CN1304055A - 用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板 - Google Patents

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Abstract

一种用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列,包括:栅极线路,该栅极线路包括在水平方向形成的栅极线;数据线路,该数据线路包括在垂直方向形成的数据线,其中数据线路与栅极线路相交叉并与所说栅极线路绝缘;象素电极,该象素电极是在通过该栅极线和数据线相交叉限定的象素中形成,用于通过数据线接收图像信号;存储线路,该存储线路,包括存储电极线和连接存储电极线的存储电极,其中,存储线路通过重叠象素电极形成存储电容;和存储线路连接线,至少连接该存储线路到一邻近象素。

Description

用于液晶显示器的薄膜 晶体管阵列面板
本发明涉及用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板，特别是涉及一种具有用于形成存储电容的单独存储线路的液晶显示薄膜晶体管阵列面板。
液晶显示器(LCDs)是一种最广泛使用的平板显示(FPD)结构。液晶显示器具有两个含电极的板，用于产生一电场，和在该两板之间插入的液晶层。利用加到该液晶层的电场强度可控制入射光的透射率。
在该最广泛使用的液晶显示器中，两个板上分别形成场产生电极(公共和象素电极)，其中的一个板具有薄膜晶体管开关元件，用来控制加到该象素电极的图像信号。
典型的液晶显示器使用薄膜晶体管作为开关元件，在设置了薄膜晶体管的板上形成彼此跨越的数据线和栅极线，并限定了一矩阵阵列的各象素。此外，在各象素中形成的象素电极通过薄膜晶体管从数据线接收图像信号和与一公共电极一起产生电场。
在用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板中，形成的存储电极线用于经过绝缘层重叠象素电极和与该象素电极一起提供存储电容以增加液晶电容的容量。通常，把加到另一板公共电极上的公共信号，或加到栅极线的栅极信号加到该存储电极线。
但是，在该液晶显示器运行期间，由于传送到该数据线的图像信号连续变化，使加到存储电极的电压改变，由于存储电容的电阻而改变了该存储电极线的电位。这将导致液晶电容变化和LCD图像质量的全面降低，其结果是使串扰和闪烁发生。
本发明的一个目的是提供一种用于LCD的薄膜晶体管阵列面板，从而使加到存储电极线的电压变化减少以便使串扰和闪烁降至最低。
本发明的另一目的是提供具有线路结构的用于LCD的薄膜晶体管阵列面板，从而使线路的断开/短路缺陷容易修复。
根据本发明，通过形成一至少连接相互邻近象素的存储线路的冗余线和形成一冗余修复线，该冗余线两端重叠邻近象素的该存储线路而实现上述目的。
在本发明的液晶显示器薄膜晶体管阵列面板中，包括了栅极线的栅极线路(gate wire)是在水平方向形成，包括了数据线的数据线路(data wire)是在垂直方向形成，该数据线与该栅极线相交叉并相互绝缘，经数据线接收图像信号的象素电极是在由栅极线和数据线相交叉定义的象素中形成。以及形成包括存储电极线和连接该存储电极线并通过重叠所说象素电极产生存储电容的存储线路，和形成至少连接邻近象素的该存储线路的存储线路连接线。
还可形成重叠邻近象素的存储线路的冗余修复线端。
最好是使该存储线路连接线在与该象素电极相同的层上形成和使该冗余修复线在与该数据线相同的层上形成，而该存储线路是在与栅极线路相同的层上形成。
此外，最好使该存储线路叠加该象素电极的边沿部分，和使象素电极具有多个周角(rounded corner)相连接的矩形形状，矩形开口图形(openingpattern)，锯齿形或十字形以便按多畴结构，调整液晶分子。
具体地说，在绝缘层衬底上形成了包括在水平方向传送扫描信号的栅极线和形成了连接栅极线的栅电极。形成了覆盖所说栅极线路和所说存储线路的栅绝缘层以及由半导体材料制作的半导体层。形成了数据线路；源电极；漏电极，其中该数据线路包括在垂直方向构成的数据线，和通过引入的栅极线定义矩阵阵列的象素；该源电极连接数据线并在半导体层上延伸；该漏电极在该半导体层上延伸并相关于该栅电极与源电极分开。构成一覆盖半导体层的钝化层。构成一象素电极和存储线路连接线，其中该象素电极电连接该象素中的漏电极并通过叠加存储线路形成一存储电容；该存储线路连接线至少连接邻近象素的存储线路部分。
