阵列基板的喷墨打印方法、阵列基板、显示装置
本申请要求于2018年04月20日递交的第201810359626.X号中国专利申请的优先权,在此全文引用上述中国专利申请公开的内容以作为本申请的一部分。
技术领域
本公开的实施例涉及一种阵列基板的喷墨打印方法、阵列基板、显示装置。
背景技术
有机发光二极管显示面板具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点,因此成为一种重要的显示技术。例如,有机发光二极管显示面板包括阵列排布的多个子像素,每个子像素内通常包括有机发光元件、薄膜晶体管等结构。例如,有机发光元件的发光层可以采用喷墨打印、蒸镀等方法进行制备。喷墨打印方法因其沉积速度快、均匀性好、设备投资低等优点成为制备有机膜层常用的方法之一。
发明内容
本公开至少一个实施例提供一种阵列基板的喷墨打印方法,所述阵列基板包括n种子像素,喷墨打印所述n种子像素所需的溶液的溶剂量不同,n为大于或等于2的正整数,所述方法包括:将喷墨打印第i种子像素所需的溶剂体积记作Vi,其中,i为小于或等于n的正整数;针对每种子像素计算Xi值,其中,Xi=Vi/V1,V1为喷墨打印第一种子像素所需的溶剂体积;将所述n种子像素的Xi值取最大公约数并且记为G;将所述第i种子像素分为面积相等的Xi/G个子单元,且对所述第i种子像素的每个子单元以V1*G的溶剂量进行喷墨打印以形成膜层。
例如,在本公开一实施例提供的方法中,当Xi/G的数值大于或等于2时,所述第i种子像素的相邻两个子单元彼此分离。
例如,本公开一实施例提供的方法还包括:在进行喷墨打印之前,在Xi/G的数值大于或等于2的所述第i种子像素内设置单元限定层以限定所述Xi/G个子单元。
例如,在本公开一实施例提供的方法中,对所述第i种子像素的每个子单元以V1*G的溶剂量进行喷墨打印以形成膜层包括:将包括V1*G的溶剂的溶液分别喷墨打印至所述第i种子像素的每个子单元内;对所述n种子像素的溶液同时干燥以形成所述膜层。
例如,在本公开一实施例提供的方法中,所述膜层包括发光层、电子传输层、电子注入层、空穴传输层和空穴注入层中的至少之一。
例如,在本公开一实施例提供的方法中,当Xi/G的数值大于或等于2时,所述第i种子像素的相邻两个子单元之间的间距不大于所述n种子像素中的相邻两个子像素之间的间距。
例如,本公开一实施例提供的方法还包括,当Xi/G的数值大于或等于2时,在所述第i种子像素的相邻两个子单元之间的所述单元限定层中形成连接所述相邻两个子单元之间的通道,其中,在与所述相邻两个子单元排列的方向垂直的方向上,所述通道的尺寸小于所述子单元的尺寸。
例如,在本公开一实施例提供的方法中,计算所述Xi值包括:当所述Xi值的小数点后面的位数大于或等于2时,通过四舍五入方法使所述Xi值保留一位小数。
例如,在本公开一实施例提供的方法中,将所述第i种子像素的所述膜层的面积记作Si,所述n种子像素中的至少两种子像素的所述膜层的面积不同,且所述至少两种子像素的用于形成所述膜层的溶剂体积Vi与面积Si正相关。
例如,在本公开一实施例提供的方法中,n等于3且所述n种子像素分别是红色子像素、绿色子像素和蓝色子像素。
例如,在本公开一实施例提供的方法中,Vi=Ci*(1-Bi),Ci为喷墨打印所述第i种子像素所需的溶液体积,Bi为喷墨打印所述第i种子像素所用的溶液的体积浓度。
本公开至少一个实施例提供一种阵列基板,该阵列基板包括阵列排布的n种子像素,n为大于或等于2的正整数,每种子像素包括有机发光元件,其中,所述n种子像素中的至少一种子像素的有机发光元件中的至少一个膜层包括彼此分离的多个子部分。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板中,所述多个子部分通过单元限定层分隔。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板中,在同种子像素中,所述多个 子部分的面积相等。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板中,所述多个子部分之间的间距不大于所述n种子像素中的相邻两个子像素之间的间距。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板中,在相邻的两个子部分之间还设置有连接部,在与所述相邻两个子部分排列的方向垂直的方向上,所述连接部的尺寸小于所述子部分的尺寸。
例如,在本公开一实施例提供的阵列基板中,每种子像素还包括像素电极,所述像素电极为连续的电极层,在包括所述多个子部分的所述子像素中,所述多个子部分与同一所述像素电极电性相连。
本公开至少一个实施例提供一种显示装置,该显示装置包括本公开任一实施例的阵列基板。
附图说明
为了更清楚地说明本公开实施例的技术方案,下面将对实施例的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅涉及本公开的一些实施例,而非对本公开的限制。
图1为一种阵列基板的平面结构示意图;
图2A为本公开一实施例提供的使用喷墨打印方法形成的阵列基板的平面结构示意图;
图2B为本公开一实施例提供的一种阵列基板的喷墨打印方法的流程图;
图3A为图2A中虚线框内的局部放大示意图;
图3B为本公开一实施例的一示例提供的一种阵列基板的局部放大示意图;
