JP2001194688A - 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板 - Google Patents

液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板

Info

Publication number
JP2001194688A
JP2001194688A JP2000338138A JP2000338138A JP2001194688A JP 2001194688 A JP2001194688 A JP 2001194688A JP 2000338138 A JP2000338138 A JP 2000338138A JP 2000338138 A JP2000338138 A JP 2000338138A JP 2001194688 A JP2001194688 A JP 2001194688A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
line
liquid crystal
electrode
gate
thin film
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2000338138A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4897995B2 (ja
Inventor
Woon-Yong Park
雲 用 朴
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Electronics Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from KR1020000057036A external-priority patent/KR100729783B1/ko
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of JP2001194688A publication Critical patent/JP2001194688A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4897995B2 publication Critical patent/JP4897995B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136213—Storage capacitors associated with the pixel electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1255—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs integrated with passive devices, e.g. auxiliary capacitors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having at least one potential-jump barrier or surface barrier; including integrated passive circuit elements with at least one potential-jump barrier or surface barrier the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
    • G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
    • G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour 
    • G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour  based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
    • G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
    • G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
    • G02F1/1362—Active matrix addressed cells
    • G02F1/136259—Repairing; Defects
    • G02F1/136272—Auxiliary lines

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】維持電極線の電圧に対する歪曲を減らすことに
よってフリッカーまたはクロストーク不良を最小化し、
ゲート線及びデータ線の不良を修理することができる配
線構造を有する液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を
提供する。 【解決手段】液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板１０
は、行方向に形成されているゲート線を含むゲート配線
２２と；前記ゲート配線と絶縁されて交差し、列方向に
形成されているデータ線６２を含むデータ配線と；前記
ゲート線及び前記データ線の交差で定義される行列形態
の画素に形成されており、前記データ線から画像信号の
伝達を受ける画素電極と；前記画素電極と重なって維持
容量を形成し、維持電極線２６，２８及び前記維持電極
線に連結されている維持電極を含む維持配線と；互いに
隣接した前記画素の前記維持配線を電気的に連結する維
持配線連結部とを含む。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は液晶表示装置用薄膜
トランジスタ基板に係わり、さらに詳しくは、維持容量
を形成するために別途の独立配線を有する液晶表示装置
用薄膜トランジスタ基板に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示装置は現在最も広く用いられて
いる平板表示装置のうちの一つであり、電極が形成され
ている二枚の基板とその間に挿入されている液晶層から
なっており、電極に電圧を印加して液晶層の液晶分子を
再配列させることによって透過する光の量を調節する表
示装置である。
【０００３】液晶表示装置の中でも現在主に用いられる
ものは、二つの基板に画素電極と共通電極とが各々形成
されており、画素電極に印加される電圧をスイッチング
する薄膜トランジスタを有している液晶表示装置であっ
て、薄膜トランジスタと画素電極は二つの基板のうちの
一つに一緒に形成されることが一般的であり、薄膜トラ
ンジスタが形成された基板を液晶表示装置用薄膜トラン
ジスタ基板という。
【０００４】このような液晶表示装置用薄膜トランジス
タ基板には互いに交差してマトリックス形態の画素領域
を定義するゲート線とデータ線とが形成されており、ゲ
ート線とデータ線とが交差する部分には薄膜トランジス
タが形成されている。各々の画素領域には、薄膜トラン
ジスタのスイッチング動作によってデータ線を通じて画
像信号が伝達される画素電極が形成されている。
【０００５】一方、このような液晶表示装置用薄膜トラ
ンジスタ基板には液晶蓄電器の電荷維持能力を補助及び
維持させるために維持電極線が形成されている。このよ
うな維持電極線は画素電極と絶縁膜を媒介してに重なる
ことにより維持容量を構成する。また、維持電極線に
は、画素電極と対向して液晶容量を形成する他の基板に
形成されている共通電極に印加される共通電圧、または
ゲート線に伝達されるゲート電圧が伝達される。
【０００６】しかしながら、維持電極線に伝達された電
圧はデータ線に伝達される画像信号の変化に影響を受け
るため、位置によって維持電極線の電圧が変動する。こ
のため、共通電極線の電圧には、維持容量に従う抵抗に
よる信号の歪曲が発生し、画素の液晶容量を変化させる
こととなる。このことにより画面が震えるフリッカー
（flicker）不良またはクロストーク（crosstalk）不良
などの問題点が発生する。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、維持
電極線の電圧に対する歪曲を減らすことによってフリッ
カーまたはクロストーク不良を最小化することである。
【０００８】また、本発明の他の課題は、ゲート線及び
データ線の不良を修理することができる配線構造を有す
る液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板を提供すること
である。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
るために本発明による液晶表示装置用薄膜トランジスタ
基板には、少なくとも互いに隣接した画素の維持電極線
を連結する補助線が形成されており、互いに隣接した画
素の維持電極線と両端とが重なる修理用補助線が形成さ
れている。
【００１０】本発明による液晶表示装置用薄膜トランジ
スタ基板にはゲート線を含むゲート配線が横方向に形成
されており、データ線を含むデータ配線が縦方向に形成
されている。ゲート線とデータ線との交差で定義される
画素にはデータ線を通じて画像信号の伝達を受ける画素
電極が形成されており、画素電極と重なって維持容量を
形成し維持電極線と維持電極線に連結されている維持電
極とを含む維持配線が形成されている。また、互いに隣
接する画素の維持配線を電気的に連結する維持配線連結
部が形成されている。
【００１１】この時、両端が互いに隣接する画素の維持
配線と重なる修理用補助線をさらに含むことができる。
【００１２】ここで、維持配線連結部は画素電極と同一
の層で形成され、修理用補助線はデータ線と同一の層で
形成され、維持配線はゲート配線と同一の層で形成され
ることが好ましい。
【００１３】また、画素電極の端部は維持配線と重なる
ことが好ましく、画素電極は多重領域で液晶分子を分割
配向するために曲線化した角部を有する四角模様が多数
で連結された形態、または四角模様、鋸模様または十字
模様を有することができる。
【００１４】さらに詳細に本発明による液晶表示装置用
薄膜トランジスタ基板には、行方向に形成されているゲ
ート線及びゲート線に連結されているゲート電極を含む
ゲート配線が絶縁基板上部に形成されており、行方向に
維持電極線及び維持電極線に連結されている維持電極を
含む維持配線が形成されている。また、基板の上部には
これらを覆うゲート絶縁膜が形成されており、ゲート絶
縁膜の上部には半導体層が形成されており、ゲート線と
交差してマトリックス配列の画素を定義するデータ線、
データ線と連結されていて半導体層の上部まで延長され
たソース電極及びソース電極と分離されていて半導体層
の上部まで延長されたドレーン電極を含むデータ配線が
形成されている。それぞれの画素にはドレーン電極と電
気的に連結され維持配線と重なって維持容量を形成する
画素電極が形成されており、少なくとも互いに隣接する
画素の画素配線を連結する維持配線連結部が形成されて
いる。
【００１５】この時、修理用補助線において、維持配線
連結部は画素電極と同一の層で保護膜の上部に形成され
ることができ、データ線と同一な層には両端が互いに隣
接する画素の維持配線と重なる修理用補助線をさらに含
むことができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】それでは、添付した図面を参考し
て本発明の実施例による液晶表示装置及びその製造方法
について、本発明の属する技術分野にて通常の知識を有
する者が容易に実施することができるように詳細に説明
する。
【００１７】図１は本発明の第１実施例による液晶表示
装置用薄膜トランジスタ基板の構造を概略的に示した配
線図である。
【００１８】図１のように、本発明の第１実施例による
液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板には横方向に多数
のゲート線２２が形成されており、ゲート線２２と交差
してマトリックス形態の画素領域を定義するデータ線６
２が形成されている。それぞれの画素領域にはデータ線
６２を通じて画像信号が伝達される画素電極８２が形成
されており、ゲート線２２とデータ線６２とが交差する
部分には、ゲート線２２に連結されているゲート電極２
４、データ線６２に連結されているソース電極６５及び
画素電極８２に連結されているドレーン電極６６を含む
薄膜トランジスタが形成されている。また、横方向には
互いに平行して二重の維持電極線２６、２８が形成され
ており、互いに平行な維持電極線２６、２８はそれぞれ
の画素領域に縦方向に形成されている維持電極２７を通
じて連結されている。ここで、維持配線２６、２７、２
８は画素電極８２と重なって維持容量を形成する。ま
た、縦方向には互いに隣接した画素行の維持配線２６、
２７、２８に両端が重なっている修理用補助線６８と、
少なくとも互いに隣接した画素行の維持配線２６、２
７、２８を電気的に連結する維持配線連結部８４が形成
されている。
【００１９】このような本発明の実施例による液晶表示
装置用薄膜トランジスタ基板の構造において、互いに隣
接した維持配線２６、２７、２８は維持配線連結部８４
を通じて互いに連結されているので、維持配線２６、２
７、２８を通じて伝達される維持容量用電圧の信号の歪
曲を最小化させることができる。従って、クロストーク
不良やフリッカー不良を最小化させることができる。
【００２０】また、本発明の実施例による構造において
はゲート線２２またはデータ線６２が断線した場合、維
持配線修理用補助線６８及び維持配線連結部８４を通じ
て配線の断線を修理することができる。
【００２１】例えば、Ａ（△）部分でデータ線６２が断
線した場合を考える。この場合、Ｃ部分にレーザーを照
射してデータ線６２と維持電極線２６、２８を短絡し、
Ｂ部分にレーザーを照射して修理用補助線６８と維持電
極線２６、２８を短絡し、Ｂ部分とＣ部分の間の両外側
のＤ部分の維持電極線２６、２８を断線することによ
り、データ線６２に伝達される画像信号が維持電極線２
６、２８と修理用補助線６８を迂回するように構成でき
る。
【００２２】また、例えば、Ｅ（△）部分でゲート線２
２が断線した場合を考える。この場合は、Ｆ部分にレー
ザーを照射してゲート線２２と維持電極線２６、２８及
び維持配線連結部８４を短絡させ、Ｇ部分の維持電極線
２６、２８及び維持配線連結部８４を断線させることに
より、ゲート信号が維持電極線２６、２８及び修理用補
助線６８を通じて迂回するようにする。この時、維持配
線連結部８４の代わりに修理用補助線６８のみを用いる
こともできる。
【００２３】ここで、修理用補助線６８と維持配線連結
部８４とを互いに同一の層であって、画素電極８２また
はデータ線６２と同一の層に形成することができ、互い
に異なる層に形成することも可能である。本発明の実施
例で維持配線２６、２７、２８はゲート線２２と同一の
層に形成されており、修理用補助線６８はデータ線６２
と同一の層に形成されており、維持配線連結部８４は画
素電極８２と同一の層に形成されている。これについて
図２及び図３を参照して具体的に説明することにする。
【００２４】図２は本発明の第１実施例による液晶表示
装置用薄膜トランジスタ基板の構造を具体的に示した配
置図であり、図３は図２でIII−III´線に沿って切断し
て示した断面図である。
【００２５】まず、絶縁基板１０の上にアルミニウム
（Ａｌ）またはアルミニウム合金（Ａｌ alloy）、モリ
ブデン（Ｍｏ）またはモリブデン−タングステン（Ｍｏ
Ｗ）合金、クロム（Ｃｒ）、タンタル（Ｔａ）などの金
属または導電体で作られたゲート配線及び維持配線が形
成されている。ゲート配線は横方向に延びている走査信
号線またはゲート線２２及びゲート線２２の一部である
薄膜トランジスタのゲート電極２４を含み、ゲート配線
はゲート線２２の端部に連結されていて外部からの走査
信号の印加を受けてゲート線２２に伝達するゲートパッ
ドをさらに含む構成とすることができる。そして、維持
配線はゲート線２２と平行して二重に形成されており、
上板の共通電極に入力される共通電極電圧などの電圧を
外部から印加される維持電極線２６、２８及び縦方向に
形成されて二重の維持電極線２６、２８を互いに連結す
る維持電極２７を含む。維持配線２６、２７、２８は後
述する画素電極８２と重なって画素の電荷保存能力を向
上させるための維持容量を形成する維持蓄電器を形成さ
せるためのものである。
【００２６】ここで、ゲート配線２２、２４及び維持配
線２６、２７、２８は単一層で形成することもできる
が、二重層や三重層に形成することもできる。二重層以
上に形成する場合には、一つの層は抵抗の小さい物質で
形成し他の層は他物質、特に画素電極として用いられる
ＩＴＯ（indium zinc oxide）との接触特性の良い物質
で作ることが好ましい。なぜかというと、外部と電気的
に連結されるパッド部を補強するためにパッド部は、配
線用物質と画素電極用物質であるＩＴＯと一緒に形成す
るからである。
【００２７】ゲート配線２２、２４及び維持配線２６、
２７、２８の上には、窒化ケイ素（ＳｉＮx）などから
なるゲート絶縁膜３０が形成されてゲート配線２２、２
４及び維持配線２６、２７、２８を覆っている。
【００２８】ゲート絶縁膜３０の上には水素化非晶質ケ
イ素（hydrogenated amorphous silicon）などの半導体
からなる半導体パターン４０が形成されており、半導体
パターン４０の上には、リン（Ｐ）などのｎ型不純物と
して高濃度にドーピングされている非晶質ケイ素などか
らなる抵抗性接触層（ohmic contact layer）パターン
または中間層パターン５５、５６が形成されている。
【００２９】接触層パターン５５、５６の上には、Ｍｏ
またはＭｏＷ合金、Ｃｒ、ＡｌまたはＡｌ合金、Ｔａな
どの導電物質からなる薄膜トランジスタのソース及びド
レーン電極６５、６６が各々形成されており、ゲート絶
縁膜３０の上部には、ソース電極６５と連結されており
ゲート線２２と交差して画素を定義するデータ線６２が
縦方向に形成されている。データ配線６２、６５、６６
は、データ線６２の一端部に連結されて外部からの画像
信号の印加を受けるデータパッドをさらに含む構成とす
ることができる。ゲート絶縁膜３０の上部にはデータ配
線６２、６５、６６と同一の層でその両端が互いに隣接
する画素行の隣接した維持電極線２６、２８と重なる修
理用補助線６８が縦方向に形成されている。前述したよ
うに、修理用補助線６８とともに維持配線連結部８４
（図１参照）もデータ配線６２、６５、６６と同一の層
でゲート絶縁膜３０の上部に形成することができる。
【００３０】データ配線６２、６５、６６及び修理用補
助線６８もゲート配線２２、２４及び維持配線２６、２
７、２８と同様に単一層で形成することもできるが、二
重層や三重層で形成することもできる。もちろん、二重
層以上に形成する場合には、一つの層は抵抗の小さい物
質で形成し他の層は他物質との接触特性の良い物質で作
ることが好ましい。
【００３１】データ配線６２、６５、６６と修理用補助
線６８及びこれらによって遮れない半導体パターン４０
の上には保護膜７２が形成されている。この保護膜７２
は、ドレーン電極６６を露出する接触孔７１を有してお
り、またゲート絶縁膜３０とともに維持電極線２６、２
８を各々露出する接触孔７４を有している。保護膜７２
は窒化ケイ素やアクリル系などの有機絶縁物質からなり
得る。
【００３２】保護膜７２の上には、薄膜トランジスタか
ら画像信号を受けて上板の共通電極とともに電気場を生
成する画素電極８２が形成されている。画素電極８２は
ＩＴＯ（indium tin oxide）またはＩＺＯ（indium zin
c oxide）などの透明な導電物質で作られ、接触孔７１
を通じてドレーン電極６６と物理的・電気的に連結され
て画像信号の伝達を受ける。また、保護膜７２の上部に
は、画素電極８２と同一の層であって、接触孔７４を通
じて互いに隣接する維持配線２６、２７、２８を電気的
及び物理的に連結する維持配線連結部８４が形成されて
いる。前述したように、修理用補助線３８を維持配線連
結部８４と同一の層であって、保護膜７２の上部に形成
することができる。一方、保護膜７２はゲートパッド及
びデータパッドを露出する接触孔を有する構成とするこ
とができ、画素電極と同一な層には接触孔を通じてゲー
トパッド及びデータパッドを覆う補助ゲートパッド及び
補助データパッドを形成することができる。
【００３３】この時、維持配線２６、２７、２８が画素
電極８２の端部から漏洩する光を遮断する光遮断膜とし
て機能するように、図２のように、画素電極８２の端部
が維持配線２６、２７、２８と重なるのが好ましい。ま
た、液晶表示装置の視野角を改善するために液晶分子を
分割配向するのが良いが、このために画素電極８２は角
部が曲線化した四角形が数個連結されている形態とする
ことができ、四角形またはのこぎり模様の多様な形態の
開口部パターンを有する構成とすることもできる。この
ようにすることで、フリンジフィールド（fringe fiel
d）を形成して液晶分子を分割配向することができ、最
も良い視野角を得るためには４分割配向された微小領域
が一つの画素領域内に入っていることが好ましい。ま
た、安定した分割配向を得るためには分割された微小領
域の境界以外の所で転傾（disclination）や不規則な組
織（texture）が発生しないようにするのが好ましく、
隣接した微小領域の液晶方向子（director）がなす角は
９０度になるようにするのが好ましい。この時、回位や
不規則な液晶分子の配列によって光が漏洩する場合、漏
洩する光を遮断するために維持配線２６、２７、２８の
構造を多様に変えることができる。むろん、画素電極８
２の模様によって画素電極８２と対向する共通電極（図
示せず）に多様な模様の開口部パターンを形成すること
ができる。
【００３４】本発明の実施例では画素ごとに修理用補助
線６８または維持配線連結部８４が形成されているが、
多数の画素を単位に形成され得る。
【００３５】ここでは、画素電極８２の材料の例として
透明なＩＴＯをあげたが、反射型液晶表示装置の場合、
不透明な導電物質を使用しても構わない。
【００３６】前記のような本発明の実施例による液晶表
示装置用薄膜トランジスタ基板を製造する方法について
図面を参照して具体的に説明する。
【００３７】図４乃至図７は、本発明の第１実施例によ
る液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法をそ
の工程順序にしたがって示した断面図である。
【００３８】先ず、図４のように、基板１０の上部に低
抵抗の導電物質を積層してマスクを利用した写真エッチ
ング工程でパターニングし、ゲート配線２２、２４と維
持配線２６、２７、２８（図２参照）を形成する。
【００３９】次に、図５のように、窒化ケイ素のような
