CN102201443A - 基底、制造基底的方法及有机发光显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种基底、制造该基底的方法及包括该基底的有机发光显示装置。该基底包括：有源层，设置在基底上，有源层包括沟道区及源区和漏区；栅电极，设置在有源层上，沟道区与栅电极对应；栅极绝缘层，设置在有源层和栅电极之间；层间绝缘层，设置为覆盖有源层和栅电极，层间绝缘层具有部分地暴露有源层的第一接触孔和第二接触孔；源电极和漏电极，设置在层间绝缘层上，源区和漏区与源电极和漏电极对应；欧姆接触层，欧姆接触层设置在层间绝缘层与源电极和漏电极之间，并通过第一接触孔和第二接触孔接触源区和漏区。

Description

基底、制造基底的方法及有机发光显示装置
技术领域
实施例涉及一种包括薄膜晶体管的基底、制造该基底的方法及包括该基底的有机发光显示装置。
背景技术
平板显示装置可包括发射型显示装置和非发射型显示装置。发射型显示装置可包括例如平板阴极射线管(flat cathode ray tube)、等离子体显示面板(PDP)和电致发光显示装置。非发射型显示装置可包括液晶显示器(LCD)。电致发光显示装置可具有宽视角、优异的对比度和快响应速度，因此，近来电致发光显示装置作为下一代显示装置已受到重视。根据形成发射层的材料，这样的电致发光显示装置可包括无机电致发光装置或有机电致发光装置。
有机电致发光装置可用于通过荧光有机化合物的电激发来发射光的自发光显示器中。由于电致发光装置可使用低电压进行驱动，可容易地制薄，且具有宽视角和快响应速度，所以它们已受到广泛的关注。
有机电致发光装置可包括由有机材料形成并设置在阳极和阴极之间的发射层。当阳极电压和阴极电压分别施加到阳极和阴极时，从阳极注入的空穴通过空穴传输层移动到发射层，电子从阴极通过电子传输层移动到发射层，从而空穴和电子在发射层中复合并形成激子。
激子从激发态跃迁到基态，从而使发射层的荧光分子发射光并形成图像。全彩型有机电致发光器件可包括发射红R、绿G和蓝B颜色的像素，从而实现全彩图像。
在这样的有机电致发光器件中，像素限定层可形成在阳极的两端上。预定的开口可形成在像素限定层中。然后，发射层和阴极可顺序地形成在通过开口暴露到外部的阳极上。
发明内容
实施例的特征提供了一种包括薄膜晶体管的基底、制造该基底的方法及包括该基底的有机发光显示装置，该基底可在不使用离子掺杂工艺的情况下制造。
通过提供一种包括薄膜晶体管的基底可实现上面和其它特征和优点中的至少一个，该基底包括：有源层，设置在基底上，有源层包括沟道区及源区和漏区；栅电极，设置在有源层上，沟道区与栅电极对应；栅极绝缘层，设置在有源层和栅电极之间；层间绝缘层，设置为覆盖有源层和栅电极，层间绝缘层具有部分地暴露有源层的第一接触孔和第二接触孔；源电极和漏电极，设置在层间绝缘层上，源区和漏区与源电极和漏电极对应；欧姆接触层，欧姆接触层设置在层间绝缘层与源电极和漏电极之间，并通过第一接触孔和第二接触孔接触源区和漏区。
欧姆接触层可包括非晶硅层或多晶硅层，非晶硅层包含离子杂质，多晶硅层包含离子杂质。
离子杂质可为N+或P+杂质。
欧姆接触层可为在形成非晶硅层或多晶硅层的过程中通过注入磷基气体或硼基气体形成的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)层。
源区和漏区可导电。
源区和漏区可因使用磷基气体或硼基气体的等离子体工艺而导电。
源区的接触欧姆接触层的第一区域和漏区的接触欧姆接触层的第二区域可导电。
第一区域和第二区域可因在形成欧姆接触层之后使用磷基气体或硼基气体的等离子体工艺而导电。
源区的接触欧姆接触层的第一区域和漏区的接触欧姆接触层的第二区域可导电。
第一区域和第二区域可因在形成欧姆接触层之后使用磷基气体或硼基气体的等离子体工艺而导电。
基底还可包括缓冲层，缓冲层设置在基底和有源层之间以覆盖基底。
