KR101888423B1 - 평판 표시장치 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 네로우 베젤(narrow bezel) 설계가 용이하면서도 링크 라인 간의 저항편차를 최소화하여 화질을 향상시킬 수 있는 평판 표시장치에 관한 것으로, 다수의 화소들이 구비된 표시영역과; 상기 다수의 화소를 구동하기 위한 구동신호들을 출력하는 구동 집적회로와; 상기 구동신호들을 상기 표시영역으로 전송하며 서로 이웃한 라인끼리 다른 층에 형성되는 다수의 링크라인을 포함하며; 그리고 상기 다수의 링크라인 각각은 제 1 메탈라인과, 상기 제 1 메탈라인과 다른 층에 형성된 제 2 메탈라인과, 상기 제 1 및 제 2 메탈라인을 서로 연결하는 콘택부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
Description
본 발명은 네로우 베젤(narrow bezel) 설계가 용이하면서도 인접한 링크라인 간의 저항편차를 최소화하여 화질을 향상시킬 수 있는 평판 표시장치에 관한 것이다.
최근, 디스플레이 소자 중, 우수한 화질과 경량, 박형, 저전력의 특징으로 인하여 디스플레이 장치로 평판 표시장치(Flat Panel Display)들이 많이 사용되고 있다. 평판 표시장치로는 액정 표시장치(Liquid Crystal Display), 유기발광다이오드 표시장치(Organic Light Emitting Diode Display) 등이 있으며, 이들 대부분이 상용화되어 시판되고 있다.
한편, 휴대용 단말기, 노트북 등에 적용되는 소형 평판 표시장치는 작은 크기에서 최대한 넓은 화상표시면적을 갖도록 하기 위해 화상표시면적을 제외한 나머지 영역(베젤 영역)을 좁게 하는 기술이 요구된다. 이에 따라, 소형 평판 표시장치는 중대형 평판 표시장치에서 개별적으로 구비되는 게이트 구동부 및 데이터 구동부가 하나의 집적회로로 구성된다. 즉, 소형 평판표시장치는 구동 IC에 게이트 구동부 및 데이터 구동부가 모두 집적되어 있다.
이에 따라, 구동 IC는 스캔 신호가 출력되는 게이트 출력단자들과, 데이터 신호가 출력되는 데이터 출력단자들을 포함한다. 이러한, 구동 IC는 다수의 게이트 링크라인과, 다수의 데이터 링크라인을 통해 화상표시부와 전기적으로 접속된다. 여기서, 다수의 게이트 링크라인은 게이트 출력단자들과 다수의 게이트 라인을 서로 연결하며, 다수의 데이터 링크라인은 데이터 출력단자들과 다수의 데이터 라인을 서로 연결한다.
한편, 종래기술에 따른 평판 표시장치는 베젤 영역을 좁게 하기 위해서 화상 표시부의 양측에 구비되는 게이트 링크라인들에 듀얼 링크(dual link) 구조를 적용하고 있다. 듀얼 링크 구조의 게이트 링크라인은 이웃한 게이트 링크라인이 서로 다른층에 형성되는 구조를 갖는다. 예를 들어, 홀수 번째 게이트 링크라인은 제 1 층에서 게이트 라인 메탈로 형성되며, 짝수 번째 게이트 링크라인은 제 1 층과 다른 층인 제 2 층에서 데이터 라인 메탈로 형성될 수 있다. 이와 같이, 듀얼 링크 구조가 적용된 평판 표시장치는 게이트 링크라인 간의 폭을 좁힐 수 있어 결과적으로는 베젤 영역의 폭을 좁게 설계할 수 있다.
하지만, 듀얼 링크 구조가 적용된 평판 표시장치는 다음과 같은 문제점이 있다. 즉, 홀수 번째 게이트 링크라인과 짝수 번째 게이트 링크라인은 서로 다른 층에 형성됨에 따라, 이들의 두께나 라인폭이 서로 상이하게 형성되는 공정편차가 수반된다. 이러한, 공정편차는 이웃한 게이트 링크라인 간의 저항편차를 크게 하며, 게이트 링크라인을 통해 전달되는 스캔 신호에 영향을 주어 화질을 떨어뜨리는 문제점이 있다.
본 발명은 상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 것으로, 네로우 베젤(narrow bezel) 설계가 용이하면서도 인접한 링크라인 간의 저항편차를 최소화하여 화질을 향상시킬 수 있는 평판 표시장치를 제공하는데 그 목적이 있다.
