CN107887410A - 显示装置 - Google Patents
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- 238000009826 distribution Methods 0.000 claims abstract description 54
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 claims description 21
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 15
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 48
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 15
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 97
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 55
- 239000000463 material Substances 0.000 description 29
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 26
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 23
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 21
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 16
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 14
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 8
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 8
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 7
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 6
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 6
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 6
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 6
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 6
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 5
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 4
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 4
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 4
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 4
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 4
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 4
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 4
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- 239000000565 sealant Substances 0.000 description 3
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 3
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N zinc oxide Inorganic materials [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N Gallium Chemical compound [Ga] GYHNNYVSQQEPJS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N Magnesium Chemical compound [Mg] FYYHWMGAXLPEAU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 2
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011777 magnesium Substances 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001259 photo etching Methods 0.000 description 2
- 238000002310 reflectometry Methods 0.000 description 2
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 description 2
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000967 As alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000861 Mg alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002131 composite material Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910021419 crystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N indium zinc Chemical compound [Zn].[In] NJWNEWQMQCGRDO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005416 organic matter Substances 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 1
- -1 silicon nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- GOLXNESZZPUPJE-UHFFFAOYSA-N spiromesifen Chemical compound CC1=CC(C)=CC(C)=C1C(C(O1)=O)=C(OC(=O)CC(C)(C)C)C11CCCC1 GOLXNESZZPUPJE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001868 water Inorganic materials 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
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- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
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Abstract
本发明提供一种能够降低由形成触摸传感器引起的工序负荷并提高检测精度的显示装置,该显示装置包括:在第一绝缘表面上在第一方向延伸,且在第二方向上排列的第一触摸配线;在第二绝缘表面上在第三方向延伸,且在第四方向上排列的第二触摸配线;在设置于第二绝缘表面上的第三绝缘表面上,设置于俯视时相邻的像素电极之间的区域,与第一触摸配线电连接的第一触摸电极;和在第三绝缘表面上设置在俯视时相邻的像素电极之间的区域,与第二触摸配线电连接的第二触摸电极。
Description
技术领域
本发明的一个实施方式涉及显示装置。
背景技术
作为电气设备和电子设备中使用的显示装置,正在对利用了液晶的电光效应的液晶显示装置和使用了有机电致发光(有机EL:Organic Elecrro-Luminescence)元件的有机电致发光显示装置进行开发和商品化。此外,在显示元件上装载有触摸传感器的显示装置即触摸面板近年正在快速普及。触摸面板在智能手机等便携式信息终端不可或缺,面向信息化社会的越加进步,正在进行世界性的开发。
上述触摸面板具有:使用显示装置之外的基板来制作并贴合触摸传感器的方式(out-cell方式);和组装入显示装置内部的方式(in-cell方式)等。在专利文献1中公开有显示装置的结构。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2012-212076号公报
但是,在触摸面板的制造中,需要触摸传感器用的新的配线、电极,具有制造工序的增加和触摸传感器的检测降低这样的问题。
发明内容
本发明是鉴于上述那样的问题而提出的,其目的之一在于提供一种能够降低由形成触摸传感器引起的工序负荷并提高检测精度的显示装置。
根据本发明的一个实施方式,提供一种显示装置,其包括:在第一绝缘表面上在第一方向延伸,且在与第一方向交叉的第二方向上排列的多个扫描线;在设置于第一绝缘表面上的第二绝缘表面上,在与第一方向交叉的第三方向延伸,且在与第三方向交叉的第四方向上排列的多个信号线;分别与多个扫描线和多个信号线的交点对应设置的多个像素电极;在第一绝缘表面上在第一方向延伸,且在第二方向上排列的第一触摸配线;在第二绝缘表面上在第三方向延伸,且在第四方向上排列的第二触摸配线;第一触摸电极,其在设置于第二绝缘表面上的第三绝缘表面上,设置于俯视时相邻的像素电极之间的区域,与第一触摸配线电连接;和第二触摸电极,其在第三绝缘表面上设置于俯视时相邻的像素电极之间的区域,与第二触摸配线电连接。