还可通过提供一种制造基底的方法来实现上面和其它特征和优点中的至少一个，该方法包括以下步骤：在基底上形成有源层，有源层包括沟道区及源区和漏区；在有源层上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成栅电极；在基底上形成层间绝缘层以覆盖栅电极；在层间绝缘层中形成第一接触孔和第二接触孔以部分地暴露源区和漏区；形成通过第一接触孔和第二接触孔接触源区和漏区的欧姆接触层；形成设置在欧姆接触层上的源电极和漏电极。
形成欧姆接触层的步骤可包括形成包含离子杂质的非晶硅层的步骤或形成包含离子杂质的多晶硅层的步骤。
离子杂质可为N+或P+杂质。
形成欧姆接触层的步骤可包括在用于形成非晶硅层或多晶硅层的等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺过程中注入磷基气体或硼基气体的步骤。
该方法还可包括以下步骤：在形成栅电极之后和形成层间绝缘层之前，使用磷基气体或硼基气体对源区和漏区执行等离子体工艺以提供具有导电性的源区和漏区。
该方法还可包括以下步骤：在层间绝缘层上沉积欧姆接触层之后，使用磷基气体或硼基气体执行等离子体工艺以提供源区和漏区的接触欧姆接触层的具有导电性的第一区域和第二区域。
该方法还可包括以下步骤：在层间绝缘层上沉积欧姆接触层之后，使用磷基气体或硼基气体执行等离子体工艺以提供接触源区和漏区的具有导电性的欧姆接触层。
另外，还通过提供一种有机发光显示装置可实现上面和其它特征和优点中的至少一个，该有机发光显示装置包括：有源层，设置在基底上，有源层包括沟道区及源区和漏区；栅电极，设置在有源层上，沟道区与栅电极对应；栅极绝缘层，设置在有源层和栅电极之间；层间绝缘层，设置为覆盖有源层和栅电极，层间绝缘层具有部分暴露有源层的第一接触孔和第二接触孔；源电极和漏电极，设置在层间绝缘层上，源区和漏区与源电极和漏电极对应；欧姆接触层，欧姆接触层设置在层间绝缘层与源电极和漏电极之间，并通过第一接触孔和第二接触孔与源区和漏区接触；钝化膜，覆盖源电极和漏电极；平坦化膜，设置在钝化膜上；像素电极，设置在平坦化膜上，像素电极连接到漏电极；像素限定层，暴露像素电极；中间层，设置在像素电极上，中间层构造为发光；对向电极，覆盖中间层和像素限定层。
欧姆接触层可包括非晶硅层或多晶硅层，非晶硅层包含离子杂质，多晶硅层包含离子杂质。
离子杂质可为N+或P+杂质。
欧姆接触层可为等离子体增强化学气相沉积(PECVD)层，PECVD包括在形成非晶硅层或多晶硅层的过程中注入磷基气体或硼基气体。
源区和漏区可导电。
源区和漏区可因使用磷基气体或硼基气体的等离子体工艺而导电。
源区的接触欧姆接触层的第一区域和漏区的接触欧姆接触层的第二区域可导电。
第一区域和第二区域可因在形成欧姆接触层之后使用磷基气体或硼基气体的等离子体工艺而导电。
源区的接触欧姆接触层的第一区域和漏区的接触欧姆接触层的第二区域可导电。
第一区域和第二区域可因在形成欧姆接触层之后使用磷基气体或硼基气体的等离子体工艺而导电。
有机发光显示装置还可包括缓冲层，缓冲层设置在基底和有源层之间，缓冲层覆盖基底。
附图说明
通过参照附图对示例实施例进行详细描述，上面和其它特征和优点对本领域的技术人员来说将变得更明显，其中：
图1示出根据实施例的包括薄膜晶体管的基底的示意性剖视图；
图2示出根据另一实施例的包括薄膜晶体管的基底的示意性剖视图；
图3示出根据另一实施例的包括薄膜晶体管的基底的示意性剖视图；
图4示出根据另一实施例的包括薄膜晶体管的基底的示意性剖视图；
图5示出根据另一实施例的有机发光显示装置的示意性剖视图。
具体实施方式
于2010年3月24日提交到韩国知识产权局的名称为“Substrate Including Thin Film Transistor，Method of Manufacturing the Substrate，and Organic Light Emitting Display Apparatus Including the Substrate”的第10-2010-0026403号韩国专利申请的全部内容通过引用包含于此。
