CN102043296B - 平板显示装置及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

公开了平板显示装置及其制造方法。在一个实施例中，平板显示装置包括其上形成有薄膜晶体管(TFT)的基板以及形成在所述TFT与所述基板之间的阻挡层。所述阻挡层仅被布置在垂直对应于所述TFT的有源层的区域中。因此，透光率不被降低，相应地通常具有较好的装置亮度和图像质量。

Description

平板显示装置及其制造方法
相关申请
本申请要求2009年10月21日递交至韩国知识产权局的韩国专利申请No.10-2009-0100197的优先权和权益，该申请的全部内容通过引用合并于此。
技术领域
本发明的方面涉及平板显示装置及其制造方法，更具体地涉及能够显示图像和平板显示装置及其制造方法。
背景技术
平板显示装置，例如使用液晶的电光特性的液晶显示装置和使用有机发光二极管的自发射特性的有机发光显示装置，被划分为无源矩阵型和有源矩阵型。包括薄膜晶体管的有源矩阵型具有极佳的分辨率和活动画面实现能力。因此，较之无源矩阵型，有源矩阵型经常被使用。
有源矩阵型液晶显示装置(TFT-LCD)包括具有在两个基板之间注入的液晶的显示面板、用作位于显示面板的后部的光源的背光灯，以及用于驱动显示面板的驱动集成电路(IC)。从背光灯产生的光入射到显示面板上，受到根据驱动IC所产生的信号而定向的液晶调制，然后被发射到显示面板的外部，从而显示字符或图像。
发明内容
一个方面在于一种具有提高的透光率的平板显示装置及其制造方法。
另一个方面在于一种平板显示装置，包括：第一基板；形成在所述第一基板上的薄膜晶体管(TFT)；形成在所述第一基板与所述TFT之间以与所述TFT垂直对应的阻挡层；形成在具有所述TFT的所述第一基板上的平坦化层，所述平坦化层中具有形成于其中的通孔，使得TFT的源极或漏极通过所述通孔被暴露；形成在所述平坦化层上以被连接至所述源极或漏极的像素电极；与所述第一基板相对布置的第二基板；形成在所述第二基板上的共用电极；以及注入所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层。
再一方面在于一种平板显示装置，包括形成在第一基板上的TFT；形成在所述第一基板与所述TFT之间以与所述TFT垂直对应的阻挡层；形成在具有所述TFT的所述第一基板上的平坦化层，所述平坦化层具有形成于其中的通孔，使得所述TFT的源极或漏极通过所述通孔被暴露；形成在所述平坦化层上以连接至所述源极或所述漏极的像素电极；形成在所述像素电极上的有机发光层；以及形成在所述有机发光层上的阴极电极。
又一方面在于制造平板显示装置的方法，该方法包括：提供具有像素区和元件形成区的基板；在具有所述像素区和所述元件形成区的所述基板上形成阻挡层；在所述元件形成区中、所述阻挡层上形成有源层；去除所述阻挡层中接触所述有源层的侧面的部分，使得所述阻挡层仅被布置在所述有源层之下；在具有所述有源层的所述基板上形成栅绝缘层；在所述有源层的上方、所述栅绝缘层上形成栅极；在具有所述栅极的所述栅绝缘层上形成层间电介质层，然后暴露所述有源层的一部分；在所述层间电介质层上形成连接至所述有源层的源极和漏极；在具有所述源极和所述漏极的所述层间电介质层上形成平坦化层，然后暴露所述源极或漏极；以及在具有所述像素区的所述平坦化层上形成连接至所述源极或所述漏极的像素电极。
该方法可以进一步包括在具有所述像素电极的所述平坦化层上形成像素限定层；对所述像素限定层进行图案化，以在发光区中暴露所述像素电极；在被暴露的像素电极上形成有机发光层；以及在所述有机发光层上形成阴极。
