CN104777640A - 液晶显示器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种液晶显示器及其制造方法。该液晶显示器包括：第一基底、设置在第一基底上的栅极线和数据线、连接到栅极线和数据线的薄膜晶体管、设置在薄膜晶体管上的第一钝化层、设置在第一钝化层上的第一电极、设置在第一电极上的第二钝化层以及设置在第二钝化层上的第二电极。第一电极的第一边缘和第二钝化层的第二边缘具有大体上彼此相同的平面形状，第二钝化层的第二边缘突出得比第一电极的第一边缘多。

Description

液晶显示器及其制造方法
本申请要求在2014年1月13日提交的第10-2014-0004038号韩国专利申请的优先权，因此该韩国专利申请的公开内容通过引用全部包含于此。
技术领域
本公开涉及液晶显示器及其制造方法。
背景技术
液晶显示器是目前使用的类型最常见的平板显示器中的一种，其是通过将电压施加到电极来重新布置液晶层的液晶分子从而控制透射光的量的显示装置。
液晶显示器具有形成薄膜相对容易的优点，但这样可能存在与前可视性相比侧可视性会劣化的问题。为了解决该问题，已经研究出各种类型的液晶取向和驱动方法。作为实现宽视角的方法，其中像素电极和共电极形成在一个基底上的液晶显示器已经受到关注。
在这样的液晶显示器中，像素电极和共电极的两个场产生电极中的至少一个具有多个切除部分和由多个切除部分限定的多个分支电极。
当两个场产生电极形成在一个显示面板上时，会需要不同的光掩模来形成各个场产生电极，因此会增加制造成本。
发明内容
本发明的示例性实施例提供了一种液晶显示器以及制造该液晶显示器的方法，该液晶显示器可以在一个显示基板上形成两个场产生电极，同时防止制造成本的增加。
根据本发明的示例性实施例的液晶显示器包括：第一基底；栅极线和数据线，设置在第一基底上；薄膜晶体管，连接到栅极线和数据线；第一钝化层，设置在薄膜晶体管上；第一电极，设置在第一钝化层上；第二钝化层，设置在第一电极上；以及第二电极，设置在第二钝化层上。第一电极的第一边缘和第二钝化层的第二边缘具有大体上彼此相同的平面形状，第二钝化层的第二边缘突出得比第一电极的第一边缘多。
第一钝化层可以包括暴露薄膜晶体管的漏电极的第一漏极接触孔，第一电极可以包括暴露漏电极的第二漏极接触孔，第二钝化层可以包括暴露漏电极的第三漏极接触孔，第一漏极接触孔、第二漏极接触孔和第三漏极接触孔可以彼此叠置，第二漏极接触孔的尺寸比第三漏极接触孔的尺寸大。
所述液晶显示器还包括设置在第一钝化层和第一电极之间的有机层，第一漏极接触孔设置在第一钝化层和有机层中，第二漏极接触孔的边缘和第三漏极接触孔的边缘与形成有机层的第一漏极接触孔的倾斜部分叠置。
第二电极可以经由第一漏极接触孔、第二漏极接触孔和第三漏极接触孔与漏电极连接，第二电极的厚度可以比第一电极的厚度大。
第二电极的厚度可以是第一电极的厚度的大约两倍厚。
所述液晶显示器还可以包括与数据线设置在同一层上的栅极信号传输焊盘部分，栅极线可以包括栅极焊盘部分，第一钝化层可以包括暴露栅极焊盘部分的第一焊盘接触孔和暴露栅极信号传输焊盘部分的第二焊盘接触孔，连接构件可以设置在第一焊盘接触孔和第二焊盘接触孔上，绝缘部分可以与第二钝化层设置在同一层上，并且可以设置在连接构件上。绝缘部分的边缘突出得比连接构件的边缘多。
数据线可以包括数据焊盘部分，第一钝化层可以包括暴露数据焊盘部分的第三焊盘接触孔，接触辅助构件可以设置在第三焊盘接触孔上，第二钝化层可以不与数据焊盘部分叠置。
根据本发明的另一示例性实施例的液晶显示器包括：第一基底；栅极线和数据线，设置在第一基底上；薄膜晶体管，连接到栅极线和数据线；第一钝化层，设置在薄膜晶体管上；第一电极，设置在第一钝化层上；第二钝化层，设置在第一电极上；以及第二电极，设置在第二钝化层上。第一钝化层可以包括暴露薄膜晶体管的漏电极的第一漏极接触孔，第一电极可以包括暴露漏电极的第二漏极接触孔，第二钝化层可以包括暴露漏电极的第三漏极接触孔。第一漏极接触孔、第二漏极接触孔和第三漏极接触孔彼此叠置，第二漏极接触孔的尺寸可以比第三漏极接触孔的尺寸大。
根据本发明的示例性实施例的制造液晶显示器的方法包括：在第一基底上形成栅极线、数据线以及连接到栅极线和数据线的薄膜晶体管；在薄膜晶体管上形成包括暴露薄膜晶体管的漏电极的第一漏极接触孔的第一钝化层；在第一钝化层上通过一个光刻工艺一起形成包括暴露漏电极的第二漏极接触孔的第一电极和包括暴露漏电极的第三漏极接触孔的第二钝化层；在第二钝化层上形成第二电极；将第一漏极接触孔、第二漏极接触孔和第三漏极接触孔形成为彼此叠置；以及将第二漏极接触孔的尺寸形成为比第三漏极接触孔的尺寸大。
一起形成第一电极和第二钝化层的步骤可以包括：在第一钝化层上沉积第一层；在第一层上沉积第二层；在第二层上形成光敏膜图案；利用光敏膜图案作为掩模来蚀刻第二层；以及利用光敏膜图案作为掩模来过度蚀刻第一层。
所述方法还包括形成位于在第一钝化层和第一电极之间的有机层。可以在第一钝化层和有机层中形成第一漏极接触孔，有机层可以包括在第一漏极接触孔的边缘区域的倾斜部分，可以将第二漏极接触孔的边缘和第三漏极接触孔的边缘形成为与有机层的倾斜部分叠置。
可以将第二电极形成为经由第一漏极接触孔、第二漏极接触孔和第三漏极接触孔与漏电极连接，第二电极的厚度可以比第一电极的厚度大。
第二电极的厚度可以是第一电极的厚度的大约两倍厚。
栅极线可以包括栅极焊盘部分，形成第一钝化层的步骤还可以包括形成暴露栅极焊盘部分的第一焊盘接触孔，形成第一电极和第二钝化层的步骤还可以包括在第一焊盘接触孔上形成连接构件以及在连接构件上形成与第二钝化层由同一层形成的绝缘部分，绝缘部分的边缘可以突出得比连接构件的边缘多。
数据线可以包括数据焊盘部分，形成第一钝化层的步骤还可以包括形成暴露数据焊盘部分的第三焊盘接触孔，形成第二电极的步骤还可以包括在第三焊盘接触孔上形成接触辅助构件，可以将第二钝化层形成为不与数据焊盘部分叠置。
根据示例性实施例，提供了一种液晶显示器。该液晶显示器包括：第一基底；栅极线，包括设置在第一基底上的栅电极和栅极焊盘部分；栅极绝缘层，设置在栅极线上；半导体层，设置在栅极绝缘层上；多个欧姆接触，设置在半导体层上；数据导体，包括数据线，数据线包括设置在欧姆接触和栅极绝缘层上的数据焊盘部分、源电极和漏电极，其中，栅电极、源电极和漏电极与半导体层一起形成薄膜晶体管，薄膜晶体管的沟道设置在源电极和漏电极之间；栅极信号传输焊盘部分，与数据线设置在同一层上，并与栅极焊盘部分相邻地设置；第一钝化层，设置在数据导体、栅极绝缘层和半导体层的暴露部分上；有机层，设置在第一钝化层上。有机层比第一钝化层厚，液晶显示器的显示区域中的有机层的厚度比设置在液晶显示器的设置有数据焊盘部分的区域上的有机层的厚度大。有机层、第一钝化层和栅极绝缘层包括暴露栅极焊盘部分的第一焊盘接触孔。另外，有机层和第一钝化层还包括部分地暴露漏电极的第一漏极接触孔、暴露栅极信号传输焊盘部分的第二焊盘接触孔和暴露数据焊盘部分的第三焊盘接触孔。
另外，液晶显示器还包括：共电极，设置在有机层上，共电极包括在与漏电极对应的区域中的第二漏极接触孔；连接构件，与共电极设置在同一层上，并且设置在第一焊盘接触孔和第二焊盘接触孔上；第二钝化层，设置在共电极和连接构件上，并且包括设置在与漏电极对应的区域中的第三漏极接触孔。共电极和第二钝化层具有大体上彼此相同的平面形状。第一漏极接触孔的宽度比第二漏极接触孔的宽度和第三漏极接触孔的宽度小。第二漏极接触孔的宽度比第三漏极接触孔的宽度大。第二钝化层和共电极设置在液晶显示器的显示区域中，而未设置在液晶显示器的设置有栅极焊盘部分和数据焊盘部分的边缘区域中。
另外，液晶显示器还包括像素电极，像素电极设置在第二钝化层上并经由第一漏极接触孔、第二漏极接触孔和第三漏极接触孔电连接到漏电极。像素电极的厚度比共电极的厚度大。
根据本发明的示例性实施例的液晶显示器及其制造方法，两个场产生电极形成在一个显示基板上，从而可以防止制造成本的增加。
附图说明
通过下面结合附图进行的详细描述，可以更详细地理解本发明的示例性实施例，在附图中：
图1是根据本发明的示例性实施例的液晶显示器的布局视图；
图2是沿着线II-II截取的图1的剖视图；
图3是沿着线III-III截取的图1的剖视图；
图4是沿着线IV-IV截取的图1的剖视图；
图5是根据本发明的示例性实施例的液晶显示器的制造过程的布局视图；
图6是沿着线VI-VI截取的图5的液晶显示器的制造过程的剖视图；
图7是沿着图5的线VII-VII截取的液晶显示器的制造过程的剖视图；
图8是沿着图5的线VIII-VIII截取的液晶显示器的制造过程的剖视图；
图9是根据本发明的示例性实施例的液晶显示器的制造过程的布局视图；
图10是沿着图9的线X-X截取的液晶显示器的制造过程的剖视图；
图11是沿着图9的线XI-XI截取的液晶显示器的制造过程的剖视图；
图12是沿着图9的线XII-XII截取的液晶显示器的制造过程的剖视图；
图13至图27是顺序地示出根据本发明的示例性实施例的液晶显示器的制造过程的剖视图；
图28是部分地示出根据本发明的示例性实施例的液晶显示器的示意图；
图29是示出根据本发明的实验示例的液晶显示器的截面的电子显微照片。
具体实施方式
将在下文中参照附图更充分地描述本发明的示例性实施例，附图中示出了本发明的示例性实施例。如本领域技术人员将认识到的，在所有不脱离本发明的精神或范围的情况下，可以以各种不同的方式来修改描述的实施例。
在附图中，为了清楚起见，可以夸大层、膜、面板、区域等的厚度。在整个说明书中，同样的附图标记指示同样的元件。将理解的是，当诸如层、膜、区域或基底的元件被称作“在”另一元件“上”时，它可以直接在所述另一元件上或者也可以存在中间元件。
如这里使用的，除非上下文另外明确地指出，否则单数形式也意图包括复数形式。
现在，将描述根据本发明的示例性实施例的液晶显示器。
将参照图1至图4来描述根据本发明的示例性实施例的液晶显示器。图1是根据本发明的示例性实施例的液晶显示器的布局视图，图2是沿着线II-II截取的图1的剖视图，图3是沿着线III-III截取的图1的剖视图，图4是沿着线IV-IV截取的图1的剖视图。
参照图1至图4，根据本发明的示例性实施例的液晶显示器包括彼此面对的下基板100和上基板200以及注入到下基板100和上基板200之间的液晶层3。
首先，将描述下基板100。
包括栅极线121的栅极导体形成在由透明玻璃、石英或塑料制成的第一基底110上。此外，在示例性实施例中，第一基底110可以是例如柔性基底。用于柔性基底的合适材料包括例如聚苯醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙醇酯(PEN)、聚乙烯(PE)、聚酰亚胺(PI)、聚氯乙烯(PVC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或它们的组合物。
栅极线121包括例如宽的栅极焊盘部分129，栅极焊盘部分129用于与栅电极124和另一层或外部驱动电路连接。例如，栅极线121由诸如铝(Al)或铝合金的铝基金属、诸如银(Ag)或银合金的银基金属、诸如铜或铜合金的铜基金属、诸如钼(Mo)或钼合金的钼基金属、铬(Cr)、钽(Ta)和钛(Ti)制成。然而，栅极线121可以具有例如包括具有不同物理性质的至少两层绝缘层的多层结构。
由例如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)、氮氧化硅(SiOxNy)、氧化铝(AlOx)、氧化钇(Y2O3)、氧化铪(HfOx)、氧化锆(ZrOx)、氮化铝(AlN)、氮氧化铝(AlNO)、氧化钛(TiOx)、钛酸钡(BaTiO3)、钛酸铅(PbTiO3)或它们的组合物制成的栅极绝缘层140形成在栅极导体121、124和129上。栅极绝缘层140可以具有例如包括具有不同物理性质的至少两层绝缘层的多层结构。
由例如非晶硅、多晶硅等制成的半导体154形成在栅极绝缘层140上。半导体154可以包括例如氧化物半导体。例如，氧化物半导体可以由包括铟、锌、锡、镓、铅、锗、镉的氧化物材料(oxide material)或者它们的诸如氧化铟镓锌、氧化铟锌和氧化锌锡的氧化物化合物(oxide compound)制成，但示例性实施例不限于此。
欧姆接触163和165位于半导体154上。例如，欧姆接触163和165可以由诸如其中以高浓度掺杂有诸如磷的n型杂质的n+氢化非晶硅的材料制成，或者可以由硅化物制成。欧姆接触163和165可以成对地设置在半导体154上。在半导体154为氧化物半导体的情况下，可以省略欧姆接触163和165。
包括数据线171的数据导体位于欧姆接触163和165以及栅极绝缘层140上，数据线171包括源电极173和漏电极175。
数据线171包括例如用于与另一层或外部驱动电路连接的数据焊盘部分179。数据线171传输数据信号，并且主要例如沿垂直方向延伸以与栅极线121交叉。
在这种情况下，数据线171可以具有例如成弯曲形状的第一弯曲部分以获得液晶显示器的最大透射率，第一弯曲部分可以具有在像素区域的中间区域中相交的V字形状。另外，数据线171还可以包括例如第二弯曲部分，第二弯曲部分弯曲以与第一弯曲部分形成预定角度，并且可以进一步包括在像素区域的中间区域中。
源电极173是数据线171的一部分，并且与数据线171设置在同一条线上。漏电极175形成为例如与源电极173平行地延伸。因此，漏电极175与数据线171的一部分平行。
栅电极124、源电极173和漏电极175与半导体154一起形成一个薄膜晶体管(TFT)，薄膜晶体管的沟道位于源电极173和漏电极175之间的半导体154中。
根据本发明的本示例性实施例的液晶显示器包括与数据线171位于同一条线上的源电极173和与数据线171平行地延伸的漏电极175，因此，可以增大薄膜晶体管的宽度，而被数据导体占据的面积没有增大，从而增大了液晶显示器的开口率。
然而，在根据本发明的示例性实施例的液晶显示器的情况下，源电极173和漏电极175可以具有不同的形状。
例如，数据线171和漏电极175可以由诸如钼、铬、钽和钛的难熔金属或它们的合金制成，并且可以具有包括难熔金属层和低电阻导电层的多层结构。多层结构的示例可以包括但不限于铬或钼(合金)下层和铝(合金)上层的双层，以及钼(合金)下层、铝(合金)中间层和钼(合金)上层的三层。然而，数据线171和漏电极175可以由各种其他金属或导体形成。
与数据线171形成在同一层上的栅极信号传输焊盘部分139形成在与栅极焊盘部分129相邻的部分中。
栅极信号传输焊盘部分139将栅极信号从栅极驱动器经由栅极焊盘部分129传输到栅极线121。
第一钝化层180x位于半导体154的暴露部分、数据导体和栅极绝缘层140上。第一钝化层180x可以由例如有机绝缘材料或无机绝缘材料制成。
有机层80设置在第一钝化层180x上。有机层80的厚度比第一钝化层180x的厚度厚，有机层80可以具有平坦的表面。
位于设置有多个像素以显示图像的显示区域中的有机层80的第一厚度H1可以比位于设置有数据焊盘部分179的区域中的有机层80的第二厚度H2厚。
可选择地，在本发明的示例性实施例中，可以省略有机层80。在根据示例性实施例的液晶显示器中，有机层80可以是例如滤色器，在这种情况下，还可以包括设置在有机层80上的层。例如，还可以在滤色器上设置覆盖层以防止滤色器的色素渗入到液晶层中，覆盖层可以由诸如氮化硅(SiNx)的绝缘材料制成。
有机层80和第一钝化层180x包括例如部分地暴露漏电极175的第一漏极接触孔185a。有机层80、第一钝化层180x和栅极绝缘层140包括例如暴露栅极焊盘部分129的第一焊盘接触孔186a，有机层80和第一钝化层180x包括暴露栅极信号传输焊盘部分139的第二焊盘接触孔186b。另外，有机层80和第一钝化层180x包括例如暴露数据焊盘部分179的第三焊盘接触孔187。
共电极270形成在有机层80上。具有平面形状的共电极270可以例如作为整块板形成在绝缘基底110的整个表面上，共电极270包括形成在与漏电极175的边缘相对应的区域中的第二漏极接触孔185b。
设置在相邻的像素中的共电极270彼此连接，使得从显示区域外部提供的具有预定大小的共电压传输至相邻的像素。
连接构件96形成在暴露栅极焊盘部分129和栅极信号传输焊盘部分139的第一焊盘接触孔186a和第二焊盘接触孔186b上。
连接构件96将被第一焊盘接触孔186a和第二焊盘接触孔186b暴露的栅极焊盘部分129和栅极信号传输焊盘部分139彼此连接，以将传输到栅极信号传输焊盘部分139的栅极信号传输到栅极焊盘部分129，从而将栅极信号传输到与栅极焊盘部分129连接的栅极线121。
连接构件96例如与共电极270形成在同一层上。共电极270和连接构件96例如由诸如氧化铟锡(ITO)，氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化镉锡(CTO)或它们的组合物的透明导电层制成。
第二钝化层180y形成在共电极270和连接构件96上。
第二钝化层180y可以由例如有机绝缘材料或无机绝缘材料制成。
第二钝化层180y包括例如形成在与漏电极175对应的区域中的第三漏极接触孔185c。
共电极270和第二钝化层180y具有几乎相同的平面形状。更详细地讲，从液晶显示器的顶部观看，由共电极270的边缘形成的形状和由第二钝化层180y的边缘形成的形状彼此几乎相同。
共电极270的第二漏极接触孔185b的尺寸和宽度比第二钝化层180y的第三漏极接触孔185c的尺寸和宽度大。
第二钝化层180y的第二边缘E2突出超过共电极270的第一边缘E1。更详细地讲，从液晶显示器的顶部观看，第二钝化层180y的第二边缘E2比共电极270的第一边缘E1扩展出更多。
第二钝化层180y和共电极270设置在设置有多个像素的显示区域中，并且可以不设置在设置有栅极焊盘部分129和数据焊盘部分179的边缘区域中。
在本示例性实施例中，形成在栅极焊盘部分129和栅极信号传输焊盘部分139上的连接构件96与共电极270形成在同一层上，但是，像接触辅助构件97一样，连接构件96可以与像素电极191形成在同一层上。
像素电极191形成在第二钝化层180y上。像素电极191包括例如与数据线171的第一弯曲部分和第二弯曲部分几乎平行的弯曲边缘。像素电极191包括例如多个切除部分91和分别由多个切除部分91限定的多个分支电极192。
像素电极191包括例如向漏电极175扩展的扩展部分193，像素电极191的扩展部分193经由第一漏极接触孔185a、第二漏极接触孔185b和第三漏极接触孔185c与漏电极175物理地并电性地连接，以从漏电极175接收数据电压。
接触辅助构件97形成在被第三焊盘接触孔187暴露的数据焊盘部分179上。接触辅助构件97增补数据焊盘部分179和外部装置之间的粘接并保护它们。
像素电极191和接触辅助构件97由诸如氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化铝锌(AZO)、氧化镉锡(CTO)或它们的组合物的透明导电层制成。像素电极191和接触辅助构件97比共电极270和连接构件96厚。更详细地讲，像素电极191的第四厚度T2大于共电极270的第三厚度T1，第四厚度T2可以是第三厚度T1的大约两倍或更多。例如，像素电极191和接触辅助构件97可以具有大约的厚度。
另外，第一取向层涂覆在像素电极191和没有被像素电极191覆盖的第二钝化层180y上，第一取向层可以是沿预定方向摩擦取向的水平取向层。然而，可选择地，在本发明的示例性实施例中，第一取向层可以代替地包括光敏材料，因此可以光取向。
现在，将描述上基板200。
光阻挡构件220形成在由例如透明玻璃、石英或塑料制成的第二基底210上。此外，在示例性实施例中，第二基底210可以是例如柔性基底。用于柔性基底的合适材料包括例如聚苯醚砜(PES)、聚萘二甲酸乙醇酯(PEN)、聚乙烯(PE)、聚酰亚胺(PI)、聚氯乙烯(PVC)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)或它们的组合物。
光阻挡构件220也称为黑矩阵，并阻挡光泄露。
另外，多个滤色器230形成在第二基底210上。
外层(overcoat)250形成在滤色器230和光阻挡构件220上。外层250可以由例如(有机)绝缘材料制成，并且防止滤色器230被暴露并提供平坦表面。可以省略外层250。
另外，第二取向层涂覆在外层250上，第二取向层可以是例如沿预定方向摩擦取向的竖直取向层。然而，可选择地，在本发明的示例性实施例中，第二取向层可以代替地包括光敏材料，从而可以光取向。
液晶层3包括例如具有正介电各向异性的向列相液晶材料。液晶层3的液晶分子的长轴方向可以例如与显示基板100和200平行地布置。
像素电极191从漏电极175接收数据电压，共电极270从设置在显示区域外部的共电压施加部分接收具有预定大小的共电压。
像素电极191(为场产生电极)和共电极270产生电场，使得设置在像素电极191和共电极270上的液晶层3的液晶分子沿着与电场的方向平行的方向旋转。如上所述，根据液晶分子的确定的旋转方向，穿过液晶层3的光的偏振被改变。
共电极270和形成在共电极270上的第二钝化层180y具有大体上彼此相同的平面形式。因此，第二钝化层180y和共电极270可以利用一个光掩模来一起形成。
因此，可以防止液晶显示器的制造成本的增加。
现在，将更详细地描述根据本发明的本示例性实施例的液晶显示器的漏极接触部分。
有机层80和第一钝化层180x包括第一漏极接触孔185a，共电极270包括第二漏极接触孔185b，第二钝化层180y包括第三漏极接触孔185c。
第一漏极接触孔185a、第二漏极接触孔185b和第三漏极接触孔185c彼此至少部分地叠置。
通过叠置部分暴露的漏电极175与像素电极191连接。
第一漏极接触孔185a的第一尺寸和第一宽度W1比第二漏极接触孔185b的第二尺寸和第二宽度W2以及第三漏极接触孔185c的第三尺寸和第三宽度W3小。另外，第二漏极接触孔185b的第二尺寸和第二宽度W2比第三漏极接触孔185c的第三尺寸和第三宽度W3大。也就是说，第一漏极接触孔185a、第三漏极接触孔185c和第二漏极接触孔185b的尺寸和宽度按照第一漏极接触孔185a、第三漏极接触孔185c和第二漏极接触孔185b的顺序增大。
因为形成在共电极270中的第二漏极接触孔185b的第二尺寸和第二宽度W2比形成在第二钝化层180y中的第三漏极接触孔185c的第三尺寸和第三宽度W3大，所以第二钝化层180y的第二边缘E2比共电极270的第一边缘E1突出得多。因此，可以防止形成在第二钝化层180y上方的像素电极191与形成在第二钝化层180y下面的共电极270连接。
参照图1，形成有第一漏极接触孔185a的倾斜部分的上边缘185d的尺寸和宽度比第二漏极接触孔185b的第二尺寸和第二宽度W2以及第三漏极接触孔185c的第三尺寸和第三宽度W3大。
也就是说，共电极270的第二漏极接触孔185b和第二钝化层180y的第三漏极接触孔185c设置在形成在有机层80中的第一漏极接触孔185a的倾斜部分S中。因此，可以防止因通过突出得比第二漏极接触孔185b多的第三漏极接触孔185c形成在接触部分中的台阶差异而导致的像素电极191的切断。另外，如前面所描述的，像素电极191的第四厚度T2是共电极270的第三厚度T1的大约两倍，因此可以防止因通过突出得比第二漏极接触孔185b多的第三漏极接触孔185c形成在接触部分中的台阶差异而导致的像素电极191的切断。
由于像素电极191的第四厚度T2厚，因此第三漏极接触孔185c和像素电极191的扩展部分193的边缘之间的距离D1与像素电极191的第四厚度T2几乎相等。
如所描述的，在根据本发明的本示例性实施例的液晶显示器中，第二钝化层180y和共电极270利用一个光掩模一起形成，因此可以防止液晶显示器的制造成本的增加，并且可以防止因在漏极接触部分中的第二钝化层180y和共电极270的台阶差异而导致的像素电极191的切断。
现在，将参照图5至图27连同图1至图4来描述根据本发明的示例性实施例的液晶显示器的制造方法。图5是根据本发明的示例性实施例的液晶显示器的制造过程的布局视图。图6是沿着图5的线VI-VI截取的液晶显示器的制造过程的剖视图。图7是沿着图5的线VII-VII截取的液晶显示器的制造过程的剖视图。图8是沿着图5的线VIII-VIII截取的液晶显示器的制造过程的剖视图。图9是根据本发明的示例性实施例的液晶显示器的制造过程的布局视图。图10是沿着图9的线X-X截取的液晶显示器的制造过程的剖视图。图11是沿着图9的线XI-XI截取的液晶显示器的制造过程的剖视图。图12是沿着图9的线XII-XII截取的制造过程的剖视图。图13至图27是顺序地示出根据本发明的示例性实施例的液晶显示器的制造过程的剖视图。
参照图5至图8，在第一基底110上形成包括栅电极124和栅极焊盘部分129的栅极线121，在栅极线121上形成栅极绝缘层140。在栅极绝缘层140上形成半导体154、欧姆接触163和165、包括源电极173和数据焊盘部分179的数据线171、漏电极175以及栅极信号传输焊盘部分139。在形成有数据线171、漏电极175和栅极信号传输焊盘部分139的第一基底110上形成第一钝化层180x和有机层80。在形成有第一漏极接触孔185a、第一焊盘接触孔186a、第二焊盘接触孔186b和第三焊盘接触孔187的位置处不形成有机层80。
有机层80可以是例如滤色器，可以与有机层80一起形成光阻挡构件。这里，位于设置有多个像素以显示图像的显示区域中的有机层80的第一厚度H1可以比位于形成有数据焊盘部分179的边缘区域中的有机层80的第二厚度H2大。另外，可以省略有机层80。
通过对设置在未被有机层80覆盖的区域中的第一钝化层180x以及栅极绝缘层140进行蚀刻来形成暴露漏电极175的第一漏极接触孔185a、暴露栅极焊盘部分129的第一焊盘接触孔186a、暴露栅极信号传输焊盘部分139的第二焊盘接触孔186b和暴露数据焊盘部分179的第三焊盘接触孔187。
接下来，如图9至图12中所示，一起形成共电极270、连接构件96和第二钝化层180y。如前面所描述的，一起形成共电极270和第二钝化层180y，使得由共电极270的边缘和第二钝化层180y的边缘形成的形状彼此大体上相同，并且第二钝化层180y的第二边缘E2形成为具有延伸超过共电极270的第一边缘E1的形状。
现在，将参照图13至图27来描述一起形成共电极270、连接构件96和第二钝化层180y的方法。
参照图13至图15，将由透明导电层制成的第一层10沉积到形成有第一漏极接触孔185a、第一焊盘接触孔186a、第二焊盘接触孔186b和第三焊盘接触孔187的第一基底110上，在第一层10上沉积由绝缘层制成第二层20。随后，将光敏膜400层叠在第二层20上。
参照图16至图18，通过例如印刷光敏膜400并使光敏膜400显影来形成光敏膜图案400a。在这种情况下，光敏膜图案400a作为整体形成在与形成有第二钝化层180y的位置对应的区域中。
参照图19至图21，通过利用光敏膜图案400a作为蚀刻掩模来例如干蚀刻第二层20，以形成第二钝化层180y。在第二钝化层180y中形成了第三漏极接触孔185c，并且第二钝化层180y具有第二边缘E2。
接下来，如图22至图24中所示，通过利用光敏膜图案400a作为蚀刻掩模来例如湿蚀刻第一层10，但为过蚀刻，以形成连接构件96以及具有比第二钝化层180y的第二边缘E2延伸出得少的第一边缘E1的共电极270。在这种情况下，在共电极270中形成了尺寸和宽度比第二钝化层180y的第三漏极接触孔185c的尺寸和宽度大的第二漏极接触孔185b。
如所描述的，由于共电极270的第二漏极接触孔185b的尺寸和宽度比第三漏极接触孔185c的尺寸和宽度大，所以第三漏极接触孔185c的边缘覆盖第二漏极接触孔185b的边缘，因此第二漏极接触孔185b不会与形成在第二钝化层180y上的像素电极191连接。
另外，共电极270的第二漏极接触孔185b和第二钝化层180y的第三漏极接触孔185c位于形成在有机层80中的第一漏极接触孔185a的倾斜部分S中。因此，可以防止因通过突出得比第二漏极接触孔185b多的第三漏极接触孔185c形成在接触部分中的台阶差异而导致的像素电极191的切断。
接下来，如图24至图27中所示，除去光敏膜图案400a。
如所描述的，通过一个光刻工艺一起形成共电极270、连接构件96和第二钝化层180y，然后如图1至图4中所示，形成具有第四厚度T2的像素电极191和接触辅助构件97，从而形成下基板100。如前面所描述的，像素电极191的第四厚度T2是共电极270的第三厚度T1大约两倍厚，因此可以防止因通过突出得比第二漏极接触孔185b多的第三漏极接触孔185c形成在接触部分中的台阶差异而导致的像素电极191的切断。
在形成下基板100之后，形成上基板200，然后将液晶层3注入到两个基板100和200之间，从而完成如图1至图4中所示的液晶显示器。
如所描述的，根据本发明的本示例性实施例的液晶显示器的制造方法，可以同时形成共电极270和第二钝化层180y，从而可以防止液晶显示器的制造成本的增加。另外，根据本发明的本示例性实施例的制造方法，可以防止像素电极191和共电极270连接，并且也可以防止像素电极191在台阶部分处的切断。
将参照图28对此进行更详细的描述。图28是部分地示出根据本发明的示例性实施例的液晶显示器的示意图。
参照图28，共电极270的第二漏极接触孔185b和第二钝化层180y的第三漏极接触孔185c形成为位于第一漏极接触孔185a的倾斜部分S中。因此，可以防止像素电极191在台阶部分A中被切断,所述台阶部分A经由突出得比第二漏极接触孔185b多的第三漏极接触孔185c形成在接触部分中。另外，由于像素电极191足够厚，因此可以防止像素电极191的切断。
现在，将参照图29来描述本发明的示例性实施例的实验示例。图29是示出根据本发明的示例性实施例的实验示例的液晶显示器的剖视图的电子显微照片。
参照图29，如在根据本发明的示例性实施例的液晶显示器中，共电极270的第二漏极接触孔185b和第二钝化层180y的第三漏极接触孔185c形成为位于形成在有机层80中的第一漏极接触孔185a的倾斜部分S中，并且当像素电极191厚时，像素电极191可以稳定地形成，而未被第三漏极接触孔185c和第二漏极接触孔185b之间的台阶差异切断。
已经描述了本发明的示例性实施例，还将注意的是，对于本领域普通技术人员来讲非常明显的是，在不脱离由权利要求的界限和边界限定的本发明的精神和范围的情况下，可以做出各种修改。

Claims (18)

1.一种液晶显示器，所述液晶显示器包括：
第一基底；
栅极线和数据线，设置在所述第一基底上；
薄膜晶体管，连接到所述栅极线和所述数据线；
第一钝化层，设置在所述薄膜晶体管上；
第一电极，设置在所述第一钝化层上；
第二钝化层，设置在所述第一电极上；以及
第二电极，设置在所述第二钝化层上，
其中，所述第一电极的第一边缘和所述第二钝化层的第二边缘具有大体上彼此相同的平面形状，所述第二钝化层的所述第二边缘突出得比所述第一电极的所述第一边缘多。
2.如权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述第一钝化层包括暴露所述薄膜晶体管的漏电极的第一漏极接触孔，所述第一电极包括暴露所述漏电极的第二漏极接触孔，所述第二钝化层包括暴露所述漏电极的第三漏极接触孔，
所述第一漏极接触孔、所述第二漏极接触孔和所述第三漏极接触孔彼此叠置，
所述第二漏极接触孔的尺寸比所述第三漏极接触孔的尺寸大。
3.如权利要求2所述的液晶显示器，所述液晶显示器还包括设置在所述第一钝化层和所述第一电极之间的有机层，
所述第一漏极接触孔设置在所述第一钝化层和所述有机层中，
所述第二漏极接触孔的边缘和所述第三漏极接触孔的边缘与形成所述有机层的所述第一漏极接触孔的倾斜部分叠置。
4.如权利要求3所述的液晶显示器，其中，所述第二电极经由所述第一漏极接触孔、所述第二漏极接触孔和所述第三漏极接触孔与所述漏电极连接，
所述第二电极的厚度比所述第一电极的厚度大。
5.如权利要求4所述的液晶显示器，其中，所述第二电极的厚度是所述第一电极的厚度的大约两倍厚。