상기와 같은 목적을 달성하기 위해 본 발명의 실시 예에 따른 평판 표시장치는 다수의 화소들이 구비된 표시영역과; 상기 다수의 화소를 구동하기 위한 구동신호들을 출력하는 구동 집적회로와; 상기 구동신호들을 상기 표시영역으로 전송하며 서로 이웃한 라인끼리 다른 층에 형성되는 다수의 링크라인을 포함하며; 상기 다수의 링크라인 각각은 제 1 메탈라인과, 상기 제 1 메탈라인과 다른 층에 형성된 제 2 메탈라인과, 상기 제 1 및 제 2 메탈라인을 서로 연결하는 콘택부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
홀수 번째 링크라인에 구비된 제 1 메탈라인은 상기 구동 집적회로와 상기 콘택부를 서로 연결하고, 상기 홀수 번째 링크라인에 구비된 제 2 메탈라인은 상기 콘택부와 상기 표시영역을 서로 연결하며, 짝수 번째 링크라인에 구비된 제 2 메탈라인은 상기 구동 집적회로와 상기 콘택부를 서로 연결하고, 상기 짝수 번째 링크라인에 구비된 제 1 메탈라인은 상기 콘택부와 상기 표시영역을 서로 연결하는 것을 특징으로 한다.
상기 다수의 링크라인은 상기 구동 집적회로로부터 출력된 게이트 신호를 전송하는 다수의 게이트 링크라인인 것을 특징으로 한다.
상기 다수의 링크라인은 상기 구동 집적회로로부터 출력된 데이터 신호를 전송하는 다수의 데이터 링크라인인 것을 특징으로 한다.
상기 각 링크라인에 구비된 제 1 및 제 2 메탈라인의 길이는 서로 다르게 설정되고, 상기 각 링크라인별 제 1 및 제 2 메탈라인의 길이비는 동일하게 설정되는 것을 특징으로 한다.
n 번째 링크라인에 구비된 제 1 및 제 2 메탈라인의 단면적은 n-1 번째 링크라인에 구비된 제 1 및 제 2 메탈라인의 단면적보다 크게 설정되는 것을 특징으로 한다.
상기 콘택부는 상기 제 1 메탈라인과 연결된 제 1 메탈패드를 노출시키는 제 1 콘택홀과, 상기 제 2 메탈라인과 연결된 제 2 메탈패드를 노출시키는 제 2 콘택홀과, 상기 제 1 및 제 2 콘택홀을 덮는 콘택전극을 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 콘택전극은 ITO(Indium Tin Oxide) 재질로 이루어진 것을 특징으로 한다.
본 발명은 듀얼 링크 구조를 적용하여 네로우 베젤 설계가 용이해짐과 아울러 각 링크라인이 서로 다른층에 구비된 제 1 및 제 2 메탈라인과 이를 연결하는 콘택부를 구비하도록 하여 이웃한 링크라인 간의 저항편차를 최소화 한다. 이에 따라, 본 발명은 이웃한 링크라인 간의 저항편차로 인한 화질저하를 방지하여 표시품질을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 평판 표시장치의 구성도이다.
도 2는 도 1에 도시된 A-A'선에 따른 절단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 A-A'선과 B-B'선에 따른 절단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 평판 표시장치의 구성도이다.
도 5a 및 도 5b는 실시 예에 따른 링크라인(2, 8)의 개략도이다.
도 6은 실시 예에 따른 콘택부(16)의 개략적인 평면도와 그의 단면도이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 효과를 설명하기 위한 시뮬레이션이다.
도 2는 도 1에 도시된 A-A'선에 따른 절단면도이다.
도 3은 도 1에 도시된 A-A'선과 B-B'선에 따른 절단면도이다.
도 4는 본 발명의 다른 실시 예에 따른 평판 표시장치의 구성도이다.
도 5a 및 도 5b는 실시 예에 따른 링크라인(2, 8)의 개략도이다.
도 6은 실시 예에 따른 콘택부(16)의 개략적인 평면도와 그의 단면도이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 효과를 설명하기 위한 시뮬레이션이다.
이하, 본 발명의 실시 예에 따른 평판 표시장치를 첨부된 도면을 참조하여 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 1은 본 발명의 실시 예에 따른 평판 표시장치의 구성도이다.