根据本发明的显示装置,能够降低由形成触摸传感器引起的工序负荷并提高检测精度。
附图说明
图1(A)是表示本发明的一个实施方式的显示装置的结构的俯视图。
图1(B)是表示图1(A)的显示区域的一部分的俯视图。
图2是表示本发明的一个实施方式的显示装置中的显示区域的一部分的俯视图。
图3是表示本发明的一个实施方式的显示装置的结构的立体图。
图4是表示本发明的一个实施方式的显示装置的结构的剖视图。
图5是说明本发明的一个实施方式的显示装置的制造方法的剖视图。
图6是说明本发明的一个实施方式的显示装置的制造方法的剖视图。
图7是说明本发明的一个实施方式的显示装置的制造方法的剖视图。
图8是说明本发明的一个实施方式的显示装置的制造方法的剖视图。
图9是说明本发明的一个实施方式的显示装置的制造方法的剖视图。
图10是说明本发明的一个实施方式的显示装置的制造方法的剖视图。
图11是说明本发明的一个实施方式的显示装置的制造方法的剖视图。
图12是表示本发明的一个实施方式的显示装置中的显示区域的一部分的俯视图。
图13是表示本发明的一个实施方式的显示装置的结构的剖视图。
图14是表示本发明的一个实施方式的显示装置的结构的俯视图。
图15是表示本发明的一个实施方式的显示装置的结构的俯视图。
图16是表示本发明的一个实施方式的显示装置的结构的俯视图。
图17是表示本发明的一个实施方式的显示装置的结构的俯视图。
附图标记的说明
10:显示装置,100:基板,101:基板,103:显示区域,104:周缘部,105:驱动电路,106:驱动电路,107:驱动电路,108:柔性印刷基板,110:晶体管,111:晶体管,120:电容元件,121:电容元件,130:显示元件,141:绝缘层,142:半导体层,143:栅极绝缘层,145a:扫描线,145b:栅极电极,145c:电容电极,146:第一触摸配线,147a:信号线,147b:源极漏极电极,148:第二触摸配线,149:绝缘层,150:绝缘层,153:导电层,154:绝缘层,155:像素电极,156a:第一触摸电极,156b:第二触摸电极,157:隔堤层,159:有机EL层,160:相对电极,162:无机绝缘层,164:有机绝缘层,166:无机绝缘层,174:粘接层,1156a:第一触摸电极,1156b:第二触摸电极,1550a:第一像素电极间距,1550b:第二像素电极间距,2156a:第一触摸电极,2156b:第二触摸电极,2156a:第一触摸电极,2156b:第二触摸电极。
具体实施方式
以下,参照附图对本发明的各实施方式进行说明。另外,公开的结构只不过是一个例子,本领域技术人员能够容易地想到的确保发明的主旨的前提下的适当变更后的结构当然也包含于本发明的范围。此外,为了使说明更加明确,附图与实际的形态相比各部分的宽度、厚度、形状等存在示意地进行表示的情况,不过也只是一个例子,对本发明的解释并无限制。此外,在本说明书和各图中,对关于与已提及的图与之前的内容相同的要素,有时标注相同的附图标记(或者在数字之后标注有a、b等的附图标记),适当地省略详细的说明。另外,对各要素标注的“第一”、“第二”这样的文字是为了区别各要素而使用的便利性标识,只要没有特别说明就不具有其本身以外的意义。
进一步,在本发明的详细的说明中,在规定一个构成物与另一个构成物的位置关系时,“在……上”“在……下”不仅是位于一个构成物的正上方或者正下方的情况,只要没有特别禁止,就还包括在其间存在又一构成物的情况。
此外,在本说明书中,“导电层”、“电极”、“配线”这样的词语具有相同的意义,根据情况能够进行替换。
(第一实施方式)
图1(A)和图1(B)表示本发明的实施方式的显示装置10。图1(A)是显示装置10的俯视图。
(1.显示装置的结构)
如图1(A)所示,显示装置10包括:基板100;具有像素的显示区域103;周缘部104;具有作为栅极驱动器的功能的驱动电路105;具有作为源极驱动器的功能的驱动电路106;触摸传感器的驱动电路107;和柔性印刷基板108。
(1-1.触摸传感器的结构)
图1(B)是图1(A)的显示区域103的一部分的显示区域103a的俯视图。显示区域103a具有扫描线(栅极线)145a、信号线(源极线)147a、像素电极155、触摸传感器中使用的第一触摸配线146、第二触摸配线148、第一触摸电极156a和第二触摸电极156b。扫描线145a和第一触摸配线146在像素电极155的短边方向(例如称为第一方向)延伸,在与第一方向交叉的电极155的长边方向(例如称为第二方向)上排列设置。此外,信号线147a和第二触摸配线148在与第一方向正交的第二方向延伸,在第一方向上排列设置。另外,信号线147a和第二触摸配线148并不限定于在第二方向延伸,也可以在与第一方向交叉且与第二方向不同的方向(例如称为第三方向)延伸。此时,信号线147a和第二触摸配线148在与第三方向交叉的方向(例如称为第四方向)上排列设置。
扫描线145a、第一触摸配线146、信号线147a和第二触摸配线148设置在像素电极155、第一触摸电极156a和第二触摸电极156b的下侧。第一触摸电极156a具有作为触摸传感器的发送电极的功能,第二触摸电极156b具有作为触摸传感器的接收电极的功能。
