TWI578542B - 包含薄膜電晶體的基板、製造該基板之方法以及包含該基板的有機發光顯示裝置 - Google Patents

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Description

包含薄膜電晶體的基板、製造該基板之方法以及包含該基板 的有機發光顯示裝置
本發明之實施例係有關於一種包含薄膜電晶體的基板、製造該基板之方法以及包含該基板的有機發光顯示裝置。
平面顯示裝置可以包含發光式及非發光式顯示裝置。發光式顯示裝置可以包含，舉例而言，平面陰極射線管、電漿顯示面板(plasma display panels；PDP)以及電致發光式顯示裝置(electroluminescent display device)。非發光式顯示裝置可以包含液晶顯示器(liquid crystal display；LCD)。電致發光式顯示裝置可以具有寬廣之視角、優越的對比和快速的反應速度，因此近來已被極力認定為接班的下一代顯示裝置。就形成發光層(emission layer)的材料而言，此種電致發光式顯示裝置可以包含無機電致發光元件或有機電致發光元件。
有機電致發光元件可以是使用於藉由螢光有機化合物的電性激發而發出光亮的自發光式顯示器。由於電致發光元件可以使用低電壓驅動、可以輕易地製成薄形且具有寬廣視角及快速的反應速度，故其受到相當的注目。
有機電致發光元件可以包含由有機材料構成之發光層，形成於陽 極和陰極之間。當該陽極和該陰極分別被施加陽極電壓及陰極電壓之時，由陽極注入的電洞經由電洞傳輸層(hole transport layer)移動至該發光層而電子自陰極經由電子傳輸層(electron transport layer)移動至該發光層，使得電洞和電子於發光層之中發生再結合而形成激子(exciton)。
激子自激發狀態轉變成接地狀態，從而使得發光層的螢光分子發出光亮而形成影像。全彩型有機電致發光元件可以包含發出紅色R、綠色G、和藍色B三種顏色之像素以實現全彩影像。
在此種有機電致發光元件之中，像素定義層(pixel defining layer)可以形成於陽極的兩端。一特定開孔可以形成於像素定義層之中。而後，發光層和陰極可以依序形成於透過該開孔暴露至外部的陽極之上。
實施例之特徵提出一種包含可以在不使用離子摻雜製程的情況下產製出來之薄膜電晶體的基板、製造該基板之方法以及包含該基板的有機發光顯示裝置。
其可以藉由提出一種包含薄膜電晶體的基板實現至少一個上述和其他特徵及優點，該基板包含：配置於該基板之上的作用層(active layer)，該作用層包含通道區域以及源極和汲極區域；配置於該作用層之上的閘極電極，該通道區域對應至該閘極電極；插入於該作用層和該閘極電極之間的閘極絕緣層(gate insulating layer)；配置以覆蓋該作用層和該閘極電極的中介絕緣層(interlayer insulating layer)，該中介絕緣層具有第一及第二接觸通孔部分地暴露該作用層；配置於該中介絕緣層之上的源極和汲極電極，該源極和汲極區域對應至該源極和汲極電極；以及歐姆接觸層(ohmic contact layer)，該等歐姆接觸層插入於該中介絕緣層以及該源極和汲極電極之間，並透過該第一及第二接觸通 孔接觸該源極和汲極區域。
上述之歐姆接觸層可以包含內含離子雜質的非晶矽(amorphous silicon)疊層，或內含離子雜質的多晶矽(multi-crystalline silicon)疊層。
該離子雜質可以是N+或者是P+雜質。
該等歐姆接觸層可以是在形成該非晶矽疊層或該多晶矽疊層期間藉由注入磷基氣體(phosphorous-based gas)或硼基氣體(boron-based gas)而形成之電漿增強型化學氣相沉積(plasma enhanced chemical vapor deposition；PECVD)疊層。
上述之源極和汲極區域可以是導電性的。
該源極和汲極區域可以是由於利用磷基氣體或硼基氣體之電漿製程而具有導電性。
接觸上述歐姆接觸層之源極和汲極區域的第一及第二區域可以是導電性的。
該第一及第二區域可以是由於在形成該歐姆接觸層之後一利用磷基氣體或硼基氣體之電漿製程而具有導電性。
