CN106158880B - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示装置，包括：基板；在基板上的栅极配线，该栅极配线包括栅极线和栅电极；数据配线，布置在基板上并且与栅极配线绝缘，该数据配线包括数据线、源电极和漏电极；像素电极，布置在基板上并且该数据配线绝缘，该像素电极通过接触孔连接至漏电极；以及在接触孔下方的背光屏蔽电极。

Description

显示装置
相关申请的交叉引证
本申请要求于2015年5月11日提交的韩国专利申请第10-2015-0065468号的优选权，其全部内容通过引证结合于此。
技术领域
本发明的示例性实施方式涉及显示装置，并且更具体地，涉及提高了显示质量的显示装置。
背景技术
显示装置基于其发光方案被分为如下类型，包括：液晶显示(“LCD”)装置、有机发光二极管(“OLED”)显示装置、等离子显示面板(“PDP”)装置、电泳显示(“EPD”)装置等。
在这样的显示装置中，广泛使用有源矩阵类型的显示装置，在该有源矩阵类型的显示装置中，像素区域以矩阵形式布置，在每个像素区域中，设置了由彼此交叉的栅极配线和数据配线限定的像素区域、开关元件(诸如薄膜晶体管(“TFT”))和像素电极，并且通过开关元件控制施加至每个像素区域的数据信号。
近来，使用单掩模形成半导体图案和数据配线图案的工艺被商业化，以便降低生产成本。在这种情况下，由于湿法蚀刻(wet etching)和回蚀刻(etch-back)处理的各向同性，在平面图中，数据配线图案的宽度小于半导体图案的宽度。换言之，在平面图中，半导体图案具有未与数据配线图案重叠的突起。
发明内容
通常，半导体图案包括非晶硅(a-Si)，并且非晶硅基于入射光的量改变传导率。因此，形成在半导体图案与数据配线图案之间的电容器的电容受到半导体图案的突起是否接收从背光单元发射的光的影响。因此，在显示装置中出现瀑布现象(waterfallphenomenon)，其中，亮带状部分和暗带状部分像是从显示装置的顶部流下到底部。
本发明的实施方式的示例性实施方式涉及一种防止瀑布现象的显示装置。
根据本发明的示例性实施方式，一种显示装置包括：基板；在基板上的栅极配线，该栅极配线包括栅极线和栅电极；数据配线，布置在基板上以与栅极配线绝缘，该数据配线包括数据线、源电极和漏电极；像素电极，布置在基板上以与数据配线绝缘，该像素电极通过接触孔连接至漏电极；以及在接触孔下方的背光屏蔽电极。
在示例性实施方式中，背光屏蔽电极可以布置在布置栅极配线的相同的层上。
在示例性实施方式中，背光屏蔽电极可以与栅极配线隔开。
在示例性实施方式中，背光屏蔽电极可以具有岛形状。
在示例性实施方式中，背光屏蔽电极可以具有圆形或多边形形状。
在示例性实施方式中，背光屏蔽电极可以具有比漏电极与像素电极之间的重叠面积大的面积。
在示例性实施方式中，漏电极可以包括具有与栅电极重叠的部分的第一漏电极、以及从第一漏电极延伸并且具有多边形形状的第二漏电极。
在示例性实施方式中，背光屏蔽电极可以具有比第二漏电极与像素电极之间的重叠面积大的面积。
在示例性实施方式中，像素电极可以包括通过接触孔连接至第二漏电极的像素电极接触部分。
在示例性实施方式中，显示装置可以进一步包括布置为与数据配线重叠的半导体层。
在示例性实施方式中，半导体层可以直接接触数据配线。
根据本发明的另一示例性实施方式，一种显示装置包括：彼此相对的第一基板和第二基板；在第一基板与第二基板之间的液晶(“LC”)层；在第一基板上的栅极配线，该栅极配线包括栅极线和栅电极；数据配线，布置在第一基板上以与栅极配线绝缘，该数据配线包括数据线、源电极和漏电极；像素电极，布置在第一基板上以与数据配线绝缘，该像素电极通过接触孔连接至漏电极；以及在接触孔下方的背光屏蔽电极。
在示例性实施方式中，背光屏蔽电极可以布置在布置栅极配线的相同的层上。
在示例性实施方式中，背光屏蔽电极可以与栅极配线隔开。
在示例性实施方式中，背光屏蔽电极可以具有岛形状。
在示例性实施方式中，背光屏蔽电极可以具有圆形或多边形形状。
在示例性实施方式中，背光屏蔽电极可以具有比漏电极与像素电极之间的重叠面积大的面积。
在示例性实施方式中，漏电极可以包括具有与栅电极重叠的部分的第一漏电极、以及从第一漏电极延伸并且具有多边形形状的第二漏电极。