应用于所述平板显示装置的TFT的有源层可以由诸如多晶硅之类的半导体形成。该半导体的导电率可以被从基板扩散来的杂质改变。阻挡层可以由无机材料在TFT之下形成。阻挡层可以不形成在透射光的像素区中，而仅形成在具有TFT的元件形成区中。另一方面在于一种平板显示装置，包括：第一基板；与所述第一基板相对布置的第二基板；形成在所述第一基板与所述第二基板之间的共用电极，其中所述共用电极离所述第二基板比离所述第一基板近；形成在所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层；形成在所述第一基板与所述第二基板之间的薄膜晶体管(TFT)，其中所述TFT包括源极和漏极；形成在所述第一基板与所述TFT之间的阻挡层，其中所述阻挡层仅形成在所述TFT之下；形成在所述TFT上的平坦化层，其中在所述平坦化层中限定有通孔；以及形成在所述平坦化层上且通过所述通孔电连接至所述TFT的所述源极或所述漏极的像素电极。
在以上装置中，所述阻挡层包括第一子阻挡层和形成在所述第一子阻挡层上的第二子阻挡层，并且其中所述第子一阻挡层比所述第二子阻挡层更薄且更靠近所述第一基板。在以上装置中，所述第一子阻挡层由氧化硅形成，并且其中所述第二子阻挡层由氮化硅形成。
在以上装置中，所述TFT包括：形成在所述阻挡层上的有源层，其中所述有源层包括源区、漏区和沟道区，并且其中所述阻挡层仅形成在所述有源层之下；形成在所述有源层上的栅绝缘层；形成在所述沟道区上方、所述栅绝缘层上的栅极；形成在所述栅极和所述栅绝缘层上的层间电介质层，其中在所述层间电介质层中限定有接触孔；以及形成在所述层间电介质层上的所述源极和所述漏极，其中所述源极和所述漏极通过所述接触孔电连接至所述有源层。
在以上装置中，所述阻挡层形成在所述第一基板与所述有源层之间，并且与所述第一基板和所述有源层相接触。在以上装置中，所述阻挡层形成在所述第一基板与所述有源层之间，并且与所述第一基板和所述有源层相接触，其中所述阻挡层具有沿第一方向限定的第一宽度，并且其中所述有源层具有沿所述第一方向限定的第二宽度，并且其中所述第一宽度与所述第二宽度基本上相同。在以上装置中，所述有源层由多晶硅形成。以上装置进一步包括在所述第一基板之上以矩阵形式排列的栅线和数据线，其中所述栅线和所述数据线电连接至所述TFT。
另一方面在于一种平板显示装置，包括：基板，其中像素区和元件形成区形成在所述基板中和所述基板之上，并且其中所述像素区被配置为发光；形成在所述基板之上的薄膜晶体管(TFT)，其中所述TFT包括源极和漏极；形成在所述基板与所述TFT之间的第一阻挡层，其中所述第一阻挡层不形成在所述像素区中；形成在所述TFT上的平坦化层，其中在所述平坦化层中限定有通孔；形成在所述平坦化层上且通过所述通孔电连接至所述TFT的所述源极或所述漏极的像素电极；形成在所述像素电极上的有机发光层；以及形成在所述有机发光层上的阴极。
在以上装置中，所述第一阻挡层包括氧化硅层和形成在所述氧化硅层上的氮化硅层，并且其中所述氧化硅层比所述氮化硅层更靠近所述基板。在以上装置中，所述TFT包括：形成在所述第一阻挡层上的有源层，其中所述有源层包括源区、漏区和沟道区，并且其中所述第一阻挡层仅形成在所述有源层之下；形成在所述有源层上的栅绝缘层；形成在所述沟道区上方、所述栅绝缘层上的栅极；形成在所述栅极和所述栅绝缘层上的层间电介质层，其中在所述层间电介质层中限定有接触孔；以及形成在所述层间电介质层上且通过所述接触孔在所述源区和所述漏区中电连接至所述有源层的所述源极和所述漏极。
在以上装置中，所述第一阻挡层形成在所述基板与所述有源层之间，其中所述第一阻挡层具有沿第一方向限定的第一宽度，其中所述有源层具有沿所述第一方向限定的第二宽度，并且其中所述第一宽度与所述第二宽度基本上相同。以上装置进一步包括：形成在所述基板与所述层间电介质层之间的电容器，其中所述电容器被形成为与所述TFT相邻，并且其中所述电容器包括下电极和上电极；以及形成在所述基板与所述电容器的所述下电极之间并且与所述基板和所述电容器的所述下电极相接触的第二阻挡层，其中所述第二阻挡层仅形成在所述电容器的所述下电极之下。在以上装置中，所述第二阻挡层包括氧化硅层和形成在所述氧化硅层上的氮化硅层，并且其中所述氧化硅层比所述氮化硅层更靠近所述基板。
