CN104576951B - 有机发光器件及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了一种有机发光器件和一种制造有机发光器件的方法。该有机发光器件包括：第一像素电极，设置在基板上；第一导电膜，形成在基板上以覆盖第一像素电极；第二导电图案和绝缘层，顺序地形成在第一导电膜上并且包括暴露第一导电膜的顶部的一部分的开口；空穴注入层，形成在开口和绝缘层上，以覆盖被暴露的第一导电膜；空穴传输层，形成在空穴注入层的部分区域和开口上；发射层，形成在空穴传输层上。

Description

有机发光器件及其制造方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2013年10月29日在韩国知识产权局提交的第10-2013-0129559号韩国专利申请的优先权和权益，该韩国专利申请的公开通过引用全部包含于此。
技术领域
本发明的一个或更多个实施例涉及一种有机发光器件和一种制造该有机发光器件的方法。
背景技术
有机发光显示设备是用低电压驱动的，轻薄并且具有广视角、良好的对比度和快速的响应时间，从而作为下一代显示设备而备受关注。
这种有机发光显示设备的发射波长广，出于这个原因，发射效率和颜色纯度降低。另外，因为从有机发射层发射的光没有方向性，所以由于有机发光器件的全内反射，导致在任意方向上发射的光子中的大部分不能抵达实际的观众，从而造成有机发光器件的光提取效率降低。为了解决这种问题，正在使用调节有机发射层厚度以形成谐振结构并因此提高光提取效率的方法。然而，难以将该谐振结构应用于其有机发射层是通过印刷法形成的有机发光显示设备。另外，在使用印刷法的有机发光显示设备中，当被涂覆液态发光材料变干时，有机发射层的厚度不均匀地形成在发射单元的边缘区域中，从而造成光的不均匀发射。
发明内容
根据本发明的一个或更多个实施例的一方面涉及一种改进了有机发射层的均匀性的有机发光器件和一种制造该有机发光器件的方法。根据本发明的一个或更多个实施例的一方面涉及一种有机发光器件和一种制造该有机发光器件的方法，在该方法中(在使用(利用)印刷法制造有机发光器件的方法中)，薄薄地形成像素限定层的厚度，因此，防止光从发射单元的边缘区域发射，从而提高所提取光的质量。
额外的方面将在随后的描述中部分地阐述，并且部分地将通过描述清楚，或者可以通过所提出的实施例的实践来获知。
根据本发明的一个或更多个实施例，一种有机发光器件包括：第一像素电极，在基板上；第一导电膜，在基板上并且被构造成覆盖第一像素电极；第二导电图案和绝缘层，顺序地形成在第一导电膜上，第二导电图案和绝缘层具有暴露第一导电膜的顶部的一部分的开口；空穴注入层，在开口和绝缘层上，以覆盖第一导电膜的被暴露的部分；空穴传输层，形成在开口和空穴注入层的部分区域上；发射层，在空穴传输层上。
第一导电膜的导电率可以为大约10-5S/cm至大约10-3S/cm，第一导电膜的逸出功可以为大约5.0eV至大约5.7eV。
空穴注入层可以被形成为围绕绝缘层的被暴露的侧表面和第二导电图案的被暴露的侧表面。
第二导电图案的厚度可以为大约1nm至大约10nm，绝缘层的厚度可以为大约10nm至大约90nm。
均具有开口的第二导电图案和绝缘层形成像素限定层。
空穴传输层可以包括其中形成有发射层的空白区域。
可以通过凹版涂覆法、狭缝涂覆法、棒涂覆法、喷涂法、真空过滤法、旋涂法、电泳沉积法、铸造法、喷墨印刷法和/或胶版印刷法来形成绝缘层。
可以通过喷墨印刷法、喷嘴印刷法、凹版印刷法、丝网印刷法、喷射印刷法和/或静电喷射印刷法来形成发射层。
有机发光器件还可以包括：电子传输层，在发射层上；电子注入层，在电子传输层上。
所述空穴注入层可以由酞菁化合物、DNTPD(N,N′-二苯基-N,N′-双-[4-(苯基-间甲苯基-氨基)-苯基-联苯基-4,4′-二胺])、m-MTDATA(4,4′,4″-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺)、TDATA(4,4′,4″-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺)、2T-NATA(4,4′,4″-三{N,-(2-萘基)-N-苯基氨基}-三苯胺)、PEDOT/PSS(聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐))、Pani/DBSA(聚苯胺/十二烷基苯磺酸)、Pani/CSA(聚苯胺/樟脑磺酸)和/或PANI/PSS(聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)形成。
有机发光器件还可以包括：第二像素电极，在发射层上；包封单元，包括交替地形成以覆盖第二像素电极的一个或更多个无机层和一个或更多个有机层。