最好使象素电极与存储线路连接线在彼此相同的层上形成并形成在钝化层上。此外，可增加一冗余修复线共两端重叠的邻近象素的存储线路它在与数据线路相同的层上形成。
附图构成该说明书的一部分用以和说明书一起说明本发明以解释本发明的原理。
图1是本发明第一实施例液晶显示薄膜晶体管阵列面板线路图；
图2是本发明第一实施例液晶显示薄膜晶体管阵列面板的布局方案图；
图3是图2沿线Ⅲ-Ⅲ＇获取的截面图；
图4A到4D是依据本发明第一实施例方法制作的液晶显示薄膜晶体管阵列面板的截面图；
图5A到5G是依据本发明第一实例方法制作的另一液晶显示薄膜晶体管阵列面板的截面图；
图6是本发明第一实施例液晶显示薄膜晶体管阵列面板电路图；
图7本发明第二实施例液晶显示薄膜晶体管阵列面板布线图；
图8是图2沿Ⅷ-Ⅷ＇获取的截面图；
图9是本发明第二实施例液晶显示薄膜晶体管面板阵列电路图。
下面将接合附图对本发明作更详细的描述，附图示出了本发明的优选实施例。然而本发明可以以多种不同形式来实施，而不能理解为局限于下面的实施例。在附图中，层和区域的厚度夸大表示。全文中类似的标号表示类似的元件。可以理解，当提到某元件，例如层、区域、或基底，位于另一元件之上时，此元件可能直接处于此另一元件上，或者可以存在中间的元件。相反，当提到某元件“直接位于”另一元件上时，则没有中间元件。
图1是本发明第一实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板线路图。
如图1所示，在本发明第一实施例用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板中，多个栅极线22传输扫描信号和多个数据线62传送显示信号或图像信号，它们彼此相交叉。该栅极线22和数据线62定义了一个矩阵阵列中的多个象素。每个象素包括象素电极82，通过数据线和薄膜晶体管TFT将图像信号加于该象素电极82。该薄膜晶体管TFT的栅和源和漏电极分别连接到栅极线22，数据线62，和象素电极82。此外，形成多个存储电极线26和28，它们与栅极线22平行并且接收一电压例如是加到液晶显示器上面板的公共电极(未示出)的公共电压。该存储电极线26和28为双线结构，通过存储电极27彼此相连接，并且它们平行于该数据线62。通过重叠该象素电极82，存储线路26,27和28提供存储电容。在垂直方向形成的存储线路连接线84至少电连接邻近象素的存储线路26,27和28，而冗余修复线68，它的两端重叠存储线路26,27和28以及形成邻近象素。
在本发明的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板中，因为邻近象素的存储线路26,27和28至少是通过存储线路连接线84彼此相连接，从而使加到存储线路26,27和28的存储电容的电压变化可降至最低，这将导致减少它的畸变，从而使串扰和闪烁减至最少。
此外，在本发明的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板中，如果栅极线22或数据线62分别断开时，断开的线路可通过使用冗余修复线68，存储线路26,27和28以及存储线路连接线84修复。这将参考图1在下面讨论。
例如，如果数据线62在A部断开，重叠数据线62的C部和A部两侧的存储电极线用激光短路，而重叠存储电极线26和28的B部和A部左侧的冗余修复线用激光短路。因此传送到断开数据线62的图像信号通过冗余修复线68以及存储电极线26和28重新布线。此时，在B和C之间的两侧部分外存储电极线26和28的D部(用X表示)被切断从而防止图像信号传送到所有的存储线路26,27和28中。