再一方面在于一种制造平板显示装置的方法，包括：提供一基板，其中在所述基板中以及所述基板之上形成有像素区和元件形成区；在所述基板的所述元件形成区中形成至少一个阻挡层；在所述元件形成区中、所述阻挡层上形成有源层；去除所述至少一个阻挡层中的一些部分，使得所述阻挡层仅被布置在所述有源层之下；在所述基板和所述有源层上形成栅绝缘层；在所述栅绝缘层上形成栅极；在所述栅绝缘层和所述栅极上形成层间电介质层；暴露所述有源层的一部分；在所述层间电介质层上形成源极和漏极，使得所述源极和所述漏极电连接至所述有源层的暴露的部分；在i)所述层间电介质层以及ii)所述源极和所述漏极上形成平坦化层；暴露所述源极或所述漏极；以及在所述平坦化层上形成像素电极，使得所述像素电极电连接至所述源极或所述漏极的暴露的部分。
在以上方法中，所述至少一个阻挡层包括彼此隔开且未被形成在所述像素区中的多个阻挡层。在以上方法中，形成所述至少一个阻挡层包括：在所述基板上形成氧化硅层；以及在所述氧化硅层上形成氮化硅层，其中所述氧化硅层与所述氮化硅层具有基本相同的宽度。
在以上方法中，所述至少一个阻挡层的去除通过干法刻蚀执行。在以上方法中，所述干法刻蚀是感应耦合等离子体刻蚀。以上方法进一步包括：在所述平坦化层和所述像素电极上形成像素限定层；对所述像素限定层进行图案化，以在发光区中暴露所述像素电极；在暴露的像素电极上形成有机发光层；以及在所述有机发光层上形成阴极。
附图说明
图1是根据本发明一实施例的平板显示装置的透视图。
图2和图5是示出图1中所示的像素区和薄膜晶体管(TFT)的截面图。
图3是根据本发明另一实施例的平板显示装置的截面图。
图4A至图4E是示出制造根据本发明一实施例的平板显示装置的方法的截面图。
图6是示出根据本发明一个实施例的平板显示装置的透光率的图。
图7A和图7B是示出制造根据本发明另一实施例的平板显示装置的方法的截面图。
具体实施方式
有源矩阵型有机发光显示器包括在其中形成有有机发光二极管的显示面板和用于驱动显示面板的驱动IC。从有机发光二极管产生的光根据从驱动IC产生的信号被发射到显示面板的外部，从而显示字符或图像。
因此，在平板显示装置，如液晶显示装置和有机发光显示装置中，显示面板中的透光率对亮度有很大影响。
然而，由于有源矩阵型平板显示装置包括薄膜晶体管，因此在制造工艺中，诸如氧化硅和氮化硅之类的绝缘层被形成到透射光的像素区中的基板上的堆叠结构中。因此，透光率被绝缘层减小，并且亮度降低。
在以下的详细描述中，仅简单地以举例说明方式示出并描述本发明的某些示例性实施例。本领域技术人员会认识到，可以在都不超出本发明的精神和范围的情况下，以多种不同的方式对所描述的实施例进行修改。因此，附图和说明书被视为本质上是示例性的，而不是限制性的。另外，当一元件被称为在另一元件“上”时，该元件可以直接位于另一元件上，也可以在该元件与另一元件之间插入一个或多个中间元件从而间接位于另一元件上。并且，当一元件被称为“连接至”另一元件时，该元件可以直接连接至另一元件，也可以在该元件与另一元件之间插入一个或多个中间元件从而间接连接至另一元件。下文中，相同的附图标记表示相同的元件。
图1是根据本发明一实施例的平板显示装置的透视图。现将示意性地描述用于显示图像的显示面板。
在一个实施例中，显示面板100包括彼此相对布置的两个基板110和120以及插入在两个基板110和120之间的液晶层130。
像素区113在基板110上由以矩阵形式排列的多条栅线111和多条数据线112限定。用于控制供给每个像素的信号的薄膜晶体管(TFT)114，以及连接至TFT 114的像素电极115在基板110上可以形成在栅线111与数据线112的每个交叉部分处。用于维持信号的电容器(未示出)可以连接至TFT114。
滤色片121和共用电极122可以形成在基板120上。偏振片116和123可以分别形成在基板110和120的后部。背光灯(未示出)可以作为光源被布置在偏振片116之下。
LCD驱动IC(未示出)可以安装在显示面板100上。LCD驱动IC将从其外部供给的电信号转换为扫描信号和数据信号，并将扫描信号和数据信号分别供给栅线和数据线。