图4为本公开另一实施例的第一示例提供的使用喷墨打印方法形成的一种阵列基板的平面结构示意图;
图5为本公开另一实施例的第二示例提供的使用喷墨打印方法形成的另一种阵列基板的平面结构示意图;
图6为本公开另一实施例的第三示例提供的使用喷墨打印方法形成的再一种阵列基板的平面结构示意图;
图7为本公开再一实施例提供的一种阵列基板的剖面结构示意图。
具体实施方式
为使本公开实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本公开实施例的附图,对本公开实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本公开的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本公开的实施例,本领域普通技术人员在无需创造性劳动的前提下所获得的所有其他实施例,都属于本公开保护的范围。
除非另外定义,本公开使用的技术术语或者科学术语应当为本公开所属领域内具有一般技能的人士所理解的通常意义。本公开中使用的“第一”、“第二”以及类似的词语并不表示任何顺序、数量或者重要性,而只是用来区分不同的组成部分。同样,“一个”、“一”或者“该”等类似词语也不表示数量限制,而是表示存在至少一个。“包括”或者“包含”等类似的词语意指出现该词前面的元件或者物件涵盖出现在该词后面列举的元件或者物件及其等同,而不排除其他元件或者物件。“连接”或者“相连”等类似的词语并非限定于物理的或者机械的连接,而是可以包括电性的连接,不管是直接的还是间接的。“上”、“下”、“左”、“右”等仅用于表示相对位置关系,当被描述对象的绝对位置改变后,则该相对位置关系也可能相应地改变。
有机发光二极管显示面板由于具有自发光、反应快、视角广、亮度高、色彩艳、轻薄等优点,已广泛应用于各种显示装置中。例如,有机发光元件的制备方法包括真空蒸镀和溶液法等方法。例如,真空蒸镀方法其成膜均匀性较好且技术相对成熟,但是,真空蒸镀方法所需的设备通常比较昂贵且该方法对材料的利用率通常比较低。除此之外,在使用真空蒸镀方法制备大尺寸显示产品时,蒸镀掩模板的对位精度通常比较低,从而导致使用蒸镀方法制备的显示产品的显示区域容易产生混色等不良现象。
例如,溶液法包括旋涂法、喷墨打印法、滴注法等方法。溶液法制备薄膜所需的设备成本通常比较低,因此可以有效降低生产成本,有利于实现大规模、大尺寸产品的生产。例如,喷墨打印技术(Ink Jet Printing,IJP)是一种非接触、无压力、无印版的印刷技术,它是利用外力将喷嘴中的墨滴等溶液从喷嘴中挤出,并喷射沉积到相应位置形成所需的图案,因此喷墨打印工艺具有精确的定位功能,可以根据需要在特定位置喷射沉积墨滴等溶液以形成所需图案。例如,当利用喷墨打印方法制备显示面板的有机发光元件时,喷墨设备可以有效地将溶液精准地喷墨到显示面板的子像素区中从而形成所需的薄膜。例如, 该薄膜可以是有机发光元件中的红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层,从而使得包括该有机发光元件的显示面板可以实现彩色显示。
红色发光层、绿色发光层、蓝色发光层的使用寿命和发光效率通常不相同,例如,红色发光层和蓝色发光层的使用寿命和发光效率通常低于绿色发光层的使用寿命和发光效率。为了使得有机发光二极管显示面板中多个子像素的发光强度基本上相同,例如,通常将有机发光二极管阵列基板的多个子像素设计为不同的面积,在面积较大的子像素内可以形成使用寿命和发光效率较低的发光材料,在面积较小的子像素内可以形成使用寿命和发光效率较高的发光材料,从而可以使有机发光二极管显示面板中多个子像素的发光强度基本上相同。例如,如图1所示,有机发光二极管阵列基板10包括三种子像素,该三种子像素例如分别为第一种子像素P1、第二种子像素P2和第三种子像素P3。如图1所示,在这三种子像素中,第一种子像素P1的面积最小,第三种子像素P3的面积最大,第二种子像素P2的面积介于第一种子像素P1的面积和第三种子像素P3的面积之间。例如,可以在第一种子像素P1内喷墨打印形成绿色发光层11,在第二种子像素P2内喷墨打印形成红色发光层12,在第三种子像素P3内喷墨打印形成蓝色发光层13,从而使得包括该阵列基板10的显示面板的各个子像素的发光强度基本上相同。
但是,在上述阵列基板10中,由于不同种子像素的面积彼此不同,且在不同种子像素内打印的溶液浓度也有可能不同,因此,当使用喷墨设备将制备薄膜所需的不同种溶液喷射到对应的子像素内时,不同种子像素内的溶液所含的溶剂体积量也可能不同。因此,在相同条件下对阵列基板的各种子像素的溶液同时进行干燥以形成所需薄膜时,不同种子像素内的溶剂蒸发量不同,从而影响薄膜的厚度均一性,进而影响包括该阵列基板的显示产品的显示效果。
本公开至少一个实施例提供一种阵列基板的喷墨打印方法,该阵列基板包括n种子像素,喷墨打印n种子像素所需的溶液的溶剂量不同,n为大于或等于2的正整数,该喷墨打印方法包括:将喷墨打印第i种子像素所需的溶剂体积记作Vi,i为小于或等于n的正整数;针对每种子像素计算Xi值,Xi=Vi/V1,V1为喷墨打印第一种子像素所需的溶剂体积;将n种子像素的Xi值取最大公约数并且记为G;将第i种子像素分为面积相等的Xi/G个子单元,且对第i种子像素的每个子单元以V1*G的溶剂量进行喷墨打印以形成膜层;其中,当Xi/G的数值大于或等于2时,第i种子像素的相邻两个子单元彼此分离。
