CN101308854A - 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供薄膜晶体管阵列面板及其制造方法。一种薄膜晶体管阵列面板包括：基板；多个第一信号线，形成在基板上；多个第二信号线，与第一信号线绝缘，形成在基板上，并且通过横越第一信号线来限定显示区域的面积；驱动器，设置在周边区域上；多个连接线，设置在周边区域上，将驱动器耦接到每个第一信号线；以及绝缘层，将第一信号线与连接线绝缘。绝缘层包括多个接触孔，部分第一信号线和连接线通过接触孔连接，并且通过接触孔暴露的第一信号线的暴露部分的尺寸随着从接触孔到驱动器的各自距离的增加而增加。

Description

薄膜晶体管阵列面板及其制造方法

技术领域

本发明涉及薄膜晶体管阵列面板以及制造薄膜晶体管阵列面板的方法。

背景技术

通常，液晶显示器(LCD)包括下面板、面对下面板的上面板、夹设在下面板和上面板之间的液晶层和驱动LCD的驱动器。例如，下面板包括多个栅极线、多个数据线和像素，每个像素都连接到多个栅极线的一个栅极线和多个数据线的一个数据线，并且包括例如薄膜晶体管(TFT)的开关元件或者像素电极。下面板称为TFT阵列面板。上面板包括公共电极，并且称为公共电极面板。驱动器包括例如驱动芯片，但不限于此。

驱动器设置在下面板的周边区域，且特别是，驱动器设置在TFT阵列面板对应于数据线端部的周边区域的上周边区域或者下周边区域上。TFT阵列面板的尺寸随着驱动器的尺寸而增加。因此，LCD的尺寸也增加。

此外，信号传输线从驱动器到数据线或者栅极线传输信号，当相邻信号传输线之间的长度不同时，信号传输线之间的电阻差随着长度差的增加而增加。同样，例如，信号延迟会不规则，并且LCD的显示性能会变坏。

发明内容

根据本发明的实施例，提供了一种薄膜晶体管阵列面板，包括：基板，具有显示区域和设置在显示区域周围的周边区域；多个第一信号线，形成在基板上；多个第二信号线，与第一信号线绝缘，其形成在基板上并且通过横越第一信号线来限定显示区域的面积；驱动器，设置在周边区域上；多个连接线，设置在周边区域上，其将驱动器连接到每个第一信号线；以及绝缘层，其将第一信号线与连接线绝缘。该绝缘层包括多个接触孔，部分第一信号线和连接线通过接触孔连接，并且通过接触孔暴露的第一信号线的暴露部分的尺寸随着各接触孔到驱动器的距离的增加而增加。

第一信号线可以相对于绝缘层形成在与连接线不同的层上，并且第一线和连接线可以通过接触孔彼此接触。

第一信号线和连接线可以覆盖有绝缘层，接触孔可以包括暴露第一信号线的第一接触孔和暴露连接线的第二接触孔，并且第一信号线和连接线可以通过第一和第二接触孔彼此接触。

根据另一个实施例，所提供的薄膜晶体管阵列面板包括显示区域和具有第一、第二、第三和第四周边区域的周边区域。该薄膜晶体管包括：多个栅极线，形成在绝缘基板上，并且在第一方向上延伸；栅极绝缘层，形成在栅极线上；多个数据线，形成在栅极绝缘层上，并且在第二方向上延伸，该第二方向垂直于第一方向；驱动器，设置在第一或者第二周边区域上；以及多个数据信号传输线，形成在第三和第四周边区域的至少一个上。部分数据信号传输线包括端部，该端部经过连接线连接到数据线的端部，连接线根据连接线到驱动器的各自距离具有不同接触尺寸，并且第一周边区域在第一方向上面对第二周边区域，而第三周边区域在第二方向上面对第四周边区域。

多个数据信号传输线可以包括形成在第三周边区域上并且连接到数据线的偶数数据线和驱动器的多个第一数据信号传输线，以及形成在第四周边区域上并且连接到数据线的奇数数据线和驱动器的多个第二数据信号传输线。

多个第一数据信号传输线可以包括连接到第(j-2)数据线的多个第一偶数信号传输线和连接到第j数据线(这里，j是四的倍数)的多个第二偶数信号传输线。

多个第二数据信号传输线可以包括连接到第(j-3)数据线的多个第一奇数信号传输线和连接到第(j-1)数据线的多个第二奇数信号传输线。

第一偶数信号传输线可以相对于绝缘层形成在与第二偶数信号传输线不同的层上，第一奇数信号传输线可以相对于绝缘层形成在与第二奇数信号传输线不同的层上。

第一偶数信号传输线和第一奇数信号传输线可以与栅极线形成在相同的层上，而第二偶数信号传输线和第二奇数信号传输线可以与数据线形成在相同的层上。

第一偶数信号传输线和第一奇数信号传输线可以由第一金属制造。此时，第一金属可以是与栅极线相同的金属。另外，第二偶数信号传输线和第二奇数信号传输线可以由第二金属制造。第二金属可以是与数据线相同的金属。第二金属具有比该第一金属更低的特征电阻率(characteristic resistivity)。

第一金属可以比第二金属具有更大的电阻率。

栅极绝缘层可以包括以不同的暴露尺寸暴露第一偶数信号传输线的端部的多个第一接触孔、及以不同的暴露尺寸暴露第一奇数信号传输线的端部的多个第二接触孔，并且第一偶数信号传输线的端部可以通过不同的接触尺寸的第一接触孔与数据线的端部相接触，而第一奇数信号传输线的端部可以通过不同的接触尺寸的第二接触孔与数据线的端部相接触。

薄膜晶体管阵列面板还可以包括形成在数据线和数据信号传输线上的钝化层。钝化层可以包括以不同的暴露尺寸暴露第二偶数信号传输线的端部的多个第三接触孔、以不同的暴露尺寸暴露第二奇数信号传输线的端部的多个第四接触孔、以不同的暴露尺寸暴露对应于第二偶数信号传输线的数据线的端部的多个第五接触孔，以及以不同的暴露尺寸暴露对应于第二奇数信号传输线的数据线的端部的多个第六接触孔。

薄膜晶体管阵列面板还可以包括多个第一连接构件和多个第二连接构件，第一连接构件形成在钝化层上，并且以不同的接触尺寸接触通过第三接触孔暴露的第二偶数信号传输线的端部和通过第五接触孔暴露的对应的数据线的端部，而多个第二连接构件形成在钝化层上，并且以不同的接触尺寸接触通过第四接触孔暴露的第二奇数信号传输线的端部和通过第六接触孔暴露的对应的数据线的端部。

薄膜晶体管阵列面板还可以包括形成在第三和第四周边区域之一上并且与栅极线和数据信号传输线绝缘的至少一个虚设线、与数据线分隔并且连接到虚设线的多个连接线，以及连接到连接线和数据线的多个第一二极管。每个第一二极管可具有第一控制电极、第一半导体、第一输入电极和第一输出电极。

虚设线可以由与栅极线相同的材料制造，并且连接线可以由与数据线相同的材料制造。

部分第一控制电极可以从第一偶数信号传输线的端部延伸。

栅极绝缘层还可以包括多个第三接触孔，并且直接连接到第二偶数信号传输的数据线的端部可以分别通过第三接触孔与第一控制电极相接触。

每个数据线可以包括第一输入电极。每个连接线可以包括面对第一输入电极的第一输出电极，并且每个第一半导体可以形成在栅极绝缘层上，且形成在第一输入电极和输出电极之间。

虚设线还可以包括多个第二控制电极。每个连接线还可以包括第二输入电极，每个数据线还可以包括面对第二输入电极的第二输出电极，并且薄膜晶体管阵列面板还可以包括多个第二半导体，其中每个第二半导体形成在栅极绝缘层上，且形成在第二输入电极和第二输出电极之间。第二控制电极、第二半导体、第二输入电极和第二输出电极可以形成第二二极管。

薄膜晶体管阵列面板还可以包括形成在数据线和数据信号传输线上的钝化层。钝化层可以包括以不同的暴露尺寸暴露第二偶数信号传输线的端部的多个第四接触孔和以不同的暴露尺寸暴露对应于第二偶数信号传输线的数据线的端部的多个第五接触孔。

薄膜晶体管阵列面板还可以包括多个第一连接构件，其形成在钝化层上，并且以不同的接触尺寸接触通过第四接触孔暴露的第二偶数信号传输线的端部和通过第五接触孔暴露的对应的数据线的端部。