图2表示图1(B)的显示区域103a中的具有像素电极155a的显示区域103a1的俯视图。如图2所示,第一触摸电极156a和第二触摸电极156b设置在像素电极155a与相邻的像素电极155之间。此外,第一触摸电极156a和第二触摸电极156b分别以包围像素电极155的方式设置。
此外,第一触摸电极156a经开口部181a与第一触摸配线146电连接。第一触摸配线146设置在与扫描线145a相同的第一绝缘表面(例如后述的栅极绝缘层143)上。同样,第二触摸电极156b经开口部181b与第二触摸配线148电连接。第二触摸配线148与信号线147a设置在第二绝缘表面(例如后述的绝缘层149)上。此外,第一触摸电极156a和第二触摸电极156b均设置在第三绝缘表面(例如后述的绝缘层154)上。此外,在2个第一触摸电极156a与2个第二触摸电极156b相接近的四角的部分,具有后述的相对电极160的开口部161。
此外,如图3所示,在显示装置10,第一触摸配线146与第二触摸配线148分别设置在不同的层。第一触摸配线146的延伸的方向与第二触摸配线148的延伸的方向以正交的方式设置。另外,第一触摸配线146的延伸的方向与第二触摸配线148的延伸的方向并不限定于正交。第一触摸配线146的延伸的方向与第二触摸配线148的延伸的方向也可以与制造工序相应地倾斜配置,还可以大致正交地配置。大致正交是指具有80°以上不到90°的倾斜度的情况。
接着,图4表示显示装置10的截面结构。图4表示显示区域103a1的A1-A2间的剖视图。
(1-2.晶体管的结构)
在图4中,晶体管110具有半导体层142、栅极绝缘层143、栅极电极145b和源极漏极电极147b。晶体管110具有顶栅、顶接触结构,但并不限定于此,也可以采用底栅结构,还可以采用底接触结构。
此外,在电容元件120,以栅极绝缘层143为电介质,使用半导体层142的源极或漏极区域和电容电极145c。此外,电容元件121以绝缘层154为电介质,使用导电层153和像素电极155。
此外,在显示元件130中,使用像素电极155、有机EL层159和相对电极160。显示元件130具有使有机EL层159发出的光向相对电极160侧辐射的、所谓的顶部发光型的结构。另外,显示元件130并不限定于顶部发光型,也可以采用底部发光型的结构。
基板100和基板101使用玻璃基板或有机树脂基板。
绝缘层141设置在基板100上,具有作为基底膜的功能。由此,能够抑制杂质代表性的是碱金属、水、氢等从基板100向半导体层142扩散。
半导体层142设置在绝缘层141上,使用硅、氧化物半导体或有机物半导体等。
栅极绝缘层143设置在绝缘层141和半导体层142上。栅极绝缘层143能够使用氧化硅、氧氮化硅、氮化硅或其它高介电常数的无机材料。
栅极电极145b设置在栅极绝缘层143上,与图1(B)所示的扫描线145a连接。另外,栅极电极145b和电容电极145c同样设置在栅极绝缘层143上。栅极电极145b和电容电极145c均由选自钽、钨、钛、钼、铝等的导电材料形成。栅极电极145b和电容电极145c既可以为上述的导电材料的单层结构,也可以为叠层结构。
绝缘层149使用与栅极绝缘层143同样的材料,设置在栅极绝缘层143、栅极电极145b和电容电极145c上。另外,绝缘层149也可以为单层,也可以为上述材料的叠层结构。
源极漏极电极147b设置在绝缘层149上,与图1(B)所示的信号线147a连接。在源极漏极电极147b使用与作为栅极电极145b的材料例列举的材料相同的材料。既可以使用与栅极电极145b相同的材料,也可以使用不同的材料。由于不仅使用该导电层形成源极漏极电极147b而且还形成其它配线,所以要求该导电层为低电阻、与半导体层142的接合性优异等。
绝缘层150具有作为平坦化膜的功能,设置在绝缘层149和源极漏极电极147b上。绝缘层150主要使用丙烯酸树脂等有机绝缘材料形成。虽然没有特别图示,但是例如也可以作为有机绝缘材料与无机绝缘材料的叠层而形成。
导电层153设置在绝缘层150上。导电层153既可以使用与栅极电极145b相同的材料,也可以使用不同的材料。由于虽然没有特别图示但是不仅使用该导电层形成导电层153,而且还形成与上述的源极漏极电极接合的其它配线,所以要求该导电层为低电阻、与构成源极漏极电极147b的导电材料的接合性优异等。
绝缘层154设置在绝缘层150和导电层153上,使用与栅极绝缘层143同样的材料。
像素电极155具有作为显示元件130的阳极的功能,进一步优选具有使光反射的性质。考虑前者的功能,优选的是ITO(Indium Tin Oxide:氧化铟锡)或IZO(Indium ZincOxide:氧化铟锌)等氧化物导电材料,考虑后者的功能,优选的是铝或银这样表面反射性高的导电材料。为了同时实现这些功能,采用在上述材料的叠层具体而言在铝或银这样的表面反射性高的导电层上叠层ITO或IZO等氧化物导电层那样的结构。
有机EL层159设置在像素电极155上,具有有机电致发光材料等发光材料。
相对电极160具有作为显示元件130的阴极的功能,以跨多个像素电极155地连续覆盖像素电极155的方式设置。为了使在有机EL层159发出的光透射,设置具有透光性且具有导电性的材料。此外,在相对电极160设置有开口部161。
对于相对电极160要求透光性的同时,为了在与像素电极155的反射面之间形成微腔,还要求反射性。因此,相对电极160作为半透射膜形成。具体而言,将由银、镁或它们的合金形成的层按照光透射的程度的膜厚来形成。
