TW201523955A - 有機發光裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明公開一種有機發光裝置。有機發光裝置包含設置於基板上的第一像素電極、形成於基板上以覆蓋第一像素電極的導電薄膜、依序形成於導電薄膜上並包含曝露導電薄膜的頂部之部分的開口的導電圖案及絕緣層、形成於開口及絕緣層上以覆蓋曝露的導電薄膜的電洞注入層、形成於電洞注入層的部分區域及開口中的電洞傳輸層，以及形成於電洞傳輸層上的發光層。

Description

有機發光裝置
本申請主張於2013年10月29日向韓國智慧財產局提交申請的韓國專利申請號10-2013-0129559的優先權及效益，其揭露之所有內容藉由引用併入本文中。
本發明的一個或多個實施例係關於一種有機發光裝置及其製造方法。
有機發光顯示設備以低電壓驅動，為輕巧及纖薄，並具有寬廣的視角、出色的對比度及快速的回應時間，從而作為下一代顯示設備而引起大量的關注。
此種有機發光顯示設備具有寬廣的發光波長，並因為這個原因，減低發光效率及色純度。而且，由於從有機發光層所發出的光沒有方向性，所以因為有機發光裝置的全內反射使大部分發光於任意方向上的光子無法到達實際的觀察者，從而引致有機發光裝置的光提取效率降低。為了解決此問題，使用調整有機發光層的厚度以形成共振結構並從而增加光提取效率的方法。然而，其難以應用共振結構於其中的有機發光層係由印刷法所形成的有機發光顯示設備中。此外，於使用印刷法的有機發光顯示設備中，當所塗佈的液體發光材料變乾時，有機發光層的厚度會於發光單元的邊緣區域上不平均地形成，從而引致發光不平均。
根據本發明的一個或多個實施例之態樣係針對一種具改良均勻度的有機發光層的有機發光裝置及其製造方法。根據本發明的一個或多個實施例之態樣係針對一種有機發光裝置及其製造方法，其中，於使用（利用）印刷法之有機發光裝置製造中，像素定義層的厚度纖薄地形成，並因此防止光從發光單元的邊緣區域發出，從而提高了所提取的光的質量。
其他態樣將部分地闡述於以下的描述中，且部分將從描述中顯而易見，或者可以藉由本實施例的實踐而得知。
根據本發明的一個或多個實施例，有機發光裝置包含：於基板上的第一像素電極；於基板上並配置以覆蓋第一像素電極的導電薄膜；依序形成於導電薄膜上的導電圖案及絕緣層，導電圖案及絕緣層具有開口以曝露導電薄膜的頂部之部分；於開口及絕緣層上以覆蓋導電薄膜的曝露部分的電洞注入層；形成於開口及電洞注入層的部分區域中的電洞傳輸層，以及於電洞傳輸層上的發光層。
導電薄膜的導電率可以為約10­-5 至約10­-3 S/cm，而導電薄膜的功函數可以為約5.0至約5.7 eV。
電洞注入層可以形成以圍繞絕緣層的曝露的側表面及導電圖案的曝露的側表面。
導電圖案的厚度可以為約1至約10 nm，而絕緣層的厚度可以為約10至約90 nm。
皆具有開口的導電圖案及絕緣層形成像素定義層。
電洞傳輸層可以包含其中形成發光層的堤岸區。
絕緣層可以藉由凹版塗佈法、狹縫塗佈法、棒塗佈法、噴霧塗佈法、真空過濾法、旋轉塗佈法、電泳沉積法、流延法、噴墨印刷法、網版印刷法、或其組合所形成。
發光層可以藉由噴墨印刷法、噴嘴印刷法、凹版印刷法、網版印刷法、噴霧印刷法、靜電噴塗印刷法、或其組合所形成。
有機發光裝置可以進一步包含：於發光層上的電子傳輸層；以及於電子傳輸層上的電子注入層。
電洞注入層可以由酞菁化合物(phthalocyanine compound)、DNTPD（N,N'-二苯基- N,N'-二-[4-（苯基-間甲苯基-氨基）-苯基]-聯苯基-4,4'-二胺(N,N'-diphenyl-N,N'-bis-[4-(phenyl-m-tolyl-amino)-phenyl]-biphenyl-4,4'-diamine) ）、m-MTDATA（4,4',4"-三（3-甲基苯基苯基氨基）三苯胺(4,4',4"-tris (3-methylphenylphenylamino) triphenylamine) ）、TDATA（4,4'4"-三（N,N-二苯基氨基）三苯胺(4,4'4"-Tris(N,N-diphenylamino)triphenylamine) ）、2T-NATA（4,4',4"-三{N,-（2-萘基）-N-苯基氨基} -三苯胺(4,4',4"-tris{N,-(2-naphthyl)-N-phenylamino}-triphenylamine) ）、PEDOT / PSS（聚（3,4-乙烯二氧噻吩）/聚（4-苯乙烯磺酸鹽）(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/Poly(4-styrenesulfonate)) ）、Pani / DBSA（聚苯胺/十二烷基苯磺酸(Polyaniline/Dodecylbenzenesulfonic acid)）、Pani / CSA（聚苯胺/樟腦磺酸(Polyaniline/Camphor sulfonicacid)）、 PANI / PSS（（聚苯胺）/聚（4-苯乙烯磺酸鹽）(Polyaniline)/Poly(4-styrenesulfonate)）PANI/PSS、或其組合所形成。
有機發光裝置可以進一步包含：於發光層上的第二像素電極；以及包含交替地形成的一層或多層無機層及一層或多層有機層以覆蓋第二像素電極的封裝單元。
