CN104425549B - 有机电致发光设备及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种有机电致发光设备及其制造方法，本文公开的本发明可包括设置在基板上的薄膜晶体管；在薄膜晶体管上为每个像素形成的第一电极；形成为覆盖第一电极边缘部分的第一像素限定层；形成在像素限定层上的第二像素限定层；形成在第一电极上的有机层；和形成在有机层上的第二电极。

Description

有机电致发光设备及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种有机电致发光设备（下文称作“OLED”），更特别地，涉及一种能够在使用可溶工艺（soluble process）形成有机层期间抑制墨水扩散以增强像素的发光均匀性的有机电致发光设备及其制造方法。
背景技术
作为信息通信时代中的核心技术，已经在高性能方向上开发了用于在屏幕上实现各种信息的图像显示设备，同时允许更薄、更轻和更便携的设备。
重量和体积是CRT的缺点，作为能够降低重量和体积的平板显示设备，已经广泛使用用于控制有机层的发光量以显示图像的有机电致发光设备等。
有机发光设备（OLED）是在电极之间使用薄的发光层的自发光的发光设备，从而具有像纸一样薄的优点。
具有这种特性的有机发光设备（OLED）可主要分成有源矩阵OLED（AM-OLED）和无源矩阵OLED（PM-OLED）。此处，对于无源矩阵OLED（PM-OLED），将由三色（R、G、B）子像素构成的像素设置成矩阵形式以显示图像。
每个子像素都包括有机发光设备和用于驱动有机发光设备的单元驱动器。单元驱动器配置有用于提供扫描信号的栅极线、用于提供视频数据信号的数据线、和连接在用于提供公共电源信号的公共电源线之间的至少两个薄膜晶体管和存储电容器，以驱动有机发光设备的阳极。
有机发光设备可包括阳极、空穴注入层（HIL）、空穴传输层（HTL）、发光层、电子传输层（ETL）、电子注入层（EIL）和阴极。
特别地，经由可溶工艺形成空穴注入层（HIL）、空穴传输层（HTL）、电子传输层（ETL）和电子注入层（EIL）。
此处，经由可溶工艺形成空穴注入层（HIL）、空穴传输层（HTL）、电子传输层（ETL）和电子注入层（EIL）时，会产生诸如溶液等扩散的现象，从而引起层的厚度不均匀。
根据这种观点，下文将参考图1和2描述使用可溶工艺的根据现有技术的有机发光设备。
图1是示出根据现有技术的有机发光设备的示意性截面图。
图2是在根据现有技术的有机层的形成期间的示意性截面图。
参考图1，在基板11上提供由绝缘材料，诸如无机绝缘材料的氧化硅（SiO2）或氮化硅（SiNx）形成的缓冲层（未示出），在缓冲层（未示出）上部，在显示区（AA）内的每个像素区（P）中形成由第一区13a和第二区13b、13c构成的半导体层13，所述第一区13a形成沟道，在位于第一区13a的两个横向表面上的第二区13b、13c中掺杂高浓度杂质。
栅极绝缘层15形成在包括半导体层13的缓冲层（未示出）上，驱动区（未示出）和开关区（未示出）提供在栅极绝缘层15上，且由此形成栅极17以对应每个半导体层13的第一区13a。
而且，在栅极绝缘层15上形成连接到形成在开关区（未示出）中的栅极17并在一个方向上延伸的栅极线（未示出）。
另一方面，层间绝缘层19在栅极17和栅极线（未示出）的上部形成在显示区的整个表面上。此处，在下方的层间绝缘层19和栅极绝缘层15上提供分别暴露位于每个半导体层的第一区13a的两个横向表面上的第二区13b、13c的半导体层接触孔（未示出）。
而且，与栅极线（未示出）交叉以限定像素区（P）且由第二金属材料形成的数据线（未示出）和与数据线分开的电源线（未示出）形成在包括半导体层接触孔（未示出）的层间绝缘层19的上部。此处，可在形成有栅极线（未示出）的层，即栅极绝缘层上，形成与栅极线（未示出）分开且平行的电源线（未示出）。
此外，在层间绝缘层19上的每个驱动区（未示出）和开关区（未示出）中，由与数据线（未示出）相同的第二金属材料形成源极23a和漏极23b，所述源极23a和漏极23b与彼此分开的第二区13b、13c接触并分别经由半导体层接触孔（未示出）暴露出来。此处，顺序沉积在驱动区（未示出）上的半导体层13和栅极绝缘层15、栅极17和层间绝缘层19、以及形成为彼此分离的源极23a和漏极23b形成薄膜晶体管（T），例如驱动薄膜晶体管。
另一方面，将具有用于暴露薄膜晶体管（未示出）的漏极23b的漏极接触孔（未示出）的平坦化层25形成在薄膜晶体管和开关薄膜晶体管（未示出）上。
而且，将经由漏极接触孔（未示出）与驱动薄膜晶体管（未示出）的漏极23b接触且对于每个像素区（P）具有分离的形式的第一电极29形成在平坦化层25上。此处，第一电极29是亲水性的且由此有机材料很好地吸附至第一电极29。
此外，将无机材料形成在第一电极29上，像素限定层33用于分离地形成每个像素区（P）。此处，像素限定层33被定位在相邻像素区（Ps）之间，此外，部分像素限定层33被定位在面板边缘部分。像素限定层33是疏水性的且由此有机材料很好地仅聚集在像素中，结果，在干燥工艺之后，有机材料被很好地定位在第一电极29上。
由分别发出红、绿和蓝色光的有机材料形成的有机层35形成在由像素限定层33包围的每个像素区（P）内的第一电极29上。此处，使用诸如喷墨印刷方法的可溶工艺形成有机层35以提高图案精确度。
而且，在有机层35和像素限定层33的上部形成第二电极37。此处，第一电极29、第二电极37和夹在两个电极29、37之间的有机层35形成有机发光设备（E）。
但是，根据现有技术的有机发光设备，堤岸被配置有疏水性的像素限定层33和亲水性的第一电极，特别是，第一电极29是亲水性的，且由此有机材料很好地吸附至第一电极29，但是有机像素限定层33是疏水性的且由此有机材料很好地仅聚集在像素内，结果是，在干燥工艺之后，有机材料被很好地定位在第一电极29上。
图2是根据现有技术的有机层的形成期间的示意性截面图。
但是，如图2中所示，在有机层35的干燥工艺期间，在像素区（P）内产生有机层35的厚度（t1）变化，同时像素内的有机层35的边缘区（A）升高到（drawn up）像素限定层33的侧壁，从而引起像素边缘区中的故障。换句话说，由于喷墨工艺的特性，在喷墨印刷期间产生墨水洇色（ink bleeding），且由此发生墨水在像素限定层33的侧壁，即倾斜表面堆积的现象，从而恶化了像素内有机层的厚度均匀度。
因此，根据现有技术的有机发光设备，通过喷墨印刷方法使用可溶工艺形成有机层，且由此发生墨水在像素限定层的侧壁堆积的现象，因此所使用的墨水量增加，从而增加了有机发光设备的制造成本。
而且，根据现有技术的有机发光设备，在有机层的干燥期间，在像素区中产生有机层的厚度变化，同时像素内的有机层的边缘区升高到像素限定层的侧壁，且由此降低了有机层的厚度均匀度，从而恶化了像素的发光均匀度。
此外，在根据现有技术的有机发光设备中，在形成像素限定层期间采用干法蚀刻或湿法蚀刻工艺，结果是，在构成第一电极的ITO层的表面上发生损坏，从而降低了可溶性OLED（soluble OLED）的寿命。
发明内容
设计本发明以解决现有技术中的问题，本发明的目的是提供一种有机发光设备及其制造方法，其中采用2级像素限定层以最小化形成像素限定层期间在ITO表面上的损伤，以便增加有机发光设备（OLED）的寿命，并且在形成所述2级像素限定层期间采用剥离工艺，以减少制造工艺数目以便降低制造成本。
为了实现前述目的，一种有机发光设备可包括：设置在基板上的薄膜晶体管；在薄膜晶体管上为每个像素形成的第一电极；形成为覆盖第一电极的边缘部分的第一像素限定层；形成在像素限定层上的第二像素限定层；形成在第一电极上的有机层；和形成在有机层上的第二电极。
为了实现前述目的，一种制造有机发光设备的方法可包括：形成基板、位于基板上的半导体有源层、位于半导体有源层上的绝缘栅极、和具有分别与半导体有源层接触的源极和漏极的薄膜晶体管（TFT）；在含有薄膜晶体管的基板的整个表面上形成透明导电层；在透明导电层上形成光致抗蚀剂图案；使用光致抗蚀剂图案作为掩模，蚀刻透明导电层以形成电连接到薄膜晶体管的第一电极；实施灰化工艺以蚀刻光致抗蚀剂图案以便暴露出第一电极的上部边缘部分；在含有第一电极和光致抗蚀剂图案的基板的整个表面上形成无机材料层以在无机材料层的表面上形成裂缝（crack）；实施剥离工艺以去除光致抗蚀剂图案和形成在光致抗蚀剂图案上部的无机材料层，以便形成覆盖第一电极的边缘部分的第一像素限定层；在第一像素限定层上形成第二像素限定层；在第一电极上形成有机层；和在有机层上形成第二电极。
为了实现前述目的，一种制造有机发光设备的方法可包括：形成位于基板上的半导体有源层、位于半导体有源层上的绝缘栅极、和具有分别与半导体有源层接触的源极和漏极的薄膜晶体管；在含有薄膜晶体管的基板的整个表面上形成电连接到薄膜晶体管的漏极的第一电极；在第一电极上形成具有倒锥形的光致抗蚀剂图案；在含有光致抗蚀剂图案的基板的整个表面上形成无机材料层；实施剥离工艺以去除光致抗蚀剂图案和形成在光致抗蚀剂图案上部的无机材料层，以便形成覆盖第一电极的边缘部分的第一像素限定层；在第一像素限定层上形成第二像素限定层；在第一电极上形成有机层；和在有机层上形成第二电极。
根据本发明的有机发光设备及其制造方法，可经由剥离工艺形成第一像素限定层，由此可省略干法蚀刻或湿法蚀刻工艺以最小化第一电极的ITO表面或者下层上的损伤，从而增强像素的发光均匀性和寿命。
