CN114879394B - 一种显示面板的制造方法及显示面板 - Google Patents
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Abstract
本申请实施例公开了一种显示面板的制造方法及显示面板，显示面板的制造方法包括：在基底上形成薄膜晶体管的阵列结构及各膜层，包括形成薄膜晶体管的源极和漏极；在薄膜晶体管上形成第一无机层；在第一无机层上形成第一有机层；通过刻蚀气体刻蚀第一有机层和第一无机层至少形成第一通孔，第一通孔贯穿第一有机层和第一无机层，其中，刻蚀气体中不包括氧离子；在第一有机层上形成第一金属层，第一金属层图案化至少形成第一电极，第一电极通过第一通孔电连接源极和漏极的其中之一。本申请通过在刻蚀气体中去除氧离子，减小或避免氧离子横向刻蚀第一有机层，在形成第一通孔时，第一有机层的厚度不会减小，从而容易控制形成预设厚度的第一有机层。
Description
技术领域
本申请涉及显示领域，具体涉及一种显示面板的制造方法及显示面板。
背景技术
随着显示技术的发展，显示面板已经广泛用于人们生活中，例如手机、电脑等的显示屏幕。在显示面板的制造过程中，特别是COA(color filter onarray)型液晶显示面板的制造过程中，需要引入PFA(Polymer Film on Array)这样的有机膜层，PFA(后续成为有机平坦层)起到平坦阵列基板、降低寄生电容和提高开口率等的作用。
然而，在有机平坦层中刻蚀形成通孔时，刻蚀的气体会横向刻蚀有机平坦层，使得有机平坦层的厚度降低很多，因此难以控制形成预设厚度的有机平坦层，且有机平坦层被横向刻蚀掉很大厚度，造成了材料浪费，刻蚀时间过长，产能下降。
发明内容
本申请实施例提供了一种显示面板的制造方法及显示面板，可以解决难以控制形成预设厚度的有机平坦层的问题，以及所造成的材料浪费，刻蚀时间过长，产能下降的问题。
本申请实施例提供了一种显示面板的制造方法，包括：
提供一基底；
在所述基底上形成薄膜晶体管的阵列结构及各膜层，包括形成所述薄膜晶体管的源极和漏极；
在所述薄膜晶体管上形成第一无机层；
在所述第一无机层上形成第一有机层；
通过刻蚀气体刻蚀所述第一有机层和所述第一无机层至少形成第一通孔，所述第一通孔贯穿所述第一有机层和所述第一无机层，其中，所述刻蚀气体中不包括氧离子；
在所述第一有机层上形成第一金属层，所述第一金属层图案化至少形成第一电极，所述第一电极通过所述第一通孔电连接所述源极和所述漏极的其中之一。
可选地，在本申请的一些实施例中，通过刻蚀气体刻蚀所述第一有机层和所述第一无机层至少形成第一通孔时，所述刻蚀气体包括氟离子。
可选地，在本申请的一些实施例中，通过刻蚀气体刻蚀所述第一有机层和所述第一无机层至少形成第一通孔之后还包括：等离子处理所述第一有机层的远离所述基底的表面和所述第一通孔，所述等离子处理的等离子体中包括氢离子。
可选地，在本申请的一些实施例中，还包括位于所述在所述薄膜晶体管的阵列结构上形成第一无机层和所述在所述第一无机层上形成第一有机层之间的：在所述第一无机层上形成色阻层；
其中，所述在所述第一无机层上形成第一有机层时，所述第一有机层形成于所述色阻层上；
其中，所述通过刻蚀气体刻蚀所述第一有机层和所述第一无机层至少形成第一通孔时，所述第一通孔还贯穿所述色阻层。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述在所述第一无机层上形成色阻层时包括：形成贯穿所述色阻层的第一开孔，所述第一开孔的直径大于所述第一通孔的直径；
其中，所述第一有机层形成于所述色阻层上时，所述第一有机层还填充于所述第一开孔内；
其中，所述通过刻蚀气体刻蚀所述第一有机层和所述第一无机层至少形成第一通孔时，所述第一通孔还贯穿所述第一有机层位于所述第一开孔内的部分。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述在所述基底上形成薄膜晶体管的阵列结构及各膜层时还包括：形成所述膜晶体管的栅极和与所述栅极同层设置的第三电极，以及位于所述栅极上的栅极绝缘层；