图2是更具体地示出图1中所示的像素区113和TFT 114的截面图。连接至TFT 114的电容器117进一步示于图2中。
基板110可以包括像素区P和元件形成区T。阻挡层11可以在元件形成区T中形成在基板110上，并且TFT 114和电容器117可以形成在阻挡层11上。
在一个实施例中，TFT 114包括i)有源层12a、ii)栅绝缘层13、iii)栅极14a、iv)层间电介质层15，以及v)源极和漏极16a和16b。有源层12a可以形成在阻挡层11上以基本上垂直对应于阻挡层11，并且可以具有源区、漏区和沟道区。栅绝缘层13可以形成在有源层12a上。栅极14a可以在沟道区上方形成在栅绝缘层13上。层间电介质层15可以形成在i)栅极14a、ii)栅绝缘层13和iii)上电极14b上。层间电介质层15可以形成有接触孔，使得有源层12a在源区和漏区中通过接触孔被暴露。源极和漏极16a和16b可以形成在层间电介质层15上，并且可以通过接触孔在源区和漏区中连接至有源层12a。
这里，阻挡层11可以选择性地仅布置在有源层12a之下。在一个实施例中，如图2中所示，阻挡层11基本上垂直对应于有源层12a，并且阻挡层11的上表面基本上完全由有源层12a覆盖。
电容器117可以被形成到金属-绝缘体-半导体(MIS)结构中，该MIS结构包括形成在阻挡层11上的下电极12b、栅绝缘层13和上电极14b。
阻挡层11可以选择性地仅布置在下电极12b之下。也就是说，阻挡层11基本上垂直对应于下电极12b，并且阻挡层11的上表面可以基本上完全由下电极12b覆盖。
平坦化层17可以在像素区P和如上所述形成有TFT 114和电容器117的元件形成区T中形成在基板110之上。在平坦化层17中可以形成有通孔，使得源极或漏极16a或16b通过通孔被暴露。像素电极115可以形成在像素区P中、平坦化层17上，以通过通孔连接至源极或漏极16a或16b。
图3是根据本发明另一实施例的平板显示装置的截面图。现将示意性地描述用于显示图像的显示面板200。
在一个实施例中，如图3所示，基板210包括像素区P和元件形成区T。阻挡层211可以在元件形成区T中形成在基板210上，并且TFT 224和电容器227可以形成在阻挡层211上。
TFT 224可以包括i)有源层212a、ii)栅绝缘层213、iii)栅极214a、iv)层间电介质层215，以及v)源极和漏极216a和216b。有源层212a可以形成在阻挡层211上，以基本上垂直对应于阻挡层211，并且可以具有源区、漏区和沟道区。栅绝缘层213可以形成在有源层212a上。栅极214a可以在沟道区上方形成在栅绝缘层213上。层间电介质层215可以形成在i)栅极214a、ii)栅绝缘层213，以及iii)上电极214b上。层间电介质层215可以形成有接触孔，使得有源层212a在源区和漏区中通过接触孔被暴露。源极和漏极216a和216b可以形成在层间电介质层215上，并且可以通过接触孔在源区和漏区中连接至有源层212a。
电容器227可以形成到MIS结构中，该MIS结构包括形成在阻挡层211上的下电极212b、栅绝缘层213和上电极214b。
平坦化层217可以在像素区P和如上所述形成有TFT 224和电容器227的元件形成区T中形成在基板210之上。在平坦化层217中可以形成有通孔，使得源极或漏极216a或216b通过通孔被暴露。像素电极218可以形成在像素区中、平坦化层217上，以通过通孔连接至源极或漏极216a或216b。
像素限定层219可以形成在平坦化层217包括像素电极218上，使得像素218被暴露，并且有机发光层220可以形成在暴露的像素电极218上。阴极221可以形成在像素限定层219和有机发光层220上。
密封基板230可以布置在如上所述配置的下基板210上方，并且下基板210和密封基板230可以被联结在一起，并且由密封件(未示出)密封。
以下将以更详细的方式描述制造如上所述配置的平板显示装置的方法。
