CN102289118A - 液晶显示元件 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种液晶显示元件,其具备:薄膜晶体管,该薄膜晶体管的源电极及漏电极中的任一个电极与像素电极连接;以及辅助电容电极,与上述像素电极之间形成辅助电容,并且配置成至少一部分与上述薄膜晶体管重叠。上述薄膜晶体管具有半导体层、防蚀刻层和栅电极,该防蚀刻层配置成与上述半导体层接触且由绝缘性材料构成,该栅电极配置成与上述防蚀刻层之间隔着上述半导体层。上述辅助电容电极中的与上述栅电极重叠的区域的沿着上述薄膜晶体管的沟道长度方向的方向上的长度,比上述栅电极的上述方向上的长度短、且比上述防蚀刻层的上述方向上的长度长。
Description
相关申请的交叉参考
本申请基于并主张2010年6月21日提交的日本专利申请2010-140079的在先专利申请优先权,这里通过参考引入其全部内容。
技术领域
本发明涉及配置成辅助电容电极与薄膜晶体管重叠的液晶显示元件。
背景技术
近年来,开发了一种使用薄膜晶体管(TFT)作为开关元件的有源矩阵型液晶显示元件。在有源矩阵型液晶显示元件中,为了将写入到像素电极中的显示信号电压保持到下一次的写入定时而形成有辅助电容。而且,该辅助电容由被配置成在其与像素电极之间夹设有绝缘层的辅助电容电极形成。
不过,在对薄膜晶体管应用了反交错(inversely-staggered)构造(底栅(bottom gate)构造)的部件的结构中,为了防止因从液晶层侧朝向该薄膜晶体管入射来的光而产生的光泄漏,公知兼用辅助电容电极来作为针对该光的遮光膜(例如日本特开2004-341185号公报-图5)。即,公知有一种按照与薄膜晶体管重叠的方式,在源/漏电极层与像素电极层之间形成由铬、钼等遮光性的金属构成的辅助电容电极的方法。
但是,由于辅助电容电极通过溅射法等被形成为在平坦形成的绝缘层上该辅助电容电极的下表面与绝缘层接触,所以导致辅助电容电极的下表面形成为镜面。
因此,从形成有薄膜晶体管的基板侧朝向液晶层的光中、在该薄膜晶体管的附近通过且朝向辅助电容电极的光,以维持高的光量的状态被辅助电容电极反射,即便是反交错构造,该反射光也会入射到薄膜晶体管的半导体层中,存在着在源电极与漏电极之间发生光泄漏电流的问题。
发明内容
鉴于此,本发明的目的在于,提供一种即便是辅助电容电极与薄膜晶体管重叠的构造的情况,也能够抑制光泄漏电流的产生的液晶显示元件。
本发明的一个方式涉及的液晶显示元件具备:薄膜晶体管,该薄膜晶体管的源电极及漏电极中的任一个电极与像素电极连接;以及辅助电容电极,与上述像素电极之间形成辅助电容,并且配置成至少一部分与上述薄膜晶体管重叠。
上述薄膜晶体管具有半导体层、防蚀刻层和栅电极,该防蚀刻层被配置成与上述半导体层接触且由绝缘性材料构成,该栅电极被配置成与上述防蚀刻层之间隔着上述半导体层。
上述辅助电容电极中的与上述栅电极重叠的区域的、沿着上述薄膜晶体管中的沟道长度方向的方向上的长度比上述栅电极的上述方向上的长度短、且比上述防蚀刻层的上述方向上的长度长。
本发明的另一个方式涉及的液晶显示元件具备:液晶层,配置在共用电极与像素电极之间;薄膜晶体管,该薄膜晶体管的源电极及漏电极中的任一个电极与上述像素电极连接;以及辅助电容电极,被设定为与上述共用电极相等的电位,并且配置成至少一部分与上述薄膜晶体管重叠。