薄膜晶体管阵列面板还可以包括形成在数据线和数据信号传输线上的钝化层。钝化层可以包括以不同的暴露尺寸暴露第一偶数信号传输线的端部与栅极绝缘层的多个第一接触孔、以不同的暴露尺寸暴露第一奇数信号传输线的端部与栅极绝缘层的多个第二接触孔、以不同的暴露尺寸暴露对应于第一偶数信号传输线的数据线的端部与栅极绝缘层的多个第三接触孔，以及以不同的暴露尺寸暴露对应于第一奇数信号传输线的数据线的端部与栅极绝缘层的多个第四接触孔。

薄膜晶体管阵列面板还可以包括多个第一连接构件和多个第二连接构件，多个第一连接构件形成在钝化层上，并且以不同的接触尺寸接触通过第一接触孔暴露的第一偶数信号传输线的端部和通过第三接触孔暴露的对应的数据线的端部，而多个第二连接构件形成在钝化层上，并且以不同的接触尺寸接触通过第二接触孔暴露的第一奇数信号传输线的端部和通过第四接触孔暴露的对应的数据线的端部。

钝化层还可以包括以不同的暴露尺寸暴露第二偶数信号传输线的端部的多个第五接触孔、以不同的暴露尺寸暴露第二奇数信号传输线的端部的多个第六接触孔、以不同的暴露尺寸暴露对应于第二偶数信号传输线端部的数据线端部的多个第七接触孔，以及以不同的暴露尺寸暴露对应于第二奇数信号传输线端部的数据线端部的多个第八接触孔。

薄膜晶体管阵列面板还可以包括多个第三连接构件和多个第四连接构件，多个第三连接构件形成在钝化层上，并且以不同的接触尺寸接触通过第五接触孔暴露的第二偶数信号传输线的端部和通过第七接触孔暴露的对应的数据线的端部，而多个第四连接构件形成在钝化层上，并且以不同的接触尺寸接触通过第六接触孔暴露的第二奇数信号传输线的端部和通过第八接触孔暴露的对应的数据线的端部。

薄膜晶体管阵列面板还可以包括形成在钝化层上的像素电极，并且第一至第四连接构件可以由与像素电极相同的材料制造。

接触尺寸可以随着到驱动器的距离的增加而增加。

根据另一个实施例，提供薄膜晶体管阵列面板的制造方法，该薄膜晶体管阵列面板包括显示区域、具有第一、第二、第三和第四周边区域的周边区域，以及设置在第一或者第二周边区域上的驱动器。该制造方法包括：在绝缘基板上形成在第一方向上延伸的多个栅极线；在栅极线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成在第二方向延伸的多个数据线，第二方向垂直于第一方向；以及在第三和第四周边区域的至少一个上形成多个数据信号传输线。部分数据信号传输线包括端部，其经过不同接触尺寸的连接且根据该连接到驱动器的各自距离连接到对应的数据线的端部，而其它的端部连接到驱动器。制造方法还可以包括在栅极绝缘层上形成以不同暴露尺寸暴露部分数据信号传输线的多个接触孔，并且数据线的端部以不同的接触尺寸分别与通过接触孔暴露的数据线的端部相接触。

制造方法还可以包括在数据线上形成钝化层和在钝化层上形成多个连接构件。此时，钝化层可以包括以不同的暴露尺寸暴露数据信号传输线的端部的多个第一接触孔和以不同的暴露尺寸暴露部分数据线的端部的多个第二接触孔，并且连接构件可以以不同的接触尺寸分别通过第一和第二接触孔与部分数据信号传输线的端部和部分数据线的端部相接触。

附图说明

通过参照附图进一步详细描述其示范性实施例，本发明的上述以及其他方面、特征和优点将变得更为明显易懂，其中：

图1是根据本发明示范性实施例的示范性薄膜晶体管(TFT)阵列面板的透视图；

图2是根据本发明第一实施例的TFT阵列面板的示意图；

图3是图2所示TFT阵列面板″A″部分的放大图；

图4是图3所示TFT阵列面板沿着IV-IV线剖取的截面图；

图5是图2所示TFT阵列面板的数据线和信号传输线的布置图；

图6和7是图5所示TFT阵列面板沿着VI-VI和VII-VII线剖取的截面图；

图8、10和12是根据本发明第一实施例的制造方法的中间操作中图5至7所示TFT阵列面板的布置图；

图9、11和13分别是图8、10和12所示TFT阵列面板沿着IX-IX、XI-XI和XIII-XIII线剖取的截面图；

图14是根据本发明第二示范性实施例的TFT阵列面板的数据线和信号传输线的布置图；

图15是图14所示TFT阵列面板沿着XV-XV线剖取的截面图；

图16是根据本发明第三实施例的TFT阵列面板的数据线和信号传输线的布置图；

图17是图16所示TFT阵列面板沿着XVII-XVII线剖取的截面图；

图18是根据本发明第四实施例的TFT阵列面板的数据线和信号传输线的布置图；

图19是根据本发明第五实施例的TFT阵列面板的示意图；

图20是图19所示TFT阵列面板的数据线和信号传输线的布置图；

图21和22是图20所示TFT阵列面板沿着XXI-XXI和XXII-XXII线剖取的截面图；

图23是根据本发明第六实施例的示范性TFT阵列面板的数据线和信号传输线的布置图；

图24是图23所示TFT阵列面板沿着XXIV-XXIV线剖取的截面图；

图25是根据本发明第七实施例的TFT阵列面板的数据线和信号传输线的布置图；

图26是图25所示TFT阵列面板沿着XXVI-XXVI线剖取的截面图；

图27是根据本发明第八实施例的TFT阵列面板的数据线和信号传输线的布置图；以及

图28是图27所示TFT阵列面板沿着XXVIII-XXVIII线剖取的截面图。

具体实施方式

现在，将在下文中参照附图更全面地描述本发明，在附图中展示了本发明的实施例。然而，本发明可以以各种不同的形式实施，并且不应当解释成局限于在此所阐述的实施例。相反，提供这些实施例从而使该揭示透彻和全面，并且将向本领域的技术人员全面交流本发明的范围。相同的参考标记通篇指代相同的元件。

应当理解的是，当元件称为“在另一个元件上”时，它可以直接在该另一个元件上，或者居间元件可以存在于其间。相反，当元件称为“直接在另一个元件上”时，则没有居间元件存在。这里使用时，术语“和/或”包括一个或者多个相关列表项目的任何和所有的组合。

应当理解的是，尽管术语第一、第二、第三等在此可以用来描述各种元件、成分、区域、层和/或部分，但是这些元件、成分、区域、层和/或部分应当不受这些术语的限制。这些术语仅用于一个元件、成分、区域、层或者部分与另一个元件、成分、区域、层或者部分的区别。因此，下面讨论的第一元件、成分、区域、层或者部分可以称为第二元件、成分、区域、层或者部分，而不脱离本发明的教导。

在此所采用的术语仅用于描述特定实施例的目的，并且不意味着限制本发明。正如这里所使用的，单数形式“一个”和“该”意味着也包括复数形式，上下文明确表示的除外。还应该理解的是，当在该说明书中采用术语“包括”时，是指所属特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或成分的存在，而不排除在其中存在或者增加一个或者多个其它特征、区域、整体、步骤、操作、元件、成分和/或组。

空间相对术语，例如“在之下”、“在下面”、“下面的”、“在之上”、“上面的”等，在此可以用来使描述容易，以描述附图中所图解的一个元件或者特征与另一个(或多个)元件或者特征的关系。应当理解的是，空间相对术语意味着除了在附图中示出了取向以外还包括在使用或者操作中装置的不同定位。例如，如果在附图中的装置翻转，则描述成“在另一个元件或者特征下面或者之下”的元件会定位为“在该另一个元件或者特征之上”。因此，示范性术语“在下面”可以包含上、下两个定位。装置可以另行定位(旋转90度或者在其它定位)，并且在此所采用的空间关系描述要作相应的说明。

除非另有规定，在此所采用的所有术语(包括技术和科学术语)具有一个本发明所属领域技术人员通常理解的意义。还应当理解的是，术语，例如在通常使用词典中定义的术语，应当解释成具有与它们在相关领域和本发明的上下文中的意思相一致的意义，并且除非其中特别定义，不能解释成理想化或者过于形式的意义。

在此描述本发明的示范性实施例参照示意性图解本发明理想实施例的截面图来进行。因此，作为例如制造技术和/或公差的结果，预期有图解形状的变化。因此，本发明的实施例不应当解释成限于在此所图解区域的特定形状，而应当包括例如制造上产生的形状偏差。例如，图解或者描述成平面的区域可以典型地具有粗糙的和/或非线性的特征。此外，所图解的尖角可以圆化。因此，附图中所图解的区域本质上是示意性的，并且它们的形状不意味着图解一个区域的精确形状，并且不意味着限制本发明的范围。

