CN100380184C - 显示设备 - Google Patents

显示设备 Download PDF

Info

Publication number
CN100380184C
CN100380184C CNB2003101235576A CN200310123557A CN100380184C CN 100380184 C CN100380184 C CN 100380184C CN B2003101235576 A CNB2003101235576 A CN B2003101235576A CN 200310123557 A CN200310123557 A CN 200310123557A CN 100380184 C CN100380184 C CN 100380184C
Authority
CN
China
Prior art keywords
signal line
pixel
electrically connected
volatile memory
memory elements
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
CNB2003101235576A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1512224A (zh
Inventor
小山润
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Original Assignee
Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd filed Critical Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Publication of CN1512224A publication Critical patent/CN1512224A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN100380184C publication Critical patent/CN100380184C/zh
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3233—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the current through the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/22—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources
    • G09G3/30—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels
    • G09G3/32—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED]
    • G09G3/3208—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED]
    • G09G3/3225—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix
    • G09G3/3258—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters using controlled light sources using electroluminescent panels semiconductive, e.g. using light-emitting diodes [LED] organic, e.g. using organic light-emitting diodes [OLED] using an active matrix with pixel circuitry controlling the voltage across the light-emitting element
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3648—Control of matrices with row and column drivers using an active matrix
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/22—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using ferroelectric elements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body
    • H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
    • H01L27/105—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including field-effect components
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0809—Several active elements per pixel in active matrix panels
    • G09G2300/0842—Several active elements per pixel in active matrix panels forming a memory circuit, e.g. a dynamic memory with one capacitor
    • G09G2300/0857—Static memory circuit, e.g. flip-flop
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2300/00—Aspects of the constitution of display devices
    • G09G2300/08—Active matrix structure, i.e. with use of active elements, inclusive of non-linear two terminal elements, in the pixels together with light emitting or modulating elements
    • G09G2300/0876—Supplementary capacities in pixels having special driving circuits and electrodes instead of being connected to common electrode or ground; Use of additional capacitively coupled compensation electrodes
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G2320/00—Control of display operating conditions
    • G09G2320/10—Special adaptations of display systems for operation with variable images
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/2007—Display of intermediate tones
    • G09G3/2074—Display of intermediate tones using sub-pixels
    • G—PHYSICS
    • G09—EDUCATION; CRYPTOGRAPHY; DISPLAY; ADVERTISING; SEALS
    • G09G—ARRANGEMENTS OR CIRCUITS FOR CONTROL OF INDICATING DEVICES USING STATIC MEANS TO PRESENT VARIABLE INFORMATION
    • G09G3/00—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes
    • G09G3/20—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters
    • G09G3/34—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source
    • G09G3/36—Control arrangements or circuits, of interest only in connection with visual indicators other than cathode-ray tubes for presentation of an assembly of a number of characters, e.g. a page, by composing the assembly by combination of individual elements arranged in a matrix no fixed position being assigned to or needed to be assigned to the individual characters or partial characters by control of light from an independent source using liquid crystals
    • G09G3/3611—Control of matrices with row and column drivers
    • G09G3/3685—Details of drivers for data electrodes
    • G09G3/3688—Details of drivers for data electrodes suitable for active matrices only
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs

Abstract

在使用SRAM的有源矩阵显示设备中，配置SRAM电路的晶体管数量是大的。因此，当像素面积小时晶体管不能够被嵌入像素内，否则孔径率得到降低。鉴于上述情况，本发明的目的是提供一种没有刷新操作且因此具有小的功率消耗的显示设备。根据本发明，提供一种包括由开关元件和非易失存储器元件组成的像素的显示设备。当通过使用铁电元件作为非易失存储器元件并且通过存储信号而显示静止图像时，则并不要求每帧均进行写入。此外，由于铁电元件占用小的面积，所以存储器电路可以被结合而不降低孔径率。