在示例性实施方式中，背光屏蔽电极可以具有比第二漏电极与像素电极之间的重叠面积大的面积。
在示例性实施方式中，像素电极可以包括横向干电极、纵向干电极、从横向干电极和纵向干电极延伸的多个分支电极、从纵向干电极延伸的连接器、以及从连接器延伸的像素电极接触部分。
在示例性实施方式中，分支电极可以包括：第一分支电极，从横向干电极和纵向干电极沿左上方向延伸；第二分支电极，从横向干电极和纵向干电极沿右上方向延伸；第三分支电极，从横向干电极和纵向干电极沿左下方向延伸；以及第四分支电极，从横向干电极和纵向干电极沿右下方向延伸。
在示例性实施方式中，显示装置可以进一步包括在数据配线与像素电极之间的滤色器。
附图说明
根据下面结合附图进行的详细描述，将更清楚地理解本发明的以上和其他特征以及本发明的示例性实施方式，在附图中：
图1是示出了传统的显示装置的瀑布现象的平面图；
图2是示出了根据本发明的显示装置的示例性实施方式的框图；
图3是示出了图2中示出的多个像素中的一个的结构的示意图；
图4是示出了根据本发明的显示面板的像素的示例性实施方式的平面图；
图5是沿着图4的线I-I’截取的截面图；
图6是示出了图4的栅极层导体的平面图；
图7是示出了图4的像素电极的平面图；
图8是示出了图4的共用电极的平面图；以及
图9是示出了根据本发明的显示面板的像素的另一示例性实施方式的平面图。
具体实施方式
现在将在下文中参考附图更全面地描述示例性实施方式。
尽管本发明可以以各种方式修改并且具有多个实施方式，但在附图中示出了具体实施方式并且在说明书中将主要描述这些具体实施方式。然而，本发明的实施方式的范围不限于具体实施方式，并且应当解释为包含包括在本发明的精神和范围中的所有改变、等同物和替换。
贯穿说明书，当一个元件被称为“连接”至另一元件时，该元件“直接连接”至另一元件，或者利用其间插入的一个或多个中间元件“电连接”至另一元件。还应当理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprise)”、“包括(comprising)”、“包含(include)”和/或“包含(including)”指定所述的特征、整数、步骤、操作、元件及/或部件的存在，但并不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或添加。
应当理解，尽管本文中可以使用术语“第一”、“第二”、“第三”等来描述不同的元件，但是这些元件并不受这些术语的限制。这些术语仅用于将一个元件与另一个元件进行区分。因此，在没有偏离本文中的教导的情况下，以下讨论的“第一元件”可被称为“第二元件”或“第三元件”，并且“第二元件”和“第三元件”可以类似地称呼。
本文中使用的术语仅为了描述具体实施方式的目的，并非旨在限制。如本文中使用的，除非上下文另有明确说明，否则单数形式“一个(a)”、“一个(an)”和“该(the)”旨在包括复数形式，包括“至少一个”。“或者”表示是“和/或”。如在本文中所使用的，术语“和/或”包括一个或多个相关的列举项的任何和所有组合。应进一步理解的是，当在本说明书中使用时，术语“包括(comprise)”和/或“包括(comprising)、或者“包含(include)”和/或“包含(including)”指定所述特征、区域、整数、步骤、操作、元件和/或部件的存在，但是并不排除一个或多个其他特征、区域、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其组合的存在或者添加。
此外，在本文中可以使用诸如“下部”或“底部”以及“上部”或“顶部”的相对术语来描述如在附图中示出的一个元件与另一个元件的关系。应当理解的是，相对术语旨在包括除了附图中所描述的定向之外的装置的不同定向。例如，如果一个附图中的装置被翻转，则描述为在其他元件的“下部”侧的元件将位于其他元件的“上部”侧。因此，根据附图的具体定向，示例性术语“下部”可以包括“下部”和“上部”两个定向。类似地，如果一个附图中的装置被翻转，则描述为在其他元件“下面”或者“下方”的元件将位于其他元件的“上面”。因此，示例性术语“在…下面”或者“在…下方”可以包括在…上面和在…下面两个定向。
考虑到讨论中的测量以及与具体量的测量相关的误差(即，测量系统限制)，如本文中使用的“约”或“近似”包括所述值，并且指处于由本领域普通技术人员确定的具体值的可接受偏差范围内。例如，“约”可以指在一个或多个标准差内，或者在所述值的±30％、20％、10％、5％内。