所述在所述第一无机层上形成色阻层时包括：形成贯穿所述色阻层的第二开孔；
其中，所述第一有机层形成于所述色阻层上时，所述第一有机层还填充于所述第二开孔内；
所述通过刻蚀气体刻蚀所述第一有机层和所述第一无机层至少形成第一通孔时还包括：形成第二通孔，所述第二通孔的直径小于所述第二开孔的直径，所述第二通孔贯穿所述栅极绝缘层、所述第一有机层和所述第一有机层位于所述第二开孔内的部分；
所述在所述第一有机层上形成第一金属层，所述第一金属层图案化至少形成第一电极时还包括：形成第二电极，所述第二电极通过所述第二通孔电连接所述第三电极。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述在所述基底上形成薄膜晶体管的阵列结构及各膜层时包括：
在所述基底上形成所述栅极；
在所述栅极上形成所述栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成半导体层；
在所述半导体层上形成源漏金属层，所述源漏金属层包括所述源极和所述漏极。
可选地，在本申请的一些实施例中，所述第一无机层的材料包括氮化硅、氧化硅中至少一种；
所述第一有机层的材料包括光阻。
可选地，在本申请的一些实施例中，还包括：
提供一对侧基板；
在所述第一电极远离所述基底的一侧表面上或所述对侧基板的表面上滴下液晶，并将形成有所述第一电极的所述基底与所述对侧基板对位组立，所述液晶设置于所述基底和所述对侧基板之间。
相应的，本申请实施例还提供了一种显示面板，采用上述任一项所述的显示面板的制造方法制造而成
本申请实施例中，提供了一种显示面板的制造方法及显示面板，一种显示面板的制造方法包括：提供一基底；在基底上形成薄膜晶体管的阵列结构及各膜层，包括形成薄膜晶体管的源极和漏极；在薄膜晶体管上形成第一无机层；在第一无机层上形成第一有机层；通过刻蚀气体刻蚀第一有机层和第一无机层至少形成第一通孔，第一通孔贯穿第一有机层和第一无机层，其中，刻蚀气体中不包括氧离子；在第一有机层上形成第一金属层，第一金属层图案化至少形成第一电极，第一电极通过第一通孔电连接源极和漏极的其中之一。本申请实施例的显示面板的制造方法中，通过在刻蚀气体中去除氧离子，减小或避免现有刻蚀气体中的氧离子横向刻蚀第一有机层，在形成第一通孔时，第一有机层的厚度不会减小或减小很小，从而容易控制形成预设厚度的第一有机层，从而避免所造成的材料浪费，减小了刻蚀时间，提升了产能。
附图说明
为了更清楚地说明本申请实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本申请的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为本申请一实施例提供的一种显示面板的制造方法第一种流程示意图；
图2为本申请一实施例提供的一种显示面板的部分结构的截面结构示意图；
图3为本申请一实施例提供的一种显示面板的制造方法的中间过程示意图；
图4为本申请一实施例提供的一种显示面板的制造方法第二种流程示意图；
图5为本申请一实施例提供的一种显示面板的制造方法第三种流程示意图；
图6为现有技术中刻蚀形成第一通孔的中间过程的示意图。
具体实施方式
下面将结合本申请实施例中的附图，对本申请实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本申请一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本申请中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本申请保护的范围。此外，应当理解的是，此处所描述的具体实施方式仅用于说明和解释本申请，并不用于限制本申请。在本申请中，在未作相反说明的情况下，使用的方位词如“上”和“下”通常是指装置实际使用或工作状态下的上和下，具体为附图中的图面方向；而“内”和“外”则是针对装置的轮廓而言的。
