CN106298845A - 发光显示装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
公开了一种发光显示装置和制造发光显示装置的方法。发光显示装置包括第一电极、具有暴露第一电极的开口的像素限定层、位于第一电极上的空穴注入层、在空穴注入层上位于开口中的亲液图案、位于亲液图案上的空穴传输层、位于空穴传输层上的发光层以及位于发光层上的第二电极。亲液图案包括与开口的第一侧壁相邻的第一部分和与开口的第二侧壁相邻的第二部分。从空穴注入层的顶表面至第二部分的顶表面的边缘的距离对应于第一高度。从空穴注入层的顶表面至第一部分的顶表面的距离对应于第二高度。第一高度小于第二高度。
Description
相关申请的交叉引用
于2015年6月29日提交的且标题为“发光显示装置及其制造方法”的第10-2015-0092088号韩国专利申请的全部内容通过引用并入本文中。
技术领域
本文中描述的一个或多个实施方式涉及发光显示装置和用于制造发光显示装置的方法。
背景技术
有机发光显示器具有相对宽的视角、高的对比度、和快速的响应速度。这种显示器的每个像素包括位于阳极与阴极之间的有机发光层。当正电压和负电压分别施加至这些电极时,空穴从阳极经由空穴注入层和空穴传输层移动至有机发光层,并且电子从阴极经由电子注入层和电子传输层移动至有机发光层。电子和空穴在有机发光层中重新结合而生成激子。当激子从激发态跃迁至基态时发射光。由像素发射的光生成图像。
有机发光显示器可包括像素限定层,像素限定层具有暴露阳极的开口。空穴注入层、空穴传输层、有机发光层、电子传输层、电子注入层、以及阴极可形成在通过像素限定层中的开口暴露的阳极上。
空穴传输层和有机发光层可使用喷墨印刷方法或喷嘴印刷方法形成为薄层。这些方法可使用喷射器将溶液喷射进像素限定层的开口中。在喷墨印刷方法期间,待印刷的材料可以以墨滴的形式应用到期望位置。在喷嘴印刷方法期间,使得期望位置处的待印刷的材料沿着包括期望位置的线流动。
为了提高空穴传输溶液的可湿性,可在阳极上形成亲液图案。
当使用喷嘴印刷方法将空穴传输溶液喷射到亲液图案上时,通过喷射器的快速移动速度引起的气流所产生的力可将空穴传输溶液推到亲液图案的一侧。其结果是,空穴传输溶液可能干燥为具有不均匀的形状。这可能使得显示器具有不均匀的发射特性,并因此降低显示质量。
如果被推至一侧的空穴传输溶液溢流至相邻的像素,则空穴传输层可能形成在相邻像素的部分中。在这种情况下,空穴传输层上的有机发光层也可能形成在相邻像素的该部分中。因此,在相邻像素中发射不同颜色光的有机发光层可能彼此重叠。这可能造成不同颜色光的不期望的混合,其还降低了显示质量。
发明内容
根据一个或多个实施方式,发光显示装置包括第一电极、像素限定层、空穴注入层、亲液图案、空穴传输层、发光层以及第二电极,其中,像素限定层具有暴露第一电极的开口;空穴注入层位于第一电极上;亲液图案空穴注入层上位于开口中,亲液图案包括与开口的第一侧壁相邻的第一部分和与开口的第二侧壁相邻的第二部分;空穴传输层位于亲液图案上;发光层位于空穴传输层上;以及第二电极位于发光层上,其中从空穴注入层的顶表面至第二部分的顶表面的边缘的距离对应于第一高度,从空穴注入层的顶表面至第一部分的顶表面的距离对应于第二高度,以及其中第一高度小于第二高度。
空穴传输层可对应于处于干燥状态的空穴传输溶液,并且空穴传输溶液相对于第二部分的边缘的第一接触角度可大于空穴传输溶液相对于第一部分的第二接触角度。第一接触角度与第二接触角度之差可为约2度或小于2度。亲液图案的第二部分可与第一部分相连,并且第二部分可包括具有从开口的第一侧壁朝着第二侧壁变薄的倾斜的顶表面的倾斜部分。
亲液图案的第二部分可与第一部分相连,并且第二部分可包括具有从开口的第一侧壁朝着第二侧壁变薄的阶梯形顶表面的部分。亲液图案的第二部分可与第一部分间隔开,第二部分可包括在与从开口的第一侧壁朝着第二侧壁的方向交叉的方向中延伸的多个线,多个线可在从第一侧壁朝着第二侧壁的方向中彼此间隔开,并且多个线可从第一侧壁朝着第二侧壁变薄。
亲液图案的第二部分可与第一部分间隔开,并且第二部分可包括从第一侧壁朝着第二侧壁变薄的多个点图案。亲液图案可包括位于开口的第一侧壁与第一部分之间的第三部分,并且从空穴注入层的顶表面至第三部分的边缘的高度可小于从空穴注入层的顶表面至第一部分的顶表面的高度。空穴传输层可包括与开口的第三侧壁相邻的第一部分和与开口的第四侧壁相邻的第二部分,并且从第一电极至空穴传输层的第一部分的边缘的高度可小于从第一电极至空穴传输层的第二部分的边缘的高度。
根据一个或多个其他实施方式,发光显示装置包括:多个像素、多个第一电极、像素限定层、多个空穴注入层、多个亲液图案、多个空穴传输层、多个发光层以及多个第二电极,其中多个第一电极位于多个像素的相应像素中,像素限定层具有暴露多个第一电极的相应第一电极的开口,空穴注入层位于多个第一电极中的相应第一电极上,亲液图案在多个空穴注入层的相应空穴注入层上位于开口中,多个亲液图案中的每个包括与相应开口的第一侧壁相邻的第一部分和与该相应开口的第二侧壁相邻的第二部分,空穴传输层位于多个亲液图案上,发光层位于多个空穴传输层的相应空穴传输层上,以及第二电极位于多个发光层的相应发光层上。
多个像素划分为多个单元块,多个单元块中的每个单元块包括沿着第一方向布置的多个列组,多个单元块包括第一单元块和第二单元块;以及边界位于第一单元块与第二单元块之间。在每个像素中,在第一单元块的面对边界的列组中,从空穴注入层的顶表面至亲液图案的第二部分的顶表面的边缘的距离对应于第一高度,从空穴注入层的顶表面至第一部分的顶表面的距离对应于第二高度,并且第一高度小于第二高度。
在每个像素中,在第一单元块的除了面对边界的列组之外的至少一个列组中,从空穴注入层的顶表面至每个像素的亲液图案的第二部分的顶表面的距离可对应于第一高度,从空穴注入层的顶表面至第一部分的顶表面的距离可对应于第二高度,并且第一高度大体上可等于第二高度。
在每个像素中,空穴传输层可包括干燥的空穴传输溶液,并且在第一单元块的面对边界的列组中,空穴传输溶液相对于每个像素的亲液图案的第二部分的边缘的第一接触角度大于空穴传输溶液相对于第一部分的第二接触角度。
在每个像素中,在第一单元块的面对边界的列组中,每个像素的亲液图案的第二部分可与第一部分相连,并且第二部分可包括倾斜部分,倾斜部分具有从开口的第一侧壁朝着第二侧壁变薄的倾斜的顶表面。
在每个像素中,在第一单元块的面对边界的列组中,每个像素的亲液图案的第二部分可与第一部分相连,并且第二部分可包括阶梯部分,阶梯部分具有从开口的第一侧壁朝着第二侧壁部分地变薄的阶梯形顶表面。
在每个像素中,在第一单元块面对边界的列组中,每个像素的亲液图案的第二部分可与第一部分间隔开,第二部分可包括在与开口的第一侧壁朝着第二侧壁的方向交叉的方向中延伸的多个线,多个线可在从第一侧壁朝着第二侧壁的方向中彼此间隔开,并且多个线从第一侧壁朝着第二侧壁变薄。
在每个像素中,在第一单元块的面对边界的列组中,每个像素的亲液图案的第二部分可与第一部分间隔开,第二部分可包括多个点图案,并且多个点图案可从第一侧壁朝着第二侧壁变薄。
在每个像素中,在第一单元块的面对边界的列组中,每个像素的亲液图案可包括位于开口的第一侧壁与第一部分之间的第三部分,并且从空穴注入层的顶表面至第三部分的边缘的高度可小于从空穴注入层的顶表面至第一部分的顶表面的高度。
根据一个或多个其他的实施方式,制造发光显示装置的方法包括:在多个像素中的每个中形成第一电极,多个像素设置在彼此交叉的第一方向和第二方向中;形成像素限定层,像素限定层包括分别暴露多个像素的相应像素中的第一电极的多个开口;在第一电极上形成空穴注入层;形成亲液图案,亲液图案包括与多个开口中的相应开口的第一侧壁相邻的第一部分和与多个开口中的该相应开口的第二侧壁相邻的第二部分;在亲液图案上形成空穴传输层;在空穴传输层上形成发光层;以及在发光层上形成第二电极,其中亲液图案被形成为,使得从空穴注入层的顶表面至第二部分的顶表面的边缘的高度小于从空穴注入层的顶表面至第一部分的顶表面的高度。
