TWI591402B - Liquid crystal display device - Google Patents

Description

液晶顯示裝置

本發明係有關穿透率高且能有高速響應的液晶顯示裝置。本發明係進一步有關具備觸控感測(touch sensing)功能的顯示裝置基板、液晶顯示裝置。

在電視機之類的大型顯示器、平板電腦、智慧型手機等中係使用有液晶顯示裝置。一般而言，液晶顯示裝置係具有在玻璃等的兩片透明基板間夾持著液晶層之構成。如此構成的液晶顯示裝置主要的液晶驅動方式大致上能分為三種模式：周知的縱向電場方式的VA(Vertical Alignment；垂直配向)模式、周知的橫向電場方式的IPS(In-Plane Switching；平面電場切換)模式、FFS(Fringe Field Switching；邊緣電場切換)模式。

在VA模式中，係令液晶分子相對於液晶顯示裝置的基板面垂直配向，沿縱方向即液晶層厚度方向對液晶分子施加電場，藉此進行液晶驅動。在IPS模式或FFS模式中，係令液晶分子相對於液晶顯示裝置的基板面水平配向，沿略平行於基板面之方向對液晶分子施加電場，藉此進行液晶驅動。

採用FFS模式的液晶顯示裝置係具有能夠 藉由使用邊緣電場高速驅動液晶此一大優點。此外，在電場施加於液晶分子時，液晶分子係平行於基板面旋轉，因此具有廣視野角之特徵。然而，在FFS模式中，例如當形成為300ppi(pixel per inch；每英寸像素數)以上的高精細度時，有容易產生漏光及正面穿透率較VA模式低等問題。

為了解決上述問題，如專利文獻1所示併用縱向電場與橫向電場的技術正在研究中。

此外，以高速驅動採用縱向電場方式的垂直配向液晶顯示裝置的液晶為目的，如專利文獻2揭示之結合邊緣電場的新式液晶驅動方式亦正在研究中。

在該專利文獻1所揭示的技術中，基本上係藉由橫向電場(第2電壓施加手段)之施加來進行階調顯示，為了減少液晶分子的傾斜角而互補性地對液晶分子施加有縱向電場(第1電壓施加手段)。用以產生橫向電場的電極係形成為線狀，在第1基板上形成有平板狀的透明電極。在專利文獻1所揭示的技術中，對液晶分子並非僅施加橫向電場以進行液晶驅動及圖像顯示，還必須於顯示期間中對液晶分子持續施加縱向電場，故從功耗的觀點來看會是個問題。

專利文獻2所揭示的技術係併用縱向電場與在陣列基板的像素電極與共同電極間產生的邊緣電場，故比起通常的垂直配向技術，乃係功耗更低且更能實現高速驅動的技術。除此之外，在專利文獻2揭示的技術中，係能夠消除如其第21圖所示於VA方式的縱向電場所 觀察到的暗部之產生。

在專利文獻3揭示的技術中，係如其請求項1所揭示，第2複數觸控感應要素係設置在第1偏光片(polarizer)與第2偏光片之間，且在第1基板與第2基板之間以外設有第2複數感知要素。專利文獻3中亦揭示觸控驅動電極於顯示動作模式的期間作為儲存電容器的極板(counter electrode)而運作。

在專利文獻4揭示的技術中，係如其請求項1所揭示，令觸控感應要素的其中一者作為液晶顯示器的顯示動作模式的極板而動作。此外，專利文獻4中亦揭示以透明材料來形成配置在第2基板的觸控驅動電極之技術。

此外，液晶的響應時間乃係液晶驅動電壓施加至液晶分子(液晶層)時的上升時間(以下，以τon稱之)與液晶驅動電壓未施加於液晶分子時(液晶驅動電壓關斷(off)時)的下降時間(以下，以τoff稱之)之合計時間。就用於縮短τon的液晶驅動方法和液晶裝置的構造而言，係能夠採用提高液晶驅動電壓、使用過驅動(overdrive)之手法、減少液晶層厚度、使用使液晶分子高速動作的電極構造等各種方法和構造。然而，τoff通常乃係無電場狀態下回復至初始配向的時間，因此τoff係取決於液晶分子的電氣物性和黏度等液晶分子的材料物性。因此，要縮短液晶的響應時間，縮短τoff的時間便成了主題。在專利文獻3、專利文獻4中，並未揭示實現縮短τoff的時間之技術。

[先前技術文獻] [專利文獻]

[專利文獻1]日本國特開2002-23178號公報

[專利文獻2]日本國特許第5472373號公報

[專利文獻3]日本國特許第5517611號公報

[專利文獻4]日本國特許第5517612號公報

例如，在使用如專利文獻2所揭示之併用有邊緣電場的縱向電場方式之液晶顯示裝置中，係能夠大幅縮短液晶驅動電壓施加至液晶分子時(液晶驅動電壓開啟(on)時)的τon，而進行液晶的高速驅動。然而，於關斷驅動電壓時，施加於液晶分子的電場消失，故而液晶分子回復到原本的垂直配向(黑顯示)需要耗費時間，難以縮短液晶分子的下降時間τoff。由於液晶的響應時間係以上升時間τon與下降時間τoff之合計時間來表示，故必須藉由縮短τoff來改善響應性。

此外，已知有薄膜電晶體的通道(channel)層使用以IGZO(Indium Gallium Zinc Oxide；氧化銦鎵鋅)等由氧化銦、氧化鎵、氧化鋅等的複合氧化物構成的氧化物半導體。此種薄膜電晶體相較於通道層使用非晶矽半導體的習知薄膜電晶體，電子移動度快了約50倍，能夠快速地進行對像素電極的寫入(影像信號的寫入)。此外，在具備以氧化物半導體形成的通道層之薄膜電晶 體中，因漏電流極小，故對像素電極的寫入結束後的電壓保持性良好，不必為了維持圖像顯示進行再寫入。然而，在液晶顯示裝置中，電壓保持性良好此一特徵有時反而會造成容易發生像素的烙印之問題。

本發明係鑒於上述課題而研創，目的在於提供除了縮短縱向電場方式的液晶顯示裝置的響應時間外還能減輕像素的烙印之液晶顯示裝置。

本發明一態樣的液晶顯示裝置係含有：顯示裝置基板，係具有透明基板、透明樹脂層及透明電極，按前述透明樹脂層及前述透明電極之順序形成在前述透明基板上；陣列基板，係具備：多邊形的複數像素開口部、設置在前述複數像素開口部各者的像素電極、源極(source)配線、閘極(gate)配線、剖視下配置在前述像素電極與前述源極配線間的第1絕緣層、俯視下設置在前述第1絕緣層上區分前述像素電極之位置並且平行前述源極配線的導電配線；液晶層，係含有被夾持在前述顯示裝置基板與前述陣列基板之間的具負介電異向性的液晶分子，並且初始配向為垂直配向；及控制部，係對前述源極配線供給影像信號，同步於前述影像信號將液晶驅動電壓施加至前述透明電極與前述像素電極之間，藉此驅動前述液晶層，在前述液晶驅動電壓施加至前述像素電極後且前述液晶驅動電壓未施加於前述像素電極時，對前述導電配線施加電壓，藉此，令前述導電配線間產生在俯視下朝橫越前述源極配線之方向的電場。

此處，就多邊形的像素開口部的形狀圖案而言，例如可舉出正方形圖案、長方形圖案、平行四邊形圖案或ㄑ字形圖案(dog-legged pattern)。

在上述液晶層中係使用具負介電異向性並且初始配向為垂直配向的液晶分子，因此本發明一態樣乃係利用縱向電場方式的液晶顯示裝置。所謂的縱向電場方式，係指對配置於設在顯示裝置用基板的透明電極與設在陣列基板的像素電極間的液晶層，沿厚度方向施加液晶驅動電壓來驅動液晶層之方式。

如上述，藉由控制部，在前述液晶驅動電壓施加至前述像素電極後且前述液晶驅動電壓未施加於前述像素電極時，對前述導電配線施加電壓。藉此，令導電配線之間產生在俯視下朝橫越前述源極配線之方向的電場，藉由該電場使液晶分子的配向狀態成為垂直配向(初始配向)。因此，在以下的說明中，有時將用以產生朝向橫越源極配線之方向的電場的電壓且施加至導電配線的電壓稱為「重置(reset)電壓」或「重置信號」。此外，有時將能施加重置電壓施加的導電配線稱為「重置配線」。此外，有時將藉由上述電場之產生而使液晶分子的配向狀態成為垂直配向(初始配向)的液晶分子之驅動稱為「重置驅動」。

此外，重置電壓係意味著為了縮短液晶分子的下降時間(以下，以τoff稱之)而施加至導電配線的電壓。此處，將液晶分子予以重置係意味著將液晶分子的配向狀態回復成屬於初始配向的垂直配向(黑顯示)。

更具體言之，在本發明一態樣的液晶顯示裝置中，有時將一部分的導電配線(第1導電配線)例如予以接地(接地至液晶顯示裝置的機殼)，對不同的一部分的導電配線(第2導電配線)施加重置電壓。此外，此時，在俯視中，第1導電配線與第2導電配線之間係配置有複數源極配線。另外，亦可在第1導電配線與第2導電配線之間配置一條源極配線。藉由施加重置電壓至第1導電配線與第2導電配線間，以在俯視中橫越複數源極配線之方式在第1導電配線與第2導電配線之間產生電場。藉此，能夠於白顯示狀態下使平行於基板面倒下的液晶分子的配向加速回復成垂直配向，從而能夠縮短液晶的下降時間τoff。

在本發明一態樣的液晶顯示裝置中，亦可為，施加至前述導電配線的電壓(重置電壓)係包括正的電壓與負的電壓；前述重置電壓係每隔影像顯示的一定期間(每隔影像顯示期間)反轉成正或負。

在本發明一態樣的液晶顯示裝置中，亦可為，具備設置在前述陣列基板背面或側面的背光單元；在前述電壓施加在前述導電配線時，停止前述背光單元的發光。

在本發明一態樣的液晶顯示裝置中，亦可為，前述透明電極係具有在俯視下於前述閘極配線所位在之部分形成有平行狹縫的條狀圖案；前述源極配線及前述閘極配線在俯視下呈正交並且形成沿前述像素開口部的邊之矩陣圖案。

本發明一態樣的液晶顯示裝置係亦可為具備觸控感測配線，該觸控感測配線係設置在前述透明基板與前述透明樹脂層之界面且設置在俯視下前述透明電極的前述狹縫之位置。

在本發明一態樣的液晶顯示裝置中，亦可為，前述觸控感測配線係以形成在前述透明基板上的黑色層與形成在前述黑色層上的第1金屬層構成。

在本發明一態樣的液晶顯示裝置中，亦可為，前述控制部係具有檢測前述觸控感測配線與前述導電配線間的靜電容量的變化之觸控感測功能；在前述液晶驅動電壓施加至前述像素電極後且前述液晶驅動電壓未施加於前述像素電極時，對前述觸控感測配線及前述導電配線其中一方施加觸控感測驅動電壓，透過前述觸控感測配線及前述導電配線其中另一方檢測觸控感測信號。

在本發明一態樣的液晶顯示裝置中，亦可為，對前述導電配線施加前述觸控感測驅動電壓，前述觸控感測配線檢測前述觸控感測信號。

此時，導電配線作為觸控驅動配線(觸控驅動電極、觸控感測驅動配線)發揮功能，觸控感測配線作為觸控檢測配線(觸控檢測電極、觸控感測檢測配線)發揮功能。另一方面，觸控感測配線亦可作為觸控驅動配線發揮功能。此時，導電配線作為觸控檢測配線發揮功能。

如上述，導電配線不僅被施加重置電壓， 亦能夠作為觸控驅動配線或觸控檢測配線發揮功能。

此外，在重置電壓施加至導電配線且觸控感測驅動電壓施加至導電配線時，於影像顯示期間中，能夠以分時方式進行觸控感測的驅動動作與液晶分子的重置驅動。

此外，在重置電壓施加至導電配線且導電配線檢測觸控感測信號時，於影像顯示期間中，能夠以分時方式進行觸控感測的檢測動作與液晶分子的重置驅動。

上述觸控感測功能乃係檢測前述觸控感測配線與前述導電配線間的靜電容量的變化之電容量方式。被施加驅動電壓的觸控驅動配線與用於信號檢測的觸控檢測配線係能夠互換使用。

另外，不需要將構成液晶顯示裝置的全部觸控感測配線用於觸控感測動作。例如，亦可進行分群(grouping)，將設於液晶顯示裝置的全部觸控感測配線分成複數群(群的數量係比觸控感測配線的全部數量少)，在各群進行觸控感測動作。此時，一個群係含有進行觸控感測動作的配線與不進行觸控感測動作的配線。亦即，能夠不使用所有的複數觸控感測配線來實現觸控感測動作(疏化驅動)。

在本發明一態樣的液晶顯示裝置中，亦可為，前述導電配線係含有第2金屬層。

本發明一態樣的液晶顯示裝置係亦可為，具備主動元件，該主動元件乃係具有電性連接至前述 源極配線的源極電極、電性連接至前述閘極配線的閘極電極及以半導體構成的通道層之薄膜電晶體；前述第2金屬層的一部分係形成覆蓋前述通道層的遮光層。

