CN104865761B - 显示面板及显示装置 - Google Patents

显示面板及显示装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104865761B
CN104865761B CN201410064232.3A CN201410064232A CN104865761B CN 104865761 B CN104865761 B CN 104865761B CN 201410064232 A CN201410064232 A CN 201410064232A CN 104865761 B CN104865761 B CN 104865761B
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
hole
sublayer
film transistor
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410064232.3A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104865761A (zh
Inventor
李冠锋
王惠洁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Innolux Corp
Original Assignee
Innolux Display Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Innolux Display Corp filed Critical Innolux Display Corp
Priority to CN201810457553.8A priority Critical patent/CN108663862B/zh
Priority to CN201410064232.3A priority patent/CN104865761B/zh
Publication of CN104865761A publication Critical patent/CN104865761A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104865761B publication Critical patent/CN104865761B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136227—Through-hole connection of the pixel electrode to the active element through an insulation layer
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/1368—Active matrix addressed cells in which the switching element is a three-electrode device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nonlinear Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mathematical Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)

Abstract

本发明提供一显示面板及显示装置，显示面板包括一薄膜晶体管基板、一对向基板以及一显示层。薄膜晶体管基板的一薄膜晶体管设置具有一漏极。一第一绝缘层具有一第一子层及一第二子层依序设置于漏极上，第一子层具有一第一宽度的一第一开口，第二子层于第一开口上具有一第二宽度的一第二开口，第一开口与第二开口形成一第一通孔，且第二宽度大于第一宽度。一平坦化层设置于第一绝缘层上。一第二绝缘层设置于平坦化层上。一像素电极层设置于第二绝缘层上，并填入第一通孔而连接漏极。对向基板与薄膜晶体管基板相对设置。显示层设置于薄膜晶体管基板与对向基板之间。本发明的显示面板及显示装置不仅具有稳定的薄膜晶体管效能，也具有稳定的显示品质。