作为另一个例子，如果栅极线22在E部损坏，重叠栅极线22的F部和E右侧上的存储线路连接线84，和重叠冗余修复线68的H部和E部左侧上的存储电极线26分别使用激光短路。因此，传送到断开栅极线22的扫描信号通过该冗余修复线68，存储电极线26和存储连接线84改变路线。此时，在H部和F部之间的两侧部分之外，存储电极线26的G部(用X表示)；连接F部和H部间的存储电极线26的存储电极线27；和在F部与存储电极线28之间的存储线路连接线84均断开，从而防止扫描信号传送到该存储线路26,27和28。冗余修复线可只用于修复栅极线22的断开而不使用存储线路连接线84。
其中，该冗余修复线68和该存储线路连接线84可以在彼此相同的层和与该象素电极82或数据线路62相同的层上形成，或在不相同的层上形成。在本发明该实施例中，该存储线路26,27和28是在与栅极线22相同的层上形成，该冗余修复线68是在与该数据线62相同层上形成，而该存储线路连接线84是在与该象素电极82的相同层上形成。这将参考图2和3详细讨论。
图2是本发明第一实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板示意图，而图3是沿图2Ⅲ-Ⅲ线形成的截面图。
如图2和3所示，金属或例如铝(Al)或铝合金，钼(Mo)或钼-钨(MoW)，铬(Cr)，和钽(Ta)导电材料的栅极线路和存储线路是在绝缘衬底10上形成。栅极线路包括沿图1水平方向延伸并且传送扫描信号的栅极线(或扫描线)22以及包括栅电极24，它是栅极线的一部分和是薄膜晶体管的一个端点。栅极线路(gate wire)还包括连接到栅极线22一端。栅极线路和把外部电路的扫描信号传送到栅极线22的衬垫。存储线路(storage wire)包括与栅极线22平行地构成的存储电极线26和28，并且它具有双结构(dual structure)以及包括将存储电极线26和28彼此连接的存储电极27。把例如公共电压的电压加到该液晶显示的上面板的公共电极(未示出)。存储线路26,27和28与象素电极82一并提供存储电容以提高液晶显示电容的容量，这将在后面描述。
当栅极线路部分22,24和存储线路部分26,27和28是用多层构成时，栅极线路部分22和24以及存储线路部分26,27和28可具有多层结构以及单层结构，最好是相关于象素电极用低电阻率的材料制造一个层和用良好接触特性的另一材料，特别是ITO(铟锡氧化物)制造另一层。这是因为该线路与用于象素电极的ITO一起使用时，增强衬垫部分与外部的电连接。
在栅极线路部分22和24以及存储线路部分26,27和28上形成硅氮化物(SiNx)的栅隔离层30并且将它们覆盖。
半导体图形40(例如氢化物非晶硅半导体制作的)在栅绝缘层30上形成。欧姆接触层图形55和56(象用磷杂质重掺杂的非晶硅材料制造的)是在半导体图形40上形成。
由例如钼或钼钨、铬、铝或铝合金、以及钽导电材料制作的源和漏电极65和66是在欧姆接触层图形55和56上形成。数据线62在栅绝缘层30上形成，沿图2垂直方向延伸，数据线62连接到源电极65并且和栅极线22一起定义一象素。数据线路部分62,65和66还包括连接到数据线62一端的数据衬垫。数据衬垫把来自外部的图像信号传送到数据线。此外与数据线路部分62,65和66相同层的冗余修复线68其各端重叠邻近象素列的存储电极线26和28，该冗余修复线68是在绝缘层30上沿图2垂直方向形成的。如上所述，存储线路连接线84(参考图1)也可与冗余修复线68一并在和数据线路部分62,65和66的相同层的绝缘层30上形成。
数据线路部分62,65，和66以及冗余修复线68也可象栅极线路部分22和24以及存储线路26,27和28一样具有多层结构。当然，在数据线具有多层结构时，最好是，用低电阻率材料制作一个层和用良好接触特性的另一材料制作另一层。
钝化层(passivation layer)72是在数据线路部分62,65和66以及半导体图案40上形成，它没有被数据线路部分62,65，和66覆盖。钝化层72具有露出漏电极66的接触孔71以及含有与栅绝缘层一起露出的该存储电极线26和28的接触孔74。钝化层72可用例如SiNx，丙烯有机材料，其它透明有限光材料或其他有机材料制成。
接收图像信号并与上面板公共电极一起产生电场的象素电极82是在钝化层72上形成，象素电极82是由例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料制作的并通过接触孔71连接到漏电极66。此外，通过钝化层72和栅绝缘层30的接触孔74用于连接邻近存储线路26,27，和28的存储线路连接线84是在与象素电极82相同层上形成。另一方面钝化层还可具有接触孔用于露出栅衬垫和数据衬垫，和通过接触孔连接栅极和数据衬垫的冗余栅和数据衬垫可在与象素电极82相同的层上形成。