絶縁物質からなるゲート絶縁膜３０、非晶質ケイ素のよ
うな半導体物質からなる半導体層４０、ドーピングされ
た非晶質ケイ素のような導電性物質からなる抵抗性接触
層５０を化学気相蒸着法を用いて順次に積層し、マスク
を利用した写真エッチング工程で半導体層４０とその上
部に抵抗性接触層５０をパターニングする。
【００４０】次に、図６のように、低抵抗を有する導電
物質を積層してマスクを利用した写真エッチング工程で
パターニングし、データ配線６２、６５、６６（図２参
照）と修理用補助線６８を形成する。
【００４１】次に、データ配線６２、６５、６６で遮ら
ない中間層をエッチングして抵抗性接触層５０をエッチ
ングして抵抗性接触層を二つの部分５５、５６に分離
し、ソース及びドレーン電極６５、６６の間の半導体層
４０を露出する。
【００４２】次に、図７のように、窒化ケイ素や酸化ケ
イ素または有機絶縁膜を積層して保護膜７２を形成し、
保護膜７２をゲート絶縁膜３０と共にマスクを利用した
写真エッチング工程でパターニングし、ドレーン電極６
６及び維持配線２６、２７、２８（図２参照）を露出す
る接触孔７１、７４を形成する。
【００４３】次に、図２及び３のように、保護膜７２の
上部にＩＺＯまたはＩＴＯのような透明な導電物質を積
層してマスクを利用した写真エッチング工程でパターニ
ングし、画素電極８２と維持配線連結部８４を形成す
る。
【００４４】一方、４枚のマスクを用いて薄膜トランジ
スタ基板を完成する製造方法は多様にあるが、一つの実
施例を説明する。
【００４５】図８乃至図１４は、本発明の第１実施例に
よる液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板の他の製造方
法をその工程順序にしたがって示した断面図である。
【００４６】まず、図８に示すように、前記実施例と同
一に基板１０の上部に低抵抗の導電物質を積層してパタ
ーニングし、ゲート配線２２、２４と維持配線２６、２
７、２８（図２参照）を形成する。
【００４７】次に、図９のように、窒化ケイ素からなる
ゲート絶縁膜３０、半導体層４０、中間層５０を化学気
相蒸着法を用いて連続に蒸着し、引き続き低抵抗の導電
物質を含む導電体層６０をスパッタリングなどの方法で
蒸着した後、その上に感光膜を１μｍ乃至２μｍの厚さ
で塗布する。
【００４８】その後、マスクを通じて感光膜に光を照射
した後に現像し、図９に示すように、感光膜パターン１
１２、１１４を形成する。この時、感光膜パターン１１
２、１１４の中で薄膜トランジスタのチャンネル部
（Ｃ）、つまり、ソース電極６５とドレーン電極６６と
の間に位置する第１部分１１４は、データ配線部及び修
理用補助線部に対応するＡ部分、つまり、データ配線６
２、６５、６６と修理用補助線６８が形成される部分に
位置した第２部分１１２より厚さが薄くなるようにし、
その他の部分（Ｂ）の感光膜は全て除去する。この時、
チャンネル部（Ｃ）に残っている感光膜１１４の厚さと
Ａ部分に残っている感光膜１１２の厚さとの比は後述す
るエッチング工程における工程条件にしたがって異なる
ようにしなければならず、第１部分１１４の厚さを第２
部分１１２の厚さの１／２以下にするのが好ましい。
【００４９】このように、位置によって感光膜の厚さを
別にする方法は多様にありえ、Ａ領域の光の透過量を調
節するために主にスリット（slit）や格子形態のパター
ンを形成したり半透明膜を使用する。
【００５０】この時、スリットの間に位置したパターン
の線幅やパターンの間の間隔、つまり、スリットの幅は
露光時に使用する露光器の分解能より小さいのが好まし
く、半透明膜を用いる場合にはマスクを製作する時、透
過率を調節するために他の透過率を有する薄膜を用いた
り厚さが異なる薄膜を用いることができる。
【００５１】このようなマスクを通じて感光膜に光を照
射すると光に直接露出する部分では高分子が完全に分解
され、スリットパターンや半透明膜が形成されている部
分では光の照射量が少ないために高分子は完全分解しな
い状態であり、遮光幕で遮られた部分では高分子が殆ど
分解されない。引き続き感光膜を現像すると、高分子分
子が分解しない部分のみが残り、光が少なく照射された
中央部分には光に全く照射されない部分より薄い厚さの
感光膜を残すことができる。この時、露光時間を長くす
ると全ての分子が分解するので、そうならないようにし
なければならない。
【００５２】このような薄い厚さの感光膜１１４はリフ
ローが可能な物質からなる感光膜を用い、光が完全に透
過することができる部分と光が完全に透過できない部分
に分けられた通常のマスクで露光した後に現像し、リフ
ローして感光膜が残留しない部分に感光膜の一部を流れ
るようにすることによって形成することもできる。
【００５３】次に、感光膜パターン１１４及びその下部
の膜、つまり、導電体層６０、中間層５０及び半導体層
４０に対するエッチングを進める。この時、Ａ部分には
データ配線と修理用補助線及びその下部の膜がそのまま
残っており、チャンネル部（Ｃ）には半導体層だけが残
っていなければならず、残り部分（Ｂ）には前記３つの
層６０、５０、４０全てが除去されてゲート絶縁膜３０
が露出されなければならない。
【００５４】まず、図１０に示したように、残り部分
（Ｂ）の露出されている導電体層６０を除去してその下
部の中間層５０を露出させる。この過程では乾式エッチ
ングまたは湿式エッチング方法全てを使用することがで
き、この時、導電体層６０はエッチングされて感光膜パ
ターン１１２、１１４は殆どエッチングされない条件の
下で行うのが良い。しかし、乾式エッチングの場合、導
電体層６０だけをエッチングして感光膜パターン１１
２、１１４はエッチングされない条件をさがすのが難し
いので、感光膜パターン１１２、１１４も共にエッチン
グされる条件の下で行うことができる。この場合には、
湿式エッチングの場合より第１部分１１４の厚さを厚く
してこの過程で第１部分１１４が除去されてチャンネル
部（Ｃ）で導電体層６０が露出されることが生じないよ
うにする。
【００５５】導電体層６０がＭｏまたはＭｏＷ合金、Ａ
ｌまたはＡｌ合金、Ｔａのうちのある一つである場合に
は、乾式エッチングや湿式エッチングのうちのいずれも
可能である。しかし、Ｃｒは乾式エッチング方法ではよ
く除去されないために、導電体層６０がＣｒである場合
には湿式エッチングだけを用いるのが良い。導電体層６
０がＣｒである湿式エッチングの場合には、エッチング
液でＣｅＮＨＯ3を使用することができ、導電体層６０
がＭｏやＭｏＷである乾式エッチングの場合のエッチン
グ気体としては、ＣＦ4とＨＣｌの混合気体やＣＦ4とＯ
2の混合気体を使用することができ、後者の場合には感
光膜に対するエッチング比も殆ど同様とすることができ
る。
【００５６】このようにすると、図１０に示したよう
に、チャンネル部（Ｃ）及びＡ部分の導電体層、つま
り、ソース／ドレーン用導電体パターン６７と修理用補
助線用導電体パターン６８のみが残って、その他部分
（Ｂ）の導電体層６０は全て除去されてその下部の中間
層５０が露出される。この時、残っている導電体パター
ン６７、６８はソース及びドレーン電極６５、６６が分
離されずに連結されている点を除くとデータ配線６２、
６５、６６及び修理用補助線６８の形態と同一である。
また、乾式エッチングを使用した場合、感光膜パターン
１１２、１１４もある程度の厚さでエッチングされる。
【００５７】次に、図１１に示すように、残り部分
（Ｂ）の露出された中間層５０及びその下部の半導体層
４０を感光膜の第１部分１１４と共に乾式エッチング方
法で同時に除去する。この時のエッチングは感光膜パタ
ーン１１２、１１４と中間層５０及び半導体層４０（半
導体層と中間層はエッチング選択性が殆ど無い）が同時
にエッチングされ、ゲート絶縁膜３０はエッチングされ
ない条件の下で行わなければらなず、特に、感光膜パタ
ーン１１２、１１４と半導体層４０に対するエッチング
比が殆ど同一な条件でエッチングするのが好ましい。例
えば、ＳＦ6とＨＣｌの混合気体や、ＳＦ6とＯ2の混合
気体を使用すると殆ど同一な厚さで二つの膜をエッチン
グすることができる。感光膜パターン１１２、１１４と
半導体層４０に対するエッチング比が同一な場合、第１
部分１１４の厚さは半導体層４０と中間層５０の厚さを
合せたものと同一であるかそれより小さくなければなら
ない。
【００５８】このようにすると、図１１に示したよう
に、チャンネル部（Ｃ）の第１部分１１４が除去されて
ソース／ドレーン用導電体パターン６７が露出され、残
り部分（Ｂ）の中間層５０及び半導体層４０が除去され
てその下部のゲート絶縁膜３０が露出される。一方、Ａ
部分の第２部分１１２もまたエッチングされるので厚さ
が薄くなる。また、この段階で半導体パターン４０が完
成する。
【００５９】引き続き、アッシング（ashing）を通じて
チャンネル部（Ｃ）のソース／ドレーン用導電体パター
ン６７の表面に残っている感光膜クズを除去する。
【００６０】その後、図１２に示したようにチャンネル
部（Ｃ）のソース／ドレーン用導電体パターン６７及び
その下部のソース／ドレーン用中間層パターン５０をエ
ッチングして除去する。この時、エッチングはソース／
ドレーン用導電体パターン６７と中間層パターン５０全
てに対して乾式エッチングだけで進めることができ、ソ
ース／ドレーン用導電体パターン６７に対しては湿式エ
ッチングで、中間層パターン５０に対しては乾式エッチ
ングで行い得る。前者の場合、ソース／ドレーン用導電
体パターン６７と中間層パターン５０のエッチング選択
比が大きい条件の下でエッチングを行うのが好ましく、
これはエッチング選択比が大きくない場合、エッチング
終点をさがすのが難しくてチャンネル部（Ｃ）に残る半
導体パターン４０の厚さを調節するのが容易ではないた
めである。例えば、ＳＦ6とＯ2の混合気体を使用してソ
ース／ドレーン用導電体パターン６７をエッチングする
ことがある。湿式エッチングと乾式エッチングを交互に
する後者の場合には湿式エッチングされるソース／ドレ
ーン用導電体パターン６７の側面はエッチングされる
が、乾式エッチングされる中間層パターン５０は殆どエ
ッチングされないので階段模様に作られる。中間層パタ
ーン５０及び半導体パターン４０をエッチングする時に
使用するエッチング気体の例としては、前記に言及した
ＣＦ4とＨＣｌの混合気体やＣＦ4とＯ2の混合気体があ
り、ＣＦ4とＯ2を使用すると均一な厚さで半導体パター
ン４０を残すことができる。この時、図１２に示したよ
うに、半導体パターン４０の一部が除去されて厚さが小
さくなることがあり、感光膜パターンの第２部分１１２
もこの時にある程度の厚さでエッチングされる。この時
のエッチングはゲート絶縁膜３０がエッチングされない
条件で行わなければならず、第２部分１１２がエッチン
グされてその下部のデータ配線６２、６５、６６及び修
理用補助線６８が露出されることがないように感光膜パ
ターンが厚いのが好ましい。
【００６１】このようにすると、ソース電極６５とドレ
ーン電極６６が分離されながらデータ配線６２、６５、
６６及び修理用補助線６８とその下部の接触層パターン
５５、５６、５８が完成する。
【００６２】最後に、Ａ部分に残っている感光膜第２部
分１１２を除去する。しかし、第２部分１１２の除去は
チャンネル部（Ｃ）ソース／ドレーン用導電体パターン
６７を除去した後、その下の中間層パターン５０を除去
する前に行うこともできる。
【００６３】前述したように、湿式エッチングと乾式エ
ッチングを交互にしたり乾式エッチングだけを使用する
ことができる。後者の場合には一つの種類のエッチング
だけを使用するので工程が比較的に簡便であるが、適し
たエッチング条件をさがすのがむずかしい。反面、前者