6.如权利要求1所述的液晶显示器，所述液晶显示器还包括与所述数据线设置在同一层上的栅极信号传输焊盘部分，
其中，所述栅极线包括栅极焊盘部分，
所述第一钝化层包括暴露所述栅极焊盘部分的第一焊盘接触孔和暴露所述栅极信号传输焊盘部分的第二焊盘接触孔，
连接构件设置在所述第一焊盘接触孔和所述第二焊盘接触孔上，
绝缘部分与所述第二钝化层设置在同一层上，并且设置在所述连接构件上，
其中，所述绝缘部分的边缘突出得比所述连接构件的边缘多。
7.如权利要求1所述的液晶显示器，其中，所述数据线包括数据焊盘部分，
所述第一钝化层包括暴露所述数据焊盘部分的第三焊盘接触孔，
接触辅助构件设置在所述第三焊盘接触孔上，
所述第二钝化层不与所述数据焊盘部分叠置。
8.一种液晶显示器，所述液晶显示器包括：
第一基底；
栅极线和数据线，设置在所述第一基底上；
薄膜晶体管，连接到所述栅极线和所述数据线；
第一钝化层，设置在所述薄膜晶体管上；
第一电极，设置在所述第一钝化层上；
第二钝化层，设置在所述第一电极上；以及
第二电极，设置在所述第二钝化层上，
其中，所述第一钝化层包括暴露所述薄膜晶体管的漏电极的第一漏极接触孔，所述第一电极包括暴露所述漏电极的第二漏极接触孔，所述第二钝化层包括暴露所述漏电极的第三漏极接触孔，
所述第一漏极接触孔、所述第二漏极接触孔和所述第三漏极接触孔彼此叠置，
所述第二漏极接触孔的尺寸比所述第三漏极接触孔的尺寸大。
9.如权利要求8所述的液晶显示器，所述液晶显示器还包括设置在所述第一钝化层和所述第一电极之间的有机层，
其中，所述第一漏极接触孔设置在所述第一钝化层和所述有机层中，
所述第二漏极接触孔的边缘和所述第三漏极接触孔的边缘与形成所述有机层的所述第一漏极接触孔的倾斜部分叠置。
10.如权利要求9所述的液晶显示器，其中，所述第二电极经由所述第一漏极接触孔、所述第二漏极接触孔和所述第三漏极接触孔与所述漏电极连接，
所述第二电极的厚度比所述第一电极的厚度大。
11.如权利要求10所述的液晶显示器，其中，所述第二电极的厚度是所述第一电极的厚度的大约两倍厚。
12.如权利要求8所述的液晶显示器，所述液晶显示器还包括与所述数据线设置在同一层上的栅极信号传输焊盘部分，
其中，所述栅极线包括栅极焊盘部分，
所述第一钝化层包括暴露所述栅极焊盘部分的第一焊盘接触孔和暴露所述栅极信号传输焊盘部分的第二焊盘接触孔，
连接构件设置在所述第一焊盘接触孔和所述第二焊盘接触孔上，
绝缘部分与所述第二钝化层设置在同一层上，并且设置在所述连接构件上，
其中，所述绝缘部分的边缘突出得比所述连接构件的边缘多。
13.如权利要求8所述的液晶显示器，其中，所述数据线包括数据焊盘部分，
所述第一钝化层包括暴露所述数据焊盘部分的第三焊盘接触孔，
接触辅助构件设置在所述第三焊盘接触孔上，
所述第二钝化层不与所述数据焊盘部分叠置。
14.一种制造液晶显示器的方法，所述方法包括：
在第一基底上形成栅极线、数据线以及连接到所述栅极线和所述数据线的薄膜晶体管；
在所述薄膜晶体管上形成包括暴露所述薄膜晶体管的漏电极的第一漏极接触孔的第一钝化层；
在所述第一钝化层上通过一个光刻工艺一起形成包括暴露所述漏电极的第二漏极接触孔的第一电极和包括暴露所述漏电极的第三漏极接触孔的第二钝化层；
在所述第二钝化层上形成第二电极；
形成所述第一漏极接触孔、所述第二漏极接触孔和所述第三漏极接触孔以彼此叠置；以及
将所述第二漏极接触孔的尺寸形成为比所述第三漏极接触孔的尺寸大。
15.如权利要求14所述的制造液晶显示器的方法，其中，一起形成所述第一电极和所述第二钝化层的步骤包括：
在所述第一钝化层上沉积第一层；
在所述第一层上沉积第二层；
在所述第二层上形成光敏膜图案；
利用所述光敏膜图案作为掩模来蚀刻所述第二层；以及
利用所述光敏膜图案作为掩模来过度蚀刻所述第一层。
16.如权利要求15所述的制造液晶显示器的方法，所述方法还包括形成位于在所述第一钝化层和所述第一电极之间的有机层，
其中，在所述第一钝化层和所述有机层中形成所述第一漏极接触孔，
所述有机层包括在所述第一漏极接触孔的边缘区域的倾斜部分，
将所述第二漏极接触孔的边缘和所述第三漏极接触孔的边缘形成为与所述有机层的所述倾斜部分叠置。
17.如权利要求16所述的制造液晶显示器的方法，其中，
将所述第二电极形成为经由所述第一漏极接触孔、所述第二漏极接触孔和所述第三漏极接触孔与所述漏电极连接，
所述第二电极的厚度比所述第一电极的厚度大。
18.如权利要求17所述的制造液晶显示器的方法，其中，所述第二电极的厚度是所述第一电极的厚度的大约两倍厚。
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