在该实施例提供的阵列基板的喷墨打印方法中,通过将第i种子像素分为面积相等的Xi/G个子单元且对第i种子像素的每个子单元以V1*G的溶剂量进行喷墨打印,使得阵列基板的n种子像素内的各个子单元容纳的溶剂量相同。当对阵列基板的n种子像素的溶液同时进行干燥以将溶剂蒸发从而形成所需薄膜时,在相同时间内,阵列基板的各个子单元内所需的溶剂的蒸发量相同,从而有利于薄膜厚度的均一性,有利于提高包括该阵列基板的显示产品的显示效果。
下面通过几个具体的实施例对本公开进行说明。为了保持本公开实施例以下的说明清楚且简明,可省略已知功能和已知部件的详细说明。当本公开实施例的任一部件在一个以上的附图中出现时,该部件在每个附图中可以由相同的参考标号表示。
图2A为本实施例提供的使用喷墨打印方法形成的阵列基板100的平面结构示意图,图2B为本实施例提供的阵列基板的喷墨打印方法的流程图。以下,参考图2A和图2B对阵列基板的喷墨打印方法进行详细的介绍。
阵列基板100可以是各种类型的阵列基板,本实施例对此不做具体的限定,本实施例以阵列基板100为有机发光二极管阵列基板为例进行介绍。在本实施例中,阵列基板100包括n种子像素,喷墨打印n种子像素所需的溶剂量不同,其中,n为大于或等于2的正整数。在本实施例中,“溶剂量”指的是溶剂的体积量,例如,上述的“喷墨打印n种子像素所需的溶剂量不同”指的是喷墨打印n种子像素所需的溶剂的体积量不同。这里的n种子像素是以喷墨打印每种子像素的溶液的溶剂量划分的。每种子像素可以包括多个子像素,也就是多个溶剂量相同的子像素。
例如,如图2A所示,本实施例以n的数值等于3也即阵列基板100包括三种子像素为例进行介绍,当然,n的数值包括但不限于3,只要n为大于或等于2的正整数即可,本实施例对此不做具体的限定。例如,如图2A所示,阵列基板100包括像素限定层104,该像素限定层104对阵列基板的显示区域进行限定以构成阵列排布的多种子像素。如图2A所示,该阵列基板100包括三种子像素,该三种子像素分别为第一种子像素P1、第二种子像素P2和第三种子像素P3。例如,通过喷墨打印方法在上述三种子像素内分别形成三种膜层,在第一种子像素P1内形成第一膜层101、在第二种子像素P2内形成第二膜层102、在第三种子像素P3内形成第三膜层103。例如,将第一种子像素P1内 的第一膜层101的面积记作S1,将用于形成该第一膜层101的溶剂体积记作V1;将第二种子像素P2内的第二膜层102的面积记作S2,将用于形成该第二膜层102的溶剂体积记作V2;将第三种子像素P3内的第三膜层103的面积记作S3,将用于形成该第三膜层103的溶剂体积记作V3。例如,在本实施例中,溶剂体积与膜层面积正相关,即当S1<S2<S3时,V1<V2<V3。例如,为了便于描述阵列基板的喷墨打印方法,在本实施例提供的附图2A中,以S1=1.0、S2=2.0、S3=3.0且V1=2.0、V2=4.0、V3=6.0的示例为例进行说明。当然,S1、S2、S3的数值和/或V1、V2、V3的数值可以是任意的数值,本实施例对此不做具体的限定。
例如,图2B为一种阵列基板的喷墨打印方法的流程图,以喷墨打印形成图2A示出的阵列基板100为例,该喷墨打印方法包括以下步骤:
S101:将喷墨打印第i种子像素所需的溶剂体积记作Vi。
例如,在本实施例中,i可以为小于或等于3的任意正整数。例如,i可以分别为1、2和3。喷墨打印第一种子像素P1所需的溶剂体积记作V1,喷墨打印第二种子像素P2所需的溶剂体积记作V2,喷墨打印第三种子像素P3所需的溶剂体积记作V3。例如,在一个示例中,将喷墨打印第i种子像素所需的溶液体积记作Ci,将喷墨打印第i种子像素所用的溶液的体积浓度记作Bi,则Vi=Ci*(1-Bi)。例如,第一种子像素P1的溶剂体积V1=C1*(1-B1),第二种子像素P2的溶剂体积V2=C2*(1-B2),第三种子像素P3的溶剂体积V3=C3*(1-B3)。例如,B1、B2、B3的数值可以完全相同,也可以完全不同,本实施例对B1、B2、B3的数值不做具体的限定。例如,当B1=B2=B3时,V1:V2:V3=C1:C2:C3。
S102:针对每种子像素计算Xi值,其中,Xi=Vi/V1。
例如,将V1=2.0、V2=4.0、V3=6.0数值代入Xi=Vi/V1,可以分别得到X1=V1/V1=1.0,X2=V2/V1=2.0,X3=V3/V1=3.0。
S103:将n种子像素的Xi值取最大公约数并且记为G。
例如,上述X1(1.0)、X2(2.0)、X3(3.0)的最大公约数G=1.0。需要说明的是,在本公开的各个实施例中,最大公约数,不仅指两个或多个自然数共有约数中最大的一个约数,最大公约数的定义还可以扩展到分数(小数)。例如,当n种子像素的Xi值中至少包括一个分数(小数)时,n种子像素的Xi值分别除以它们的最大公约数均可以使其对应的Xi值整数化。当n种子像 素的Xi值中至少包括一个分数(小数)时,其最大公约数的计算方法例如可以是:(1)将n种子像素的Xi值均写成分数形式,例如,Xi=Fi/Ei;(2)将n种子像素的Xi的分母Ei的最小公倍数记作a;(3)将n种子像素的Xi的分子Fi的最大公约数记作b;(4)n种子像素的Xi值的最大公约数G=b/a。例如,由于X1=V1/V1=1,因此,当n种子像素的Xi值均为正整数时,则n种子像素的Xi值的最大公约数G等于1;当n种子像素的Xi值中至少有一个为分数(小数)时,n种子像素的Xi值的最大公约数G=b/a。