の場合にはエッチング条件をさがすのが比較的にやさし
いが、その工程が後者に比べて面倒な点がある。
【００６４】このようにしてデータ配線６２、６５、６
６及び修理用補助線６８を形成した後、図１３に示した
ように窒化ケイ素をＣＶＤ方法で蒸着して保護膜７０を
形成する。引き続き、ゲート絶縁膜３０と共にパターニ
ングし、ドレーン電極６６と維持配線２６、２７、２８
を露出する接触孔７１、７４を形成する。
【００６５】最後に、図１４のように、前述したように
ＩＴＯまたはＩＺＯを蒸着してマスクを使用し、エッチ
ングしてドレーン電極６６と連結される画素電極８２を
形成する。この時、接触孔７４を通じて互いに隣接する
画素の維持配線を電気的に連結する維持配線連結部８４
を形成する。
【００６６】このようにすると一つのマスクを利用した
写真エッチング工程でデータ配線６２、６５、６６と中
間層パターン５５、５６及び半導体パターン４０を共に
形成することができて製造費用を減らすことができる。
【００６７】このような場合には、図２及び図３の構造
と異なって半導体層４０及び抵抗性接触層５５、５６は
データ配線６２、６５、６６の模様によって形成され
る。この時、データ配線６２、６５、６６と中間層パタ
ーン５５、５６は同一パターンで形成し、ソース電極６
５とドレーン電極６６の間のチャンネル部を除いた半導
体パターン４０はデータ配線６２、６５、６６及び中間
層パターン５５、５６と同一パターンで形成する。むろ
ん、修理用補助線６８の下部にも半導体層と中間層が残
留する。
【００６８】このような本発明の実施例による維持配線
連結部を有する液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板は
捩じれネマチック方式（twisted nematic mode）、また
は垂直配向方式（vertical align mode）に用いられ、
図面を参照して回路図について説明する。
【００６９】図１５は、本発明の第１実施例による液晶
表示装置用薄膜トランジスタ基板の構造を示した回路図
である。
【００７０】図１５のように、横方向に多数のゲート線
２２が形成されており、ゲート線２２と交差してマトリ
ックス形態の画素領域を定義するデータ線６２が形成さ
れている。それぞれの画素領域にはゲート線２２に連結
されているゲート電極２４、データ線６２に連結されて
いるソース電極６５及び画素電極８２に連結されている
ドレーン電極６６を含む薄膜トランジスタ（ＴＦＴ）が
形成されている。また、それぞれの画素領域には画素電
極８２と維持電極線２６、２８を両端子として維持容量
を有する維持蓄電器（Ｃst）及び画素電極８２と共通電
極（図示せず）を両端子として液晶容量を有する液晶蓄
電器（ＣLC）が形成されている。また、縦方向には互い
に隣接した画素行の維持配線２６、２７、２８を電気的
に連結する維持配線連結部８４が形成されている。ここ
で、維持配線連結部８４はそれぞれの画素に形成されて
いる。
【００７１】一方、互いに平行に同一な基板に形成され
て殆ど平行に形成して液晶分子を駆動する平面駆動方式
の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板にも少なくとも
互いに隣接する画素の維持蓄電器の一端子を電気的に連
結する構造を維持配線連結部を形成することができ、図
１６及び図１７を参照して具体的に説明する。
【００７２】図１６は本発明の第２実施例による液晶表
示装置用薄膜トランジスタ基板の構造を示した配置図で
あり、図１７は図１６のXVII−XVII´線に沿って切断し
た断面図である。
【００７３】図１６及び図１７のように、絶縁基板１０
上にゲート配線及び共通配線が形成されている。ゲート
配線は横方向にのびている走査信号線またはゲート線２
２、ゲート線２２の一部である薄膜トランジスタのゲー
ト電極２４及びゲート線２２の端に連結されており外部
からの走査信号の印可を受けてゲート線２２に伝達する
ゲートパッド２５を含む。また、共通配線はゲート線２
２と平行に二重で形成されている共通電極線２３、２９
及び縦方向に形成され共通電極線２３、２９に連結され
ている共通電極２１を含む。共通電極線２３、２９は後
述する画素電極線６３、６９と重なって画素の電荷保存
能力を向上させるための維持容量を形成する維持蓄電器
を形成するためのものである。
【００７４】ゲート配線２２、２４、２５及び共通配線
２３、２１、２９上には窒化ケイ素（ＳｉＮx）などか
らなるゲート絶縁膜３０が形成されてゲート配線２２、
２４、２５及び維持配線２１、２３、２９を覆ってい
る。
【００７５】ゲート絶縁膜３０上には水素化非晶質シリ
コン（hydrogenated amorphous silicon）などの半導体
からなる半導体パターン４０が形成されており、半導体
パターン４０上には燐（Ｐ）などのｎ型不純物で高濃度
でドーピングされている非晶質ケイ素などからなる抵抗
性接触層（ohmic contact layer）パターンまたは中間
層パターン５５、５６が形成されている。ここで、半導
体層４０は後述するデータ線６２に沿って縦方向に形成
されており、データ線６２とゲート線２２とが交差する
部分には他の部分より広く形成されることによりデータ
線６２の断線を最少化する。
【００７６】接触層パターン５５、５６上には薄膜トラ
ンジスタのソース及びドレーン電極６５、６６が各々形
成されており、ゲート絶縁膜３０の上部にはソース電極
６５と連結されており、ゲート線２２と交差して画素を
定義するデータ線６２が縦方向に形成されている。デー
タ配線６２、６５、６６はデータ線６２の一端部に連結
され外部からの画像信号の印加を受けるデータパッド６
４を含む。また、ゲート絶縁膜３０の上部には横方向に
のびて共通電極線２３、２９と重なって維持容量を形成
する画素電極線６３、６９と画素電極線６３、６９と連
結されており共通電極２１と液晶分子を駆動するために
基板１０にほぼ平行な電気場を形成する画素電極６１と
を含む画素配線が形成されており、画素配線６１、６
３、６９はドレーン電極６６と電気的に連結されてい
る。また、ゲート絶縁膜３０の上部にはデータ配線６
２、６４、６５、６６と同一の層で両端が互いに隣接す
る画素行の隣接した共通電極線２３、２９と重複する修
理用補助線６８が縦方向に形成されている。前述のよう
に維持配線連結部８４（図１参照）もデータ配線６２、
６４、６５、６６と同一の層でゲート絶縁膜３０の上部
に形成されることができる。
【００７７】データ配線６２、６４、６５、６６と修理
用補助線６８及びこれらによって覆われない半導体パタ
ーン４０の上には保護膜７２が形成されており、保護膜
７２はゲート絶縁膜３０と共に共通電極線２３、２９を
各々露出させる接触孔７４、ゲートパッド２５及びデー
タパッド６４を露出させる接触孔７５、７８及びデータ
線６２を露出させる接触孔７６を有している。
【００７８】保護膜７２上には接触孔７６を通じてデー
タ線６２と連結されると共に重なっている補助データ線
８０及び接触孔７８を通じてデータパッド６４と連結さ
れている補助データパッド８８を含む補助データ配線が
金属のような導電物質で形成されている。また、保護膜
７２上には接触孔７５を通じてゲートパッド２５と連結
されている補助ゲート電極８５が形成されており、接触
孔７４を通じて互いに隣接する画素の維持配線２１、２
３、２９を電気的及び物理的に連結する共通配線連結部
８４が形成されている。ここで、補助データ配線８０、
８８及び補助ゲートパッド８５はパッド部の信頼性を向
上させるためにＩＴＯまたはＩＺＯなどのような導電物
質で形成することもできる。
【００７９】このような本発明の第２実施例による液晶
表示装置用薄膜トランジスタ基板の製造方法の大部分は
第１実施例による製造方法と同様である。
【００８０】しかし、共通配線２１、２３、２９はゲー
ト配線２２、２４、２５と共に形成し、画素配線６１、
６３、６９はデータ配線６２、６４、６５、６６と共に
形成、保護膜７２の上部に補助データ配線８０、８５、
８８を形成する。
【００８１】図９は本発明の第２実施例による液晶表示
装置用薄膜トランジスタ基板の構造を示した回路図であ
る。
【００８２】図９に示されているように、大部分の構造
は図６と同一である。しかし、維持蓄電器（Ｃst）及び
液晶蓄電器（ＣLC）の両端者が画素配線６３、６９と共
通配線２３、２９に連結されている。
【００８３】
【発明の効果】本発明の実施例のように、維持配線連結
部を通じて互いに隣接する画素の維持配線を連結するこ
とによって維持電圧の信号歪曲を最小化することがで
き、クロストーク及びフリッカー不良を最小化すること
ができる。また、維持配線連結部または修理用補助線を
設けることによってゲート線またはデータ線の断線不良
を修理することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施例による液晶表示装置用薄膜トラ
ンジスタの構造を概略的に示した配線図である。
【図２】本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄膜
トランジスタ基板の構造を具体的に示した配置図であ
る。
【図３】図２でIII−III´線に沿って切断して示した断
面図である。
【図４】本発明の実施例による液晶表示装置用薄膜トラ
ンジスタ基板の一つの製造方法をその工程順序によって
示した断面図である。
【図５】本発明の実施例による液晶表示装置用薄膜トラ
ンジスタ基板の一つの製造方法をその工程順序によって
示した断面図である。
【図６】本発明の実施例による液晶表示装置用薄膜トラ
ンジスタ基板の一つの製造方法をその工程順序によって
示した断面図である。
【図７】本発明の実施例による液晶表示装置用薄膜トラ
ンジスタ基板の一つの製造方法をその工程順序によって
示した断面図である。
【図８】本発明の実施例による液晶表示装置用薄膜トラ
ンジスタ基板の他の製造方法をその工程順序によって示
した断面図である。
【図９】本発明の実施例による液晶表示装置用薄膜トラ
ンジスタ基板の他の製造方法をその工程順序によって示
した断面図である。
【図１０】本発明の実施例による液晶表示装置用薄膜ト
ランジスタ基板の他の製造方法をその工程順序によって
示した断面図である。
【図１１】本発明の実施例による液晶表示装置用薄膜ト
ランジスタ基板の他の製造方法をその工程順序によって
示した断面図である。
【図１２】本発明の実施例による液晶表示装置用薄膜ト
ランジスタ基板の他の製造方法をその工程順序によって
示した断面図である。
【図１３】本発明の実施例による液晶表示装置用薄膜ト
ランジスタ基板の他の製造方法をその工程順序によって
示した断面図である。
【図１４】本発明の実施例による液晶表示装置用薄膜ト
ランジスタ基板の他の製造方法をその工程順序によって
示した断面図である。
【図１５】本発明の第１実施例による液晶表示装置用薄
膜トランジスタ基板の構造を示した回路図である。
【図１６】本発明の第２実施例による液晶表示装置用薄
膜トランジスタ基板の構造を具体的に示した配置図であ
る。
【図１７】図７でXVII−XVII´線に沿って切断して示し
た断面図である。
【図１８】本発明の第２実施例による液晶表示装置用薄
膜トランジスタ基板の構造を示した回路図である。
【符号の説明】
１０ 絶縁基板 ２２ ゲート線 ２４ ゲート電極 ２６、２８ 維持電極線 ２７ 維持電極 ３０ ゲート絶縁膜 ４０ 半導体パターン ５５、５６ 中間層パターン ６２ データ線 ６５ ソース電極 ６６ ドレーン電極 ６８ 修理用補助線 ７１、７４ 接触孔 ７２ 保護膜 ８２ 画素電極 ８４ 維持配線連結部