同时，如图2所示，使用存储线路26,27和28作为光阻挡层以便阻止在邻近象素电极82的边沿部分上泄露光。为了增大LCD的宽视角，最好使液晶分子以多畴结构(multi-domain configuration)排列。为了获得这样一种结构，象素电极可具有不同的象素分配图形(pixel division pattern)。其中，象素电极通过提供一个条纹区(fringe rield)可具有用圆角(rounded corners)连接的多个矩形，矩形开口图形，矩齿形或十字形以便按多畴结构排列液晶分子。为了实现最佳视角，最好是把单元象素分为四个范畴。为了实现稳定的分配顺序，最好是除了在多畴边界外不产生不受欢迎或不均匀的纹理，和最好是使由该形状限定的邻近范畴中的液晶分子的方位(director)按90口角排列。此时，泄漏光是由于不受欢迎和不均匀的纹理产生的，以及存储线路26,27和28可具有各种图形。当然，相对于象素电极82的公共电极(未示出)依据该象素电极82的图形可具有各种开口图形(opening pattern)。
在本发明的这种结构中，冗余修复线路68或存储线路连接线84定位在各象素区，并且也可定位在许多象素区的每个中。
在该实施例中，采用透明的ITO作为象素电极82的样品材料，但是，不透光的导电材料也可用在反射型液晶显示中。
下面，相关于本发明第一实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板的制造方法将参考附图进行描述。
图4A到4D是根据本发明第一实施例制造的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板的截面图。
首先，如图4A所示，设置一含有低电阻率的导电层并且构图，从而在绝缘衬底10上用掩模通过光刻法形成包括栅极线22和栅电极24的栅极线路部分以及包括存储电极线26,28和存储电极(参考图2)的存储线路部分。
接着，如图4B所示，由例如硅氮化物绝缘材料制造的栅极绝缘层30，又如非晶硅半导体材料制造的半导体层40，和如掺杂非晶硅导电材料制造的欧姆接触层50是通过化学汽相淀积法顺序形成的层，使用掩模图案法在栅电极24顶部并对应栅绝缘层30形成两个成岛形的半导体层40和欧姆接触层50。
再如图4C所示，用掩模通过光刻法由溅射和构图淀积低电阻率的导电层，以便形成数据线路62,65和66(参考图2)和冗余修复线68。
然后，通过利用数据线路62,65和66作掩模蚀刻欧姆接触层50以便分开欧姆接触层图案55和56，并使源电极65和漏电极之间的半导体层40露出。
再如图4D所示，通过淀积如硅氮化物(SiNx)，或硅氧化物的无机绝缘材料或有机绝缘材料和与栅绝缘层30一并构图形成钝化层72，从而各形成接触孔71和74用以露出漏电极和存储线路26,27和28(参考图2)。
接着如图2和3所示，用掩模通过光刻淀积和蚀刻透明导电层IZO或ITO，从而形成象素电极82和存储线路连接线84。
另一方面，参考附图将描述本发明一实施例利用四种掩模制造液晶显示薄膜晶体管阵列面板的方法。
图5A到5G是根据本发明第一实施用另一种方法制造的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板的截面图。
首先，如图5A所示，通过光刻法用干或湿蚀刻导电层淀积和构图含有低电阻率的导电层从而形成栅极线路部分22和24，以及存储线路部分26,27和28。
再，如图5A所示，通过如化学汽相淀积法(CVD)分别顺序淀积栅绝缘层30，半导体层40，和欧姆层50。然后，通过例如溅射法淀积导电层60并且将具有1μm到2μm厚度的光刻胶层涂在导电层60上。