接觸上述歐姆接觸層之源極和汲極區域的第一及第二區域可以是導電性的。
該第一及第二區域可以是由於在形成該歐姆接觸層之後利用磷基氣體或硼基氣體之電漿製程而具有導電性。
該基板可以進一步包含緩衝層(buffer layer)，插入於該基板和該作用層之間以覆蓋該基板。
其亦可以藉由提出一種製造基板之方法而實現至少一個上述及其他特徵及優點，該方法包含：形成作用層於該基板之上，該作用層包含通道區域以及源極和汲極區域；形成閘極絕緣層於該作用層之上；形成閘極電極於 該閘極絕緣層之上；形成中介絕緣層於該基板之上以覆蓋該閘極電極；形成第一及第二接觸通孔於該中介絕緣層之中以部分地暴露該源極和汲極區域；形成透過該第一及第二接觸通孔接觸該源極和汲極區域之歐姆接觸層；以及形成配置於該歐姆接觸層之上的源極和汲極電極。
形成該歐姆接觸層可以包含形成內含離子雜質的非晶矽疊層，或是形成內含離子雜質的多晶矽疊層。
該離子雜質可以是N+或者是P+雜質。
形成該等歐姆接觸層可以包含在一用以形成該非晶矽疊層或該多晶矽疊層的電漿增強型化學氣相沉積(PECVD)期間注入磷基氣體或硼基氣體。
該方法可以進一步包含，在形成該閘極電極之後及形成該中介絕緣層之前，利用磷基氣體或硼基氣體對該源極和汲極區域執行電漿製程以提供該源極和汲極區域之導電性。
該方法可以進一步包含，在沉積該歐姆接觸層於該中介絕緣層上之後，利用磷基氣體或硼基氣體執行電漿製程以提供接觸該歐姆接觸層之該源極和汲極區域之第一和第二區域之導電性。
該方法可以進一步包含，在沉積該歐姆接觸層於該中介絕緣層上之後，利用磷基氣體或硼基氣體執行電漿製程以提供接觸該源極和汲極區域之歐姆接觸層之導電性。
其可以藉由提出一種有機發光顯示裝置以實現至少一個上述及其他特徵及優點，其包含：配置於基板之上的作用層，該作用層包含通道區域以及源極和汲極區域；配置於該作用層之上的閘極電極，該通道區域對應至該閘極電極；插入於該作用層和該閘極電極之間的閘極絕緣層；配置以覆蓋該作用層和該閘極電極的中介絕緣層，該中介絕緣層具有部分地暴露該作用層的第 一及第二接觸通孔；配置於該中介絕緣層之上的源極和汲極電極，該源極和汲極區域對應至該源極和汲極電極；歐姆接觸層，該等歐姆接觸層插入於該中介絕緣層以及該源極和汲極電極之間，並透過該第一及第二接觸通孔接觸該源極和汲極區域；覆蓋該源極和汲極電極的鈍化膜(passivation film)；配置於該鈍化膜之上的平坦化膜(planarization film)；配置於該平坦化膜之上的像素電極，該像素電極連接至該汲極電極；暴露該像素電極的像素定義層；配置於該像素電極之上的中介層(intermediate layer)，該中介層係用以發光；以及反相電極覆蓋該中介層和該像素定義層。
上述之歐姆接觸層可以包含內含離子雜質的非晶矽疊層，或內含離子雜質的多晶矽疊層。
該離子雜質可以是N+或者是P+雜質。
該等歐姆接觸層可以是電漿增強型化學氣相沉積(PECVD)疊層，該PECVD包含在形成該非晶矽疊層或該多晶矽疊層期間注入磷基氣體或硼基氣體。
上述之源極和汲極區域可以是導電性的。
該源極和汲極區域可以是由於利用磷基氣體或硼基氣體之電漿製程而具有導電性。
接觸上述歐姆接觸層之源極和汲極區域的第一及第二區域可以是導電性的。
該第一及第二區域可以是由於在形成該歐姆接觸層之後利用磷基氣體或硼基氣體之電漿製程而具有導電性。
接觸上述歐姆接觸層之源極和汲極區域的第一及第二區域可以是導電性的。
該第一及第二區域可以是由於在形成該歐姆接觸層之後利用磷 基氣體或硼基氣體之電漿製程而具有導電性。
該有機發光顯示裝置可以進一步包含緩衝層，插入於該基板和該作用層之間，該緩衝層覆蓋該基板。
101‧‧‧基板
102‧‧‧緩衝層
103‧‧‧作用層
103a‧‧‧通道區域
103b‧‧‧汲極區域
103c‧‧‧源極區域
104‧‧‧閘極絕緣層
105‧‧‧閘極電極
106‧‧‧中介絕緣層
106a‧‧‧第一接觸通孔
106b‧‧‧第二接觸通孔
107a-b‧‧‧歐姆接觸層
108‧‧‧源極電極
109‧‧‧汲極電極
110‧‧‧鈍化膜
111‧‧‧平坦化膜
112‧‧‧像素電極
113‧‧‧中介層
114‧‧‧反相電極
115‧‧‧像素定義層
203‧‧‧作用層
203b-c‧‧‧源極/汲極區域