도 1에 도시된 평판 표시장치는 기판(10)과, 표시영역(6)과, 구동 IC(4)와, 다수의 링크라인(2, 8)을 포함한다.
표시영역(6)에는 다수의 게이트 라인과 다수의 데이터 라인이 구비된다. 다수의 게이트 라인과 다수의 데이터 라인의 교차부에는 화소가 정의된다. 한편, 게이트 라인들의 일측에는 스캔 신호가 입력되는 게이트 패드가 구비되고, 데이터 라인들의 일측에는 데이터 신호가 입력되는 데이터 패드가 구비된다.
구동 IC(4)는 다수의 화소를 구동하기 위한 구동신호들을 출력한다. 즉, 구동 IC(4)에는 게이트 구동부 및 데이터 구동부가 모두 집적되어 있다. 이러한 구동 IC(4)는 다수의 게이트 라인을 구동하기 위해 스캔 신호를 출력하며, 다수의 데이터 라인을 구동하기 위해 데이터 신호를 출력한다.
다수의 링크라인(2, 8)은 다수의 게이트 링크라인(8)과, 다수의 데이터 링크라인(2)을 포함한다.
다수의 게이트 링크라인(8)은 구동 IC(4)로부터 출력된 스캔 신호를 다수의 게이트 라인에 전송한다. 이를 위해, 다수의 게이트 링크라인(8)의 일측은 구동 IC(4)의 스캔 신호 출력단과 접속되며, 다수의 게이트 링크라인(8)의 타측은 표시영역(6)의 게이트 패드와 접속된다.
다수의 데이터 링크라인(2)은 구동 IC(4)로부터 출력된 데이터 신호를 다수의 데이터 라인에 전송한다. 이를 위해, 다수의 데이터 링크라인(2)의 일측은 구동 IC(4)의 데이터 신호 출력단과 접속되며, 다수의 데이터 링크라인(2)의 타측은 표시영역(6)의 데이터 패드와 접속된다.
한편, 실시 예에 따른 다수의 링크라인(2, 8)들은 듀얼 링크 구조가 적용된다. 이러한 듀얼 링크 구조에 대해 구체적으로 설명하면 다음과 같다.
도 2는 도 1에 도시된 A-A'선에 따른 절단면도이다. 그리고 도 3은 도 1에 도시된 A-A'선과 B-B'선에 따른 절단면도이다.
도 2를 참조하면, 다수의 링크라인(2, 8)은 서로 이웃한 라인끼리 다른 층에 형성된다. 즉, 홀수 번째 링크라인(2, 8)과 짝수 번째 링크라인(2, 8)은 서로 다른 층에 형성된다. 예를 들어 홀수 번째 링크라인(2, 8)은 A-A' 단면도에 도시된 바와 같이 하층에 형성되고 짝수 번째 링크라인(2, 8)은 상층에 형성될 수 있다. 이에 따라, 실시 예는 링크라인(2, 8) 간의 폭을 좁게 형성할 수 있어, 이른바 네로우 베젤(narrow bezel) 설계가 용이한 장점이 있다.
한편, 듀얼 링크 구조가 적용된 링크라인(2, 8)들은 동일한 저항을 갖도록 하기 위해 상층에 형성되는 링크라인(2, 8)과 하층에 형성되는 링크라인(2, 8)의 폭과 높이를 갖도록 설계하게 된다. 하지만, 이러한 설계에도 불구하고 공정시 오차가 발생될 수 있는데, 공정시 오차가 발생되면 상층에 형성된 링크라인(2, 8)과 하층에 형성된 링크라인(2, 8)의 폭과 높이가 상이하게 된다. 그러면, 상층에 형성된 링크라인(2, 8)과 하층에 형성된 링크라인(2, 8) 간의 저항값이 달라지고, 화질저하가 발생되는 것이다.
실시 예는 이러한 문제점을 방지하기 위해 다수의 링크라인(2, 8)에 듀얼 링크 구조를 적용하되, 다수의 링크라인(2, 8) 각각이 복층 구조를 갖도록 형성한다.
구체적으로, 링크라인(2, 8)들 각각은 하층에 형성된 제 1 메탈라인(12)과, 상층에 형성된 제 2 메탈라인(14)을 포함하며, 제 1 메탈라인(12)과 제 2 메탈라인(14)은 콘택부(16)를 통해 서로 연결된다.