上述薄膜晶体管具有半导体层、防蚀刻层和栅电极,该防蚀刻层被配置成与上述半导体层接触且由绝缘性材料构成,该栅电极被配置成与上述防蚀刻层之间隔着上述半导体层。
上述辅助电容电极中的与上述栅电极重叠的区域的、沿着上述薄膜晶体管中的沿着沟道长度方向的方向上的长度,比上述栅电极的上述方向上的长度短、且比上述防蚀刻层的上述方向上的长度长。
本发明的又一个方式涉及的液晶显示元件具备:扫描线,被配置成在第1方向上延伸;薄膜晶体管,该薄膜晶体管的源电极及漏电极中的任一个电极与像素电极连接;以及辅助电容电极,与上述像素电极之间形成辅助电容,并且配置成至少一部分与上述薄膜晶体管重叠。
上述薄膜晶体管具有半导体层、防蚀刻层和栅电极,该防蚀刻层被配置成与上述半导体层接触且由绝缘性材料构成,该栅电极被配置成与上述防蚀刻层之间隔着上述半导体层,并且与上述扫描线连接。
上述辅助电容电极中的与上述栅电极重叠的区域的、与上述第1方向正交的第2方向上的长度,比上述栅电极的上述第2方向上的长度短、且比上述防蚀刻层的上述第2方向上的长度长。
根据本发明,即使是辅助电容电极与薄膜晶体管重叠的构造的情况,也能够抑制光泄漏电流的产生。
本发明的优点将在下面的描述中阐述,部分优点将通过该描述而显现,或通过实践本发明而获悉。本发明的优点可通过下面具体指出的手段和组合来实现和获得。
附图说明
附图是说明书的一部分,它们示出了本发明当前优选的实施例,并且与上面给出的概要说明和下面给出的优选实施例的详细说明一起阐明本发明的原理。
图1A是液晶显示元件的概略俯视图。
图1B是液晶显示元件的概略剖视图。
图2是薄膜晶体管阵列的等价电路的俯视图。
图3是第1基板上形成的多层膜的俯视图。
图4是沿着图3的A-A′线的区域的剖视图。
图5是第1基板上形成的多层膜的形成方法的说明图,表示在第1基板上形成了第1导电层的状态。
图6是第1基板上形成的多层膜的形成方法的说明图,表示对第1导电层进行了构图的状态。
图7是第1基板上形成的多层膜的形成方法的说明图,表示形成了第1绝缘层、半导体层以及防蚀刻层的状态。
图8是第1基板上形成的多层膜的形成方法的说明图,表示对防蚀刻层进行了构图的状态。
图9是第1基板上形成的多层膜的形成方法的说明图,表示形成了欧姆接触层以及金属层的状态。
图10是第1基板上形成的多层膜的形成方法的说明图,表示对第2导电层进行了构图的状态。
图11是第1基板上形成的多层膜的形成方法的说明图,表示在第2绝缘层上形成了第3传导层的状态。
图12是第1基板上形成的多层膜的形成方法的说明图,表示将第3导电层构图为辅助电容电极的状态。
图13是第1基板上形成的多层膜的形成方法的说明图,表示在第3绝缘层上对接触孔形成用光致抗蚀剂进行了构图的状态。
图14是第1基板上形成的多层膜的形成方法的说明图,表示在第2绝缘层以及第3绝缘层中形成了接触孔的状态。
图15是第1基板上形成的多层膜的形成方法的说明图,表示形成了第4导电层的状态。
具体实施方式
下面,参照附图对实施发明的方式进行说明。
本发明的液晶显示元件1如图1A及图1B所示,第1基板2与第2基板3被配置成相互对置。而且,第1基板2与第2基板3通过形成为框形状的密封件4而相互粘合在一起。另外,通过在第1基板2与第2基板3之间向被密封件4包围的区域填充液晶,形成了液晶层5。而且,液晶显示元件1在显示区域6中以矩阵状排列有多个显示像素。
