KR20080061826A - 액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법 - Google Patents

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KR20080061826A
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Abstract

본 발명은 액정표시장치에 관한 것으로 특히, 공정오차에 의한 게이트 배선과 드레인 전극 간 중첩(overlay)을 방지하기 위한 구조를 포함하는 액정표시장치용 어레이기판과 그 제조방법에 관한 것이다.
본 발명은 상기 드레인 전극과 근접하게 이격된 게이트 배선에 이를 일부 제거한 식각패턴을 구성하는 것을 특징으로 한다.
이와 같이 하면, 공정오차가 발생하더라도 상기 게이트 배선과 드레인 전극이 중첩 하지 않아, 게이트 전극과 드레인 전극의 중첩에 의한 Cgd 외에 상기 게이트 배선과 드레인 전극과의 중첩에 의한 Cgd가 발생하지 않기 때문에, Cgd변동에 따른 화질불량을 방지할 수 있다.

Description

액정표시장치용 어레이 기판과 그 제조방법{Method for fabricating of an array substrate for LCD}
도 1은 일반적인 액정패널의 구성을 개략적으로 도시한 사시도이고,
도 2는 종래에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 한 화소를 확대한 평면도이고,
도 3은 오프셋 공정을 수행한 후, 액정패널의 선택된 영역에 형성된 박막트랜지스터를 도시한 확대 평면도이고,
도 4는 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 한 화소를 확대한 평면도이고,
도 5는 도 4의 박막트랜지스터를 확대한 평면도이고,
도 6a 내지 도 6e는 도 5의 Ⅳ-Ⅳ를 따라 절단하여, 본 발명의 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>
100 : 기판 102 : 게이트 전극
106 : 돌출부 110 : 액티브층
114 : 소스전극 116 : 드레인 전극
118 : 데이터 배선 124 : 화소전극
본 발명은 액정표시장치(LCD)에 관한 것으로 특히, Cgd(게이트 전극과 드레인 전극간 발생하는 기생캐패시터)변동이 발생하지 않는 구조로 설계된 어레이기판과, 그 제조방법에 관한 것이다.
일반적으로, 액정표시장치의 구동원리는 액정의 광학적 이방성과 분극성질을 이용한다.
상기 액정은 가늘고 긴 형상을 가지며, 분자의 배열에 방향성을 가지고 있는 동시에, 인위적으로 액정에 전기장을 인가하면 상기 분자배열의 방향을 제어할 수 있다.
따라서, 상기 액정의 분자배열 방향을 임의로 조절하면, 액정의 분자배열이 변하게 되고, 광학적 이방성에 의해 상기 액정의 분자배열 방향으로 빛이 굴절하여 화상을 표현하게 된다.
상기 액정표시장치는 공통전극이 형성된 컬러필터 기판(상부기판)과 화소전극이 형성된 어레이기판(하부기판)과, 상부 및 하부기판 사이에 충진된 액정으로 이루어지는데, 이러한 액정표시장치에서는 공통전극과 화소전극이 상-하로 걸리는 전기장에 의해 액정을 구동하는 방식으로, 투과율과 개구율 등의 특성이 우수하다.
현재에는 박막트랜지스터와 상기 박막트랜지스터에 연결된 화소전극이 행렬방식으로 배열된 능동행렬 액정표시장치(AM-LCD : Active Matrix LCD)가 해상도 및 동영상 구현능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.
이하, 도 1을 참조하여 전술한 액정표시장치의 구성을 설명한다.
도 1은 액정표시장치의 구성을 개략적으로 도시한 사시도이다.
도시한 바와 같이, 액정패널(51)은 액정층(미도시)을 사이에 두고 서로 이격하여 구성된 제 1 기판(5)과 제 2 기판(10)으로 구성되며, 상기 제 2 기판(10)과 마주보는 제 1 기판(5)의 일면에는 블랙매트릭스(6)와 컬러필터(적, 녹, 청)(7a,7b,7c)와, 컬러필터 상에 투명한 공통전극(9)이 구성된다.