而且，根据本发明的有机发光设备及其制造方法，可经由剥离工艺形成第一像素限定层，由此可省略干法蚀刻或湿法蚀刻工艺以减少制造工艺数目，从而降低制造成本。
此外，根据本发明的有机发光设备及其制造方法，在通过可溶工艺形成的有机层的干燥工艺期间，通过下方的像素限定层可减轻像素内有机层的边缘区升高到上方像素限定层侧壁的现象，以保持像素区（P）内有机层的厚度（t2）均匀性，从而增强像素的发光均匀性。
附图说明
给本发明提供进一步理解并组成说明书一部分的附图图解了本发明的实施方式，并与说明书一起用于说明本发明的原理。
在附图中：
图1是示出根据现有技术的有机发光设备的示意性截面图；
图2是示出根据现有技术的有机发光设备的示意性截面图，示出了在形成有机层期间，像素内的有机层的边缘区升高到像素限定层侧壁的状态的示意性放大图；
图3是示出根据本发明的有机发光设备的示意性截面图；
图4是示出根据现有技术的有机发光设备的示意性截面图，示出了在形成有机层期间，减轻了像素内的有机层的边缘区升高到像素限定层侧壁的形状的状态的示意性放大图；
图5A至5O是示出根据本发明第一实施例的制造有机电致发光设备的方法的制造工艺截面图；
图6A至6O是示出根据本发明第二实施例的制造有机电致发光设备的方法的制造工艺截面图；和
图7A至7O是示出根据本发明第三实施例的制造有机电致发光设备的方法的制造工艺截面图。
具体实施方式
下文，将具体描述根据本发明优选实施例的有机发光设备。
通过下文具体描述将清楚理解本发明的结构及其工作效果。在本发明的具体描述之前，应当注意，即使在其他附图中示出，相同参考数字也表示相同构成元件，当判断本发明涉及到的公众公知的结构会模糊本发明的本质时，将省略其具体描述。
根据本发明的有机发光设备根据发光的传输方向分为顶发光型和底发光型，根据本发明，下文将描述顶发光型作为实例。
以下，将参考图3和4具体描述根据本发明优选实施例的有机发光设备。
图3是示出根据本发明的有机发光设备的示意性截面图。
如图3中所示，在具有玻璃或塑料材料的基板101上形成缓冲层（未示出），在缓冲层上形成薄膜晶体管（TFT）和有机发光设备（E）。
在基板101上形成缓冲层（未示出），在缓冲层上提供由半导体材料形成的有源层103。此处，可选择形成在基板101上的有源层103由无机或有机半导体形成，在源极区103b和漏极区103c中掺杂n型或p型杂质，其中提供用于在源极区103b和漏极区103c之间进行连接的沟道区103a。
形成有源层103的无机半导体可包括CdS、GaS、ZnS、CdSe、ZnSe、CdTe、SiC和Si。而且，形成有源层103的有机半导体可包括聚噻吩及其衍生物、聚对苯乙炔（polyparaphenylene vinylene）及其衍生物、聚对苯撑（polyparaphenylene）及其衍生物、聚烷基芴（polyfluorene）及其衍生物、聚噻吩乙炔（polythiophene vinylene）及其衍生物、聚噻吩杂环芳香基共聚物及其衍生物作为高分子物质；并且可包括并五苯，并四苯（tetracene），萘的并苯及其衍生物、α-6-噻吩，α-5-噻吩的低聚噻吩及其衍生物、含有或者不含有金属的酞青及其衍生物、均苯四甲酸二酐剔（pyromellitic dianhydride tick）或均苯四甲酸二酰亚胺及其衍生物、苝四羧酸二酐或者苝四甲酰亚胺（perylenetetracarboxylic diimide）及其衍生物作为小分子物质。
形成栅极绝缘层105以覆盖有源层103，在栅极绝缘层105上部形成栅极107。此处，栅极107连接到施加薄膜晶体管（T）的开启/关闭信号的栅极线（未示出）。此处，栅极107可由导电金属层，例如MoW、Al、Cr、Al/Cu等形成，但是不必限于这些材料，可使用各种导电材料，例如导电聚合物等用于栅极107。形成栅极107以覆盖与有源层103的沟道区103a对应的区域。
而且，将层间绝缘层109形成在基板整个表面上以覆盖栅极107，在层间绝缘层109上形成源极111a和漏极111b。此处，经由形成在栅极绝缘层105和层间绝缘层109上的接触孔（未示出），源极111a和漏极111b与有源层103的源极区103b和漏极区103c接触。
而且，由SiO2、SiNx等制成的钝化层115形成在源极111a和漏极111b的上部。此处，钝化层115可起到保护薄膜晶体管（T）的保护层的作用，并且可起到平坦化其上方表面的平坦化层的作用。
在另一方面，预定开口部分（未示出）形成在钝化层105上，之后形成作为有机发光设备（E）阳极的第一电极119a。此处，第一电极119a执行阳极功能，稍后将描述的第二电极131执行阴极功能，但是可允许第一电极119a和第二电极131具有彼此相反的极性。
第一电极119a可被提供有透明电极和反射电极，且由此当用作透明电极时第一电极可被提供有ITO、IZO、ZnO或In2O3，当用作反射电极时，反射层可由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及其化合物形成，之后在反射层上形成ITO、IZO、ZnO或In2O3。
形成由亲水性无机材料制成的第一像素限定层125a以覆盖第一电极119a的边缘部分，在第一像素限定层125a的上部形成由疏水性有机材料制成的第二像素限定层127a。此处，第二像素限定层127a具有小于第一像素限定层125a的宽度，但是不形成在第一像素限定层125a的上部边缘部分。
第一和第二像素限定层125a、127a表示图案化的绝缘层，在制造有机发光设备中起到更精确地限定发光区的作用。通常用由有机材料制成的单层形成现有技术的有机发光设备中的像素限定层，现有技术中通常使用沉积方法以在像素限定层上形成有机层，但是根据本发明，使用诸如喷墨、管嘴印刷等印刷技术以减少掩模工艺和增加图案精确度。
在使用这种印刷技术的有机层图案化工艺期间，将可溶材料或者聚合物基液体物质注入到由像素限定层形成的堤岸之间，并将其干燥以形成有机层。
此处，电子传输层（ETL）是用于连接发光材料和第一电极119a之间的电流的导电材料，用作最初印刷在第一电极119a上的材料，且通常使用诸如PEDOT等材料。
该物质是具有诸如水的特性的材料，而印刷方面可根据像素限定层的材料特性而改变。例如，当像素限定层是亲水性物质时，有机材料广泛地扩散开以便很好地吸附到像素限定层，而当像素限定层是疏水性物质时，有机材料凝结成圆形而不吸附到像素限定层。
根据本发明，堤岸配置有由诸如亲水性ITO等透明导电材料制成的第一电极119a、由亲水性无机材料制成的第一像素限定层125a、和由疏水性有机材料制成的第二像素限定层127a。换句话说，第一像素限定层125a和第一电极119a是亲水性的以便很好地吸附有机材料，第二像素限定层127a是疏水性的以便有机材料很好地仅聚集在像素内，由此在干燥工艺之后，有机材料很好地定位在第一电极119a上。
因此，使用印刷技术占据有机层图案化工艺故障最大比例的一项是边缘故障，当形成具有现有单一结构的像素限定层时，在有机层的干燥期间，像素内的有机层边缘区升高（drawn up），同时在有机层内产生厚度变化，从而引起像素边缘区中的故障。
但是，根据本发明，形成由无机层制成的第一像素限定层125a和由有机层制成的第二像素限定层127a以防止现有的像素边缘区中的故障，所述第一像素限定层125a形成在第一电极119a之间，所述第二像素限定层127a形成在第一像素限定层125a的除了上部边缘部分之外的上表面上。
图4是示出根据现有技术的有机发光设备的示意性截面图，示出了在形成有机层期间，减轻了像素内的有机层的边缘区升高到像素限定层侧壁的形状的状态的示意性放大图。
如图4中所示，当在第一电极119a上形成有机层129时，第一像素限定层125a和第一电极119a是亲水性的且由此可以很好地吸附有机材料，但是第二有机像素限定层127a是疏水性的且由此有机材料可以很好地仅聚集在像素内，因此在干燥工艺之后有机材料可以很好地定位在第一电极119a上，结果是，在有机层干燥工艺期间，可以通过下方的第一像素限定层125a减轻像素内的有机层的边缘区升高到第二像素限定层127a侧壁的现象，以保持像素区（P）内有机层的厚度（t2）均匀性从而增强像素的发光均匀性。
另一方面，在第一像素限定层125a上形成预定开口，即像素区（P），在由第一像素限定层125a形成的开口下部的第一电极119a上形成有机层129。此处，有机层129可包括发光层（未示出）。此处，本发明不必限于这种结构，实际上可应用有机发光设备的各种结构。
可将低或高分子有机层用于有机层129，当使用低分子有机层时，可由单个或复合结构沉积和形成空穴注入层（HIL）、空穴传输层（HTL）、发光层（EML）、电子传输层（ETL）和电子注入层（EIL）等，并且可应用多种材料，包括铜酞青(CuPc:)、N,N’-二(萘-1-y1)-N,N’-二苯基1-联苯胺(NPB)、三-8-羟基喹啉铝(Alq3)等。可使用真空沉积方法形成低分子有机层。
在高分子有机层的情况下，有机层通常是具有空穴传输层（HTL）和发光层（EML）的结构，其中PEDOT用于空穴传输层，聚-聚-苯乙炔(poly-poly-phenylenevinylene，PPV)基或聚芴基高分子有机材料用于发光层，且可通过丝网印刷、喷墨印刷等形成有机层。
这种有机层不必限于此，当然也可应用于各实施例。
