TWI641894B - Liquid crystal display device and substrate for display device - Google Patents

Abstract

本發明之液晶顯示裝置包括：對向基板，係包含具有顯示區域與位於該顯示區域的外側的端子區域之第1透明基板，且在該第1透明基板之第1面上具備具有黑色層與第1金屬層之積層構造的第1配線層；液晶層；以及陣列基板，係具有：第2透明基板、設置於該第2透明基板上而且具有包含閘極之電晶體構造的主動元件、及與該第1配線層正交的第2配線層，並被黏貼成隔介該液晶層而與該第1透明基板之該第1面相向。在本發明之液晶顯示裝置中，在該端子區域，設置具有該黑色層及該第1金屬層之積層構造的複數個端子部；在該對向基板，將該第1配線層、具有形成於該顯示區域內之複數個開口部的黑矩陣、及覆蓋該黑矩陣之第1透明樹脂層按照此順序積層於該第1面上；該黑矩陣係具有比該第1配線層之線寬更寬的線寬，而且在俯視下以包含該第1配線層之圖案的方式重疊；該第2配線層係以第2金屬層形成，而且具有以該第2金屬層形成的遮光圖案；該主動元件係藉由設置於該主動元件上之第1絕緣層，以該遮光圖案覆蓋；藉由檢測出在該第1配線層與該第2配線層之間所產生之靜電電容的變化，進行觸控感測。

Description

液晶顯示裝置及顯示裝置用基板

本發明係有關於一種液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置係具備改善可見性且低電阻之配線圖案，而且可降低在主動元件所產生之雜訊。本發明係有關於一種稱為內建觸控感測機構(in cell)之液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置係在液晶單元內內建靜電電容式觸控感測功能。

一般已知將觸控面板配置於在智慧型手機或平板電腦等之攜帶式機器所設置的顯示裝置之顯示面的構成。觸控面板係用作為檢測出手指或指示器等與觸控面板之接觸的輸入手段。在觸控面板之手指或指示器等之位置的檢測係藉由檢測出藉觸控面板與手指或指示器等的接觸所產生之靜電電容的變化所進行的方式是主流。

可是，將觸控面板設置於顯示裝置的構造會導致顯示裝置整體之厚度或重量的增加，因此，可說在顯示裝置的構造中觸控面板係多餘的構件。為了使具備觸控面板之顯示裝置輕量化，已知主要利用有機薄膜之觸控面板，但是即使是這種觸控面板的情況，亦難避免顯示裝置整體之厚度或重量的增加。更甚者，其缺點是 在顯示裝置包括該觸控面板及高精細像素的情況下，難以對觸控面板進行必要之輸入(例如，筆輸入)。

具體而言，在顯示裝置具備300ppi(pixel per inch)，進而400ppi以上之高精細像素的情況，像素間距係約10~30μm。依此方式，在顯示裝置包括該觸控面板及高精細像素的情況，具有不僅很多觸控面板無法承受筆之筆壓，而且難實現足以應付顯示裝置之高精細化的觸控面板之解析度的問題。因此，要求在觸控面板之觸控感測技術的提升。

近年來，正開發一種稱為「內建觸控感測機構(in cell)」之觸控感測技術(以下稱為內建觸控感測機構式顯示裝置)，該技術係不使用觸控面板，而使液晶單元內或顯示裝置具有觸控感測功能。

作為上述之顯示裝置的構成，一般已知設置規則地排列複數層著色層之彩色濾光器基板及內設TFT(Thin Film Transistor)等的主動元件之陣列基板的構成。

在內建觸控感測機構式顯示裝置中，嘗試在彩色濾光器基板及陣列基板之任一方，或在彩色濾光器基板及陣列基板之雙方，設置一組觸控感測電極群的內建觸控感測機構構造。若依據此構造，可實現藉由檢測出在觸控感測電極群間所產生之靜電電容的變化，檢測出手指或指示器等之輸入位置的觸控感測功能。

又，在智慧型手機或平板電腦等之攜帶式機器用途的液晶顯示裝置，一般使用的方式係利用在設置於陣列基板之像素電極與共用電極之間所產生的邊緣電 場，在橫向電場方向驅動水平定向的液晶。此方式係稱為FFS(Fringe Field Switching)方式或IPS(In-Plane Switching)方式，具有可比在縱向電場方向驅動液晶之方式(縱向電場方式)確保更寬之視角的特徵。在利用FFS方式之液晶顯示裝置的陣列基板所設置之像素電極的圖案係梳齒狀或具有縫隙之複數個條紋圖案。將共用電極配設於像素電極的下部。

又，作為以往之顯示裝置或觸控面板，已知例如在專利文獻1~5所記載之顯示裝置或觸控面板。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本特開平7-36017號公報

[專利文獻2]日本特表2013-540331號公報

[專利文獻3]日本特開2013-242432號公報

[專利文獻4]日本特開2014-109904號公報

[專利文獻5]日本特表2009-540375號公報

專利文獻1係在包括作為相對向電極具有透明導電膜的絕緣性基板、液晶以及主動元件基板的構成，揭示在該絕緣性基板上經由絕緣膜正交的2組電極群。2組電極群係如實施例或第1圖所示構成，用於利用靜電電容耦合方式之筆輸入。

可是，一般在作為相對向電極使用透明導電膜之液 晶顯示裝置中，很多液晶顯示裝置以縱向電場驅動液晶，而具有視角窄之問題。若考慮專利文獻1之第1圖或第3圖所示的像素電極形狀，可推測在專利文獻1所揭示之液晶顯示裝置係縱向電場方式。關於專利文獻1之更重要的重點係如段落[0020]之記載所示，相對向電極將從進行筆輸入之輸入面所產生的輸入信號隔離。因此，將觸控感測用途的電極群形成於主動元件基板(陣列基板)，亦難確保觸控感測所需之充分的觸控靈敏度。此外，在專利文獻1所揭示之技術中，未考慮抑制因外光或從背光單元射入裝置內之入射光而在主動元件所產生之雜訊的技術。因為以Al或Cr等之金屬所形成的觸控感測用電極反射從背光單元所射出之射出光，所以光易射入TFT等主動元件。TFT等主動元件係受到入射光之影響，而對顯示有很大的不良影響。在專利文獻1幾乎未考慮這種由從以Al或Cr等之金屬所形成的電極群所產生之反射光引起的不良影響。

專利文獻2揭示由全反射率低之吸光層與導電層所積層的構成，進而，揭示觸控面板(例如，專利文獻2之請求項25)。可是，專利文獻2係未考慮將一組觸控感測電極裝入液晶單元內之內建觸控感測機構技術，此外，未暗示將觸控感測電極與彩色濾光器一體化。例如，在專利文獻2之段落[0071]、[0096]及第2實驗例，作為導電性圖案(或導電層)之材料，舉例了鋁。在紅色像素、綠色像素及藍色像素或黑矩陣之製程，採用使用鹼性顯像液之光蝕刻的手法，但是鋁之金屬配線易被鹼性顯 像液腐蝕，而難形成彩色濾光器。例如，在專利文獻2之請求項14中，規定在與基材之面的反面具備吸光層之構成的全反射率係3%以下。可是，在第1~第7實驗例，全反射率之量測波長係550nm。又，如在專利文獻2之第11圖、第16圖、或第18圖所揭示，未具體地揭示在可見區域400nm~700nm之光的波長區域，實現3%以下之全反射率的構成。例如，第18圖之反射率係因為400nm~500nm之藍光區域的反射率大，所以吸光層之顏色係未被觀察為黑色，而被觀察為藍色，可見性降低。

在專利文獻2之請求項24或第3實驗例，揭示形成導電層之金屬為銅(Cu)。可是，在將無鹼玻璃等之玻璃、或表面為樹脂之基板用作基材的情況下，具有無法充分地得到基材對銅、銅氧化物、或銅氧氮化物之密接性的問題。例如，以這些材料將銅膜形成於基材上，並將透明膠帶(註冊商標)等附著於銅膜，在剝離透明膠帶的情況下，具有銅膜從基材簡單地剝落之實用上的問題。因此，專利文獻2係未揭示在將含有銅之導電層形成於基材上的構成中，為了改善密接性之具體的技術。專利文獻2揭示關於外裝之觸控面板的技術。專利文獻2揭示將觸控感測功能裝入顯示裝置內之內建觸控感測機構構造。可是，完全未建議抑制因從裝置之外部射入內部的外光而在主動元件所產生之雜訊、或因從背光單元射入裝置內之入射光或反射光而在主動元件所產生之雜訊。

專利文獻3揭示一種具備利用靜電電容方式 之接觸感測器的液晶顯示裝置，該接觸感測器係將第1電極形成於將像素電極間分開的邊界區域，將第2電極形成於與該邊界區域相對向的區域，並使這些電極中一方的電極作用為驅動電極，另一方的電極作用為檢測電極。又，在專利文獻3之段落[0050]，揭示使用金屬來形成檢測電極。可是，如在專利文獻3之揭示所示，在以金屬形成檢測電極等的構造中，未考慮抑制因從裝置之外部射入內部的外光而在主動元件所產生之雜訊、或因從背光單元射入裝置內之入射光或反射光而在主動元件所產生之雜訊。在如實現300ppi等的高精細像素之液晶顯示的高精細化中，為了確保像素之孔徑比，黑矩陣的線寬變窄，因此，由向主動元件所射入的入射光或反射光所引起之對顯示品質的影響變大。在顯示裝置之高精細化中，像素尺寸亦變小，隨著，背光單元之亮度變高。尤其，需要避免從以金屬所形成之檢測電極或驅動電極反射的光向主動元件射入、及用作主動元件之通道層的半導體層在像素開口部露出。

例如，專利文獻3之第7圖所示之TFT46的右側端部構成為對外光或從背光單元射入裝置內之入射光露出，斜光射入作為通道部之半導體48。這種構成，對顯示品質有不良影響。專利文獻3中，實施形態揭示有IPS方式。液晶分子在基板面水平地旋轉之IPS方式或FFS方式的所謂液晶驅動方式中，液晶分子之旋轉動作所傳播的距離較長。因此，在對液晶層施加驅動電壓的情況下，由液晶分子之旋轉動作所造成的影響波及未被施加驅 動電壓的鄰接像素，而在鄰接像素之端部發生漏光。由於這種理由，在使用IPS方式或FFS方式之液晶顯示的觀點上，具有鄰接像素之顏色與驅動對象之像素的顏色混合之易發生混色的問題。尤其，這種混色的發生係在如實現300ppi以上的高精細像素之液晶顯示的高精細化中成為大問題。如專利文獻3之段落[0057]的記載所示，在將黑矩陣形成於玻璃基板面後形成彩色濾光器的構成，難消除此發生混色的問題。

