JP2013242432A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】液晶表示装置の液晶パネルに内蔵されたイン・セル型の静電容量式タッチセンサの検知精度や時間・位置の分解能の向上を図る。
【解決手段】タッチセンサの駆動電極34は、TFT基板の液晶84側の面の画素電極40間を分離する境界領域に形成され、検知電極36は対向基板の当該境界領域に対向する領域に形成される。駆動電極34に駆動信号を供給して電圧変化を与え、それにより生じる検知電極36の電圧変化に基づき駆動電極34と検知電極36との対向部分における静電容量の変化を検知して、液晶パネル4の当該対向部分近傍の表示面への物体の接触を検出する。
【選択図】図7
【解決手段】タッチセンサの駆動電極34は、TFT基板の液晶84側の面の画素電極40間を分離する境界領域に形成され、検知電極36は対向基板の当該境界領域に対向する領域に形成される。駆動電極34に駆動信号を供給して電圧変化を与え、それにより生じる検知電極36の電圧変化に基づき駆動電極34と検知電極36との対向部分における静電容量の変化を検知して、液晶パネル4の当該対向部分近傍の表示面への物体の接触を検出する。
【選択図】図7
Description
本発明はタッチセンサ機能を備えた液晶表示装置に関し、特に静電容量式のタッチセンサを液晶パネルに内蔵する技術に関する。
近年、画像の表示面にユーザが指などで触れることにより操作・情報入力を可能としたタッチパネルを液晶パネルの前面に外付けで取り付けた液晶表示装置が実用化されている。また、タッチセンサ機能を液晶パネルに内蔵する構造も提案されている。タッチセンサ機能を液晶パネルに内蔵する方式はオン・セル型とイン・セル型とに分けられる。オン・セル型は液晶パネルのカラーフィルタを設けたガラス基板と偏光板との間にタッチセンサ機能を有する層を設けたものであり、イン・セル型は液晶パネルのTFT(Thin Film Transistor:薄膜トランジスタ)基板の製造プロセスにて当該基板にタッチセンサを形成するものであるとされている。タッチセンサ機能のイン・セル化は、液晶表示装置の厚み及び重量の低減を可能とする。
タッチセンサ機能をイン・セル型で内蔵した従来の液晶表示装置として、液晶に電界を与える画素電極及び共通電極のうち共通電極を静電容量式タッチセンサの駆動電極として兼用する構成が提案されている。
液晶パネルのセルの駆動に用いる電極を静電容量式タッチセンサの電極として兼用すると、接触検知は映像信号の有効表示期間以外の期間に行う必要がある。例えば、垂直帰線期間に接触検知を行う場合、接触検知の時間分解能はフレームレートで制限されるという問題がある。また、表示面に配列される複数のポイントについての接触検知が時分割で行われるので、当該ポイントの数が多くなるほど、個々のポイントへの割当時間が短くなり、容量変化の検知精度が低下する。そのため、比較的短い垂直帰線期間にて高い位置分解能の接触検知を高精度で行うことが難しいという問題があった。
本発明は上記問題点を解決するためになされたものであり、時間分解能、位置分解能、及び検知精度の向上を図れるタッチセンサ機能を液晶パネルに内蔵した液晶表示装置を提供することを目的とする。
本発明に係る液晶表示装置は、対向配置された第1基板及び第2基板の間に液晶を挟持する液晶パネルを備え、前記第1基板の前記液晶側の面に二次元的に配列された複数の画素電極がそれぞれ映像信号に基づく電圧を印加され、当該画素電極と共通電極との間に生じる電界により前記液晶の配向を制御して前記液晶パネルの表示面に画像を形成する液晶表示装置であって、前記第1基板の前記液晶側の面に積層され、前記画素電極間を分離する境界領域に形成された複数の第1電極と、前記第2基板に積層され、前記境界領域に対向する領域に形成された複数の第2電極と、前記第1電極及び前記第2電極の一方を駆動電極とし他方を検知電極として、前記駆動電極に駆動信号を供給して電圧変化を与え、それにより生じる前記検知電極の電圧変化に基づき前記第1電極と前記第2電極との対向部分における静電容量の変化を検知して、当該対向部分近傍の前記表示面への物体の接触を検出する接触検出回路と、を有する静電容量方式の接触センサを備える。
他の本発明に係る液晶表示装置においては、前記第1電極と前記画素電極とは、前記第1基板に積層された共通の透明導電膜から形成される。
さらに他の本発明に係る液晶表示装置においては、前記共通電極は、前記第1基板に前記画素電極より下に積層された透明導電膜により形成される。
別の本発明に係る液晶表示装置においては、前記第1電極と前記第2電極との前記対向部分は、複数画素に亘る領域にて前記境界領域に沿って網形に形成される。