例如,在一个示例中,当Xi值为小数(将分数转化为小数)且该小数的小数点后面的位数大于或等于2时,首先通过四舍五入方法使Xi值保留一位小数,然后再将保留一位小数后的Xi值写成分数形式,并按照上述方法计算n种子像素的Xi值的最大公约数G(G=b/a)。
例如,在一个示例中,通过步骤S101和步骤S102后,得到Xi(i=1,2,3)的数值例如分别为X1=1.01、X2=1.2、X3=1.3,如果不通过四舍五入方法将X1保留一位小数,则X1(1.01)、X2(1.2)、X3(1.3)的最大公约数G=0.01。将X1(1.01)、X2(1.2)、X3(1.3)和G(0.01)的数值代入下述步骤S104中的Xi/G中,可以分别得到X1/G=101、X2/G=120、X3/G=130,也就是说,需要将第一种子像素P1分为面积相等的101个子单元,将第二种子像素P2分为面积相等的120个子单元,将第三种子像素P3分为面积相等的130个子单元。而如果在计算X1(1.01)、X2(1.2)、X3(1.3)的最大公约数G之前,首先通过四舍五入的方法将X1(1.01)的数值保留一位小数使X1的数值变为X1’=1.0,然后再计算X1’(1.0)、X2(1.2)、X3(1.3)的最大公约数G,则X1’(1.0)、X2(1.2)、X3(1.3)的最大公约数G=0.1。将X1’(1.0)、X2(1.2)、X3(1.3)和G(0.1)的数值代入下述步骤S104中的Xi/G中,可以分别得到X1’/G=10、X2/G=12、X3/G=13。即将第一种子像素P1分为面积相等的10个子单元,将第二种子像素P2分为面积相等的12个子单元,将第三种子像素P3分为面积相等的13个子单元,这使得每种子像素的多个子单元所需的溶剂量基本上相同,同时,每种子像素划分的子单元的个数也不会过于庞大,从而有利于在实际工艺过程中的操作。
S104:将第i种子像素分为面积相等的Xi/G个子单元,且对第i种子像素的每个子单元以V1*G的溶剂量进行喷墨打印。在该步骤中,对于第i种子像素,将包含V1*G的溶剂的溶液喷墨打印至该第i种子像素的每个子单元处。
例如,将步骤S102和步骤S103分别计算的Xi值和G值代入本步骤相应的公式中,可以得出:第一种子像素P1为一个子单元,即对第一种子像素P1不进行划分,并对第一种子像素P1以1.0(V1*G,V1=1.0,G=1.0)为溶剂量进行喷墨打印以形成第一膜层101;将第二种子像素P2分为面积相等的两个子单元,两个子单元分别为P21和P22,且对P21和P22分别以1.0(V1*G,V1=1.0,G=1.0)为溶剂量进行喷墨打印以在P21和P22内形成第二膜层102;将第三种子像素P3分为面积相等的三个子单元,三个子单元分别为P31、P32和P33,且对P31、P32和P33分别以1.0(V1*G,V1=1.0,G=1.0)为溶剂量进行喷墨打印以在P31、P32和P33内形成第三膜层103。需要说明的是,每种子像素内的多个子单元的面积彼此相同。不同种子像素的子单元间的面积可以相同,也可以不同,本实施例对此不做具体的限定。例如,P21的面积与P22的面积相同,但是,P21的面积与P31的面积可以相同,也可以不同。需要说明的是,这里的“相同”包括完全相同和大致相同。
例如,第一膜层101、第二膜层102、第三膜层103可以是有机发光二极管阵列基板100中的有机功能层,该有机功能层例如可以是发光层、电子传输层、电子注入层、空穴传输层、空穴注入层中的任意一层或任何它们的任意组合,本实施例对此不做具体的限定。例如,在一个示例中,当第一膜层101、第二膜层102、第三膜层103均为发光层时,第一膜层101可以是绿色发光层,第二膜层102可以是红色发光层,第三膜层103可以是蓝色发光层,从而使得包括该阵列基板100的显示面板实现彩色显示。由于红色发光层和蓝色发光层的使用寿命和发光效率通常低于绿色发光层的使用寿命和发光效率,通过在面积较小的第一种子像素P1内形成使用寿命和发光效率较高的绿色发光层、在面积较大的第三种子像素P3内形成使用寿命和发光效率较低的蓝色发光层,可以使得包括该阵列基板的显示装置中每个子像素的发光强度基本上相同,从而有利于改善显示装置的亮度均一性。
需要说明的是,在步骤S104的“对第i种子像素的每个子单元以V1*G的溶剂量进行喷墨打印以形成膜层”中,在对阵列基板的n种子像素的子单元打印成膜所需的溶液后,通常需要对阵列基板的n种子像素的溶液同时进行干燥以将溶液中的溶剂去除从而形成膜层,干燥方法例如包括真空干燥或旋转干燥等任意适合的干燥方法。例如可以将打印有溶液的阵列基板放置在真空干燥装置中,通过真空干燥方法使溶液中的溶剂蒸发,以形成膜层。或者可以将打印 有溶液的阵列基板放置在旋转基台上,通过对打印有溶液的阵列基板进行旋转以使溶剂蒸发进而形成膜层。旋转干燥方法例如包括真空旋转干燥和加热旋转干燥中的至少一种。例如,干燥时所需的温度、压强、旋转速度等参数可以根据产品设计需求进行相应的调整,本实施例对此不做具体的限定。
