JP2000009547A - 温度センサおよびそれを用いた液晶表示装置並びに投写型液晶表示装置 - Google Patents
温度センサおよびそれを用いた液晶表示装置並びに投写型液晶表示装置Info
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- JP2000009547A JP2000009547A JP17434298A JP17434298A JP2000009547A JP 2000009547 A JP2000009547 A JP 2000009547A JP 17434298 A JP17434298 A JP 17434298A JP 17434298 A JP17434298 A JP 17434298A JP 2000009547 A JP2000009547 A JP 2000009547A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】液晶表示装置において、表示パネルの温度変化
に起因した表示不良がある。その表示不良を解消し、高
品質な表示特性を維持する液晶表示装置と、それに用い
られる温度センサを提供する。 【解決手段】駆動回路部用ＴＦＴと同じ材料を用いて同
じプロセスで並行してリングオシレータを形成して、該
リングオシレータの発振周波数に基づいて温度を測定す
る。
に起因した表示不良がある。その表示不良を解消し、高
品質な表示特性を維持する液晶表示装置と、それに用い
られる温度センサを提供する。 【解決手段】駆動回路部用ＴＦＴと同じ材料を用いて同
じプロセスで並行してリングオシレータを形成して、該
リングオシレータの発振周波数に基づいて温度を測定す
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置にか
かり、特に表示パネルの温度変化に起因した表示特性の
変動を解消するために用いられる温度センサと、この温
度センサを用いた液晶表示装置に関する。
かり、特に表示パネルの温度変化に起因した表示特性の
変動を解消するために用いられる温度センサと、この温
度センサを用いた液晶表示装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は、軽量・薄型・低消費電
力という特徴から、パソコンのモニターや、携帯機器、
あるいは、プロジェクションテレビや、液晶プロジェク
タなどと、幅広く応用されてきている。このようなディ
スプレイに常に求められている性能は高画質である。ま
た、さらなる低コストも要求されている。これらの要求
を満たす一つの技術として、駆動回路内蔵型の液晶表示
装置がある。すなわち、これまで、液晶の駆動回路は表
示パネルの外側に設けていたが、この駆動回路を内蔵す
ることにより、コスト削減と、高画質を図ろうとするも
のである。
力という特徴から、パソコンのモニターや、携帯機器、
あるいは、プロジェクションテレビや、液晶プロジェク
タなどと、幅広く応用されてきている。このようなディ
スプレイに常に求められている性能は高画質である。ま
た、さらなる低コストも要求されている。これらの要求
を満たす一つの技術として、駆動回路内蔵型の液晶表示
装置がある。すなわち、これまで、液晶の駆動回路は表
示パネルの外側に設けていたが、この駆動回路を内蔵す
ることにより、コスト削減と、高画質を図ろうとするも
のである。
【０００３】この駆動回路を内蔵するためには、ＴＦＴ
を高性能にする必要があり、その高性能にする一つの技
術として、低温ポリシリコンＴＦＴがある。これまで一
般的にＴＦＴとよばれていたものは、半導体層にアモル
ファス状のシリコンを用いていた。そのアモルファス状
のシリコンにレーザーを照射することによって、シリコ
ンを多結晶（ポリシリコン）化させ、さらに、その半導
体層にＮ型およびＰ型のイオン注入をすることにより、
Ｎチャネル型ＴＦＴおよびＰチャネル型ＴＦＴの高性能
なスイッチングデバイス、すなわち低温ポリシリコンＴ
ＦＴが開発された。
を高性能にする必要があり、その高性能にする一つの技
術として、低温ポリシリコンＴＦＴがある。これまで一
般的にＴＦＴとよばれていたものは、半導体層にアモル
ファス状のシリコンを用いていた。そのアモルファス状
のシリコンにレーザーを照射することによって、シリコ