この本発明に係る液晶表示装置において、前記複数の第1電極及び前記複数の第2電極は、前記各第1電極が前記表示面に沿った第1の方向に延在し、前記各第2電極が前記表示面に沿い前記第1の方向とは異なる第2の方向に延在して、前記表示面内にて二次元的に並ぶ複数位置に前記対向部分を形成し、前記接触検出回路は、複数の前記駆動電極に順に前記駆動信号を供給して前記各検知電極における前記電圧変化を調べ、前記表示面内にて前記物体が接触した位置を求めるようにすることができる。
さらにこの本発明に係る液晶表示装置は、隣接配置される前記第2電極の間に形成され、接地された透明電極を有してもよい。
本発明に係る液晶表示装置においては、前記接触検出回路は、前記物体の接触を検出する動作を前記映像信号の有効表示期間に行う。
また、好適には、前記接触検出回路は、前記駆動信号を供給しない期間には前記駆動電極を前記共通電極と同電位にする。
タッチセンサ機能のイン・セル化を図った本発明に係る液晶表示装置によれば、液晶パネルのセルの駆動とは独立して接触検知を行うことができる。すなわち、接触検知を行うことができる期間についての制約が緩和され、これにより接触検知の時間分解能、位置分解能の向上及び検知精度の向上を図れる。
以下、本発明の実施の形態(以下実施形態という)である液晶表示装置2について、図面に基づいて説明する。
液晶表示装置2は、静電容量式のタッチセンサを内蔵した液晶パネルを備える。本実施形態で用いる静電容量式のタッチセンサにおける接触検知(タッチ検出)の原理を説明する。液晶パネルの表示面下には接触検知のための電極として、互いに絶縁された駆動電極と検知電極とが積層される。駆動電極と検知電極とは互いに対向する部分を有し、この対向部分の静電容量をC0と表す。駆動電極は例えば、矩形パルス等を供給する交流信号源に接続され、一方、検知電極は抵抗Rを介して接地されると共に電圧検出回路に接続される。
駆動電極に交流信号が印加されると、容量結合により検知電極に電圧変化が生じる。つまり、駆動電極と検知電極との対向部分上の表示面に指などの物体が接触していない状態では、容量C0の充放電に応じた電流が抵抗Rに流れ、抵抗Rに電圧V0を生じる。
一方、対向部分上の表示面に指などの物体が接触すると物体と検知電極との間に容量C1が生じ、駆動電極への交流信号印加時における検知電極の電圧変化が物体の非接触時の電圧V0より小さくなる。つまり、接地電位とみなせる物体が接触した状態では、接地電位と交流信号源との間にC0とC1とが直列に接続された状態となる。この状態では、検知電極から見て容量C1の充放電による電流I1が容量C0の充放電による電流I0とは逆向きに流れるので、抵抗Rに流れる電流が非接触時より少なくなる。そのため、抵抗Rに生じる電圧V1はV0より小さくなる。
電圧検出回路はこの電圧の違いを、予め設定されたしきい値を用いて判別し、当該電圧検出回路の出力信号に基づいて物体の接触を検知することができる。
図1は液晶表示装置2の構成を表す模式図である。図1に示すように、液晶表示装置2は、液晶パネル4、バックライトユニット6、走査線駆動回路8、映像線駆動回路10、バックライト駆動回路12、センサ駆動回路14、信号検出回路16及び制御装置18を備える。
液晶パネル4は、TFT基板、対向基板及びその間に挟まれた液晶などから構成され、略矩形の平板形状を有する。TFT基板及び対向基板はそれぞれ透明なガラス基板を用いて製造される。TFT基板は液晶パネル4の背面側に位置する。TFT基板を構成するガラス基板の表面には、画素配列に対応してマトリクス状に配置されるTFTなどが積層形成される。また、対向基板は液晶パネル4の前面側に位置する。対向基板を構成するガラス基板の表面にはカラーフィルタ(CF)などが積層形成される。なお、本実施形態ではTFT基板にて各画素に形成されるTFTはnチャネルであるとして、ドレイン及びソースを定義する。
TFT基板には複数の映像信号線Pxと複数の走査信号線Pyとが互いに概ね直交して形成される。走査信号線PyはTFTの水平列ごとに設けられ、当該水平列の複数のTFTのゲートに共通に接続される。映像信号線PxはTFTの垂直列ごとに設けられ、当該垂直列の複数のTFTのドレインに共通に接続される。また、各TFTのソースには当該TFTに対応する画素領域に配置された画素電極が接続される。
各TFTは走査信号線Pyに印加される走査信号に応じて水平列単位でオン/オフを制御され、オン状態とされた水平列の各TFTが画素電極を、映像信号線Pxに印加される映像信号に応じた電位(画素電圧)に設定する。液晶パネル4は画素電極と共通電極との間に生じる電界により画素領域ごとに液晶の配向を制御して、バックライトユニット6から入射した光に対する透過率を変えることにより表示面に画像を形成する。
バックライトユニット6は液晶パネル4の裏面側に配置され、液晶パネル4の裏面に光を照射する。例えば、バックライトユニット6は複数の発光ダイオード(Light Emitting Diode:LED)を光源として用いる。