在本發明一態樣的液晶顯示裝置中，亦可為，前述通道層係以氧化物半導體構成。

在本發明一態樣的液晶顯示裝置中，亦可為，前述陣列基板係具備設置在前述第1絕緣層下的第2絕緣層及設置在前述第2絕緣層與前述像素電極之間的共同電極；俯視下，前述共同電極係具有與前述像素電極重疊的重疊部及自前述像素電極的端部突出的突出部。

藉由採用此構成，實現用於縮短液晶分子的上升時間(以下，以τon稱之)之電極構造。具體言之，施加至共同電極的突出部與像素電極之間的液晶驅動電壓起了邊緣電場的作用，從而能夠將τon縮短。

在本發明一態樣的液晶顯示裝置中，亦可為，在前述顯示裝置基板上係於與前述像素開口部對應的位置至少設有紅色濾色器、綠色濾色器及藍色濾色器其中任一者。

本發明一態樣的液晶顯示裝置係亦可為，具備黑色矩陣層，該黑色矩陣層係設置在前述顯示裝置基板厚度方向上從前述觸控感測配線的位置到前述透明電極的位置為止間的任一部位，而劃分出前述像素開口部。

在本發明一態樣的液晶顯示裝置中，亦可為，在前述觸控感測配線中，前述第1金屬層為銅含有層 ；前述觸控感測配線係具有以導電性金屬氧化物層夾持前述銅含有層的構成。

此處，就銅含有層而言，例如可舉出銅層或銅合金層。

在本發明一態樣的液晶顯示裝置中，亦可為，在前述導電配線中，前述第2金屬層為銅含有層；前述導電配線係具有以導電性金屬氧化物層夾持前述銅含有層的構成。

在本發明一態樣的液晶顯示裝置中，亦可為，前述導電性金屬氧化物層為含有氧化鋅、氧化銦及氧化錫的複合氧化物。

在本發明一態樣的液晶顯示裝置中，亦可為，與前述像素開口部對應的像素的各者係具備第1主動元件及第2主動元件；前述第1主動元件係具有電性連接至被供給負電壓之影像信號的源極配線之源極電極；前述第2主動元件係具有電性連接至被供給正電壓之影像信號的源極配線之源極電極。

依據本發明一態樣，能夠縮短液晶的下降時間τoff，從而能夠提供能夠實現高速響應的液晶顯示裝置。本發明一態樣的導電配線係擁有兩種功能，即作為被施加縮短τoff的重置電壓的重置配線之功能及用於觸控感測的觸控感測配線之功能，因此能夠提供不僅能夠進行液晶的高速驅動且還能夠進行觸控感測的液晶顯示裝置。本發明一態樣的導電配線係不需增加製造步驟 數和導電層的層數，能夠以相同的導電層形成。

1‧‧‧透明樹脂層

2‧‧‧透明電極

3‧‧‧觸控感測配線 (觸控驅動配線、觸控檢測配線)

4‧‧‧第2導電性金屬氧化物層

5‧‧‧第1金屬層

6‧‧‧第1導電性金屬氧化物層

7‧‧‧導電配線

9‧‧‧黑色層(第1黑色層)

11‧‧‧第1絕緣層

12‧‧‧第2絕緣層

13‧‧‧第3絕緣層

14‧‧‧源極配線

15‧‧‧閘極配線(第1閘極配線)

16‧‧‧狹縫

17‧‧‧像素電極

17a、17b‧‧‧電極部(像素電極)

18‧‧‧像素開口部

19‧‧‧黑色層(第2黑色層)

21、22‧‧‧透明基板

23‧‧‧遮光層(遮光圖案)

24‧‧‧源極電極

25‧‧‧閘極電極

26‧‧‧汲極電極

27‧‧‧通道層

28‧‧‧主動元件(第1主動元件)

29‧‧‧接觸孔

30‧‧‧共同電極

31、32‧‧‧電力線

33‧‧‧端子部

38、39‧‧‧液晶分子

40‧‧‧第2閘極配線

51‧‧‧奇數行的源極配線

52‧‧‧偶數行的源極配線

55‧‧‧第2主動元件

100‧‧‧顯示裝置基板

200‧‧‧陣列基板

300‧‧‧液晶層

BM‧‧‧黑色矩陣(黑色矩陣層)

第1圖係顯示本發明第1實施形態的液晶顯示裝置之方塊圖。

第2圖係顯示本發明第1實施形態的液晶顯示裝置之局部剖面圖，係沿第3圖的A-A’線剖切之圖。

第3圖係從觀看者方向觀看本發明第1實施形態的液晶顯示裝置所見之局部平面圖。

第4圖係顯示從觀看者方向觀看本發明第1實施形態的液晶顯示裝置所見之陣列基板的一例之局部平面圖。

第5圖係顯示從觀看者方向觀看本發明第1實施形態的液晶顯示裝置所見之陣列基板的一例之局部平面圖。

第6圖係顯示本發明第1實施形態的液晶顯示裝置之局部剖面圖，係沿第3圖的C-C’線剖切之圖。

第7圖係顯示本發明第1實施形態的導電配線之平面示意圖，係用於說明被施加重置電壓的導電配線之圖。

第8圖係顯示本發明第1實施形態的液晶顯示裝置之局部剖面圖，係沿第3圖的B-B’線剖切之圖。

第9圖係顯示在本發明第1實施形態的液晶顯示裝置中，端子部具有以導電性金屬氧化物層夾持第1金屬層的構成之局部剖面圖。

第10圖係顯示本發明第1實施形態的觸控感測配線的構造之剖面圖。

第11圖係顯示本發明第1實施形態的液晶顯示裝置 之局部剖面圖，係顯示白顯示的狀態之局部剖面圖。

第12圖係顯示本發明第1實施形態的液晶顯示裝置之局部剖面圖，係顯示在停止液晶驅動電壓之施加後(液晶驅動電壓關斷時)立即對液晶分子施加重置電壓時的液晶分子的回復之剖面圖。

第13圖係顯示本發明第1實施形態的液晶顯示裝置之局部剖面圖，係顯示在停止對液晶驅動電壓之施加後(液晶驅動電壓關斷時)立即對液晶分子施加重置電壓而沿與第12圖所示電場方向相反的方向施加電場時的液晶分子的回復之剖面圖。

第14圖係顯示本發明第1實施形態的液晶顯示裝置之局部剖面圖，係沿第3圖的B-B’線剖切之圖，係顯示手指等指示物(pointer)接觸或接近顯示裝置基板時的邊緣電場的變化之圖。

第15圖係用於說明本發明實施形態的液晶顯示裝置之信號時序圖，係顯示以分時方式進行液晶驅動與觸控感測驅動時的信號等的波形例之圖。

第16A圖係顯示本發明第1實施形態的導電配線的製造步驟的一例之步驟圖。

第16B圖係顯示本發明第1實施形態的導電配線的製造步驟的一例之步驟圖。

第16C圖係顯示本發明第1實施形態的導電配線的製造步驟的一例之步驟圖。

第16D圖係顯示本發明第1實施形態的導電配線的製造步驟的一例之步驟圖。

第16E圖係顯示本發明第1實施形態的導電配線的製造步驟的一例之步驟圖。

第16F圖係顯示本發明第1實施形態的導電配線的製造步驟的一例之步驟圖。

第16G圖係顯示本發明第1實施形態的導電配線的製造步驟的一例之步驟圖。

第17圖係顯示本發明第2實施形態的液晶顯示裝置之局部平面圖，係從顯示裝置基板與液晶層接觸之面看向顯示裝置基板的顯示面所見之圖。

第18圖係顯示本發明第2實施形態的液晶顯示裝置之局部剖面圖。

第19圖係顯示本發明第2實施形態的液晶顯示裝置之局部剖面圖，係顯示白顯示的狀態之局部剖面圖。

第20圖係顯示本發明第2實施形態的液晶顯示裝置之局部剖面圖，係顯示在停止液晶驅動電壓之施加後(液晶驅動電壓關斷時)立即對液晶分子施加重置電壓時的液晶分子的回復之剖面圖。

第21圖係顯示本發明第2實施形態的液晶顯示裝置之局部剖面圖，係顯示在停止液晶驅動電壓之施加後(液晶驅動電壓關斷時)立即沿與第20圖所示電場方向相反的方向施加電場時對液晶分子施加重置電壓時的液晶分子的回復之剖面圖。

第22圖係顯示本發明第3實施形態的液晶顯示裝置之局部剖面圖，係沿第17圖的D-D’線剖切之圖。

第23圖係顯示本發明第3實施形態的液晶顯示裝置 之局部剖面圖，係沿第17圖的E-E’線剖切之圖。

第24圖係顯示本發明第3實施形態的液晶顯示裝置之局部剖面圖，係顯示白顯示的狀態之局部剖面圖。

第25圖係顯示本發明第3實施形態的液晶顯示裝置之局部剖面圖，係顯示在停止液晶驅動電壓之施加後(液晶驅動電壓關斷時)立即對液晶分子施加重置電壓時的液晶分子的回復之剖面圖。

第26圖係顯示本發明第3實施形態的液晶顯示裝置之局部剖面圖，係顯示在停止液晶驅動電壓之施加後(液晶驅動電壓關斷時)立即對液晶分子施加重置電壓而沿與第25圖所示電場方向相反的方向施加電場時的液晶分子的回復之剖面圖。

第27圖係顯示本發明第3實施形態的液晶顯示裝置之局部剖面圖，係沿第17圖的F-F’線剖切之圖，係用於說明觸控感測配線(觸控檢測配線)與導電配線(觸控驅動配線)之間產生的靜電容量之圖。

第28圖係顯示本發明第4實施形態的液晶顯示裝置之局部剖面圖。

第29圖係顯示本發明第5實施形態的液晶顯示裝置之局部電路圖，係顯示一個像素具備兩個主動元件的陣列構造之圖。

第30圖係習知例的液晶驅動的波形與本發明實施形態的液晶顯示裝置的液晶驅動的波形的比較圖。

以下，參照圖式說明本發明的實施形態。

在以下的說明中，對於相同的或者實質上為相同的功能及構成要素，係標註相同的元件符號，並省略或簡化其說明或者僅於必要時進行說明。在各圖中，係採用得以於圖面上判別各者之程度的大小繪製各構成要素，故有適度地令各構成要素的尺寸及比例不同於實物。

在以下所述的各實施形態中係針對特徵部分進行說明，例如，通常的顯示裝置中使用的構成要素與本實施形態的顯示裝置之間無差異的部分便省略其說明。此外，在各實施形態中雖係說明液晶顯示裝置或顯示裝置基板的例子，但本實施形態的顯示裝置基板亦能夠適用於有機EL(Electro-Luminescence；電致發光)顯示裝置之類的液晶顯示裝置以外的顯示裝置。

(第1實施形態)

(液晶顯示裝置LCD1的構成)

以下，參照第1圖至第16G圖說明本發明的液晶顯示裝置的第1實施形態。

第1圖係顯示本發明第1實施形態的液晶顯示裝置之方塊圖。如第1圖所示，本實施形態的液晶顯示裝置LCD1係具備顯示部110及用於控制顯示部110和觸控感測功能的控制部120。

控制部120係具有公知的構成，係具備影像信號時序控制部121(第一控制部)、觸控感測和重置信號控制部122(第二控制部)及系統控制部123(第三控制部)。

影像信號時序控制部121係將設置在顯示裝置基板100的透明電極2(後述，複數透明電極圖案)設 為定電位，並且傳送信號至設置在陣列基板200(後述)的閘極配線15(後述，掃描線)及源極配線14(後述，信號線)。由影像信號時序控制部121在透明電極2與像素電極17(後述)之間沿積層方向Z對像素電極17施加顯示用的液晶驅動電壓，藉此而進行驅動液晶層300的液晶分子之液晶驅動。藉此，使圖像顯示於陣列基板200上。將透明電極2設為定電位，對複數像素電極17的各者則經由源極配線(信號線)個別施加例如具有交流矩形波的影像信號。此外，就矩形波而言，亦可為正或負的直流矩形波。

觸控感測和重置信號控制部122係對觸控感測配線3(後述)及導電配線7(後述)的其中一者施加觸控感測驅動電壓，透過觸控感測配線3及導電配線7的其中另一者檢測觸控感測信號。藉此，檢測觸控感測配線3與導電配線7之間產生的靜電容量(邊緣電容量)的變化，而進行觸控感測。此外，觸控感測和重置信號控制部122係亦能夠對導電配線7供給重置電壓(後述，重置信號)。

用於如上述觸控感測動作的觸控感測配線3係包含兩種意涵：被施加觸控感測驅動電壓的觸控驅動配線；及檢測觸控感測信號的觸控檢測配線。當導電配線7作為觸控驅動配線發揮功能時，觸控感測配線3便作為觸控檢測配線發揮功能。反之，當導電配線7作為觸控檢測配線發揮功能時，觸控感測配線3便作為觸控驅動配線發揮功能。亦即，在觸控感測功能方面，可切換觸控感測配線3及導電配線7的用途。

系統控制部123係控制影像信號時序控制 部121及觸控感測和重置信號控制部122，能夠交替地、亦即以分時方式進行液晶驅動與靜電容量的變化之檢測。此外，系統控制部123係同步於影像信號時序控制部121的液晶驅動來控制觸控感測和重置信號控制部122對觸控感測配線3或導電配線7之信號供給及控制對導電配線7的重置電壓之供給。