现在，将在下文中参照附图更充分地描述示例实施例，然而，这些示例实施例可以以不同的形式实施，且不应解释为局限于这里提出的实施例。相反，提供这些实施例使得本公开将是彻底和完全的，并将本发明的范围充分地传达给本领域的技术人员。
为了示出的清楚起见，在附图中会夸大层和区域的尺寸。还将理解的是，当层或元件被称作“在”另一层或基底“上”时，它可以直接在该另一层或基底上，或也可存在中间层。另外，将理解的是，当层被称作“在”另一层“下面”时，它可以直接在下面，或也可存在一个或多个中间层。另外，还将理解的是，当层被称作“在”两个层“之间”时，它可为该两个层之间的唯一层，或可存在一个或多个中间层。相同的标号始终代表相同的元件。
图1示出了根据实施例的包括薄膜晶体管的基底101的示意性剖视图。
参照图1，基底101可具有形成在其上的薄膜晶体管。基底101可为例如玻璃基底或塑料基底。
缓冲层102可形成在基底101上。缓冲层102可由具有阻挡特性的绝缘材料形成。例如，缓冲层102可由SiO2或SiOx形成。
有源层103可形成在缓冲层102上。有源层103可由半导体材料形成，并可通过图案化形成在缓冲层102上的半导体材料而形成。例如，可将半导体材料沉积在缓冲层上，然后可将沉积的半导体材料图案化来形成有源层103。有源层103可分为沟道区103a、源区103c和漏区103b，且沟道区103a将源区103c和漏区103b连接。
有源层103可由例如无机半导体材料或有机半导体材料形成。形成有源层103的无机半导体材料的示例可包括CdS、GaS、ZnS、CdSe、CaSe、ZnSe、CdTe、SiC和Si。形成有源层103的有机半导体的示例可包括作为聚合物的聚噻吩或其衍生物、聚对苯撑乙烯撑(PPV)或其衍生物、聚对苯撑或其衍生物、聚芴或其衍生物、聚噻吩乙烯撑或其衍生物、聚噻吩杂芳香环类共聚物(polythiophene-hetero aromatic ring group copolymer)或其衍生物及作为低分子量材料的并五苯、并四苯、晶态萘(oligoacene of naphthalene)或其衍生物、α-6-噻吩(alpha-6-thiophene)、低聚α-5-噻吩(oligothiophene of alpha-5-thiophene)或其衍生物、酞菁(包含或不包含金属)或其衍生物、均苯四甲酸二酐(pyromellitic dianhydride)或均苯四甲酸二酰亚胺(pyromellitic diimide)或者它们的衍生物和苝四甲酸二甘(perylenetetracarboxylic acid dianhydride)或苝四甲酰二酰亚胺(perylenetetracarboxylic diimide)或者它们的衍生物。
栅极绝缘层104可形成在有源层103的沟道区103a上。例如，栅极绝缘层104可由诸如SiO2或SiNx的绝缘材料形成。
栅电极105可形成在栅极绝缘层104上。例如，栅电极105可由诸如MoW、Al、Cr或Al/Cu的导电金属膜、诸如导电聚合物等的各种导电材料形成。栅电极105可形成为覆盖与有源层103的沟道区103a对应的区域。
可按如下步骤来形成栅极绝缘层104和栅电极105。首先，在缓冲层102上沉积绝缘材料以覆盖有源层103。然后，可在沉积的绝缘材料上沉积金属层。接下来，可部分地去除沉积的绝缘材料和金属层以暴露有源层103的源区103c和漏区103b。可通过例如干法蚀刻或湿法蚀刻去除沉积的绝缘材料和金属层。当使用干法蚀刻时，可同时蚀刻沉积的绝缘材料和金属层。当使用湿法蚀刻时，例如，可在单独的蚀刻操作中间断地蚀刻沉积的绝缘材料和金属层。在蚀刻沉积的绝缘材料和金属层之后，栅极绝缘层104和栅电极105可堆叠在有源层103的沟道区103a上。
层间绝缘层106可形成为覆盖有源层103和栅电极105。例如，层间绝缘层106可由诸如SiO2或SiNx的绝缘材料形成。