除非另有限定，否则本文中使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开内容所属领域的普通技术人员通常所理解的相同的含义。将进一步理解的是，诸如常用词典中所定义的术语，应被解释为具有与相关技术及本公开内容的上下文中的含义一致的含义，并且不应解释为理想化或过于正式的意义，除非在本文中明确地如此定义。
在本文中，参照作为理想化实施方式的示意图的截面图来描述示例性实施方式。因而，例如，应预期到因制造技术和/或容差导致的示意图形状的变化。因此，本文中所描述的实施方式不应被解释为局限于本文中示出的区域的具体形状，而是包括例如由制造所导致的形状偏差。例如，被示出或描述为平坦的区域通常可以具有粗糙和/或非线性特征。此外，示出的尖角可以是圆形的。因此，附图中所示的区域在本质上是示意性的，并且它们的形状不旨在示出区域的精确形状，并且不旨在限制本权利要求的范围。
当确定详细说明可能在本发明的说明中造成本发明的目的不必要地模糊时，将省略这样的详细说明。此外，相同部件和相应部件被给定相同的参考标号。
图1是示出了传统的显示装置10的瀑布现象的平面图。
参考图1，瀑布现象是指在显示装置10中观察到的这样的情况，其中，亮带状部分AA1和暗带状部分AA2像是从显示装置10的顶部流下至底部。瀑布现象是由多种因素引起的，该多种因素之一包括对背光单元的光做出反应的半导体图案的突起。
在使用单个掩模、共用掩模设置半导体图案和数据配线图案的情况下，由于湿法蚀刻和回蚀刻处理的各向同性，在平面图中，数据配线图案被设置为具有比半导体图案的宽度小的宽度。换言之，在平面图中，半导体图案具有未与数据配线图案重叠的突起。
半导体图案通常包括非晶硅(a-Si)，并且非晶硅基于入射光的量改变传导率。因此，设置在半导体图案与数据配线图案之间的电容器的电容受到半导体图案的突起是否接收从背光单元发射的光的影响。因此，在显示装置10中可能发生瀑布现象，其中，亮带状部分AA1和暗带状部分AA2像是从显示装置10的顶部流下至底部。
考虑到上述情况提出本公开内容，并且本公开内容的示例性实施方式的说明性目标之一是通过防止瀑布现象来提供提高了显示质量的显示装置。
在下文中，将相对于例如液晶显示(“LCD”)装置来说明根据本发明的显示装置的示例性实施方式。然而，显示装置不限于此，并且本发明的特征也可应用于多种其他类型的显示装置，诸如，有机发光二极管(“OLED”)显示装置或者等离子显示面板(“PDP”)装置。
在下文中将参考图2和图3描述根据示例性实施方式的显示装置。图2是示出了根据示例性实施方式的显示装置的框图。图3是示出了图2中示出的多个像素PX中的一个的结构的示意图。
参考图2，根据示例性实施方式的显示装置可以包括显示面板300、栅极驱动器400、数据驱动器500、信号控制器600和灰度电压产生器800。
信号控制器600可以接收从主机(host)输入的控制信号，控制信号包括诸如图像信号R、G和B、以及数据使能信号DE、水平同步信号Hsync和垂直同步信号Vsync、以及时钟信号MCLK。
信号控制器600可以将数据控制信号CONT2和图像数据信号DAT输出至数据驱动器500，并且可以将用于选择栅极线的栅极控制信号CONT1输出至栅极驱动器400。信号控制器600可将光控制信号输出至光源产生器(未示出)，以便调节光源。
灰度电压产生器800可以产生提供至像素PX的所有或有限数量的灰度电压(在下文中，还称为“基准灰度电压”)，并且可将所产生的灰度电压输出至数据驱动器500。在示例性实施方式中，基准灰度电压的极性可以不同于共用电压的极性。
数据驱动器500可从灰度电压产生器800接收基准灰度电压的输入，并且可以响应于来自信号控制器600的数据控制信号CONT2和图像数据信号DAT，将灰度电压输出至多个数据线D1-Dm。在灰度电压产生器800提供有限数量的基准灰度电压的情况下，数据驱动器500可以通过划分基准灰度电压而产生比所接收的基准灰度电压的数量更大数量的扩展灰度电压。
当数据驱动器500将扩展灰度电压提供至数据线D1-Dm时，数据驱动器500可将具有不同极性的电压交替施加至每个帧的相应像素，同时始终保持灰度电压与共用电压之间的幅度差。
