CN208655656U - 像素界定层、显示基板、显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本实用新型实施例提供一种像素界定层、显示基板、显示面板及显示装置,涉及显示技术领域,可解决开口部沉积的膜层干燥后出现成膜不均的问题。该像素界定层包括:像素分隔墙,像素分隔墙围成多个开口部;像素分隔墙包括至少两层结构层,其中的第一层结构层用于设置在衬底基板上;开口部包括靠近衬底基板的底面开口、与底面开口相对的顶面开口;每层结构层朝向开口部的侧壁所在的面与底面开口所在的面之间的夹角为锐角;每层结构层的侧壁包括:靠近衬底基板的底边、与底边相对的顶边;沿从第一层结构层指向至少两层结构层中的最后一层结构层的方向,除第一层结构层之外,每层结构层的侧壁的顶边均位于前一层结构层的侧壁的顶边远离开口部的一侧。
Description
技术领域
本实用新型涉及显示技术领域,尤其涉及一种像素界定层、显示基板、显示面板及显示装置。
背景技术
在OLED(Organic Light-Emitting Diode,有机发光二极管)显示装置的相关制备技术中,喷墨打印技术由于具有工艺简单、操作便捷、成本低廉及适用于大尺寸显示装置的制备等优点,已在OLED制造领域中逐渐成为主流技术。
目前,通过喷墨打印技术在像素界定层(Pixel defining layer,缩写为PDL)的开口部(即限定出的子像素区域)内打印发光功能层中的相关膜层时,墨水在干燥成膜过程中,会发生在开口部边缘攀爬的现象,使得干燥后形成的膜层呈中间薄、边缘过厚的结构,导致像素内成膜不均。当发光功能层中的相关膜层在开口部成膜不均时,会影响OLED器件发光时的均匀性和使用寿命,进而降低显示装置的显示质量和使用寿命。
实用新型内容
鉴于此,为解决现有技术的问题,本实用新型的实施例提供一种像素界定层、显示基板、显示面板及显示装置,该像素界定层可解决发光功能层中的有机层在开口部沉积时出现成膜不均的问题,提高OLED器件发光时的均匀性和使用寿命,进而提高显示装置的显示质量和使用寿命。
为达到上述目的,本实用新型的实施例采用如下技术方案:
本实用新型实施例一方面提供一种像素界定层,包括:像素分隔墙,所述像素分隔墙围成多个开口部;所述像素分隔墙包括至少两层结构层,所述至少两层结构层中的第一层结构层用于设置在衬底基板上;其中,所述开口部包括:靠近所述衬底基板的底面开口、与所述底面开口相对的顶面开口;每层结构层朝向所述开口部的侧壁所在的面与所述底面开口所在的面之间的夹角为锐角;每层结构层的侧壁包括:靠近所述衬底基板的底边、与所述底边相对的顶边;沿从所述第一层结构层指向所述至少两层结构层中的最后一层结构层的方向,除所述第一层结构层之外,每层结构层的侧壁的所述顶边均位于前一层结构层的侧壁的所述顶边远离所述开口部的一侧。
在本实用新型的一些实施例中,所述锐角的范围为30°~70°。
在本实用新型的一些实施例中,所述锐角等于40°。
在本实用新型的一些实施例中,每层结构层朝向所述开口部的侧壁所在的面与所述底面开口所在的面之间的夹角均相等。
在本实用新型的一些实施例中,所述至少两层结构层为三层结构层或四层结构层。
本实用新型实施例再一方面提供一种显示基板,包括:衬底基板;上述任一项所述的像素界定层;其中,所述像素界定层包括像素分隔墙,所述像素分隔墙包括至少两层结构层,所述至少两层结构层中的第一层结构层设置在衬底基板上。
在本实用新型的一些实施例中,所述像素分隔墙围成多个开口部;所述显示基板还包括:依次设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管阵列层、平坦层、与每个开口部一一对应的多个阳极;其中,所述每个开口部对应于每个阳极的至少部分区域;设置在所述每个开口部内的发光功能层;其中,沿从所述开口部的底面开口指向所述开口部的顶面开口的方向,所述发光功能层包括多层功能层;所述多层功能层中靠近所述底面开口的第一层功能层的厚度小于所述至少两层结构层中的第一层结构层的厚度;设置在所述发光功能层远离所述底面开口一侧的阴极。
在本实用新型的一些实施例中,所述第一层功能层为空穴注入层。