图4A至4E是示出制造根据本发明一实施例的平板显示装置的方法的截面图。
参见图4A，准备诸如玻璃或塑料之类的透明基板11O。基板11O包括像素区P和元件形成区T。首先，在基板11O上在像素区P和元件形成区T中形成阻挡层11。在一个实施例中，阻挡层11防止有源层由于杂质扩散而受到污染，并且在晶化工艺中控制有源层的晶化程度。因此，阻挡层11可以形成为：i)诸如氧化硅(SiO2)之类的第一子阻挡层11a和ii)诸如氮化硅(SiNx)之类的第二子阻挡层11b的堆叠结构，以有效地防止杂质扩散并均衡有源层的晶化程度。第一子阻挡层11a比第二子阻挡层11b更薄且更靠近基板11O。
参见图4B，在基板110上、元件形成区T中，形成有源层12a和电容器的下电极12b。这里，有源层12a包括TFT的源区、漏区和沟道区。在一个实施例中，有源层12a和下电极12b由诸如多晶硅之类的半导体形成。可以对于有源层12a和下电极12b执行晶化和离子注入。可以通过干法刻蚀去除有源层12a和下电极12b旁边的部分，即阻挡层11的暴露部分。干法刻蚀可以使用能够最小化有源层12a的损伤并且维持令人满意的侧壁形貌的感应耦合等离子体刻蚀来执行。
在一个实施例中，如图4B所示，阻挡层11选择性地仅被布置在有源层12a和下电极12b之下。
参见图4C，在i)基板110、ii)有源层12a和iii)下电极12b上形成栅绝缘层13。接着，在栅绝缘层13上、有源层12a上方形成栅极14a，并且在栅绝缘层13上、下电极12b上方形成上电极14b。在形成栅极14a和上电极14b的过程中可以形成栅线111或数据线112(参见图1)。
参见图4D，在i)栅绝缘层13、ii)栅极14a和iii)上电极14b上形成层间电介质层15，并且在层间电介质层15中形成接触孔，从而通过接触孔在源区和漏区中暴露有源层12a。然后，形成源极和漏极16a和16b，从而使源极和漏极16a和16b通过接触孔在源区和漏区中连接至有源层12a。
参见图4E，在i)层间电介质层15以及ii)源极和漏极16a和16b上形成平坦化层17。在平坦化层17中形成通孔，从而通过通孔暴露源极和漏极16a和16b。接着，在平坦化层17和像素区P上形成像素电极115，从而使像素电极115通过通孔连接至源极或漏极16a或16b。像素电极115可以由诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)之类的透明电极材料形成。
接下来，在基板上布置其上形成有共用电极122的基板120。在基板110和基板120由隔板(未示出)以预定间隔彼此隔开的状态下，基板110和基板120可以通过密封件(未示出)联结在一起。然后，在基板110与基板120之间注入液晶层130，从而完成显示面板100。
在一个实施例中，从布置在基板110后部的背光灯产生的光入射到像素区P中的液晶层130中，由根据供给像素电极115和共用电极122的电压定向的液晶调制，然后通过基板120发射到显示面板100外部，从而显示字符或图像。
因此，显示面板100中实质上透射光的区域，即像素区P的透光率对亮度有很大影响。在一个实施例中，在像素区P中，仅栅绝缘层13、层间电介质层15和平坦化层17被形成在基板110上，因此透光率几乎不被降低。
在一个比较例中，如图5所示，在基板110上、像素区P和元件形成区T中，形成具有氧化硅11a和氮化硅11b的堆叠结构的阻挡层11。在该比较例中，由于阻挡层11阻挡了像素区P中的发光通路，因此氮化硅11b的透射率比氧化硅11a的透射率减小大约20％，并且光振荡被增强。因此，透光率被降低。
图6是示出平板显示装置的透光率的图。可以看出，根据本发明一个实施例的图2的平板显示器的透光率(线A)比图5的平板显示器的透光率(线B)高大约20％，并且光振荡被减小。如图2-图4所示，由于阻挡层11仅形成在元件形成区T中，因此不会阻挡像素区P中的发光通路，透光率不会被降低。