Description

显示面板及显示装置
技术领域
本发明关于一种显示面板及具备该显示面板的显示装置。
背景技术
随着科技的进步，平面显示装置已经广泛地被运用在各种领域，尤其是液晶显示装置，因具有体型轻薄、低功率消耗及无辐射等优越特性，已经渐渐地取代传统阴极射线管显示装置，而应用至许多种类的电子产品中，例如移动电话、可携式多媒体装置、笔记本电脑、液晶电视及液晶屏幕等等。
现有一种液晶显示装置包含一薄膜晶体管基板，薄膜晶体管基板具有一薄膜晶体管及一像素电极设置于一基板上。于工艺中，需于薄膜晶体管的漏极的上方以刻蚀方式设置一通孔，并将一透明导电层经由该通孔内壁，以将薄膜晶体管的漏极与像素电极电连接。另外，薄膜晶体管的栅极与一扫描线电连接，而薄膜晶体管的源极与一数据线电连接。当扫描线将一扫描信号输入薄膜晶体管的栅极时，可通过控制薄膜晶体管而将数据线的数据电压经由源极、漏极及透明导电层而输入像素电极，借此可控制液晶的转向而显示影像。
另外，现有的多晶硅薄膜晶体管具有约100cm2/Vs左右的迁移率，但其必须于450℃以上的温度下进行制造，因而仅能形成于高耐热性的基板上，而不适合应用于大面积或可挠性的基板。此外，现有的非晶硅薄膜晶体管虽然能以较低的温度，约300℃，进行制造，但由于此种非晶硅薄膜晶体管仅具有约1cm2/Vs左右的迁移率，因而无法适用于高精细度的面板。对此，有业者提出以金属氧化物半导体，例如是氧化铟镓锌（indium gallium zincoxide,IGZO），作为薄膜晶体管的通道层。
虽然，氧化铟镓锌薄膜晶体管具有优于非晶硅薄膜晶体管的迁移率的优点，且其在工艺上也较多晶硅薄膜晶体管的工艺简单，但是氧化铟镓锌对于光、水及氧气皆十分的敏感。
为了保护薄膜晶体管的通道层，现有技术是于金属氧化物半导体的通道层上设置一层保护层（材料例如为二氧化硅）来保护通道层。如图1A所示，其为于金属氧化物半导体通道层上设置一层保护层后，薄膜晶体管的电特性曲线示意图。虽然已设置一层保护层来保护通道层，然而，在经过一段时间之后（或经一热处理之后），如图1B所示，薄膜晶体管的特性曲线仍会偏离原来图1A的曲线，使得薄膜晶体管的效能降低，进而影响显示面板及显示装置的显示品质。
因此，如何提供一种显示面板及显示装置，可具有稳定的薄膜晶体管效能而使显示面板及显示装置具有稳定的显示品质，并已成为重要课题之一。
发明内容
有鉴于上述课题，本发明的目的为提供一种可具有稳定的薄膜晶体管效能而使显示面板及显示装置具有稳定的显示品质的显示面板及显示装置。
本发明的技术方案是：提供一种显示面板，其包括一薄膜晶体管基板、一对向基板以及一显示层。薄膜晶体管基板具有一基板、一薄膜晶体管、一第一绝缘层、一平坦化层、一第二绝缘层及一像素电极层。薄膜晶体管设置于基板上，并具有一漏极。第一绝缘层具有一第一子层及一第二子层依序设置于该漏极上，该第一子层具有一第一宽度的一第一开口，该第二子层于该第一开口上具有一第二宽度的一第二开口，第一开口与第二开口形成一第一通孔，且第二宽度大于第一宽度。平坦化层设置于第一绝缘层上。第二绝缘层设置于平坦化层上。像素电极层设置于第二绝缘层上，并填入第一通孔而连接漏极。对向基板与薄膜晶体管基板相对设置。显示层设置于薄膜晶体管基板与对向基板之间。
本发明还提供一种显示装置，其包括一薄膜晶体管基板、一对向基板、一显示层以及一背光模块。薄膜晶体管基板具有一基板、一薄膜晶体管、一第一绝缘层、一平坦化层、一第二绝缘层及一像素电极层，薄膜晶体管设置于基板上，并具有一漏极，第一绝缘层具有一第一子层及一第二子层依序设置于漏极上，第一子层具有一第一宽度的一第一开口，第二子层于第一开口上具有一第二宽度的一第二开口，第一开口与第二开口形成一第一通孔，且第二宽度大于第一宽度，平坦化层设置于第一绝缘层上，第二绝缘层设置于平坦化层上，像素电极层设置于第二绝缘层上，并填入第一通孔而连接漏极。对向基板与薄膜晶体管基板相对设置。显示层设置于薄膜晶体管基板与对向基板之间。背光模块设置于薄膜晶体管基板相对于对向基板的另一侧。
承上所述，因依据本发明的显示面板及显示装置中，薄膜晶体管基板的第一绝缘层具有一第一子层及一第二子层，且第一子层与第二子层依序设置于薄膜晶体管的漏极上。其中，第一子层具有第一宽度的第一开口，第二子层于第一开口上具有第二宽度的第二开口，而第一开口与第二开口可形成第一通孔，且第二宽度可大于第一宽度。另外，薄膜晶体管基板的像素电极层设置于第二绝缘层上，并填入第一通孔而连接漏极。借此，与现有技术相比较，通过第一子层及第二子层依序设置于薄膜晶体管的漏极上，使得一段时间之后的薄膜晶体管的效能仍然可维持稳定，进而不会影响到显示面板及显示装置的显示品质。
另外，在本发明一实施例中，由于第一开口与第二开口所形成的第一通孔与平坦化层的第二通孔在薄膜晶体管基板的基板上的投影是相互重叠，且重叠处的面积可介于4至49平方微米之间。借此，在现有技术中，于较大通孔内刻蚀另一通孔的技术而言，第一通孔与第二通孔的重叠处的面积可较现有技术的通孔面积小，而且不会有于大通孔内对位另一通孔的对位问题。另外，也由于重叠处的面积较现有技术的通孔面积小，故于扫描线上设置黑色矩阵层时，其相对的覆盖宽度也可以较现有小，故也可提高显示面板及显示装置的像素开口率。
附图说明
图1A为现有的一种薄膜晶体管基板中，于薄膜晶体管的通道层上设置一层保护层时，薄膜晶体管的电特性曲线示意图。
图1B为图1A的薄膜晶体管基板中，一段时间后的薄膜晶体管的电特性曲线示意图。
图2A为本发明的一种薄膜晶体管基板的俯视示意图。
图2B为图2A的区域C的放大示意图。
图2C为图2B的剖面线B-B剖视示意图。
图2D为图2C的局部放大示意图。
图2E为另一实施例的薄膜晶体管基板的剖视示意图。
图3A至图3D绘示图2C的通孔的制造方法示意图。
图4为数据线及扫描线与重叠处的相对示意图。
图5A为本发明较佳实施例的薄膜晶体管基板中，于薄膜晶体管的通道层上设置第一子层及第二子层时，薄膜晶体管的电特性曲线示意图。
图5B为图5A的薄膜晶体管基板中，一段时间后的薄膜晶体管的电特性曲线示意图。
图6为本发明较佳实施例的一种显示面板的剖视示意图。
图7为本发明较佳实施例的一种显示装置的剖视示意图。
主要元件标号说明
1、1a：薄膜晶体管基板 11：栅极介电层
12：通道层 13：第一绝缘层
131：第一子层 132：第二子层
14：平坦化层 15：第二绝缘层
16：像素电极层 18：共同电极层
2：显示面板 3：显示装置
A：配向膜 B：背光模块
B-B：剖面线 BM：黑色矩阵层
C：区域 D：漏极
E：电极层 ES：刻蚀终止层
F：彩色滤光片 G：栅极
L：显示层 O：重叠处
O1：第一开口 O2：第二开口
P1：第一侧壁 P2：第二侧壁
S：源极 S1：基板
S2：对向基板 T：薄膜晶体管
U：凹部 V1：第一通孔
V2：第二通孔 w1：第一宽度
w2：第二宽度 w3：距离
具体实施方式
以下将参照相关图式，说明依本发明较佳实施例的显示面板及显示装置，其中相同的元件将以相同的参照符号加以说明。
本发明较佳实施例的显示面板为一主动矩阵式（active matrix）液晶显示面板，并包括一薄膜晶体管基板1，以下，先详细介绍薄膜晶体管基板1的结构。
请参照图2A至图2D所示，其中，图2A为薄膜晶体管基板1的俯视示意图，图2B为图2A的区域C的放大示意图，图2C为图2B的剖面线B-B剖视示意图，而图2D为图2C的局部放大示意图。需特别注意的是，为了方便说明，图2A至图2D所显示的各元件的高度及宽度的尺寸关系（比例）仅为示意，并不代表实际的尺寸关系。
如图2A所示，薄膜晶体管基板1可具有多条扫描线、多条数据线及多个像素（图2A只绘出二条扫描线及四条数据线）。其中，这些扫描线及这些数据线可呈交错设置以形成这些像素阵列。当这些扫描线接收一扫描信号时可分别使这些扫描线导通，并将对应每一行像素的一数据信号通过这些数据线传送至这些像素，使显示面板可显示画面。于图2A中，显示的数据线是分别呈一剖面线，不过，在其它的布局中，数据线也可分别呈一直线或其它形状。另外，薄膜晶体管基板1还可具有一黑色矩阵层BM，黑色矩阵层BM设置于扫描线之上，用以遮蔽扫描线的区域，并防止像素的漏光。当然，黑色矩阵层BM也可以设置于液晶显示面板的一对向基板上。于此是以黑色矩阵层BM设置于薄膜晶体管基板1为例。
如图2C所示，薄膜晶体管基板1具有一基板S1、一薄膜晶体管T、一第一绝缘层13（图2D所示）、一平坦化层14、一第二绝缘层15、一像素电极层16及一共同电极层18。
薄膜晶体管T设置于基板S1上。在实施上，基板S1可为一可透光的材质，用于穿透式显示装置，例如是玻璃、石英或类似物、塑料、橡胶、玻璃纤维或其他高分子材料，较佳的可为一硼酸盐无碱玻璃基板（alumino silicate glass substrate）。基板S1亦可为一不透光的材质，用于自发光或反射式显示装置，例如是金属-玻璃纤维复合板、金属-陶瓷复合板。