本实用新型实施例另一方面提供一种显示面板,包括上述任一项所述的显示基板。
本实用新型实施例又一方面提供一种显示装置,包括上述的显示面板。
基于此,通过本实用新型实施例提供的上述像素界定层,一方面,当采用溶液法(例如喷墨打印)在开口部内沉积有机材料时,由于每层结构层的侧壁均是向内倾斜,相对于相关技术中的像素界定层的正梯形结构,有机材料在干燥过程中难以沿着每层结构层的侧壁边缘攀爬,从而使得干燥后形成的膜层成膜均匀;另一方面,由于每层结构层均露出前一层结构层的一部分,使得形成的开口部整体呈现顶面开口面积大于底面开口面积的结构,即形成的开口部为阶梯状开口,从而使得后续在干燥的有机膜层上沉积电极时,各层结构层被前一层结构层所露出的部分能够形成一个缓冲空间,避免电极在如前述相关技术中所示的厚度较大的单层倒梯形像素界定层的开口部分内沉积时发生断裂,从而提高后续形成的显示装置的产品良率。
附图说明
为了更清楚地说明本实用新型实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本实用新型的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为相关技术提供的一种像素界定层的剖面结构示意图;
图2为本实用新型示例性实施例提供的一种像素界定层的剖面结构示意图;
图3A为本实用新型实施例提供的一种像素界定层的俯视结构示意图;
图3B为图3A中A-A方向的剖面结构示意图;
图4A为本实用新型实施例提供的另一种像素界定层的俯视结构示意图;
图4B为图4A中A-A方向的剖面结构示意图;
图5为本实用新型实施例提供的一种像素界定层的制备过程示意图;
图6为本实用新型实施例提供的一种显示基板的剖面结构示意图。
附图标记:
01-像素界定层;10-像素分隔墙;10a-第一层结构层;10b-最后一层结构层;10c-第二层结构层;10d-第三层结构层;11-开口部;11-1-第一部分;11-2-第二部分;11a-底面开口;11b-顶面开口;12-侧壁;a1-底边;b1-顶边;02-衬底基板;03-显示基板;31-薄膜晶体管阵列层;32-平坦层;33-阳极;34-发光功能层;34a-第一层功能层;34b-其余功能层;35-阴极。
具体实施方式
下面将结合本实用新型实施例中的附图,对本实用新型实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本实用新型一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本实用新型中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本实用新型保护的范围。
以下,术语“第一”、“第二”仅用于描述目的,而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此,限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个该特征。在本申请实施例的描述中,除非另有说明,“多个”的含义是两个或两个以上。
目前,喷墨打印聚合物电致发光显示(polymer light-emitting diode,缩写为PLED)技术具有工艺简单、操作便捷、成本低廉及适用于大尺寸显示装置的制备等优点,随着高性能聚合物材料的不断研发和薄膜制备技术的进一步完善,PLED技术有望快速实现产业化。
喷墨打印技术是通过微米级的打印喷头将OLED器件中的发光功能层,如空穴传输材料(例如为聚(3,4-亚乙二氧基噻吩)-聚(苯乙烯磺酸),简称为PEDOT/PSS),以及红、绿、蓝三色发光材料的溶液分别喷涂在预先已经图案化了的阳极(例如为氧化铟锡,IndiumTin Oxide,缩写为ITO)衬底上的像素界定层的开口部内,以形成红绿蓝三基色发光子像素。
沉积膜层的厚度由打印在像素界定层的开口部内的溶质数量决定。由于这种方法能极大地节省昂贵的发光材料,而且通过使用有多个喷射口的喷头打印(例如具有128或256个喷射口),可以大幅缩短制膜时间,因此,喷墨打印彩色图案化技术在OLED制造领域已被确认为向产业化发展的主流技术。