本申请提供了一种显示面板的制造方法，包括：提供一基底；在基底上形成薄膜晶体管的阵列结构及各膜层，包括形成薄膜晶体管的源极和漏极；在薄膜晶体上形成第一无机层；在第一无机层上形成第一有机层；通过刻蚀气体刻蚀第一有机层和第一无机层至少形成第一通孔，第一通孔贯穿第一有机层和第一无机层，其中，刻蚀气体中不包括氧离子；在第一有机层上形成第一金属层，第一金属层图案化至少形成第一电极，第一电极通过第一通孔电连接源极和漏极的其中之一。本申请还提供了一种采用前述显示面板的制造方法制造而成的显示面板。以下分别进行详细说明。需说明的是，以下实施例的描述顺序不作为对实施例优选顺序的限定。
实施例一
请参阅图1至图3，图1为本申请一实施例提供的一种显示面板的制造方法第一种流程示意图；图2为本申请一实施例提供的一种显示面板的部分结构的截面结构示意图，图3为本申请一实施例提供的一种显示面板的制造方法的中间过程示意图。
本申请实施例提供了一种显示面板的制造方法，包括：提供一基底；在基底上形成薄膜晶体管的阵列结构及各膜层，包括形成薄膜晶体管的源极和漏极；在薄膜晶体管上形成第一无机层；在第一无机层上形成第一有机层；通过刻蚀气体刻蚀第一有机层和第一无机层至少形成第一通孔，第一通孔贯穿第一有机层和第一无机层，其中，刻蚀气体中不包括氧离子；在第一有机层上形成第一金属层，第一金属层图案化至少形成第一电极，第一电极通过第一通孔电连接源极和漏极的其中之一。
需要说明的是，为了便于直观、简洁的说明本申请多个实施例的显示面板的制造方法，在一些示意图和说明中将显示面板的制造方法设置步骤并进行编号，但在一些生产步骤和实施例中，显示面板的制造方法可以将设置的步骤和编号进行调整，也可以在一些步骤中设置多个子步骤或增加技术方案。
具体地，如图1所示，显示面板的制造方法包括步骤：S100、S200、S300、S400、S500、S600。
步骤S100：提供一基底。
具体地，提供一基底11，基底11可以玻璃材质，但不限于此。
步骤S200：在基底上形成薄膜晶体管的阵列结构及各膜层，包括形成薄膜晶体管的源极和漏极。
具体地，在基底11上形成薄膜晶体管101的阵列结构及各膜层，包括形成薄膜晶体管101的源极151和漏极152。
具体地，薄膜晶体管101在基底11上阵列排布，薄膜晶体管101的结构在后续详细介绍。
步骤S300：在薄膜晶体管上形成第一无机层。
具体地，在薄膜晶体管101的上形成第一无机层16。
步骤S400：在第一无机层上形成第一有机层。
具体地，在第一无机层16上形成第一有机层18。
具体地，第一有机层18可以为有机材料的平坦层，第一有机层18可以为PFA。
步骤S500：通过刻蚀气体刻蚀第一有机层和第一无机层至少形成第一通孔，第一通孔贯穿第一有机层和第一无机层，其中，刻蚀气体中不包括氧离子。
具体地，请结合图3，通过刻蚀气体刻蚀第一有机层18和第一无机层16至少形成第一通孔181，第一通孔181贯穿第一有机层18和第一无机层16，其中，刻蚀气体中不包括氧离子。
具体地，刻蚀气体中可以不包括氧气，避免产生氧离子。
步骤S600：在第一有机层上形成第一金属层，第一金属层图案化至少形成第一电极，第一电极通过第一通孔电连接源极和漏极的其中之一。
具体地，请结合图2，在第一有机层18上形成第一金属层19，第一金属层19图案化至少形成第一电极191，第一电极191通过第一通孔181电连接源极151和漏极152的其中之一。
具体地，第一电极191可以为像素电极，第一电极191通过第一通孔181电连接源极151和漏极152的其中之一，薄膜晶体管101提供给第一电极191以电信号。