在專利文獻4中，揭示沿著用以驅動TFT之信號線所延伸的方向，使用金屬配線等來形成驅動電極的技術。專利文獻4之主要部分係與專利文獻1類似。在專利文獻4所揭示之技術，以金屬配線形成觸控檢測電極或驅動電極等的構造，未考慮抑制因外光或從背光單元射入裝置內之入射光或反射光而造成在主動元件所產生之雜訊。在如實現300ppi等的高精細像素之液晶顯示的高精細化中，為了確保像素之孔徑比，黑矩陣的線寬變窄，因此，由向主動元件所射入的入射光或反射光所引起之對顯示品質的影響變大。在顯示裝置之高精細化中，像素尺寸亦變小，隨著，背光單元之亮度變高。尤其，未考慮從以金屬所形成之檢測電極或驅動電極反射的光向主動元件射入所引起之畫質的降低。

在專利文獻4，揭示被推測為利用FFS方式或IPS方式之液晶驅動的很多實施形態。例如，在第20圖、第21圖、第22圖，驅動電極COML係被記載於段落[0051]，作用為液晶顯示元件之共用電極而且亦作用為觸控檢 測的驅動電極。在此時，因為在檢測電極TDL與驅動電極COML之間係在其厚度方向包含像素信號線SGL、掃描信號線GCL、像素電極22等很多對觸控檢測出產生雜訊的產生源，所以無法說是較佳的構成。此外，如專利文獻4之第20圖~第22圖、第9圖及第23圖所示，因為具有厚度之玻璃基板31存在於檢測電極TDL與驅動電極COML之間，所以具有與檢測電極TDL與驅動電極COML之間的觸控檢測有關之靜電電容變小的問題。因此，在這種構造中，易拾取浮游之雜訊，而且在可檢測之靜電電容小的情況觸控檢測的精度降低。

又，在專利文獻4之相當於第9圖的第1實施形態，如專利文獻4之段落[0045]的揭示所示，揭示以VA(Vertical Alignment)方式及ECB(Electrically Controlled Birefringence)方式所驅動之液晶層6。進而，在對向基板3具備驅動電極COML。從這種揭示，可判斷專利文獻4揭示不使用利用FFS方式或IPS方式的橫向電場方式，而利用縱向電場方式的液晶顯示裝置。利用作為縱向電場方式已知之VA方式及ECB方式的液晶顯示裝置係若與利用FFS方式或IPS方式之橫向電場方式的液晶顯示裝置比較，如上述所示，具有斜向可見性差的特性。進而，在專利文獻4之揭示，未提議為了提高可見性，而以黑色層及黑矩陣夾持驅動電極COML等之金屬配線的構成。

在專利文獻5，如專利文獻5之請求項1~請求項3、請求項33、請求項45、請求項60等之記載所示，提議在與作為第1基板之TFT板的第2基板相對向的面，配 置至少一個觸控感測元件的構成。在專利文獻5之請求項4，記載設置在黑矩陣的背面所配置之複數個金屬觸控感測電極的構成。

可是，在專利文獻5，未考慮液晶顯示裝置之最佳化，尤其未考慮透射率。又，未考慮與觸控感測時之雜訊降低有關的技術，或未考慮觀察者觀察液晶顯示裝置的情況之可見性的改善。

此外，關於配置於黑矩陣之背面的複數個金屬觸控感測電極，未記載黑矩陣之圖案與複數個金屬觸控感測電極之圖案的細節。在專利文獻5之第57圖或第72圖，黑矩陣與以符號M1所表示之金屬等的圖案係可判斷大小相異。在專利文獻5，未揭示以相同之線寬形成黑矩陣及金屬等之圖案的技術。例如，未具體地揭示具備300ppi以上之像素的液晶顯示之高精細化的技術。

又，在專利文獻5幾乎未揭示保持以符號M1所表示之金屬等的圖案與觸控感測所使用之ITO等的相對向電極之間的靜電電容的方法、及觸控感測時用以降低雜訊或提高S/N比的具體對策。進而在專利文獻5中亦未考慮，例如在第36圖所示的構成中，防止從ITO或金屬BM所反射的光射入觀察者之眼的技術、或降低第57圖所示之黑矩陣的反射率以實現低反射率之改善可見性的技術。亦未考慮第57圖之符號M1之反射至液晶的反射光(在液晶單元內之再反射)。如第57圖或第58圖所示，黑矩陣的線寬係比M1(金屬1)的線寬更寬。可是，在一般之光蝕刻步驟中，需要容許約±2μm的對準精度，一般要相等 地形成黑矩陣與M1的線寬相當困難。

在專利文獻5之段落[0150]，記載60fps之顯示圖框更新速率與120fps之觸控掃描速率。可是，以120fps之觸控掃描速率所進行的觸控感測掃描係在60fps之顯示圖框更新速率內包含2次(120fps係60fps的2倍)。因此，在更新60fps之顯示圖框時，在此時序拾取與顯示有關之雜訊。易拾取液晶驅動的雜訊之作為顯示圖框更新速率之整數倍的觸控掃描速率不佳。專利文獻5在用以作用為液晶顯示裝置之透射率、觀察者之可見性、觸控感測時之雜訊降低、S/N比的觀點，具有很多問題。

其次，說明在利用FFS方式之液晶顯示裝置易發生之別的課題。第17圖係在模式上表示利用FFS方式之液晶顯示裝置的剖面圖。如第17圖所示，在利用FFS方式之液晶顯示裝置中，作為用以進行液晶驅動之電極，一般將梳齒狀電極之像素電極21與共用電極22經由絕緣膜形成於陣列基板200上。為了不降低像素之孔徑比，各個像素電極21及共用電極12係以稱為ITO(Indium Tin Oxide)等之材料所形成的透明電極。液晶層30之液晶分子係以在像素電極21與共用電極22之間所產生的邊緣電場驅動。又，將絕緣層6設置於液晶層與彩色濾光器16之間。在具備這種構成之顯示裝置用基板100，形成於像素電極21與共用電極22之間的等電位線42係因為彩色濾光器16等是絕緣體，所以如第17圖所示，大致對顯示裝置用基板之面在垂直方向延伸。若在等電位線42的形狀無大的變形，與液晶層30之基板面水平地定向的液晶分 子對與液晶層30之厚度方向正交的方向(水平方向)均勻並平行地旋轉，而可確保高的透射率。

第18圖係在模式上表示利用FFS方式之液晶顯示裝置的剖面圖，例如，表示將彩色濾光器16設置於透明基板10上，將絕緣層6設置於彩色濾光器16上，再將透明電極17設置於絕緣層6上，而液晶層30位於透明電極17上的液晶顯示裝置。

第19圖係在模式上表示利用FFS方式之液晶顯示裝置的剖面圖，例如，表示將透明電極17設置於透明基板10上，將彩色濾光器16設置於透明電極17上，再將絕緣層6設置於彩色濾光器16上，而液晶層30位於絕緣層6上的液晶顯示裝置。

在第18圖及第19圖，表示藉作為導電膜之透明電極17將等電位線封入液晶顯示裝置之內部的狀況。尤其，在第18圖，將透明電極17設置於與液晶層30鄰接之位置，在液晶層30內等電位線發生變形，液晶分子的動作或定向狀態的變化變成不均勻。因此，液晶層30之液晶分子不會一致地朝向同一方向，而光之透射率大為降低。

如專利文獻3之第7圖或第8圖所示，將檢測電極36配置於遠離液晶層60之位置的外側之理由係由於若將係導電體之檢測電極36配置於接近液晶層60之位置，則對液晶顯示裝置之透射率給予不良影響的可能性較高。

又，主動元件(TFT)之信號線(源極配線)係因為在顯示動作之間連續地將影像信號送至主動元件，所以在源 極配線的周圍必然地發生影像信號之供給所伴隨的雜訊。因此，例如，在專利文獻3之第3圖~第6圖，因為將驅動電極48或檢測電極之配線設置成與影像信號線Px重疊之網狀的矩陣狀，而具有與影像信號線Px重疊之圖案形狀的構造易拾取雜訊。

此外，在專利文獻3之段落[0033]，記載「亦可採用時間分割」，但是在觸控感測驅動中，以不受液晶驅動頻率左右而且比液晶驅動更高之頻率進行高速驅動較佳。

在主動元件(TFT)中，需要考慮防止光射入主動元件之通道部的對策或降低洩漏電流的對策。其理由係由於光入射或洩漏電流，驅動信號可能漏入不驅動之像素，因串音或閃爍等而顯示畫質易降低。在具備300ppi(pixel per inch)，進而400ppi以上之高精細像素的顯示裝置中，則要求黑矩陣等之細線化或與主動元件連接之配線的細線化。因此，必須檢討防止由該黑矩陣或主動元件之連接配線等的細線化所引起之對TFT的光入射、配線電阻之增大、畫質降低的對策。在專利文獻3或專利文獻4，幾乎未考慮這種高精細化所引起的問題點。

本發明係鑑於上述之問題點而開發者，提供液晶顯示裝置及顯示裝置用基板，該液晶顯示裝置係難拾取雜訊，並減少鄰接像素的顏色與驅動對象之像素的顏色混合的混色，而可確保液晶顯示之透射率或顯示品質，實現300ppi以上之高精細像素。

本發明之第一形態的液晶顯示裝置包括：對向基板，係包含具有顯示區域與位於該顯示區域的外側的端子區域之第1透明基板，且在該第1透明基板之第1面上具備具有黑色層與第1金屬層之積層構造的第1配線層；液晶層；以及陣列基板，係具有：第2透明基板、設置於該第2透明基板上而且具有包含閘極之電晶體構造的主動元件、及與該第1配線層正交的第2配線層，並被黏貼成隔介該液晶層而與該第1透明基板之該第1面相向。在本發明之第一形態的液晶顯示裝置，在該端子區域，設置具有該黑色層及該第1金屬層之積層構造的複數個端子部；在該對向基板，將該第1配線層、具有形成於該顯示區域內之複數個開口部的黑矩陣、及覆蓋該黑矩陣之第1透明樹脂層按照此順序積層於該第1面上；該黑矩陣係具有比該第1配線層之線寬更寬的線寬，而且在俯視狀態下以包含該第1配線層之圖案的方式重疊；該第2配線層係以第2金屬層形成，而且具有以該第2金屬層所形成的遮光圖案；該主動元件係隔介設置於該主動元件上之第1絕緣層被該遮光圖案所覆蓋；藉由檢測出在該第1配線層與該第2配線層之間所產生之靜電電容的變化，進行觸控感測。