走査線駆動回路8はTFT基板に形成された複数の走査信号線Pyに接続されている。走査線駆動回路8は制御装置18から入力されるタイミング信号に応じて走査信号線Pyを順番に選択し、選択した走査信号線PyにTFTをオンする電圧を印加する。例えば、走査線駆動回路8はシフトレジスタを含んで構成され、当該シフトレジスタは制御装置18からのトリガ信号を受けて動作を開始し、垂直走査方向に沿った順序で走査信号線Pyを順次選択し、選択した走査信号線Pyに走査パルスを出力する。
映像線駆動回路10はTFT基板に形成された複数の映像信号線Pxに接続されている。映像線駆動回路10は走査線駆動回路8による走査信号線Pyの選択に合わせて、当該選択された走査信号線Pyに接続されるTFTのそれぞれに、各画素の階調値を表す映像信号に応じた電圧を印加する。これにより、選択された走査信号線Pyに対応する画素に映像信号が書き込まれる。これはラスター画像の水平走査に相当する。ちなみに、上述の走査線駆動回路8の動作は垂直走査に相当する。
バックライト駆動回路12は、制御装置18から入力される発光制御信号に応じたタイミングや輝度でバックライトユニット6を発光させる。
液晶パネル4にはタッチセンサ用の電極として複数の駆動電極Tdと複数の検知電極Tsとが互いに概ね直交して形成される。本実施形態では各駆動電極TdはTFT基板に形成され、画素配列の行方向(水平方向)に延在される。一方、各検知電極Tsは対向基板に形成され、画素配列の列方向(垂直方向)に延在される。これら駆動電極及び検知電極との間で電気信号の入力及び応答検出を行い、表示面への物体の接触を検出する接触検出回路として、センサ駆動回路14及び信号検出回路16が設けられる。
センサ駆動回路14は上述した交流信号源であり、駆動電極群に接続される。例えば、センサ駆動回路14は制御装置18からタイミング信号を入力され、液晶パネル4の画像表示に同期して駆動電極Tdを順番に選択し、選択した駆動電極に矩形パルスを供給する。例えば、センサ駆動回路14は走査線駆動回路8と同様、シフトレジスタを含んで構成され、当該シフトレジスタは制御装置18からのトリガ信号を受けて動作を開始し、垂直走査方向に沿った順序で駆動電極Tdを順次選択し、選択した駆動電極Tdにパルスを出力する。
なお、駆動電極は走査信号線と同じくTFT基板に水平方向に延在され、垂直方向に複数配列される。そのため、センサ駆動回路14及び走査線駆動回路8は画素が配列される矩形領域(表示領域)の垂直な辺に沿って配置することが好適である。そこで、左右の辺の一方に走査線駆動回路8を配置し、他方にセンサ駆動回路14を配置する。
信号検出回路16は上述した電圧検出回路であり、検知電極群に接続される。信号検出回路16は検知電極ごとに電圧検出回路を設け検知電極群の電圧の監視を並列して行う構成とすることもできるし、例えば、複数の検知電極に1つの電圧検出回路を設け、駆動電極に印加されるパルスの持続時間内に当該複数の検知電極の電圧監視を時分割で行う構成とすることもできる。
表示面上での物体の接触位置は、どの駆動電極Tdにパルスを印加したときにどの検知電極Tsで接触時の電圧が検出されたかに基づいて求められ、それら駆動電極Tdと検知電極Tsとの交点が接触位置として算出される。この接触位置の算出は液晶表示装置2内に設けた回路や演算装置で行うこともできるし、接触時の電圧を検知した検知電極Tsとそのときの駆動電極Tdとを示す情報を液晶表示装置2から出力し外部の回路や演算装置で接触位置の算出処理を行うようにすることもできる。
制御装置18は、CPU(Central Processing Unit)などの演算処理回路、及びROM(Read Only Memory)やRAM(Random Access Memory)などのメモリを備えている。制御装置18は映像データを入力される。例えば、液晶表示装置2がコンピュータや携帯端末の表示部を構成する場合には、映像データは本体のコンピュータ等から液晶表示装置2に入力される。また、液晶表示装置2がテレビジョン受信機を構成する場合には、映像データは不図示のアンテナやチューナで受信される。制御装置18はCPUがメモリに格納されたプログラムを読み出して実行することにより各種の処理を実行する。具体的には、制御装置18は当該映像データに対して色調整などの各種の画像信号処理を行って各画素の階調値を示す映像信号を生成し、当該映像信号を映像線駆動回路10へ出力する。また、制御装置18は入力された映像データに基づいて、走査線駆動回路8、映像線駆動回路10、バックライト駆動回路12、センサ駆動回路14及び信号検出回路16が同期を取るためのタイミング信号を生成し、それら回路に向けて出力する。また、制御装置18はバックライト駆動回路12への発光制御信号としてタイミング信号の他、入力された映像データに基づいてLEDの輝度を制御するための信号を生成する。