本实施例的薄膜晶体管T具有一栅极G、一栅极介电层11、一通道层12、一源极S及一漏极D。栅极G设置于基板S1上，且栅极G的材质可为金属（例如为铝、铜、银、钼、或钛）或其合金所构成的单层或多层结构。部分用以传输驱动信号的导线，可以使用与栅极G同层且同一工艺的结构，彼此电性相连，例如扫描线。栅极介电层11设置于栅极G上，且栅极介电层11可为有机材质例如为有机硅氧化合物，或无机材质例如为氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝、氧化铪、或上述材质的多层结构。栅极介电层11需完整覆盖栅极G，并可选择部分或全部覆盖基板S1。
通道层12相对栅极G位置设置于栅极介电层11上。在实施上，通道层12例如可包含一氧化物半导体。其中，前述的氧化物半导体包括氧化物，且氧化物包括铟、镓、锌及锡或其中之一，例如为氧化铟镓锌（Indium Gallium Zinc Oxide,IGZO）。
源极S与漏极D分别设置于通道层12上，且源极S和漏极D分别与通道层12接触，于薄膜晶体管T的通道层12未导通时，两者电性分离。其中，源极S与漏极D的材质可为金属（例如铝、铜、银、钼、或钛）或其合金所构成的单层或多层结构。此外，部分用以传输驱动信号的导线，可以使用与源极S与漏极D同层且同一工艺的结构，例如数据线。
值得一提的是，本实施例的薄膜晶体管T的源极S与漏极D是设置于一刻蚀终止（etch stop）层ES上，且源极S与漏极D的一端可分别自刻蚀终止层ES的开口与通道层12接触。其中，刻蚀终止层ES可为有机材质例如为有机硅氧化合物，或单层无机材质例如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝、氧化铪、或上述材质组合的多层结构，并不限定。不过，在其他的实施例中，如图2E所示，也可将源极S与漏极D直接设置于通道层12上，而不需刻蚀终止层ES。
另外，请再参照图2B至图2D所示，第一绝缘层13具有一第一子层131及一第二子层132，第一子层131及第二子层132依序设置于漏极D上，并至少覆盖部分漏极D。于此，第一子层131设置于漏极D上，并具有一第一宽度w1的一第一开口O1，而第二子层132具有一第二宽度w2的一第二开口O2位于第一开口O1上。其中，第一开口O1与第二开口O2可形成一第一通孔V1，且第二宽度w2大于第一宽度w1。换言之，由于第二子层132的第二开口O2大于第一子层131的第一开口O1，使得第一绝缘层13（第一子层131及第二子层132）的第一通孔V1为一阶梯状。
第一子层131及第二子层132可使用沉积率例如小于/秒的厚度来形成。其中，第一子层131的材料可包含氧化硅（SiOx）或氮化硅（SiNx）。本实施例是以二氧化硅（SiO2）为例，而其厚度可介于1000埃（）至3000埃之间（≦厚度≦），较佳者例如为。另外，第二子层132的材料可包含氮化硅或氧化铝（AlxOx）。本实施例是以氮化硅为例，且其厚度可介于至之间（≦厚度≦）。其中，第二子层132的较佳厚度为至之间。
于实际中，可以刻蚀工艺于第一子层131与第二子层132分别刻蚀出开口O1、O2，由于第二子层132（氮化硅）被刻蚀掉较多，而第一子层131（氧化硅）被刻蚀掉较少，故可使第一通孔V1呈现阶梯状。另外，于本实施例中，第一子层131具有一斜面，且第二子层132亦具有一斜面。另外，本实施例的第一子层131的第一宽度w1为第一开口O1中宽度最小者，且第二子层132的第二宽度w2亦为第二开口O2中宽度最小者。此外，第一子层131的一侧边缘与第二子层132的同一侧边缘的距离w3可例如为0.1微米（μm）至0.5微米之间（0.1μm≦距离w3≦0.5μm）。
平坦化层14设置于第一绝缘层13上，并于漏极D的上具有一第二通孔V2，且第一通孔V1与第二通孔V2的尺寸可为相同或不相同，并不加以限制。于此，第一通孔V1及第二通孔V2的俯视形状分别以四方形为例。其中，第一通孔V1与第二通孔V2是部分重叠并形成一重叠处O，也就是说，第一开口O1与第二开口O2所形成的第一通孔V1与平坦化层14的第二通孔V2在薄膜晶体管基板1的基板S1上的投影至少部分为相互重叠，且重叠处O的面积可介于4至49平方微米之间。
另外，第一通孔V1与第二通孔V2的重叠处O的面积与第一通孔V1的面积比例可介于0.14～0.78之间，而第一通孔V1与第二通孔V2的重叠处O的面积与第二通孔V2的面积比例亦可介于0.14～0.78之间，于此，面积可以剖面面积或投影的面积来作说明，例如该重叠处O的面积为9平方微米，第一通孔V1的面积为36平方微米。相较于现有于较大通孔内刻蚀另一通孔的技术而言，第一通孔V1与第二通孔V2重叠处O的面积较现有技术的通孔面积小，且不会有于大通孔内对位另一通孔的对位问题。另外，也由于重叠处O的面积较现有技术的通孔面积小，故于扫描线上设置黑色矩阵层BM时，其相对的覆盖宽度也可以较现有小，故可提高显示面板的像素开口率。特别注意的是，第一通孔V1与第二通孔V2的重叠处O的尺寸介于2至8微米之间，以利于后续的工艺。
以下，请参照图3A至图3D所示，于此，先说明图2C的通孔的制造方法。
首先，如图3A所示，依序在源极S与漏极D上沉积第一绝缘层13及平坦化层14。其中，第一绝缘层13具有一第一子层131及一第二子层132。
接着，如图3B所示，以一光罩（未绘示）进行微影刻蚀工艺，在平坦化层14上形成第二通孔V2，并暴露第一绝缘层13。
再来，如图3C所示，形成第二绝缘层15覆盖第一绝缘层13及平坦化层14。
然后，如图3D所示，以一光罩对第二绝缘层15及第一绝缘层13进行微影刻蚀工艺，形成第一通孔V1以暴露漏极D。
第一通孔V1与第二通孔V2的形状可例如分别包含多边形、圆形椭圆形或不规则形。第一通孔V1与第二通孔V2的重叠情况较佳者为第一通孔V1与第二通孔V2均为矩形，且第一通孔V1与第二通孔V2的重叠处O在中央部位。如此一来，较不会有现有的大通孔内对位小通孔的问题，进而不会影响后续工艺中，透明导电层的电性导通（若对位不佳，可能会影响透明导电层的设置，进而影响漏极及像素电极的电性连接）。
请再参照图2C所示，第二绝缘层15设置于平坦化层14上，而像素电极层16设置于第二绝缘层15上，于此，像素电极层16是呈梳状。另外，像素电极层16填入第一开口O1与第二开口O2所形成的第一通孔V1与第二通孔V2内，并可经由第一通孔V1及第二通孔V2的重叠处O而电连接漏极D。其中，像素电极层16的材质例如可为铟锡氧化物（ITO）、铟锌氧化物（IZO）、铝锌氧化物（AZO）、镉锡氧化物（CTO）、氧化锡（SnO2）、或氧化锌（ZnO）等透明导电材料。
特别一提的是，于现有技术刻蚀绝缘层时，通孔的侧壁容易产生直角或倒角而有断差存在，故于通孔内设置透明导电层时，将容易产生断线情况而影响良率。但第一通孔V1与第二通孔V2的重叠处O的第一侧壁P1中，填入重叠处O的像素电极层16的其中一部分位于第一侧壁P1，且与平坦化层14直接接触（如图2C的通孔的右侧壁所示）。另外，本实施例的第一通孔V1与第二通孔V2的重叠处O的第二侧壁P2中，填入重叠处O的第二绝缘层15的其中一部分位于第二侧壁P2且与平坦化层14直接接触（如图2C的通孔的左侧壁所示），第二侧壁P2的第二绝缘层15可使位于平坦化层14的上下的绝缘层（第二子层132与第二绝缘层15）连接起来，故断差可能产生的数量相对于现有技术少，且一般平坦层15刻蚀后较为平缓，此两种侧壁不同的层迭关系，使得设置像素电极层16时，其断线的机率也相对较小，间接可提高工艺的良率。
此外，共同电极层18设置于平坦化层14与第二绝缘层15之间。再一提的是，在其它的实施例中，如图4所示，由于第一通孔V1与第二通孔V2的重叠处O的面积较现有技术的通孔小，故扫描线于邻近数据线的相交处可具有一凹部U（凹部U的扫描线被挖空），且凹部U可对应设置于第一通孔V1与第二通孔V2的重叠处O（图4只显示第一通孔V1与第二通孔V2的重叠处O的部分，并未显示第一通孔V1与第二通孔V2的俯视形状）。如上所述，由于第一通孔V1与第二通孔V2的重叠处O的面积较现有技术的通孔小，所以扫描线上凹部U不会太大而使扫描线产生断线，而只会造成具有凹部U处的扫描线的线宽较小，故可借此降低扫描线与数据线之间的耦合电容。
请参照图5A及图5B所示，其中，图5A为本发明较佳实施例的薄膜晶体管基板1中，于薄膜晶体管T的通道层12上设置第一子层131及第二子层132时，薄膜晶体管T的电特性曲线示意图，而图5B为图5A的薄膜晶体管基板1中，一段时间后的薄膜晶体管T的电特性曲线示意图。其中，图5A及图5B系以4种不同的量测条件所得到薄膜晶体管T的4条特性曲线。
