CN106371252B - 液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents

Abstract

提供了一种液晶显示装置及其制造方法。所公开的液晶显示装置包括：彼此面对的第一基板和第二基板；液晶层，插设在第一基板和第二基板之间；柱间隔物，设置在第一基板上并保持第一基板和第二基板之间的间隙；光阻挡图案，设置在第一基板上并包括形成在柱间隔物周围的延伸部分；以及光阻挡金属，交叠与延伸部分的不平行于液晶分子的配向方向的边界相邻和在其外部的区域的至少一部分。

Description

液晶显示装置及其制造方法

技术领域

本发明构思涉及液晶显示装置以及制造该液晶显示装置的方法。

背景技术

通常，液晶显示装置包括阵列基板、面对阵列基板的相对基板以及插设在阵列基板和相对基板之间的液晶层。近来，正在发展具有高透光率结构的液晶显示装置，该高透光率结构采用其中滤色器提供在阵列基板上的阵列上滤色器(COA)基板。在这种情况下，未对准可能发生在将COA基板和其上提供有光阻挡构件的相对基板结合的工艺中。为了防止该未对准，其中光阻挡构件提供在COA基板上的阵列上黑矩阵(BOA)基板被发展。此外，正在发展与柱间隔物同时形成并由与柱间隔物相同的材料形成的黑色柱间隔物(BCS)，该柱间隔物用于保持光阻挡图案和基板之间的距离。

在BCS结构中，当面板通过从外部源施加的力而翘曲时，相对基板的表面上的配向层会被柱间隔物划伤，因此导致光泄漏。为了防止光泄漏，可以采用其中光阻挡图案的宽度延伸到柱间隔物的附加结构。当施加这样的附加结构时，附加结构可能具有其中可发生光泄漏的边界区，因为液晶分子在该区域中不能被准确地配向。期望一种减少或防止边界区中的光泄漏的方法。

发明内容

本发明构思的各方面提供具有用于防止由施加光阻挡图案的附加结构引起的光泄漏的结构的液晶显示装置。

本发明构思的各方面提供一种制造液晶显示装置的方法，该液晶显示装置具有用于防止由施加光阻挡图案的附加结构引起的光泄漏的结构。

根据本发明构思的一方面，提供一种具有用于防止由施加光阻挡图案的附加结构引起的光泄漏的结构的液晶显示装置。

根据本发明构思的另一个方面，提供一种制造液晶显示装置的方法，该液晶显示装置具有用于防止由施加光阻挡图案的附加结构引起的光泄漏的结构。

然而，本发明构思的效果不限于这里阐述的示范性实施方式，更多样的效果被包括在本说明书中。

根据本发明的方面，提供一种液晶显示装置，该液晶显示装置包括：彼此面对的第一基板和第二基板；液晶层，插设在第一基板和第二基板之间；柱间隔物，设置在第一基板上并保持第一基板和第二基板之间的间隙；光阻挡图案，设置在第一基板上并包括形成在柱间隔物周围的延伸部分；以及光阻挡金属，交叠与延伸部分的不平行于液晶分子的配向方向的边界相邻和在其外部的区域的至少一部分。

光阻挡金属可以交叠延伸部分的边界当中的不平行于液晶分子的配向方向的边界的至少一部分。

可以存在设置在第一基板上的栅极配线和数据配线，其中光阻挡金属的至少一部分设置在与栅极配线和数据配线中的至少一个相同的水平面处。

数据配线可以包括漏电极，光阻挡金属的至少一部分可以设置在与数据配线相同的水平面处并与漏电极一体地形成。

光阻挡金属的至少一部分可以设置在与数据配线相同的水平面处并与数据配线分离。

光阻挡金属的至少一部分可以设置在与栅极配线相同的水平面处并与栅极配线一体地形成。

光阻挡金属的至少一部分可以设置在与栅极配线相同的水平面处并与栅极配线分离。

延伸部分可以具有矩形形状。

延伸部分可以包括设置在柱间隔物的一侧的第一延伸部分和从第一延伸部分跨过柱间隔物设置的第二延伸部分。

栅线和数据线可以设置在第一基板上并彼此交叉以便限定单元像素，其中光阻挡图案在与栅线相同的方向上延伸，延伸部分在不平行于栅线的方向的方向上突出。

液晶分子的配向方向可以与栅线延伸的方向相同。

光阻挡图案和柱间隔物可以被一体地形成。

根据本发明的另一个方面，提供一种制造液晶显示装置的方法，该方法包括：在第一基板上形成栅极配线；在第一基板上形成数据配线；在第一基板上形成光阻挡金属；以及在栅极配线和数据配线上形成光阻挡图案和柱间隔物；其中光阻挡图案包括形成在柱间隔物周围的延伸部分，光阻挡金属交叠与延伸部分的不平行于液晶分子的配向方向的边界相邻和在其外部的区域的至少一部分。

光阻挡金属可以交叠延伸部分的不平行于液晶分子的配向方向的边界的至少一部分。

光阻挡金属的至少一部分可以与栅极配线和数据配线中的至少一个同时形成。

数据配线可以包括漏电极，光阻挡金属的至少一部分在与数据配线相同的水平面处与漏电极一体地形成。

光阻挡金属的至少一部分可以在与数据配线相同的水平面处与数据配线分离地形成。

光阻挡金属的至少一部分可以在与栅极配线相同的水平面处与栅极配线一体地形成。

光阻挡金属的至少一部分可以在与栅极配线相同的水平面处与栅极配线分离地形成。

延伸部分可以具有矩形形状。

附图说明

图1是根据本发明构思的实施方式的液晶显示装置的布局图；

图2是沿图1的线II-II’截取的截面图；

图3是图1的区域A的放大图；

图4是根据本发明构思的另一个实施方式的液晶显示装置的对应于图1的区域A的区域的放大图；

图5至图8是根据本发明构思的又一个实施方式的液晶显示装置的对应于图1的区域A的区域的放大图；以及

图9至图21是示出根据本发明构思的实施方式的制造液晶显示装置的方法的中间工艺步骤的示意图。

具体实施方式

现在将详细参照示范性实施方式，其示例在附图中示出，其中同样的附图标记始终指代同样的元件。在这点上，给出的示范性实施方式可以具有不同的形式并且不应被解释为限于这里阐述的描述。因此，以下通过参照附图仅描述了示范性实施方式以解释本说明书的方面。如这里使用的，“示范性”意在表示可以是或可以不是优选的实施方式的示例。

一个元件连接到或联接到另一个元件的描述包括所述一个元件直接连接到所述另一个元件的情形以及第三元件插设在这两个元件之间的情形。然而，一个元件直接连接或直接联接到另一个元件的描述表示没有插入元件在这两个元件之间。术语“和/或”包括一个或多个所列相关项目的任意和所有组合。

本说明书中的单数的表述也包括复数的表述。术语“包括”和/或“包含”不排除一个或多个其它的部件、步骤、操作和/或器件的存在或添加的可能性。

现在将参照附图描述本发明构思的实施方式。

图1是根据本发明构思的实施方式的液晶显示装置的布局图。图2是沿图1的线II-II’截取的截面图。图3是图1的区域A的放大图。

参照图1至图3，根据本发明构思的实施方式的液晶显示装置10可以包括彼此面对的第一基板100和第二基板200以及插设在第一基板100和第二基板200之间的液晶层300。

第一基板100和第二基板200可以包括绝缘材料诸如透明玻璃、石英、陶瓷、硅或透明塑料，其可以根据需要由本领域技术人员适当地选择。第一基板100和第二基板200可以彼此面对。

在一些实施方式中，第一基板100和第二基板200可以是柔性的。也就是说，第一基板100和第二基板200可以被卷起、折叠、弯曲等。

多个栅极配线102和104和数据配线132、134和136可以设置在第一基板100上。

栅极配线102和104可以包括多条栅线102和多个栅电极104。数据配线132、134和136可以包括多条数据线132、多个源电极134和多个漏电极136。

栅极配线102和104以及数据配线132、134和136可以由铝(Al)或基于铝的金属诸如铝合金、银(Ag)或基于银的金属诸如银合金、铜(Cu)或基于铜的金属诸如铜合金、钼(Mo)或基于钼的金属诸如钼合金、铬(Cr)、钛(Ti)、钽(Ta)等制成。栅极配线102和104以及数据配线132、134和136可以具有多层结构，该多层结构包括具有不同的物理性质的两个导电层(未示出)。例如，一个导电层可以由基于铝的金属、基于银的金属、基于铜的金属等制成，另一个导电层可以由基于钼的金属、铬、钛、钽等制成。这样的组合的示例可以包括下铬层和上铝层、以及下铝层和上钼层。然而，本公开不限于此，栅极配线102和104以及数据配线132、134和136可以由各种金属和导体制成。

每条栅线102可以在第一方向上例如在沿像素的边界的水平方向上延伸，每条数据线132可以在第二方向上例如在沿像素的边界的垂直方向上延伸。栅线102和数据线132可以彼此交叉从而限定像素区。也就是说，像素区可以被限定为由栅线102和数据线132围绕的区域。

在一些实施方式中，数据线132可以被周期性地弯曲以改善透射率，如图1所示。然而，这只是示例，数据线132的形状不限于此。

在每个像素中，至少一个栅电极104可以连接到每条栅线102。栅电极104可以从栅线102朝向半导体层122分支，或通过延伸栅线102而形成。然而，本公开不限于此，栅电极104可以限定在从栅线102延伸的路径上的与半导体层122交叠的区域中。

在每个像素中，至少一个源电极134可以连接到每条数据线132。源电极134可以从数据线132朝向半导体层122分支，或通过延伸数据线132而形成。然而，本公开不限于此，源电极134可以限定在从数据线132延伸的路径上的与半导体层122交叠的区域中。例如，源电极104可以被提供在与数据线132实质上相同的线中而不从数据线132突出。漏电极136可以与源电极104间隔开且半导体层122插设在两者之间，并可以通过穿过第一钝化层142和第二钝化层172的接触孔136a电连接到像素电极182。

栅极绝缘层112可以插设在栅极配线102和104与数据配线132、134和136之间。在一个实施方式中，栅极绝缘层112可以设置在栅极配线102和104上，数据配线132、134和136可以设置在栅极绝缘层112上。栅极绝缘层112可以由例如硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiO₂)、硅氮氧化物(SiON)或其层叠膜形成。栅极绝缘层112可以用来保持栅极配线102和104与提供在栅极配线102和104之上的导电薄层诸如数据线132之间的绝缘。

半导体层122可以设置在栅极绝缘层112上，并可以由例如氢化非晶硅、多晶硅等制成。半导体层122可以部分地交叠栅电极104。半导体层122可以与栅电极104、源电极134和漏电极136一起构成薄膜晶体管。

半导体层122可以具有各种形状诸如岛或线，图3示出具有岛形的半导体层122的示例，但是本公开不限于此。当半导体层122形成为线形时，尽管没有在附图中示出，但是半导体层122可以交叠数据配线132、134和136。

由用n型杂质高度掺杂的n+氢化非晶硅等制成的欧姆接触层124可以设置在半导体层122上。欧姆接触层124可以插设在欧姆接触层124之下的半导体层122与欧姆接触层124之上的源电极134和漏电极136之间从而减小接触电阻。欧姆接触层124可以具有各种形状诸如岛或线，类似于半导体层122。当半导体层122具有岛形时，欧姆接触层124也可以具有岛形，当半导体层122具有线形时，欧姆接触层124也可以具有线形。不同于半导体层122，由于欧姆接触层124的对应于源电极134和漏电极136的彼此面对且间隔开的部分被分离，所以欧姆接触层124下面的半导体层122可以被暴露。沟道可以形成在半导体层122的对应于彼此间隔开的源电极134和漏电极136之间的空间的部分中。

当栅极导通信号被施加到栅电极104并且沟道形成在半导体层122中时，薄膜晶体管被导通，漏电极136可以从源电极134接收数据信号并发送所接收的数据信号到像素电极182。

第一钝化层142可以设置在数据配线132、134和136以及暴露的半导体层122上。暴露漏电极136的至少一部分的接触孔136a可以形成在第一钝化层142和将在后面论述的有机层154中。漏电极136通过接触孔136a暴露的至少一部分可以接触像素电极182。因此，漏电极136和像素电极182可以彼此电连接。

第一钝化层142可以包括例如无机绝缘材料诸如硅氮化物或硅氧化物或通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成的材料诸如a-Si:C:O和a-Si:O:F。

有机层154可以设置在第一钝化层142上。有机层154可以包括在平坦化特性上优良并具有感光性的材料。有机层154可以具有暴露漏电极136的至少一部分的接触孔136a。

在一些实施方式中，如图2所示，滤色器152可以插设在有机层154和第一钝化层142之间。滤色器152可以包括红色(R)滤色器、绿色(G)滤色器和蓝色(B)滤色器。R、G和B滤色器可以形成在相应的像素中从而形成R、G和B像素。滤色器152可以设置为交叠像素电极182。滤色器152可以包括包含颜料的感光性有机材料。有机层154可以设置在滤色器152上从而平坦化R、G和B滤色器之间的台阶。滤色器152可以被有机层154覆盖。也就是说，滤色器152可以被有机层154覆盖使得滤色器152的所有部分都可以不被暴露。然而，这仅是示例，本公开不限于这样的结构。

公共电极162可以设置在有机层154上。公共电极162可以接收施加到其的公共电压并与像素电极182配合以产生电场，从而控制液晶层300中的液晶分子的配向方向。公共电极162可以包括用于暴露形成接触孔136a的区域的孔。也就是说，漏电极136的至少一部分可以通过形成在公共电极162中的孔暴露。公共电极162可以形成为遍及由栅线102和数据线132围绕的像素区的单一体，除了所述孔之外。公共电极162可以由透明的导电材料诸如铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)制成，但是本公开不限于此。

第二钝化层172可以设置在公共电极162和有机层154上。第二钝化层172可以包括用于暴露形成接触孔136a的区域的孔。也就是说，漏电极136的至少一部分可以通过形成在第二钝化层172中的孔被暴露。第二钝化层172可以是无机绝缘材料。例如，第二钝化层172可以包括硅氮化物、硅氧化物等。第二钝化层172可以插设在像素电极182和公共电极162之间从而使像素电极182和公共电极162彼此绝缘。

在每个单元像素中，像素电极182可以设置在第二钝化层172上。像素电极182的至少一部分可以交叠公共电极162。像素电极182的一部分可以设置在接触孔136a中。像素电极182的设置在接触孔136a中的部分可以接触漏电极136从而电连接到漏电极136。

在一些实施方式中，像素电极182可以包括交叠公共电极162的多个分支指状电极184，狭缝186可以形成在相邻的分支指状电极184之间。分支指状电极184可以以相对于附图中的垂直方向的倾斜角倾斜，并可以在像素电极182的水平中心线(CL)处弯曲。因此，像素电极182可以分为其中分支指状电极184在不同的方向上倾斜的多个域。例如，水平中心线之上的分支指状电极184可以在右上方向上延伸，水平中心线以下的分支指状电极184可以在右下方向上延伸。像素电极182的分支指状电极184可以基本上平行于数据线132延伸。然而，图1所示的像素电极182的形状仅是示例，本公开不限于此，狭缝186的形状可以根据本领域技术人员的需要而改变。例如，像素电极182可以包括具有各种形状诸如鱼骨形状的多个空的狭缝186。

当数据电压通过接触孔136a被施加到像素电极182时，电场在从像素电极182朝向像素电极182下面的公共电极162的方向上产生。也就是说，像素电极182可以与公共电极162配合而产生电场，该电场旋转液晶层300中的液晶分子。像素电极182可以包括透明导电材料诸如ITO或IZO，但是本公开不限于此。

另外，在另一些实施方式中，公共电极162可以形成为平面形状。在这种情况下，公共电极162可以包括交叠像素电极182的多个分支指状电极(未示出)。然而，这仅是示例，像素电极182和公共电极162可以具有各种其它的结构和布置。

光阻挡图案192可以形成在第二钝化层172和像素电极182上。光阻挡图案192可以用来防止光泄漏。光阻挡图案192可以设置在薄膜晶体管区域和非像素区(像素之间，以及栅线和数据线的区域)中。

在一些实施方式中，光阻挡图案192可以如图1所示被实施为在栅线102延伸的方向上延伸的形状。然而，这是示例，在另一些实施方式中光阻挡图案192还可以设置在数据线132的区域中从而形成网格形状。

在一些实施方式中，光阻挡图案192的一部分可以如图1所示设置在接触孔136a中。然而，这仅是示例，本公开不限于这样的结构。

光阻挡图案192可以由包括黑色染料或颜料的黑色有机聚合物材料或诸如铬或铬氧化物的金属(金属氧化物)制成。

柱间隔物194可以用来保持第一基板100和第二基板200之间的间隙，并且在一些实施方式中，柱间隔物194可以如图2所示具有接触第二基板200的端部。然而，这仅是示例，柱间隔物194的端部可以与第二基板200间隔开预定距离。

虽然没有在附图中示出，但是柱间隔物194可以包括具有不同的台阶部分的多个柱间隔物。例如，柱间隔物194可以包括具有相对高的台阶部分的主柱间隔物和具有相对低的台阶部分的副柱间隔物。在这种情况下，第一基板100和第二基板200之间的间隙可以首先通过主柱间隔物保持，当主柱间隔物不能正确地起作用时，第一基板100和第二基板200之间的间隙可以其次通过副柱间隔物保持。

柱间隔物194可以如图1和图2所示形成到对应于薄膜晶体管的区域中。柱间隔物194的至少一部分可以交叠栅极配线102和104。然而，这仅是示例，柱间隔物194的布置不限于此。

配向层PI可以设置在第一基板100的一个表面和第二基板200的一个表面上，两个所述一个表面都面对液晶层300。也就是说，用于液晶层300的配向的配向层PI可以设置在像素电极182、第二钝化层172、光阻挡图案192和柱间隔物194上。

在参照图1描述的实施方式中，配向层PI的摩擦方向R/B被示出为相对于图1的水平方向(其是栅线102延伸的方向)，但是本公开不限于此。在参照图1描述的实施方式中，由于配向层PI的摩擦方向R/B被示出为附图上的水平方向，即栅线102延伸的方向，所以液晶分子可以配向为使它们的主轴朝向摩擦方向指向。也就是说，液晶分子的配向方向可以与栅线延伸的方向相同。

包括具有正或负的介电各向异性的液晶分子的液晶层300可以插设在第一基板100和第二基板200之间。

在一些实施方式中，柱间隔物194可以由与光阻挡图案192相同的材料制成。柱间隔物194和光阻挡图案192可以利用半色调掩模或狭缝掩模曝光通过单个图案化工艺同时形成。柱间隔物194和光阻挡图案192可以由相同的材料同时形成。当柱间隔物194和光阻挡图案192被同时形成时，并且当面板通过从外部源施加的力而翘曲时，设置在第二基板200上的配向层PI可能被柱间隔物194划伤，引起光泄漏发生。

因此，根据本发明构思的实施方式的液晶显示装置10的光阻挡图案192可以包括用于防止由上面描述的划伤引起的光泄漏的延伸部分196和198。延伸部分196和198可以从柱间隔物194朝向周边突出。换句话说，延伸部分196和198可以关于柱间隔物194从光阻挡图案192分支。

延伸部分196和198可以通过单个图案化工艺与光阻挡图案192同时且一体地形成。延伸部分196和198可以由与光阻挡图案192的材料相同的材料制成。也就是说，光阻挡图案192、延伸部分196和198以及柱间隔物194可以通过单个图案化工艺由相同的材料一体地形成。

延伸部分196和198的布置和尺寸可以根据光阻挡图案192和柱间隔物194之间的位置关系而被适当地确定。例如，当柱间隔物194如图1和图3所示设置在光阻挡图案192的宽度W2的中心处时，延伸部分196和198可以从光阻挡图案192分别在一个方向和另一个方向上突出/分支。也就是说，延伸部分196和198可以具有在一个方向上从光阻挡图案192突出的第一延伸部分196以及在与所述一个方向相反的另一个方向上从光阻挡图案192突出的第二延伸部分198。第一延伸部分196的宽度W1和长度L1以及第二延伸部分198的宽度W1和长度L1可以是相同的。在这种情况下，光阻挡图案192的其中形成延伸部分196和198的部分的宽度W2+2W1可以比光阻挡图案192的其中没有形成延伸部分196和198的部分的宽度W2更宽。然而，这仅是示例，第一延伸部分196或者第二延伸部分198可以被提供，或者第一延伸部分196和第二延伸部分198可以根据光阻挡图案192和柱间隔物194之间的位置关系而具有不同于彼此的尺寸。

在一些实施方式中，延伸部分196和198可以在如图3所示的平面中具有矩形形状。然而，这仅是一个示例，平面图中的延伸部分196和198的形状可以是多边形、圆形等。

另外，由于延伸部分196和198可以从光阻挡图案192突出/分支，所以延伸部分196和198可以具有不平行于液晶分子的配向方向的一部分边界。液晶分子在与不平行于液晶分子的配向方向的该部分边界相邻的区域中不能被顺利地控制，引起光泄漏发生。

因此，根据本发明构思的实施方式的液晶显示装置10可以包括用于防止由延伸部分196和198引起的光泄漏的光阻挡金属138a、138b、138c和138d。光阻挡金属138a、138b、138c和138d可以交叠与延伸部分196和198的边界当中的不平行于液晶分子的配向方向的边界相邻和在该边界外部的区域的至少一部分，因此防止当液晶分子在与延伸部分196和198的边界当中的不平行于液晶分子的配向方向的部分的边界相邻的区域中没有被顺利地控制(例如准确地配向)时引起的光泄漏。

例如，参照图1和图3，当延伸部分196和198具有在如图3所示的平面中观看的矩形形状并且配向层PI的摩擦方向R/B为图1中的水平方向(即，栅线的方向)时，光阻挡金属138a、138b、138c和138d可以交叠与延伸部分196和198的边界当中的不平行于液晶分子的配向方向的边界的部分相邻和在其外部的区域。换句话说，也就是，延伸部分196和198的边界当中的在附图上的垂直方向上延伸的边界。如这里使用的术语“向外”可以表示延伸部分196和198的外部。如这里使用的术语“相邻的区域”可以表示自上述边界起的大约10μm内的区域。更具体地，光阻挡金属138a、138b、138c和138d可以包括：第一光阻挡金属138a，交叠与第一延伸部分196的边界当中的左边界相邻和在其外部(也就是，附图上的左侧)的区域；第二光阻挡金属138b，交叠与第一延伸部分196的边界当中的右边界相邻和在其外部(附图上的右侧)的区域；第三光阻挡金属138c，交叠与第二延伸部分198的边界当中的左边界相邻和在其外部的区域；以及第四光阻挡金属138d，交叠与第二延伸部分198的边界当中的右边界相邻和在其外部的区域。

在一些实施方式中，光阻挡金属138a、138b、138c和138d可以具有如图3所示的矩形形状，但是这仅是示例，光阻挡金属138a、138b、138c和138d可以具有各种形状，只要光阻挡金属138a、138b、138c和138d交叠与延伸部分196和198的边界当中的不平行于液晶分子的配向方向的边界的部分外面的区域相邻的区域。

在一些实施方式中，光阻挡金属138a、138b、138c和138d可以交叠延伸部分196和198的边界当中的不平行于液晶分子的配向方向的边界的至少一部分。在参照图3描述的实施方式中，光阻挡金属138a、138b、138c和138d被描述为交叠延伸部分196和198的边界当中的不平行于液晶分子的配向方向的边界的整个，但是本公开不限于此。

在一些实施方式中，光阻挡金属138a、138b、138c和138d的至少一部分可以如图3所示交叠光阻挡图案192。此外，光阻挡金属138a、138b、138c和138d的至少一部分可以交叠延伸部分196和198。然而，这仅是示例，尽管没有在附图中示出，但是光阻挡金属138a、138b、138c和138d的边界可以与光阻挡图案192的边界一致或大致一致，因此使光阻挡金属138a、138b、138c和138d不交叠光阻挡图案192。

在一些实施方式中，光阻挡金属138a、138b、138c和138d的至少一部分可以如图2所示交叠像素电极182和滤色器152，但是本公开不限于此。

在一些实施方式中，光阻挡金属138a、138b、138c和138d可以设置在与数据配线132、134和136相同的水平面/层中。也就是说，光阻挡金属138a、138b、138c和138d可以与数据配线132、134和136同时形成。

在一些实施方式中，光阻挡金属138a、138b、138c和138d可以与数据线132和源电极134一体地形成、或者与漏电极136一体地形成。例如，光阻挡金属138a、138b、138c和138d可以如图2和图3所示从漏电极136突出/分支。也就是说，光阻挡金属138a、138b、138c和138d可以与漏电极136一体地形成。更具体地，第一光阻挡金属138a可以在一个方向上从第一像素的漏电极136突出，第三光阻挡金属138c可以在与所述一个方向相反的另一个方向上从第一像素的漏电极136突出。第二光阻挡金属138b可以在一个方向上从第二像素的漏电极136突出，第四光阻挡金属138d可以在与所述一个方向相反的另一个方向上从第二像素的漏电极136突出。随着LCD的分辨率变得更高，像素的宽度会减小，因此光阻挡金属138a、138b、138c和138d可以分布在多个像素中。如图2和图3所示，第一和第三光阻挡金属138a和138c可以设置在第一像素区中，第二和第四光阻挡金属138b和138d可以设置在第二像素区中。更具体地，第三光阻挡金属138c的一部分可以设置在第一像素区中，第三光阻挡金属138c的另一部分可以设置在与第一像素区相邻且在其下面的像素区中。第四光阻挡金属138d的一部分可以设置在第二像素区中，第四光阻挡金属138d的另一部分可以设置在与第二像素区相邻且在其下面的像素区中。

参照图1至图3描述的实施方式示出与漏电极136一体地形成的光阻挡金属138a、138b、138c和138d，但是本公开不限于此，光阻挡金属138a、138b、138c和138d可以与数据配线132、134和136分离。

图4是根据本发明构思的另一个实施方式的液晶显示装置的对应于图1的区域A的区域A-1的放大图。

参照图4，根据本发明构思的另一个实施方式的液晶显示装置10-1关于光阻挡金属138a-1、138b-1、138c-1和138d-1的结构不同于参照图1至图3描述的液晶显示装置10，其它的部件可以是相同或类似的。在下文，将省略与以上实施方式相同的内容的重复描述，将主要对差异进行描述。

根据本发明构思的另一个实施方式的液晶显示装置10-1的光阻挡金属138a-1、138b-1、138c-1和138d-1可以包括：第一光阻挡金属138a-1，交叠与第一延伸部分196的边界当中的左边界相邻和在该左边界外面的区域；第二光阻挡金属138b-1，交叠与第一延伸部分196的边界当中的右边界相邻和在该右边界外面的区域；第三光阻挡金属138c-1，交叠与第二延伸部分198的边界当中的左边界相邻和在该左边界外面的区域；以及第四光阻挡金属138d-1，交叠与第二延伸部分198的边界当中的右边界相邻且在该右边界外面的区域。

光阻挡金属138a-1、138b-1、138c-1和138d-1可以设置在与数据配线132、134和136相同的水平面处。也就是说，光阻挡金属138a-1、138b-1、138c-1和138d-1可以与数据配线132、134和136同时形成。

在本实施方式中，光阻挡金属138a-1、138b-1、138c-1和138d-1可以与数据配线132、134和136分离。更具体地，第一光阻挡金属138a可以在一个方向上与第一像素的漏电极136间隔开，第三光阻挡金属138c-1可以在与所述一个方向相反的另一个方向上与第一像素的漏电极136间隔开。此外，第二光阻挡金属138b-1可以在一个方向上与第二像素的漏电极136间隔开，第四光阻挡金属138d-1可以在与所述一个方向相反的另一个方向上与第二像素的漏电极136间隔开。

在一些实施方式中，光阻挡金属138a-1、138b-1、138c-1和138d-1可以与数据配线132、134和136同时形成且在相同的水平面处，但是本公开不限于此，光阻挡金属138a-1、138b-1、138c-1和138d-1可以与栅极配线102和104同时形成并在与栅极配线102和104相同的水平面。

图5是根据本发明构思的另一个实施方式的液晶显示装置的对应于图1的区域A的区域A-2的放大图。

参照图5，根据本发明构思的另一个实施方式的液晶显示装置10-2关于光阻挡金属106a、106b、106c和106d的结构不同于参照图1至图3描述的液晶显示装置10，其它的部件可以是相同或类似的。在下文，将省略与以上实施方式相同的内容的重复描述，将主要对差异进行描述。

根据本发明构思的另一个实施方式的液晶显示装置10-2的光阻挡金属106a、106b、106c和106d可以包括：第一光阻挡金属106a，交叠与第一延伸部分196的边界当中的左边界相邻和在其外部的区域；第二光阻挡金属106b，交叠与第一延伸部分196的边界当中的右边界相邻和在其外部的区域；第三光阻挡金属106c，交叠与第二延伸部分198的边界当中的左边界相邻和在其外部的区域；以及第四光阻挡金属106d，交叠与第二延伸部分198的边界当中的右边界相邻和在其外部的区域。

光阻挡金属106a、106b、106c和106d可以设置在与栅极配线102和104相同的水平面处。也就是说，光阻挡金属106a、106b、106c和106d可以与栅极配线102和104同时形成。

光阻挡金属106a、106b、106c和106d可以如图5所示从栅线102突出/分支。也就是说，光阻挡金属106a、106b、106c和106d可以与栅线102一体地形成。更具体地，第一和第二光阻挡金属106a和106b可以在一个方向上从栅线102突出，第三和第四光阻挡金属106c和106d可以在与所述一个方向相反的另一个方向上从栅线102突出。第一和第二光阻挡金属106a和106b从栅线102突出的长度可以比第三和第四光阻挡金属106c和106d从栅线102突出的长度长。

参照图5描述的实施方式例示了与栅线102一体地形成的光阻挡金属106a、106b、106c和106d，但是本公开不限于此，光阻挡金属106a、106b、106c和106d可以与栅极配线102和104分离。

图6是根据本发明构思的另一个实施方式的液晶显示装置的对应于图1的区域A的区域A-3的放大图。

参照图6，根据本发明构思的另一个实施方式的液晶显示装置10-3关于光阻挡金属106a-1、106b-1、106c-1和106d-1的结构不同于参照图5描述的液晶显示装置10-2，其它的部件可以是相同或类似的。在下文，将省略与以上实施方式相同的内容的重复描述，描述将集中在差异上。

根据本发明构思的另一个实施方式的液晶显示装置10-3的光阻挡金属106a-1、106b-1、106c-1和106d-1可以包括：第一光阻挡金属106a-1，交叠第一延伸部分196的边界当中的左边界外部和相邻于该左边界的区域；第二光阻挡金属106b-1，交叠与第一延伸部分196的边界当中的右边界相邻和在该右边界外部的区域；第三光阻挡金属106c-1，交叠与第二延伸部分198的边界当中的左边界相邻和在该左边界外面的区域；以及第四光阻挡金属106d-1，交叠与第二延伸部分198的边界当中的右边界相邻和在该右边界外部的区域。

光阻挡金属106a-1、106b-1、106c-1和106d-1可以如图6所示与栅线102间隔开。也就是说，光阻挡金属106a-1、106b-1、106c-1和106d-1可以与栅线102分离。更具体地，第一和第二光阻挡金属106a-1和106b-1可以在一个方向上与栅线102间隔开，第三和第四光阻挡金属106c-1和106d-1可以在与所述一个方向相反的另一个方向上与栅线102间隔开。第一和第二光阻挡金属106a-1和106b-1与栅线102之间的距离可以比第三和第四光阻挡金属106c-1和106d-1与栅线102之间的距离长。

在一些实施方式中，光阻挡金属可以与数据线132、134、136或栅极配线102和104同时形成并且形成在与其相同的水平面/层处。然而，这仅是示例，光阻挡金属的一部分可以与数据配线132、134和136一起形成并且在与数据配线132、134和136相同的水平面/层处，而光阻挡金属的其它部分可以与栅极配线102和104一起形成并且形成在与栅极配线102和104相同的水平面/层处。

图7是根据本发明构思的另一个实施方式的液晶显示装置的对应于图1的区域A的区域A-4的放大图。

参照图7，根据本发明构思的另一个实施方式的液晶显示装置10-4关于光阻挡金属138a-2、138b-2、106c-2和106d-2的结构不同于参照图1至图3描述的液晶显示装置10，其它的部件可以是相同或类似的。在下文，将省略与以上实施方式相同的内容的重复描述，将主要对差异进行描述。

根据本发明构思的另一个实施方式的液晶显示装置10-4的光阻挡金属138a-2、138b-2、106c-2和106d-2可以包括：第一光阻挡金属138a-2，交叠与第一延伸部分196的边界当中的左边界相邻和在该左边界外部的区域；第二光阻挡金属138b-2，交叠与第一延伸部分196的边界当中的右边界相邻和在该右边界外部的区域；第三光阻挡金属106c-2，交叠与第二延伸部分198的边界当中的左边界相邻和在该左边界外部的区域；以及第四光阻挡金属106d-2，交叠与第二延伸部分198的边界当中的右边界相邻和在该右边界外部的区域。

光阻挡金属138a-2、138b-2、106c-2和106d-2可以如图7所示从漏电极136或栅线102突出。也就是说，光阻挡金属138a-2、138b-2、106c-2和106d-2可以与漏电极136或栅线102一体地形成。更具体地，第一光阻挡金属138a-2可以在一个方向上从第一像素的漏电极136突出，第二光阻挡金属138b-2可以在一个方向上从第二像素的漏电极136突出。此外，第三光阻挡金属106c-2可以在与第一光阻挡金属138a-2突出的方向相反的方向上从栅线102突出，第四光阻挡金属106d-2可以在与第二阻挡金属138b-2突出的方向相反的方向上从栅线102突出。

图8是根据本发明构思的又一个实施方式的液晶显示装置的对应于图1的区域A的区域A-5的放大图。

参照图8，根据本发明构思的又一个实施方式的液晶显示装置10-5关于光阻挡金属138a-3、138b-3、106c-3和106d-3的结构不同于参照图1至图3描述的液晶显示装置10，其它的部件可以是相同或类似的。在下文，将省略与以上实施方式相同的内容的重复描述，将主要对差异进行描述。

根据本发明构思的又一个实施方式的液晶显示装置10-5的光阻挡金属138a-3、138b-3、106c-3和106d-3可以包括：第一光阻挡金属138a-3，交叠与第一延伸部分196的边界当中的左边界相邻和在该左边界外部的区域；第二光阻挡金属138b-3，交叠第一延伸部分196的边界当中的右边界相邻和在该右边界外部的区域；第三光阻挡金属106c-3，交叠与第二延伸部分198的边界当中的左边界相邻和在该左边界外部的区域；以及第四光阻挡金属106d-3，交叠与第二延伸部分198的边界当中的右边界相邻和在该右边界外部的区域。

光阻挡金属138a-3、138b-3、106c-3和106d-3可以如图8所示与漏电极136或栅线102间隔开。也就是说，光阻挡金属138a-3、138b-3、106c-3和106d-3可以与漏电极136或栅线102分离。更具体地，第一光阻挡金属138a-3可以在一个方向上与第一像素的漏电极136间隔开，第二光阻挡金属138b-3可以在一个方向上与第二像素的漏电极136间隔开。此外，第三和第四光阻挡金属106c-3和106d-3可以在与所述一个方向相反的另一个方向上与栅线102间隔开。

在一些实施方式中，光阻挡金属可以从数据配线132、134和136和栅极配线102和104突出或与其间隔开，但是这仅是示例，光阻挡金属的一部分可以从数据配线132、134和136或栅线102和104突出，光阻挡金属的另一部分可以与数据配线132、134和136或栅极配线102和104间隔开。

在一些实施方式中，光阻挡金属被例示为形成在与数据配线132、134和136或栅极配线102和104相同的水平面处，但是这仅是示例，光阻挡金属可以设置在其它的水平面，只要光阻挡金属交叠延伸部分196和198的边界当中的不平行于液晶分子的配向方向的边界的外部和相邻于该边界的区域。

接下来，将描述根据本发明构思的实施方式的制造上述的液晶显示装置10的方法。

图9至图21是示出根据本发明构思的实施方式的制造液晶显示装置的方法的中间工艺步骤的示意图。

参照图1、图2和图9，栅极配线102和104形成在第一基板100上。

第一金属层(未示出)可以形成在包括透明材料例如玻璃和石英的第一基板100上。第一金属层(未示出)可以由铝、铜、银、钼、铬、钛、钽或其合金制成，并可以形成为具有不同的物理性质的两个或更多层。第一金属层(未示出)可以通过例如溅射工艺沉积。随后，第一金属层(未示出)可以通过利用曝光掩模的光刻工艺图案化从而形成包括栅线102和栅电极104的栅极配线102和104。栅电极104可以具有从栅线102分支的突出形状。

在一些实施方式中，光阻挡金属可以通过与栅极配线102和104的工艺相同的工艺形成。例如，当制造以上描述的液晶显示装置10-2、10-3、10-4和10-5时，图案化第一金属层的工艺可以考虑到将要形成的光阻挡金属(对于液晶显示装置10-2的图5的106a、106b、106c和106d，对于装置10-3的图6的106a-1、106b-1、106c-1和106d-1，对于装置10-4的图7的106c-2和106d-2，对于装置10-5的图8的106c-3、106d-3)的形状而进行。光阻挡金属可以交叠将随后形成的延伸部分的边界当中的不平行于液晶分子的配向方向的边界外部和相邻于该边界的区域的至少一部分。

现在参照图10，栅极绝缘层112可以形成在栅极配线102和104上。栅极绝缘层112可以通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)工艺形成，并可以包括硅氮化物(SiNx)、硅氧化物(SiO₂)等。

参照图11，半导体层122和欧姆接触层124可以形成在栅极绝缘层112上。半导体层122可以由氢化非晶硅或多晶硅制成。半导体层122和欧姆接触层124可以通过光刻工艺形成。

参照图1至图3和图12，数据配线132、134和136可以通过光刻工艺形成在栅极绝缘层112、半导体层122和欧姆接触层124上，数据配线132、134和136包括交叉栅线102从而限定单元像素的数据线132、源电极134和漏电极136。像栅极配线102和104一样，数据配线132、134和136可以由铝、铜、银、钼、铬、钛、钽或其合金制成，并可以形成为具有不同的物理性质的两个或更多层。

光阻挡金属138a、138b、138c和138d可以通过与数据配线132、134和136相同的工艺形成在与数据配线132、134和136相同的水平面处。具体地，第二金属层(未示出)可以形成在栅极绝缘层112上。第二金属层(未示出)可以通过例如溅射工艺沉积。随后，第二金属层(未示出)可以通过利用曝光掩模的光刻工艺图案化从而形成数据配线132、134和136以及光阻挡金属138a、138b、138c和138d。图案化第二金属层的工艺可以考虑到将要形成的光阻挡金属138a、138b、138c和138d的形状而进行。当制造以上描述的液晶显示装置10-1、10-4和10-5时，图案化第一金属层的工艺可以考虑到将要形成的光阻挡金属(对于装置10-1的图4的138a-1、138b-1、138c-1和138d-1，对于装置10-4的图7的138a-2和138b-2，对于装置10-5的图8的138a-3和138b-3)的形状而进行。光阻挡金属可以交叠将随后形成的延伸部分的边界当中的不平行于液晶分子的配向方向的边界的部分的外部和相邻于其的区域的至少一部分。

在本实施方式中，半导体层122、欧姆接触层124和数据配线132、134和136被例示为通过彼此分开进行的光刻工艺形成，但是本公开不限于此，半导体层122、欧姆接触层124和数据配线132、134和136可以通过利用单个掩模的光刻工艺形成。在这种情况下，半导体层122和欧姆接触层124的剩余物可以保留在数据线132下面。换句话说，半导体层122和欧姆接触层124可以形成为线形。半导体层122可以与栅电极104、源电极134和漏电极136一起构成薄膜晶体管，并可以具有形成在其中的沟道。

现在参照图13，第一钝化层142-1可以形成在其上形成薄膜晶体管的第一基板100上。第一钝化层142-1可以由无机材料诸如硅氮化物或硅氧化物或通过等离子体增强化学气相沉积(PECVD)形成的材料诸如a-Si:C:O和a-Si:O:F制成。

参照图14，滤色器152可以形成在第一钝化层142-1上。滤色器152可以设置在像素区中并包括红色(R)滤色器、绿色(G)滤色器以及蓝色(B)滤色器。滤色器152可以由包括颜料的感光性有机材料制成。

滤色器152可以通过光刻工艺、喷墨印刷工艺或各种其它的工艺形成。

参照图15，第一有机层154-1可以形成在第一钝化层142-1和滤色器152上。第一有机层154-1可以由在平坦化特性上优良并具有感光性的材料制成。第一有机层154-1可以通过旋涂工艺或狭缝涂覆工艺、或者旋涂工艺和狭缝涂覆工艺两者形成。

参照图16，用于暴露漏电极136的至少一部分的接触孔136a可以形成在第一钝化层142-1和第一有机层154-1中。具体地，接触孔136a可以形成在第一有机层154-1中从而形成有机层154，然后接触孔136a可以形成在第一钝化层142-1中从而形成第一钝化层142。

参照图17，公共电极162可以形成在有机层154和第一钝化层142上。公共电极162可以包括用于暴露其中形成接触孔136a的区域的孔。公共电极162可以形成为遍及由栅线102和数据线132围绕的像素区的单一体，除了所述孔之外。公共电极162可以由透明导电材料诸如多晶、单晶或非晶的铟锡氧化物(ITO)或铟锌氧化物(IZO)制成，但是本公开不限于此。

参照图18，第二钝化层172可以形成在公共电极162和有机层154上。第二钝化层172可以包括用于暴露形成接触孔136a的区域的孔。第二钝化层172可以通过如下的工艺形成：包括在公共电极162和有机层154上沉积无机绝缘材料例如硅氮化物、硅氧化物等的工艺和图案化所得的结构从而暴露其中形成接触孔136a的区域的工艺。

参照图19，像素电极182可以形成在第二钝化层172和有机层154上。具体地，像素电极182可以形成为接触通过形成在第二钝化层172中的孔和形成在有机层154和第一钝化层142中的接触孔136a暴露的至少一部分漏电极136。通过这样的接触，像素电极182可以电连接到漏电极136。

参照图1至图3和图20，光阻挡图案192可以形成在像素电极182和第二钝化层172上。

光阻挡图案192可以形成在其中包含在液晶层300中的液晶分子不起作用的区域中，例如薄膜晶体管区域和非像素区(在像素之间，以及栅线和数据线的区域)。

在一些实施方式中，光阻挡图案192可以如图1所示在栅线102延伸的方向上延伸。然而，这仅是示例，在其它的实施方式中，光阻挡图案192还可以设置在数据线132的区域中从而形成网格形状。

光阻挡图案192可以由包括黑色染料或颜料的黑色有机聚合物材料或金属(金属氧化物)诸如铬或氧化铬制成。

然后，柱间隔物194可以形成在光阻挡图案192上。柱间隔物194可以如图20所示与光阻挡图案192一体地且同时地形成。例如，柱间隔物194和光阻挡图案192可以利用半色调掩模或狭缝掩模曝光通过相同的图案化工艺由相同的材料同时形成。然而，这仅是示例，本公开不限于此。

柱间隔物194可以如图20所示形成在对应于薄膜晶体管的区域中。然而，这仅是示例，柱间隔物194的位置不限于此。

现在参照图21，配向层PI可以形成在第一基板100和第二基板200的每个上。随后，具有正或负的介电各向异性的液晶分子可以施加到第一基板100从而形成液晶层300。然后，具有形成在其上的液晶层300的第一基板100可以联接到第二基板200。

当柱间隔物194和光阻挡图案192被同时形成时，并且当面板通过从外部源施加的力而翘曲时，设置在第二基板200上的配向层PI可能被柱间隔物194划伤，引起光泄漏发生。

因此，根据本发明构思的实施方式的制造液晶显示装置10的方法包括允许光阻挡图案192具有用于防止由上面描述的划伤引起的光泄漏的延伸部分196和198。延伸部分196和198可以通过单个图案化工艺与光阻挡图案192同时且一体地形成。延伸部分196和198可以由与光阻挡图案192的材料相同的材料制成。也就是说，光阻挡图案192、延伸部分196和198以及柱间隔物194可以通过单个图案化工艺由相同的材料一体地形成。

延伸部分196和198的布置和尺寸可以根据光阻挡图案192和柱间隔物194之间的位置关系而被适当地选择。例如，当柱间隔物194如图1和图3所示设置在光阻挡图案192的宽度W2的中心处时，延伸部分196和198可以分别在一个方向和与所述一个方向相反的另一个方向上从光阻挡图案192突出/分支。

另外，由于延伸部分196和198可以从光阻挡图案192突出/分支，所以延伸部分196和198可以具有不平行于液晶分子的配向方向的边界。液晶分子在不平行于液晶分子的配向方向的边界的部分的外部和相邻于其的区域中不能被顺利地控制，引起光泄漏发生。

因此，根据本发明构思的实施方式的制造液晶显示装置10的方法可以包括形成用于防止由延伸部分196和198引起的光泄漏的光阻挡金属138a、138b、138c和138d。也就是，光阻挡金属138a、138b、138c和138d可以交叠与延伸部分196和198的边界当中的不平行于液晶分子的配向方向的边界的部分相邻和在该边界的部分的外部的区域。因此，当液晶分子在与延伸部分196和198的边界当中的不平行于液晶分子的配向方向的边界的部分相邻的区域中没有被控制时引起的光泄漏被减少。

以上是对示范性实施方式的说明而不应被解释为对其进行限制。尽管已经描述了几个示范性实施方式，但是本领域技术人员将易于理解，在示范性实施方式中可以有许多修改和应用，而在实质上没有背离本发明构思的实施方式的新颖教导和优点。例如，在本发明构思的实施方式中具体描述的每个部件可以改变。此外，将理解，与变型和应用相关的差异可以被理解为旨在被包括在权利要求书的范围内。

本申请要求于2015年7月23日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2015-0104430号的优先权，其公开内容通过引用整体结合于此。

Claims (20)

1.一种液晶显示装置，包括：

彼此面对的第一基板和第二基板；

液晶层，插设在所述第一基板和所述第二基板之间；

柱间隔物，设置在所述第一基板上并保持所述第一基板和所述第二基板之间的间隙；

光阻挡图案，设置在所述第一基板上并包括在第一方向上延伸的基底图案、以及在与所述第一方向交叉的第二方向上关于所述柱间隔物从所述基底图案分支的延伸部分；以及

光阻挡金属，与和所述延伸部分的不平行于液晶分子的配向方向的边界相邻以及在该边界外部的区域的至少一部分交叠。

2.如权利要求1所述的液晶显示装置，其中所述光阻挡金属进一步与所述延伸部分的不平行于液晶分子的配向方向的所述边界的至少一部分交叠。

3.如权利要求1所述的液晶显示装置，还包括设置在所述第一基板上的栅极配线和数据配线，

其中所述光阻挡金属的至少一部分设置在与所述栅极配线和所述数据配线中的至少一个相同的水平面处。

4.如权利要求3所述的液晶显示装置，其中所述数据配线包括漏电极，所述光阻挡金属的至少一部分设置在与所述数据配线相同的水平面处并与所述漏电极一体地形成。

5.如权利要求3所述的液晶显示装置，其中所述光阻挡金属的至少一部分设置在与所述数据配线相同的水平面处并与所述数据配线分离。

6.如权利要求3所述的液晶显示装置，其中所述光阻挡金属的至少一部分设置在与所述栅极配线相同的水平面处并与所述栅极配线一体地形成。

7.如权利要求3所述的液晶显示装置，其中所述光阻挡金属的至少一部分设置在与所述栅极配线相同的水平面处并与所述栅极配线分离。

8.如权利要求1所述的液晶显示装置，其中所述延伸部分具有矩形形状。

9.如权利要求1所述的液晶显示装置，其中所述延伸部分包括设置在所述柱间隔物的一侧的第一延伸部分和从所述第一延伸部分跨过所述柱间隔物设置的第二延伸部分。

10.如权利要求1所述的液晶显示装置，还包括栅线和数据线，所述栅线和所述数据线设置在所述第一基板上并彼此交叉以便限定单元像素，

其中所述光阻挡图案在与所述栅线相同的方向上延伸，所述延伸部分在不平行于所述栅线的方向的方向上突出。

11.如权利要求10所述的液晶显示装置，其中液晶分子的配向方向与所述栅线延伸的方向相同。

12.如权利要求1所述的液晶显示装置，其中所述光阻挡图案和所述柱间隔物被一体地形成。

13.一种制造液晶显示装置的方法，包括：

在第一基板上形成栅极配线；

在所述第一基板上形成数据配线；

在所述第一基板上形成光阻挡金属；以及

在所述栅极配线和所述数据配线上形成光阻挡图案和柱间隔物；

其中所述光阻挡图案包括在第一方向上延伸的基底图案、以及在与所述第一方向交叉的第二方向上关于所述柱间隔物从所述基底图案分支的延伸部分，所述光阻挡金属与和所述延伸部分的不平行于液晶分子的配向方向的边界相邻以及在该边界外部的区域的至少一部分交叠。

14.如权利要求13所述的方法，其中所述光阻挡金属进一步与所述延伸部分的不平行于液晶分子的配向方向的所述边界的至少一部分交叠。

15.如权利要求13所述的方法，其中所述光阻挡金属的至少一部分与所述栅极配线和所述数据配线中的至少一个同时形成。

16.如权利要求13所述的方法，其中所述数据配线包括漏电极，所述光阻挡金属的至少一部分在与所述数据配线相同的水平面处与所述漏电极一体地形成。

17.如权利要求13所述的方法，其中所述光阻挡金属的至少一部分在与所述数据配线相同的水平面处与所述数据配线分离地形成。

18.如权利要求13所述的方法，其中所述光阻挡金属的至少一部分在与所述栅极配线相同的水平面处与所述栅极配线一体地形成。

19.如权利要求13所述的方法，其中所述光阻挡金属的至少一部分在与所述栅极配线相同的水平面处与所述栅极配线分离地形成。

20.如权利要求13所述的方法，其中所述延伸部分具有矩形形状。

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