なお、走査線駆動回路8、映像線駆動回路10及びセンサ駆動回路14はTFT基板に、表示領域のTFTなどと共に形成することができる。また、それら回路8,10,14は別途の集積回路(IC)に製造し、これをTFT基板や、TFT基板に接続したフレキシブルプリント基板(Flexible Printed Circuit:FPC)に搭載してもよい。同様に、信号検出回路16は対向基板に形成又は対向基板やFPCに搭載することができる。
図2は、TFT基板30及び対向基板32に形成されタッチセンサを構成する電極の一例を示す模式的な斜視図である。駆動電極34及び検知電極36はそれぞれ表示面に沿った方向に延在されるが、それらの方向は異なる。具体的には本実施形態では、各駆動電極34は横方向(水平方向)に細長く伸びる形状を有し、複数の駆動電極34はTFT基板30に縦方向(垂直方向)に並ぶ。一方、各検知電極36は縦方向に細長く伸びる形状を有し、複数の検知電極36は対向基板32に横方向に並ぶ。この両電極の配置により、駆動電極34及び検知電極36は表示面内にてマトリクス状、つまり二次元的に並ぶ複数位置に対向部分を形成する。
駆動電極34は左右端のいずれか一方、又は両方を画像の表示領域から引き出され、センサ駆動回路14に接続される。本実施形態では上述したようにセンサ駆動回路14は表示領域の右側に配置され、複数の駆動電極34はそれぞれの右端をセンサ駆動回路14に接続され駆動パルスを供給される。
また、検知電極36は上下端のいずれか一方、又は両方を画像の表示領域から引き出され、信号検出回路16に接続される。例えば、図1では検知電極36は下端を表示領域から引き出され、信号検出回路16に接続される。なお、検知電極36は対向基板に存在するので、表示領域から引き出す方向を映像信号線と同じ側としても信号検出回路16と映像線駆動回路10とは基本的にはレイアウト上の干渉を生じない。
駆動電極34及び検知電極36は画素の境界に沿った線状の導電材からなるメッシュ状(網形)のパターンに形成される。この点についてはさらに後述する。
対向基板32には検知電極36同士の間隔に静電遮蔽電極38を設けることができる。表示面に接触する物体は画素電極と共通電極とが生じる電界に影響を与えて、接触位置の画像表示に色や階調のずれを生じ得る。特に本実施形態の液晶パネル4はIPS(In Plane Switching)方式であり、画素電極及び共通電極が共にTFT基板30に形成されるので、対向基板32側に接触する物体により液晶層内の電界が擾乱を受けやすい。また、物体の静電気が画素のTFTを破壊することもある。そこで、電位を固定された静電遮蔽電極38を対向基板32に配置して、液晶層やTFTと接触物体との間を静電遮蔽する。静電遮蔽電極38は接地電位とすることが好適である。
図3はTFT基板30の表示領域の構成要素の概略のレイアウトを示す部分平面図であり、液晶パネル4の前面側から見た様子を示している。表示領域には複数の画素がマトリクス状に配列され、図3には1つの画素に対応する画素領域とその近傍領域とが示されている。TFT基板30のガラス基板の液晶側の面には画素電極40、共通電極、ゲート線42(走査信号線Py)、ドレイン線44(映像信号線Px)、TFT46及び駆動電極34などが積層される。
画素領域はバックライトユニット6からの光を透過する部分(有効画素領域)を含み、当該部分にインジウム錫酸化物(Indium Tin Oxide:ITO)やインジウム亜鉛酸化物(Indium Zinc Oxide:IZO)などの透明導電材からなる画素電極40が配置される。本実施形態では、ITOやIZOなどの透明導電材からなる共通電極が画素電極40より下層に表示領域のほぼ全面に亘って形成される。画素電極40は、当該電極と共通電極との間の電界が有効画素領域の液晶に及ぶように、スリットを有した形状や櫛歯形状などに形成される。
また、画素領域は、有効画素領域を囲んで境界領域を有する。境界領域は隣接する画素の画素電極40同士の間を分離し、当該領域にゲート線42(走査信号線Py)、ドレイン線44(映像信号線Px)が配置され、それらの交点近傍にTFT46が配置される。さらに本発明においては画素電極間の境界領域に沿って駆動電極34が配置される。
TFT46は半導体層48、及び当該半導体層48にそれぞれオーミック接触したドレイン電極50及びソース電極52を有する。ドレイン電極50はドレイン線44とつながっている。ソース電極52にはコンタクトホールを介して画素電極40が接続される。半導体層48とゲート線42とはドレイン電極50とソース電極52との間隙部分を含む領域で重なり、当該部分のゲート線42がTFT46のゲート電極として機能する。
