CN101515587B - 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，其中薄膜晶体管阵列基板包括栅线、数据线和像素电极，在数据线的上方形成有与数据线接触的透明导电层，透明导电层与像素电极不相连。制造方法包括：在玻璃基板上依次形成栅线层、栅绝缘层、有源层、及源漏电极和数据线层；沉积钝化层；通过光刻工艺和刻蚀工艺形成过孔，同时刻蚀位于数据线上方的钝化层；沉积透明导电层；通过光刻工艺和刻蚀工艺形成像素电极，同时保留数据线上方的透明导电层，数据线上方的透明导电层与像素电极不相连。本发明避免了线性不良问题，且不需要维修从而避免造成像素不良，提高了TFT-LCD的良品率。

Description

薄膜晶体管阵列基板及其制造方法

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，尤其涉及一种在数据线上沉积透明导电层的薄膜体管阵列基板及其制造方法，属于电子设备制造领域。

背景技术

如图4所示，为现有技术薄膜晶体管阵列基板的结构示意图，其中数据线41为薄膜晶体管液晶显示器(TFT-LCD)的像素电极42提供数据信号，当数据线41出现断路情况时，会导致TFT-LCD面板上出现一条亮线或暗线，造成严重的线性不良现象。现有技术中通常采用化学气相沉积(chemical vapordeposition，以下简称：CVD)方法来修复数据线41断路的问题，但是这种方法会造成像素不良，对良品率和维修成功率产生较大影响，使得TFT-LCD的显示性能下降。

发明内容

本发明的目的在于提供一种薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，当数据线出现断路情况时，不用维修即可修复，避免线性不良问题，提高TFT-LCD的良品率。

本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板，包括栅线、与源漏电极同层的数据线和像素电极，所述像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接，在所述数据线的上方形成有与所述数据线接触的透明导电层，所述透明导电层的材料与所述像素电极相同，并且与所述像素电极形成在同层上，所述透明导电层与所述像素电极不相连。

本发明提供了一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括在玻璃基板上依次形成栅线层、栅绝缘层、有源层、及源漏电极和数据线层，还包括：

步骤1、在形成栅线层、栅绝缘层、有源层、源漏电极和数据线层的玻璃基板上，沉积钝化层；

步骤2、在完成步骤1的玻璃基板上，通过光刻工艺和刻蚀工艺形成过孔，同时刻蚀位于数据线上方的钝化层，暴露出数据线；

步骤3、在完成步骤2的玻璃基板上，沉积透明导电层；

步骤4、在完成步骤3的玻璃基板上，通过光刻工艺和刻蚀工艺形成像素电极，同时保留数据线上方的透明导电层，所述数据线上方的透明导电层与所述像素电极不相连。

本发明提供的薄膜晶体管阵列基板及其制造方法，在数据线的上方形成有与数据线接触的透明导电层，当数据线出现断路情况时，能通过与数据线接触的透明导电层传送数据信号，避免了线性不良问题，由于不用维修即可修复，因而不会造成像素不良，提高了TFT-LCD的良品率。

附图说明

图1为本发明薄膜晶体管阵列基板具体实施例的结构示意图；

图2为图1中A-A向的剖面图；

图3为本发明薄膜晶体管阵列基板的制造方法具体实施例的流程图；

图4为现有技术薄膜晶体管阵列基板的结构示意图。

具体实施方式

下面通过附图和实施例，对本发明的技术方案做进一步的详细描述。

如图1所示，为本发明薄膜晶体管阵列基板具体实施例的结构示意图，包括栅线、数据线11和像素电极12，其中在数据线11的上方形成有与数据线11接触的透明导电层13，透明导电层13和像素电极12不相连。

透明导电层13的材料可以与像素电极12相同，且与像素电极12形成在同层上。

下面通过薄膜晶体管阵列基板的制造过程说明本发明的技术方案。

如图2所示，为图1中A-A向的剖面图，包括玻璃基板21、栅线层22、栅绝缘层23、有源层(包括非晶硅层24和掺杂非晶硅层25)、源漏电极28、数据线11、钝化层26、过孔27、像素电极12和透明导电层13，其中源漏电极28的源电极与数据线11连接。该薄膜晶体管阵列基板的制造过程为：在玻璃基板21上依次形成栅线层22、栅绝缘层23、非晶硅层24、掺杂非晶硅层25、源漏电极28和数据线11；沉积钝化层26，通过光刻工艺和刻蚀工艺形成过孔27，与此同时，刻蚀位于数据线11上方的钝化层，暴露出数据线11；沉积透明导电层，通过光刻工艺和刻蚀工艺形成像素电极12，同时保留数据线11上方的透明导电层13，且使得透明导电层13与像素电极12不相连。

本实施例在数据线11上方形成有与数据线11接触的透明导电层13，相当于在数据线11上添加了一层导电层，当数据线11出现断路情况时，能通过与数据线11接触的透明导电层13传送数据信号，避免了线性不良问题，由于不用维修即可修复，因而不会造成像素不良，提高了TFT-LCD的良品率。

如图3所示，为本发明薄膜晶体管阵列基板的制造方法具体实施例的流程图，具体包括如下步骤：

步骤101、在玻璃基板上依次形成栅线层、栅绝缘层、有源层、及源漏电极和数据线层；

步骤102、在形成栅线层、栅绝缘层、有源层、源漏电极和数据线层的玻璃基板上，沉积钝化层；

步骤103、在完成步骤102的玻璃基板上，通过光刻工艺和刻蚀工艺形成过孔，同时刻蚀位于数据线上方的钝化层，暴露出数据线；

步骤104、在完成步骤103的玻璃基板上，沉积透明导电层；

步骤105、在完成步骤104的玻璃基板上，通过光刻工艺和刻蚀工艺形成像素电极，同时保留数据线上方的透明导电层，数据线上方的透明导电层与像素电极不相连。

本实施例在数据线上方保留透明导电层，相当于在数据线上添加了一层导电层，当数据线出现断路情况时，能通过与数据线接触的透明导电层传送数据信号，避免了线性不良问题，由于不用维修即可修复，因而不会造成像素不良，提高了TFT-LCD的良品率。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本发明进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本发明各实施例技术方案的精神和范围。

Claims (2)

1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括栅线、与源漏电极同层的数据线和像素电极，所述像素电极通过钝化层过孔与漏电极连接，其特征在于，在所述数据线的上方形成有与所述数据线接触的透明导电层，所述透明导电层的材料与所述像素电极相同，并且与所述像素电极形成在同层上，所述透明导电层与所述像素电极不相连。

2.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，包括在玻璃基板上依次形成栅线层、栅绝缘层、有源层、及源漏电极和数据线层，其特征在于，还包括：

步骤1、在形成栅线层、栅绝缘层、有源层、源漏电极和数据线层的玻璃基板上，沉积钝化层；

步骤2、在完成步骤1的玻璃基板上，通过光刻工艺和刻蚀工艺形成过孔，同时刻蚀位于数据线上方的钝化层，暴露出数据线；

步骤3、在完成步骤2的玻璃基板上，沉积透明导电层；

步骤4、在完成步骤3的玻璃基板上，通过光刻工艺和刻蚀工艺形成像素电极，同时保留数据线上方的透明导电层，所述数据线上方的透明导电层与所述像素电极不相连。

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