根據本發明的一個或多個實施例，製造有機發光裝置之方法包括：於基板上形成第一像素電極；形成導電薄膜以覆蓋第一像素電極；依序形成導體圖案及絕緣層以具有曝露導電薄膜的頂部之部分之開口；於開口及絕緣層上形成電洞注入層；於開口及電洞注入層的部分區域中形成電洞傳輸層；及於電洞傳輸層上形成發光層。
導電圖案的形成可以包括：於導電薄膜上形成導電材料；並藉由利用對導電材料施加的掩模形成導電圖案以曝露導電薄膜的頂部之部分。
導電圖案及絕緣層的依序形成可以包括藉由利用凹版塗佈法、狹縫塗佈法、棒塗佈法、噴霧塗佈法、真空過濾法、旋轉塗佈法、電泳沉積法、流延法、噴墨印刷法、及/或網版印刷法於導電圖案上形成絕緣層。
導電圖案的厚度可以為約1至約10 nm，而絕緣層的厚度可以為約10至約90 nm。
電洞注入層的形成可以包括形成電洞注入層以圍繞絕緣層的曝露的側表面及導電圖案的曝露的側表面。
電洞傳輸層的形成可以包括：於電洞注入層上形成電洞傳輸材料；並藉由利用對電洞傳輸材料所施加的掩模，形成包含其中形成發光層於開口中的堤岸區的電洞傳輸層。
發光層的形成可以包括：藉由利用噴墨印刷法、噴嘴印刷法、凹版印刷法、網版印刷法、噴霧印刷法、及/或靜電噴塗印刷法於堤岸區中形成發光材料；並將發光材料烘乾以形成發光層。
發光層的形成可以包括：於發光層的形成之後，於發光層上形成電子傳輸層；並於電子傳輸層上形成電子注入層。
此方法可以進一步包括：於發光層的形成之後，於發光層上形成第二像素電極；並形成封裝單元以覆蓋第二像素電極。
現在將會更詳細地參照其範例描繪於附圖中之實施例，其中於全文中類似的參考標號表示類似的元件。於這方面，本實施例可以具有不同形式，並且不應該被解釋為受限於本文中所闡述的描述。因此，實施例僅藉由參照附圖描述於下，以解釋本描述的態樣。如用於本文中，用語「及/或(and/or)」包含一個或多個相關聯所列的項目的任何及所有組合。表達句式如「中的至少其一(at least one of)」，當位於元件列舉項目後時，則句式修飾整列元件而不是修飾列舉項目中的個別元件。此外，當描述本發明的實施例使用「可以(may)」時，這表示了「本發明中的一個或多個實施例」。
由於本實施例可以具有不同的修改實施例，所以例示性實施例會於附圖中描繪並於詳細的描述中描述。然而，此不限制本實施例於特定的實施例中且應當理解的是，本發明概念涵蓋於本實施例的觀念及技術範圍內所有的修改、等效物及替代品。而且，將不會提供關於已知的功能或配置的詳細描述，以免不必要地模糊本實施例的標的。
用語如「第一(first)」及「第二(second)」可以用於描述不同的元件，但元件不應該受此用語所限制。用語可僅用於區分一個元件與另一元件。
於本申請中所使用以描述某些實施例的用語並不旨在限制本實施例。於以下的描述中，技術性用語僅用於解釋特定的例示性實施例而不限制本實施例。除非有相反的表示，否則單數形式的用語可以包含複數形式。用語如「包含(include)」、「包含(comprise)」、「包含(including)」、或「包含(comprising)」表示包含了性質、區域、固定數、步驟、過程、元件及/或組件，但是並不排除其他的性質、區域、固定數、步驟、過程、元件及/或組件。
於下文中，本發明的實施例將參照於附圖更詳細地描述。
第1圖為描繪根據本發明的實施例的有機發光裝置1的示意性橫截面圖。
參照於第1圖，根據本發明的實施例的有機發光裝置1包含基板10、驅動薄膜電晶體（TFT）單元20、發光單元30，以及覆蓋發光單元30的封裝單元60。
基板10可以為具有SiO2 作為主要成分的透明玻璃基板，或可以使用各種合適材料的基板，如塑料基板、金屬基板等等。而且，基板10可以由具有出色的耐熱性及耐久性的合適的塑料材料，如聚對苯二甲酸乙二酯(polyethyleneterephthalate)、聚碳酸酯(polycarbonate)、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylenenaphthalate)、聚芳香酯(polyarylate)、聚醚醯亞胺(polyetherimide)、聚醚碸(polyether sulfone)或聚亞醯胺(polyimide)所形成，其具有能夠實現彎曲表面的特性。然而，本實施例並不受限於此，並且可以使用具有合適可撓性的各種材料。
於第1圖中，描繪頂部發光有機發光裝置作為有機發光裝置1的實例，但是本實施例並不受限於此。有機發光裝置1可以為底部發光有機發光裝置或其它有別於第1圖的有機發光裝置1的合適類型有機發光裝置。
而且，緩衝層12可以形成於基板10的頂部上。緩衝層12防止雜質離子擴散，防止水分或外界空氣滲透，並將表面平坦化。
為驅動電路並包含驅動薄膜電晶體 N1的驅動薄膜電晶體單元20形成於緩衝層12上。於本實施例中，描繪了有機發光裝置1包含底部閘極薄膜電晶體的情況作為薄膜電晶體的實例。然而，有機發光裝置1可以包含具另一種類型薄膜電晶體的薄膜電晶體，如頂部閘極薄膜電晶體。
驅動薄膜電晶體 N1可以包含閘極電極21、主動層23、源極電極25s及汲極電極25d。
用於將閘極電極21與主動層23絕緣的閘極絕緣層22形成於閘極電極21與主動層23之間。
閘極電極21可以由各種合適的導電材料所形成。例如，閘極電極21可以由如鎂（Mg）、鋁（Al）、鎳（Ni）、鉻（Cr）、鉬（Mo）、鎢（W）、鉬鎢（MoW）、金（Au）等材料所形成。即使於這種情況下，閘極電極21可以由單層或多層所形成，亦即，閘極電極21可以為各種修改。