由图5A及图5B可发现，通过第一子层131及第二子层132的设置，经过一段时间后与现有相较，图5B的曲线变化相对于图1B而言小了很多。另外，图5B的曲线变化相对于图5A而言差异并不太。换言之，通过第一子层131及第二子层132依序设置于薄膜晶体管T的漏极D及通道层12上，可使薄膜晶体管T的效能维持稳定，进而不会影响到显示面板及显示装置的显示品质。
接着，请参照图6所示，其为本发明较佳实施例的一种显示面板2的剖视示意图。
显示面板2包括一薄膜晶体管基板1、一对向基板S2及一显示层L。对向基板S2与薄膜晶体管基板1相对设置，并可选择性地具有一电极层E及一配向膜A。其中，对向基板S2可为一可透光的材质，例如是玻璃、石英或类似物。在实际运用时，薄膜晶体管基板1的基板S1与对向基板S2可选用不同的材质，例如是对向基板S2使用钾玻璃基板，而基板S1使用硼酸盐无碱玻璃基板。此外，电极层E是设置于对向基板S2面对薄膜晶体管基板1的一侧，而配向膜A则设置于电极层E之下。另外，对向基板S2与电极层E之间亦可插入一彩色滤光片F以作为彩色化显示之用。此外，显示层L设置于薄膜晶体管基板1与对向基板S2之间，其中，显示层可为液晶层或有机发光层。薄膜晶体管基板1已于上述中详述，于此不再赘述。当然，薄膜晶体管基板1也可以图2E的薄膜晶体管基板1a来取代。
另外，请参照图7所示，其为本发明较佳实施例的一种显示装置3的剖视示意图。
显示装置3包含一显示面板2及一背光模块B。而显示面板2包含一薄膜晶体管基板1、一对向基板S2及一显示层L。薄膜晶体管基板1已于上述中详述，于此不再赘述。
对向基板S2与薄膜晶体管基板1相对设置，并可择性地具有一电极层E及一配向膜A。其中，对向基板S2可为一可透光的材质，例如是玻璃、石英或类似物。在实际运用时，薄膜晶体管基板1的基板S1与对向基板S2可选用不同的材质，例如是对向基板S2使用钾玻璃基板，而基板S1使用硼酸盐无碱玻璃基板。此外，电极层E是设置于对向基板S2面对薄膜晶体管基板1的一侧，而配向膜A则设置于电极层E之下。另外，对向基板S2与电极层E之间亦可插入一彩色滤光片F以作为彩色化显示之用。此外，显示层L设置于薄膜晶体管基板1与对向基板S2之间。需特别注意的是，图6及图7的薄膜晶体管T的源极S与漏极D设置于刻蚀终止层ES上，且源极S与漏极D的一端分别自刻蚀终止层ES的开口与通道层12接触。其中，刻蚀终止层ES可为有机材质例如为有机硅氧化合物，或单层无机材质如氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、碳化硅、氧化铝、氧化铪、或上述材质组合的多层结构。不过，在其他的实施例中，也可将源极S与漏极D直接设置于通道层12上，并与通道层12接触。
此外，背光模块B设置于薄膜晶体管基板1相对于对向基板S2的另一侧，并发出光线，使光线自薄膜晶体管基板1的基板S1通过显示层L，再由对向基板S2射出。值得注意的是，在此实施例中，显示层L为液晶层，故搭配背光模块B，若显示层L为有机发光层，则不需搭配背光模块B。
综上所述，因依据本发明的显示面板及显示装置中，薄膜晶体管基板的第一绝缘层具有一第一子层及一第二子层，且第一子层与第二子层依序设置于薄膜晶体管的漏极上。其中，第一子层具有第一宽度的第一开口，第二子层于第一开口上具有第二宽度的第二开口，而第一开口与第二开口可形成第一通孔，且第二宽度可大于第一宽度。另外，薄膜晶体管基板的像素电极层设置于第二绝缘层上，并填入第一通孔而连接漏极。借此，与现有相较，通过第一子层及第二子层依序设置于薄膜晶体管的漏极上，使得一段时间之后的薄膜晶体管的效能仍然可维持稳定，进而不会影响到显示面板及显示装置的显示品质。
另外，在本发明一实施例中，由于第一开口与第二开口所形成的第一通孔与平坦化层的第二通孔在薄膜晶体管基板的基板上的投影为相互重叠，且重叠处的面积可介于4至49平方微米之间。借此，与现有于较大通孔内刻蚀另一通孔的技术而言，第一通孔与第二通孔的重叠处的面积可较现有技术的通孔面积小，而且不会有于大通孔内对位另一通孔的对位问题。另外，也由于重叠处的面积较现有技术的通孔面积小，故于扫描线上设置黑色矩阵层时，其相对的覆盖宽度也可以较现有小，故也可提高显示面板及显示装置的像素开口率。
以上所述仅为举例性，而非为限制性者。任何未脱离本发明的精神与范畴，而对其进行的等效修改或变更，均应包含于权利要求中。