상기 제 1 기판(5)과 마주보는 제 2 기판(10)에는 다수의 화소영역(P)이 정의되며, 상기 화소영역(P)의 일 측을 지나 연장 형성된 게이트 배선(14)과, 게이트 배선(14)이 지나는 화소영역(P)의 일 측과 평행하지 않은 타 측을 지나 연장 형성된 데이터 배선(26)이 구성된다.
이러한 구성으로 인해, 상기 화소영역(P)은 상기 게이트배선(14)과 데이터배선(26)이 교차하여 정의되는 영역이 되며, 두 배선의 교차지점에는 박막트랜지스터(T)가 구성된다.
상기 화소영역(P)에는 상기 박막트랜지스터(T)와 접촉하는 투명한 화소전극(32)이 구성되고, 이는 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide : ITO)와 같이 빛의 투과율이 비교적 뛰어난 투명 도전성 금속으로 형성한다.
이하, 도 2를 참조하여, 액정표시장치용 어레이기판의 구성을 좀 더 상세히 설명한다.
도 2는 종래에 따른 액정표시장치용 어레이 기판의 한 화소를 확대한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 상기 기판(28)의 일면에 일 방향으로 연장된 게이트 배선(32)과, 상기 게이트 배선(32)과 교차하여 화소 영역(P)을 정의하는 데이터 배선(44)이 구성된다.
상기 게이트 배선(32)과 데이터 배선(44)의 교차지점에는, 상기 게이트 배선(32)과 접촉하는 게이트 전극(30)과, 게이트 전극(30)의 상부에 위치한 액티브층(38)과, 액티브층(38)의 상부에 이격되어 위치하고 상기 데이터 배선(44)과 연결된 소스 전극(40)과, 이와는 이격된 드레인 전극(42)을 포함하는 박막트랜지스터(T)가 구성된다.
상기 화소 영역(P)에는 상기 드레인 전극(42)과 접촉하는 투명한 화소 전극(58)이 구성된다.
이때, 화소(P)를 구동함에 있어, 상기 박막트랜지스터(T)에 존재하는 기생캐패시터의 영향을 받게 되는데 특히, 상기 게이트 전극(30)과 드레인 전극(42)간 겹치는 부분에서 발생하는 기생캐패시터(Cgd)는 화질에 많은 영향을 미치게 된다.
한편, 상기 기생캐패시터(Cgd)는 구조상 존재할 수 밖에 없기 때문에, 액정패널을 설계하고 구동할 때, 상기 기생캐패시터(Cgd)에 의한 신호변동을 보정하도록 되어 있다.
그런데, 상기 기생 캐패시터가 액정패널의 위치에 따라 다르게 나타날 경우 이를 보상하기 어려운 문제점이 있으며 특히, 이러한 기생 캐패시터의 변동은 공정상 발생하는 마스크와 기판의 얼라인 오차에 의한 것이 대부분이다.
따라서, 도 1과 같이, 얼라인 오차가 발생하여 상기 드레인 전극(42)과 게이트 전극(30)간 중첩 영역의 변화가 발생하더라도 이를 최소화 하기 위해, 상기 드레인 전극(44)과 근접하여 이격된 게이트 배선(32)에서 일부를 돌출 연장한 돌출부(Cgd)가 상기 드레인 전극(40)과 겹쳐지도록 설계하는 방법이 제안되었다.
상기 게이트 전극(30)은 상기 게이트 배선(32)으로 신호를 받기 때문에 이러한 형상이 가능한 것이며, 얼라인 오차에 의해 상기 드레인 전극(44)이 좌.우로 이동하여 상기 게이트 전극(30)과의 중첩면적이 변하더라도, 상기 돌출부(60)과 드레인 전극(42)간의 중첩에 의해 이를 보상할 수 있다.