図4は対向基板32の表示領域の構成要素の概略のレイアウトを示す部分平面図である。図4は、図3と同様、液晶パネル4の前面側から見た、1つの画素に対応する画素領域及びその近傍領域の様子を示している。対向基板32のガラス基板の液晶側の面には遮光膜からなるブラックマトリクス60などが積層される。ブラックマトリクス60は有効画素領域を取り囲む境界領域に形成される。一方、対向基板32のガラス基板の前面側、つまり液晶とは反対側の面には検知電極36などが積層される。検知電極36も画素の境界領域に配置される。
図5は駆動電極34のパターンの一部分を模式的に示す平面図であり、図6は検知電極36のパターンの一部分を模式的に示す平面図である。既に述べたように駆動電極34及び検知電極36は画素の境界に沿ったメッシュ状のパターンに形成される。具体的には、1つの駆動電極34は、基本的に表示領域を水平方向に横切って伸びる主線電極70を複数本含み、それらの間を短い支線電極72で縦方向に橋渡ししたパターンを有する。一方、1つの検知電極36は、基本的に表示領域を垂直方向に横切って伸びる主線電極74を複数本含み、それらの間を短い支線電極76で横方向に橋渡ししたパターンを有する。
さて、上述したように表示面内での接触位置を判別するために、駆動電極34と検知電極36との対向部分はマトリクス状に複数形成される。ここで、マトリクス状に配列される対向部分を形成するだけならば、1つの駆動電極34は1本の主線電極70のみを含む電極パターンとし、また1つの検知電極36は1本の主線電極74のみを含む電極パターンとすればよい。しかし、この電極パターンでは第1に、対向部分の面積が小さいために静電容量C0が小さすぎ、検知電極36に生じる電圧変化の差異の検出精度が不十分となり得る。第2に電極が細いために電気抵抗が大きくなり、駆動電極34の一方端から供給した矩形パルスの波形が鈍ったり、対向部分で検知電極36に生じた電圧変化が信号検出回路16側の端部に到達するまでに波形劣化を生じたりして接触検知の精度が不十分となり得る。そこで上述したように、1つの駆動電極34は、複数本の主線電極70を支線電極72で連結したメッシュ形状とし、同様に1つの検知電極36は、複数本の主線電極74を支線電極76で連結したメッシュ形状としている。これにより、対向部分は複数画素に亘る広がりを有した網形となり、対向面積の増加により静電容量C0を大きくすることができる。また、各電極の電気抵抗を下げることができる。
本実施形態において駆動電極34及び検知電極36の各対向部分のサイズはそれら電極の幅、つまり駆動電極34のメッシュ形状に含まれる主線電極70の数Nd、及び検知電極36のメッシュ形状に含まれる主線電極74の数Nsに応じて定まる。そして、対向部分のサイズは接触検知の位置分解能を定める。よって、束ねられる主線電極の数Nd,Nsは、上述した静電容量C0及び電気抵抗の観点に加え、接触位置の所要分解能も考慮して決定される。
なお、有効画素領域を開口とするメッシュ形状の検知電極36は不透明であっても画像表示が可能であるので、金属を用いて低抵抗とすることも可能である。
図7は図3,図4に示す線VII−VIIに沿った液晶パネル4の模式的な垂直断面図であり、図8は図3,図4に示す線VIII−VIIIに沿った液晶パネル4の模式的な垂直断面図である。液晶パネル4はTFT基板側の積層体80と対向基板側の積層体82との間に液晶84を狹持した構造である。
TFT基板側の積層体80はガラス基板90の液晶84側の面に積層された画素電極40、共通電極92、TFT46、ゲート線42、ドレイン線44及び駆動電極34などを含む。本実施形態ではTFT46は逆スタガ型(ボトムゲート)であり、ドレイン電極50及びソース電極52より下層にゲート電極94が形成される。ゲート電極94はガラス基板90に積層した金属層をパターニングしてゲート線42と一体に形成される。ゲート電極94を覆って、例えば、SiO2やSiNなどからなるゲート絶縁膜96が形成される。
ゲート絶縁膜96の上には、例えばアモルファスシリコンやポリシリコンからなる半導体層48が形成される。半導体層48上には、金属層が積層され、これをパターニングしてドレイン線44、ドレイン電極50、ソース電極52が形成される。ドレイン電極50及びソース電極52はそれぞれ、半導体層48に接触するように形成される。
これらドレイン線44等を構成する金属層の上に保護絶縁層98が形成され、さらにその上にITOやIZOなどの透明導電膜が積層される。当該透明導電膜をパターニングして共通電極92が形成される。本実施形態では共通電極92は基本的に表示領域全体に配置されるが、ソース電極52へのコンタクトホール100を形成する部分に開口を形成される。
共通電極92上には層間絶縁膜102が積層される。ソース電極52上に層間絶縁膜102及び保護絶縁層98を貫通するコンタクトホール100が形成された後、層間絶縁膜102の上に共通電極92と同様の透明導電膜が積層される。当該透明導電膜をパターニングして画素電極40及び駆動電極34が形成される。画素電極40はコンタクトホール100を介してソース電極52に接続される。
