JP6508255B2

JP6508255B2 - 電気光学装置および電子機器

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Inventors: 藤川　紳介; 紳介藤川
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Description

本発明は、半導体センサーが設けられた電気光学装置、および電子機器に関するものである。

液晶装置等の電気光学装置は、表示領域に画素トランジスターおよび画素電極を備えた第１基板と、画素電極に対向する共通電極が形成された第２基板と、第１基板と第２基板との間に設けられた電気光学層とを有しており、画素電極と共通電極との間で電気光学層を駆動する。第２基板には、表示領域の外縁とシール材との間に沿って延在する枠状領域に見切り用遮光層が形成されている。このように構成した電気光学装置では、第２基板の側から照射された光源光を変調して画像を表示する。

電気光学装置では、光源光の照射によって電気光学層の温度が上昇し、表示性能や寿命が低下することがある。このため、第１基板に抵抗線等を温度センサーとして設け、電気光学層等の温度を監視する技術が提案されている（特許文献１参照）。特許文献１では、表示領域の外縁に沿って抵抗線（温度センサー）を配置した構造が提案されている。

特開２００９−１０３７８０号公報

電気光学層の温度等を高い感度で検出するには、大面積を有する大型の半導体センサーを表示領域の近傍に配置する必要がある。しかしながら、表示領域の外周領域のうち、表示領域の近傍には、データ線駆動回路等の信号出力回路が設けられており、信号出力回路から表示領域に向けて走査線等の信号線が延在している。このため、表示領域とデータ線駆動回路等の信号出力回路との間に大型の半導体センサーを設けることが困難である。

以上の問題点に鑑みて、本発明の課題は、表示領域に近い位置に感度の高い半導体センサーを設けることのできる半導体センサーを設けることのできる電気光学装置、および電子機器を提供することにある。

上記課題を解決するため、本発明に係る電気光学装置の一態様は、第１基板の一方面側に、表示領域内で第１方向に延在する複数の第１信号線と、前記表示領域内で前記第１方向と交差する第２方向に延在する複数の第２信号線と、前記第１信号線と前記第２信号線との交差に対応して設けられた画素電極と、半導体センサーと、を有し、前記半導体センサーは、前記表示領域の少なくとも１辺に沿って配置された複数のセンサーエレメントと、前記複数のセンサーエレメントを電気的に接続する電極と、を有することを特徴とする。

本発明では、表示領域の辺に沿って半導体センサーを設けたため、半導体センサーと表示領域とが近い。従って、表示領域の温度等を適正に監視することができる。また、表示領域の辺に沿う領域には、複数の第１信号線または複数の第２信号線が延在しているため、大型の半導体センサーを設けることが困難であるが、本発明では、半導体センサーを複数のセンサーエレメントに分割して表示領域の辺に沿って配置し、複数のセンサーエレメントを電気的に接続している。従って、半導体センサーは、大型の半導体センサーと同等の高い感度を有する。

本発明において、前記複数のセンサーエレメントは、前記第１信号線の配線ピッチ、前記第２信号線の配線ピッチ、および前記画素電極のピッチの何れかのピッチに対するｎ倍（ｎは１以上の整数）の間隔で設けられている態様を採用することができる。かかる態様によれば、表示領域の辺に沿う領域において、複数の第１信号線や複数の第２信号線を避けるようにセンサーエレメントを配置することができる。

本発明において、前記表示領域の少なくとも１辺には、前記複数のセンサーエレメントの構成要素の一部が欠如したダミー素子が設けられている態様を採用することができる。かかる態様によれば、センサーエレメントの有無に起因する局所的な凹凸差が発生しにくい。良好な表示特性を実現するためには表示領域の平坦化が重要である。表示領域の良好な平坦化には、表示領域周辺領域において局所的な極端な段差を回避する必要がある。本発明では、ダミー素子の形成によって、周辺領域の平坦性を乱しにくくすることができるので、表示不良を難くすることができる。また、配線パターンの粗密感を保つことになるので、微細加工上好適な構成となる。

本発明において、前記半導体センサーは、ダイオード温度センサーであって、前記複数のセンサーエレメントは各々、前記電極によって接続されたダイオード素子である態様を採用することができる。

本発明において、前記半導体センサーは、少なくとも前記表示領域の前記第１方向の一方側に位置する辺に沿って配置され、前記第１信号線が前記ダイオード素子と平面視で重なっていない態様を採用することができる。かかる態様によれば、第１信号線とダイオード素子との間に電気的な干渉が発生しにくい。本発明において、前記半導体センサーは、少なくとも前記表示領域の前記第１方向の一方側に位置する辺に沿って配置され、前記第１信号線の一部は、前記ダイオード素子と平面視で重なっており、前記第１基板には、前記ダイオード素子を構成する半導体層と同層のセンサー用半導体層を備えたトランジスターが形成されており、前記第１信号線の前記一部は、前記トランジスターでゲート絶縁層上に配置されたゲート電極を構成する導電層以外の導電層によって構成されている態様を採用してもよい。かかる態様によれば、第１信号線とダイオード素子との間に電気的な干渉が発生しにくい。

本発明において、前記第１基板の前記一方面と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、を有し、前記半導体センサーに対して前記第２基板の側には、前記表示領域を囲むように形成された遮光層と、前記半導体センサーに平面視で重なる透光部と、が設けられている態様を採用することができる。かかる態様によれば、半導体センサーと平面視で重なる部分の電気光学層にも、透光部を介して光源光が照射されるので、表示領域の電気光学層の温度と半導体センサーと平面視で重なる位置にある電気光学層との温度差が小さい、従って、温度センサーでの監視結果は、表示領域の電気光学層の温度との誤差が小さい。

本発明において、前記第１信号線は、走査線であり、前記第２信号線は、データ線である態様を採用することができる。

本発明を適用した液晶装置は、直視型表示装置や投射型表示装置等の各種電子機器に用いることができる。電子機器が投射型表示装置である場合、投射型表示装置は、前記液晶装置に供給される光を出射する光源部と、前記液晶装置によって変調された光を投射する投射光学系と、を有している。