另一方面，第二电极131被提供有透明电极或反射电极，当用作透明电极时，第二电极131可用作阴极，且由此可在有机层129的方向上沉积低功函数的金属，诸如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg及其化合物，之后在其上由诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3等透明电极形成材料形成辅助电极层或总线电极线。而且，当用作反射电极时，可在整个表面上沉积和形成Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg及其化合物。
有机发光设备（E）根据电流发出红、绿和蓝光以显示预定图像信息，所述有机发光设备被提供有连接至薄膜晶体管的漏极111b以自其提供正电源的第一电极119a、覆盖整个像素以自其提供负电源的第二电极131、和设置在第一电极119a和第二电极131之间用以发光的有机层129。
第一电极119a和第二电极131经由有机层129彼此绝缘，将具有不同极性的电压施加至有机层129，从而发光。
如上所述，根据本发明的有机发光设备，可使用叠层结构采用亲水性的第一像素限定层和疏水性的第二像素限定层，在通过可溶工艺形成的有机层的干燥工艺期间，通过下方的像素限定层可减轻像素内有机层的边缘区升高到上方像素限定层侧壁的现象，以保持像素区（P）内有机层的厚度（t2）均匀性，从而增强像素的发光均匀性。
另一方面，下文将参考图5A至5O描述根据本公开第一实施例的制造有机发光设备的方法。
图5A至5O是示出根据本发明第一实施例的制造有机电致发光设备的方法的制造工艺截面图。
参考图5A，首先，将缓冲层（未示出）形成在基板101上，随后在缓冲层（未示出）上提供由半导体材料形成的有源层103。此处，可选择在基板101上形成的有源层103由无机或有机半导体形成，在源极区103b和漏极区103c中掺杂n型或p型杂质，其中提供用于在源极区103b和漏极区103c之间进行连接的沟道区103a。
形成有源层103的无机半导体可包括CdS、GaS、ZnS、CdSe、ZnSe、CdTe、SiC和Si。而且，形成有源层103的有机半导体可包括聚噻吩及其衍生物、聚对苯乙炔（polyparaphenylene vinylene）及其衍生物、聚对苯撑（polyparaphenylene）及其衍生物、聚烷基芴（polyfluorene）及其衍生物、聚噻吩乙炔（polythiophene vinylene）及其衍生物、聚噻吩杂环芳香基共聚物及其衍生物作为高分子物质；并且可包括并五苯，并四苯（tetracene），萘的并苯及其衍生物、α-6-噻吩，α-5-噻吩的低聚噻吩及其衍生物、含有或者不含有金属的酞青及其衍生物、均苯四甲酸二酐剔（pyromellitic dianhydride tick）或均苯四甲酸二酰亚胺及其衍生物、苝四羧酸二酐或者苝四甲酰亚胺（perylenetetracarboxylic diimide）及其衍生物作为小分子物质。
接下来，可形成栅极绝缘层105以覆盖含有有源层103的基板的整个表面上的有源层103。
随后，在栅极绝缘层105上部形成栅极107。此处，栅极107连接到施加薄膜晶体管（T）的开启/关闭信号的栅极线（未示出）。此处，栅极107可由导电金属层，诸如MoW、Al、Cr、Al/Cu等形成，但是可不限于此，诸如导电聚合物等各种导电材料可用于栅极107。形成栅极107以覆盖与有源层103的沟道区103a对应的区域。
接下来，形成层间绝缘层109以覆盖含有栅极107的基板整个表面上的栅极107。
随后，在下方的层间绝缘层109和栅极绝缘层105上形成用于暴露有源层103的源极区103b和漏极区103c的接触孔（未示出）。
接下来，在层间绝缘层109上形成分别经由栅极绝缘层105和层间绝缘层109上形成的接触孔（未示出）与有源层103的源极区103b和漏极区103c接触的源极111a和漏极111b。此处，与栅极107相似地，源极111a和漏极111b可由导电金属层，诸如MoW、Al、Cr、Al/Cu等形成，但是不必限于此，可使用诸如导电聚合物等各种导电材料用于源极111a和漏极111b。源极111a和漏极111b形成为通过有源层103的沟道区103a彼此分离。
随后，参考图5B，在源极111a和漏极111b的上部形成由SiO2、SiNx等制成的钝化层115。此处，钝化层115可起到保护薄膜晶体管（T）的保护层的作用，和起到平坦化其上方表面的平坦化层的作用。
接下来，经由掩模工艺形成暴露钝化层115上的漏极111b的漏极接触孔117。
随后，参考图5C和5D，在钝化层115上部形成成为有机发光设备（E）的阳极的第一电极形成导电材料层119。此处，导电材料层119可被提供有透明电极和反射电极，且由此当用作透明电极时，导电材料层119被提供有ITO、IZO、ZnO或In2O3，当用作反射电极时，可由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物形成反射层，之后在反射层上形成ITO、IZO、ZnO或In2O3。
接下来，参考图5E，将光敏层121涂覆在导电材料层119上，之后使用掩模经由曝光和显影工艺图案化光敏层121以形成光致抗蚀剂图案121a。
随后，参考图5F，使用光致抗蚀剂图案121a作为蚀刻掩模，选择性蚀刻导电材料层119以形成电连接至漏极111b的第一电极119a。这里，第一电极119a执行阳极的功能，稍后将描述的第二电极131执行阴极的功能，但是允许第一电极119a和第二电极131具有彼此相反的极性。
接下来，参考图5G和5H，经由灰化工艺选择性蚀刻剩余的光致抗蚀剂图案121a直到暴露出第一电极119a的上部边缘部分，从而以预定宽度（W1）暴露出第一电极119a的上部边缘部分。
随后，参考图5I，在含有光致抗蚀剂图案121a的基板整个表面上，在例如约220和300度之间的高温下形成无机材料层125。此处，无机材料层125可由选自SiO2、SiNx、Al2O3、CuOx、Tb4O7、Y2O3、Nb2O5、Pr2O3等具有绝缘特性的无机材料形成。而且，可使用溅射方法、化学气相沉积（CVD）方法、沉积方法等形成无机材料层125。无机材料层125可包括位于含有第一电极119a上部边缘部分的相邻第一电极119a之间的剩余图案部分125a（即，在之后工艺中的第一像素限定层）和形成在光致抗蚀剂图案121a表面上的牺牲图案部分125b。
之后，如图5J中所示，由于在约220和300度之间的高温下形成无机材料层125，因此增加了光致抗蚀剂图案121a的体积，结果是，在形成于光致抗蚀剂图案121a表面上的无机材料层125的牺牲图案部分125b表面上产生裂缝（C），由于裂缝（C）导致光致抗蚀剂图案121a的表面暴露到外部，从而促进之后工艺期间用于去除光致抗蚀剂的剥离液的渗透。
接下来，参考图5J和5K，去除光致抗蚀剂图案121a，同时去除形成在光致抗蚀剂图案121a表面上的无机材料层125的牺牲图案部分125b，结果是，在含有第一电极119a上部边缘部分的相邻第一电极119a之间形成第一像素限定层125a。此处，第一像素限定层125a由亲水性无机材料制成。
随后，参考图5L，将有机材料层127形成在含有第一像素限定层125a的基板的整个表面上。此处，作为具有绝缘特性的疏水性有机物质，有机材料层127由选自聚丙烯、聚酰亚胺、聚酰胺(PA)、苯并环丁烯(BCB)和酚醛树脂构成的组的一种材料形成。可使用诸如旋涂、挤压涂布等涂覆方法形成有机材料层127。
接下来，参考图5M，使用掩模经由曝光和显影工艺选择性图案化有机材料层127，以在第一像素限定层125a上形成由疏水性有机材料制成的第二像素限定层127a。此处，第二像素限定层127a具有小于第一像素限定层125a的宽度，但是形成在第一像素限定层125a的除了上部边缘部分之外的上表面上。第一和第二像素限定层125a、127a表示图案化的绝缘层，起到在制造有机发光设备时更精确地限定发光区的作用。而且，可使用诸如喷墨等方法形成第二像素限定层127a。
随后，参考图5N，可溶材料或者聚合物基液体物质被注入到由第一和第二像素限定层125a、127a形成的堤岸之间，即注入到第一电极119a上，并将其干燥以形成有机层129。此处，可使用诸如喷墨、管嘴印刷等印刷技术形成有机层129以减少掩模工艺并提高图案精确度。
此处，有机层129可包括发光层（未示出）。此处，本发明不必限于这种结构，且实际上可应用有机发光设备的各种结构。
低分子或高分子有机层可用于有机层129，当使用低分子有机层时，可由单个或复合结构沉积和形成空穴注入层（HIL）、空穴传输层（HTL）、发光层（EML）、电子传输层（ETL）和电子注入层（EIL）等，并且可应用多种材料，包括铜酞青(CuPc:)、N,N’-二(萘-1-y1)-N,N’-二苯基1-联苯胺(NPB)、三-8-羟基喹啉铝(Alq3)等。可使用真空沉积方法形成低分子有机层。
在高分子有机层的情况下，有机层通常是具有空穴传输层（HTL）和发光层（EML）的结构，其中PEDOT用于空穴传输层，聚-聚-苯乙炔(poly-poly-phenylenevinylene，PPV)基或聚芴基高分子有机材料用于发光层，且可通过丝网印刷、喷墨印刷等形成有机层。
这种有机层不必限于此，当然可应用于各种实施例。
另一方面，电子传输层（ETL）是用于连接发光材料和第一电极119a之间的电流的导电材料，用作最初印刷在第一电极119a上的材料，且通常使用诸如PEDOT等的材料。该物质是具有诸如水的特性的材料，而印刷方面可根据像素限定层的材料特性而改变。例如，当像素限定层是亲水性物质时，有机材料广泛地扩散开以便很好地吸附到像素限定层，而当像素限定层是疏水性物质时，有机材料凝结成圆形而不吸附到像素限定层。