本發明實施形態的導電配線7係兼具兩種功能，一種是伴隨施加在導電配線7的重置電壓令電場(俯視下朝橫越源極配線14之方向的電場)在液晶層產生之功能，另一種是作為用於進行觸控檢測和觸控驅動即觸控感測的觸控感測配線之功能。如上述的導電配線7的兩種功能係以分時方式進行，導電配線7係能夠隨著時間變化(時間軸上)實現各種用途(兩種功能)。

施加至導電配線7的重置電壓係包括正的電壓與負的電壓，前述重置電壓係可每隔由影像信號時序控制部121控制的影像顯示的一定期間(每隔影像顯示期間)反轉成正或負。藉此，便能夠切換在俯視下朝向1橫越源極配線14之方向的電場之方向。另外，重置電壓的正負係指相對於接地電位(0V)為正的電位或負的電位。但並不限於如上述的正負之定義，亦可以使在俯視下至少兩相異導電配線具有互為相反的電位之方式，將兩導電配線各者的電位切換為正或負的電位來對兩導電配線施加電壓。此外，亦可在正或負的重置電壓加上偏移(offset)，令重置電壓若干往低電壓側或高電壓側移動(shift)。本發明實施形態的觸控感測配線(包括觸控驅動 配線、觸控檢測配線)及導電配線係能夠以導電率佳的金屬層形成，故能夠降低觸控感測配線及導電配線的電阻值從而使觸控靈敏度提升。

(液晶顯示裝置LCD1)

使用第2圖至第15圖說明第1實施形態的液晶顯示裝置。

另外，本實施形態中說明的液晶顯示裝置係能夠具備後述的實施形態的顯示裝置基板。此外，以下所記載的「俯視」係指從觀看者觀看液晶顯示裝置的顯示面(顯示裝置用基板的平面)之方向觀看所見之平面。本發明實施形態的液晶顯示裝置的顯示部的形狀、界定像素的像素開口部的形狀、構成液晶顯示裝置的像素數並無限定。惟在以下詳述的實施形態中，係訂定俯視下像素開口部的短邊的方向為X方向，訂定長邊的方向為Y方向，此外，訂定透明基板的厚度方向為Z方向，據此說明液晶顯示裝置。在以下的實施形態中，亦可切換如上述訂定的X方向與Y方向來構成液晶顯示裝置。

第2圖係顯示本實施形態的液晶顯示裝置LCD1之局部剖面圖。此外，第2圖係沿像素開口部的短邊方向剖切之剖面圖，係沿第3圖的A-A’線剖切之圖。

液晶顯示裝置LCD1係具備：顯示裝置基板100(對向基板)；陣列基板200，係以跟顯示裝置基板100相對向之方式貼合；及液晶層300，係藉由顯示裝置基板100及陣列基板200夾持。

供給光L至液晶顯示裝置LCD1內部的背光單元BU 係設置在構成液晶顯示裝置LCD1的陣列基板200的背面(配置液晶層300的陣列基板200的與透明基板22面為相反側之面)。另外，背光單元BU亦可設置在液晶顯示裝置LCD1的側面。此時，例如在陣列基板200的透明基板22的背面，設置令從背光單元BU射出的光反射往液晶顯示裝置LCD1內部的反射板、導光板或光擴散板等。

顯示裝置基板100係具備：透明基板21；透明樹脂層1，係設置在透明基板21上；及透明電極2。此外，位在第2圖紙面裡側的觸控感測配線3(觸控檢測配線或觸控驅動配線)係形成在顯示裝置基板100上。此外，觸控感測配線3亦顯示在第3圖及第8圖。觸控感測配線3係由形成在透明基板21上的第1黑色層9與形成在第1黑色層9上的第1金屬層5(後述)構成。

就透明樹脂層1使用的透明樹脂而言，係能夠使用丙烯酸樹脂、聚醯亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、環氧樹脂等高耐熱性的樹脂。藉由將如上述的透明樹脂層1使用於本發明實施形態，便能夠提供高解析度且能夠回應高速觸控輸入的顯示裝置、以及用於該顯示裝置的顯示裝置基板、具備彩色濾色器的顯示裝置基板。

陣列基板200係具備：透明基板22；第3絕緣層13，係形成在透明基板22上；源極配線14，係形成在第3絕緣層13上；第2絕緣層12，係以覆蓋源極配線14之方式形成在第3絕緣層13上；及第1絕緣層11，係形成在第2絕緣層12上。此外，陣列基板200係具備：複數像素電極17，係形成在第1絕緣層11上；及導電配線7，係 以位於複數像素電極17(具有電極部17a、17b)間之方式形成在第1絕緣層11上。

複數像素電極17係形成在最接近液晶層300之面。導電配線7係以沿第2圖紙面的垂直方向(Y方向)且平行於源極配線14延伸之方式形成。導電配線7乃係至少含有第2金屬層之構成。

構成導電配線7的第2金屬層乃係含有銅之含有層，例如為銅層或銅合金層。導電配線7係亦可具有以兩導電性金屬氧化物層夾持第2金屬層之構成。

接著，針對第1金屬層或第2金屬層具有銅含有層的優點進行說明。當第1金屬層或第2金屬層具有銅含有層(銅層或銅合金層)時，夾持該金屬層的導電性金屬氧化物層係較佳為含有氧化鋅、氧化銦及氧化錫的複合氧化物層。理由如下。在上述複合氧化物中，藉由調整構成複合氧化物的氧化鋅及氧化錫的組成比例，便能夠容易地調整溼蝕刻的蝕刻速率。依此，當導電配線7及觸控感測配線3為具備銅含有層係由以複合氧化物構成的導電性金屬氧化物層夾持之三層構造時，就算為複數層構造，仍能夠容易地形成導電配線7及觸控感測配線3的圖案。此外，銅含有層對構成彩色濾色器的樹脂或玻璃等基板的密接性低，從密接性的觀點來看，銅含有層並未達實用等級。相對於此，以氧化鋅、氧化銦及氧化錫構成的複合氧化物層係充分具有對彩色濾色器和玻璃的密接性，此外，亦充分具有對銅含有層的密接性。如上述，從對彩色濾色器、玻璃及銅含有層的密接性的觀 點來看，複合氧化物層係充分達實用等級，因此能夠提供實現高密接性的導電配線7及觸控感測配線3。

除此之外，在銅含有層的表面，銅氧化物會隨時間而形成，因此係具有難以經由電性連接獲得歐姆接觸特性。相對於此，氧化鋅、氧化銦及氧化錫的複合氧化物層係能夠獲得歐姆接觸，組裝穩定性優異。依此，藉由於導電配線7及觸控感測配線3採用以複合氧化物層夾持銅含有層而成的積層構造，能夠在歐姆接觸這點上實現優異的配線構造。

針對導電配線7及觸控感測配線3能夠適用的金屬層進行說明。

金屬層係能夠適用銅、銀、金、鈦、鉬、鋁或含有該些金屬的合金。鎳是強磁性體，故成膜速率會降低，但能夠以濺鍍等真空成膜方式來形成。鉻有環境污染問題和電阻值大的不利面，但能夠使用作為本實施形態的金屬層。

就形成金屬層的金屬材料而言，為了得到與玻璃基板或樹脂之間的密接，較佳為採用在銅或鋁添加從鎂、鈣、鈦、鉬、銦、錫、鋅、釹、鎳、鋁中選擇的一種以上的金屬元素而形成之合金。

關於在形成金屬層的材料中所添加金屬元素的量，只要添加量在3at%以下便不會使銅合金或鋁的電阻值大幅下降，故較佳。就成膜銅合金的步驟而言，例如能夠藉由以濺鍍進行的真空成膜來實施銅合金的成膜。當為銅合金薄膜或鋁合金薄膜時，令膜厚為100nm 以上或150nm以上，便可使可見光幾乎穿透不了。因此，就本實施形態的金屬層的膜厚而言，例如採用100nm至300nm的膜厚，藉此而能夠獲得充分的遮光性。

接著，針對構成觸控感測配線3的第1黑色層9進行說明。

黑色層係例如以其中分散有黑色色材的著色樹脂構成。銅的氧化物和銅合金的氧化物雖無法獲得十足的黑色和低反射率，但本實施形態的黑色層與玻璃等基板之間的界面的可見光的反射率係抑制在大致3%以下，可獲得高可視性。

就黑色色材而言，可使用碳、奈米碳管或複數種有機顏料的混合物。例如，以相對於色材全體的量為51質量%以上的比例使用碳，亦即，以碳作為主色材。為了調整反射色，能夠添加藍色或紅色等顏色的有機顏料至黑色色材。例如，藉由調整屬於起始材料的感光性黑色塗布液所含的碳的濃度(降低碳濃度)，便能夠使黑色層的再現性提升。

當使用屬於顯示裝置的製造裝置之大型曝光裝置時，例如仍能夠形成具有1μm至6μm線寬(細線)之圖案的黑色層(圖案化)。另外，本實施形態的碳濃度的範圍係設定為相對於包括樹脂、硬化劑、顏料在內的全體的固形物含量為4質量%以上且50質量%以下的範圍內。此外，就碳量而言，碳濃度雖可超過50質量%，但相對於全體固形物含量，碳濃度若超過50質量%，便會有塗膜適性變差的傾向。此外，將碳濃度設定為4質量% 以下時，會無法獲得充分的黑色，位於黑色層下的基底的金屬層產生的反射光嚴重可見，使可視性降低。

於屬於後段步驟的光微影中進行曝光處理時，會進行曝光對象即基板與遮罩之對位(定位)。此時，以定位為優先，例如能夠將以穿透量測得到的黑色層的光學密度設為2以下。就黑色的色調整而言，除了碳以外，亦可使用複數種有機顏料的混合物來形成黑色層。考慮到玻璃和透明樹脂等基材的折射率(約1.5)，以使黑色層與該些基材之間的界面的反射率成為3%以下之方式設定黑色層的反射率。此時，較佳為調整黑色色材的含有量、種類、用於色材的樹脂、膜厚。藉由將這些條件予以最佳化，便能夠將折射率約1.5的玻璃等基材與黑色層之間的界面的反射率形成為於可見光的波長範圍內為3%以下，從而能夠實現低反射率。顧及必須防止源於背光單元BU射出的光造成的反射光再次反射以及提升觀看者的可視性，黑色層的反射率較佳設為3%以下。另外，用於彩色濾色器的丙烯酸樹脂及液晶材料的折射率通常大約在1.5以上、1.7以下的範圍。

此外，藉由在觸控感測配線3上形成具有光吸收性的金屬氧化物，便能夠抑制用於觸控感測配線3的金屬層的光反射。就本發明實施形態能夠適用的金屬氧化物層與金屬層的構成而言，可舉出以下構成。例如可舉出在含有氧化銦作為中心基材的ITO(Indium Tin Oxide；氧化銦錫)和IZTO(Indium Zinc Tin Oxide；氧化銦鋅錫)或IZO(Indium Zinc Oxide；氧化銦鋅)(註冊商標) 中，在氧不足的狀態下例如在銅合金層上成膜金屬層而獲得的層構成；或者以氧化鉬、氧化鎢、氧化鎳與氧化銅的混合氧化物、氧化鈦等在鋁合金或銅合金上積層金屬層而獲得的層構成等。

藉由金屬氧化物層與金屬層獲得的層構成係擁有能夠以濺鍍裝置等真空成膜裝置連續成膜的優點。

接著，回到第3圖，繼續說明液晶顯示裝置LCD1。

位於相鄰導電配線7間的X方向的區域乃係像素開口部18。另外，如第3圖所示，Y方向的像素開口部18係位於相鄰觸控感測配線3間或相鄰閘極配線15間。

在第2圖中係省略了賦予液晶層300初始配向的配向膜、偏光膜、相位差膜等光學膜、保護用的蓋玻璃等。在液晶顯示裝置LCD1的表面及背面係以使光軸形成正交尼科爾配置(crossed Nicols)之方式分別貼有偏光膜。

液晶層300係含有具負介電異向性的液晶分子38、39。液晶分子38、39的初始配向乃係垂直於顯示裝置基板100或陣列基板200的基板面。另外，液晶分子的垂直配向，係指相對於基板面的法線方向有大約0°至5°之範圍的傾斜，亦即預傾斜(pretilt)。就形成預傾斜的方法而言，係能夠藉由使用光配向的手法，以使液晶分子例如具有0.1°至1.5°等任意微小預傾斜角之方式對配向膜材料進行配向處理。從獲得優質的黑顯示的觀點來看，液晶分子的初始配向的傾斜(預傾斜)較佳為往法線方向靠近的微小傾斜。

光配向的手法，具體如下。

首先，在顯示裝置基板100及陣列基板200相對向之面塗布感光性的配向膜材料，然後令配向膜材料輕度乾燥。接著，在顯示裝置基板100及陣列基板200的至少一方，以位於顯示畫面周圍之方式形成用於密封液晶層300的密封部。然後，在顯示裝置基板100及陣列基板200的其中一方滴入(ODF；One Drop Filling)液晶。以將滴入的液晶(液晶層300)夾持之方式貼合顯示裝置基板100及陣列基板200，然後進行液晶層300的密封(液晶胞(cell)化)。然後，例如一邊對液晶層300施加驅動液晶的電壓，一邊對基板照射紫外線，在令配向膜材料硬化的同時，配向膜材料亦獲得配向處理。就紫外線而言，可使用偏光後的紫外線，亦可使用未經偏光的紫外線。

