TWI841405B - 顯示裝置及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
一種顯示裝置，包括電路基板以及電性連接至電路基板的至少一個發光二極體封裝結構。至少一個發光二極體封裝結構中的每一者包括多個發光二極體、多個透明封裝結構、模封層、重佈線結構以及共用電極。發光二極體各自包括重疊的第一電極、半導體堆疊結構以及第二電極。透明封裝結構分別環繞發光二極體。模封層環繞透明封裝結構。重佈線結構位於模封層的第一側，且電性連接至發光二極體的第一電極。共用電極位於模封層的第二側，且電性連接至發光二極體的第二電極。
Description
本發明是有關於一種顯示裝置及其製造方法。
微型發光二極體顯示器（Micro light emitting diode display）是新一代的顯示技術，其核心技術在於如何將大量微型發光二極體精確地轉移至畫素陣列基板上。然而，轉移技術是一種機械操作，轉移的效果取決於機台的精度以及轉印器件本身的精度和良率。在提取微型發光二極體時，可能會遇到機台作動誤差和轉印器件精度誤差等問題，而在放置微型發光二極體時，也會面臨機台作動對位偏差等問題。如果微型發光二極體沒有正確地放置在其位置上，將無法正常運作。因此，目前迫切需要一種能夠解決這些問題的方法。
本發明的至少一實施例提供一種顯示裝置的製造方法，包括以下步驟。提供多個發光二極體於第一轉置載板上，其中各發光二極體包括重疊的第一電極、半導體堆疊結構以及第二電極。分別形成多個透明封裝結構於發光二極體上。形成模封層於第一轉置載板之上，且模封層位於相鄰的透明封裝結構之間。形成重佈線結構於模封層的第一側，且重佈線結構電性連接至發光二極體的第一電極。將第二轉置載板連接至重佈線結構，並移除第一轉置載板。形成共用電極於模封層的第二側，且共用電極電性連接至發光二極體的第二電極。將重佈線結構電性連接至電路基板。
本發明的至少一實施例提供一種顯示裝置，其包括電路基板以及電性連接至電路基板的至少一個發光二極體封裝結構。至少一個發光二極體封裝結構中的每一者包括多個發光二極體、多個透明封裝結構、模封層、重佈線結構以及共用電極。發光二極體各自包括重疊的第一電極、半導體堆疊結構以及第二電極。透明封裝結構分別環繞發光二極體。模封層環繞透明封裝結構。重佈線結構位於模封層的第一側，且電性連接至發光二極體的第一電極。共用電極位於模封層的第二側，且電性連接至發光二極體的第二電極。
圖1A至圖1H是依照本發明的一些實施例的一種顯示裝置1的製造方法的上視示意圖。圖2A至圖2H分別是沿著圖1A至圖1H的線A-A’的剖面示意圖。請參考圖1A與圖2A，提供多個發光二極體100於第一轉置載板TS1上。在本實施例中，第一黏著層AD1形成於第一轉置載板TS1上，且第一轉置載板TS1透過第一黏著層AD1而黏接發光二極體100。
在一些實施例中，先於生長基板（未繪出）上形成發光二極體100，接著再透過轉移製程將發光二極體100從生長基板上轉移至第一轉置載板TS1上。在一些實施例中，轉移製程為巨量轉移製程，其包括利用靜電吸附、真空吸附、凡得瓦力吸附或其他方法提取發光二極體100，然而本發明不限於此。
發光二極體100為垂直式發光二極體，且各發光二極體100包括重疊的第一電極104、半導體堆疊結構以及第二電極102。半導體堆疊結構包括堆疊在一起的第一型半導體130、發光層120以及第二型半導體110。第一型半導體130以及第二型半導體110中的一者為N型半導體，而另一者為P型半導體。第一電極104位於第一型半導體130上，且第二電極102位於第二型半導體110上。第一電極104與第二電極102分別位於發光二極體100的不同側。在本實施例中，發光二極體100的第一電極104遠離第一黏著層AD1，而第一電極102靠近第一黏著層AD1。
在一些實施例中，發光二極體100包括紅色發光二極體、綠色發光二極體、藍色發光二極體、其他顏色的發光二極體或上述發光二極體的組合。在一些實施例中，相同顏色的發光二極體100排在同一行，但本發明不以此為限。發光二極體100的排列方式可以依照實際需求而進行調整。
請參考圖1B與圖2B，分別形成多個透明封裝結構200於發光二極體100上。每個透明封裝結構200環繞對應的一個發光二極體100，且透明封裝結構200彼此分離。透明封裝結構200可保護發光二極體100，且還能做為發光二極體100的導光結構。