문제는, 상기 드레인 전극(42)과 상기 돌출부(60)이외의 게이트 배선(32)이 중첩하는 경우가 발생할 때인데, 이와 같은 경우는 공정오차로 인지된 경우가 아니므로 기존에 이를 보상하기 위한 어떠한 패턴도 설계 되지 않은 상태이다.
따라서, 이를 해결하기 위해 상기 게이트 배선 및 게이트 전극(32,30)이 형성된 기판(28)에 상기 소스 및 드레인 전극(40,42)을 형성하기 위한 마스크 얼라인 공정을 진행할 때, 이미 인지된 경험치에 의한 오차를 보정하기 위해 인위적으로 수㎛(ㅁ 0.1㎛)정도를 설계에서 벗어난 위치에 마스크를 얼라인 하여 이를 노광하는 오프셋(offset)공정을 수행하였다.
그러나, 이러한 공정 또한 균일한 결과를 얻지는 못하였다.
이에 대해 이하 도 3을 참조하여 설명한다.
도 3은 오프셋 공정을 수행한 후, 액정패널의 선택된 영역 형성된 박막트랜지스터를 도시한 확대 평면도이다.
앞서 언급한 바와 같이, 오프셋 공정을 진행한 후, 임의의 영역(A,D,C,D)을 선택하여 박막트랜지스터의 형상을 관찰한 결과, 정상인 영역(A)이 존재하는 반면 게이트 배선(32)과 드레인 전극(42)이 매우 근접한 부분(F1)이 발생한 영역(B), 그리고 게이트 배선(32)과 드레인 전극(42)이 일부 중첩된 부분(F2)이 발생한 영역(C)이 존재하였고, 오히려 게이트 배선(32)과 드레인 전극(42)이 충분히 이격된 부분(F3)이 발생한 영역(D)또한 존재하였다.
그런데, D영역의 경우처럼 처음부터 노광시 상기 게이트 배선(32)과 드레인 전극(44)간의 이격영역을 과도하게 적용하게 되면, 오히려 상기 드레인 전극(44)과 돌출부(40)의 접촉하는 면적이 변동하게 되므로 오히려 Cgd의 변동이 발생할 수 있는 문제가 있다.
본 발명은 전술한 문제를 해결하기 위한 것으로, Cgd의 변동이 없는 어레이 기판의 구조를 제안하는 것을 제 1 목적으로 한다.
또한, Cgd변동을 최소화 함으로써 고화질을 구현할 수 있는 액정패널을 제작할 수 있도록 하는 것을 제 2 목적으로 한다.
전술한 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판은 기판과; 상기 기판에 일 방향으로 구성되고 수직 돌출된 게이트 전극을 포함하며, 게이트 전극과 이격된 위치의 일부 영역을 제거한 식각패턴이 구비된 게이트 배선과; 상기 게이트 배선과 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터 배선과; 상기 데이터 배선에서 상기 게이트 전극의 일 측 상부로 연장된 소스 전극과, 이와 이격된 드레인 전극과; 상기 게이트 전극과, 소스 및 드레인 전극 사이에 위치한 액티브층과; 상기 드레인 전극과 접촉하면서 상기 화소 영역에 위치한 화소 전극을 포함한다.
상기 게이트 배선에서 상기 드레인 전극으로 연장된 돌출부가 더욱 구성되고, 상기 식각패턴은 상기 돌출부를 중심으로 일측과 타측에 위치한 제 1 식각패턴과 제 2 식각패턴이고, 상기 제 1 식각패턴은 상기 게이트 전극의 일 측에서 상기 돌출부의 일 측까지 식각된 형태이고, 상기 제 2 식각패턴은 돌출부의 타측에서 가로방향으로 상기 드레인 전극의 타측 끝단을 지나는 연장된 길이로 식각된 형태인 것을 특징으로 한다.
이때, 상기 식각패턴의 세로 길이는 3㎛~5㎛이고, 상기 드레인 전극의 끝단에서 연장된 상기 제 2 식각패턴의 가로 방향의 연장길이는 1.5㎛~3.5㎛인 것을 특징으로 한다.
상기 소스 전극은 상기 데이터 배선에서 수직한 방향으로 연장된 "U"형상이고, 상기 드레인 전극은 상기 소스 전극의 내부에 위치하여 이와 평행하게 이격된 막대형상인 것을 특징으로 한다.
본 발명의 특징에 따른 액정표시장치용 어레이기판 제조방법은 기판을 준비하는 단계와; 상기 기판에 일 방향으로 구성되고 수직 돌출된 게이트 전극을 포함하며, 게이트 전극과 이격된 위치의 일부 영역을 제거한 식각패턴이 구비된 게이트 배선을 형성하는 단계와; 상기 게이트 배선과 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터 배선을 형성하는 단계와; 상기 데이터 배선에서 상기 게이트 전극의 일 측 상부로 연장된 소스 전극과, 이와 이격된 드레인 전극을 형성하는 단계와; 상기 게이트 전극과, 소스 및 드레인 전극 사이에 액티브층을 형성하는 단계와; 상기 드레인 전극과 접촉하면서 상기 화소 영역에 위치하도록 화소 전극을 형성하는 단계을 포함한다.
상기 게이트 배선에서 상기 드레인 전극으로 연장된 돌출부를 더욱 포함하고, 상기 식각패턴은 상기 돌출부를 중심으로 일측과 타측에 위치한 제 1 식각패턴과 제 2 식각패턴이고, 상기 제 1 식각패턴은 상기 게이트 전극의 일 측에서 상기 돌출부의 일 측까지 식각된 형태이고, 상기 제 2 식각패턴은 돌출부의 타측에서 가로방향으로 상기 드레인 전극의 타측 끝단을 지나는 연장된 길이로 식각된 형태인 것을 특징으로 한다.
상기 식각패턴의 세로 길이는 3㎛~5㎛이고, 상기 드레인 전극의 끝단에서 연장된 상기 제 2 식각패턴의 가로 방향의 연장길이는 1.5㎛~3.5㎛인 것을 특징으로 한다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 바람직한 실시예를 설명한다.
-- 실시예 --
본 발명은 어레이기판을 설계할 때, 드레인 전극과 근접하여 이격된 게이트 배선의 일부를 식각하여 식각패턴을 구성함으로써, 얼라인 오차가 발생하더라도 상기 게이트 배선과 드레인 전극이 겹쳐지는 경우가 발생하지 않도록 하는 것을 특징으로 한다.
도 4는 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 일부를 확대한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 상기 기판(100)의 일면에 일 방향으로 연장된 게이트 배선(104)과, 상기 게이트 배선(104)과 교차하여 화소 영역(P)을 정의하는 데이터 배선(118)이 구성된다.
상기 게이트 배선(104)과 데이터 배선(118)의 교차지점에는, 상기 게이트 배선(104)과 접촉하는 게이트 전극(102)과, 게이트 전극(102)의 상부에 위치한 액티브층(110)과, 액티브층(110)의 상부에 이격되어 위치하고 상기 데이터 배선(104)과 연결된 소스 전극(114)과, 이와는 이격된 드레인 전극(116)을 포함하는 박막트랜지스터(T)가 구성된다.
상기 화소 영역(P)에는 상기 드레인 전극(116)과 접촉하는 투명한 화소 전극(124)이 구성된다.
이때, 상기 소스 전극(114)은 상기 데이터 배선(118)에서 수직한 방향으로 연장된 "U"형상이고, 상기 드레인 전극(116)은 상기 소스 전극(114)의 내부에 위치하여 이와 평행하게 이격된 막대 형상이다.
또한, 상기 게이트 전극(102)과 이격된 위치에 상기 게이트 배선(104)으로 부터 돌출된 돌출부(106)가 상기 드레인 전극(116)과 일부 중첩된 형태로 구성된다.
앞서 언급한 바와 같이, 상기 돌출부(106)는 얼라인 오차에 의한 Cgd변동을 보상하기 위해 설계된 것이다.
전술한 구조에서 특징적인 것은, 상기 돌출부(106)를 중심으로 좌우 게이트 배선(1040의 일부를 식각한 제 1 식각패턴(G1)과 제 2 식각패턴(G2)을 구성하는 것이다.
이때, 돌출부(106)의 좌측에 위치한 상기 제 1 식각패턴(G1)은 상기 게이트 전극(102)의 일측 부터 상기 돌출부(106)의 일측 까지 식각된 형태이고, 상기 제 2 식각패턴(G2)은 상기 돌출부(106)의 타측으로 부터 상기 드레인 전극(116)의 일측 끝단을 지나는 일부까지 식각된 형태이다.
이때, 식각 패턴(G1,G2)의 세로길이(L1)는 3㎛~5㎛의 범위를 가지도록 하고, 상기 드레인 전극(116)의 일 측 끝단을 넘는 상기 제 2 식각패턴(G2)의 가로방향으로의 연장길이(L2)는 약 1.5㎛~3.5㎛의 범위를 가지도록 설계하는 것을 특징으로 한다.
이때, 경우에 따라, 상기 돌출부(106)는 설계하지 않을 수도 있으며, 이와 같은 경우 상기 식각패턴(G1,G2)은 두 개로 나누어 질 필요 없이 하나로 구성될 수 도 있다.
전술한 바와 같이 게이트 배선(104)에 식각패턴(G1,G2)을 형성하게 되면, 상하방향으로 얼라인 오차가 발생하더라도, 상기 드레인 전극(116)과 게이트 배 선(102)이 겹치는 부분은 발생하지 않는다.
따라서, 종래와 비교하여 Cgd 변동폭이 최소화 될 수 있기 때문에, 화소에 미치는 영향이 작아 고화질을 구현하는 패널을 제작할 수 있다.
이하, 공정도면을 참조하여, 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이기판의 제조공정을 설명한다.
도 6a 내지 도 6e는 도 4의 Ⅳ-Ⅳ를 따라 절단하여 본 발명의 공정순서에 따라 도시한 공정 단면도이다.
도 6a에 도시한 바와 같이, 도시한 바와 같이, 기판(100)상에 스위칭 영역(S)을 포함하는 화소 영역(P)을 정의 한다.
상기 스위칭 영역 및 화소 영역(S,P)이 정의된 기판(100)상에 상기 화소 영역(P)의 일 측에 위치하여 일 방향으로 연장된 게이트 배선(104)과, 상기 게이트 배선(104)과 연결되고 상기 스위칭 영역(S)에 위치하는 게이트 전극(102)을 형성한다. 동시에, 상기 스위칭 영역(S)에서 이격된 위치에 상기 게이트 배선(104)으로 부터 돌출 연장된 돌출부(도 5의 106)를 형성한다.
또한, 상기 돌출부(106)의 양측의 게이트 배선(104)을 일부를 제거하여 제 1 식각패턴(도 5의 G1)과 제 2 식각패턴(도 5의 G2)을 형성한다.
이때, 식각패턴의 세로 길이는3㎛~5㎛이고, 상기 돌출부(도 5의 106)의 좌측에 위치한 상기 제 1 식각패턴(도 5의 G1)은 상기 게이트 전극(102)의 일측 부터 상기 돌출부(도 5 의 106)의 일 측까지 식각된 형태이고, 상기 제 2 식각패턴(도 5의 G2)은 상기 돌출부(106)의 타 측으로부터 일측의 일부까지 패턴된 형태이다.
한편, 상기 돌출부(100)는 구성하지 않을 수 있으며 이와 같은 경우, 상기 식각패턴(G1,G2)이 두 개로 나누어 질 필요는 없다.
이때, 상기 게이트 배선(104)과 게이트 전극(102)은 알루미늄(Al), 알루미늄 합금(AlNd), 텅스텐(W), 크롬(Cr), 몰리브덴(Mo)등의 단일 금속이나 알루미늄(Al)/크롬(Cr)(또는 몰리브덴(Mo)), 구리(Cu)등을 포함하는 도전성 금속 그룹 중 선택된 하나 또는 그 이상의 물질을 증착하여 형성한다.
도 6b에 도시한 바와 같이, 상기 식각패턴(도 5의 G1,G2)이 형성된 게이트 배선(104)과, 게이트 전극(102) 등이 형성된 기판(100)의 전면에 게이트 절연막(108)을 형성한다.
다음으로, 상기 게이트 절연막(108)의 상부에 순수 비정질 실리콘층(a-Si:H)과 불순물이 포함된 비정질 실리콘층(n+ 또는 p+ a-Si:H)적층하고 패턴하여, 상기 게이트 전극(102)에 대응하는 상기 게이트 절연막(108)의 상부에 액티브층(110)과 오믹 콘택층(112)을 형성한다.
도 6c에 도시한 바와 같이, 상기 액티브층(110)과 오믹 콘택층(112)이 형성된 기판(100)의 전면에 앞서 언급한 도전성 금속을 적층하고 패턴하여, 상기 오믹 콘택층(112)의 상부에 이격된 소스 전극(114)과 드레인 전극(116)과, 상기 소스 전극(114)과 연결되고 상기 게이트 배선(104)과 수직하게 교차하는 데이터 배선(도 4의 118)을 형성한다.
이때, 상기 소스 전극(114)은 상기 데이터 배선(도 4의 118)에서 수직한 방향으로 연장된 "U"형상이고, 상기 드레인 전극(116)은 상기 소스 전극(112)의 내부 에 위치하여 이와 평행하게 이격된 막대형상이다.
이러한 형상은, 상기 소스 전극(114)과 드레인 전극(116)간 노출된 액티브층(110)의 채널 폭을 크게 하고, 채널길이를 짧게 하는 효과가 있어 박막트랜지스터의 구동특성이 개선될 수 있다.
한편, 제 2 식각패턴(도 5의 G2)의 가로 길이는 전술한 바와 같이 구성된 드레인 전극(116)의 일 측 끝단을 지나 연장된 형태이며, 연장된 길이는 1.5㎛~3.5㎛가 되도록 한다.
도 6d에 도시한 바와 같이, 상기 소스 및 드레인 전극(114,116)이 형성된 기판(100)의 전면에 질화 실리콘(SiNX) 또는 산화 실리콘(SiO2)을 포함하는 무기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 증착하거나 경우에 따라서, 벤조사이클로부텐(BCB)과 아크릴(acryl)계 수지(resin)를 포함하는 유기절연물질 그룹 중 선택된 하나를 도포하여 보호막(120)을 형성하고 패턴하여, 상기 드레인 전극(116)의 일부를 노출하는 드레인 콘택홀(122)을 형성한다.
도 6e에 도시한 바와 같이, 상기 보호막(120)의 상부에 인듐-틴-옥사이드(ITO)와 인듐-징크-옥사이드(IZO)를 포함하는 투명한 도전성 금속그룹 중 선택된 하나를 증착하고 패턴하여, 상기 드레인 전극(116)과 접촉하면서 화소 영역(P)에 위치하는 화소 전극(124)을 형성한다.
전술한 공정을 통해 본 발명에 따른 액정표시장치용 어레이 기판을 제작할 수 있다.
본 발명은 얼라인 오차가 발생하더라도 게이트 배선과 드레인 전극간 중첩하지 않아 이에 따른 Cgd변동이 발생하지 않는 효과가 있다.
따라서, 고화질을 구현할 수 있는 액정표시장치를 제작할 수 있는 효과가 있다.

Claims (10)

  1. 기판과;
    상기 기판에 일 방향으로 구성되고 수직 돌출된 게이트 전극을 포함하며, 게이트 전극과 이격된 위치의 일부 영역을 제거한 식각패턴이 구비된 게이트 배선과;
    상기 게이트 배선과 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터 배선과;
    상기 데이터 배선에서 상기 게이트 전극의 일 측 상부로 연장된 소스 전극과, 이와 이격된 드레인 전극과;
    상기 게이트 전극과, 소스 및 드레인 전극 사이에 위치한 액티브층과;
    상기 드레인 전극과 접촉하면서 상기 화소 영역에 위치한 화소 전극
    을 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 게이트 배선에서 상기 드레인 전극으로 연장된 돌출부가 더욱 구성된 액정표시장치용 어레이기판.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 식각패턴은 상기 돌출부를 중심으로 일측과 타측에 위치한 제 1 식각패 턴과 제 2 식각패턴이고, 상기 제 1 식각패턴은 상기 게이트 전극의 일 측에서 상기 돌출부의 일 측까지 식각된 형태이고, 상기 제 2 식각패턴은 돌출부의 타측에서 가로방향으로 상기 드레인 전극의 타측 끝단을 지나는 연장된 길이로 식각된 형태인 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이기판.
  4. 제 1 항내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 식각패턴의 세로 길이는 3㎛~5㎛이고, 상기 드레인 전극의 끝단에서 연장된 상기 제 2 식각패턴의 가로 방향의 연장길이는 1.5㎛~3.5㎛인 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이기판.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 소스 전극은 상기 데이터 배선에서 수직한 방향으로 연장된 "U"형상이고, 상기 드레인 전극은 상기 소스 전극의 내부에 위치하여 이와 평행하게 이격된 막대형상인 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이기판.
  6. 기판을 준비하는 단계와;
    상기 기판에 일 방향으로 구성되고 수직 돌출된 게이트 전극을 포함하며, 게 이트 전극과 이격된 위치의 일부 영역을 제거한 식각패턴이 구비된 게이트 배선을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 배선과 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터 배선을 형성하는 단계와;
    상기 데이터 배선에서 상기 게이트 전극의 일 측 상부로 연장된 소스 전극과, 이와 이격된 드레인 전극을 형성하는 단계와;
    상기 게이트 전극과, 소스 및 드레인 전극 사이에 액티브층을 형성하는 단계와;
    상기 드레인 전극과 접촉하면서 상기 화소 영역에 위치하도록 화소 전극을 형성하는 단계
    을 포함하는 액정표시장치용 어레이 기판 제조방법.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 게이트 배선에서 상기 드레인 전극으로 연장된 돌출부를 더욱 포함하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 식각패턴은 상기 돌출부를 중심으로 일측과 타측에 위치한 제 1 식각패 턴과 제 2 식각패턴이고, 상기 제 1 식각패턴은 상기 게이트 전극의 일 측에서 상기 돌출부의 일 측까지 식각된 형태이고, 상기 제 2 식각패턴은 돌출부의 타측에서 가로방향으로 상기 드레인 전극의 타측 끝단을 지나는 연장된 길이로 식각된 형태인 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  9. 제 6 항내지 제 8 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 식각패턴의 세로 길이는 3㎛~5㎛이고, 상기 드레인 전극의 끝단에서 연장된 상기 제 2 식각패턴의 가로 방향의 연장길이는 1.5㎛~3.5㎛인 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
  10. 제 6 항에 있어서,
    상기 소스 전극은 상기 데이터 배선에서 수직한 방향으로 연장된 "U"형상이고, 상기 드레인 전극은 상기 소스 전극의 내부에 위치하여 이와 평행하게 이격된 막대형상인 것을 특징으로 하는 액정표시장치용 어레이기판 제조방법.
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