在本發明之第一形態的液晶顯示裝置，亦可該開口部係具有長邊與短邊；在俯視下，將該第2配線層設置成與該開口部之該短邊平行。

在本發明之第一形態的液晶顯示裝置，亦可該陣列基板係具有與該閘極以電性連接的閘極配線；在 俯視下，將該第2配線層以沿著該閘極配線平行地延伸之方式設置於該第1絕緣層上。

在本發明之第一形態的液晶顯示裝置，亦可該第2配線層之電位係定電位。

本發明之第一形態的液晶顯示裝置，亦可具備設置於該第1金屬層與該第1透明樹脂層之間的彩色濾光器層。

在本發明之第一形態的液晶顯示裝置，亦可該第1透明樹脂層係設置於該黑矩陣與該液晶層之間。

在本發明之第一形態的液晶顯示裝置，亦可該黑矩陣之相對介電常數係位於3.0~4.4之範圍。

在本發明之第一形態的液晶顯示裝置，亦可該主動元件係具備包含由鎵、銦、鋅、錫、鍺中之各個的氧化物所構成之2種以上的金屬氧化物之通道層的電晶體。

在本發明之第一形態的液晶顯示裝置，亦可該陣列基板係具有：像素電極、設置於該像素電極與該第2透明基板之間的共用電極、及設置於該像素電極與該共用電極之間的第2絕緣層；該主動元件係與該像素電極電性連接；該液晶層係以被施加於該像素電極與該共用電極之間的電壓所驅動。

在本發明之第一形態的液晶顯示裝置，亦可該液晶層之起始定向係與該第2透明基板之面平行。

本發明之第二形態的顯示裝置用基板包含：透明基板，係具有第1面、與該第1面相反側之第2面、顯 示區域、以及位於該顯示區域之外側而且設置於該第1面的端子區域；配線層，係設置於該第1面，並具有黑色層及金屬層之積層構造，該黑色層及該金屬層係具有彼此相等之線寬；複數個端子部，係設置於該端子區域，並具有該黑色層及該金屬層之積層構造；黑矩陣，係設置成覆蓋該配線層，並具有形成於該顯示區域內之複數個開口部，在俯視下，具有比該配線層之線寬更寬的線寬，而且以在該顯示區域內包含該配線層之圖案的方式重疊；以及覆蓋該黑矩陣之第1透明樹脂層。

在本發明之第二形態的顯示裝置用基板，亦可包含設置於該金屬層與該黑矩陣之間的第2透明樹脂層。

本發明之第三形態的顯示裝置用基板包含：透明基板，係具有第1面、與該第1面相反側之第2面、顯示區域、以及位於該顯示區域之外側而且設置於該第1面的端子區域；配線層，係設置於該第1面，並具有黑色層及金屬層之積層構造，該黑色層及該金屬層係具有彼此相等之線寬；複數個端子部，係設置於該端子區域，並具有該黑色層及該金屬層之積層構造；黑矩陣，係設置成覆蓋該配線層，並具有形成於該顯示區域內之複數個開口部，在俯視下，具有比該配線層之線寬更寬的線寬，而且以在該顯示區域內包含該配線層之圖案的方式重疊；彩色濾光器層，係在該顯示區域內設置於該金屬層與該黑矩陣之間；以及覆蓋該黑矩陣之第1透明樹脂層。

在本發明之第三形態的顯示裝置用基板，亦可包含設置於該彩色濾光器層與該黑矩陣之間的第2透明樹脂層。

在本發明之第三形態的顯示裝置用基板，亦可該黑矩陣之相對介電常數係位於3.0~4.4之範圍。

若依據本發明之上述的形態，可提供一種液晶顯示裝置，該液晶顯示裝置係不使用具有如觸控面板之厚度的構件，而具備黑色層，得到高的可見性，可實現300ppi以上的高精細化，而且具備高精度之觸控感測功能。若依據本發明之上述的形態，可提供一種顯示裝置用基板，該顯示裝置用基板係用於具有高精度之觸控感測功能的顯示裝置，並具有高的可見性。

進而，若依據本發明之上述的形態，可提供一種顯示裝置用基板，該顯示裝置用基板係用於具有高精度之觸控感測功能的顯示裝置，並具有具備彩色濾光器層之高的可見性。此外，在本發明之上述的形態之第1配線層與第2配線層的距離係相當於液晶層的厚度與設置於液晶單元內之透明樹脂層等的絕緣體之厚度的總厚度，並比以往之液晶顯示裝置薄。因此，可得到易充分確保靜電電容之效果。因為在本發明之上述的形態之第1配線層與第2配線層為都是直線形狀，所以與彎曲圖案或網孔狀圖案相比，難拾取電性雜訊，而可提高S/N比。

1‧‧‧黑色層

2‧‧‧第1金屬層

3‧‧‧第1配線層

4’、4‧‧‧黑矩陣

5‧‧‧第2透明樹脂層

6‧‧‧第1透明樹脂層

10‧‧‧透明基板(第1透明基板)

10a‧‧‧第2面

10b‧‧‧第1面

11‧‧‧端子部

11a‧‧‧端子區域

12‧‧‧開口部

15‧‧‧有效顯示區域(顯示區域)

20‧‧‧透明基板(第2透明基板)

21‧‧‧像素電極

22‧‧‧共用電極

23‧‧‧第2配線層

24‧‧‧第1絕緣層

25‧‧‧第2絕緣層

26‧‧‧第3絕緣層

27、28‧‧‧浮動圖案

50‧‧‧通道層

51‧‧‧主動元件

52‧‧‧閘極配線

53‧‧‧閘極

54‧‧‧源極配線

55‧‧‧源極

59‧‧‧遮光圖案(遮光層)

60‧‧‧接觸孔

100、100A‧‧‧顯示裝置用基板(對向基板)

200‧‧‧陣列基板

R‧‧‧紅色像素(著色層)

G‧‧‧綠色像素(著色層)

B‧‧‧藍色像素(著色層)

CF‧‧‧彩色濾光器

Fx、Fy‧‧‧邊框部

第1圖係局部地表示本發明之第1實施形態之液晶顯示裝置的剖面圖，係沿著第7圖所示之A-A’線的剖面圖。

第2圖係本發明之第1實施形態之液晶顯示裝置所具備的顯示裝置用基板之從透明基板之面所觀察的俯視圖。

第3圖係表示本發明之第1實施形態的液晶顯示裝置所具備之第1配線層與第2配線層之一例的俯視圖。

第4圖係局部地表示本發明之第1實施形態的液晶顯示裝置之顯示裝置用基板的俯視圖，係將第1圖所示之液晶顯示裝置的俯視圖局部地放大的平面，並係說明黑矩陣與第1配線層之關係的圖。

第5圖係將本發明之第1實施形態的液晶顯示裝置所具備之陣列基板局部地放大的俯視圖，表示主動元件、閘極配線、及源極配線之位置關係的一例，並表示與在第4圖所示之顯示裝置用基板上所設置的黑矩陣之開口部的位置對準之陣列基板的開口部。

第6圖係將本發明之第1實施形態的液晶顯示裝置所具備之陣列基板局部地放大的俯視圖，係表示將像素電極積層於第5圖所示之陣列基板的開口部上之構造的圖。

第7圖係將本發明之第1實施形態的液晶顯示裝置所具備之陣列基板局部地放大的俯視圖，係表示將第2配線層及遮光層積層於第6圖所示之陣列基板上之構造的圖。

第8圖係將本發明之第1實施形態的液晶顯示裝置所具備之陣列基板局部地放大的剖面圖，係沿著第7圖所示之B-B’線的剖面圖。

第9圖係將本發明之第1實施形態的液晶顯示裝置所具備之顯示裝置用基板局部地放大的剖面圖，係沿著第2圖所示之C-C’線的剖面圖。

第10圖係局部地表示本發明之第2實施形態之顯示裝置用基板的剖面圖。

第11圖係局部地表示本發明之第3實施形態之液晶顯示裝置的剖面圖。

第12圖係局部地表示本發明之第3實施形態的液晶顯示裝置所具備之顯示裝置用基板的剖面圖。

第13圖係局部地表示本發明之第3實施形態的顯示裝置用基板之端部的剖面圖。

第14圖係本發明之實施形態之液晶顯示裝置的方塊圖。

第15圖係用以說明藉本發明之實施形態的顯示裝置用基板所具備之黑矩陣所得之效果的模式剖面圖。

第16圖係用以說明以往之顯示裝置用基板所具備之黑矩陣之問題點的模式剖面圖。

第17圖係用以說明在使用FFS方式之液晶顯示裝置之等電位線的模式剖面圖。

第18圖係在使用FFS方式之液晶顯示裝置中，用以說明在彩色濾光器與液晶層之間具備透明電極(導電膜)時之不良情形的模式剖面圖。

第19圖係在使用FFS方式之液晶顯示裝置中，用以說明在彩色濾光器與透明基板之間具備透明電極(導電膜)時之不良情形的模式剖面圖。

[實施發明之形態]

以下，一面參照圖式，一面說明本發明之實施形態。

此外，在以下之說明中，對相同或實質上相同之功能及構成元件，附加相同的符號，並省略說明，或僅在必要的情況進行說明。

在各圖中，為了將各構成元件設為可在圖面上識別之程度的大小，使各構成元件之尺寸及比例與實際者適當地相異。

在各實施形態中，說明特徵性部分，例如，對一般之顯示裝置的構成要素和本實施形態之顯示裝置無差異的部分係省略說明。又，在各實施形態，說明液晶顯示裝置或顯示裝置用基板之例子，但是本實施形態之顯示裝置用基板係亦可應用於如有機電致發光顯示裝置之液晶顯示裝置以外的顯示裝置。

此外，在以下之記載，有時將作為觸控感測用之配線的第1配線層與第2配線層之雙方或單方稱為觸控感測配線或觸控感測電極。

[第1實施形態]

使用第1圖~第9圖，說明第1實施形態之液晶顯示裝置。此外，在本實施形態所說明之液晶顯示裝置具備本發明之實施形態的顯示裝置用基板。又，以下所記載之「俯視」意指觀察者從觀察液晶顯示裝置之顯示面(顯示裝置用基板之平面)的方向所觀察的平面。本發明之實施 形態的液晶顯示裝置之顯示部的形狀或規定像素之開口部的形狀、構成液晶顯示裝置之像素個數係未受到限定。但，在以所詳述之實施形態中，在俯視下，在將像素之短邊的方向規定為X方向，將長邊的方向規定為Y方向，進而將透明基板之厚度方向規定為Z方向下，說明液晶顯示裝置。在以下的實施形態中，亦可將如上述所示規定之X方向與Y方向互換，來構成液晶顯示裝置。