第3圖係從觀看者方向觀看本實施形態的液晶顯示裝置LCD1所見之局部平面圖。在第3圖中係省略了上述透明基板21及透明樹脂層1的圖示。

透明電極2係例如以ITO(Indium Tin Oxide)等導電性金屬氧化物形成。俯視下，透明電極2係以具有條狀圖案(strip pattern)(細條形狀)之方式形成。在相鄰的細條狀的透明電極2之間係形成有狹縫16，觸控感測配線3係位在細條狀的透明電極2之間。未圖示的閘極配線15係位在第3圖中所示的觸控感測配線3的下部(Z方向)，其在第3圖中係被觸控感測配線3遮住。閘極配線15係以平行於觸控感測配線3延伸且俯視下位於與觸控感測配線3大致相同位置之方式配設。另外，觸控感測配線3係配設在透 明基板21上，閘極配線15係配設在陣列基板200上。

第4圖係顯示從觀看者方向觀看本實施形態的液晶顯示裝置LCD1所見之陣列基板200的表面之局部平面圖。在第4圖中係為了簡化說明而省略了上述顯示裝置基板100的圖示。

在像素開口部18係設有構成像素電極17的電極部17a、17b。在陣列基板200上係具備導電配線7及以與構成導電配線7的金屬層相同層形成的遮光層23(遮光圖案)。其中，導電配線7與遮光層23係電性絕緣。未圖示的源極配線14係位在第4圖中所示的導電配線7的下部(Z方向)，其在第4圖中係被導電配線7遮住。源極配線14係以平行於導電配線7延伸且俯視下位於與導電配線7大致相同位置之方式配設。

像素電極17係具有沿長邊方向將位於像素電極17中央的透明導電膜以狹縫狀去除而成的像素電極圖案。像素電極17係含有具相應於像素電極圖案之形狀的電極部17a、17b。構成像素電極17的電極部17a、17b係彼此電性連接。像素電極17的電極部17a、17b係經由接觸孔29而與第5圖中所示的主動元件28的汲極電極26電性連接。

第5圖係顯示從觀看者方向觀看本實施形態的液晶顯示裝置LCD1所見之陣列基板200的表面之局部平面圖。在第5圖中係為了簡化說明而省略了上述顯示裝置基板100、像素電極17、導電配線7及遮光層23的圖示。亦即，第5圖係顯示主動元件28、閘極配線15及源極 配線14的配置的一例之局部平面圖。另外，在第5圖中，遮光層23的位置以兩點鏈線標示。

像素開口部18係形成為屬於多邊形圖案之一的長方形。源極配線14及閘極配線15係俯視下呈正交並且形成沿著像素開口部18的邊之矩陣圖案。通道層27係位在主動元件(TFT；Thin Film Transistor)的中央部。

第6圖係顯示本發明第1實施形態的液晶顯示裝置之局部剖面圖，係沿第3圖的C-C’線剖切之圖。

如第6圖所示，主動元件28係由屬於第2金屬層的遮光層23覆蓋。具體而言，主動元件28乃係具有以下部分之薄膜電晶體：源極電極24，係電性連接至源極配線14；閘極電極25，係電性連接至閘極配線15；及通道層27，係以半導體構成。遮光層23的X方向的寬度係以俯視下使主動元件28由遮光層23覆蓋之方式設定。

藉由以遮光層23覆蓋通道層27，防止外部光射入通道層27，從而防止源於背光單元BU射出的光造成的反射光(再反射光)射入通道層27。藉此，便能夠防止主動元件28的誤動作。如前述，在具備300ppi以上高精細像素的液晶顯示裝置中，光容易射入主動元件28，主動元件28變得容易誤動作，就結果而言，液晶顯示裝置的顯示品質容易降低。藉由設置遮光層23，便能夠防止上述的畫質降低。

通道層27係以氧化物半導體或多晶矽等矽半導體形成。就氧化物半導體而言，係能夠使用稱為IGZO等的金屬氧化物。藉由以含有IGZO等鎵、銦、鋅、 錫、鍺、鎂、鋁之中兩種以上金屬的金屬氧化物之氧化物半導體來形成通道層，便能夠大致消除點(dot)反轉驅動中產生的耦合雜訊(coupling noise)的影響。這是因為使用IGZO等的氧化物半導體形成的主動元件係能夠以極短的時間(例如2msec)處理影像信號即液晶驅動的矩形信號之故。此外，上述的氧化物半導體係具有能夠在施加影像信號後的液晶顯示中保持施加在像素電極的電壓之記憶性。因此，在電壓保持期間之期間不會有新的雜訊產生，能夠進一步降低因液晶驅動產生的雜訊對觸控感測之影響。

此外，IGZO等的氧化物半導體的耐電壓高，故能夠以較高之電壓高速驅動液晶，特別有利於3D等三維影像顯示。通道層使用IGZO等的氧化物半導體之電晶體的記憶性高，故有例如液晶驅動頻率採用0.1Hz至60Hz程度的低頻率時仍不易產生閃爍(flicker)(顯示的閃爍)之優點。因此，能夠實現不僅具備觸控感測功能，且低功耗、閃爍少的液晶顯示裝置。

此外，使用以IGZO作為通道層的電晶體，併用低頻率的點反轉驅動及不同於該低頻率之頻率的觸控感測驅動，藉此，便能夠同時獲得低功耗、高畫質的影像顯示以及高精度的觸控感測。另外，就電晶體的構造而言，係能夠採用雙閘極構造等多閘極構造及底閘極型構造。

此外，當液晶驅動方式採用點反轉驅動時，只要使用記憶性良好的IGZO，亦能夠省去為了將像素 電極的電壓保持在一定電壓(定電位)而進行之定電壓驅動所需的輔助電容器(儲存電容器)。

回到第6圖繼續說明。

第2金屬層乃係形成在陣列基板200表面的金屬層，如上述形成導電配線7與遮光層23。第1金屬層係配設在顯示裝置基板100上方(第1黑色層9上)，形成觸控感測配線3(作為觸控驅動配線或觸控檢測配線發揮功能)。上述的第1金屬層及第2金屬層的材料係可為相同的金屬材料，亦可為不同的金屬材料。就第1金屬層及第2金屬層的材料而言，較佳為使用銅、鋁或含有該些金屬的合金等之良導體。另外，亦可在成膜第1金屬層及第2金屬層之前形成無機絕緣層或有機絕緣層作為位於第1金屬層或第2金屬層下方之層(基底層)。亦可在觸控感測配線3和導電配線7圖案化之後，以覆蓋第1金屬層或第2金屬層之方式形成無機絕緣層或有機絕緣層。

第7圖係顯示本發明實施形態的導電配線之平面示意圖，係用於說明被施加重置電壓的導電配線之圖。在第7圖中係省略了含有像素電極17和第1絕緣層11的陣列基板200的圖示，係顯示構成後述彩色濾色器的紅色濾色器R、綠色濾色器G及藍色濾色器B與導電配線7的位置關係。

如第7圖所示，導電配線7係具有：第1配線群，係含有第1導電配線7a；第2配線群，係含有第2導電配線7d；及假性(dummy)配線7b、7c，係設置在第1導電配線7a與第2導電配線7d之間。第1配線群及第2配線群係以彼此 齧合之方式形成為梳齒狀。

第1配線群及第2配線群被施加正負任一極性的重置電壓Vr。當其中一方的配線群被施加有正的電壓時，另一方的配線群被施加負的電壓。或者，亦可將第1配線群或第2配線群其中一方的配線群接地，對另一方的配線群(未接地的配線群)施加正或負的電壓。此外，施加在上述配線群的重置電壓係可為交流，亦可為直流的矩形波。

因此，如第7圖所示，能夠假設有交流電源S(虛擬電源)連接在第1配線群與第2配線群，此時，重置電壓為交流電壓。

此外，在第1配線群，複數第1導電配線7a的各者係具有端部，因此第1導電配線7a係作為電極(第1導電電極)發揮功能。同樣地，在第2配線群，複數第2導電配線7d的各者係具有端部，因此第2導電配線7d係作為電極(第2導電電極)發揮功能。

假性配線7b、7c係具有電性浮動的電位(浮動(floating)電位)。在假性配線群，假性配線7b的下端與假性配線7c的下端係電性連接，假性配線7b的上端與假性配線7c的上端係電性連接。

能夠依連接至第1導電配線7a及第2導電配線7d的雜訊濾波器、阻抗、觸控感測使用的頻率等，適當調整假性配線7b、7c的圖案形狀。必須考慮因液晶驅動所產生的雜訊和從外部進入液晶顯示裝置LCD1內的雜訊等的雜訊頻率來決定假性配線7b、7c的圖案形狀。

如第7圖所示，假性配線7b、7c係形成為環形天線。假性配線7b、7c的形狀並不限定為如上述的環形天線形狀。例如，亦可將假性配線7b、7c的下端斷開，採用偶極天線形狀。此外，就假性配線7b、7c的形狀而言，亦可採用單極天線形狀。假性配線7b、7c的線寬、長度、間距等係能夠配合目的進行調整。

如上述接受重置電壓施加的導電配線7(第1配線群及第2配線群)，有時係作為檢測觸控感測信號的觸控檢測配線發揮功能。此時，觸控檢測配線的形狀就算非直線形狀亦可。就既不易受雜訊影響又良好地檢測觸控感測信號的觸控檢測配線的構造而言，觸控檢測配線(第1導電配線7a及第2導電配線7d)係可具有天線構造。另一方面，在觸控感測配線3作為檢測觸控感測信號的觸控檢測配線發揮功能的情形中，觸控感測配線3係可具有天線構造。

就觸控檢測配線的形狀而言，係能夠採用環形天線形狀、偶極天線形狀、單極天線形狀。構成天線的配線的線寬、配線的長度、相鄰配線的間距等的設計係能夠配合觸控感測檢測的條件和進行觸控感測檢測的周圍的雜訊狀況進行調整。藉由採用天線構造作為觸控檢測配線的構造，使觸控檢測配線變得不易受雜訊頻率影響。

此外，被施加重置電壓Vr的第1導電配線7a與第2導電配線7d的距離(例如X方向)係配合構成彩色濾色器並且延伸成條狀的紅色濾色器R、綠色濾色器G及藍色濾色器B的寬度來決定。例如，在彩色濾色器的設計 中，當令藍色濾色器B的寬度比綠色濾色器G的寬度增加時，配合該寬度設定第1導電配線7a與第2導電配線7d的距離。另外，相對於第7圖中所示的紅色濾色器R、綠色濾色器G及藍色濾色器B的圖案而決定的導電配線7的配線圖案係配合液晶顯示裝置LCD1的設計適當進行變更。本發明並未限定導電配線7的配線圖案。

接著，參照第8圖，針對設置在顯示裝置基板100的觸控感測配線3進行說明。第8圖係沿第3圖的B-B’線剖切之剖面圖。如第8圖所示，觸控感測配線3係至少含有形成在透明基板21上的第1黑色層9及第1金屬層5。

觸控感測配線3係具備：第1黑色層9，係設置在透明基板21上；第2導電性金屬氧化物層4，係設置在第1黑色層9上；第1金屬層5，係設置在第2導電性金屬氧化物層4上；及第1導電性金屬氧化物層6，係設置在第1金屬層5上。第1金屬層5乃係含有銅的含有層，例如為銅層或銅合金層。如上述，觸控感測配線3係具有以第2導電性金屬氧化物層4及第1導電性金屬氧化物層6夾持第1金屬層5之構成。此外，如後述，在第1導電性金屬氧化物層6上或會形成第2黑色層19。

接著，參照第9圖，針對顯示裝置基板100端部(端子部)的觸控感測配線3的構造進行說明。第9圖係顯示端子部33具有以導電性金屬氧化物層夾持第1金屬層5的構成之局部剖面圖。

第10圖乃係第9圖所示觸控感測配線的剖面圖，係顯 示Y方向的觸控感測配線的線寬。如第9圖及第10圖所示，於形成在透明基板21端部的端子部33中，係在形成在透明基板21的第1黑色層9上，依序積層有第2導電性金屬氧化物層4、第1金屬層5(銅合金層)及第1導電性金屬氧化物層6。亦即，觸控感測配線3係具有三層構造。透明樹脂層1係俯視下例如以具有相當於矩形顯示面的面積之方式塗布形成於透明基板21上。在端子部33之上並無形成透明樹脂層1。端子部33的表面係以第1導電性金屬氧化物層6覆蓋，第1導電性金屬氧化物層6露出於端子部33，端子部33係能夠進行穩定的電性連接。

另一方面，在陣列基板200的端部，係以俯視下對應於顯示裝置基板100的端子部33的位置之方式設有端子部。陣列基板200的端子部與顯示裝置基板100的端子部33係電性連接。

顯示裝置基板100及陣列基板200的兩端子部間的電性連接(導通)係例如能夠藉由在用來密封液晶層300的密封部(sealing portion)形成大小為數μm至數十μm的導電柱(連接導電體)來實現。

藉此，如第1圖所示，觸控感測配線3係連接至液晶顯示裝置LCD1的觸控感測和重置信號控制部122。亦即，從觸控感測和重置信號控制部122至觸控感測配線3的信號之送收係透過設置在顯示裝置基板100的端子部33與陣列基板200的端子部之間的導電柱進行。因此，能夠提供能夠有穩定的電性組裝之裝置基板。

(液晶顯示裝置LCD1的動作)

(1.藉由對導電配線的電壓施加將液晶的配向加速回復成垂直配向的動作)