本発明の実施形態１に係る電気光学装置の構成例を示す平面図である。図１に示す電気光学装置の断面を模式的に示す説明図である。図１に示す電気光学装置の電気的構成を示すブロック図である。図１に示す液晶装置の画素の構成例を模式的に示す断面図である。図１に示す電気光学装置における温度検出のための電気的構成を示す説明図である。図１に示す電気光学装置の走査線駆動回路と表示領域の第１辺との間の平面構成を模式的に示す説明図である。図６に示す半導体センサーの回路図である。図６に示す半導体センサーの平面構成を模式的に示す説明図である。図６に示す半導体センサーの断面構成を模式的に示す説明図である。本発明の実施形態２に係る電気光学装置に形成した半導体センサーの平面構成を模式的に示す説明図である。本発明の実施形態３に係る電気光学装置に形成した半導体センサーの平面構成を模式的に示す説明図である。本発明の実施形態４に係る電気光学装置に形成した半導体センサーの平面構成を模式的に示す説明図である。本発明の実施形態５に係る電気光学装置に形成した半導体センサーの平面構成を模式的に示す説明図である。本発明の実施形態６に係る電気光学装置に形成した半導体センサーの平面構成を模式的に示す説明図である。本発明の実施形態７に係る電気光学装置に形成した半導体センサーの回路図である。図１５に示す半導体センサーの平面構成を模式的に示す説明図である。本発明の実施形態８に係る電気光学装置に形成した半導体センサーの平面構成を模式的に示す説明図である。本発明の実施形態９に係る電気光学装置に形成した半導体センサーの平面構成を模式的に示す説明図である。本発明の実施形態１０に係る電気光学装置における温度検出のための電気的構成を示す説明図である。図１９に示す半導体センサーの回路図である。本発明の実施形態１１に係る電気光学装置に形成した半導体センサーの断面構成を模式的に示す説明図である。本発明を適用した電気光学装置を用いた投射型表示装置（電子機器）の説明図である。

図面を参照して、本発明の実施形態を説明する。なお、以下の説明で参照する図においては、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。また、第１基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは第１基板の基板本体が位置する側とは反対側（対向基板および液晶層が位置する側）を意味し、下層側とは第１基板の基板本体が位置する側を意味する。第２基板に形成される層を説明する際、上層側あるいは表面側とは対向基板の基板本体が位置する側とは反対側（第１基板および液晶層が位置する側）を意味し、下層側とは第２基板の基板本体が位置する側を意味する。また、本発明において、「平面視」とは第１基板１０または第２基板２０に対する法線方向からみた様子を意味する。

［実施形態１］
（電気光学装置１００の具体的構成）
図１は、本発明に実施形態１に係る電気光学装置１００の構成例を示す平面図である。図２は、図１に示す電気光学装置１００の断面を模式的に示す説明図である。図１および図２に示す電気光学装置１００は液晶装置であり、液晶パネル１００ｐを有している。電気光学装置１００では、第１基板１０と第２基板２０とが所定の隙間を介してシール材１０７によって貼り合わされており、シール材１０７は第２基板２０の外縁に沿うように枠状に設けられている。シール材１０７は、光硬化樹脂や熱硬化性樹脂等からなる接着剤であり、両基板間の距離を所定値とするためのグラスファイバー、あるいはガラスビーズ等のギャップ材１０７ａが配合されている。液晶パネル１００ｐにおいて、第１基板１０と第２基板２０との間のうち、シール材１０７によって囲まれた領域内には、電気光学層５０が設けられている。シール材１０７には、液晶注入口として利用される途切れ部分１０７ｃが形成されており、かかる途切れ部分１０７ｃは、液晶材料の注入後、封止材１０８によって塞がれている。なお、液晶材料を滴下法で封入する場合は、途切れ部分１０７ｃは形成されない。第１基板１０および第２基板２０はいずれも四角形であり、電気光学装置１００の略中央には、表示領域１０ａが四角形の領域として設けられている。かかる形状に対応して、シール材１０７も略四角形に設けられ、表示領域１０ａの外側は、四角枠状の外周領域１０ｃになっている。

第１基板１０には、外周領域１０ｃのうち、表示領域１０ａの第１方向Ｘに位置する第１辺１０ａ１に沿うように走査線駆動回路１０４（第１回路）が形成されている。第１基板１０において第２基板２０から第２方向Ｙに出している側の端部には、複数の端子１０２が形成されており、外周領域１０ｃのうち、表示領域１０ａの第２方向Ｙの端子１０２とは反対側の第２辺に沿うように検査回路１０５（第２回路）が設けられている。また、また、第１基板１０には、外周領域１０ｃのうち、第１辺１０ａ１に第１方向Ｘで対向する第３辺１０ａ３に沿うように走査線駆動回路１０４が形成されている。さらに、第１基板１０には、外周領域１０ｃのうち、第２辺１０ａ２に第２方向Ｙで対向する第４辺１０ａ４に沿うようにデータ線駆動回路１０１が形成されている。

第１基板１０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体１０ｗを有しており、第１基板１０（基板本体１０ｗ）の一方面１０ｓおよび他方面１０ｔのうち、第２基板２０と対向する一方面１０ｓの側において、表示領域１０ａには、複数の画素トランジスター、および複数の画素トランジスターの各々に電気的に接続する画素電極９ａがマトリクス状に形成されている。画素電極９ａの上層側には第１配向膜１６が形成されている。第１基板１０の一方面１０ｓの側において、外周領域１０ｃのうち、表示領域１０ａの外縁とシール材１０７との間に沿って延在する四角形の枠状領域１０ｂには、表示領域１０ａの辺に沿って延在する部分に、画素電極９ａと同時形成されたダミー画素電極９ｂが形成されている。

第２基板２０は、石英基板やガラス基板等の透光性の基板本体２０ｗを有しており、第２基板２０（基板本体２０ｗ）の一方面２０ｓおよび他方面２０ｔのうち、第１基板１０と対向する一方面２０ｓの側には共通電極２１が形成されている。共通電極２１は、第２基板２０の略全面あるいは複数の帯状電極として複数の画素１００ａに跨って包含した領域として形成されている。本実施形態において、共通電極２１は、第２基板２０の略全面に形成されている。

第２基板２０の一方面２０ｓの側において、枠状領域１０ｂには、共通電極２１の下層側に遮光層２９が形成され、共通電極２１の電気光学層５０側の表面には第２配向膜２６が積層されている。遮光層２９と共通電極２１との間には透光性の平坦化膜２２が形成されている。遮光層２９は、枠状領域１０ｂに沿って延在する見切り用遮光層２９ａとして形成されており、見切り用遮光層２９ａの内縁によって、表示領域１０ａが規定されている。遮光層２９は、隣り合う画素電極９ａにより挟まれた画素間領域１０ｆに重なるブラックマトリクス部２９ｂとしても形成されている。見切り用遮光層２９ａはダミー画素電極９ｂと平面的に重なる位置に形成されており、見切り用遮光層２９ａの外周縁は、シール材１０７の内周縁との間に隙間を隔てた位置にある。従って、見切り用遮光層２９ａとシール材１０７とは重なっていない。見切り用遮光層２９ａ（遮光層２９）は、遮光性の金属膜や黒色の樹脂によって構成されている。

第１配向膜１６および第２配向膜２６は、ＳｉＯ_Ｘ（ｘ≦２）、ＴｉＯ_２、ＭｇＯ、Ａｌ_２Ｏ_３等の斜方蒸着膜からなる無機配向膜であり、カラムと称せられる柱状体が第１基板１０および第２基板２０に対して斜めに形成された柱状構造体層からなる。従って、第１配向膜１６および第２配向膜２６は、電気光学層５０に用いた負の誘電異方性を備えたネマチック液晶分子を第１基板１０および第２基板２０に対して斜め傾斜配向させ、液晶分子にプレチルトを付している。このようにして、電気光学装置１００は、ノーマリブラックのＶＡ（Vertical Alignment）モードの液晶装置として構成されている。