Description

显示设备
发明背景
技术领域
本发明涉及一种显示设备，且更具体地涉及一种使用被形成在透明基片如玻璃或塑料上的薄膜晶体管(TFT)的显示设备、以及一种所述显示设备的驱动方法。此外，本发明涉及使用所述显示设备的电子装置。
背景技术
在近年来，随着通信技术的进步，移动电话已经被广泛使用。在未来，则预计移动图像和较大容量信息的传输。在另一方面，通过个人计算机重量的降低，已经生产出适合于移动通信的那些个人计算机。还已经大量地生产且广泛地使用了起源于电子笔记本的被称为PDA的信息终端。此外，随着显示设备的发展，大多数便携式信息设备都装备有平面面板显示器。
此外，根据最新技术，有源矩阵显示设备趋向于作为用于上述便携式信息设备等的显示设备而被加以使用。在有源矩阵显示设备中，TFT被设置在每个像素中且显示器屏幕由TFT来控制。与无源矩阵显示设备相比较，这种有源矩阵显示设备的优势在于它取得了高的性能和高的图像质量、并且可以处理移动图像。因此，预计液晶显示设备的主流还将从无源矩阵类型改变为有源矩阵类型。
已经制造出一种利用多晶半导体如在最高为500℃或以下温度下被形成的多晶硅的有源矩阵显示设备，上述温度与1000℃或以上的传统条件相比相当低。这样的有源矩阵显示设备的优势在于：除了像素以外，驱动器电路可以被整体地形成在像素部分周围，这使得实现显示设备的缩小化和高清晰度成为可能。因此预计这种显示设备在未来被更加广泛地加以使用。
下面对有源矩阵液晶显示设备中像素部分的操作加以说明。图2示出有源矩阵液晶显示设备的配置实例。一个像素220包括源极信号线203、栅极信号线205、电容器线219、像素TFT 207、存储电容器211和液晶215。然而，如果其它接线等可以同时作为电容器线使用，则可没有必要提供电容器线。像素TFT 207的栅极电极被连接到栅极信号线205。此外，像素TFT 207的漏极区和源极区中的任一个被连接到源极信号线203而另一个被连接到存储电容器211和液晶215。
根据线循环栅极信号线205和栅极信号线206被顺序地加以选择。假设像素TFT 207和像素TFT 209是N沟道类型，则当栅极信号线205为高电平时它变为激活，因此像素TFT 207和209被开启。当像素TFT 207和209被开启时，源极信号线203和源极信号线204的电势被分别写进存储电容器211和存储电容器213以及写进液晶215和液晶217。在下一线周期中，相邻的栅极信号线206变为激活且像素TFT 208和210的电势变成高电平。然后，源极信号线203和204的电势以类似方式被分别写进存储电容器212和214以及写进液晶216和218。根据被写入的电势液晶215至218被排列并改变光的透射率。通过这种方式，有源矩阵液晶显示器通过将液晶作为光闸来执行显示操作。
同样，如图14所示，其像素部分内部具有静态RAM(SRAM)用于执行显示操作的有源矩阵显示设备也被开发出。(见专利文件1)。
[专利文件1]日本专利申请公开号Hei8-286170
在图14中，一个像素1407包括SRAM 1403、开关1405和1406、以及液晶1404。源极信号线驱动器电路1401将视频信号输出到源极信号线1408和1409。当栅极信号线1410被栅极信号线驱动器电路1402加以选择时，所述视频信号经由源极信号线1408和1409被写进SRAM 1403。开关1405和1406中的任一个基于SRAM 1403中被存储的信号操作且电势Va和Vb中的任一个被施加到液晶1404上。直至下一个视频信号被写进SRAM 1403之前这个信号一直被加以维持。通过这种方式，显示操作得以执行。
发明内容
传统的有源矩阵显示设备由于其显示部分如上所述具有带有存储电容器和开关电路的动态RAM(DRAM)结构，从而遭遇到问题，因此需要周期性的刷新操作。其操作波形被示于图3中。在当源极信号线波形在t1和t4发生变化的点处，像素信号线波形接近于源极信号线波形。
在图3所示的传统实例中，由于在t2至t3以及t5至t6执行重写，所以显示操作可以被有利地加以执行。然而，当刷新操作未被执行或刷新周期长时，累积在存储电容器内的电荷因开关TFT的泄漏电流导致被放电，由此不可能存储驱动液晶所需要的电压。因此，甚至在显示图像如其中图像数据并没有必要变化的静止图像情况下，也需要周期性的写入。结果是，功率消耗被增加。
与此同时，对于如图14所示使用SRAM的有源矩阵显示设备，配置SRAM电路的晶体管数量众多。因此，当像素面积小时晶体管不可能被嵌入像素内，否则也孔径比被降低。
为了解决上述问题，下述方法被应用到本发明的显示设备上。即，非易失存储器元件如利用铁电材料的一个非易失存储器元件被提供在像素部分内，以便于所存储的数据被保存在非易失存储器元件中而未刷新。通过使用铁电材料，SRAM可以被省略，因此占用每个像素面积的元件面积可以得到降低。
根据本发明的一种显示设备包括源极信号线、栅极信号线及像素，它们全部都被设置在矩阵内。一个像素包括开关元件、非易失存储器元件和像素电极。开关元件的输入端子被电连接到源极信号线、其输出端子被电连接到非易失存储器元件和像素电极、以及其控制端子被电连接到栅极信号线。
根据本发明的一种显示设备包括多个源极信号线、多个栅极信号线、以及多个像素，它们全部都被设置在矩阵内。一个像素包括多个子像素，每个子像素包括开关元件、非易失存储器元件和像素电极。开关元件的输入端子被电连接到源极信号线、其输出端子被电连接到非易失存储器元件和像素电极、以及其控制端子被电连接到栅极信号线。
根据本发明的一种显示设备包括多个源极信号线、多个栅极信号线、以及多个像素，它们全部都被设置在矩阵内。一个像素包括多个子像素，每个子像素包括开关元件、非易失存储器元件和像素电极。开关元件的输入端子被电连接到源极信号线、其输出端子被电连接到非易失存储器元件和像素电极、以及其控制端子被电连接到栅极信号线。附带地，一个像素中的每个开关元件被连接到不同的源极信号线。
根据本发明的一种显示设备包括多个源极信号线、多个栅极信号线、以及多个像素，它们全部都被设置在矩阵内。对应于一个像素列，提供源极信号线的N个线，并且一个像素包括n块子像素，每个子像素包括开关元件、非易失存储器元件和像素电极。开关元件的输入端子被电连接到源极信号线、其输出端子被电连接到非易失存储器元件和像素电极、以及其控制端子被电连接到栅极信号线。附带地，一个像素中的每个开关元件被连接到源极信号线的n个线中的任何一个。
根据本发明的一种显示设备包括多个源极信号线、多个栅极信号线、以及多个像素，它们全部都被设置在矩阵内。一个像素包括多个子像素，每个子像素包括开关元件、非易失存储器元件和像素电极。开关元件的输入端子被电连接到源极信号线、其输出端子被电连接到非易失存储器元件和像素电极、以及其控制端子被电连接到栅极信号线。附带地，一个像素中的每个开关元件被连接到不同的栅极信号线。
根据本发明的一种显示设备包括多个源极信号线、多个栅极信号线、以及多个像素，它们全部都被设置在矩阵内。对应于一个像素列，提供栅极信号线的N个线，并且一个像素包括n块子像素，每个子像素包括开关元件、非易失存储器元件和像素电极。开关元件的输入端子被电连接到源极信号线、其输出端子被电连接到非易失存储器元件和像素电极、以及其控制端子被电连接到栅极信号线。附带地，一个像素中的每个开关元件被连接到栅极信号线的n个线中的任何一个。
根据本发明的一种显示设备包括源极信号线、栅极信号线、以及像素，它们全部都被设置在矩阵内，并且像素包括开关元件、非易失存储器元件、驱动器元件和像素电极。开关元件的输入端子被电连接到源极信号线、其输出端子被电连接到非易失存储器元件和驱动器元件、其控制端子被电连接到栅极信号线、以及驱动器元件被电连接到像素电极。
根据本发明的一种显示设备包括多个源极信号线、多个栅极信号线、以及多个像素，它们全部都被设置在矩阵内。一个像素包括多个子像素，每个子像素包括开关元件、非易失存储器元件、驱动器元件和像素电极。开关元件的输入端子被电连接到源极信号线、其输出端子被电连接到非易失存储器元件和驱动器元件、其控制端子被电连接到栅极信号线、以及驱动器元件被电连接到像素电极。