虽然喷墨打印(Inkjet printing,缩写为IJP)具有以上的诸多优点,但是也存在像素内成膜不均的缺点。采用IJP技术制作OLED时,如图1所示,在传统的基板上,像素界定层的开口部11'的开口方式为靠近阳极33一侧的底面开口11a'的面积小于相对的顶面开口11b'的面积(即呈上大、下小的结构),这样一来,按照传统的打印方式进行喷墨打印时,在干燥的过程中,由于墨水(图1中标记为g)会在开口部11'边缘攀爬(即如图1中虚线框内所示),而最终导致子像素内成膜不均。
本实用新型示例性实施例提供一种像素界定层,如图2所示,该像素界定层仅由一层构成,其开口部11”的开口方式与上述图1中所示的相反,为靠近阳极33一侧的底面开口11a”的面积大于相对的顶面开口11b”的面积(即呈上小、下大的结构),由于开口部11”的侧面是朝向底面开口11a”倾斜的,这样一来,可避免墨水(图2中标记为g)干燥过程中沿开口部11”边缘攀爬。然而,由于在制备OLED器件时,位于发光功能层上的电极(通常为阴极)会沉积在发光功能层和像素界定层表面,由于开口部11”是向内倾斜的,电极在单层的像素界定层的开口部11”边缘容易产生断裂的风险,影响产品良率。
基于此,本实用新型实施例一方面提供一种像素界定层,如图3A至图4B所示,该像素界定层01包括:像素分隔墙10,像素分隔墙10围成多个开口部11;该像素分隔墙10包括至少两层结构层,至少两层结构层中的第一层结构层10a用于设置在衬底基板02上;其中,开口部11包括:靠近衬底基板02的底面开口11a、与底面开口11a相对的顶面开口11b;每层结构层朝向开口部11的侧壁12所在的面与底面开口11a所在的面之间的夹角为锐角(图3B和图4B中均标记为θ,所在的面如图3B和图4B中的虚线所示);每层结构层的侧壁12包括:靠近衬底基板02的底边(图3B和图4B中均标记为a1)、与底边a1相对的顶边(图3A至图4B中均标记为b1);沿从第一层结构层10a指向至少两层结构层中的最后一层结构层10b的方向,除第一层结构层10a之外,每层结构层的侧壁12的顶边b1b1均位于前一层结构层的侧壁12的顶边b1远离开口部11的一侧。
需要说明的是,图3A和图4A仅示意出的像素界定层01的一种和另一种可能的俯视结构,本实用新型实施例不限于此,开口部11的底面开口11a和顶面开口包括但不限于图3A和图4A中示意出的矩形(如正方形或长方形),还可以为菱形、圆形、或椭圆形等其他形状,具体形状可根据上述像素界定层01应用于的显示装置的显示设计要求灵活设置,本实用新型实施例对此不作限定。
并且,图3A和图4A中示意出的开口部11的数量仅为示意,截具体数量也应根据上述像素界定层01应用于的显示装置的像素要求灵活设置,本实用新型实施例对此不作限定。
在上述像素分割墙10中,至少两层结构层中的第一层结构层10a用于设置在衬底基板02上,即至少两层结构层中的其余层结构层均设置在第一层结构层10a远离衬底基板02的一侧。
可以理解的是,由于像素分隔墙10围成多个开口部11,而该像素分隔墙10包括至少两层结构层(bank),因此,每层结构层均围成多个开口部11的一部分,上下层的结构层围成的开口部11的各个部分上下贯通,从而形成整体的一个个开口部11(图3B和图4B中仅示意出其中一个开口部11)。因此,开口部11的底面开口11a是开设在第一层结构层10a靠近衬底基板02一侧的,相对应的,开口部11的顶面开口11b是开设在最后一层结构层10b远离衬底基板02一侧的。
这样,由于每层结构层朝向开口部11的侧壁12所在的面与底面开口11a所在的面之间的夹角为锐角θ,因此,每层结构层靠近侧壁12的部分均为倒梯形。
这里需要指出的是,各层结构层朝向开口部11的侧壁12所在的面与底面开口11a所在的面之间的各夹角θ可以相同,也可以部分相同,或各不相同,本实用新型实施例对此不作限定,只要使得各夹角均为锐角(即大于0°且小于90°),从而使得各层结构层的侧壁12均呈现向内倾斜的结构即可。