例如,当Xi/G的数值大于或等于2时,第i种子像素的相邻两个子单元彼此分离。例如,在对每种子像素进行喷墨打印以形成膜层之前,需要预先在阵列基板100的衬底基板上形成像素限定层104和单元限定层105,以限定喷墨打印的溶液能够精确地流入到每种子像素内的多个子单元中,并且使得每个子单元内的溶剂量相同。例如,图3A为图2A中虚线框处的放大示意图,参考图3A,在第三种子像素P3内设置单元限定层105以限定P31、P32和P33子单元,从而使得P31、P32和P33子单元彼此分离。如图3A所示,第三种子像素P3内的相邻两个子单元之间的间距不大于三种子像素中的相邻两个子像素之间的间距,也就是说,在图3A示出的W方向上,单元限定层105的线宽小于或者等于像素限定层104的线宽,从而使得包括由该喷墨打印方法形成的阵列基板的显示装置的显示画面不会产生颗粒感。例如,单元限定层105和像素限定层104可以一体形成,也可以是彼此独立的结构,本实施例对此不做具体的限定。例如,单元限定层105的材料可以和像素限定层104的材料相同,单元限定层105的材料和像素限定层104的材料的示例包括有机绝缘材料或无机绝缘材料,该有机绝缘材料例如包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、酚醛树脂中的一种或多种,本实施例对此不做具体的限定。需要说明的是,图3A仅是一种示意性示例,并不代表单元限定层105和像素限定层104在W方向上的实际的线宽比例,单元限定层105和像素限定层104在W方向的实际线宽可以根据产品设计需求进行相应地调整,本实施例对此不做具体的限定。
例如,在本实施例的另一个示例中,当Xi/G的数值大于或者等于2时,还可以在第i种子像素的相邻两个子单元之间设置连接相邻两个子单元之间的通道。例如,图3B为另一种阵列基板的第三种子像素的局部放大示意图,如图3B所示,在第三种子像素P3的相邻两个子单元之间设置有连接相邻两个子单元之间的通道106,例如,单元限定层105的开口可以构成该通道106。例如,在与相邻两个子单元排列的方向垂直的方向上,通道106的尺寸小于子单元的尺寸。如图3B所示,AB线与子单元两个侧边的两个交点分别为Q1和Q2,AB线与通道106的两个交点分别为R1和R2,则“在与相邻两个子单元 排列的方向垂直的方向上,通道106的尺寸小于子单元的尺寸”指R1R2的长度小于Q1Q2的长度。例如,在一个示例中,R1R2的长度远远小于Q1Q2的长度,因此,每个子单元内的溶剂通过通道106流入相邻子单元内的溶剂体积量基本上可以忽略,从而使得每种子像素的多个子单元内的溶剂量基本上保持一致。另外,如图3B所示,第一子单元P31内的溶液通过通道106可以与第二子单元P32内的溶液相连通,第二子单元P32内的溶液通过通道106可以与第三子单元P33内的溶液相连通,至少部分溶液不会在单元限定层105所在的位置产生中断,从而可以进一步避免通过该喷墨打印方法形成的显示装置的显示画面产生颗粒感。例如,图3B示出每种子像素内相邻的两个子单元之间仅包括一个通道106,但本示例包括但不限于此,例如,根据需要,每种子像素内相邻的两个子单元之间还可以包括两个或者多个通道106,本示例对此不做具体的限定。
需要说明的是,为清楚起见,附图并没有给出用喷墨打印方法形成的阵列基板100的全部结构。为实现阵列基板的必要功能,本领域技术人员可以根据具体应用场景进行设置其他未示出的结构,本公开的实施例对此不做限制。
在本公开至少一个实施例提供的阵列基板的喷墨打印方法中,通过将第i种子像素分为面积相等的Xi/G个子单元且对第i种子像素的每个子单元以V1*G的溶剂量进行喷墨打印,使得阵列基板的各个子单元内的溶剂量相同,从而当对阵列基板的n种子像素的溶液同时进行干燥以形成所需薄膜时,在相同条件下,阵列基板的每种子像素内的各个子单元的所需溶液的溶剂的蒸发量相同,从而利于薄膜厚度的均一性,有利于提高包括该阵列基板的显示装置的显示效果。同时该喷墨打印方法操作简单,易于实现。
例如,在一个示例中,在阵列基板的n种子像素中,至少有两种子像素的膜层的面积不同,且该两种不同面积的子像素的用于形成膜层的溶剂体积Vi与面积Si负相关。例如,将第一种子像素的膜层面积记作S1,将用于形成该膜层的溶剂体积记作V1;将第二种子像素的膜层面积记作S2,将用于形成该膜层的溶剂体积记作V2,当S1<S2时,V1>V2。
图4为本实施例提供的使用喷墨打印方法形成的另一种阵列基板200的平面结构示意图,该喷墨打印方法可参照上述图2B中示出的方法。参考图4,除了图4中示出的阵列基板200的第一种子像素P1被划分的子单元的数量与图2A中示出的不同以外,该实施例的阵列基板200的结构与图2A中描述的 阵列基板100的结构可以基本相同。为了便于描述阵列基板的喷墨打印方法,在本实施例中,定义S1=1.0、S2=2.0、S3=3.0且V1=2.0、V2=3.0、V3=3.0,下面结合图2B,对阵列基板200的喷墨打印方法进行介绍。
S101:将喷墨打印第i种子像素所需的溶剂体积记作Vi。
例如,在本实施例中,i可以为小于或等于3的任意正整数,例如,i可以分别为1、2和3。V1=2.0、V2=3.0、V3=3.0。
S102:针对每种子像素计算Xi值,其中,Xi=Vi/V1。
例如,将步骤S101中Vi的数值代入Xi=Vi/V1,可以分别得到X1=V1/V1=1.0,X2=V2/V1=1.5,X3=V3/V1=1.5。
S103:将n种子像素的Xi值取最大公约数并且记为G。
例如,计算X1=1.0、X2=1.5、X3=1.5的最大公约数G=0.5。