液晶显示元件1是有源矩阵型液晶显示元件,图2是第1基板2上形成的薄膜晶体管阵列的等价电路的俯视图。在第1基板2上,按照一个像素电极7与一个显示像素对应的方式,在显示区域6中以矩阵状排列有多个像素电极7。而且,多个像素电极7分别与各自对应的薄膜晶体管8中的源电极和漏电极中的一方、例如源电极S连接。另外,薄膜晶体管8中的源电极和漏电极中的另一方、例如漏电极D与沿着列方向延伸的信号线10连接。并且,薄膜晶体管8中的栅电极G与沿着行方向延伸的扫描线9连接。另外,辅助电容电极11以与薄膜晶体管8重叠的方式形成为格子形状,该辅助电容电极11用于与像素电极7之间形成辅助电容Cs。而且,像素电极7被配置成该像素电极7中的周缘部7a的一部分与辅助电容电极11重叠。这里,薄膜晶体管8作为开关元件发挥功能,例如可以采用nMOS型的薄膜晶体管。另外,扫描线9用于对薄膜晶体管8的栅电极G供给对薄膜晶体管8进行导通/截止控制用的扫描信号,信号线10用于经由薄膜晶体管8向像素电极7供给数据信号。
另外,扫描线9、信号线10以及辅助电容电极11延伸突出到显示区域6的外侧的区域。而且,扫描线9与在显示区域6的外侧的区域设置的第1外部连接端子12连接,信号线10与在显示区域6的外侧的区域设置的第2外部连接端子13连接,辅助电容电极11与在显示区域6的外侧的区域设置的第3外部连接端子14连接。其中,辅助电容电极11按照在各显示像素间成为相等电位的方式相互电连接,并且,经由变压器焊盘15与后述的共用电极18电连接。即,辅助电容电极11被设定为与共用电极18相等的电位。这里,第1外部连接端子12、第2外部连接端子13以及第3外部连接端子14与可挠性布线基板等部件连接,从而经由该可挠性布线基板和外部电路电连接。
如图1B所示,第2基板3上形成有在各显示像素间被设定为相等电位的共用电极18。而且,在由密封件4包围的区域填充了液晶,以便在共用电极18与像素电极7之间形成液晶层5。
接下来,基于图3以及图4对第1基板2上形成的各薄膜的层构成进行说明。其中,针对显示区域的外侧的区域省略了其说明。在由玻璃等透明的部件构成的第1基板2上,作为第1导电层,形成了栅电极G以及扫描线9。第1导电层例如以铬、铝、钼、钛等遮光性金属作为材料而形成。而且,第1导电层被由绝缘性的材料构成的第1绝缘层20覆盖。第1绝缘层20作为栅极绝缘膜发挥功能,例如由氮化硅(SiN或Si3N4)或者氧化硅(SiO2)等无机材料形成。
在第1绝缘层20上,作为第2导电层,形成有源电极S、从源电极S延伸的连接焊盘部Sa、漏电极D以及信号线10。第2导电层形成为依次层叠了半导体层21、欧姆接触层22和金属层23的多层构造。而且,半导体层21由非晶硅或者多晶硅等半导体形成。欧姆接触层22由对非晶硅或者多晶硅掺杂了杂质的电阻比较低的半导体形成。金属层23例如以铬、铝、钼、钛等遮光性金属为材料而形成。
另外,在薄膜晶体管8中的与沟道对应的区域形成半导体层21,并且,作为半导体层21与欧姆接触层22之间的层,设置有由绝缘性材料构成的防蚀刻层24。对防蚀刻层24而言,沿着沟道长度方向的方向(在图3中是用箭头Y表示的方向,以下称为Y方向)上的长度形成得比栅电极G的Y方向的长度短。这里,设栅电极G与扫描线9形成为一体,栅电极G的Y方向的长度与扫描线9的宽度、即扫描线9的Y方向的长度相等。
第2导电层及薄膜晶体管8被由绝缘性的材料构成的第2绝缘层25覆盖。第2绝缘层25还作为使由薄膜晶体管8、信号线10产生的阶梯差平坦化的平坦化层发挥功能,例如由氮化硅(SiN或Si3N4)或者氧化硅(SiO2)等无机材料形成。