303‧‧‧作用層
303b-c‧‧‧源極/汲極區域
403‧‧‧作用層
403b-c‧‧‧源極/汲極區域
A‧‧‧第一區域
B‧‧‧第二區域
配合所附圖式的示範性實施例詳細說明將使得上述及其他特徵及優點對熟習相關技術者趨於明顯，其中：圖1例示一依據一實施例之包含薄膜電晶體之基板之剖面示意圖；圖2例示一依據另一實施例之包含薄膜電晶體之基板之剖面示意圖；圖3例示一依據另一實施例之包含薄膜電晶體之基板之剖面示意圖；圖4例示一依據另一實施例之包含薄膜電晶體之基板之剖面示意圖；以及圖5例示一依據另一實施例之有機發光顯示裝置之剖面示意圖。
於2010年3月24日對韓國智慧財產局提申，標題為："Substrate Including Thin Film Transistor,Method of Manufacturing the Substrate,and Organic Light Emitting Display Apparatus Including the Substrate(包含薄膜電晶體的基板、製造該基板之方法以及包含該基板的有機發光顯示裝置)"的編號10-2010-0026403之韓國專利申請案，其整體內容以參照之方式併入本說明書。
以下將參見所附圖式更詳盡地說明示範實施例；然而，其可以實 施為不同之形式而不應視為將本發明受限於該等實施例。更確切言之，提出該等實施例之用意係在於使得本揭示更加周密而完整，並將本發明之範疇完整傳達予相關領域之熟習者。
在描繪的圖式之中，疊層及區域之尺寸可能基於清楚例示之需要而加以誇大。同時其亦應理解，當一疊層或構件被稱為位於另一疊層或基板"之上"時，其可以是直接位於該另一疊層或基板之上，或者其亦可能存在居間之疊層。此外，其應理解，當一疊層被稱為位於另一疊層"之下"時，其可以是直接位於其下，或者其亦可能存在一或多個居間之疊層。並且，其亦應理解，當一疊層被稱為"介於"二疊層之間時，其可以是位於該二疊層間的唯一疊層，或者其亦可能存在一或多個居間之疊層。相同的參考編號於說明書各處表示相同之構件。
圖1例示一依據一實施例之包含薄膜電晶體之基板101之剖面示意圖。
參見圖1，基板101可以具有薄膜電晶體形成於其上。該基板101可以是，例如，玻璃基板或塑膠基板。
緩衝層102可以形成於基板101之上。緩衝層102可以是由具有阻障特性之絕緣材料所構成。舉例而言，緩衝層102可以是由SiO2或SiNx構成。
作用層103可以形成於緩衝層102之上。作用層103可以是由半導體材料所構成，且可以是藉由對形成於緩衝層102上的半導體材料進行圖案化(patterning)而形成。舉例而言，該半導體材料可以是沉積於該緩衝層之上，而沉積之半導體材料可以被圖案化以形成作用層103。作用層103可以被分成通道區域103a、源極區域103c和汲極區域103b，使得通道區域103a將源極區域103c連接於汲極區域103b。
作用層103可以是由，例如，無機半導體材料或有機半導體材料 所構成。用以形成作用層103的無機半導體材料之實例可以包含CdS、GaS、ZnS、CdSe、CaSe、ZnSe、CdTe、SiC以及Si。用以形成作用層103的有機半導體之實例可以包含，聚合物方面，聚噻吩(polythiophene)或其衍生物、聚對位苯基乙烯(poly(p-phenylene vinylene))(PPV)或其衍生物、聚對苯撐乙烯(polyparaphenylene)或其衍生物、聚芴(polyfluorene)或其衍生物、聚噻吩基乙烯(polythiophene vinylene)或其衍生物、聚噻吩異芳香環群共聚物(polythiophene-hetero aromatic ring group copolymer)或其衍生物、以及低分子量材料方面，稠五苯(pentacene)、稠四苯(tetracene)、萘之稠環芳香烴(oligoacene of naphthalene)或其衍生物、ALPHA六噻吩(alpha-6-thiophene)、ALPHA五噻吩之聚寡噻吩(oligothiophene of alpha-5-thiophene)或其衍生物、酞青素(phthalocyanine)(包含或不包含金屬)或其衍生物、均苯四酸二酐(pyromellitic dianhydride)或均苯四酸二醯亞胺(pyromellitic diimide)或其衍生物以及花四羧酸二酐(perylenetetracarboxylic acid dianhydride)或花四羧二醯亞胺(perylenetetracarboxylic diimide)或其衍生物。