S104:将第i种子像素分为面积相等的Xi/G个子单元,且对第i种子像素的每个子单元以V1*G的溶剂量进行喷墨打印。在该步骤中,对于第i种子像素,将包含V1*G的溶剂的溶液喷墨打印至该第i种子像素的每个子单元处。
例如,将步骤S102和步骤S103分别计算的Xi值和G值代入本步骤相应的公式中,可以得出:将第一种子像素P1平均分为两个子单元,两个子单元分别为P11和P12,且对两个子单元P11和P12分别以1.0(V1*G,V1=2.0,G=0.5)为溶剂量进行喷墨打印以形成第一膜层101,该第一膜层101例如可以是绿色发光层;将第二种子像素P2平均分为两个子单元,两个子单元分别为P21和P22,且对两个子单元P21和P22分别以1.0(V1*G,V1=2.0,G=0.5)为溶剂量进行喷墨打印以形成第二膜层102,该第二膜层102例如可以是红色发光层;将第三种子像素P3分为面积相等的三个子单元,三个子单元分别为P31、P32和P33,且对P31、P32和P33分别以1.0(V1*G,V1=2.0,G=0.5)为溶剂量进行喷墨打印以在P31、P32和P33内形成第三膜层103,该第三膜层103例如可以是蓝色发光层。
通过上述喷墨打印方法,可以形成阵列基板200。通过本实施例可以看出,虽然图4中示出的每种子像素的面积与图2A中示出的对应的每种子像素的面积相同,但是,由于每种子像素内的溶剂量产生了变化,因此,与图2A示出的阵列基板100相比,图4中的阵列基板200的每种子像素划分的子单元的数量发生了一定的变化,且对每种子像素内每个子单元的喷墨打印的溶剂量也发生了变化。在本实施例中,对三种子像素中的每个子单元均以1.0(V1*G, V1=2.0,G=0.5)为溶剂量进行喷墨打印以形成相应的膜层,在相同条件下,阵列基板的每种子像素内的各个子单元的溶剂蒸发量相同,从而有利于形成均一厚度的薄膜,有利于提高包括该阵列基板的显示装置的显示效果。同时该喷墨打印方法操作简单,易于实现。
图5为本实施例的另一个示例提供的使用喷墨打印方法形成的另一种阵列基板300的平面结构示意图,该喷墨打印方法可参照上述图2B中示出的方法。参考图5,除了图5中示出的阵列基板300的第一种子像素P1的面积S1和第二种子像素P2的面积S2以及相应的子单元的数量与图2A中示出的不同以外,该示例的阵列基板300的结构与图2A中描述的阵列基板100的结构可以基本相同。在本示例提供的阵列基板300中,S1=2.0、S2=1.0、S3=3.0且V1=4.0、V2=2.0、V3=6.0。下面结合图2B,对阵列基板300的喷墨打印方法进行介绍。
S101:将喷墨打印第i种子像素所需的溶剂体积记作Vi。
例如,在本实施例中,i可以为小于或等于3的任意正整数,例如,i可以分别为1、2、3。例如,V1=4.0、V2=2.0、V3=6.0。
S102:针对每种子像素计算Xi值,其中,Xi=Vi/V1。
例如,将步骤S101中Vi的数值代入Xi=Vi/V1,可以分别得到X1=V1/V1=1.0,X2=V2/V1=0.5,X3=V3/V1=1.5。
S103:将n种子像素的Xi值取最大公约数并且记为G。
例如,计算X1=1.0、X2=0.5、X3=1.5的最大公约数G=0.5。
S104:将第i种子像素分为面积相等的Xi/G个子单元,且对第i种子像素的每个子单元以V1*G的溶剂量进行喷墨打印。在该步骤中,对于第i种子像素,将包含V1*G的溶剂的溶液喷墨打印至该第i种子像素的每个子单元处。
例如,将步骤S102和步骤S103分别计算的Xi值和G值代入本步骤相应的公式中,可以得出:将第一种子像素P1平均分为两个子单元,两个子单元分别为P11和P12,且对两个子单元P11和P12分别以2.0(V1*G,V1=4.0,G=0.5)为溶剂量进行喷墨打印以形成第一膜层101,该第一膜层101例如可以是红色发光层;第二种子像素P2为一个子单元,也就是说不需要对第二种子像素P2进行划分,并对第二种子像素P2以2为溶剂量进行喷墨打印以形成第二膜层102,该第二膜层102例如可以是绿色发光层;将第三种子像素P3分为面积相等的三个子单元,三个子单元分别为P31、P32和P33,且对P31、P32和P33分别以2.0(V1*G,V1=4.0,G=0.5)为溶剂量进行喷墨打印以在P31、 P32和P33内形成第三膜层103,该第三膜层103例如可以是蓝色发光层。
与图2A中示出的阵列基板100相比,本实施例提供的阵列基板300的第一种子像素相当于阵列基板100的第二种子像素,阵列基板300的第二种子像素相当于阵列基板100的第一种子像素,阵列基板300的第三种子像素相当于阵列基板100的第三种子像素。与图2A相比,虽然本实施例没有以所需最小溶剂量的子像素作为计算参考基准,但是,每种子像素划分的子单元的数量和每个子单元的打印的溶剂体积量与图2A中示出的相同。所以,在本公开各实施例提供的阵列基板的喷墨打印方法中,不需要以阵列基板的所需最小溶剂量的子像素作为第一种子像素,第一种子像素可以是阵列基板中的任意一种子像素。
图6为本实施例的再一个示例提供的使用喷墨打印方法形成的再一种阵列基板400的平面结构示意图,该喷墨打印方法可参照上述图2B中示出的方法。参考图6,在本示例提供的阵列基板400中,S1=S2=S3=1.0且V1=2.0、V2=4.0、V3=6.0。下面结合图2B,对阵列基板400的喷墨打印方法进行介绍。
S101:将喷墨打印第i种子像素所需的溶剂体积记作Vi。