ンを多結晶（ポリシリコン）化させ、さらに、その半導
体層にＮ型およびＰ型のイオン注入をすることにより、
Ｎチャネル型ＴＦＴおよびＰチャネル型ＴＦＴの高性能
なスイッチングデバイス、すなわち低温ポリシリコンＴ
ＦＴが開発された。
【０００４】現在、その低温ポリシリコンＴＦＴを用い
た駆動回路内蔵型の液晶表示装置として、中・小型の液
晶ディスプレイが製品化されている。
た駆動回路内蔵型の液晶表示装置として、中・小型の液
晶ディスプレイが製品化されている。
【０００５】この低温ポリシリコンＴＦＴを用いた技術
を、プロジェクションテレビや液晶プロジェクタなどの
投射型液晶表示装置に用いようとした場合、投射型液晶
表示装置の抱える問題の一つに、表示パネルの温度差に
よる表示画面の画質の劣化がある。なぜなら、プロジェ
クタの光源として数百ワットという強力なランプが用い
られ、ランプが発生する熱や表示パネルに入射される強
い光の一部をパネルが吸収し、表示パネルの温度が変化
するとともに、液晶表示素子に使用されるネマティック
液晶や高分子液晶の印加電圧−透過率特性が温度に依存
して変化するため、表示特性が変動するからである。
を、プロジェクションテレビや液晶プロジェクタなどの
投射型液晶表示装置に用いようとした場合、投射型液晶
表示装置の抱える問題の一つに、表示パネルの温度差に
よる表示画面の画質の劣化がある。なぜなら、プロジェ
クタの光源として数百ワットという強力なランプが用い
られ、ランプが発生する熱や表示パネルに入射される強
い光の一部をパネルが吸収し、表示パネルの温度が変化
するとともに、液晶表示素子に使用されるネマティック
液晶や高分子液晶の印加電圧−透過率特性が温度に依存
して変化するため、表示特性が変動するからである。
【０００６】この温度変化による表示特性の変動を抑制
する例として、特開平7−253765 号公報がある。これ
は、温度センサと信号電圧補正手段を設け、温度センサ
の信号により信号電圧を補正するものである。また、特
開平8−29265号公報では、温度センサとして、ＴＦＴの
オフ電流の温度依存性を利用してオフ電流を検出し、そ
の検出電流をもとに表示パネルを冷却装置によって温度
を一定に保つようにしている。
する例として、特開平7−253765 号公報がある。これ
は、温度センサと信号電圧補正手段を設け、温度センサ
の信号により信号電圧を補正するものである。また、特
開平8−29265号公報では、温度センサとして、ＴＦＴの
オフ電流の温度依存性を利用してオフ電流を検出し、そ
の検出電流をもとに表示パネルを冷却装置によって温度
を一定に保つようにしている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】温度センサを表示パネ
ルに外付けする構成は、表示パネルの正確な温度が把握
することができないことや、実装方法が若干困難になる
という課題がある。また、温度センサがパネル内蔵のＴ
ＦＴのオフ電流を検出するという方法では、微小電流を
測定する機構が新たに必要であり、コストがかかってし
まう。
ルに外付けする構成は、表示パネルの正確な温度が把握
することができないことや、実装方法が若干困難になる
という課題がある。また、温度センサがパネル内蔵のＴ
ＦＴのオフ電流を検出するという方法では、微小電流を
測定する機構が新たに必要であり、コストがかかってし
まう。
【０００８】そこで、本発明の目的は、表示パネル内蔵
の簡易型で容易に温度を検知することのできる温度セン
サおよび、それを用いた液晶表示装置を提供する。
の簡易型で容易に温度を検知することのできる温度セン
サおよび、それを用いた液晶表示装置を提供する。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の温度センサは、
多結晶シリコンからなる半導体層、および該半導体層に
ゲート電圧を印加するゲート電極、および半導体層に電
子を電流担体として電流を導通するソース・ドレイン領
域、および該電流を取り出すドレイン電極およびソース
電極を備えているＮチャネル型ＴＦＴと、多結晶シリコ
ンからなる半導体層、および該半導体層にゲート電圧を
印加するゲート電極、および半導体層にホールを電流担
体として電流を導通するソース・ドレイン領域、および
該電流を取り出すドレイン電極およびソース電極を備え
ているＰチャネル型ＴＦＴの両方を組み合わせて構成さ