主動層23包含通道區23c、源極區23s及汲極區23d。通道區23c設置於源極區23s與汲極區23d之間，而源極區23s及汲極區23d分別設置於主動層23的邊緣並摻有高濃度的雜質。
主動層23可以由多晶矽所形成，於此情況下某區域可以摻有雜質。可選地，主動層23可以由非晶矽取代多晶矽所形成，或可以由各種合適的有機半導體材料如稠五苯(pentacene)所形成。
於主動層23由多晶矽所形成的處理中，主動層23由其中首先提供非晶矽，然後藉由將非晶矽結晶化轉變為多晶矽的結晶化方法所形成。結晶化方法（處理）的實例可以包括快速熱退火（RTA）處理、固相結晶（SPC）處理、準分子雷射退火（ELA）處理、金屬誘發結晶（MIC）處理、金屬誘發側向結晶（MILC）處理，以及連續側向固化（SLS）處理。然而，於本實施例中，當使用塑料基板時，可能會選擇及使用不需要高溫加熱處理的方法。
閘極絕緣層22可以由絕緣材料，如氧化矽、氮化矽等等所形成。此外，閘極絕緣層22可以由絕緣有機材料所形成。
互相電連接的源極電極25s及汲極電極25d分別形成於主動層23的源極區23s上及汲極區23d上。而且，平坦化層26（保護層及/或鈍化層）形成於源極電極25s上及汲極電極25d上，並保護及平面化其下方的驅動薄膜電晶體 N1。
平坦化層26可以以各種合適的結構形成，並例如，平坦化層26可以由有機材料，如苯並環丁烯(benzocyclobutene (BCB))或丙烯酸類(acrylics)，或無機材料如SiNx所形成。而且，平坦化層26可以由單層、雙層或多層所形成，亦即，平坦化層26可以為各種修改。
為有機發光裝置1的一個電極的第一像素電極32，形成於平坦化層26上，並通過接觸孔31電連接到汲極電極25d。
設置相對於第一像素電極32的第二像素電極56形成於第一像素電極32上。
於實施例中，第一像素電極32作為陽極電極，而第二像素電極56作為陰極電極。可選地，第一像素電極32及第二像素電極56可以交換極性。
第一像素電極32可以形成為透光電極或反射電極。當第一像素電極32形成為透光電極時，第一像素電極32可以由氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化鋅（ZnO）或氧化銦（In2 O3 ）所形成。當第一像素電極32形成為反射電極時，第一像素電極32可以包含由銀（Ag）、鎂（Mg）、鋁（Al）、鉑（Pt）、鈀（Pd）、金（Au）、鎳（Ni）、釹（Nd）、銥（Ir）、鉻（Cr）或其化合物（或合金），所形成的反射層，及由ITO、IZO、ZnO或In2 O3 所形成的透光層。
第二像素電極56可以形成為透光電極或反射電極。當第二像素電極56形成為透光電極時，第二像素電極56可以包含中間層，其藉由沉積Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或其化合物所形成以形成中間層，並且輔助電極或匯流排電極線（其由透光導電材料如ITO、IZO、ZnO或In2 O3 所形成）利用中間層而形成。當第二像素電極56形成為反射電極時，第二像素電極56可以由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或其化合物（或合金）所形成。
每個子像素地圖案化的第一像素電極32電連接到每個子像素的薄膜電晶體。此處，第二像素電極56可以形成為連接到各個子像素的共同電極的共同電極。
導電薄膜34形成於平坦化層26上以覆蓋第一像素電極32。
導電薄膜34可以由合適的導電材料所形成。例如，導電材料可以為酞菁化合物(如銅酞菁(copper phthalocyanine))、DNTPD（N,N'-二苯基- N,N'-二-[4-（苯基-間甲苯基-氨基）-苯基]-聯苯基-4,4'-二胺  ）、m-MTDATA（4,4',4"-三（3-甲基苯基苯基氨基）三苯胺）、TDATA（4,4'4"-三（N,N-二苯基氨基）三苯胺）、2T-NATA（4,4',4"-三{N,-（2-萘基）-N-苯基氨基} -三苯胺）、PEDOT / PSS（聚（3,4-乙烯二氧噻吩）/聚（4-苯乙烯磺酸鹽））、Pani/ DBSA（聚苯胺/十二烷基苯磺酸）、Pani/ CSA（聚苯胺/樟腦磺酸）、及/或PANI/ PSS(（聚苯胺）/聚（4-苯乙烯磺酸鹽）)。然而，本實施例的技術精神並不受限於此。
導電薄膜34可以由真空蒸鍍法、旋轉塗佈法、噴墨印刷法、網版印刷法、噴霧印刷法、及/或熱轉印法所形成。然而，本實施例的技術精神並不限於此。
例如，導電薄膜34的導電率可以為約10-5 至約10-3 S/cm。例如，導電薄膜34的功函數可以為約5.0至約5.7eV。導電薄膜34將第一像素電極32電連接到形成於第一像素電極32上的電洞注入層（HIL）40。雖然未顯示，導電薄膜34可以圖案化以防止導電薄膜34與對應像素的第一像素電極32以外的像素中的每個的第一像素電極之間的短路。
例如，導電薄膜34的厚度可以為約10nm或更小。
導電圖案36及絕緣層38形成於導電薄膜34上以具有暴露導電薄膜34的頂部之部分的開口H。