電気光学装置１００において、シール材１０７より外側には、第２基板２０の一方面２０ｓの側の４つの角部分に基板間導通用電極部２４ｔが形成されており、第１基板１０の一方面１０ｓの側には、第２基板２０の４つの角部分（基板間導通用電極部２４ｔ）と対向する位置に基板間導通用電極部６ｔが形成されている。基板間導通用電極部６ｔは、共通電位線６ｓに導通しており、共通電位線６ｓは、端子１０２のうち、共通電位印加用の端子１０２ａに導通している。基板間導通用電極部６ｔと基板間導通用電極部２４ｔとの間には、導電粒子を含んだ基板間導通材１０９が配置されており、第２基板２０の共通電極２１は、基板間導通用電極部６ｔ、基板間導通材１０９および基板間導通用電極部２４ｔを介して、第１基板１０側に電気的に接続されている。このため、共通電極２１は、第１基板１０の側から共通電位が印加されている。

本実施形態の電気光学装置１００は透過型液晶装置である。従って、画素電極９ａおよび共通電極２１は、ＩＴＯ（Indium Tin Oxide）膜やＩＺＯ（Indium Zinc Oxide）膜等の透光性導電膜により形成されている。かかる電気光学装置１００（透過型液晶装置）では、第２基板２０の側から入射した光源光Ｌが第１基板１０から出射される間に変調されて画像を表示する。

電気光学装置１００は、モバイルコンピューター、携帯電話機等といった電子機器のカラー表示装置として用いることができ、この場合、第２基板２０あるいは第１基板１０には、カラーフィルター（図示せず）が形成される。また、電気光学装置１００は、後述する投射型表示装置（液晶プロジェクター）において、ＲＧＢ用のライトバルブとして用いることができる。この場合、ＲＧＢ用の各電気光学装置１００の各々には、例えば、ＲＧＢ色分解用のダイクロイックミラーを介して分解された各色の光が投射光として各々入射されることになるので、カラーフィルターは形成されない。

（透光部２９ｅの構成）
表示領域１０ａの外側の枠状領域１０ｂにおいて、走査線駆動回路１０４と表示領域１０ａの第１辺１０ａ１との間に位置する部分には、見切り用遮光層２９ａより光透過性が高い透光部２９ｅが第１辺１０ａ１に沿うように形成されている。かかる透光部２９ｅは、遮光層２９（見切り用遮光層２９ａ）に形成された開口部２９ｆからなる。なお、本形態では、走査線駆動回路１０４と表示領域１０ａの第３辺１０ａ３との間に位置する部分にも見切り用遮光層２９ａより光透過性が高い透光部２９ｅが第３辺１０ａ３に沿うように形成されている。

電気光学装置１００を投射型表示装置等に搭載する際、電気光学装置１００は、液晶パネル１００ｐの外周領域１０ｃを第２基板２０の側から覆う枠状の板部１１０を備えたホルダ（図示せず）に保持される。ここで、板部１１０の内縁１１１は、見切り用遮光層２９ａの内縁と重なる位置よりわずかに外側に位置する。従って、光源光Ｌの一部は、透光部２９ｅに入射する。また、板部１１０が見切り用遮光層２９ａを完全に覆うように配置される場合、板部１１０において透光部２９ｅと平面視で重なる位置には透光窓が形成される。

（電気光学装置１００の電気的構成）
図３は、図１に示す電気光学装置１００の電気的構成を示すブロック図である。図３において、電気光学装置１００は、ＶＡモードの液晶パネル１００ｐを備えており、液晶パネル１００ｐは、その中央領域に複数の画素１００ａがマトリクス状に配列された表示領域１０ａを備えている。液晶パネル１００ｐにおいて、図１および図２等を参照して説明した第１基板１０では、表示領域１０ａの内側には、走査線駆動回路１０４に接続された複数本の走査線３ａ（第１信号線）、およびデータ線駆動回路１０１に接続された複数本のデータ線６ａ（第２信号線）が各々、第１方向Ｘおよび第２方向Ｙに延在しており、それらの交差部分に対応する位置に画素１００ａが構成されている。また、複数本のデータ線６ａには、第２方向Ｙにおいてデータ線駆動回路１０１とは反対側で検査回路１０５が電気的に接続している。複数の画素１００ａの各々には、電界効果型トランジスター等からなる画素トランジスター３０、および画素トランジスター３０に電気的に接続された画素電極９ａが形成されている。画素トランジスター３０のソースにはデータ線６ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のゲートには走査線３ａが電気的に接続され、画素トランジスター３０のドレインには、画素電極９ａが電気的に接続されている。データ線６ａには画像信号が供給され、走査線３ａには走査信号が供給される。

各画素１００ａにおいて、画素電極９ａは、図１および図２を参照して説明した第２基板２０の共通電極２１と電気光学層５０を介して対向し、液晶容量５０ａを構成している。各画素１００ａには、液晶容量で保持される画像信号の変動を防ぐために、液晶容量と並列に保持容量５５が付加されている。本実施形態では、保持容量５５を構成するために、第１基板１０には、複数の画素１００ａに跨って延在する容量線５ｂが形成されており、容量線５ｂには共通電位が供給されている。本実施形態において、容量線５ｂは走査線３ａに沿って第１方向Ｘに延在している。

（画素１００ａの具体的構成）
図４は、図１に示す電気光学装置１００の画素１００ａの構成例を模式的に示す断面図である。図４に示すように、第１基板１０の一方面１０ｓ側には、導電性ポリシリコン膜、金属シリサイド膜、金属膜あるいは金属化合物膜等の導電膜からなる下層側の遮光層４ａが形成されている。本実施形態において、遮光層４ａは、タングステンシリサイド（ＷＳｉ）等の遮光膜からなる。遮光層４ａの上層側には、透光性の絶縁膜１１が形成されており、かかる絶縁膜１１の表面側に、半導体層３０ａを備えた画素トランジスター３０が形成されている。本実施形態において、絶縁膜１１はシリコン酸化膜等からなる。

画素トランジスター３０は、半導体層３０ａと、半導体層３０ａと交差する走査線３ａ（ゲート電極３０ｇ）とを備えており、半導体層３０ａとゲート電極３０ｇとの間に透光性のゲート絶縁層３０ｂを有している。半導体層３０ａは、ポリシリコン膜（多結晶シリコン膜）等によって構成されている。本実施形態において、画素トランジスター３０は、ＬＤＤ構造を有している。ゲート絶縁層３０ｂは、半導体層３０ａを熱酸化したシリコン酸化膜からなるゲート絶縁層と、減圧ＣＶＤ法等により形成されたシリコン酸化膜からなる第２ゲート絶縁層との２層構造からなる。なお、遮光層４ａを走査線３ａとし、ゲート電極３０ｇをゲート絶縁層３０ｂおよび絶縁膜１１を貫通するコンタクトホール（図示せず）を介して遮光層４ａ（走査線３ａ）と電気的に接続することもある。