并且,沿从第一层结构层10a指向至少两层结构层中的最后一层结构层10b的方向,除第一层结构层10a之外,每层结构层的侧壁12的顶边b1均位于前一层结构层的侧壁12的顶边b1远离开口部11的一侧。即,除第一层结构层10a之外,每层结构层均露出前一层结构层的一部分,且每层结构层的侧壁12的顶边b1在衬底基板02上的正投影均位于前一层结构层的侧壁12的顶边b1在衬底基板02上的正投影远离开口部11的一侧,从而使得形成的开口部11整体呈现顶面开口11b的面积大于底面开口11a的面积的结构。
基于此,通过本实用新型实施例提供的上述像素界定层,一方面,当采用溶液法(例如喷墨打印)在开口部11内沉积有机材料时,由于每层结构层的侧壁12均是向内倾斜,相对于前述图1所示的相关技术中的像素界定层的正梯形结构,有机材料在干燥过程中难以沿着每层结构层的侧壁12边缘攀爬,从而使得干燥后形成的膜层成膜均匀;另一方面,由于每层结构层均露出前一层结构层的一部分,使得形成的开口部11整体呈现顶面开口11b面积大于底面开口11a面积的结构,即形成的开口部11为阶梯状开口,即,开口部11的整体具有一定的坡度,从而使得后续在干燥的有机膜层上沉积电极时,各层结构层被前一层结构层所露出的部分能够形成一个缓冲空间,避免电极在如前述图2所示的厚度较大的单层倒梯形像素界定层的开口部分11”内沉积时发生断裂,从而提高后续形成的显示装置的产品良率。
由于上述像素界定层01能够有效避免开口部11内出现膜层成膜不均、电极断裂等问题,因此,本实用新型实施例提供的上述像素界定层01尤其适用于溶液法制备OLED器件中的有机材料,从而能够使得溶液法(如IJP技术)更适用于量产化制备OLED器件。
在上述基础上,示例的,上述锐角θ的范围为30°~70°,该角度范围对于阻挡有机材料沿侧壁12边缘攀爬的效果相对较佳,且能够通过较为简单的制备工艺制作出来。其中,该锐角θ可进一步等于40°,或接近40°。
进一步的,以图3B示意出的剖面结构为例,如图5所示,形成上述开口部11的过程可以包括如下步骤01-步骤03:
S01、先沉积第一结构层的膜层,对其进行图案化处理,以在该膜层上形成开口部的第一部分11-1,其余部分即为第一层结构层10a,即第一层结构层10a围成多个开口部的第一部分11-1(图5中仅示意出其中一个第一部分11-1);
S02、在第一层结构层10a上沉积第二结构层的膜层,对其进行图案化处理,以在该膜层上形成开口部的第二部分11-2,其余部分即为第二层结构层10c,即第二层结构层10c围成多个开口部的第二部分11-2(图5中仅示意出其中一个第二部分11-2);
S03、在第二层结构层10c上沉积最后一层结构层的膜层,对其进行图案化处理,以在该膜层上形成开口部的第三部分11-3,其余部分即为最后一层结构层10b,即最后层结构层10b围成多个开口部的第三部分11-3(图5中仅示意出其中一个第三部分11-3)。
这样,上下贯通的第三部分11-3、第二部分11-2及第一部分11-1构成开口部,并且,每个部分的开口空间均比前一个部分的开口空间大,即,每层结构层均露出前一层结构层的一部分,从而形成台阶状开口。
在上述基础上,为进一步简化各层结构层的制备工艺,示例的,请参阅图3B和图4B所示,每层结构层朝向开口部11的侧壁12所在的面与底面开口11a所在的面之间的夹角θ均相等。
在上述基础上,示例的,如图3B所示,上述的至少两层结构层为三层结构层,即像素分隔墙10包括:第一层结构层10a、第二层结构层10c及最后一层结构层10b。
或者,示例的,如图4B所示,上述的至少两层结构层为四层结构层,即像素分隔墙10包括:第一层结构层10a、第二层结构层10c、第三层结构层10d及最后一层结构层10b。
上述三层或四层的层数适宜,便于像素界定层01的制备。
本实用新型实施例再一方面提供一种显示基板,包括:衬底基板和上述各实施例所述的像素界定层;其中,像素界定层包括像素分隔墙,像素分隔墙包括至少两层结构层,至少两层结构层中的第一层结构层设置在衬底基板上。
该显示基板与上述像素界定层相对于相关技术所具有的优势相同,在此不再赘述。
