CN101399317A - 有机发光装置 - Google Patents

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CN101399317A CNA2008101614096A CN200810161409A CN101399317A CN 101399317 A CN101399317 A CN 101399317A CN A2008101614096 A CNA2008101614096 A CN A2008101614096A CN 200810161409 A CN200810161409 A CN 200810161409A CN 101399317 A CN101399317 A CN 101399317A
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Abstract

本发明提供一种有机发光装置，该装置包括第一电极、第二电极、插入第一电极和第二电极之间的发光层、插入第一电极和发光层之间的空穴注入层。所述空穴注入层包括第一化合物和第二化合物，第一化合物含有从Mo、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba和B构成的组中选择的元素以及从O、F、S、Cl、Se、Br和I构成的组中选择的元素，第二化合物为用于形成空穴注入层的有机化合物。这些化合物具有优异的电性能，并适于发出诸如红色、绿色、蓝色和白色等全范围彩色的光的荧光和磷光发光装置。因此，包括所述空穴注入层的有机发光装置在低电压下体现出高效、高亮度的优点，并具有长寿命。

Description

有机发光装置
对相关申请的交叉引用
本申请要求2007年9月28日向韩国知识产权局递交的韩国专利申请2007-98380的权益，其公开内容通过引用合并于此。
技术领域
本发明涉及一种有机发光装置，更具体地涉及一种具有高发光效率和长寿命的有机发光装置。
背景技术
本发明涉及开发一种高品质的有机发光装置，特别是涉及具有低功耗和长寿命的有机发光装置。
向有机层导入电流时，有机发光装置通过布置在电极之间的有机层内的电子和空穴的再结合而发光。因此，有机发光装置可以用于提供图像品质高、响应速度快、视角广的薄且轻质的信息显示器。由于这些优点，有机发光装置已被迅速开发并用于包括手机和高端信息显示器的广泛应用中。
有机发光装置的迅速开发已在理论和技术领域增加了与诸如TFT-LCDs等其它信息显示设备的竞争。然而，为了大量生产高品质的有机发光装置，应解决有机发光装置效率低、寿命短和功耗高等几个问题。
发明内容
本发明提供一种高效、低电压、高亮度以及长寿命的有机发光装置，该装置包括有机层，该有机层包括用于空穴注入层的材料，其中所述材料具有适用于荧光和磷光发光装置的优异的电性能，该荧光和磷光发光装置可以发出诸如红色、绿色、蓝色和白色等全范围彩色的光。
根据本发明的一个实施方式，提供了一种有机发光装置，该装置包括第一电极、第二电极、插入第一电极和第二电极之间的发光层、插入第一电极和发光层之间的空穴注入层，其中所述空穴注入层包括：第一化合物，其含有从Mo、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba和B构成的组中选择的元素以及从O、F、S、Cl、Se、Br和I构成的组中选择的元素，和第二化合物，其为形成空穴注入层的有机化合物。
根据本发明的一个方面，第一化合物与第二化合物的混合比在1:1～3:1的范围内。
根据本发明的另一个实施方式，提供了一种有机发光装置，该装置包括第一电极；第二电极；插入第一电极和第二电极之间的发光层；插入第一电极和发光层之间的第一空穴注入层，其中该空穴注入层包括第一化合物，其含有从Mo、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba和B构成的组中选择的元素以及从O、F、S、Cl、Se、Br和I构成的组中选择的元素，和第二化合物，其为形成空穴注入层的有机化合物；和第二空穴注入层。
根据本发明的一个方面，第一空穴注入层与第二空穴注入层的厚度比在1:99～1:9的范围内。
根据本发明的另一方面，上述有机发光装置可进一步包括选自如下组中的至少一层：空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。
根据本发明的各方面，用于形成空穴注入层的材料具有优异的电性能，并适用于发出诸如红色、绿色、蓝色和白色等全范围彩色的光的荧光和磷光发光装置。因此，包括空穴注入层的有机发光装置具有高效、低电压、高亮度和长寿命等特点。
在以下的说明书中将会部分地阐述本发明的其它方面和/或优点，部分从说明书中是显而易见的，或者可以通过本发明的实践而了解。
附图说明
结合附图，从以下实施方式的描述中，本发明的这些和/或其它方面和优点会变得显而易见并更容易理解。
图1A至1D为根据本发明实施方式的有机发光装置的截面图；
图2A示出了根据图1A的实施方式的有机发光装置各层的HOMO和LUMO能级差异的能带示意图；
图2B示出了根据图1D的实施方式的有机发光装置各层的HOMO和LUMO能级差异的能带示意图；
图3为显示根据实施例的有机发光装置和根据对比例的常规有机发光装置的效率特性的曲线图；
图4为显示根据实施例的有机发光装置和根据对比例的常规有机发光装置的亮度相对于电压的曲线图；以及