根据本发明的一种显示设备包括多个源极信号线、多个栅极信号线、以及多个像素，它们全部都被设置在矩阵内。一个像素包括多个子像素，每个子像素包括开关元件、非易失存储器元件、驱动器元件和像素电极。开关元件的输入端子被电连接到源极信号线、其输出端子被电连接到非易失存储器元件和驱动器元件、其控制端子被电连接到栅极信号线、以及驱动器元件被电连接到像素电极。附带地，一个像素中的每个开关元件被连接到不同的源极信号线。
根据本发明的一种显示设备包括多个源极信号线、多个栅极信号线、以及多个像素，它们全部都被设置在矩阵内。对应于一个像素列，提供源极信号线的N个线，并且一个像素包括n块子像素，每个子像素包括开关元件、非易失存储器元件、驱动器元件和像素电极。开关元件的输入端子被电连接到源极信号线、其输出端子被电连接到非易失存储器元件和驱动器电极、其控制端子被电连接到栅极信号线、以及驱动器元件被电连接到像素电极。附带地，一个像素中的每个开关元件被连接到栅极信号线的n个线中的任何一个。
根据本发明的一种显示设备包括多个源极信号线、多个栅极信号线、以及多个像素，它们全部都被设置在矩阵内。一个像素包括多个子像素，每个子像素包括开关元件、非易失存储器元件、驱动器元件和像素电极。开关元件的输入端子被电连接到源极信号线、其输出端子被电连接到非易失存储器元件和驱动器元件、其控制端子被电连接到栅极信号线、以及驱动器元件被电连接到像素电极。附带地，一个像素中的每个开关元件被连接到不同的栅极信号线。
根据本发明的一种显示设备包括多个源极信号线、多个栅极信号线、以及多个像素，它们全部都被设置在矩阵内。对应于一个像素列，提供栅极信号线的N个线，并且一个像素包括n块子像素，每个子像素包括开关元件、非易失存储器元件、驱动器元件和像素电极。开关元件的输入端子被电连接到源极信号线、其输出端子被电连接到非易失存储器元件和驱动器电极、其控制端子被电连接到栅极信号线、以及驱动器元件被电连接到像素电极。附带地，一个像素中的每个开关元件被连接到栅极信号线的n个线中的任何一个。
根据如上所阐明的本发明，理想地是铁电存储器被用作非易失存储器元件。同样，薄膜晶体管可被用作开关元件。
此外，根据如上所阐明的本发明，源极信号线驱动器电路和/或栅极信号线驱动器电路可被形成在与像素相同的基片上。同样，源极信号线驱动器电路和/或栅极信号线驱动器电路可由单极晶体管加以配置。
附图的简要说明
图1是本发明的显示设备的配置图。
图2是传统显示设备的配置图。
图3是示出传统显示设备像素部分的操作波形图。
图4是本发明显示设备实施例的配置图。
图5是本发明显示设备实施例的配置图。
图6是示出本发明显示设备的源极信号线驱动器电路的方框图。
图7是示出本发明显示设备的源极信号线驱动器电路的方框图。
图8是示出使用单极TFT的信号线驱动器电路的配置图。
图9是本发明像素的平面图。
图10A至10C是示出本发明的结构的断面图。
图11A至11C是示出本发明的结构的断面图。
图12A至12C是示出本发明的结构的断面图。
图13A至13C是示出本发明的结构的断面图。
图14是其像素部分内部被提供有SRAM的传统显示设备的像素配置图。
图15A至15G是可将本发明应用到其中的电子装置的实例。
图16是其中本发明结合有DRAM类型像素的实施例的配置视图。
图17是其中将本发明应用到EL显示设备的配置图。
优选实施例的说明
下面参考所附加的附图将对本发明的优选实施例加以说明。
[实施例模式]
在图1中所示的是本发明的配置。注意，在图1中3-位等级(gradation)被作为一实例，然而，本发明并不排他地被限制于3位。一个像素152包括三个开关元件和三个非易失存储器元件。开关元件的ON/OFF操作由栅极信号线进行控制。每个非易失存储器元件的一个端子被连接到每个开关元件，并且其另一个端子被连接到公共电极151。每个开关元件具有输入端子、输出端子以及控制端子，其中输入端子被电连接到源极信号线、输出端子经由像素电极(在图中未示出)被电连接到液晶元件以及连接到非易失存储器元件、以及控制端子被电连接到栅极信号线。下面对其操作加以解释。
数字视频信号被从源极信号线驱动器电路101输出到源极信号线103至108。当栅极信号线109至111被栅极信号线驱动器电路102选择时，开关元件115至117和121至123被开启且来自源极信号线103至108的数字视频信号被写进非易失存储器元件127至129和133至135。当栅极信号线109至111的选择被栅极信号线驱动器电路102释放时，开关元件115至117和121至123被关断。然而，由于信号被存储在非易失存储器元件127至129和133至135，所以液晶139至141和145至147可以基于所存储的信号执行显示操作。
接下来，当栅极信号线112至114被栅极信号线驱动器电路102选择时，开关元件118至120和124至126被开启并且来自源极信号线103至108的数字视频信号被写进非易失存储器元件130至132和136至138。当栅极信号线112至114的选择被栅极信号线驱动器电路102释放时，开关元件118至120和124至126被关断。然而，由于信号被存储在非易失存储器元件130至132和136至138，所以液晶142至144和148至150可以基于所存储的信号执行显示操作。
根据本发明，由于信号以数字式被存储，所以显示操作利用面积等级制被加以执行。即，当执行3位显示操作时，通过将像素电极的面积比率设定在4∶2∶1、并且根据所要求的等级存储必要的信号，等级可以被加以表达。
当铁电材料如PZT(锆钛酸铅：Pb[Zrx，Ti1-x]O3)被用作非易失存储器元件时，甚至当电源被关断时还可以将信号加以存储。因此，当显示静止图像时，显示设备的电源可以被关断且因此可以减少电。通过这种方式，一直成为传统问题的刷新操作可以被省略并且功率消耗可以得到降低。铁电材料并不排他地被限制于PZT并且其它材料也可以被使用。
同样，根据本发明，不同于使用SRAM的显示设备，在像素内部并不需要大量的晶体管。因此，它可以被驱动而没有引起象下述情况下这样的问题，即其中当像素面积小时晶体管不能够被嵌入像素内或其中孔径比被显示降低。附带地，虽然上面已经将液晶作为实例，但是可以使用如电泳元件这样的材料代替液晶。
此外，源极信号线驱动器电路、栅极信号线驱动器电路、或其它用在本发明中的电路可以被整体地形成在像素的同一基片上，虽然它们可以采用COG(玻璃上芯片)或TAB(带自动粘接)等技术被形成在单独基片上。
[实施例1]
图4所示的是本发明实施例的配置。在这个实施例中，开关元件由TFT形成。注意：在图4中3位等级仅作为实例，然而，本发明并不排他地被限制于3位。一个像素452包括三个TFT和三个非易失存储器元件。TFT的ON/OFF操作由栅极信号线进行控制。每个非易失存储器元件的一个端子经由像素电极(在图中未被示出)被连接到每个液晶元件并且被连接到每个TFT，而其另一端子被连接到公共电极451。下面对其操作加以解释。
数字视频信号被从源极信号线驱动器电路401输出到源极信号线403至408。当栅极信号线409至411被栅极信号线驱动器电路402选择时，TFT 415至417和421至423被开启且来自源极信号线403至408的数字视频信号被写进非易失存储器元件427至429和433至435。当栅极信号线409至411的选择被栅极信号线驱动器电路402释放时，TFT 415至417和421至423被关断。然而，由于信号被存储在非易失存储器元件427至429和433至435，所以液晶439至441和445至447可以基于所存储的信号执行显示操作。
接下来，当栅极信号线412至414被栅极信号线驱动器电路402选择时，TFT 418至420和424至426被开启并且来自源极信号线403至408的数字视频信号被写进非易失存储器元件430至432和436至438。当栅极信号线412至414的选择被栅极信号线驱动器电路402释放时，TFT 418至420和424至426被关断。然而，由于信号被存储在非易失存储器元件430至432和436至438，所以液晶442至444和448至450可以基于所存储的信号执行显示操作。