形成亲液图案可包括:通过将亲液溶液涂覆到空穴注入层上来形成亲液材料层;将图案掩模放置在亲液材料层上方并在图案掩模上照射光,图案掩模包括阻挡区、透射区和半透射区;使用亲液材料层的对应于图案掩模的透射区的部分来形成亲液图案的第一部分;以及使用亲液材料层的对应于图案掩模的半透射区的部分来形成亲液图案的第二部分,形成第二部分的步骤包括通过显影工艺留出亲液材料层的被曝光部分。阻挡区可设置为对应于像素限定层的顶表面,透射区可设置为对应于亲液材料层中与第一电极重叠的并在第一方向中与开口的第一侧壁相邻的部分,以及半透射区可设置为对应于亲液材料层中与第一电极重叠的并与开口的第二侧壁相邻的部分。
亲液材料层的对应于半透射区的部分的曝光量可小于亲液材料层的对应于透射区的部分的曝光量,以及亲液材料层的对应于半透射区的部分的曝光量可从开口的第一侧壁朝着第二侧壁减少。
附图说明
通过参照附图详细描述示例性实施方式,特征将对本领域技术人员变得显而易见,在附图中:
图1示出了发光显示装置的一个实施方式;
图2示出了沿图1中的线I-I’截取的剖视图;
图3示出了沿图1中的线II-II’截取的剖视图;
图4示出了图2中的A部分的放大剖视图;
图5示出了当空穴传输溶液被喷射时,相邻像素中的空穴传输溶液的状态的示例;
图6至图11示出了亲液图案的多个实施方式;
图12示出了发光显示装置的另一实施方式;
图13示出了沿图12中的线III-III’截取的剖视图;
图14示出了图13中的B部分的放大剖视图;
图15示出了图13中的C部分的放大剖视图;以及
图16至图30示出了用于制造发光显示装置的方法的实施方式的不同阶段。
具体实施方式
在下文中,现将参照附图更全面地描述示例性实施方式;然而,示例性实施方式可体现为不同的形式并且不应解释为受限于本文中所阐述的实施方式。相反地,提供这些实施方式将使本公开全面且完整,并且将示例性实现方案充分地传达给本领域技术人员。实施方式可组合以形成附加的实施方式。
在附图中,为了清晰地说明,可放大层和区域的尺寸。还将理解,当层或者元件被称为位于另一层或者衬底“上”时,其可以直接位于另一层或者衬底上,或者也可存在插入的层。而且,将理解,当层被称为位于另一层“下”时,该层可以直接位于另一层下,并且也可以存在一个或多个插入的层。此外,还将理解,当层被称为在两个层“之间”时,其可以是在两个层之间仅有的层,或者也可以存在一个或多个插入的层。在整个说明书中,相同的附图标记表示相同的元件。
当元件被称为与另一元件“连接”或“耦接”时,其可以与另一元件直接连接或耦接,或者通过插置于其间的一个或多个插入的元件与另一元件间接地连接或耦接。此外,除非存在不同的公开,否则当元件被称为“包括”部件时,其表示该元件还可包括其他部件而不是排除其他部件。
图1示出了包括多个像素P的发光显示装置100的实施方式。图2是沿图1中的线I-I’截取的剖视图。图3是沿图1中的线II-II’截取的剖视图。
参照图1至图3,发光显示装置100包括衬底105、第一电极110、像素限定层120、空穴注入层130、亲液图案140、空穴传输层150、发光层160、电子传输层170、电子注入层180、以及第二电极190。这些元件在图2中的第三方向(Z)中依次堆叠。
衬底105包括显示区域DA和非显示区域NDA。用于显示图像的像素P位于显示区域DA中。非显示区域NDA位于显示区域DA的外部。
像素P可布置为沿着第一方向(X)和第二方向(Y)的n×m的矩阵,其中第二方向Y与第一方向X相交。像素P可包括发射红光的红色像素、发射绿光的绿色像素、以及发射蓝光的蓝色像素。在示例中,发射不同颜色光的像素P可沿着第一方向X交替地布置。发射相同颜色光的像素P可沿着第二方向Y布置。在另一实施方式中,该布置可以是不同的。
像素P可在衬底105上沿着第二方向Y划分为多个行组。行组可包括第一行组P11,P12,…,P1m至第n行组Pn1,Pn2,…,Pnm。此外,像素P可在衬底105上沿着第一方向X划分为多个列组。列组可包括第一列组P11,P21,…,Pn1至第m列组P1m,P2m,…,Pnm。
衬底105可包括例如由包含SiO2的透明玻璃材料制成的绝缘衬底。在一些实施方式中,绝缘衬底可由不透明材料或塑料材料制成。而且,绝缘衬底可以是柔性衬底。
衬底105还可包括形成在绝缘衬底上的其他结构。示例包括布线、电极、和/或绝缘层。在一些实施方式中,衬底105可包括绝缘衬底上的多个薄膜晶体管(TFT)。每个TFT可具有与第一电极110电连接的漏电极,以及例如由非晶硅、多晶硅、或单晶硅制成的有源区。在另一实施方式中,每个TFT可包括由氧化物半导体制成的有源区。在另一实施方式中,TFT可具有不同的配置。
第一电极110在衬底105上形成在每个像素P中。第一电极110可以是阳极或者阴极,其中阳极响应于传输至对应TFT的信号将空穴提供至发光层160,阴极响应于传输至TFT的信号将电子提供至发光层160。在当前实施方式中,将对第一电极110为阳极的情况作为示例进行描述。
第一电极110可用作透明电极、反射电极、或半透射半反射电极。为用作透明电极,第一电极110可由例如铟氧化锡(ITO)、铟氧化锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、或In2O3形成。为用作反射电极,第一电极110例如可通过使用Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物形成反射层,然后在该反射层上形成ITO、IZO、ZnO或In2O3来形成。为用作半透射半反射电极,第一电极110例如可通过使用Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物形成薄反射层,然后在该薄反射层上形成ITO、IZO、ZnO或In2O3来形成。第一电极110例如可通过光刻法形成。
当第一电极110是透明电极时,发光显示装置100可以是底部发射式发光显示装置(例如,其中由发光层160生成的光朝着第一电极110发射的发光显示装置)。当第一电极110被用作反射电极时,发光显示装置100可以是顶部发射式发光显示装置(例如,其中由发光层160生成的光朝着第二电极190发射的发光显示装置)。
像素限定层120位于衬底105上并且包括多个开口OP。每个开口OP暴露像素P的第一电极110中的相应一个。由此,开口OP限定衬底105上的每个像素P。像素限定层120例如可由绝缘材料制成。在一个实施方式中,像素限定层120可由选自由以下材料组成的组中的至少一种有机材料制成:苯并环丁烯(BCB)、聚酰亚胺(PI)、聚酰胺(PA)、丙烯酸树脂以及酚醛树脂。在另一实施例中,像素限定层120可由例如氮化硅的无机材料制成。像素限定层120例如可通过光刻工艺形成。
空穴注入层130可位于通过像素限定层120的开口OP暴露的第一电极110上,并且可完全地覆盖像素限定层120。空穴注入层130可以是降低第一电极110与空穴传输层150之间的能量势垒的缓冲层。空穴注入层130使空穴从第一电极110容易注入空穴传输层150中。空穴注入层130例如可由如下有机化合物制成,例如但不限于4,4’,4”-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺(MTDATA)、铜酞菁(CuPc)或聚(3,4-乙烯二氧噻吩)/聚苯乙烯磺酸酯(PEDOT/PSS)。空穴注入层130例如可通过狭缝涂覆形成。
亲液图案140在空穴注入层130上位于每个像素P中。例如,亲液图案140可在像素限定层120的开口OP内设置于空穴注入层130上。亲液图案140例如可通过光刻工艺形成。
亲液图案140可由使得亲液图案140相比像素限定层120对于空穴传输溶液150a(例如,见图5)更加亲液的亲液材料制成,例如,使得空穴传输溶液150a相对于亲液图案140的接触角度小于空穴传输溶液150a相对于像素限定层120的接触角度的亲液材料。
