CN102566166A - 一种双栅的tft基板及其制造方法 - Google Patents

一种双栅的tft基板及其制造方法 Download PDF

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Abstract

本发明实施例提供一种双栅的TFT基板及其制造方法，涉及液晶显示制造领域，能够在防止绿色缺陷的前提下减少IC接头，提高像素的开口率。双栅的TFT基板包括：玻璃基板、横向的栅线、网状的Vcom线、纵向的数据线；其中，所述网状的Vcom线的每一行的各个Vcom线分别电连接，Vcom线通过Vcom线IC接头与IC元件电连接；设数据线的条数为N，则所述Vcom线IC接头的个数大于0，且小于N+1；相邻的两行Vcom线之间至少有一组相对应的Vcom线纵向电连接。本发明实施例用于制造TFT基板。

Description

一种双栅的TFT基板及其制造方法
技术领域
本发明涉及液晶显示制造领域，尤其涉及一种双栅的TFT阵列基板和TFT阵列基板制造方法。
背景技术
TFT-LCD(Thin Film Transistor-Liquid Crystal Display，薄膜晶体管液晶显示器)是利用夹在液晶层上电场强度的变化，改变液晶分子的取向，从而控制透光的强弱来显示图像的。一般来讲，一块完整的液晶显示面板必须具有背光模块、偏光片、TFT下基板和CF(彩膜)上基板以及由它们两块基板组成的盒中填充的液晶分子层构成。TFT基板上有大量的像素电极，像素电极上的电压通断及大小由与横向栅线相连的栅极、与纵向数据线连接的源极信号控制。CF上基板上的公共电极与TFT下基板上的像素电极之间的电场强度变化控制着液晶分子的取向。TFT基板上与栅线平行并处于同一层的存贮电容底电极线(Vcom线)和像素电极之间可以形成的存储电容用来维持下一个信号来临前液晶分子的状态。
目前，TFT基板采用双栅(Dual Gate)设计，这样可以有效减少数据线IC接头的数量，实现降低成本的效果。并且，为了防止绿色(Greenish)缺陷，一般的，采用双栅设计的面板通常采用网状Vcom设计，如图1所示。在图1中，包括：栅线1、数据线2、Vcom线IC接头3、Vcom线4和像素单元5。由图1可以看出，网状的各个Vcom线4横向纵向分别电连接，且纵向的Vcom线IC接头与纵向的数据线IC接头交替间隔排列，图1中从左向右的IC接头依次为Vcom线IC接头31、数据线IC接头21、Vcom线IC接头32、数据线IC接头22、Vcom线IC接头33、数据线IC接头23、Vcom线IC接头34。即假设有N条数据线，那么Vcom线IC接头则有N+1个。这种间隔构造不仅浪费IC接头，而且将导致像素的开口率降低。
发明内容
本发明的实施例提供一种双栅的TFT阵列基板及其制造方法，能够在防止绿色缺陷的前提下减少IC接头，提高像素的开口率。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一种双栅的TFT基板，包括：玻璃基板、横向的栅线、网状的Vcom线、纵向的数据线；其中，所述网状的Vcom线的每一行的各个Vcom线分别电连接，Vcom线通过Vcom线IC接头与IC元件电连接；设数据线的条数为N，则所述Vcom线IC接头的个数大于0，且小于N+1；相邻的两行Vcom线之间至少有一组相对应的Vcom线纵向电连接。
一种双栅的TFT基板的制造方法，包括：
在玻璃基板上形成第一导电薄膜，通过构图工艺处理得到多条栅线和网状的Vcom线；其中，所述网状的Vcom线的每一行的各个Vcom线分别电连接；在玻璃基板上形成第二导电薄膜，通过构图工艺处理得到多条数据线；在玻璃基板上形成像素电极层，通过构图工艺处理得到多个像素电极、相邻两行Vcom线之间的电连接段、以及Vcom线IC接头；其中，设数据线的条数为N，则所述Vcom线IC接头的个数大于0，且小于N+1，相邻两行Vcom线之间的所述电连接段至少有一个。
本发明实施例提供的双栅的TFT阵列基板及其制造方法，当数据线有N条时，Vcom线IC接头的个数大于0，且小于N+1；并且，相邻的两行Vcom线之间至少有一组相对应的Vcom线纵向电连接。这样一来，TFT阵列基板上的Vcom线IC接头的个数就减少了，相应的，节省了IC板的成本，提高了无Vcom线IC接头、无Vcom线纵向连接段的像素单元的开口率，而且由于Vcom线IC接头的个数仍然大于0，所以仍能够防止绿色缺陷。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为现有技术中双栅TFT阵列基板的构造示意图；
图2为本发明实施例提供的双栅TFT阵列基板的构造示意图；
图3为本发明实施例提供的另一双栅TFT阵列基板的构造示意图；
图4为本发明实施例提供的又一双栅TFT阵列基板的构造示意图；
图5为本发明实施例提供的双栅TFT阵列基板的制造方法流程框图；
图6为本发明实施例提供的双栅TFT阵列基板的制造方法过程中得到的基板示意图一；
图7为本发明实施例提供的双栅TFT阵列基板的制造方法过程中得到的基板示意图二；
图8为本发明实施例提供的双栅TFT阵列基板的制造方法过程中得到的基板示意图三；
图9为本发明实施例提供的双栅TFT阵列基板的制造方法过程中得到的基板示意图四。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明实施例提供的双栅的TFT基板，如图2所示，包括：
玻璃基板(图中未标示)、横向的栅线1、网状的Vcom线4、纵向的数据线2、以及由横向的栅线1和纵向的数据线2交叉定义的像素单元5。其中，网状的Vcom线4的每一行的各个Vcom线分别电连接，Vcom线4通过Vcom线IC接头3与IC元件电连接。
设数据线2的条数为N，则Vcom线IC接头3的个数大于0，且小于N+1。在本实施例中，数据线2的条数为3(即N＝3)，Vcom线IC接头3的个数为2，则0＜2＜(3+1)，满足Vcom线IC接头3的个数大于0，且小于N+1的要求。
相对于现有技术，若Vcom线IC接头与数据线间隔设置，那么在数据线有3条的情况下，Vcom线IC接头应为4个，因此可以明显看出来，本实施例中同样数据线为3条的情况下，Vcom线IC接头只需2个即可。通过发明人的实际测试，具有1个以上的Vcom线IC接头即可防止绿色缺陷，因此本发明实施例能够在防止绿色缺陷的前提下减少IC接头，提高了相关像素单元的开口率。