栅极驱动器400可以响应于栅极控制信号CONT1将栅极信号顺序地输出至多个栅极线G1-Gn。栅极信号可以具有导通连接至选定的栅极线的薄膜晶体管(“TFT”)的栅极导通电压Von，以及断开连接至未选定的栅极线的TFT的栅极断开电压Voff。
图3是示出了图2中示出的多个像素PX中的一个的结构的示意图。
参考图2和图3，显示面板300可以包括第一基板100、与第一基板100相对的第二基板200、以及在第一基板100与第二基板200之间的液晶(“LC”)层3。
第一基板100可以包括以矩阵形式的行和列布置的像素PX；多个栅极线G1-Gn，相同列中的像素PX连接至多个栅极线G1-Gn中的每个；相同行中的像素PX连接至多个数据线D1-Dm中的每个。
像素电极PE可以布置在第一基板100上，并且共用电极CE可以布置在第二基板200上。像素电极PE、共用电极CE和LC层3可形成LC电容器Clc。
在示例性实施方式中，共用电极CE可以布置在第二基板200上，并且可以接收共用电压。然而，示例性实施方式不限于此，并且共用电极CE可以布置在第一基板100上并且基于像素电极PE的形状可以具有线性形状或者条形形状。
在示例性实施方式中，LC层3可填充在第一基板100与第二基板200之间的密封剂(未示出)中。在示例性实施方式中，LC层3可以起到介电体的作用。密封剂(未示出)可以布置在第一基板100和第二基板200中的一个上，并且可以被配置为耦接第一基板100和第二基板200。
在示例性实施方式中，第一基板100和第二基板200可以通过密封剂(未示出)或隔离件(未示出)保持其之间的单元间隙在约2.0微米(μm)至约5.0μm的范围内，更具体地，例如在约3.3μm至约3.7μm的范围内。
偏光器(未示出)可以分别布置在第一基板100和第二基板200上，使得偏光器的偏振轴线基本上彼此垂直。换言之，偏光器可以分别布置在第一基板100上或第一基板100下，以及在第二基板200上或第二基板200下。
例如栅极驱动器400、数据驱动器500、信号控制器600和灰度电压产生器800的驱动元件可以连接至显示面板300，从而制造显示装置。详细地，例如栅极驱动器400、数据驱动器500、信号控制器600和灰度电压产生器800的驱动元件可以布置在集成电路(“IC”)芯片上并且直接安装在显示面板300上、可以以带载封装(“TCP”)的形式安装在柔性印刷电路膜(未示出)上并且附接至显示面板300、或者可以安装在额外的印刷电路板(“PCB”，未示出)上并且连接至显示面板300。
图4是示出了根据示例性实施方式的显示面板的像素的平面图。图5是沿着图4的线I-I’截取的截面图。图6是示出了图4的栅极层导体的平面图。图7是示出了图4的像素电极180的平面图。图8是示出了图4的共用电极230的平面图。
参考图4至图8，例如，第一基板100可以是绝缘基板，该绝缘基板包括塑料、诸如碱石灰玻璃(soda lime glass)或硼硅酸盐玻璃(borosilicateglass)的透明玻璃等。
包括传输栅极信号的栅极配线121、栅极配线122和栅极配线123、存储线配线125和存储线配线126、以及背光屏蔽电极128的栅极层导体可以布置在第一基板100上。
在示例性实施方式中，例如栅极配线121、栅极配线122和栅极配线123、存储线配线125和存储线配线126、以及背光屏蔽电极128的栅极层导体(在下文中，还称为“栅极层导体121、栅极层导体122、栅极层导体123、栅极层导体125、栅极层导体126和栅极层导体128”)例如可以包括诸如铝或铝合金的铝(Al)基金属、诸如银或银合金的银(Ag)基金属、诸如铜或铜合金的铜(Cu)基金属、诸如钼或钼合金的钼(Mo)基金属、铬(Cr)、钛(Ti)、以及钽(Ta)中的至少一种。
在示例性实施方式中，例如，栅极层导体121、栅极层导体122、栅极层导体123、栅极层导体125、栅极层导体126和栅极层导体128可以具有多层结构，该多层结构包括具有不同的物理性能的至少两个导电层(未示出)。在示例性实施方式中，两个导电层中的一个可以包括具有低电阻率的金属，例如，铝基金属、银基金属或铜基金属，以便降低信号延迟或者电压降。在示例性实施方式中，两个导电层中的另一个可以包括例如钼基金属、铬、钛或钽的材料，该材料相对于诸如氧化铟锡(“ITO”)和氧化铟锌(“IZO”)的透明导电氧化物(“TCO”)具有优良的接触性能。