第11圖係顯示在透明電極2與像素電極17之間施加液晶驅動電壓時(液晶驅動電壓開啟時)的白顯示的狀態之局部剖面圖。

當施加液晶驅動電壓至像素電極17的電極部17a、17b與透明電極2之間，像素電極17與透明電極2之間便產生電場。藉由該電場的作用，液晶分子39發生傾斜，平行於陣列基板200基板面倒下，液晶顯示裝置LCD1進行白顯示。另外，液晶驅動電壓開啟時，在導電配線7並無施加電壓。

另一方面，第12圖係顯示在停止對透明電極2與像素電極17之間的液晶驅動電壓之施加後(液晶驅動電壓關斷時)立即對液晶分子施加重置電壓時的液晶分子的回復之剖面圖。此外，在第12圖中，係在兩導電配線7，亦即第1導電配線7a與第2導電配線7d之間施加重置電壓。藉此，令第1導電配線7a與第2導電配線7d之間(從第2導電配線7d朝第1導電配線7a之方向)產生電場，使平行於陣列基板200基板面倒下的液晶分子的配向加速回復成垂直配向。結果，液晶顯示從白顯示變化為黑顯示。

具體而言，在液晶驅動電壓變成關斷後，將第1導電配線7a的電位設定為0V(接地)並且對第2導電配線7d施加重置電壓，亦即，在第1導電配線7a與第2導電配線7d之間施加重置電壓，藉此，產生從第2導電配線 7d朝第1導電配線7a之方向的電場。在俯視下，該電場的產生方向乃係橫越位於第1導電配線7a與第2導電配線7d之間的液晶層300及源極配線14之方向。此時，在具負介電異向性的液晶分子38中，分子的長軸係相對於所施加的電場方向形成直角。因此，如第12圖所示，液晶分子38的配向係變成屬於初始配向的垂直配向，以短時間獲得黑顯示。

施加在第1導電配線7a與第2導電配線7d之間的重置電壓係可為比液晶驅動電壓(例如6V)低之電壓或為與液晶驅動電壓相同之電壓。使液晶分子動作的臨限值電壓為例如0.5V至6V，故重置電壓為0.5V至6V(前述液晶驅動電壓)的範圍內的電壓即可。重置電壓乃係使平行於基板面倒下的液晶分子的配向加速回復成垂直配向(初始配向)之用的電壓，故亦可將該電壓值降低。藉由對第1導電配線7a與第2導電配線7d之間的重置電壓之施加，便能夠大幅縮短τoff。

第13圖係同第12圖，顯示在停止對透明電極2與像素電極17之間的液晶驅動電壓之施加後(液晶驅動電壓關斷時)立即對液晶分子施加重置電壓時的液晶分子的回復之剖面圖。在第13圖中，係在液晶驅動電壓變成關斷後，對第1導電配線7a與第2導電配線7d之間施加重置電壓，將傾斜的液晶分子38、39的配向回復成屬於初始配向的垂直配向，液晶顯示裝置LCD1進行黑顯示。其中，在第13圖中，對第1導電配線7a施加重置電壓並將第2導電配線7d的電位設定為0V(接地)這點不同於第 12圖。換言之，在第13圖中係以第12圖中所示重置電壓的正負反轉後的重置電壓施加至兩導電配線間。藉此，令第1導電配線7a與第2導電配線7d之間(從第1導電配線7a朝第2導電配線7d之方向)產生電場，使平行於陣列基板200基板面倒下的液晶分子的配向加速回復成垂直配向。結果，液晶顯示從白顯示變化為黑顯示。

藉由交替進行如第12圖及第13圖所示反轉重置電壓的正電壓及負電壓之驅動，使沿從第2導電配線7d朝第1導電配線7a之方向產生的電場與沿從第1導電配線7a朝第2導電配線7d之方向產生的電場隨時間經過交替產生。結果，便能夠將蓄積在液晶晶室內並將會成為圖像烙印之原因的電荷中和掉。

對導電配線7施加重置電壓的時序係根據後述第15圖所示的時序圖進行。反轉正電壓及負電壓的反轉驅動係由控制部120控制。

(2.使用導電配線進行觸控感測的動作)

第8圖及第14圖係沿第3圖的B-B’線剖切之圖。

第8圖係局部顯示對導電配線與觸控感測配線3之間施加觸控感測驅動電壓時產生的邊緣電場的狀況。

第14圖係局部顯示對導電配線與觸控感測配線3之間施加觸控感測驅動電壓且手指等指示物接觸或接近面向觀看者的顯示裝置基板100的表面時的邊緣電場的變化。

另外，在第8圖及第14圖中，第1導電配線7a、假性配線7b、假性配線7c、第2導電配線7d、假性配 線7b、假性配線7c、第1導電配線7a、假性配線7b、假性配線7c及第2導電配線7d係以與第7圖中所示配線圖案對應之方式，從右側朝左側排列。在第8圖及第14圖中，觸控感測配線3係作為檢測觸控感測信號的觸控檢測配線(觸控感測檢測配線)發揮功能。第1導電配線7a及第2導電配線7d係作為觸控驅動配線(觸控感測驅動配線)發揮功能。假性配線7b及假性配線7c的電位乃係浮動電位。

在第8圖中，在施加有觸控感測驅動電壓的導電配線7(7a、7d)與觸控感測配線3(觸控檢測配線)之間產生邊緣電場，電力線31、32係從導電配線7朝向觸控感測配線3產生。此時，在導電配線7與觸控感測配線3之間係保持有靜電容量C1。

另一方面，如第14圖所示，當手指等指示物接觸或接近透明基板21時，觸控感測配線3係檢測靜電容量的變化作為觸控感測信號。

另外，在第8圖及第14圖中，觸控感測配線3雖係作為觸控檢測配線發揮功能，但觸控感測配線3亦可作為觸控驅動配線發揮功能。此時，導電配線7係作為觸控檢測配線發揮功能。如上述，觸控感測配線3的用途係能夠切換。

此外，亦可在導電配線7(7a、7b、7c、7d)上積層具可見光吸收性的無機膜或有機膜。當為使用具可見光吸收性的無機膜時，係例如以金屬氧化物膜或含有該氧化物膜的多層構造來構成無機膜。當為使用具可見光吸收性的有機膜時，係例如能夠使用後述的黑色層作為有機 膜。能夠將導電配線7(7a、7b、7c、7d)的一部分或全部作為觸控驅動配線使用，亦或能夠將導電配線7(7a、7b、7c、7d)的一部分或全部作為觸控檢測配線使用。

在本實施形態中，當將導電配線7(7a、7d)作為觸控驅動配線使用時，對導電配線7施加重置電壓Vr與對導電配線7施加觸控感測驅動電壓Vtouch係如後述以分時方式進行。

另一方面，當將導電配線7作為觸控檢測配線使用時，觸控感測配線3係作為觸控驅動配線發揮功能。此時，在觸控感測配線3施加觸控感測驅動電壓Vtouch，在導電配線7施加重置電壓Vr，導電配線7檢測觸控感測信號。

此外，亦可將複數導電配線7其中一部分配線的電位設為浮動電位。此外，在切換重置電壓的正電壓與負電壓時(例如將電場產生狀態(電場方向)從第12圖所示狀態變更為第13圖所示狀態時)，可將兩導電配線的其中一方接地。對導電配線7施加重置電壓、將導電配線7的電位變更為浮動電位、亦或將導電配線7連接至地(接地)這些導電配線7的選擇係能夠介設開關元件來進行。

另外，在上述的觸控感測中，並無需將構成液晶顯示裝置的全部觸控感測配線用於觸控感測動作。此時，首先，將全部的觸控感測配線分成複數群。群的數量係比觸控感測配線的全部數量少。假設構成一個群的配線數例如為六條。此時，選擇全部配線(配線數為六條)其中的例如兩條配線(比全部配線的條數少的條數，兩條<六條)。在一個群中，係使用所選擇的兩條配線 進行觸控感測，其餘的四條配線的電位設定為浮動電位(間隔驅動)。由於液晶顯示裝置具有複數個群，因此能夠按如上述定義配線功能的每個群進行觸控感測。

接著，針對觸控感測的驅動頻率進行說明。

例如，在將液晶驅動的共同電極即透明電極的電位設成0V的定電位，複數像素的各者進行點反轉驅動時，透明電極係在液晶驅動與觸控感測驅動中具有作為電性屏蔽的功用。

當令設置在顯示裝置基板100的觸控感測配線3作為觸控驅動電極發揮功能、令設置在陣列基板200的導電配線7作為觸控檢測電極發揮功能時，能夠令觸控感測的驅動條件與液晶的驅動條件(頻率、電壓等)互為不同。

例如，能夠將觸控感測驅動頻率設定為60Hz至數十KHz、將液晶驅動的頻率設定為0.1Hz至480Hz。當是藉由以IGZO等的氧化物半導體來形成主動元件通道層的TFT來進行液晶驅動時，亦能夠將液晶驅動頻率設定為60Hz以下。此外，亦能夠以分時方式來進行觸控驅動與液晶驅動。

當令設置在顯示裝置基板100的觸控感測配線3或設置在陣列基板200的導電配線7的其中任一者作為觸控驅動電極(掃描電極)發揮功能時，當能夠配合所要求的觸控輸入的速度，任意調整檢測電容量的掃描頻率。

(3.對導電配線的電壓施加及觸控感測動作的分時驅動)

接著，說明重置電壓Vr施加至導電配線7的時序及觸 控感測驅動進行的時序。

第15圖係用於說明本發明實施形態的液晶顯示裝置LCD1之信號時序圖，係顯示以分時方式進行液晶驅動與觸控感測驅動時的信號等的波形例。

第15圖中所示的顯示期間乃係一圖框(frame)的期間(1F)，例如為進行相當於60Hz的影像寫入之期間。第15圖係顯示於該一圖框的期間中，於一像素單位期間進行白顯示(液晶驅動電壓開啟)與黑顯示(液晶驅動電壓關斷)的時序。

在第15圖中，元件符號Vg係表示供給至閘極配線15的信號(閘極信號)及信號波形。元件符號Vd係表示供給至源極配線14的信號(影像信號)及信號波形。元件符號Trans係表示主動元件28對像素電極17進行影像寫入之狀態，亦即液晶的穿透率。元件符號Vr係表示施加至導電配線7的信號及信號波形。元件符號Vtouch係表示觸控感測驅動電壓的信號及信號波形。

於顯示單位期間中，在閘極配線15係以一定間隔供給兩次信號Vg。在透過主動元件28對像素電極17寫入影像時，係同步於信號Vg之產生對源極配線14供給信號Vd。藉此，主動元件28變為ON狀態，對像素電極17的影像寫入開始進行。穿透率Trans係隨著液晶分子的配向從垂直配向變化為水平配向而增加。信號Vd係持續供給至源極配線14直到穿透率Trans達到一定程度，然後維持白顯示。信號Vd的施加時間Dt乃係液晶驅動電壓的施加時間。當穿透率Trans達到一定程度後，穿透率Trans 便維持白顯示穩定期間Wr的期間。然後，當重置電壓Vr施加至導電配線7，穿透率Trans便隨著平行於基板面倒下的液晶分子的配向加速回復成垂直配向而減少，然後形成黑顯示。第15圖中所示元件符號Er係代表黑顯示穩定期間，在此期間，黑顯示的穿透率為穩定的狀態。於黑顯示穩定期間Er，信號Vtouch以脈波狀產生，觸控感測驅動電壓施加至導電配線7，觸控感測配線3檢測觸控感測信號。另外，當觸控感測配線3作為觸控驅動配線發揮功能時，伴隨信號Vtouch之產生，觸控感測驅動電壓施加至觸控感測配線3，導電配線7檢測觸控感測信號。

另外，白顯示穩定期間Wr係依構成主動元件28的通道層27的半導體材料的種類而異。例如，當為通道層27採用氧化物半導體形成的主動元件28時，信號Vd的施加時間短即可，在經過施加時間Dt後，主動元件28仍能夠良好地維持電壓，仍能夠維持高穿透率。關於信號Vd與穿透率Trans的關係，於後再述。

重置電壓Vr施加至導電配線7的時序為下列任一時序。

(1)進行一像素的影像寫入後(顯示單位期間的影像顯示後)的時序

(2)進行一水平列(line)的影像寫入後的時序

(3)進行一垂直列的影像寫入後的時序

(4)進行一圖框的影像寫入後的時序

以點反轉驅動方式驅動液晶顯示裝置時，較佳為在對像素電極進行影像寫入後，對各像素電極 的導電配線7施加重置電壓。另外，所謂的顯示單位期間，當採用點反轉驅動時係指包含一像素的寫入與重置之期間，當採用一水平列驅動時係指包含一水平列的寫入與重置之期間，當採用以一畫面進行圖框反轉時係指包含一畫面的寫入與重置之期間。

係能夠將重置電壓Vr的施加時序設定在如上述的顯示單位期間經過後且液晶驅動電壓關斷時(在前述液晶驅動電壓施加至前述像素電極後且前述液晶驅動電壓未施加於前述像素電極時，對前述導電配線施加電壓)。

另外，關於對像素寫入影像時產生的雜訊的產生頻度，例如，一垂直列反轉驅動(行(column)反轉驅動)等將像素總括起來進行的反轉驅動的產生頻度係比以個別像素進行反轉的點反轉驅動的產生頻度低。