根据本发明，堤岸配置有由诸如亲水性ITO等透明导电材料制成的第一电极119a、由亲水性无机材料制成的第一像素限定层125a、和由疏水性有机材料制成的第二像素限定层127a。换句话说，第一像素限定层125a和第一电极119a是亲水性的以便很好地吸附有机材料，第二像素限定层127a是疏水性的以便有机材料很好地仅聚集在像素内，由此在干燥工艺之后，有机材料很好地定位在第一电极119a上。
因此，使用印刷技术占据有机层图案化工艺故障最大比例的一项是边缘故障，当形成具有现有单一结构的像素限定层时，在有机层的干燥期间，像素内的有机层边缘区升高，同时在有机层内产生厚度变化，从而引起像素边缘区中的故障。
但是，根据本发明，形成由无机层制成的第一像素限定层125a和由有机层制成的第二像素限定层127a以防止现有的像素边缘区中的故障，所述第一像素限定层125a形成在第一电极119a之间，所述第二像素限定层127a形成在第一像素限定层125a的除了上部边缘部分之外的上表面上。
因此，当在第一电极119a上形成有机层129时，第一像素限定层125a和第一电极119a是亲水性的且由此可以很好地吸附有机材料，但是第二有机像素限定层127a是疏水性的且由此有机材料可以很好地仅聚集在像素内，因此在干燥工艺之后有机材料可以很好地定位在第一电极119a上，结果是，在有机层干燥工艺期间，可以通过下方的第一像素限定层125a减轻像素内的有机层的边缘区升高到第二像素限定层127a侧壁的现象，以保持像素区（P）内有机层的厚度（t2）均匀性从而增强像素的发光均匀性。
接下来，参考图5O，将第二电极131形成在含有有机层129的基板的整个表面上。此处，第二电极131可被提供有透明电极或反射电极，当用作透明电极时，第二电极131可用作阴极，且由此可在有机层129的方向上沉积具有低功函数的金属，诸如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg及其化合物，之后在其上用诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3等透明电极形成材料形成辅助电极层或总线电极线。而且，当用作反射电极时，可在整个表面上沉积和形成Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg及其化合物。
因此，有机发光设备（E）根据电流发出红、绿和蓝光以显示预定图像信息，所述有机发光设备被提供有连接至薄膜晶体管的漏极111b以自其提供正电源的第一电极119a、覆盖整个像素以自其提供负电源的第二电极131、和设置在第一电极119a和第二电极131之间用以发光的有机层129。
第一电极119a和第二电极131经由有机层129彼此绝缘，将具有不同极性的电压施加至有机层129，从而发光。
如上所述，完成了根据本发明第一实施例的制造有机发光设备的方法的工艺。
根据本发明第一实施例的制造有机发光设备的方法，经由剥离工艺形成第一像素限定层，由此可省略干法蚀刻或湿法蚀刻工艺以最小化在第一电极的ITO表面或者下层上的损伤，从而增强像素的发光均匀性和寿命。
而且，根据本发明第一实施例的制造有机发光设备的方法，通过剥离工艺形成第一像素限定层，由此省略干法蚀刻或湿法蚀刻工艺以减少制造工艺数目，从而降低制造成本。
此外，根据本发明第一实施例的制造有机发光设备的方法，在通过可溶工艺形成的有机层的干燥工艺期间，通过下方的像素限定层可减轻像素内有机层的边缘区升高到上方像素限定层侧壁的现象，以保持像素区（P）内有机层的厚度（t2）均匀性，从而增强像素的发光均匀性。
另一方面，下文将参考图6A至6O描述根据本公开第二实施例的制造有机发光设备的方法。
图6A至6O是示出根据本发明第二实施例的有机电致发光设备的制造方法的制造工艺截面图。
参考图6A，首先，在基板201上形成缓冲层（未示出），之后在缓冲层（未示出）上提供由半导体材料形成的有源层203。此处，可选择在基板201上形成的有源层203由无机或有机半导体形成，在源极区203b和漏极区203c中掺杂n型或p型杂质，其中提供用于在源极区203b和漏极203c之间进行连接的沟道区203a。
形成有源层203的无机半导体可包括CdS、GaS、ZnS、CdSe、ZnSe、CdTe、SiC和Si。而且，形成有源层203的有机半导体可包括聚噻吩及其衍生物、聚对苯乙炔及其衍生物、聚对苯撑及其衍生物、聚烷基芴（polyfluorene）及其衍生物、聚噻吩乙炔及其衍生物、聚噻吩杂环芳香基共聚物及其衍生物作为高分子物质；并且可包括并五苯，并四苯，萘的并苯及其衍生物、α-6-噻吩，α-5-噻吩的低聚噻吩及其衍生物、含有或者不含有金属的酞青及其衍生物、均苯四甲酸二酐剔或均苯四甲酸二酰亚胺及其衍生物、苝四羧酸二酐或者苝四甲酰亚胺及其衍生物作为小分子物质。
接下来，形成栅极绝缘层205以覆盖含有有源层203的基板整个表面上的有源层203。
随后，在栅极绝缘层205上部形成栅极207。此处，栅极207连接至施加薄膜晶体管（T）的开启/关闭信号的栅极线（未示出）。此处，栅极207可由导电金属层，诸如MoW、Al、Cr、Al/Cu等形成，但是不必限于此，诸如导电聚合物等各种导电材料可用于栅极207。形成栅极207以覆盖与有源层203的沟道区203a对应的区域。
接下来，形成层间绝缘层209以覆盖含有栅极207的基板整个表面上的栅极207。
随后，在层间绝缘层209和其下方的栅极绝缘层205上形成用于暴露有源层203的源极区203b和漏极区203c的接触孔（未示出）。
接下来，在层间绝缘层209上形成分别经由形成在栅极绝缘层205和层间绝缘层209上的接触孔（未示出）与有源层203的源极区203b和漏极区203c接触的源极211a和漏极211b。此处，与栅极207相似地，源极211a和漏极211b可由导电金属层，诸如MoW、Al、Cr、Al/Cu等形成，但是不必限于此，诸如导电聚合物等各种导电材料可用于源极211a和漏极211b。源极211a和漏极211b形成为通过有源层203的沟道区203a彼此分离。
随后，参考图6B，在源极211a和漏极211b的上部形成由SiO2、SiNx等制成的钝化层215。此处，钝化层215可起到保护薄膜晶体管（T）的保护层的作用，起到平坦化其上方表面的平坦化层的作用。
接下来，经由掩模工艺形成用于暴露钝化层215上的漏极211b的漏极接触孔217。
随后，参考图6C和6D，在钝化层215上部形成成为有机发光设备（E）阳极的第一电极形成导电材料层219。此处，导电材料层219可被提供有透明电极和反射电极，且由此当用作透明电极时，导电材料层219被提供有ITO、IZO、ZnO或In2O3，当用作反射电极时，可由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr或其化合物形成反射层，之后在反射层上形成ITO、IZO、ZnO或In2O3。
接下来，将光敏层221涂覆在导电材料层219上，之后执行使用衍射掩模223而具有衍射现象的曝光工艺。此处，衍射掩模223可包括用于阻挡光的光阻挡部分223a、用于传输部分光的半透光部分223b、和用于传输全部光的透光部分223c。而且，除了衍射掩模223之外，也可使用采用了光的衍射或透射差的半色调掩模或者其他掩模。
随后，参考图6E，实施曝光工艺之后，通过显影工艺去除光敏层221的光照射部分以形成具有不同的第一厚度的第一光致抗蚀剂图案221a和具有小于第一厚度的厚度的第二光致抗蚀剂图案221b。
随后，参考图6F，使用第一和第二光致抗蚀剂图案221a、221b作为蚀刻掩模，选择性蚀刻导电材料层219以形成电连接至漏极211b的第一电极219a。这里，第一电极219a执行阳极的功能，稍后将描述的第二电极231执行阴极的功能，但是允许第一电极219a和第二电极231具有彼此相反的极性。
接下来，参考图6G和6H，经由灰化工艺选择性蚀刻第二光致抗蚀剂图案221b，直到暴露出剩余的第一和第二光致抗蚀剂图案221a、221b的第一电极219a的上部边缘部分，从而以预定宽度（未示出）暴露出第一电极219a的上部边缘部分。
接下来，参考图6I，在含有光致抗蚀剂图案221a的基板整个表面上，在例如约220和300度之间的高温下形成无机材料层225。此处，无机材料层225可由选自SiO2、SiNx、Al2O3、CuOx、Tb4O7、Y2O3、Nb2O5、Pr2O3等具有绝缘特性的无机材料形成。而且，可使用溅射方法、化学气相沉积（CVD）方法、沉积方法等形成无机材料层225。无机材料层225可包括位于含有第一电极219a上部边缘部分的相邻第一电极219a之间的剩余图案部分225a（即，在之后工艺中的第一像素限定层）和形成在光致抗蚀剂图案221a表面上的牺牲图案部分225b。
之后，由于在约220和300度之间的高温下形成无机材料层225，因此增加了光致抗蚀剂图案221a的体积，结果是，在形成于第一光致抗蚀剂图案221a表面上的无机材料层225的牺牲图案部分225b的表面上产生裂缝（C），由于裂缝导致第一光致抗蚀剂图案221a的表面暴露到外部，从而促进之后工艺期间用于去除光致抗蚀剂的剥离液的渗透。
随后，参考图6J和6K，去除第一光致抗蚀剂图案221a，同时去除形成在第一光致抗蚀剂图案221a表面上的无机材料层225的牺牲图案部分225b，结果是，在含有第一电极219a的上部边缘部分的相邻第一电极219a之间形成第一像素限定层225a。此处，第一像素限定层225a由亲水性无机材料制成。