ゲート電極３０ｇの上層側には、シリコン酸化膜等からなる透光性の層間絶縁膜１２、１３、１４（複数層の絶縁層）が順に形成されており、層間絶縁膜１２、１３、１４の間等を利用して、図３を参照して説明した保持容量５５が構成されている。本実施形態では、層間絶縁膜１２と層間絶縁膜１３との間にデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂが形成されており、層間絶縁膜１３と層間絶縁膜１４との間に中継電極７ａが形成されている。データ線６ａは、層間絶縁膜１２およびゲート絶縁層３０ｂを貫通するコンタクトホール１２ａを介して半導体層３０ａのソース領域に電気的に接続している。ドレイン電極６ｂは、層間絶縁膜１２およびゲート絶縁層３０ｂを貫通するコンタクトホール１２ｂを介して半導体層３０ａのドレイン領域に電気的に接続している。中継電極７ａは、層間絶縁膜１３を貫通するコンタクトホール１３ａを介してドレイン電極６ｂに電気的に接続している。層間絶縁膜１４は、表面が平坦面になっており、層間絶縁膜１４の表面側（電気光学層５０の側の面側）には画素電極９ａが形成されている。画素電極９ａは、層間絶縁膜１４を貫通するコンタクトホール１４ａを介して中継電極７ａに導通している。従って、画素電極９ａは、中継電極７ａおよびドレイン電極６ｂを介して画素トランジスター３０のドレイン領域に電気的に接続している。

（温度センサー８の構成）
図５は、図１に示す電気光学装置１００における温度検出のための電気的構成を示す説明図である。図６は、図１に示す電気光学装置１００の走査線駆動回路１０４と表示領域１０ａの第１辺１０ａ１との間の平面構成を模式的に示す説明図である。図７は、図６に示す半導体センサー８の回路図である。図８は、図６に示す半導体センサー８の平面構成を模式的に示す説明図である。図９は、図６に示す半導体センサー８の断面構成を模式的に示す説明図である。

図５に示すように、電気光学装置１００の第１基板１０において、表示領域１０ａの外側の枠状領域１０ｂには、走査線駆動回路１０４と表示領域１０ａの第１辺１０ａ１との間に半導体センサー８が第１辺１０ａ１に沿うように形成されており、半導体センサー８から延在する配線は、端子１０２のうち、端子１０２ａ１、１０２ｃ１に接続されている。本実施形態では、走査線駆動回路１０４と表示領域１０ａの第３辺１０ａ３との間にも、半導体センサー８が第３辺１０ａ３に沿うように形成されており、半導体センサー８から延在する配線は、端子１０２のうち、端子１０２ａ２、１０２ｃ２に接続されている。なお、半導体センサー８に対して第２方向Ｙで隣り合う位置には、ダミーパターンが形成されることもある。

本形態では、第１辺１０ａ１の付近の平面構成を図６に示すように、見切り用遮光層２９ａの開口部２９ｆ（透光部２９ｅ）と平面視で重なる位置に半導体センサー８が形成されている。本実施形態において、半導体センサー８は、図４に示す画素トランジスター３０の半導体層３０ａと同層のセンサー用半導体層３０ｓを備えたダイオード温度センサー８ａである。なお、図６では説明の容易化のために、見切り用遮光層２９ａについては開口部２９ｆ（透光部２９ｅ）の周囲のみを記載している。典型的には表示領域１０ａ側方向へは表示領域１０ａ最外周の画素電極９ａ端まで延在し、走査線駆動回路１０４（第１回路）側方向へは、液晶パネル１００ｐの外周領域１０ｃを第２基板２０の側から覆う枠状の板部１１０と重なる領域まで延在している。

図７に示すように、半導体センサー８（ダイオード温度センサー８ａ）は、表示領域１０ａの第１辺１０ａに沿って配置された複数のダイオード素子８ｂ（センサーエレメント）と、複数のダイオード素子８ｂを電気的に接続する電極６ｅ〜６ｋとを有している。ダイオード温度センサー８ａでは、所望の感度を得るのに必要な数のダイオード素子８ｂが直列、あるいは並列に電気的接続される。本実施形態では、６つのダイオード素子８ｂが直列に電気的接続された場合を例示してある。大面積の半導体センサーとする場合には、図１５を参照して後述するように、図７に示す半導体センサー８（ダイオード温度センサー８ａ）が複数個配置され、並列に電気的接続される。

ダイオード素子８ｂでは、一定の電流を流した時の順方向電圧が温度によっても変化する。従って、一定の電流を流した時の順方向電圧を測定することにより、ダイオード温度センサー８ａを半導体センサー８として利用することができる。本実施形態では、半導体センサー８によって電気光学層５０の温度を監視し、電気光学装置１００の寿命の監視等に用いる。また、電気光学層５０の温度の監視結果に基づいて、電気光学装置１００での駆動条件を補正してもよい。

本形態では、図８に示すように、複数のダイオード素子８ｂは、走査線駆動回路１０４と表示領域１０ａの第１辺１０ａとの間で延在する複数の走査線３ａの配線ピッチＰａに対するｎ倍（ｎは１以上の整数）の間隔で設けられている。本形態において、複数のダイオード素子８ｂは、走査線駆動回路１０４と表示領域１０ａの第１辺１０ａとの間で延在する複数の走査線３ａの間に配置されており、走査線駆動回路１０４と表示領域１０ａの第１辺１０ａとの間で延在する複数の走査線３ａの配線ピッチＰａに対する１倍のピッチで設けられている。

より具体的には、走査線駆動回路１０４と表示領域１０ａの第１辺１０ａ１との間では、走査線３ａが第１方向Ｘに直線的に延在しており、走査線３ａの各間にセンサー用半導体層３０ｓが形成されている。センサー用半導体層３０ｓには、第１方向Ｘに沿って高濃度Ｐ＋領域、真性半導体層（Ｉ層）および高濃度Ｎ＋領域が順に形成されている。従って、複数の走査線３ａはいずも、ダイオード素子８ｂと平面視で重なっていない。このため、走査線駆動回路１０４から表示領域１０ａまでの走査線３ａの結線にゲート電極３０ｇを構成する配線層を用いることができるので、効率的な配置を実現できる。

ここで、図４を参照して説明した画素トランジスター３０はＮチャネル型薄膜トランジスターであり、走査線駆動回路１０４等では、Ｎチャネル型薄膜トランジスターとＰチャネル型薄膜トランジスターとによって構成されたＣＭＯＳ回路を備えている。従って、Ｎチャネル型薄膜トランジスターおよびＰチャネル型薄膜トランジスターを形成する際、ダイオード素子８ｂを同時に形成することができる。