ガラス基板90の背面側、つまり液晶84とは反対側の面には偏光板104が貼り付けられる。
対向基板側の積層体82はガラス基板110の液晶84側の面に積層された遮光膜によりブラックマトリクス60を形成される。ブラックマトリクス60の形成後、カラーフィルタ112が形成され、さらにその上に透明材料からなるオーバーコート層114が積層される。
ガラス基板110の前面側、つまり液晶84とは反対側の面には検知電極36が形成される。検知電極36は駆動電極34等と同様に透明導電膜で形成される。その上に透明絶縁材料からなる平坦化膜116を積層した後、偏光板118が貼り付けられる。
次に液晶パネル4の駆動について説明する。上述したように、液晶パネル4への画像表示及びタッチセンサの駆動は制御装置18によりタイミングを制御される。具体的には、制御装置18は画像の各フレームの開始タイミングで走査線駆動回路8へシフトレジスタの動作開始のトリガ信号を与える。これにより、走査線駆動回路8は水平走査周期(1H)でゲート線42を順番に選択し、選択したゲート線42に走査パルスを出力する動作を開始する。
映像線駆動回路10は走査線駆動回路8によるゲート線42の選択に同期して、当該選択された行の映像信号を制御装置18から入力され、当該行の各画素の画素値に応じた画素電圧を生成しドレイン線44へ出力する。これにより、選択されたゲート線42に対応する画素電極40に画素電圧が印加される。
各画素は画素電極40へ印加された画素電圧を画素電極40と共通電極92とが形成する容量に保持する。具体的には、画素電極40は画素電圧と共通電極92の電位との差電圧に応じて充電される。従って、共通電極92の電位は有効表示期間において固定する必要がある。そのため、液晶パネルの共通電極を接触検知の駆動電極として兼用することによりタッチセンサ機能をイン・セル化した従来の液晶表示装置は、接触検知を垂直帰線期間に行う。
これに対し、液晶表示装置2はタッチセンサの駆動電極34及び検知電極36を画像表示に用いる電極(共通電極92及び画素電極40)とは別に設けているので、タッチセンサの動作、つまり駆動電極34への駆動パルスの印加及び検知電極36の電圧変化の検知は、基本的には画像表示の動作から独立して行うことができる。よって、液晶表示装置2は垂直走査周期(1V)において、垂直帰線期間に限らず、有効表示期間であっても接触検知を行うことが可能である。
有効表示期間は垂直走査周期の大半を占めるので、接触検知を画像表示から独立して行えることは、第1に、表示領域に設けられた複数の駆動電極34に順次、駆動パルスを印加する走査において、駆動パルスの幅を長くすることを可能とする。駆動パルスを長くすることで、駆動電極34内での駆動パルスの波形鈍りや検知電極36に誘起されるパルスの波形鈍りが信号検出回路16で監視される電圧変化に与える影響が軽減され、また、信号検出回路16における計測時間が長くなることによる電圧計測精度の向上が図られる。よって、検知電極36の電圧変化に基づく接触検知の検知精度が向上する。特に、信号検出回路16が複数の検知電極36の電圧変化を各駆動パルスの期間内に時分割で順番に監視する方式では、駆動パルスを長くできることは検知精度向上に有効である。
また、接触検知を独立して行えることは第2に、検知精度の観点から必要な駆動パルスの幅を確保しつつ、接触検知の走査周期を上げることを可能とし、接触検知の時間分解能の向上を図れる。例えば、駆動電極34へ順次、駆動パルスを印加する走査を1V期間に2回行っても、駆動パルスの幅は垂直帰線期間内に1回走査する場合より充分に長くできる。1V期間に複数回の接触検知の走査を行うことで、追随可能な接触位置の移動速度が向上する。
また、接触検知を独立して行えることは第3に、検知精度の観点から必要な駆動パルスの幅を確保しつつ、表示領域内に設ける駆動電極34と検知電極36との対向部分の数を増やすことを可能とし、接触検知の位置分解能の向上を図れる。駆動電極34の数の増加に反比例して駆動パルスの幅は短くなり、また、信号検出回路16が複数の検知電極36の電圧変化監視を時分割で行う方式において検知電極36の数を増やすほど各検知電極36の電圧変化の検知時間が短くなる。しかし、本発明では接触検知を行うことができる期間についての制約が緩和されるので、駆動パルスの幅や電圧変化の検知時間を検知精度確保に必要な長さとしつつ、駆動電極34や検知電極36の数を増加させることができる。よって、対向部分の数を増やすことができる。特に液晶パネル4の画面サイズが大きくなるほど、表示領域に設ける対向部分の数を増やすことが求められるが、本発明によれば当該要求に応えることが容易となる。