图5为显示根据实施例的有机发光装置和根据对比例的常规有机发光装置的亮度相对于时间的曲线图。
具体实施方式
现在将详细描述本发明的实施方式，其实施例将结合附图进行说明，其中，相同的附图标记在全文中指代相同的元件。为了说明本发明，下面参考附图对实施方式进行描述。
根据本发明的各方面，有机发光装置包括第一电极、第二电极、插入第一电极和第二电极之间的发光层、插入第一电极和发光层之间的空穴注入层。所述空穴注入层包括第一化合物和第二化合物，其中第一化合物含有从Mo、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba和B构成的组中选择的元素以及从O、F、S、Cl、Se、Br和I构成的组中选择的元素，第二化合物为形成空穴注入层的有机化合物。
作为非限制性实例，第一化合物可以为氧化钼、氟化镁、氧化镁、氟化锂、氟化钠、氧化钙、氟化铯、氧化硼、氧化锶或者氧化钡。第一化合物可以使用各种已知方法来制备。
第二化合物可以为本领域已知的用于形成空穴注入层的有机化合物，例如，第二化合物可以为铜酞青、1，3，5-三咔唑基苯、4，4′-双咔唑基联苯、聚乙烯基咔唑、m-双咔唑基苯、4，4′-双咔唑基-2，2′-二甲基联苯、4，4′，4＂-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、4，4′，4＂-三(3-甲基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、1，3，5-三(2-咔唑基苯基)苯、1，3，5-三(2-咔唑基-5-甲氧苯基)苯、双(4-咔唑基苯基)硅烷、N，N′-双(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-[1，1-联苯基]-4，4′二胺(TPD)、N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基联苯胺(α-NPD)、N，N′-二苯基-N，N′-双(1-萘基)-(1，1′-联苯基)-4，4′-二胺(NPB)、聚(9，9-二辛基芴-co-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)或者聚(9，9-二辛基芴-co-双-N，N-苯基-1，4-苯二胺(PFB)。
第一化合物和第二化合物可以以1:1～3:1的混合比混合在一起。第一化合物与第二化合物的混合比低于1:1时，则第一化合物的含量相对较低，而第二化合物的含量相对较高，注入电压可能会增加。另一方面，第一化合物与第二化合物的混合比高于3:1时，则第一化合物的含量相对较高，而第二化合物的含量相对较低，第一空穴注入层的导电性可能会大大增加，并会发生电流泄露。
通常将纯有机材料用于降低空穴注入势垒，在此情况下，选择有机材料以便使电极和有机材料之间的能隙最小。然而，本发明的第一化合物用在电极界面时，由于选自Mo、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba和B所构成的组中的元素的金属性降低了接触电阻。因此，可以得到更接近于欧姆接触的特性，该特性为用在半导体化合物中的电极界面特性。此外，根据第二化合物的电负性可以得到偶极特性，或者通过电荷转移可以形成电荷转移复合物(C.T.复合物)，并且可以增加导电性。
因此，根据本发明的各方面，有机发光装置在恒压下运行时，包括空穴注入层的有机发光装置使该有机发光装置的寿命的缩短降到最低并提供高电流效率。
图2A示出了图1A的实施方式的有机发光装置各层的HOMO和LUMO能级(即分别为最高占据分子轨道(HOMO)能级和最低空分子轨道(LUMO)能级)差异的能带示意图。
根据本发明的各方面，上述的有机发光装置可以降低电荷注入势垒和界面的接触电阻，由此该有机发光装置可以运行更长的期间。
根据本发明的另一个实施方式，有机发光装置可以进一步包括第二空穴注入层。
第二空穴注入层可以包括本领域已知的用于形成空穴注入层的任意一种有机化合物。这种用于形成空穴注入层的有机化合物可以为铜酞青、1，3，5-三咔唑基苯、4，4′-双咔唑基联苯、聚乙烯基咔唑、m-双咔唑基苯、4，4′-双咔唑基-2，2′-二甲基联苯、4，4′，4＂-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、4，4′，4＂-三(3-甲基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、1，3，5-三(2-咔唑基苯基)苯、1，3，5-三(2-咔唑基-5-甲氧苯基)苯、双(4-咔唑基苯基)硅烷、N，N′-双(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-[1，1-联苯基]-4，4′二胺(TPD)、N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基联苯胺(α-NPD)、N，N′-二苯基-N，N′-双(1-萘基)-(1，1′-联苯基)-4，4′-二胺(NPB)、聚(9，9-二辛基芴-co-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)或者聚(9，9-二辛基芴-co-双-N，N-苯基-1，4-苯二胺(PFB)。可以从上述化合物中至少选择一种化合物来形成第二空穴注入层。