導體圖案36可以由導電材料所形成，並可以具有約1至約10 nm的厚度。而且，導電圖案36可以由真空蒸鍍法、旋轉塗佈法、噴墨印刷法、網版印刷法、噴霧印刷法、及/或熱轉印法所形成。然而，本實施例的技術精神並不受限於此。
絕緣層38可以由絕緣材料如氧化矽或氮化矽所形成，或可以由絕緣有機材料所形成。絕緣材料38'的厚度（參見第5圖）可以為約10至約90 nm，而絕緣材料38'可以由凹版塗佈法、狹縫塗佈法、棒塗佈法、噴霧塗佈法、真空過濾法、旋轉塗佈法、電泳沉積法、流延法(casting method)、噴墨印刷法、及/或膠版印刷法所形成。然而，本實施例的技術精神並不受限於此。
由於導電圖案36及絕緣層38形成以使導電薄膜34的頂部之部分區域曝露，所以導體圖案36及絕緣層38與曝露的導電薄膜34形成階梯高度。也就是說，導電圖案36的層及絕緣層38包含曝露導電薄膜34頂部的開口H。
HIL40形成以覆蓋開口H及絕緣層38。
HIL40可以由酞菁化合物(如銅酞菁)、DNTPD（N,N'-二苯基- N,N'-二-[4-（苯基-間甲苯基-氨基）-苯基]-聯苯基-4,4'-二胺）、m-MTDATA（4,4',4"-三（3-甲基苯基苯基氨基）三苯胺）、TDATA（4,4'4"-三（N,N-二苯基氨基）三苯胺）、2T-NATA（4,4',4"-三{N,-（2-萘基）-N-苯基氨基} -三苯胺）、PEDOT / PSS（聚（3,4-乙烯二氧噻吩）/聚（4-苯乙烯磺酸鹽））、Pani/ DBSA（聚苯胺/十二烷基苯磺酸）、Pani/ CSA（聚苯胺/樟腦磺酸）、及/或PANI / PSS（聚苯胺）/聚（4-苯乙烯磺酸鹽）所形成，但並不受限於此。而且，HIL40可以由各種合適的方法如真空蒸鍍法、旋轉塗佈法、流延法或朗繆爾-布洛傑特（Langmuir–Blodgett）（LB）法所形成。
電洞傳輸層（HTL）42可以形成於HIL40的部分區域（例如，位於開口H外側的HIL部分區域）及開口H上，並包含其中形成發光層（EML）50的堤岸(bank)區L。當形成EML50時，可以對HTL42的表面進行疏水程序（處理），以預防發光材料溢出。HTL42的堤岸區L作為定義其中印刷形成EML50的發光材於結構中的區域的像素堤岸。
HTL42可以由三苯胺系(triphenylamine-based)材料（如N-苯基咔唑(N-phenylcarbazole)）、咔唑系(carbazole-based)材料（如聚乙烯咔唑(polyvinylcarbazole)）、TPD（N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-[1,1-聯苯]-4,4'-二胺(N,N'-bis(3-methylphenyl)-N,N'-diphenyl-[1,1-biphenyl]-4,4'-diamine)）、NPB（N,N'-二（1-萘基）-N,N'-二苯基聯苯胺(N,N'-di(1-naphthyl)-N,N'-diphenylbenzidine)）、及/或TCTA（4,4',4"-三（N-咔唑基）三苯胺(4,4',4"-tris(N-carbazolyl)triphenylamine)）所形成，但是並不受限於此。
而且，HTL42可以由各種合適的方法如真空蒸鍍法、旋轉塗佈法、流延法或LB法所形成。
EML50可以形成於HTL42的堤岸區L中，並可以由印刷法所形成。印刷法的實例可以包括各種合適的方法如噴墨印刷法、噴嘴印刷法、凹版印刷法、網版印刷法、噴霧印刷法或靜電噴塗印刷法。
EML50可以形成以包含基質材料及摻質材料。
例如，基質材料可以使用（利用）Alq3（三（8-羥基-喹啉鋁）(tris(8-hydroxy-quinolatealuminium)）、CBP（4,4'-二（N-咔唑基）-1,1'-聯苯(4,4'-bis(N-carbazolyl)-1,1'-biphenyl)）、PVK（聚（n-乙烯咔唑）(poly(n-vinylcabazole))）、AND（9,10-二（萘-2-基）蒽(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthracene)）、TCTA（4,4',4"-三（咔唑-9-基）-三苯胺(4,4',4"-Tris(carbazol-9-yl)-triphenylamine)）、TPBI（1,3,5-三（N-苯基苯並咪唑-2-基）苯(1,3,5-tris(N-phenylbenzimidazole-2-yl)benzene)）、TBADN（3-叔丁基-9,10-二（萘-2-基）蒽(3-tert-butyl-9,10-di(naphth-2-yl) anthracene)）、DSA（二苯乙烯伸芳基(distyrylarylene)）、E3及/或CDBP（4,4'-二（9-咔唑基）-2,2'-二甲基-聯苯(4,4'-bis(9-carbazolyl)-2,2'-dimethyl-biphenyl)），但是並不受限於此。