例如,在本实施例中,i可以为小于或等于3的任意正整数,例如,i可以分别为1、2、3。例如,V1=2.0、V2=4.0、V3=6.0。
S102:针对每种子像素计算Xi值,其中,Xi=Vi/V1。
例如,将步骤S101中Vi的数值代入Xi=Vi/V1,可以分别得到X1=V1/V1=1.0,X2=V2/V1=2.0,X3=V3/V1=3.0。
S103:将n种子像素的Xi值取最大公约数并且记为G。
例如,计算X1=1.0、X2=2.0、X3=3.0的最大公约数G=1.0。
S104:将第i种子像素分为面积相等的Xi/G个子单元,且对第i种子像素的每个子单元以V1*G的溶剂量进行喷墨打印。在该步骤中,对于第i种子像素,将包含V1*G的溶剂的溶液喷墨打印至该第i种子像素的每个子单元处。
例如,将步骤S102和步骤S103分别计算的Xi值和G值代入本步骤相应的公式中,可以得出:第一种子像素P1为一个子单元,也就是说不需要对第一种子像素P1进行划分,并对第一种子像素P1以2.0(V1*G,V1=2.0,G=1.0)为溶剂量进行喷墨打印以形成第一膜层101;将第二种子像素P2平均分为两个子单元,两个子单元分别为P21和P22,且对两个子单元P21和P22分别以2.0(V1*G,V1=2.0,G=1.0)为溶剂量进行喷墨打印以形成第二膜层102;将第 三种子像素P3分为面积相等的三个子单元,三个子单元分别为P31、P32和P33,且对P31、P32和P33分别以2.0(V1*G,V1=2.0,G=1.0)为溶剂量进行喷墨打印以在P31、P32和P33内形成第三膜层103。
虽然阵列基板400的三种子像素的面积均相等,但是,由于每种子像素内的溶剂量不同,如果不将阵列基板的每种子像素划分成相应数量的子单元,在蒸发溶剂形成膜层的过程中,容易影响形成的膜层的厚度均一性。通过本示例提供的阵列基板的喷墨打印方法,将阵列基板400的第二种子像素P2分为面积相等的两个子单元,将第三种子像素P3分为面积相等的三个子单元,对每个子单元分别以2.0(V1*G,V1=2.0,G=1.0)为溶剂量进行喷墨打印,在相同条件下,阵列基板的每种子像素内的各个子单元的溶剂蒸发量相同,从而有利于形成均一厚度的薄膜,有利于提高包括该阵列基板的显示装置的显示效果。同时该喷墨打印方法操作简单,易于实现。
本实施例提供一种阵列基板500,该阵列基板500包括阵列排布的n种子像素,其中,n为大于或等于2的正整数,图7示出了根据本实施例提供的阵列基板500的其中一种子像素的部分剖面结构示意图。这里的n种子像素是以喷墨打印每种子像素所需的溶液的溶剂量划分的,也即喷墨打印n种子像素所需的溶液的溶剂量彼此不相同。例如,每种子像素可以包括多个子像素,也就是每种子像素可以包括多个喷墨打印所需溶剂量相同的子像素。例如,该阵列基板500可以为各种适当类型的阵列基板,本实施例不限制于阵列基板的具体类型。
如图7所示,本实施例以阵列基板500为OLED显示装置的阵列基板为例进行介绍。该阵列基板500包括衬底基板111、像素限定层104、发光元件106、单元限定层105、薄膜晶体管110等结构,其中,发光元件106中的至少一个膜层包括彼此分离的多个子部分。
例如,如图7所示,衬底基板111例如可以是玻璃基板、石英基板、塑料基板或其它适合材料的基板,本实施例对此不做具体的限定。
例如,如图7所示,像素限定层104设置在衬底基板111上,该像素限定层104用于限定阵列基板500的多种子像素。如图7所示,该像素限定层104包括开口,开口内设置发光元件106和薄膜晶体管110等结构。例如,像素限定层104的材料的示例包括有机绝缘材料或无机绝缘材料,有机绝缘材料例如包括聚酰亚胺、聚酰胺、丙烯酸树脂、酚醛树脂中的一种或多种,本实施例对 像素限定层104的材料不做具体的限定。
例如,如图7所示,发光元件106为有机发光二极管,该发光元件106例如包括对电极107、像素电极108以及介于对电极107和像素电极108之间的有机发光层109,该有机发光层109例如可以采用上述实施例描述的喷墨打印方法形成。例如,如图7所示,单元限定层105将有机发光层109分为三个子部分,该三个子部分分别为第一子部分1091、第二子部分1092以及第三子部分1093,且在平行于阵列基板500的平面内,该三个子部分的面积彼此相等。例如,在使用喷墨打印方法制备该有机发光层109时,在该子像素的三个子单元内分别喷墨打印制备该有机发光层109所需的溶液,三个子单元所需的溶液包含的溶剂量相同,且单元限定层105对该三个子单元限定以使三个子单元中的任意相邻的两个子单元彼此分隔。当三个子单元内的溶液中的溶剂被蒸发干燥后,在三个子单元内对应形成有机发光层109的第一子部分1091、第二子部分1092以及第三子部分1093。由于三个子单元内的溶剂量相同,因此,在相同条件下,三个子单元的溶液中的溶剂蒸发量相同,从而形成的有机发光层的三个子部分的面积相同。需要说明的是,同种子像素内的多个子部分的面积彼此相同,不同种子像素内的多个子部分的面积可以相同,也可以不同,本实施例对此不做具体的限定。例如,相邻两个子部分之间的间距不大于相邻两种子像素之间的间距,也即,如图7所示,单元限定层105的线宽不大于像素限定层104的线宽,从而使得包括该阵列基板的显示装置的显示画面不会产生颗粒感。例如,单元限定层105和像素限定层104可以一体形成,也可以是彼此独立的结构,本实施例对此不做具体的限定。例如,单元限定层105的材料可以和像素限定层104的材料相同。需要说明的是,图7仅是一种示意性示例,并不代表单元限定层105和像素限定层104实际的线宽比例,单元限定层105和像素限定层104的实际线宽需要根据产品设计需求进行相应调整,本实施例对此不做具体的限定。需要说明的是,图7中的有机发光层109仅示出三个子部分,但有机发光层109的子部分的数量包括但不限于三个,例如还可以是一个、两个或者多个,本实施例对此不做具体的限定。