在下文，将参照附图详细描述本发明。

现在将参照附图详细描述根据示范性实施例的TFT阵列面板。首先，将参照图1至7描述包括根据本发明实施例的TFT阵列面板的显示装置和TFT阵列面板。

如上所述，图1是根据本发明示范性实施例的示范性薄膜晶体管(TFT)阵列面板的透视图，图2是根据本发明第一实施例的TFT阵列面板的示意图，图3是图2所示TFT阵列面板″A″部分的放大图，图4是图3所示TFT阵列面板沿着IV-IV线剖取的截面图，图5是图2所示TFT阵列面板的数据线和信号传输线的布置图，而图6和7是图5所示TFT阵列面板沿着VI-VI和VII-VII线剖取的截面图。

参照图1，根据本发明示范性实施例的显示装置可以是LCD，并且可以包括薄膜晶体管(TFT)阵列面板100和面对TFT阵列面板的公共电极面板200，液晶层(未示出)设置在它们之间。

参照图2和3，TFT阵列面板100分成显示区域DA和周边区域PA，显示区域DA中可以显示图像，而周边区域PA围绕显示区域DA的外边缘设置。参照图2和3，显示区域DA包括多个栅极线121或者G1-Gn、多个数据线17或者D1-Dm，以及连接到多个栅极线121和多个数据线171的多个像素(未示出)。每个像素可以包括连接到多个栅极线121的对应栅极线121和多个数据线171的对应的数据线171上的开关元件，以及每一个都可连接到开关元件的液晶电容器和存储电容器。在此应当注意的是，在本发明的实施例中可以省略存储电容器。

周边区域PA包括围绕显示区域DA的第一至第四周边区域PA1、PA2、PA3和PA4。栅极驱动器510形成在第一周边区域PA1上。第二周边区域PA2在基本上水平的位置上且与第一周边区域PA1基本相对地位于显示区域DA的对面。驱动器400形成在第二周边区域PA2上。第一数据信号传输线520和选择的栅极信号传输线511形成在第三周边区域PA3上。同样，第二数据信号传输线530和其余栅极信号传输线511形成在第四周边区域PA4上。第三周边区域PA3在基本上垂直的方向上隔显示区域DA与第四周边区域PA4相对。

栅极驱动器510通过每个栅极信号传输线511连接到驱动器400，并且驱动器400通过第一和第二数据信号传输线520和530连接到数据线171。为了防止第一和第二数据传输线520和530的重叠，形成在第三和第四周边区域PA3和PA4上的栅极信号传输线511相对于显示区域DA分别位于第一和第二数据信号传输线520和530的外面。在此应当注意的是，在供选实施例中，栅极信号传输线511也可以仅形成在第三周边区域PA3和第四周边区域PA4之一上。

如图2所示，第一数据信号传输线520连接到偶数数据线171，而第二数据信号传输线530连接到奇数数据线171。然而，应当理解的是，数据线171与第一和第二数据信号传输线520和530能够以各种替代方式彼此连接。

第一数据信号传输线520包括多个第一和第二偶数信号传输线522和524。多个第一偶数信号传输线522的每个第一偶数信号传输线522分别耦接到偶数数据线171的第(j-2)数据线Dj-2。同样，多个第二偶数信号传输线524的每个第二偶数信号传输线524分别耦接到偶数数据线171的第j数据线Dj。这里，j是四的倍数。同样，第二数据信号传输线530包括各自的多个第一和第二奇数信号传输线532和534。多个第一奇数信号传输线532耦接到奇数数据线的第(j-3)数据线Dj-3，而多个第二奇数信号传输线534耦接到奇数数据线的第(j-1)数据线Dj-1。

栅极驱动器510可以包括具有多级(stage)的移位寄存器，并且可以包括多个驱动TFT。栅极驱动器510可包括栅极线121、数据线171和像素。栅极驱动器510根据驱动器400通过栅极信号传输线511施加的栅极控制信号顺序将栅极信号传输到栅极线121。

驱动器400可以包括驱动芯片，并且可以安装在TFT阵列面板100中。如上所述，因为驱动器400可以设置在第二周边区域PA2上(在图1中其对应于TFT阵列面板100的右侧)，所以对应于TFT阵列面板100的上、下侧的第三或者第四周边区域PA3或者PA4的尺寸可以减小。驱动器400输出各种输出信号，以根据从外部装置(未示出)接收的控制信号来驱动LCD。例如，驱动器400可以输出施加给数据线171的数据电压、施加给栅极驱动器510的栅极控制信号、施加给公共电极面板200的公共电压或者其它类似的电压或者信号。

在本发明的供选实施例中，TFT阵列面板100可以具有这样的结构，其中驱动器400设置在第一周边区域PA1上，而栅极驱动器510设置在第二周边区域PA2上。

现在将描述TFT阵列面板DA的显示区域DA的结构。

多个栅极线121的每个栅极线121或者G1-Gn(这里，n是正整数)形成在绝缘基板110上，该绝缘基板110包括透明玻璃或者塑料或者它们的组合的材料。栅极线121传输栅极信号且在基本上水平的方向上延伸，并且连接到在第一周边区域PA1上的栅极驱动器510。参照图3和4，每个栅极线121包括多个栅极电极124，栅极电极124将被提供以从栅极驱动器510传输的栅极信号。

在供选实施例中，每个栅极线121可以包括具有大面积的端部(未示出)，以接触另一层或者外部驱动电路。该端部可以形成在显示区域DA或者任何周边区域PA(1-4)上。

栅极线121可以包括例如AL或者Al合金的含Al金属、例如Ag或者Ag合金的含Ag金属、例如Cu或者Cu合金的含Cu金属、例如Mo或者Mo合金的含Mo金属、Cr、Ta或者Ti。在供选实施例中，栅极线121可以具有多层结构，包括具有不同物理特性的两层导电膜(未示出)，例如下膜和上膜。这里，两层膜之一可以包括例如含Al金属的低电阻率金属来减少信号延迟或者电压降。另一层膜可以包括例如Mo、含Mo金属、或者Cr的材料，其每一个都具有良好的物理、化学及与其它材料例如铟锡氧化物(ITO)和铟锌氧化物(IZO)电接触的特性。两层膜结合的实例包括下Cr膜和上Al-Nd合金。然而，应当理解的是，栅极线121和存储电极线(未示出)可以包括各种金属或者导体。在此实施例中，其中栅极线121包括Cr的下膜和Al-Nd合金的上膜，栅极线121的电阻率可以约为4.5Ω。这里还应当注意的是，在本发明的另一个实施例中，栅极线121可以具有三层结构或者还具有另外的层的结构。

栅极绝缘层140由例如氮化硅(SiNx)制造，其形成在栅极线121上。多个由氢化非晶硅(简称“a-Si”)制造的半导体154形成在栅极绝缘层140上。多个欧姆接触163和165形成在半导体154上，每个半导体154彼此分隔。欧姆接触163和165包括重掺杂有N型杂质的n+氢化a-Si。作为选择，欧姆接触163和165可以由硅化物或者其它类似的材料制造。

多个数据线171或者D1-Dm(这里，m是正整数)和漏极电极175形成在欧姆接触163和165以及栅极绝缘层140上。数据线171在基本上垂直(纵向)方向上延伸，并且横过栅极线121。数据线171的每一个耦接到第一和第二数据信号传输线520和530，并且每一个都提供有来自第一和第二数据信号传输线520和530的数据电压，以便给像素传输数据电压。每个数据线171包括多个突向栅极电极124的源极电极173。如图5所示，数据线171的部分Dj-3或者Dj-2包括与第一偶数信号传输线522或者第一奇数信号传输线532接触的宽端部179和窄端部172。宽端部179形成在周边区域PA(例如周边区域PA3或者PA4)上，而窄端部172朝着第三或者第四周边区域PA3或者PA4的另一个延伸。同时，数据线171的其余部分Dj-1或者Dj耦接到第二偶数信号传输线524或者第二奇数信号传输线534，并且包括朝着第三或者第四周边区域PA3或者PA4延伸的窄端部172。

漏极电极175与数据线171分隔，并且相对于栅极电极124设置成与漏极电极173相对。

根据本发明的实施例，每个数据线171和漏极电极175可以包括难熔金属(refractory metal)，例如Cr、Mo、Ta、Ti和/或它们的合金。在此实施例中，数据线171和漏极电极175包括电阻率为约12Ω的Mo单层结构。然而，应当理解的是，每个数据线171和每个漏极电极175也可以包括多层结构，包括由例如Mo、Mo合金、Cr或者任何其它类似材料制造的下膜和由含Al金属制造的上膜。

栅极电极124、源极电极173和漏极电极175连同半导体154一起形成TFT，其具有沟道，半导体154设置在源极电极173和漏极电极175之间。欧姆接触163和165设置在下面的半导体154与上面的源极电极173和漏极电极175之间。这样，欧姆接触163和165倾向于减少半导体154和上面的源极电极173之间的接触电阻。

钝化层180形成在数据线171、漏极电极175、及半导体154的暴露部分上。在本发明的实施例中，钝化层180包括基本上平坦和光敏的有机材料、例如a-Si:C:O和a-Si:O:F的低介电绝缘材料或者例如氮化硅(SiNx)的无机材料，或者任何其它类似的材料。钝化层180包括多个暴露漏极电极175的接触孔189。

多个像素电极190形成在钝化层180上，并且可以包括透明导体例如ITO或者IZO、或者任何其它类似的材料。像素电极190通过接触孔189物理和电连接到漏极电极175，从而像素电极190接收来自漏极电极175的数据电压。

接下来，将描述TFT阵列面板100的周边区域PA的结构。如上所述，栅极信号传输线511形成在绝缘基板110的第三和第四周边区域PA3和PA4上，该绝缘基板110由例如透明玻璃的材料制造。栅极信号传输线511传输从驱动器400传输到栅极驱动器510的栅极控制信号。栅极信号传输线511总地在基本上水平的方向上延伸，并且由相同或者类似于栅极线121的材料(称为“第一金属”)形成，以减小第三和第四周边区域PA3和PA4的尺寸。这样，栅极信号传输线511与第一或者第二数据信号传输线520或者530之间的距离可以相对窄。然而，在供选实施例中，栅极信号传输线511可以形成在与数据线171相同的层上，并且可以由相同或者类似的材料(下文中称为“第二金属”)制造。

另外，多个第一偶数和奇数信号传输线522和532分别形成在绝缘基板110的第三和第四周边区域PA3和PA4上。第一偶数和奇数信号传输线522和532从驱动器400传输数据电压到部分数据线171，并且大体上延伸在基本上水平的方向上。每个第一偶数和奇数信号传输线522和532包括具有大面积的端部529或者539，以与对应的数据线171的端部179接触。

第一偶数信号传输线522的端部529形成在对应于在第三周边区域PA3上形成的数据线171的端部179的区域上，而第一奇数信号传输线532的端部539形成在对应于在第四周边区域PA4上形成的数据线171的端部179的区域。如图5所示，第一偶数和奇数信号传输线522和532的宽端部529和539的尺寸小于对应的数据线171的宽端部179的尺寸。然而，应当理解的是该结构可以变化。

如图6所示，第一偶数和第一奇数信号传输线522和532包括第一金属，并且形成在与栅极线121相同的层上。

栅极绝缘层140形成在第一偶数和奇数信号传输线522和532上，并且包括分别暴露第一偶数和奇数信号传输线522和532的端部的多个接触孔144、146、148、143、145和147。这里，通过接触孔144、146、148、143、145和147暴露的第一偶数和奇数信号传输线522和532的暴露部分的尺寸S2、S4、S6、S1、S3和S5(“暴露的尺寸S2、S4、S6、S1、S3和S5”)随着驱动器400到每个接触孔144、146、148、143、145和147的距离的增加而增加。

第一偶数和奇数信号传输线522和532通过对应的接触孔144、146、148、143、145和147连接到对应的数据线171的宽端部179，以从驱动器400传输数据电压到对应的数据线171。这样，第一偶数和奇数信号传输线522和532与对应的数据线171的宽端部179的接触尺寸基本上相同于暴露的尺寸S2、S4、S6、S1、S3和S5。因此，接触尺寸也随着到驱动器400的距离的增加而增加。这里应当理解的是，在本发明的供选实施例中，当满足上述的暴露尺寸S2、S4、S6、S1、S3和S5与到驱动器400的距离之间的条件时，接触孔144、146、148、143、145和147的形状和数量可以变化。

当到驱动器的距离增加时，第一偶数和奇数信号传输线522和532的端部与数据线171的端部179的接触尺寸增加，并且端部529和539与宽端部179之间的接触电阻相应地减小。

多个第二偶数和奇数信号传输线524和534分别形成在栅极绝缘层140的第三和第四周边区域PA3和PA4上。第二偶数和奇数信号传输线524和534从驱动器400传输数据电压到其余的数据线171。第二偶数和奇数信号传输线524和534在基本上水平的方向上延伸，然后在基本上垂直的方向上延伸，以直接连接到对应的数据线171。钝化层180形成在第二偶数和奇数信号传输线524和534上。

如图6所示，第二偶数和奇数信号传输线524和534由第二金属制造，并且它们形成在与数据线171相同的层上。在本发明的供选实施例中，第一偶数和奇数信号传输线522和532可以由作为与数据线171相同或者类似的金属的第二金属制造，而第二偶数和奇数信号传输线524和534可以由作为与栅极线121相同或者类似的金属的第一金属制造。

如上所述，当第一偶数和奇数信号传输线522和532形成在与第二偶数和奇数信号传输线524和534不同的层上时，第一偶数和奇数信号传输线522和532与第二偶数和奇数信号传输线524和534的距离分别减小。因此，第三和第四周边区域PA3和PA4的尺寸也减小。

在本发明的供选实施例中，当第一偶数和奇数信号传输线522和532分别与第二偶数和奇数信号传输线524和534重叠时，第三和第四周边区域PA3和PA4的尺寸进一步较小。然而，当重叠量大于预定量时，由于分别在第一偶数和奇数信号传输线522和532与第二偶数和奇数信号传输线524和534之间形成的寄生电容，在信号传输线522、532、524和534中会产生信号失真。因此，在本发明的实施例中，重叠量保持到小于预定量的重叠。这样，减少或者有效防止了信号失真。

在本发明的供选实施例中，第一数据信号传输线520可以形成在第四周边区域PA4上，并且第二数据信号传输线530可以形成在第三周边区域PA3上。另外，所有的第一和第二数据信号传输线520和530可以仅形成在第三和第四周边区域PA3和PA4之一上。

因为第一偶数和奇数信号传输线522和532由第一金属制造，并且第二偶数和奇数信号传输线524和534由第二金属制造，所以第一信号传输线522和532与第二信号传输线524和534的电阻率不同。因此，第一信号传输线522和532与第二信号传输线524和534之间产生电阻差。另外，由于第一数据信号传输线520和第二数据信号传输线530之间的长度差，第一数据信号传输线520和第二数据信号传输线530之间产生电阻差。电阻差导致不同的RC延迟。因此，会加剧信号失真，进一步引起图像质量上的变坏。因此，需要减少RC延迟差来提高图像质量。

在此实施例中，如上所述，为了减少RC延迟差，接触孔143、144、145、146、147和148的暴露尺寸S1、S2、S3、S4、S5和S6根据它们到驱动器400的距离而彼此不同。即第一偶数和奇数信号传输线522和532的暴露尺寸S2、S4、S6、S1、S3和S5随着到驱动器400的距离的增加而增加。

就是说，随着到驱动器400的距离的增加，第一偶数和奇数信号传输线522和532与对应的数据线171之间的接触电阻减小，从而补偿由于第一偶数和奇数信号传输线522和532的长度增加引起的电阻增加。因此，由第一偶数和奇数信号传输线522和532的长度差引起的电阻差减小。暴露尺寸S1、S2、S3、S4、S5和S6限定成最小化由于第一偶数和奇数信号传输线522和532长度差引起的电阻差。

另外，当由具有低电阻率的第一金属制造的第一偶数和奇数信号传输线522和532的端部529和539通过分别具有不同尺寸的接触孔143、144、145、146、147和148连接到对应的数据线171的宽端部179时，产生接触电阻，从而各自的总电阻增加。通过调整电阻增量，最小化了由具有高电阻率的第二金属制造的第二偶数和奇数信号传输线524和534与第一偶数和奇数信号传输线522和532之间的电阻差。

因此，由于第一偶数和奇数信号传输线522和532与第二偶数和奇数信号传输线524和534的材料不同以及信号传输线522、532、524和534之间的长度差引起的电阻差得以补偿，从而信号传输线522、532、524和534的总电阻基本上不变。另外，信号传输线522、532、524和534的恒定的电阻减少了施加到数据线171上的数据电压的RC延迟差，从而改善图像质量。

现在将参照图8至13以及图2至7来描述根据本发明示范性实施例的示范性TFT阵列面板100的制造方法。

图8、10和12是图5至7所示TFT阵列面板在根据本发明第一实施例的制造方法的中间步骤中的布置图，而图9、11和13是图5、10和12所示TFT阵列面板分别沿着IX-IX、XI-XI和XIII-XIII线剖取的截面图。

首先，由Cr制造的下层导电层和由Al-Nd合金制造的上层通过溅射或者其它类似的方法形成在绝缘基板110上。然后，蚀刻导电层来分别在第三和第四周边区域PA3和PA4上形成多个具有宽端部529和539的第一偶数和奇数信号传输线522和532，如图8和9所示，并且形成具有栅极电极124的多个栅极线121，如图2至4所示。

接下来，栅极绝缘层140、没有掺杂杂质的本征a-Si层(未示出)和掺杂有杂质的非本征掺杂a-Si层(未示出)通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)依次沉积在栅极线121以及第一偶数和奇数信号传输线522和532上。栅极绝缘140可以由氮化硅(SiNx)制造。参照图3和4，非本征a-Si层和本征a-Si层通过光刻蚀刻来形成半导体图案(未示出)。

参照图10和11，通过光刻蚀刻栅极绝缘层140来形成分别暴露第一偶数信号传输线522的宽端部的接触孔144、146和148、以及分别暴露第一奇数信号传输线532的宽端部539的多个接触孔143、145和147。通过接触孔144、146和148暴露的尺寸S2、S4和S6彼此不同，并且通过接触孔143、145和147暴露的尺寸S1、S3和S5也彼此不同。在光刻时，可以通过采用具有不同图案例如狭缝(slit)的光掩模或者通过调整曝光强度和时间形成接触孔143、144、145、146、147和148的不同的暴露尺寸S2、S4、S6、S1、S3和S5。

由例如Mo制造的导电层通过溅射形成在半导体图案和栅极绝缘层140上。

参照图2至4和图12和13，蚀刻导电层来形成具有源极电极173、宽端部179和窄端部172的多个数据线171、多个漏极电极175和多个第二偶数和奇数信号传输线524和534。此时，多个数据线171的宽端部179以不同的暴露尺寸S2、S4、S6、S1、S3和S5分别接触第一偶数和奇数信号传输线522和532的端部529和539。

去除没有由源极电极173和漏极电极175覆盖的半导体图案的暴露部分，以形成欧姆接触163和165并且暴露下面的作为半导体154的本征a-Si层的部分。

参照图3至7，钝化层180形成在数据线171上、以及第二偶数和奇数信号传输线524和534和暴露的栅极绝缘层140上。钝化层180可以具有单层结构或者多层结构。钝化层180可以由有机材料、绝缘材料、无机材料或者其结合来制造。有机材料可以相对平坦和具光敏性。绝缘材料可以由低介电常数的材料制造，例如a-Si:C:O，a-Si:O:F等，并且通过PECVD形成。无机材料可以包括氮化硅(SiNx)或者其它类似的材料。

在钝化层180上涂敷光致抗蚀剂膜(未示出)。光致抗蚀剂膜通过光掩模(未示出)曝光并且显影来形成多个暴露漏极电极175的部分的接触孔189。最后，如图3和4所示，透明导电层例如ITO或者IZO通过溅射等形成在钝化层180上，并且光蚀刻来形成多个像素电极190。

第二实施例

参照图14和15，将描述根据本发明第二实施例的TFT阵列面板。

根据此实施例的TFT阵列面板的示意图呈现出类似于图2的示意图。与图5和7相比，实现相同作用的元件用相同的参考标记表示，并且省略其具体的描述。

图14是根据本发明第二示范性实施例的TFT阵列面板的数据线和信号传输线的布置图，而图15是图14所示TFT阵列面板沿着XV-XV线剖取的截面图。

与图5和6相比，TFT阵列面板还包括多个连接构件192。第一偶数和奇数信号传输线522和532分别通过连接构件192连接到对应的数据线171。这里，在根据该实施例的TFT阵列面板中，第一偶数和奇数信号传输线522和532及通过连接构件192连接的对应的数据线171的端部分别包括宽端部529、539和179，其每一个具有大的面积。具体地讲，宽端部529和539分别与对应的数据线171的宽端部179隔开，并且宽端部529和539的尺寸可以基本上与宽端部179的相同。另外，钝化层180和栅极绝缘层140每个包括暴露宽端部529和539的多个第一接触孔183a、184a、185a、186a、187a和188a。此外，钝化层180包括暴露宽端部179的多个第二接触孔183b、184b、185b、186b、187b和188b。

与上面讨论的第一实施例一样，分别通过第一接触孔183a、185a、187a、184a、186a和188a暴露的第一偶数和奇数信号传输线522和532的宽端部529和539的尺寸S1、S3、S5、S2、S4和S6、以及分别通过第二接触孔183b、185b、187b、184b、186b和188b暴露的数据线171的宽端部179的尺寸S7、S9、S11、S8、S10和S12随着到驱动器400的距离的增加而增加。

连接构件192与像素电极190形成在相同的层上并且由相同或者类似的材料制造。每个连接构件192通过第一和第二接触孔184a、186a、188a、183a、185a、187a、184b、186b、188b、183d、185b或者187b接触宽端部529或539以及对应的数据线171的宽端部179。这里，宽端部529和539与对应的数据线171的宽端部179的接触尺寸基本上与暴露尺寸S2、S4、S6、S1、S3和S5相同。因此，接触尺寸也随着到驱动器400的距离的增加而增加。

尽管根据该实施例的TFT阵列面板的制造方法基本上类似于上面讨论的根据第一实施例的TFT阵列面板的制造方法，但是根据该实施例的TFT阵列面板的制造方法还包括形成第一和第二接触孔183a、184a、185a、186a、187a、188a、183b、184b、185b、186b、187b和188b以及形成连接构件192。就是说，在形成钝化层180后，第一和第二接触孔183a、184a、185a、186a、187a、188a、183b、184b、185b、186b、187b和188b与暴露漏极电极175的接触孔189一起形成。然后，在形成像素电极190时，通过光蚀刻形成连接构件192。

第三实施例

参照图16和17，将描述根据本发明第三实施例的TFT阵列面板。

根据该实施例的TFT阵列面板的示意图呈现出类似于图2的示意图。与图14和15相比，实现相同作用的元件由相同的参考标记表示，并且省略其详细地描述。

图16是根据本发明第三实施例的TFT阵列面板的数据线和信号传输线的布置图，而图17是图16所示TFT阵列面板沿着XVII-XVII线剖取的截面图。

与图14和15所示的TFT阵列面板不同，参照图16和17，TFT阵列面板还包括多个连接构件193，第二偶数和奇数信号传输线524和534以及第一偶数和奇数信号传输线522和532通过连接构件193接触对应的数据线171。

这里，第二偶数和奇数信号传输线524和534通过连接构件193接触数据线171，类似于第一偶数和奇数信号传输线522和532通过连接构件192接触数据线171的方式。然而，第一偶数和奇数信号传输线522和532与栅极线121由相同或者类似的材料制造并且形成在相同的层上，而第二偶数和奇数信号传输线524和534与数据线171由相同或者类似的材料制造，并且形成在相同的层上。

这样，第二偶数和奇数信号传输线524和534以及对应的数据线171的端部结构基本上类似于第一偶数和奇数信号传输线522和532以及对应的数据线171的端部结构。就是说，每个第二偶数和奇数信号传输线524和534以及对应的数据线171的端部之一具有大面积的宽端部528、538或者179。

另外，钝化层180还包括暴露第二偶数和奇数信号传输线524和534的宽端部528和538的多个第三接触孔184c、186c、183c和185c和暴露对应的数据线171的宽端部179的多个第四接触孔184d、186d、183d和185d。与图14所示的暴露尺寸S2、S4、S6、S1、S3、S5、S8、S10、S12、S7、S9和S11相类似，宽端部528、538和179的暴露尺寸S22、S24、S21、S23、S26、S28、S25和S27随着距驱动器400距离的增加而增加。

连接构件193与连接构件192，即像素电极190，由相同或者类似的材料制造并且形成在相同层上。与连接构件192相类似，每个连接构件193通过接触孔184c、186c、183c、185c、184d、186d、183d或者185d接触宽端部528或者538以及对应的数据线171的宽端部179。另外，第二偶数和奇数信号传输线524和534的端部528和538与对应的线171的端部179的接触尺寸基本上类似于暴露的尺寸S22、S24、S21、S23、S26、S28、S25和S27。因此，接触尺寸也随着距驱动器400距离的增加而增加。

根据图16和17所示的TFT阵列面板，减少了由第二偶数和奇数信号传输线524和534以及第一偶数和奇数信号传输线522和532的长度差引起的电阻差，从而降低数据信号传输线520和530的电阻差。

根据第三实施例的TFT阵列面板的制造方法基本上类似于第二实施例的制造方法。然而，在第三实施例的TFT阵列面板中，当形成具有宽端部179的数据线171时，还形成具有宽端部528和538的第二偶数和奇数信号传输线532和534。形成包括第三接触孔184c、186c、183c和185c以及第四接触孔184d、186d、183d和185d的钝化层180。接下来，当形成像素电极190时，与连接构件192一起形成连接构件193。

第四实施例

现在将参照图18描述根据本发明第四实施例的TFT阵列面板。将比照图5和16给出该实施例的TFT阵列面板的描述。

根据该实施例的TFT阵列面板的示意图呈现出类似于图2的示意图。与图5至7和16相比，实现相同功能的元件由相同的参考标记表示，并且省略其详细描述。

图18是根据本发明第四实施例的TFT阵列面板的数据线和信号传输线的布置图。

参照图18，第一偶数和奇数信号传输线522和532与其对应的数据线171的连接方式基本上类似于图5所示的TFT阵列面板。另外，第二偶数和奇数信号传输线522和532与其对应的数据线171的连接方式基本上类似于图16所示的TFT阵列面板。因此，省略连接方式的详细描述。

根据图18所示的TFT阵列面板，减少了由第二偶数和奇数信号传输线524和534及第一偶数和奇数信号传输线522和532的长度差引起的电阻差，从而降低信号传输线520和530的电阻差。

第五实施例

现在将参照图19至22描述根据本发明第五实施例的TFT阵列面板。将比照图2至7给出该实施例的TFT阵列面板的描述。

图19是根据本发明第五实施例的TFT阵列面板的示意图。图20是图19所示TFT阵列面板的数据线和信号传输线的布置图，而图21和22是图20所示TFT阵列面板沿着XXI-XXI和XXII-XXII线剖取的截面图。

参照图19至22，与图2和5相比，该实施例的TFT阵列面板还包括两个虚设线(dummy wire)621、连接到两个虚设线621的多个连接线176、以及多个第一和第二二极管DO1和DO2，两个虚设线之一形成在第三周边区域PA3上，而另一个形成在第四周边区域PA4上，多个第一和第二二极管DO1和DO2耦接到连接线176来消散静电。

如图20所示，第一和第二偶数信号传输线522和524、偶数数据线171、虚设线621及第一和第二二极管DO1和DO2的连接关系适合于也形成在第四周边区域PA4上的第一和第二奇数信号传输线532和534、奇数数据线171及虚设线621。

参照图20至22，将仅给出形成在第三周边区域PA3上的第一和第二偶数信号传输线522和524、偶数数据线171、虚设线621及第一和第二二极管DO1和DO2的详细描述。与上述实施例相比，实现相同功能的元件由相同的参考标记表示，并且省略其详细的描述。

虚设线621在基本上水平的方向上延伸。虚设线621包括多个第二控制电极624。虚设线621与栅极线121由相同或者类似的材料制造并且形成在相同的层上。一个虚设线621形成在第一数据信号传输线520和栅极线121之间，而另一个虚设线621形成在第二数据信号传输线530和栅极线121之间。

多个导电岛525与栅极线121形成在相同的层上。每个导电岛525连接到对应的数据线171的端部178，对应的数据线171通过形成在栅极绝缘层140上的接触孔141连接到第二偶数信号传输线524。参照图20，数据线171的端部178向左扩展。然而，这不是必需的，端部178可以在各种不同的方向上扩展。每个导电岛525包括在对应的数据线171的端部178中扩展的扩展部。每个导电岛525的一端用作第一控制电极527。

每个连接线176形成为垂直于虚设线621。连接线176与数据线171由相同或者类似的材料制造并且形成在相同的层上。每个连接线176包括第一输出电极176a、第二输入电极176b和端部176c。每个连接线176的端部通过形成在栅极绝缘层140上的接触孔149连接到虚设线621。

第一偶数信号传输线522在基本上水平的方向上延伸，然后朝着虚设线621的第二控制电极624延伸。第一数据信号传输线520的每个第一偶数信号传输线522包括扩展部526，数据线171的端部178分别通过具有不同暴露尺寸S2、S4和S6的接触孔144、146和148与扩展部526接触。与导电岛525的端部一样，每个扩展部526的一端作为第一控制电极527。同时，第二偶数信号传输线524直接连接到对应的数据线171的端部178。

由例如氢化a-Si材料制造的多个半导体岛156形成在栅极绝缘层140上，与半导体154一样，如图3所示。半导体岛156和158与对应的第一和第二控制电极527和624重叠。多个欧姆接触166和167形成在半导体岛156和158上，并且彼此分隔。根据本发明的实施例，欧姆接触166、167、168和169包括重掺杂有N型杂质的n+氢化a-Si、硅化物或者其它类似的材料。

在该实施例中，每个数据线171还包括朝着连接线176的第一输出电极176a突出的第一输入电极174及朝着第二输入电极176b突出的第二输出电极177。每个连接线176的第一输出电极176a和第二输入电极176b也分别朝着第一输入电极174和第二输出电极171扩展。

一个第一电极527、一个第一输入电极174和一个第一输出电极176a与一个第一半导体岛156一起形成用作第一二极管DO1的TFT，而一个第二控制电极624、一个第二输入电极176b和一个第二输出电极177与一个第二半导体岛158一起形成用作第二二极管DO2的TFT。TFT包括形成在第一半导体岛156中且设置在第一输入电极174和第一输出电极176a之间的沟道，以及形成在第二半导体岛158中且设置在第二输入电极176b和第二输出电极177之间的沟道。

在每一个都有输入电极(即174)、输出电极(即176a)和控制电极624的TFT中，当控制电极624连接到输入电极时，TFT起二极管的作用。

欧姆接触166、167、168和169仅设置在下面的半导体岛156和158与上面的第一输入电极174和第一输出电极176a、及其上的第二输入电极176b和第二输出电极177之间，以减少其间的接触电阻。

当制造TFT阵列面板或者具有TFT阵列面板的LCD时，产生沿着数据线171流动的静电。当静电量超过预定量时，会损坏数据线171或者连接到数据线171的TFT。因此，需要消除静电，以便避免损坏数据线171或者TFT阵列。

当静电传输到第一数据信号传输线520或者数据线171时，静电也传输到通过接触孔141耦接到一些第一数据信号传输线520或者数据线171的第一二极管DO1的第一控制电极527，从而打开(open)第一二极管DO1的沟道。当第一二极管DO1的沟道打开时，静电通过第一输入电极174至第一输出电极176a流动到虚设线621从而被消散和去除。

此时，通过虚设线621消散的一些静电施加到第二二极管DO2的第二控制电极624，从而也打开第二二极管DO2的沟道。结果，一些静电通过端部176c、第二输入电极176和第二输出电极177施加到数据线171从而被消散和去除。

如上所述，接触孔144、146和148的暴露尺寸S2、S4和S6不同，同时接触孔141的暴露尺寸基本上类似。然而，在供选实施例中，接触孔141的暴露尺寸可以基于到驱动器(未示出)的距离而不同。例如，接触孔141的暴露尺寸可以随着到驱动器距离的增加而增加。

因此，有效地消散了静电，并且还减小了由第一和第二数据信号传输线520和530的长度差引起的电阻差。

图20至22所示TFT阵列面板的制造方法基本上类似于图3和4所示TFT阵列面板的制造方法，除了在形成TFT时增加形成第一和第二二极管DO1和DO2。因此，省略了制造方法的详细描述。

第六实施例

参照图23和24，将描述根据本发明第六实施例的TFT阵列面板。图23和24所示TFT阵列面板的结构基本上类似于图20至22所示的TFT阵列面板。因此，与图20至22相比，实现相同功能的元件由相同的参考标记表示，并且省略其详细的描述。

图23是根据本发明第六实施例的示范性TFT阵列面板的数据线和信号传输线的布置图，而图24是图23所示TFT阵列面板沿着XXIV-XXIV线剖取的截面图。

根据该实施例的TFT阵列面板的示意图类似于图19的示意图。

图23所示的第二偶数信号传输线524和与其对应的数据线171的连接关系适合于形成在第四周边区域PA4上的第二奇数信号传输线534和与其对应的数据线171。

参照图23和24，将仅给出形成在第三周边区域PA3上的第二偶数信号传输线524和对应的数据线171的详细描述。

与第五实施例相比，实现相同功能的元件由相同的参考标记表示，并且省略其详细的描述。

参照图23和24，与图20至21相比，在TFT阵列面板中第二偶数信号传输线524和对应的数据线171通过接触孔184c、186c、184d和186d连接。

第二偶数信号传输线524在基本上水平的方向上延伸，并且每个第二偶数信号传输线524包括大面积的宽端部528。另外，对应于第二偶数信号传输线的数据线171在基本上垂直的方向上延伸到接近于第二偶数信号传输线524，并且每个数据线171包括大面积的宽端部179，其邻近端部528形成。