栅极层导体的这样的多层结构的实例可以包括：包括铬下部层和铝上部层的结构、包括铝下部层和钼上部层的结构、以及包括钛下部层和铜上部层的结构。然而，示例性实施方式不限于此，并且栅极层导体121、栅极层导体122、栅极层导体123、栅极层导体125、栅极层导体126和栅极层导体128可以包括各种其他金属和导电材料。
栅极配线121、栅极配线122和栅极配线123可以包括：在例如横向方向的第一方向上延伸的栅极线121、从栅极线121突出以具有突起形状的栅电极122、以及从栅极线121突出以具有突起形状并且以预定距离与栅电极122隔开的栅极补偿部分123。
栅极线121可以包括弯曲以具有预定形状的弯曲区域121a，以便在栅极线121与背光屏蔽电极128之间维持预定距离d。
栅电极122与源电极165和漏电极166一起可以构成TFT的三个端。
栅极补偿部分123可以防止由于掩模未对准(misalignment)等导致的每个像素的栅电极122与漏电极166之间的电容变化所引起的图像质量的劣化。
存储线配线125和存储线配线126可以包括在例如横向方向的第一方向上延伸的水平部分125、以及从水平部分125突出以在例如与第一方向垂直的纵向方向的第二方向上从其延伸的垂直部分126。
存储线配线125和存储线配线126可以沿着像素电极180的至少一侧延伸。存储线配线125和存储线配线126可以或者可以不与像素电极180重叠。
在存储线配线125和存储线配线126与像素电极180重叠的情况下，存储线配线125和存储线配线126可以各自与像素电极180的边缘重叠，以便防止开口率减小。存储线配线125和存储线配线126可以外部接收存储电压。在示例性实施方式中，存储电压可以是直流(“DC”)电压。
存储线配线125和存储线配线126的水平部分125可以包括具有预定弯曲形状的弯曲区域125a，以便在水平部分125与背光屏蔽电极128之间维持预定距离d。
换言之，栅极配线121、栅极配线122和栅极配线123、以及存储线配线125和存储线配线126可以各自以预定距离d与背光屏蔽电极128隔开。因此，可以防止边缘场的形成，从而防止图像质量的劣化。
背光屏蔽电极128可以布置在接触孔175下，TFT和像素电极180通过该接触孔175连接。
背光屏蔽电极128的位置可以基于TFT和像素电极180的形状改变。此外，在像素电极180包括施加了不同电压的多个子像素电极的情况下，背光屏蔽电极128可以包括多个背光屏蔽电极。
背光屏蔽电极128可以不被提供任何控制信号，并且可以不连接至任何导体，例如栅极配线、数据配线、存储线配线和像素电极。换言之，背光屏蔽电极128可以为电气浮置岛(electrically floating island)形状。
在示例性实施方式中，例如，背光屏蔽电极128可以具有圆形或多边形形状，类似于第二漏电极166b或像素电极接触部分185，并且为了提高开口率，可以具有如图6中所示的六边形形状。
背光屏蔽电极128可以具有比第二漏电极166b与像素电极接触部分185之间的重叠面积大的面积。
背光屏蔽电极128可以防止像素电极180受到从背光单元(未示出)发射的被照射到半导体层的突起的光的影响。
栅极配线121、栅极配线122和栅极配线123、存储线配线125和存储线配线126、以及背光屏蔽电极128可以在相同处理中同时设置。
栅极绝缘层130可以布置在第一基板100上，在第一基板100上设置栅极层导体121、栅极层导体122、栅极层导体123、栅极层导体125、栅极层导体126和栅极层导体128。在示例性实施方式中，例如，栅极绝缘层130可以包括氧化硅(SiOx)或者氮化硅(SiNx)。在示例性实施方式中，例如，栅极绝缘层130可以进一步包括氧化铝、氧化钛、氧化钽或者氧化锆。
半导体层140可以布置在栅极绝缘层130上。半导体层140可以与下面将进一步描述的数据配线162、数据配线165和数据配线166基本重叠。在示例性实施方式中，例如，半导体层140可以包括氧化物半导体，该氧化物半导体包括非晶硅(a-Si)、多晶硅(poly-Si)、镓(Ga)、铟(In)、锡(Sn)和锌(Zn)中的至少一种。