在第2绝缘层25上形成有辅助电容电极11作为第3导电层。辅助电容电极11按照与扫描线9、信号线10以及薄膜晶体管8重叠的方式形成为格子形状。而且,第3导电层例如以铬、铝、钼、钛等遮光性金属为材料而形成。
这里,辅助电容电极11由向沿着信号线10的方向、即Y方向延伸的第1栈部(栈部)11a;和向沿着扫描线9的方向、即向沿着沟道宽度方向的方向(在图3中是用箭头X表示的方向,以下称为X方向)延伸的第2栈部11b构成。而且,第2栈部11b的Y方向上的长度形成得比防蚀刻层24的Y方向上的长度长、且比栅电极G的Y方向上的长度短。而且,栅电极G、防蚀刻层24和第2栈部11b被配置成在与薄膜晶体管8对应的区域中的Y方向上的中心位置相互一致。即,栅电极G、防蚀刻层24和第2栈部11b被配置成在与薄膜晶体管8对应的区域中,相互的边缘间距离在Y方向上对称。
第3导电层被由绝缘性的材料构成的第3绝缘层28覆盖。第3绝缘层28还作为使由薄膜晶体管8、信号线10产生的阶梯差(段差),以及由辅助电容电极11产生的阶梯差平坦化的平坦化层发挥功能,例如由氮化硅(SiN或Si3N4)或者氧化硅(SiO2)等无机材料形成。
在第3绝缘层28上形成有像素电极7作为第4导电层。第4导电层例如由ITO(Indium Tin Oxide)等透明的导电性材料形成。而且,像素电极7利用与第2绝缘层25和第3绝缘层28连续设置的接触孔25a、28a和连接焊盘部Sa中的金属层23的上表面接触,从而与源电极S电连接。这里,像素电极7形成为与以格子形状形成的辅助电容电极11的开口部11c重叠、且该像素电极的周缘部7a与辅助电容电极11中的第1栈部11a重叠。另外,像素电极7被配置成与邻接的像素电极之间的间隙和辅助电容电极11中的第1栈部11a重叠。
在以上那样构成的液晶显示元件中,由于能够由辅助电容电极11使通过第2基板3而朝向薄膜晶体管8中的半导体层21的光L1反射,所以可以有效抑制基于该光L1而在源电极S与漏电极D之间产生的光泄漏电流。另外,由于能够通过栅电极G使通过第1基板2而直接朝向薄膜晶体管8中的半导体层21的光L2反射,所以可以有效抑制基于该光L2而在源电极S与漏电极D之间产生的光泄漏电流。并且,由于还能够通过栅电极G使朝向与薄膜晶体管8重叠的区域的辅助电容电极11而通过了第1基板2的光L3反射,所以可以有效抑制基于该光L3而在源电极S与漏电极D之间产生的光泄漏电流。
接着,参照图5-图15,对如上述那样形成在第1基板2上的多层膜的形成方法进行说明。其中,图5-图15是与沿着图3所示的A-A′线的区域对应的剖视图。首先,准备由玻璃等透明的部件构成的第1基板2,如图5所示,通过溅射法或者CVD(Chemical Vapor Deposition)法在第1基板2的一面上形成例如铬、铝、钼、钛等遮光性的金属,作为第1导电层40。这里,第1导电层40形成为层厚例如为100~500nm。
接下来,在第1导电层40上涂敷光致抗蚀剂,并且,通过曝光以及显影对该涂敷的光致抗蚀剂进行构图。然后,以构图后的光致抗蚀剂作为掩模,对从该光致抗蚀剂露出的部分的第1导电层40进行蚀刻,随后,通过将光致抗蚀剂剥离,如图6所示,作为被构图后的第1导电层40,形成栅电极G与扫描线9。