즉, 하층에 형성된 제 1 메탈라인(12)과, 상층에 형성된 제 2 메탈라인(14)과, 이들(12, 14)을 연결하는 콘택부(16)가 모여서 하나의 링크라인(2, 8)을 구성하게 되는 것이다.
이에 대해 도 3을 참조하여 다시 설명하면, A-A' 단면도에는 구동 IC(4)와 콘택부(16) 사이에 구비된 링크라인들(2, 8)이 도시되어 있고, B-B' 단면도에는 콘택부(16)와 표시영역(6) 사이에 구비된 링크라인들(2, 8)이 도시되어 있다.
A-A' 단면도에 따른 링크라인들(2, 8)은 앞서 언급한 바와 같이, 홀수 번째 링크라인들(2, 8)은 제 1 메탈라인(12)으로 형성되며, 짝수 번째 링크라인들(2, 8)은 제 2 메탈라인(14)으로 형성된다.
이러한, 링크라인(2, 8)들은 콘택부(16)를 통해 점핑되어서, B-B' 단면도에 도시된 바와 같이, 홀수 번째 링크라인(2, 8)들은 제 2 메탈라인(14)으로 형성되며, 짝수 번째 링크라인들(2, 8)은 제 1 메탈라인(14)으로 형성된다.
이와 같이, 실시 예는 링크라인들(2, 8) 각각이 복층 구조를 형성하면서도 이웃한 링크라인(2, 8) 간에 서로 다른층에 형성된다. 즉, 이웃한 링크라인(2, 8)에 구비된 제 1 및 제 2 메탈라인(12, 14)은 서로 교번되도록 배치되도록 하여서 라인 간의 폭을 좁게 한다.
예를 들어, 홀수 번째 링크라인(2, 8)에 구비된 제 1 메탈라인(12)은 구동 IC(4)와 콘택부(16)를 서로 연결하고, 홀수 번째 링크라인(2, 8)에 구비된 제 2 메탈라인(14)은 콘택부(16)와 표시영역(6)을 서로 연결한다. 그리고 짝수 번째 링크라인(2, 8)에 구비된 제 2 메탈라인(14)은 구동 IC(4)와 콘택부(16)를 서로 연결하고, 짝수 번째 링크라인(2, 8)에 구비된 제 1 메탈라인(12)은 콘택부(16)와 표시영역(6)을 서로 연결한다.
이에 따라, 구동 IC(4)로부터 제공된 구동신호들은 제 1 메탈라인(12)과, 콘택부(16)와 제 2 메탈라인(14)을 경유하여 표시영역(6)에 공급된다. 물론, 이와 반대로 구동 IC(4)로부터 제공된 구동신호들은 제 2 메탈라인(14)과 콘택부(16)와 제 1 메탈라인(12)을 경유하여 표시영역(6)에 공급되기도 한다.
이와 같이, 실시 예에 따른 링크라인(2, 8)은 듀얼 링크 구조를 적용하며, 라인들 각각이 복층 구조를 갖는다. 이러한 링크라인(2, 8)의 특징은 도 4에 도시된 바와 같이, 게이트 링크라인(8)뿐만 아니라 데이터 링크라인(2)에도 적용될 수 있다.
한편, 상술한 바와 같이 다수의 링크라인(2, 8)을 듀얼 링크 구조로 형성하되 다수의 링크라인(2, 8) 각각을 복층 구조로 형성하면 링크라인(2, 8) 간의 저항편차를 최소화할 수 있는데, 그 이유 및 방법을 설명하면 다음과 같다.
도 5a 및 도 5b는 실시 예에 따른 링크라인(2, 8)의 개략도이다. 구체적으로, 도 5a는 이상적인 형태의 링크라인(2, 8)을 나타낸 개략도이고, 도 5b는 실제와 가까운 형태의 링크라인(2, 8)을 나타낸 개략도이다.
도 5a를 참조하면, 링크라인(2, 8)들은 구동 IC(4)와 표시영역(6)을 연결하되, 모든 링크라인(2, 8)은 직선이고 그 길이가 동일하게 설정된다. 이때, 콘택부(16)는 제 1 및 제 2 메탈라인(12, 14)의 길이가 동일해지도록 각 링크라인(2, 8)의 중앙부에 위치한다고 가정하자.