示例的,如图6所示,上述像素分隔墙10围成多个开口部;该显示基板03还包括:依次设置在衬底基板02上的薄膜晶体管阵列层31、平坦层32、与每个开口部一一对应的多个阳极33;其中,每个开口部对应于每个阳极33的至少部分区域;设置在每个开口部内的发光功能层34;其中,沿从开口部的底面开口11a指向开口部的顶面开口11b的方向,发光功能层34包括多层功能层;多层功能层中靠近底面开口11a的第一层功能层34a的厚度小于上述至少两层结构层中的第一层结构层10a的厚度;设置在发光功能层34远离底面开口11a一侧的阴极35。
可以理解的是,上述薄膜晶体管阵列层31是指阵列排布的多个薄膜晶体管(ThinFilm Transistor,缩写为TFT)所构成的层;平坦层32以及可能设置在平坦层32与薄膜晶体管阵列层31之间的其他绝缘层上设置有贯通孔,该贯通孔对应于TFT的漏极(或源极),以使设置在平坦层32上的阳极33通过该贯通孔与下方的TFT的漏极(或源极)电性连通,以接收或传输相应的电信号。具体结构可沿用相关设计,本实用新型实施例对此不再赘述。
这里,阴极35、发光功能层34和阳极33构成一个OLED器件;当然,发光功能层34也可被替换为光敏功能层,从而使得阴极35、光敏功能层和阳极33构成一个光敏器件。
需要说明的是,每个开口部对应于每个阳极33的至少部分区域,是指当在平坦层32上形成像素界定层01、且还未形成后续的其他结构时,像素界定层01的开口部可露出阳极33的至少部分区域(例如为将阳极33全部露出或仅露出部分)。
发光功能层34包括多层功能层,这些多层功能层例如可以为:空穴传输层(holetransportation layer,缩写为HTL)、电子传输层(electron transportation layer,缩写为ETL)、空穴注入层(hole injection layer,缩写为HIL)、电子注入层(electroninjection layer,缩写为EIL)、发光层(emission layer,缩写为EML)以及电子阻挡层(electron blocking layer,EBL)等,可根据OLED器件的结构设计要求灵活设置,本实用新型实施例对此不作限定。
这里,将多层功能层中靠近底面开口11a的第一层功能层34a的厚度设置为小于上述至少两层结构层中的第一层结构层10a的厚度,一方面,可以从源头上进一步阻挡第一层功能层34a在打印、干燥的过程中沿第一层结构层10a边缘攀爬,从而使得多层功能层中位于最下方的第一层功能层34a即能获得较平整的膜层,有助于进一步提高后续其余功能层的成膜均匀性;另一方面,可以使得HIL材料在第一层结构层10a侧壁容易发生膜厚不均匀位置的有机层不发光,有助于进一步提高发光均匀性。
示例的,上述第一层功能层34a为空穴注入层(HIL),以提高从阳极33激发出的空穴向上方其他功能层的注入效率,进而提高OLED器件的发光效率。
多层功能层中除第一层功能层34a之外的其余功能层34b可以包括:依次设置在第一层功能层34a(即HIL)上的空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)及电子注入层(EIL)等层。
示例的,上述显示基板03的制备过程示例的可以包括步骤11-步骤17:
S11、在衬底基板上形成薄膜晶体管阵列层;
其中,衬底基板示例的可以为刚性基板(如玻璃基板)或柔性基板(如聚酰亚胺,polyimide,简称PI基板)。
S12、在形成有上述TFT阵列层的衬底基板上依次形成平坦层和阳极;
S13、在上述基板上形成新型结构的第一层结构层(bank),该第一层结构层的厚度大于待形成的空穴注入层(HIL)的厚度;
S14、在上述基板上再依次进行第二结构层、第三结构层……至第N层结构层的倒梯形bank制备;
这里,第N层结构层即为最后一层结构层,N为正整数、且N≥2。
S15、在形成的开口部内完成HIL、HTL、EML等有机层的墨水打印及干燥过程;
S16、完成OLED器件的ETL、EIL层以及阴极的蒸镀制造工艺;
S17、最后对形成的OLED器件进行封装。
这里,对OLED器件的封装可以采用薄膜封装,以提高封装效果。其中,用于封装薄膜可以包括有机和/或无机材料,例如可以为有机和无机的夹层结构。
本实用新型实施例另一方面提供一种显示面板,包括上述的显示基板。
示例的,当上述显示基板中包括的OLED器件为发出不同颜色(如RGB三基色)的OLED器件时,上述显示面板进一步还可以包括用于保护该显示基板的透明盖板。