根据本发明的一个或更多个实施例，一种制造有机发光器件的方法包括：在基板上形成第一像素电极；形成第一导电膜以覆盖第一像素电极；顺序地形成第二导电图案和绝缘层，以具有暴露第一导电膜的顶部的一部分的开口；在开口和绝缘层上形成空穴注入层；在开口和空穴注入层的部分区域上形成空穴传输层；在空穴传输层上形成发射层。
形成第二导电图案的步骤可以包括：在第一导电膜上形成第二导电材料；通过利用应用于第二导电材料的掩模，形成第二导电图案，以暴露第一导电膜的顶部的所述部分。
顺序地形成第二导电图案和绝缘层的步骤可以包括通过利用凹版涂覆法、狭缝涂覆法、棒涂覆法、喷涂法、真空过滤法、旋涂法、电泳沉积法、铸造法、喷墨印刷法和/或胶版印刷法在第二导电图案上形成绝缘层。
第二导电图案的厚度可以为大约1nm至大约10nm，绝缘层的厚度可以为大约10nm至大约90nm。
形成空穴注入层的步骤可以包括形成空穴注入层，以围绕绝缘层的被暴露的侧表面和第二导电图案的被暴露的侧表面。
形成空穴传输层的步骤可以包括：在空穴注入层上形成空穴传输材料；通过利用应用于空穴传输材料的掩模，在开口中形成包括空白区域的空穴传输层，发射层形成在空白区域中。
形成发射层的步骤可以包括：通过利用喷墨印刷法、喷嘴印刷法、凹版印刷法、丝网印刷法、喷射印刷法和/或静电喷射印刷法在空白区域中形成发光材料；对发光材料进行干燥以形成发射层。
形成发射层的步骤可以包括：在形成发射层之后，在发射层上形成电子传输层；在电子传输层上形成电子注入层。
所述方法还可以包括：在形成发射层之后，在发射层上形成第二像素电极；形成包封单元以覆盖第二像素电极。
附图说明
通过下面结合附图对实施例的描述，这些和/或其它方面将变得清楚且更容易理解，在附图中：
图1是示出根据本发明的实施例的有机发光器件的示意性剖视图；
图2至图11是顺序地示出根据本发明的实施例的制造有机发光器件的方法的示意性剖视图。
具体实施方式
现在，将更详细地参照实施例，在附图中示出这些实施例的示例，其中，类似的参考标号始终表示类似的元件。在这点上，本实施例可以具有不同的形式并且不应该被理解为局限于这里阐明的描述。因此，以下仅仅通过参照附图来描述这些实施例，以解释本说明书的多个方面。如这里所使用的，术语“和/或”包括一个或更多个相关所列项的任意组合和全部组合。诸如“…中的至少一个”的措辞与一系列元件一起使用时，修饰的是整个系列元件，而不是修饰该系列元件中的单个元件。另外，当使用“可”描述本发明的实施例时是指“本发明的一个或更多个实施例”。
由于本实施例可以具有经过各式各样修改的实施例，因此在附图中示出并且在具体实施方式中描述示例实施例。然而，这并没有将本实施例限于特定实施例内，并且应该理解，本发明构思涵盖在本实施例的思路和技术范围内的所有修改、等同物和替代。此外，将不提供与已知的功能或构造相关的详细描述，以避免不必要地混淆本实施例的主题。
可以使用诸如“第一”和“第二”的术语描述各种元件，但这些元件不应该受这些术语限制。这些术语可以仅用于将一个元件与另一个元件区分开。
在本申请中用于描述某些实施例的术语不意图限制本实施例。在下面的描述中，技术术语仅用于说明特定的示例实施例，而不限制本实施例。除非做相反表示，否则单数形式的术语可以包括复数形式。诸如“包括”或“包含”的术语是指包括性质、区域、固定数量、步骤、过程、元件和/或组件，但不排除其它性质、区域、固定数量、步骤、过程、元件和/组件。
在下文中，将参照附图更详细地描述本发明的实施例。
图1是示出根据本发明的实施例的有机发光器件1的示意性剖视图。
参照图1，根据本发明的实施例的有机发光器件1包括基板10、驱动薄膜晶体管(TFT)单元20、发射单元30、覆盖发射单元30的包封单元60。
基板10可以是以SiO2作为主要成分的透明玻璃基板，或者可以使用诸如塑料基板或金属基板等的各种合适材料的基板。另外，基板10可以由具有能够实现弯曲表面的特性的、具有优异的耐热性和耐久性的合适塑料材料(诸如，聚对苯二甲酸乙二醇酯、聚碳酸酯、聚萘二甲酸乙二醇酯、聚芳酯、聚醚酰亚胺、聚醚砜或聚酰亚胺)形成。然而，本实施例不限于此，可以使用具有合适柔性的各种材料。
在图1中，顶部发射型有机发光器件被示出为有机发光器件1的示例，但本实施例不限于此。有机发光器件1可以是底部发射型有机发光器件或与图1的有机发光器件1不同的其它合适种类的有机发光器件。
此外，缓冲层12可以形成在基板10的顶部上。缓冲层12防止杂质离子散布，防止湿气或外部空气的渗入，使表面平面化。
作为驱动电路并且包括驱动TFT N1的驱动TFT单元20形成在缓冲层12上。在本实施例中，作为TFT的示例，示出其中有机发光器件1包括底部栅极TFT的情况。然而，有机发光器件1可以包括具有另一种类的TFT的TFT，诸如，顶部栅极TFT。
驱动TFT N1可以包括栅电极21、有源层23、源电极25s和漏电极25d。
用于将栅电极21与有源层23绝缘的栅极绝缘层22形成在栅电极21和有源层23之间。
栅电极21可以由各种合适的导电材料形成。例如，栅电极21可以由诸如镁(Mg)、铝(Al)、镍(Ni)、铬(Cr)、钼(Mo)、钨(W)、钼钨(MoW)或金(Au)等的材料形成。即使在这种情况下，栅电极21也可以由单层或多层形成，即，栅电极21可以经过各种修改。