欧姆接触层155和欧姆接触层156可以布置在半导体层140上。欧姆接触层155和欧姆接触层156可以用于提高下面将进一步描述的源电极165和漏电极166与半导体层140之间的接触性能。欧姆接触层155和欧姆接触层156可以不布置在源电极165与漏电极166之间的沟道区域中。
在这种情况下，例如，欧姆接触层155和欧姆接触层156可以包括掺杂有高浓度n型杂质(n+a-Si)的非晶硅。在充分保证半导体层140与源电极165和漏电极166之间的接触性能的情况下，可以省去欧姆接触层155和欧姆接触层156。
数据配线162、数据配线165和数据配线166可以布置在半导体层140上。数据配线162、数据配线165和数据配线166可以包括在前述的栅极层导体121、栅极层导体122、栅极层导体123、栅极层导体125、栅极层导体126和栅极层导体128中包括的相同材料。
数据配线162、数据配线165和数据配线166可以包括数据线162、源电极165和漏电极166。数据线162可设置在与栅极线121相交的例如纵向方向的第二方向上，以便与栅极线121一起限定像素区域。
源电极165可以从数据线162分支以延伸至栅电极122上。
漏电极166可以包括：具有与栅电极122重叠的部分的第一漏电极166a、从第一漏电极166a延伸以具有多边形形状的第二漏电极166b、以及从第二漏电极166b延伸以与栅极补偿部分123重叠的第三漏电极166c。然而，示例性实施方式不限于此，并且第二漏电极166b可以基于TFT和像素电极180的布置而被修改为多种形状，诸如圆形或者四边形形状。
在TFT的运行期间，传输电荷的沟道可以设置在源电极165与漏电极166之间的半导体层140内。
在半导体层140和数据配线162、数据配线165和数据配线166使用相同掩模设置的情况下，除了沟道区域，数据配线162、数据配线165和数据配线166可以具有与设置在数据配线162、数据配线165和数据配线166下的半导体层140的图案基本上相同的图案。
然而，基于使用相同掩模的蚀刻方案，半导体层140可以具有从其突出的突起，例如，该突起远离数据配线162、数据配线165和数据配线166中的每一个的两个侧壁至约3μm或以下的预定距离，从而不被数据配线162、数据配线165和数据配线166覆盖。
钝化层169可以布置在由于形成数据配线162、数据配线165和数据配线166而获得的整个结构上方。在示例性实施方式中，钝化层169可以具有单层或多层结构，例如包括：氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、具有光敏性的有机材料、诸如a-Si:C:O或者a-Si:O:F的低介电常数的绝缘材料等。
滤色器170可以布置在钝化层169上。在示例性实施方式中，滤色器170可以仅布置在像素区域上，或者可替代地，可以布置在像素区域和设置TFT的区域上。
在示例性实施方式中，例如，滤色器170可以显示红色、绿色、蓝色、青色、紫红色、黄色和白色中的一种。包括红色、绿色和蓝色的组合、或者青色、紫红色和黄色的组合的三种基本颜色可以设置为用于形成颜色的基本像素组。然而，示例性实施方式不限于此，并且滤色器170可以布置在第二基板200上。
尽管未示出，覆盖层可进一步布置在滤色器170上。覆盖层(未示出)可以用于防止从滤色器170产生的污染流入到LC层3中。在示例性实施方式中，例如，覆盖层可以包括诸如氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOx)或碳氧化硅(SiOC)的无机材料、或者有机材料。
通过其暴露第二漏电极166b的一部分的接触孔175可以被限定在钝化层169和滤色器170中。
环境光屏蔽电极172可以沿着数据线162布置在滤色器170上。环境光屏蔽电极172可以具有比数据线162的宽度宽的宽度，并且在平面图中，可被布置为覆盖数据线162。
此外，突出电极173可以布置在滤色器170上以与栅极线121平行。突出电极173可以与环境光屏蔽电极172整体地设置。环境光屏蔽电极172和突出电极173可以接收与黑色灰度对应的电压。在示例性实施方式中，环境光屏蔽电极172和突出电极173可以包括诸如ITO或者IZO的透明导体。环境光屏蔽电极172和突出电极173可以与像素电极180在相同处理中同时设置，并且可以通过另外的绝缘层电绝缘。
像素电极180可以布置在滤色器170上的像素区域中。在示例性实施方式中，像素电极180可以包括诸如ITO或者IZO的透明导体。