随后，参考图6L，将有机材料层227形成在含有第一像素限定层225a的基板整个表面上。此处，作为具有绝缘特性的疏水性有机物质，有机材料层227可由选自聚丙烯、聚酰亚胺、聚酰胺(PA)、苯并环丁烯(BCB)和酚醛树脂构成的组的一种材料形成。可使用诸如旋涂、挤压涂布等涂覆方法形成有机材料层227。
接下来，参考图6M，使用掩模经由曝光和显影工艺选择性图案化有机材料层227，以在第一像素限定层225a上形成由疏水性有机材料制成的第二像素限定层227a。此处，第二像素限定层227a具有小于第一像素限定层225a的宽度，但是形成在第一像素限定层225a的除了上部边缘部分之外的上表面上。第一和第二像素限定层225a、227a表示图案化的绝缘层，起到在制造有机发光设备中更精确地限定发光区的作用。而且，可使用诸如喷墨等方法形成第二像素限定层227a。
随后，参考图6N，可溶材料或者聚合物基液体物质被注入到第一和第二像素限定层225a、227a所形成的堤岸之间，即注入到第一电极219a上，并将其干燥以形成有机层229。此处，可使用诸如喷墨、管嘴印刷等印刷技术形成有机层229以减少掩模工艺并提高图案精确度。
此处，有机层229可包括发光层（未示出）。此处，本发明不必限于这种结构，且实际上可应用有机发光设备的各种结构。
低分子或高分子有机层可用于有机层229，当使用低分子有机层时，可由单个或复合结构沉积和形成空穴注入层（HIL）、空穴传输层（HTL）、发光层（EML）、电子传输层（ETL）和电子注入层（EIL）等，并且可应用多种材料，包括铜酞青(CuPc:)、N,N’-二(萘-1-y1)-N,N’-二苯基1-联苯胺(NPB)、三-8-羟基喹啉铝(Alq3)等。可使用真空沉积方法形成低分子有机层。
在高分子有机层的情况下，有机层通常是具有空穴传输层（HTL）和发光层（EML）的结构，其中PEDOT用于空穴传输层，聚-聚-苯乙炔(PPV)基或聚芴基高分子有机材料用于发光层，且可通过丝网印刷、喷墨印刷等形成有机层。
这种有机层不必限于此，当然可应用于各种实施例。
另一方面，电子传输层（ETL）是用于连接发光材料和第一电极219a之间的电流的导电材料，用作最初印刷在第一电极219a上的材料，且通常使用诸如PEDOT等的材料。该物质是具有诸如水的特性的材料，而印刷方面可根据像素限定层的材料特性而改变。例如，当像素限定层是亲水性物质时，有机材料广泛地扩散开以便很好地吸附到像素限定层，而当像素限定层是疏水性物质时，有机材料凝结成圆形而不吸附到像素限定层。
根据本发明，堤岸配置有由诸如亲水性ITO等透明导电材料制成的第一电极219a、由亲水性无机材料制成的第一像素限定层225a和由疏水性有机材料制成的第二像素限定层227a。换句话说，第一像素限定层225a和第一电极219a是亲水性的以便很好地吸附有机材料，第二像素限定层227a是疏水性的以便有机材料很好地仅聚集在像素内，且由此在干燥工艺之后，有机材料被很好地定位在第一电极219a上。
因此，使用印刷技术占据有机层图案化工艺故障最大比例的一项是边缘故障，当形成具有现有单一结构的像素限定层时，在有机层的干燥期间，像素内的有机层边缘区升高，同时在有机层内产生厚度变化，从而引起像素边缘区中的故障。
但是，根据本发明，形成由无机层制成的第一像素限定层225a和由有机层制成的第二像素限定层227a以防止现有的像素边缘区中的故障，所述第一像素限定层225a形成在第一电极219a之间，所述第二像素限定层227a形成在第一像素限定层225a的除了上部边缘部分之外的上表面上。
因此，当在第一电极219a上形成有机层229时，第一像素限定层225a和第一电极219a是亲水性的且由此可以很好地吸附有机材料，但是第二有机像素限定层227a是疏水性的且由此有机材料可以很好地仅聚集在像素内，因此在干燥工艺之后有机材料被很好地定位在第一电极219a上，结果是，在有机层干燥工艺期间，可以通过下方的第一像素限定层225a减轻像素内的有机层的边缘区升高到第二像素限定层227a侧壁的现象，以保持像素区（P）内有机层的厚度（t2）均匀性，从而增强像素的发光均匀性。
接下来，参考图6O，将第二电极231形成在含有有机层229的基板整个表面上。此处，第二电极231可被提供有透明电极或反射电极，当用作透明电极时，第二电极231可用作阴极，且由此可在有机层229的方向上沉积具有低功函数的金属，诸如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg及其化合物，之后在其上可用诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3等透明电极形成材料形成辅助电极层或总线电极线。而且，当用作反射电极时，可在整个表面上沉积和形成Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg及其化合物。
因此，有机发光设备（E）根据电流发出红、绿和蓝光以显示预定图像信息，所述有机发光设备被提供有连接至薄膜晶体管的漏极211b以自其提供正电源的第一电极219a、覆盖整个像素以自其提供负电源的第二电极231、和设置在第一电极219a和第二电极231之间用以发光的有机层229。
第一电极219a和第二电极231经由有机层229彼此绝缘，将具有不同极性的电压施加至有机层229，从而发光。
如上所述，完成了根据本发明第二实施例的制造有机发光设备的方法的工艺。
与前文的第一实施例相似，根据本发明第二实施例的制造有机发光设备的方法，经由剥离工艺形成第一像素限定层，由此可省略干法蚀刻或湿法蚀刻工艺以最小化在第一电极的ITO表面或者下层上的损伤，从而增强像素的发光均匀性和寿命。
而且，根据本发明第二实施例的制造有机发光设备的方法，可通过剥离工艺形成第一像素限定层，由此省略干法蚀刻或湿法蚀刻工艺以减少制造工艺数目，从而降低制造成本。
此外，根据本发明第二实施例的制造有机发光设备的方法，在通过可溶工艺形成的有机层的干燥工艺期间，通过下方的像素限定层可减轻像素内有机层的边缘区升高到上方像素限定层侧壁的现象，以保持像素区（P）内有机层的厚度（t2）均匀性，从而增强像素的发光均匀性。
另一方面，下文将参考图7A至7O描述根据本公开第三实施例的制造有机发光设备的方法。
图7A至7O是示出根据本发明第三实施例的有机电致发光设备的制造方法的制造工艺截面图。
参考图7A，首先，在基板301上形成缓冲层（未示出），之后在缓冲层（未示出）上提供用半导体材料形成的有源层303。此处，可选择在基板301上形成的有源层303由无机或有机半导体形成，在源极区303b和漏极区303c中掺杂n型或p型杂质，其中提供用于在源极区303b和漏极303c之间进行连接的沟道区303a。
形成有源层303的无机半导体可包括CdS、GaS、ZnS、CdSe、ZnSe、CdTe、SiC和Si。而且，形成有源层303的有机半导体可包括聚噻吩及其衍生物、聚对苯乙炔及其衍生物、聚对苯撑及其衍生物、聚烷基芴（polyfluorene）及其衍生物、聚噻吩乙炔及其衍生物、聚噻吩杂环芳香基共聚物及其衍生物作为高分子物质；并且可包括并五苯，并四苯，萘的并苯及其衍生物、α-6-噻吩，α-5-噻吩的低聚噻吩及其衍生物、含有或者不含有金属的酞青及其衍生物、均苯四甲酸二酐剔或均苯四甲酸二酰亚胺及其衍生物、苝四羧酸二酐或者苝四甲酰亚胺及其衍生物作为小分子物质。
接下来，形成栅极绝缘层305以覆盖含有有源层303的基板整个表面上的有源层303。
随后，在栅极绝缘层305上部形成栅极307。此处，栅极307连接至施加薄膜晶体管（T）的开启/关闭信号的栅极线（未示出）。此处，栅极307可由导电金属层，诸如MoW、Al、Cr、Al/Cu等形成，但是不必限于此，诸如导电聚合物等各种导电材料可用于栅极307。形成栅极307以覆盖与有源层303的沟道区303a对应的区域。
接下来，形成层间绝缘层309以覆盖含有栅极307的基板整个表面上的栅极307。
随后，在层间绝缘层309和其下方的栅极绝缘层305上形成用于暴露有源层303的源极区303b和漏极区303c的接触孔（未示出）。
接下来，在层间绝缘层309上形成分别经由形成在栅极绝缘层305和层间绝缘层309上的接触孔（未示出）与有源层303的源极区303b和漏极区303c接触的源极311a和漏极311b。此处，与栅极307相似地，源极311a和漏极311b可由导电金属层，诸如MoW、Al、Cr、Al/Cu等形成，但是不必限于此，诸如导电聚合物等各种导电材料可用于源极311a和漏极311b。源极311a和漏极311b形成为通过有源层303的沟道区303a彼此分离。
随后，参考图7B，在源极311a和漏极311b的上部形成由SiO2、SiNx等制成的钝化层315。此处，钝化层315可起到保护薄膜晶体管（T）的保护层的作用，起到平坦化其上方表面的平坦化层的作用。
接下来，经由掩模工艺形成用于暴露钝化层315上的漏极311b的漏极接触孔317。
随后，参考图7C和7D，在钝化层315上部形成成为有机发光设备（E）的阳极的第一电极形成导电材料层319，并将第一光敏层321涂覆于其上。此处，导电材料层319可被提供有透明电极和反射电极，且由此当用作透明电极时，导电材料层319被提供有ITO、IZO、ZnO或In2O3，当用作反射电极时，可由Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及其化合物形成反射层，之后可在反射层上形成ITO、IZO、ZnO或In2O3。