示例的,当上述显示基板中包括的OLED器件为发出一种颜色(如白色)的OLED器件时,上述显示面板进一步还可以包括与该显示基板对合的彩膜基板,以进行彩色显示。
本实用新型实施例又一方面提供一种显示装置,包括上述显示面板。
上述显示装置具体可以是OLED显示装置;该显示装置可以为电视、平板电脑、手机、数码相框、导航仪、可穿戴显示装置(如智能手环、智能头盔等)等任何具有显示功能的产品或者部件。
以上各种显示装置均还可以包括驱动电路部分、触控结构、指纹识别结构等部件,具体结构可参见相关技术,本实用新型实施例对此不再赘述。
以上,仅为本实用新型的具体实施方式,但本实用新型的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本实用新型揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本实用新型的保护范围之内。因此,本实用新型的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种像素界定层,其特征在于,包括:
像素分隔墙,所述像素分隔墙围成多个开口部;所述像素分隔墙包括至少两层结构层,所述至少两层结构层中的第一层结构层用于设置在衬底基板上;
其中,所述开口部包括:靠近所述衬底基板的底面开口、与所述底面开口相对的顶面开口;
每层结构层朝向所述开口部的侧壁所在的面与所述底面开口所在的面之间的夹角为锐角;
每层结构层的侧壁包括:靠近所述衬底基板的底边、与所述底边相对的顶边;沿从所述第一层结构层指向所述至少两层结构层中的最后一层结构层的方向,除所述第一层结构层之外,每层结构层的侧壁的所述顶边均位于前一层结构层的侧壁的所述顶边远离所述开口部的一侧。
2.根据权利要求1所述的像素界定层,其特征在于,所述锐角的范围为30°~70°。
3.根据权利要求2所述的像素界定层,其特征在于,所述锐角等于40°。
4.根据权利要求1所述的像素界定层,其特征在于,每层结构层朝向所述开口部的侧壁所在的面与所述底面开口所在的面之间的夹角均相等。
5.根据权利要求1所述的像素界定层,其特征在于,所述至少两层结构层为三层结构层或四层结构层。
6.一种显示基板,其特征在于,包括:
衬底基板;
如权利要求1至5任一项所述的像素界定层;其中,所述像素界定层包括像素分隔墙,所述像素分隔墙包括至少两层结构层,所述至少两层结构层中的第一层结构层设置在衬底基板上。
7.根据权利要求6所述的显示基板,其特征在于,
所述像素分隔墙围成多个开口部;
所述显示基板还包括:
依次设置在所述衬底基板上的薄膜晶体管阵列层、平坦层、与每个开口部一一对应的多个阳极;其中,所述每个开口部对应于每个阳极的至少部分区域;
设置在所述每个开口部内的发光功能层;其中,沿从所述开口部的底面开口指向所述开口部的顶面开口的方向,所述发光功能层包括多层功能层;所述多层功能层中靠近所述底面开口的第一层功能层的厚度小于所述至少两层结构层中的第一层结构层的厚度;
设置在所述发光功能层远离所述底面开口一侧的阴极。
8.根据权利要求7所述的显示基板,其特征在于,所述第一层功能层为空穴注入层。
9.一种显示面板,其特征在于,包括如权利要求6至8任一项所述的显示基板。
10.一种显示装置,其特征在于,包括如权利要求9所述的显示面板。
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CN110416279A (zh) * | 2019-08-07 | 2019-11-05 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法 |
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2018
- 2018-09-28 CN CN201821597848.7U patent/CN208655656U/zh active Active
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