第1圖係局部地表示本實施形態之液晶顯示裝置LCD的剖面圖。

本發明之第1實施形態的液晶顯示裝置LCD包括：顯示裝置用基板100(對向基板)；陣列基板200，係被黏貼成與顯示裝置用基板100相向；及液晶層30，係藉顯示裝置用基板100及陣列基板200所夾持。在液晶顯示裝置LCD將光供給至內部之背光單元設置於構成液晶顯示裝置LCD之陣列基板200的背面(與配置液晶層30之陣列基板200的面係相反面)。此外，亦可背光單元設置於液晶顯示裝置LCD的橫面。在此情況，例如，使從背光單元所射出之光反射至液晶顯示裝置LCD之內部的反射板、導光板、或光擴散板等設置於陣列基板200的背面。

在第1圖中，對液晶層30賦與起始定向之定向膜、偏光薄膜等的光學薄膜、保護用之蓋玻璃等係被省略。

(顯示裝置用基板)

如第1圖所示，顯示裝置用基板100(對向基板)具備透明基板10(第1透明基板)，該透明基板10具有第1面10b及與第1面10b係相反側的第2面10a。第2面10a係朝向液 晶顯示裝置LCD之外側所露出的面，作用為觸控感測輸入面。第1面10b係與陣列基板200相對向的面。顯示裝置用基板100包括：第1配線層3，係形成於透明基板10之第1面10b上；透明樹脂層5(第2透明樹脂層)，係以覆蓋第1配線層3之方式形成於透明基板10上；黑矩陣4，係形成於透明樹脂層5上；及透明樹脂層6(第1透明樹脂層)，係以覆蓋黑矩陣4之方式形成於透明樹脂層5上。換言之，透明樹脂層6設置於黑矩陣4與液晶層30之間。即，在顯示裝置用基板100，將第1配線層3、黑矩陣4及透明樹脂層6按照此順序積層於第1面10b上。透明樹脂層5設置於第1金屬層2與黑矩陣4之間。

第1配線層3(配線層)具有積層構造，該積層構造係由形成於透明基板10之第1面10b上的黑色層1與形成於黑色層1上的第1金屬層2(導電層、金屬層)所構成。

如第1圖或第2圖所示，第1配線層3之線寬可設為與係第1配線層3之構成要素之黑色層1及第1金屬層2的線寬相同。此外，亦可黑色層1及第1金屬層2的線寬係彼此相異，例如，亦可黑色層1之線寬比第1金屬層2的線寬更寬。從提高像素之開口率的觀點來看，黑色層1之線寬與第1金屬層2的線寬為相同較佳。第1金屬層2係可藉一層以上之金屬薄膜形成。在藉金屬薄膜形成第1金屬層2的構成中，可抑制光射入主動元件51(後述)。

如第2圖所示，透明基板10具有：有效顯示區域15(顯示區域)；端子區域11a，係位於有效顯示區域15 的外側，而且設置於第1面10b；及邊框部Fx、Fy。如後述所示，複數個端子部11設置於端子區域11a。

如第2圖所示，邊框部Fx、Fy係以包圍有效顯示區域15之方式設置於透明基板10的第1面10b上。在邊框部Fx、Fy，為了完全遮蔽從背光單元所射出之光，亦可配設遮光薄膜圖案。在將這種遮光薄膜圖案形成於邊框部Fx、Fy的情況，例如，使用與在第1金屬層2或遮光層59(後述)之形成所使用者相同的金屬薄膜，以與第1金屬層2在電性上獨立的方式將遮光薄膜圖案形成於邊框部Fx、Fy。

在有效顯示區域15內，設置具有已形成之複數個開口部12的黑矩陣4。

參照第2圖及第3圖，說明設置於顯示裝置用基板100之第1配線層3、與設置於陣列基板200上的第2配線層23(後述)。此外，在第3圖中，為了易於理解第1配線層3與第2配線層23之位置關係，記載成僅抽出第1配線層3與第2配線層23。

設置於顯示裝置用基板100之第1配線層3係與設置於陣列基板200上的第2配線層23(後述)在俯視下正交。第1配線層3及第2配線層23作用為觸控感測電極，該觸控感測電極係檢測出從液晶顯示裝置LCD之外側接近顯示裝置用基板100之第2面10a之手指等的指示器。

在第3圖所示之例子中，藉連接配線3b(3)將3條第1配線3a彼此電性連接。連接配線3b係在X方向延伸。第1配線3a係在Y方向延伸。藉連接配線3b及3條第1配 線3a形成一個第1配線群G1。一個第1配線群G1係如第2圖所示，經由配線3c與一個端子部11電性連接。又，複數個第1配線群G1係沿著X方向等間隔地設置於透明基板10的第1面10b上。進而，因應複數個第1配線群G1之個數的數量之複數個端子部11係沿著X方向等間隔地設置於端子區域11a。

又，在顯示裝置用基板100，設置與第1配線3a平行地在Y方向所延伸之浮動圖案27。此浮動圖案27係在形成第1配線層3時同時形成於透明基板10上，並具有與第1配線層3相同之積層構造。浮動圖案27係電性浮動的導電圖案，未與第1配線層3電性連接。

在第3圖所示之例子中，藉連接配線23b(23)將3條第2配線23a彼此電性連接。連接配線23b係在Y方向延伸。第2配線23a係在X方向延伸。藉連接配線23b及3條第2配線23a形成一個第2配線群G2。一個第2配線群G2係與設置於陣列基板200上之端子連接。因應複數個第2配線群G2之個數的數量之複數個端子部設置於陣列基板200上。藉此，透過端子部，觸控感測控制部122(後述)可檢測出從第2配線群G2所輸出之檢測信號，或觸控感測控制部122可將驅動信號供給至第2配線群G2。

又，在陣列基板200，設置與第2配線23a平行地在X方向所延伸之浮動圖案28。此浮動圖案28係在形成第2配線層23時同時形成於透明基板20上，並具有與第2配線層23相同之構造。浮動圖案28係電性浮動的導電圖案，未與第2配線層23在電性上連接。

構成第1配線層3之第1配線3a(3)與構成第2配線層23之第2配線23a(23)在複數個交點交叉。指示器接近複數個交點中之任一個交點時，在該交點彼此交叉的第1配線3a與第2配線23a之間所產生的靜電電容會變化。藉由檢測出這種靜電電容之變化，進行觸控感測驅動(後述)。

此外，在第1配線層3作用為在觸控感測驅動之驅動電極的情況，如第3圖所示，藉由使第2配線層23(第2配線23a)之線寬M2W比第1配線層3(第1配線3a)之線寬M1W更寬，可增加在第1配線層3與第2配線層23之間所產生的邊緣電容(靜電電容)。進而，藉由將第2配線層23形成於閘極配線52(後述)上，可擴大第2配線層23的寬度。

在俯視下，第1配線層3及第2配線層23係藉黑矩陣4覆蓋較佳。即，第1配線層3之線寬及第2配線層23之線寬係比黑矩陣4之線寬更窄較佳。具體而言，如第2圖~第4圖所示，黑矩陣4(第2遮光部4b)之線寬BMsW係比第1配線層3之線寬M1W更寬，黑矩陣4(第1遮光部4a)之線寬BMgW係比第2配線層23(第2配線23a)之線寬M2W更寬。即，黑矩陣4係與第1配線層3重疊成在俯視下包含第1配線層3的圖案(第1配線圖案)。

依此方式規定線寬之理由係因為在使用金屬之薄膜等來形成第1配線層3與第2配線層23之各個的情況時，用以防止從第1配線層3或第2配線層23所產生之反射光射入觀察者之眼或主動元件51的通道層50。藉由以黑色層1 與黑矩陣4夾持光反射性高之金屬細線(第1金屬層2)，可大為提高液晶顯示之辨視性或顯示畫質。

此外，在本發明之實施形態中，構成第1配線層3之第1配線3a的條數、構成第2配線層23之第2配線23a的條數、及複數條第1配線3a所合在一起之群的群數(例如彼此以電性連接之3條第1配線3a合在一起，形成一個群，並設置複數個群)、複數條第2配線23a所合在一起之群的群數(例如彼此以電性連接之3條第2配線23a合在一起，形成一個群，並設置複數個群)、形成這種配線層群之方法、間拔驅動(不驅動全部之配線層，而驅動所選擇之配線)等的驅動方法、第1配線3a的寬度、第2配線23a的寬度、浮動圖案27、28之條數、浮動圖案27、28的寬度等係無限定。

例如，亦可在構成第1配線層3之18條第1配線3a中，除了12條第1配線3a外(在12條第1配線3a中，不進行信號供給，亦不進行信號檢測)，形成(組成)藉剩下之6條而規定一個群的複數個群。或者，亦可在構成第2配線層23之18條第2配線23a中，除了12條第2配線23a外(在12條第2配線23a中，不進行信號供給，亦不進行信號檢測)，形成(組成)藉剩下之6條而規定一個群的複數個群。在此情況，可使用依此方式所組成之第1配線3a及第2配線23a，進行觸控感測驅動或驅動信號之檢測，而可使觸控感測之速度高速化。在第3圖，圖示藉3條第1配線3a形成一個群，而且藉3條第2配線23a形成一個群的構成例。

第4圖係將第2圖所示之顯示裝置用基板100 的俯視圖局部地放大的俯視圖，並係說明黑矩陣4與第1配線層3之關係的圖。第4圖表示與陣列基板200黏貼之顯示裝置用基板100的像素構成。

黑矩陣4具有在X方向所延伸之第1遮光部4a、與在Y方向所延伸之第2遮光部4b。第1遮光部4a與第2遮光部4b係彼此交叉，黑矩陣4具有藉第1遮光部4a及第2遮光部4b所包圍之開口部12。第1遮光部4a形成開口部12之短邊，第2遮光部4b形成開口部12之長邊。

此外，在第4圖所示之例中，開口部12之Y方向(長邊)的長度係比X方向(短邊)的長度更長，但是亦可開口部12之X方向的長度比Y方向的長度更長。在黑矩陣4，設置因應構成液晶顯示裝置LCD之顯示面的複數個像素之個數的數量之複數個開口部12。複數個開口部12係在有效顯示區域15內，沿著X方向及Y方向排列，即，設置成矩陣狀。

第1遮光部4a係以在俯視下與閘極配線52(後述)重疊的方式延伸，並具有線寬BMgW(沿著Y方向的寬度)。第2遮光部4b係以在俯視下與源極配線54(後述)重疊的方式延伸，並具有線寬BMsW(沿著X方向的寬度)。