예를 들어, 저항값이 동일해야 하는 제 1 및 제 2 메탈라인(12, 14) 간에 공정편차가 발생되어 제 1 메탈라인(12)의 저항은 증가하고 제 2 메탈라인(14)의 저항이 감소하였다면, 이러한 현상은 각 링크라인(2, 8)에 모두 동일하게 적용된다. 따라서, 실시 예가 적용된 링크라인(2, 8)은 이상적으로는 인접 링크라인(2, 8) 간의 저항편차가 “0”이 될 수 있다.
하지만, 도 1 및 도 2에 도시된 바와 같이, 실제 링크라인(2, 8)들은 그 길이가 모두 상이하므로, 설계를 달리해야 한다.
구체적으로, 실제 구현되는 따른 링크라인(2, 8)들은 도 5b에 도시된 바와 같이, 각 링크라인(2, 8)의 길이가 선형적으로 증가하게 된다.
실시 예는 인접한 링크 라인(2, 8)간의 저항편차를 최소화하기 위하여, 각 링크라인(2, 8)에 구비된 제 1 및 제 2 메탈라인(2, 8)의 길이를 서로 다르게 설정한다. 그리고 제 1 및 제 2 메탈라인(12, 14)의 길이의 비가 동일하도록 설정한다. 이때, 각 링크라인(2, 8)에 구비된 콘택부(16)들과 구동 IC(4) 간의 거리는 서로 상이하게 설정되는 것이 바람직하다.
이에 따라, 실시 예는 각 링크라인(2, 8) 별로 제 1 및 제 2 메탈라인(12, 14)의 길이는 다르지만 제 1 및 제 2 메탈라인(12, 14)의 길이비가 동일하므로, 다수의 링크라인(2, 8)의 저항값들이 급격하게 증가하지 않는다.
구체적으로, 수학식 1을 참조하면 링크라인(2, 8)의 저항은 고유저항과 길이에 비례하고, 단면적에 반비례한다.
따라서, 링크라인(2, 8)들의 저항값은 수학식 2와 같이, 제 1 메탈라인(12)에 따른 제 1 저항과 제 2 메탈라인(14)에 따른 제 2 저항의 합으로 계산된다. 여기서, 콘택부(16)의 저항은 고려하지 않기로 하자. 만약 고려된다 하더라도 콘택부(16)의 저항은 모든 링크라인(2, 8)에 적용되는 바, 저항편차에 영향을 미치지 않는다.
수학식 2에서 제 1 및 제 2 메탈라인(12, 14)의 고유저항과 단면적은 모든 링크라인(2, 8)들에 공통적으로 적용된다. 결과적으로, 링크라인(2, 8)의 저항값은 제 1 및 제 2 메탈라인(12, 14)의 길이에 따라 결정된다. 이때, 실시 예는 모든 링크라인(2, 8)에 구비된 제 1 및 제 2 메탈라인(12, 14)의 길이비가 동일하므로, 링크라인(2, 8)들의 저항값은 길이에 따라 선형적으로 증가하게 되는 것이다. 즉, 링크라인(2, 8)들의 길이는 첫 번째 링크라인(2, 8)부터 마지막 번째 링크라인(2, 8)까지 선형적으로 증가하게 되므로, 실시 예는 이웃한 링크라인(2, 8) 간에 급격한 저항값의 변화를 방지하여 가로선과 같은 화질불량을 방지할 수 있다.
한편, 가장 이상적으로는 모든 링크라인(2, 8)의 길이가 상이할지라도 그 저항값이 동일한 것이다. 따라서, 실시 예에 따른 링크라인(2, 8)은 상기와 같이 제 1 및 제 2 메탈라인(12, 14)의 길이비를 동일하게 설정하면서, 제 1 및 제 2 메탈라인(12, 14)의 단면적을 조절할 수 있을 것이다.
즉, n 번째 링크라인(2, 8)에 구비된 제 1 및 제 2 메탈라인(12, 14)의 단면적은 n-1 번째 링크라인(2, 8)에 구비된 제 1 및 제 2 메탈라인(12, 14)의 단면적보다 크게 설정되는 것이 바람직하다. 물론, 이러한 설정은 n 번째 링크라인(2, 8)의 길이가 n-1 번째 링크라인(2, 8)의 길이보다 긴 것을 전제로 하고, 모든 링크라인(2, 8)에 구비된 제 1 및 제 2 메탈라인(12, 14) 간의 길이비가 동일함을 전제로 한다.
이에 따라, 실시 예는 링크라인(2, 8)의 길이가 증가하여도 단면적이 그만큼 증가하므로 저항값은 거의 동일해지며 이웃한 링크라인(2, 8) 간의 저항편차를 더욱 줄일 수 있을 것이다.