钝化层180包括分别暴露第二偶数信号传输线524的宽端部528的接触孔184c和186c。钝化层180还包括分别暴露对应于第二偶数信号传输线524的宽端部528的数据线171的宽端部179的接触孔184d和186d。

第二偶数信号传输线524的宽端部528的暴露尺寸S22和S24随着到驱动器400距离的增加而增加。数据线171的宽端部179的暴露尺寸S26和S28也随着到驱动器400距离的增加而增加。

多个连接构件194还形成在钝化层180和暴露尺寸S22、S24、S26和S28上。连接构件194与像素电极190由相同或者类似的材料制造并且形成在相同的层上。这样，第二偶数信号传输线524的宽端部528通过连接构件184接触数据线171的宽端部179。

因此，第二偶数信号传输线524的宽端部528与数据线171的宽端部179的接触尺寸也随着到驱动器400距离的增加而增加。

根据图23和24所示的TFT阵列面板，在形成二极管DO1和DO2时，减小了由第二偶数和奇数信号传输线524和534以及第一偶数和奇数信号传输线522和532的长度差引起的电阻差，从而降低数据信号传输线520和530的电阻差。

第七实施例

现在将参照图25和26描述根据本发明第七实施例的TFT阵列面板。将比照图5至7给出该实施例的TFT阵列面板的描述。

根据该实施例的TFT阵列面板的示意图类似于图2的示意图。

图5至7和25相比较，实现相同功能的元件由相同的参考标记表示，并且省略其详细的描述。

图25是根据本发明第七实施例的TFT阵列面板的数据线和信号传输线的布置图，而图26是图25所示TFT阵列面板沿着XXVI-XXVI线剖取的截面图。

参照图25和26，第二偶数和奇数信号传输线524和534与对应的数据线171的连接方式基本上类似于第一偶数和奇数信号传输线522和532与对应的数据线171的连接方式。因此，第二偶数和奇数信号传输线524和534由作为与栅极线121相同或者类似的材料的第一金属制造并且与栅极线121形成在相同的层上。

栅极绝缘层140包括分别暴露第一和第二偶数信号传输线522和524以及第一和第二奇数信号传输线532和534的宽端部529和539的多个接触孔142a至142j。通过接触孔142a至142j所暴露的尺寸S1至S10随着到驱动器400距离的增加而增加。因此，偶数和奇数信号传输线522、524、532和534的端部529和539与数据线171的接触尺寸也随着到驱动器400距离的增加而增加。结果，减小了由于数据信号传输线520和530的长度差引起的数据信号传输线520和530的电阻差。

第八实施例

现在将参照图27和28描述根据本发明第八实施例的TFT阵列面板。将比照图5至7给出该实施例的TFT阵列面板的描述。

根据该实施例的TFT阵列面板的示意图类似于图2的示意图。

图16至17与27至28相比，实现相同功能的元件由相同的参考标记表示，并且省略其详细的描述。

图27是根据本发明第八实施例的TFT阵列面板的数据线和信号传输线的布置图，而图28是图27所示TFT阵列面板沿着XXVIII-XXVIII线剖取的截面图。

参照图27和28，第二偶数和奇数信号传输线524和534与对应的数据线171的连接方式基本上类似于第一偶数和奇数信号传输线522和532与对应的数据线171的连接方式。因此，第一偶数和奇数信号传输线522和532由作为与数据线171相同或者类似的材料的第二金属制造，并且与数据线171形成在相同的层上。

如图28所示，分别暴露第一偶数和奇数信号传输线522和532的宽端部528和538的多个接触孔181a、181b、181e、181f、181i和181j以与第二偶数和奇数信号传输线524和534的宽端部528和538的接触孔181c、181d、181g和181h相同的方式形成，并且具有与接触孔181c、181d、181g和181h相同或者类似的形状。

通过接触孔181a至181j暴露的尺寸S1至S10和通过接触孔182a至182j暴露的尺寸S11至S20随着到驱动器400的距离的增加而增加。因此，偶数和奇数信号传输线522、524、532和534的宽端部529和539与数据线171的接触尺寸也随着到驱动器400的距离的增加而增加。结果，减小了由于数据信号传输线520和530的长度差引起的数据信号传输线520和530的电阻差。

根据上面讨论的本发明的实施例和/或其它实施例，因为驱动器设置在显示区域的左侧或者右侧，上周边区域或者下周边区域的尺寸减小。另外，由接触孔的接触尺寸的差别减小或者有效地防止了由于信号传输线的长度差引起的信号延迟差。

本发明不应当解释成限于在此阐述的示范性实施例。相反，提供这些示范性实施例使得本揭示透彻和完整，并且将全面地向本领域的技术人员交流本发明的概念。

尽管已经参照示范性实施例展示和描述了本发明，但是本领域的普通技术技术人员应当理解的是，在不脱离如所附权利要求所限定的本发明的精神或者范围内可以对其进行各种形式和细节上的变化。

本申请要求2007年5月17日提交的韩国专利申请10-2007-0048033号的优先权，并且将其全部内容在此引作参考。

Claims (25)

1、一种薄膜晶体管阵列面板，包括：

基板，具有显示区域和设置在该显示区域周围的周边区域；

多个第一信号线，形成在该基板上；

多个第二信号线，与该第一信号线绝缘，形成在该基板上，并且通过横越该第一信号线来限定显示区域的面积；

驱动器，设置在该周边区域上；

多个连接线，设置在该周边区域上，将该驱动器耦接到每个该第一信号线；及

绝缘层，将该第一信号线与该连接线绝缘；其中：

该绝缘层包括多个接触孔，

部分该第一信号线和该连接线通过该接触孔连接，并且

通过该接触孔暴露的该第一信号线的暴露部分的尺寸随着从该接触孔到该驱动器的各自距离的增加而增加。

2、根据权利要求1的薄膜晶体管阵列面板，其中：

该第一信号线形成在与该连接线的层不同的层上，并且

该第一信号线和该连接线通过该接触孔彼此接触。

3、根据权利要求1的薄膜晶体管阵列面板，其中：

每个该第一信号线与每个该连接线用该绝缘层绝缘，

该接触孔包括：

第一接触孔，暴露该第一信号线；及

第二接触孔，暴露该连接线，并且

每个该第一信号线与每个对应的连接线通过该第一和第二接触孔彼此连接。

4、一种薄膜晶体管阵列面板，包括显示区域和周边区域，该周边区域具有第一、第二、第三和第四周边区域，该薄膜晶体管包括：

多个栅极线，形成在绝缘基板上，并且在第一方向上延伸；

栅极绝缘层，形成在该栅极线上；

多个数据线，形成在该栅极绝缘层上，并且在第二方向上延伸，该第二方向垂直于该第一方向；

驱动器，设置在该第一或者该第二周边区域上；及

多个数据信号传输线，形成在该第三和第四周边区域的至少一个上，其中：

部分该数据信号传输线包括端部，该端部根据从连接线到该驱动器的各自距离经过具有不同接触尺寸的该连接线连接到该数据线的端部，并且

该第一周边区域在该第一方向上面对该第二周边区域，并且该第三周边区域在该第二方向上面对该第四周边区域。

5、根据权利要求4的薄膜晶体管阵列面板，其中该多个数据信号传输线包括：

多个第一数据信号传输线，形成在该第三周边区域上，每一个连接到该数据线的偶数数据线和该驱动器；及

多个第二数据信号传输线，形成在该第四周边区域上，连接到该数据线的奇数数据线和该驱动器。

6、根据权利要求5的薄膜晶体管阵列面板，其中该多个第一数据信号传输线包括：

多个第一偶数信号传输线，与该栅极线形成在相同的层上，连接到第j-2数据线；及

多个第二偶数信号传输线，与该数据线形成在相同的层上且在与该第一偶数信号传输线不同的层上，连接到第j数据线，其中j是四的倍数，并且其中该多个第二数据信号传输线包括：