此外，相邻的两行Vcom线4之间至少有一组相对应的Vcom线4纵向电连接。在本实施例中，如图2所示，相邻的两行Vcom线4之间，在纵方向上具有Vcom线IC接头3的一组相对应的Vcom线4纵向电连接，即，具有Vcom线IC接头31、32的一组相对应的Vcom线4纵向电连接。
本发明实施例提供的双栅的TFT阵列基板，当数据线有N条时，Vcom线IC接头的个数大于0，且小于N+1；并且，相邻的两行Vcom线之间至少有一组相对应的Vcom线纵向电连接。这样一来，TFT阵列基板上的Vcom线IC接头的个数就减少了，相应的，节省了IC板的成本，提高了无Vcom线IC接头、无Vcom线纵向连接段的像素单元的开口率，而且由于Vcom线IC接头的个数仍然大于0，所以仍能够防止绿色缺陷。
当然，两种极端的情况是，相对Vcom线IC接头与数据线间隔设置的现有技术，本发明实施例可以在此基础上只减少一个Vcom线IC接头(如图3所示)，或者减少到只剩一个Vcom线IC接头(如图4所示)。换句话说，本发明实施例相对现有间隔设置的情况，理论上可以从只减少一个Vcom线IC接头一直减少到只剩一个Vcom线IC接头。
当只减少一个Vcom线IC接头时，如图3所示，设数据线2有3条，则Vcom线IC接头3的个数为3，0＜3＜(3+1)满足Vcom线IC接头3的个数大于0，且小于N+1的要求；当减少到只剩一个Vcom线IC接头时，如图4所示，设数据线2有3条，则Vcom线IC接头3的个数为1，0＜1＜(3+1)满足Vcom线IC接头3的个数大于0，且小于N+1的要求。
在图3、图4中，相邻的两行Vcom线4之间，均是在纵方向上具有Vcom线IC接头3的一组相对应的Vcom线4纵向电连接。即，在图3中有三组相对应的Vcom线4纵向电连接；在图4中，有一组相对应的Vcom线4纵向电连接。
本发明实施例提供的双栅的TFT基板的制造方法，如图5所示，包括：
S501、在玻璃基板上形成第一导电薄膜，通过构图工艺处理得到多条栅线和网状的Vcom线；其中，网状的Vcom线的每一行的各个Vcom线分别电连接。
具体的，可以使用磁控溅射方法，在玻璃基板上制备一层厚度在
Figure BDA0000039954300000051
至的金属薄膜。金属材料通常可以采用钼、铝、铝镍合金、钼钨合金、铬、或铜等金属，也可以使用上述几种材料薄膜的组合结构。然后，用掩模版通过曝光、显影、刻蚀、剥离等构图工艺处理，如图6所示，在玻璃基板的一定区域上形成多条横向的栅线1和网状的Vcom线4，其中，网状的Vcom线4的每一行的各个Vcom线4分别电连接。
S502、在栅线上形成栅绝缘层，对应栅线的栅极，在栅绝缘层上形成有源层。
具体的，可以利用化学汽相沉积法在玻璃基板上连续沉积
Figure BDA0000039954300000053
到
Figure BDA0000039954300000054
的栅极绝缘层薄膜和
Figure BDA0000039954300000055
到
Figure BDA0000039954300000056
的非晶硅薄膜。栅极绝缘层的材料通常是氮化硅，也可以使用氧化硅和氮氧化硅等。用有源层的掩模版对非晶硅薄膜进行曝光，之后对该非晶硅薄膜进行干法刻蚀，在栅极的上方形成有源层。
S503、在玻璃基板上形成第二导电薄膜，通过构图工艺处理得到多条数据线。
具体的，可以采用和制备栅线类似的方法，在玻璃基板上沉积一层类似于栅金属的厚度在
Figure BDA0000039954300000057
到
Figure BDA0000039954300000058
金属薄膜。如图7所示，通过掩模版曝光工艺和其他构图工艺处理在一定区域形成数据线2。该数据线2包括源极、漏极，通过有源层形成沟道，且和栅极一起构成薄膜晶体管。
S504、在数据线上形成透明的钝化层，并在漏极和Vcom线相应位置处形成过孔。
具体的，采用和栅极绝缘层以及有源层相类似的方法，在整个玻璃基板上涂覆一层厚度在到
Figure BDA0000039954300000062
的钝化层，其材料通常是氮化硅或透明的有机树脂材料。此时栅线、数据线上面覆盖有相同厚度的钝化层。如图8所示，通过掩模版，利用曝光和刻蚀等构图工艺处理，在漏极和Vcom线相应位置处形成连接过孔81、82。
S505、在透明钝化层上沉积像素电极薄膜层。
具体的，采用和栅极绝缘层以及有源层相类似的方法，在整个玻璃基板的钝化层上沉积一层像素电极薄膜层。常用的像素电极为ITO(Indium Tin Oxides，铟锡氧化物)或IZO(Indium Zinc Oxide，铟锌氧化物)，厚度在
Figure BDA0000039954300000063
至
Figure BDA0000039954300000064
之间。
S506、在玻璃基板上形成像素电极层，通过构图工艺处理得到多个像素电极5、相邻两行Vcom线4之间的电连接段44、以及Vcom线IC接头3，如图9所示；其中，设数据线2的条数为N，则Vcom线IC接头3的个数大于0，且小于N+1，相邻两行Vcom线之间的电连接段44至少有一个。
在本实施例中，如图2所示，相邻的两行Vcom线4之间，在纵方向上具有Vcom线IC接头3的一组相对应的Vcom线4纵向电连接，即，具有Vcom线IC接头31、32、33的一组相对应的Vcom线4纵向电连接。
由本发明实施例提供的双栅TFT阵列基板的制造方法所得到的TFT基板，当数据线有N条时，Vcom线IC接头的个数大于0，且小于N+1；并且，相邻的两行Vcom线之间至少有一组相对应的Vcom线纵向电连接。这样一来，TFT阵列基板上的Vcom线IC接头的个数就减少了，相应的，节省了IC板的成本，提高了无Vcom线IC接头、无Vcom线纵向连接段的像素单元的开口率，而且由于Vcom线IC接头的个数仍然大于0，所以仍能够防止绿色缺陷。
当然，两种极端的情况是，相对Vcom线IC接头与数据线间隔设置的现有技术，本发明实施例可以在此基础上只减少一个Vcom线IC接头，或者减少到只剩一个Vcom线IC接头。换句话说，本发明实施例相对现有间隔设置的情况，可以从只减少一个Vcom线IC接头一直减少到只剩一个Vcom线IC接头。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。