れるＣＭＯＳ回路において、奇数個のＣＭＯＳインバー
タ列を直列に接続して形成されるリングオシレータを構
成し、該リングオシレータの発振周波数の変化によって
温度を感知することを特徴とする。
多結晶シリコンからなる半導体層、および該半導体層に
ゲート電圧を印加するゲート電極、および半導体層に電
子を電流担体として電流を導通するソース・ドレイン領
域、および該電流を取り出すドレイン電極およびソース
電極を備えているＮチャネル型ＴＦＴと、多結晶シリコ
ンからなる半導体層、および該半導体層にゲート電圧を
印加するゲート電極、および半導体層にホールを電流担
体として電流を導通するソース・ドレイン領域、および
該電流を取り出すドレイン電極およびソース電極を備え
ているＰチャネル型ＴＦＴの両方を組み合わせて構成さ
れるＣＭＯＳ回路において、奇数個のＣＭＯＳインバー
タ列を直列に接続して形成されるリングオシレータを構
成し、該リングオシレータの発振周波数の変化によって
温度を感知することを特徴とする。
【００１０】図２は、ＴＦＴのしきい値電圧の温度依存
性である。温度が上昇するにつれ、しきい値電圧が低下
することがわかる。これは、温度の上昇により、少数キ
ャリアが発生し、しきい値電圧が低くなったものと考え
られる。しきい値電圧が低くなると、ＴＦＴのオンする
電流が増大する。リングオシレータの発振周波数はＴＦ
Ｔのオン電流が多いほど、高くなる。したがって温度が
高くなるほど、TFTのオン電流が高くなり、リングオシ
レータの発振周波数は高くなる。よって、このリングオ
シレータの発振周波数を測定することにより、リングオ
シレータの温度がわかる。なお、発振周波数は、たとえ
ばパルスカウンタなどで容易に検出可能であり、マイコ
ンと組み合わせれば、容易に温度がわかる。
性である。温度が上昇するにつれ、しきい値電圧が低下
することがわかる。これは、温度の上昇により、少数キ
ャリアが発生し、しきい値電圧が低くなったものと考え
られる。しきい値電圧が低くなると、ＴＦＴのオンする
電流が増大する。リングオシレータの発振周波数はＴＦ
Ｔのオン電流が多いほど、高くなる。したがって温度が
高くなるほど、TFTのオン電流が高くなり、リングオシ
レータの発振周波数は高くなる。よって、このリングオ
シレータの発振周波数を測定することにより、リングオ
シレータの温度がわかる。なお、発振周波数は、たとえ
ばパルスカウンタなどで容易に検出可能であり、マイコ
ンと組み合わせれば、容易に温度がわかる。
【００１１】ここで、リングオシレータが発振する理由
を簡単に述べると、インバータとは入力信号を反転する
機構であり、そのインバータを奇数個直結してその出力
信号を最初のインバータの入力に戻すと、その信号の系
は不安定状態となり、したがって発振する。発振する周
波数は、ＴＦＴのオン電流およびゲート容量に依存す
る。
を簡単に述べると、インバータとは入力信号を反転する
機構であり、そのインバータを奇数個直結してその出力
信号を最初のインバータの入力に戻すと、その信号の系
は不安定状態となり、したがって発振する。発振する周
波数は、ＴＦＴのオン電流およびゲート容量に依存す
る。
【００１２】本発明の液晶表示装置は、少なくとも、基
板上に、複数の走査配線と複数の信号配線、および、該
走査配線と該信号配線の交差点毎に該走査配線と該信号
配線に接続されたＴＦＴ素子、および、該ＴＦＴ素子毎
に接続された画素電極から構成される表示部と、該走査
配線に信号を送る走査ドライバ、および、該信号配線に
信号を送る信号ドライバから構成される駆動回路部を具
備するＴＦＴ基板と、該ＴＦＴ基板に間隙を有して対向
配置される対向基板と、該間隙に液晶を有する液晶表示
装置において、該ＴＦＴ基板上にＮチャネル型ＴＦＴと
Ｐチャネル型ＴＦＴの両方の組み合わされた奇数個のイ
ンバータ列からなるリングオシレータを具備している。
このリングオシレータから温度を検出することができ、
この温度情報に基づいて、たとえば液晶パネルの温度を
一定に保つように冷却用ファンを制御したり、あるいは
あらかじめ、液晶素子の温度依存性をメモリなどに蓄え
ておいて映像信号を補正したりすることにより、表示特
性を一定に保つことができる。
板上に、複数の走査配線と複数の信号配線、および、該
走査配線と該信号配線の交差点毎に該走査配線と該信号
配線に接続されたＴＦＴ素子、および、該ＴＦＴ素子毎