在一个实施方式中,亲液图案140可由导电引物(primer)制成,该导电引物使得空穴传输溶液150a相对于亲液图案140的接触角度为约10度或小于10度。在这种情况下,由于空穴传输溶液150a对亲液图案140的高可湿性,所以当空穴传输溶液150a使用喷嘴印刷方法被喷射至每个像素P中的像素限定层120的开口OP内的亲液图案140上时,空穴传输溶液150a可稳定地处于对应的像素P中,而不是散布在像素限定层120的顶表面上。因此,空穴传输层150可均匀地形成在亲液图案140上。在至少一个实施方式中,高可湿性可表示液体被广泛地散布在固体的表面之上,从而与表面的宽阔区域接触。
如图2所示,亲液图案140包括第一部分141和第二部分142。第一部分141可与每个开口OP的、在第一方向X中彼此面对的第一侧壁和第二侧壁之中的第一侧壁相邻。第二部分142可与每个开口OP的第二侧壁相邻。
如图3所示,空穴传输层150形成在亲液图案140上并且包括第一部分151和第二部分152。第一部分151可与每个开口OP的、在第二方向Y中彼此面对的第三侧壁和第四侧壁之中的第三侧壁相邻。第二部分152可与每个开口OP的第四侧壁相邻。从第一电极110至第一部分151的边缘的高度H1可小于从第一电极110至第二部分152的边缘的高度H2。
例如,当空穴传输溶液150a(例如,见图5)使用喷嘴印刷方法被喷射至每个像素P中的像素限定层120的开口OP内的亲液图案140上时,由喷射器10(见图1)的快速移动速度引起的气流所产生的力被施加在喷射器10以第二方向Y移动的方向中。此力导致空穴传输溶液150a与开口OP的第四侧壁向上接触至高位置并且相应地被干燥。这就是从第一电极110至第一部分151的边缘的高度H1小于从第一电极110至第二部分152的边缘的高度H2的原因。
然而,从第一电极110至第一部分151的边缘的高度H1可与从第一电极110至第二部分152的边缘的高度H2没有大的不同。因此,高度H1与高度H2之差对于降低发光显示装置100的发射特性可没有太大影响。
空穴传输层150经由亲液图案140从空穴注入层130接收空穴。空穴传输层150将来自空穴注入层130的空穴经由亲液图案140传输至发光层160。空穴传输层150例如可由如下有机化合物制成,例如但不限于:N,N’-二苯基-N,N’-双(3-甲基苯基)-1,1’-联苯-4,4’-二胺(TPD)或N,N’-二(1-萘基)-N,N’-二苯基-联苯胺(NPB)。空穴传输层150例如可使用喷嘴印刷方法而形成,喷嘴印刷方法对于均匀地形成薄膜是有效的。
发光层160形成在空穴传输层150上。当来自第一电极110的空穴与来自第二电极190的电子重新结合,例如提供至发光层160的空穴和电子结合以形成激子,并且激子从激发态跃迁至基态时,发光层160发射光。
发光层160可包括发射红光的红色发光层、发射绿光的绿色发光层,以及发射蓝光的蓝色发光层。发光层160例如可使用喷墨印刷方法或喷嘴印刷方法形成。
红色发光层例如可包括一种红色发光材料或主体和红色掺杂剂。红色发光层的主体的示例包括但不限于:三-(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、4,4’-N,N’-二咔唑-联苯(CBP)、聚(n-乙烯基咔唑)(PVK)、9,10-二(萘基-2-基)蒽(ADN)、4,4’,4”-三(N-咔唑)三苯胺(TCTA)、1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)、3-叔丁基-9,10-二(萘基-2-基)蒽(TBADN)、三芴(E3)以及联苯乙烯基亚芳基(DSA)。红色掺杂剂的示例可包括但不限于:PtOEP、Ir(piq)3及Btp2Ir(acac)。
绿色发光层例如可包括一种绿色发光材料或主体和绿色掺杂剂。红色发光层的主体可用作绿色发光层的主体。绿色掺杂剂的示例包括,但不限于:Ir(ppy)3、Ir(ppy)2(acac)及Ir(mpyp)3。
蓝色发光层例如可包括一种蓝色发光材料或主体和蓝色掺杂剂。红色发光层的主体可用作蓝色发光层的主体。蓝色掺杂剂的示例包括,但不限于:F2Irpic、(F2ppy)2Ir(tmd)、Ir(dfppz)3、三芴(E3)、4,4’-双(4-二对甲苯基氨基苯乙烯基)联苯(DPAVBi)以及2,5,8,11-四-叔丁基二萘嵌苯(TBPe)。
电子传输层170设置在发光层160上并且经由电子注入层180从第二电极190接收电子。电子传输层170将经由电子注入层180的来自第二电极190的电子传输至发光层160。电子传输层170例如可由如下有机化合物制成,这些有机化合物例如为但不限于:4,7-二苯基-1,10-邻二氮菲(Bphen)、双(2-甲基-8-羟基喹啉)4-苯基苯酚钠铝(III)(BAlq)、三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、双(10-羟基苯并喹啉)铍(Bebq2)或1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯(TPBI)。电子传输层170例如可通过沉积工艺形成。
电子注入层180形成在电子传输层170上并且接收来自第二电极190的电子。电子注入层180是降低电子传输层170与第二电极190之间的能量势垒的缓冲层。电子注入层180使电子从第二电极190容易地注入电子传输层170中。电子注入层180例如可由LiF或CsF制成。电子注入层180例如可通过沉积工艺形成。
第二电极190形成在电子注入层180上,并且可以是将电子提供至发光层160的阴极或是将空穴提供至发光层160的阳极。在本实施方式中,将第二电极190为阴极的情况作为示例进行描述。如同第一电极110,第二电极190可用作透明电极或反射电极。第二电极190例如可通过沉积工艺形成。
发光显示装置100还可包括位于第二电极190上的封装衬底。封装衬底例如可由绝缘衬底制成。隔离件可位于像素限定层120上的第二电极190与封装衬底之间。在一个实施方式中,可省略封装衬底。在这种情况下,由绝缘材料制成的封装层可覆盖整个结构并由此保护整个结构。
图4是图2中的A部分的放大剖视图。图5示出了当空穴传输溶液150a被喷射时,空穴传输溶液150a在相邻像素中的状态的示例。
参照图4,亲液图案140可包括:与开口OP的第一侧壁相邻的第一部分141以及与开口OP的第二侧壁相邻的第二部分142。第一部分141可包括具有平坦顶表面的平坦部分或区域。第二部分142可连接至第一部分141并且可具有倾斜部分或区域,该倾斜部分或区域具有从开口OP的第一侧壁朝着开口OP的第二侧壁变薄的倾斜顶表面。第一部分141的平均厚度可不同于第二部分142的平均厚度。
此外,从空穴注入层130的顶表面至第二部分142的顶表面的边缘的高度H3可小于从空穴注入层130的顶表面至第一部分141的顶表面的最小高度H4。由于第一部分141的顶表面是平坦的,因此从空穴注入层130的顶表面至第一部分141的顶表面的高度可在第一部分141的任何位置处均相同。
参照图5,当使用喷嘴印刷方法将空穴传输溶液150a从喷射器10喷射至像素P12的亲液图案140上时,由于像素P11的亲液图案140的倾斜的第二部分142,空穴传输溶液150a对于由喷射器10的快速移动速度引起的气流所产生的力F的阻力可能增加。增加的阻力可减少或防止已喷射到像素P11的亲液图案140上的空穴传输溶液150a被推至开口OP内的一侧(例如,朝着开口OP的第一侧壁)。这可防止空穴传输溶液150a在该侧处被干燥至更大程度(例如,处于不均匀的形状)和/或可防止空穴传输溶液150a溢流至另一像素。因此,通过将喷射至像素P11的亲液图案140上的空穴传输溶液150a干燥而形成的空穴传输层150的形状可以是均匀的。
空穴传输层150可在喷射至像素P11的亲液图案140上的空穴传输溶液150a处于像素P11的开口OP内干燥时形成。使用喷嘴印刷方法喷射空穴传输溶液150a的喷射器10可包括喷嘴10a(例如,见图1)。该喷嘴10a例如可从像素P11经由像素P21朝着像素P12移动,例如,见图1中的虚线。在另一实施方式中,喷嘴10a可以在不同的方式或方向中移动。