根据本发明，由于信号以数字式被存储，所以显示操作利用面积等级制被加以执行。即，当执行3位显示操作时，通过将像素电极的面积比率设定在4∶2∶1、并且根据所要求的等级存储必要的信号，等级可以被加以表达。
当铁电材料如PZT被用作非易失存储器元件时，甚至当电源被关断时还可以将信号加以存储。因此，当显示静止图像时，显示设备的电源可以被关断且因此可以减少电。通过这种方式，一直成为传统问题的刷新操作可以被省略并且功率消耗可以得到降低。
同样，根据本发明，不同于使用SRAM的显示设备，在像素内部并不需要大量的晶体管。因此，它可以被驱动而没有引起象下述情况下这样的问题，即其中当像素面积小时晶体管不能够被嵌入像素内或其中孔径比被显示降低。
[实施例2]
图5中所示的是本发明实施例的配置。这个实施例不同于实施例1在于：对应于一个像素列提供一个源信号线。注意：在图5中3位等级仅作为实例，然而，本发明并不排他地被限制于3位。一个像素548包括三个TFT和三个非易失存储器元件。TFT的ON/OFF操作由栅极信号线进行控制。每个非易失存储器元件的一个端子经由像素电极(在图中未被示出)被连接到每个液晶元件并且被连接到每个TFT，而其另一端子被连接到公共电极547。下面对其操作加以解释。
数字视频信号被从源极信号线驱动器电路501输出到源极信号线503和504。当栅极信号线505被栅极信号线驱动器电路502加以选择时，TFT 515和517被开启且来自源极信号线503和504的数字视频信号被写进非易失存储器元件523和529。当栅极信号线505的选择被栅极信号线驱动器电路502释放时，TFT 511和517被关断。然而，由于信号被存储在非易失存储器元件525和529，所以液晶535和541可以基于所存储的信号执行显示操作。
接下来，当栅极信号线506被栅极信号线驱动器电路502选择时，TFT 512和518被开启并且来自源极信号线503和504的数字视频信号被写进非易失存储器元件524和530。当栅极信号线506的选择被栅极信号线驱动器电路502释放时，TFT 512和518被关断。然而，由于信号被存储在非易失存储器元件524和530，所以液晶536和542可以基于所存储的信号执行显示操作。
接下来，当栅极信号线507被栅极信号线驱动器电路502加以选择时，TFT 513和519被开启并且来自源极信号线503和504的数字视频信号被写进非易失存储器元件525和531。当栅极信号线507的选择被栅极信号线驱动器电路502释放时，TFT 513和519被关断。然而，由于信号被存储在非易失存储器元件525和531，所以液晶537和543可以基于所存储的信号执行显示操作。通过这种方式，完成一个像素548的数据写入。在一个水平线周期期间实现数据写入。
以相类似的形式，在随后的像素排中上述写入操作得到实现。首先，栅极信号线508、509和510被顺序地选择。然后，根据所选择的栅极信号线，TFT 514、520、515、521、516和522被顺序地开启且来自源极信号线503和504的数字视频信号被写进非易失存储器元件526、532、527、533、528和534。通过这种方式，执行显示操作。在这个实施例中，由于源极信号线的数量可以得到降低，所以它有助于孔径率的改善。
[实施例3]
图6中所示的是对应于实施例1所示像素配置的源极信号线驱动器电路的实施例。在图6中，源极信号线驱动器电路包括移位寄存器601、第一门锁电路614和第二门锁电路615。源极信号线驱动器电路的操作被解释如下。
当来自移位寄存器601的输出脉冲被输入到门锁电路602至604时，来自视频信号线616的数字视频信号被存储在门锁电路602至604中。其后，当来自移位寄存器601的输出脉冲被输入到门锁电路608至610时，来自视频信号线616的数字视频信号被存储在门锁电路608至610中。通过这种方式，来自移位寄存器601的输出脉冲被顺序地加以扫描并且对应于一个线的视频信号被存储在第一门锁电路614中。然而，在接连的线的图象得到显示之前，门锁脉冲被输入到门锁电路605至607和611至613，并且来自第一门锁电路614的视频信号被存储在第二门锁电路615中。结果是，视频信号被输出到源极信号线。通过这种方式，源极信号线驱动器电路进行操作。
[实施例4]
图7中所示的是源极信号线驱动器电路的实施例，其具有与实施例1配置不同的配置。这个源极信号线驱动器电路对应于实施例2中所示的像素配置。来自视频信号线714的数字视频信号被顺序地存储在带有来自移位寄存器701的输出脉冲的门锁电路702至704和708至710中。在对应于一个线的视频信号被存储之后，视频信号被转移到带有来自门锁信号线715的门锁脉冲的门锁电路705至707和711至713。
至此所阐明的操作与实施例3的操作相同。其后，来自门锁电路705至707的输出信号被开关716切换，且在一个线周期的三分之一期间每个输出信号被输出到源极信号线。借助于上述操作，源极信号线的数量可以得到降低。即，源极信号线的信号可以以时分方式被使用。在此，输出信号被分成三部分，然而，本发明并不排它地限制于三分裂。类似地，来自门锁电路711至713的输出信号可以利用开关717被转换且因此可以被输出到源极信号线。
[实施例5]
图8中所示的是使用单极TFT的移位寄存器的配置实例。这样的信号线驱动器电路或一个极的其它电路起到减少显示设备成本的作用。注意：N沟道单极TFT被用在图8所示的实例中，然而，可使用仅P沟道单极TFT或仅N沟道单极TFT。单极方法的使用起到减少掩模数量的作用。
在图8中，起始脉冲被输入到扫描方向改变开关802，并且通过开关TFT 811，它们被输入到移位寄存器801。移位寄存器801是使用自展(boot strap)的置位复位类型的移位寄存器。移位寄存器801的操作被解释如下。
起始脉冲被输入到TFT 803和806的栅极。当TFT 806被开启时，TFT 804的栅极电势变成低电位，由此关断了TFT 804。与此同时，当TFT 810的栅极电势变成低电位时，TFT 810也被关断。TFT 803的栅极电势被升高到电源电势的水平。因此，TFT 809的栅极电势首先被升高到(电源电势-|Vgs|)。由于输出1的初始电势为低电位，所以TFT 809在给输出1和电容器808充电的同时即将升高其源极电势。当TFT 809的栅极电势达到(电源电势-|Vgs|)时，TFT 809仍然处于ON，由此输出1的电势继续保持增加。由于TFT 809的栅极没有放电路径，所以随同其源极电势一道TFT 809的栅极电势保持增加甚至超过电源电势。
当TFT 809的漏极和源极电势变得彼此相等时，停止到输出的电流流动，因此终止了TFT 809的电势升高。通过这种方式，等于电源电势的高电位电势可以从输出1被输出。在此时，CLb的电势是高电位。当CLb的电势被变化到低电位时，被累积在电容器808内的电荷通过TFT 809向CLb放电，由此输出1的电势变成低电位。输出1的脉冲被转移到随后阶段的移位寄存器。上述所说明的是实施例5的电路操作。这个实施例可以被自由地与本发明的其它实施例组合。
[实施例6]
图9中所示的是实施例1所示像素的平面视图。所述像素包括源极信号线901至903、栅极信号线904至906、TFT 907至909、非易失存储器元件910至912、公共电极913至915、以及像素电极916至918。注意：在这个实施例中3位等级仅作为实例，然而，本发明并不排他地被限制于3位。如图9中所示，非易失存储器元件910至912占用小的面积。因此，存储器电路可以被加以结合而不减少孔径率。
与此同时，通过将像素电极916、917和918的面积比设定在1∶2∶4，则可以实现3位面积等级。类似地，在n位面积等级的情况下，通过提供n块子像素并且将每个子像素的面积比设定在1比2升到比(n-1)次幂，则也可以实现等级。
[实施例7]
用于制造本发明显示设备的步骤将被加以解释。在此具体解释的是制造参考图10至13同时位于同一基片上用来配置像素部分的开关TFT、用来配置驱动器电路或其它逻辑电路的TFT、以及利用铁电材料用来配置非易失门锁电路的电容器的步骤。图10至13是示出制造步骤的断面图。