如上述，一像素單位期間係由白顯示(on)的期間及黑顯示(off)的期間構成。重置電壓Vr係同步於黑顯示(off)的信號施加至導電配線7。在第15圖中，重置電壓Vr施加至導電配線7後到下一個Vg信號產生為止的時間即為觸控感測期間Ttouch。關於對導電配線7的重置電壓的施加時序、對源極配線的源極信號的施加時序及對閘極配線的閘極信號的施加時序，係能夠使用延遲電路令其中任一時序例如延遲20nsec至2msec程度，以避免雜訊產生重疊於觸控感測。

經比較例如具備以IGZO等的氧化物半導體形成的通道層之主動元件(薄膜電晶體)與例如具備以 非晶矽半導體形成的通道層之主動元件後得知，在像素(液晶顯示裝置)的穿透率Trans方面有很大的不同。當通道層以氧化物半導體形成時，在藉由主動元件進行影像寫入後，穿透率Trans係如第15圖所示急速上升。

相對於此，當通道層以非晶矽半導體形成時，在藉由主動元件進行影像寫入後，穿透率Trans係如第30圖所示緩慢上升。

因此，當通道層以非晶矽半導體形成時，電晶體的漏電流會變大。為了補償漏電流所造成的電壓降，係必須在白顯示穩定期間Wr的期間持續對源極配線施加信號Vd(液晶驅動電壓)。

相對於此，當通道層以氧化物半導體形成時，漏電流比非晶矽半導體時的情況低了三位數左右，電壓能夠維持。因此，液晶驅動電壓的施加時間Dt短即可。觸控感測期間Ttouch的觸控感測頻率係必須為比液晶驅動頻率高的頻率。此乃因觸控感測的時序為非定期且短時間之故。因此，為了避免沒有檢測到，觸控感測頻率(檢測頻率)係以高頻率較佳。

以高頻率進行觸控感測驅動，取得觸控感測信號的積分值，藉此，便能夠進行穩定的觸控感測檢測。為了減少影響觸控感測信號的雜訊量，較佳為避免在緊接於對主動元件進行影像寫入所需的液晶驅動電壓的開啟及關斷後之時序檢測觸控感測信號。因此，能夠在白顯示的穿透率穩定的白顯示穩定期間Wr及黑顯示的穿透率穩定的黑顯示穩定期間Er的期間進行觸控感測信號的檢 測。

如第15圖的時序圖所示，於黑顯示穩定期間Er，以高頻率進行觸控感測信號的檢測。在黑顯示穩定期間Er中，係能夠停止LED(Light-Emitting Diode；發光二極體)等背光單元BU的發光元件的發光。

(觸控感測配線3的變形例)

上述實施形態的觸控感測配線3係具有在透明基板21上依序積層第1黑色層9、第2導電性金屬氧化物層4、第1金屬層5及第1導電性金屬氧化物層6之構造。就觸控感測配線3的變形例而言，亦可採用在第1導電性金屬氧化物層6上設有第2黑色層之構造。

(顯示裝置基板100的製造方法)

接著，說明第1實施形態的液晶顯示裝置LCD1所具備的顯示裝置基板100的製造方法。具體而言，在以下的說明中係針對在透明基板21上形成觸控感測配線3的步驟進行說明。此外，以下係將第1實施形態的觸控感測配線3的製造方法與上述變形例的觸控感測配線3的製造方法合併說明。

第16A圖至第16G圖係顯示具備觸控感測配線的顯示裝置基板的部分製造步驟。依據此方法，能夠將含有黑色層及金屬層的觸控感測配線以相同的線寬形成。

首先，如第16A圖所示，準備透明基板21。

接著，如第16B圖所示，在透明基板21的整個表面上塗布使用碳作為色材的熱硬化型的黑色塗布液。然後， 對黑色塗布液施行250°的熱處理，使其硬化成為硬膜，形成第1整面黑色層9a。

接著，如第16C圖所示，在第1整面黑色層9a上，連續成膜由含有氧化鋅、氧化銦及氧化錫的三元系混合氧化物(複合氧化物)構成的第2整面導電性金屬氧化物層4a、第1整面金屬層5a及由與第2整面導電性金屬氧化物層4a相同材料構成的第1整面導電性金屬氧化物層6a。

此處，第2整面導電性金屬氧化物層4a、第1整面金屬層5a及第1整面導電性金屬氧化物層6a係以大致覆蓋透明基板21表面之方式成膜。就成膜裝置而言，係使用濺鍍裝置，在維持真空的狀態下連續成膜上述三層。

另外，第2整面導電性金屬氧化物層4a乃係於圖案化步驟後成為第2導電性金屬氧化物層4之層。第1整面金屬層5a乃係於圖案成形步驟後成為第1金屬層5之層。第1整面導電性金屬氧化物層6a乃係於圖案化步驟後成為第1導電性金屬氧化物層6之層。

構成第2整面導電性金屬氧化物層4a及第1整面導電性金屬氧化物層6a的氧化鋅、氧化銦及氧化錫之組成如下。此外，構成第1整面金屬層5a的銅合金(銅含有層)之組成如下。在以下所述的組成中，係揭示混合氧化物中所含的金屬元素的原子百分比(以下，以at%表示)，係揭示不考慮(計算)氧元素，僅考慮(計算)金屬元素而得之值。

第1整面導電性金屬氧化物層6a(第1導電性金屬氧化物層6)之組成

In：Zn：Sn=88：10：2

亦即，若令構成第1整面導電性金屬氧化物層6a的全部金屬量為100%，則In的比例為88%，Zn的比例為10%，Sn的比例為2%。

第2整面導電性金屬氧化物層4a(第2導電性金屬氧化物層4)之組成

In：Zn：Sn=90：8：2

亦即，若令構成第2整面導電性金屬氧化物層4a的全部金屬量為100%，則In的比例為90%，Zn的比例為8%，Sn的比例為2%。

第1整面金屬層5a(第1金屬層5)之組成

Cu：Mg=99.5：0.5

亦即，若令構成第1整面金屬層5a的全部金屬量為100%，則Cu的比例為99.5%，Mg的比例為0.5%。

第1整面導電性金屬氧化物層6a及第2整面導電性金屬氧化物層4a所含的鋅(Zn)的量係能夠添加得比錫(Sn)的量多。當錫的含有量超過鋅含有量時，在溼蝕刻(在成膜步驟後進行的步驟)時會造成阻礙。換言之，此時，含有銅的金屬層的蝕刻量會變得比導電性金屬氧化物層的蝕刻量還多，無法獲得所期望的蝕刻選擇性，第2導電性金屬氧化物層4、第1金屬層5及第1導電性金屬氧化物層6的線寬容易產生差異。

在上述導電性金屬氧化物層亦能夠添加少量的鈦、鋯、鎂、鋁、鍺等其他元素。

如第16D圖所示，於成膜上述金屬層後， 在透明基板21上塗布含有碳作為主要色材並且具鹼性顯影性及感光性的黑色塗布液。然後，令黑色塗布液乾燥，形成第2整面黑色層19a。第2整面黑色層19a乾燥後的塗布膜厚採用為約1.1μm。

在以下的記載中係說明第2整面黑色層19a使用正型感光性阻劑之例，但第2整面黑色層19a使用的感光性阻劑亦可為負型感光性阻劑。

接著，準備具有穿透率100%的區域、穿透率40%的區域及穿透率0%的區域之半色調遮罩。此處，穿透率40%的區域乃係用於在顯示裝置基板100上形成端子部33之遮罩區域，穿透率100%的區域乃係用於在顯示裝置基板100上形成觸控感測配線3的圖案之遮罩區域。構成該半色調遮罩的基板乃係人工石英基板，上述的穿透率乃係依據人工石英基板的穿透率之穿透率。

透過如上述的半色調遮罩，對成膜有第2整面黑色層19a的透明基板21施行曝光處理。於曝光後，對透明基板21進行鹼性顯影，藉此，獲得具有第16E圖所示積層構造的透明基板21。

如第16E圖所示，在與半色調遮罩的穿透率0%的區域(感光性阻劑的曝光部分經顯影而去除)對應的基板區域R1，第2整面黑色層19a被完全去除，第1整面導電性金屬氧化物層6a露出。

在與半色調遮罩的穿透率100%的區域(感光性阻劑的曝光部分經光硬化而形成厚膜部分)對應的基板區域R2，大部分的第2整面黑色層19a留存了下來。 在與半色調遮罩的穿透率40%的區域對應的基板區域R3，第2整面黑色層19a被部分去除。基板區域R3的第2整面黑色層19a的厚度比基板區域R2的第2整面黑色層19a的厚度小。

接著，如第16F圖所示，在基板區域R1，對露出於透明基板21上的第1整面導電性金屬氧化物層6a，使用草酸系蝕刻劑(etchant)進行溼蝕刻。接著，在基板區域R1，使用磷酸系蝕刻劑，對第1整面金屬層5a進行溼蝕刻。接著，在基板區域R1，使用草酸系蝕刻劑，對第2整面導電性金屬氧化物層4a進行溼蝕刻。藉此，第2整面導電性金屬氧化物層4a經圖案化而形成第2導電性金屬氧化物層4，第1整面金屬層5a經圖案化而形成第1金屬層5，第1整面導電性金屬氧化物層6a經圖案化而形成第1導電性金屬氧化物層6。亦即，形成具有三層導電層之構造的觸控感測配線3。此外，在基板區域R1，第1整面黑色層9a的表面係露出。

接著，如第16G圖所示，使用乾蝕刻(dry etching)裝置，以於第1整面黑色層9a的厚度蝕刻0.6μm的條件對第1整面黑色層9a施行乾蝕刻。藉此，第1整面黑色層9a經圖案化而形成第1黑色層9。藉此，形成至少含有第1黑色層9與形成在第1黑色層9上的第1金屬層5之觸控感測配線3。

導入乾蝕刻裝置的氣體(gas)乃係使用氬氣作為基礎氣體(base gas)並在基礎氣體加入8vol%的氧氣而成的混合氣體。藉由如上述的乾蝕刻，位於端子部33(基板區域 R3)的第2整面黑色層19a係完全被去除，第1導電性金屬氧化物層6露出於端子部33。此外，在經圖案化後的觸控感測配線3上，亦即在基板區域R2，係形成厚度約0.5μm的第2黑色層19。藉此，形成具有由第1黑色層9與第2黑色層19夾持金屬層之構造的觸控感測配線3。

作為實施例而形成如上述的觸控感測配線3後，獲得了如下結果。在觸控感測配線3的圖案中，其線寬約3μm。關於第1導電性金屬氧化物層6、第1金屬層5及第2導電性金屬氧化物層4的線寬，線寬的誤差在±0.2μm以內，獲得三層的線寬相等之結果。

依據上述實施形態的製造方法，不需要第1黑色層9、第1導電性金屬氧化物層6、第1金屬層5及第2導電性金屬氧化物層4的相互定位(對位)。因此，可不用考慮顯示裝置基板之製造通常所要求的±1.5μm的定位餘裕(margin)。因此，能夠獲得高開口率。

另外，在上述實施形態(實施例)中雖係例示在觸控感測配線3上形成第2黑色層19的構成，但亦可依需要採用不具備第2黑色層19的構成。

在上述實施形態及變形例中，在透明基板21與第2導電性金屬氧化物層4之間具備有第1黑色層9，因此當從觀看者方向觀看透明基板21時，能夠將透明基板21與第1黑色層9之間的界面的光的反射率抑制在3%以下。因此，實現了就可視性觀點而言是優異的構成。

(第2實施形態)

接著，參照第17圖至第21圖說明本發明的液晶顯示 裝置的第2實施形態。

第17圖係顯示本發明第2實施形態的液晶顯示裝置LCD2之局部平面圖，係從裝置基板100與液晶層300接觸之面看向顯示裝置基板100的顯示面所見之圖。

第18圖係顯示本發明第2實施形態的液晶顯示裝置之局部剖面圖。

如第17圖所示，構成彩色濾色器的紅色濾色器R、綠色濾色器G及藍色濾色器B係配置在對應複數像素開口部18之位置。關於像素開口部的形狀，平行四邊形為其一例。就像素開口部的形狀而言，係採用四邊形、ㄑ字形圖案(dog-legged pattern)等至少有兩邊平行的多邊形。

如第17圖及第18圖所示，在顯示裝置基板100中係在透明基板21上配設有紅色濾色器R、綠色濾色器G及藍色濾色器B，在濾色器R、G、B上具備有黑色矩陣BM(黑色矩陣層)。在俯視下，黑色矩陣BM係位在從紅色濾色器R、綠色濾色器G及藍色濾色器B中選擇的兩個濾色器的交界部。

以覆蓋黑色矩陣BM、紅色濾色器R、綠色濾色器G及藍色濾色器B之方式形成有透明樹脂層1。

透明電極2係以具有平行X方向的條狀圖案之方式及與沿X方向排列的複數像素開口部18重疊之方式形成在透明樹脂層1上。在透明電極2，係在相鄰像素開口部(具備有紅色濾色器R、綠色濾色器G及藍色濾色器B)間的位置形成有ITO開口部35。在ITO開口部35係未 形成有ITO等的透明電極。ITO開口部35乃係設置在透明電極2之狹縫，ITO開口部35的中心係與像素中央CL一致。

透明電極2具有條狀圖案，因此在透明樹脂層1係有複數條帶狀的透明電極2沿Y方向排列。在相鄰透明電極2間係形成有狹縫16。在狹縫16部分係未形成有ITO等的透明電極。在俯視下，在狹縫16係配置有黑色矩陣BM和觸控感測配線3。