如第1圖及第4圖所示，在俯視下，黑矩陣4之第2遮光部4b係與第1配線層3重疊，第2遮光部4b之線寬BMsW係比第1配線層3之線寬M1W更寬。此外，第1配線層3之線寬M1W的中心位置與黑矩陣4之第2遮光部4b之線寬BMsW的中心位置係與中心線CW一致。又，如第1圖所示，第1配線層3及第2遮光部4b係設置於像素之側邊部(例 如，與源極配線54重疊之位置)，並配置成對在一個像素之像素中心CL線對稱。

作為構成第1配線層3之第1金屬層2的材料，可應用含有銅、銀、金、鈦、鉬、鋁、或含有這些金屬之合金。因為鎳係鐵磁性體，所以在使用鎳來進行第1金屬層2之成膜的步驟中，成膜速率變低。作為使用鎳來進行第1金屬層2之成膜的方法，可採用濺鍍法等之真空成膜法。此外，在顯示裝置用基板100等之製程，不形成彩色濾光器的情況，可使用鋁或鋁合金來形成第1金屬層2。鉻具有環境污染庂問題或電阻值大的負面情形，但是為了提高密接性而可用作第1金屬層2之基底膜。又，為了提高密接性，可將包含氧化銦之金屬氧化物用作第1金屬層2之基底層或表層。一樣地，為了實現密接性之改善或可靠性之改善，可應用對上述之金屬或合金添加了選自銅或鋁、鎂、鈣、鈹、鈧、鎵、釔、鈦、鉬、銦、鍚、鋅、釹、鎳、鋁之一種以上的金屬元素的合金。亦可第1金屬層2係由複數層金屬所構成。

作為第1金屬層2，在採用銅合金薄膜或鋁合金薄膜的情況下，若將膜厚設為100nm以上或150nm以上，則可見光幾乎不會透過。因此，第1金屬層2係例如以100nm~300nm之膜厚可得到充分的遮光性。第1金屬層2係亦可由銦銅合金/鎂銅合金/銦銅合金之3層構造所構成，亦可各個係10nm/120nm/15um的膜厚。在此情況，例如，銦之對銅的添加量係18at%，鎂之對銅的添加量係0.5at%。

說明進行第1金屬層2之成膜的方法。為了提高透明基板10與第1金屬層2之密接性、或第1金屬層2之基底膜與第1金屬層2的密接性，在透明基板10與第1金屬層2之界面、或基底膜與第1金屬層2之界面進行成膜時，導入氧氣，可進行第1金屬層2之成膜。作為成膜裝置，可使用濺鍍裝置等之真空成膜裝置。例如，亦可將具有從2nm至約30nm的膜厚之包含很多氧氣的金屬層形成於第1金屬層2的表面或界面。

作為構成第1配線層3之黑色層1的材料，例如，可使用作用為吸光性之色料的碳或碳奈米管。亦可對黑色層1更添加用以調整顏色的複數種有機顏料。藉透過量測所得之黑色層1的光學濃度係可作成例如未滿2。例如，藉透過量測所得之黑色層1的光學濃度位於1μm之每單位膜厚從0.4至1.8之範圍，而且，黑色層1之膜厚位於從0.1μm至0.7μm之範圍較佳。

例如，在僅將碳用作色料來形成黑色層1的情況，光學濃度成為2或3以上時，在透明基板10與黑色層1的界面所產生之光的反射率可能超過3%。藉由適當地選擇碳等之黑色色料、或調整對碳所添加之複數種有機顏料或樹脂的量，可適當地設定黑色層1之光學濃度、反射色、或在透明基板10與黑色層1之界面的反射率。例如，在從可見區域400nm至700nm的波長區域，可將在透明基板10與黑色層1之界面的反射率設為3%以下。

其次，說明黑色層1之圖案的形成方法。

首先，例如，將感光性之黑色塗布液塗布於透明基 板10(第1面10b)。接著，使用對應於黑色層1之圖案的遮罩，進行被塗布於透明基板10上之黑色塗布液的曝光，而形成圖案化的黑色層1。然後，進行顯影步驟、熱處理步驟等，而得到硬膜化之黑色層1。黑色塗布液係例如使碳分散於藉由將可與有機溶劑光交聯之丙烯酸樹脂與起始劑所混合的塗布液所製作。此外，黑色層1之形成方法係未限定為上述的方法。

其次，說明形成黑色層1之其他的方法。

首先，將黑色塗布液塗布於透明基板10上，而形成黑色膜。然後，使用上述之成膜方法及成膜裝置，將含有第1金屬層2之形成材料的金屬薄膜成膜於黑色膜上。接著，藉濕蝕刻之手法，產生金屬薄膜之圖案，藉此，形成第1金屬層2。藉此，將圖案化之第1金屬層2形成於黑色膜上，黑色膜從第1金屬層2之間局部地露出。然後，藉由對基底之黑色膜進行乾蝕刻，產生黑色層1的圖案。若依據本方法，可使第1金屬層2之線寬與黑色層1之線寬大致相等，並可加工成高精細化的圖案。作為黑色塗布液，使用由將硬化劑、起始劑、單體、分散劑與該碳或有機顏料分散在丙烯酸等之感光性樹脂、或熱硬化性樹脂的有機溶劑。藉由將低折射率之樹脂應用於黑色塗布液，可降低透明基板10與黑色層1之界面的反射率。

其次，說明端子部11的構造。

第9圖係沿著第2圖所示之C-C’線的剖面圖，係表示形成於端子區域11a(有效顯示區域15之外側)之端子部11之剖面構造的圖。端子部11係與構成第1配線層3之第1 金屬層2及黑色層1一樣，地具有第1金屬層2及黑色層1的積層構造(雙層)。在有效顯示區域15之外側，透明樹脂層6係將端部與透明樹脂層5之端部覆蓋於黑矩陣4，並使構成端子部11之第1金屬層2在端子區域11a露出。如第2圖所示，沿著X方向配置複數個端子部11。端子部11用於電性組裝。因為將這種端子部11設置於顯示裝置用基板100，所以在將顯示裝置用基板100裝入液晶顯示裝置LCD的構造中，觸控感測控制部122(後述)可透過端子部11，將驅動信號供給至第1配線群G1，或觸控感測控制部122可透過端子部11，檢測出從第1配線群G1所輸出之檢測信號。

本實施形態之黑矩陣4的相對介電常數位於3.0~4.4之範圍較佳。以下，說明黑矩陣4的相對介電常數位於3.0~4.4之範圍較佳的理由。

如第17圖所示，在利用FFS方式之液晶顯示裝置中，例如以在形成於梳齒狀之像素電極21與位於像素電極21之下部的共用電極22之間所形成的邊緣電場驅動液晶。在邊緣電場之等電位線係在從液晶層30朝向彩色濾光器16之方向均勻地形成較佳。在設置在接近液晶層30之層具有高的相對介電常數之圖案的情況，等電位線之分布扭曲，而易引起漏光或暗部之形成等之畫質的降低。可是，作為黑矩陣之黑色色料所常用之碳所分散的黑色膜(硬膜化之黑矩陣)係相對介電常數極高，約10~20。在利用稱為橫向電場方式之IPS方式或FFS方式之液晶分子的驅動中，具有高之相對介電常數的黑矩陣會對液晶驅動 給予很大的影響。

因此，在本發明之實施形態的液晶顯示裝置或顯示裝置用基板，應用位於3.0~4.4之範圍之低相對介電常數的黑矩陣較佳。相對介電常數之量測係使用阻抗分析器等之量測器，以作為液晶之驅動頻率之從60Hz至480Hz的頻率進行。在以丙烯酸等之透明樹脂為基材的著色膜(包含黑色膜)中，為了確保有效的遮光性或著色性，需要使具有某程度之量的色料或顏料分散至黑色膜或著色膜。考慮分散至著色膜之顏料的量而得之相對介電常數的下限值係3.0。在著色膜之相對介電常數係2.9以下的情況，無法將能充分著色或遮光的色料添加於著色膜。又，在使用起始定向為水平且介電常數各向異性是正的液晶之利用FFS方式的液晶顯示裝置中，從例如4.5至6.5之稍高之介電常數各向異性的範圍選擇△ε，將具有所選擇之介電常數各向異性的液晶應用於本實施形態。藉此，得到複數個優點。具體而言，具有可降低關於液晶驅動之臨限值電壓、及改善液晶之響應性(上升)。換言之，藉由將顯示裝置用基板或彩色濾光器構成元件之相對介電常數的值設為4.4以下，可得到可使液晶之相對介電常數的值變成更小且無礙液晶驅動的條件。作為黑矩陣4，藉由使用由複數種有機顏料所組合之混合色料的遮光層膜、或對上述之複數種顏料添加了在色料固態比10%以下之少量之碳的遮光膜，可使黑矩陣4之相對介電常數變成4.4以下。作為黑矩陣4之分散基材所使用的樹脂，使用低折射率之樹脂亦較佳。

又，黑矩陣4(第2遮光部4b)設置於彼此鄰接的2個像素之間。具體而言，以與位於第1圖之中央部的第1像素、和位於第1像素之左側的第2像素之間的邊界區域相對向的方式配置黑矩陣4。換言之，以與構成第1像素之像素電極21、和構成第2像素之像素電極21之間的邊界區域相對向的方式設置黑矩陣4。在此邊界區域，液晶層30存在於顯示裝置用基板100與陣列基板200之間。又，此邊界區域相當於後述之第14圖之以符號40所表示的定向不良區域。

一樣地，黑矩陣4之第1遮光部4a係以與位於彼此鄰接的2個像素之間的邊界區域相對向的方式所設置。

(陣列基板)

如第1圖及第5圖~第8圖所示，陣列基板200係以經由液晶層30與透明基板10之第1面10b相向的方式所黏貼。陣列基板200包括：透明基板20(第2透明基板)；形成於透明基板20上之閘極配線52與閘極53；第3絕緣層26，係以覆蓋閘極配線52與閘極53之方式形成於透明基板20上；形成於第3絕緣層26上之源極配線54、源極55、汲極56、及通道層50；第2絕緣層25，係以覆蓋源極配線54、源極55、汲極56、及通道層50之方式形成於第3絕緣層26上；形成於第2絕緣層25上之共用電極22；第1絕緣層24，係以覆蓋共用電極22之方式形成於第2絕緣層25上；以及形成於第1絕緣層24上之像素電極21。