接下来，参考图7E，使用第一曝光掩模（未示出）实施第一曝光工艺之后，通过第一显影工艺去除第一光敏层321的光照射部分以形成第一光致抗蚀剂图案321a。
随后，参考图7F，使用第一光致抗蚀剂图案321a作为蚀刻掩模，选择性蚀刻导电材料层319以形成电连接至漏极311b的第一电极319a。这里，第一电极319a执行阳极的功能，稍后将描述的第二电极331执行阴极的功能，但是允许第一电极319a和第二电极331具有彼此相反的极性。
接下来，参考图7G，去除剩余的第一光致抗蚀图案321a，将第二光敏层323涂覆在含有第一电极319a的基板的整个表面上。
接下来，参考图7H，通过使用第一曝光掩模（未示出）的第二曝光工艺将光照射在第二光敏层323上，之后通过第二显影工艺去除被光照射的部分以形成具有倒锥形的第二光敏层323，从而形成具有倒锥形的第二光致抗蚀剂图案323a。此处，相对于第一曝光工艺中使用的曝光能量用约100-150%的曝光能量执行第二曝光工艺，或者相对于第一显影工艺中使用的显影时间用约100-200%的显影时间执行第二显影工艺，则能够获得具有倒锥形的第二光致抗蚀剂图案323a。
在之后工艺中形成的无机材料层不形成在具有倒锥形的第二光致抗蚀剂图案323a的倾斜表面上。因此，具有倒锥形的第二光致抗蚀剂图案323a的倾斜表面被暴露至外部，从而促进去除光致抗蚀剂的剥离剂的渗透。
随后，参考图7I，在含有第二光致抗蚀剂图案323a的基板的整个表面上，在例如约220和300度之间的高温下形成无机材料层325。此处，无机材料层325可由选自SiO2、SiNx、Al2O3、CuOx、Tb4O7、Y2O3、Nb2O5、Pr2O3等具有绝缘特性的无机材料形成。而且，可使用溅射方法、化学气相沉积（CVD）方法、沉积方法等形成无机材料层325。无机材料层325可包括位于含有第一电极319a上部边缘部分的相邻第一电极319a之间的剩余图案部分325a（即，在之后工艺中的第一像素限定层）和形成在第二光致抗蚀剂图案323a表面上的牺牲图案部分325b。
之后，由于在约220和300度之间的高温下形成无机材料层325，因此增加了第二光致抗蚀剂图案323a的体积，结果是，在形成于第二光致抗蚀剂图案323a表面上的无机材料层325的牺牲图案部分325b的表面上产生裂缝（C），由于裂缝导致第二光致抗蚀剂图案323a的表面暴露到外部，从而促进之后工艺期间用于去除光致抗蚀剂的剥离液的渗透。而且，如上文所述，具有倒锥形的第二光致抗蚀剂图案323a的倾斜表面被暴露到外部，从而促进用于去除光致抗蚀剂的剥离剂的渗透。
接下来，参考图7J和7K，去除第二光致抗蚀剂图案323a，同时去除形成在第二光致抗蚀剂图案323a表面上的无机材料层325的牺牲图案部分325b，结果是，在含有第一电极319a的上部边缘部分的相邻第一电极319a之间形成第一像素限定层325a。此处，第一像素限定层325a由亲水性无机材料制成。
随后，参考图7L，将有机材料层327形成在含有第一像素限定层325a的基板的整个表面上。此处，作为具有绝缘特性的疏水性有机物质，有机材料层327可由选自聚丙烯、聚酰亚胺、聚酰胺(PA)、苯并环丁烯(BCB)和酚醛树脂构成的组的一种材料形成。可使用诸如旋涂、挤压涂布等涂覆方法形成有机材料层327。
接下来，参考图7M，使用掩模经由曝光和显影工艺选择性图案化有机材料层327，以在第一像素限定层325a上形成由疏水性有机材料制成的第二像素限定层327a。此处，第二像素限定层327a具有小于第一像素限定层325a的宽度，但是形成在第一像素限定层325a的除了上部边缘部分之外的上表面上。第一和第二像素限定层325a、327a表示图案化的绝缘层，起到在制造有机发光设备中更精确地限定发光区的作用。而且，可使用诸如喷墨等方法形成第二像素限定层327a。
随后，参考图7N，可溶材料或者聚合物基液体物质被注入到第一和第二像素限定层325a、327a所形成的堤岸之间，即注入到第一电极319a上，并将其干燥以形成有机层329。此处，可使用诸如喷墨、管嘴印刷等印刷技术形成有机层329以减少掩模工艺并提高图案精确度。
此处，有机层329可包括发光层（未示出）。此处，本发明不必限于这种结构，且实际上可应用有机发光设备的各种结构。
低分子或高分子有机层可用于有机层329，当使用低分子有机层时，可由单个或复合结构沉积和形成空穴注入层（HIL）、空穴传输层（HTL）、发光层（EML）、电子传输层（ETL）和电子注入层（EIL）等，并且可应用多种材料，包括铜酞青(CuPc:)、N,N’-二(萘-1-y1)-N,N’-二苯基1-联苯胺(NPB)、三-8-羟基喹啉铝(Alq3)等。可使用真空沉积方法形成低分子有机层。
在高分子有机层的情况下，有机层通常是具有空穴传输层（HTL）和发光层（EML）的结构，其中PEDOT用于空穴传输层，聚-聚-苯乙炔(PPV)基或聚芴基高分子有机材料用于发光层，且可通过丝网印刷、喷墨印刷等形成有机层。
这种有机层不必限于此，当然可应用于各种实施例。
另一方面，电子传输层（ETL）是用于连接发光材料和第一电极319a之间的电流的导电材料，用作最初印刷在第一电极319a上的材料，且通常使用诸如PEDOT等的材料。该物质是具有诸如水的特性的材料，而印刷方面可根据像素限定层的材料特性而改变。例如，当像素限定层是亲水性物质时，有机材料广泛地扩散开以便很好地吸附到像素限定层，而当像素限定层是疏水性物质时，有机材料凝结成圆形而不吸附到像素限定层。
根据本发明，堤岸配置有由诸如亲水性ITO等透明导电材料制成的第一电极319a、由亲水性无机材料制成的第一像素限定层325a和由疏水性有机材料制成的第二像素限定层327a。换句话说，第一像素限定层325a和第一电极319a是亲水性的以便很好地吸附有机材料，第二像素限定层327a是疏水性的以便有机材料很好地仅聚集在像素内，且由此在干燥工艺之后，有机材料被很好地定位在第一电极319a上。
因此，使用印刷技术占据有机层图案化工艺故障最大比例的一项是边缘故障，当形成具有现有单一结构的像素限定层时，在有机层的干燥期间，像素内的有机层边缘区升高，同时在有机层内产生厚度变化，从而引起像素边缘区中的故障。
但是，根据本发明，形成由无机层制成的第一像素限定层325a和由有机层制成的第二像素限定层327a以防止现有的像素边缘区中的故障，所述第一像素限定层325a形成在第一电极319a之间，所述第二像素限定层327a形成在第一像素限定层325a的除了上部边缘部分之外的上表面上。
因此，当在第一电极319a上形成有机层329时，第一像素限定层325a和第一电极319a是亲水性的且由此可以很好地吸附有机材料，但是第二有机像素限定层327a是疏水性的且由此有机材料可以很好地仅聚集在像素内，因此在干燥工艺之后有机材料被很好地定位在第一电极319a上，结果是，在有机层干燥工艺期间，可以通过下方的第一像素限定层325a减轻像素内的有机层的边缘区升高到第二像素限定层327a侧壁的现象，以保持像素区（P）内有机层的厚度（t2）均匀性，从而增强像素的发光均匀性。
接下来，参考图7O，将第二电极331形成在含有有机层329的基板的整个表面上。此处，第二电极331可被提供有透明电极或反射电极，当用作透明电极时，第二电极331可用作阴极，且由此可在有机层329的方向上沉积具有低功函数的金属，诸如Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg及其化合物，之后在其上可用诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3等透明电极形成材料形成辅助电极层或总线电极线。而且，当用作反射电极时，可在整个表面上沉积和形成Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg及其化合物。
因此，有机发光设备（E）根据电流发出红、绿和蓝光以显示预定图像信息，所述有机发光设备被提供有连接至薄膜晶体管的漏极311b以自其提供正电源的第一电极319a、覆盖整个像素以自其提供负电源的第二电极331、和设置在第一电极319a和第二电极331之间用以发光的有机层329。
第一电极319a和第二电极331经由有机层329彼此绝缘，将具有不同极性的电压施加至有机层329，从而发光。
如上所述，完成了根据本发明第三实施例的制造有机发光设备的方法的工艺。
与前文的第一实施例相似，根据本发明第三实施例的制造有机发光设备的方法，经由剥离工艺形成第一像素限定层，由此可省略干法蚀刻或湿法蚀刻工艺以最小化在第一电极的ITO表面或者下层上的损伤，从而增强像素的发光均匀性和寿命。
而且，根据本发明第三实施例的制造有机发光设备的方法，可通过剥离工艺形成第一像素限定层，由此省略干法蚀刻或湿法蚀刻工艺以减少制造工艺数目，从而降低制造成本。
此外，根据本发明第三实施例的制造有机发光设备的方法，在通过可溶工艺形成的有机层的干燥工艺期间，通过下方的像素限定层可减轻像素内有机层的边缘区升高到上方像素限定层侧壁的现象，以保持像素区（P）内有机层的厚度（t2）均匀性，从而增强像素的发光均匀性。
但是，本领域技术人员将理解，在不改变技术构思及其实质特性的情况下，可以按照其他具体形式实施前述本发明。