之后，通过第二掩模曝光该光刻胶层并显影从而形成图5B所示光刻图案112和114。此时，定位在源电极65和漏电极66之间即，薄膜晶体管沟道部分C的光刻图案第一部分114薄于定位在将形成数据线路部分62,65，66和冗余修复线68的A部的光刻图案第二部分112如图5B所示。因此，定位在B部分的光刻图案第三部分或保留部分薄于第一部分。该第三部分可具有随蚀刻法而变化的厚度。例如，当使用湿蚀刻时第三部分实际为零厚度，但是，当使用干蚀刻时第三部分可为非零厚度。此时第一部分114和第二部分112之间厚度比取决于后面将要讨论的蚀刻条件。然而，最好是使第一部分114的厚度等于或小于第二部分112厚度的一半。
有许多方法可使光刻胶层厚度随位置变化，通过例如形成缝隙或格子图案，或在掩模上提供部分透射光层，可以控制部分入射光量。
此时，最好使缝隙大小和缝隙之间的不透光部分小于曝光器件的分辨率。当采用部分透光(panly-transparent)层时，减少曝光量，可采用包括具有不同透射率或含有各种厚度的膜的掩模。
当通过该掩模曝光光刻胶层时，光刻胶层的聚合物通过光蜕变。当直接曝光的部分聚合物全部蜕变时，曝光步骤完成。然而，因为入射光量小于直接曝光部分的光量，通过缝隙图案曝光的光刻胶层部分的聚合物没有全部蜕变。通过阻挡层没有曝光的光刻胶层的聚合物难于蜕变。当显影该光刻胶层时，难于蜕变的光刻胶层部分几乎被保留，和在以小于接受全曝光该部分的光量曝光该部分时，保留一薄的部分，但是，如果该曝光时间太长，光刻胶层全部聚合物蜕变。因此，这种过曝光应避免。
通过形成由光敏材料和回流(reflowable)材料制作的光刻胶层或形成薄部分114，以便经过分别具有实质透光部分和实质不透光部分的掩模对光刻胶层曝光从而形成具有零和非零厚度部分的光刻图案，和回流光刻胶以使流入零厚度部分从而形成新光刻图案。
再回到图5C，接着对光刻图案114和包括导电层60，欧姆接触层50，和半导体层40的各层进行蚀刻处理。当完成该处理时，除沟道C部分半导层外可保留数据线路和冗余修复线以及A部下的各层。另外，在其余的B部中有三个层60,50，和40从该栅绝缘层30去除。
如图5C所示，通过去除其上的导电层60露出B部的欧姆接触层50。此时，可采用湿和干的两种蚀刻，和最好是在使导电层60被蚀刻而光刻胶层112和114不蚀刻条件下完成蚀刻。然而，因为在干蚀刻时难于实现它，所以可以在光刻图案112和114也被蚀刻的条件下完成蚀刻。在该情况下，第一部分114可比湿蚀刻时厚以使导电层60不露出。
如果导电层是由钼或钼钨合金，铝或铝合金或钽制作，可采用干或湿蚀刻。但是，如果导电层60是由铬制作，最好采用湿蚀刻，因为铬不易通过干蚀刻去除。可用CeNHO3作为用于蚀刻铬导电层60的湿腐蚀剂。可用CF4和HCl或CF4和O2的混合气体系统来干蚀刻钼或钼钨导电层60并且在该情况下，在光刻胶层上后者系统的蚀刻速度类似于导电层60的蚀刻速度(etch rate)。
参考图5C，相关于源/漏电极在沟道C部和A部分保留了光刻胶层112和114下面的导电体67的部分，而B部分的其余导电层60全部被去除以露出其下面的欧姆接触层50。此时除了源电极65和漏电极66彼此连接外导电体图案67和68与数据线路部分62,65和66以及冗余修复部分68具有相同的层。当采用干蚀刻时，还将光刻胶层112和114蚀刻到一定厚度。
其次，在B部分露出的欧姆接触层50的部分和半导体层40，在图5D可看出通过干蚀刻它们与光刻胶层的第一部分114一起被去除。蚀刻条件可以是这样的即，光刻图案112和114，欧姆接触层50以及半导体层全部被蚀刻(半导体层和欧姆接触层几乎具有同样的蚀刻速度)，但，栅绝缘层30必须不能蚀刻。最好使光刻图案112和114与半导体层40的蚀刻速度几乎相同。例如用SF6和HCl或SF6和O2的混合气体系统产生上述蚀刻。此时，如果光刻图案112和114以及半导体层40几乎具有相同的蚀刻速度，第一部分114的厚度是等于或小于半导体层40和欧姆接触层50的总和厚度。
然后，如图5D所示，通过去除沟道C部分的第一部分114露出导电体图案67，通过去除B部分的欧姆接触层50，和半导体层40露出栅绝缘层30。此时，A部上的第二部分112的厚度通过蚀刻被减少。另外，在该步骤获得完整的半导体图案40。
然后在导电体图案67上的其余光刻胶层通过消失(ashing)或等离子区蚀刻被去除。