在這種陣列基板200，設置具有藉源極配線54、源極55、汲極56、及通道層50所構成之電晶體構造的主動元 件51(TFT，後述)。

第5圖係表示將像素電極21形成於陣列基板200上之前的構造的俯視圖，係說明主動元件51、源極配線54、閘極配線52、汲極56、接觸孔60、及共用電極22等之位置關係的圖。第6圖係表示經由接觸孔60，形成與汲極56連接之像素電極21後之構造的俯視圖，係表示經由接觸孔60形成與汲極56連接之像素電極21後之構造的俯視圖，係表示形成第2配線層23及遮光層59之前之構造的圖。第7圖係表示形成第2配線層23及遮光層59之後之構造的俯視圖。第8圖係沿著第7圖所示之B-B’線的剖面圖。

在第5圖~第7圖所示之局部放大圖中，共用電極22配置於像素之開口部12內。主動元件51設置於從閘極配線52在Y方向所延伸之閘極53、與從源極配線54在X方向所延伸之源極55所重疊的位置。在第5圖所示之例中，位於像素之右上的角部。如第8圖所示，主動元件51具有：汲極56，係經由接觸孔60與像素電極21電性連接；源極55，係與源極配線54電性連接；通道層50，係在汲極56與源極55之間設置成與兩電極55、56局部重疊；及閘極53，係配置成經由第3絕緣層26與通道層50相對向。源極配線54係在Y方向平行地排列，閘極配線52係在X方向平行地排列。此外，在本實施形態中，將閘極配線52(閘極53)直接形成於透明基板20上，但是亦可預先將絕緣層形成於透明基板20上，再將閘極配線52(閘極53)形成於此絕緣層上。在主動元件51中，因應於被供給至 閘極53的信號，在通道層50與閘極53之間產生電場(電場效應)，進行電晶體之開關動作。

像素電極21設置成經由第1絕緣層24與共用電極22相對向。像素電極21係以是氧化銦、或氧化錫之混合氧化物的ITO所形成。像素電極21係設置成與配置成矩陣狀之複數個開口部12的各個對應，並形成梳齒狀(參照第6圖)。具體而言，在一個像素中，像素電極21包括3個梳齒電極部21a與電極基部21b。電極基部21b係在X方向延伸，並設置於與接觸孔60重疊之位置，經由接觸孔60與汲極56電性連接。3個梳齒電極部21a係從電極基部21b在Y方向所延伸。在彼此鄰接的梳齒電極部21a之間，如第1圖所示，第1絕緣層24在液晶層30露出(定向膜被省略)，在主動元件51驅動時產生橫向電場。

如第7圖所示，第2配線層23及遮光層59排列成並排。第2配線層23(第2配線圖案)係設置於與閘極配線52對應之位置(與閘極配線52重疊之位置)，且在閘極配線52的上方。第2配線層23係具有線寬M2W，並與開口部12之短邊平行地沿著閘極配線52(與X方向平行地)延伸。

遮光層59係設置於與主動元件51對應之位置，如第8圖所示，以隔介第1絕緣層24而覆蓋主動元件51之方式所形成。又，遮光層59係如第6圖及第7圖所示，以覆蓋像素電極21之電極基部21b的方式所形成。遮光層59係使用作為與構成第2配線層23之材料相同的材料之金屬所形成。遮光層59係與第2配線層23平行地在X方向延伸。

遮光層59及第2配線層23係在同一形成步驟中，使用同一金屬層所形成。作為形成方法，使用周知之圖案化技術。作為第2配線層23及遮光層59的形成材料，使用包含釹之鋁合金(第2金屬層)。在陣列基板200之積層方向，亦可遮光層59及第2配線層23係在位置上形成同一層。即，第2配線層23係以第2金屬層所形成，而且具有以第2金屬層所形成的遮光圖案(遮光層59)。藉此遮光圖案隔介第1絕緣層24而覆蓋主動元件51。

遮光層59及第2配線層23係亦可電性連接，但是在此情況，易拾取雜訊。因此，遮光層59及第2配線層23係彼此分開，在電性上絕緣較佳。

此外，亦可遮光層59位於第1絕緣層24之上方，而且直接形成於像素電極21(電極基部21b)上。或者，亦可將遮光層59形成於係第1絕緣層24上且像素電極21(電極基部21b)之下。在本實施形態中，作為一例，在第8圖表示將遮光層59設置於像素電極21上的構造。又，遮光層59之平面圖案係因應於需要防止光入射之部位，適當地決定。換言之，本發明之實施形態的遮光層59係使用與第2配線層23相同之金屬層，可與第2配線層23同時形成，而且具有可自如地設計以遮光為目的之遮光圖案的優點。

可想到不將作為觸控感測配線之一方的配線之第2配線層23設置於閘極配線52的上方，而設置於源極配線54的上方。可是，在此情況，第2配線層23易拾取由影像信號所引起的雜訊。為了減輕由影像信號所引起的雜訊，將第2配線層23形成於第1絕緣層24上較佳。又， 亦可增加設置於透明基板20上之絕緣層的層數或厚度。亦可在第2配線層23之上面或下面、及遮光層59之上面或下面，另外形成絕緣層。依此方式設置成與第2配線層23及遮光層59之面接觸的絕緣層亦可是被稱為SOG(Spin On Glass)之無機絕緣層、或丙烯酸樹脂等之有機絕緣層。在此情況，無機絕緣層或有機絕緣層係在形成第2配線層23之前，被積層於第1絕緣層24之上。

閘極配線52與源極配線54係以銅合金及鈦之雙層構造所形成的金屬配線。在這種金屬配線之雙層構造，銅合金位於上層。通道層50係以InGaZnO系之氧化物半導體所形成。但，本發明之實施形態係不限定構成上述之構造的材料。作為構成觸控感測配線之金屬或合金的材料，亦可使用上述之各種材料。又，觸控感測配線的構造係未限定為單層構造，作為複數層之金屬層，可採用由金屬氧化物所積層之積層構造。

主動元件51之通道層50能以多矽等之矽系半導體、或氧化物半導體形成。通道層50係包含IGZO(註冊商標)等之鎵、銦、鋅、錫、鍺中之2種以上之金屬氧化物的氧化物半導體較佳。例如，通道層50係以InGaZnO系之金屬氧化物所形成。

在通道層50使用IGZO等之氧化物半導體的主動元件51係電子移動率高，例如，能以2msec(毫秒)以下的短時間將所需之驅動電壓施加於像素電極21。例如，倍速驅動(每秒之顯示圖框數係120個圖框的情況)的一個圖框係約8.3msec。例如，在以時間分割進行液晶驅動與觸 控感測驅動的情況，可將扣除液晶驅動之2msec之剩約6msec分配給觸控感測驅動。

又，在通道層50使用氧化物半導體之主動元件51係如上述所示，因為漏電流少，所以可長時間保持施加於像素電極21的驅動電壓。在觸控感測驅動與液晶驅動係時間分割的情況下，例如以配線電阻值比鋁配線更小的銅配線形成主動元件之信號線、掃描線、輔助電容線等，進而，作為主動元件之通道層50的材料，可使用能以短時間驅動之IGZO。在此情況，在觸控感測驅動的掃描中，時間邊限變寬，能以高精度檢測出所產生之靜電電容的變化。藉由將IGZO等之氧化物半導體應用於主動元件，可縮短液晶等之驅動時間，而在顯示畫面整體之影像信號處理中，可在應用於觸控感測之時間產生充分的裕度。此外，在通道層50使用氧化物半導體之主動元件51係在影像顯示時主動元件51幾乎無漏電，而可一面確保穩定之影像顯示，一面與液晶驅動平行地進行觸控感測驅動。

進而，對觸控感測之需求或介面等係多樣化，例如，為了實現檢測出指紋等後判定之個人認證或藉微細之筆尖的輸入等，一直要求高精度。在此時，有要求擴大觸控感測驅動信號之振幅，即擴大信號之電壓振幅(峰至峰間)(高振幅化)的情況。在通道層50使用氧化物半導體之主動元件51係電性耐壓性比矽系半導體高，而適合這種高振幅化。

將氧化物半導體用作通道層50之薄膜電晶體 係例如具有底閘極型構造。在薄膜電晶體，亦可使用頂閘極型或雙閘極型之電晶體構造。此外，作為薄膜電晶體的構造，在採用頂閘極型構造的情況，薄膜電晶體之通道層係朝向接近背光單元之陣列基板的面。在此構成，背光單元之光易射入通道層，可說是不利的構造。在剖面構造中，亦可以覆蓋朝向背光單元之通道層的方式將遮光層(遮光圖案)形成於透明基板20上。在此情況，遮光層係作為在陣列基板200之積層構造的最下層所形成。可是，在此構成中，作為與遮光層59相同之金屬層同時形成的第2配線層23亦位於最下層。即，在陣列基板200之厚度方向的第2配線層23與第1配線層3之間的距離變長。因此，會有電性雜訊之增加等之對觸控感測的影響之疑慮。

作為光感測器、或構成其他的主動元件之主動元件，亦可採用具備氧化物半導體之通道層的薄膜電晶體。具有這種構造之主動元件係因為記憶性高(漏電流小)，所以易保持施加液晶驅動電壓後之像素電容。

在透明基板20上，亦可在與設置於有效顯示區域15的外側之邊框部Fx、Fy對應的位置，形成控制液晶驅動或觸控驅動的驅動電路。構成此驅動電路之主動元件係亦可具備藉IGZO等之氧化物半導體所形成的通道層50。藉由以在俯視下與邊框部Fx、Fy重疊之方式將驅動電路形成於透明基板20上，使被稱為表框(bezel)之邊框的面積變小，而可使在液晶顯示裝置LCD之顯示面積的比例增加。

(液晶層)

液晶層30配置於被黏貼成相向的顯示裝置用基板100與陣列基板200之間。液晶層30之液晶分子係伴隨主動元件51之開關動作以在像素電極21與共用電極22之間所產生的邊緣電場所驅動。液晶係具有正之介電常數各向異性，液晶之起始定向係水平定向。在此，藉摩擦或光定向之定向處理的方向係在正之介電常數各向異性之液晶的情況，在俯視下，對梳齒狀之像素電極的排列方向，在例如5°至20°之傾斜方向進行即可。

(液晶顯示裝置LCD的功能)

其次，參照第14圖，說明本實施形態之液晶顯示裝置LCD的方塊圖。

第14圖係說明本實施形態之液晶顯示裝置的方塊圖。本實施形態之液晶顯示裝置LCD包括：顯示部110，係設置於對應於有效顯示區域15之位置；及控制部120，係用以控制顯示部110及觸控感測功能。控制部120係具有周知的構造，並包括影像信號時序控制部121、觸控感測控制部122以及系統控制部123。藉控制部120，控制液晶驅動與觸控感測驅動。系統控制部123控制影像信號時序控制部121及觸控感測控制部122。