Claims (11)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】行方向に形成されているゲート線を含むゲ
    ート配線と、 前記ゲート配線と絶縁されて交差し、列方向に形成され
    ているデータ線を含むデータ配線と、 前記ゲート線及び前記データ線の交差で定義される行列
    形態の画素に形成されており、前記データ線から画像信
    号の伝達を受ける画素電極と、 前記画素電極と重なって維持容量を形成し、維持電極線
    及び前記維持電極線に連結されている維持電極を含む維
    持配線と、 互いに隣接した前記画素の前記維持配線を電気的に連結
    する維持配線連結部と、を含む液晶表示装置用薄膜トラ
    ンジスタ基板。
  2. 【請求項２】両端が互いに隣接した画素の前記維持配線
    と重なっている修理用補助線をさらに含む請求項１に記
    載の液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
  3. 【請求項３】前記維持配線連結部は、前記画素電極と同
    一層に形成されている請求項２に記載の液晶表示装置用
    薄膜トランジスタ基板。
  4. 【請求項４】前記修理用補助線は、前記データ配線と同
    一層に形成されている請求項２に記載の液晶表示装置用
    薄膜トランジスタ基板。
  5. 【請求項５】前記維持配線と前記ゲート配線は同一な層
    で形成されている請求項１に記載の液晶表示装置用薄膜
    トランジスタ基板。
  6. 【請求項６】前記維持配線は、前記画素電極の端部と重
    なっている請求項１に記載の液晶表示装置用薄膜トラン
    ジスタ基板。
  7. 【請求項７】前記画素電極は角部が液晶分子を分割配向
    するために曲線化された四角形が数個連結されている形
    態または四角形またはのこぎり模様の多様な形態の開口
    部パターンを有する請求項１に記載の液晶表示装置用薄
    膜トランジスタ基板。
  8. 【請求項８】基板と、 前記基板の上に形成されており、横方向にのびて走査信
    号を伝えるゲート線と前記ゲート線に連結されているゲ
    ート電極を含むゲート配線と、 前記基板の上に形成されており、横方向にのびている維
    持電極線及び前記維持電極線に連結されている維持電極
    を含む維持配線と、 前記ゲート配線及び前記維持配線を覆っているゲート絶
    縁膜と、 前記ゲート絶縁膜上に形成されており、半導体からなる
    半導体層と、 前記ゲート絶縁膜の上部に形成されていて縦方向にのび
    て前記ゲート線と行列形態の画素を定義するデータ線、
    前記データ線に連結されていて前記半導体層の上部に形
    成されているソース電極、前記ソース電極と分離されて
    前記半導体層上に形成されており、前記ゲート電極を中
    心に前記ソース電極と対向するドレーン電極を含むデー
    タ配線と、 前記半導体層を覆っている保護膜と、 前記画素に前記ドレーン電極と連結されて形成されてお
    り、前記維持配線と重なって維持容量を形成する画素電
    極と、 少なくとも隣接した前記画素の前記維持配線は互いに電
    気的に連結する維持配線連結呼部と、を含む液晶表示装
    置用薄膜トランジスタ基板。
  9. 【請求項９】前記維持配線連結部と前記画素電極は、同
    一層に形成されている請求項８に記載の液晶表示装置用
    薄膜トランジスタ基板。
  10. 【請求項１０】前記維持配線連結部と前記画素電極は、
    前記保護膜上部に形成されている請求項９に記載の液晶
    表示装置用薄膜トランジスタ基板。
  11. 【請求項１１】前記データ配線と同一な層に形成されて
    おり、両端が互いに隣接した前記画素行の前記維持配線
    に重複する修理用補助線をさらに含む請求項８に記載の
    液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板。
JP2000338138A 1999-11-05 2000-11-06 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板 Expired - Lifetime JP4897995B2 (ja)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1999-48842 1999-11-05
KR19990048842 1999-11-05
KR1020000057036A KR100729783B1 (ko) 1999-11-05 2000-09-28 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판
KR2000-57036 2000-09-28