层间绝缘层106可具有部分地暴露有源层103的第一接触孔106a和第二接触孔106b。第一接触孔106a可暴露漏区103b的第二区域A，第二接触孔106b可暴露源区103c的第一区域B。
欧姆接触层107a和107b可分别形成为接触漏区103b的第二区域A和源区103c的第一区域B，漏区103b的第二区域A通过第一接触孔106a暴露，源区103c的第一区域B通过第二接触孔106b暴露。欧姆接触层107a和107b可通过接触漏区103b的暴露的第二区域A和源区103c的暴露的第一区域B而形成欧姆接触。
欧姆接触层107a和107b可为包含离子杂质的非晶硅层、例如多晶硅(polycrystalline silicon)的多晶硅层(multi-crystalline silicon layer)等。例如，欧姆接触层107a和107b可为包含N+或P+离子杂质的非晶硅层或多晶硅层。
欧姆接触层107a和107b可在使用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成非晶硅层或多晶硅层的过程中，通过注入磷基气体或硼基气体而形成。在该工艺中，欧姆接触层107a和107b可形成为例如非晶硅层或多晶硅层，这样的层在不使用离子注入工艺的情况下而具有离子杂质。这样，欧姆接触层107a和107b可在PECVD过程中通过注入磷基气体或硼基气体而包括离子杂质，PECVD用于形成非晶硅层(或多晶硅层)，代替在现有技术中的在层间绝缘层106上沉积非晶硅层并顺序地利用离子对它们进行掺杂(即，注入)的工艺。通常，如在现有技术中，当在层间绝缘层106上沉积非晶硅层并顺序地在其中掺杂离子时，当形成大尺寸的平板显示面板(例如，第8代或下一代有机发光显示装置)时会难以进行离子掺杂。相反，根据实施例，包括离子杂质的非晶硅层(或多晶硅层)可在不使用离子注入工艺的情况下形成，从而薄膜晶体管可通过使用简单的工艺形成在大的基底上。另外，由于不需要昂贵的离子注入装置，所以可以减少制造成本。在实施中，欧姆接触层107a和107b可通过实质上由在PECVD过程中使用含磷或含硼的气体的PECVD工艺组成的工艺形成并形成为具有导电性。
如上所述，实施例可提供一种包括薄膜晶体管的基底、制造该基底的方法和包括该基底的有机发光显示装置，在该基底中不需要单独的离子注入工艺来形成欧姆接触层。因此，在不使用离子注入工艺的情况下可实现欧姆接触层的形成。
源电极108和漏电极109(统称为源/漏电极)可分别设置在欧姆接触层107a和107b上。欧姆接触层107a和107b及源/漏电极108和109可按如下步骤形成。首先，可形成包含离子杂质的非晶硅层(或多晶硅层)以覆盖层间绝缘层106。然后，可在包含离子杂质的非晶硅层(或多晶硅层)上沉积用于源/漏电极的金属层。然后，使用光刻图案化包含离子杂质的非晶硅层(或多晶硅层)和金属层，因此，源/漏电极108和109形成在欧姆接触层107a和107b上。
图2示出根据另一实施例的包括薄膜晶体管的基底的示意性剖视图。
与在图1中示出的包括薄膜晶体管的基底相比，根据本实施例的在图2中示出的包括薄膜晶体管的基底可包括有源层203的导电的源/漏区203c和203b。可使用等离子体工艺使源/漏区203c和203b导电。例如，可将栅极绝缘层104和栅电极105形成为暴露有源层203的源/漏区203c和203b，然后可在形成层间绝缘层106之前使用磷基气体或硼基气体执行等离子体工艺。由于等离子体工艺，有源层203的源/漏区203c和203b可导电。由于有源层203的源/漏区203c和203b可导电，所以可防止因偏移(offset)产生的导通电流减小。与在图2中示出的基底相关的其它结构和工艺可与在图1中示出的包括薄膜晶体管的基底的其它结构和工艺相同。因此，将不重复它们的描述。
图3示出根据另一实施例的包括薄膜晶体管的基底的示意性剖视图。