一閘極絕緣層104可以形成於作用層103之通道區域103a之上。閘極絕緣層104可以是由，例如，一諸如SiO2或SiNx之絕緣材料構成。
一閘極電極105可以形成於閘極絕緣層104之上。閘極電極105可以是由，例如，一諸如MoW、Al、Cr、或Al/Cu之導電金屬膜，諸如導電聚合物的各種導電材料等構成。閘極電極105可以是形成以覆蓋一對應至作用層103之通道區域103a之區域。
閘極絕緣層104和閘極電極105可以是以如下之方式形成。首先，一絕緣材料可以被沉積於緩衝層102之上以覆蓋作用層103。接著，一金屬層可以沉積於已沉積的絕緣材料之上。而後，已沉積之絕緣材料和金屬層可以被部分移除以暴露作用層103的源極區域103c和汲極區域103b。已沉積之絕緣材料 和金屬層可以藉由例如乾式蝕刻(dry etching)或濕式蝕刻(wet etching)移除之。當使用乾式蝕刻之時，已沉積之絕緣材料和金屬層可以被同時移除。當使用濕式蝕刻之時，已沉積之絕緣材料和金屬層可以在，例如，不同的蝕刻動作之中被分次移除。在已沉積之絕緣材料和金屬層被蝕刻之後，閘極絕緣層104和閘極電極105可以堆疊於作用層103的通道區域103a之上。
中介絕緣層106可以形成以覆蓋作用層103和閘極電極105。中介絕緣層106可以是由，例如，諸如SiO2或SiNx之絕緣材料構成。
中介絕緣層106可以具有第一及第二接觸通孔106a和106b，其部分地暴露作用層103。第一及第二接觸通孔106a和106b可以分別暴露汲極區域103b之第二區域A以及源極區域103c之第一區域B。
歐姆接觸層107a及107b可以形成以分別接觸汲極區域103b之第二區域A以及源極區域103c之第一區域B，汲極區域103b之第二區域A以及源極區域103c之第一區域B係透過第一及第二接觸通孔106a和106b被暴露出來。歐姆接觸層107a及107b可以藉由接觸汲極區域103b暴露之第二區域A以及源極區域103c暴露之第一區域B而形成一歐姆接觸。
歐姆接觸層107a和107b可以是包含離子雜質的非晶矽疊層，例如複晶矽(polycrystalline silicon)之多晶矽疊層等等。舉例而言，歐姆接觸層107a和107b可以是包含N+或P+離子雜質的非晶矽疊層，或是複晶矽疊層。
歐姆接觸層107a及107b可以是在使用電漿增強型化學氣相沉積(PECVD)形成該非晶矽疊層或該多晶矽疊層期間藉由注入磷基氣體或硼基氣體而形成。在此製程之中，歐姆接觸層107a及107b可以是形成為，例如，非晶矽疊層或是多晶矽疊層，此等疊層具有離子雜質而無需運用一離子注入製程。因此，歐姆接觸層107b及107b可以在PECVD期間藉由注入磷基氣體或硼基氣體而包含離子雜質，其係用以形成非晶矽疊層(或是多晶矽疊層)，而非如同先前技 術般將非晶矽疊層沉積於中介絕緣層106之上並在其後對其摻雜，意即注入，離子。基本上，當非晶矽疊層如同先前技術般沉積於中介絕緣層106之上並在其後摻入離子之時，在形成大尺寸平面顯示面板(例如，第8代或更新一代的有機發光顯示裝置)的情形下，離子摻雜可能有所困難。相對地，依據一實施例，其可以不使用離子注入製程即形成包含離子雜質的非晶矽疊層(或是多晶矽疊層)，使得其可以藉由利用一簡單的製程將薄膜電晶體形成於大型基板之上。並且，由於其不需要昂貴的離子注入設備，製造成本可以從而降低。在一實施方式之中，其可以藉由主要包含PEVCD的製程，在PECVD期間利用含磷或含硼之氣體形成歐姆接觸層107a和107b，且其被形成為具有導電性。
如前所述，實施例可以提出一種包含薄膜電晶體的基板、製造該基板之方法以及包含該基板的有機發光顯示裝置，其中不需要獨立的離子注入製程以形成歐姆接觸層。因此，其不使用離子注入製程即可以實現歐姆接觸層之形成。