在一些實施例中，形成透明封裝結構200的方法包括以下步驟。首先，形成多個第一覆蓋層210於第一轉置載板TS1之上，第一覆蓋層210分別環繞發光二極體100。在一些實施例中，第一覆蓋層210的材料包括光阻，且形成第一覆蓋層210的方法包括微影製程。在形成第一覆蓋層210之後，分別形成多個第二覆蓋層220於第一覆蓋層210上。在一些實施例中，第二覆蓋層220的材料包括光阻，且形成第二覆蓋層220的方法包括微影製程。各透明封裝結構200包括第一覆蓋層210中對應的一者與第二覆蓋層220中對應的一者。在一些實施例中，第一覆蓋層210的寬度大於第二覆蓋層220的寬度，使透明封裝結構200的側壁具有階梯結構。雖然在本實施例中，以透明封裝結構200具有階梯結構為例，但本發明不以此為限。在其他實施例中，透過一次微影製程形成透明封裝結構200，且透明封裝結構200的側壁不具有階梯結構。
在本實施例中，透過多次微影製程形成透明封裝結構200，可以提升透明封裝結構200的厚度。透明封裝結構200的頂面的高度較佳高於發光二極體100的發光層120的高度。換句話說，透明封裝結構200較佳覆蓋發光層120的側壁。透明封裝結構200可選地覆蓋發光二極體100遠離第一黏著層AD1的表面（例如圖2B所示的第一型半導體130的上表面）。然而，透明封裝結構200暴露出第一電極104。
請參考圖1C與圖2C，分別形成多個反射結構300於透明封裝結構200上。在一些實施例中，反射結構300包括高反射率（例如在可見光的波段（350nm至800nm）下的反射率大於85%）的高分子材料（例如環氧樹脂基的高分子材料，所述環氧樹脂基的高分子材料例如可作為固態模封材料（Epoxy Molding Compound, EMC））或其他合適的材料。在一些實施例中，反射結構300包括絕緣材料。
反射結構300共形於透明封裝結構200的側壁。在本實施例中，透明封裝結構200的側壁具有階梯結構，因此，反射結構300也具有階梯結構。反射結構300暴露出發光二極體100的第一電極104。在一些實施例中，反射結構300與第一電極104之間不具有間距或反射結構300與第一電極104之間的間距小於反射結構300與第二電極102之間的間距。基於前述，可以避免發光二極體100所發出的光線從反射結構300與第一電極104之間漏出。
藉由反射結構300的設置，可以提升發光二極體100的光線耦合效率，並降低不同顆發光二極體100之間的串擾。
請參考圖1D與圖2D，形成模封層400於第一轉置載板TS1之上，且模封層400位於相鄰的透明封裝結構200之間。反射結構300位於模封層400與透明封裝結構200之間。發光二極體100之間的模封層400為連續的結構。在本實施例中，模封層400圍繞並接觸發光二極體100的第一電極104的側壁，但本發明不以此為限。在其他實施例中，模封層400分離於第一電極104，且模封層400的頂面低於反射結構300的頂面。在圖2D中，第一電極104的頂面的高度高於模封層400的頂面的高度，且模封層400暴露出第一電極104。
在一些實施例中，形成模封層400的方法包括模塑成型。具體地說，將液態或半固態的有機材料透過模具施加於第一轉置載板TS1之上，接著接著透過熱固化/光固化來固化前述有機材料。最後，圖案化固化後的有機材料以形成包含至少一個通孔410的模封層400。通孔410暴露出位於其下方的第一黏著層AD1。
在一些實施例中，模封層400包括黑色樹脂或其他吸光材料，其材料例如包括環氧樹脂基的高分子材料，所述環氧樹脂基的高分子材料例如可作為固態模封材料（Epoxy Molding Compound, EMC）。
請參考圖1E與圖2E，形成重佈線結構500於模封層400的第一側S1，且重佈線結構500電性連接至發光二極體100的第一電極104。
在本實施例中，重佈線結構500包括絕緣層510以及導電層520。絕緣層510形成於模封層400的第一側S1上。絕緣層510暴露出發光二極體封裝結構的接合位置。具體地說，絕緣層510具有重疊於第一電極104的多個第一開口O1以及位於第一開口O1外側的至少一個第二開口O2。模封層400的通孔410重疊於第二開口O2。