下面，如图5E所示，在沟道部分C相关于源/漏电极的导电体图案67和图5E中相关于源/漏电极的欧姆接触层通过蚀刻被去除。此时，有可能通过干蚀刻方法来蚀刻导电体图案67和欧姆接触层50或通过湿蚀刻方法来蚀刻导电体图案67和通过干蚀刻法来蚀刻欧姆接触层50。在前者情况下最好在导电体图案67和欧姆接触层图案50之间采用蚀刻选择性大的蚀刻条件。这是因为如果蚀刻选择性不足够大时难于检测到蚀刻端点和难于控制围绕沟道C部的半导体图案40的厚度。这可通过使用例如SF6和O2的混合气体系统实现。在后者顺序进行湿蚀刻和干蚀刻的情况下，尽管干蚀刻的这些欧姆接触层图案50难于被全部蚀刻，经过湿蚀刻的导电体图案67的横向侧也被蚀刻。因此该两个图案67和50的轮廓形成阶梯形。该CF4和O2或CF4和HCl的混合气体系统是用于蚀刻欧姆接触层图案50和半导体图案40的蚀刻气体系统的一个例子。半导体图案40通过用CF4和O2混合气体系统的蚀刻也可再形成具有均匀厚度的图案。此时，如图5E所示，半导体图案40的厚度可减少并且光刻图案的第二部分112可被蚀刻到一定厚度。蚀刻条件也可不用来设定蚀刻该栅绝缘层30，但最好是使光刻图案足够厚以使不露出数据线路部分62,65,66冗余修复线68。
其结果，是将源电极65和漏电极66分开和获得其下面的全部数据线路部分62,65,66和冗余线68以及全部接触层图案55和56。
接着，去除数据线路上的光刻胶层其余第二部分112。但是该第二部分112的去除是在相关于沟道C部分上的源/漏电极，去除导电体图案67的步骤之后和在去除导电体图案67下的欧姆接触层图案50的步骤之前进行。
总之，该处理能够通过依次使用湿蚀刻和干蚀刻两种或只使用于蚀刻实现。
在前者情况下，通过湿蚀刻首先去除B部分的导电层，然后通过干蚀刻去除其下面的欧姆接触层和半导体层。此时，C部的光刻胶层被消耗一定厚度，和C部可以有或可以没有任何留下的残余光刻胶，这实际上取决于C部光刻胶层原来的厚度。当C部有留下的残余光刻胶时，该残余光刻胶可通过消失(ashing)取消。最后，湿蚀刻该C部导电层以将源和漏电极分开并通过使用干蚀刻去除C部的欧姆接触层。
在后者情况下，通过干蚀刻去除B部欧姆接触层和半导体层。如同在前者的情况下C部可以有或可以没有留下的残余光刻胶，当C部有残余光刻胶时，通过消失(ashing)去除残余光刻胶。最后干蚀刻C部导电层从而使源和漏电极分开，并通过使用干蚀刻去除C部欧姆接触层。
此外，如果蚀刻数据线路，半导体图案，接触层图案，和数据线部可在同一时间实现相同阶梯。这就是说，最好是干蚀刻C部下面的光刻图案114和接触层50，和在干蚀刻B部的导电层和欧姆接触层及半导体层期间干蚀刻A部光刻图案112的部分。
因为，后者的处理只使用一种干蚀刻法所以尽管它难于实现合适的蚀刻条件，但它比较简单。另一方面，后者的处理尽管更复杂但它具有容易实现合适的蚀刻条件的优点。
在通过上述步骤形成数据线路部分62,65,66和冗余修复线68之后，通过如图5F所示的化学汽相淀积(CVD)法形成钝化层70。
接着，用掩模通过光刻处理沿栅绝缘层30来构图钝化层70从而形成接触孔71和74用于分别露出漏电极66和存储线路，如图5G所示。其次，如上所述，淀积IZO层或ITO层并使用掩模蚀刻从而形成连接漏电极的象素电极82。此时，通过接触孔74存储线路连接线84电连接邻近象素的存储线路26,27和28。
在该实施例中，具有与第一实施例相同的效果，通过一种光刻处理形成数据线路部分62,65,66和冗余修复线68，欧姆接触层图案55和56以及半导体图案40，使薄膜晶体管阵列面板的制造方法可以简化。
在该情况下，依据数据线路62,65,66形成的半导体层40，欧姆接触层图案55和56不同于图2和3中的结构。欧姆接触层图案55和56具有与数据线路部分62,65,66相同的图案。除了源电极65和漏电极66之间的三道部分外的半导体层40具有与数据线路部分62,65和66以及欧姆接触层图案55和56相同的图案。当然，半导体层和欧姆接触层可在冗余修复线下面保留。
依据含有存储线路连接线的第一实施例的薄膜晶体管阵列面板可以用作为双扭式向列相(TN)模式液晶显示的一面板或用作为垂直对准(VA)模式的液晶显示的一面板。
图6是本发明第一实施例的液晶显示薄膜晶体管阵列面板电路图。
