CN103529605A - 阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置，所述阵列基板包括：第一基板及形成于所述第一基板上的公共电极层和公共电极线，所述公共电极层与所述公共电极线连接；其中，所述第一基板包括：像素区域及位于所述像素区域四周的非像素区域，所述公共电极层覆盖所述第一基板的整个像素区域，所述公共电极线位于所述第一基板的非像素区域内。通过采用本发明的技术方案，能够提高显示面板的开口率和透过率。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置。
背景技术
请参考图1和图2，现有的薄膜晶体管-液晶显示器（TFT-LCD）显示面板的阵列基板包括：基板101，公共电极102，栅极扫描线103，公共电极线（Common Line）104，绝缘层105，有源层（Active）106，源/漏极线107，保护层（PVX）108及像素电极109。该种结构的阵列基板，公共电极线104是位于基板101的像素区域内，通过公共电极线104将公共电压加载到公共电极102上的，其中，整个阵列基板上的公共电极线104呈网格状分布。
请参考图3，图3为现有技术中的TFT-LCD显示面板对盒后的结构示意图，该TFT-LCD显示面板包括上述阵列基板100及彩膜基板200，彩膜基板200包括：基板201、黑矩阵（BM）202、彩色滤光片203及透明电极层204。由于公共电极线104呈网格状分布，且与栅极扫描线103之间需要间隔一定的距离，因此导致公共电极线104周围区域产生漏光，为了遮挡住漏光区域，如图3所示，需要将增加黑矩阵202的线宽将其延伸至漏光区域所在的位置，增加黑矩阵201的线宽，将使得TFT-LCD显示面板的开口率和透过率降低。
发明内容
有鉴于此，本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示面板及显示装置，以解决为遮挡因公共电极线周边区域的漏光需增加黑矩阵的线宽，而导致TFT-LCD显示面板的开口率和透过率低的问题。
为解决上述技术问题，本发明提供阵列基板，包括：
第一基板及形成于所述第一基板上的公共电极层和公共电极线，所述公共电极层与所述公共电极线连接；其中，所述第一基板包括：像素区域及位于所述像素区域四周的非像素区域，所述公共电极层覆盖所述第一基板的整个像素区域，所述公共电极线位于所述第一基板的非像素区域内。
优选地，所述公共电极线呈口字型，分布于所述公共电极层的四周。
优选地，所述公共电极层的外侧边缘的第一部分位于所述第一基板的非像素区域内，所述公共电极层的外侧边缘的第一部分与所述公共电极线的内侧边缘的第一部分重叠。
优选地，所述公共电极层的膜厚为600～2000埃。
优选地，所述阵列基板还包括：
形成于所述公共电极层上的第一绝缘层；及
形成于所述第一绝缘层上的栅极扫描线；
其中，所述第一绝缘层的尺寸等于或大于所述栅极扫描线的尺寸。
优选地，所述阵列基板还包括：
形成于所述栅极扫描线上的第二绝缘层；
形成于所述第二绝缘层上的有源层；
形成于所述有源层上的源/漏电极线；
形成于所述源/漏电极线上的保护层；及
形成于所述保护层上的像素电极。
本发明还提供一种显示面板，包括彩膜基板及上述阵列基板。
优选地，所述彩膜基板包括：第二基板及依次形成于所述第二基板上的黑矩阵、彩色滤光片及透明电极层。
本发明还提供一种显示装置，包括上述显示面板。
本发明还提供一种阵列基板的制备方法，包括以下步骤：
提供一第一基板，所述第一基板包括：像素区域及位于所述像素区域四周的非像素区域；
形成覆盖于所述第一基板的整个像素区域的公共电极层；
在所述第一基板的非像素区域内形成公共电极线，所述公共电极线与所述公共电极层连接；
在所述公共电极层上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成栅极扫描线；
在所述栅极扫描线上形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成有源层；
在所述有源层上形成源/漏电极线；
在所述源/漏电极线上形成保护层；及
在所述保护层上形成像素电极。
本发明的上述技术方案的有益效果如下：
将现有的位于基板的像素区域内的公共电极线去除，将公共电极线设置在基板的非像素区域内，将公共电极层覆盖整个像素区域，从而避免了像素区域的漏光问题，进一步地可以减小与阵列基板对应设置的彩膜基板上的黑矩阵的线宽，以提高显示面板的开口率和透过率。
附图说明
图1为现有技术中的TFT-LCD显示面板的阵列基板的结构示意图；
图2为图1中的阵列基板的沿A-A截面的结构示意图；
图3现有技术中的TFT-LCD显示面板对盒后的结构示意图；
图4为本发明实施例的阵列基板的一结构示意图；
图5为图4中的阵列基板的沿B-B截面的结构示意图；
图6为本发明实施例的阵列基板的另一结构示意图；
图7为本发明实施例一的阵列基板的结构示意图；
图8为图7中的阵列基板的沿C-C截面的结构示意图；