在一些實施例中，絕緣層510的材料包括氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、有機絕緣材料或其他合適的材料。
導電層520形成於絕緣層510上，且絕緣層510可用於保護導電層520。導電層520包括多個第一導電結構522以及至少一個第二導電結構524。第一導電結構522分別填入第一開口O1中，且分別電性連接至第一電極104。第二導電結構524填入第二開口O2以及通孔410中，且接觸第一黏著層AD1。第二導電結構524環繞發光二極體100。在本實施例中，第二導電結構524位於發光二極體100的外側，藉此可以減少發光二極體100之間的間隙，並提升顯示裝置的解析度。
導電層520具有單層或多層結構。在一些實施例中，導電層520的材料包括銦、金、鎳、銅、鈀、鋁、鈦或前述材料的合金或前述材料的組合。
請參考圖1F與圖2F，將第二轉置載板TS2連接至重佈線結構500，並移除第一轉置載板TS1。在本實施例中，第二黏著層AD2形成於第二轉置載板TS2上，且第二轉置載板TS2透過第二黏著層AD2而黏接重佈線結構500。在一些實施例中，將第二轉置載板TS2黏接至重佈線結構500後，以雷射照射第一轉置載板TS1上的第一黏著層AD1（請參考圖2E），藉此移除第一轉置載板TS1。
翻轉整個結構，使模封層400的第二側S2以及發光二極體100的第二電極102朝上。形成共用電極600於模封層400的第二側S2，且共用電極600電性連接至發光二極體100的第二電極102以及第二導電結構524。在一些實施例中，模封層400的第二側S2、第二導電結構524以及透明封裝結構200實質上共平面，因此，共用電極600可以較為平整地整面形成。在一些實施例中，共用電極600包括透明導電材料，例如銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鎵鋅氧化物或是上述至少二者之堆疊層。
請參考圖1G與圖2G，將第三轉置載板TS3連接至共用電極600，並移除第二轉置載板TS2。在本實施例中，第三黏著層AD3形成於第三轉置載板TS3上，且第三轉置載板TS3透過第三黏著層AD3而黏接共用電極600。在一些實施例中，將第三轉置載板TS3黏接至共用電極600後，以雷射照射第二轉置載板TS2上的第二黏著層AD2（請參考圖2F），藉此移除第二轉置載板TS2。
翻轉整個結構，使模封層400的第一側S1以及重佈線結構500朝上。形成多個第一導電端子710以及至少一個第二導電端子720於重佈線結構500上。第一導電端子710分別電性連接至發光二極體100的第一電極104。在本實施例中，第一導電端子710透過對應的第一導電結構522電性連接至對應的第一電極104。第二導電端子720電性連接至第二導電結構524、共用電極600以及發光二極體100的第二電極102。
在一些實施例中，第一導電端子710以及第二導電端子720的材料包括銲料、導電膠或其他合適的材料。在一些實施例中，第一導電端子710以及第二導電端子720也可以稱為金屬凸塊。在一些實施例中，第一導電端子710填入絕緣層510的第一開口O1，且第二導電端子720填入絕緣層510的第二開口O2。第二導電端子720環繞第一導電端子710。至此，形成多個位於第三轉置載板TS3上的發光二極體封裝結構10。
在本實施例中，發光二極體封裝結構10包括發光二極體100、透明封裝結構200、反射結構300、模封層400、重佈線結構500、共用電極600、第一導電端子710以及第二導電端子720。圖1A至圖1G以及圖2A至圖2G顯示了一個發光二極體封裝結構10的製造方法，然而，也可以同時形成多個發光二極體封裝結構10，並在第三轉置載板TS3上利用雷射將多個發光二極體封裝結構10彼此分開。具體地說，在一些實施例中，第三轉置載板TS3上的多個發光二極體封裝結構10的模封層400彼此連接在一起，並利用雷射切割模封層400以使多個發光二極體封裝結構10彼此分開。
另外，每個發光二極體封裝結構10中的發光二極體100的數量可以依照需求而進行調整。在一些實施例中，每個發光二極體封裝結構10包括一個或多個畫素，每個畫素包含不同顏色的發光二極體100（例如紅色發光二極體、綠色發光二極體以及藍色發光二極體）。
請參考圖1H與圖2H，將一個或多個發光二極體封裝結構10的重佈線結構500電性連接至電路基板800，以形成顯示裝置1。在本實施例中，透過第一導電端子710以及第二導電端子720將重佈線結構500電性連接至電路基板800。接著，移除第三轉置載板TS3（請參考圖2G）。在一些實施例中，以雷射照射第三轉置載板TS3上的第三黏著層AD3，藉此移除第三轉置載板TS3。在一些實施例中，不需要於發光二極體封裝結構10的上方設置其他蓋板，藉此減少顯示裝置的整體厚度。
在一些實施例中，在將發光二極體封裝結構10接合至電路基板800之前，可以對發光二極體封裝結構10中的發光二極體100進行測試。舉例來說，在第三轉置載板TS3（請參考圖2G）上對發光二極體100進行測試。
在一些實施例中，將發光二極體封裝結構10的重佈線結構500電性連接至電路基板800的方法包括焊接製程（例如表面貼焊技術（SMT, Surface Mount Technology）等）或其他合適的製程。在本實施例中，由於不需要於發光二極體封裝結構10的出光側（共用電極600的一側）進行發光二極體封裝結構10與電路基板800的接合製程（例如焊接），因此可以提升顯示裝置的出光效率。另外，在本實施例中，以發光二極體封裝結構10為單位，一次性將多個發光二極體100電性連接至電路基板800，因此，可以改善發光二極體100在巨量轉移過程中出現的飛濺問題。
在一些實施例中，電路基板800為軟性基板或硬性基板，且包括印刷電路板、包含電路結構的矽基背板、包含電路結構的玻璃基板或其他合適的基板。在一些實施例中，電路基板800包括電路以及主動元件（未繪出）。在一些實施例中，發光二極體封裝結構10中的每個發光二極體100的第一電極104透過第一導電結構522以及第一導電端子710而分別電性連接至電路基板800中對應的一個主動元件（例如薄膜電晶體），且每個發光二極體100的第二電極102透過共用電極600、第二導電結構524以及第二導電端子720而電性連接至電路基板800中的共用訊號線（未繪出）。
在一些實施例中，發光二極體100的出光面（發光二極體100朝向共用電極600的表面）與透明封裝結構200的側壁的之間的夾角θ1為30度至60度，較佳為30度至55度。表1顯示了比較例與實施例1至實施例3的顯示裝置中的發光二極體的出光效率差異，其中以比較例的發光二極體的出光效率為100%。在表1中，比較例的顯示裝置不具有透明封裝結構200、反射結構300以及模封層400。實施例1至實施例3的顯示裝置具有如圖2H所示的結構，差異在於實施例1至實施例3具有不同的夾角θ1。
表1
| 夾角θ1 | 出光效率 | |
| 比較例1 | 100% | |
| 實施例1 | 30度 | 133% |
| 實施例2 | 45度 | 129% |
| 實施例3 | 60度 | 122% |
由表1可以得知，透過透明封裝結構200以及反射結構300的設置，可以有效的提升顯示裝置的出光效率。
圖3A至圖3C是依照本發明的一些實施例的一種顯示裝置2的製造方法的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖3A至圖3C的實施例沿用圖1A至圖2H的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
請參考圖3A，接續圖1F與圖2F的製程，形成多個透鏡結構920於共用電極600上方，且透鏡結構920分別重疊於發光二極體100。在本實施例中，先形成具有多個開口的保護層910於共用電極600上，接著於保護層910的開口中形成透鏡結構920。
請參考圖3B，將第三轉置載板TS3連接至共用電極600，並移除第二轉置載板TS2。在本實施例中，第三黏著層AD3形成於第三轉置載板TS3上，且第三轉置載板TS3透過第三黏著層AD3而黏接共用電極600。在本實施例中，第三黏著層AD3包覆透鏡結構920。
翻轉整個結構，使模封層400的第一側S1以及重佈線結構500朝上。形成多個第一導電端子710以及至少一個第二導電端子720於重佈線結構500上。至此，形成多個位於第三轉置載板TS3上的發光二極體封裝結構20。
在本實施例中，發光二極體封裝結構20包括發光二極體100、透明封裝結構200、反射結構300、模封層400、重佈線結構500、共用電極600、第一導電端子710、第二導電端子720、保護層910以及透鏡結構920。
請參考圖3C，將一個或多個發光二極體封裝結構20的重佈線結構500電性連接至電路基板800，以形成顯示裝置2。
另外，在本實施例中，在將第三轉置載板TS3連接至共用電極600之前，形成保護層910以及多個透鏡結構920於共用電極600上方，但本發明不以此為限。在其他實施例中，在將重佈線結構500電性連接至電路基板800之後，形成保護層910以及多個透鏡結構920於共用電極600上方。
圖4是依照本發明的一些實施例的一種發光二極體封裝結構30的上視示意圖。在此必須說明的是，圖4的實施例沿用圖1A至圖2H的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖4的發光二極體封裝結構30與圖1H的發光二極體封裝結構10的主要差異在於：圖1H的發光二極體封裝結構10具有矩形的投影形狀，而圖4的發光二極體封裝結構30具有圓形的投影形狀。須注意的是，發光二極體封裝結構的形狀可以依照實際需求而進行調整。
圖5是依照本發明的一些實施例的一種發光二極體封裝結構40的上視示意圖。在此必須說明的是，圖5的實施例沿用圖4的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖5的發光二極體封裝結構40與圖4的發光二極體封裝結構30的主要差異在於：圖4的發光二極體封裝結構30的透明封裝結構200具有矩形的投影形狀，而圖5的發光二極體封裝結構40的透明封裝結構200具有圓形的投影形狀。須注意的是，透明封裝結構200的形狀可以依照實際需求而進行調整。
圖6是依照本發明的一些實施例的一種發光二極體封裝結構50的上視示意圖。在此必須說明的是，圖6的實施例沿用圖4的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖6的發光二極體封裝結構50與圖4的發光二極體封裝結構30的主要差異在於：圖4的發光二極體封裝結構30的透明封裝結構200具有矩形的投影形狀，而圖6的發光二極體封裝結構50的透明封裝結構200具有六角形的投影形狀。須注意的是，透明封裝結構200的形狀可以依照實際需求而進行調整。
圖7是依照本發明的一些實施例的一種顯示裝置3的剖面示意圖。在此必須說明的是，圖7的實施例沿用圖2H的實施例的元件標號與部分內容，其中採用相同或近似的標號來表示相同或近似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施例，在此不贅述。
圖7的顯示裝置3與圖2H的顯示裝置1的主要差異在於：圖2H的顯示裝置1的發光二極體封裝結構10的透明封裝結構200具有階梯形的側壁，而圖7的顯示裝置3的發光二極體封裝結構60的透明封裝結構200具有弧形的側壁。在一些實施例中，發光二極體100的出光面（發光二極體100朝向共用電極600的表面）與透明封裝結構200的側壁的之間的夾角θ1為30度至60度，較佳為30度至55度。
綜上所述，單個發光二極體封裝結構包括多個發光二極體，因此，只要將一個發光二極體封裝結構轉移至電路基板上，就可以同時將多個發光二極體轉移至電路基板上，藉此降低轉移製程的難度。
1, 2, 3:顯示裝置
10, 20, 30, 40, 50, 60:發光二極體封裝結構
100:發光二極體
102:第一電極
104:第二電極
110:第一型半導體
120:發光層
130:第二型半導體
200:透明封裝結構
210:第一覆蓋層
220:第二覆蓋層
300:反射結構
400:模封層
500:重佈線結構
510:絕緣層
520:導電層
522:第一導電結構
524:第二導電結構
600:共用電極
710:第一導電端子
720:第二導電端子
800:電路基板
910:保護層
920:透鏡結構
AD1:第一黏著層
AD2:第二黏著層
AD3:第三黏著層
O1:第一開口
O2:第二開口
S1:第一側
S2:第二側
TS1:第一轉置載板
TS2:第二轉置載板
TS3:第三轉置載板
θ1:夾角
圖1A至圖1H是依照本發明的一些實施例的一種顯示裝置的製造方法的上視示意圖。
圖2A至圖2H分別是沿著圖1A至圖1H的線A-A’的剖面示意圖。
圖3A至圖3C是依照本發明的一些實施例的一種顯示裝置的製造方法的剖面示意圖。
圖4是依照本發明的一些實施例的一種發光二極體封裝結構的上視示意圖。
圖5是依照本發明的一些實施例的一種發光二極體封裝結構的上視示意圖。
圖6是依照本發明的一些實施例的一種發光二極體封裝結構的上視示意圖。
圖7是依照本發明的一些實施例的一種顯示裝置的剖面示意圖。
1:顯示裝置
10:發光二極體封裝結構
100:發光二極體
102:第一電極
104:第二電極
110:第一型半導體
120:發光層
130:第二型半導體
200:透明封裝結構
210:第一覆蓋層
220:第二覆蓋層
300:反射結構
400:模封層
500:重佈線結構
510:絕緣層
520:導電層
522:第一導電結構
524:第二導電結構
600:共用電極
710:第一導電端子
720:第二導電端子
800:電路基板
θ1:夾角
Claims (10)
- 一種顯示裝置的製造方法，包括：提供多個發光二極體於一第一轉置載板上，其中各該發光二極體包括重疊的一第一電極、一半導體堆疊結構以及一第二電極；分別形成多個透明封裝結構於該些發光二極體上；形成一模封層於該第一轉置載板之上，且該模封層位於相鄰的該些透明封裝結構之間；形成一重佈線結構於該模封層的一第一側，且該重佈線結構電性連接至該些發光二極體的該些第一電極；將一第二轉置載板連接至該重佈線結構，並移除該第一轉置載板；形成一共用電極於該模封層的一第二側，且該共用電極電性連接至該些發光二極體的該些第二電極，其中該第一側及該第二側為相對設置；以及將該重佈線結構電性連接至一電路基板。
- 如請求項1所述的顯示裝置的製造方法，更包括：在形成該模封層於該第一轉置載板上之前，分別形成多個反射結構於該些透明封裝結構上。
- 如請求項1所述的顯示裝置的製造方法，更包括：形成多個透鏡結構於該共用電極上方，且該些透鏡結構分別重疊於該些發光二極體。
- 如請求項1所述的顯示裝置的製造方法，更包括：在形成該共用電極於該模封層的該第二側之後，將一第三轉置載板連接至該共用電極，並移除該第二轉置載板；形成多個第一導電端子以及至少一個第二導電端子於該重佈線結構上，其中該些第一導電端子分別電性連接至該些第一電極，且該至少一個第二導電端子電性連接至該共用電極；以及透過該些第一導電端子以及該至少一個第二導電端子將該重佈線結構電性連接至該電路基板。
- 如請求項1所述的顯示裝置的製造方法，其中分別形成該些透明封裝結構於該些發光二極體上的方法包括：形成多個第一覆蓋層於該第一轉置載板之上，該些第一覆蓋層分別環繞該些發光二極體；以及分別形成多個第二覆蓋層於該些第一覆蓋層上，其中各該透明封裝結構包括該些第一覆蓋層中對應的一者與該些第二覆蓋層中對應的一者。
- 一種顯示裝置，包括：一電路基板；以及至少一個發光二極體封裝結構，電性連接至該電路基板，其中該至少一個發光二極體封裝結構中的每一者包括：多個發光二極體，各自包括重疊的一第一電極、一半導體堆疊結構以及一第二電極；多個透明封裝結構，分別環繞該些發光二極體； 一模封層，環繞該些透明封裝結構；一重佈線結構，位於該模封層的一第一側，且電性連接至該些發光二極體的該些第一電極；以及一共用電極，位於該模封層的一第二側，且電性連接至該些發光二極體的該些第二電極，其中該第一側及該第二側為相對設置。
- 如請求項6所述的顯示裝置，更包括：多個反射結構，分別位於該些透明封裝結構上，其中該些反射結構位於該模封層與該些透明封裝結構之間。
- 如請求項6所述的顯示裝置，更包括：多個透鏡結構，位於該共用電極上方，且該些透鏡結構分別重疊於該些發光二極體。
- 如請求項6所述的顯示裝置，其中該重佈線結構包括：一絕緣層，形成於該模封層的該第一側上，且具有重疊於該些第一電極的多個第一開口以及位於該些第一開口外側的至少一個第二開口，其中該模封層的至少一個通孔重疊於該至少一個第二開口；以及一導電層，形成於該絕緣層上，且包括：多個第一導電結構，分別填入該些第一開口中，且分別電性連接至該些第一電極；以及至少一個第二導電結構，填入該至少一個第二開口以 及該至少一個通孔中，且電性連接至該共用電極，其中該至少一個第二導電結構環繞該些發光二極體。
- 如請求項9所述的顯示裝置，更包括：多個第一導電端子，分別位於該些第一導電結構上；以及至少一個第二導電端子，位於該至少一個第二導電結構上。
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