在隔堤层157,为了覆盖像素电极155的周缘部并且在像素电极155的端部形成平滑的台阶差,使用有机树脂材料。此外,在隔堤层157,为了提高显示图像的对比度比,也可以使用含有黑色颜料的有机树脂材料。
无机绝缘层162、有机绝缘层164和无机绝缘层166被依次叠层,具有作为密封层的功能。无机绝缘层162和无机绝缘层166使用与栅极绝缘层143相同的材料。有机绝缘层164使用与绝缘层150、隔堤层157相同的材料。
在粘接层174,能够使用无机材料、有机材料或有机材料与无机材料的复合材料。
另外,如图4所示,栅极电极145b和第一触摸配线146均设置在栅极绝缘层143上。此外,源极漏极电极147b和第二触摸配线148均设置在绝缘层149上。此外,第一触摸电极156a和第二触摸电极156b与像素电极155一起设置在绝缘层154上。
(触摸传感器的驱动)
接着,使用图3和图4对触摸传感器的驱动进行说明。
如图3所示,第一触摸配线146和第二触摸配线148与驱动电路107连接。基于从驱动电路107经第一触摸配线146供给至第一触摸电极156a的电压,在第一触摸电极156a与第二触摸电极156b之间产生电场200(参照图4)。例如,在人的手指触碰显示装置10时,发生第一触摸电极156a与第二触摸电极156b间的电场变化,由此发生配线间电容变化,从第二触摸电极156b经第二触摸配线148向驱动电路107输入规定的信息,从而能够检测位置信息。另外,在上述说明中例示了人的手指触碰显示装置10的情况,但并不限定于此。例如,在人的手指接近显示装置10的情况下也能够具有同样的效果。
另外,在本实施方式的结构中,由于第一触摸电极156a和第二触摸电极156b设置在同一层上,所以能够检测小的电容变化,因此能够提高检测精度。
此外,如图4所示,相对电极160在与第一触摸电极156a的端部和第二触摸电极156b的端部相邻的区域的一部分重叠的区域设置有开口部161。由此,容易检测电容的变化,能够进一步提高作为触摸传感器的功能。
此外,在本实施方式的结构中,第一触摸配线146与第二触摸配线148设置在不同的层,因此能够减少电路设计上的制约。
(2.显示装置的制造方法)
以下,使用图5至图11对显示装置10的制造方法进行说明。
(2-1.晶体管的形成)
首先,如图5所示那样,在基板100的第一面(从截面方向看时的上表面)形成绝缘层141、半导体层142、栅极绝缘层143,之后在栅极绝缘层143上形成栅极电极145b。各层能够适当地使用光刻法、纳米压印法、喷墨法,蚀刻法等形成为规定的形状。
例如,在使用有机树脂基板作为基板100的情况下,使用聚酰亚胺基板。有机树脂基板能够令板厚为几微米至几十微米,能够实现具有柔性片式显示器。基板100存在为了将来自后述的显示元件的出射光取出而要求透明性的情况。位于不将来自显示元件的出射光取出的一侧的基板并不必须透明,因此不仅可以使用上述的材料而且还可以使用在金属基板的表面形成有绝缘层的基板。
绝缘层141使用氧化硅、氧氮化硅、氮化硅等材料形成。绝缘层141既可以为单层,也可以为叠层。绝缘层141能够利用CVD法、旋涂法、印刷法等形成。
在使用硅材料作为半导体层142的情况下,例如使用非晶硅、多晶硅等。此外,在使用氧化物半导体作为半导体层142的情况下,例如能够使用铟、镓、锌、钛、铝、锡,铈等金属材料。例如能够使用具有铟、镓、锌的氧化物半导体(IGZO)。半导体层142能够利用溅射法、蒸镀法、电镀法、CVD法等形成。
在栅极绝缘层143,能够使用含氧化硅、氧氮化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化铝、氧化镁、氧化铪等的一种以上的绝缘膜。栅极绝缘层143能够利用与绝缘层141相同的方法形成。
栅极电极145b使用选自钨、铝、铬、铜、钛、钽、钼、镍、铁、钴、钨、铟、锌的金属元素或以上述金属元素为成分的合金,或者将上述的金属元素组合成的合金等材料形成。此外,栅极电极145b也可以使用在上述材料中含有氮、氧、氢等的材料。例如,作为栅极电极145b,能够使用利用溅射法形成的铝(Al)层、钛层(Ti)的叠层膜。另外,此时在形成栅极电极145b的同时还形成扫描线145a、第一触摸配线146和电容电极145c。
接着,在栅极绝缘层143、栅极电极145b上形成绝缘层149。绝缘层149能够使用与栅极绝缘层143相同的材料、方法。例如,作为绝缘层149,能够使用利用等离子体CVD法形成的氧化硅膜。
接着,在绝缘层149上形成源极漏极电极147b的(参照图6)。源极漏极电极147b能够使用与栅极电极145b相同的材料、方法。源极漏极电极147b在绝缘层149形成开口部之后形成,与半导体层142的源极漏极区域连接。另外,此时在形成源极漏极电极147b的同时还形成信号线147a和第二触摸配线148。
接着,在绝缘层149、源极漏极电极147b上形成绝缘层150。绝缘层150使用丙烯酸树脂、环氧树脂、聚酰亚胺等有机绝缘材料。绝缘层150能够利用旋涂法、印刷法、喷墨法等形成。例如,作为绝缘层150,能够使用利用旋涂法形成的丙烯酸树脂。此时,绝缘层150形成至上表面变得平坦的程度。绝缘层150优选以1μm以上的厚度形成。
(2-2.显示元件的形成)
接着,如图7和8所示那样,在绝缘层150上,形成电容元件121(由导电层153、绝缘层154、像素电极155形成)、显示元件130(由像素电极155、有机EL层159、相对电极160形成)、隔堤层157。各层能够适当地使用光刻法、纳米压印法、喷墨法、蚀刻法等,形成为规定的形状。