多个第一奇数信号传输线，与该栅极线形成在相同的层上，连接到第j-3数据线；及

多个第二奇数信号传输线，与该数据线形成在相同的层上且在与该第一奇数信号传输线不同的层上，连接到第j-1数据线。

7、根据权利要求6的薄膜晶体管阵列面板，其中：

该第一偶数信号传输线和该第一奇数信号传输线包括第一金属，其中该第一金属是与该栅极线相同的金属；并且

该第二偶数信号传输线和该第二奇数信号传输线包括第二金属，其中该第二金属是与该数据线相同的金属，并且具有比该第一金属更低的特征电阻率。

8、根据权利要求7的薄膜晶体管阵列面板，其中：

该栅极绝缘层包括以不同的暴露尺寸暴露该第一偶数信号传输线的该端部的多个第一接触孔、及以不同的暴露尺寸暴露该第一奇数信号传输线的该端部的多个第二接触孔；并且

该第一偶数信号传输线的该端部通过该第一接触孔以不同的接触尺寸接触该数据线的该端部，并且该第一奇数信号传输线的该端部通过该第二接触孔以不同的接触尺寸接触该数据线的该端部。

9、根据权利要求8的薄膜晶体管阵列面板，还包括形成在该数据线和该数据信号传输线上的钝化层，其中该钝化层包括：

多个第三接触孔，以不同的暴露尺寸暴露该第二偶数信号传输线的该端部；

多个第四接触孔，以不同的暴露尺寸暴露该第二奇数信号传输线的该端部；

多个第五接触孔，以不同的暴露尺寸暴露对应于该第二偶数信号传输线的该数据线的该端部；及

多个第六接触孔，以不同的暴露尺寸暴露对应于该第二奇数信号传输线的该数据线的该端部。

10、根据权利要求9的薄膜晶体管阵列面板，还包括：

多个第一连接构件，形成在该钝化层上，并且以不同的接触尺寸接触通过该第三接触孔暴露的该第二偶数信号传输线的该端部和通过该第五接触孔暴露的该对应的数据线的该端部；及

多个第二连接构件，形成在该钝化层上，并且以不同的接触尺寸接触通过该第四接触孔暴露的该第二奇数信号传输线的该端部和通过该第六接触孔暴露的该对应的数据线的该端部。

11、根据权利要求8的薄膜晶体管阵列面板，还包括：

至少一个虚设线，包括与每个该栅极线相同的材料，形成在该第三和第四周边区域之一上，且与该栅极线和该数据信号传输线绝缘；

多个连接线，每一个包括与每个该数据线相同的材料，与该数据线分隔开，并且连接到该虚设线；及

多个第一二极管，连接到该连接线和该数据线，其中每个该第一二极管包括从每个对应的第一偶数信号传输线的该端部延伸的第一控制电极、第一输入电极、第一输出电极，以及形成在该栅极绝缘层上且在该第一输入电极与该第一输出电极之间的第一半导体。

12、根据权利要求11的薄膜晶体管阵列面板，其中：

该栅极绝缘层还包括多个第三接触孔，并且

直接连接到该第二偶数信号传输线的该数据线的该端部分别通过该第三接触孔接触该第一控制电极。

13、根据权利要求12的薄膜晶体管阵列面板，其中：

该虚设线还包括多个第二控制电极，

每个该连接线还包括第二输入电极，

每个该数据线还包括面对该第二输入电极的第二输出电极，并且

该薄膜晶体管阵列面板还包括多个第二半导体，其中：

每个该第二半导体形成在该栅极绝缘层上且在该第二输入电极与该第二输出电极之间，并且

该第二控制电极、该第二半导体、该第二输入电极和该第二输出电极形成第二二极管。

14、根据权利要求13的薄膜晶体管阵列面板，还包括形成在该数据线和该数据信号传输线上的钝化层，其中该钝化层包括：

多个第四接触孔，以不同的暴露尺寸暴露该第二偶数信号传输线的该端部；及

多个第五接触孔，以不同的暴露尺寸暴露对应于该第二偶数信号传输线的该数据线的该端部。

15、根据权利要求14的薄膜晶体管阵列面板，还包括多个第一连接构件，形成在该钝化层上，以不同的接触尺寸接触通过该第四接触孔暴露的该第二偶数信号传输线的该端部和通过该第五接触暴露的该对应的数据线的该端部。

16、根据权利要求11的薄膜晶体管阵列面板，还包括形成在该数据线和该数据信号传输线上的钝化层，该钝化层包括：

多个第一接触孔，以不同的暴露尺寸暴露该第一偶数信号传输线的该端部与该栅极绝缘层；

多个第二接触孔，以不同的暴露尺寸暴露该第一奇数信号传输线的该端部与该栅极绝缘层；

多个第三接触孔，以不同的暴露尺寸暴露对应于该第一偶数信号传输线的该数据线的该端部与该栅极绝缘层；及

多个第四接触孔，以不同的暴露尺寸暴露对应于该第一奇数信号传输线的该数据线的该端部与该栅极绝缘层。

17、根据权利要求16的薄膜晶体管阵列面板，还包括：

多个第一连接构件，形成在该钝化层上，以不同的接触尺寸接触通过该第一接触孔暴露的该第一偶数信号传输线的该端部和通过该第三接触孔暴露的该对应的数据线的该端部；及

多个第二连接构件，形成在该钝化层上，以不同的接触尺寸接触通过该第二接触孔暴露的该第一奇数信号传输线的该端部和通过该第四接触孔暴露的该对应的数据线的该端部。

18、根据权利要求17的薄膜晶体管阵列面板，其中该钝化层还包括：

多个第五接触孔，以不同的暴露尺寸暴露该第二偶数信号传输线的该端部；

多个第六接触孔，以不同的暴露尺寸暴露该第二奇数信号传输线的该端部；

多个第七接触孔，以不同的暴露尺寸暴露对应于该第二偶数信号传输线的该端部的该数据线的该端部；及

多个第八接触孔，以不同的暴露尺寸暴露对应于该第二奇数信号传输线的该端部的该数据线的该端部。

19、根据权利要求18的薄膜晶体管阵列面板，还包括：

多个第三连接构件，形成在该钝化层上，以不同的接触尺寸接触通过该第五接触孔暴露的该第二偶数信号传输线的该端部和通过该第七接触孔暴露的该对应的数据线的该端部；及

多个第四连接构件，形成在该钝化层上，以不同的接触尺寸接触通过该第六接触孔暴露的该第二奇数信号传输线的该端部和通过该第八接触孔暴露的该对应的数据线的该端部。

20、根据权利要求19的薄膜晶体管阵列面板，还包括形成在该钝化层上的像素电极，其中该第一至第四连接构件包括与该像素电极相同的材料。

21、根据权利要求4的薄膜晶体管阵列面板，其中该连接线的该接触尺寸随着该连接线到该驱动器的各自距离的增加而增加。

22、一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，该薄膜晶体管阵列面板包括显示区域、具有第一、第二、第三和第四周边区域的周边区域，以及设置在该第一或者第二周边区域上的驱动器，该制造方法包括：

在绝缘基板上形成在第一方向上延伸的多个栅极线；

在该栅极线上形成栅极绝缘层；

在该栅极绝缘层上形成在第二方向上延伸的多个数据线，该第二方向垂直于该第一方向；以及

在该第三和第四周边区域的至少一个上形成多个数据信号传输线，部分该数据信号传输线包括：

端部，通过连接并根据该连接到该驱动器的各自距离以不同的接触尺寸连接到对应的数据线的端部，及

另外端部，连接到该驱动器。

23、如权利要求22所述的制造方法，还包括：

在该栅极绝缘层上形成多个接触孔，以不同的暴露尺寸暴露该数据信号传输线的部分，其中

该数据线的该端部以不同的接触尺寸分别接触通过该接触孔暴露的该数据信号传输线的该端部。

24、如权利要求22所述的制造方法，还包括：

在该数据线上形成钝化层；以及

在该钝化层上形成多个连接构件，其中：

该钝化层包括以不同暴露尺寸暴露部分该数据信号传输线的该端部的多个第一接触孔和以不同暴露尺寸暴露部分该数据线的该端部的多个第二接触孔，并且

该连接线以不同的接触尺寸分别通过该第一和第二接触孔接触该部分数据信号传输线的该端部和部分该数据线的该端部。

25、一种薄膜晶体管阵列面板，包括显示图像的显示区域和围绕该显示区域的周边区域，驱动器安装在该面板上的该周边区域中，该薄膜晶体管阵列面板包括：

多个数据信号传输线，从该驱动器延伸，并且横越该阵列面板的该周边区域；

多个数据线，从接近该数据信号传输线的区域延伸，并且横越该显示区域，该数据线经过对应的各表面积变化的连接而连接到该数据信号传输线，该连接的该表面积根据该连接到该驱动器的各自距离而变化。

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