한편, 실시 예는 제 1 및 제 2 메탈라인(12, 14)의 재질이 동일한 경우나, 다른 경우에 모두 적용될 수 있을 것이다.
예를 들어, 제 1 메탈라인(12)은 표시영역(6)의 게이트 라인 형성 공정시 동시에 형성될 수 있으며, 그 재질은 알루미늄(Al), 알루미늄네오듐(AlNd), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 구리(Cu) 중에서 어느 한 금속 또는 둘 이상의 금속이나 합금이 될 수 있다. 또한, 제 2 메탈라인(14)은 표시영역(6)의 데이터 라인 형성 공정시 동시에 형성될 수 있으며, 그 재질은 알루미늄(Al), 알루미늄네오듐(AlNd), 몰리브덴(Mo), 크롬(Cr), 구리(Cu) 중에서 어느 한 금속 또는 둘 이상의 금속이나 합금이 될 수 있다.
도 6은 실시 예에 따른 콘택부(16)의 개략적인 평면도와 그의 단면도이다.
도 6에 도시된 콘택부(16)는 기판(10) 상에 형성된 제 1 메탈패드(30)와, 제 1 메탈패드(30)를 포함한 기판(10) 전면에 형성된 게이트 절연층(18)과, 게이트 절연층(18) 상에 순차적으로 형성된 에치 스토퍼막(22) 및 제 2 메탈패드(32)와, 제 2 메탈패드(32)를 포함한 기판(10) 전면에 형성된 보호층(20)과, 보호층(20)과 게이트 절연층(18)을 관통하여 제 1 메탈패드(30)를 노출시키는 제 1 콘택홀(26)과, 보호층(20)을 관통하여 제 2 메탈패드(32)를 노출시키는 제 2 콘택홀(28)과, 제 1 및 제 2 콘택홀(26, 28)을 덮으며 형성되는 콘택전극(24)을 포함한다.
여기서, 제 1 메탈패드(30)는 제 1 메탈라인(12)으로부터 연장되어 형성되고, 제 2 메탈패드(32)는 제 2 메탈라인(14)으로부터 연장되어 형성된다.
에치 스토퍼막(22)은 실리콘 산화물(SiO2) 또는 실리콘 질화물(SiNx)로 형성될 수 있으며, 제조방법에 따라 삭제될 수도 있다.
콘택전극(24)은 도전성 전극물질로서 ITO(Indium Tin Oxide) 재질로 이루어질 수 있으며, 이에 국한되지는 않는다.
한편, 도 6에 도시된 콘택부(16)의 적층 물질과 적층 순서는 제조방법에 따라 얼마든지 달라질 수 있을 것이다.
도 7a 및 도 7b는 본 발명의 효과를 설명하기 위한 시뮬레이션이다. 구체적으로, 도 7a는 종래기술에 따른 평판 표시장치의 시뮬레이션이고, 도 7b는 본 발명에 따른 평판 표시장치의 시뮬레이션이다.
도 7a를 참조하면, 종래기술에 따라 듀얼 링크 구조가 적용된 평판 표시장치는 이웃한 링크라인 간에 최대 저항편차가 13.3KΩ이고, 첫 번째 링크라인으로부터 마지막 번째 링크라인으로 갈수록 저항편차가 2.4KΩ 부터 13.3 KΩ까지 10.9 KΩ나 증가한 것을 알 수 있다.
도 7b를 참조하면, 본 발명에 따른 평판 표시장치는 이웃한 링크라인 간에 최대 저항편차가 3.9 KΩ이고, 첫 번째 링크라인으로부터 마지막 번째 링크라인으로 갈수록 저항편차가 2.1 KΩ 부터 3.9 KΩ까지 1.8 KΩ만 증가한 것을 알 수 있다.
이와 같이, 본 발명의 실시 예는 듀얼 링크 구조를 적용하여 네로우 베젤 설계가 용이해짐과 아울러 각 링크라인이 서로 다른층에 구비된 제 1 및 제 2 메탈라인과 이를 연결하는 콘택부를 구비하도록 하여 이웃한 링크라인 간의 저항편차를 최소화 한다. 이에 따라, 실시 예는 이웃한 링크라인 간의 저항편차로 인한 화질저하를 방지하여 표시품질을 향상시킬 수 있다.
이상에서 설명한 본 발명은 상술한 실시 예 및 첨부된 도면에 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.
2: 데이터 링크라인 8: 게이트 링크라인
12: 제 1 메탈라인 14: 제 2 메탈라인
16: 콘택부
12: 제 1 메탈라인 14: 제 2 메탈라인
16: 콘택부
Claims (8)
- 다수의 화소들이 구비된 표시영역과;
상기 다수의 화소를 구동하기 위한 구동신호들을 출력하는 구동 집적회로와;
상기 구동신호들을 상기 표시영역으로 전송하며 서로 이웃한 라인끼리 다른 층에 배치되는 다수의 링크라인을 포함하며;
상기 다수의 링크라인 각각은 제 1 메탈라인과, 상기 제 1 메탈라인과 다른 층에 배치된 제 2 메탈라인과, 상기 제 1 및 제 2 메탈라인을 서로 연결하는 콘택부를 구비하며,
홀수번째 및 짝수번째 링크라인 중 어느 하나의 링크 라인에 구비된 제 1 메탈라인은 상기 구동 집적회로와 상기 콘택부를 서로 연결하고, 상기 홀수번째 및 짝수번째 링크라인 중 어느 하나의 링크 라인에 구비된 제 2 메탈라인은 상기 콘택부와 상기 표시영역을 서로 연결하며,
홀수번째 및 짝수번째 링크라인 중 나머지 하나의 링크 라인에 구비된 제 2 메탈라인은 상기 구동 집적회로와 상기 콘택부를 서로 연결하고, 상기 홀수번째 및 짝수번째 링크라인 중 나머지 하나의 링크 라인에 구비된 제 1 메탈라인은 상기 콘택부와 상기 표시영역을 서로 연결하는 평판 표시장치. - 삭제
- 제 1 항에 있어서,
상기 다수의 링크라인은
상기 구동 집적회로로부터 출력된 게이트 신호를 전송하는 다수의 게이트 링크라인인 평판 표시장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 다수의 링크라인은
상기 구동 집적회로로부터 출력된 데이터 신호를 전송하는 다수의 데이터 링크라인인 평판 표시장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 각 링크라인에 구비된 제 1 및 제 2 메탈라인의 길이는 서로 다르게 설정되고, 상기 각 링크라인별 제 1 및 제 2 메탈라인의 길이비는 동일하게 설정되는 평판 표시장치. - 제 5 항에 있어서,
n 번째 링크라인에 구비된 제 1 및 제 2 메탈라인의 단면적은 n-1 번째 링크라인에 구비된 제 1 및 제 2 메탈라인의 단면적보다 크게 설정되는 평판 표시장치. - 제 1 항에 있어서,
상기 콘택부는
상기 제 1 메탈라인과 연결된 제 1 메탈패드를 노출시키는 제 1 콘택홀과,
상기 제 2 메탈라인과 연결된 제 2 메탈패드를 노출시키는 제 2 콘택홀과,
상기 제 1 및 제 2 콘택홀을 덮는 콘택전극을 포함하는 평판 표시장치. - 제 7 항에 있어서,
상기 콘택전극은 ITO(Indium Tin Oxide) 재질로 이루어진 평판 표시장치.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110055876A KR101888423B1 (ko) | 2011-06-10 | 2011-06-10 | 평판 표시장치 |
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CN201110451231.0A CN102819995B (zh) | 2011-06-10 | 2011-12-29 | 平板显示装置及其制造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020110055876A KR101888423B1 (ko) | 2011-06-10 | 2011-06-10 | 평판 표시장치 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20120136743A KR20120136743A (ko) | 2012-12-20 |
KR101888423B1 true KR101888423B1 (ko) | 2018-08-17 |
Family
ID=47292785
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020110055876A KR101888423B1 (ko) | 2011-06-10 | 2011-06-10 | 평판 표시장치 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US9274389B2 (ko) |
KR (1) | KR101888423B1 (ko) |
CN (1) | CN102819995B (ko) |
TW (1) | TWI449008B (ko) |
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- 2011-12-19 US US13/330,328 patent/US9274389B2/en active Active
- 2011-12-29 CN CN201110451231.0A patent/CN102819995B/zh active Active
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TWI449008B (zh) | 2014-08-11 |
CN102819995A (zh) | 2012-12-12 |
CN102819995B (zh) | 2015-09-09 |
US20120313905A1 (en) | 2012-12-13 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
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