源極及汲極電極(其整體而言係源極/汲極電極)108及109可以是分別配置於歐姆接觸層107a和107b之上。歐姆接觸層107a和107b以及源極/汲極電極108及109可以是以如下的方式形成。首先，其可以形成一包含離子雜質之非晶矽疊層(或多晶矽疊層)以覆蓋中介絕緣層106。接著，一用於源極/汲極電極之金屬層可以沉積於該包含離子雜質的非晶矽疊層(或多晶矽疊層)之上。而後，該包含離子雜質的非晶矽疊層(或多晶矽疊層)以及該金屬層藉由利用光學微影術(photolithography)被圖案化，從而形成源極/汲極電極108及109於歐姆接觸層107a及107b之上。
圖2例示一依據另一實施例之包含薄膜電晶體之基板之剖面示意圖。
相較於圖1中所例示的包含薄膜電晶體之基板，例示於圖2之中 依據本實施例之包含薄膜電晶體之基板可以包含作用層203之具有導電性之源極/汲極區域203c及203b。該源極/汲極區域203c及203b可以利用電漿製程將其製做成具有導電性。例如，閘極絕緣層104和閘極電極105可以被形成以暴露作用層203的源極/汲極區域203c及203b，而後在形成中介絕緣層106之前可以利用磷基氣體或硼基氣體執行電漿製程。由於該電漿製程，作用層203之源極/汲極區域203c及203b可以具有導電性。由於作用層203之源極/汲極區域203c及203b可以是導電性的，故可以避免因偏移產生的導通電流變小。關於圖2所例示基板的其他結構和製程可以與例示於圖1的包含薄膜電晶體的基板相同。因此，其說明將不再重覆。
圖3例示一依據另一實施例之包含薄膜電晶體之基板之剖面示意圖。
相較於圖1中所例示的包含薄膜電晶體之基板，例示於圖3之中依據本實施例之包含薄膜電晶體之基板可以包含接觸歐姆接觸層107a及107b之源極/汲極區域303c和303b之第一區域B及第二區域A，其中該第一區域B及第二區域A均具有導電性。接觸歐姆接觸層107a及107b之源極/汲極區域303c和303b的第一區域B及第二區域A可以利用一電漿製程而使其具有導電性。例如，其可以形成歐姆接觸層107a及107b，而後可以利用磷基氣體或硼基氣體執行電漿製程。由於該電漿製程，可以使接觸歐姆接觸層107a及107b之源極/汲極區域303c和303b的第一區域B及第二區域A具有導電性。由於其使得接觸歐姆接觸層107a及107b之源極/汲極區域303c和303b的第一區域B及第二區域A具有導電性，故可以避免因偏移產生的導通電流變小。關於圖3所例示基板的其他結構和製程可以與例示於圖1的包含薄膜電晶體的基板相同。因此，其說明將不再重覆。
圖4例示一依據另一實施例之包含薄膜電晶體之基板之剖面示意 圖。
相較於圖1中所例示的包含薄膜電晶體之基板，例示於圖4之中依據本實施例之包含薄膜電晶體之基板可以包含導電性之作用層403的源極/汲極區域403c及403b、以及接觸歐姆接觸層107a及107b之源極/汲極區域403c和403b之第一區域B及第二區域A，其中該第一區域B及第二區域A均具有導電性。因此，作用層403之源極/汲極區域403c及403b可以是導電性的，而後接觸歐姆接觸層107a及107b之源極/汲極區域403c和403b之第一區域B及第二區域A亦是導電性的。接觸歐姆接觸層107a及107b之源極/汲極區域403c和403b之第一區域B及第二區域A之導電性可以是高於除了第一區域B及第二區域A以外的其他區域之導電性。
在一實施方式之中，閘極絕緣層104和閘極電極105可以被形成以暴露作用層403的源極/汲極區域403c及403b，而後在形成中介絕緣層106之前可以利用磷基氣體或硼基氣體執行電漿製程。利用該電漿製程，可以使作用層403之源極/汲極區域403c及403b具有導電性。在該電漿製程之後，其可以形成中介絕緣層106以及歐姆接觸層107a及107b，而後可以利用磷基氣體或硼基氣體執行電漿製程。因此，上述之電漿製程可以執行二次。利用第二電漿製程，接觸歐姆接觸層107a及107b之源極/汲極區域403c和403b之第一區域B及第二區域A可以具有高於除了第一區域B及第二區域A以外的其他區域之導電性。由於作用層403之源極/汲極區域403c和403b以及接觸歐姆接觸層107a及107b之源極/汲極區域403c和403b的第一區域B及第二區域A係具有導電性的，故可以避免因偏移產生的導通電流變小。關於圖4所例示基板的其他結構和製程係與例示於圖1的包含薄膜電晶體的基板相同。因此，其說明將不再重覆。