有源层23包括沟道区23c、源极区23s和漏极区23d。沟道区23c设置在源极区23s和漏极区23d之间，源极区23s和漏极区23d分别设置在有源层23的边缘处并且被掺杂有高浓度杂质。
有源层23可以由多晶硅形成，在这种情况下，某个区域可以被掺杂有杂质。可选地，有源层23可以由非晶硅替代多晶硅来形成，或者可以由诸如并五苯的各种合适的有机半导体材料形成。
在由多晶硅形成有源层23的过程中，通过结晶法形成有源层23，在结晶法中，首先提供非晶硅，然后通过使非晶硅结晶将非晶硅变成多晶硅。结晶法(工艺)的示例可以包括快速热退火(RTA)工艺、固相结晶(SPC)工艺、准分子激光退火(ELA)工艺、金属诱导结晶(MIC)工艺、金属诱导横向结晶(MILC)工艺和顺序横向固化(SLS)工艺。然而，在本实施例中，当使用塑料基板时，可以选择使用不需要高温加热工艺的方法。
栅极绝缘层22可以由诸如氧化硅或氮化硅等的绝缘材料形成。另外，栅极绝缘层22可以由绝缘有机材料形成。
彼此电连接的源电极25s和漏电极25d分别形成在有源层23的源极区23s和漏极区23d上。另外，在源电极25s和漏电极25d上形成平面化层26(保护层和/或钝化层)，平面化层26保护其下方的驱动TFT N1并且使驱动TFT N1平面化。
平面化层26可以以各种合适的结构形成，例如，平面化层26可以由诸如苯并环丁烯(BCB)或丙烯酸树脂的有机材料或者诸如SiNx的无机材料形成。另外，平面化层26可以由单层、双层或多层形成，即，可以对平面化层26进行各种修改。
作为有机发光器件1的一个电极的第一像素电极32形成在平面化层26上，并且通过接触孔31电连接到漏电极25d。
被设置成与第一像素电极32相对的第二像素电极56形成在第一像素电极32上。
在一个实施例中，第一像素电极32充当阳极电极，第二像素电极56充当阴极电极。可选地，第一电极32和第二电极56的极性可以被互换。
第一像素电极32可以形成为透明电极或反射电极。当第一像素电极32形成为透明电极时，第一像素电极32可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)形成。当第一像素电极32被形成为反射电极时，第一像素电极32可以包括反射层和透明层，反射层由银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物(或合金)形成，透明层由ITO、IZO、ZnO或In2O3形成。
第二像素电极56可以形成为透明电极或反射电极。当第二像素电极56形成为透明电极时，第二像素电极56可以包括通过沉积Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或其化合物以形成中间层而形成的中间层，并且利用中间层形成辅助电极或汇流电极线(由诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的透明导电材料形成)。当第二像素电极56被形成为反射电极时，第二像素电极56可以由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或其化合物(或合金)形成。
在各个子像素中被图案化的第一像素电极32电连接到各子像素的TFT。这里，第二像素电极56可以被形成为与各个子像素的共电极连接的共电极。
在平面化层26上形成第一导电膜34以覆盖第一像素电极32。
第一导电膜34可以由合适的导电材料形成。例如，导电材料可以是酞菁化合物(诸如，铜酞菁)、DNTPD(N,N′-二苯基-N,N′-双-[4-(苯基-间甲苯基-氨基)-苯基]-联苯基-4,4′-二胺)、m-MTDATA(4,4′,4″-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺)、TDATA(4,4′,4″-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺)、2T-NATA(4,4′,4″-三{N,-(2-萘基)-N-苯基氨基}-三苯胺)、PEDOT/PSS(聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐))、Pani/DBSA(聚苯胺/十二烷基苯磺酸)、Pani/CSA(聚苯胺/樟脑磺酸)和/或PANI/PSS(聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)。然而，本实施例的技术精神不限于此。
可以通过真空蒸发法、旋涂法、喷墨印刷法、丝网印刷法、喷射印刷法和/或热转印法来形成第一导电膜34。然而，本实施例的技术精神不限于此。