首先,在绝缘层150上形成导电层153。导电层153能够利用与栅极电极145b相同的材料和方法形成。例如,作为导电层153,能够使用利用溅射法形成的钼、铝、钼的叠层膜。
接着,在导电层153上形成绝缘层154。绝缘层154能够利用与栅极绝缘层143相同的材料和方法形成。例如,作为绝缘层154,能够使用利用等离子体CVD法形成的氮化硅膜。
接着,在绝缘层154上形成像素电极155(参照图7)。例如,导电层153既可以使用铝(Al)、银(Ag)等光反射性的金属材料,也可以具有利用空穴注入性优异的ITO、IZO形成的透明导电层与光反射性的金属层叠层而成的结构。像素电极155能够利用与栅极电极145b相同的方法形成。例如,作为像素电极155,能够使用利用溅射法形成的ITO、银、ITO的叠层膜。
另外,此时在形成像素电极155的同时还形成第一触摸电极156a、第二触摸电极156b。第一触摸电极156a经设置在绝缘层149和绝缘层150的开口部与第一触摸配线146电连接。同样,第二触摸电极156b经设置在绝缘层150的开口部与第二触摸配线148电连接。
接着,在绝缘层154和像素电极155上形成隔堤层157。隔堤层157以将像素电极155的上表面露出的方式形成开口部。隔堤层157的开口部的端部优选形成为平缓的锥形。例如,作为隔堤层157,能够使用利用旋涂法形成的聚酰亚胺膜。
接着,在像素电极155、隔堤层157上形成有机EL层159。有机EL层159使用低分子类或高分子类的有机材料形成。在使用低分子类有机材料的情况下,有机EL层159也可以不仅包含含有发光性的有机材料的发光层而且以夹着该发光层的方式包含空穴注入层、电子注入层,进一步还可以包含空穴输送层、电子输送层等。
此外,有机EL层159至少以与像素电极155重叠的方式形成。有机EL层159利用真空蒸镀法、印刷法、旋涂法等形成。在利用真空蒸镀法形成有机EL层159的情况下,也可以适当地使用荫罩,一边设置不成膜的区域一边形成。有机EL层159既可以使用与相邻的像素不同的材料形成,也可以在所有像素使用同一有机EL层159。
接着,如图8所示那样,以跨像素电极155和有机EL层159的方式形成相对电极160。在相对电极160,能够使用ITO(氧化锡添加氧化铟)、IZO(氧化铟、氧化锌)等的透明导电膜或银(Ag)与镁的合金。此外,相对电极160能够利用真空蒸镀法、溅射法形成。例如,作为相对电极160,能够使用利用溅射法成膜的IZO膜。
接着,如图9所示那样,在相对电极160形成开口部161。在第一触摸电极156a和第二触摸电极156b的上表面的重叠的区域形成开口部161的情况下,既可以通过使用金属掩模形成非成膜区域来进行,也可以使用喷墨法,将相对电极160作为预先具有开口部161的形状来形成。
(2-3.密封层的形成)
接着,如图10所示那样,在相对电极160、隔堤层157上,依次形成成为密封层的无机绝缘层162、有机绝缘层164、无机绝缘层166。
在无机绝缘层162和无机绝缘层166,能够使用含有氧化铝、氧化硅、氮化硅等的一种以上的绝缘膜。此时,影像显示区域103被无机绝缘层162覆盖。无机绝缘层162和无机绝缘层166能够使用等离子体CVD法、热CVD法、蒸镀法、旋涂法、喷雾法或印刷法形成。例如,在无机绝缘层162和无机绝缘层166能够使用利用等离子体CVD法形成的氮化硅膜与氧化硅膜的叠层膜。无机绝缘层162和无机绝缘层166的膜厚能够为几十nm至几μm。
在有机绝缘层164,能够使用丙烯酸树脂、聚酰亚胺树脂、环氧树脂等材料。此外,有机绝缘层164能够使用旋涂法、蒸镀法、喷雾法、喷墨法、印刷法等以几μm至几十μm左右的厚度形成。
(2-4.与对置基板的贴合)
接着,如图11所示那样,使用粘接层174将成为对置基板的基板101与基板100贴合。作为粘接层174,例如能够使用环氧树脂、丙烯酸树脂等。
通过使用上述制造方法,能够制造显示装置10。在本实施方式的结构中,扫描线145a、栅极电极145b和第一触摸配线146设置在同一层上。此外,信号线147a、源极漏极电极147b和第二触摸配线148也设置在同一层上。进一步,像素电极155、第一触摸电极156a和第二触摸电极156b也设置在同一个层。由此,不需要设置用于触摸传感器形成的新的工序。因此,能够抑制显示装置制造中的工序负荷且提高检测精度。
另外,在本实施方式中,说明了通过在绝缘层143、绝缘层149上形成配线而实现发明的例子,但并不限定于该例子。例如也可以设置在其它的绝缘层上。此外,还可以组合使用。
此外,在本实施方式中,说明了通过相对电极160具有开口部161而实现发明的例子,但并不限定于该例子。例如相对电极160也可以不设置开口部161。
此外,在本实施方式中,作为第一方向与第二方向正交的方式说明了实现发明的例子,但并不限定于该例子。例如,第一方向与第二方向也可以交叉。
此外,在本实施方式中,作为像素电极155与第一触摸电极156a和第二触摸电极156b设置在同一绝缘层154上的方式说明了实现发明的例子,但并不限定于该例子。例如,第一触摸电极156a和第二触摸电极156b也可以设置在与像素电极155不同的绝缘层上。
(第二实施方式)
以下,使用附图对装载有具有不同的形状的触摸传感器的显示装置进行说明。另外,对与第一实施方式所示的结构、方法相同的部分,引用其说明。