例如,在包括多个子部分的子像素中,多个子部分(例如,第一子部分1091、第二子部分1092以及第三子部分1093)与同一像素电极108电性相连。
例如,在一个示例中,该发光元件106还可以进一步包括空穴传输层、空穴注入层、电子传输层和电子注入层中的一个或多个。例如,不仅有机发光层 109可以包括彼此分离的多个子部分,空穴传输层、空穴注入层、电子传输层和电子注入层中的一个或多个也可以包括彼此分离的多个子部分,只要通过单元限定层105对相应的膜层进行限定分隔以形成多个子部分即可。例如,空穴传输层、空穴注入层、电子传输层和电子注入层中的多个子部分,可以采用上述任意实施例描述的阵列基板的喷墨打印方法形成。
例如,在另一个示例中,参考图3B和图7,当图3B示出的第三种子像素内的第三膜层103为有机发光层109时,在有机发光层109的相邻的两个子部分之间还设置有连接部115,且在与相邻两个子部分排列的方向垂直的方向上,连接部115的尺寸小于子部分的尺寸。如图3B所示,例如,该连接部115可以是设置在单元限定层105中的通道106位置处的膜层。例如,该连接部115的膜层与有机发光层109一体形成,也就是说,有机发光层109在通道位置处的部分构成该连接部115。例如,有机发光层109的第一子部分1091与第二子部分1092通过该连接部115形成为一体,有机发光层109的第二子部分1092与第三子部分1093通过该连接部115形成为一体,从而使得由第一子部分1091、第二子部分1092、第三子部分1093构成的有机发光层109形成为连续的膜层,从而可以进一步避免包括该阵列基板的显示装置的显示画面产生颗粒感。
例如,如图7所示,对电极107和像素电极108为连续的电极层,例如,该像素电极108可以为条状电极或者面状电极且连续设置在该阵列基板500的n种子像素内。例如,对电极107和像素电极108的材料包括透明导电材料,该透明导电材料例如可以为氧化铟锡、氧化铟锌等任意适合的材料。例如,在一个示例中,对电极107可以配置为该阵列基板500的公共电极。例如,像素电极108可以作为该发光元件106的阳极,对电极107可以作为该发光元件106的阴极。当然,也可以是像素电极108作为该发光元件106的阴极,对电极107作为该发光元件106的阳极。
例如,如图7所示,该薄膜晶体管110包括栅极1101、有源层1102、第一源漏极1103、第二源漏极1104等结构。如图7所示,像素电极108与薄膜晶体管110的第一源漏极1103电连接。
例如,如图7所示,该阵列基板500还包括缓冲层112、绝缘层113、平坦层114等结构。例如,缓冲层112设置在衬底基板111和有源层1102之间,绝缘层113和平坦层114依次层叠设置在缓冲层112上,用于该缓冲层112、 绝缘层113和平坦层114的材料的示例包括SiNx、SiOx或其它适合的材料,本实施例对此不做具体限定。
需要说明的是,为清楚起见,附图并没有给出该阵列基板500的全部结构。为实现阵列基板的必要功能,本领域技术人员可以根据具体应用场景进行设置其他未示出的结构,本公开的实施例对此不做限制。
在本实施例提供的阵列基板500中,有机发光元件106中的至少有机发光层109包括彼此分离且面积相等的多个子部分,该有机发光层109例如可以通过上述任意实施例描述的阵列基板的喷墨打印方法形成。本实施例提供的阵列基板500的其它技术效果可参见上述实施例描述的阵列基板的喷墨打印方法的技术效果,在此不再赘述。
例如,本实施例的一个示例还提供一种显示装置,该显示装置包括本实施例描述的任一阵列基板。例如,该显示装置可以为有机发光二极管显示装置等显示器件以及包括该显示装置的电视、数码相机、手机、手表、平板电脑、笔记本电脑、导航仪等任何具有显示功能的产品或者部件,本实施例不限于此。该显示装置的技术效果,可参见本实施例描述的阵列基板的技术效果,在此不再赘述。
有以下几点需要说明:
(1)除非另作定义,本公开实施例以及附图中,同一标号代表同一含义。
(2)本公开实施例附图中,只涉及到与本公开实施例涉及到的结构,其他结构可参考通常设计。
(3)为了清晰起见,在用于描述本公开的实施例的附图中,层或区域被放大。可以理解,当诸如层、膜、区域或基板之类的元件被称作位于另一元件“上”或“下”时,该元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”,或者可以存在中间元件。
以上所述,仅为本公开的具体实施方式,但本公开的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本公开揭露的技术范围内,可轻易想到变化或替换,都应涵盖在本公开的保护范围之内。因此,本公开的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。