口构成一个所述容纳部；
其中，对应同一容纳部的位置处，奇数层的所述子限定层的开口尺寸相同，偶数层的所述子限定层的开口尺寸相同；奇数层的所述子限定层的开口尺寸与偶数层的子限定层的开口尺寸不同。
9.根据权利要求8所述的显示基板的制备方法，其特征在于，所述通过构图工艺在基底上依次形成多层子限定层的步骤具体包括：
利用同一掩膜板，通过构图工艺在基底上依次形成多层图案化的子限定层，形成具有多个容纳部的像素限定层；
通过一次刻蚀工艺对部分所述子限定层进行刻蚀，以使至少部分相邻两层所述子限定层的对应同一容纳部的开口尺寸不同。
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