图12表示显示区域103的放大图,图13表示图12的B1-B2间的剖视图。在图12中,第一触摸电极256a和第二触摸电极256b也可以以包围像素电极155b、像素电极155c、像素电极155d这三个像素电极的方式设置。
此外,第一触摸电极256a和第二触摸电极256b也可以以进一步包围多个像素电极155的方式跨越宽的区域地设置。例如,如图14所示,在第一方向上,将从像素电极155的中间至相邻的像素电极155的中间为止的距离定义为第一像素电极间距1550a。此外,在第二方向上,将从像素电极155的中间至相邻的像素电极155的中间为止的距离定义为第二像素电极间距1550b。此时,第一触摸电极1156a以将在第一方向上具有等倍于第一像素电极间距1550a的长度的区域与在第二方向上具有等倍于第二像素电极间距1550b的长度的区域交替地连接的方式延伸。由此,第一触摸电极1156a成为包围大量像素电极155的形状。此外,第二触摸电极1156b也具有同样的形状地延伸。在上述形状中,第一触摸电极1156a和第二触摸电极1156b在第一方向上设置具有等倍于第一像素电极间距1550a的长度地分离的区域和具有2倍于第一像素电极间距1550a的长度地分离的区域。在第二方向上也设置具有等倍于第二像素电极间距1550b的长度地分离的区域和具有2倍于第二像素电极间距1550b的长度地分离的区域。在上述分离的区域,像素电极155能够配置在第一触摸电极1156a与第二触摸电极1156b之间。此外,像素电极155能够配置在俯视时与第一触摸电极1156a和第二触摸电极1156b不重叠的区域。
此外,如图15所示,第一触摸电极2156a或第二触摸电极2156b也可以将在第一方向上具有2倍于第一像素电极间距1550a的长度的区域、在第二方向上具有第二像素电极间距1550b的长度的区域和在第一方向上具有第一像素电极间距1550a的区域组合使用。在上述形状的情况下,第一触摸电极1156a和第二触摸电极1156b在第一方向上设置具有等倍、2倍或3倍于第一像素电极间距1550a的长度地分离的区域。此外,在第二方向上设置具有等倍或2倍于第一像素电极间距1550a的长度地分离的区域。
此外,也可以如图16所示那样,第一触摸电极3156a、第二触摸电极3156b分别逐个包围像素电极155,外周部的形状与图15相同。
此外,也可以如图17所示那样,第一触摸电极4156a将像素电极155逐个包围,外周部具有在第一方向上具有5倍于第一像素电极间距1550a的长度的区域和在第二方向上具有3倍于第二像素电极间距1550b的长度的区域,外形可以为矩形。此外,第二触摸电极4156b也可以与第一触摸电极4156a在第二方向上具有等倍于第二像素电极间距1550b的长度地分离,同时在第一方向上具有2倍于第一像素电极间距1550a的长度,呈线状设置。
通过具有上述结构,能够提高检测灵敏度同时设置各种形状的触摸传感器。
在本实施方式中,作为公开例例示了有机EL显示装置的情况,作为其它的应用例,能够列举液晶显示装置、其它自发光型显示装置或者具有电泳显示元件等的电子纸型显示装置、所谓的平板型显示装置。此外,当然能够从中小型至大型,没有特别限定地进行应用。
另外可知,在本发明的思想的范畴内,只要是本领域技术人员,就能够想到各种的变更例和修正例,这些变更例和修正例也属于本发明的范围。例如,本领域技术人员对于上述的各实施方式适当地进行构成要素的追加、削除或设计变更后的方式或者进行工序的追加、省略或条件变更后的方式,只要包括本发明的主旨,就也包含在本发明的范围内。
Claims (10)
1.一种显示装置,其特征在于,包括:
在第一绝缘表面上在第一方向延伸,且在与所述第一方向交叉的第二方向上排列的多个扫描线;
在设置于所述第一绝缘表面上的第二绝缘表面上,在与所述第一方向交叉的第三方向延伸,且在与所述第三方向交叉的第四方向上排列的多个信号线;
分别与所述多个扫描线和所述多个信号线的交点对应设置的多个像素电极;
在所述第一绝缘表面上在所述第一方向延伸,且在所述第二方向上排列的第一触摸配线;
在所述第二绝缘表面上在所述第三方向延伸,且在所述第四方向上排列的第二触摸配线;
第一触摸电极,其在设置于所述第二绝缘表面上的第三绝缘表面上,设置于俯视时相邻的所述像素电极之间的区域,与所述第一触摸配线电连接;和
第二触摸电极,其在所述第三绝缘表面上设置于俯视时相邻的所述像素电极之间的区域,与所述第二触摸配线电连接。
2.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述像素电极设置在所述第三绝缘表面上。
3.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述第一触摸电极和所述第二触摸电极各自配置成包围至少一个所述像素电极。
4.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述第二绝缘表面设置在所述扫描线和所述第一触摸配线上,
所述第三绝缘表面设置在所述信号线和所述第二触摸配线上。
5.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于,还包括:
跨所述多个像素电极,以覆盖所述多个像素电极的方式设置的相对电极;和
设置在所述多个像素电极的一个像素电极与所述相对电极之间的包含发光层的有机层。
6.如权利要求5所述的显示装置,其特征在于:
所述相对电极在与俯视时相邻的所述第一触摸电极和所述第二触摸电极之间的区域的一部分重叠的区域具有开口部。
7.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述像素电极配置在俯视时与所述第一触摸电极和所述第二触摸电极不重叠的区域。
8.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述扫描线和所述第一触摸配线均形成在同一表面上,
所述信号线和所述第二触摸配线均形成在同一表面上。
9.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
所述第一方向与所述第二方向正交,
所述第三方向与所述第四方向正交。
10.如权利要求1所述的显示装置,其特征在于:
还具有隔堤层,其覆盖所述多个像素电极各自的端部,并且具有使所述多个像素电极各自的上表面露出的开口部,
所述隔堤层覆盖所述第一触摸电极和所述第二触摸电极。
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016190736A JP2018054874A (ja) | 2016-09-29 | 2016-09-29 | 表示装置 |
JP2016-190736 | 2016-09-29 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN107887410A true CN107887410A (zh) | 2018-04-06 |
CN107887410B CN107887410B (zh) | 2021-09-28 |
Family
ID=61686596
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201710846500.0A Active CN107887410B (zh) | 2016-09-29 | 2017-09-19 | 显示装置 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20180090544A1 (zh) |
JP (1) | JP2018054874A (zh) |
KR (1) | KR101946721B1 (zh) |
CN (1) | CN107887410B (zh) |
TW (1) | TWI644247B (zh) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102666205B1 (ko) * | 2016-09-30 | 2024-05-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
CN111095385B (zh) * | 2017-09-21 | 2021-06-22 | 夏普株式会社 | 显示装置 |
JP6942602B2 (ja) * | 2017-10-19 | 2021-09-29 | 株式会社ジャパンディスプレイ | 表示装置の製造方法 |
CN109037289B (zh) | 2018-08-01 | 2021-02-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制备方法、显示面板 |
KR20240033372A (ko) * | 2022-09-05 | 2024-03-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
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-
2016
- 2016-09-29 JP JP2016190736A patent/JP2018054874A/ja active Pending
-
2017
- 2017-07-28 TW TW106125396A patent/TWI644247B/zh not_active IP Right Cessation
- 2017-08-11 KR KR1020170102025A patent/KR101946721B1/ko active IP Right Grant
- 2017-09-11 US US15/700,544 patent/US20180090544A1/en not_active Abandoned
- 2017-09-19 CN CN201710846500.0A patent/CN107887410B/zh active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR101946721B1 (ko) | 2019-02-11 |
CN107887410B (zh) | 2021-09-28 |
TWI644247B (zh) | 2018-12-11 |
JP2018054874A (ja) | 2018-04-05 |
KR20180035658A (ko) | 2018-04-06 |
US20180090544A1 (en) | 2018-03-29 |
TW201814484A (zh) | 2018-04-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |