JP2015072339A - 液晶表示装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】補助容量を形成する際の開口率の低下を抑制する。【解決手段】液晶表示装置であって、マトリクス状に配置した複数の画素電極PEと、列方向において、画素電極PEの行の一方側に配置した第1ゲート配線GL3と、画素電極PEの行の他方側に配置した第2ゲート配線GL4と、画素電極PEが配列した列に沿って延びたソース配線SLと、第1ゲート配線GL4から供給されるゲート信号によりソース配線SLと画素電極PEとの接続を切り換える第1画素スイッチSWと、第2ゲート配線GL4から供給されるゲート信号によりソース配線SLと画素電極PEとの接続を切り換える第2画素スイッチSWと、第1及び第2の画素スイッチの画素電極側の各電極に絶縁膜を介して対向すると共に、画素電極の端部に沿って蛇行し行方向に延びた補助容量線CSLと、を備えた。【選択図】 図2
Description
本発明の実施形態は、液晶表示装置に関する。
平面表示装置としての液晶表示装置は、軽量、薄型、低消費電力などの特徴を生かして、各種分野に適用されている。このような液晶表示装置は、一対の基板間に液晶層を保持した構成であり、画素電極と共通電極との間の電界によって液晶層を通過する光に対する変調率を制御し、画像を表示するようになっている。
近年、液晶表示装置の高精細化に伴い表示画素数が多くなり、駆動配線数が増加する傾向がある。駆動配線数が増加すると駆動回路が高価になり、液晶表示装置の製造費用を低く抑えることが困難になる。そこで、この解決策として、1行に対して2本のゲート配線を配置したデュアルゲート構造で画素をレイアウトすることが提案されている。
デュアルゲート構造で画素をレイアウトする場合、横方向の隣接画素のTFTは上下に配置する必要がある。補助容量(Cs)を片側に寄せて配置すると、TFT部が離れている画素は画素電極を介してソースメタルに接続して容量を形成する必要がある。その場合、ドレイン電極と画素電極をコンタクトするための領域が必要となり、遮光領域が増え開口率が低下する。また、IPSの画素では画素電極が細いため、画素電極の断線の影響を受けやすく、断線した場合、Csへの電荷の保持ができなくなり点欠となる。
発明が解決しようとする課題は、補助容量を形成する際の開口率の低下を抑制し得る液晶表示装置を提供することである。
実施形態の液晶表示装置は、行方向及び列方向に配列された複数の画素電極と、1つの行の前記画素電極に対し、列方向の一方側に行方向に沿って配置された第1ゲート配線と、列方向の他方側に行方向に沿って配置された第2ゲート配線と、前記画素電極間に列方向に沿って配置された複数のソース配線と、前記画素電極のうちで行方向に隣接する2つの画素電極の一方と前記ソース配線との間に設けられ、前記第1ゲート配線から供給されるゲート信号によりオン・オフする第1の画素スイッチと、前記2つの画素電極の他方と前記ソース配線との間に接続され、前記第2ゲート配線から供給されるゲート信号によりオン・オフする第2の画素スイッチと、前記第1及び第2の画素スイッチの前記画素電極側の各電極に絶縁膜を介して対向すると共に、前記画素電極に対応する画素の端部に沿って蛇行し行方向に延びた補助容量線と、を備えたアレイ基板と、前記複数の画素電極と対向した対向電極を備えた対向基板と、前記アレイ基板と前記対向基板との間に保持された液晶層と、を具備したことを特徴とする。
以下、実施形態の液晶表示装置について、図面を参照して説明する。
(第1の実施形態)
図1は、第1の実施形態に係わる液晶表示装置の一構成例を概略的に示す図である。
図1は、第1の実施形態に係わる液晶表示装置の一構成例を概略的に示す図である。
本実施形態の液晶表示装置は、アレイ基板SB1と、アレイ基板SB1と対向するように配置された対向基板SB2と、アレイ基板SB1と対向基板SB2との間に挟持された液晶層(図3に示す)と、マトリクス状に配置された複数の表示画素PXからなる表示部とを備えた液晶表示装置である。図1に示す例では、表示画素PXはm行2n列のマトリクス状に配置されている(但し、m及びnは正の整数である)。
アレイ基板SB1は、表示部DYPにおいて、複数の表示画素のそれぞれに配置された画素電極PEと、画素電極PEが配列した行方向(X方向)に沿って延びたゲート配線GL(GL1,GL2,…,GL2m)と、画素電極PEが配列した列方向(Y方向)に沿って延びたソース配線SL(SL1,SL2,…,SLn)と、ゲート配線GLとソース配線SLとが交差する位置近傍に配置された画素スイッチ(図2に示す)と、を有している。
アレイ基板SB1は、表示部DYPの周囲に配置された駆動回路と、コントローラを内蔵した駆動ICチップ2と、を有している。駆動回路は、複数のゲート配線GLを駆動するゲートドライバGDL,GDRと、複数のソース配線SLを駆動するソースドライバSDと、を有している。これらのゲートドライバGDL,GDR及びソースドライバSDの少なくとも一部が、例えば、アレイ基板SB1に形成され、コントローラを内蔵した駆動ICチップ2と接続されている。
ゲートドライバGDLは、表示部DYPの行方向における一方側に配置されている。ゲートドライバGDRは、表示部DYPの行方向における他方側に配置されている。ゲートドライバGDLには、偶数番目のゲート配線GL2,GL4,…,GL2mが電気的に接続されている。ゲートドライバGDRには、奇数番目のゲート配線GL1,GL3,…、GL2m−1が電気的に接続されている。ゲートドライバGDL,GDRは、駆動ICチップ2から入力されるクロック信号、水平同期信号等に基づいて順次ゲート配線GLへ駆動信号を出力する。
ソースドライバSDは、表示部DYPの列方向における一方側に配置されている。ソースドライバSDには、ソース配線SLが電気的に接続されている。ソースドライバSDは、駆動ICチップ2から入力されるクロック信号、垂直同期信号等に基づいてソース配線SLへ対応する映像信号を出力する。
対向基板SB2は、表示部DYPに配置された共通電極(図2に示す)を備えている。共通電極は、複数の画素電極PEと対向するように配置されている。
図2は、図1に示す液晶表示装置の表示画素の一構成例を概略的に示す図である。
ゲート配線GLは、画素電極PEの行間において行方向に沿って延びている。本実施形態の液晶表示装置では、ゲート配線GLは、行方向に並んだ画素電極PEの列方向における両側に配置されている。換言すると、画素電極PEの行間には2本のゲート配線GLが配置されている。
ソース配線SLは、画素電極PEの列間において列方向に沿って延びている。本実施形態の液晶表示装置では、ソース配線SLは、行方向に並んだ画素電極PEの列の2列を挟んだ両側に配置されている。換言すると、ソース配線SLは、画素電極PEの2列置きに配置されている。
図2では、ソース配線SL1,SL2とゲート配線GL3,GL4とが交差する位置の近傍を概略的に図示している。なお、以下の説明において、ソース配線SL1,SL2とゲート配線GL3,GL4とに囲まれた領域に配置され、ソース配線SL1側の表示画素をPX1とし、ソース配線SL2側の表示画素をPX2とする。
表示画素PX1の画素電極PEは、ゲート配線(第1ゲート配線)GL3とソース配線SL1とが交差した位置近傍に配置された画素スイッチ(第1画素スイッチ)SWを介してソース配線SL1と接続している。即ち、表示画素PX1の画素電極PEは、画素電極PEに対して図の上側に配置された画素スイッチSWによりソース配線SL1との接続を切り替えられる。
画素スイッチSWは、例えば薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)であって、ゲート電極GEと、ソース電極SEと、ドレイン電極DEと、アモルファスシリコンにより形成された半導体層SCと、を有している。
半導体層SCは、絶縁層を介してゲート電極GE上に配置されている。ゲート電極GEはゲート配線GLと同層に形成され、ソース電極SEとドレイン電極DEとはソース配線SLと同層に形成されている。
表示画素PX1において、ゲート電極GEはゲート配線GL3と電気的に接続している(或いは一体に形成されている)。ソース電極SEはソース配線SL1と電気的に接続している(或いは一体に形成されている)。ドレイン電極DEは画素電極PEと電気的に接続している(或いは一体に形成されている)。ドレイン電極DEは、画素電極PEの下層においてコンタクトホールCHを介して画素電極PEと電気的に接続すると共に、画素電極PEの下層から図の上方向に向かって半導体層SC層上へ延びている。
表示画素PX2の画素電極PEは、ゲート配線(第2ゲート配線)GL4とソース配線SL2とが交差した位置近傍に配置された画素スイッチ(第2画素スイッチ)SWを介してソース配線SL2と接続している。即ち、表示画素PX2の画素電極PEは、画素電極PEに対して図の下側に配置された画素スイッチSWによりソース配線SL2との接続を切り替えられる。
表示画素PX2において、ゲート電極GEはゲート配線GL4と電気的に接続している(或いは一体に形成されている)。ソース電極SEはソース配線SL2と電気的に接続している(或いは一体に形成されている)。ドレイン電極DEは、画素電極PEと電気的に接続している。ドレイン電極DEは、画素電極PEの下層においてコンタクトホールCHを介して画素電極PEと電気的に接続すると共に、画素電極PEの下層から図の下方向に向かって半導体層SC層上へ延びている。
即ち、本実施形態では、表示画素PX1の画素電極PEは左側に配置されたソース配線SL1と画素スイッチSWを介して電気的に接続し、表示画素PX2の画素電極PEは右側に配置されたソース配線SL2と画素スイッチSWを介して電気的に接続している。
換言すると、第1表示画素PX1と同じ構成の表示画素と第2表示画素PX2と同じ構成の表示画素とは、行方向に交互に並んで配置し、各ソース配線SLは行方向においてその両側の表示画素PXそれぞれの画素電極PEとそれぞれの画素スイッチSWを介して電気的に接続している。
従って、ソースドライバSDは、n本のソース配線SL1〜SLnにより2n列の表示画素PXを駆動することが可能である。そのため、本実施形態の液晶表示装置は高価なソースドライバSDを用いることなく実現することができる。
さらに、アレイ基板SB1は、基板の厚さ方向(行方向及び列方向と略直交する方向)において絶縁層(図3に示す)を介して画素電極PEの一部と重なるように配置された補助容量線CSLを有している。この補助容量線CSLは、補助容量電圧が印加される電圧印加部(図示せず)と電気的に接続されている。
補助容量線CSLは、画素電極PEの端部に沿って蛇行している。表示画素PX1において、画素電極PEは、列方向と略平行に延びた端部と行方向と略平行に延びた上側(列方向における一方側)の端部とにおいて補助容量線CSLに対向している。ここで、表示画素PX1における上側の端部は、画素スイッチSWのドレイン電極DEに重なるように設けられている。
一方、表示画素PX2において、画素電極PEは、列方向と略平行に延びた端部と行方向と略平行に延びた下側(列方向における他方側)の端部とにおいて補助容量線CSLに対向している。ここで、表示画素PX2における下側の端部は、画素スイッチSWのドレイン電極DEに重なるように設けられている。
即ち、画素電極PEの画素スイッチSWと接続した上側又は下側の端部と左右の端部において、画素電極PEと補助容量線CSLとが対向している。つまり、Csの位置がTFTの位置と連動して隣接間で上下配置になっている。
図3は、図2に示す線I−I’における液晶表示装置の断面の一例を概略的に示す図である。なお、ここでは、説明に必要な箇所のみを図示している。
液晶表示装置を構成するアレイ基板SB1の背面側には、バックライト(図示せず)が配置されている。バックライトとしては、種々の形態が適用可能であり、また、光源として発光ダイオード(LED)を利用したものや冷陰極管(CCFL)を利用したものなどの何れでも適用可能であり、詳細な構造については説明を省略する。
アレイ基板SB1は、光透過性を有する第1絶縁基板10を用いて形成されている。第1絶縁基板10上には補助容量線CSLが形成されている。ソース配線SLは、第1層間絶縁膜11の上に形成され、第2層間絶縁膜12によって覆われている。なお、図示しないゲート配線は、例えば、補助容量線CSLと同じ層に形成され、第1絶縁基板10と第1層間絶縁膜11の間に配置されている。画素電極PEは、第2層間絶縁膜12の上に形成されている。この画素電極PEは、端部において補助容量線CSLと対向している。
第1配向膜AL1は、アレイ基板SB1の対向基板SB2と対向する面に配置され、表示部DYPの略全体に亘って延在している。この第1配向膜AL1は、画素電極PEなどを覆っており、第2層間絶縁膜12の上にも配置されている。このような第1配向膜AL1は、水平配向性を示す材料によって形成されている。
対向基板SB2は、光透過性を有する第2絶縁基板20を用いて形成されている。この対向基板SB2は、ブラックマトリクスBM、カラーフィルタCF、オーバーコート層OC、共通電極CE、第2配向膜AL2などを備えている。
ブラックマトリクスBMは、各表示画素PXを区画し、画素電極PEと対向した開口部を形成する。即ち、ブラックマトリクスBMは、ソース配線SL、ゲート配線、補助容量線CSL、スイッチング素子などの配線部に対向するように配置されている。ここでは、ブラックマトリクスBMは、列方向に沿って延出した部分のみが図示されているが、行方向に沿って延出した部分を備えていても良い。このブラックマトリクスBMは、第2絶縁基板20のアレイ基板SB1に対向する内面20Aに配置されている。
カラーフィルタCFは、各表示画素PXに対応して配置されている。即ち、カラーフィルタCFは、第2絶縁基板20の内面20Aにおける開口部に配置されると共に、その一部がブラックマトリクスBMに乗り上げている。行方向に隣接する表示画素PXにそれぞれ配置されたカラーフィルタCFは、互いに色が異なる。例えば、カラーフィルタCFは、赤色、青色、緑色といった3原色にそれぞれ着色された樹脂材料によって形成されている。赤色に着色された樹脂材料からなる赤色カラーフィルタは、赤色画素に対応して配置されている。青色に着色された樹脂材料からなる青色カラーフィルタは、青色画素に対応して配置されている。緑色に着色された樹脂材料からなる緑色カラーフィルタは、緑色画素に対応して配置されている。これらのカラーフィルタCF同士の境界は、ブラックマトリクスBMと重なる位置にある。
オーバーコート層OCは、カラーフィルタCFを覆っている。このオーバーコート層OCは、カラーフィルタCFの表面の凹凸の影響を緩和する。
共通電極CEは、オーバーコート層OCのアレイ基板SB1と対向する側に形成されている。共通電極CEは、液晶層LQを介して複数の画素電極PEと対向している。
第2配向膜AL2は、対向基板SB2のアレイ基板SB1と対向する面に配置され、表示部DYPの略全体に亘って延在している。第2配向膜AL2は、共通電極CE及びオーバーコート層OCなどを覆っている。このような第2配向膜AL2は、水平配向性を示す材料によって形成されている。
これらの第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2には、液晶層LQの液晶分子を初期配向させるための配向処理(例えば、ラビング処理や光配向処理)がなされている。
アレイ基板SB1と対向基板SB2とは、それぞれの第1配向膜AL1及び第2配向膜AL2が対向するように配置されている。このとき、アレイ基板SB1の第1配向膜AL1と対向基板SB2の第2配向膜AL2との間には、例えば、樹脂材料によって一方の基板に一体的に形成された柱状スペーサが配置され、これにより、所定のセルギャップが形成される。アレイ基板SB1と対向基板SB2とは、所定のセルギャップが形成された状態で、表示部DYPの外側のシール材(図示せず)によって貼り合わせられている。
液晶層LQは、アレイ基板SB1と対向基板SB2との間に形成されたセルギャップに保持され、第1配向膜AL1と第2配向膜AL2との間に配置されている。このような液晶層LQは、例えば、誘電率異方性が正(ポジ型)の液晶材料によって構成されている。
アレイ基板SB1の外面、つまり、アレイ基板SB1を構成する第1絶縁基板10の外面10Bには、第1光学素子OD1が接着剤などにより貼付されている。この第1光学素子OD1は、液晶表示装置のバックライトと対向する側に位置しており、バックライトから液晶表示装置に入射する入射光の偏光状態を制御する。この第1光学素子OD1は、第1偏光軸(或いは第1吸収軸)を有する第1偏光板(図示せず)を含んでいる。
対向基板SB2の外面、つまり、対向基板SB2を構成する第2絶縁基板20の外面20Bには、第2光学素子OD2が接着剤などにより貼付されている。この第2光学素子OD2は、液晶表示装置の表示面側に位置しており、液晶表示装置から出射した出射光の偏光状態を制御する。この第2光学素子OD2は、第2偏光軸(或いは第2吸収軸)を有する第2偏光板(図示せず)を含んでいる。
図4は、上記液晶表示装置の駆動方法の一例を説明するための図である。
以下では、m行2n列で配列した表示画素PXを駆動する方法の一例について説明する。ゲートドライバGDL,GDR及びソースドライバSDは、1水平期間THで各行の表示画素PXを駆動し、1垂直期間TVでm行の表示画素PXを駆動する。
以下では、m行2n列で配列した表示画素PXを駆動する方法の一例について説明する。ゲートドライバGDL,GDR及びソースドライバSDは、1水平期間THで各行の表示画素PXを駆動し、1垂直期間TVでm行の表示画素PXを駆動する。
ゲートドライバGDLは、偶数番目のゲート配線GL2,GL4,…GL2mを各水平期間THの前半で順次駆動する。例えば、ゲートドライバGDLがゲート配線GL2を駆動したタイミングで1行目においてソース配線SLの左側に接続された表示画素PXの画素スイッチSWのソース電極SEとドレイン電極DEとが導通し、対応するソース配線SLから映像信号が印加される。
ゲートドライバGDRは、奇数番目のゲート配線GL1,GL3,…GL2m−1を各水平期間THの後半で順次駆動する。例えば、ゲートドライバGDRがゲート配線GL1を駆動したタイミングで1行目においてソース配線SLの右側に接続された表示画素PXの画素スイッチSWのソース電極SEとドレイン電極DEとが導通し、対応するソース配線SLから映像信号が印加される。
ソースドライバSDは、1水平期間THの前半において、ソース配線SLの左側に接続された表示画素PXに印加する映像信号を各ソース配線SLに供給し、1水平期間THの後半において、ソース配線SLの右側に接続された表示画素PXに印加する映像信号を各ソース配線SLに供給する。
即ち、本実施形態の液晶表示装置では、ソースドライバSDは1本のソース配線SLにより2列の表示画素PXへ映像信号を供給することができる。従ってソースドライバSDにより駆動するソース配線SLの本数を1/2になり、高価なソースドライバを採用する必要がない。
なお、本実施形態では、ゲートドライバGDL、GDRのそれぞれは、m本のゲート配線GLを順次駆動することとなるため、高速にゲート配線GLを駆動する必要もない。従って、本実施形態の液晶表示装置では、高価なゲートドライバを採用する必要もない。
上記のように、本実施形態によれば、液晶表示装置に要する費用の上昇を抑制することができる。これに加えて本実施形態では、補助容量線CSLの配置の工夫により、次のような効果も得られる。
デュアルゲート構造で画素をレイアウトする場合、横方向の隣接画素のTFTは上下に配置する必要があるが、補助容量Csに関しては片側寄せ配置が可能である。但し、補助容量線CSL線とドレイン電極(ソースメタル)との間で容量を形成する場合、Cs片側寄せ配置にすると、TFT部が離れている画素はドレイン電極のソースメタルで直に容量形成することができず、画素電極を介してソースメタルに接続して容量を形成する必要がある。その場合、ドレイン電極と画素電極をコンタクトするための領域が必要となり、遮光領域が増え開口率が低下する。
これに対し本実施形態では、図2に示すように、行方向に隣接する画素で一方が上側で他方が下側に配置された画素スイッチの各ドレイン電極と重なるようにCLSを蛇行配置し、TFT位置と連動してCsを形成することにより、Cs片寄せ配置時には必要なドレインからのコンタクト領域を設ける必要がなくなる。このため、Csを形成する際の開口率の低下を抑制することができる。
(第2の実施形態)
図5は、第2の実施形態に係わる液晶表示装置の表示画素の一構成例を概略的に示す図である。なお、図2と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
図5は、第2の実施形態に係わる液晶表示装置の表示画素の一構成例を概略的に示す図である。なお、図2と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