根据本发明的各方面，有机发光装置的空穴注入层为包括第一空穴注入层和第二空穴注入层的双层时，也可以得到上述效果。具体地，除了第一空穴注入层外，在进一步形成第二空穴注入层时，由于该第二空穴注入层，第一空穴注入层的注入势垒可以进一步降低。因为第一空穴注入层降低的注入势垒取决于靠近第一空穴注入层的该层的能级(HOMO)，所以能够得到这种效果。
第一空穴注入层和第二空穴注入层的厚度比可以在1:99～1:9的范围内。第一空穴注入层与第二空穴注入层的厚度比低于1:99时，则使第一空穴注入层相对于第二空穴注入层过薄，注入电压可能会增加。第一空穴注入层与第二空穴注入层的厚度比高于1:9时，则使第一空穴注入层相对于第二空穴注入层不那么薄，空穴注入层的导电性可能会大大增加，并可能会产生电流泄露。
图2B示出了根据本发明的两个空穴注入层的实施方式的有机发光装置各层的HOMO和LUMO能级差异的能带示意图。
根据本发明的各方面，该有机发光装置可以具有各种结构。例如本发明的有机发光装置可以包括图1A至1D所示的结构，包括第一电极(例如阳极)、空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)和第二电极(例如阴极)。作为非限制性实例，有机发光装置可以具有以下结构中的一种：
第一电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/第二电极(图1A)；
第一电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/第二电极(图1B)；
第一电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/第二电极(图1C)；或者
第一电极/第一空穴注入层/第二空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/第二电极(图1D)。
需要时，该有机发光装置可以进一步包括一个或者两个中间层。
根据本发明的各方面，参照图1A至1D对制造该有机发光装置的方法进行具体说明。首先，利用沉积法或者溅射法在基板上沉积具有高功函的第一电极形成材料以便形成第一电极。第一电极可以为阳极。基板可以为用于有机发光装置的任何常规基板。例如，基板可以为具有高机械强度、高热稳定性、透明、表面平滑和易操作性能的玻璃基板，而且是防水的，或者可为透明塑料基板。形成第一电极的材料可为诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、二氧化锡(SnO2)或者氧化锌(ZnO)等导电性优异的透明材料。
然后，可以利用包括真空蒸镀法、旋涂法、浇铸法或者LB法等各种已知方法来形成HIL。特别是通过将上述的第一化合物和第二化合物共沉积来形成HIL。
利用真空蒸镀法形成HIL时，沉积条件可以随用于形成HIL的材料和所要形成的HIL的结构和热性质的不同而不同。例如，沉积温度可以在50～500℃的范围内，真空度可以在10-7～10-3托的范围内，沉淀速度可以在
Figure A200810161409D00121
Figure A200810161409D00122
的范围内，以及形成的层厚度可在
Figure A200810161409D00123
的范围内。
用于形成HTL的材料可以为本领域已知的任何空穴传输材料。例如，用于形成HTL的材料可以为诸如N-苯基咔唑或聚乙烯基咔唑等咔唑衍生物；诸如N，N′-双(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-[1，1-联苯基]-4，4′二胺(TPD)或N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基联苯胺(α-NPD)等具有芳香缩环(aromaticcondensation ring)的常规胺衍生物。
可以在HIL或者HTL上形成发出各种颜色光的EML。用于形成EML的材料没有限制，可以为选自本领域已知的发光层材料中任何材料，例如已知的主体材料和掺杂材料。
可以用例如DCM1、DCM2、铕(III)(噻吩甲酰三氟丙酮)(Eu(TTA)3)或者丁基-6-(1，1，7，7-四甲基久咯呢定基-9-烯基)-4H-吡喃(butyl-6-(1，1，7，7-tetramethyljulolidyl-9-enyl)-4H-pyran，DCJTB)来形成红色EML。特别是可以通过向Alq3中掺杂作为掺杂剂的DCJTB、或者共沉积Alq3和红荧烯并掺杂掺杂剂来形成红色EML。或者，红色EML可以通过向4，4′-N，N′-二咔唑-联苯(CBP)中掺杂作为掺杂剂的BTPlr或RD61来形成。然而，形成红色EML的方法并不限于以上方法。
可以用例如香豆素6、C545T、喹吖酮或者lr(ppy)3来形成绿色EML。特别是可以通过向CBP中掺杂作为掺杂剂的lr(ppy)3、或者将作为掺杂剂的香豆素类材料掺杂入作为主体的Alq3来形成绿色EML。然而，在此形成绿色EML的方法并不限于以上方法。作为非限制性实例，香豆素类材料可以为C314S、C343S、C7、C7S、C6、C6S、C314T或者C545T。
可以用例如噁二唑二聚物染料(Bis-DAPOXP)、螺环化合物(Spiro-DPVBi、Spiro-6P)、三芳胺化合物、二苯乙烯基胺衍生物(DPVBi、DSA)、化合物(A)Flrpic、CzTT、蒽、TPB、PPCP、DST、TPA、OXD-4、BBOT、AZM-Zn或者具有萘部分的芳烃化合物BH-013X(Idemitz公司)来形成蓝色EML。作为特别的非限制行实例，可以通过向IDE140(产品名称、Idemitz公司制造)中掺杂作为掺杂剂的IDE105(产品名称、Idemitz公司制造)形成蓝色MEL。然而，在此形成蓝色EML的方法并不限于以上方法。
EML的厚度可以在
Figure A200810161409D00131
的范围内，或者更具体地在
Figure A200810161409D00133
的范围内。R(红色)、G(绿色)、B(蓝色)EML可具有相同或者互不相同的厚度。EML的厚度低于
Figure A200810161409D00134
时，有机发光装置的寿命可能会降低。另一方面，EML的厚度高于
Figure A200810161409D00135
时，有机发光装置的操作电压可能会升高。
可以利用包括真空蒸镀法、旋涂法、浇铸法或者LB法等各种已知方法来形成EML。利用真空蒸镀法或者旋涂法形成EML时，沉积条件和涂覆条件可以依据所用化合物的类型而改变。然而，沉积条件和涂覆条件通常可与形成HIL的沉积和涂覆条件相似。
空穴阻挡层(HBL)(未图示)可以用真空蒸镀法或者旋涂法在EML上有选择地形成。用于形成HBL的材料没有限制，可以为具有电子传输能力和比发光化合物具有更高电离势的任何材料。例如，用于形成HBL的材料可以为二(2-甲基-8-喹啉氧基)-(p-苯基苯氧基)-铝(bis(2-methyl-8-quinolato)-(p-phenylphenolato)-aluminum)(Balq)、浴铜灵(BCP)或者三(N-芳基苯并咪唑)(TPBI)。
HBL的厚度可以在
Figure A200810161409D00136
的范围内，或者更具体在
Figure A200810161409D00137
的范围内。HBL的厚度低于
Figure A200810161409D00141
时，可能得不到空穴阻挡特性。另一方面，HBL的厚度高于
Figure A200810161409D00142
时，有机发光装置的操作电压可能会升高。
可以利用包括真空蒸镀法、旋涂法、浇铸法或者LB法等各种已知方法来形成HBL。利用真空蒸镀法或者旋涂法形成HBL时，沉积条件和涂覆条件可以依据所用化合物的类型而改变。然而，沉积条件和涂覆条件通常可与形成HIL的沉积和涂覆条件相似。
可以通过在EML或HBL上真空蒸镀或旋涂电子传输材料来有选择地形成ETL。电子传输材料没有限制，例如可以为Alq3。
ETL的厚度可以在
Figure A200810161409D00143
的范围内，或者更具体在
Figure A200810161409D00144
的范围内。ETL的厚度低于
Figure A200810161409D00145
时，电子可能会传输太快，并可能会破坏电荷平衡。另一方面，ETL的厚度大于
Figure A200810161409D00146
时，有机发光装置的操作电压可能会升高。
可以利用包括真空蒸镀法、旋涂法、浇铸法或者LB法等各种已知方法来形成ETL。用真空蒸镀法或者旋涂法形成ETL时，沉积条件和涂覆条件可以依据所用化合物的类型而改变。然而，沉积条件和涂覆条件通常可以与用于形成HIL的沉积和涂覆条件相似。
可以利用真空蒸镀法或旋涂法在EML、HBL或者ETL上形成EIL。作为非限制性实例，用于形成EIL的材料可以为BaF2、LiF、NaCl、CsF、Li2O、BaO或者8-羟基喹啉锂(Liq)，但不限于此。
EIL的厚度可以在
Figure A200810161409D00147
的范围内，或者更具体在
Figure A200810161409D00148
的范围内，或者甚至更具体在
Figure A200810161409D00149
的范围内。EIL的厚度低于时，电子注入特性可能会降低。另一方面，EIL的厚度大于
Figure A200810161409D001411
时，有机发光装置的操作电压可能会升高。
可以利用包括真空蒸镀法、旋涂法、浇铸法或者LB法等各种已知方法来形成EIL。利用真空蒸镀法或者旋涂法形成EIL时，沉积条件和涂覆条件可以依据所用化合物的类型而改变。然而，沉积条件和涂覆条件通常可以与用于形成HIL的沉积和涂覆条件相似。
然后，用于形成第二电极的材料被沉积在EIL上来形成第二电极。从而完成有机发光装置的制造工艺。用于形成第二电极的材料可以为导电性优异的透明金属或金属氧化物，例如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、二氧化锡(SnO2)、氧化锌(ZnO)、锂(Li)或者镁(Mg)。用于形成第二电极的材料还可以为铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钙(Ca)、镁-铟(Mg-In)、镁-银(Mg-Ag)或者钾-铝(Ca-Al)以得到反射电极、半透明电极或者透明电极。用于形成第二电极的材料并不限于这些金属或者这些金属的组合。
第一电极和第二电极可以分别为阳极和阴极。或者，第一电极和第二电极可以分别为阴极和阳极。
参照以下实施例对本发明的各方面进行更具体说明。这些实施例仅用于说明目的，而不是要限制本发明的范围。
实施例
将Corning的15Ω/cm2(
Figure A200810161409D00151
)的ITO玻璃基板切为50mm×50mm×0.7mm的大小，然后在异丙醇中用超声波洗5分钟，并再在纯水中洗5分钟。然后，用紫外线照射洗过的基板30分钟，然后将处理的基板暴露于臭氧中。将所得的玻璃基板装入真空蒸镀设备，并在该基板上形成阳极。
在阳极上将氧化钼和NPB共沉积至
Figure A200810161409D00152
的厚度形成第一HTL。接着用TCTA在第一HIL上形成第二HIL。
然后，将空穴传输化合物4，4’-二[N-(1-萘基)-N-苯氨基]联苯(NPB)真空沉积至的厚度来形成HTL。
然后，在HTL上将已知的蓝色荧光材料DPVBi沉积至的厚度来形成EML。
然后，在EML上将Alq3沉积至
Figure A200810161409D00155
的厚度来形成ETL，接着在ETL上将卤化碱金属LiF沉积至
Figure A200810161409D00156
的厚度来形成EIL。将Al沉积至的厚度来形成LiF/Al电极。从而制备了有机发光装置。
对比例
用和上述实施例同样的方法制造有机发光装置，区别在于用IDE406(Idemitz公司制造)形成HIL单层。
评价例
测定根据实施例和对比例制备的有机发光装置的电流-电压特性和亮度-电压特性。各测定的对比结果示于图3和图4中。图5是实施例和对比例的有机发光装置的亮度相对于时间的曲线图。用PR650((Photo Research公司)测定效率，以及用Keithley model 236源测量单元(SUM)测定电流-电压特性。
结果，可以看出在使用根据本发明的用于HIL的材料时，由于高电荷注入能力使相同电流值下的操作电压降低，电流效率增加，并由于这样的高电流效率使亮度增加，同时也延长了寿命。
如上所述，用于HIL的材料具有优异的电性能，并适用于发出诸如红色、绿色、蓝色或白色等全范围彩色的光的荧光和磷光发光装置。因此，包括该材料以形成本发明的空穴注入层的有机发光装置显示出高效率、低电压下的高亮度以及长寿命的优点。
虽然已示出并说明了本发明的若干实施方式，但本领域技术人员应理解的是，可以在实施方式上进行改变而不背离本发明的原则和精神，所述范围由权力要求及其等价物限定。

Claims (14)

1、一种有机发光装置，该装置包括：
第一电极；
第二电极；
插入第一电极和第二电极之间的发光层；和
插入第一电极和发光层之间的空穴注入层，其中所述空穴注入层包括：
第一化合物，其含有从Mo、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba和B构成的组中选择的元素以及从O、F、S、Cl、Se、Br和I构成的组中选择的元素；和
第二化合物，其为形成空穴注入层的有机化合物。
2、根据权利要求1所述的有机发光装置，其中第二化合物从如下组中选择：铜酞青、1，3，5-三咔唑基苯、4，4′-双咔唑基联苯、聚乙烯基咔唑、m-双咔唑基苯、4，4′-双咔唑基-2，2′-二甲基联苯、4，4′，4＂-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、4，4′，4＂-三(3-甲基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、1，3，5-三(2-咔唑基苯基)苯、1，3，5-三(2-咔唑基-5-甲氧苯基)苯、双(4-咔唑基苯基)硅烷、N，N′-双(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-[1，1-联苯基]-4，4′二胺(TPD)、N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基联苯胺(α-NPD)、N，N′-二苯基-N，N′-双(1-萘基)-(1，1′-联苯基)-4，4′-二胺(NPB)、聚(9，9-二辛基芴-co-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)和聚(9，9-二辛基芴-co-双-N，N-苯基-1，4-苯二胺)(PFB)。
3、根据权利要求1所述的有机发光装置，其中第一化合物和第二化合物的混合比在1:1～3:1的范围内。
4、根据权利要求1所述的有机发光装置，其中第一化合物从氧化钼、氟化镁、氧化镁、氟化锂、氟化钠、氧化钙、氟化铯、氧化硼、氧化锶和氧化钡构成的组中选择。
5、根据权利要求1所述的有机发光装置，其中该有机发光装置具有以下结构中的一种结构：
第一电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/第二电极；
第一电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/第二电极；或者
第一电极/空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/第二电极。
6、根据权利要求1所述的有机发光装置，进一步包括选自如下组中的至少一层：空穴注入层、空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。
7、一种有机发光装置，该装置包括：
第一电极；
第二电极；
插入第一电极和第二电极之间的发光层；
插入第一电极和发光层之间的第一空穴注入层，其中该第一空穴注入层包括：
第一化合物，其含有从Mo、Li、Na、K、Rb、Cs、Be、Mg、Ca、Sr、Ba和B构成的组中选择的元素以及从O、F、S、Cl、Se、Br和I构成的组中选择的元素；和
第二化合物，其为形成空穴注入层的有机化合物；和
插入第一空穴注入层和发光层之间的第二空穴注入层。
8、根据权利要求7中所述的有机发光装置，其中第二化合物从如下组中选择：铜酞青、1，3，5-三咔唑基苯、4，4′-双咔唑基联苯、聚乙烯基咔唑、m-双咔唑基苯、4，4′-双咔唑基-2，2′-二甲基联苯、4，4′，4＂-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、4，4′，4＂-三(3-甲基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、1，3，5-三(2-咔唑基苯基)苯、1，3，5-三(2-咔唑基-5-甲氧苯基)苯、双(4-咔唑基苯基)硅烷、N，N′-双(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-[1，1-联苯基]-4，4′二胺(TPD)、N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基联苯胺(α-NPD)、N，N′-二苯基-N，N′-双(1-萘基)-(1，1′-联苯基)-4，4′-二胺(NPB)、聚(9，9-二辛基芴-co-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)和聚(9，9-二辛基芴-co-双-N，N-苯基-1，4-苯二胺)(PFB)。
9、根据权利要求7中所述的有机发光装置，其中第一化合物和第二化合物的混合比在1:1～3:1的范围内。
10、根据权利要求7中所述的有机发光装置，第一化合物从氧化钼、氟化镁、氧化镁、氟化锂、氟化钠、氧化钙、氟化铯、氧化硼、氧化锶和氧化钡构成的组中选择。
11、根据权利要求7中所述的有机发光装置，其中第一空穴注入层与第二空穴注入层的厚度比在1:99～1:9的范围内。
12、根据权利要求7所述的有机发光装置，其中所述第二空穴注入层包括从如下组中选择的至少一种化合物：铜酞青、1，3，5-三咔唑基苯、4，4′-双咔唑基联苯、聚乙烯基咔唑、m-双咔唑基苯、4，4′-双咔唑基-2，2′-二甲基联苯、4，4′，4＂-三(N-咔唑基)三苯胺(TCTA)、4，4′，4＂-三(3-甲基苯基氨基)三苯胺(m-MTDATA)、1，3，5-三(2-咔唑基苯基)苯、1，3，5-三(2-咔唑基-5-甲氧苯基)苯、双(4-咔唑基苯基)硅烷、N，N′-双(3-甲基苯基)-N，N′-二苯基-[1，1-联苯基]-4，4′二胺(TPD)、N，N′-二(萘-1-基)-N，N′-二苯基联苯胺(α-NPD)、N，N′-二苯基-N，N′-双(1-萘基)-(1，1′-联苯基)-4，4′-二胺(NPB)、聚(9，9-二辛基芴-co-N-(4-丁基苯基)二苯胺)(TFB)和聚(9，9-二辛基芴-co-双-N，N-苯基-1，4-苯二胺)(PFB)，并且其中所述第二空穴注入层不包括所述第一化合物。
13、根据权利要求7所述的有机发光装置，进一步包括选自如下组中的至少一层：空穴传输层、电子阻挡层、空穴阻挡层、电子传输层和电子注入层。
14、根据权利要求7所述的有机发光装置，其中该有机发光装置具有以下结构之一：
第一电极/第一空穴注入层/第二空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/第二电极；
第一电极/第一空穴注入层/第二空穴注入层/空穴传输层/发光层/电子传输层/电子注入层/第二电极；或者
第一电极/第一空穴注入层/第二空穴注入层/空穴传输层/发光层/空穴阻挡层/电子传输层/电子注入层/第二电极。
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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102214794A (zh) * 2010-04-01 2011-10-12 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管装置
CN103050641A (zh) * 2011-10-14 2013-04-17 乐金显示有限公司 有机发光器件和使用该器件的显示板
CN103367644A (zh) * 2012-04-11 2013-10-23 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104576951A (zh) * 2013-10-29 2015-04-29 三星显示有限公司 有机发光器件及其制造方法
WO2022061939A1 (zh) * 2020-09-28 2022-03-31 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件和显示装置

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5867681B2 (ja) * 2011-09-02 2016-02-24 国立大学法人群馬大学 レシオ法に基づいた酸素センサー
KR102066074B1 (ko) * 2011-10-14 2020-01-14 엘지디스플레이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 이를 이용한 표시 패널
KR101923175B1 (ko) 2013-01-04 2018-11-29 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자 및 이의 제조 방법
JP7421284B2 (ja) * 2019-08-09 2024-01-24 ＪＤＩ Ｄｅｓｉｇｎ ａｎｄ Ｄｅｖｅｌｏｐｍｅｎｔ 合同会社 表示パネル、および、表示パネルの製造方法

Family Cites Families (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4505067B2 (ja) * 1998-12-16 2010-07-14 淳二 城戸 有機エレクトロルミネッセント素子
US7306856B2 (en) * 2000-07-17 2007-12-11 Fujifilm Corporation Light-emitting element and iridium complex
GB2399088B (en) * 2001-11-30 2005-07-13 Sumitomo Chemical Co Electroluminescent element
KR100501702B1 (ko) * 2003-03-13 2005-07-18 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 디스플레이 장치
JP3877692B2 (ja) * 2003-03-28 2007-02-07 三洋電機株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
KR100560778B1 (ko) * 2003-04-17 2006-03-13 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 디스플레이 장치
JP2004355975A (ja) 2003-05-29 2004-12-16 Sony Corp 表示装置の製造方法
KR20050015902A (ko) * 2003-08-14 2005-02-21 엘지전자 주식회사 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조방법
JP3748110B1 (ja) * 2003-09-26 2006-02-22 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置およびそれを用いた電子機器
JP4276109B2 (ja) * 2004-03-01 2009-06-10 ローム株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
EP1722602A1 (en) * 2004-03-05 2006-11-15 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Organic electroluminescent device and organic electroluminescent display
US7195829B2 (en) * 2004-03-30 2007-03-27 Eastman Kodak Company Organic element for electroluminescent devices
US20060008670A1 (en) * 2004-07-06 2006-01-12 Chun Lin Organic light emitting materials and devices
JP4925569B2 (ja) * 2004-07-08 2012-04-25 ローム株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子
KR100721554B1 (ko) * 2004-07-22 2007-05-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자 및 그의 제조 방법
JP4823629B2 (ja) 2004-09-24 2011-11-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
US7750560B2 (en) * 2004-10-01 2010-07-06 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting-element
US7687986B2 (en) * 2005-05-27 2010-03-30 Fujifilm Corporation Organic EL device having hole-injection layer doped with metallic oxide
US20060286405A1 (en) * 2005-06-17 2006-12-21 Eastman Kodak Company Organic element for low voltage electroluminescent devices
US8017252B2 (en) * 2005-06-22 2011-09-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic appliance using the same
KR100806812B1 (ko) * 2005-07-25 2008-02-25 엘지.필립스 엘시디 주식회사 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조방법
KR20070036835A (ko) * 2005-09-30 2007-04-04 삼성전자주식회사 무기물 완충층을 포함하는 유기발광소자의 제조방법
US20070090756A1 (en) * 2005-10-11 2007-04-26 Fujifilm Corporation Organic electroluminescent element
JP2007109868A (ja) * 2005-10-13 2007-04-26 Sanyo Electric Co Ltd 薄膜トランジスタ及び有機エレクトロルミネッセンス表示装置
TWI299636B (en) * 2005-12-01 2008-08-01 Au Optronics Corp Organic light emitting diode
US8454748B2 (en) * 2005-12-27 2013-06-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of calculating carrier mobility
US7968904B2 (en) * 2006-02-06 2011-06-28 Fujifilm Corporation Organic electroluminescence device
US9112170B2 (en) * 2006-03-21 2015-08-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element, light-emitting device, and electronic device
WO2007123061A1 (ja) * 2006-04-20 2007-11-01 Idemitsu Kosan Co., Ltd. 有機発光素子
KR100922755B1 (ko) * 2007-12-28 2009-10-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
KR100894066B1 (ko) * 2007-12-28 2009-04-24 삼성모바일디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
KR100922760B1 (ko) * 2008-03-03 2009-10-21 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자

Cited By (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102214794A (zh) * 2010-04-01 2011-10-12 三星移动显示器株式会社 有机发光二极管装置
US9368744B2 (en) 2010-04-01 2016-06-14 Samsung Display Co., Ltd. Organic light emitting diode device including multiple hole injection layers
CN103050641A (zh) * 2011-10-14 2013-04-17 乐金显示有限公司 有机发光器件和使用该器件的显示板
US9136478B2 (en) 2011-10-14 2015-09-15 Lg Display Co., Ltd. Organic light emitting device and display panel using the same method, terminal, and server for implementing fast playout
CN103050641B (zh) * 2011-10-14 2016-03-02 乐金显示有限公司 有机发光器件和使用该器件的显示板
CN103367644A (zh) * 2012-04-11 2013-10-23 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104576951A (zh) * 2013-10-29 2015-04-29 三星显示有限公司 有机发光器件及其制造方法
CN104576951B (zh) * 2013-10-29 2018-04-24 三星显示有限公司 有机发光器件及其制造方法
WO2022061939A1 (zh) * 2020-09-28 2022-03-31 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件和显示装置

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Publication number Publication date
US20090085470A1 (en) 2009-04-02
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JP2009088525A (ja) 2009-04-23

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