第一导电膜34的导电率可以是例如大约10-5S/cm至大约10-3S/cm。第一导电膜34的逸出功可以是例如大约5.0eV至大约5.7eV。第一导电膜34将第一像素电极32电连接到形成在第一像素电极32上的空穴注入层(HIL)40。尽管未示出，但第一导电膜34可以被图案化，以防止在第一导电膜34和除了相应像素的第一像素电极32之外的各个像素的第一像素电极之间短路。
第一导电膜34的厚度可以是例如大约10nm或更小。
在第一导电膜34上形成第二导电图案36和绝缘层38，以具有暴露第一导电膜34的顶部的一部分的开口H。
第二导电图案36可以由导电材料形成并且可以具有大约1nm至大约10nm的厚度。另外，可以通过真空蒸发法、旋涂法、喷墨印刷法、丝网印刷法、喷射印刷法和/或热转印法来形成第二导电图案36。然而，本实施例的技术精神不限于此。
绝缘层38可以由诸如氧化硅或氮化硅的绝缘材料形成，或者可以由绝缘有机材料形成。绝缘材料38'(参见图5)的厚度可以为大约10nm至大约90nm，可以通过凹版涂覆法、狭缝涂覆法、棒涂覆法、喷涂法、真空过滤法、旋涂法、电泳沉积法、铸造法、喷墨印刷法和/或胶版印刷法来形成绝缘材料38'。然而，本实施例的技术精神不限于此。
由于第二导电图案36和绝缘层38被形成为暴露第一导电膜34的顶部的部分区域，因此第二导电图案36和绝缘层38与被暴露的第一导电膜34形成阶梯高度。也就是说，第二导电图案36和绝缘层38的层包括暴露第一导电膜34的顶部的开口H。
形成HIL 40以覆盖开口H和绝缘层38。
HIL 40可以由酞菁化合物(例如，铜酞菁)、DNTPD(N,N′-二苯基-N,N′-双-[4-(苯基-间甲苯基-氨基)-苯基]-联苯基-4,4′-二胺)、m-MTDATA(4,4′,4″-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺)、TDATA(4,4′,4″-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺)、2T-NATA(4,4′,4″-三{N,-(2-萘基)-N-苯基氨基}-三苯胺)、PEDOT/PSS(聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯硫磺盐))、Pani/DBSA(聚苯胺/十二烷基苯磺酸)、Pani/CSA(聚苯胺/樟脑磺酸)和/或PANI/PSS(聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)形成，但不限于此。另外，可以通过诸如真空沉积法、旋涂法、铸造法或朗格缪尔-布洛杰特(Langmuir-Blodgett,LB)法的各种合适的方法来形成HIL40。
可以在HIL 40的部分区域(例如，HIL的位于开口H外部的部分区域)和开口H上形成空穴传输层(HTL)42，HTL 42包括其中形成有发射层(EML)50的空白区域L。可以针对HTL42的表面执行疏水处理(治理)，以防止在形成EML 50时发光材料溢出。HTL 42的空白区域L充当像素空白，像素空白限定形成EML 50的发光材料的结构被印刷在其中的区域。
HTL 42可以由三苯胺类材料(例如，N-苯基咔唑)、咔唑类材料(例如，聚乙烯咔唑)、TPD(N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-联苯基]-4,4'-二胺)、NPB(N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺)和/或TCTA(4,4',4″-三(N-咔唑基)三苯胺)形成，但不限于此。
此外，可以通过诸如真空蒸发法、旋涂法、铸造法或LB法的各种合适的方法来形成HTL 42。
EML 50可以形成在HTL 42的空白区域L中，并且可以通过印刷法形成。印刷法的示例可以包括诸如喷墨印刷法、喷嘴印刷法、凹版印刷法、丝网印刷法、喷射印刷法或静电喷射印刷法的各种合适方法。
EML 50可以被形成为包括主体材料和掺杂物材料。
主体材料可以使用(利用)例如Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、CBP(4,4'-二(N-咔唑基)-1,1'-联苯)、PVK(聚(n-乙烯基咔唑))、AND(9,10-二(萘-2-基)蒽)、TCTA(4,4',4″-三(咔唑-9-基)-三苯胺)、TPBI(1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯)、TBADN(3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽)、DSA(二苯乙烯基亚芳基化合物,distyrylarylene)、E3和/或CDBP(4,4'-二(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-联苯基)，但不限于此。