首先，在图10A中，玻璃基片如硼硅酸钡玻璃和硼硅酸铝玻璃、石英基片、不锈钢(SUS)基片等可以被用作基片1000。同样，虽然由合成树脂制成的基片(如塑料)具有柔性，但是与上述基片相比总体上趋向于具有较低的耐热温度，可是只要合成树脂基片能够经得起制造步骤期间的过程温度，则使用其作为基片1000是可能的。
由绝缘膜如二氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜形成的基膜1001和1002在基片1000上被形成。例如，由SiH4、NH3和N2O形成的氧氮化硅膜1001通过等离子CVD方法被形成具有10至200nm(理想地为50至100nm)的厚度，并且由SiH4和N2O形成的氢化氧氮化硅膜1002类似地被层叠于其上以具有50至200nm(理想地为100至150nm)的厚度。在这个实施例中，被示出有双层基膜，然而，基膜并不被限制于双层结构，并且可是单层或由上述提到绝缘膜所形成的不只两层的多层结构。此外，当使用石英基片等时，由于其杂质漫射并不成为大问题，所以可没有必要提供基膜。
岛状半导体层1003至1005的每一个均由晶状半导体膜形成，所述晶状半导体膜通过利用激光器结晶方法或公知的热结晶方法对具有无定形结构的半导体膜进行处理而被加以制造(见图10B)。岛状半导体层1003至1005的膜厚度将为25至100nm(理想地为30至60nm)。注意：岛状半导体层1003至1005可是无定形半导体或多晶半导体。同样，不仅硅而且硅锗可被用作半导体膜。在使用硅锗的情况下，理想地锗的浓度处于从0.01至4.5％(原子的)的范围内。
对于通过使用激光器结晶方法来制造晶状半导体膜，激光器如脉冲振荡型或连续发射型受激准分子激光器、YAG激光器、或YVO4激光器被采用。当使用这些类型的激光器时，可利用下述方法，即通过光学系统将从激光器振荡器发射出的激光聚集成线性形状，并且随后将所述光照明到半导体膜上。结晶条件可由操作者适当地进行选择。然而，当使用受激准分子激光器时，脉冲振荡频率被设定在30Hz，并且激光激光器能量密度被设定在100至400mJ/cm2(典型地在200和300mJ/cm2之间)。此外，在使用YAG激光器的情况下，其第二谐波可被利用以将脉冲振荡频率设定在1至10kHz，并且激光器的能量密度可被设定在300至600mJ/cm2(典型地在350和500mJ/cm2之间)。已经被聚集成具有宽度为100至1000μm，例如在此为400μm的线性形状的激光被照射到基片的整个表面上。其以80至98％的重叠率被执行。
其次，栅极绝缘膜1006被形成以便于覆盖岛状半导体层1003至1005。栅极绝缘膜1006由厚度为40至150nm绝缘膜形成，所述绝缘膜通过等离子CVD方法或溅射方法包含硅。在这个实施例中，栅极绝缘膜1006由具有厚度为120nm的氧氮化硅膜形成。没有必要提到，栅极绝缘膜1006并不被局限于这样的氧氮化硅膜，而包含硅的其它绝缘膜可被应用于单层或多层结构中。例如，在使用二氧化硅膜的情况下，通过利用等离子CVD方法对TEOS(四乙基原硅酸盐)和O2进行混合、将反应压力和基片温度分别设定在40Pa和300至400℃、以及在高频(13.56MHz)和功率通量密度为0.5至0.8W/cm2下放电TEOS和O2的混合物，则形成二氧化硅膜。通过这种方式制造的二氧化硅膜随后经受400至500℃下的热退火，因此可以获得象栅极绝缘膜这样的有利特征。
如图11A所示，栅极电极1100至1102被形成在栅极绝缘膜1006上。栅极电极1100至1102可由钽(Ta)、钛(T i)、镍(Mo)、钨(W)、包含上述金属元件作为其主要组分的合金、多晶硅等形成。通过在栅极绝缘膜1006的表面上形成导电层、以及随后利用抗蚀剂掩模(在图中未示出)对所述导电层进行蚀刻而形成栅极电极1100至1102。
随后，给予N型导电性的杂质元素被掺杂，因此N型低浓度杂质区1103至1108被形成在半导体有源层内。
接下来，抗蚀剂掩模(未示出)被形成以便于覆盖栅极电极1102，通过使用栅极电极1101和抗蚀剂掩模作为掩模，N型杂质元素以自对准的方式被添加，以及通过使用栅极电极1101作为掩模P型杂质元素以自对准的方式被添加。
通过这种方式，起到N沟道TFT源极区或漏极区作用的高浓度N型杂质区1111至1114、以及起到P沟道TFT漏极区作用的高浓度P型杂质区1109和1110被形成。作为给予N型导电性的杂质元素，磷(P)或砷(As)被使用，并且作为给予P型导电性的杂质元素，硼(B)被使用。
随后，通过下述炉内退火、激光退火、灯退火或这些的组合当中的任一方法，进行对N型和P型杂质元素的激活。对于热退火方法，它是在其中400至700℃下氧气浓度为1ppm或以下、或理想地为0.1ppm或以下的氮气气氛下被执行的。
此外，如图11C所示，由氮化硅膜或氧氮化硅膜所形成的第一间层绝缘膜1115被形成在栅极电极1100至1102上。
因此，用于配置像素部分的开关TFT和用于配置驱动器电路和其它逻辑电路的TFT被形成在相同基片上。接下来，通过采用铁电材料在第一间层绝缘膜1115上形成电容器。
首先，下部的电极层1201被形成(见图12A)。对于下部电极层1201的形成，CVD方法、溅射方法、离子束溅射方法、激光消融方法等可被采用。至于用作下部电极层1201的材料，可使用Pt/IrO2、Pt/Ta/SiO2等。由于铁电薄膜的电特征很大程度上取决于晶体的对准，所以尤其理想地是使用可以容易控制对准的Pt用作下部电极的表面。在形成金属膜之后，通过等离子蚀刻对不必要的部分进行处理以为了形成下部的电极层1201。
接下来，铁电层1202被形成在下部的电极层1201上(见图12B)。作为铁电体，含铅的钙钛矿如PZT和PbTiO3、铋层化合物如Bi4Ti 3O12、钛铁矿基化合物LiNbO3和LiTaO3可被采用。最重要地是，使用含铅的钙钛矿的铁电体PZT被有利地采用，因为它在宽范围的组成成分上显示出铁电特征。
对于铁电层1202的形成，CVD方法、溅射方法、离子束溅射方法、激光消融方法等可被采用。最重要地是，由于CVD方法具有对膜组成成分和结晶度的高度控制，所以它被有利地加以使用，并且由此取得大尺寸的屏幕和大规模生产。在使用CVD方法的情况下，对于上述材料需要下述条件：在低温下相对地具有高的蒸气压力；长期的稳定性；在沉积温度范围内由原料供给量所决定的沉淀率，其中并没有引起在蒸气相下的成核反应。根据上述点，PZT仍然适合用作所述材料。
通过CVD方法形成铁电层之后可紧接下来的是公知的步骤。例如，使用PZT的铁电层可以在600Pa压力及500至650℃的基片温度下被形成。
接下来，在铁电层1202上形成上部电极层1203(见图12C)。对于其形成，同下部电极层1201一样，CVD方法、溅射方法、离子束溅射方法、激光消融方法等可被采用。作为用作所述层的材料，除了用作下部电极层1201的材料以外Ir/IrO2等还可以被使用。
如图13A所示，使用氮化硅膜或氧氮化硅膜的第二间层绝缘膜1307被形成。然后，接触孔被形成且通过所述接触孔形成线路1300至1306。所述线路1300至1306和TFT之间的电连接模式被不被排他地局限于这个实施例。
最后，如图13B所示保护层1308被形成在第二间层绝缘膜1307上。作为保护层1308的材料，光固化或热固化有机树脂材料如聚酰亚胺树脂或丙烯酸类树脂可以被使用。
通过上述提到的步骤，用于配置像素部分的TFT、用于配置驱动器电路和其它逻辑电路的TFT、以及使用铁电材料用于配置非易失门锁电路的电容器可以被同时地形成在相同的基片上。
要注意到：在这个实施例中，具有并不与栅极电极相重叠的LDD区的结构被采用到开关TFT上用于配置像素部分，以及单漏极结构被采用到TFT用于配置驱动器电路和逻辑电路。然而，这个实施例并不被排他地局限于这些结构。根据所需要的公知步骤，适合应用于GOLD结构或其它LDD结构等的任何TFT结构可被加以制造。
[实施例8]