如图6所示，多个栅极线22传送扫描信号以及多个数据线传送显示信号或图像信号，多个栅极线22与多个数据线彼此跨越。栅极线22和数据线62定义了一矩阵阵列中多个象素。每个象素包括一薄膜晶体管TFT，该薄膜晶体管含有连接栅极线22的栅电极24；连接数据线62的源电极65；和连接象素电极的漏电极65。此外，各象素电极包括存储电容器Cst和液晶电容器CLC，该存储电容器Cst产生存储电容并含有两个象素电极端82以及存储电极线26和28，该液晶电容器CLC产生液晶电容并含有两个象素电极端82以及一个公共电极(未示出)，该公共电极在液晶显示的上面板形成。在垂直方向形成多个存储线路连接线84至少电连接邻近象素的存储线路26,27和28。这里，存储线路连接线84是在各象素中形成的。
另一方面，共面交换模式(in-plane switching mode(IPS))液晶显示薄膜晶体管阵列面板含有象素电极和公共电极，它们由相同面板形成，从而构成重排液晶分子的电场，该液晶显示薄膜晶体管面板阵列可具有至少电连接邻近象素的存储线路的存储线路连接线，下面参考图7和8描述该液晶显示薄膜晶体管面板阵列。
图7是本发明第二实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板略图和图8是沿图7线Ⅷ-Ⅷ＇获得的截面图。
如图7和8所示，在绝缘衬底10上形成金属或导电材料的栅极线路和公共线路。栅极线路包括了沿图7水平方向延伸的栅极线(或扫描线)22，该栅极线用于传送扫描信号，和包括栅电极24，它是栅极线的一部分并且是薄膜晶体管的一端点，还包括连到栅极线22一端的栅极衬垫，它向栅极线22传送来自外部电路的扫描信号。公共线路包括公共电极线23和29，它们平行于栅极线22构成并具有双结构，以及包括连接两个存储电极线23和29的公共电极21。存储线路23和29与象素电极电极线63和69一并提供存储电容。以提高液晶显示电容的容量，下面将进行讨论。
在栅极线路部分22,24和25以及存储线路部分21,23和29上形成硅氮化物(SiNx)的栅绝缘层30，并且将上述该些部分覆盖。
在栅绝缘层30上形成半导体图案40(由例如氢化非晶硅半导体制作)。在半导体图案40上形成欧姆接触层图案55和56(如用磷杂质重掺杂的非晶硅材料制作)。此处，半导体图案40随数据线62在垂直方向延伸，下面将对其进行描述，在半导体图案40上彼此重叠了栅极线22和数据线62的半导体图案40的部分宽余半导体图案40的不同部分以使减少数据线62的断开。
在欧姆接触层图案55和56上形成用导电材料制作的源和漏电极65和66。图7中沿垂直方向延伸的数据线62形成在栅绝缘层30上，该数据线62连接源电极65和与栅极线22一并限定了一象素。数据衬垫向数据线62传送来自外部电路的图像信号。此外，在栅绝缘层30上形成的象素线路部分包括沿水平方向延伸的象素电极线63和69以及通过叠加公共电极线23和29它提供存储电容；还包括连接象素电极线63和69的象素电极61它与公共电极21一并产生几乎平行于衬底10的电场从而控制液晶分子。象素线路部分61,63和69连接漏电极66。在图7垂直方向在栅绝缘层30上和在与数据线路部分62,65和66相同层上可形成的冗余修复线68，它的两端重叠邻近象素列的公共电极线22和29。如上所述，存储线路连接线84(参考图1)也可在栅绝缘层30上和在与数据线路部分62,64,65和66相同的层上形成。
在数据线路部分62,64,65，和66以及未被数据线路部分62,64,65和66覆盖的半导体图案40上形成钝化层72。钝化层72有用于露出公共电极线23和29的接触孔74；和用于露出栅极衬垫25和数据衬垫64的接触孔75和78以及与栅绝缘层30一起的接触孔76。
在钝化层72上形成例如用金属的导电材料制作的冗余数据线路部分。冗余数据线路包括通过接触孔76连接数据线的冗余数据线80；和通过接触孔78连接数据衬垫64的冗余数据衬垫88。此外，在钝化层72上形成冗余栅极衬垫85和公共线路连接线84，其中，冗余栅极衬垫85通过接触孔75连接栅极衬垫25；公共线路连接线84通过钝化层72和栅绝缘层30的接触孔74连接邻近公共线路21,23，和29。冗余数据线路80和88，和冗余栅极衬垫可以是由例如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)的透明导电材料形成的，以提高衬垫部分的可靠性。