具体地，如图3所示，图3中第一虚线183表示在进行刻蚀前的第一有机层18的厚度或边界，图3中第一有机层18的实线边界184表示刻蚀后的第一有机层的边界，从图3中可以看出，通过在刻蚀气体中去除氧离子，刻蚀后的第一有机层18的厚度减小很小或没有减小。
在本实施例中，在显示面板的制造方法中，通过在刻蚀气体中去除氧离子，减小或避免现有刻蚀气体中的氧离子横向(横向表示平行于第一有机层表面的方向)刻蚀第一有机层18，在形成第一通孔181时，第一有机层18的厚度不会减小或减小很小，从而容易控制形成预设厚度的第一有机层18，从而避免所造成的材料浪费，减小了刻蚀时间，提升了产能。
此外，在刻蚀过程中第一有机层18的厚度不会减小或减小很小，因此第一有机层18的涂布厚度可以减小，减小了第一有机层18的材料用量，降低了材料的浪费；同时，减小了横向刻蚀(横向表示平行于第一有机层表面的方向)，可以避免第一无机层的底切结构出现，提升了良率。
实施例二
本实施例与上述实施例相同或相似，不同之处进一步描述了显示面板的制造方法的特征。
请参阅图4，图4为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法第二种流程示意图。
在一些实施例中，通过刻蚀气体刻蚀第一有机层和第一无机层至少形成第一通孔时，刻蚀气体包括氟离子。
具体地，在步骤S500中，通过刻蚀气体刻蚀第一有机层18和第一无机层16至少形成第一通孔181时，刻蚀气体包括氟离子。
具体地，刻蚀气体中含有氟离子，刻蚀气体可以包括三氟化氮(NF3)、四氟化碳(CF4)等。
具体地，刻蚀气体中含有氟离子，可以同时纵向(垂直于基底11的方向)刻蚀第一有机层18和第一无机层16，以形成第一通孔181，第一通孔181可以通过一道刻蚀工艺形成。
在一些实施例中，通过刻蚀气体刻蚀第一有机层和第一无机层至少形成第一通孔之后还包括：等离子处理第一有机层的远离基底的表面和第一通孔，等离子处理的等离子体中包括氢离子。
具体地，在步骤S600之后还包括步骤S700。
步骤S700：等离子处理第一有机层的远离基底的表面和第一通孔，等离子处理的等离子体中包括氢离子。
具体地，通过刻蚀气体刻蚀第一有机层18和第一无机层16至少形成第一通孔181之后还包括：等离子处理第一有机层18的远离基底11的表面和第一通孔181，等离子处理的等离子体中包括氢离子。
具体地，刻蚀气体中含有氟离子，去除了氧离子，刻蚀气体中的氟离子的浓度非常高，刻蚀完第一有机层18和第一无机层16后，第一通孔181中可能含有氟离子残留，残留的氟离子会影响后续制程，等离子处理的等离子体中包括氢离子，等离子处理可以去除第一通孔181中可能含有的氟离子残留，从而避免影响后续制程。
在本实施例中，在显示面板的制造方法中，通过等离子处理可以去除第一通孔181中可能含有的氟离子残留，从而避免影响后续制程。
实施例三
本实施例与上述实施例相同或相似，不同之处进一步描述了显示面板的制造方法的特征。
请参阅图5，图5为本申请实施例提供的一种显示面板的制造方法第三种流程示意图。
在一些实施例中，还包括位于在薄膜晶体管的阵列结构上形成第一无机层和在第一无机层上形成第一有机层之间的：在第一无机层上形成色阻层；其中，在第一无机层上形成第一有机层时，第一有机层形成于色阻层上；其中，通过刻蚀气体刻蚀第一有机层和第一无机层至少形成第一通孔时，第一通孔还贯穿色阻层。
具体地，请结合图1至图3、图5，在步骤S300和步骤S400之间还包括步骤S34。
步骤S34：在第一无机层上形成色阻层。
具体地，在第一无机层16上形成色阻层17，色阻层17可以包括第一颜色色阻、第二颜色色阻和第三颜色色阻，第一颜色色阻、第二颜色色阻和第三颜色色阻可以分别为红色色阻、绿色色阻和蓝色色阻。
具体地，在步骤S400中，在第一无机层16上形成第一有机层18时，第一有机层18形成于色阻层17上；在步骤S500中，其中，通过刻蚀气体刻蚀第一有机层18和第一无机层16至少形成第一通孔181时，第一通孔181还贯穿色阻层17。