に接続された画素電極から構成される表示部と、該走査
配線に信号を送る走査ドライバ、および、該信号配線に
信号を送る信号ドライバから構成される駆動回路部を具
備するＴＦＴ基板と、該ＴＦＴ基板に間隙を有して対向
配置される対向基板と、該間隙に液晶を有する液晶表示
装置において、該ＴＦＴ基板上にＮチャネル型ＴＦＴと
Ｐチャネル型ＴＦＴの両方の組み合わされた奇数個のイ
ンバータ列からなるリングオシレータを具備している。
このリングオシレータから温度を検出することができ、
この温度情報に基づいて、たとえば液晶パネルの温度を
一定に保つように冷却用ファンを制御したり、あるいは
あらかじめ、液晶素子の温度依存性をメモリなどに蓄え
ておいて映像信号を補正したりすることにより、表示特
性を一定に保つことができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、図面を用いて本発明の実施
例を説明する。
例を説明する。
【００１４】図１は、液晶表示装置の概要を示す図であ
る。ＴＦＴ基板１０は、たとえばガラスのような透明基
板であり、その上に表示部２０および駆動回路部３０お
よび温度センサ部４０を備えている。表示部２０は、複
数の信号線２１とそれに直交するように複数の走査線２
２が形成され、この信号線２１と走査線２２の各交差点
毎に画素用スイッチング素子２３と、その画素用スイッ
チング素子に接続された画素電極２４から、構成されて
いる。駆動回路部３０は信号線に信号を送るためのシフ
トレジスタ回路およびサンプリング回路などを具備する
信号ドライバ３１と、走査線を順次選択するためのシフ
トレジスタ回路などを具備する走査ドライバ３２から、
構成される。そして本発明にかかる温度センサ４０は、
表示部に近い領域に形成されている。
る。ＴＦＴ基板１０は、たとえばガラスのような透明基
板であり、その上に表示部２０および駆動回路部３０お
よび温度センサ部４０を備えている。表示部２０は、複
数の信号線２１とそれに直交するように複数の走査線２
２が形成され、この信号線２１と走査線２２の各交差点
毎に画素用スイッチング素子２３と、その画素用スイッ
チング素子に接続された画素電極２４から、構成されて
いる。駆動回路部３０は信号線に信号を送るためのシフ
トレジスタ回路およびサンプリング回路などを具備する
信号ドライバ３１と、走査線を順次選択するためのシフ
トレジスタ回路などを具備する走査ドライバ３２から、
構成される。そして本発明にかかる温度センサ４０は、
表示部に近い領域に形成されている。
【００１５】本発明の温度センサ４０は、図３に示すよ
うに、Ｎチャネル型ＴＦＴ４１とＰチャネル型ＴＦＴ４
２の両方の組み合わされた奇数個のインバータ４３列か
らなるリングオシレータ４４である。該リングオシレー
タの出力信号４５をパルスカウンタ４６により、発振周
波数を検出し、また、該パルスカウンタ４６はたとえば
ＣＰＵなどで制御される。なお、このパルスカウンタも
ＴＦＴで作成することも可能である。
うに、Ｎチャネル型ＴＦＴ４１とＰチャネル型ＴＦＴ４
２の両方の組み合わされた奇数個のインバータ４３列か
らなるリングオシレータ４４である。該リングオシレー
タの出力信号４５をパルスカウンタ４６により、発振周
波数を検出し、また、該パルスカウンタ４６はたとえば
ＣＰＵなどで制御される。なお、このパルスカウンタも
ＴＦＴで作成することも可能である。
【００１６】図４は、リングオシレータの構成要素であ
るＮチャネル型ＴＦＴおよびＰチャネル型ＴＦＴの断面
図である。なお、本実施形態では、半導体層が一番下に
なるコプレーナ型ＴＦＴを一例として示すが、ＴＦＴの
形態がボトムゲート型でも同様な発明効果が得られる。
ＴＦＴ基板１０上に第１層目の半導体層５１，５２，５
３が形成される。該半導体層の上にゲート絶縁膜５４を
介してゲート電極５５が形成される。その上から、Ｎ＋
およびＰ＋のイオンを半導体層に注入し、半導体層５１
はＮ型半導体層に、半導体層５２はＰ型半導体層に、ま
た、ゲート直下の半導体層は注入されずに、真性半導体
層５３が形成され、Ｎチャネル型およびＰチャネル型の
自己整合型ＴＦＴとなる。次に配線するため、層間絶縁
膜５７を例えば窒化シリコン形成する。そして、配線層
５６を例えばアルミニウムで形成し、本発明のリングオ
シレータの構成要素であるＮチャネル型ＴＦＴおよびＰ
チャネル型ＴＦＴが形成される。
るＮチャネル型ＴＦＴおよびＰチャネル型ＴＦＴの断面
図である。なお、本実施形態では、半導体層が一番下に
なるコプレーナ型ＴＦＴを一例として示すが、ＴＦＴの
形態がボトムゲート型でも同様な発明効果が得られる。
ＴＦＴ基板１０上に第１層目の半導体層５１，５２，５
３が形成される。該半導体層の上にゲート絶縁膜５４を
介してゲート電極５５が形成される。その上から、Ｎ＋
およびＰ＋のイオンを半導体層に注入し、半導体層５１
はＮ型半導体層に、半導体層５２はＰ型半導体層に、ま
た、ゲート直下の半導体層は注入されずに、真性半導体
層５３が形成され、Ｎチャネル型およびＰチャネル型の
自己整合型ＴＦＴとなる。次に配線するため、層間絶縁
膜５７を例えば窒化シリコン形成する。そして、配線層
５６を例えばアルミニウムで形成し、本発明のリングオ
シレータの構成要素であるＮチャネル型ＴＦＴおよびＰ
チャネル型ＴＦＴが形成される。
【００１７】図５に、本発明の温度センサを利用した液
晶プロジェクタの模式図を示す。光源６１から発せられ
る光は一旦集光レンズ６２などに入り、表示パネル６５
に効率よく入射される。そして、表示パネルを通過した
光は、投射レンズ６３によって拡大し、スクリーン６４
に映し出される。ここで本発明の温度センサ４０は表示
パネル６５の温度を感知しリングオシレータの発振周波
数が変動し、その発振周波数をパルスカウンタで読み取
り、ＣＰＵで表示パネルを一定に保つように冷却ファン
７０を制御する。
晶プロジェクタの模式図を示す。光源６１から発せられ
る光は一旦集光レンズ６２などに入り、表示パネル６５
に効率よく入射される。そして、表示パネルを通過した
光は、投射レンズ６３によって拡大し、スクリーン６４
に映し出される。ここで本発明の温度センサ４０は表示
パネル６５の温度を感知しリングオシレータの発振周波
数が変動し、その発振周波数をパルスカウンタで読み取
り、ＣＰＵで表示パネルを一定に保つように冷却ファン
７０を制御する。
【００１８】このように、本発明の温度センサを液晶表
示装置に用いることで、温度が容易に検出することがで
き、その温度情報をもとにたとえば冷却ファンを制御し
て、表示パネルを一定に保つことができる。したがっ
て、表示特性は一定に保たれる。
示装置に用いることで、温度が容易に検出することがで
き、その温度情報をもとにたとえば冷却ファンを制御し
て、表示パネルを一定に保つことができる。したがっ
て、表示特性は一定に保たれる。
【００１９】
【発明の効果】本発明の温度センサは、温度によってし
きい値電圧が変動するポリシリコンＴＦＴから構成され
るリングオシレータであるため、温度によってリングオ
シレータの発振周波数が変動することを利用している。
発振周波数は、パルスカウンタなどで容易に検出可能で
あり、またそのパルスカウンタ出力信号はデジタル信号
であるため、ＣＰＵで制御しやすい。
きい値電圧が変動するポリシリコンＴＦＴから構成され
るリングオシレータであるため、温度によってリングオ
シレータの発振周波数が変動することを利用している。
発振周波数は、パルスカウンタなどで容易に検出可能で
あり、またそのパルスカウンタ出力信号はデジタル信号
であるため、ＣＰＵで制御しやすい。
【００２０】本発明の液晶表示装置は、リングオシレー
タによる温度センサを具備しており、その温度センサの
温度情報を元に例えば表示パネルを一定に保ったり、映
像信号を補正したりすることができ、温度が変動して
も、良好な表示特性が得られる。また、該温度センサ
は、駆動回路内蔵型において、駆動回路部と同じ材料、
同じプロセスを並行して形成することができるので、コ
ストは増加しない。
タによる温度センサを具備しており、その温度センサの
温度情報を元に例えば表示パネルを一定に保ったり、映
像信号を補正したりすることができ、温度が変動して
も、良好な表示特性が得られる。また、該温度センサ
は、駆動回路内蔵型において、駆動回路部と同じ材料、
同じプロセスを並行して形成することができるので、コ
ストは増加しない。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の液晶表示装置の概略を示す図。
【図２】本発明の温度センサに用いられているＴＦＴの
しきい値電圧の温度依存性を示す特性図。
しきい値電圧の温度依存性を示す特性図。
【図３】本発明の温度センサの概略を示す図。
【図４】本発明の温度センサを構成するＴＦＴの断面を
示す断面図。
示す断面図。
【図５】本発明の温度センサを用いた液晶プロジェクタ
の概略を示す構成図。
の概略を示す構成図。
１０…ＴＦＴ基板、２０…表示部、２１…信号線、２２
…走査線、２３…画素用スイッチング素子、２４…画素
電極、３０…駆動回路部、３１…信号ドライバ、３２…
走査ドライバ、４０…温度センサ部、４１…Ｎチャネル
型ＴＦＴ、４２…Ｐチャネル型ＴＦＴ、４３…インバー
タ、４４…リングオシレータ、４５…リングオシレータ
出力信号、４６…パルスカウンタ、５１…Ｎ型半導体
層、５２…Ｐ型半導体層、５３…真性半導体層、５４…
ゲート絶縁膜、５５…ゲート電極、５６…半導体層、５
７…層間絶縁膜、６１…光源、６２…集光レンズ、６３
…投射レンズ、６４…スクリーン、６５…表示パネル、
７０…冷却ファン。
…走査線、２３…画素用スイッチング素子、２４…画素
電極、３０…駆動回路部、３１…信号ドライバ、３２…
走査ドライバ、４０…温度センサ部、４１…Ｎチャネル
型ＴＦＴ、４２…Ｐチャネル型ＴＦＴ、４３…インバー
タ、４４…リングオシレータ、４５…リングオシレータ
出力信号、４６…パルスカウンタ、５１…Ｎ型半導体
層、５２…Ｐ型半導体層、５３…真性半導体層、５４…
ゲート絶縁膜、５５…ゲート電極、５６…半導体層、５
７…層間絶縁膜、６１…光源、６２…集光レンズ、６３
…投射レンズ、６４…スクリーン、６５…表示パネル、
７０…冷却ファン。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河内 玄士朗 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 Ｆターム(参考） 2H093 NA16 NC27 NC34 NC50 NC57 ND02 ND05 ND44 ND49 NG02 5C006 AF54 AF62 BB16 BC20 BF15 BF22 BF33 BF34 BF38 EA03 EB05 EC11 FA19 FA51
Claims (3)
- 【請求項１】少なくとも、多結晶シリコンからなる半導
体層、および該半導体層にゲート電圧を印加するゲート
電極、および半導体層に電子を電流担体として電流を導
通するソース・ドレイン領域、および該電流を取り出す
ドレイン電極およびソース電極を備えているＮチャネル
型ＴＦＴと、多結晶シリコンからなる半導体層、および
該半導体層にゲート電圧を印加するゲート電極、および
半導体層にホールを電流担体として電流を導通するソー
ス・ドレイン領域、および該電流を取り出すドレイン電
極およびソース電極を備えているＰチャネル型ＴＦＴの
両方を組み合わせて構成されるＣＭＯＳ回路において、
奇数個のＣＭＯＳインバータ列を直列に接続して形成さ
れるリングオシレータを構成し、該リングオシレータの
発振周波数の変化によって温度を感知することを特徴と
する温度センサ。 - 【請求項２】少なくとも、基板上に、複数の走査配線と
複数の信号配線、および、該走査配線と該信号配線の交
差点毎に該走査配線と該信号配線に接続されたＴＦＴ素
子、および、該ＴＦＴ素子毎に接続された画素電極から
構成される表示部と、該走査配線に信号を送る走査ドラ
イバ、および、該信号配線に信号を送る信号ドライバか
ら構成される駆動回路部を具備するＴＦＴ基板と、該Ｔ
ＦＴ基板に間隙を有して対向配置される対向基板と、該
間隙に液晶を有する液晶表示装置において、該ＴＦＴ基
板上にＮチャネル型ＴＦＴとＰチャネル型ＴＦＴの両方
の組み合わされた奇数個のインバータ列からなるリング
オシレータを具備し、該リングオシレータを温度センサ
として用いていることを特徴とする温度センサを用いた
液晶表示装置。 - 【請求項３】請求項２において、該温度センサを具備し
ていることを特徴とする投写型液晶表示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17434298A JP2000009547A (ja) | 1998-06-22 | 1998-06-22 | 温度センサおよびそれを用いた液晶表示装置並びに投写型液晶表示装置 |
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