其次，本发明第二实施例的制造液晶显示薄膜晶体管阵列面板的方法将参考附图对其描述。
本发明第二实施例的大部分制造方法与第一实施例的方法相同。然而，当形成栅极线路22,24和25时，形成公共线路21,23和29，以及当形成数据线路62,64,65和66时形成象素线路61,63和69。然后，在钝化层72上形成冗余数据线路80,85，和88。
图9是本发明第二实施例的用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板的电路图。
第二实施例的大部分结构与图6第一实施例的结构相同。但是，存储电容器Cst和液晶电容器CLC的两端是分别连接到象素线路63和69以及公共线路23和29的。
在本发明中，通过至少连接彼此邻近象素的存储线路形成的存储线路连接线，可以使存储电容的电压变化减至最低，这将导致减少畸变，从而使串扰和闪烁减至最少。此外，通过使用冗余修复线和存储线路连接线可以容易修复栅极线和数据线断开的缺陷。
在附图和说明书中已经公开本发明典型的最佳实施例并且，虽然采用了具体的术语他们只用于描述本发明而不是对本发明的限制，本发明的范围陈述在下面的权利要求中。

Claims (11)

1．一种用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板，包括：
栅极线路(wire)，该栅极线路包括在水平方向形成的栅极线；
数据线路(wire)，该数据线路包括在垂直方向形成的数据线，其中所说数据线路与所说栅极线路相交叉(intersect)并与所说栅极线路绝缘；
象素电极，该象素电极是在通过该栅极线和数据线相交叉限定的象素中形成，用于通过数据线接收图像信号；
存储线路，该存储线路(wire)，包括存储电极线和连接存储电极线的存储电极，其中，该存储线路通过重叠所说象素电极形成存储电容；和
存储线路连接线，至少连接该存储线路到一邻近象素。
2．如权利要求1的薄膜晶体管阵列面板，其中还包括冗余修复线，其各端重叠一邻近象素的该存储线路。
3．如权利要求2的薄膜晶体管阵列面板，其中，该存储线路连接线是在与所说象素电极相同的层上形成的。
4．如权利要求1的薄膜晶体管阵列面板，其中，所说的冗余修复线是在与所说数据线路相同的层上形成的。
5．如权利要求1的薄膜晶体管阵列面板，其中所说存储线路是在与所说栅极线路相同的层上形成的。
6．如权利要求1的薄膜晶体管阵列面板，其中所说存储线路重叠该象素电极的一边沿部分。
7．如权利要求1的薄膜晶体管阵列面板，其中该象素电极具有多个用圆角相连接的矩形，矩形、锯齿形或十字形的开口图形，以便按多畴结构调整液晶分子。
8．一种用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板，包括：
一绝缘衬底；
一在绝缘衬底上形成的栅极线路，其中所说栅极线路包括：在水平方向形成的栅极线用于传送扫描信号，和连接栅极线的栅电极；
一在该绝缘层上形成的存储线路，其中所说存储线路包括：在水平方向形成的存储电极线，和连接到该存储电极线的存储电极；
一栅绝缘层，用于覆盖所说栅极线路和所说存储线路；
一半导体层，该半导体层在栅绝缘层上形成并且是由半导体材料制作的；
一数据线路，包括：在垂直方向形成的数据线，一连接数据线并在半导体层延伸的源电极，一相对于该栅电极在半导体层上延伸并与该源电极相分开的漏电极，其中该数据线通过相交叉(intersecting)该栅极线限定一矩阵阵列的象素；
一钝化层(passivation layer)用于覆盖所说半导体层；
一在象素中的电连接该漏电极的象素电极，其中所说象素电极通过重叠该存储线路形成存储电容；和
一存储线路连接线，至少连接邻近象素的该存储线路。
9．如权利要求8的薄膜晶体管阵列面板，其中该象素电极和该存储线路连接线是在彼此相同的层上形成的。
10．如权利要求8的薄膜晶体管阵列面板，其中该象素电极和该存储线路连接线是在所说钝化层上形成的。
11．如权利要求8的薄膜晶体管阵列面板，其中还包括一冗余修复线，其各端重叠邻近象素的存储线路并且该冗余修复线是在与该数据线路相同的层上形成的。
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