因此，应当理解，前述实施例仅是示意性的且在所有方面不是限制性的。本发明的范围可由所附权利要求限定，而不是由具体说明书限定，且应当认为从权利要求含义、范围和等效构思获得的所有改变或修改都包括在本发明的范围内。

Claims (13)

1.一种制造有机发光设备的方法，所述方法包括：
形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有位于基板上的半导体有源层、位于半导体有源层上的栅极绝缘层、位于栅极绝缘层上的栅极、和分别与半导体有源层接触的源极和漏极；
在含有薄膜晶体管的基板的整个表面上形成导电材料层；
在导电材料层上形成光致抗蚀剂图案；
使用光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模，蚀刻导电材料层以形成电连接到薄膜晶体管的第一电极；
实施灰化工艺以蚀刻光致抗蚀剂图案，以便暴露出第一电极的上部边缘部分；
在含有第一电极和光致抗蚀剂图案的基板的整个表面上在220和300度之间的温度下形成第一绝缘材料层，以增加光致抗蚀剂图案的体积，从而在第一绝缘材料层的表面上形成裂缝；
执行剥离工艺以去除光致抗蚀剂图案和形成在光致抗蚀剂图案上部的第一绝缘材料层，以便形成覆盖第一电极的边缘部分的第一像素限定层；
在第一像素限定层上形成由第二绝缘材料层制成的第二像素限定层；
在第一电极上形成有机层；和
在有机层上形成第二电极。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述第二像素限定层形成在除了第一像素限定层的上部边缘部分之外的第一像素限定层的上表面上。
3.如权利要求1所述的方法，其中所述第一像素限定层含有无机材料，所述第二像素限定层含有有机材料。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述第一像素限定层含有亲水性材料，所述第二像素限定层含有疏水性材料。
5.如权利要求1所述的方法，其中由于在第一绝缘材料层的表面上形成的裂缝而暴露出部分的光致抗蚀剂图案，从而实现用于去除光致抗蚀剂的剥离液的渗透。
6.如权利要求1的方法，其中形成所述第一电极、第一像素限定层、第二像素限定层和有机层是通过一次掩模工艺执行的。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述在导电材料层上形成光致抗蚀剂图案是使用典型曝光掩模、具有衍射现象的衍射掩模或者半色调掩模来执行的。
8.一种制造有机发光设备的方法，所述方法包括：
形成薄膜晶体管，所述薄膜晶体管具有位于基板上的半导体有源层、位于半导体有源层上的栅极绝缘层、位于栅极绝缘层上的栅极和分别与半导体有源层接触的源极和漏极；
在含有薄膜晶体管的基板的整个表面上形成导电材料层；
在导电材料层上形成第一光致抗蚀剂图案；
使用第一光致抗蚀剂图案作为蚀刻掩模，蚀刻导电材料层以形成电连接到薄膜晶体管的第一电极；
去除第一光致抗蚀剂图案，在除了第一电极的上部边缘部分之外的第一电极的上表面上形成具有倒锥形的第二光致抗蚀剂图案；
在含有第一电极和第二光致抗蚀剂图案的基板的整个表面上在220和300度之间的温度下形成第一绝缘材料层，以增加第二光致抗蚀剂图案的体积，从而在第一绝缘材料层的表面上形成裂缝；
执行剥离工艺以去除第二光致抗蚀剂图案和形成在第二光致抗蚀剂图案上部的第一绝缘材料层，以便形成覆盖第一电极的边缘部分的第一像素限定层；
在第一像素限定层上形成由第二绝缘材料层制成的第二像素限定层；
在第一电极上形成有机层；和
在有机层上形成第二电极。
9.如权利要求8所述的方法，其中所述第二像素限定层形成在除了第一像素限定层的上部边缘部分之外的第一像素限定层的上表面上。
10.如权利要求8所述的方法，其中所述第一像素限定层含有无机材料，所述第二像素限定层含有有机材料。
11.如权利要求8所述的方法，其中所述第一像素限定层含有亲水性材料，所述第二像素限定层含有疏水性材料。
12.如权利要求8所述的方法，其中所述在除了第一电极的上部边缘部分之外的第一电极的上表面上形成具有倒锥形的第二光致抗蚀剂图案，相对于形成第一光致抗蚀剂图案期间的第一曝光工艺中使用的曝光能量用100-150％的曝光能量执行第二曝光工艺，或者相对于形成第一光致抗蚀剂图案期间的第一显影工艺中使用的显影时间用100-200％的显影时间执行第二显影工艺。
13.如权利要求8的方法，其中所述第一光致抗蚀剂图案和第二光致抗蚀剂图案是使用相同掩模形成的。
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Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102381391B1 (ko) * 2015-04-16 2022-03-31 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102337889B1 (ko) * 2015-02-16 2021-12-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102512713B1 (ko) * 2015-04-20 2023-03-23 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조 방법
CN105826355B (zh) * 2016-05-03 2017-03-08 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板的制作方法
CN105914223B (zh) * 2016-05-04 2019-08-13 上海天马有机发光显示技术有限公司 显示面板的制造方法和显示面板
KR102581258B1 (ko) * 2016-06-10 2023-09-22 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 유기발광표시장치의 제조방법
KR20180032736A (ko) * 2016-09-22 2018-04-02 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 다이오드 표시장치
CN107046048B (zh) * 2016-09-30 2020-09-04 广东聚华印刷显示技术有限公司 像素界定层及其制备方法和应用
KR20180077439A (ko) * 2016-12-29 2018-07-09 엘지디스플레이 주식회사 전계 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
CN108695434B (zh) * 2017-04-07 2021-10-26 元太科技工业股份有限公司 有机薄膜晶体管及其制作方法
CN107146807B (zh) * 2017-05-12 2019-09-06 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层的制备方法、oled及制备方法和显示装置
KR102300028B1 (ko) * 2017-06-08 2021-09-09 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치의 제조방법
CN108364975A (zh) * 2017-08-30 2018-08-03 广东聚华印刷显示技术有限公司 显示基板、显示面板、显示器及其制作方法
CN107393939B (zh) * 2017-08-30 2020-04-17 京东方科技集团股份有限公司 像素界定层及制造方法、显示面板及制造方法、显示装置
US10297780B2 (en) * 2017-10-18 2019-05-21 Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Organic light-emitting display panel, method for fabricating the same, and organic light-emitting display device
CN109698215B (zh) * 2017-10-23 2024-06-25 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板及其制备方法、显示装置
KR102577043B1 (ko) * 2017-12-11 2023-09-08 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시장치
KR102474205B1 (ko) 2017-12-26 2022-12-06 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치 및 그 제조방법
KR102577233B1 (ko) * 2017-12-28 2023-09-08 엘지디스플레이 주식회사 전계발광 표시 장치
US10985226B2 (en) * 2018-01-09 2021-04-20 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Ink jet printing organic light emitting diode display panel and manufacturing method thereof