与图1中示出的包括薄膜晶体管的基底相比，根据本实施例的在图3中示出的包括薄膜晶体管的基底可包括源/漏区303c和303b的接触欧姆接触层107a和107b的第一区域B和第二区域A，其中，第一区域B和第二区域A导电。可使用等离子体工艺使源区/漏区303c和303b的接触欧姆接触层107a和107b的第一区域B和第二区域A导电。例如，可形成欧姆接触层107a和107b，然后可使用磷基气体或硼基气体执行等离子体工艺。因等离子体工艺，使得源/漏区303c和303b的接触欧姆接触层107a和107b的第一区域B和第二区域A导电。由于源/漏区303c和303b的接触欧姆接触层107a和107b的第一区域B和第二区域A可导电，所以可防止因偏移产生的导通电流减小。与在图3中示出的基底相关的其它结构和工艺可与在图1中示出的包括薄膜晶体管的基底的其它结构和工艺相同。因此，将不重复它们的描述。
图4示出根据另一实施例的包括薄膜晶体管的基底的示意性剖视图。
与图1中示出的包括薄膜晶体管的基底相比，根据本实施例的在图4中示出的包括薄膜晶体管的基底可包括有源层403的导电的源/漏区403c和403b及源/漏区403c和403b的接触欧姆接触层107a和107b的第一区域B和第二区域A，其中，第一区域B和第二区域A导电。这样，有源层403的源/漏区403c和403b可导电，且源/漏区403c和403b的接触欧姆接触层107a和107b的第一区域B和第二区域A可导电。源/漏区403c和403b的接触欧姆接触层107a和107b的第一区域B和第二区域A的导电率可比源/漏区403c和403b除第一区域B和第二区域A之外的其它区域的导电率高。
在实施中，可将栅极绝缘层104和栅电极105形成为暴露有源层403的源/漏区403c和403b，然后可在形成层间绝缘层106之前使用磷基气体或硼基气体执行等离子体工艺。使用等离子体工艺可使有源层403的源/漏区403c和403b导电。在等离子体工艺之后，可形成层间绝缘层106及欧姆接触层107a和107b，然后，可使用磷基气体或硼基气体执行等离子体工艺。这样，可执行等离子体工艺两次。利用第二次等离子体工艺，源/漏区403c和403b的接触欧姆接触层107a和107b的第一区域B和第二区域A的导电率可比源/漏区403c和403b除第一区域B和第二区域A之外的其它区域的导电率高。由于有源层403的源/漏区403c和403b及源/漏区403c和403b的接触欧姆接触层107a和107b的第一区域B和第二区域A可导电，所以可防止因偏移产生的导通电流减小。与在图4中示出的基底相关的其它结构和工艺可与在图1中示出的包括薄膜晶体管的基底的其它结构和工艺相同。因此，将不重复它们的描述。
图5示出了根据另一实施例的有机发光显示装置的示意性剖视图。
参照图5，根据本实施例的有机发光显示装置可包括形成在图1中示出的包括薄膜晶体管的基底上的钝化膜110、平坦化膜111、像素电极112、中间层113和对向电极114。图5中的有机发光显示装置可包括在图1中示出的包括薄膜晶体管的基底或在图2至图4中示出的包括薄膜晶体管的任何基底。
在钝化膜110下面的结构可与图1中示出的结构相同，因此，将不重复对其进行描述。
钝化膜110(可为例如SiO2或SiOx)可形成在源/漏电极109和108上。平坦化膜111可形成在钝化膜110上，例如，平坦化膜111可由诸如压克力(acryl)、聚酰亚胺或苯并环丁烯(BCB)的有机材料形成。
像素电极112可用作有机电致发光器件的阳极并可形成在平坦化膜111上。另外，像素限定层115可覆盖像素电极112，像素限定层115可由例如有机材料形成。
预定的开口可形成在像素限定层115中。然后像素电极112可通过开口暴露，中间层113可形成在像素限定层115的开口中的像素电极112上。中间层113可包括发射层。相似地，可应用各种其它有机发光显示装置。
有机电致发光装置可根据电流的流动通过发射红、绿和蓝光显示预定的图像信息。有机电致发光装置可包括像素电极112、对向电极114和中间层113。像素电极112可连接到薄膜晶体管的漏电极108并接收正电压，对向电极114可覆盖整个像素并提供负电压，中间层113可设置在像素电极112和对向电极114之间并发射光。
像素电极112和对向电极114可通过中间层113彼此绝缘，并可施加不同极性的电压，从而在中间层113发射光。
例如，中间层113可包括低分子量有机层或聚合物有机层。如果中间层113包括低分子量有机层，则中间层113可具有包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)中的一层或多层的单层结构或多层结构。可用的有机材料的示例可包括铜酞菁(CuPc)、N，N-二(萘-1-基)-N，N’-二苯基联苯胺(NPB，N，N-di(naphthalene-1-yl)-N，N’-diphenyl-benzidine)或三-8-羟基喹啉-铝(Alq3)。例如，这些低分子量有机层通过真空沉积而形成。
如果中间层113包括聚合物有机层，则中间层113通常可具有包括HTL和EML的结构。在这种情况下，HTL可由例如聚乙烯二氧基噻吩(PEDOT)形成，EML可由例如聚苯撑乙烯(PPV)或聚芴形成。HTL和EML可通过例如丝网印刷或喷墨印刷等形成。中间层113不限于此且可进行结构上的改变。
中间层113可通过例如旋涂形成。例如，可涂覆有机材料来覆盖像素电极112和像素限定层115。然后，可旋转第一基底101。根据第一基底101的旋转可去除涂覆在像素限定层115上的有机材料，且可保留涂覆在像素电极112上的有机材料。然后，使涂覆在像素电极112上的有机材料塑化以形成中间层113。
像素电极112可用作阳极，对向电极114可用作阴极。在另一实施中，像素电极112可用作阴极，对向电极114可用作阳极。
例如，像素电极112可为透明电极或反射电极。如果像素电极112为透明电极，则像素电极112可由例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)或氧化铟(In2O3)形成。如果像素电极112为反射电极，则可通过例如使用银(Ag)、镁(Mg)、铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)或它们的混合物形成反射单元并在反射单元上使用ITO、IZO、ZnO或In2O3形成层来形成像素电极112。
另外，对向电极114可为例如透明电极或反射电极。如果对向电极114为透明电极，则对向电极114可用作阴极，并且可通过例如面向中间层113沉积具有低逸出功的材料(诸如锂(Li)、钙(Ca)、氟化锂/钙(LiF/Ca)、氟化锂/铝(LiF/Al)、铝(Al)、银(Ag)、镁(Mg)或它们的混合物)，并在沉积的金属上通过使用例如用于形成透明电极的材料(诸如ITO、IZO、ZnO或In2O3等)形成辅助电极层或汇流电极线来形成对向电极114。如果对向电极114为反射电极，则对向电极114通过例如在像素电极112的整个表面上沉积Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或它们的混合物而形成。
如上所述，在不使用离子掺杂的情况下可制造包括薄膜晶体管的基底。同样，可容易地制造大尺寸的有机发光显示装置。
这里已公开了示例实施例，虽然使用了特定的术语，但使用的这些术语将仅解释为普通的和描述性的意义，而不是出于限制的目的。因此，本领域的技术人员将理解，在不脱离由权利要求阐述的本发明的精神和范围的情况下，可对形式和细节做各种改变。

Claims (20)

1.一种包括薄膜晶体管的基底，所述基底包括：
有源层，设置在基底上，有源层包括沟道区及源区和漏区；
栅电极，设置在有源层上，沟道区与栅电极对应；
栅极绝缘层，设置在有源层和栅电极之间；
层间绝缘层，设置为覆盖有源层和栅电极，层间绝缘层具有部分地暴露有源层的第一接触孔和第二接触孔；
源电极和漏电极，设置在层间绝缘层上，源区和漏区与源电极和漏电极对应；