在图4中,空穴传输层150的厚度是不均匀的。因此,可理解为空穴传输层150的不均匀厚度可能影响发光显示装置100的发射特性。然而,由于亲液图案140实质上是非常薄的,因此空穴传输层150的厚度可不受亲液图案140的形状的较大影响而几乎是均匀的,其中亲液图案140包括具有平坦部分的第一部分141和具有倾斜部分的第二部分142。
亲液图案140例如可通过负性光刻方法,例如通过将亲液材料涂覆在空穴注入层130上、使用图案掩模将亲液材料曝光、以及在空穴注入层130上留下亲液材料的被曝光部分,而形成为具有该结构。由残留在空穴注入层130上的亲液材料形成的亲液图案140的厚度可以通过曝光至光的量来控制。
例如,随着亲液材料的曝光量的增加,亲液图案140的厚度可增加。由于这种原理,形成包括具有倾斜顶表面的倾斜部分的第二部分142的亲液材料的曝光量(例如,与开口OP的第二侧壁相邻的亲液材料的曝光量)可少于与开口OP的第一侧壁相邻的亲液材料的曝光量。亲液材料的曝光量可从开口OP的第一侧壁朝着第二侧壁减少。
亲液材料的曝光量越少,空穴传输溶液150a与亲液图案140的接触角度越大。例如,空穴传输溶液150a与第二部分142的接触角度可大于空穴传输溶液150a与第一部分141的接触角度。在一个实施方式中,空穴传输溶液150a与第二部分142的边缘的第一接触角度可为约5度或小于5度。空穴传输溶液150a与第一部分141的第二接触角度可为约4度或小于4度。第一接触角度与第二接触角度之差可为约2度或小于2度。在空穴传输溶液150a的接触角度大的区域中,空穴传输溶液150a的散布可减少。相应地,空穴传输溶液150a在该区域中趋于保持稳定。
由于这种特性,当空穴传输溶液150a使用喷嘴印刷方法从喷射器10喷射至像素P12的亲液图案140上时(例如,图5中所示),当第一接触角度大于第二接触角度时,空穴传输溶液150a对于由喷射器10的快速移动速度引起的气流而产生的力F的阻力可通过第一接触角度进一步增加。由于第一接触角度大于第二接触角度,所以可理解为空穴传输溶液150a可能不会适当地散布在开口OP的整个内部之上。然而,由于第一接触角度与第二接触角度之差不大(例如,小于预定差),因此其对空穴传输溶液150a在开口OP的整个内部之上散布的影响可能不大。
图6至图11示出了亲液图案140的多个实施方式。
参照图6,亲液图案140a可包括具有倾斜部分的第一部分141a和具有倾斜部分的第二部分142a。第一部分141a的倾斜部分具有从开口OP的第一侧壁朝着开口OP的第二侧壁变薄的倾斜顶表面。第二部分142a的倾斜部分也在该方向中变薄。第一部分141a的倾斜部分和第二部分142a的倾斜部分可在第一侧壁与第二侧壁之间形成连续的倾斜表面。
亲液图案140a被施加到图5的像素P11和像素P12中的每个的空穴注入层130上。当使用喷嘴印刷方法将空穴传输溶液150a从喷射器10喷射至像素P12的亲液图案140a上时,空穴传输溶液150a对于由喷射器10的快速移动速度引起的气流所产生的力F的阻力可通过像素P11的亲液图案140a的倾斜的第二部分142a和倾斜的第一部分141a进一步增加。增加的阻力可减少或防止已喷射至像素P11的亲液图案140a上的空穴传输溶液150a被推至开口OP内的一侧并且然后保持在该状态中,或防止溢流至另一像素。其结果是,通过将喷射至像素P11的亲液图案140a上的空穴传输溶液150a干燥而形成的空穴传输层150的形状可以是均匀的。空穴传输层150可在喷射至像素P11的亲液图案140a上的空穴传输溶液150a处于像素P11的开口OP内被干燥时形成。
参照图7,亲液图案140b可包括具有平坦部分的第一部分141b和具有阶梯或台阶部分的第二部分142b。第一部分141b可与图4的第一部分141相同。第二部分142b可包括阶梯部分,该阶梯部分包括具有在从开口OP的第一侧壁朝着开口OP的第二侧壁的方向中变薄的台阶形状的顶表面。阶梯部分可增加空穴传输溶液150a对于外力的阻力,并且例如,阶梯部分可通过调整用于形成亲液图案140b的亲液材料的曝光量来形成。
亲液图案140b可施加到图5的像素P11和像素P12中的每个的空穴注入层130上。当使用喷嘴印刷方法将空穴传输溶液150a从喷射器10喷射至像素P12的亲液图案140b上时,空穴传输溶液150a对于由喷射器10的快速移动速度引起的气流所产生的力F的阻力可通过像素P11的亲液图案140b的阶梯形状的第二部分142b进一步增加。增加的阻力可减少或防止已喷射至像素P11的亲液图案140b上的空穴传输溶液150a被推至开口OP内的一侧并且然后保持在该状态中,或者防止溢流至另一像素。其结果是,通过将喷射至像素P11的亲液图案140b上的空穴传输溶液150a干燥而形成的空穴传输层150的形状可以是均匀的。空穴传输层150可在喷射至像素P11的亲液图案140b上的空穴传输溶液150a处于像素P11的开口OP内被干燥时形成。
参照图8与图9,亲液图案140c包括具有平坦部分的第一部分141c和具有多个线L1至L4的第二部分142c。第一部分141c可与图4的第一部分141相同。第二部分142c的线L1至L4在与从开口OP的第一侧壁朝向开口OP的第二侧壁的方向(例如,X方向)交叉或垂直的方向(例如,Y方向)中延伸,并且在从第一侧壁朝向第二侧壁的方向(例如,X方向)中彼此间隔开。线L1至L4从开口OP的第一侧壁朝向开口OP的第二侧壁变薄。位于线L1至L4之间的多个槽g1从第一侧壁朝向第二侧壁变窄。
线L1至L4和位于线L1至L4之间的槽g1可增加空穴传输溶液150a对于外力的阻力,并且例如可通过调整用于形成亲液图案140c的亲液材料的曝光量来形成。
亲液图案140c被施加到图5的像素P11和像素P12中的每个的空穴注入层130上。当使用喷嘴印刷方法将空穴传输溶液150a从喷射器10喷射至像素P12的亲液图案140c上时,空穴传输溶液150a相对由喷射器10的快速移动速度引起的气流所产生的力F的阻力可通过像素P11的亲液图案140c的第二部分142c(包括线L1至L4和位于线L1至线L4之间的槽g1)进一步增加。增加的阻力可减少或防止已喷射至像素P11的亲液图案140c上的空穴传输溶液150a被推至开口OP内的一侧并且然后保持在该状态中,或防止溢流至另一像素。其结果是,通过将喷射至像素P11的亲液图案140c上的空穴传输溶液150a干燥而形成的空穴传输层150的形状可以是均匀的。空穴传输层150可在喷射至像素P11的亲液图案140c上的空穴传输溶液150a处于像素P11的开口OP内被干燥时形成。
参考图10,亲液图案140d可包括具有平坦部分的第一部分141d和具有多个点图案D1至D4的第二部分142d。第一部分141d可与图4的第一部分141相同。第二部分142d的点图案D1至D4可在从开口OP的第一侧壁朝向开口OP的第二侧壁的方向(例如,X方向)中变薄。第一槽g2可与第二槽g3相交,并且可位于点图案D1至D4之间。第一槽g2的宽度可在从开口OP的第一侧壁朝向开口OP的第二侧壁的方向(例如,X方向)中减小。第二槽g3的宽度可在与从开口OP的第一侧壁朝向开口OP的第二侧壁的方向垂直或交叉的方向(例如,Y方向)中是相同的。
点图案D1至D4以及第一槽g2与第二槽g3可增加空穴传输溶液150a相对外力的阻力,并且例如可通过调整用于形成亲液图案140d的亲液材料的曝光量来形成。
亲液图案140d被施加到图5的像素P11和像素P12中的每个的空穴注入层130上。当使用喷嘴印刷方法将空穴传输溶液150a从喷射器10喷射至像素P12的亲液图案140d上时,空穴传输溶液150a相对由喷射器10的快速移动速度引起的气流所产生的力F的阻力可通过像素P11的亲液图案140d的第二部分142d(包括点图案D1至D4以及第一槽g2与第二槽g3)进一步增加。增加的阻力可减少或防止已喷射至像素P11的亲液图案140d上的空穴传输溶液150a被推至开口OP内的一侧并且然后保持在该状态中,或者防止溢流至另一像素。其结果是,通过将喷射至像素P11的亲液图案140d上的空穴传输溶液150a干燥而形成的空穴传输层150的形状可以是均匀的。空穴传输层150可在喷射至像素P11的亲液图案140d上的空穴传输溶液150a处于像素P11的开口OP内被干燥时形成。