Claims (8)

1.一种双栅的TFT基板，包括：玻璃基板、横向的栅线、网状的Vcom线、纵向的数据线；其中，所述网状的Vcom线的每一行的各个Vcom线分别电连接，Vcom线通过Vcom线IC接头与IC元件电连接；其特征在于，
设数据线的条数为N，则所述Vcom线IC接头的个数大于0，且小于N+1；
相邻的两行Vcom线之间至少有一组相对应的Vcom线纵向电连接。
2.根据权利要求1所述的双栅的TFT基板，其特征在于，所述Vcom线IC接头的个数为N。
3.根据权利要求1所述的双栅的TFT基板，其特征在于，所述Vcom线IC接头的个数为1。
4.根据权利要求1-3任一所述的双栅的TFT基板，其特征在于，相邻的两行Vcom线之间，在纵方向上具有所述Vcom线IC接头的一组相对应的Vcom线纵向电连接。
5.一种双栅的TFT基板的制造方法，其特征在于，包括：
在玻璃基板上形成第一导电薄膜，通过构图工艺处理得到多条栅线和网状的Vcom线；其中，所述网状的Vcom线的每一行的各个Vcom线分别电连接；
在玻璃基板上形成第二导电薄膜，通过构图工艺处理得到多条数据线；
在玻璃基板上形成像素电极层，通过构图工艺处理得到多个像素电极、相邻两行Vcom线之间的电连接段、以及Vcom线IC接头；其中，设数据线的条数为N，则所述Vcom线IC接头的个数大于0，且小于N+1，相邻两行Vcom线之间的所述电连接段至少有一个。
6.根据权利要求5所述的双栅的TFT基板的制造方法，其特征在于，
通过构图工艺处理得到Vcom线IC接头为N个。
7.根据权利要求5所述的双栅的TFT基板的制造方法，其特征在于，
通过构图工艺处理得到Vcom线IC接头为1个。
8.根据权利要求5-7任一所述的双栅的TFT基板的制造方法，其特征在于，
通过构图工艺处理，在相邻的两行Vcom线之间，在纵方向上具有所述Vcom线IC接头的一组相对应的Vcom线用所述电连接段电连接。
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