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2001194688A true JP2001194688A (ja) 2001-07-19
JP4897995B2 JP4897995B2 (ja) 2012-03-14

Family

ID=26636282

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2000338138A Expired - Lifetime JP4897995B2 (ja) 1999-11-05 2000-11-06 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板

Country Status (3)

Country Link
US (3) US6403980B1 (ja)
JP (1) JP4897995B2 (ja)
CN (1) CN1163964C (ja)

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002214631A (ja) * 2000-12-07 2002-07-31 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示パネルとこれを含む液晶表示装置及びその駆動方法
JP2003046090A (ja) * 2001-07-21 2003-02-14 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示パネル用基板及びその製造方法
JP2004145266A (ja) * 2002-07-11 2004-05-20 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタ表示板
JP2005115387A (ja) * 2003-10-08 2005-04-28 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタ表示板
JP2007017619A (ja) * 2005-07-06 2007-01-25 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JP2008009433A (ja) * 2006-06-27 2008-01-17 Samsung Electronics Co Ltd 表示基板及びこれを有する表示パネル
JP2008116912A (ja) * 2006-11-03 2008-05-22 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置及びその不良画素修復方法
US7700948B2 (en) 2002-08-01 2010-04-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel with common bars of different widths
US7847892B2 (en) 2001-10-25 2010-12-07 Lg Display Co., Ltd. Array panel for liquid crystal display device with light shielding and method of manufacturing the same
JP2011100170A (ja) * 2011-02-25 2011-05-19 Hitachi Displays Ltd 表示装置
US8253668B2 (en) 2008-09-05 2012-08-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display
WO2015064477A1 (ja) * 2013-10-30 2015-05-07 堺ディスプレイプロダクト株式会社 表示パネル
JP2021047458A (ja) * 2006-06-02 2021-03-25 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
US11960174B2 (en) 2006-06-02 2024-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic appliance

Families Citing this family (64)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW413949B (en) * 1998-12-12 2000-12-01 Samsung Electronics Co Ltd Thin film transistor array panels for liquid crystal displays and methods of manufacturing the same
US6441401B1 (en) * 1999-03-19 2002-08-27 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel for liquid crystal display and method for repairing the same
JP3916349B2 (ja) 1999-06-15 2007-05-16 株式会社アドバンスト・ディスプレイ 液晶表示装置
JP2001053283A (ja) 1999-08-12 2001-02-23 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体装置及びその作製方法
US6403980B1 (en) * 1999-11-05 2002-06-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel for liquid crystal display
KR100658978B1 (ko) * 2000-02-21 2006-12-18 엘지.필립스 엘시디 주식회사 엑스레이 디텍터용 어레이기판 제조방법
KR100720095B1 (ko) * 2000-11-07 2007-05-18 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR100364836B1 (ko) * 2001-02-09 2002-12-16 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자
KR100685946B1 (ko) * 2001-03-02 2007-02-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정 디스플레이 패널 및 그 제조방법
JP3884625B2 (ja) * 2001-03-14 2007-02-21 シャープ株式会社 液晶表示装置及びその欠陥修復方法
US20020190942A1 (en) * 2001-06-06 2002-12-19 Lee Yu-Tuan Driving method for thin film transistor liquid crystal display
TW513593B (en) * 2001-10-03 2002-12-11 Chunghwa Picture Tubes Ltd Liquid display device
KR100493435B1 (ko) * 2001-12-20 2005-06-07 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자 및 그 제조방법
TW594193B (en) * 2002-02-06 2004-06-21 Au Optronics Corp Pixel structure and method for repairing the same
KR100507282B1 (ko) * 2002-02-20 2005-08-09 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 수직배향 모드 액정표시장치
KR20030094452A (ko) * 2002-06-04 2003-12-12 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 어레이 기판
TWI282625B (en) * 2002-08-01 2007-06-11 Au Optronics Corp Method of forming a thin film transistor liquid crystal display
US7298355B2 (en) * 2002-12-27 2007-11-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device
KR100935671B1 (ko) * 2003-03-13 2010-01-07 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 그의 제조 방법
US6972819B2 (en) * 2003-04-17 2005-12-06 Hannstar Display Corporation Method of manufacturing IPS-LCD using 4-mask process
US7714820B2 (en) 2003-06-27 2010-05-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Contact structure of conductive films and thin film transistor array panel including the same
CN1301426C (zh) * 2003-08-19 2007-02-21 友达光电股份有限公司 窄边框设计的液晶显示面板及其制作方法
US7084014B2 (en) * 2003-10-07 2006-08-01 Endicott Interconnect Technologies, Inc. Method of making circuitized substrate
KR20050060963A (ko) * 2003-12-17 2005-06-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법
KR20050063016A (ko) * 2003-12-19 2005-06-28 삼성전자주식회사 다중 도메인 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는액정 표시 장치
KR101052960B1 (ko) * 2004-04-29 2011-07-29 엘지디스플레이 주식회사 반투과형 폴리실리콘 액정표시소자 제조방법
KR101002347B1 (ko) * 2004-06-24 2010-12-21 엘지디스플레이 주식회사 수평 전계 인가형 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조 방법
KR101126396B1 (ko) * 2004-06-25 2012-03-28 엘지디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조방법
US20060054889A1 (en) * 2004-09-16 2006-03-16 Jang-Soo Kim Thin film transistor array panel
KR101090253B1 (ko) * 2004-10-06 2011-12-06 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 이를 포함하는 액정 표시 장치
KR100654569B1 (ko) * 2004-12-30 2006-12-05 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 그 제조 방법
KR100647690B1 (ko) * 2005-04-22 2006-11-23 삼성에스디아이 주식회사 박막 트랜지스터 및 이를 구비한 평판 디스플레이 장치
US20060289411A1 (en) * 2005-06-24 2006-12-28 New Wave Research Laser system with multiple operating modes and work station using same
TWI260693B (en) * 2005-08-10 2006-08-21 Chunghwa Picture Tubes Ltd Thin film transistor array substrate and method for repairing the same
KR101171056B1 (ko) 2005-08-16 2012-08-03 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
US7265386B2 (en) * 2005-08-29 2007-09-04 Chunghwa Picture Tubes, Ltd. Thin film transistor array substrate and method for repairing the same
KR20070031620A (ko) 2005-09-15 2007-03-20 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
CN100465747C (zh) * 2005-09-30 2009-03-04 乐金显示有限公司 液晶显示器件及其制造方法
EP2270583B1 (en) 2005-12-05 2017-05-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Transflective Liquid Crystal Display with a Horizontal Electric Field Configuration
KR101204365B1 (ko) * 2006-01-16 2012-11-26 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 패널 및 그 제조 방법
KR101212067B1 (ko) * 2006-02-06 2012-12-13 삼성디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 이의 제조방법
KR20070082644A (ko) * 2006-02-17 2007-08-22 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판 및 표시 장치
KR20080009889A (ko) * 2006-07-25 2008-01-30 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
TWM317990U (en) * 2007-03-13 2007-09-01 Dosun Solar Technology Co Ltd Structure of bicycle pedal having function of illumination
CN101382679B (zh) * 2007-09-07 2012-02-08 群康科技(深圳)有限公司 液晶显示面板
TWI331247B (en) * 2007-12-13 2010-10-01 Au Optronics Corp Pixel sturctur and repairing method thereof
CN101493617B (zh) * 2008-01-25 2010-11-10 北京京东方光电科技有限公司 薄膜晶体管液晶显示器的驱动装置
CN101515587B (zh) * 2008-02-21 2010-08-25 北京京东方光电科技有限公司 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
TWI387824B (zh) * 2008-08-13 2013-03-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd 液晶顯示器面板
TWI381232B (zh) 2009-02-06 2013-01-01 Au Optronics Corp 平面顯示面板及其線路修補方法
TWI400521B (zh) * 2009-11-20 2013-07-01 Chunghwa Picture Tubes Ltd 修補結構以及主動元件陣列基板
KR101225444B1 (ko) * 2009-12-08 2013-01-22 엘지디스플레이 주식회사 액정표시장치 및 그의 제조방법과 그의 리페어 방법
TWI401518B (zh) * 2010-06-29 2013-07-11 Au Optronics Corp 畫素陣列
US9761613B2 (en) 2010-12-22 2017-09-12 Beijing Boe Optoelectronics Technology Co., Ltd. TFT array substrate and manufacturing method thereof
CN102566166A (zh) * 2010-12-22 2012-07-11 北京京东方光电科技有限公司 一种双栅的tft基板及其制造方法
KR101335527B1 (ko) * 2012-02-23 2013-12-02 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조 방법
CN103383925B (zh) * 2013-07-02 2015-06-03 京东方科技集团股份有限公司 显示设备、裸眼3d功能面板的信号基板及其制造方法
CN204065627U (zh) * 2014-08-05 2014-12-31 京东方科技集团股份有限公司 一种基板和显示装置
CN104460162B (zh) * 2014-12-30 2017-06-09 京东方科技集团股份有限公司 一种阵列基板及其驱动方法、显示装置
US10261375B2 (en) * 2014-12-30 2019-04-16 Boe Technology Group Co., Ltd. Array substrate, driving method thereof and display apparatus
JP6512834B2 (ja) * 2015-01-19 2019-05-15 三菱電機株式会社 表示装置、および表示装置を製造するための表示装置用部材
KR102381288B1 (ko) * 2015-03-04 2022-03-31 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN104932128B (zh) * 2015-07-14 2020-11-24 合肥鑫晟光电科技有限公司 一种阵列基板、显示装置、维修方法及制作方法
KR20200023562A (ko) * 2018-08-23 2020-03-05 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그 리페어 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06294975A (ja) * 1993-03-04 1994-10-21 Samsung Electron Co Ltd マトリックス表示装置
JPH06301059A (ja) * 1993-03-04 1994-10-28 Samsung Electron Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
JPH09160075A (ja) * 1995-12-08 1997-06-20 Casio Comput Co Ltd 液晶表示素子
JPH09311642A (ja) * 1995-11-01 1997-12-02 Samsung Electron Co Ltd 行列型表示装置、データ線の断線修理方法及び液晶表示装置の画素欠陥修理方法

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100303134B1 (ko) * 1995-05-09 2002-11-23 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자및그제조방법.
US6066860A (en) * 1997-12-25 2000-05-23 Seiko Epson Corporation Substrate for electro-optical apparatus, electro-optical apparatus, method for driving electro-optical apparatus, electronic device and projection display device
US6287899B1 (en) * 1998-12-31 2001-09-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panels for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same
US6403980B1 (en) * 1999-11-05 2002-06-11 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel for liquid crystal display

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH06294975A (ja) * 1993-03-04 1994-10-21 Samsung Electron Co Ltd マトリックス表示装置
JPH06301059A (ja) * 1993-03-04 1994-10-28 Samsung Electron Co Ltd 液晶表示装置及びその製造方法
JPH09311642A (ja) * 1995-11-01 1997-12-02 Samsung Electron Co Ltd 行列型表示装置、データ線の断線修理方法及び液晶表示装置の画素欠陥修理方法
JPH09160075A (ja) * 1995-12-08 1997-06-20 Casio Comput Co Ltd 液晶表示素子

Cited By (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002214631A (ja) * 2000-12-07 2002-07-31 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示パネルとこれを含む液晶表示装置及びその駆動方法
JP2003046090A (ja) * 2001-07-21 2003-02-14 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示パネル用基板及びその製造方法
US7847892B2 (en) 2001-10-25 2010-12-07 Lg Display Co., Ltd. Array panel for liquid crystal display device with light shielding and method of manufacturing the same
JP4657587B2 (ja) * 2002-07-11 2011-03-23 三星電子株式会社 薄膜トランジスタ表示板
JP2004145266A (ja) * 2002-07-11 2004-05-20 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタ表示板
US7700948B2 (en) 2002-08-01 2010-04-20 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel with common bars of different widths
US7910927B2 (en) 2002-08-01 2011-03-22 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel with common bars of different widths
JP2005115387A (ja) * 2003-10-08 2005-04-28 Samsung Electronics Co Ltd 薄膜トランジスタ表示板
KR101100874B1 (ko) * 2003-10-08 2012-01-02 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판
JP4731869B2 (ja) * 2003-10-08 2011-07-27 サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド 薄膜トランジスタ表示板
US9703161B2 (en) 2005-07-06 2017-07-11 Japan Display Inc. Display device
US10551706B2 (en) 2005-07-06 2020-02-04 Japan Display Inc. Display device
JP4717533B2 (ja) * 2005-07-06 2011-07-06 株式会社 日立ディスプレイズ 表示装置
US10942407B2 (en) 2005-07-06 2021-03-09 Japan Display Inc. Display device
US8031299B2 (en) 2005-07-06 2011-10-04 Hitachi Displays, Ltd. Display device
US10254611B2 (en) 2005-07-06 2019-04-09 Japan Display Inc. Display device
JP2007017619A (ja) * 2005-07-06 2007-01-25 Hitachi Displays Ltd 表示装置
US9052559B2 (en) 2005-07-06 2015-06-09 Japan Display Inc. Display device
US8432522B2 (en) 2005-07-06 2013-04-30 Hitachi Displays, Ltd. Display device
US11960174B2 (en) 2006-06-02 2024-04-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Liquid crystal display device and electronic appliance
JP7223890B2 (ja) 2006-06-02 2023-02-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP7136878B2 (ja) 2006-06-02 2022-09-13 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP2022048357A (ja) * 2006-06-02 2022-03-25 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置
JP2021047458A (ja) * 2006-06-02 2021-03-25 株式会社半導体エネルギー研究所 液晶表示装置
JP2008009433A (ja) * 2006-06-27 2008-01-17 Samsung Electronics Co Ltd 表示基板及びこれを有する表示パネル
JP2013020261A (ja) * 2006-11-03 2013-01-31 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置及びその不良画素修復方法
US9268187B2 (en) 2006-11-03 2016-02-23 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of repairing bad pixels therein
JP2008116912A (ja) * 2006-11-03 2008-05-22 Samsung Electronics Co Ltd 液晶表示装置及びその不良画素修復方法
US9164344B2 (en) 2006-11-03 2015-10-20 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of repairing bad pixels therein
US8400609B2 (en) 2006-11-03 2013-03-19 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of repairing bad pixels therein
US8976331B2 (en) 2006-11-03 2015-03-10 Samsung Display Co., Ltd. Liquid crystal display device and method of repairing bad pixels therein
KR101306239B1 (ko) * 2006-11-03 2013-09-17 삼성디스플레이 주식회사 액정 표시 장치 및 그의 불량 화소 복구 방법
US8253668B2 (en) 2008-09-05 2012-08-28 Samsung Electronics Co., Ltd. Liquid crystal display
JP2011100170A (ja) * 2011-02-25 2011-05-19 Hitachi Displays Ltd 表示装置
JPWO2015064477A1 (ja) * 2013-10-30 2017-03-09 堺ディスプレイプロダクト株式会社 表示パネル
WO2015064477A1 (ja) * 2013-10-30 2015-05-07 堺ディスプレイプロダクト株式会社 表示パネル

Also Published As

Publication number Publication date
CN1304055A (zh) 2001-07-18
JP4897995B2 (ja) 2012-03-14
US20030201438A1 (en) 2003-10-30
US6403980B1 (en) 2002-06-11
US6573532B2 (en) 2003-06-03
US6809335B2 (en) 2004-10-26
US20020097349A1 (en) 2002-07-25
CN1163964C (zh) 2004-08-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4897995B2 (ja) 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板
JP4761600B2 (ja) 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
US7009206B2 (en) Thin film transistor array panel and liquid crystal display including the panel
JP4343510B2 (ja) 液晶表示装置、液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
US7517620B2 (en) Method for fabricating array substrate having color filter on thin film transistor structure for liquid crystal display device
JP4657587B2 (ja) 薄膜トランジスタ表示板
KR100905470B1 (ko) 박막 트랜지스터 어레이 기판
JP2004088113A (ja) 薄膜トランジスタアレイ基板及びその製造方法
JP2004109248A (ja) 液晶表示装置及びその製造方法
US20070091220A1 (en) Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
JPH08201853A (ja) 電極基板および平面表示装置
JP2001324727A (ja) 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
JP2000162647A (ja) 液晶表示装置用薄膜トランジスタ基板及びその製造方法
KR101090246B1 (ko) 박막 트랜지스터 표시판
US20060131582A1 (en) Thin film transistor array panel and manufacturing method thereof
KR100729783B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판
KR100848108B1 (ko) 액정 표시 장치, 그의 박막 트랜지스터 기판 및 그 제조방법
JPH11295760A (ja) 表示装置用アレイ基板及びその製造方法
KR20000031004A (ko) 평면 구동 방식의 액정 표시 장치
KR100338009B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판 및 제조 방법
KR100234891B1 (ko) 액정표시장치 및 그 제조방법
KR100956342B1 (ko) 박막 트랜지스터 기판
KR100940568B1 (ko) 액정 표시 장치, 이에 사용되는 박막 트랜지스터 표시판
JP2002108245A (ja) マトリクスアレイ基板
KR100656904B1 (ko) 액정 표시 장치용 박막 트랜지스터 기판

Legal Events

Date Code Title Description
RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423

Effective date: 20070611

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20070612

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20071101

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20100727

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20101027

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20101124

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20110222

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20110802

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20111102

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20111213

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20111226

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4897995

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150106

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150106

Year of fee payment: 3

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150106

Year of fee payment: 3

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term