なお、本実施形態では、共通電極92が駆動電極34とゲート線42及びドレイン線44との間を電気的に遮蔽する。よって、タッチセンサの駆動が液晶パネル4の表示動作に与える影響や、逆に液晶パネル4の表示動作がタッチセンサの動作に与える影響が低減される。
駆動電極34に駆動パルスを印加しない期間は、液晶84への直流電圧の印加により液晶内のイオン性不純物が電極近傍へ蓄積され画質が劣化することを防止するために、駆動電極34は共通電極92と同電位に設定することが好適である。
[変形例]
本発明に係る液晶表示装置は上述した実施形態以外の構成とすることもでき、以下、当該他の構成について説明する。ここでは上記実施形態と同様の構成要素には同一の符号を付して基本的に共通点については説明を省き、主に上記実施形態との相違点を説明する。なお、下記構成は本発明に係る液晶表示装置の変形例の一部であり、本発明は上記実施形態及び下記変形例には限定されない。
本発明に係る液晶表示装置は上述した実施形態以外の構成とすることもでき、以下、当該他の構成について説明する。ここでは上記実施形態と同様の構成要素には同一の符号を付して基本的に共通点については説明を省き、主に上記実施形態との相違点を説明する。なお、下記構成は本発明に係る液晶表示装置の変形例の一部であり、本発明は上記実施形態及び下記変形例には限定されない。
(1)検知電極36は対向基板32の液晶84側の面に配置してもよい。
(2)駆動電極34及び検知電極36の延在方向は交換してもよい。すなわち、駆動電極34は横方向に延在し、検知電極36は縦方向に延在させることができる。
(3)駆動電極34は対向基板32側に配置し、検知電極36はTFT基板30側に配置することができる。この構成では検知電極36と共通電極92との間の容量が増加するので、物体の接触時と非接触時との検知電極36の電圧変化の差が上記実施形態よりは小さくなるが、上述したように当該電圧変化の検知時間を長くできることにより検知精度が向上するので、本構成においても接触を検知することが可能である。なお、この構成においても、検知電極36を横方向、駆動電極34を縦方向に延在させてもよいし、検知電極36を縦方向、駆動電極34を横方向に延在させてもよい。また、対向基板32側に配置する駆動電極34は対向基板32の液晶84側の面に配置してもよい。
(4)対向基板32に透明導電膜で形成される検知電極36は有効画素領域に配置しても画像表示は可能である。つまり対向基板32は有効画素領域及び画素境界領域のいずれに配置することもできる。よって、検知電極36は上述のメッシュ形状に代えて、例えば、画素境界領域より太いストライプ形状とし、有効画素領域上に配置することも可能である。そのような構成は検知電極36と共通電極92との結合容量が大きくなり、検知電極36に生じる電圧変化が小さくなり得るが、本発明によれば上述したように当該電圧変化の検知時間を長くできることにより検知精度が向上するので、当該構成においても接触を検知することが可能である。
(5)上記実施形態は画素電極40が共通電極92より上に積層された構造(以下、STOP構造と称する)のIPS方式の液晶パネル4を有した液晶表示装置2であった。本発明は他の方式の液晶パネルを用いた液晶表示装置に適用することもできる。具体的には、液晶パネル4は共通電極92が画素電極40より上に積層される構造(以下、CTOP構造と称する)のIPS方式であってもよい。また、画素電極40をTFT基板30に配置し、共通電極92を対向基板32に配置するVA(Vertical Alignment)方式などの他の方式であってもよい。CTOP構造のIPS方式やIPS以外の方式の液晶パネル4では、駆動電極34と検知電極36との間に共通電極92の層が存在し得るが、駆動電極34と検知電極36との対向部分に共通電極92の開口を設けて、駆動電極34と検知電極36とを容量結合させ接触検知を可能とすることができる。
また、CTOP構造のIPS方式の液晶パネル4において、駆動電極34(又は検知電極36)を画素電極40とは別の層で形成してもよい。すなわち、共通電極92の下に積層され画素電極40を形成する導電膜とは別の導電膜を共通電極92の上に積層して、当該導電膜でTFT基板30の画素境界領域に駆動電極34(又は検知電極36)を形成することができる。
(6)STOP構造のIPS方式の液晶パネル4において、上記実施形態のように駆動電極34と画素電極40とを共通の導電膜で形成することで、製造プロセスの工程数の増加や目合わせずれを防ぐことが可能である利点がある。当該利点を考えに入れなければ、STOP構造のIPS方式の液晶パネル4において、駆動電極34(又は検知電極36)を画素電極40とは別の導電膜で形成してもよい。これにより例えば、画素境界領域に配置されるので透明である必要がない駆動電極34(又は検知電極36)をTFT基板30に金属で形成して、画素電極40と同じ透明導電膜で形成する場合より低抵抗とすることが可能である。