图16中所示的是其中传统的显示方法和本发明的显示方法被加以组合的实施例。在显示静止图像的情况下，数字视频信号被源极信号线驱动器电路1601输出到源信号线1604至1606。在此时，非易失存储器由开关1619至1621进行选择。当栅极信号线1625至1627由栅极信号线驱动器电路1602进行选择时，开关元件1610至1612被开启且视频信号被写进非易失存储器1613至1615及液晶1622和1624。
在显示移动图像的情况下，模拟视频信号被源极信号线驱动器电路1603输出到源极信号线1604至1606。在此时，存储电容器1616至1618由开关1619至1621进行选择。当栅极信号线1625至1627由栅极信号线驱动器电路1602加以选择时，开关元件1610至1612被开启且模拟视频信号被写进存储电容器1616至1618和液晶1622至1624。通过这种方法，显示操作被执行。
图18示出这个实施例电路的实例。当显示移动图像时栅极信号线1801被选择。通过选择栅极信号线1801，晶体管1803被开启。同样，当显示静止图像时栅极信号线1802被选择。通过选择栅极信号线1802，晶体管1804被开启。同样，包括非易失存储器1613和存储电容器1616的像素的横断面结构被示于图19中。
[实施例9]
图17中所示的是本发明实施例的配置。在这个实施例中，示出具有3位等级的EL显示设备。注意：在这个实施例中3位等级被作为实例，然而，本发明并不被排它地局限于3位。在这个实施例中，在此之后的解释中分别被称为开关TFT和驱动器TFT的开关元件和驱动器元件被采用。然而，开关元件和驱动器元件并不被排它地局限于TFT。
一个像素1752包括三个开关TFT 1715至1717、三个非易失存储器元件1727至1729、三个驱动器TFT 1753至1755、以及三个EL元件1739至1741。开关TFT的ON/OFF操作由栅极信号线进行控制。每个非易失存储器元件的一个端子被连接到每个开关TFT且其另一个端子被连接到公共电极1751。每个开关TFT的漏极和源极中的任一个被电连接到源极信号线、且另一个被电连接到非易失存储器元件和驱动器TFT的栅极、以及其栅极被电连接到栅极信号线。每个驱动器TFT的源极被电连接到电源线1765和1766，并且其漏极经由像素电极(在图中未示出)被电连接到EL元件。
数字视频信号被从源极信号线驱动器电路1701输出到源极信号线1703至1708。当栅极信号线1709至1711被栅极信号线驱动器电路1702选择时，开关TFT 1715至1717和开关TFT 1721至1723被开启且来自源极信号线1703至1708的数字视频信号被写进非易失存储器元件1727至1729以及非易失存储器元件1733至1735。当栅极信号线1709至1711的选择由栅极信号线驱动器电路1702进行释放时，开关TFT 1715至1717以及1721至1723被关断。然而，当信号被存储在非易失存储器元件1727至1729和1733至1735时，驱动器晶体管1735至1755和1759至1761的栅极也处在具有存储数据的状态。因此，基于所存储的信号EL元件1739至1741和1745至1747可以驱动并且因此执行显示操作。
接下来，当栅极信号线1721至1714由栅极信号线驱动器电路1702加以选择时，开关TFT 1718至1720和1724至1726被开启并且来自源极信号线1703至1708的数字视频信号被写进非易失存储器元件1730至1732以及1736至1738。当栅极信号线1712至1714的选择被栅极信号线驱动器电路1702释放时，开关TFT 1718至1720以及1724至1726被关断。然而，由于信号被存储在非易失存储器元件1730至1732和1736至1738，所以驱动器晶体管1756至1758和1762至1764的栅极也处在具有存储数据的状态。因此，基于所存储的信号EL元件1742至1744和1748至1750可以驱动并且因此执行显示操作。
在这个实施例中，对应于一个像素列提供三个源极信号线。然而，如实施例2所示对应于一个像素列和三个栅极线可提供一个源极信号线。
根据本发明，由于信号被数字式加以存储，所以利用面积等级制执行显示操作。即，当执行3位显示操作时，通过将像素电极的面积比率设定在4∶2∶1、并且根据所要求的等级存储必要的信号，等级可以被加以表达。如上所说明，本发明并不被排它地局限于3位。此外，驱动器TFT可在饱和区被驱动并且EL元件可利用恒定电流被驱动，或者驱动器TFT可在线性区被驱动并且EL元件可利用恒定电压被驱动。
当铁电材料如PZT被用作非易失存储器元件时，甚至当电源被关断时信号也可以被存储。因此，当显示静止图像时，显示设备的电源可以被关断且因此可以减少电。通过这种方式，一直成为传统问题的刷新操作可以被省略并且功率消耗可以得到降低。铁电材料并不排他地被限制于PZT并且其它材料也可以被使用。
同样，根据本发明，不同于使用SRAM的显示设备，在像素内部并不需要大量的晶体管。因此，它可以被驱动而没有引起象下述情况下这样的问题，即其中当像素面积小时晶体管不能够被嵌入像素内或其中孔径比被显示降低。
此外，源极信号线驱动器电路、栅极信号线驱动器电路、或其它用在本发明中的电路可以被整体地形成在像素的同一基片上，虽然它们可以采用COG(玻璃上芯片)或TAB(带自动粘接)等技术被形成在单独基片上。
[实施例10]
根据上述实施例制造的显示设备可以被用作各种电子装置的显示部分。每种结合有根据本发明所制造的所述显示设备作为显示介质的这样电子装置被说明如下。
所述电子装置的实例包括视频相机、数字相机、头部安装的显示器(护目镜型显示器)、游戏机、汽车导航系统、个人计算机、便携式信息终端(移动计算机、移动电话、电子书籍等)。这些电子装置的具体实例被示于图15A至15G。
图15A是数字相机，包括主体3101、显示部分3102、图像接收部分3103、操作键3104、外部连接端口3105、快门3106、音频输出部分3107等。本发明的显示设备可以被用在显示部分3102中。
图15B是笔记本型个人计算机，包括主体3201、框架3202、显示部分3203、键盘3204、外部连接端口3205、指点鼠标3206、音频输出部分3207等。本发明的显示设备可以被用在显示部分3203中。
图15C是PDA，包括主体3301、显示部分3302、开关3303、操作键3304、红外线端口3305、音频输出部分3306等。本发明的显示设备可以被用在显示部分3302中。
图15D中被提供有记录介质的图像再现设备(具体地为DVD回放设备)，包括主体3401、框架3402、显示部分(a)3403、显示部分(b)3404、记录介质(CD、LD、DVD等)读取部分3405、操作键3406、音频输出部分3407等。显示部分(a)3403主要显示图像信息而显示部分(b)3404主要显示字符信息。本发明的显示设备可以被用在显示部分(a)3403和(b)3404中。要注意到：本发明可作为被提供有记录介质的图像再现设备而应用到家用等CD再现设备和游戏机中。
图15E是折叠型便携式显示设备，包括主体3501、显示部分3502、音频输出部分3503等。本发明的显示部分可以被用在主体3501内的显示部分3502中。
图15F是手表型显示设备，包括带3601、显示部分3602、操作开关3603、音频输出部分3604等。本发明的显示设备可以被用在显示部分3602中。
图15G是移动电话，包括主体3701、框架3702、显示部分3703、音频输入部分3704、天线3705、操作键3706、外部连接端口3707、音频输出部分3708等。本发明的显示设备可以被用在显示部分3703中。
如上所述，本发明的应用范围如此宽，以致于本发明可以被应用到各种领域的电子装置中。在这个实施例中的电子装置可以以实施例1至9任何组合的结构被提供。
在传统的有源矩阵显示设备中，像素的刷新操作必须在固定的周期被执行。因此，即使当静止图像被输出时，也要求写入，其导致高的功率消耗。此外，在SRAM被应用的显示设备中，在每个像素中需要大量TFT。因此，当像素面积小时晶体管不能被嵌入在像素内，否则孔径率得到降低。
根据本发明，通过将非易失存储器元件结合到像素内，则当静止图像被显示时的刷新操作可以被省略。此外，当利用小数量元件存储信号时，显示操作可以被执行而没有显著地降低孔径率。