如第18圖所示，陣列基板200係具備：第2絕緣層12，係設置在第1絕緣層11下；及共同電極30，係設置在第2絕緣層12與像素電極17(電極部17a、17b)之間。在俯視下，共同電極30係具有：重疊部37，係與像素電極17重疊；及突出部36(延伸部分)，係自像素電極17的端部17c朝X方向突出。

電極部17a、位於紙面左側的突出部36(第1突出部)及位於紙面左側的重疊部37(第1重疊部)，係與電極部17b、位於紙面右側的突出部36(第2突出部)及位於紙面右側的重疊部37(第2重疊部)，以相對於像素中央CL成線對稱之方式配置。突出部36係不僅可沿像素的長邊方向配設，亦可沿短邊方向配設。

黑色矩陣BM係會在後述的第4實施形態中詳述，藉由配置在更接近液晶層300的位置，便能夠減少發生在黑色矩陣BM附近的液晶配向不良區域的雜散光和再反射光之漏光(參照第28圖)。

液晶層300係同第1實施形態，具有初始配向為垂直配向的液晶分子。

在本實施形態的液晶顯示裝置LCD2中，亦同上述實施形態，在第1絕緣層11上形成有複數導電配線7(7a、7b、7c、7d)。本實施形態的複數導電配線7的功能係與上述實施形態相同，故省略其說明。另外，在本實施形態中，被施加重置電壓的第1導電配線7a及第2導電配線7d未予圖示，屬於假性配線的導電配線7b、7c顯示於第18圖至第21圖。導電配線7b、7c乃係電性浮動的狀態(浮動狀態)。

在以下的說明中，係藉由對導電配線7的電壓施加令電場產生，而使平行於陣列基板200基板面倒下的液晶分子的配向加速復原成垂直配向，但圖示中係僅顯示電場的方向，省略接受電壓施加的導電配線。另外，被施加重置電壓的導電配線7係配置在與第18圖至第21圖中所示像素相鄰接之像素。

第18圖係顯示未在透明電極2與像素電極17之間施加液晶驅動電壓之狀態，液晶分子38、39為垂直配向之狀態，亦即黑顯示狀態。

另一方面，第19圖係顯示在透明電極2與像素電極17之間施加液晶驅動電壓時(液晶驅動電壓開啟時)的白顯示的狀態之局部剖面圖。

液晶驅動電壓開啟時，係在像素電極17與透明電極2之間及像素電極17與共同電極30之間施加液晶驅動電壓。電壓施加時，位於靠近突出部36之位置的液晶分子38係因像素電極17與共同電極30間產生的強大電場之產生而急劇倒下，以與像素電極17平行之方式配向。其餘的 液晶分子39係以突出部36附近已配向之液晶分子38的動作傳遞開來之方式，相對於像素中央CL朝線對稱的方向倒下。

因此，液晶分子38、39係以從像素中央CL形成線對稱的排列之方式配向，而確保廣視野。

第20圖係顯示在停止液晶驅動電壓之施加後(液晶驅動電壓關斷時)，立即對鄰接像素的第1導電配線7a及第2導電配線7d施加重置電壓使液晶分子38、39回復為垂直配向之黑顯示的狀態。

當藉由重置電壓之施加使電場(從右側朝左側)產生，平行於陣列基板200基板面倒下的液晶分子的配向便加速回復成垂直配向。結果，液晶顯示從白顯示變化為黑顯示。藉由施加重置電壓，τoff係大幅縮短。藉由τoff的縮短，黑顯示穩定期間Er係變長，因此在該期間中亦可停止背光單元BU的發光。

第21圖係顯示在停止液晶驅動電壓之施加後(液晶驅動電壓關斷時)，立即對鄰接像素的第1導電配線7a及第2導電配線7d施加重置電壓使液晶分子38、39回復為垂直配向之黑顯示的狀態。其中，在藉由重置電壓之施加而產生的電場的方向這點上，第21圖係與第20圖不同。

第21圖所示的動作係能獲得與第20圖相同的效果。此外，藉由令第20圖中所示電場與第21圖所示電場交替產生，便能夠將蓄積在液晶晶室內並將會成為圖像烙印之原因的電荷中和掉。

依據本實施形態，除了與第1實施形態相同的效果之外，還能夠藉由像素電極17與共同電極30間產生的強大電場使位於靠近突出部36之位置的液晶分子38急劇倒下。亦即，能夠縮短液晶驅動電壓施加至液晶分子(液晶層)時的上升時間(以下，以τon稱之)。此外，能夠以突出部36附近已配向之液晶分子38的動作傳遞開來之方式，將液晶層300全體的液晶分子相對於像素中央CL朝線對稱的方向倒下，而能夠確保廣視野。

(第3實施形態)

接著，參照第17圖及第22圖至第27圖說明本發明的液晶顯示裝置的第3實施形態。

第22圖係顯示本發明第3實施形態的液晶顯示裝置LCD3之局部剖面圖。

第23圖係沿第17圖的E-E’線剖切之剖面圖。在黑色矩陣BM相對於彩色濾色器的位置這點上，第3實施形態係與第2實施形態不同。

如第22圖所示，在顯示裝置基板100中，黑色矩陣BM配設置在透明基板21上，紅色濾色器R、綠色濾色器G及藍色濾色器B以覆蓋黑色矩陣BM之方式配設在透明基板21上。透明樹脂層1以覆蓋紅色濾色器R、綠色濾色器G及藍色濾色器B之方式形成。同第2實施形態，透明電極2係以具有平行X方向的條狀圖案之方式形成在透明樹脂層1上。

如第23圖所示，觸控感測配線3設置在黑色矩陣BM上且設置在透明電極2的ITO開口部35的位置。

同第17圖，陣列基板200係具有設置在第2絕緣層12與像素電極17(電極部17a、17b)之間的共同電極30。共同電極30係具有：重疊部37，係與像素電極17重疊；及突出部36(延伸部分)，係自像素電極17的端部17c朝X方向突出。

液晶層300係同第2實施形態，具有初始配向為垂直配向的液晶分子。

第22圖係顯示未在透明電極2與像素電極17之間施加液晶驅動電壓之狀態，液晶分子38、39為垂直配向之狀態，亦即黑顯示狀態。

第24圖係顯示在透明電極2與像素電極17之間施加液晶驅動電壓時(液晶驅動電壓開啟時)的白顯示的狀態之局部剖面圖。

第25圖係顯示在停止液晶驅動電壓之施加後(液晶驅動電壓關斷時)，立即對鄰接像素的第1導電配線7a及第2導電配線7d施加重置電壓使液晶分子38、39回復為垂直配向之黑顯示的狀態。

第26圖係顯示在停止液晶驅動電壓之施加後(液晶驅動電壓關斷時)，立即對鄰接像素的第1導電配線7a及第2導電配線7d施加重置電壓使液晶分子38、39回復為垂直配向之黑顯示的狀態。其中，在藉由重置電壓之施加而產生的電場的方向這點上，第26圖係與第25圖不同。

如第24圖至第26圖所示，液晶驅動電壓施加時的液晶分子38、39的動作與施加重置電壓至導電配線7時的液晶分子38、39的動作係與第2實施形態相同。

共同電極30具備有突出部36的電極構造係使視野角和中間調顯示提升。藉由在像素電極17的電極部17a、17b與透明電極2之間施加液晶驅動電壓，使液晶分子38、39倒下，如第24圖所示獲得白顯示。

在白顯示後，關斷液晶驅動電壓，施加重置電壓至導電配線7，藉此，以俯視下橫越液晶層300及源極配線之方式產生電場。藉由此電場的作用，液晶分子38、39的配向係如第25圖所示加速回復成垂直配向(初始配向)。

同樣地，在第24圖所示的白顯示後，關斷液晶驅動電壓，施加重置電壓至導電配線7，藉此，以橫越液晶層300及源極配線之方式產生電場。藉由此電場的作用，液晶分子38、39的配向係如第26圖所示加速回復成垂直配向(初始配向)。在第26圖中，係令第25圖的重置電壓的正電壓與負電壓反轉，將反轉的重置電壓施加至導電配線7。結果，在藉由對導電配線7的重置電壓之施加而產生的電場的方向這點上，第26圖係與第25圖不同。藉由第25圖及第26圖所示電場而得的效果係與第20圖及第21圖的效果相同。

第27圖係顯示本發明第3實施形態的液晶顯示裝置之局部剖面圖，係沿第17圖的F-F’線剖切之圖，係用於說明作為觸控檢測配線發揮功能的觸控感測配線3與作為觸控驅動配線發揮功能的導電配線7之間產生的靜電容量之圖。

參照第27圖，說明將導電配線7作為觸控感測配線使用的觸控感測技術。

如第27圖所示，以在俯視下重疊於綠色濾色器G與藍色濾色器B的交界之方式設置假性配線7c，以在俯視下重疊於藍色濾色器B與紅色濾色器R的交界之方式設置第2導電配線7d。

藉由在第2導電配線7d與觸控感測配線3間施加觸控感測驅動電壓使邊緣電場產生。邊緣電場的產生狀態係以電力線31、32表示。第2導電配線7d與觸控感測配線3之間係保持有靜電容量C2。如第1實施形態中所說明，當手指等指示物接觸或接近透明基板21，靜電容量C2便發生變化，由觸控感測配線3檢測該靜電容量的變化作為觸控感測信號。另一方面，假性配線7c係具有電性浮動的電位(浮動電位)，因此邊緣電場未產生。另外，導電配線7(第2導電配線7d及假性配線7c)係亦可以鋁合金構成。

(第4實施形態)

接著，參照第28圖說明本發明的液晶顯示裝置的第4實施形態。

第28圖係顯示本發明第4實施形態的液晶顯示裝置之局部剖面圖。第28圖所示的液晶顯示裝置LCD4係具備黑色矩陣BM配置為比在第18圖所示液晶顯示裝置LCD2中更接近液晶層300的顯示裝置基板100。

具體而言，在顯示裝置基板100中係在透明基板21上配設有紅色濾色器R、綠色濾色器G及藍色濾色器B，在濾色器R、G、B上設置有第2透明樹脂層41。此外，在第2透明樹脂層41上設置有黑色矩陣BM。在俯視下，黑色矩陣BM係位在從紅色濾色器R、綠色濾色器 G及藍色濾色器B中選擇的兩個濾色器的交界部。此外，以覆蓋黑色矩陣BM之方式在第2透明樹脂層41上設置有透明樹脂層1(第1透明樹脂層)。

此外，黑色矩陣BM係設置在相鄰兩像素之間。具體而言，黑色矩陣BM係以跟位在第28圖中央的第1像素與位在第1像素左側的第2像素之間的交界區域相對向之方式配置。亦即，俯視下，係在配置紅色濾色器R的像素與配置綠色濾色器G的像素之間、及配置綠色濾色器G的像素與配置藍色濾色器B的像素之間配置黑色矩陣BM。換言之，黑色矩陣BM係以跟構成第1像素的像素電極17與構成第2像素的像素電極17之間的交界區域相對向之方式設置。於該交界區域，在顯示裝置基板100與陣列基板200之間有液晶層300存在。此外，相較於透明電極2與像素電極17相對向的區域，該交界區域乃係在液晶驅動時，液晶層300的液晶分子較未充分獲得液晶驅動電壓施加之區域。亦即，該交界區域相當於配向不良區域42。在配向不良區域42中，係伴隨著液晶分子的配向不良導致元件符號43所示的漏光容易穿透過液晶層300。

在本實施形態中，黑色矩陣BM係如上述以跟相鄰兩像素間的交界區域亦即配向不良區域42相對向之方式設置。此外，黑色矩陣BM係設置在第2透明樹脂層41上，因此黑色矩陣BM與液晶層300的距離比在第18圖所示液晶顯示裝置LCD2中的短。

藉由把黑色矩陣BM接近液晶層300配置，能夠將經 由配向不良區域42而射出的漏光43予以遮光，從而能夠防止顯示品質降低。相對於此，在黑色矩陣BM形成在遠離配向不良區域42的位置的構成中，漏光43增加，容易發生顯示品質的降低。

換言之，從防止漏光43的發生的觀點來看，黑色矩陣BM的位置係較佳為於液晶層300厚度方向上接近液晶層300。另外，第28圖所示液晶顯示裝置LCD4的陣列基板200係具有與第2實施形態相同的構成。

(第5實施形態)

接著，參照第29圖說明本發明的液晶顯示裝置的第5實施形態。

第29圖係顯示本發明第5實施形態的液晶顯示裝置之局部電路圖，係顯示一個像素具備兩個主動元件的陣列構造之圖。

如第29圖所示，與像素開口部對應的像素的各者係具有像素電極17。在像素電極17係連接有兩個TFT亦即第1主動元件28及第2主動元件55。在相鄰兩像素間(相鄰兩像素開口部間)係設置有沿X方向延伸的第1閘極配線15及第2閘極配線40，且設置有沿Y方向延伸的奇數行的源極配線51及偶數行的源極配線52。在源極配線51、52的各者係有構成主動元件一部分的源極電極連接。

例如，在影像信號從影像信號時序控制部121輸出而輸入至源極配線時，對奇數行的源極配線51供給負電壓的影像信號，對偶數行的源極配線52施加正電壓的影像信號。

依此，第2主動元件55係具有電性連接至被供給負電壓的影像信號的源極配線51之源極電極。第1主動元件28係具有電性連接至被供給正電壓的影像信號的源極配線52之源極電極。