参考图11,亲液图案140e包括第一部分141e、第二部分142e和第三部分143e。第一部分141e和第二部分142e可与图4的第一部分141和第二部分142相同。第三部分143e可位于开口OP的第一侧壁与第一部分141e之间,并且包括具有倾斜的顶表面的倾斜部分,倾斜部分在从开口OP的第二侧壁朝向第一侧壁的方向中变薄。从空穴注入层130的顶表面到第三部分143e的顶表面的边缘的高度可小于从空穴注入层130的顶表面到第一部分141e的顶表面的最小高度。
在图1的喷射器10通过从像素P11经由像素P21移动至像素P12来执行印刷的情况以及在喷射器10通过从像素P12经由像素P22移动至像素P11来执行印刷的情况下,亲液图案140e可减少或防止由喷射器10的快速移动速度引起的气流所产生的力F将已喷射至像素P11的亲液图案140e上的空穴传输溶液150a或者已喷射至像素P12的亲液图案140e上的空穴传输溶液150a被推至开口OP内的一侧,或者防止使空穴传输溶液150a溢流至另一像素。
如上所述,根据图2的实施方式的发光显示装置100包括具有第一部分141和第二部分142的亲液图案140。从空穴注入层130的顶表面至第二部分142的顶表面的边缘的高度H3小于从空穴注入层130的顶表面至第一部分141的顶表面的最小高度H4。因此,当使用喷嘴印刷方法将空穴传输溶液150a从喷射器10喷射至亲液图案140上时,可减小或防止由喷射器10的快速移动速度引起的气流所产生的力F将已喷射至相邻像素的亲液图案140上的空穴传输溶液150a被推至开口OP内的一侧,或者防止使空穴传输溶液150a溢流至另一像素。
相应地,通过将喷射至亲液图案140上的空穴传输溶液150a干燥而形成的空穴传输层150的形状可以是均匀的。空穴传输层150可在喷射至亲液图案140上的空穴传输溶液150a处于开口OP内被干燥时形成。因此,发光显示装置100可具有均匀的发射特性并且可被防止显示混合的颜色。其结果是,可改进发光显示装置100的显示质量。
图12示出了发光显示装置200的另一实施方式。图13是沿图12中的线III-III’截取的剖视图。图14是图13中的B部分的放大剖视图,以及图15是图13中的C部分的放大剖视图。除衬底205和亲液图案240之外,发光显示装置200可与图2的发光显示装置100相同。
参照图12至图15,发光显示装置200包括衬底205、第一电极110、像素限定层120、空穴注入层130、亲液图案240、空穴传输层150、发光层160、电子传输层170、电子注入层180以及第二电极190。这些元件在图13的预定方向(Z)中依次堆叠。
衬底205可与图1和图2的衬底105相似。然而,衬底205上的多个像素P可划分为多个单元块,每个单元块具有多个列组。单元块可包括第一单元块UB1至第t单元块UBt。相同数量或不同数量的列组可位于第一单元块UB1至第t单元块UBt中的每个中。例如,第一单元块UB1可包括第一列组P11,P21,…,Pn1、第二列组P12,P22,…,Pn2和第三列组P13,P23,…,Pn3。第二单元块UB2可包括第四列组P14,P24,…,Pn4、第五列组P15,P25,…,Pn5和第六列组P16,P26,…,Pn6。
在一个实施方式中,由于喷射器20包括三个喷嘴20a至20c,因此第一单元块UB1至第t单元块UBt中的每个包括三个列组。例如,通过使用喷嘴印刷方法,溶液可从第一喷嘴20a喷射至与第一单元块UB1的第一列组P11,P21,…,Pn1对应的像素;溶液可从第二喷嘴20b喷射至与第一单元块UB1的第二列组P12,P22,…,Pn2对应的像素,并且溶液可从第三喷嘴20c喷射至与第一单元块UB1的第三列组P13,P23,…,Pn3对应的像素。
因此,在每个单元块中的列组的数目可与一个喷射器的喷嘴的数目相等。在另一实施方式中,列组的数目可与喷射器的喷嘴的数目不同。
亲液图案240可与图2的亲液图案140相似。然而,亲液图案240可在单元块的一个列组中具有与其在该单元块的一个或多个其他列组中的形状不同的形状。
参照图14,在对应于第一单元块UB1的第一列组P11,P21,…,Pn1的像素P11的空穴注入层130上的亲液图案240可包括具有平坦部分的第一部分241和具有平坦部分的第二部分242。从空穴注入层130的顶表面至第一部分241的顶表面的高度,以及从空穴注入层130的顶表面至第二部分242的顶表面的高度均可等于H13。在对应于第一单元块UB1的第二列组P12,P22,…,Pn2的像素P12的空穴注入层130上的亲液图案240可具有与对应于第一单元块UB1的第一列组P11,P21,…,Pn1的像素P11的空穴注入层130上的亲液图案240相同的结构。该结构可应用于与第一单元块UB1的第一列组P11,P21,…,Pn1对应的所有像素以及与第一单元块UB1的第二列组P12,P22,…,Pn2对应的所有像素。
参照图15,在对应于第一单元块UB1的第三列组P13,P23,…,Pn3的像素P13的空穴注入层130上的亲液图案240可包括具有平坦部分的第一部分243和具有倾斜部分的第二部分244。从空穴注入层130的顶表面至第二部分244的顶表面的边缘的高度H23可小于从空穴注入层130的顶表面至第一部分243的顶表面的最小高度H24。该结构可应用于与第一单元块UB1的第三列组P13,P23,…,Pn3对应的所有像素。
如上所述,在第一单元块UB1的第一列组P11,P21,…,Pn1至第三列组P13,P23,…,Pn3之中,仅在与第三列组P13,P23,…,Pn3对应的每个像素的空穴注入层130上的亲液图案240的第二部分244可包括倾斜部分。
具有三个喷嘴20a至20c的喷射器20在像素P上方以单元块为单位的方式移动的同时(例如,使用喷嘴印刷方法如图12中的虚线所示地依次在第一单元块UB1和第二单元块UB2上方移动的同时),将空穴传输溶液150a(例如,见图5)喷射至像素限定层120的每个开口OP内的亲液图案240上。当这发生时,由喷射器20的快速移动速度引起的气流所产生的力F可能影响已喷射至面对相邻的第一单元块UB1与第二单元块UB2之间的边界CP的、与第一单元块UB1的第三列组P13,P23,…,Pn3对应的像素中的空穴传输溶液150a(见图5)。为了增加喷射至与第一单元块UB1的第三列组P13,P23,…,Pn3对应的像素中的空穴传输溶液150a相对于力F的阻力,仅位于与第三列组P13,P23,…,Pn3对应的像素中的每个的空穴注入层130上的亲液图案240的第二部分244可包括倾斜部分。
在上文所描述的说明性实施方式中,具有倾斜部分的每个亲液图案的位置例如通过一个喷射器中喷嘴的数目来确定。并且,在另一实施方式中,包括倾斜部分的第二部分244可由图6至图11的第二部分142a至142e中的任一个来替换。
如上所述,在根据本实施方式的发光显示装置200中,根据喷射器中的喷嘴数目,仅位于与单元块的任一个列组对应的每个像素的空穴注入层130上的亲液图案240的第二部分244包括倾斜部分。因此,亲液图案240可以容易地被图案化。
图16至图30是示出用于制造发光显示装置的方法的实施方式的剖面图和平面图。发光显示装置可以是上述实施方式中的任意一个。在图16至图30中,像素P11和像素P12作为实施例被示出。
参照图16,在多个像素P11和P12的每个像素的衬底105上形成第一电极110。第一电极110例如可通过将透明电极材料或反射电极沉积在衬底105上并在衬底105上图案化来形成。
参照图17,在衬底105上形成像素限定层120以限定每个像素P11和P12,并且像素限定层120具有多个开口OP以暴露第一电极110。像素限定层120例如可通过使用沉积方法将绝缘材料沉积在衬底105的整个表面上以覆盖第一电极110,以及然后图案化经沉积的绝缘材料来形成。