图7A和7B是示出制造根据本发明另一实施例的平板显示装置的方法的截面图。
参见图7A，通过与图4A至图4E相同的制造工艺形成TFT 224和电容器227。接下来，在包括TFT 224和电容器227的下基板210之上形成平坦化层217，并且将像素电极218形成为通过通孔连接至源极或漏极216a或216b。
参见图7B，在平坦化层217和像素电极218上形成像素限定层219并对像素限定层219进行图案化，使得像素电极218在发光区中被暴露。接着，在暴露的像素电极218上形成有机发光层220，并且在像素限定层219包括有机发光层220上形成阴极221。
在如上所述配置的下基板210上方布置密封基板230，并且通过密封件将下基板210和密封基板230联结在一起。
在平板显示装置中，如果给像素电极218和阴极221供应电压，则通过像素电极218分别注入的电子和空穴在有机发光层220中复合。接着，从有机发光层220产生的光由在此过程中产生的能量差通过下基板210被发射到显示面板200的外部，从而显示字符或图像。
根据一个实施例，显示面板200中实质上透射光的区域，即像素区P的透光率对亮度有很大影响。在一个实施例中，在像素区P中，仅栅绝缘层213、层间电介质层215和平坦化层217被形成在基板210上，因此透光率几乎不被降低。
根据至少一个实施例，无机材料，尤其是氮化硅，不会降低透光率，因此平板显示装置的亮度和图像质量能够得到提高。
尽管已结合某些示例性实施例对本发明进行了描述，但是应当理解，本发明不限于所公开的实施例，相反，本发明旨在覆盖所附权利要求及其等同物的精神和范围内所包括的各种修改和等同布置。

Claims (20)

1.一种平板显示装置，包括：
第一基板；
与所述第一基板相对布置的第二基板；
形成在所述第一基板与所述第二基板之间的共用电极，其中所述共用电极离所述第二基板比离所述第一基板近；
形成在所述第一基板与所述第二基板之间的液晶层；
形成在所述第一基板与所述第二基板之间的薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管包括源极和漏极；
形成在所述第一基板与所述薄膜晶体管之间的阻挡层，其中所述阻挡层仅形成在所述薄膜晶体管之下；
形成在所述薄膜晶体管上的平坦化层，其中在所述平坦化层中限定有通孔；以及
形成在所述平坦化层上且通过所述通孔电连接至所述薄膜晶体管的所述源极或所述漏极的像素电极。
2.如权利要求1所述的平板显示装置，其中所述阻挡层包括第一子阻挡层和形成在所述第一子阻挡层上的第二子阻挡层，并且其中所述第一子阻挡层比所述第二子阻挡层更薄且更靠近所述第一基板。
3.如权利要求2所述的平板显示装置，其中所述第一子阻挡层由氧化硅形成，并且其中所述第二子阻挡层由氮化硅形成。
4.如权利要求1所述的平板显示装置，其中所述薄膜晶体管包括：
形成在所述阻挡层上的有源层，其中所述有源层包括源区、漏区和沟道区，并且其中所述阻挡层仅形成在所述有源层之下；
形成在所述有源层上的栅绝缘层；
形成在所述沟道区上方、所述栅绝缘层上的栅极；
形成在所述栅极和所述栅绝缘层上的层间电介质层，其中在所述层间电介 质层中限定有接触孔；以及
形成在所述层间电介质层上的所述源极和所述漏极，其中所述源极和所述漏极通过所述接触孔电连接至所述有源层。
5.如权利要求4所述的平板显示装置，其中所述阻挡层形成在所述第一基板与所述有源层之间，并且与所述第一基板和所述有源层相接触。
6.如权利要求4所述的平板显示装置，其中所述阻挡层形成在所述第一基板与所述有源层之间，并且与所述第一基板和所述有源层相接触，其中所述阻挡层具有沿第一方向限定的第一宽度，并且其中所述有源层具有沿所述第一方向限定的第二宽度，并且其中所述第一宽度与所述第二宽度相同。
7.如权利要求4所述的平板显示装置，其中所述有源层由多晶硅形成。
8.如权利要求1所述的平板显示装置，进一步包括在所述第一基板之上以矩阵形式排列的栅线和数据线，其中所述栅线和所述数据线电连接至所述薄膜晶体管。
9.一种平板显示装置，包括：