如图4和图7中所示，像素电极180可以包括在第二方向上布置的多个平面电极181、从每一个平面电极181延伸的分支电极183a、分支电极183b、分支电极183c和分支电极183d、通过接触孔175连接至第二漏电极166b的像素电极接触部分185、以及连接相邻的平面电极181并且连接平面电极181与像素电极接触部分185的连接器187。
在示例性实施方式中，例如，平面电极181可以具有菱形形状。分支电极183a、分支电极183b、分支电极183c和分支电极183d可以各自从平面电极181的侧面沿倾斜方向延伸。在这种情况下，分支电极183a、分支电极183b、分支电极183c和分支电极183d可各自从平面电极181的侧面沿与其对应侧面垂直的方向延伸。
分支电极183a、分支电极183b、分支电极183c和分支电极183d之间的空间可限定为狭缝，并且LC的主轴184的方向可以通过该狭缝确定。换言之，LC的主轴184可与狭缝的长度方向相对应。
在示例性实施方式中，像素电极接触部分185可以具有多边形形状，例如，类似于背光屏蔽电极128或第二漏电极166b。然而，像素电极接触部分185的形状不限于此，并且例如，像素电极接触部分185可以具有诸如圆形形状的各种形状。
尽管未示出，下部配向层可以布置在像素电极180上。在示例性实施方式中，例如，下部配向层可以是同型的(homeotropic)配向层，并且可以包括感光材料。在示例性实施方式中，例如，下部配向层可以包括以下中的一个或多个：聚酰胺酸、聚硅氧烷和聚酰亚胺。
在示例性实施方式中，第二基板200可以是绝缘基板，该绝缘基板包括塑料、诸如碱石灰玻璃或硼硅玻璃的透明玻璃等。
遮光构件210可以布置在第二基板200上。在示例性实施方式中，遮光构件210也可以称为黑矩阵，并且可以包括诸如氧化铬(CrOx)的金属或者不透明有机层形成材料。
遮光构件210可以具有多个孔，所述孔具有与像素PX的形状相似的形状，使得从背光单元(未示出)发射的光可透射穿过像素PX。此外，遮光构件210可以布置在与布置在与第一基板100上的栅电极122、数据线162和TFT对应的区域中。然而，示例性实施方式不限于此，并且遮光构件210可以布置在第一基板100上。
保护层220可以布置在遮光构件210上。保护层220可用于使保护层220下的层(诸如遮光构件210)的弯曲表面平坦化，或者防止杂质元素(impure element)从其下的这种层冒出。然而，示例性实施方式不限于此，并且在遮光构件210布置在第一基板100上的情况下，保护层220可以布置在第一基板100的遮光构件210上。
共用电极230可以布置在保护层220上。
如图4和图8中所示，共用电极230可以具有包括彼此交叉的水平电极230a和垂直电极230b的十字形。水平电极230a与垂直电极230b之间的相交部分可以位于平面电极181的中心部分处。
因为像素PX可以包括多个共用电极230，所以多个共用电极230可互相连接。在示例性实施方式中，多个共用电极230可以是整体的。共用电极230可以包括在像素电极180中包括的相同材料。
尽管未示出，但是配向层可以进一步被布置在共用电极230上。在示例性实施方式中，例如，配向层可以是同型的配向层或者使用光聚合材料光配向的配向层。在示例性实施方式中，例如，这样的光聚合材料可以是反应性单体或者反应性介晶(mesogen)。
图9是示出了根据另一示例性实施方式的像素电极190的结构的平面图。
参考图9，像素电极190可以包括横向干电极192、纵向干电极194、从横向干电极192和纵向干电极194分支的第一分支电极196a、第二分支电极196b、第三分支电极196c和第四分支电极196d、连接器197、以及像素电极接触部分198。
横向干电极192和纵向干电极194可以具有线性形状，并且横向干电极192和纵向干电极194可以彼此结合以形成交叉形干电极。然而，横向干电极192和纵向干电极194的形状不限于此，并且横向干电极192和纵向干电极194可以各自具有其宽度从其端部至其中心部分增加的形状。
第一分支电极196a可从横向干电极192和纵向干电极194分支以沿左上方向从其延伸。第二分支电极196b可从横向干电极192和纵向干电极194分支以沿右上方向从其延伸。第三分支电极196c可从横向干电极192和纵向干电极194分支以沿左下方向从其延伸。第四分支电极196d可从横向干电极192和纵向干电极194分支以沿右下方向从其延伸。