(7)上記実施形態では、駆動電極34及び検知電極36の両方とも、互いに交差するように延在する複数の網形電極として形成するようにしたが、これには限定されない。例えば、駆動電極34を液晶パネル4の有効表示領域全体に亘る単一の網形電極として形成すると共に、検知電極36をマトリクス状に配列された複数の網形電極として形成するようにしてもよい。或いは、駆動電極34上記実施形態と同様に、ストライプ状に分割された複数の網形電極として形成すると共に、検知電極36については、上述したようにマトリクス状に配列された複数の網形電極として形成するようにしてもよい。これらの構成では検知電極36は対向部分ごとの個別電極であり、対向部分ごとに検知電極36から信号検出回路16へ信号線が引き出される。
2 液晶表示装置、4 液晶パネル、6 バックライトユニット、8 走査線駆動回路、10 映像線駆動回路、12 バックライト駆動回路、14 センサ駆動回路、16 信号検出回路、18 制御装置、30 TFT基板、32 対向基板、34 駆動電極、36 検知電極、38 静電遮蔽電極、40 画素電極、42 ゲート線、44 ドレイン線、46 TFT、48 半導体層、50 ドレイン電極、52 ソース電極、60 ブラックマトリクス、70,74 主線電極、72,76 支線電極、80,82 積層体、84 液晶、90,110 ガラス基板、92 共通電極、94 ゲート電極、96 ゲート絶縁膜、98 保護絶縁層、100 コンタクトホール、102 層間絶縁膜、104,118 偏光板、112 カラーフィルタ、114 オーバーコート層、116 平坦化膜。
Claims (8)
- 対向配置された第1基板及び第2基板の間に液晶を挟持する液晶パネルを備え、前記第1基板の前記液晶側の面に二次元的に配列された複数の画素電極はそれぞれ映像信号に基づく電圧を印加され、当該画素電極と共通電極との間に生じる電界により前記液晶の配向を制御して前記液晶パネルの表示面に画像を形成する液晶表示装置において、
前記第1基板の前記液晶側の面に積層され、前記画素電極間を分離する境界領域に形成された複数の第1電極と、
前記第2基板に積層され、前記境界領域に対向する領域に形成された複数の第2電極と、
前記第1電極及び前記第2電極の一方を駆動電極とし他方を検知電極として、前記駆動電極に駆動信号を供給して電圧変化を与え、それにより生じる前記検知電極の電圧変化に基づき前記第1電極と前記第2電極との対向部分における静電容量の変化を検知して、当該対向部分近傍の前記表示面への物体の接触を検出する接触検出回路と、
を有する静電容量方式の接触センサを備えたことを特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1に記載の液晶表示装置において、
前記第1電極と前記画素電極とは、前記第1基板に積層された共通の透明導電膜から形成されること、を特徴とする液晶表示装置。 - 請求項2に記載の液晶表示装置において、
前記共通電極は、前記第1基板に前記画素電極より下に積層された透明導電膜により形成されること、を特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1から請求項3のいずれか1つに記載の液晶表示装置において、
前記第1電極と前記第2電極との前記対向部分は、複数画素に亘る領域にて前記境界領域に沿って網形に形成されること、を特徴とする液晶表示装置。 - 請求項4に記載の液晶表示装置において、
前記複数の第1電極及び前記複数の第2電極は、前記各第1電極が前記表示面に沿った第1の方向に延在し、前記各第2電極が前記表示面に沿い前記第1の方向とは異なる第2の方向に延在して、前記表示面内にて二次元的に並ぶ複数位置に前記対向部分を形成し、
前記接触検出回路は、複数の前記駆動電極に順に前記駆動信号を供給して前記各検知電極における前記電圧変化を調べ、前記表示面内にて前記物体が接触した位置を求めること、
を特徴とする液晶表示装置。 - 請求項5に記載の液晶表示装置において、
隣接配置される前記第2電極の間に形成され、接地された透明電極を有すること、を特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1から請求項6のいずれか1つに記載の液晶表示装置において、
前記接触検出回路は、前記物体の接触を検出する動作を前記映像信号の有効表示期間に行うこと、を特徴とする液晶表示装置。 - 請求項1から請求項7のいずれか1つに記載の液晶表示装置において、
前記接触検出回路は、前記駆動信号を供給しない期間には前記駆動電極を前記共通電極と同電位にすること、を特徴とする液晶表示装置。
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