本実施形態では、ソース配線SLは、第1ソース配線SLA(SLA1,SLA2,…SLAn)と、第2ソース配線SLB(SLB1,SLB2,…SLBn)と、接続部SLXとを備えている。第1ソース配線SLAと第2ソース配線SLBとには、ソースドライバSDから出力された共通の映像信号が供給される。
第1ソース配線SLA及び第2ソース配線SLBは、表示画素PXの列に沿って列方向と略平行に延びている。第1ソース配線SLAと第2ソース配線SLBとは、列方向に並んだ画素電極PEの列の、行方向における両側に配置されている。
接続部SLXは、列方向に並んだ画素電極PE間において行方向に延びて、第1ソース配線SLAと第2ソース配線SLBとを電気的に接続している。第1ソース配線SLA1と第2ソース配線SLB1とは複数の接続部SLXにより電気的に接続している。同様に、第1ソース配線SLA2と第2ソース配線SLB2とは複数の接続部SLXにより電気的に接続している。
このように、複数の箇所で第1ソース配線SLAと第2ソース配線SLBとを接続部SLXにより接続すると、第1ソース配線SLA及び第2ソース配線SLBの一方の一部が断線したときでも、他方のソース配線と接続部SLXとを介して断線箇所よりも先端側の表示画素PXへ映像信号を供給することが可能となる。
従って、本実施形態によれば、暗線や輝線が発生することを回避して製造歩留まりを改善すると共に表示品位の良好な液晶表示装置を提供することができる。
なお、図5では、接続部SLXは、各画素電極PEの列方向における両側に配置されているが、各画素電極PEの列方向における一方側にのみ配置されてもよい。接続部SLXは、第1ソース配線SLAと第2ソース配線SLBと少なくとも1箇所で接続するように配置されていればよいが、接続部SLXにより接続される箇所が多くなるほど断線による表示不良を回避することが可能となる。
画素スイッチSWは、半導体層SCと、ゲート電極GEと、ソース電極SEと、ドレイン電極DEとを有している。半導体層SCは、絶縁層を介してゲート電極GE上に配置されている。ゲート電極GEはゲート配線GLと同層に形成され、ソース電極SEとドレイン電極DEとはソース配線SLと同層に形成されている。
ゲート電極GEは、ゲート配線GLと電気的に接続している(或いは一体に形成されている)。本実施形態では、第1ソース配線SLAとゲート配線GLとが交差した位置近傍に配置された画素スイッチSWのゲート電極GEは、ゲート配線GLから列方向に沿って上側に延びている。第2ソース配線SLBとゲート配線GLとが交差した位置近傍に配置された画素スイッチSWのゲート電極GEは、ゲート配線GLから列方向に沿って下側に延びている。
ソース電極SEは、ソース配線SLと電気的に接続している(或いは一体に形成されている)。ソース電極SEは、第1ソース配線SLA及び第2ソース配線SLBから行方向に沿って右側へ延びて半導体層SCの一部の上層に配置している。図5に示す例では、ソース電極SEは、第1ソース配線SLA及び第2ソース配線SLBと、ゲート配線GLとが交差した位置近傍において、第1ソース配線SLA及び第2ソース配線SLBの2箇所から突出している。
ドレイン電極DEは、画素電極PEと電気的に接続している(或いは一体に形成されている)。ドレイン電極DEは、行方向に沿って半導体層SCの上層と画素電極PEの下層との間に延び、ドレイン電極DEと画素電極PEとが絶縁層を介して重なる位置に設けられたコンタクトホールCHにおいて画素電極PEと電気的に接続している。半導体層SCの上層において、ドレイン電極DEは2つのソース電極SEの間に配置されている。
本実施形態の液晶表示装置は、上記の構成以外は上述の第1実施形態と同様の構成である。本実施形態では、全ての表示画素PXにおいて、画素スイッチSWの構成が共通している。即ち、何れの表示画素PXにおいてもソース電極SEは行方向に沿ってソース配線SLA或いはソース配線SLBから右側へ向かって延び、ドレイン電極DEは行方向に沿って画素電極PEの下層と半導体層SCの上層との間に延びている。従って、アレイ基板SB1を形成する際に、導電層の配置がずれた場合でも画素スイッチSWに生じる容量、特にゲート電極GEとドレイン電極DEとの間に生じる容量Cgdは全ての画素スイッチSWで同じ分だけ増減する。