例如，摻質材料可以使用PtOEP（鉑(II) 八乙基卟吩(Pt(II) octaethylporphine)）、Ir(piq)3（三（2-苯基異喹啉）銥(tris(2-phenylisoquinoline)iridium)）、Btp2Ir (acac)（二（2-（2'-苯並噻吩基）-吡啶-N,C3'）銥（乙醯丙酮）(bis(2-(2'-benzothienyl)-pyridinato-N,C3')iridium(acetylacetonate))）、Ir(ppy)3（三（2-苯基吡啶）銥(tris(2-phenylpyridine) iridium)）、Ir(ppy)2(acac)（二（2-苯基吡啶）（乙醯丙酮）銥（Ⅲ）(Bis(2-phenylpyridine)(Acetylacetonato)iridium(III))）、Ir(mppy)3（三（2-（4-甲苯基）苯基吡啶）銥(tris(2-(4-tolyl)phenylpiridine)iridium)）、C545T（10-（2-苯並噻唑基）-1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氫-1H,5H,11H-[1]苯並吡喃[6,7,8-ij]-喹嗪-11-酮(10-(2-benzothiazolyl)-1,1,7,7-tetramethyl-2,3,6,7-tetrahydro-1H,5H,11H-[1]benzopyrano [6,7,8-ij]-quinolizin-11-one)）、F2Irpic（二[3,5-二氟-2-（2-吡啶基）苯基]（吡啶甲酸）銥（III）(Bis[3,5-difluoro-2-(2-pyridyl)phenyl](picolinato)iridium(III))）、(F2ppy)2Ir(tmd)、Ir(dfppz)3、DPVBi（4,4'-二（2,2'-二苯基乙烯-1-基）聯苯(4,4'-bis(2,2'-diphenylethen-1-yl)biphenyl)）、DPAVBi（4,4'-二[4-（二苯胺基）苯乙烯基]聯苯(4,4'-Bis[4-(diphenylamino)styryl]biphenyl)）及/或TBPe（2,5,8,11-四-叔丁基苝(2,5,8,11-tetra-tert-butyl perylene)），但是並不受限於此。
當EML50於可比較的過程中由印刷法所形成，靠近EML50兩側邊緣的厚度可以於烘乾液體有機材料的過程中不均勻地形成。這樣會導致不均勻的發光，並因此，像素呈現具有環狀帶(ring-shaped belt)（咖啡漬圈環效應(coffee ring effect)）。出於這個原因，有機發光裝置的質量會下降。
根據本實施例，導電薄膜34形成以覆蓋第一像素電極32，而導電圖案36及絕緣層38形成以曝露導電薄膜34的頂部之部分。包含曝露導電薄膜34的頂部之部分的開口H的導電圖案36及絕緣層38作為像素定義層，且可以形成複數個此種具有數十奈米(nm)厚度的像素定義層36及38。由於像素定義層36及38形成為纖薄的厚度，所以印刷於HTL42上並烘乾的發光材料溶液量會減少或最小化，因而防止了像素呈現具有環狀帶的現象。據此，提昇像素質量及有機發光裝置1的發光質量。
電子傳輸層（ETL）52及電子注入層（EIL）54可以額外地形成於EML50上。
EIL可以由材料如LiF、NaCl、CsF、Li2 O、BaO、Liq等所形成。
ETL可以由Alq3、BCP（2,9-二甲基-4,7-二苯基-1,10-啡啉(2,9-Dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline)）、Bphen（4,7-二苯基-1,10-啡啉(4,7-Diphenyl-1,10-phenanthroline)）、TAZ（3-（4-聯苯基）-4-苯基-5-叔丁基苯基-1,2,4-三唑(3-(4-Biphenylyl)-4-phenyl-5-tert-butylphenyl-1,2,4-triazole)）、NTAZ（4-（萘-1-基）-3,5-二苯基-4H-1,2,4-三唑(4-(Naphthalen-1-yl)-3,5-diphenyl-4H-1,2,4-triazole)）、tBu-PBD（2-（4-聯苯基）-5-（4-叔丁基苯基）-1,3,4-噁二唑(2-(4-Biphenylyl)-5-(4-tert-butylphenyl)-1,3,4-oxadiazole)）、BAlq（二（2-甲基-8-羥基喹啉-N1,O8）- （1,1'-聯苯-4-羥基）鋁(Bis(2-methyl-8-quinolinolato-N1,O8)-(1,1'-Biphenyl-4-olato)aluminum)）、Bebq2（鈹二（苯並喹啉-10-羥基(beryllium bis(benzoquinolin-10-olate)）、及/或AND（9,10-二（萘-2-基）蔥(9,10-di(naphthalene-2-yl)anthrascene)）所形成，但是並不受限於此。
封裝單元60形成於發光單元30上。
封裝單元60可以由交替地設置的一層或多層無機層及一層或多層有機層所形成。可選地，封裝單元60可以由一層或多層無機層所形成。
例如，無機層可以由氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氮氧化鋁、氧化鈦、氮化鈦、氧化鈦、氧化鉭、氮化鉭、氧化鉿、氮化鉿、氧化鋯、氮化鋯、氧化鈰、氮化鈰、氧化錫、氮化錫、及/或氧化鎂所形成。無機層纖薄但具有高密度，並因此具有對氧及氫的阻隔特性。