Claims (19)

1.一种显示面板，其特征在于，该显示面板包括：
一薄膜晶体管基板，包括：
一基板；
一扫描线，设置于该基板上，具有一凹部；
一数据线，设置于该基板上，该数据线与该扫描线交错设置；
一薄膜晶体管，设置于该基板上，并具有一栅极与一漏极，该栅极与该扫描线电性连接，该漏极与该数据线电性连接；
一第一绝缘层，具有一第一子层及一第二子层依序设置于该漏极上，该第一子层具有一第一宽度的一第一开口，该第二子层于该第一开口上具有一第二宽度的一第二开口，该第一开口与该第二开口形成一第一通孔，且该第二宽度大于该第一宽度；
一平坦化层，设置于该第一绝缘层上，该平坦化层于该漏极之上具有一第二通孔，该第一通孔与该第二通孔重叠而形成一重叠处，且该扫描线的该凹部与该重叠处对应设置；
一第二绝缘层，设置于该平坦化层上；及
一像素电极层，设置于该第二绝缘层上，并填入该第一通孔而连接该漏极；
一对向基板，与该薄膜晶体管基板相对设置；以及
一显示层，设置于该薄膜晶体管基板与该对向基板之间。
2.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该第二子层的材料为氮化硅或氧化铝。
3.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该第二子层的厚度介于100埃至2000埃之间。
4.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该重叠处的面积小于该第一通孔的面积。
5.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，该像素电极层还填入该重叠处而连接该漏极，且该重叠处的尺寸介于2至8微米之间。
6.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该第一子层的材料为氧化硅。
7.如权利要求1所述的显示面板，其特征在于，该第一子层的一侧的边缘与该第二子层的同一侧的边缘的距离介于0.1至0.5微米之间。
8.如权利要求7所述的显示面板，其特征在于，还包括：通道层，该通道层的材料为氧化物半导体。
9.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，该重叠处的面积与该第一通孔的面积比例介于0.14～0.78之间。
10.如权利要求4所述的显示面板，其特征在于，该重叠处具有一第一侧壁，填入该重叠处的该像素电极层的其中一部分位于该第一侧壁，且与该平坦化层直接接触。
11.如权利要求10所述的显示面板，其特征在于，该重叠处更具有一第二侧壁，填入该重叠处的该第二绝缘层的其中一部分位于该第二侧壁，且与该平坦化层直接接触。
12.一种显示装置，其特征在于，该显示装置包括：
一薄膜晶体管基板，具有一基板、一扫描线、一数据线、一薄膜晶体管、一第一绝缘层、一平坦化层、一第二绝缘层及一像素电极层，该扫描线设置于该基板上，并具有一凹部，该数据线设置于该基板上，该数据线与该扫描线交错设置，该薄膜晶体管设置于该基板上，并具有一栅极与一漏极，该栅极与该扫描线电性连接，该漏极与该数据线电性连接，该第一绝缘层具有一第一子层及一第二子层依序设置于该漏极上，该第一子层具有一第一宽度的一第一开口，该第二子层于该第一开口上具有一第二宽度的一第二开口，该第一开口与该第二开口形成一第一通孔，且该第二宽度大于该第一宽度，该平坦化层设置于该第一绝缘层上，该平坦化层于该漏极之上具有一第二通孔，该第一通孔与该第二通孔重叠而形成一重叠处，且该扫描线的该凹部与该重叠处对应设置，该第二绝缘层设置于该平坦化层上，该像素电极层设置于该第二绝缘层上，并填入该第一通孔而连接该漏极；
一对向基板，与该薄膜晶体管基板相对设置；
一显示层，设置于该薄膜晶体管基板与该对向基板之间；以及
一背光模块，设置于该薄膜晶体管基板相对于该对向基板的另一侧。
13.如权利要求12所述的显示装置，其特征在于，该第二子层的材料为氮化硅或氧化铝。
14.如权利要求12所述的显示装置，其特征在于，该第二子层的厚度介于100埃至2000埃之间。
15.如权利要求12所述的显示装置，其特征在于，该重叠处的面积小于该第一通孔的面积。
16.如权利要求12所述的显示装置，其特征在于，该像素电极层更填入该重叠处而连接该漏极，且该重叠处的尺寸介于2至8微米之间。
17.如权利要求12所述的显示装置，其特征在于，该第一子层的一侧的边缘与该第二子层的同一侧的边缘的距离介于0.1至0.5微米之间。
18.如权利要求12所述的显示装置，其特征在于，该重叠处具有一第一侧壁，填入该重叠处的该像素电极层的其中一部分位于该第一侧壁，且与该平坦化层直接接触。
19.如权利要求18所述的显示装置，其特征在于，该重叠处更具有一第二侧壁，填入该重叠处的该第二绝缘层的其中一部分位于该第二侧壁，且与该平坦化层直接接触。
CN201410064232.3A 2014-02-25 2014-02-25 显示面板及显示装置 Active CN104865761B (zh)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201810457553.8A CN108663862B (zh) 2014-02-25 2014-02-25 显示面板
CN201410064232.3A CN104865761B (zh) 2014-02-25 2014-02-25 显示面板及显示装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410064232.3A CN104865761B (zh) 2014-02-25 2014-02-25 显示面板及显示装置