例えば、上述の第1実施形態の液晶表示装置では、ソース配線SLが形成される導電層が、ゲート配線GLが形成される導電層に対して上方向にずれた場合、第1表示画素PX1の画素スイッチSWではゲート電極GEとドレイン電極DEとが対向する面積が大きくなるため容量Cgdは大きくなるが、第2表示画素PX2の画素スイッチSWではゲート電極GEとドレイン電極DEとが対向する面積が小さくなるため容量Cgdが小さくなる。容量Cgdが異なる表示画素PXでは突き抜け電圧の大きさに差が生じるため、フリッカや焼き付きが生じることがある。
これに対し、本実施形態では、導電層の配置がずれた場合でも全ての画素スイッチSWに生じる容量Cgdが同じ分だけ増減するため、フリッカや焼き付きが発生することを回避して、製造歩留まりを改善すると共に表示品位の良好な液晶表示装置を提供することができる。
即ち、本実施形態の液晶表示装置によれば、上述の第1実施形態の液晶表示装置と同様に、液晶表示装置に要する費用の上昇及び開口率の低下を抑制できると共に、製造歩留まりを改善して表示品位の良好な液晶表示装置を提供することができる。
なお、本実施形態の液晶表示装置において、画素スイッチSWの構成は図5に示すものに限定されない。
図6は、本実施形態の液晶表示装置の表示画素の他の構成例を概略的に示す図である。この例では、画素スイッチSWの構成が図5に示す場合と異なっている。即ち、画素スイッチSWのソース電極SEは、第1ソース配線SLA及び第2ソース配線SLBから行方向に沿って右側に突出し、半導体層SCの一部の上層へ延びている。図6に示す例では、ソース電極SEは、第1ソース配線SLA及び第2ソース配線SLBと、ゲート配線GLとが交差した位置近傍において、第1ソース配線SLA及び第2ソース配線SLBの1箇所から突出している。
ドレイン電極DEは、行方向に沿って半導体層SCの上層から画素電極PEの下層へ延び、ドレイン電極DEと画素電極PEとが絶縁層を介して重なる位置に設けられたコンタクトホールCHにおいて画素電極PEと電気的に接続している。半導体層SCの上層において、ドレイン電極DEはソース電極SEと行方向に所定の間隔を置いて配置している。
上記以外の構成は図5に示す液晶表示装置と同様の構成である。図6に示す例においても、導電層の配置がずれた場合に全ての画素スイッチSWに生じる容量Cgdが同じ分だけ増減するため、フリッカや焼き付きが発生することを回避して、製造歩留まりを改善すると共に表示品位の良好な液晶表示装置を提供することができる。
即ち、上述の第1実施形態の液晶表示装置と同様に、液晶表示装置に要する費用の上昇及び開口率の低下を抑制できると共に、製造歩留まりを改善して表示品位の良好な液晶表示装置を提供することができる。
(第3の実施形態)
図7は、第3の実施形態に係わる液晶表示装置の表示画素の一構成例を概略的に示す図である。なお、図2と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
図7は、第3の実施形態に係わる液晶表示装置の表示画素の一構成例を概略的に示す図である。なお、図2と同一部分には同一符号を付して、その詳しい説明は省略する。
本実施形態が先に説明した第1の実施形態と異なる点は、画素電極の構成にある。即ち本実施形態はIPS画素の例であり、画素電極PEと共通電極PCが櫛歯状電極となっている。
表示画素PX1においては、ソース線SL1に接続される画素スイッチSWが上側に形成され、表示画素PX2においては、ソース線SL2に接続される画素スイッチSWが下側に形成されている。そして、表示画素PX1では、櫛歯状の画素電極PEは上側で画素スイッチSWのドレイン電極DEにコンタクトされ、表示画素PX2では、櫛歯状の画素電極PEは下で画素スイッチSWのドレイン電極DEにコンタクトされている。
このように本実施形態においても、隣接する2つの画素において、一方は上側に画素スイッチSWが配置され、他方は下側に画素スイッチSWが配置されている。そして、補助容量線CSLは、画素の端部に沿って蛇行し、表示画素PX1の上側の画素スイッチSWのドレイン電極DEに重なり、表示画素PX2の下側の画素スイッチSWのドレイン電極DEに重なっている。