参照图18,在第一电极110上形成空穴注入层130。空穴注入层130例如可使用狭缝涂布不仅形成在第一电极110上,还形成在像素限定层120的整个表面上。
参照图19至图21,使用图案掩模30在每个像素P11和P12中的空穴注入层130上形成亲液图案140。参照图19,亲液材料层140L例如通过使用例如狭缝涂布将亲液溶液涂覆在空穴注入层130上来形成。图案掩模30布置在亲液材料层140L上方以面对亲液材料层140L,并且然后向亲液材料层140L照射光。
图案掩模30可包括重复且交替布置的阻挡区BR、透射区TR和半透射区STR。阻挡区BR阻挡光并面对像素限定层120的顶表面。透射区TR使光穿过并被布置成对应于亲液材料层140L的、与第一电极110重叠并与每个开口OP在第一方向X中彼此面对的第一侧壁和第二侧壁之中的第一侧壁相邻的部分。半透射区STR调整透光率并布置成对应于亲液材料层140L的、与第一电极110重叠并与每个开口OP的第二侧壁相邻的部分。
参照图20,图案掩模30可包括透明衬底31、阻挡层32和半透射层33,其中阻挡层32位于透明衬底31上与阻挡区BR对应的区域中,半透射层33位于阻挡层32上与阻挡区BR和半透射区STR对应的区域中。透明衬底31例如可以是石英衬底。阻挡层32例如可由以下中的任一个制成:例如铬、硅化钼、钽、铝、硅、氧化硅和氮氧化硅。在一个实施方式中,半透射层33可由氧化铬层或氮氧化铬层制成。半透射区STR中的透光率可通过控制半透射层33的厚度来调整。例如,在半透射区STR的透光率将增加的部分中的、半透射层33的厚度可小于在半透射区STR的透光率将减少的部分中的、半透射层33的厚度。
本实施方式例如可使用负性光刻法。在这种情况下,为使亲液图案140的第二部分142的边缘薄,亲液材料层140L中待形成亲液图案140的第二部分142的边缘的区域的曝光量可以相对少。相应地,半透射层33在半透射区STR中与待形成亲液图案140的第二部分142的边缘的、亲液材料层140L的区域对应的部分中可比在半透射区STR的其他部分中更厚。
在将掩模图案30布置在亲液材料层140L上方之后,当对亲液材料层140L照射光时,仅亲液材料层140L的被曝光部分可在显影工艺中保留。其结果是,如图21所示,亲液图案140可形成在每个像素P11和P12中。被曝光部分的厚度例如可随曝光至光的曝光量而不同。
图20中的图案掩模30包括衬底31、阻挡层32和半透射层33。在另一实施方式中,图案掩模30可包括衬底和阻挡层而无需半透射层,如图22和图23所示。
参照图22和图23,图案掩模30a可包括透明衬底31和阻挡层32a,其中阻挡层32a位于透明衬底31上与阻挡区BR和半透射区STR对应的区域中。阻挡层32a可与图20的阻挡层32相似。然而,阻挡层32a可包括位于阻挡区BR中的连续部分32aa,以及位于半透射区STR中的包括多个线BL1至BL4的图案部分32ab。位于线BL1至BL4之间的槽pg1可在从每个开口OP的第一侧壁朝着第二侧壁的方向(即,X方向)中变窄。槽pg1可调整穿过图案掩模30a的半透射区STR的透光率。例如,透光率可随着槽pg1变窄而降低。
参照图24,除了包括线BL1至BL4的图案部分32ab被包括多个点图案BD1至BD4的图案部分32bb替换之外,图案掩模30b可与图22和图23的图案掩模30a相同。位于点图案BD1至BD4之间的槽pg2可在从每个开口OP的第一侧壁朝着第二侧壁的方向(即,X方向)中变窄。槽pg2可控制穿过图案掩模30b的半透射区STR的透光率。例如,透光率可随着槽pg2变窄而降低。沿着与从每个开口OP的第一侧壁朝着第二侧壁的方向垂直的方向(即,Y方向)布置的槽pg3可具有相同的宽度。
参照图25至图27,在每个像素P11和P12中的亲液图案140上形成空穴传输层150。参照图25,使用喷嘴印刷方法,将空穴传输溶液150a从喷射器10喷射至像素P11的亲液图案140上。然后,将喷射器10经过像素P21朝着像素P12移动,以将空穴传输溶液150a喷射到像素P12的亲液图案140上。
参照图26,当空穴传输溶液150a被提供至像素P12的亲液图案140上时,由喷射器10的快速移动速度引起的气流产生力F。然而,空穴传输溶液150a相对于力F的阻力通过像素P11的亲液图案140的倾斜的第二部分142而增加。增加的阻力可减少或防止已喷射至像素P11的亲液图案140上的空穴传输溶液150a被推至开口OP内的一侧(例如,朝向开口OP的第一侧壁)并且然后保持在该状态中,或防止溢流至另一像素。如果空穴传输溶液150a在这种状态下被干燥,如图27所示,具有均匀形状的空穴传输层150可形成在像素P11和像素P12中的每个内。
参照图28和图29,在空穴传输层150上形成发光层160。参照图28,使用喷墨印刷方法或喷嘴印刷方法,将发光溶液160a从喷射器40喷射至像素限定层120的每个开口OP中。发光溶液160a可包括与图25的空穴传输溶液150a相同的溶剂。在这种情况下,空穴传输层150可对于发光溶液160a是亲液的。
参照图29,将发光溶液160a干燥以由此在空穴传输层150上形成发光层160。
参照图30,在发光层160上形成电子传输层170、电子注入层180和第二电极190。电子传输层170、电子注入层180和第二电极190可通过沉积工艺形成。
根据本实施方式的制造发光显示装置的方法还可包括在第二电极190上布置封装衬底。此外,根据本实施方式的制造发光显示装置的方法还可包括在第二电极190和封装衬底之间布置隔离件。布置封装衬底和隔离件的各种方法对于本领域普通技术人员是众所周知的。
通过总结和回顾,为了增加空穴传输溶液的可湿性,可在阳极上形成亲液图案。当使用喷嘴印刷方法将空穴传输溶液喷射至亲液图案上时,由喷射器的快速移动速度引起的气流所产生的力可将空穴传输溶液推至亲液图案的一侧。其结果是,空穴传输溶液可能干燥而具有不均匀的形状。这可能导致显示器具有不均匀的发射特性,并因此降低了显示质量。
而且,如果被推至一侧的空穴传输溶液溢流到相邻像素,则空穴传输层可能形成在相邻像素的部分中。在这种情况下,位于空穴传输层上的有机发光层也可能形成在相邻像素的该部分中。因此,在相邻像素中发射不同颜色的光的有机发光层可能彼此重叠。这可能导致不期望的不同颜色光的混合,其还降低了显示质量。
根据上述实施方式中的一个或多个,发光显示装置可形成为具有均匀的发射特性并防止来自一个或多个像素的显示的光混合。因此,可提高发光显示装置的显示质量。
本文中已公开了示例性实施方式,并且虽然使用了特定术语,但这些术语仅以一般性和描述性的意义进行使用和解释而不用于限制性的目的。在一些情况下,如自本申请提交起对于本领域技术人员显而易见的,除非另外指出,否则结合具体实施方式而描述的特征、特性和/或元件可单独使用或与结合其他实施方式而描述的特征、特性和/或元件组合使用。因此,本领域技术人员应理解,在不脱离如所附权利要求书所阐述的本实施方式的精神和范围的情况下,可对形式和细节进行各种修改。
Claims (20)
1.一种发光显示装置,包括:
第一电极;
像素限定层,具有暴露所述第一电极的开口;
空穴注入层,位于所述第一电极上;
亲液图案,在所述开口中位于所述空穴注入层上,所述亲液图案包括与所述开口的第一侧壁相邻的第一部分和与所述开口的第二侧壁相邻的第二部分;
空穴传输层,位于所述亲液图案上;
发光层,位于所述空穴传输层上;以及
第二电极,位于所述发光层上,其中从所述空穴注入层的顶表面至所述第二部分的顶表面的边缘的距离对应于第一高度,从所述空穴注入层的所述顶表面至所述第一部分的顶表面的距离对应于第二高度,以及其中所述第一高度小于所述第二高度。
2.如权利要求1所述的发光显示装置,其中,
所述空穴传输层对应于处于干燥状态的空穴传输溶液,以及
所述空穴传输溶液相对于所述第二部分的所述边缘的第一接触角度大于所述空穴传输溶液相对于所述第一部分的第二接触角度。
3.如权利要求2所述的发光显示装置,其中所述第一接触角度与所述第二接触角度之差为2度或小于2度。
4.如权利要求1所述的发光显示装置,其中:
所述亲液图案的所述第二部分与所述第一部分相连,以及
所述第二部分包括倾斜部分,所述倾斜部分具有从所述开口的所述第一侧壁朝着所述第二侧壁变薄的倾斜的顶表面。
5.如权利要求1所述的发光显示装置,其中:
所述亲液图案的所述第二部分与所述第一部分相连,以及
所述第二部分包括具有从所述开口的所述第一侧壁朝着所述第二侧壁变薄的阶梯形顶表面的部分。
6.如权利要求1所述的发光显示装置,其中:
所述亲液图案的所述第二部分与所述第一部分间隔开,
所述第二部分包括多个线,所述多个线在与所述开口的所述第一侧壁朝着所述第二侧壁的方向交叉的方向中延伸,
所述多个线在从所述第一侧壁朝着所述第二侧壁的所述方向中彼此间隔开,以及
所述多个线从所述第一侧壁朝着所述第二侧壁变薄。
7.如权利要求1所述的发光显示装置,其中:
所述亲液图案的所述第二部分与所述第一部分间隔开,以及
所述第二部分包括从所述第一侧壁朝着所述第二侧壁变薄的多个点图案。
8.如权利要求1所述的发光显示装置,其中:
所述亲液图案包括第三部分,所述第三部分位于所述开口的所述第一侧壁与所述第一部分之间,以及
从所述空穴注入层的所述顶表面至所述第三部分的边缘的高度小于从所述空穴注入层的所述顶表面至所述第一部分的所述顶表面的高度。
9.如权利要求1所述的发光显示装置,其中:
所述空穴传输层包括与所述开口的第三侧壁相邻的第一部分和与所述开口的第四侧壁相邻的第二部分,以及
从所述第一电极至所述空穴传输层的所述第一部分的边缘的高度小于从所述第一电极至所述空穴传输层的所述第二部分的边缘的高度。
10.一种发光显示装置,包括:
多个像素;
多个第一电极,位于所述多个像素中的相应像素中;
像素限定层,具有暴露所述多个第一电极中的相应第一电极的开口;
多个空穴注入层,位于所述多个第一电极中的相应第一电极上;
多个亲液图案,在所述开口中位于所述多个空穴注入层中的相应空穴注入层上,所述多个亲液图案中的每个包括与相应开口的第一侧壁相邻的第一部分和与所述相应开口的第二侧壁相邻的第二部分;
多个空穴传输层,位于所述多个亲液图案上;
多个发光层,位于所述多个空穴传输层中的相应空穴传输层上;以及
多个第二电极,位于所述多个发光层中的相应发光层上,其中所述多个像素划分为多个单元块,所述多个单元块中的每个包括沿着第一方向布置的多个列组,所述多个单元块包括第一单元块和第二单元块,其中在所述第一单元块与所述第二单元块之间具有边界,并且其中,在每个像素中:
在所述第一单元块的面对所述边界的列组中,从所述空穴注入层的顶表面至所述亲液图案的所述第二部分的顶表面的边缘的距离对应于第一高度,
从所述空穴注入层的顶表面至所述第一部分的顶表面的距离对应于第二高度,以及
所述第一高度小于所述第二高度。
11.如权利要求10所述的发光显示装置,其中在每个像素中,
在所述第一单元块中排除面对所述边界的列组之外的至少一个列组中,从所述空穴注入层的所述顶表面至每个像素的所述亲液图案的所述第二部分的所述顶表面的距离与从所述空穴注入层的所述顶表面至所述第一部分的所述顶表面的距离相等。
12.如权利要求10所述的发光显示装置,其中在每个像素中,
所述空穴传输层包括干燥的空穴传输溶液,以及
在所述第一单元块的面对所述边界的列组中,所述空穴传输溶液相对于每个像素的所述亲液图案的所述第二部分的边缘的第一接触角度大于所述空穴传输溶液相对于所述第一部分的第二接触角度。
13.如权利要求10所述的发光显示装置,其中在每个像素中,
在所述第一单元块的面对所述边界的列组中,每个像素的所述亲液图案的所述第二部分与所述第一部分相连,以及
所述第二部分包括倾斜部分,所述倾斜部分具有从所述开口的所述第一侧壁朝着所述第二侧壁变薄的倾斜的顶表面。
14.如权利要求10所述的发光显示装置,其中在每个像素中,
在所述第一单元块的面对所述边界的列组中,每个像素的所述亲液图案的所述第二部分与所述第一部分相连,以及
所述第二部分包括阶梯部分,所述阶梯部分具有从所述开口的所述第一侧壁朝着所述第二侧壁部分地变薄的阶梯形顶表面。
15.如权利要求10所述的发光显示装置,其中在每个像素中,
在所述第一单元块的面对所述边界的列组中,每个像素的所述亲液图案的所述第二部分与所述第一部分间隔开,
所述第二部分包括多个线,所述多个线在与从所述开口的所述第一侧壁朝着所述第二侧壁的方向交叉的方向中延伸,
所述多个线在从所述第一侧壁朝着所述第二侧壁的方向中彼此间隔开,以及
所述多个线从所述第一侧壁朝着所述第二侧壁变薄。
16.如权利要求10所述的发光显示装置,其中在每个像素中,
在所述第一单元块的面对所述边界的列组中,每个像素的所述亲液图案的所述第二部分与所述第一部分间隔开,
所述第二部分包括多个点图案,以及
所述多个点图案从所述第一侧壁朝着所述第二侧壁变薄。
17.如权利要求10所述的发光显示装置,其中在每个像素中,
在所述第一单元块的面对所述边界的列组中,每个像素的所述亲液图案包括位于所述开口的所述第一侧壁与所述第一部分之间的第三部分,以及
从所述空穴注入层的所述顶表面至所述第三部分的边缘的高度小于从所述空穴注入层的所述顶表面至所述第一部分的所述顶表面的高度。
18.一种制造发光显示装置的方法,所述方法包括:
在多个像素中的每个中形成第一电极,所述多个像素设置在彼此交叉的第一方向和第二方向中;
形成像素限定层,所述像素限定层包括分别暴露所述多个像素的相应像素中的所述第一电极的多个开口;
在所述第一电极上形成空穴注入层;
形成亲液图案,所述亲液图案包括与所述多个开口中的相应开口的第一侧壁相邻的第一部分和与所述多个开口中的所述相应开口的第二侧壁相邻的第二部分;
在所述亲液图案上形成空穴传输层;
在所述空穴传输层上形成发光层;以及
在所述发光层上形成第二电极,其中所述亲液图案被形成为,使得从所述空穴注入层的顶表面至所述第二部分的顶表面的边缘的高度小于从所述空穴注入层的所述顶表面至所述第一部分的顶表面的高度。
19.如权利要求18所述的方法,其中形成所述亲液图案的步骤包括:
通过将亲液溶液涂覆到所述空穴注入层上来形成亲液材料层;
将图案掩模放置在所述亲液材料层上方并在所述图案掩模上照射光,所述图案掩模包括阻挡区、透射区和半透射区;
使用所述亲液材料层的对应于所述图案掩模的所述透射区的部分来形成所述亲液图案的所述第一部分;以及
使用所述亲液材料层的对应于所述图案掩模的所述半透射区的部分来形成所述亲液图案的所述第二部分,形成所述第二部分的步骤包括通过显影工艺留出所述亲液材料层的被曝光部分,其中:
所述阻挡区被设置为对应于所述像素限定层的顶表面,
所述透射区被设置为对应于所述亲液材料层中与所述第一电极重叠的并在所述第一方向中与所述开口的所述第一侧壁相邻的部分,以及
所述半透射区被设置为对应于所述亲液材料层中与所述第一电极重叠的并与所述开口的所述第二侧壁相邻的部分。
20.如权利要求19所述的方法,其中
所述亲液材料层的对应于所述半透射区的部分的曝光量小于所述亲液材料层的对应于所述透射区的部分的曝光量,以及
所述亲液材料层的对应于所述半透射区的部分的曝光量从所述开口的所述第一侧壁朝着所述第二侧壁减少。
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108346677A (zh) * | 2017-07-17 | 2018-07-31 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 像素结构及其制作方法 |
WO2024045587A1 (zh) * | 2022-09-02 | 2024-03-07 | 台州观宇科技有限公司 | 发光组件 |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102431626B1 (ko) * | 2015-10-06 | 2022-08-11 | 삼성디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
CN106129265B (zh) * | 2016-09-09 | 2018-04-17 | 京东方科技集团股份有限公司 | 有机电致发光器件 |