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810457553.8A Division CN108663862B (zh) 2014-02-25 2014-02-25 显示面板

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104865761A CN104865761A (zh) 2015-08-26
CN104865761B true CN104865761B (zh) 2018-06-08

Family

ID=53911693

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410064232.3A Active CN104865761B (zh) 2014-02-25 2014-02-25 显示面板及显示装置
CN201810457553.8A Active CN108663862B (zh) 2014-02-25 2014-02-25 显示面板

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201810457553.8A Active CN108663862B (zh) 2014-02-25 2014-02-25 显示面板

Country Status (1)

Country Link
CN (2) CN104865761B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102501111B1 (ko) * 2015-12-28 2023-02-16 엘지디스플레이 주식회사 카메라 모듈 일체형 액정 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102289220B1 (ko) * 2016-03-18 2021-08-13 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 표시 장치
CN112863329B (zh) * 2019-11-12 2023-02-17 群创光电股份有限公司 显示装置

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1940688A (zh) * 2005-09-27 2007-04-04 三菱电机株式会社 显示装置及其制造方法
TW200915579A (en) * 2007-09-10 2009-04-01 Idemitsu Kosan Co Thin film transistor
CN101630685A (zh) * 2008-07-19 2010-01-20 卡西欧计算机株式会社 薄膜晶体管阵列基板
CN102289118A (zh) * 2010-06-21 2011-12-21 卡西欧计算机株式会社 液晶显示元件
CN102598278A (zh) * 2009-10-09 2012-07-18 株式会社半导体能源研究所 半导体器件

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3793402B2 (ja) * 2000-07-28 2006-07-05 株式会社日立製作所 カラー液晶表示装置
DE10361695B3 (de) * 2003-12-30 2005-02-03 Infineon Technologies Ag Transistorstruktur mit gekrümmtem Kanal, Speicherzelle und Speicherzellenfeld für DRAMs sowie Verfahren zur Herstellung eines DRAMs
JP4623464B2 (ja) * 2005-09-26 2011-02-02 株式会社 日立ディスプレイズ 液晶表示装置
CN100437238C (zh) * 2005-12-22 2008-11-26 群康科技(深圳)有限公司 液晶显示装置
CN100582901C (zh) * 2006-09-20 2010-01-20 中华映管股份有限公司 液晶显示面板及其制造方法
CN102064180A (zh) * 2010-09-26 2011-05-18 友达光电股份有限公司 有源元件、像素结构以及显示面板
US8648337B2 (en) * 2012-04-03 2014-02-11 Au Optronics Corporation Active matrix organic light-emitting diode

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1940688A (zh) * 2005-09-27 2007-04-04 三菱电机株式会社 显示装置及其制造方法
TW200915579A (en) * 2007-09-10 2009-04-01 Idemitsu Kosan Co Thin film transistor
CN101630685A (zh) * 2008-07-19 2010-01-20 卡西欧计算机株式会社 薄膜晶体管阵列基板
CN102598278A (zh) * 2009-10-09 2012-07-18 株式会社半导体能源研究所 半导体器件
CN102289118A (zh) * 2010-06-21 2011-12-21 卡西欧计算机株式会社 液晶显示元件

Also Published As

Publication number Publication date
CN108663862B (zh) 2020-02-07
CN108663862A (zh) 2018-10-16
CN104865761A (zh) 2015-08-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102321760B1 (ko) 반도체 장치
TWI532154B (zh) 顯示面板及顯示裝置
CN105446031B (zh) 显示面板及显示装置
CN103676367B (zh) 显示面板及显示装置
US20190227373A1 (en) Liquid crystal display device and manufacturing method thereof
US9519182B2 (en) Display panel and method of manufacturing the same
US9606407B2 (en) Display panel and display apparatus
CN102315165B (zh) 边缘电场型液晶显示器阵列基板及其制造方法
US20130015454A1 (en) Panel structure, display device including same, and methods of manufacturing panel structure and display device
CN105445969A (zh) 显示面板
CN104218094A (zh) 一种薄膜晶体管、显示基板及显示装置
WO2021196362A1 (zh) 低温多晶硅显示面板及其制作方法、液晶显示装置
CN104865761B (zh) 显示面板及显示装置
US20170219863A1 (en) Thin film transistor array substrate and manufacturing method thereof
US9293484B2 (en) Thin film transistor display panel and method of manufacturing the same
CN107037638A (zh) 显示面板与显示装置
CN109755260A (zh) 一种显示面板、显示面板的制造方法和显示装置
CN101464603B (zh) 液晶显示装置
EP3041054A1 (en) Thin film transistor and display device including the same
TWI581317B (zh) 薄膜電晶體基板及具備該薄膜電晶體基板之顯示面板
CN105759523B (zh) 显示面板
KR20140001634A (ko) 어레이 기판, 이를 포함하는 표시 패널 및 이의 제조 방법
CN107833905A (zh) 开关阵列基板及其制造方法
CN106298814A (zh) 一种阵列基板及显示面板
CN105655344B (zh) 薄膜晶体管基板及具备该薄膜晶体管基板的显示面板

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
EXSB Decision made by sipo to initiate substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant