TWI822041B - 電子裝置 - Google Patents

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Abstract

本揭露提供一種電子裝置，包括基板、第一半導體元件以及第一保護結構。第一半導體元件設置於基板上且電性連接基板。第一半導體元件具有遠離基板的第一表面。第一保護結構覆蓋至少部分的第一表面。

Description

電子裝置
本發明是有關於一種電子裝置，且特別是有關於一種具有較佳結構可靠度的電子裝置。
當現有技術中的微電子元件（例如是積體電路 (Integrated Circuit)或發光二極體(micro LED)等）以玻璃為載體時，在將微電子元件切割時，或是，將微電子元件接合至基板(或電路板)時的應力或撞擊力等，皆可使載體或其上的電路膜層在切割邊或角落處產生裂縫（crack），進而影響到產品的品質及結構可靠度。
本發明的電子裝置包括基板、第一半導體元件以及第一保護結構。第一半導體元件設置於基板上且電性連接基板。第一半導體元件具有遠離基板的第一表面。第一保護結構覆蓋至少部分的第一表面。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
以下針對本揭露實施例的電子裝置作詳細說明。應瞭解的是，以下之敘述提供許多不同的實施例，用以實施本揭露一些實施例之不同態樣。以下所述特定的元件及排列方式僅為簡單清楚描述本揭露一些實施例。當然，這些僅用以舉例而非本揭露之限定。此外，在不同實施例中可能使用類似及/或對應的標號標示類似及/或對應的元件，以清楚描述本揭露。然而，這些類似及/或對應的標號的使用僅為了簡單清楚地敘述本揭露一些實施例，不代表所討論之不同實施例及/或結構之間具有任何關連性。
應理解的是，實施例中可能使用相對性用語，例如「較低」或「底部」或「較高」或「頂部」，以描述圖式的一個元件對於另一元件的相對關係。可理解的是，如果將圖式的裝置翻轉使其上下顛倒，則所敘述在「較低」側的元件將會成為在「較高」側的元件。本揭露實施例可配合圖式一併理解，本揭露之圖式亦被視為揭露說明之一部分。應理解的是，本揭露之圖式並未按照比例繪製，事實上，可能任意的放大或縮小元件的尺寸以便清楚表現出本揭露的特徵。
再者，當述及一第一材料層位於一第二材料層上或之上時，可能包含第一材料層與第二材料層直接接觸之情形或第一材料層與第二材料層之間可能不直接接觸，亦即第一材料層與第二材料層之間可能間隔有一或更多其他材料層之情形。但若第一材料層直接位於第二材料層上時，即表示第一材料層與第二材料層直接接觸之情形。
此外，應理解的是，說明書與權利要求書中所使用的序數例如「第一」、「第二」等之用詞用以修飾元件，其本身並不意涵及代表該(或該些)元件有任何之前的序數，也不代表某一元件與另一元件的順序、或是製造方法上的順序，該些序數的使用僅用來使具有某命名的元件得以和另一具有相同命名的元件能作出清楚區分。權利要求書與說明書中可不使用相同用詞，例如，說明書中的第一元件在權利要求中可能為第二元件。
在本揭露一些實施例中，關於接合、連接之用語例如「連接」、「互連」等，除非特別定義，否則可指兩個結構系直接接觸，或者亦可指兩個結構並非直接接觸，其中有其他結構設於此兩個結構之間。且此關於接合、連接之用語亦可包含兩個結構都可移動，或者兩個結構都固定之情況。此外，用語「電性連接」或「電性耦接」包含任何直接及間接的電性連接手段。
于文中，「約」、「實質上」之用語通常表示在一給定值或範圍的10%內、或5%內、或3%之內、或2%之內、或1%之內、或0.5%之內。在此給定的數量為大約的數量，亦即在沒有特定說明「約」、「實質上」的情況下，仍可隱含「約」、「實質上」之含義。用語「範圍介於第一數值至第二數值之間」表示所述範圍包含第一數值、第二數值以及它們之間的其他數值。再者，任兩個用來比較的數值或方向，可存在著一定的誤差。若第一數值等於第二數值，其隱含著第一數值與第二數值之間可存在著約10%的誤差；若第一方向垂直於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於80度至100度之間；若第一方向平行於第二方向，則第一方向與第二方向之間的角度可介於0度至10度之間。
本揭露通篇說明書與後附的權利要求書中會使用某些詞匯來指稱特定元件。本領域技術人員應理解，電子設備製造商可能會以不同的名稱來指稱相同的元件。本文並不意在區分那些功能相同但名稱不同的元件。在下文說明書與申請專利範圍中，「包括」、「含有」、「具有」等詞為開放式詞語，因此其應被解釋為「含有但不限定為…」之意。因此，當本揭露的描述中使用術語「包括」、「含有」及/或「具有」時，其指定了相應的特徵、區域、步驟、操作及/或元件的存在，但不排除一個或多個相應的特徵、區域、步驟、操作及/或元件的存在。
應理解的是，以下所舉實施例可以在不脫離本揭露的精神下，可將數個不同實施例中的特徵進行替換、重組、結合以完成其他實施例。各實施例間特徵只要不違背發明精神或相衝突，均可任意結合搭配使用。
此外，本揭露所揭示的電子裝置可包含顯示裝置、背光裝置、天線裝置、感測裝置、拼接裝置、觸控電子裝置(touch display)、曲面電子裝置(curved display)或非矩形電子裝置(free shape display)，但不以此為限。電子裝置可例如包含液晶(liquid crystal)、發光二極體(light emitting diode)、螢光(fluorescence)、磷光(phosphor)、其它合適的顯示介質、或前述之組合，但不以此為限。顯示裝置可為非自發光型顯示裝置或自發光型顯示裝置。天線裝置可為液晶型態的天線裝置或非液晶型態的天線裝置，感測裝置可為感測電容、光線、熱能或超聲波的感測裝置，但不以此為限。電子元件可包括被動元件與主動元件，例如電容、電阻、電感、二極體、電晶體等。二極體可包括發光二極體(light emitting diode，LED)或光電二極體(photodiode)。發光二極體可例如包括有機發光二極體(organic light emitting diode，OLED)、次毫米發光二極體(mini LED)、微發光二極體(micro LED)或量子點發光二極體(quantum dot LED)，但不以此為限。拼接裝置可例如是顯示器拼接裝置或天線拼接裝置，但不以此為限。需注意的是，電子裝置可為前述之任意排列組合，但不以此為限。此外，電子裝置可為可彎折或可撓式電子裝置。需注意的是，電子裝置可為前述之任意排列組合，但不以此為限。此外，電子裝置的外形可為矩形、圓形、多邊形、具有彎曲邊緣的形狀或其他適合的形狀。電子裝置可以具有驅動系統、控制系統、光源系統、層架系統…等周邊系統以支援顯示裝置、天線裝置或拼接裝置。為方便說明，下文將以電子裝置為背光裝置的態樣進行說明，但本揭露不以此為限。
除非另外定義，在此使用的全部用語(包含技術及科學用語)具有與本揭露所屬技術領域的技術人員通常理解的相同涵義。能理解的是，這些用語例如在通常使用的字典中定義用語，應被解讀成具有與相關技術及本揭露的背景或上下文一致的意思，而不應以一理想化或過度正式的方式解讀，除非在本揭露實施例有特別定義。
現將詳細地參考本揭露的示範性實施例，示範性實施例的實例說明於附圖中。只要有可能，相同元件符號在圖式和描述中用來表示相同或相似部分。
圖1A是本揭露的一實施例的一種電子裝置的示意圖。圖1B是圖1A的電子裝置的第一半導體元件的俯視示意圖。圖1C是沿圖1B的線I-I的剖面示意圖。為了方便說明，圖1B是以透視的方式進行繪示，並省略部分構件。
請先參考圖1A，在本實施例中，電子裝置100a包括基板110、第一半導體元件122a、第一半導體元件124a以及第一保護結構(例如第一保護結構132a及第一保護結構134a)。第一半導體元件122a及第一半導體元件124a設置於基板110上且電性連接基板110。第一半導體元件122a具有遠離基板110的第一表面S11，而第一半導體元件124a具有遠離基板110的第一表面S12。第一保護結構130a覆蓋至少部分的第一表面S11及第一表面S12。
在一些實施例中，電子裝置100a例如是背光模塊，基板110例如是電路板，但不以此為限。在一些實施例中，基板110可包括基底113及線路層115，基底113上可設置線路層115。在一些實施例中，第一半導體元件122a與第一半導體元件124a可分別位於基板110的相對兩側，即第一半導體元件122a與第一半導體元件124a位於基板110的不同側。第一半導體元件122a可通過貫穿基底113的導電通孔117與線路層115電性連接，但不限於此。第一半導體元件124a設置於線路層115上並與線路層115電性連接。如圖1A與圖1C所示，第一保護結構132a可設置於基板110之鄰近第一半導體元件122a的一面上，而第一保護結構134a可設置於基板110之鄰近第一半導體元件124a的一面上。在一些實施例中，第一保護結構134a可包覆第一半導體元件124a。第一保護結構(例如第一保護結構132a及第一保護結構134a)的材質例如包括矽膠（Silicone）、亞克力（Acrylic）、聚氨酯（Urethane）或環氧樹脂（Epoxy），第一保護結構(例如第一保護結構132a及第一保護結構134a)可通過塗布（coating）、噴塗（jetting）、點膠（dispensing）、印刷（printing）或其他適當的方式來提供第一保護結構130a，但不以此為限。
請同時參考圖1B與圖1C，本實施例的第一半導體元件122a可例如是積體電路或薄膜電晶體電路，第一半導體元件122a包括載板125a，而載板125a的材質可例如包括玻璃、聚醯亞胺、其他合適材料或上述之組合，但並不以此為限。再者，第一半導體元件122a可包括晶片本體127a及/或緩衝層129a，其中晶片本體127a可可設置於載板125a的一側面上，而緩衝層129a可鄰近或環繞晶片本體127a。在一些實施例中，第一半導體元件122a可包括多個接墊123a，設置於緩衝層129a(或載板125a)與基板110之間，第一半導體元件122a可通過接墊123a與基板110電性連接。接墊123a的材質例如包括任何合適的導電材料，例如錫、銅、金，但並不以此為限。
本實施例的電子裝置100a還包括材料層140，設置於基板110與第一半導體元件122a之間。材料層140可接觸第一保護結構132a。在一些實施例中，材料層140可重迭於晶片本體127a，材料層140可例如作為支撐件使用，但不限於此。換句話說，如圖1B所示，材料層140於基板110上的正投影重迭於第一半導體元件122a的晶片本體127a於基板110上的正投影。在一些實施例中，材料層140於基板110上的正投影與接墊123a於基板110上的正投影不重迭。在一些實施例中，接墊123a可環繞材料層140的四周。在一些實施例中，材料層140的材質例如包括非導電膠材，如環氧樹脂（Epoxy），但並不以此為限。第一保護結構132a可設置於基板110與第一半導體元件122a之間。本實施例的電子裝置100a還可包括隔牆結構150，環繞第一保護結構132a。此處，隔牆結構150可例如用以限制第一保護結構132a的流動方向及/或用量。在一些實施例中，隔牆結構150的材質包括油墨，但不以此為限。在一些實施例中，第一保護結構132a例如包括底膠（underfill），但並不以此為限。
請再參考圖1A，在本實施例中，電子裝置100a還可包括第二半導體元件126a，鄰近第一半導體元件124a，第二半導體元件126a具有遠離基板110的第二表面S13，且第一保護結構130a可覆蓋至少部分的第二表面S13。本實施例的電子裝置100a還可包括第三半導體元件128a，鄰近第二半導體元件126a，第三半導體元件128a具有遠離基板110的第三表面S14，且第一保護結構130a覆蓋至少部分的第三表面S14。在一些實施例中，第一保護結構134a可例如覆蓋第一半導體元件124a、第二半導體元件126a及/或第三半導體元件128a。第一保護結構134a例如包括擴散膜、擴散膠或混雜有擴散粒子的膜層或膠層，但並不以此為限。在一些實施例中，第一半導體元件124a、第二半導體元件126a及/或第三半導體元件128a可例如是發出相同色光的發光二極體或分別發出不同色光的發光二極體。在一些實施例中，第一半導體元件124a、第二半導體元件126a及/或第三半導體元件128a例如是以晶片(或裸晶)直接封裝（Chip on Board）的方式設置於基板110上，但並不以此為限。於一實施例中，當第一半導體元件124a、第二半導體元件126a及/或第三半導體元件128a分別例如為藍光發光二極體、綠光發光二極體、紅光發光二極體時，三者可視為一個發光單元，但並不以此為限。在一些實施例中，第一半導體元件122a可通過導電通孔117及線路層115來控制該些第一半導體元件124a、第二半導體元件126a及/或第三半導體元件128a。在一些實施例中，第一保護結構134a可用來增加出光效果。在一些實施例中，電子裝置100a還可包括光學膜片組 160，設置於第一保護結構134a上，可有效增加第一半導體元件124a、第二半導體元件126a及/ 或第三半導體元件128a的出光效率。
由於第一保護結構132a可覆蓋至少部分第一半導體元件122a遠離基板110的第一表面S11，而第一保護結構134a可覆蓋至少部分第一半導體元件124a遠離基板110的第一表面S12，可有效地降低于切割或接合程序時因應力或撞擊而在第一半導體元件122a及第一半導體元件124a上所產生的裂縫（crack）擴大。或者第一保護結構132a及第一保護結構134a可降低水氧侵蝕第一半導體元件122a及/或第一半導體元件124a，以提高第一半導體元件122a及/或第一半導體元件124a的品質。相似的，第一保護結構134a可更覆蓋至少部分第二半導體元件126a遠離基板110的第二表面S13，或更覆蓋至少部分第三半導體元件128a遠離基板110的第三表面S14，借此達到如上所述的優點。在一些實施例中，第一保護結構132g可位於第一半導體元件122a的多個接墊123a之間。
在此須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同的標號來表示相同或近似的元件，並省略相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，下述實施例不再重複贅述。
圖2是本揭露的另一實施例的一種電子裝置的示意圖。請同時參考圖1A與圖2，在本實施例中，電子裝置100b與圖1A的電子裝置100a相似，兩者的差異在於：在本實施例中，第一半導體元件122b、第一半導體元件124a、第二半導體元件126a、第三半導體元件128a可例如皆位於基板110的同一側。第一半導體元件122b可透過線路層115來控制該些第一半導體元件124a、第二半導體元件126a及/或第三半導體元件128a。第一保護結構130b覆蓋至少部分的第一半導體元件122b的第一表面S21，可有效降低於切割或接合程序時因應力或撞擊而在第一半導體元件122b上所產生的裂縫擴大，同時亦可降低水氧侵蝕第一半導體元件122b。另外，在一些實施例中(如圖2)，可選擇性省略或保留圖1A中的第一保護結構134a。
圖3是本揭露的另一實施例的一種第一半導體元件的剖面示意圖。請同時參考圖1C與圖3，兩者的差異在於：在本實施例的電子裝置100c中並未有圖1C的隔牆結構150。第一保護結構130c可設置於基板110與第一半導體元件122c之間。第一保護結構130c可覆蓋接墊123c、材料層140、載板125c的周圍表面及/或緩衝層129c的周圍表面，且延伸覆蓋至少部分的第一表面S31，可降低于切割或接合程序時因應力或撞擊而在第一半導體元件122c上所產生的裂縫擴大，同時亦可降低水氧侵蝕第一半導體元件122c。
圖4A是本揭露的另一實施例的一種電子裝置的側視示意圖。圖4B是圖4A的電子裝置的俯視示意圖。請同時參考圖1A、圖4A與圖4B，在本實施例中，電子裝置100d與圖1A的電子裝置100a相似，兩者的差異在於：在本實施例中，第一半導體元件124d與鄰近第一半導體元件124d的第二半導體元件126d是通過打線L的方式電性連接至基板110。也就是說，第一半導體元件124d與第二半導體元件126d可例如先透過附著件(例如膠)與基板110固定，之後透過打線L的方式與基板110電性連接。第一半導體元件124d與第二半導體元件126d可例如是積體電路或發光二極體，打線L的材質可例如是金或其他合適的金屬材料，但並不以此為限。第一保護結構130d可覆蓋至少部分的第一半導體元件124d的第一表面S41及/或第二半導體元件126d的第二表面S42，借此降低於切割或接合程序時因應力或撞擊而在第一半導體元件124d與第二半導體元件126d上所產生的裂縫擴大，或可降低水氧侵蝕第一半導體元件124d與第二半導體元件126d。於一實施例中，於第一方向X(例如垂直於基板110的法線方向)上，位於第一表面S41上的第一保護結構130d的部分的寬度W1與第一半導體元件124d的寬度W2的比值可例如是0.2至0.4(即，0.2≤W1/W2≤0.4)，但不限於此。