基板，其中像素区和元件形成区形成在所述基板中和所述基板之上，并且其中所述像素区被配置为发光；
形成在所述基板之上的薄膜晶体管，其中所述薄膜晶体管包括源极和漏极；
形成在所述基板与所述薄膜晶体管之间的第一阻挡层，其中所述第一阻挡层不形成在所述像素区中；
形成在所述薄膜晶体管上的平坦化层，其中在所述平坦化层中限定有通孔；
形成在所述平坦化层上且通过所述通孔电连接至所述薄膜晶体管的所述源极或所述漏极的像素电极；
形成在所述像素电极上的有机发光层；以及
形成在所述有机发光层上的阴极。
10.如权利要求9所述的平板显示装置，其中所述第一阻挡层包括氧化硅 层和形成在所述氧化硅层上的氮化硅层，并且其中所述氧化硅层比所述氮化硅层更靠近所述基板。
11.如权利要求9所述的平板显示装置，其中所述薄膜晶体管包括：
形成在所述第一阻挡层上的有源层，其中所述有源层包括源区、漏区和沟道区，并且其中所述第一阻挡层仅形成在所述有源层之下；
形成在所述有源层上的栅绝缘层；
形成在所述沟道区中、所述栅绝缘层上的栅极；
形成在所述栅极和所述栅绝缘层上的层间电介质层，其中在所述层间电介质层中限定有接触孔；以及
形成在所述层间电介质层上且通过所述接触孔在所述源区和所述漏区中电连接至所述有源层的所述源极和所述漏极。
12.如权利要求11所述的平板显示装置，其中所述第一阻挡层形成在所述基板与所述有源层之间，其中所述第一阻挡层具有沿第一方向限定的第一宽度，其中所述有源层具有沿所述第一方向限定的第二宽度，并且其中所述第一宽度与所述第二宽度相同。
13.如权利要求11所述的平板显示装置，进一步包括：
形成在所述基板与所述层间电介质层之间的电容器，其中所述电容器被形成为与所述薄膜晶体管相邻，并且其中所述电容器包括下电极和上电极；以及
形成在所述基板与所述电容器的所述下电极之间并且与所述基板和所述电容器的所述下电极相接触的第二阻挡层，其中所述第二阻挡层仅形成在所述电容器的所述下电极之下。
14.如权利要求13所述的平板显示装置，其中所述第二阻挡层包括氧化硅层和形成在所述氧化硅层上的氮化硅层，并且其中所述氧化硅层比所述氮化硅层更靠近所述基板。
15.一种制造平板显示装置的方法，包括：
提供一基板，其中在所述基板中以及所述基板之上形成有像素区和元件形成区； 
在所述基板的所述元件形成区中形成至少一个阻挡层；
在所述元件形成区中、所述阻挡层上形成有源层；
去除所述至少一个阻挡层中的一些部分，使得所述阻挡层仅被布置在所述有源层之下；
在所述基板和所述有源层上形成栅绝缘层；
在所述栅绝缘层上形成栅极；
在所述栅绝缘层和所述栅极上形成层间电介质层；
暴露所述有源层的一部分；
在所述层间电介质层上形成源极和漏极，使得所述源极和所述漏极电连接至所述有源层的暴露的部分；
在i）所述层间电介质层以及ii）所述源极和所述漏极上形成平坦化层；
暴露所述源极或所述漏极；以及
在所述平坦化层上形成像素电极，使得所述像素电极电连接至所述源极或所述漏极的暴露的部分。
16.如权利要求15所述的制造平板显示装置的方法，其中所述至少一个阻挡层包括彼此隔开且未被形成在所述像素区中的多个阻挡层。
17.如权利要求15所述的制造平板显示装置的方法，其中形成所述至少一个阻挡层包括：
在所述基板上形成氧化硅层；以及
在所述氧化硅层上形成氮化硅层，其中所述氧化硅层与所述氮化硅层具有基本相同的宽度。
18.如权利要求15所述的制造平板显示装置的方法，其中所述至少一个阻挡层的去除通过干法刻蚀执行。
19.如权利要求18所述的制造平板显示装置的方法，其中所述干法刻蚀是感应耦合等离子体刻蚀。
20.如权利要求15所述的制造平板显示装置的方法，进一步包括：
在所述平坦化层和所述像素电极上形成像素限定层； 
对所述像素限定层进行图案化，以在发光区中暴露所述像素电极；
在暴露的像素电极上形成有机发光层；以及
在所述有机发光层上形成阴极。 
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