WO2019058485A1 (ja) * | 2017-09-21 | 2019-03-28 | シャープ株式会社 | 表示デバイス |
JP6957294B2 (ja) * | 2017-09-28 | 2021-11-02 | キヤノン株式会社 | 表示装置、電子機器、及び表示装置の製造方法 |
CN109065762A (zh) * | 2018-08-01 | 2018-12-21 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled装置的制作方法及oled装置 |
US10845934B2 (en) * | 2018-12-03 | 2020-11-24 | Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. | OLED display panel |
CN110098246A (zh) * | 2019-05-30 | 2019-08-06 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled显示面板及光罩 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101076211A (zh) * | 2006-05-19 | 2007-11-21 | 精工爱普生株式会社 | 设备、膜形成方法及设备的制造方法 |
US20080012076A1 (en) * | 2004-01-26 | 2008-01-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, method for manufacturing thereof, and television device |
JP2008204757A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
CN102473849A (zh) * | 2009-07-31 | 2012-05-23 | 大日本印刷株式会社 | 空穴注入传输层用器件材料、空穴注入传输层形成用油墨、具有空穴注入传输层的器件及其制造方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6933084B2 (en) * | 2003-03-18 | 2005-08-23 | Photronics, Inc. | Alternating aperture phase shift photomask having light absorption layer |
JP2006313652A (ja) | 2005-05-06 | 2006-11-16 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置の製造方法 |
CN101268417A (zh) | 2005-09-21 | 2008-09-17 | 大日本印刷株式会社 | 具有灰度的光掩模及其制造方法 |
KR20070038789A (ko) * | 2005-10-06 | 2007-04-11 | 삼성전자주식회사 | 유기 el 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
JP5618524B2 (ja) * | 2009-11-18 | 2014-11-05 | 公益財団法人九州先端科学技術研究所 | デバイス、薄膜トランジスタおよびその製造方法 |
WO2012017501A1 (ja) * | 2010-08-06 | 2012-02-09 | パナソニック株式会社 | 有機el素子およびその製造方法 |
WO2012017489A1 (ja) * | 2010-08-06 | 2012-02-09 | パナソニック株式会社 | 有機el素子、表示装置および発光装置 |
US8940568B2 (en) | 2012-08-31 | 2015-01-27 | Universal Display Corporation | Patterning method for OLEDs |
KR20140033671A (ko) | 2012-09-10 | 2014-03-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
KR101927848B1 (ko) * | 2012-09-17 | 2018-12-12 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
KR101997571B1 (ko) | 2012-10-08 | 2019-07-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그 제조 방법 |
KR101970539B1 (ko) * | 2012-11-13 | 2019-08-14 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기전계발광 표시장치 및 이의 제조 방법 |
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2015
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-
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-
2019
- 2019-09-04 US US16/560,413 patent/US11164922B2/en active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20080012076A1 (en) * | 2004-01-26 | 2008-01-17 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device, method for manufacturing thereof, and television device |
CN101076211A (zh) * | 2006-05-19 | 2007-11-21 | 精工爱普生株式会社 | 设备、膜形成方法及设备的制造方法 |
JP2008204757A (ja) * | 2007-02-20 | 2008-09-04 | Casio Comput Co Ltd | 表示装置及びその製造方法 |
CN102473849A (zh) * | 2009-07-31 | 2012-05-23 | 大日本印刷株式会社 | 空穴注入传输层用器件材料、空穴注入传输层形成用油墨、具有空穴注入传输层的器件及其制造方法 |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN108346677A (zh) * | 2017-07-17 | 2018-07-31 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 像素结构及其制作方法 |
WO2024045587A1 (zh) * | 2022-09-02 | 2024-03-07 | 台州观宇科技有限公司 | 发光组件 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20160380224A1 (en) | 2016-12-29 |
US11164922B2 (en) | 2021-11-02 |
CN106298845B (zh) | 2021-04-13 |
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