又，在液晶顯示裝置LCD中，例如將發出紅色發光、綠色發光及藍色發光等之LED發光元件用作背光單元之光源。控制部120係以場序之手法控制彩色顯示。

在具備該控制部120之液晶顯示裝置LCD中，亦可在第1配線層3與第2配線層23的任一方和共用電極 22之間，或在第1配線層3及第2配線層23的各個和共用電極之間，進行施加與液晶驅動電壓相異之電壓的控制。若依據此控制方法，可輔助液晶分子之上升(ON)及下降(OFF)的高速化或定向控制等之液晶驅動。

亦可不以分時驅動進行液晶驅動與觸控感測驅動。例如，將第2配線層23用於定電位之檢測電極，而且將第1配線層3用於觸控感測之驅動電極。在此情況，觸控感測驅動對液晶驅動之干涉的程度變小，而可使驅動液晶之像素電極的驅動頻率與觸控感測電極的驅動頻率相異。例如藉由將第2配線層23經由高電阻接地之連接，可使第2配線層23之電位變成定電位。又，將觸控感測之驅動電壓設定成例如難影響液晶驅動之低電壓，例如液晶之臨限值Vth以下較佳。藉此，觸控感測驅動對液晶驅動無影響，而可降低耗電力。

作為觸控感測之驅動頻率，可選擇難拾取外部雜訊之頻率。此外，亦可控制部120具有：偵測外部雜訊頻率的功能；及調整功能，係以與所偵測之外部雜訊頻率相異的方式調整觸控感測之驅動頻率的頻帶。例如，可將觸控感測之驅動頻率設為數KHz~數十KHz，並將液晶驅動之頻率設為60Hz~480Hz。進而，亦可分時地進行觸控感測驅動與液晶驅動。在將第1配線層3作為驅動電極(觸控感測驅動掃描電極)的情況，可配合所要求之觸控輸入的速度，任意地調整用以檢測出靜電電容之掃描信號的頻率。觸控感測之驅動頻率係如上述所示，比液晶驅動頻率高之頻率較佳。此外，對從液晶顯示裝 置之外部進入內部的外部雜訊、或從液晶顯示裝置之內部所產生的內部雜訊之各個的頻率，使觸控感測之驅動頻率相異較佳。或者，在觸控感測驅動中，亦可使第2配線層23作用為驅動電極，並使第1配線層3作用為檢測電極。在此情況，例如，第2配線層23係以固定頻率施加交流脈波之驅動電極(掃描電極)。

此外，在觸控感測驅動及液晶驅動，亦可施加於驅動電極之電壓(交流信號)係使正負之電壓反轉的反轉驅動方式。又，亦可使用對各像素驅動像素電極之點反轉驅動方式。

或者，關於觸控感測驅動電壓，藉由使施加之交流信號的電壓振幅(峰至峰間)變小，可減輕觸控感測驅動電壓對液晶顯示的影響。

此外，作為觸控感測驅動電壓(觸控感測驅動電壓)，在對交流電壓或矩形波電壓施加偏置(供給偏壓)的情況，作為定電位所設定之電位(電壓)可設定成作為交流電壓等之中央值的電壓(平均值)。觸控感測驅動電壓係例如被施加於第1配線層3。與第1配線層3相對向之第2配線層23的電位係定電位，但是不限定為0(零)伏特。只要在影像顯示驅動之間或觸控感測驅動之間保持於固定之電位即可。

在液晶驅動時或觸控感測時可將第1配線層3或第2配線層23設定為定電位。或者，可使全部之第2配線層23經由高電阻接地。高電阻之值係可設為例如從數十億歐姆至數千萬億歐姆之範圍。代表性的，可設為1兆歐姆至 50兆歐姆。可是，在以IGZO等之氧化物半導體形成液晶顯示裝置LCD之構成主動元件51之通道層的情況，亦可為了降低液晶顯示像素之易燒傷的程度，使用比十億歐姆更低的電阻。又，在觸控感測中，在不設置重設靜電電容之重設電路的簡易控制下，亦可為了重設靜電電容之目的，使用比十億歐姆更低的電阻。

此外，在液晶驅動所使用之共用電極的電壓Vcom一般係包含在液晶驅動之用以進行圖框反轉動作之信號的交流矩形波信號，例如對各圖框施加±2.5V之交流電壓。在本實施形態中，作為定電位，不使用在如上述所示之驅動所需的交流電壓。本實施形態之「定電位」係需要至少比液晶驅動之臨限值(Vth)小，而且容許在固定之範圍內所產生的電壓變動之電壓。

例如，可將施加於第1配線層3或第2配線層23之觸控感測電極的驅動頻率設為與液晶驅動之頻率相異的頻率或更高的驅動頻率。

一般，液晶驅動之頻率係以60Hz或60Hz之整數倍所定義的驅動頻率。通常，進行觸控感測之部位(觸控感測部位)會受到液晶驅動頻率所伴隨之雜訊的影響。進而，一般之家庭電源係50Hz或60Hz的交流電源，觸控感測部位易拾取從以這種外部電源動作之電器所產生的雜訊。因此，藉由將觸控感測之驅動頻率設定成從50Hz或60Hz的頻率稍微偏移之與50Hz或60Hz相異的頻率，可大為降低由液晶驅動所引起而產生之雜訊、或從外部之電器所產生的雜訊之影響。偏移量小量即可，例如從雜訊頻率 偏移了±3%~±17%之量即可，藉此，可降低雜訊頻率之干擾。例如，為了降低雜訊，作為觸控感測之驅動頻率，可從數kHz~數百kHz之範圍選擇不會與該液晶驅動頻率或電源頻率發生干擾的頻率。

(液晶顯示裝置LCD的動作)

其次，說明具有該構成之液晶顯示裝置LCD的動作。

在藉控制部120驅動液晶顯示裝置LCD時，進行檢測出在顯示裝置用基板100之第2面10a的手指或指示器等之輸入位置的觸控感測。具體而言，觸控感測控制部122係將第2配線層23設為定電位，並對第1配線層3施加檢測驅動電壓，而檢測出在第1配線層3及第2配線層23之間所產生之靜電電容(邊緣電容)的變化。例如，在手指或指示器接近或接觸第2面10a時，在對應於手指或指示器的平面位置之第1配線層3與第2配線層23的交點，第1配線層3及第2配線層23之間的靜電電容會變化。觸控感測控制部122係檢測出發生該靜電電容之變化的位置，而特定手指或指示器的位置。

另一方面，影像信號時序控制部121控制排列成矩陣狀之複數個像素之各個的顯示。具體而言，影像信號時序控制部121係將影像信號送至與構成主動元件51之源極55連接的源極配線54，並將掃描信號送至與構成主動元件51之閘極53連接的閘極配線52。藉此，閘極配線52係藉影像信號時序控制部121依序掃描，源極配線54係從影像信號時序控制部121收到影像信號。伴隨掃描 信號及影像信號之接收，主動元件51驅動，而驅動液晶之液晶驅動電壓施加於共用電極22與像素電極21之間，進行驅動液晶層30之液晶分子的液晶驅動。藉此，將影像顯示於顯示部110上。

在依此方式進行液晶驅動之間，從背光單元所射出之光射入陣列基板200。因為主動元件51係被遮光層59覆蓋，所以遮光層59可防止由從背光單元所射出之光引起的反射光射入主動元件，而可防止從液晶顯示裝置LCD之外部射入內部的光射入主動元件。又，從背光單元射出後往主動元件51之背面的光係藉閘極53遮光。因為遮光層59係可與作為觸控感測電極之一方的電極之第2配線層23同時形成，所以藉遮光可實現畫質之提高，而不增加製程，就可對液晶顯示裝置LCD賦與觸控感測功能。

又，如第1圖所示，第1配線層3及第2遮光部4b係位於像素之側邊部，並配置成對像素中心CL線對稱。在液晶層30驅動時透過液晶層之光係通過開口部12後，通過形成於彼此鄰接的第1配線層3之間的開口部，再經由液晶顯示裝置之顯示面，射出液晶顯示裝置的外部。即，可對像素中心CL線對稱地從各像素射出斜光，而可使視角變成均勻。

在液晶顯示裝置LCD中，如第15圖所示，以與在位於顯示裝置用基板100與陣列基板200之間，而且彼此鄰接之像素A與像素B之間的液晶層30中所產生之定向不良區域40相對向的方式設置黑矩陣4。以下，參照 第15圖及第16圖，說明藉黑矩陣4所得之效果。

第16圖係表示利用FFS驅動方式之以往的液晶顯示裝置600之構成的剖面圖。在液晶顯示裝置600，將黑矩陣9形成於透明基板70上，將導電層8(金屬層)形成於黑矩陣9上，並以覆蓋黑矩陣9及導電層8之方式將透明樹脂層7形成於透明基板70上。在液晶顯示裝置600，黑矩陣9與陣列基板200之距離大。液晶顯示裝置600包括彼此鄰接之像素A’及像素B’。液晶顯示裝置600之像素電極21與共用電極22的構成係與液晶顯示裝置LCD相同。

第15圖係局部地表示液晶顯示裝置LCD的剖面圖。黑矩陣4設置於第1配線層3與陣列基板200之間。黑矩陣4與陣列基板200之距離係比液晶顯示裝置600之黑矩陣9與陣列基板200的距離短。即，在液晶顯示裝置LCD中，將黑矩陣4設置於更接近液晶層30的位置。液晶顯示裝置LCD包括彼此鄰接之像素A及像素B。

在液晶顯示裝置LCD及液晶顯示裝置600之雙方，例如在係像素A(A’)為ON狀態而且像素B(B’)為OFF狀態之液晶驅動時，由於像素電極21與共用電極22之間的電場，產生未被充分地控制液晶分子之定向不良區域40。

在第16圖所示之以往之液晶顯示裝置600的情況，因為將黑矩陣9設置於遠離液晶層30的位置，所以從背光單元射出後通過像素A’的斜光41易進入像素B’。換言之，驅動像素A’時，光經由定向不良區域40洩漏至未驅動的像素B’，發生像素A’之顏色與像素B’之顏色混合的混色，而對比降低。如上述所示，在具備300ppi以 上之高精細像素的液晶顯示裝置中，該混色成為重大的技術課題。進而，在以往之液晶顯示裝置600以金屬薄膜形成導電層8的情況，從背光單元所射出之光42係可能被導電層8反射後，反射光射入未圖示之主動元件的通道部。若光射入主動元件，主動元件易發生錯誤動作，而對顯示品質帶來不良影響。

另一方面，在第15圖所示之液晶顯示裝置LCD，因為將黑矩陣4設置於接近液晶層30之位置，所以以從背光單元射出後通過像素A的斜光41被黑矩陣4截斷，而進入像素B的部分較少。將像素A設為ON(白)狀態，亦可使對像素B之影響變小。又，藉由設置黑矩陣4，從第1金屬層2所產生之反射光幾乎不會射入主動元件，不會引起畫質之降低。更而，在具有該構造之液晶顯示裝置LCD，可使液晶單元的厚度變薄，可抑制對鄰接像素的漏光，並可使黑矩陣的線寬變窄。

[第2實施形態]

其次，參照第10圖，說明本發明之第2實施形態的顯示裝置用基板。在第2實施形態，對與上述之第1實施形態相同的構件附加相同的符號，其說明係省略或簡化。

第10圖係局部地表示本發明之顯示裝置用基板的剖面圖。

第2實施形態之顯示裝置用基板包括：第1配線層3，係具有由黑色層1及第1金屬層2所構成之積層構造，而且設置於透明基板10上；黑矩陣4’，係以覆蓋第1配線層3之側面及表面的方式設置於透明基板10上；及透明樹脂 層6，係以覆蓋黑矩陣4’之方式設置於透明基板10上。黑矩陣4’係在有效顯示區域15內具有複數個開口部12。在此構成，為了避免第15圖所示之經由定向不良區域40射入鄰接像素之斜射出光的影響，黑矩陣4’的線寬BMsW’係比第1圖所示之黑矩陣4的線寬BMsW更寬。藉由使線寬BMsW’變寬，孔徑比降低，但是因為可省略形成如第1圖所示之透明樹脂層5的步驟，所以可減少製程數。又，藉由將第2實施形態之顯示裝置用基板應用於液晶顯示裝置LCD，可得到與第1實施形態一樣之效果。

[第3實施形態]

其次，參照第11圖~第13圖，說明本發明之第3實施形態的顯示裝置用基板及液晶顯示裝置。在第3實施形態，對與上述之第2實施形態及第1實施形態相同的構件附加相同的符號，其說明係省略或簡化。

第12圖係局部地表示本發明之第3實施形態之顯示裝置用基板100A的剖面圖。顯示裝置用基板100A係用於第11圖所示之液晶顯示裝置LCD’。在顯示裝置用基板100A中，在透明基板10上，第1配線層3、彩色濾光器CF(彩色濾光器層)、透明樹脂層5、黑矩陣4及透明樹脂層6係按照此順序所形成。即，將彩色濾光器CF設置於第1金屬層2與透明樹脂層5之間。在彩色濾光器CF中，沿著X方向排列構成紅色像素之著色層R、構成綠色像素之著色層G、及構成藍色像素之著色層B。複數層著色層R、G、B設置於與進行全彩色顯示之液晶顯示裝置之像素排列對應的位置。

顯示裝置用基板100A係未限定為液晶顯示裝置，亦可應用於有機電致發光顯示裝置等之顯示裝置。

構成第1配線層3之黑色層1係與第1實施形態一樣，係將碳作為主要之色料的遮光層。第1金屬層2係具有與黑色層1相同的線寬，而且被積層於黑色層1上。第1金屬層2係例如由3層之銅合金所構成，並具有以包含18at%之銦的銅合金夾持包含0.5at%之鎂的銅合金的構造。銦銅合金或包含ITO等之銦氧化物的銦含有層係對玻璃或樹脂之密接性高，而且可實現可靠性高之電性連接。

第13圖係局部地表示顯示裝置用基板100A之端部的剖面圖。

如第13圖所示，顯示裝置用基板100A具備設置於有效顯示區域15的外側並用於電性組裝的端子部11。端子部11係黑色層1與第1金屬層2之雙層構成。在端子部11的表層，作為金屬層之第1金屬層2露出。第1金屬層2的最表面係如上述所示以包含銦之金屬合金所形成。

第11圖係局部地表示本發明之第3實施形態之液晶顯示裝置LCD’的剖面圖。在液晶顯示裝置LCD’中，應用第12圖所示之具備彩色濾光器CF的顯示裝置用基板100A。陣列基板200具有與第1實施形態一樣的構成。液晶層30係與陣列基板200之面平行地定向，並以像素電極21與共用電極22之間的邊緣電場所驅動。又，若依據第3實施形態之液晶顯示裝置LCD’，可得到與第1實施形態一樣之效果。又，因為具備彩色濾光器CF，所以藉由將射出白光之背光單元應用於液晶顯示裝置LCD’，可 實現全彩色顯示。因此，不必使用場序之手法。

本實施形態之液晶顯示裝置係可進行各種應用。作為可應用本實施形態之液晶顯示裝置的電器，列舉手機、攜帶式遊戲機、攜帶式資訊終端機、個人電腦、電子書、攝影機、數位靜態相機、頭戴式顯示器、液晶投影機、導航系統、音響播放裝置(汽車音響、數位音響播放機等)、影印機、傳真機、列表機、列表機複合機、自動販賣機、現金自動存提款機(ATM)、個人認證機、穿戴式電子機器、汽車用顯示器、光通訊機器等。上述之各實施形態係可自如地組合後使用。

在上述，說明了本發明之較佳實施形態。應理解這些係本發明之舉例表示，不可認為是作為限定者。可在不超出本發明之範圍內，進行追加、省略、替換、及其他的變更。因此，本發明係不可看成藉上述之說明來限定，而是根據申請專利範圍而限定。

Claims (15)

1. 一種液晶顯示裝置，其包括：對向基板，係包含具有顯示區域與位於該顯示區域的外側的端子區域之第1透明基板，且在該第1透明基板之第1面上具備具有黑色層與第1金屬層之積層構造的第1配線層；液晶層；以及陣列基板，係具有：第2透明基板；主動元件，係設置於該第2透明基板上而且具有包含閘極的電晶體構造；及與該第1配線層正交的第2配線層；被黏貼成隔介該液晶層而與該第1透明基板之該第1面相向；該液晶顯示裝置係：在該端子區域，設置具有該黑色層及該第1金屬層之積層構造的複數個端子部；在該對向基板，將該第1配線層、具有形成於該顯示區域內之複數個開口部的黑矩陣、及覆蓋該黑矩陣之第1透明樹脂層按照此順序積層於該第1面上；該黑矩陣係具有比該第1配線層之線寬更寬的線寬，而且在俯視下以包含該第1配線層之圖案的方式重疊；該第2配線層係以第2金屬層形成，而且具有以該第2金屬層形成的遮光圖案；該主動元件係藉由設置於該主動元件上之第1絕緣層，以該遮光圖案覆蓋；藉由檢測出在該第1配線層與該第2配線層之間所 產生之靜電電容的變化，進行觸控感測。
2. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中該開口部係具有長邊與短邊；在俯視下，將該第2配線層設置成與該開口部之該短邊平行。
3. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中該陣列基板係具有與該閘極電性連接的閘極配線；在俯視下，將該第2配線層以沿著該閘極配線平行地延伸之方式設置於該第1絕緣層上。
4. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中該第2配線層之電位係定電位。
5. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中具備設置於該第1金屬層與該第1透明樹脂層之間的彩色濾光器層。
6. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中該第1透明樹脂層係設置於該黑矩陣與該液晶層之間。
7. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中該黑矩陣之相對介電常數係位於3.0~4.4之範圍。
8. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中該主動元件係具備包含由鎵、銦、鋅、錫、鍺中之各個的氧化物所構成之2種以上的金屬氧化物之通道層的電晶體。
9. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中該陣列基板係具有：像素電極；共用電極，係設置於該像素電極與該第2透明基板之間；及第2絕緣層，係設置於該像素電極與該共用電極之間；該主動元件係與該像素電極電性連接； 該液晶層係以被施加於該像素電極與該共用電極之間的電壓所驅動。
10. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中該液晶層之起始定向係與該第2透明基板之面平行。
11. 一種顯示裝置用基板，係使用於液晶顯示裝置，該顯示裝置用基板包含：對向基板，係包含具有顯示區域與位於該顯示區域的外側的端子區域之第1透明基板，且在該第1透明基板之第1面上具備具有黑色層與第1金屬層之積層構造的第1配線層，該黑色層及該第1金屬層係具有彼此相等之線寬；液晶層；及陣列基板，係具有：第2透明基板；主動元件，係設置於該第2透明基板上而且具有包含閘極的電晶體構造；及與該第1配線層正交的第2配線層；該第2配線層係由第2金屬層所形成，且具有由第2金屬層所形成的遮光圖案，該主動元件係隔介設於該主動元件上的第1絕緣層被該遮光圖案所覆蓋，該陣列基板貼附成隔介該液晶層而與該第1透明基板之該第1面相向，複數個端子部，係設置於該端子區域，並具有該黑色層及該第1金屬層之積層構造；黑矩陣，係設置成覆蓋該第1配線層，並具有形成於該顯示區域內之複數個開口部，在俯視下，具有比該第1配線層之線寬更寬的線寬，而且以在該顯示區域內包含該第1配線層之圖案的方式重疊；以及 覆蓋該黑矩陣之第1透明樹脂層。
12. 如請求項11之顯示裝置用基板，其中包含設置於該第1金屬層與該黑矩陣之間的第2透明樹脂層。
13. 一種顯示裝置用基板，係使用於液晶顯示裝置，該顯示裝置用基板包含：對向基板，係包含具有顯示區域與位於該顯示區域的外側的端子區域之第1透明基板，且在該第1透明基板之第1面上具備具有黑色層與第1金屬層之積層構造的第1配線層，該黑色層及該第1金屬層係具有彼此相等之線寬；液晶層；及陣列基板，係具有：第2透明基板；主動元件，係設置於該第2透明基板上而且具有包含閘極的電晶體構造；及與該第1配線層正交的第2配線層；該第2配線層係由第2金屬層所形成，且具有由第2金屬層所形成的遮光圖案，該主動元件係隔介設於該主動元件上的第1絕緣層被該遮光圖案所覆蓋，該陣列基板貼附成隔介該液晶層而與該第1透明基板之該第1面相向，複數個端子部，係設置於該端子區域，並具有該黑色層及該第1金屬層之積層構造；黑矩陣，係設置成覆蓋該第1配線層，並具有形成於該顯示區域內之複數個開口部，在俯視下，具有比該第1配線層之線寬更寬的線寬，而且以在該顯示區域內包含該第1配線層之圖案的方式重疊；彩色濾光器層，係在該顯示區域內設置於該第1金 屬層與該黑矩陣之間；以及覆蓋該黑矩陣之第1透明樹脂層。
14. 如請求項13之顯示裝置用基板，其中包含設置於該彩色濾光器層與該黑矩陣之間的第2透明樹脂層。
15. 如請求項11或13之顯示裝置用基板，其中該黑矩陣之相對介電常數係位於3.0~4.4之範圍。