图9为本发明实施例二的阵列基板的结构示意图；
图10为包含本发明实施例一的阵列基板的显示面板的结构示意图；
图11为本发明实施例三的阵列基板的结构示意图；
图12为本发明实施例的阵列基板的制备方法的流程示意图；
图13为本发明实施例一的阵列基板的制备方法的流程示意图。
具体实施方式
为使本发明要解决的技术问题、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图及具体实施例进行详细描述。
请参考图4，图4为本发明实施例的阵列基板的一结构示意图，所述阵列基板包括：第一基板401及形成于所述第一基板401上的公共电极层402和公共电极线403，所述公共电极层402与所述公共电极线403连接；其中，所述第一基板401包括：用于显示的像素区域及位于所述像素区域四周的非像素区域，所述公共电极层402覆盖所述第一基板401的整个像素区域，所述公共电极线403位于所述第一基板401的非像素区域内。
所述第一基板401可以采用玻璃、石英、陶瓷等材料制成。
所述公共电极层402可以采用氧化铟锡（ITO）等透明导电材料制成。
本实施例中，所述公共电极线403呈口字型，分布于所述公共电极层402的四周。当然，在本发明的其他实施例中，所述公共电极线也可以为其他结构，例如，仅位于所述公共电极层402的其中一个、两个或三个边缘外侧。
请参考图5，图5为图4中的阵列基板的沿B-B截面的结构示意图。图5所述的实施例中，所述公共电极层402的外侧边缘的第一部分4021位于所述第一基板401的非像素区域内，所述公共电极层402的外侧边缘的第一部分4021与所述公共电极线403的内侧边缘的第一部分4031重叠。
请参考图6，图6为本发明实施例的阵列基板的另一结构示意图。图6所述的实施例中，所述公共电极层402完全位于所述第一基板401的像素区域内，所述公共电极线403位于所述公共电极层402的四周，与所述公共电极层402不重叠。
上述实施例中，所述公共电极层402的膜厚可以设置为600～2000埃（
），大于现有技术中的公共电极层的膜厚，以防止RC延迟。
本发明实施例还提供一种显示面板，包括彩膜基板及上述阵列基板。
本发明实施例还提供一种显示装置，包括上述显示面板。
通过上述本实施例提供的方案，将现有的位于阵列基板的像素区域内的公共电极线去除，将公共电极线设置在阵列基板的非像素区域内，将公共电极层覆盖整个像素区域，从而避免了像素区域的漏光问题，进一步地可以减小与阵列基板对应设置的彩膜基板上的黑矩阵的线宽，以提高显示面板的开口率和透过率。
下面举例对本实施例中的阵列基板的结构进行说明。
实施例一
请参考图7和图8，图7为本发明实施例一的阵列基板的结构示意图，图8为图7中的阵列基板的沿C-C截面的结构示意图。
本实施例中的阵列基板包括：第一基板401，形成于所述第一基板401上的公共电极层402及公共电极线403，形成于所述公共电极层402上的第一绝缘层404，形成于所述第一绝缘层404上的栅极扫描线405，形成于所述栅极扫描线405上的第二绝缘层406，形成于所述第二绝缘层406上的有源层407，形成于所述有源层407上的源/漏电极线408，形成于所述源/漏电极线408上的保护层409，及形成于所述保护层409上的像素电极410。其中，所述第一基板401包括：用于显示的像素区域及位于所述像素区域四周的非像素区域，所述公共电极层402覆盖所述第一基板401的整个像素区域，所述公共电极线403位于所述第一基板401的非像素区域内。
实施例二
请参考图9，图9为本发明实施例二的阵列基板的结构示意图，本实施例与上述实施例一的区别在于，实施例一中的第一绝缘层404完全覆盖公共电极层402上，实施例二中的第一绝缘层404的尺寸略大于栅极扫描线405的尺寸。
在本发明的其他实施例中，所述第一绝缘层的尺寸也可以等于栅极扫描线的尺寸。
请参考图10，图10为包含本发明实施例一的阵列基板的显示面板的结构示意图，所述显示面板包括：阵列基板400和彩膜基板500，所述阵列基板400为上述实施例一中的阵列基板，所述彩膜基板500包括：第二基板501，依次形成于所述第二基板501上的黑矩阵502、彩色滤光片503及透明电极层504。
从图10中可以看出，由于将公共电极线403设置在第一基板401的非像素区域内，将公共电极层402覆盖第一基板401的整个像素区域，从而避免了第一基板401的像素区域的漏光问题，进一步地可以减小与阵列基板400对应设置的彩膜基板500上的黑矩阵502的线宽（可减少图中虚线框体部分的黑矩阵），以提高显示面板的开口率和透过率。
实施例三
请参考图11，图11为本发明实施例三的阵列基板的结构示意图，本实施例中的阵列基板为平面转换（IPS）模式的阵列基板，包括：第一基板（图未示出），形成于所述第一基板上的公共电极层402及公共电极线403，形成于所述公共电极层402上的第一绝缘层（图未示出），形成于所述第一绝缘层上的栅极扫描线405，形成于所述栅极扫描线405上的第二绝缘层（图未示出），形成于所述第二绝缘层上的有源层407，形成于所述有源层407上的源/漏电极线408，形成于所述源/漏电极线408上的保护层（图未示出），及形成于所述保护层上的像素电极410。其中，所述第一基板包括：用于显示的像素区域及位于所述像素区域四周的非像素区域，所述公共电极层402覆盖所述第一基板的整个像素区域，所述公共电极线403位于所述第一基板的非像素区域内。