圖5例示一依據另一實施例之有機發光顯示裝置之剖面示意圖。
參見圖5，依據本實施例之有機發光顯示裝置可以包含鈍化膜110、平坦化膜111、像素電極112、中介層113以及反相電極114形成於包含例示於圖1中之薄膜電晶體的基板之上。圖5的有機發光顯示裝置可以包含內含例示於圖1中之薄膜電晶體的基板，或者是內含例示於圖2至圖4中之薄膜電晶體的任一基板。
鈍化膜110下方的結構可以是與圖1所例示的結構相同，故其說明將不再重覆。
鈍化膜110，其可以是例如SiO2或SiNx，可以形成於源極/汲極電極109及108之上。平坦化膜111，其可以是由例如一諸如壓克力(acryl)、聚醯亞胺(polyimide)、或苯環丁烯(benzocyclobutene；BCB)的有機材料構成，可以形成於鈍化膜110之上。
像素電極112可以做為一有機電致發光元件之陽極，且可以形成於平坦化膜111之上。此外，一像素定義層115，其可以是由例如一有機材料所構成，可以覆蓋像素電極112。
一特定開孔可以形成於像素定義層115之中。而後，中介層113可以形成於像素定義層115之上且可以透過該開孔暴露像素電極112。中介層113可以包含發光層。許多其他有機發光顯示裝置可以類似方式套用。
該有機電致發光元件可以藉由依據電流發出紅色、綠色、和藍色的光而顯示特定影像。該有機電致發光元件可以包含像素電極112、反相電極114以及中介層113。像素電極112可以連接至薄膜電晶體之汲極電極108並接收正電源電壓，反相電極114可以覆蓋整個像素並供應負電源電壓，而中介層113可以插入於像素電極112和反相電極114之間並發出光。
像素電極112和反相電極114可以藉由中介層113彼此隔絕，且可以施加不同極性的電壓以使得光亮於中介層113處發出。
中介層113可以包含，例如，低分子量有機疊層或是聚合物有機疊層。若中介層113包含低分子量有機疊層，則中介層113可以具有單一或多重疊層結構，包含電洞注入層(hole injection layer；HIL)、電洞傳輸層(HTL)、發光層(EML)、電子傳輸層(ETL)以及電子注入層(electron injection layer；EIL)其中的一或多個結構。可使用的有機材料實例可以包含銅酞青(copper phthalocyanine；CuPc)、N'-二(萘-1-基)-N,N'-二苯基聯苯胺(N,N-di(naphthalene-1-yl)-N,N'-diphenyl-benzidine(NPB)、或三-8-羥基喹啉鋁(tris-8-hydroxyquinoline aluminum Alq3)。此等低分子量有機層係藉由，例如，真空沉積(vacuum deposition)而形成。
若中介層113包含聚合物有機疊層，則中介層113大多可以具有包含HTL及EML之結構。在此情況下，該HTL可以是由例如聚乙撐二氧噻吩(poly(ethylenedioxythiophene))(PEDOT)所構成，而該EML可以是由例如聚苯基乙烯(PPV)或者是聚芴所構成。上述之HTL及EML可以是藉由，例如，網版印刷(screen printing)、噴墨印刷(inkjet printing)或類似製程形成。中介層113並不受限於此，其可以在結構上有所變異。
中介層113可以是藉由，例如，旋轉塗佈(spin coating)而形成。舉例而言，其可以塗佈有機材料以覆蓋像素電極112和像素定義層115。接著，可以旋轉第一基板101。其可以配合第一基板101之旋轉移除塗佈於像素定義層115上的有機材料，而塗佈於像素電極112上的有機材料可以保留。接著，其可以塑化塗佈於像素電極112上的有機材料以形成中介層113。
像素電極112可以做為陽極而反相電極114可以做為陰極。在另一實施方式之中，像素電極112可以做為陰極而反相電極114可以做為陽極。