掺杂物材料可以使用例如PtOEP(PT(II)八乙基卟啉)、Ir(piq)3(三(2-苯基异喹啉)铱)、Btp2Ir(acac)(双(2-(2'-苯并噻吩基)-吡啶-N,C3')(乙酰丙酮)铱)、Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)铱)、Ir(ppy)2(acac)(二(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮)铱(III))、Ir(mppy)3(三(2-(4-甲苯基)苯基吡啶)铱)、C545T(10-(2-苯并噻唑基)-1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氢-1H,5H,11H-[1]苯并吡喃[6,7,8-ij]-喹嗪-11-酮)、F2Irpic(双[3,5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基](吡啶甲酸)铱(III))、(F2ppy)2Ir(tmd)、Ir(dfppz)3、DPVBi(4,4'-双(2-2'-二苯基乙烯-1-基)联苯)、DPAVBi(4,4'-双[4-(二苯基氨基)苯乙烯基]联苯)和/或TBPe(2,5,8,11-四叔丁基苝)，但不限于此。
当在对比过程中通过印刷法形成EML 50时，EML 50的两个边缘附近的厚度在使液态有机材料干燥的过程中可能不均匀地形成。这样造成光的不均匀发射，因此，像素看上去具有环形带(咖啡环效应)。为此原因，有机发光器件的质量降低。
根据本实施例，第一导电膜34形成为覆盖第一像素电极32，并且形成第二导电图案36和绝缘层38以暴露第一导电膜34顶部的一部分。包括暴露第一导电膜34顶部的一部分的开口H的第二导电图案36和绝缘层38充当像素限定层，可以形成厚度为数十纳米(nm)的多个这样像素限定层36和38。由于像素限定层36和38形成为薄厚度，因此印刷在HTL 42上并且被干燥的发光材料溶液的量减少或者最少，从而防止像素看上去具有环形带的现象。因此，有机发光器件1的像素质量和发射质量提高。
可以在EML 50上额外地形成电子传输层(ETL)52和电子注入层(EIL)54。
EIL可以由诸如LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO或Liq等材料形成。
ETL可以由Alq3、BCP(2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、Bphen(4,7-二苯基-1,10-菲咯啉)、TAZ(3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑)、NTAZ(4-(萘-1-基)-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑)、tBu-PBD(2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-噁二唑)、BAlq(双(2-甲基-8-羟基喹啉-N1,O8)-(1,1'-联苯-4-羟基)铝)、Bebq2(铍双(苯并喹啉-10-羟基))和/或ADN(9,10-二(萘-2-基)蒽)，但不限于此。
在发射单元30上形成包封单元60。
包封单元60可以由交替设置的一个或更多个无机层和一个或更多个有机层形成。可选地，包封单元60可以由一个或更多个无机层形成。
无机层可以由例如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氮化铝、氮氧化铝、氧化钛、氮化钛、氧化钽、氮化钽、氧化铪、氮化铪、氧化锆、氮化锆、氧化铈、氮化铈、氧化锡、氮化锡和/或氧化镁形成。无机层薄，但具有高密度，因此对氧和氢具有屏障特性。
有机层可以由丙烯酸类树脂、甲基丙酸烯类树脂、异戊二烯类树脂、乙烯基类树脂、环氧类树脂、聚氨酯类树脂、纤维素类树脂、二萘嵌苯类树脂、酰亚胺类树脂或这些中的两种或更多种的化合物形成。可以根据无机层的特性、产率和器件特性来确定有机层的理想(最佳)厚度。有机层减轻无机层的应力，并且执行平面化功能。
可以通过诸如溅射、热蒸发、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、离子束辅助沉积(IBAD)或原子层沉积(ALD)的工艺来形成包封单元60。
图2至图11是顺序地示出根据本发明的实施例的制造有机发光器件的方法的示意性剖视图。
参照图2，在基板10上形成缓冲层12，在缓冲层12上形成驱动TFT单元20。在本实施例中，作为TFT的示例，示出了其中有机发光器件1包括底部栅极TFT的情况。然而，有机发光器件1可以包括具有另一种类的TFT，例如，顶部栅极TFT。
基板10可以是透明玻璃基板，或者可以使用各种合适材料的基板，例如，塑料基板或金属基板等。
驱动TFT N1可以包括栅电极21、有源层23、源电极25s和漏电极25d。
平面化层26可以被形成为覆盖驱动TFT N1。可以以各种合适的结构来形成平面化层26，例如，平面化层26可以由诸如苯并环丁烯(BCB)或丙烯酸树脂的有机材料或诸如SiNx的无机材料形成。
在平面化层26上形成作为有机发光器件1的一个电极的第一像素电极32，第一像素电极32通过接触孔31电连接到漏电极25d。
第一像素电极32可以被形成为透明电极或反射电极。当第一像素电极32被形成为透明电极时，第一像素电极32可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)和/或氧化铟(In2O3)形成。当第一像素电极32被形成为反射电极时，第一像素电极32可以包括反射层和透明层，反射层由银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或其化合物形成，透明层由ITO、IZO、ZnO和/或In2O3形成。
随后，在平面化层26上形成第一导电膜34以覆盖第一像素电极32。
第一导电膜34可以由导电材料形成。导电材料的厚度可以为大约100nm或更小。例如，导电材料可以是酞菁化合物(例如，铜酞菁)、DNTPD(N,N′-二苯基-N,N′-双-[4-(苯基-间甲苯基-氨基)-苯基]-联苯基-4,4′-二胺)、m-MTDATA(4,4′,4″-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺)、TDATA(4,4′,4″-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺)、2T-NATA(4,4′,4″-三{N,-(2-萘基)-N-苯基氨基}-三苯胺)、PEDOT/PSS(聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐))、Pani/DBSA(聚苯胺/十二烷基苯磺酸)、Pani/CSA(聚苯胺/樟脑磺酸)和/或PANI/PSS(聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)。然而，本实施例的技术精神不限于此。另外，可以通过真空蒸发法、旋涂法、喷墨印刷法、丝网印刷法、喷射印刷法和/或热转印法来形成第一导电膜34。然而，本实施例的技术精神不限于此。另外，第一导电膜34的导电率可以为例如大约10-5S/cm至大约10-3S/cm。第一导电膜34的逸出功可以为例如大约5.0eV至大约5.7eV。第一导电膜34将第一像素电极32电连接到形成在第一像素电极32上的HIL(图7的40)。尽管未示出，但第一导电膜34可以被图案化成用于防止在第一导电膜34和除了相应像素的第一像素电极32之外的各个像素的第一像素电极之间短路。
参照图3和图4，在第一导电膜34上涂覆第二导电材料36'。第二导电材料36'的厚度可以为大约1nm至大约10nm。另外，可以通过真空蒸发法、旋涂法、喷墨印刷法、丝网印刷法、喷射印刷法和/或热转印法来形成第二导电材料36'。然而，本实施例的技术精神不限于此。
随后，通过使用(利用)包括阻挡单元M1和透射单元M2的掩模M，形成第二导电图案36，以暴露第一导电膜34顶部的一部分。
用曝光设备通过掩模M将第二导电材料36'曝光、显影和蚀刻，从而形成第二导电图案36。然而，形成第二导电图案36的方法不限于使用掩模M的方法。
参照图5和图6，在第二导电图案36上形成绝缘材料38'，并且通过使绝缘材料38'干燥，在第二导电图案36上形成绝缘层38。绝缘材料38'的厚度可以为大约10nm至大约90nm。绝缘层38可以由诸如氧化硅或氮化硅的绝缘材料形成，或者可以由绝缘有机材料形成。另外，可以通过凹版涂覆法、狭缝涂覆法、棒涂覆法、喷涂法、真空过滤法、旋涂法、电泳沉积法、铸造法、喷墨印刷法和/或胶版印刷法来形成绝缘材料38'。然而，本实施例的技术精神不限于此。
第二导电图案36和绝缘层38包括暴露第一导电膜34顶部的一部分的开口H，并且充当像素限定层。
参照图7，在绝缘层38和第一导电膜34上形成HIL 40，以覆盖第一导电膜34的被暴露的顶部。
HIL 40可以由酞菁化合物(诸如，铜酞菁)、DNTPD(N,N′-二苯基-N,N′-双-[4-(苯基-间甲苯基-氨基)-苯基]-联苯基-4,4′-二胺)、m-MTDATA(4,4′,4″-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺)、TDATA(4,4′,4″-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺)、2T-NATA(4,4′,4″-三{N-(2-萘基)-N-苯基氨基}-三苯胺)、PEDOT/PSS(聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐))、Pani/DBSA(聚苯胺/十二烷基苯磺酸)、Pani/CSA(聚苯胺/樟脑磺酸)和/或PANI/PSS(聚苯胺)/聚(4-苯乙烯磺酸)形成，但不限于此。另外，可以通过诸如真空沉积法、旋涂法、铸造法或LB法的各种合适的方法来形成HIL 40。
参照图8和图9，在HIL 40上形成空穴传输材料42'。
空穴传输材料42'可以是三苯胺类材料(例如，N-苯基咔唑)、咔唑类材料(例如，聚乙烯咔唑)、TPD(N,N'-双(3-甲基苯基)-N,N'-二苯基-[1,1-联苯基]-4,4'-二胺)、NPB(N,N'-二(1-萘基)-N,N'-二苯基联苯胺)和/或TCTA(4,4',4″-三(N-咔唑基)三苯胺)，但不限于此。
可以通过真空沉积法、旋涂法、喷墨印刷法、丝网印刷法、喷射印刷法和/或热转印法来形成空穴传输材料42'。然而，本实施例的技术精神不限于此。
随后，通过使用(利用)包括阻挡单元M1和透射单元M2的掩模M来形成HTL 42。
HTL 42包括空白区域L，并且在后续工艺中，HTL 42充当其中印刷有发光材料(图10的50')的像素空白。另外，可以针对HTL 42的表面执行疏水处理，以防止在印刷发光材料(图10的50')时发光材料溢出。
参照图10，在由HTL 42限制(限定)的空白区域L上形成发光材料50'。
可以通过诸如喷墨印刷法、喷嘴印刷法、凹版印刷法、丝网印刷法、喷射印刷法或静电喷射印刷法的各种合适的方法在HTL 42上形成发光材料50'。
发光材料50'可以被形成为包括主体材料和掺杂物材料。
主体材料可以使用例如Alq3(三(8-羟基喹啉)铝)、CBP(4,4'-二(N-咔唑基)-1,1'-联苯)、PVK(聚(n-乙烯基咔唑))、AND(9,10-二(萘-2-基)蒽)、TCTA(4,4',4″-三(咔唑-9-基)-三苯胺)、TPBI(1,3,5-三(N-苯基苯并咪唑-2-基)苯)、TBADN(3-叔丁基-9,10-二(萘-2-基)蒽)、DSA(二苯乙烯基亚芳基化合物,distyrylarylene)、E3和/或CDBP(4,4'-双(9-咔唑基)-2,2'-二甲基-联苯基)，但不限于此。
掺杂物材料可以使用例如PtOEP(PT(II)八乙基卟啉)、Ir(piq)3(三(2-苯基异喹啉)铱、Btp2Ir(acac)(双(2-(2'-苯并噻吩基)-吡啶-N,C3')(乙酰丙酮)铱)、Ir(ppy)3(三(2-苯基吡啶)铱)、Ir(ppy)2(acac)(二(2-苯基吡啶)(乙酰丙酮)铱(III))、Ir(mppy)3(三(2-(4-甲苯基)苯基吡啶)铱)、C545T(10-(2-苯并噻唑基)-1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氢-1H,5H,11H-[1]苯并吡喃[6,7,8-ij]-喹嗪-11-酮)、F2Irpic(双[3,5-二氟-2-(2-吡啶基)苯基](吡啶甲酸)铱(III))、(F2ppy)2Ir(tmd)、Ir(dfppz)3、DPVBi(4,4'-双(2-2'-二苯基乙烯-1-基)联苯)、DPAVBi(4,4'-双[4-(二苯基氨基)苯乙烯基]联苯)和/或TBPe(2,5,8,11-四叔丁基苝)，但不限于此。
参照图11，通过使发光材料50'干燥来形成EML 50。
随后，可以在EML 50上额外地形成ETL 52和EIL 54。
随后，在EIL 54上形成与第一像素电极32相对设置的第二像素电极56。
第二像素电极56可以被形成为透明电极或反射电极。当第二像素电极56被形成为透明电极时，第二像素电极56可以包括通过沉积Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或其化合物以便形成中间层而形成的中间层，并且利用中间层形成辅助电极或汇流电极线(由诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3的透明导电材料形成)。当第二像素电极56被形成为反射电极时，第二像素电极56可以由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或其化合物形成。
在发射单元30上形成包封单元60。
包封单元60可以由交替设置的一个或更多个无机层和一个或更多个有机层形成。可选地，包封单元60可以由一个或更多个无机层形成。
无机层薄，但具有高密度，因此可以是针对氧和氢的屏障(例如，具有屏障特性)。因此，有机层减轻无机层的应力，并且执行平面化功能。
可以通过诸如溅射、热蒸发、化学气相沉积(CVD)、等离子体增强化学气相沉积(PECVD)、离子束辅助沉积(IBAD)或原子层沉积(ALD)的工艺来形成包封单元60。
根据本实施例，由于第二导电图案36和绝缘层38可以被形成为像素限定层并且被形成为厚度薄，因此可以通过在HTL 42的空白区域L上印刷少量的发光材料50'来形成EML50。
因此，由于使用了少量的发光材料50'，因此与当印刷大量的发光材料50'时相比，防止了在干燥过程中EML 50的薄膜均匀性劣化，EML 50的薄膜均匀性得到改善，从而提高了有机发光器件的可靠性。
如上所述，根据本发明的以上实施例中的一个或更多个，使用(利用)印刷方法的有机发光器件防止从发射单元的边缘区域发出光，从而提高了所提取光的质量。
应该理解，这里描述的示例实施例应该仅以描述性含义被考虑，而不出于限制的目的。对每个实施例中的特征或方面的描述通常应该被视为可适用于其它实施例中的其它类似特征或方面。
虽然已经参照附图描述了本发明的一个或更多个实施例，但本领域的普通技术人员将理解，在不脱离权利要求书及其等同物限定的本发明的精神和范围的情况下，可以在这里进行形式和细节上的各种改变。

Claims (20)

1.一种有机发光器件，所述有机发光器件包括：
第一像素电极，在基板上；
第一导电膜，在基板上并且被构造成覆盖第一像素电极；
第二导电图案和绝缘层，顺序地形成在第一导电膜上，第二导电图案和绝缘层具有暴露第一导电膜的顶部的一部分的开口；
空穴注入层，在开口和绝缘层上，以覆盖第一导电膜的被暴露的部分；
空穴传输层，形成在开口和空穴注入层的部分区域上；
发射层，在空穴传输层上。
2.如权利要求1所述的有机发光器件，其中，第一导电膜的导电率为10-5S/cm至10-3S/cm，第一导电膜的逸出功为5.0eV至5.7eV。
3.如权利要求1所述的有机发光器件，其中，空穴注入层形成为围绕绝缘层的被暴露的侧表面和第二导电图案的被暴露的侧表面。
4.如权利要求1所述的有机发光器件，其中，第二导电图案的厚度为1nm至10nm，绝缘层的厚度为10nm至90nm。
5.如权利要求1所述的有机发光器件，其中，均具有开口的第二导电图案和绝缘层形成像素限定层。
6.如权利要求1所述的有机发光器件，其中，空穴传输层包括其中形成有发射层的空白区域。
7.如权利要求1所述的有机发光器件，其中，通过凹版涂覆法、狭缝涂覆法、棒涂覆法、喷涂法、真空过滤法、旋涂法、电泳沉积法、铸造法、喷墨印刷法或胶版印刷法来形成绝缘层。
8.如权利要求1所述的有机发光器件，其中，通过喷墨印刷法、喷嘴印刷法、凹版印刷法、丝网印刷法、喷射印刷法或静电喷射印刷法来形成发射层。
9.如权利要求1所述的有机发光器件，所述有机发光器件还包括：
电子传输层，在发射层上；
电子注入层，在电子传输层上。
10.如权利要求1所述的有机发光器件，其中，空穴注入层由酞菁化合物、N,N′-二苯基-N,N′-双-[4-(苯基-间甲苯基-氨基)-苯基]-联苯基-4,4′-二胺、4,4′,4″-三(3-甲基苯基苯基氨基)三苯胺、4,4′,4″-三(N,N-二苯基氨基)三苯胺、4,4′,4″-三{N,-(2-萘基)-N-苯基氨基}-三苯胺、聚(3,4-乙撑二氧噻吩)/聚(4-苯乙烯磺酸盐)、聚苯胺/十二烷基苯磺酸、聚苯胺/樟脑磺酸或聚苯胺/聚(4-苯乙烯磺酸盐)形成。
11.如权利要求1所述的有机发光器件，所述有机发光器件还包括：
第二像素电极，在发射层上；
包封单元，包括交替地形成以覆盖第二像素电极的一个或更多个无机层和一个或更多个有机层。
12.一种制造有机发光器件的方法，所述方法包括下述步骤：
在基板上形成第一像素电极；
形成第一导电膜以覆盖第一像素电极；
顺序地形成第二导电图案和绝缘层，以具有暴露第一导电膜的顶部的一部分的开口；
在开口和绝缘层上形成空穴注入层；
在开口和空穴注入层的部分区域上形成空穴传输层；
在空穴传输层上形成发射层。
13.如权利要求12所述的方法，其中，形成第二导电图案的步骤包括：
在第一导电膜上形成第二导电材料；
通过利用应用于第二导电材料的掩模，形成第二导电图案，以暴露第一导电膜的顶部的所述部分。
14.如权利要求12所述的方法，其中，顺序地形成第二导电图案和绝缘层的步骤包括通过利用凹版涂覆法、狭缝涂覆法、棒涂覆法、喷涂法、真空过滤法、旋涂法、电泳沉积法、铸造法、喷墨印刷法或胶版印刷法在第二导电图案上形成绝缘层。
15.如权利要求12所述的方法，其中，第二导电图案的厚度为1nm至10nm，绝缘层的厚度为10nm至90nm。
16.如权利要求12所述的方法，其中，形成空穴注入层的步骤包括形成空穴注入层，以围绕绝缘层的被暴露的侧表面和第二导电图案的被暴露的侧表面。
17.如权利要求12所述的方法，其中，形成空穴传输层的步骤包括：
在空穴注入层上形成空穴传输材料；
通过利用应用于空穴传输材料的掩模，在开口中形成包括空白区域的空穴传输层，发射层形成在空白区域中。
18.如权利要求17所述的方法，其中，形成发射层的步骤包括：
通过利用喷墨印刷法、喷嘴印刷法、凹版印刷法、丝网印刷法、喷射印刷法或静电喷射印刷法在空白区域中形成发光材料；
对发光材料进行干燥以形成发射层。
19.如权利要求12所述的方法，其中，形成发射层的步骤包括：
在形成发射层之后，在发射层上形成电子传输层；
在电子传输层上形成电子注入层。
20.如权利要求12所述的方法，所述方法还包括：
在形成发射层之后，在发射层上形成第二像素电极；
形成包封单元以覆盖第二像素电极。
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