Claims (20)

1.一种显示设备包括：
多个源极信号线；
多个栅极信号线；以及
多个被设置在矩阵中的像素，每个像素包括：
开关元件；
非易失存储器元件；以及
像素电极，
其中：
所述开关元件的输入端子被电连接到所述源极信号线；
所述开关元件的输出端子被直接连接到所述非易失存储器元件和直接连接到所述像素电极；以及
所述开关元件的控制端子被电连接到所述栅极信号线。
2.一种显示设备包括：
多个源极信号线；
多个栅极信号线；以及
包括多个子像素的被设置在矩阵中的多个像素，每个子像素包括：
开关元件；
非易失存储器元件；以及
像素电极，
其中：
所述开关元件的输入端子被电连接到所述源极信号线；
所述开关元件的输出端子被直接连接到所述非易失存储器元件和直接连接到所述像素电极；以及
所述开关元件的控制端子被电连接到所述栅极信号线。
3.一种显示设备包括：
多个源极信号线；
多个栅极信号线；以及
包括多个子像素的被设置在矩阵中的多个像素，每个子像素包括：
开关元件；
非易失存储器元件；以及
像素电极，
其中：
所述开关元件的输入端子被电连接到所述源极信号线；
所述开关元件的输出端子被直接连接到所述非易失存储器元件和直接连接到所述像素电极；以及
所述开关元件的控制端子被电连接到所述栅极信号线；以及
像素之一中的每个开关元件被电连接到源极信号线中的不同的一个上。
4.一种显示设备包括：
多个源极信号线；
多个栅极信号线；以及
包括n个子像素的被设置在矩阵中的多个像素，每个子像素包括：
开关元件；
非易失存储器元件；以及
像素电极，
其中：
所述源极信号线的n个线对应于一个像素列；
所述开关元件的输入端子被电连接到所述源极信号线；
所述开关元件的输出端子被直接连接到所述非易失存储器元件和直接连接到所述像素电极；以及
所述开关元件的控制端子被电连接到所述栅极信号线；以及
像素之一中的每个开关元件被电连接到所述源极信号线的所述n个线中对应的一个线。
5.一种显示设备包括：
多个源极信号线；
多个栅极信号线；以及
包括多个子像素的被设置在矩阵中的多个像素，每个子像素包括：
开关元件；
非易失存储器元件；以及
像素电极，
其中：
所述开关元件的输入端子被电连接到所述源极信号线；
所述开关元件的输出端子被直接连接到所述非易失存储器元件和直接连接到所述像素电极；以及
所述开关元件的控制端子被电连接到所述栅极信号线；以及
像素之一中的每个开关元件被电连接到栅极信号线中的不同的一个上。
6.一种显示设备包括：
多个源极信号线；
多个栅极信号线；以及
包括n个子像素的被设置在矩阵中的多个像素，每个子像素包括：
开关元件；
非易失存储器元件；以及
像素电极，
其中：
所述栅极信号线的n个线对应于一个像素排；
所述开关元件的输入端子被电连接到所述源极信号线；
所述开关元件的输出端子被直接连接到所述非易失存储器元件和直接连接到所述像素电极；以及
所述开关元件的控制端子被电连接到所述栅极信号线；以及
像素之一中的每个开关元件被电连接到所述栅极信号线的所述n个线中对应的一个线。
7.一种显示设备包括：
多个源极信号线；
多个栅极信号线；以及
多个被设置在矩阵中的像素，每个像素包括：
开关元件；
非易失存储器元件；
驱动器元件；以及
像素电极，
其中：
所述开关元件的输入端子被电连接到所述源极信号线；
所述开关元件的输出端子被直接连接到所述非易失存储器元件和直接连接到所述驱动器元件；以及
所述开关元件的控制端子被电连接到所述栅极信号线；以及
所述驱动器元件被电连接到所述像素电极。
8.一种显示设备包括：
多个源极信号线；
多个栅极信号线；以及
包括多个子像素的被设置在矩阵中的多个像素，每个子像素包括：
开关元件；
非易失存储器元件；以及
驱动器元件；以及像素电极，
其中：
所述开关元件的输入端子被电连接到所述源极信号线；
所述开关元件的输出端子被直接连接到所述非易失存储器元件和直接连接到所述驱动器元件；以及
所述开关元件的控制端子被电连接到所述栅极信号线；以及
所述驱动器元件被电连接到所述像素电极。
9.一种显示设备包括：
多个源极信号线；
多个栅极信号线；以及
包括多个子像素的被设置在矩阵中的多个像素，每个子像素包括：
开关元件；
非易失存储器元件；
驱动器元件；以及
像素电极，
其中：
所述开关元件的输入端子被电连接到所述源极信号线；
所述开关元件的输出端子被直接连接到所述非易失存储器元件和直接连接到所述驱动器元件；
所述开关元件的控制端子被电连接到所述栅极信号线；
所述驱动器元件被电连接到所述像素电极，
像素之一中的每个开关元件被电连接到源极信号线中的不同的一个上。
10.一种显示设备包括：
多个源极信号线；
多个栅极信号线；以及
包括n个子像素的被设置在矩阵中的多个像素，每个子像素包括：
开关元件；
非易失存储器元件；
驱动器元件；以及
像素电极，
其中：
所述源极信号线的n个线对应于一个像素列；
所述开关元件的输入端子被电连接到所述源极信号线；
所述开关元件的输出端子被直接连接到所述非易失存储器元件和直接连接到所述驱动器元件；以及
所述开关元件的控制端子被电连接到所述栅极信号线；
所述驱动器元件被电连接到所述像素电极；以及
像素之一中的每个开关元件被电连接到所述栅极信号线的所述n个线中对应的一个线。
11.一种显示设备包括：
多个源极信号线；
多个栅极信号线；以及
包括多个子像素的被设置在矩阵中的多个像素，每个子像素包括：
开关元件；
非易失存储器元件；
驱动器元件；以及
像素电极，
其中：
所述开关元件的输入端子被电连接到所述源极信号线；
所述开关元件的输出端子被直接连接到所述非易失存储器元件和直接连接到所述驱动器元件；以及
所述开关元件的控制端子被电连接到所述栅极信号线；
所述驱动器元件被电连接到所述像素电极；以及
像素之一中的每个开关元件被电连接到所述栅极信号线不同的之一上。
12.一种显示设备包括：
多个源极信号线；
多个栅极信号线；以及
包括n个子像素的被设置在矩阵中的多个像素，每个子像素包括：
开关元件；
非易失存储器元件；驱动器元件；以及
像素电极，
其中：
所述栅极信号线的n个线对应于一个像素排；
所述开关元件的输入端子被电连接到所述源极信号线；
所述开关元件的输出端子被直接连接到所述非易失存储器元件和直接连接到所述驱动器元件；以及
所述开关元件的控制端子被电连接到所述栅极信号线；
所述驱动器元件被电连接到所述像素电极；以及
像素之一中的每个开关元件被电连接到所述栅极信号线的所述n个线中的任一个线上。
13.根据任一权利要求1至12的显示设备，其中铁电存储器被用作非易失存储器元件。
14.根据任一权利要求1至12的显示设备，其中薄膜晶体管被用作开关元件。
15.根据任一权利要求1至12的显示设备，其中所述源极信号线驱动器电路被形成在与像素相同的基片上。
16.根据任一权利要求1至12的显示设备，其中所述栅极信号线驱动器电路被形成在与像素相同的基片上。
17.根据权利要求15的显示设备，其中所述源极信号线驱动器电路或所述栅极信号线驱动器电路由单极晶体管进行配置。
18.根据权利要求16的显示设备，其中所述源极信号线驱动器电路或所述栅极信号线驱动器电路由单极晶体管进行配置。
19.电装置，其中在任一权利要求1至12中所阐明的显示设备被应用。
20.一种显示设备包括：
多个源极信号线；
多个栅极信号线；以及
多个被设置在矩阵中的像素，每个像素包括：
第一开关元件；
第二开关元件；
电容器元件；
非易失存储器元件；以及
像素电极，
其中：
所述第一开关元件的输入端子被电连接到所述源极信号线；
所述第二开关元件的输出端子被直接连接到所述第二开关元件的输入端子和直接连接到所述像素电极；以及
所述第一开关元件的控制端子被电连接到所述栅极信号线；以及
所述第二开关元件被选择性地连接到所述电容器元件和所述非易失存储器元件中的一个上。
CNB2003101235576A 2002-12-27 2003-12-26 显示设备 Expired - Fee Related CN100380184C (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP378868/02 2002-12-27
JP378868/2002 2002-12-27
JP2002378868 2002-12-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1512224A CN1512224A (zh) 2004-07-14
CN100380184C true CN100380184C (zh) 2008-04-09