像素電極112可以是，例如，透明或反射式電極。若像素電極112係透明電極，則像素電極112可以由，例如，氧化銦錫(indium tin oxide；ITO)、 氧化銦鋅(indium zinc oxide；IZO)、氧化鋅(ZnO)或氧化銦(In2O3)所構成。若像素電極112係反射式電極，則其可以，例如，利用銀(A)、鎂(Mg)、鋁(Al)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、金(Au)、鎳(Ni)、釹(Nd)、銥(Ir)、鉻(Cr)或其化合物形成反射單元，並利用ITO、IZO、ZnO或In2O3形成疊層於該反射單元上而形成像素電極112。
此外，反相電極114可以是，例如，透明或反射式電極。若反相電極114係透明電極，則反相電極114可以做為陰極且其形成可以是藉由，例如，沉積具有低功函數(work function)之金屬，諸如鋰(Li)、鈣(Ca)、氟化鋰/鈣(LiF/Ca)、氟化鋰/鋁(LiF/Al)、鋁(Al)、銀(Ag)、鎂(Mg)或其化合物，以面對中介層113，以及利用諸如ITO、IZO、ZnO或In2O3或類似物質等用以形成透明電極之材料形成輔助電極疊層或匯流排電極線於該沉積之金屬上。若反相電極114係反射式電極，則其係藉由，例如，將Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或其化合物沉積於像素電極112的整個表面上而形成反相電極114。
如前所述，包含薄膜電晶體之基板可以在未使用離子摻雜下被製造出來。從而可以輕易地產製出大尺寸之有機發光顯示裝置。
以上揭示本發明之示範性實施例，雖然使用特定之名稱，但其應僅以概括性及說明性之意旨解讀之，而非用以限定。因此，習於斯藝之人士應能理解，各種結構及細節上之變異均可能在未脫離以下申請專利範圍所述之發明範疇下實現。
101‧‧‧基板
102‧‧‧緩衝層
103‧‧‧作用層
103a‧‧‧通道區域
103b‧‧‧汲極區域
103c‧‧‧源極區域
104‧‧‧閘極絕緣層
105‧‧‧閘極電極
106‧‧‧中介絕緣層
106a‧‧‧第一接觸通孔
106b‧‧‧第二接觸通孔
107a-b‧‧‧歐姆接觸層
108‧‧‧源極電極
109‧‧‧汲極電極
A‧‧‧第一區域
B‧‧‧第二區域

Claims (20)

  1. 一種包含薄膜電晶體的基板，該基板包含：作用層，配置於該基板之上，該作用層包含通道區域以及源極和汲極區域；閘極電極，配置於該作用層之上，該通道區域對應至該閘極電極；閘極絕緣層，插入該作用層和該閘極電極之間；中介絕緣層，配置以覆蓋該作用層及該閘極電極，該中介絕緣層具有第一及第二接觸通孔部分地暴露該作用層；源極及汲極電極，配置於該中介絕緣層之上且配置於該中介絕緣層之該第一及該第二接觸通孔中，該源極和汲極區域對應至該源極及汲極電極；以及歐姆接觸層，配置於該中介絕緣層之上且配置於該第一及該第二接觸通孔中，該歐姆接觸層插入該中介絕緣層以及該源極及汲極電極之間，且透過該第一及第二接觸通孔接觸該源極和汲極區域。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之包含薄膜電晶體的基板，其中該歐姆接觸層包含：內含離子雜質的非晶矽疊層，或內含離子雜質的多晶矽疊層。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之包含薄膜電晶體的基板，其中該離子雜質係N+或P+雜質。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之包含薄膜電晶體的基板，其中該歐姆接觸層係在形成該非晶矽疊層或該多晶矽疊層期間藉由注入磷基氣體或硼基氣體而形成之電漿增強型化學氣相沉積(PECVD)疊層。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之包含薄膜電晶體的基板，其中該源極和汲極區域係導電性的。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之包含薄膜電晶體的基板，其中該源極和汲極區域由於利用磷基氣體或硼基氣體之電漿製程而具有導電性。
  7. 如申請專利範圍第5項所述之包含薄膜電晶體的基板，其中接觸該歐姆接觸層之該源極和汲極區域的第一及第二區域係導電性的。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之包含薄膜電晶體的基板，其中該第一及第二區域由於在形成該歐姆接觸層之後之利用磷基氣體或硼基氣體之電漿製程而具有導電性。