このような構成であれば、液晶表示装置に要する費用の上昇及び開口率の低下を抑制できると云う第1の実施形態と同様の効果が得られるのは勿論のこと、次のような効果も得られる。即ち、Cs形成部を画素電極PEを介してドレインDEに接続する必要がなくなるため、IPS画素で懸念される画素電極の段切れによる影響を無くすことができ。従って、液晶表示装置の製造歩留まり向上をはかることができる。これは、IPS画素を採用した液晶表示装置にとっては極めて有効な効果である。
(変形例)
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。
なお、本発明は上述した各実施形態に限定されるものではない。
画素スイッチとしてのTFTの構成は必ずしも逆スタガ型に限るものではなく、スタガ型、その他の形式であっても良い。また、半導体層はアモルファスSiに限るものではなく、多結晶Siを用いることもでき、更に他の半導体材料を用いることも可能である。
本発明の幾つかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。
PX…表示画素、DYP…表示部、PE…画素電極、GL…ゲート配線、SL,SLA,SLB…ソース配線、SLX…接続部、GDL,GDR…ゲートドライバ、SD…ソースドライバ、X…行方向、Y…列方向、SW…画素スイッチ、GE…ゲート電極、SE…ソース電極、DE…ドレイン電極、SC…半導体層、CH…コンタクトホール、CSL…補助容量線、CE…共通電極、LQ…液晶層、SLA…ソース配線、SB1…アレイ基板、SB2…対向基板。
Claims (7)
- 行方向及び列方向に配列された複数の画素電極と、1つの行の前記画素電極に対し、列方向の一方側に行方向に沿って配置された第1ゲート配線と、列方向の他方側に行方向に沿って配置された第2ゲート配線と、前記画素電極間に列方向に沿って配置された複数のソース配線と、前記画素電極のうちで行方向に隣接する2つの画素電極の一方と前記ソース配線との間に設けられ、前記第1ゲート配線から供給されるゲート信号によりオン・オフする第1の画素スイッチと、前記2つの画素電極の他方と前記ソース配線との間に接続され、前記第2ゲート配線から供給されるゲート信号によりオン・オフする第2の画素スイッチと、前記第1及び第2の画素スイッチの前記画素電極側の各電極に絶縁膜を介して対向すると共に、前記画素電極に対応する画素の端部に沿って蛇行し行方向に延びた補助容量線と、を備えたアレイ基板と、
前記複数の画素電極と対向した対向電極を備えた対向基板と、
前記アレイ基板と前記対向基板との間に保持された液晶層と、
を具備したことを特徴とする液晶表示装置。 - 前記ソース配線は、前記画素電極の2列おきに配置されている、請求項1記載の液晶表示装置。
- 前記ソース配線は、前記2つの画素電極の一方に対し行方向の両側に配置されると共に、共通の映像信号が供給される第1ソース配線及び第2ソース配線を備え、
前記第1の画素スイッチは前記第1ソース配線と前記画素電極との接続を切り換え、前記第2の画素スイッチは前記第2ソース配線と前記画素電極との接続を切り換える、請求項1記載の液晶表示装置。 - 前記ソース配線は、前記2つの画素電極間において前記第1ソース配線と前記第2ソース配線とを電気的に接続した接続部を更に備える、請求項3記載の液晶表示装置。
- 前記第1及び第2の画素スイッチは、行方向において前記画素電極の一方側に配置されると共に、半導体層と、前記第1ゲート配線及び前記第2ゲート配線から列方向に沿って延びて前記半導体層の下層に配置されたゲート電極と、前記半導体層の上層に配置されて前記ソース線に接続されたソース電極と、前記半導体層の上層に配置されて前記画素電極に接続されたドレイン電極と、を備え、
前記ドレイン電極は、行方向に沿って前記画素電極の下層と前記半導体層の上層との間に延びている、請求項3又は請求項4記載の液晶表示装置。 - 前記画素電極は櫛歯状に配置され、該櫛歯状の画素電極とかみ合うように櫛歯状の共通電極が配置されている、請求項1又は2に記載の液晶表示装置。
- 前記第1及び第2の画素スイッチは、前記2つの画素電極に対し、列方向の一方側と他方側に交互に配置されている、請求項1乃至6の何れかに記載の液晶表示装置。
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