欧姆接触层，欧姆接触层设置在层间绝缘层与源电极和漏电极之间，并通过第一接触孔和第二接触孔接触源区和漏区。
2.如权利要求1所述的基底，其中，欧姆接触层包括包含离子杂质的非晶硅层或包含离子杂质的多晶硅层。
3.如权利要求2所述的基底，其中，离子杂质为N+或P+杂质。
4.如权利要求2所述的基底，其中，欧姆接触层为在形成非晶硅层或多晶硅层的过程中通过注入磷基气体或硼基气体形成的等离子体增强化学气相沉积层。
5.如权利要求2所述的基底，其中，源区和漏区导电。
6.如权利要求5所述的基底，其中，源区和漏区因使用磷基气体或硼基气体的等离子体工艺而导电。
7.如权利要求5所述的基底，其中，源区的接触欧姆接触层的第一区域和漏区的接触欧姆接触层的第二区域导电。
8.如权利要求7所述的基底，其中，第一区域和第二区域因在形成欧姆接触层之后使用磷基气体或硼基气体的等离子体工艺而导电。
9.如权利要求2所述的基底，其中，源区的接触欧姆接触层的第一区域和漏区的接触欧姆接触层的第二区域导电。
10.如权利要求9所述的基底，其中，第一区域和第二区域因在形成欧姆接触层之后使用磷基气体或硼基气体的等离子体工艺而导电。
11.如权利要求1所述的基底，其中，所述基底还包括缓冲层，缓冲层设置在基底和有源层之间以覆盖基底。
12.一种制造基底的方法，所述方法包括以下步骤：
在基底上形成有源层，有源层包括沟道区及源区和漏区；
在有源层上形成栅极绝缘层；
在栅极绝缘层上形成栅电极；
在基底上形成层间绝缘层以覆盖栅电极；
在层间绝缘层中形成第一接触孔和第二接触孔以部分地暴露源区和漏区；
形成通过第一接触孔和第二接触孔接触源区和漏区的欧姆接触层；
形成设置在欧姆接触层上的源电极和漏电极。
13.如权利要求12所述的方法，其中，形成欧姆接触层的步骤包括形成包含离子杂质的非晶硅层的步骤或形成包含离子杂质的多晶硅层的步骤。
14.如权利要求13所述的方法，其中，离子杂质为N+或P+杂质。
15.如权利要求13所述的方法，其中，形成欧姆接触层的步骤包括在用于形成非晶硅层或多晶硅层的等离子体增强化学气相沉积工艺过程中注入磷基气体或硼基气体。
16.如权利要求15所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
在形成栅电极之后和形成层间绝缘层之前，使用磷基气体或硼基气体对源区和漏区执行等离子体工艺以提供具有导电性的源区和漏区。
17.如权利要求16所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
在层间绝缘层上沉积欧姆接触层之后，使用磷基气体或硼基气体执行等离子体工艺以提供源区和漏区的接触欧姆接触层的具有导电性的第一区域和第二区域。
18.如权利要求15所述的方法，所述方法还包括以下步骤：
在层间绝缘层上沉积欧姆接触层之后，使用磷基气体或硼基气体执行等离子体工艺以提供接触源区和漏区的具有导电性的欧姆接触层。
19.一种有机发光显示装置，所述装置包括：
有源层，设置在基底上，有源层包括沟道区及源区和漏区；
栅电极，设置在有源层上，沟道区与栅电极对应；
栅极绝缘层，设置在有源层和栅电极之间；
层间绝缘层，设置为覆盖有源层和栅电极，层间绝缘层具有部分暴露有源层的第一接触孔和第二接触孔；
源电极和漏电极，设置在层间绝缘层上，源区和漏区与源电极和漏电极对应；
欧姆接触层，欧姆接触层设置在层间绝缘层与源电极和漏电极之间，并通过第一接触孔和第二接触孔与源区和漏区接触；
钝化膜，覆盖源电极和漏电极；
平坦化膜，设置在钝化膜上；
像素电极，设置在平坦化膜上，像素电极连接到漏电极；
像素限定层，暴露像素电极；
中间层，设置在像素电极上，中间层被构造为发光；
对向电极，覆盖中间层和像素限定层。
20.如权利要求19所述的有机发光显示装置，其中，欧姆接触层包括包含离子杂质的非晶硅层或包含离子杂质的多晶硅层。
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