接下来,以覆盖构图后的第1导电层40的方式,通过等离子体CVD法等在第1基板2上形成氮化硅(SiN或Si3N4)或者氧化硅(SiO2)等无机绝缘材料,作为透光性的第1绝缘层20。这里,例如在由氮化硅形成第1绝缘层20的情况下,对处理气体而言,使用硅烷(SiH4)作为主原料气体,使用氨气(NH3)作为副原料气体,使用氮气(N2)作为稀释气体。另外,第1绝缘层20形成为层厚例如为200nm~800nm。这里,由于第1绝缘层20形成为层厚比第1导电层40厚。
接下来,如图7所示,通过等离子体CVD法等在第1绝缘层20上形成由非晶硅或者多晶硅构成的半导体层21,然后,通过等离子体CVD法等在半导体层21上形成氮化硅(SiN或者Si3N4)等无机绝缘材料,作为透光性的防蚀刻层24。其中,优选第1绝缘层20、半导体层21以及防蚀刻层24连续成膜。这里,半导体层21形成为层厚例如为20nm~60nm。另外,防蚀刻层24形成为层厚例如为100nm~200nm。
接下来,在防蚀刻层24上涂敷光致抗蚀剂,并且,通过曝光以及显影对该涂敷的光致抗蚀剂进行构图。然后,将构图后的光致抗蚀剂作为掩模,对从该光致抗蚀剂露出的部分的防蚀刻层24进行蚀刻,随后,通过将光致抗蚀剂剥离,形成被构图为在薄膜晶体管8中的与沟道对应的区域残存的防蚀刻层24(图8)。
接下来,按照对构图的防蚀刻层24进行覆盖的方式,在第1基板2上形成对非晶硅或者多晶硅掺杂了杂质的电阻比较低的半导体,作为欧姆接触层22,然后,通过溅射法或者CVD法在欧姆接触层22上形成例如由铬、铝、钼、钛等遮光性的金属构成的金属层23(图9)。另外,金属层23并非必须限定为遮光性的金属,例如也可以是ITO等具有透明性的导电材料。这里,欧姆接触层22形成为层厚例如为10nm~40nm。另外,金属层23形成为层厚例如为100nm~500nm。
然后,如上述那样,通过依次形成半导体层21、欧姆接触层22以及金属层23,形成作为半导体层21、欧姆接触层22以及金属层23的层叠膜的第2导电层41。
接下来,在金属层23上涂敷光致抗蚀剂,并且,通过曝光以及显影对该涂敷的光致抗蚀剂进行构图。然后,将构图后的光致抗蚀剂作为掩模,对从该光致抗蚀剂露出的部分的半导体层21、欧姆接触层22以及金属层23一并或者连续地进行蚀刻,随后,通过将光致抗蚀剂剥离,作为构图后的第2导电层41,形成了源电极S、连接焊盘部Sa、漏电极D以及信号线10(图10)。其中,被防蚀刻层24覆盖的区域中的半导体层21由于受到防蚀刻层24保护未被蚀刻而残存下来。然后,形成具有半导体层21、栅电极G、源电极S以及漏电极D的薄膜晶体管8。
接下来,以覆盖构图后的第2导电层41的方式,通过等离子体CVD法等在第1基板2上形成氮化硅(SiN或Si3N4)或者氧化硅(SiO2)等无机绝缘材料,作为透光性的第2绝缘层25。这里,在由氮化硅形成第2绝缘层25的情况下,对于处理气体而言,可使用硅烷(SiH4)作为主原料气体,使用氨气(NH3)作为副原料气体,使用氮气(N2)作为稀释气体。这里,第2绝缘层25形成为层厚例如为200nm~800nm。
接下来,通过溅射法或者CVD法在第2绝缘层25上例如形成铬、铝、钼、钛等遮光性的金属,作为第3导电层42(图11)。这里,第3导电层42形成为层厚例如为100nm~500nm。
接下来,在第3导电层42上涂敷光致抗蚀剂,并且,通过曝光以及显影对该涂敷的光致抗蚀剂进行构图。然后,将构图后的光致抗蚀剂作为掩模,对从该光致抗蚀剂露出的部分的第3导电层42进行蚀刻,随后,通过将光致抗蚀剂剥离,作为构图后的第3导电层42,形成了辅助电容电极11(图12)。