  9. 如申請專利範圍第2項所述之包含薄膜電晶體的基板，其中接觸該歐姆接觸層之該源極和汲極區域的第一及第二區域係導電性的。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之包含薄膜電晶體的基板，其中該第一及第二區域由於在形成該歐姆接觸層之後之利用磷基氣體或硼基氣體之電漿製程而具有導電性。
  11. 如申請專利範圍第1項所述之包含薄膜電晶體的基板，更包含緩衝層，插入於該基板和該作用層之間以覆蓋該基板。
  12. 一種製造包含薄膜電晶體的基板的方法，該方法包含：形成作用層於該基板之上，該作用層包含通道區域以及源極和汲極區域；形成閘極絕緣層於該作用層之上； 形成閘極電極於該閘極絕緣層之上；形成中介絕緣層於該基板之上以覆蓋該閘極電極；形成第一及第二接觸通孔於該中介絕緣層之中以部分地暴露該源極和汲極區域；形成透過該第一及第二接觸通孔接觸該源極和汲極區域之歐姆接觸層，其中該歐姆接觸層配置於該中介絕緣層之上且配置於該中介絕緣層之該第一及該第二接觸通孔中；以及形成配置於該歐姆接觸層之上的源極及汲極電極，其中該源極及該汲極配置於該第一及該第二接觸通孔中。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之製造包含薄膜電晶體的基板的方法，其中形成該歐姆接觸層包含：形成內含離子雜質的非晶矽疊層，或形成內含離子雜質的多晶矽疊層。
  14. 如申請專利範圍第13項所述之製造包含薄膜電晶體的基板的方法，其中該離子雜質係N+或P+雜質。
  15. 如申請專利範圍第13項所述之製造包含薄膜電晶體的基板的方法，其中形成該歐姆接觸層包含在用以形成該非晶矽疊層或該多晶矽疊層的電漿增強型化學氣相沉積(PECVD)期間注入磷基氣體或硼基氣體。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之製造包含薄膜電晶體的基板的方法，更包含，在形成該閘極電極之後及形成該中介絕緣層之前，利用磷基氣體或硼基氣體對該源極和汲極區域執行電漿製程以提供該源極和汲極區域之導電性。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之製造包含薄膜電晶體 的基板的方法，更包含，在沉積該歐姆接觸層於該中介絕緣層上之後，利用磷基氣體或硼基氣體執行電漿製程以提供接觸該歐姆接觸層之該源極和汲極區域之第一和第二區域之導電性。
  18. 如申請專利範圍第15項所述之製造包含薄膜電晶體的基板的方法，更包含，在沉積該歐姆接觸層於該中介絕緣層上之後，利用磷基氣體或硼基氣體執行電漿製程以提供接觸該歐姆接觸層之該源極和汲極區域之第一和第二區域之導電性。
  19. 一種有機發光顯示裝置，包含：作用層，配置於基板之上，該作用層包含通道區域以及源極和汲極區域；閘極電極，配置於該作用層之上，該通道區域對應至該閘極電極；閘極絕緣層，插入該作用層和該閘極電極之間；中介絕緣層，配置以覆蓋該作用層及該閘極電極，該中介絕緣層具有第一及第二接觸通孔部分地暴露該作用層；源極及汲極電極，配置於該中介絕緣層之上且配置於該中介絕緣層之該第一及該第二接觸通孔中，該源極和汲極區域對應至該源極及汲極電極；歐姆接觸層，配置於該中介絕緣層之上且配置於該第一及該第二接觸通孔中，該歐姆接觸層插入該中介絕緣層以及該源極及汲極電極之間，且透過該第一及第二接觸通孔接觸該源極和汲極區域；鈍化膜，覆蓋該源極及汲極電極；平坦化膜，配置於該鈍化膜之上；像素電極，配置於該平坦化膜之上，該像素電極連接至該汲極電極； 像素定義層，暴露該像素電極；中介層，配置於該像素電極之上，該中介層係組構以發出光亮；以及反相電極，覆蓋該中介層和該像素定義層。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之有機發光顯示裝置，其中該歐姆接觸層包含：內含離子雜質的非晶矽疊層，或內含離子雜質的多晶矽疊層。
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