具体地，第一通孔181依次贯穿第一有机层18、色阻层17和第一无机层16，使得第一电极191通过第一通孔181电连接薄膜晶体管101。
在一些实施例中，在第一无机层上形成色阻层时包括：形成至少贯穿色阻层的第一开孔，第一开孔的直径大于第一通孔的直径；其中，第一有机层形成于色阻层上时，第一有机层还填充于第一开孔内；其中，通过刻蚀气体刻蚀第一有机层和第一无机层至少形成第一通孔时，第一通孔还贯穿第一有机层位于第一开孔内的部分。
具体地，在步骤S34中，形成色阻层17时，形成贯穿色阻层的第一开孔171，第一开孔171的直径大于第一通孔181的直径。
具体地，第一开孔171位于色阻层17内。
具体地，其中，第一有机层18形成于色阻层17上时，第一有机层18还填充于第一开孔171内；其中，通过刻蚀气体刻蚀第一有机层18和第一无机层16至少形成第一通孔181时，第一通孔181还贯穿第一有机层18位于第一开孔171内的部分。
在本实施例中，色阻层17包括第一开孔171，第一有机层18还填充于第一开孔内171，第一通孔181不需要与色阻层17直接接触，在形成第一通孔181时，不需要再刻蚀色阻层17，简化了刻蚀气体地成份，便于第一通孔181形成，同时具有上述实施例中的有益效果。
实施例四
本实施例与上述实施例相同或相似，不同之处进一步描述了显示面板的制造方法的特征。
在一些实施例中，在基底上形成薄膜晶体管的阵列结构及各膜层时还包括：形成膜晶体管的栅极和与栅极同层设置的第三电极，以及位于栅极上的栅极绝缘层；在第一无机层上形成色阻层时包括：形成至少贯穿色阻层的第二开孔；其中，第一有机层形成于色阻层上时，第一有机层还填充于第二开孔内；通过刻蚀气体刻蚀第一有机层和第一无机层至少形成第一通孔时还包括：形成第二通孔，第二通孔的直径小于第二开孔的直径，第二通孔贯穿栅极绝缘层、第一有机层和第一有机层位于第二开孔内的部分；在第一有机层上形成第一金属层，第一金属层图案化至少形成第一电极时还包括：形成第二电极，第二电极通过第二通孔电连接第三电极。
具体地，请同时参阅图2，在步骤S200中，在基底11上形成薄膜晶体管101的阵列结构及各膜层时还包括：形成膜晶体管101的栅极121和与栅极121同层设置的第三电极122，以及位于栅极121上的栅极绝缘层13。
具体地，在步骤S34中，在第一无机层16上形成色阻层17时包括：形成至少贯穿色阻层17的第二开孔172。
具体地，在步骤S400中，其中，第一有机层18形成于色阻层17上时，第一有机层18还填充于第二开孔172内；在步骤S500中，通过刻蚀气体刻蚀第一有机层18和第一无机层16至少形成第一通孔181时还包括：形成第二通孔182，第二通孔182的直径小于第二开孔172的直径，第二通孔182贯穿栅极绝缘层13、第一无机层16、第一有机层18和第一有机层18位于第二开孔172内的部分，第二通孔182可以通过一道刻蚀工艺形成。
具体地，在步骤S600中，在第一有机层18上形成第一金属层19，第一金属层19图案化至少形成第一电极191时还包括：形成第二电极192，第二电极192通过第二通孔182电连接第三电极122。
具体地，第三电极122可以为桥接电极、阵列基板侧的公共电极、阵列基板侧的公共走线中任一种，第三电极122还可以为其他电极或起到其他作用。
具体地，第二电极192可以为桥接电极、阵列基板侧的公共电极、数据线的屏蔽电极，第二电极192还可以为其他电极或起到其他作用。
在本实施例中，色阻层17包括第二开孔172，第一有机层18还填充于第二开孔172内，第二通孔182不需要与色阻层17直接接触，在形成第二通孔182时，不需要再刻蚀色阻层17，简化了刻蚀气体地成份，便于第二通孔182形成，同时具有上述实施例中的有益效果。
进一步地，请结合图3，在步骤S500，第一通孔181和第二通孔182同时形成。
实施例五