關於第1閘極配線15及第2閘極配線40，例如，就影像顯示的每一圖框，對其中一方的閘極配線施加閘極電壓。該閘極電壓係同步於奇數行的源極配線51或偶數行的源極配線其中任一者。

第1主動元件28係在閘極信號輸入至第1閘極配線15的狀態下且偶數行的源極配線52有影像信號輸入時動作。此時，像素電極17的電位變為正。

例如，於下一個時序，第2主動元件55係在閘極信號輸入至第2閘極配線40的狀態下且奇數行的源極配線51有影像信號輸入時動作。此時，像素電極17的電位變為負。

在第29圖所示的陣列構造中，係藉由使用如上述的TFT動作，而能夠進行點反轉驅動或行反轉驅動。在該陣列構造中，係能夠在不使源極配線的輸出極性反轉下將像素電極17的電位設為正或負。

此外，在以一個主動元件對應一個像素電極17之方式構成像素的通常的像素構造中，係伴隨著輸出反轉導致功耗增加和雜訊產生。相對於此，在第29圖所示的陣列構造中，係能夠降低功耗且大幅減少雜訊的產生。因此，能夠使觸控感測的靈敏度提升。

藉由採用第29圖所示的陣列構造，便能夠以點反轉 驅動和行反轉驅動的液晶驅動方法將像素電極17的電位設定為正或負。此時，設置在顯示裝置基板100的透明電極2係能夠設定為0V等定電位。因為不需要使透明電極2的電位變動，所以能夠進一步抑制影響觸控感測驅動的雜訊。除此之外，因為能夠將源極配線51、52的電位固定為負或正的電位，所以能夠抑制在切換施加至源極配線的信號的極性時發生的雜訊產生。

此外，當具有本實施形態之構造的液晶顯示裝置具備有上述的觸控感測功能時，藉由將源極配線51、52的電位的極性予以固定，便能夠消除掉對觸控感測的不良影響。

為了獲得快速的響應性，藉由使用從複數觸控感測配線中選擇的配線之觸控感測(疏化驅動)，便能夠對觸控驅動電極進行掃描。此外，亦可切換觸控感測的驅動電極與檢測電極，以透明電極作為施加一定頻率之電壓的驅動電極(掃描電極)。

另外，觸控感測和液晶驅動時施加至驅動電極的電壓(交流信號)係亦可為將正負的電壓反轉的反轉驅動方式。觸控驅動與液晶驅動係可以分時方式進行，亦可不為分時方式。

此外，就施加至驅動電極的電壓(交流信號)而言，藉由縮小所施加的交流信號的電壓幅度(振幅)，便能夠減輕對液晶顯示的影響。

如上所述，在本實施形態的液晶顯示裝置中，在將導電配線7的電位設定為定電位時，能夠在不依 存於液晶的驅動頻率和時序下設定觸控感測配線的驅動頻率和信號檢測的時序。係能夠將觸控驅動電極的驅動頻率設定為與液晶驅動的頻率不同的頻率或更高的驅動頻率。

一般而言，液晶驅動的頻率乃係60Hz或此頻率的整數倍之驅動頻率。通常，觸控感測電極係受液晶驅動的頻率所伴隨的雜訊影響。此外，通常的家庭電源為50Hz或60Hz的交流電源，觸控感測電容易接收到以該種外部電源動作的電器產生的雜訊。

因此，藉由將觸控驅動的頻率設定成自50Hz或60Hz的頻率若干移動或自該頻率的整數倍若干移動後的不同頻率，便能夠大幅降低液晶驅動和外部電子機器產生的雜訊的影響。或者，亦可在第15圖所示的時間軸令信號的施加時序移動。移動量為若干量即可，例如，自雜訊頻率移動±3%至±17%的移動量即可，能夠減少與雜訊頻率間的干涉。例如，觸控驅動的頻率係能夠從數kHz至數百kHz的範圍裡選擇不會與上述液晶驅動頻率和電源頻率發生干涉的不同頻率。藉由選擇不會與液晶驅動頻率和電源頻率發生干涉的不同頻率，例如便能夠減輕點反轉驅動中產生的耦合雜訊等雜訊的影響。

此外，為當進行3D(立體影像)顯示的顯示裝置時，除了通常的二維圖像的顯示之外，為了三維顯示位於近側的圖像和位於遠側的圖像，故需要複數影像信號(例如右眼用的影像信號與左眼用的影像信號)。因此，液晶驅動的頻率例如便需要240Hz或480Hz等的高速 驅動及大量的影像信號。

此時，能夠令觸控感測驅動的頻率不同於液晶驅動的頻率的本實施形態的優點係更為顯著。例如，在藉由本實施形態進行3D顯示的遊戲機中，能夠進行高速、高精度的觸控感測。

本實施形態係在遊戲機和提款機等手指等的觸控輸入頻度高的顯示器上特別有用。亦可將施加重置電壓Vr後的黑顯示穩定期間Er用於3D(立體圖像)顯示的右眼用圖像與左眼用圖像之切換時所插入的黑顯示。

此外，在觸控感測驅動中，並非將驅動電壓供給至全部的觸控感測配線，而是藉由間隔驅動進行觸控位置的檢測，藉此，能夠降低觸控感測驅動的功耗。

在上述的本發明實施形態的液晶顯示裝置中，係以縱向電場驅動垂直配向的液晶層。

就能適用縱向電場方式的液晶驅動方式而言，可舉出VA(Vertical Alignment)方式、HAN(Hybrid-aligned Nematic；混合型配向)方式、TN(Twisted Nematic；扭轉向列)方式、OCB(Optically Compensated Bend；光學補償彎曲)方式、CPA(Continuous Pinwheel Alignment；連續焰火狀排列)方式、ECB(Electrically Controlled Birefringence；電控雙折射)方式、TBA(Transverse Bent Alignment；橫向彎曲取向)方式等，能夠適當選擇使用。另外，在VA模式中係實現出色的正常顯黑(normally black)，故為了有效運用黑顯示，較佳為採用VA模式。

此外，從正面亮度的強度及黑顯示的黑階 (level)的強度的觀點來看，驅動垂直配向液晶的VA模式係比驅動水平配向液晶的FFS模式優異。就VA模式使用的液晶材料而言，例如較佳為使用實現電阻係數為1×1013Ωcm以上的液晶層之高純度材料。液晶驅動係除了點反轉驅動之外，亦可為將共同電極即透明電極設為定電位的行反轉驅動(源極反轉驅動)。或者，亦可組合將透明電極設為定電位的行反轉驅動與將透明電極設為定電位的點反轉驅動。

關於VA等縱向電場方式，係例如藉由圖框反轉或點反轉等液晶驅動，在像素電極17與透明電極2之間施加正負的液晶驅動電壓，因此相較於FFS，內嵌式觸控(in-cell touch)下的電容量的失衡較輕，顯示烙印較少。除此之外，在對各個像素的影像寫入後，就每次水平列反轉或每一畫面的圖框反轉進行正負的重置電壓之施加，藉此，兼使因觸控感測而蓄積的電容量的失衡緩和，而能夠提升內嵌方式的觸控感測的精度。

本發明實施形態的顯示裝置係能夠有各種應用。就本發明實施形態的顯示裝置能夠適用的電子機器而言，可舉出行動電話、可攜式遊戲機、個人數位助理、個人電腦、電子書、攝影機(video camera)、數位相機(digital still camera)、頭戴式(head-mounted)顯示器、導航系統(navigation system)、聲音播放裝置(汽車音響(car audio)、數位聲訊播放器(digital audio player)等)、影印機、傳真機、印表機、多功能事務機、自動販賣機、自動櫃員機(ATM)、個人認證裝置、光通訊機器等 。上述各實施形態係能夠自由組合使用。

以上，說明了本發明的較佳實施形態，但應理解該些實施形態僅是本發明之例示，不該視為本發明之限定。在不脫離本發明的範圍內，當能夠進行添加、省略、置換及其他變更。因此，不應認為本發明受前述說明所限定，本發明係由申請專利範圍界定。

1‧‧‧透明樹脂層

2‧‧‧透明電極

3‧‧‧觸控感測配線(觸控驅動配線、觸控檢測配線)

7‧‧‧導電配線

11‧‧‧第1絕緣層

12‧‧‧第2絕緣層

13‧‧‧第3絕緣層

14‧‧‧源極配線

16‧‧‧狹縫

17a、17b‧‧‧電極部(像素電極)

18‧‧‧像素開口部

21、22‧‧‧透明基板

23‧‧‧遮光層(遮光圖案)

38、39‧‧‧液晶分子

100‧‧‧顯示裝置基板

200‧‧‧陣列基板

300‧‧‧液晶層

BU‧‧‧背光單元

L‧‧‧光

LCD1‧‧‧液晶顯示裝置

Claims (18)

1. 一種液晶顯示裝置，係含有：顯示裝置基板，係具有透明基板、透明樹脂層及透明電極，按前述透明樹脂層及前述透明電極之順序形成在前述透明基板上；陣列基板，係具備：多邊形的複數像素開口部、設置在前述複數像素開口部各者的像素電極、源極配線、閘極配線、剖視下配置在前述像素電極與前述源極配線間的第1絕緣層、及俯視下設置在前述第1絕緣層上區分前述像素電極之位置並且平行前述源極配線的導電配線；液晶層，係含有被夾持在前述顯示裝置基板與前述陣列基板之間的具負介電異向性的液晶分子，並且初始配向為垂直配向；及控制部，係對前述源極配線供給影像信號，同步於前述影像信號將液晶驅動電壓施加至前述透明電極與前述像素電極之間，藉此驅動前述液晶層，在前述液晶驅動電壓施加至前述像素電極後且前述液晶驅動電壓未施加於前述像素電極時，對前述導電配線施加電壓，藉此，令前述導電配線間產生在俯視下朝橫越前述源極配線之方向的電場。
2. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中施加至前述導電配線的電壓係包括正的電壓與負的電壓；前述電壓係每隔影像顯示的一定期間反轉成正或負。
3. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中具備設置在前述陣列基板背面或側面的背光單元；在前述電壓施加在前述導電配線時，停止前述背光單元的發光。
4. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中前述透明電極係具有在俯視下於前述閘極配線所位在之部分形成有平行狹縫的條狀圖案；前述源極配線及前述閘極配線係俯視下呈正交並且形成沿前述像素開口部的邊之矩陣圖案。
5. 如請求項4之液晶顯示裝置，其中具備觸控感測配線，該觸控感測配線係設置在前述透明基板與前述透明樹脂層之界面且設置在俯視下前述透明電極的前述狹縫之位置。
6. 如請求項5之液晶顯示裝置，其中前述觸控感測配線係以形成在前述透明基板上的黑色層與形成在前述黑色層上的第1金屬層構成。
7. 如請求項5或6之液晶顯示裝置，其中前述控制部係具有檢測前述觸控感測配線與前述導電配線間的靜電容量的變化之觸控感測功能；在前述液晶驅動電壓施加至前述像素電極後且前述液晶驅動電壓未施加於前述像素電極時，對前述觸控感測配線及前述導電配線其中一方施加觸控感測驅動電壓，透過前述觸控感測配線及前述導電配線其中另一方檢測觸控感測信號。
8. 如請求項7之液晶顯示裝置，其中對前述導電配線施加 前述觸控感測驅動電壓，前述觸控感測配線檢測前述觸控感測信號。
9. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中前述導電配線係含有第2金屬層。
10. 如請求項9之液晶顯示裝置，其中具備主動元件，該主動元件乃係具有電性連接至前述源極配線的源極電極、電性連接至前述閘極配線的閘極電極及以半導體構成的通道層之薄膜電晶體；前述第2金屬層的一部分係形成覆蓋前述通道層的遮光層。
11. 如請求項10之液晶顯示裝置，其中前述通道層係以氧化物半導體構成。
12. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中前述陣列基板係具備設置在前述第1絕緣層下的第2絕緣層及設置在前述第2絕緣層與前述像素電極之間的共同電極；俯視下，前述共同電極係具有與前述像素電極重疊的重疊部及自前述像素電極的端部突出的突出部。
13. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中在前述顯示裝置基板上，在與前述像素開口部對應的位置至少設有紅色濾色器、綠色濾色器及藍色濾色器其中任一者。
14. 如請求項5之液晶顯示裝置，其中具備黑色矩陣層，該黑色矩陣層係設置在前述顯示裝置基板厚度方向上從前述觸控感測配線的位置到前述透明電極的位置為止間的任一部位，而劃分出前述像素開口部。
15. 如請求項6之液晶顯示裝置，其中在前述觸控感測配 線中，前述第1金屬層為銅含有層；前述觸控感測配線係具有以導電性金屬氧化物層夾持前述銅含有層的構成。
16. 如請求項9之液晶顯示裝置，其中在前述導電配線中，前述第2金屬層為銅含有層；前述導電配線係具有以導電性金屬氧化物層夾持前述銅含有層的構成。
17. 如請求項15或16之液晶顯示裝置，其中前述導電性金屬氧化物層為含有氧化鋅、氧化銦及氧化錫的複合氧化物。
18. 如請求項1之液晶顯示裝置，其中與前述像素開口部對應的像素的各者係具備第1主動元件及第2主動元件；前述第1主動元件係具有電性連接至被供給負電壓的影像信號的源極配線之源極電極；前述第2主動元件係具有電性連接至被供給正電壓的影像信號的源極配線之源極電極。