KR20190090902A (ko) * 2018-01-25 2019-08-05 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 제조 방법
CN108630734B (zh) 2018-05-11 2021-01-15 京东方科技集团股份有限公司 像素界定结构及其制备方法以及显示面板和显示装置
KR102650273B1 (ko) * 2018-07-31 2024-03-22 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시 장치 및 그 제조방법
CN110212007A (zh) * 2019-06-21 2019-09-06 京东方科技集团股份有限公司 显示基板、显示装置以及制作显示基板的方法
CN110620133B (zh) * 2019-09-25 2022-09-09 京东方科技集团股份有限公司 一种透明显示面板及其制备方法和显示装置
CN110808274B (zh) * 2019-11-14 2022-05-27 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板的制备方法、显示面板及显示装置
KR20210074060A (ko) * 2019-12-11 2021-06-21 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
KR20210086042A (ko) * 2019-12-31 2021-07-08 엘지디스플레이 주식회사 표시 장치
KR20210145887A (ko) 2020-05-25 2021-12-03 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법
US11980046B2 (en) * 2020-05-27 2024-05-07 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Method for forming an isolation structure having multiple thicknesses to mitigate damage to a display device
CN112420973A (zh) * 2020-12-04 2021-02-26 深圳市芯视佳半导体科技有限公司 一种可以提高亮度的硅基oled微显示器制备方法和微显示器

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1622706A (zh) * 2003-11-27 2005-06-01 精工爱普生株式会社 电光器件、半导体器件、电光器件衬底及其制造方法
CN1841703A (zh) * 2005-03-29 2006-10-04 精工爱普生株式会社 有机el装置的制造方法、器件的制造方法
CN101325181A (zh) * 2008-08-05 2008-12-17 友达光电股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
CN101738854A (zh) * 2008-11-05 2010-06-16 株式会社东进世美肯 图案形成方法
CN102655116A (zh) * 2011-09-28 2012-09-05 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板的制造方法
CN102884479A (zh) * 2010-05-04 2013-01-16 株式会社Lg化学 负性光致抗蚀剂组合物和器件的图案化方法
CN103187434A (zh) * 2013-04-01 2013-07-03 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及制备有机电致发光器件的方法

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001043981A (ja) * 1999-05-24 2001-02-16 Toray Ind Inc 表示装置およびその製造方法
JP3705264B2 (ja) * 2001-12-18 2005-10-12 セイコーエプソン株式会社 表示装置及び電子機器
JP3915806B2 (ja) * 2003-11-11 2007-05-16 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置および電子機器
JP4479642B2 (ja) * 2005-10-27 2010-06-09 セイコーエプソン株式会社 発光素子の製造方法
KR101065317B1 (ko) * 2009-11-13 2011-09-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101084177B1 (ko) * 2009-11-30 2011-11-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 디스플레이 장치 및 그의 제조 방법
JP5463882B2 (ja) * 2009-12-01 2014-04-09 ソニー株式会社 発光素子及びその製造方法
KR20130023643A (ko) * 2011-08-29 2013-03-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 패널 제조 장치와, 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 패널의 제조 방법
KR102009727B1 (ko) * 2012-11-26 2019-10-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치, 표시 장치의 제조 방법 및 표시 장치를 제조하기 위한 캐리어 기판
KR102009357B1 (ko) * 2012-11-26 2019-08-09 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
TWI559525B (zh) * 2012-12-27 2016-11-21 Ｌｇ顯示器股份有限公司 有機發光二極體顯示裝置及其製造方法
KR101989056B1 (ko) * 2013-01-03 2019-06-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
KR102038817B1 (ko) * 2013-06-28 2019-11-01 엘지디스플레이 주식회사 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법
KR102069193B1 (ko) * 2013-07-22 2020-01-23 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조 방법
KR102120896B1 (ko) * 2013-07-25 2020-06-10 삼성디스플레이 주식회사 대향 타겟 스퍼터링 장치를 이용한 유기발광표시장치 및 그 제조방법

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1622706A (zh) * 2003-11-27 2005-06-01 精工爱普生株式会社 电光器件、半导体器件、电光器件衬底及其制造方法
CN1841703A (zh) * 2005-03-29 2006-10-04 精工爱普生株式会社 有机el装置的制造方法、器件的制造方法
CN101325181A (zh) * 2008-08-05 2008-12-17 友达光电股份有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制作方法
CN101738854A (zh) * 2008-11-05 2010-06-16 株式会社东进世美肯 图案形成方法
CN102884479A (zh) * 2010-05-04 2013-01-16 株式会社Lg化学 负性光致抗蚀剂组合物和器件的图案化方法
CN102655116A (zh) * 2011-09-28 2012-09-05 京东方科技集团股份有限公司 阵列基板的制造方法
CN103187434A (zh) * 2013-04-01 2013-07-03 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及制备有机电致发光器件的方法

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Publication number Publication date
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