本实施例与上述实施例相同或相似，不同之处进一步描述了显示面板的制造方法的特征。
在一些实施例中，在基底上形成薄膜晶体管的阵列结构及各膜层时包括：在基底上形成栅极；在栅极上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成半导体层；在半导体层上形成源漏金属层，源漏金属层包括源极和漏极。
具体地，请结合图1和图2所示，在步骤S200中，步骤S200包括：S210，在基底11上形成栅极121；在栅极121上形成栅极绝缘层13；在栅极绝缘层13上形成半导体层14；在半导体层14上形成源漏金属层15，源漏金属层15包括源极151和漏极152。
具体地，在一些实施情况中，在基底11上形成栅极金属层12，栅极金属层12图案化形成栅极121，或栅极金属层12图案化形成栅极121和第三电极122。
在一些实施例中，第一无机层16的材料包括氮化硅、氧化硅中至少一种；第一有机层18的材料包括光阻。
具体地，在一些实施情况中，显示面板的制造方法还包括：提供一对侧基板；在第一电极191远离基底11的一侧表面上或对侧基板的表面上滴下液晶，并将形成有第一电极191的基底11与对侧基板对位组立，液晶设置于基底11和对侧基板之间。
需要说明的是，图2中示意了显示面板100的阵列基板的结构，图2中阵列基板的结构依次为：基底11、栅极金属层12、栅极绝缘层13、半导体层14、源漏金属层15、第一无机层16、色阻层17、第一有机层18、第一金属层19。第一金属层19可以氧化铟锡(ITO)。
需要说明的是，图6为现有技术中刻蚀形成第一通孔181的中间过程示意图，图6中第一虚线183表示在进行刻蚀前的第一有机层18的厚度或边界，图6中第一有机层18的实线边界184表示刻蚀后的第一有机层的边界，对比图3和图6，可以看出，本申请中第一有机层18经过刻蚀厚度减小第一厚度值d1，现有技术中第一有机层18经过刻蚀厚度减小第二厚度值d2，第一厚度值d1小于第二厚度值d2，在本申请的各个实施例中通过在刻蚀气体中去除氧离子，刻蚀后的第一有机层18的厚度减小很小或没有减小。因此在本申请的显示面板的制造方法中，通过在刻蚀气体中去除氧离子，减小或避免现有刻蚀气体中的氧离子横向刻蚀第一有机层18，在形成第一通孔181时，第一有机层18的厚度不会减小或减小很小，从而容易控制形成预设厚度的第一有机层，且避免所造成的材料浪费，减小了刻蚀时间，提升了产能。
实施例六
本实施例提供了一种显示面板100，显示面板100采用上述实施例中的任意一项的显示面板的制造方法制造而成。
具体地，对侧基板可以为上基板，包括基底11和第一电极191的电极为下基板，显示面板还可以包括背光，下基板设置于背光上，上基板设置下基板上，背光为显示面板提供光源，显示面板的结构不限于此。
以上对本申请实施例所提供的一种显示面板的制造方法及显示面板进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本申请的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本申请的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本申请的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本申请的限制。
Claims (10)
1.一种显示面板的制造方法，其特征在于，包括：
提供一基底；
在所述基底上形成薄膜晶体管的阵列结构及各膜层，包括形成所述薄膜晶体管的源极和漏极；
在所述薄膜晶体管上形成第一无机层；
在所述第一无机层上形成第一有机层；
通过刻蚀气体刻蚀所述第一有机层和所述第一无机层至少形成第一通孔，所述第一通孔贯穿所述第一有机层和所述第一无机层，其中，所述刻蚀气体中不包括氧离子，从而控制形成预设厚度的所述第一有机层；