第一分支电极196a、第二分支电极196b、第三分支电极196c和第四分支电极196d的侧面可以使电场变形以形成电场的水平分量，电场的水平分量确定LC分子302的倾斜方向。电场的水平分量可以设置为与第一分支电极196a、第二分支电极196b、第三分支电极196c和第四分支电极196d的侧面基本平行。因此，LC分子302可分别沿四个不同的方向布置在像素电极190的四个子区域Da、Db、Dc和Dd中。
连接器197可以连接纵向干电极194和像素电极接触部分198。
参考图4和图9，像素电极接触部分198可以通过设置在钝化层169和滤色器170中的接触孔175接触第二漏电极166b。
在示例性实施方式中，例如，像素电极接触部分198可以具有多边形形状，类似于背光屏蔽电极128或第二漏电极166b。然而，像素电极接触部分198的形状不限于此，并且像素电极接触部分198可以具有各种其他形状，诸如，圆形形状或者多边形形状。
在这种情况下，例如，共用电极230可以具有其中未限定多个狭缝(切口部分)的连续的平面电极形状。
如上所述，根据一个或多个示例性实施方式，显示装置可以通过将岛形状的背光屏蔽电极布置在连接TFT和像素电极的接触孔下，来防止瀑布现象。
从前述内容，将理解的是，已经出于说明的目的在本文中描述了根据本公开内容的各种实施方式，并且在没有背离本教导的范围和精神的情况下可以做出各种修改。因此，本文中公开的各种实施方式不旨在限制本教导的真实范围和精神。以上描述的各种特征和其他实施方式可以以任何形式混合和匹配，以产生与本发明一致的其他实施方式。

Claims (10)

1.一种显示装置，包括：
基板；
在所述基板上的栅极配线，所述栅极配线包括栅极线、从所述栅极线突出以具有突起形状的栅电极、以及从所述栅极线突出以具有突起形状并且以预定距离与所述栅电极隔开的栅极补偿部分；
在所述基板上的存储线配线，所述存储线配线包括水平部分和垂直部分；
数据配线，布置在所述基板上并且与所述栅极配线绝缘，所述数据配线包括数据线、源电极和漏电极；
像素电极，布置在所述基板上并且与所述数据配线绝缘，所述像素电极通过接触孔连接至所述漏电极；以及
在所述接触孔下方的背光屏蔽电极，
其中所述背光屏蔽电极和所述栅极线之间的距离、所述背光屏蔽电极和所述栅电极之间的距离、所述背光屏蔽电极和所述栅极补偿部分之间的距离以及所述背光屏蔽电极和所述水平部分之间的距离相同。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述背光屏蔽电极和所述栅极配线布置在相同层上。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述背光屏蔽电极与所述栅极配线隔开。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述背光屏蔽电极具有岛形状。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述背光屏蔽电极具有圆形形状和多边形形状之一的形状。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述背光屏蔽电极具有比所述漏电极与所述像素电极之间的重叠面积大的面积。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述漏电极包括：
第一漏电极，具有与所述栅电极重叠的部分；以及
第二漏电极，从所述第一漏电极延伸并且具有多边形形状。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述背光屏蔽电极具有比所述第二漏电极与所述像素电极之间的重叠面积大的面积。
9.根据权利要求7所述的显示装置，其中，所述像素电极包括通过所述接触孔连接至所述第二漏电极的像素电极接触部分。
10.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括与所述数据配线重叠的半导体层。
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