有機層可以由丙烯酸系樹脂、甲基丙烯酸系（methacrylic-based）樹脂、異戊二烯系（isoprene-based）樹脂、乙烯系（vinyl-based）樹脂、環氧系（epoxy-based）樹脂、胺甲酸乙酯系（urethane-based）樹脂、纖維素系（cellulose-based）樹脂、苝系（perylene-based）樹脂、醯亞胺系（imide-based）樹脂、或其兩種或以上的化合物所形成。有機層的期望（最佳）厚度可以根據無機層的特性、生產力及裝置特性而決定。有機層減輕無機層的應力，並進行平坦化的功能。
封裝單元60可以藉由如濺鍍法、熱蒸鍍法、化學氣相沉積法（CVD）、電漿輔助化學氣相沉積法（PECVD）、離子束輔助沉積法（IBAD）、或原子層沉積法（ALD）的處理所形成。
第2圖至第11圖為依序描繪根據本發明的實施例的有機發光裝置的製造方法的示意性橫截面圖。
參照於第2圖，緩衝層12形成於基板10上，而驅動薄膜電晶體單元20形成於緩衝層12上。於本實施例中，描繪其中有機發光裝置1包含底部閘極薄膜電晶體的情況作為薄膜電晶體的實例。然而，有機發光裝置1可以包含具有另一種類型如頂部閘極薄膜電晶體的薄膜電晶體。
基板10可以為透明玻璃基板，或可以使用各種合適材料的基板如塑料基板、金屬基板等等。
驅動薄膜電晶體 N1可以包含閘極電極21、主動層23、源極電極25s及汲極電極25d。
平坦化層26可以形成以覆蓋驅動薄膜電晶體 N1。平坦化層26可以以各種合適的結構形成，且例如，平坦化層26可以由有機材料，如苯並環丁烯（BCB）或丙烯酸類，或無機材料如SiNx所形成。
為有機發光裝置1的一個電極的第一像素電極32形成於平坦化層26上，並且通過接觸孔31電連接到汲極電極25d。
第一像素電極32可以形成為透光電極或反射電極。當第一像素電極32形成為透光電極時，第一像素電極32可以由氧化銦錫（ITO）、氧化銦鋅（IZO）、氧化鋅（ZnO）及/或氧化銦（In2 O3 ）所形成。當第一像素電極32形成為反射電極時，第一像素電極32可以包含由銀（Ag）、鎂（Mg）、鋁（Al）、鉑（Pt）、鈀（Pd）、金（Au）、鎳（Ni）、釹（Nd）、銥（Ir）、鉻（Cr）或其化合物所形成的反射層，以及由ITO、IZO、ZnO及/或In2 O3 所形成的透光層。
隨後，導電薄膜34形成於平坦化層26上以覆蓋第一像素電極32。
導電薄膜34可以由導電材料所形成。導電材料可以具有約100nm或更小的厚度。例如，導電材料可以為酞菁化合物 (如銅酞菁)、DNTPD（N,N'-二苯基- N,N'-二-[4-（苯基-間甲苯基-氨基）-苯基]-聯苯基-4,4'-二胺）、m-MTDATA（4,4',4"-三（3-甲基苯基苯基氨基）三苯胺）、TDATA（4,4'4"-三（N,N-二苯基氨基）三苯胺）、2T-NATA（4,4',4"-三{N,-（2-萘基）-N-苯基氨基} -三苯胺）、PEDOT / PSS（聚（3,4-乙烯二氧噻吩）/聚（4-苯乙烯磺酸鹽））、Pani / DBSA（聚苯胺/十二烷基苯磺酸）、Pani / CSA（聚苯胺/樟腦磺酸）、及/或PANI / PSS（聚苯胺）/聚（4-苯乙烯磺酸鹽）。然而，本實施例的技術精神並不受限於此。而且，導電薄膜34可以由真空蒸鍍法、旋轉塗佈法、噴墨印刷法、網版印刷法、噴霧印刷法、及/或熱轉印法所形成。然而，本實施例的技術精神並不受限於此。而且，例如，導電薄膜34的導電率可以為約10­-5 至約10­-3 S/cm。例如，導電薄膜34的功函數可以為約5.0至約5.7 eV。導電薄膜34將第一像素電極32電連接到形成於第一像素電極32上的HIL（第7圖的40）。雖然未顯示，導電薄膜34可以被圖案化以防止導電薄膜34與對應像素的第一像素電極32以外的像素中的每個的第一像素電極之間的短路。
參照於第3圖及第4圖，導電材料36'塗覆於導電薄膜34上。導電材料36'的厚度可以為約1至約10 nm。而且，導電材料36'可以由真空蒸鍍法、旋轉塗佈法、噴墨印刷法、網版印刷法、噴霧印刷法、及/或熱轉印法所形成。然而，本實施例的技術精神並不受限於此。
隨後，藉由使用（利用）包含阻擋單元M1及傳送單元M2的遮罩M，形成導電圖案36以曝露導電薄膜34的頂部之部分。
導電材料36'藉由曝光設備通過遮罩M曝光、顯影及蝕刻，從而形成導電圖案36。然而，形成導電圖案36的方法並不受限於使用遮罩M的方法。
參照於第5圖及第6圖，絕緣材料38'形成於導電圖案36上；並藉由烘乾絕緣材料38'，絕緣層38形成於導電圖案36上。絕緣材料38'的厚度可以為約10至約90 nm。絕緣層38可以由絕緣材料如氧化矽或氮化矽所形成，或可以由絕緣有機材料所形成。而且，絕緣材料38'可以由凹版塗佈法、狹縫塗佈法、棒塗佈法、噴霧塗佈法、真空過濾法、旋轉塗佈法、電泳沉積法、流延法、噴墨印刷法及/或膠版印刷法所形成。然而，本實施例的技術精神並不受限於此。
導體圖案36及絕緣層38包含開口H以曝露導電薄膜34的頂部之部分，並作為像素定義層。
參照於第7圖，HIL40形成於絕緣層38及導電薄膜34上以覆蓋導電薄膜34的曝露的頂部。
HIL40可以由酞菁(如銅酞菁)、DNTPD（N,N'-二苯基- N,N'-二-[4-（苯基-間甲苯基-氨基）-苯基]-聯苯基-4,4'-二胺）、m-MTDATA（4,4',4"-三（3-甲基苯基苯基氨基）三苯胺）、TDATA（4,4'4"-三（N,N-二苯基氨基）三苯胺）、2T-NATA（4,4',4"-三{N,-（2-萘基）-N-苯基氨基} -三苯胺）、PEDOT / PSS（聚（3,4-乙烯二氧噻吩）/聚（4-苯乙烯磺酸鹽））、Pani / DBSA（聚苯胺/十二烷基苯磺酸）、Pani / CSA（聚苯胺/樟腦磺酸）、及/或PANI/ PSS（聚苯胺）/聚（4-苯乙烯磺酸鹽）所形成，但是並不受限於此。而且，HIL40可以由各種合適的方法如真空蒸鍍法、旋轉塗佈法、流延法或LB法所形成。