接下来,以覆盖辅助电容电极11的方式,通过等离子体CVD法等在第1基板2上形成氮化硅(SiN或Si3N4)或者氧化硅(SiO2)等无机绝缘材料,作为透光性的第3绝缘层28。这里,在由氮化硅形成第3绝缘层28的情况下,对处理气体而言,可使用硅烷(SiH4)作为主原料气体,使用氨气(NH3)作为副原料气体,使用氮气(N2)作为稀释气体。这里,第3绝缘层28形成为层厚例如为100nm~600nm。
接下来,在第3绝缘层28上涂敷光致抗蚀剂,并且,通过曝光以及显影对该涂敷的光致抗蚀剂进行构图。此时,如图13所示,构图后的光致抗蚀剂50形成为连接焊盘部Sa的一部分从该光致抗蚀剂50露出。
接下来,将光致抗蚀剂50作为掩模,例如通过干式蚀刻将从光致抗蚀剂50露出的部分的第2绝缘层25以及第3绝缘层28一并蚀刻,由此如图14所示,在第2绝缘层25中形成接触孔25a,并且,在第3绝缘层28中形成接触孔28a。其中,蚀刻气体例如可以使用CF4、SF6、O2、He等的混合气体。
接着,将光致抗蚀剂50剥离,并以覆盖形成有接触孔的第3绝缘层27的方式,通过溅射法等在第1基板2上形成ITO等透明性的导电材料,作为第4导电层43(图15)。这里,第4导电层43形成为层厚例如为30nm~300nm。
接下来,在第4导电层43上涂敷光致抗蚀剂,并且,通过曝光以及显影对该涂敷的光致抗蚀剂进行构图。然后,将构图后的光致抗蚀剂作为掩模,对从该光致抗蚀剂露出的部分的第4导电层43进行蚀刻,随后,通过将光致抗蚀剂剥离,作为构图后的第4导电层43,形成了像素电极7,得到如图4所示那样的多层膜。
另外,在上述的实施方式中,对由无机绝缘材料形成第1绝缘层20、第2绝缘层25以及第3绝缘层28的情况进行了说明,但第1绝缘层20、第2绝缘层25以及第3绝缘层28也可以由聚酰亚胺类或丙烯酸类的有机材料形成。
对本领域技术人员而言,本发明的其它优点和变更是显而易见的。因此,本发明在广义上不限于这里示出和描述的具体细节和代表性的实施方式。因此,在不脱离由下面的权利要求及其等同描述定义的一般发明概念的精神或范围下,可进行不同的变更。
Claims (20)
1.一种液晶显示元件,其特征在于,具备:
薄膜晶体管,该薄膜晶体管的源电极及漏电极中的任一个电极与像素电极连接;以及
辅助电容电极,与上述像素电极之间形成辅助电容,并且配置成至少一部分与上述薄膜晶体管重叠;
上述薄膜晶体管具有半导体层、防蚀刻层和栅电极,该防蚀刻层配置成与上述半导体层接触且由绝缘性材料构成,该栅电极配置成与上述防蚀刻层之间隔着上述半导体层,
上述辅助电容电极中的与上述栅电极重叠的区域的、沿着上述薄膜晶体管中的沟道长度方向的方向上的长度,比上述栅电极的上述方向上的长度短、且比上述防蚀刻层的上述方向上的长度长。
2.根据权利要求1所述的液晶显示元件,其特征在于,
上述辅助电容电极配置在比上述薄膜晶体管更接近液晶层一侧。
3.根据权利要求1所述的液晶显示元件,其特征在于,
上述薄膜晶体管是反交错型的薄膜晶体管。
4.根据权利要求1所述的液晶显示元件,其特征在于,
上述栅电极、上述防蚀刻层以及上述辅助电容电极配置成,在与上述薄膜晶体管对应的区域中,相互的边缘间距离在沿着上述沟道长度方向的方向对称。
5.根据权利要求1所述的液晶显示元件,其特征在于,
上述辅助电容电极是配置在作为上述源电极或者上述漏电极而成膜的导电层与作为上述像素电极而成膜的导电层之间的层。
6.根据权利要求1所述的液晶显示元件,其特征在于,
上述栅电极以及上述辅助电容电极由遮光性的金属构成,