在所述第一有机层上形成第一金属层，所述第一金属层图案化至少形成第一电极，所述第一电极通过所述第一通孔电连接所述源极和所述漏极的其中之一。
2.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其特征在于，通过刻蚀气体刻蚀所述第一有机层和所述第一无机层至少形成第一通孔时，所述刻蚀气体包括氟离子。
3.如权利要求2所述的显示面板的制造方法，其特征在于，通过刻蚀气体刻蚀所述第一有机层和所述第一无机层至少形成第一通孔之后还包括：等离子处理所述第一有机层的远离所述基底的表面和所述第一通孔，所述等离子处理的等离子体中包括氢离子。
4.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其特征在于，还包括位于所述在所述薄膜晶体管的阵列结构上形成第一无机层和所述在所述第一无机层上形成第一有机层之间的：在所述第一无机层上形成色阻层；
其中，所述在所述第一无机层上形成第一有机层时，所述第一有机层形成于所述色阻层上；
其中，所述通过刻蚀气体刻蚀所述第一有机层和所述第一无机层至少形成第一通孔时，所述第一通孔还贯穿所述色阻层。
5.如权利要求4所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述在所述第一无机层上形成色阻层时包括：形成贯穿所述色阻层的第一开孔，所述第一开孔的直径大于所述第一通孔的直径；
其中，所述第一有机层形成于所述色阻层上时，所述第一有机层还填充于所述第一开孔内；
其中，所述通过刻蚀气体刻蚀所述第一有机层和所述第一无机层至少形成第一通孔时，所述第一通孔还贯穿所述第一有机层位于所述第一开孔内的部分。
6.如权利要求5所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述在所述基底上形成薄膜晶体管的阵列结构及各膜层时还包括：形成所述膜晶体管的栅极和与所述栅极同层设置的第三电极，以及位于所述栅极上的栅极绝缘层；
所述在所述第一无机层上形成色阻层时包括：形成贯穿所述色阻层的第二开孔；
其中，所述第一有机层形成于所述色阻层上时，所述第一有机层还填充于所述第二开孔内；
所述通过刻蚀气体刻蚀所述第一有机层和所述第一无机层至少形成第一通孔时还包括：形成第二通孔，所述第二通孔的直径小于所述第二开孔的直径，所述第二通孔贯穿所述栅极绝缘层、所述第一有机层和所述第一有机层位于所述第二开孔内的部分；
所述在所述第一有机层上形成第一金属层，所述第一金属层图案化至少形成第一电极时还包括：形成第二电极，所述第二电极通过所述第二通孔电连接所述第三电极。
7.如权利要求6中所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述在所述基底上形成薄膜晶体管的阵列结构及各膜层时包括：
在所述基底上形成所述栅极；
在所述栅极上形成所述栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上形成半导体层；
在所述半导体层上形成源漏金属层，所述源漏金属层包括所述源极和所述漏极。
8.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其特征在于，所述第一无机层的材料包括氮化硅、氧化硅中至少一种；
所述第一有机层的材料包括光阻。
9.如权利要求8所述的显示面板的制造方法，其特征在于，还包括：
提供一对侧基板；
在所述第一电极远离所述基底的一侧表面上或所述对侧基板的表面上滴下液晶，并将形成有所述第一电极的所述基底与所述对侧基板对位组立，所述液晶设置于所述基底和所述对侧基板之间。
10.一种显示面板，其特征在于，采用如权利要求1至9中任一项所述的显示面板的制造方法制造而成。
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