參照於第8圖及第9圖，電洞傳輸材料42'形成於HIL40上。
電洞傳輸材料42'可以為三苯胺系材料（如N-苯基咔唑）、咔唑系材料（如聚乙烯咔唑）、TPD（N,N'-二（3-甲基苯基）-N,N'-二苯基-[1,1-聯苯]-4,4'-二胺）、NPB（N,N'-二（1-萘基）-N,N'-二苯基聯苯胺）、及/或TCTA（4,4',4"-三（N-咔唑基）三苯胺），但是並不受限於此。
電洞傳輸材料42'可以由真空蒸鍍法、旋轉塗佈法、噴墨印刷法、網版印刷法、噴霧印刷法、及/或熱轉印法所形成。然而，本實施例的技術精神並不受限於此。
隨後，HTL42藉由使用（利用）包含阻擋單元M1及傳送單元M2的遮罩M形成。
HTL42包含堤岸區L，並於後續的處理中，HTL42作為其中印刷發光材料（第10圖的50'）的像素堤岸。而且，當印刷發光材料時，可以對HTL42的表面進行疏水處理以防止發光材料（第10圖的50'）溢出。
參照於第10圖，發光材料50'形成於由HTL42所限定（定義）的堤岸區L上。
發光材料50'可以於HTL42上由各種合適的方法如噴墨印刷法、噴嘴印刷法、凹版印刷法、網版印刷法、噴霧印刷法或靜電噴塗印刷法所形成。
發光材料50'可以形成以包含基質材料及摻質材料。
例如，基質材料可以使用Alq3（三（8-羥基-喹啉鋁））、CBP（4,4'-二（N-咔唑基）-1,1'-聯苯）、PVK（聚（n-乙烯咔唑））、AND（9,10-二（萘-2-基）蒽）、TCTA（4,4',4"-三（咔唑-9-基）-三苯胺）、TPBI（1,3,5-三（N-苯基苯並咪唑-2-基）苯）、TBADN（3-叔丁基-9,10-二（萘-2-基）蒽）、DSA（二苯乙烯伸芳基）、E3及/或CDBP（4,4'-二（9-咔唑基）-2,2'-二甲基-聯苯），但是並不受限於此。
例如，摻質材料可以使用PtOEP（鉑(II) 八乙基卟吩）、Ir(piq)3（三（2-苯基異喹啉）銥）、Btp2Ir (acac)（二（2-（2'-苯並噻吩基）-吡啶-N,C3'）銥（乙醯丙酮））、Ir(ppy)3（三（2-苯基吡啶）銥）、Ir(ppy)2(acac)（二（2-苯基吡啶）（乙醯丙酮）銥（Ⅲ））、Ir(mppy)3（三（2-（4-甲苯基）苯基吡啶）銥）、C545T（10-（2-苯並噻唑基）-1,1,7,7-四甲基-2,3,6,7-四氫-1H,5H,11H-[1]苯並吡喃[6,7,8-ij]-喹嗪-11-酮）、F2Irpic（二[3,5-二氟-2-（2-吡啶基）苯基]（吡啶甲酸）銥（III））、(F2ppy)2Ir(tmd)、Ir(dfppz)3、DPVBi（4,4'-二（2,2'-二苯基乙烯-1-基）聯苯）、DPAVBi（4,4'-二[4-（二苯胺基）苯乙烯基]聯苯）及/或TBPe（2,5,8,11-四-叔丁基苝），但是並不受限於此。
參照於第11圖，EML50藉由烘乾發光材料50'而形成。
隨後，ETL52及EIL54可以額外地形成於EML50上。
隨後，設置相對於第一像素電極32的第二像素電極56形成於EIL54上。
第二像素電極56可以形成為透光電極或反射電極。當第二像素電極56形成為透光電極時，第二像素電極56可以包含中間層，其藉由沉積Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或其化合物所形成以形成中間層，並且輔助電極或匯流排電極線（其由透光導電材料如ITO、IZO、ZnO或In2 O3 所形成）利用中間層而形成。當第二像素電極56形成為反射電極時，第二像素電極56可以由Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg或其化合物所形成。
封裝單元60形成於發光單元30上。
封裝單元60可以由交替地設置的一層或多層無機層及一層或多層有機層所形成。可選地，封裝單元60可以由一層或多層無機層所形成。
無機層纖薄但具有高密度，並因此可以作為對氧及氫的屏障（例如，具有阻隔特性）。因此，有機層減輕無機層的應力，並進行平坦化的功能。
封裝單元60可以藉由如濺鍍法、熱蒸鍍法、化學氣相沉積法（CVD）、電漿輔助化學氣相沉積法（PECVD）、離子束輔助沉積法（IBAD）、或原子層沉積法（ALD）的處理所形成。
根據本實施例，由於導電圖案36及絕緣層38可以形成作為像素定義層並形成為具有纖薄厚度，所以EML50可以藉由於HTL42的堤岸區L上印刷少量的發光材料50'而形成。
所以，相較於印刷大量的發光材料50'時，由於使用少量的發光材料50'，防止於烘乾中EML50的薄膜均勻度被劣化，並且改善了EML50的薄膜均勻度，因而提高了有機發光裝置的可靠度。
如以上所述，根據本發明以上的一個或多個實施例，使用（利用）印刷方法的有機發光裝置防止光從發光單元的邊緣區域發出，從而提昇所提取光的質量。
應當理解的是，於本文中所描述的例示性實施例應該被視為僅是描述的意思而不是用於限制的目的。於每個實施例內的特徵或態樣的描述應該通常地被視為可用於其它實施例中的其他類似特徵或態樣。