於一實施例中，於第一方向X(例如垂直於基板110的法線方向)上，位於第二表面S42上的第一保護結構130d的部分的寬度W3第二半導體元件126d的寬度W4的比值可例如是0.2至0.4(即，0.2≤W3/W4≤0.4)。相似的，於一實施例中，於第一方向Y(例如垂直於基板110的法線方向)上，位於第一表面S41上的第一保護結構130d的部分的寬度W5與第一半導體元件124d的寬度W6的比值可例如是0.2至0.4(即，0.2≤W5/W6≤0.4)，但不限於此。於一實施例中，於第一方向Y(例如垂直於基板110的法線方向)上，位於第二表面S42上的第一保護結構130d的部分的寬度W7第二半導體元件126d的寬度W8的比值可例如是0.2至0.4(即，0.2≤W7/W8≤0.4)。
圖5是本揭露的另一實施例的一種電子裝置的示意圖。請同時參考圖1A與圖5，在本實施例中，電子裝置100e與圖1A的電子裝置100a相似，兩者的差異在於：本實施例的電子裝置100e可例如應用於公共資訊顯示器（Public Information Display, PID），但不限於此。電子裝置100e可包括第二保護結構170e，第二保護結構170e可覆蓋至少部分的第一保護結構130e。如圖5所示，第一半導體元件124e、第二半導體元件126e及/或第三半導體元件128e可定義出一個發光單元，而圖5例如示意兩個發光單元，但不限於此。兩個發光單元可各自被第一保護結構130e所分別包覆，意即第一保護結構130e可覆蓋每一個發光單元中的第一半導體元件124e、第二半導體元件126e及第三半導體元件128e，第二保護結構170e可例如同時覆蓋多個發光單元，或是可例如同時包覆多個發光單元的第一保護結構130e且接觸基板110的一部分。於一實施例中，部分的第一保護結構130e可位於第一半導體元件124e、第二半導體元件126e及第三半導體元件128e之任兩者之間。於一實施例中，部分的第二保護結構170e可位於兩相鄰的第一保護結構130e之間。於一實施例中，第一保護結構130e的材質與第二保護結構170e的材質皆可例如包括透明矽膠或環氧樹脂，第二保護結構170e的硬度可例如比第一保護結構130e的硬度還要硬，以用來防止外力壓力，但並不以此為限。
圖6是本揭露的另一實施例的一種電子裝置的側視示意圖。請同時參考圖1A與圖6，電子裝置100f與圖1A的電子裝置100a相似，兩者的差異在於：第一半導體元件124f與第二半導體元件126f例如是以倒裝晶片（flip chip）的方式設置於基板110上。第一保護結構130f可包括第一保護層132f與第二保護層134f。第一保護層覆130f可覆蓋至少部分的第一半導體元件124f(或第二半導體元件126f)的側表面，而第二保護層134f可分別覆蓋第一保護層130f及第一半導體元件124f的第一表面S61或第二半導體元件126f的第一表面S62。第一保護結構130f的第一保護層132f可接觸或覆蓋至少部分的第一半導體元件124f的側表面及/或接墊P，且第一保護層132f可接觸或覆蓋至少部分第二半導體元件126f的側表面及接墊P。於一實施例中，第一保護層132f可暴露出部份的第一半導體元件124f的側表面，或第一保護層132f可暴露出部份的第二半導體元件126f的側表面。於一實施例中，第一保護結構130f的第二保護層134f可覆蓋第一保護層132f、第一保護層132f所暴露出的第一半導體元件124f的側表面及/或第一半導體元件124f的第一表面S61。第二保護層134f可覆蓋第一保護層132f、第一保護層132f所暴露出的第二半導體元件126f的側表面及/或第二半導體元件126f的第二表面S62。第一半導體元件124f與第二半導體元件126f可各別透過第一保護結構130f覆蓋保護。此處，第一保護結構130f可暴露出基板110的部分上表面112。第一保護層132f可例如選用硬度較高的材料，而第二保護層134f可選用阻水氣或氧氣較高的材料，但並不以此為限。
圖7是本揭露的另一實施例的一種電子裝置的側視示意圖。請同時參考圖1A與圖7，在本實施例中，電子裝置100g與圖6的電子裝置100f相似，兩者的差異在於：在本實施例中，第一半導體元件124g與第二半導體元件126g例如是通過打線L的方式電性連接至基板110上。本實施例的電子裝置100g的第一保護結構130g可例如完全覆蓋第一半導體元件124g的側表面及上表面S71。第一保護結構130g可例如完全覆蓋第二半導體元件126g的側表面及上表面S72。第一保護結構130g可更覆蓋打線L。
另外，第二保護結構170g，可覆蓋至少部分的第一保護結構130g。另外，第一保護結構130g及/或第二保護結構170g可接觸部分的基板110，且第一保護結構130g及/或第二保護結構170g可暴露出基板110的部分的上表面112，但不限於此。也就是說，第一半導體元件124g與第二半導體元件126g可各別透過第一保護結構130g及第二保護結構170g覆蓋保護。此處，第一保護結構130g可選用硬度較高的材料，而第二保護結構170g可選用阻水氣高的材料，但並不以此為限。另外，第一保護結構130g及/或第二保護結構170g可具有弧邊的上表面。
圖8是本揭露的另一實施例的一種電子裝置的側視示意圖。請同時參考圖1A與圖8，在本實施例中，電子裝置100h與圖6的電子裝置100a相似，兩者的差異在於：第二保護層134h可同時覆蓋第一半導體元件124h及第二半導體元件126h，但不限於此，即第二保護層134h可覆蓋多個半導體元件。在一些實施例中，第一保護結構130h中的第二保護層134h可例如大致與基板110的側面切齊。換句話說，第一保護結構130h中的第二保護層134h可例如完全覆蓋基板110的上表面。此處，第一保護層132h可選用硬度較高的材料，而第二保護層134h可選用阻水氣高的材料，但並不以此為限。
值得一提的是，當第一半導體元件124h及第二半導體元件126h例如為發光二極體時，第二保護層134h的材質可選用類似透鏡的材料，第二保護層134h的上表面可例如大致平坦但可有些微的微結構(未繪示)設計，以增加電子裝置100h的出光效率。再者，若電子裝置應用拼接的電子裝置100h，則第二保護層134h可例如大致填滿相鄰之電子裝置之拼接縫隙(未繪示)，但不以此為限。此外，當第一半導體元件124h及第二半導體元件126h例如為積體電路時，因無光學考量，第一保護層132h的外形可例如大致順著第一半導體元件124h、及/或第二半導體元件126h的外形起伏，而第二保護層134h的外形可例如大致順著第一保護層132h的外形起伏，但不限於此。
圖9是本揭露的另一實施例的一種電子裝置的側視示意圖。請同時參考圖1A與圖9，在本實施例中，電子裝置100i與圖7的電子裝置100g相似，兩者的差異在於：第二保護結構170i可同時覆蓋第一保護結構130i及第一保護結構130i。在一些實施例中，第一保護結構170i可暴露出基板110的部分上表面112，第二保護結構170i可設置於基板110上，且第二保護結構170i可覆蓋第一保護結構170i及第一保護結構170i所暴露出基板110的部分上表面112。在一些實施例中，第二保護結構170i可同時覆蓋多個半導體元件(例如第一半導體元件124i及第二半導體元件126i) 。也就是說，第一半導體元件124i與第二半導體元件126i各別透過第一保護結構130i覆蓋保護，且通過第二保護結構170g同時將各別的第一保護結構130i覆蓋保護。此處，第一保護結構130i可選用硬度較高的材料，而第二保護結構170i可選用阻水氣高的材料，但並不以此為限。
基於上述，在本揭露的實施例中，在本揭露的實施例中，由於第一保護結構覆蓋至少部分第一半導體元件遠離基板的第一表面(或其它半導體元件)，因此可有效地降低於切割或接合程序時因應力或撞擊而在第一半導體元件(或其它半導體元件)上所產生的裂縫（crack）擴大，同時亦可降低水氧侵蝕第一半導體元件(或其它半導體元件)，而使本揭露的電子裝置具有較佳的結構可靠度。
最後應說明的是：以上各實施例僅用以說明本揭露的技術方案，而非對其限制；儘管參照前述各實施例對本揭露進行了詳細的說明，本領域的普通技術人員應當理解：其依然可以對前述各實施例所記載的技術方案進行修改，或者對其中部分或者全部技術特徵進行等同替換；而這些修改或者替換，並不使相應技術方案的本質脫離本揭露各實施例技術方案的範圍。
100a、100b、100c、100d、100e、100f、100g、100h、100i:電子裝置 110:基板 113:基底 112:上表面 115:線路層 117:導電通孔 122a、124a、122c、124d、124e、124f、124g、124h、124i:第一半導體元件 123a、123c、P:接墊 125a、125c:載板 126a、126d、126e、126f、126g、126h、126i:第二半導體元件 127a、127c:晶片本體 128a、128e:第三半導體元件 129a、129c:緩衝層 130b、130c、130d、130e、130f、130g、130h、130i:第一保護結構 132a、132f、132h:第一保護層 134a、134f、134h:第二保護層 140:材料層 150:隔牆結構 160:光學膜片組 170e、170g、170i:第二保護結構 S11、S12、S21、S31、S41、S51、S61、S71、S81、S91:第一表面 S13、S42、S52、S62、S72、S82、S92:第二表面 S14、S53:第三表面 W1、W2、W3、W4、W5、W6、W7、W8:寬度 L:打線
圖1A是本揭露的一實施例的一種電子裝置的示意圖。 圖1B是圖1A的電子裝置的第一半導體元件的俯視示意圖。 圖1C是沿圖1B的線I-I的剖面示意圖。 圖2是本揭露的另一實施例的一種電子裝置的示意圖。 圖3是本揭露的另一實施例的一種第一半導體元件的剖面示意圖。 圖4A是本揭露的另一實施例的一種電子裝置的側視示意圖。 圖4B是圖4A的電子裝置的俯視示意圖。 圖5是本揭露的另一實施例的一種電子裝置的示意圖。 圖6是本揭露的另一實施例的一種電子裝置的側視示意圖。 圖7是本揭露的另一實施例的一種電子裝置的側視示意圖。 圖8是本揭露的另一實施例的一種電子裝置的側視示意圖。 圖9是本揭露的另一實施例的一種電子裝置的側視示意圖。
110:基板
122a:第一半導體元件
123a:接墊
125a:載板
127a:晶片本體
129a:緩衝層
132a:第一保護層
140:材料層
150:隔牆結構
S11:第一表面

Claims (10)

  1. 一種電子裝置，包括：一基板；一第一半導體元件，設置於該基板上且電性連接該基板，該第一半導體元件具有遠離該基板的一第一表面，且該第一半導體元件包括一載板、一晶片本體及多個接墊，該晶片本體設置於該載板的一側面上；一材料層，設置於該基板與該第一半導體元件之間；以及一第一保護結構，覆蓋至少部分的該第一表面，其中於該電子裝置的俯視方向上，該多個接墊未與該晶片本體重疊，該材料層重疊於該晶片本體，且該晶片本體於該基板的正投影位於該材料層於該基板的正投影內。
  2. 如請求項1所述的電子裝置，其中該載板的材質包括玻璃或聚醯亞胺。
  3. 如請求項1所述的電子裝置，其中該第一保護結構設置於該基板與該第一半導體元件之間。
  4. 如請求項3所述的電子裝置，該材料層接觸該第一保護結構。
  5. 如請求項1所述的電子裝置，更包括：一第二保護結構，覆蓋至少部分的該第一保護結構。
  6. 如請求項5所述的電子裝置，其中該第二保護結構接觸該基板。
  7. 如請求項1所述的電子裝置，更包括：一第二半導體元件，鄰近該第一半導體元件，其中該第二半導體元件具有遠離該基板的一第二表面，且該第一保護結構覆蓋至少部分的該第二表面。
  8. 如請求項7所述的電子裝置，更包括：一第二保護結構，設置於該基板上，其中該第一保護結構暴露出該基板的一部分上表面，而該第二保護結構覆蓋該第一保護結構及該第一保護結構所暴露出的該基板的該部分上表面。
  9. 如請求項1所述的電子裝置，其中該第一保護結構包括一第一保護層與一第二保護層，該第一保護層覆蓋至少部分的該第一半導體元件的一側表面，而該第二保護層覆蓋該第一保護層以及該第一半導體元件的該第一表面。
  10. 如請求項1所述的電子裝置，更包括：一隔牆結構，環繞該第一保護結構。
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