上述防蚀刻层由透光性的材料构成。
7.一种液晶显示元件,其特征在于,具备:
液晶层,配置在共用电极与像素电极之间;
薄膜晶体管,该薄膜晶体管的源电极及漏电极中的任一个电极与上述像素电极连接;以及
辅助电容电极,被设定为与上述共用电极相等的电位,并且配置成至少一部分与上述薄膜晶体管重叠;
上述薄膜晶体管具有半导体层、防蚀刻层和栅电极,该防蚀刻层配置成与上述半导体层接触且由绝缘性材料构成,该栅电极配置成与上述防蚀刻层之间隔着上述半导体层,
上述辅助电容电极中的与上述栅电极重叠的区域的、沿着上述薄膜晶体管中的沟道长度方向的方向上的长度,比上述栅电极的上述方向上的长度短、且比上述防蚀刻层的上述方向上的长度长。
8.根据权利要求7所述的液晶显示元件,其特征在于,
上述辅助电容电极是配置在作为为上述源电极或者上述漏电极而成膜的导电层与作为上述像素电极而成膜的导电层之间的层。
9.根据权利要求8所述的液晶显示元件,其特征在于,
上述像素电极是被配置为比上述共用电极更接近上述辅助电容电极一侧的层。
10.根据权利要求7所述的液晶显示元件,其特征在于,
上述薄膜晶体管是反交错型的薄膜晶体管。
11.根据权利要求8所述的液晶显示元件,其特征在于,
上述栅电极、上述防蚀刻层以及上述辅助电容电极配置成,在与上述薄膜晶体管对应的区域中,相互的边缘间距离在沿着上述沟道长度方向的方向上对称。
12.根据权利要求8所述的液晶显示元件,其特征在于,
上述栅电极以及上述辅助电容电极由遮光性的金属构成,
上述防蚀刻层由透光性的材料构成。
13.一种液晶显示元件,其特征在于,具备:
扫描线,配置成在第1方向上延伸;
薄膜晶体管,该薄膜晶体管的源电极及漏电极中的任一个电极与像素电极连接;以及
辅助电容电极,与上述像素电极之间形成辅助电容,并且配置成至少一部分与上述薄膜晶体管重叠;
上述薄膜晶体管具有半导体层、防蚀刻层和栅电极,该防蚀刻层配置成与上述半导体层接触且由绝缘性材料构成,该栅电极配置成与上述防蚀刻层之间隔着上述半导体层,并且与上述扫描线连接,
上述辅助电容电极中的与上述栅电极重叠的区域的、与上述第1方向正交的第2方向上的长度,比上述栅电极的上述第2方向上的长度短、且比上述防蚀刻层的上述第2方向上的长度长。
14.根据权利要求13所述的液晶显示元件,其特征在于,
上述辅助电容电极配置在比上述薄膜晶体管更接近液晶层一侧。
15.根据权利要求13所述的液晶显示元件,其特征在于,
上述薄膜晶体管是反交错型的薄膜晶体管。
16.根据权利要求13所述的液晶显示元件,其特征在于,
上述栅电极、上述防蚀刻层以及上述辅助电容电极配置成,在与上述薄膜晶体管对应的区域中,相互的边缘间距离在沿着上述第2方向的方向上对称。
17.根据权利要求13所述的液晶显示元件,其特征在于,
上述辅助电容电极是配置在作为上述源电极或者上述漏电极而成膜的导电层与作为上述像素电极而成膜的导电层之间的层。
18.根据权利要求13所述的液晶显示元件,其特征在于,
上述栅电极以及上述辅助电容电极由遮光性的金属构成,
上述防蚀刻层由透光性的材料构成。
19.根据权利要求13所述的液晶显示元件,其特征在于,
上述薄膜晶体管被配置成沟道宽度方向沿着上述第1方向。
20.根据权利要求19所述的液晶显示元件,其特征在于,
上述栅电极作为上述扫描线的一部分而被设置。
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