雖然已經參照附圖描述本發明的一個或多個實施例，本領域中的通常知識者將理解，於不背離由以下的專利申請範圍及其等效物所定義的本發明的精神及範圍下，可以於形式及細節上作出各種的改變。
1‧‧‧有機發光裝置
10‧‧‧基板
12‧‧‧緩衝層
20‧‧‧驅動薄膜電晶體單元
21‧‧‧閘極電極
22‧‧‧閘極絕緣層
23‧‧‧主動層
23c‧‧‧通道區
23d‧‧‧汲極區
23s‧‧‧源極區
25d‧‧‧汲極電極
25s‧‧‧源極電極
26‧‧‧平坦化層
30‧‧‧發光單元
31‧‧‧接觸孔
32‧‧‧第一像素電極
34‧‧‧導電薄膜
36‧‧‧導電圖案
36'‧‧‧導電材料
38‧‧‧絕緣層
38'‧‧‧絕緣材料
40‧‧‧電洞注入層
42‧‧‧電洞傳輸層
42'‧‧‧電洞傳輸材料
50‧‧‧發光層
50'‧‧‧發光材料
52‧‧‧電子傳輸層
54‧‧‧電子注入層
56‧‧‧第二像素電極
60‧‧‧封裝單元
H‧‧‧開口
L‧‧‧堤岸區
M‧‧‧遮罩
M1‧‧‧阻擋單元
M2‧‧‧傳送單元
N1‧‧‧驅動薄膜電晶體
這些及/或其它態樣將結合附圖自以下實施例的描述變得清晰並更加容易理解，其中：
第1圖為描繪根據本發明的實施例的有機發光裝置的示意性橫截面圖；以及
第2圖至第11圖為依序描繪根據本發明的實施例的有機發光裝置的製造方法的示意性橫截面圖。
1‧‧‧有機發光裝置
10‧‧‧基板
12‧‧‧緩衝層
20‧‧‧驅動薄膜電晶體單元
21‧‧‧閘極電極
22‧‧‧閘極絕緣層
23‧‧‧主動層
23c‧‧‧通道區
23d‧‧‧汲極區
23s‧‧‧源極區
25d‧‧‧汲極電極
25s‧‧‧源極電極
26‧‧‧平坦化層
30‧‧‧發光單元
31‧‧‧接觸孔
32‧‧‧第一像素電極
34‧‧‧導電薄膜
36‧‧‧導電圖案
38‧‧‧絕緣層
40‧‧‧電洞注入層
42‧‧‧電洞傳輸層
50‧‧‧發光層
52‧‧‧電子傳輸層
54‧‧‧電子注入層
56‧‧‧第二像素電極
60‧‧‧封裝單元
H‧‧‧開口
L‧‧‧堤岸區
N1‧‧‧驅動薄膜電晶體

Claims (10)

  1. 一種有機發光裝置，其包含： 一第一像素電極，位於一基板上； 一導電薄膜，位於該基板上並配置為覆蓋該第一像素電極； 一導電圖案及一絕緣層，依序形成於該導電薄膜上，並且該導電圖案及該絕緣層具有一開口以曝露該導電薄膜的一頂部的一部分； 一電洞注入層，位於該開口及該絕緣層上以覆蓋該導電薄膜曝露的該部分； 一電洞傳輸層，形成於該開口及該電洞注入層的一部分區域；以及 一發光層，位於該電洞傳輸層上。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該導電薄膜的導電率為約10­-5 至約10­-3 S/cm，而該導電薄膜一功函數為約5.0至約5.7 eV。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該電洞注入層係形成以圍繞該絕緣層的曝露的一側表面及該導電圖案的曝露的一側表面。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中，該導電圖案的厚度為約1至約10nm，以及   該絕緣層的厚度為約10至約90nm。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中皆具有該開口該導電圖案及該絕緣層形成一像素定義層。
  6. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該電洞傳輸層包含該發光層形成於其中的一堤岸區。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該絕緣層係藉由凹版塗佈法、狹縫塗佈法、棒塗佈法、噴霧塗佈法、真空過濾法、旋轉塗佈法、電泳沉積法、流延法、噴墨印刷法、膠版印刷法、或其組合所形成。
  8. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該發光層係藉由噴墨印刷法、噴嘴印刷法、凹版印刷法、網版印刷法、噴霧印刷法、靜電噴塗印刷法、或其組合所形成。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其進一步包含： 一電子傳輸層，位於該發光層上；以及 一電子注入層，位於該電子傳輸層上。
  10. 如申請專利範圍第1項所述之有機發光裝置，其中該電洞注入層係由酞菁化合物、DNTPD（N,N'-二苯基- N,N'-二-[4-（苯基-間甲苯基-氨基）-苯基]-聯苯基-4,4'-二胺）、m-MTDATA（4,4',4"-三（3-甲基苯基苯基氨基）三苯胺）、TDATA（4,4'4"-三（N,N-二苯基氨基）三苯胺）、2T-NATA（4,4',4"-三{N,-（2-萘基）-N-苯基氨基} -三苯胺）、PEDOT / PSS（聚（3,4-乙烯二氧噻吩）/聚（4-苯乙烯磺酸鹽））、Pani/ DBSA（聚苯胺/十二烷基苯磺酸）、Pani/ CSA（聚苯胺/樟腦磺酸）、PANI/ PSS（聚苯胺）/聚（4-苯乙烯磺酸鹽）、或其組合所形成。
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