上述实施例中，所述第一绝缘层和第二绝缘层可以采用SiNx等绝缘材料制成。
请参考图12，图12为本发明实施例的阵列基板的制备方法的流程示意图，所述制备方法用于制备上述实施例中所述的阵列基板，所述方法包括以下步骤：
步骤1201：提供一第一基板，所述第一基板包括：像素区域及位于所述像素区域四周的非像素区域；
步骤1202：形成覆盖于所述第一基板的整个像素区域的公共电极层；
步骤1203：在所述第一基板的非像素区域内形成公共电极线，所述公共电极线与所述公共电极层连接。
下面以制备实施例一中的阵列基板为例，对本发明实施例的阵列基板的制备方法进行举例说明。
请参考图13，图13为本发明实施例一的阵列基板的制备方法的流程示意图，所述方法包括以下步骤：
步骤1301：提供一第一基板，所述第一基板包括：像素区域及位于所述像素区域四周的非像素区域；
步骤1302：在所述第一基板的非像素区域内形成公共电极线；
步骤1303：形成覆盖于所述第一基板的整个像素区域的公共电极层，所述公共电极线与所述公共电极层连接；
具体的，可以通过溅射沉积、曝光、刻蚀、剥离工艺，在第一基板上沉积一层ITO层，形成公共电极层；
步骤1304：在所述公共电极层上形成第一绝缘层；
具体的，可以通过化学气相沉积、曝光、刻蚀、剥离工艺，在公共电极层上沉积一层SiNx层，形成第一绝缘层；
步骤1305：在所述第一绝缘层上形成栅极扫描线；
具体的，可以通过溅射沉积、曝光、刻蚀、剥离工艺，在第一绝缘层上形成栅极扫描线；
步骤1306：按照传统工艺依次形成第二绝缘层、有源层、源/漏电极线、保护层及像素电极。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。
Claims (10)
1.一种阵列基板，其特征在于，包括：
第一基板及形成于所述第一基板上的公共电极层和公共电极线，所述公共电极层与所述公共电极线连接；其中，所述第一基板包括：像素区域及位于所述像素区域四周的非像素区域，所述公共电极层覆盖所述第一基板的整个像素区域，所述公共电极线位于所述第一基板的非像素区域内。
2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极线呈口字型，分布于所述公共电极层的四周。
3.如权利要求1或2所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极层的外侧边缘的第一部分位于所述第一基板的非像素区域内，所述公共电极层的外侧边缘的第一部分与所述公共电极线的内侧边缘的第一部分重叠。
4.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极层的膜厚为600～2000埃。
5.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
形成于所述公共电极层上的第一绝缘层；及
形成于所述第一绝缘层上的栅极扫描线；
其中，所述第一绝缘层的尺寸等于或大于所述栅极扫描线的尺寸。
6.如权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括：
形成于所述栅极扫描线上的第二绝缘层；
形成于所述第二绝缘层上的有源层；
形成于所述有源层上的源/漏电极线；
形成于所述源/漏电极线上的保护层；及
形成于所述保护层上的像素电极。
7.一种显示面板，其特征在于，包括彩膜基板及如权利要求1-6任一项所述的阵列基板。
8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，所述彩膜基板包括：第二基板及依次形成于所述第二基板上的黑矩阵、彩色滤光片及透明电极层。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求7或8所述的显示面板。
10.一种阵列基板的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一第一基板，所述第一基板包括：像素区域及位于所述像素区域四周的非像素区域；
形成覆盖于所述第一基板的整个像素区域的公共电极层；
在所述第一基板的非像素区域内形成公共电极线，所述公共电极线与所述公共电极层连接；
在所述公共电极层上形成第一绝缘层；
在所述第一绝缘层上形成栅极扫描线；
在所述栅极扫描线上形成第二绝缘层；
在所述第二绝缘层上形成有源层；
在所述有源层上形成源/漏电极线；
在所述源/漏电极线上形成保护层；及
在所述保护层上形成像素电极。
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