Family

ID=32652734

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CNB2003101235576A Expired - Fee Related CN100380184C (zh) 2002-12-27 2003-12-26 显示设备

Country Status (4)

Country Link
US (1) US7298355B2 (zh)
JP (1) JP5337888B2 (zh)
KR (1) KR101073364B1 (zh)
CN (1) CN100380184C (zh)

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100466862B1 (ko) * 2002-01-25 2005-01-24 주식회사 태평양 백화사설초 추출물을 함유하는 피부 외용제 조성물
US7081874B2 (en) * 2002-12-20 2006-07-25 Motorola, Inc. Portable display device and method utilizing embedded still image buffer to facilitate full motion video playback
CN100443964C (zh) * 2005-12-16 2008-12-17 群康科技(深圳)有限公司 液晶显示面板及其显示方法
CN100433087C (zh) * 2006-02-09 2008-11-12 友达光电股份有限公司 平面显示器的像素单元及其驱动方法
KR101266723B1 (ko) * 2006-05-01 2013-05-28 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치와 그 구동방법
US8330492B2 (en) 2006-06-02 2012-12-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic device
EP1895545B1 (en) 2006-08-31 2014-04-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device
JP5657198B2 (ja) * 2008-08-07 2015-01-21 グローバル・オーエルイーディー・テクノロジー・リミテッド・ライアビリティ・カンパニーＧｌｏｂａｌ Ｏｌｅｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｌｌｃ． 表示装置
US8368709B2 (en) * 2009-09-18 2013-02-05 Nokia Corporation Method and apparatus for displaying one or more pixels
CN102053440B (zh) * 2009-11-10 2013-03-27 上海天马微电子有限公司 电泳显示器及其驱动方法
CN104766876A (zh) * 2015-04-10 2015-07-08 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管基板
JP2021120689A (ja) 2020-01-30 2021-08-19 株式会社ジャパンディスプレイ 表示装置
CN115831939A (zh) * 2021-11-22 2023-03-21 西安电子科技大学 非易失性铁电电容及显示驱动电路

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1156298A (zh) * 1995-02-15 1997-08-06 株式会社半导体能源研究所 有源矩阵显示器件
US6166792A (en) * 1996-10-18 2000-12-26 Canon Kabushiki Kaisha Reflective LCD having reflectivity characteristics between electrodes and reflector
US20010007447A1 (en) * 2000-01-11 2001-07-12 Rohm Co., Ltd. Display device and method of driving the same
CN1304055A (zh) * 1999-11-05 2001-07-18 三星电子株式会社 用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板
US20020021295A1 (en) * 2000-08-18 2002-02-21 Jun Koyama Liquid crystal display device and method of driving the same
CN1352447A (zh) * 1994-03-24 2002-06-05 株式会社半导体能源研究所 用于操作校正系统的方法
CN1097207C (zh) * 1995-11-20 2002-12-25 现代显示器科技公司 液晶显示元件及其制造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2775040B2 (ja) 1991-10-29 1998-07-09 株式会社 半導体エネルギー研究所 電気光学表示装置およびその駆動方法
JP3129913B2 (ja) * 1994-07-29 2001-01-31 シャープ株式会社 アクティブマトリクス方式の表示装置
JP3630489B2 (ja) 1995-02-16 2005-03-16 株式会社東芝 液晶表示装置
JP3442551B2 (ja) * 1995-11-15 2003-09-02 株式会社東芝 液晶表示装置
JP3485229B2 (ja) * 1995-11-30 2004-01-13 株式会社東芝 表示装置
JPH09292631A (ja) * 1996-04-26 1997-11-11 Toshiba Corp 液晶表示装置
TW556013B (en) * 1998-01-30 2003-10-01 Seiko Epson Corp Electro-optical apparatus, method of producing the same and electronic apparatus
JP4395921B2 (ja) * 1999-05-27 2010-01-13 ソニー株式会社 表示装置及びその駆動方法
US20020113268A1 (en) 2000-02-01 2002-08-22 Jun Koyama Nonvolatile memory, semiconductor device and method of manufacturing the same
JP2001222024A (ja) * 2000-02-08 2001-08-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 液晶表示装置とその駆動方法
US6577531B2 (en) 2000-04-27 2003-06-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Nonvolatile memory and semiconductor device
JP4123711B2 (ja) * 2000-07-24 2008-07-23 セイコーエプソン株式会社 電気光学パネルの駆動方法、電気光学装置、および電子機器
JP3382221B2 (ja) * 2000-12-04 2003-03-04 株式会社東芝 液晶表示装置
JP3618687B2 (ja) * 2001-01-10 2005-02-09 シャープ株式会社 表示装置
JP4868652B2 (ja) * 2001-04-11 2012-02-01 三洋電機株式会社 表示装置
JP4204204B2 (ja) * 2001-04-13 2009-01-07 三洋電機株式会社 アクティブマトリクス型表示装置
JP2002328655A (ja) * 2001-04-27 2002-11-15 Sanyo Electric Co Ltd アクティブマトリクス型表示装置
JP2002333864A (ja) * 2001-05-08 2002-11-22 Sanyo Electric Co Ltd 表示装置
JP2002351409A (ja) * 2001-05-23 2002-12-06 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 液晶表示装置、液晶ディスプレイ駆動回路、液晶ディスプレイの駆動方法、およびプログラム

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1352447A (zh) * 1994-03-24 2002-06-05 株式会社半导体能源研究所 用于操作校正系统的方法
CN1156298A (zh) * 1995-02-15 1997-08-06 株式会社半导体能源研究所 有源矩阵显示器件
CN1213812A (zh) * 1995-02-15 1999-04-14 株式会社半导体能源研究所 有源矩阵显示器件
CN1097207C (zh) * 1995-11-20 2002-12-25 现代显示器科技公司 液晶显示元件及其制造方法
US6166792A (en) * 1996-10-18 2000-12-26 Canon Kabushiki Kaisha Reflective LCD having reflectivity characteristics between electrodes and reflector
CN1304055A (zh) * 1999-11-05 2001-07-18 三星电子株式会社 用于液晶显示器的薄膜晶体管阵列面板
US20010007447A1 (en) * 2000-01-11 2001-07-12 Rohm Co., Ltd. Display device and method of driving the same
US20020021295A1 (en) * 2000-08-18 2002-02-21 Jun Koyama Liquid crystal display device and method of driving the same

Also Published As

Publication number Publication date
KR101073364B1 (ko) 2011-10-17
JP2012145947A (ja) 2012-08-02
US20040124442A1 (en) 2004-07-01
CN1512224A (zh) 2004-07-14
KR20040060766A (ko) 2004-07-06
JP5337888B2 (ja) 2013-11-06
US7298355B2 (en) 2007-11-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5337888B2 (ja) 表示装置及び電子機器
US7342615B2 (en) Image display and manufacturing method of the same
KR101709063B1 (ko) 반도체 장치 및 전자 기기
US6992652B2 (en) Liquid crystal display device and driving method thereof
US7542024B2 (en) Electrophoresis display device and electronic equipments using the same
US7184014B2 (en) Liquid crystal display device
US7227542B2 (en) Liquid crystal display device and method of driving the same
US8564578B2 (en) Semiconductor device
CN101399006B (zh) 液晶显示器及它和包含它的便携式信息装置的驱动方法
TWI273539B (en) Display device and display system using the same
JP3934370B2 (ja) 液晶表示装置、電子装置
JP2004220021A (ja) 表示装置
JP4943177B2 (ja) 液晶表示装置、電子装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee

Granted publication date: 20080409

Termination date: 20201226

CF01 Termination of patent right due to non-payment of annual fee