また、図８および図９に示すように、ダイオード温度センサー８ａの上層側（電気光学層５０の側）の構成は、図４を参照して説明した構造と略同様であり、ダイオード温度センサー８ａと電気光学層５０との間では、複数の層間絶縁膜１２、１３、１４が積層されている。従って、層間絶縁膜１２、１３のいずれかの層間を利用して、ダイオード素子８ｂに接続する複数の電極６ｅ〜６ｋが形成されている。電極６ｅ〜６ｋは、図４に示すデータ線６ａおよびドレイン電極６ｂと同層であり、層間絶縁膜１２、１３の層間に形成されている。従って、電極６ｅ〜６ｋは、層間絶縁膜１２に形成された複数のコンタクトホール１２ｓを介してダイオード素子８ｂのＮ＋層、およびＰ＋層に接続されている。より具体的には、電極６ｅは、負極用の配線として、６つのダイオード素子８ｂのうち、一方端のダイオード素子８ｂのＮ＋層に接続し、図１に示す端子１０２まで延在している。電極６ｋは、正極用の配線として、６つのダイオード素子８ｂのうち、他方端のダイオード素子８ｂのＰ＋層に接続し、図１に示す端子１０２まで延在している。電極６ｆ、６ｇ、６ｈ、６ｉ、６ｊは、中継電極であり、第１方向Ｘに延在した後、第２方向Ｙに屈曲し、さらに第１方向Ｘに延在して、隣り合う２つのダイオード素子８ｂのうちの一方のダイオード素子８ｂのＮ＋層と、他方のダイオード素子８ｂのＰ＋領域に接続している。

なお、走査線駆動回路１０４と表示領域１０ａの第３辺１０ａ３との間にも半導体センサー８が形成されているが、かかる半導体センサー８も、図６、図７、図８および図９を参照して説明した構成と同様な構成を有している。従って、走査線駆動回路１０４と表示領域１０ａの第３辺１０ａ３との間に形成した半導体センサー８の説明を省略する。

（本実施形態の主な効果）
以上説明したように、本実施形態では、走査線駆動回路１０４（第１回路）と表示領域１０ａとの間に半導体センサー８を設けたため、半導体センサー８と表示領域１０ａとが近い。従って、表示領域１０ａの温度等を適正に監視することができる。また、走査線駆動回路１０４と表示領域１０ａとの間には複数の走査線３ａ（第１信号線）が延在しているため、大型の半導体センサー８を設けることが困難であるが、本実施形態では、半導体センサー８（ダイオード温度センサー８ａ）を複数のダイオード素子８ｂ（センサーエレメント）に分割して表示領域１０ａの第１辺１０ａ１に沿って配置し、複数のダイオード素子８ｂを電極６ｅ〜６ｋによって電気的に接続している。従って、半導体センサー８は、大型の半導体センサーと同等の高い感度を有する。

また、ダイオード素子８ｂ（センサーエレメント）は、走査線駆動回路１０４と表示領域１０ａの第１辺１０ａ１との間で延在する複数の走査線３ａ（第１信号線）の配線ピッチに対するｎ倍（ｎは１以上の整数）のピッチで設けられている。このため、走査線駆動回路１０４と表示領域１０ａの第１辺１０ａ１との間で延在する複数の走査線３ａに平面視で重なる位置を避けるようにダイオード素子８ｂを配置することができる。このため、走査線３ａとダイオード素子８ｂとの間に電気的な干渉が発生しにくい。すなわち、走査線３ａとダイオード素子８ｂとが平面視で重なっていると、走査線３ａとダイオード素子８ｂとの間にはゲート絶縁層３０ｂのみが介在するため、走査線３ａとダイオード素子８ｂとの間に電気的な干渉が発生しやすい。特に走査線３ａがゲート電極３０ｇで形成されている場合、ダイオード素子８ｂ（センサーエレメント）たる部分にトランジスター素子が形成されてしまう。しかるに、本実施形態によれば、上記問題を回避できる。

また、見切り用遮光層２９ａが設けられているが、半導体センサー８は、枠状領域１０ｂの一部に設けられた透光部２９ｅと重なる位置に設けられている。従って、半導体センサー８による電気光学層５０の温度の監視結果に遮光層２９が影響を及ぼしにくい。具体的には、電気光学層５０に対して半導体センサー８とは反対側（第２基板２０）に、透光部２９ｅが設けられているので、半導体センサー８と平面視で重なる部分の電気光学層５０にも、表示領域１０ａの電気光学層５０と同様、光源光Ｌが照射される。従って、半導体センサー８と平面視で重なる部分の電気光学層５０と、表示領域１０ａの電気光学層５０とでは温度差が小さいので、半導体センサー８での監視結果は、表示領域１０ａの電気光学層５０の温度との誤差が小さい。

［実施形態２］
図１０は、本発明の実施形態２に係る電気光学装置１００に形成した半導体センサー８の平面構成を模式的に示す説明図である。本実施形態、および後述する実施形態の基本的な構成は、実施形態１と同様であるため、共通する部分には同一の符号を付してそれらの詳細な説明を省略する。

実施形態１では、６つのダイオード素子８ｂが直列に接続されていたが、図１０に示すように、本実施形態において、半導体センサー８（ダイオード温度センサー８ａ）では、５つのダイオード素子８ｂが直列に接続されている。また、走査線駆動回路１０４と表示領域１０ａの第１辺１０ａ１との間では、走査線３ａが第１方向Ｘに直線的に延在しており、走査線３ａの各間にセンサー用半導体層３０ｓが形成されている。ここで、第２方向Ｙで隣り合うダイオード素子８ｂでは、第１方向Ｘにおける高濃度Ｐ＋領域、真性半導体層（Ｉ層）および高濃度Ｎ＋領域の順が逆である。このため、電極６ｅ、６ｋは、実施形態１と同様、ダイオード素子８ｂを挟んで反対側で第２方向Ｙに延在しているが、中継電極（電極６ｆ、６ｇ、６ｈ、６ｉ）は、いずれも第２方向Ｙに延在し、隣り合う２つのダイオード素子８ｂのうちの一方のダイオード素子８ｂのＮ＋層と、他方のダイオード素子８ｂのＰ＋領域に接続している。

［実施形態３］
図１１は、本発明の実施形態３に係る電気光学装置１００に形成した半導体センサー８の平面構成を模式的に示す説明図である。図１１に示すように、本実施形態において、半導体センサー８（ダイオード温度センサー８ａ）では、３つのダイオード素子８ｂが直列に接続されている。また、走査線駆動回路１０４と表示領域１０ａの第１辺１０ａ１との間において、走査線３ａは、一部が第２方向Ｙに屈曲した後、表示領域１０ａに向けて直線的に延在している。本形態において、複数のダイオード素子８ｂは、走査線駆動回路１０４と表示領域１０ａの第１辺１０ａとの間で延在する複数の走査線３ａの配線ピッチＰａに対する２倍のピッチで設けられている。この場合でも、走査線３ａは、一部が第２方向Ｙに屈曲しているため、ダイオード素子８ｂと走査線３ａとは平面視で重なっていない。

本形態において、複数のダイオード素子８ｂのセンサー用半導体層３０ｓは、第２方向Ｙに延在するように形成されており、高濃度Ｐ＋領域、真性半導体層（Ｉ層）および高濃度Ｎ＋領域が第２方向Ｙに順に形成されている。このため、電極６ｅ、６ｋは、実施形態１と同様、ダイオード素子８ｂを挟んで反対側で第２方向Ｙに延在しているが、中継電極（電極６ｆ、６ｇ）は、いずれも第２方向Ｙに延在し、隣り合う２つのダイオード素子８ｂのうちの一方のダイオード素子８ｂのＮ＋層と、他方のダイオード素子８ｂのＰ＋領域に接続している。

［実施形態４］
図１２は、本発明の実施形態４に係る電気光学装置１００に形成した半導体センサー８の平面構成を模式的に示す説明図である。図１２に示すように、本実施形態において、半導体センサー８（ダイオード温度センサー８ａ）では、６つのダイオード素子８ｂが並列に接続されている。走査線駆動回路１０４と表示領域１０ａの第１辺１０ａ１との間では、走査線３ａが第１方向Ｘに直線的に延在しており、走査線３ａの各間にセンサー用半導体層３０ｓが形成されている。このため、複数のダイオード素子８ｂは、走査線駆動回路１０４と表示領域１０ａの第１辺１０ａとの間で延在する複数の走査線３ａの配線ピッチＰａに対する１倍のピッチで設けられている。このため、走査線３ａは、ダイオード素子８ｂと走査線３ａとは平面視で重なっていない。ここで、第２方向Ｙで隣り合うダイオード素子８ｂでは、第１方向Ｘにおける高濃度Ｐ＋領域、真性半導体層（Ｉ層）および高濃度Ｎ＋領域の順が同一方向に並んでいる。このため、電極６ｅ、６ｋは各々、ダイオード素子８ｂを挟んで反対側で第２方向Ｙに延在し、ダイオード素子８ｂのＮ＋層、およびＰ＋領域に接続している。

［実施形態５］
図１３は、本発明の実施形態５に係る電気光学装置１００に形成した半導体センサー８の平面構成を模式的に示す説明図である。図３に示すように、本実施形態において、半導体センサー８（ダイオード温度センサー８ａ）では、３つのダイオード素子８ｂが並列に接続されている。本実施形態において、走査線３ａは、半導体センサー８が形成されている領域では、２本が一組になって配線ピッチが狭い対を形成している。但し、走査線３ａは、半導体センサー８と表示領域１０ａの間で互いに離間する方向に屈曲し、一定の配線ピッチＰａになっている。

本形態において、複数のダイオード素子８ｂは、走査線駆動回路１０４と表示領域１０ａの第１辺１０ａとの間で延在する複数の走査線３ａの配線ピッチＰａに対する２倍の間隔で設けられている。この場合でも、ダイオード素子８ｂのセンサー用半導体層３０ｓは、走査線３ａの間隔が広い領域に設けられているため、走査線３ａと重なっていない。

［実施形態６］
図１４は、本発明の実施形態６に係る電気光学装置１００に形成した半導体センサー８の平面構成を模式的に示す説明図である。図１４に示すように、本実施形態において、半導体センサー８（ダイオード温度センサー８ａ）では、２つのダイオード素子８ｂが並列に接続されている。本実施形態において、ダイオード素子８ｂに対して第２方向Ｙには、ダイオード素子８ｂの構成要素の一部が欠如したダミー素子８ｄが設けられている。このため、ダイオード素子８ｂが形成されている領域と、ダイオード素子８ｂが形成されていない領域との間に平坦化工程時における局所的な段差が発生しにくい。図１４には、ダミー素子８ｄとして、センサー用半導体層３０ｓのうち、Ｉ領域に相当する部分が欠如したダミー素子８ｄ１と、センサー用半導体層３０ｓが欠如したダミー素子８ｄ２と、コンタクトホール１２ｓが欠如したダミー素子８ｄ３と、センサー用半導体層３０ｓと電極６ｋとの接続部分が欠如したダミー素子８ｄ４とが例示されている。なお、図１４には図示しないが、Ｐ+領域またはＮ+領域の少なくとも一方に不純物注入しないことにより高抵抗体を形成し（即ち低抵抗領域の欠如、もしくは接合構造の欠如）、センサー用半導体層３０ｓがあっても電気的導通がされない構成等も含まれる。

［実施形態７］
図１５は、本発明の実施形態７に係る電気光学装置１００に形成した半導体センサー８の回路図である。図１６は、図１５に示す半導体センサー８の平面構成を模式的に示す説明図である。図１５および図１６に示すように、本実施形態において、半導体センサー８（ダイオード温度センサー８ａ）では、６つのダイオード素子８ｂが直列された組８ｃが２つ並列に接続されている。このように構成した半導体センサー８は、ダイオード素子８ｂが直列された組８ｃを第２方向Ｙに配置し、さらに、第２方向Ｙの両側にダミー素子８ｄが配置されている。ダミー素子８ｄとしては、例えば、図１４に示すように、センサー用半導体層３０ｓと電極６ｋとの接続部分が欠如したダミー素子８ｄ４等を用いることができる。かかる態様によれば、電極６ｅ、６ｋを形成する際のパターンによって、ダイオード素子８ｂおよびダミー素子８ｄの数を自由に設定することができる。

［実施形態８］
図１７は、本発明の実施形態８に係る電気光学装置１００に形成した半導体センサー８の平面構成を模式的に示す説明図である。図１７に示すように、本実施形態において、半導体センサー８（ダイオード温度センサー８ａ）では、６つのダイオード素子８ｂが直列に接続されている。また、走査線駆動回路１０４と表示領域１０ａの第１辺１０ａ１との間では、走査線３ａが第１方向Ｘに直線的に延在している。ここで、センサー用半導体層３０ｓは、第１方向Ｘに対して交差する方向に延在している。このため、走査線３ａの一部がダイオード素子８ｂと平面視で重なっている。

このような構成でも、本実施形態では、走査線３ａのうち、ダイオード素子８ｂと平面視で重なる配線部分３ａ２（走査線３ａの一部）は、図４に示すデータ線６ａと同層であり、ゲート電極３０ｇと異なる導電層である。また、配線部分３ａ２から表示領域１０ａに向けて延在する配線部分３ａ１は、ゲート電極３０ｇと同層であり、配線部分３ａ１と配線部分３ａ２とは、層間絶縁膜１２に形成したコンタクトホール１２ｅによって電気的に接続されている。このため、配線部分３ａ１とダイオード素子８ｂとの間には、厚い層間絶縁膜１２が介在しているため、走査線３ａとダイオード素子８ｂとの間に電気的な干渉が発生しにくい。本形態において、電極６ｅ〜６ｋは、データ線６ａと同層であるが、配線部分３ａ２と交差する電極７ｅ、７ｋは、図４に示す中継電極７ａと同層であり、層間絶縁膜１３に形成したコンタクトホール１３ｅによって電気的に接続されている。

［実施形態９］
図１８は、本発明の実施形態９に係る電気光学装置１００に形成した半導体センサー８の平面構成を模式的に示す説明図である。図１８に示すように、本実施形態において、半導体センサー８（ダイオード温度センサー８ａ）では、６つのダイオード素子８ｂが直列に接続されている。また、センサー用半導体層３０ｓは、第１方向Ｘに延在しているが、走査線３ａは、第１方向Ｘに交差する方向に延在している。このため、走査線３ａの一部はダイオード素子８ｂと平面視で重なっている。

［実施形態１０］
図１９は、本発明の実施形態１０に係る電気光学装置１００における温度検出のための電気的構成を示す説明図である。図２０は、図１９に示す半導体センサー８の回路図である。図１９に示すように、本実施形態では、表示領域１０ａの第２辺１０ａ２と検査回路１０５との間に半導体センサー８が第２辺１０ａ２に沿うように形成されており、半導体センサー８から延在する配線は、端子１０２ａ３、１０２ｃ３に接続している。

図２０に示すように、半導体センサー８（ダイオード温度センサー８ａ）では、３つのダイオード素子８ｂが直列に接続されている。また、センサー用半導体層３０ｓは、第２方向Ｙに延在しているが、データ線６ａは、第２方向Ｙに交差する方向に延在している。このため、データ線６ａの一部がダイオード素子８ｂと平面視で重なっている。ここで、ダイオード素子８ｂに接続する電極６ｅ〜６ｈは、ドレイン電極６ｂと同層である。

このような構成でも、本実施形態では、データ線６ａのうち、ダイオード素子８ｂと平面視で重なる配線部分６ａ２（データ線６ａの一部）は、図４に示す中継電極７ａと同層であり、ゲート電極３０ｇと異なる導電層である。配線部分６ａ２から表示領域１０ａに向けて延在する配線部分６ａ１は、ドレイン電極６ｂと同層であり、配線部分６ａ１と配線部分６ａ２とは、層間絶縁膜１３に形成したコンタクトホール１３ｆによって電気的に接続されている。なお、検査回路１０５からダイオード素子８ｂが形成されている領域まで延在する配線部分６ａ３も、ドレイン電極６ｂと同層であり、配線部分６ａ１と配線部分６ａ３とは、層間絶縁膜１３に形成したコンタクトホール１３ｇによって電気的に接続されている。

［実施形態１１］
図２１は、本発明の実施形態１１に係る電気光学装置１００に形成した半導体センサー８の断面構成を模式的に示す説明図である。図２１に示すように、第１基板１０には、電気光学層５０と半導体センサー８（ダイオード温度センサー８ａ）との間には複数の層間絶縁膜１２、１３、１４が介在するが、層間絶縁膜１３、１４の層間には、シリコン酸化膜からなる層間絶縁膜１２、１３、１４より熱伝導率が高い熱伝達層７ｓが設けられている。熱伝達層７ｓは、図４に示す中継電極７ａと同層の遮光性の金属膜である。従って、電気光学層５０の熱が半導体センサー８に伝わりやすい。従って、半導体センサー８によって、表示領域１０ａの電気光学層５０の温度を適正に監視することができる。しかも、熱伝達層７ｓは遮光性であるため、透光部２９ｅから光が漏れにくい。

なお、［実施形態１］の図６、［実施形態２］の図１０、［実施形態３］の図１１、［実施形態４］の図１２、［実施形態５］の図１３、［実施形態６］の図１４、［実施形態７］の図１６に示すように、中継電極７ａと同層の遮光性の金属膜を半導体センサー８（ダイオード温度センサー８ａ）に配置していないので、上記金属膜を熱伝達層７ｓとして自由に使用できるのは明らかである。また、［実施形態８］の図１７、［実施形態９］の図１８に示す電極６ｋまたは電極７ｋのいずれか、または双方を拡張してセンサー８（ダイオード温度センサー８ａ）を覆うように配置できるのも容易に明らかである。さらに［実施形態１０］の図２０に示すようにデータ線６ａの隙間を充填するように、中継電極７ａと同層の遮光性の金属膜を半導体センサー８（ダイオード温度センサー８ａ）に配置できることも容易に明らかである。

［他の実施形態］
上記実施形態では、半導体センサー８がダイオード温度センサー８ａによって構成されていたが、半導体センサー８が、照度等の他の物理量を検出する場合に本発明を適用してもよい。例えば、［実施形態４］の図１２に示す例を適用して大面積の半導体センサー８を形成し、透光部２９ｅを設けることによって効率よく環境光を照射せしめることが可能である。ノーマリブラックモードの直視型液晶表示装置であればバックライトは比較的低輝度であるので、ダミー画素電極９ｂをコモン電位に接続することによって透光部２９ｅについて違和感を感じさせない程度に黒表示とすることができる。上記実施形態では、透光部２９ｅが遮光層２９（見切り用遮光層２９ａ）の開口部によって構成されていたが、透光部２９ｅは遮光層２９より光透過性が高ければよいので、遮光層２９に形成された切り欠き、遮光層２９の途切れ部分、または遮光層２９が部分的に薄くなっている部分によって透光部２９ｅを形成してもよい。また、各辺１０ａ１、１０ａ２、１０ａ３、１０ａ４における半導体センサーの配置場所、ダミーの配置場所は自由に組み合わせ可能なのは言うまでもない。例えば、辺１０ａ１に半導体センサーを全辺に渡って配置し、対向する辺１０ａ３の全辺に渡ってダミーを配置するような様々な変形が可能である。

本発明が適用される電気光学装置１００はＶＡモードの液晶装置に限定されない。例えば、電気光学装置１００がＴＮ（Twisted Nematic）モードやＯＣＢ（Optically Compensated Bend）モードの液晶装置である場合に本発明を適用してもよい。また、上記実施形態では、透過型液晶装置を例示したが、反射型液晶装置に本発明を適用してもよい。

［電子機器への搭載例］
上述した実施形態に係る電気光学装置１００を用いた電子機器について説明する。ここでは、本発明に係る電子機器として、投射型表示装置（液晶プロジェクター）を例に説明する。図２２は、本発明を適用した電気光学装置１００を用いた投射型表示装置（電子機器）の説明図である。図２２に示す投射型表示装置２１００においては、上述した透過型の電気光学装置１００がライトバルブとして用いられている。投射型表示装置２１００には、ハロゲンランプ等の白色光源を有するランプユニット２１０２（光源部）が設けられている。ランプユニット２１０２から出射された投射光は、内部に配置された３枚のミラー２１０６および２枚のダイクロイックミラー２１０８によってＲ（赤）色、Ｇ（緑）色、Ｂ（青）色の３原色に分離される。分離された投射光は、各原色に対応するライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂに各々導かれる。なお、Ｂ色の光は、他のＲ色やＧ色と比較すると光路が長いので、その損失を防ぐために、入射レンズ２１２２、リレーレンズ２１２３および出射レンズ２１２４を有するリレーレンズ系２１２１を介して導かれる。

投射型表示装置２１００において、電気光学装置１００を含む液晶装置がＲ色、Ｇ色、Ｂ色の各々に対応して３組設けられている。ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇおよび１００Ｂの構成は、上述した透過型の電気光学装置１００と同様である。ライトバルブ１００Ｒ、１００Ｇ、１００Ｂによって変調された光は各々、ダイクロイックプリズム２１１２に３方向から入射する。そして、ダイクロイックプリズム２１１２において、Ｒ色およびＢ色の光は９０度に反射し、Ｇ色の光は透過する。したがって、各原色の画像が合成された後、スクリーン２１２０には、投射レンズ群２１１４（投射光学系）によってカラー画像が投射される。

（他の投射型表示装置）
なお、投射型表示装置については、光源部として、各色の光を出射するＬＥＤ光源等を用い、かかるＬＥＤ光源から出射された色光を各々、別の液晶装置に供給するように構成してもよい。

（他の電子機器）
本発明を適用した電気光学装置１００を備えた電子機器は、上記実施形態の投射型表示装置２１００に限定されない。例えば、投射型のＨＵＤ（ヘッドアップディスプレイ）や直視型のＨＭＤ（ヘッドマウントディスプレイ）、パーソナルコンピューター、デジタルスチルカメラ、液晶テレビ等の電子機器に用いてもよい。

３ａ…走査線（第１信号線）、６ａ…データ線（第２信号線）、６ｂ…ドレイン電極、６ｅ、６ｆ、６ｇ、６ｈ、６ｉ、６ｋ…電極、７ａ…中継電極、７ｓ…熱伝達層、８…半導体センサー、８ａ…ダイオード温度センサー、８ｂ…ダイオード素子（センサーエレメント）、９ａ…画素電極、１０…第１基板、１０ａ…表示領域、１０ａ１…第１辺、１０ａ２…第２辺、１２、１３、１４…層間絶縁膜、２０…第２基板、２１…共通電極、２９…遮光層、２９ａ…見切り用遮光層、２９ｂ…ブラックマトリクス部、２９ｅ…透光部、２９ｆ…開口部、３０…画素トランジスター、３０ａ…半導体層、３０ｂ…ゲート絶縁層、３０ｓ…センサー用半導体層、５０…電気光学層、１００…電気光学装置、１００Ｂ、１００Ｇ、１００Ｒ…ライトバルブ、１００ａ…画素、１００ｐ…液晶パネル、１０１…データ線駆動回路、１０４…走査線駆動回路（第１回路）、１０５…検査回路（第２回路）、２１００…投射型表示装置、２１０２…ランプユニット（光源部）、２１１４…投射レンズ群（投射光学系）。

Claims

第１基板の一方面側に、
表示領域内で第１方向に延在する複数の第１信号線と、
前記表示領域内で前記第１方向と交差する第２方向に延在する複数の第２信号線と、
前記第１信号線と前記第２信号線との交差に対応して設けられた画素電極と、
第1組の半導体センサーと、
を有し、
前記第1組の半導体センサーは、前記表示領域の少なくとも１辺に沿って配置された第1のセンサーエレメントと、第2のセンサーエレメントと、前記第1のセンサーエレメントと前記第2のセンサーエレメントとを電気的に接続する電極と、
を有し、
前記第1のセンサーエレメントと前記第2のセンサーエレメントは、前記電極によって直列に接続されたダイオード素子であることを特徴とする電気光学装置。
請求項１に記載の電気光学装置において、
前記複数のセンサーエレメントは、前記第１信号線の配線ピッチ、前記第２信号線の配線ピッチ、および前記画素電極のピッチの何れかのピッチに対するｎ倍（ｎは１以上の整数）の間隔で設けられていることを特徴とする電気光学装置。
請求項１または２に記載の電気光学装置において、
前記表示領域の少なくとも１辺には、前記複数のセンサーエレメントの構成要素の一部が欠如したダミー素子が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
請求項１から３までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記半導体センサーは、ダイオード温度センサーであって、
前記複数のセンサーエレメントは各々、前記電極によって接続されたダイオード素子であることを特徴とする電気光学装置。
請求項４に記載の電気光学装置において、
前記半導体センサーは、少なくとも前記表示領域の前記第１方向の一方側に位置する辺に沿って配置され、
前記第１信号線は、前記ダイオード素子と平面視で重なっていないことを特徴とする電気光学装置。
請求項４に記載の電気光学装置において、
前記半導体センサーは、少なくとも前記表示領域の前記第１方向の一方側に位置する辺に沿って配置され、
前記第１信号線の一部は、前記ダイオード素子と平面視で重なっており、
前記第１基板には、前記ダイオード素子を構成する半導体層と同層のセンサー用半導体層を備えたトランジスターが形成されており、
前記第１信号線の前記一部は、前記トランジスターでゲート絶縁層上に配置されたゲート電極を構成する導電層以外の導電層によって構成されていることを特徴とする電気光学装置。
請求項１から６までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記第１基板の前記一方面と対向する第２基板と、前記第１基板と前記第２基板との間に設けられた電気光学層と、を有し、
前記半導体センサーに対して前記第２基板の側には、前記表示領域を囲むように形成された遮光層と、前記半導体センサーに平面視で重なる透光部と、が設けられていることを特徴とする電気光学装置。
請求項１から７までの何れか一項に記載の電気光学装置において、
前記第１信号線は、走査線であり、
前記第２信号線は、データ線であることを特徴とする電気光学装置。
請求項１から８までの何れか一項に記載の電気光学装置を備えていることを特徴とする電子機器
請求項１に記載の電気光学装置において、
前記第１組の半導体センサーとは異なる第2組の半導体センサーを有し、
前記第2組の半導体センサーは、前記第1組の半導体センサーに沿って配置された、第３のセンサーエレメントと、第４のセンサーエレメントと、前記第３のセンサーエレメントと前記第４のセンサーエレメントとを直列に電気的接続する第２の電極と、
を有し、
前記第１組の半導体センサーと前記第２組の半導体センサーは、並列に接続されていることを特徴とする電気光学装置。